JP2000260324A

JP2000260324A - 画像表示装置の封着方法とその装置

Info

Publication number: JP2000260324A
Application number: JP11063621A
Authority: JP
Inventors: Hidehiko Fujimura; 秀彦藤村; Masaaki Ogura; 全昭小倉
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-03-10
Filing date: 1999-03-10
Publication date: 2000-09-22

Abstract

(57)【要約】【課題】簡単により低温またはより短時間のゲッタ活
性化を可能とし、内部を真空維持するガラス外囲器の製
造工程に不可欠な真空ベーキング工程がゲッタ活性化工
程を兼ねることができることを課題とする。【解決手段】少なくともリアプレートとフェースプレ
ートとを対向させてシール材によって気密容器を構成す
る支持枠と、から構成される画像表示装置の封着方法に
おいて、前記画像表示装置内の画像表示エリア外の前記
支持枠近傍に非蒸発型ゲッタを具備し、不活性ガス、窒
素ガス、水素ガスからなる少なくとも一種の選ばれるガ
スを含むガスを前記画像表示装置内にフローしながら封
着する工程中、前記シール材を接合温度に加熱する前の
封着工程中に前記シール材を加熱する封着工程の加熱工
程と、前記画像表示エリア外の支持枠近傍の非蒸発型ゲ
ッタを活性化する活性化工程とにより、前記シール材を
接合温度に加熱して封着することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、画像表示装置の封
着方法とその装置に関し、特に、冷陰極電子放出源を用
いた平面型画像表示装置をシール材を用いて封着する画
像表示装置の封着方法とその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、内部を真空維持する画像表示装置
を製造する際には、ガラス部材の間にシール材であるフ
リットガラスを塗布または載置して、電気炉等の封着炉
に入れ、またはホットプレートヒータに載せ（上下から
ホットプレートヒータで挟む場合もある）、画像表示装
置全体を封着温度に加熱して、封着部分のガラス部材を
封着ガラスで融着する封着方法が取られている。

【０００３】また、電子源を用いた平面型画表示成装置
は、冷陰極電子放出素子等を安定に長時間動作させるた
めに、超高真空を必要とするため、複数の電子放出素子
を有する基板とこれに対向する位置に蛍光体を有する基
板を枠を挟んでフリットガラスにより封着され、放出ガ
スを吸着して真空維持するゲッタが具備されている。

【０００４】上述のゲッタには蒸着型と非蒸発型があ
り、蒸着型ゲッタはＢａ等を主成分とする合金を、真空
ガラス外囲器内で通電あるいは高周波により加熱し、容
器内壁に蒸着膜を形成（ゲッタフラッシュ）し、活性な
ゲッタ金属面により内部で発生したガスを吸着して高真
空を維持している。

【０００５】一方、非蒸発型ゲッタは、Ｔｉ，Ｚｒ，
Ｖ、Ａｌ，Ｆｅ等のゲッタ材を配置し、真空中で加熱し
て、ガス吸着特性を得る「ゲッタ活性化」を行うことに
より、放出ガスを吸着することができる。

【０００６】一般に、平面型画像表示装置は、薄いため
に真空を維持する蒸着型ゲッタの設置領域や瞬時放電の
ためのフラッシュ領域が十分確保できず、画像表示エリ
ア外の支持枠近傍にそれらを設置している。よって、画
像表示の中央部とゲッタ設置領域とのコンダクタンスが
小さくなり、電子放出素子や蛍光体の中央部での実効排
気速度が小さくなってしまう。電子源と画像表示部材を
有する画像表示装置において、好ましくないガスを発生
させる部分は、主に電子ビームにより照射される画像表
示領域である。そのため、蛍光体及び電子源を高真空で
保持したい場合には、放出ガスの発生源である蛍光体や
電子源近傍に非蒸発型ゲッタを配置する必要がある。

【０００７】従来のＣＲＴの場合、蛍光体とゲッタ膜間
のコンダクタンスは平面型画像表示装置に比べてかなり
大きい。そのため、実効排気速度は平面型画像表示装置
に比べてかなり大きくなる。よって、電子照射により蛍
光体から放出されたガスはＣＲＴ内のゲッタ領域によっ
て有効に排気されるので、蛍光体から放出されるガスが
速やかにゲッタにより吸着排気され、ＣＲＴ内の圧力は
平面型画像表示装置に比べ低く維持できる。またヒータ
ーの電子源の周りにもゲッタ膜があるため、電子源自体
から放出されたガスによっても極端な圧力上昇は生じな
い。発生したガスは、電子源あるいは蛍光体を劣化させ
るため、長時間駆動することによって画像形成表示部の
輝度が減少してしまう。また、発生したガスの一部はイ
オン化し放電の原因にもなってしまい、電子源を破壊し
たりする場合がある。

【０００８】このような事情を考慮して、米国特許５，
４５３，６５９号”Anode Plate for Flat Panel Displ
ay having Integrated Getter", issured 26 Sept. 199
5 toWallace et al.では、画像表示部材（アノードプレ
ート）上の、ストライプ状の蛍光体同士の隙間に、ゲッ
タ部材を形成したものが開示されている。この例では、
ゲッタ材は、蛍光体及びそれと電気的に接続された導電
体とは電気的に分離されており、ゲッタに適当な電位を
与えて、電子源の放出した電子を照射・加熱すること
で、ゲッタの活性化を行うものである。

【０００９】また従来より、電子放出素子としては大別
して熱電子放出素子と冷陰極電子放出素子を用いた２種
類のものが知られている。冷陰極電子放出素子には、電
界放出型（以下、「ＦＥ型」という。）、金属／絶縁層
／金属型（以下、「ＭＩＭ型」という。）や表面伝導型
電子放出素子等がある。ＦＥ型の例としてはW.P.Dyke&
W.W.Dolan, "Field emissin", Advance in Electron Ph
ysics, 8, 89 (1956)あるいはC.A.Spindt,"PHYS1CAL Pr
operties of thin-film fie1d emission cathodes with
molybdenium cones", J. Appl. Phys.,47,5248(1976)
等に開示されたものが知られている。ＭＩＭ型の例とし
てはC.A. Mead, "Operation of Tunnel-Emission Devic
es",J. Apply. Phys.,32, 646(1961)等に開示されたも
のが知られている。

【００１０】表面伝導型電子放出素子型の例としては、
M.I. Elinson, Recio Eng. Electron Phys., 10, 1290,
(1965)等に開示されたものがある。表面伝導型電子放
出素子は、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に
平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を
利用するものである。この表面伝導型電子放出素子とし
ては、前記エリンソン等によるＳｎＯ₂薄膜を用いたも
の、Ａｕ薄膜によるもの[G-Dittmer: "Thin So1id Film
s", 9,317(1972)],Ｉｎ₂Ｏ₃／ＳｎＯ₂薄膜によるもの
[M.Hartwell and C.G.Fonstad:" IEEE Trans. ED Con
f.' 519(1975)]、カーボン薄膜によるもの［荒木久
他：真空、第２６巻、第１号、２２頁（１９８３）］等
が報告されている。

【００１１】これら冷陰極電子放出素子から発生した電
子ビームにより蛍光体を発光させるフラットパネルの画
像形表示装置の開発が行われている。表面伝導型電子放
出素子は、一部に高抵抗部を有する導電性薄膜に電流を
流すことにより、電子が放出されるもので、本出願人に
より出願した特開平７−２３５２５５号公報にその一例
が示されている。

【００１２】さらに、画像表示装置内のフェースプレー
ト上のメタルバックにゲッタ材を具備し、電子源より放
出される電子線を照射することによりゲッタ材を活性化
し、電子放射により発生したガスを速やかに除去し、電
子源あるいは蛍光体の劣化を防止し、輝度の低下を抑制
する画像形成装置及びゲッタ材の活性化方法を本出願人
が提案している（特開平９−８２２４５号公報）。

【００１３】また、封着時の電子源、配線等の劣化を防
止するために不活性ガス雰囲気中で封着を行う画像形成
装置の製造方法を本出願人が提案している（特開平７−
９４１０２号公報）。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
画像表示装置の封着方法では、以下の様な欠点があっ
た。上述の様に、平面型画像表示装置においては、放出
ガスの発生源である蛍光体や電子源近傍に非蒸発型ゲッ
タが配置されている。従来の封着部分以外のガラス外囲
器全体を封着温度に加熱して封着部分のフリットガラス
を融着する封着方法が取られると、非蒸発型ゲッタが封
着時に悪影響を受け、後の吸着特性を得るための「ゲッ
タ活性化」条件がより厳しくなるという欠点があった。

【００１５】すなわち、非蒸発型ゲッタの具備領域の封
着温度が高温で、しかも非蒸発型ゲッタの吸着ガスであ
るＨ₂Ｏ，ＣＯ，Ｏ₂，ＣＯ₂等が存在している場合に
は、非蒸発型ゲッタがダメージを受け、吸着特性を得る
ためには、後により高温の加熱によるゲッタ活性化を行
わなければならなくなる。この際、例えば前述の米国特
許５，４５３，６５９号の様に、ゲッタに適当な電位を
与えて電子源の放出した電子を照射・加熱したり、非蒸
発型ゲッタのみへの通電手段等の加熱手段や工程を別途
設けたりする必要がある。更に活性化温度が低いゲッタ
では、非蒸発型ゲッタ具備領域の封着温度が高温である
と、ゲッタ活性化ができず、殆ど吸着特性が得られなく
なってしまうものもある。

【００１６】また、封着時の非蒸発型ゲッタの吸着特性
の劣化を防止するために、不活性ガスをフローしながら
封着する方法が考えられている。不活性ガスをフロー
し、非蒸発型ゲッタが劣化ガスによって吸着特性を劣化
させないように、非蒸発型ゲッタの劣化ガスの分圧を下
げる必要がある。そのために、フローするガス流量を上
げる必要がある。不活性化ガスの流量を増加させすぎる
と、画像表示装置内の圧力が上昇してしまい、封着工程
で軟化したシール材（フリットガラス）がシール部から
ずれてしまい、真空気密をとることができなくなってし
まう。

【００１７】画像表示装置を形成する工程において最も
高温なプロセスは封着である。平面型画像表示装置の電
子源もしくは、蛍光体を長寿命に安定に動作させるため
には画像表示エリア内の非蒸発型ゲッタが封着時に劣化
せず、簡単に活性化ができることが必要である。封着工
程時の温度では、画像表示装置を形成するガラス、配
線、蛍光体及びシール材（フリットガラス）の全ての部
材から放出ガスが観測される。中でも接合部材であるフ
リット材から多くのガスが放出され、フリットからの放
出ガスを画像表示エリア内の非蒸発型ゲッタにフリット
からのガスが広がらないようにすることが必要である。

【００１８】本発明は、上記従来技術の欠点に鑑み、不
活性ガス等をフローし封着する工程において、封着時に
特に接合材（フリット）からの放出ガスを画像表示エリ
ア外の非蒸発型ゲッタによって吸着除去し、平面型画像
表示装置の画像表示エリアの非蒸発型ゲッタが封着時に
受けるダメージをより小さくして、簡単により低温また
はより短時間のゲッタ活性化を可能とし、更に好ましく
は、内部を真空維持するガラス外囲器の製造工程に不可
欠な真空ベーキング工程がゲッタ活性化工程を兼ねるこ
とができることにより、長寿命で安定した輝度の画像形
成装置を提供することを課題とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の画
像表示装置の封着方法による上述の間題点を解決して、
本発明の課題を達成すべく、鋭意研究を重ねた結果、完
成に至ったものである。

【００２０】すなわち本発明は、（１）少なくとも蛍光体励起手段である電子放出素子を
配置されたリアプレート、および前記蛍光体励起手段に
より発光する蛍光体が配置されたフェースプレートから
構成される画像表示装置内に非蒸発型ゲッタを具備し、
前記リアプレートと前記フェースプレートとの接合が支
持体およびシール材を介して接合されてなる画像表示装
置の封着方法において、画像表示装置内の画像表示エリ
アと画像表示エリア外の支持枠近傍に非蒸発型ゲッタを
具備し、不活性ガス、窒素ガス、水素ガスからなる少な
くとも一種の選ばれるガスを含むガスを画像表示装置内
にフローしながら封着する工程において、画像表示エリ
ア外の支持枠近傍の非蒸発型ゲッタを前記シール材が接
合温度に加熱する前の封着工程中に前記シール材を加熱
する封着工程の加熱手段とは別の方法で活性化を行い、
前記シール材を接合温度に加熱し封着することを特徴と
する画像表示装置の封着方法。（２）上述の（１）において、前記シール材がガラスフ
リットであることを特徴とする画像表示装置の封着方
法。（３）上述の（１）において、前記画像表示エリア外の
支持枠近傍の非蒸発型ゲッタの活性化温度がシール材の
接合温度以上であることを特徴とする画像表示装置の封
着方法。（４）上述の（１）において、前記画像表示エリア外の
支持枠近傍の非蒸発型ゲッタの活性化手段が通電による
加熱であることを特徴とする画像表示装置の封着方法。（５）上述の（１）において、画素領域の周辺領域の非
蒸発型ゲッタの活性化を開始する温度が画像表示装置の
温度が１５０℃以上であることを特徴とする画像表示装
置の封着方法。（６）上述の（１）において、前記画像表示エリアの非
蒸発型ゲッタの活性化を３００℃以上の真空べーキング
工程で行うことを特徴とする画像表示装置の封着方法。（７）上述の（１）において、画像表示装置の電子放出
素子が表面伝導型電子放出素子もしくは電界放出型電子
放出素子であることを特徴とする画像表示装置の封着方
法。である。

【００２１】また、本発明は、少なくとも蛍光体励起手
段である電子放出素子を配置されたリアプレートと、前
記蛍光体励起手段により発光する蛍光体が配置されたフ
ェースプレートと、前記リアプレートと前記フェースプ
レートとを対向させてシール材によって気密容器を構成
する支持枠と、から構成される画像表示装置の封着装置
において、前記画像表示装置内の画像表示エリア外の前
記支持枠近傍に非蒸発型ゲッタを具備し、不活性ガス、
窒素ガス、水素ガスからなる少なくとも一種の選ばれる
ガスを含むガスを前記画像表示装置内にフローしながら
封着する封着手段と、封着工程中に前記シール材を加熱
する加熱手段と、前記加熱手段の動作前に前記画像表示
エリア外の支持枠近傍の非蒸発型ゲッタを活性化する活
性化手段とにより、前記シール材を接合温度に加熱して
封着することを特徴とする。

【００２２】［作用］本発明の画像表示装置の封着方法
によれば、不活性ガスをフローし、さらにフローではと
りきれない高温工程で発生するＨ₂Ｏ，ＣＯ，Ｏ₂，ＣＯ
₂等のガスを画像表示装置エリア外の支持枠近傍に配置
した非蒸発型ゲッタにより速やかに除去し、表示エリア
内に配置した非蒸発型ゲッタのダメージを抑制すること
ができる。このようにすることにより、後の吸着特性を
得るためのゲッタ活性化条件がし易くなり、後の真空べ
ーキング工程等の簡単な工程でゲッタ活性化を行うこと
ができる。それにより、長時間の駆動による輝度の劣化
が押さえられ、安定した画像表示装置を提供できる。

【００２３】また、本発明の画像表示装置の封着装置に
よっても同様な作用を実行させることができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を説明す
る。なお、本発明の本質は、画像形成装置の封着方法に
関するものであるので、表面伝導型あるいは電界放出型
の電子放出素子を用いた画像表示装置の封着方法に限ら
ず、電子放出素子を用いた画像形成装置の封着方法に適
応できるのはいうまでもない。

【００２５】［実施形態１］本実施形態では、冷陰極電
子放出素子である表面伝導型電子放出素子を電子放出素
子として、複数個リアプレートに形成し、蛍光面（フェ
ースプレート）を設置し、有効表示エリアを例えば対角
１５インチとする縦と横の比が３：４のカラー画像表示
装置を作成した。まず、本発明の画像表示装置を図１乃
至図３を用いて説明し、次にその製造方法を説明する。

【００２６】図１において、１は気密容器側に蛍光膜と
メタルバックを有したフェースプレートであり、８はフ
ェースプレート１に対向しマトリクス状に配置された電
子放出素子１８とその素子を駆動する行方向配線及び列
方向配線とを備えたリアプレート、７は気密容器内を排
気したり所定のガスを導入する導入系の排気管、９はリ
アプレート８とフェースプレート１とを密封する支持
枠、１６は非蒸発型ゲッタ、２１はリアプレート８とフ
ェースプレート１と支持枠９とを気密容器とする接着材
としてのフリットガラス、２２，２２’はフリットガラ
スを溶融して気密容器とし、非蒸発型ゲッタを昇温して
活性化するホットプレート、２５は気密容器にガスを導
入する際に導入系に導入ガスを加熱制御するヒータ、２
６はガス導入の流量及び排気量を制御するはマスフロー
コントローラ、２７はガスフロー状態をモニターするマ
スフローメータである。

【００２７】図２は、本実施形態に用いた画像表示装置
の斜視図であり、内部構造を示すためにパネルの一部を
切り欠いている。図中、１はフェースプレート、８はリ
アプレート、９は支持枠、であり、フェースプレート１
と、リアプレート８、支持枠９により表示パネルの内部
を真空に維持するための気密容器を形成している。気密
容器を組み立てるにあたっては各部材の接合に十分な強
度と気密性を保持させるため封着する必要がある。

【００２８】図中、７は封着時に不活性ガスをフローす
る時のガスの導入側の排気管であり、気密容器内を真空
に排気するときに真空装置に接続するための排気管であ
る。また、これらの排気管はプロセス工程中に発生する
活性化工程での活性化ガスのガス導入管としても利用さ
れる。

【００２９】また、図中、７’は封着時に不活性ガスを
フローする時のガスの出口側の排気管である。

【００３０】図中、１６は封着時に気密容器内の不純物
ガスを除去するための非蒸発型ゲッタである。非蒸発型
ゲッタ１６は、高温に加熱することにより活性化面が表
面に形成されることにより、吸着面を形成し、排気能力
を有している優れた真空ポンプとなる。

【００３１】リアプレート８上には、表面伝導型放出素
子１９が、Ｎ×Ｍ個形成されている。ここで、Ｎ，Ｍは
２以上の正の整数で、目的とする表示画素数に応じ適宜
設定される。前記Ｎ×Ｍ個の表面伝導型放出素子では、
Ｍ本の列方向配線１２（下配線とも呼ぶ）と、Ｎ本の行
方向配線１４（上配線とも呼ぶ）により単純マトリクス
配線されている。

【００３２】さらに、上配線１４上に非蒸発型ゲッタ１
８が配置されている。

【００３３】続いて、図３を用いて電子放出素子とその
周辺部材を説明する。図３は、表面伝導型電子放出素子
の構成を示す模式図であり、図２中の表面伝導型放出素
子１９を示したものである。

【００３４】図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）は図３
（ａ）のＡＡ’での断面図である。図３において、８は
リアプレート（基板）、１１（ａ）と１１（ｂ）は素子
電極、１２は列方向配線、１３は層間絶縁膜、１４は行
方向配線、１５は導電性薄膜、１７はシリコン酸化膜、
１８はゲッタ部材、２０は電子放出部である。

【００３５】気密容器を排気管７を通して真空に排気し
ながら、素子電極１１（ａ）、１１（ｂ）を通じて、導
電性薄膜１５にフォーミング処理を施すことによって、
導電性薄膜１５を局所的に破壊、変形もしくは変質せし
め、電気的に高抵抗な状態にした電子放出部２０を形成
し、さらに、気密容器内の圧力が１×１０^-3Ｐａ以下に
なったら、気密容器内に排気管７を通して活性化ガスと
してアセトンを１Ｐａ程度導入し、放出電流を著しく改
善する活性化工程を該表面伝導型電子放出素子の上述素
子電極１１（ａ）、１１（ｂ）に電圧を印加し、素子に
電流を流すことによって、上述の電子放出部２０の活性
化を行う。このことは従来技術で述べた特開平７−２３
５２５５号公報の開示例と同様のものである。

【００３６】また、蛍光面（フェースプレート）１は、
ガラス基板、透明導電膜ＩＴＯ、蛍光体、アルミニウム
のメタルバックの構成からなっている。なお、本実施形
態では、ＩＴＯ膜をフェースプレート上に形成してある
が、必ずしも設けなくとも良い。本実施形態ではカラー
表示装置であるため、蛍光体４の部分にはＣＲＴの分野
で用いられている赤、緑、青の３原色の蛍光体が塗り分
けられている。

【００３７】また、３原色の蛍光体はブラックストライ
プで分離されている。また、Ｄx1〜Ｄxm及びＤy1〜Ｄyn
ならびにＨｖは、当該表示パネルと不図示の電気回路と
を電気的に接続するために設けられた気密容器の電気接
続用端子である。Ｄx1〜Ｄxmはマルチ電子ビーム源の列
方向配線１２と、Ｄy1〜Ｄynはマルチ電子ビーム源の行
方向配線１４と、Ｈｖは蛍光面のメタルバック３に電気
的に接続されている。以上、本発明の製造方法を適用し
た画像表示装置を説明した。

【００３８】

【実施例】［実施例１］次に、本発明の画像表示装置の
実施例１による製造方法について説明する。

【００３９】（リアプレート構成要素の作成）（Ｒ−１）青板ガラスを洗浄し、シリコン酸化膜１７を
スパッタ法で形成したリアプレート８上に素子電極１１
（ａ）、１１（ｂ）をオフセット印刷により形成した。
下配線１２をスクリーン印刷で形成した。次に、下配線
１２と上配線１４間に層間絶縁膜１３を形成する。さら
に、上配線１４を形成した。（Ｒ−２）次いで、ＰｄＯからなる導電性薄膜１５をス
パッタ法で形成した後、パターニングし、所望の形態と
した。（Ｒ−３）さらに、ニクロムリボン上に非蒸発型ゲッタ
が形成済みのゲッタ部材１８（リボンゲッタ）を上配線
上に無機接着剤で固定した。本実施例では、非蒸発型ゲ
ッタの主成分はＺｒ，Ｖ，Ｍｎ等であるが、これに限定
されるものではない。以上の工程により、単純マトリク
ス配線した表面伝導型放出素子、非蒸発型ゲッタ等が形
成されたリアプレートを作成した。（Ｒ−４）リアプレートを真空装置内に入れ真空排気
し、圧力が０．１Ｐａ以下になったら、容器外端子Ｄox
1〜ＤoxmとＤoy1〜Ｄoynを通じ電子放出素子に電圧を印
加し、導電性薄膜１５にフォーミング工程を行った。

【００４０】（支持枠構成要素の作成）以下、支持枠９
とリアプレート８とフェースプレート１との接合作成に
ついて図１を参照して説明する。（Ｗ−１）支持枠９のフェースプレート１と接触する側
面に、支持枠９とフェースプレート１を接着するための
フリットガラス２１（ａ）を印刷法にて形成。（Ｗ−２）支持枠９のリアプレート８と接触する側面に
支持枠９とリアプレート８を接着するためのフリットガ
ラス２１（ｂ）を印刷法にて形成。この工程により、支
持枠９とリアプレート８とフェースプレート１との組立
を終え、以後の高温化によって接着されて密閉される。

【００４１】（フェースプレート構成要素の作成）（Ｆ−１）青板ガラス基板１にＳｉＯ₂層、ｌＴＯ膜を
スパッタ法で成膜し、蛍光体、黒色導電体を印刷法によ
り形成した。蛍光膜の内面側表面の平滑性処理を行い、
その後Ａｌを真空蒸着法等を用いて堆積させ、メタルバ
ックを形成した。（Ｆ−２）フェースプレート１上に開けた排気用の貫通
穴に排気管を固着させるためのフリットガラス２１
（ｃ）を印刷法にて形成。この工程により、フェースプ
レート１の容器内側の処理を形成する。

【００４２】（リアプレート／支持枠／フェースプレー
ト／排気管の封着による気密容器作成）図１を参照しな
がら、ガスフロー封着工程を説明する。封着の温度プロ
ファイルを図４に示す。（Ａ−１）リアプレートをＸ，Ｙ，θの調整ステージ
（不図示）上のホットプレート上２２に保持し、支持枠
／フェースプレート／排気管をホットプレート２２’に
保持する。排気管７にガスフロー系を接続する。本実施
例では、導入ガスとしてＡｒガスを使用した。ガスフロ
ー系には、導入系に導入ガスを加熱制御するヒータ２５
及びマスフローコントローラ２６にて流量を制御するも
のを配置した。マスフローメータ２６にて、ガスフロー
状態をモニターする。この時、リアプレート８と支持枠
９／フェースプレート１／排気管７の位置合わせを、
Ｘ，Ｙ、θの調整ステージにて行い、支持枠９とリアプ
レート８を接触させ加圧する。（Ａ−２）画像表示装置内へＡｒガスの流量が５ｓｌｍ
になるようにマスフローコントローラ２６にて制御し、
リアプレート８及び支持枠９／フェースプレート１／排
気管７を４１０℃迄ステージ上のホットプレート２２及
び２２’にて、図４の温度上昇部分に示すように、毎分
１０℃の温度上昇で加熱した。この時、ホットプレート
の加熱と同時にフローガスをヒータ２５にてホットプレ
ート２２’の温度と同期加熱した。（Ａ−３）画像表示装置が１５０℃に加熱制御された
後、表示エリア外支持枠近傍の非蒸発型ゲッタ１６の電
流導入端子３０に外部電源（不図示）を接続し、非蒸発
型ゲッタに通電することにより、非蒸発型ゲッタ１６を
６５０℃まで加熱し、１０分間ホールドし、表示エリア
外支持枠近傍の非蒸発型ゲッタ１６を十分活性化させ
る。その後、通電をやめ、活性化を終了させる。非蒸発
型ゲッタ１６への通電中も画像表示装置への加熱は昇温
レート１０℃／分で行う。非蒸発型ゲッタ１６への通電
終了時点での画像表示装置全体の温度は３００℃未満で
あった。（Ａ−４）その後、同一昇温レートで４１０℃まで加熱
したら４１０℃で１０分間ホールドし、フリットガラス
を加熱融解させて、ガラス部材が融着され気密状態を持
つようにさせる。その後、４００℃まで毎分１℃で降温
し、歪みを除去する。本実施例では、封着温度４１０℃
の非晶質フリットガラス（日本電気硝子製ＬＳ３０８
１）を用いた。（Ａ−５）その後、ホットプレートの温度を毎分１０℃
で室温まで下げた。この時、導入ガスの温度も同期させ
て降温した。（Ａ−６）画像表示装置が室温になった段階で、導入ガ
スフローを停止した。以上により、表示エリアの非蒸発
型ゲッタ部の不純物の圧力が、従来より低い状態で画像
表示装置が封着された。

【００４３】（真空プロセスによる電子放出素子の作
成）上記電子放出素子の通電フォーミング処理後の工程
について説明する。（Ｓ−１）まず、ガスフロー封着で使用した排気管７’
の一部を加熱溶融し、封止（チップオフ）した。排気管
７を真空排気装置く不図示）に接続し、画像表示装置内
を真空に排気する。（Ｓ−２）続いて、画像表示装置内の圧カが１×１０^-3
Ｐａ以下になったら、活性化ガスとしてアセトンを排気
管７を通して気密容器内に１Ｐａ導入し、容器外端子Ｄ
ox1〜Ｄoxmと、Ｄoy1〜Ｄoynを通じ、電子放出素子に電
圧を印加し、活性化処理を行った。

【００４４】（画像表示装置内の脱ガス工程）（Ｄ−１）活性化ガスを十分に排気した後、次に、画像
表示装置のベーキング脱ガス処理行う。べーキング温度
は３００℃とした。昇温速度は毎分２℃とした。（Ｄ−２）画像表示装置の測童が３００℃に１０時間保
持した。この真空べーキング工程は、画像表示装置内の
脱ガス処理のみならず、表示エリアの非蒸発型ゲッタ１
８の活性化処理も兼ねている。さらに、この真空ベーキ
ング中に表示エリア外の支持枠近傍の非蒸発型ゲッタ１
６に再度通電し、６５０℃まで加熱し、１０分間ホール
ドすることにより再活性化を施した。非蒸発型ゲッタ
は、再活性化により数回はゲッタ特性を回復させること
が可能である。（Ｄ−３）その後、排気管７の一部を溶融加熱し、封止
した。

【００４５】［比較例１］実施例１で作成した画像表示
装置の効果を確認するため、実施例１での（リアプレー
トと支持枠／フェースプレート／排気管の封着による気
密容器作成）工程において、ガスフローをせず、表示エ
リア外の支持枠近傍の非蒸発型ゲッタの活性化を実施し
ない画像表示装置の封着工程を実施した。その外のプロ
セスは実施例１と同様である。

【００４６】長時間の駆動に対して、画像表示中央部で
の輝度の経時変化を測定した。駆動条件は実施例１及び
比較例１は全く同一条件とした。電子源の駆動条件は、
Ｄox1〜ＤoxmにＤＣで＋７．５Ｖ，Ｄoy1〜Ｄoynに電圧
−７Ｖパルス幅３０μＳ、周波数６０Ｈｚでスクロール
で全画面駆動した。フェースプレートの加速電圧は８ｋ
Ｖである。測定結果を図５に示す。横軸に駆動時間
（ｈ）、縦軸に輝度（ａ．ｕ．）を初期条件で規格化し
た値を示している。

【００４７】なお、実施例１及び比較例１の初期の輝度
の絶対値の差は見られなかった。図５より、本実施例で
作成された画像表示装置は、長時間輝度の劣化が無く安
定に動作させることが出来ることが解った。安定に動作
することが可能になったのは、画像表示中央部での真空
度が改善されたためである。それは、表示エリア部の非
蒸発型ゲッタを封着工程で劣化させること無く、真空ベ
ーキング工程で活性化でき、必要な排気特性が得られた
ためと考えられる。

【００４８】実際に、画像表示装置の中央部で真空度が
どの程度改善されたかを全圧計をフェースプレートの中
央部に設置し、駆動時の圧力を測定し確認してみた。圧
力を測定するために以下の検討を行った。

【００４９】実施例１の（フェースプレートの作成）
（Ｆ−２）において、新たに図２の画像表示装置のフェ
ースプレートの蛍光体の中央部に貫通穴を開け、排気管
を固着させるためのフリットを印刷した。さらに、新た
に封着工程で支持枠／ファースプレー／排気管と同じよ
うに固定治具にアライメント固定する。

【００５０】その後、接着工程後、全圧計取付け用排気
管に全圧計を接続した。それ以外の工程及び画像表示装
置は実施例１、比較例１と同様にし、画像表示装置を作
成した。この画像表示装置を、前述と同様な駆動をした
時の全圧の変化をモニターした結果を図６に示す。図６
中、横軸は駆動時間を示し、非駆動の測定をバックグラ
ンドとして１０分間測定し、その後前述と同一の駆動を
した。縦軸は非駆動時の比較例の全圧で規格化した全圧
を示している。この図から、本実施例では非駆動時の圧
力も従来例に比べて低く、かつ駆動時の圧力も低いこと
が解る。この事から本実施例での非蒸発型ゲッタが封着
工程での劣化が抑制されて、真空べーキング工程で有効
に活性化されていることが解る。

【００５１】［実施例２］本実施例では、実施例１と同
様に、冷陰極電子放出素子である表面伝導型電子放出素
子を電子放出素子として、複数個をリアプレート８に形
成し、蛍光面（フェースプレート〉を設置し、有効表示
エリアを対角１５インチとする縦と横の比が３：４のカ
ラー画像表示装置を作成した。

【００５２】以下、本発明の画像表示装置の製造方法に
ついて説明する。

【００５３】（リアプレートの作成）（Ｒ−１）青板ガラスを洗浄し、シリコン酸イ鵬１７を
スパッタ法で形成したリアプレート８上に素子電極１１
（ａ）、１１（ｂ）をオフセット印刷により形成した。
下配線１２をスクリーン印刷で形成した。次に、下配線
１２と上配線１４間に層間絶縁膜１３を形成する。さら
に、上配線１４を形成した。（Ｒ−２）次いで、ＰｄＯからなる導電性薄膜１５をス
パッタ法で形成した後、パターニングし、所望の形態と
した。（Ｒ−３）さらに、上配線１４以外をメタルマスクで覆
い、上配線１４上にプラズマ溶射にて、非蒸発型ゲッタ
１８を５０μｍ程度積層した。本実施例で使用した非蒸
発型ゲッタの主成分は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｆｅ，ｅｔ
ｃ．であるがこれに限定されるものではない。以上の工
程により、単純マトリクス配線した表面伝導型放出素
子、非蒸発型ゲッタ等が形成されたリアプレートを作成
した。（Ｒ−４）リアプレートを真空装置内に入れ真空排気
し、圧力が０．１Ｐａ以下になったら、容器外端子Ｄox
1〜ＤoxmとＤoy1〜Ｄoynを通じ、電子放出素子に電圧を
印加し、導電性薄膜１５にフォーミング工程を行った。

【００５４】（支持枠の作成）（Ｗ−１）支持枠９のフェースプレート１と接触する側
面に支持枠９とフェースプレート１を接着するためのフ
リットガラス２１（ａ）を印刷法にて形成。（Ｗ−２）支持枠９とリアプレート８と接触する側面に
支持枠９とリアプレート８を接着するためのフリットガ
ラス２１（ｂ）を印刷法にて形成。

【００５５】（フェースプレートの作成）（Ｆ−１）青板ガラス基板１にＳｉＯ₂層、ＩＴＯ膜を
スパッタ法で成膜し、蛍光体、黒色導電体を印刷法によ
り形成した。蛍光膜の内面側表面の平滑性処理を行い、
その後Ａｌを真空蒸着法等を用いて堆積させメタルバッ
クを形成した。（Ｆ−２）フェースプレート１上に開けた排気用の貫通
穴に排気管７を固着させるためのフリットガラス２１
（ｃ）を印刷法にて形成した。

【００５６】（リアプレート／支持枠／フェースプレー
ト／排気管の封着による気密容器作成）図１を参照しな
がら、ガスフロー封着工程を説明する。封着の温度プロ
ファイルを図７示す。図７は画像表示装置の温度変化、
表示領域のエリア外の温度変化を横軸の時間（ｈ）に対
して示している。（Ａ−１）リアプレートをＸ，Ｙ，θの調整ステージ
（不図示）上のホットプレート上２２に保持し、支持枠
／フェースプレート／排気管をホットプレート２２’に
保持する。排気管にガスフロー系を接続する。本実施例
では、導入ガスとしてＡｒガスを使用した。ガスフロー
系には、導入系に導入ガスを加熱制御するヒータ２５及
びマスフローコントローラ２６にて流量を制御するもの
を配置した。マスフローメータ２７にて、ガスフロー状
態をモニターする。この時、リアプレート８と支持枠／
フェースプレート／排気管の位置合わせをＸ，Ｙ、θの
調整ステージにて行い、支持枠９とリアプレート８を接
触させ加圧する。（Ａ−２）画像表示装置内へＡｒガスの流量が５ｓｌｍ
になるようにマスフローコントローラ２６にて制御し、
リアプレート及び支持枠／フェースプレート／排気管を
４１０℃迄ステージ上のホットプレート２２及び２２’
にて毎分１０℃で加熱した。この時、ホットプレート２
２，２２’の加熱と同時にフローガスをヒータ２５にて
ホットプレート２２’の温度と同期加熱した。（Ａ−３）画像表示装置が２００℃に加熱制御された
後、表示エリア外周の支持枠近傍の非蒸発型ゲッタ１６
の電流導入端子に通電することにより非蒸発型ゲッタ１
６を７５０℃まで加熱し、５分間ホールドし、表示エリ
ア外支持枠近傍の非蒸発型ゲッタ１６を十分活性化させ
る。その後、通電をやめ活性化を終了させる。非蒸発型
ゲッタ１６への通電中も、画像表示装置への加熱は昇温
レート１０℃／分で行う。非蒸発型ゲッタ１６への通電
終了時点での画像表示装置全体の温度は３００℃未満で
あった。（Ａ−４）その後、同一昇温レートで４５０℃まで加熱
したら、４５０℃で１０分間ホールドし、フリットガラ
ス２１（ａ）〜（ｃ）を加熱融解させて、ガラス部材が
融着され、気密状態を持つようにさせる。その後、４２
０℃まで毎分５℃で降温し歪みを除去する。本実施例で
は、フリットガラスは封着温度４５０℃の非晶質フリッ
トガラス（目本電気硝子製ＬＳ０２０６）を用いた。（Ａ−５）その後、ホットプレートの温度を毎分１０℃
で室温まで下げた。この時、導入ガスの温度も同期させ
て降温した。（Ａ−６）画像表示装置が室温になった段階で、導入ガ
スフローを停止した。以上により、表示エリアの非蒸発
型ゲッタ部の不純物の圧力が従来より低い状態で画像表
示装置が封着された。

【００５７】（真空プロセスによる電子放出素子の作
成）（Ｓ−１）まず、ガスフロー封着で使用した排気管７’
の一部を加熱溶融し、封止した。排気管７を真空排気装
置（不図示）に接続し、画像表示装置内を真空に排気す
る。（Ｓ−２）続いて、画像表示装置内の圧力が１×１０^-3
Ｐａ以下になったら、活性化ガスとしてアセトンを排気
管７を通して気密容器内に１Ｐａ導入し、容器外端子Ｄ
ox1〜ＤoxmとＤoy1〜Ｄoynを通じ電子放出素子に電圧を
印加し、活性化処理を行った。

【００５８】（画像表示装置内の脱ガス工程）（Ｄ−１）活性化ガスを十分に排気した後、次に、画像
表示装置のべーキング脱ガス処理行う。べーキング温度
は３５０℃とした。昇温速度は毎分２℃とした。（Ｄ−２）画像表示装置の温糞を３５０℃に１０時間保
持した、この真空ベーキング工程は、画像表示装置内の
脱ガス処理のみならず、非蒸発型ゲッタの活性化処理も
兼ねている。さらに、この真空べーキング中に表示エリ
ア外の支持枠近傍の非蒸発型ゲッタ１６に再度通電し、
７５０℃まで加熱し、５分間ホールドすることによリ再
活性化を施した。非蒸発型ゲッタは、再活性化により数
回はゲッタ特性を回復させることが可能である。（Ｄ−３）その後、排気管７の一部を溶融加熱し、排気
管７を封止した。

【００５９】［比較例２］実施例２で作成した画像表示
装置の効果を確認するため、実施例２での（リアプレー
トと支持枠／フェースプレート／排気管の封着による気
密容器作成）工程において、ガスフローをせず、表示エ
リア外の支持枠近傍の非蒸発型ゲッタの活性化を実施し
ない画像表示装置の封着工程を実施した。その外のプロ
セスは実施例２と同様である。

【００６０】長時間の駆動に対して、画像表示中央部で
の電子放出素子の電子放出の経時変化を測定した。駆動
条件は実施例２及び比較例２は全く同一条件とした。電
子源の長駆動条件は、Ｄox1〜ＤoxmにＤＣで＋７．５
Ｖ，Ｄoy1〜Ｄoynに電圧−７Ｖ、パルス幅３０μＳ、周
波数６０Ｈｚで、スクロールで全画面駆動し、１００時
間後、５００時間後、１０００時間後、２０００時間後
にそれぞれ、全面スクロールを停止し、画像表示中央部
１０×１０素子のみ１分間駆動し、電子放出量を測定し
た。この時、フェースプレートの加速電圧は８ｋＶであ
る。

【００６１】測定結果を図８に示す。横軸に駆動時間、
縦軸に画像表示装置中央部１０×１０素子の電子放出量
の平均値を初期値で規格化した値を示している。なお、
実施例２及び比較例２の初期の平均電子放出量の絶対値
の差は見られなかった。

【００６２】図８より、本実施例で作成された画像表示
装置は、長時間電子源の劣化が少なく安定に動作させる
ことが出来ることが解った。安定に動作することが可能
になったのは、画像表示中央部での真空度が改善された
ためと考えられる。それは、非蒸発型ゲッタを封着工程
で劣化させること無く、真空べーキング工程で活性化で
きたためである。また、本実施例では、真空べーキング
が高温であるためより非蒸発型ゲッタの活性化が良好で
あったと思われる。

【００６３】［実施例３］本発明の第３の実施例におい
て、図９に示す構成の画像形成装置を作成した。本実施
例では、冷陰極電子放出素子である電界放出素子を電子
放出素子として、複数個リアプレート１０３に形成し、
さらに軽量化を図るために大気圧支持部材としてスペー
サ１０８を設置した。フェースプレート１０１には、蛍
光体部１０２を設置し、有効表示エリアを対角１０イン
チとする縦と横の比が３：４のカラー画像形成装置を作
成した。

【００６４】まず、本発明の画像表示装置の封着方法を
図１０を用いて説明する。図９（及び図１０）におい
て、１０３はリアプレート、１０１はフェースプレー
ト、１０５は電子放出素子の陰極、１０６はゲート電
極、１０７はゲート／陰極間の絶縁層である。

【００６５】図１０においては、１０４は支持枠、１１
０はフェースプレート１０１と支持枠１０４を接着する
ためのフリットガラスであり、同様に１１０’はリアプ
レート１０３と支持枠１０４を接着するためのフリット
ガラスである。なお、フェースプレート１０１、リアプ
レート１０３間の間隙は１．５ｍｍである。１１２は非
蒸発型ゲッタである。本実施例では、非蒸発型ゲッタ１
１２はＺｒ，Ｖ及びＦｅから構成されているものを使用
したが、Ｔｉを主成分とするものでもよく特にこれに限
定するものではない。

【００６６】次に、図９及び１０を用いて本発明の画像
表示装置の製造方法について説明する。（リアプレートの作成）（Ｒ−１）青板ガラスを洗浄し、公知の方法によって、
図９に示す陰極（エミッタ）１０５、ゲート電極１０
６、配線等を作成した。なお、陰極材料はＭｏとした。（Ｒ−２）ゲート電極上に非蒸発型ゲッタ１０９をプラ
ズマ溶射法にて膜厚５０μｍ形成した。（Ｒ−３）非蒸発型ゲッタ１０９及びスペーサ１０８を
リアプレート上に位置合わせを行った後、無機系接着材
で固定した。以上の工程により、単純マトリクス配線し
た電界放出型放出素子、非蒸発型ゲッタ、スペーサ等が
形成されたリアプレートを作成した。

【００６７】（支持枠の作成）（Ｗ−１）支持枠１０４のフェースプレート１０１と接
触する側面に（図１０中では支持枠の上面）、支持枠１
０４とフェースプレート１０１を接着するためのフリッ
トガラス１１０を印刷法にて形成。（Ｗ−２）支持枠１０４のリアプレートと接触する側面
に（図１０中では支持枠の下面）、支持枠とリアプレー
トを接着するためのフリットガラス１１０’をスクリー
ン印刷法にて形成した。

【００６８】（フェースプレートの作成）（Ｆ−１）青板ガラスに蛍光体、黒色導電体を印刷法に
より形成した。蛍光膜の内面側表面の平滑性処理を行
い、その後Ａｌを真空蒸着法等を用いて堆積させメタル
バックを形成した。（Ｆ−２）フェースプレートに排気管を接着するための
フリットガラスをスクリーン印刷法にて形成した。

【００６９】（リアプレート／支持枠／フェースプレー
ト／排気管の封着による気密容器作成）図１０を参照し
ながら、ガスフロー封着工程を説明する。封着の温度プ
ロファイルを図７に示す。（Ａ−１）リアプレートをＸ，Ｙ，θの調整ステージ
（不図示）上のホットプレート１２０’に保持し、支持
枠／フェースプレート／排気管をホットプレート１２０
に保持する。排気管１１１，１１１’はリアプレート１
０３側に設け、排気管１１１，１１１’にガスフロー系
を接続する。本実施例では、導入ガスとしてＡｒガスを
使用した。ガスフロー系には、導入系に導入ガスを加熱
制御するヒータ２５及びマスフローコントローラ２６に
て流量を制御するものを配置した。マスフローメータ２
７にて、ガスフロー状態をモニターする。この時、リア
プレートと支持枠／フェースプレート／排気管の位置合
わせをＸ，Ｙ、θの調整ステージにて行い、支持枠とリ
アプレートを接触させ加圧する。（Ａ−２）画像表示装置内へＡｒガスの流量が５ｓｌｍ
になるようにマスフローコントローラ２６にて制御し、
リアプレート及び支持枠／フェースプレート／排気管を
４５０℃迄ステージ上のホットプレート１２０及び１２
０’にて毎分１０℃で加熱した。この時、ホットプレー
トの加熱と同時にフローガスをヒータ２５にてホットプ
レートの温度と同期加熱した。（Ａ−３）画像表示装置が２００℃に加熱制御された段
階で、表示エリア外支持枠近傍の非蒸発型ゲッタ１１２
の電流導入端子に通電することにより非蒸発型ゲッタ１
１２を７５０℃まで加熱し、５分間ホールドし、表示エ
リア外支持枠近傍の非蒸発型ゲッタ１１２を十分活性化
させる。その後、通電をやめ活性化を終了させる。非蒸
発型ゲッタ１１２への通電中も画像表示装置への加熱は
昇温レート１０℃／分で行う。非蒸発型ゲッタ１１２へ
の通電終了時点での画像表示装置全体の温度は３００℃
未溝であった。（Ａ−４）その後、同一昇温レートで４５０℃まで加熱
したら４５０℃で１０分間ホールドし、フリットガラス
を加熱融解させて、ガラス部材が融着され、気密状態を
持つようにさせる。その後、４２０℃まで毎分５℃で降
温し、歪みを除去する。本実施例では、封着温度４５０
℃の結晶型フリットガラス（目本電気硝子製ＬＳ７１０
７）を用いた。（Ａ−５）その後、ホットプレート（ＨＰ）の温度を毎
分１０℃で室温まで下げた。この時、導入ガスの温度も
同期させて降温した。（Ｆ−６）画像表示装置が室温になった段階で、導入ガ
スフローを停止した。以上により、表示エリアの非蒸発
型ゲッタ部の不純物の圧力が従来より低い状態で画像表
示装置が封着された。

【００７０】（真空プロセス）（Ｓ−１）まず、ガスフロー封着で使用した排気管１１
１’の一部を加熱溶融し、封止（チップオフ）した。排
気管１１１を真空排気装置（不図示）に接続し、画像表
示装置内を真空に排気する。

【００７１】（画像表示装置内の脱ガス工程）（Ｄ−１）気密容器内の圧力が１×１０^-4Ｐａ以下にな
ったら、非蒸発型ゲッタ１１２を通電加熱し、非蒸発型
ゲッタの脱ガス処理及び活性化を行う。非蒸発型ゲッタ
の活性化温度は非蒸発型ゲッタによって決定されるが本
実施例では、６５０℃、５分間通電加熱処理を行った。（Ｄ−２）次に、気密容器のべーキング脱ガス処理行
う。べーキング温度は４００℃とした。昇温速度は毎分
２℃とした。（Ｄ−３）気密容器の温度が４００℃に１０時間保持さ
れた段階で、排気管１１０の一部を加熱溶融して、封止
を行った。（Ｄ−４）封止終了後、気密容器を毎分２℃で降温し、
室温まで冷却する。

【００７２】［比較例３］実施例３で作成した画像表示
装置の効果を確認するため、実施例３での（リアプレー
トと支持枠／フェースプレート／排気管の封着による気
密容器作成）工程において、ガスフローをせず、表示エ
リア外の支持枠近傍の非蒸発型ゲッタの活性化を実施し
ない画像表示装置の封着工程を実施した。その外のプロ
セスは実施例３と同様である。

【００７３】本実施例の効果を確認するために、電子源
の初期駆動１００時間の放電回数を測定した。駆動条件
は実施例３及び比較例３は全く同一条件とした。ゲート
電圧を＋１２０Ｖとし、メタルパックの加速電圧を５０
０Ｖとした。この結果を表１に示す。

【００７４】

【表１】表１より、本実施例で作成された画像表示装置は、放電
が少なく安定に動作させることが出来ることが解った。
安定に動作することが可能になったのは、非蒸発型ゲッ
タを封着工程で劣化させること無く真空べーキング工程
で活性化でき、駆動時の放出ガスを除去できたため放電
回数が減少したものと思われる。

【００７５】

【発明の効果】本発明の画像表示装置の封着方法によれ
ば、非蒸発型ゲッタの封着時のダメージを抑制すること
が可能となる。これによって、後の吸着特性を得るため
のゲッタ活性化条件が易しくなり、通常の真空ベーキン
グ工程でゲッタ活性化を行うことができる。それによ
り、冷陰極電子源の劣化を抑え、かつ蛍光体の劣化をも
防ぐことが可能である。

【００７６】また、ガスが起因する放電も抑制し、電子
源の放電による破壊も防ぐことが可能である。それによ
って、長時間の駆動による輝度の劣化が押さえられ、安
定した画像表示装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による実施形態の画像表示装置の封着方
法を説明する模式図である。

【図２】本発明による実施例に用いた画像表示装置の斜
視図である。

【図３】表面伝導型電子放出素子の構成を示す模式図で
ある。

【図４】本発明による実施例１の封着温度プロファイル
である。

【図５】本発明による実施例１及び比較例１の輝度の経
時変化である。

【図６】本発明による実施例１及び比較例１の画像表示
装置の圧力である。

【図７】本発明による実施例２及び３の封着温度プロフ
ァイルである。

【図８】本発明による実施例２及び比較例２の平均電子
放出量の経時変化である。

【図９】電界放出型電子放出素子の構成を示す模式図で
ある。

【図１０】本発明による実施例の画像表示装置の封着方
法を説明する模式図である。

【符号の説明】

１，１０１フェースプレート７，７’、１１１，１１１’ 排気管８，１０３リアプレート９，１０４外枠（支持枠）２１（ａ）、２１（ｂ）、１１０，１１０’フリットガ
ラス１６，１１２表示エリア外非蒸発型ゲッタ１９表面伝導型放出素子１２列方向配線（下配線）１３下配線と上配線との絶縁層１４行方向配線（上配線）１１（ａ）、１１（ｂ）素子電極１５導電性薄膜２０電子放出部１８，１０９表示エリア部非蒸発型ゲッタ２５導入ガス用ヒータ２６マスフローコントラーラ２７マスフローメータ１０２蛍光体（メタルバック）１０５陰極１０６ゲート電極１０７ゲート／陰極間絶縁層１０８スペーサ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも蛍光体励起手段である電子放
出素子を配置されたリアプレート、および前記蛍光体励
起手段により発光する蛍光体が配置されたフェースプレ
ートから構成される画像表示装置内に非蒸発型ゲッタを
具備し、前記リアプレートと前記フェースプレートとの接合が支
持体およびシール材を介して接合されてなる画像表示装
置の封着方法において、前記画像表示装置内の画像表示エリアと前記画像表示エ
リア外の支持枠近傍に前記非蒸発型ゲッタを具備し、不
活性ガス、窒素ガス、水素ガスからなる少なくとも一種
の選ばれるガスを含むガスを前記画像表示装置内にフロ
ーしながら封着する工程において、前記シール材を接合温度に加熱する前の封着工程中に、
前記シール材を加熱する封着工程の加熱工程と、前記加
熱工程による加熱手段とは別の活性化手段により前記画
像表示エリア外の支持枠近傍の非蒸発型ゲッタを活性化
し、前記シール材を接合温度に加熱し封着することを特
徴とする画像表示装置の封着方法。
【請求項２】少なくとも蛍光体励起手段である電子放
出素子を配置されたリアプレートと、前記蛍光体励起手
段により発光する蛍光体が配置されたフェースプレート
と、前記リアプレートと前記フェースプレートとを対向
させてシール材によって気密容器を構成する支持枠と、
から構成される画像表示装置の封着方法において、前記画像表示装置内の画像表示エリア外の前記支持枠近
傍に非蒸発型ゲッタを具備し、不活性ガス、窒素ガス、
水素ガスからなる少なくとも一種の選ばれるガスを含む
ガスを前記画像表示装置内にフローしながら封着する工
程中、前記シール材を接合温度に加熱する前の封着工程中に前
記シール材を加熱する封着工程の加熱工程と、前記画像
表示エリア外の支持枠近傍の非蒸発型ゲッタを活性化す
る活性化工程とにより、前記シール材を接合温度に加熱
して封着することを特徴とする画像表示装置の封着方
法。
【請求項３】請求項１又は２に記載の画像表示装置の
封着方法において、前記シール材が、フリットガラスで
あることを特徴とする画像表示装置の封着方法。
【請求項４】請求項１又は２に記載の画像表示装置の
封着方法において、前記画像表示エリア外の支持枠近傍
の非蒸発型ゲッタの活性化温度がシール材の接合温度以
上であることを特徴とする画像表示装置の封着方法。
【請求項５】請求項１又は２に記載の画像表示装置の
封着方法において、前記画像表示エリア外の支持枠近傍
の非蒸発型ゲッタの活性化手段が通電による加熱である
ことを特徴とする画像表示装置の封着方法。
【請求項６】請求項１又は２に記載の画像表示装置の
封着方法において、前記画像表示エリア外の支持枠近傍
の非蒸発型ゲッタの活性化を開始する前記画像表示装置
の温度が１００℃以上であることを特徴とする画像表示
装置の封着方法。
【請求項７】請求項１又は２に記載の画像表示装置の
封着方法において、前記画像表示エリアの非蒸発型ゲッ
タの活性化を３００℃以上の真空ベーキング工程で行う
ことを特徴とする画像表示装置の封着方法。
【請求項８】請求項１又は２に記載の画像表示装置の
封着方法において、前記画像表示装置の電子放出素子が
表面伝導型電子放出素子もしくは電界放出型電子放出素
子であることを特徴とする画像表示装置の封着方法。
【請求項９】少なくとも蛍光体励起手段である電子放
出素子を配置されたリアプレートと、前記蛍光体励起手
段により発光する蛍光体が配置されたフェースプレート
と、前記リアプレートと前記フェースプレートとを対向
させてシール材によって気密容器を構成する支持枠と、
から構成される画像表示装置の封着装置において、前記画像表示装置内の画像表示エリア外の前記支持枠近
傍に非蒸発型ゲッタを具備し、不活性ガス、窒素ガス、
水素ガスからなる少なくとも一種の選ばれるガスを含む
ガスを前記画像表示装置内にフローしながら封着する封
着手段と、封着工程中に前記シール材を加熱する加熱手
段と、前記加熱手段の動作前に前記画像表示エリア外の
支持枠近傍の非蒸発型ゲッタを活性化する活性化手段と
を備えて、前記シール材を接合温度に加熱して封着する
ことを特徴とする画像表示装置の封着装置。