JP2000260687A - 加熱処理方法及び加熱処理装置 - Google Patents
加熱処理方法及び加熱処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電力を効率よく利用して基板を均一に加熱処
理する。 【解決手段】 プリベーキングユニット３４に，ウェハ
Ｗを載置する載置台５６と，レーザ光を発生するレーザ
光源５７と，レーザ光源５７からのレーザ光を反射させ
るための反射装置５９とを備える。反射装置５９には，
モータ等の駆動源によって回転及びピッチングする多面
体のポリゴンミラー６２が設けられている。ポリゴンミ
ラー６２の回転及びピッチングにより，ポリゴンミラー
６２によって反射したレーザ光のウェハＷ上への照射点
がウェハＷの全面を走査する。
理する。 【解決手段】 プリベーキングユニット３４に，ウェハ
Ｗを載置する載置台５６と，レーザ光を発生するレーザ
光源５７と，レーザ光源５７からのレーザ光を反射させ
るための反射装置５９とを備える。反射装置５９には，
モータ等の駆動源によって回転及びピッチングする多面
体のポリゴンミラー６２が設けられている。ポリゴンミ
ラー６２の回転及びピッチングにより，ポリゴンミラー
６２によって反射したレーザ光のウェハＷ上への照射点
がウェハＷの全面を走査する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，基板を加熱処理す
る加熱処理方法及び加熱処理装置に関する。
る加熱処理方法及び加熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては，
例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）等の
表面にレジスト膜を形成するリソグラフィ工程が行われ
ている。このリソグラフィ工程は，ウェハに対してレジ
スト液を塗布して処理するレジスト塗布工程や，レジス
ト塗布後のウェハを露光する露光処理工程や，ウェハを
加熱する加熱処理工程や，露光処理後のウェハを現像す
る現像処理工程等の各種の処理工程を有しており，これ
らの処理工程は塗布現像処理装置にて行われている。
例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）等の
表面にレジスト膜を形成するリソグラフィ工程が行われ
ている。このリソグラフィ工程は，ウェハに対してレジ
スト液を塗布して処理するレジスト塗布工程や，レジス
ト塗布後のウェハを露光する露光処理工程や，ウェハを
加熱する加熱処理工程や，露光処理後のウェハを現像す
る現像処理工程等の各種の処理工程を有しており，これ
らの処理工程は塗布現像処理装置にて行われている。
【０００３】この塗布現像処理装置には前記各処理を個
別に行う各種処理装置が備えられており，ウェハの加熱
処理工程を行う加熱処理装置にあっては，例えばヒータ
を内蔵した円盤状の載置台が備えられている。かかる構
成により，ヒータに電力が供給されるとヒータの熱が載
置台に伝わり，この載置台からの熱によってウェハは加
熱処理されるようになっている。
別に行う各種処理装置が備えられており，ウェハの加熱
処理工程を行う加熱処理装置にあっては，例えばヒータ
を内蔵した円盤状の載置台が備えられている。かかる構
成により，ヒータに電力が供給されるとヒータの熱が載
置台に伝わり，この載置台からの熱によってウェハは加
熱処理されるようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，載置台
の周辺部からは放熱量が多く，その結果，ウェハを均一
に加熱処理することができないおそれがあった。そこ
で，この点に鑑み，従来から載置台の周辺部に発熱量の
大きなヒータを配置して，ウェハの周辺部と中心部に等
しい熱量がそれぞれ伝わるようにすることも提案されて
いるが，依然として載置台の周辺部からの放熱の問題が
残り，電力の効率のよい利用ができなかった。
の周辺部からは放熱量が多く，その結果，ウェハを均一
に加熱処理することができないおそれがあった。そこ
で，この点に鑑み，従来から載置台の周辺部に発熱量の
大きなヒータを配置して，ウェハの周辺部と中心部に等
しい熱量がそれぞれ伝わるようにすることも提案されて
いるが，依然として載置台の周辺部からの放熱の問題が
残り，電力の効率のよい利用ができなかった。
【０００５】そこで本発明は，電力を効率よく利用して
基板を均一に加熱処理可能な加熱処理方法及び加熱処理
装置を提供して上記課題を解決することを目的としてい
る。
基板を均一に加熱処理可能な加熱処理方法及び加熱処理
装置を提供して上記課題を解決することを目的としてい
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に，請求項１によれば，基板を加熱処理する方法であっ
て，レーザ光源からのレーザ光を反射体によって反射さ
せて，当該反射光を基板上に照射すると共に，反射体を
変位させることによって，基板上における反射光の照射
位置を変えて基板を加熱することを特徴とする，加熱処
理方法が提供される。
に，請求項１によれば，基板を加熱処理する方法であっ
て，レーザ光源からのレーザ光を反射体によって反射さ
せて，当該反射光を基板上に照射すると共に，反射体を
変位させることによって，基板上における反射光の照射
位置を変えて基板を加熱することを特徴とする，加熱処
理方法が提供される。
【０００７】請求項１の加熱処理方法にあっては，反射
体で反射する反射光によって基板が加熱される。このと
き，反射体の変位により反射光の照射位置を変化させる
ようにしたので，基板の全面に反射光を均一に照射する
ことが可能である。そのため，基板の均一な加熱処理が
可能である。また，載置台を介して基板を加熱するので
はないので，載置台の周辺部から放熱するといった問題
も生じない。
体で反射する反射光によって基板が加熱される。このと
き，反射体の変位により反射光の照射位置を変化させる
ようにしたので，基板の全面に反射光を均一に照射する
ことが可能である。そのため，基板の均一な加熱処理が
可能である。また，載置台を介して基板を加熱するので
はないので，載置台の周辺部から放熱するといった問題
も生じない。
【０００８】請求項２によれば，基板を加熱処理する方
法であって，レーザ光源からのレーザ光を略多角柱また
は略多角筒の反射体によって反射させて，当該反射光を
基板上に照射すると共に，反射体を少なくとも略多角柱
または略多角筒の軸まわりに回転させると共に当該反射
体自体をピッチングさせることによって，基板上におけ
る反射光の照射位置を変えて基板を加熱することを特徴
とする，加熱処理方法が提供される。
法であって，レーザ光源からのレーザ光を略多角柱また
は略多角筒の反射体によって反射させて，当該反射光を
基板上に照射すると共に，反射体を少なくとも略多角柱
または略多角筒の軸まわりに回転させると共に当該反射
体自体をピッチングさせることによって，基板上におけ
る反射光の照射位置を変えて基板を加熱することを特徴
とする，加熱処理方法が提供される。
【０００９】請求項２の加熱処理方法にあっては，レー
ザ光源からのレーザ光を略多角柱または略多角筒の軸ま
わりに回転する反射体に入射させると，反射光は基板上
を軸の長さ方向と直角な方向に走査する。また，レーザ
光源からレーザ光をピッチングする反射体に入射させる
と，反射光は基板上を軸の長さ方向に沿って走査する。
従って，反射体を軸まわりに回転させ，かつピッチング
させると，反射体からの反射光を基板の全面に対して照
射することができる。
ザ光源からのレーザ光を略多角柱または略多角筒の軸ま
わりに回転する反射体に入射させると，反射光は基板上
を軸の長さ方向と直角な方向に走査する。また，レーザ
光源からレーザ光をピッチングする反射体に入射させる
と，反射光は基板上を軸の長さ方向に沿って走査する。
従って，反射体を軸まわりに回転させ，かつピッチング
させると，反射体からの反射光を基板の全面に対して照
射することができる。
【００１０】請求項３によれば，支持部材に支持された
基板を加熱処理する装置であって，基板を加熱するレー
ザ光を発生するレーザ光源と，レーザ光源からのレーザ
光を基板に向けて反射させる反射体とを備え，前記反射
体は，レーザ光源からのレーザ光を基板上の任意の位置
に反射自在であることを特徴とする，加熱処理装置が提
供される。
基板を加熱処理する装置であって，基板を加熱するレー
ザ光を発生するレーザ光源と，レーザ光源からのレーザ
光を基板に向けて反射させる反射体とを備え，前記反射
体は，レーザ光源からのレーザ光を基板上の任意の位置
に反射自在であることを特徴とする，加熱処理装置が提
供される。
【００１１】請求項３の加熱処理装置にあっては，レー
ザ光を基板上の任意の位置に照射することが可能である
から，請求項１に記載した加熱処理方法を好適に実施す
ることができる。従って，基板の全面に反射光を照射す
ることができ，均一な基板の加熱処理が可能である。
ザ光を基板上の任意の位置に照射することが可能である
から，請求項１に記載した加熱処理方法を好適に実施す
ることができる。従って，基板の全面に反射光を照射す
ることができ，均一な基板の加熱処理が可能である。
【００１２】この場合，請求項４のように，基板から発
せられる赤外線を当該基板の面内温度として検出可能な
温度センサと，当該温度センサの検出した温度に基づい
て前記反射体からの反射光の照射位置を制御する制御手
段とを備えるとよい。
せられる赤外線を当該基板の面内温度として検出可能な
温度センサと，当該温度センサの検出した温度に基づい
て前記反射体からの反射光の照射位置を制御する制御手
段とを備えるとよい。
【００１３】請求項４の加熱処理装置にあっては，基板
から発せられる赤外線によって検出される基板上の温度
に基づいて反射光の照射位置を制御するようにしたの
で，例えば基板上の特定部分の温度が低い場合には，こ
の特定部分に反射光が照射されるように反射体を制御手
段で変位させることができ，それによって，基板上の温
度の補正ができる。従って，より均一な基板の加熱処理
が可能になる。
から発せられる赤外線によって検出される基板上の温度
に基づいて反射光の照射位置を制御するようにしたの
で，例えば基板上の特定部分の温度が低い場合には，こ
の特定部分に反射光が照射されるように反射体を制御手
段で変位させることができ，それによって，基板上の温
度の補正ができる。従って，より均一な基板の加熱処理
が可能になる。
【００１４】また，請求項５のように，基板から発せら
れる赤外線を当該基板の面内温度として検出可能な温度
センサと，当該温度センサの検出した温度に基づいてレ
ーザ光源の出力を調整し，前記反射体からの反射光の照
射量を制御する光量制御手段とを備えてもよい。
れる赤外線を当該基板の面内温度として検出可能な温度
センサと，当該温度センサの検出した温度に基づいてレ
ーザ光源の出力を調整し，前記反射体からの反射光の照
射量を制御する光量制御手段とを備えてもよい。
【００１５】請求項５に記載の加熱処理装置にあって
は，温度センサの検出した温度に基づいてレーザ光源の
出力を調整するようにしたので，例えば基板上の特定部
分の温度が低い場合には，光量制御手段を制御して前記
特定部分に対する反射光の照射量を多くすることができ
る。
は，温度センサの検出した温度に基づいてレーザ光源の
出力を調整するようにしたので，例えば基板上の特定部
分の温度が低い場合には，光量制御手段を制御して前記
特定部分に対する反射光の照射量を多くすることができ
る。
【００１６】請求項６によれば，支持部材に支持された
基板を加熱処理する装置であって，基板を加熱するレー
ザ光を発生するレーザ光源と，レーザ光源からのレーザ
光を基板に向けて反射させる反射体とを備え，前記反射
体は，周面が多角形の多角柱または多角筒の軸を中心と
して回転自在であり，かつ基板に対してピッチング自在
であることを特徴とする，加熱処理装置が提供される。
基板を加熱処理する装置であって，基板を加熱するレー
ザ光を発生するレーザ光源と，レーザ光源からのレーザ
光を基板に向けて反射させる反射体とを備え，前記反射
体は，周面が多角形の多角柱または多角筒の軸を中心と
して回転自在であり，かつ基板に対してピッチング自在
であることを特徴とする，加熱処理装置が提供される。
【００１７】請求項６の加熱処理装置にあっては，反射
体を略多角柱または略多角筒の軸まわりに回転させるこ
とで，反射光を軸の長さと直角な方向に走査させること
ができる。また，反射体をピッチングさせることで，反
射光を軸の長さ方向に沿って走査させることができる。
従って，請求項２の場合と同様に，反射体からの反射光
を基板の全面に対して照射することができる。
体を略多角柱または略多角筒の軸まわりに回転させるこ
とで，反射光を軸の長さと直角な方向に走査させること
ができる。また，反射体をピッチングさせることで，反
射光を軸の長さ方向に沿って走査させることができる。
従って，請求項２の場合と同様に，反射体からの反射光
を基板の全面に対して照射することができる。
【００１８】この場合，請求項７のように，基板から発
せられる赤外線を当該基板の面内温度として検出可能な
温度センサと，当該温度センサの検出した温度に基づい
て，反射体からの反射光の照射位置を調整するために，
少なくとも反射体の回転又はピッチングを制御する制御
手段とを備えるようにするとよい。
せられる赤外線を当該基板の面内温度として検出可能な
温度センサと，当該温度センサの検出した温度に基づい
て，反射体からの反射光の照射位置を調整するために，
少なくとも反射体の回転又はピッチングを制御する制御
手段とを備えるようにするとよい。
【００１９】請求項７の加熱処理装置にあっては，温度
センサの検出した温度に基づいて反射体の回転又はピッ
チングを制御し反射光の照射位置を調整するようにした
ので，例えば基板上の特定部分の温度が低い場合には，
この特定部分に対して反射光が照射されるように反射体
を変位させることができる。その結果，基板上の温度の
補正を好適に行うことができ，基板の加熱処理をより均
一に施すことができる。
センサの検出した温度に基づいて反射体の回転又はピッ
チングを制御し反射光の照射位置を調整するようにした
ので，例えば基板上の特定部分の温度が低い場合には，
この特定部分に対して反射光が照射されるように反射体
を変位させることができる。その結果，基板上の温度の
補正を好適に行うことができ，基板の加熱処理をより均
一に施すことができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態にかか
るプリベーキングユニットを備えた塗布現像処理装置に
ついて説明する。図１〜３は塗布現像処理装置の外観を
示しており，図１は平面図，図２は正面図，図３は背面
図である。
るプリベーキングユニットを備えた塗布現像処理装置に
ついて説明する。図１〜３は塗布現像処理装置の外観を
示しており，図１は平面図，図２は正面図，図３は背面
図である。
【００２１】塗布現像処理装置１は図１に示すように，
例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布
現像処理装置１に対して搬入出したり，カセットＣに対
してウェハＷを搬入出したりするためのカセットステー
ション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処
理を施す各種処理ユニットを多段配置してなる処理ステ
ーション３と，この処理ステーション３に隣接して設け
られる露光装置（図示せず）との間でウェハＷの受け渡
しをするためのインターフェイス部５とを一体に接続し
た構成を有している。
例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布
現像処理装置１に対して搬入出したり，カセットＣに対
してウェハＷを搬入出したりするためのカセットステー
ション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処
理を施す各種処理ユニットを多段配置してなる処理ステ
ーション３と，この処理ステーション３に隣接して設け
られる露光装置（図示せず）との間でウェハＷの受け渡
しをするためのインターフェイス部５とを一体に接続し
た構成を有している。
【００２２】カセットステーション２では，カセット載
置台６上の所定の位置にカセットＣがウェハＷの出入口
を処理ステーション３側に向けてＸ方向（図１中の上下
方向）一列に載置自在である。そして，このカセット配
列方向（Ｘ方向）及びカセットＣに収容されたウェハＷ
のウェハ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウ
ェハ搬送体８が搬送路９に沿って移動自在であり，カセ
ットＣに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。
置台６上の所定の位置にカセットＣがウェハＷの出入口
を処理ステーション３側に向けてＸ方向（図１中の上下
方向）一列に載置自在である。そして，このカセット配
列方向（Ｘ方向）及びカセットＣに収容されたウェハＷ
のウェハ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウ
ェハ搬送体８が搬送路９に沿って移動自在であり，カセ
ットＣに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。
【００２３】ウェハ搬送体８はθ方向（Ｚ軸を中心とす
る回転方向）にも回転自在に構成されており，後述する
ように処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ３に
属するアライメントユニット３２及びエクステンション
ユニット３３に対してもアクセスできるように構成され
ている。
る回転方向）にも回転自在に構成されており，後述する
ように処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ３に
属するアライメントユニット３２及びエクステンション
ユニット３３に対してもアクセスできるように構成され
ている。
【００２４】処理ステーション３では，ウェハＷを保持
するピンセット１０，１１，１２を上中下３本備えた主
搬送装置１３が中心部に配置されており，主搬送装置１
３の周囲には各種処理ユニットが多段に配置されて処理
装置群を構成している。塗布現像処理装置１において
は，４つの処理装置群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４が配置可
能である。第１及び第２の処理装置群Ｇ１，Ｇ２は塗布
現像処理装置１の正面側に配置されており，第３の処理
装置群Ｇ３はカセットステーション２に隣接して配置さ
れており，第４の処理装置群Ｇ４はインターフェイス部
５に隣接して配置されている。また，必要に応じて第５
の処理装置群Ｇ５も背面側に配置可能である。
するピンセット１０，１１，１２を上中下３本備えた主
搬送装置１３が中心部に配置されており，主搬送装置１
３の周囲には各種処理ユニットが多段に配置されて処理
装置群を構成している。塗布現像処理装置１において
は，４つの処理装置群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４が配置可
能である。第１及び第２の処理装置群Ｇ１，Ｇ２は塗布
現像処理装置１の正面側に配置されており，第３の処理
装置群Ｇ３はカセットステーション２に隣接して配置さ
れており，第４の処理装置群Ｇ４はインターフェイス部
５に隣接して配置されている。また，必要に応じて第５
の処理装置群Ｇ５も背面側に配置可能である。
【００２５】第１の処理装置群Ｇ１では図２に示すよう
に，２種類のスピンナ型処理ユニット，例えばウェハＷ
に対してレジスト液を塗布するレジスト塗布処理ユニッ
ト１５と，ウェハＷに対して現像液を供給して処理する
現像処理ユニット１６とが下から順に２段に配置されて
いる。第２の処理装置群Ｇ２では，レジスト塗布処理ユ
ニット１５と基本的に同様な構成を有するレジスト塗布
処理ユニット１７と，現像処理ユニット１６と基本的に
同様な構成を有する現像処理ユニット１８とが下から順
に２段に積み重ねられている。
に，２種類のスピンナ型処理ユニット，例えばウェハＷ
に対してレジスト液を塗布するレジスト塗布処理ユニッ
ト１５と，ウェハＷに対して現像液を供給して処理する
現像処理ユニット１６とが下から順に２段に配置されて
いる。第２の処理装置群Ｇ２では，レジスト塗布処理ユ
ニット１５と基本的に同様な構成を有するレジスト塗布
処理ユニット１７と，現像処理ユニット１６と基本的に
同様な構成を有する現像処理ユニット１８とが下から順
に２段に積み重ねられている。
【００２６】第３の処理装置群Ｇ３では図３に示すよう
に，ウェハＷを載置台に載せて所定の処理を施すオーブ
ン型の処理ユニット，例えば冷却処理を行うクーリング
ユニット３０，レジストとウェハＷとの定着性を高める
アドヒージョンユニット３１，ウェハＷの位置合わせを
行うアライメントユニット３２，ウェハＷを待機させる
エクステンションユニット３３，露光処理前の加熱処理
を行うプリベーキングユニット３４，３５及び現像処理
後の加熱処理を施すポストベーキングユニット３６，３
７等が下から順に８段に重ねられている。
に，ウェハＷを載置台に載せて所定の処理を施すオーブ
ン型の処理ユニット，例えば冷却処理を行うクーリング
ユニット３０，レジストとウェハＷとの定着性を高める
アドヒージョンユニット３１，ウェハＷの位置合わせを
行うアライメントユニット３２，ウェハＷを待機させる
エクステンションユニット３３，露光処理前の加熱処理
を行うプリベーキングユニット３４，３５及び現像処理
後の加熱処理を施すポストベーキングユニット３６，３
７等が下から順に８段に重ねられている。
【００２７】第４の処理装置群Ｇ４では，例えばクーリ
ングユニット４０，載置したウェハＷを自然冷却させる
エクステンション・クーリングユニット４１，エクステ
ンションユニット４２，クーリングユニット４３，露光
処理後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキ
ングユニット４４，４５，ポストベーキングユニット４
６，４７等が下から順に８段に積み重ねられている。
ングユニット４０，載置したウェハＷを自然冷却させる
エクステンション・クーリングユニット４１，エクステ
ンションユニット４２，クーリングユニット４３，露光
処理後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキ
ングユニット４４，４５，ポストベーキングユニット４
６，４７等が下から順に８段に積み重ねられている。
【００２８】インターフェイス部５にはウェハＷの周縁
部を露光する周辺露光装置５１と，ウェハ搬送体５２と
が備えられている。ウェハ搬送体５２はＸ方向（図１中
の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移動と，θ方向
（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転とが夫々自在とな
るように形成されており，露光装置（図示せず），エク
ステンション・クーリングユニット４１，エクステンシ
ョンユニット４２，そして周辺露光装置５１にそれぞれ
アクセスすることができるようになっている。
部を露光する周辺露光装置５１と，ウェハ搬送体５２と
が備えられている。ウェハ搬送体５２はＸ方向（図１中
の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移動と，θ方向
（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転とが夫々自在とな
るように形成されており，露光装置（図示せず），エク
ステンション・クーリングユニット４１，エクステンシ
ョンユニット４２，そして周辺露光装置５１にそれぞれ
アクセスすることができるようになっている。
【００２９】塗布現像処理装置１は以上のように構成さ
れている。次に，本発明の実施の形態にかかるプリベー
キングユニット３４について説明する。
れている。次に，本発明の実施の形態にかかるプリベー
キングユニット３４について説明する。
【００３０】プリベーキングユニット３４は図４に示す
ように，ケーシング５５内にウェハＷを載置自在な支持
部材としての載置台５６と，例えば光源がＧａＡｌＡｓ
で出力が数Ｗ程度のレーザ光源５７と，レーザ光源５７
から発せられるレーザ光の光量を制御可能な光量制御手
段としてのスリット５８と，レーザ光源５７から発せら
れたレーザ光を反射する反射装置５９とを有している。
ように，ケーシング５５内にウェハＷを載置自在な支持
部材としての載置台５６と，例えば光源がＧａＡｌＡｓ
で出力が数Ｗ程度のレーザ光源５７と，レーザ光源５７
から発せられるレーザ光の光量を制御可能な光量制御手
段としてのスリット５８と，レーザ光源５７から発せら
れたレーザ光を反射する反射装置５９とを有している。
【００３１】載置台５６は円盤状に形成されており，載
置台５６には表面から突出自在であり，かつウェハＷの
裏面を水平に支持可能な３本の支持ピン（図示せず）が
備えられている。かかる構成により，これらの支持ピン
（図示せず）に支持されたウェハＷはケーシング５５内
を昇降し，載置台５６に対して載置自在となっている。
置台５６には表面から突出自在であり，かつウェハＷの
裏面を水平に支持可能な３本の支持ピン（図示せず）が
備えられている。かかる構成により，これらの支持ピン
（図示せず）に支持されたウェハＷはケーシング５５内
を昇降し，載置台５６に対して載置自在となっている。
【００３２】反射装置５９は図５，６に示すように，適
宜のケース６０内に収納されており，反射装置５９の内
部には基台６１が備えられている。この基台６１の中央
部には例えば８角柱の形状を有する反射体としてのポリ
ゴンミラー６２が回転自在に備えられており，ポリゴン
ミラー６２の表面には８枚のミラー６３が設けられてい
る。また，ポリゴンミラー６２にはモータ６４の駆動に
より回転する回転軸６５が当該ポリゴンミラー６２の軸
心上に取り付けられている。さらに，基台６１には開口
部６１ａが形成されており，ポリゴンミラー６２は開口
部６１ａ内でモータ６４の駆動により回転する。
宜のケース６０内に収納されており，反射装置５９の内
部には基台６１が備えられている。この基台６１の中央
部には例えば８角柱の形状を有する反射体としてのポリ
ゴンミラー６２が回転自在に備えられており，ポリゴン
ミラー６２の表面には８枚のミラー６３が設けられてい
る。また，ポリゴンミラー６２にはモータ６４の駆動に
より回転する回転軸６５が当該ポリゴンミラー６２の軸
心上に取り付けられている。さらに，基台６１には開口
部６１ａが形成されており，ポリゴンミラー６２は開口
部６１ａ内でモータ６４の駆動により回転する。
【００３３】基台６１は回転軸６５と直交する方向に渡
されたピッチング軸７０によって回動自在に支持されて
おり，このピッチング軸７０はモータ６９の駆動力によ
ってピッチング駆動させるピッチング手段７１によって
ケース６０の底面に設けられた開口部６０ａ内を高速で
所定角度内で回動する。これによって，基台６１はピッ
チングする。
されたピッチング軸７０によって回動自在に支持されて
おり，このピッチング軸７０はモータ６９の駆動力によ
ってピッチング駆動させるピッチング手段７１によって
ケース６０の底面に設けられた開口部６０ａ内を高速で
所定角度内で回動する。これによって，基台６１はピッ
チングする。
【００３４】本実施の形態にかかるプリベーキングユニ
ット３４は以上のように構成されている。次に，プリベ
ーキングユニット３４の作用効果について説明する。
ット３４は以上のように構成されている。次に，プリベ
ーキングユニット３４の作用効果について説明する。
【００３５】カセットステーション２のアライメントユ
ニット３２にて位置合わせを終了したウェハＷは，アド
ヒージョンユニット３１，クーリングユニット３０に順
次搬送されて所定の処理が施された後，レジスト塗布処
理ユニット１５に搬送される。そして，レジスト塗布処
理の終了したウェハＷはプリベーキングユニット３４に
搬送され，載置台５６の表面から突出した３本の支持ピ
ン（図示せず）に支持される。その後，ウェハＷを支持
ピン（図示せず）に支持させた状態で下降させて，載置
台５６に載置させる。
ニット３２にて位置合わせを終了したウェハＷは，アド
ヒージョンユニット３１，クーリングユニット３０に順
次搬送されて所定の処理が施された後，レジスト塗布処
理ユニット１５に搬送される。そして，レジスト塗布処
理の終了したウェハＷはプリベーキングユニット３４に
搬送され，載置台５６の表面から突出した３本の支持ピ
ン（図示せず）に支持される。その後，ウェハＷを支持
ピン（図示せず）に支持させた状態で下降させて，載置
台５６に載置させる。
【００３６】そして，モータ６４，６９を駆動させてポ
リゴンミラー６２が回転，ピッチングした状態で図７に
示すように，レーザ光源５７からのレーザ光をポリゴン
ミラー６２に向けて入射すると，ポリゴンミラー６２で
反射した反射光が載置台５６上のウェハＷに照射して加
熱する。この加熱処理の際に，ポリゴンミラー６２はモ
ータ６４によって例えば図８の状態から図９の状態まで
回転軸６５まわりに回転すると，ミラー６３のレーザ光
源５７に対する角度が変わるので，このミラー６３にて
反射する反射光の反射角も変化する。その結果，ポリゴ
ンミラー６２の回転によって反射光はウェハＷ上を，図
１０の往復矢印で示すように，ポリゴンミラー６２の長
さ方向とは直角の方向に走査するようになる。
リゴンミラー６２が回転，ピッチングした状態で図７に
示すように，レーザ光源５７からのレーザ光をポリゴン
ミラー６２に向けて入射すると，ポリゴンミラー６２で
反射した反射光が載置台５６上のウェハＷに照射して加
熱する。この加熱処理の際に，ポリゴンミラー６２はモ
ータ６４によって例えば図８の状態から図９の状態まで
回転軸６５まわりに回転すると，ミラー６３のレーザ光
源５７に対する角度が変わるので，このミラー６３にて
反射する反射光の反射角も変化する。その結果，ポリゴ
ンミラー６２の回転によって反射光はウェハＷ上を，図
１０の往復矢印で示すように，ポリゴンミラー６２の長
さ方向とは直角の方向に走査するようになる。
【００３７】また，上述した基台６１自体がピッチング
手段７１によってピッチングすると，ポリゴンミラー６
２は水平なウェハＷに対して図１１に示すように上向き
に傾いたり，図１２に示すように下向きに傾いたりす
る。その結果，反射光の反射角が変化し，反射光は図１
３の往復矢印で示すように，ウェハＷ上をポリゴンミラ
ー６２の長さ方向に沿って走査するようになる。
手段７１によってピッチングすると，ポリゴンミラー６
２は水平なウェハＷに対して図１１に示すように上向き
に傾いたり，図１２に示すように下向きに傾いたりす
る。その結果，反射光の反射角が変化し，反射光は図１
３の往復矢印で示すように，ウェハＷ上をポリゴンミラ
ー６２の長さ方向に沿って走査するようになる。
【００３８】従って図１４に示すように，ポリゴンミラ
ー６２で反射した反射光をウェハＷの全面に照射するこ
とができ，ウェハＷを均一に加熱処理することが可能で
ある。
ー６２で反射した反射光をウェハＷの全面に照射するこ
とができ，ウェハＷを均一に加熱処理することが可能で
ある。
【００３９】また，ウェハＷに反射光を直接照射して加
熱処理するので，載置台５６からの放熱がなくなり，従
来よりも電力を効率よく利用することができる。しか
も，載置台５６には従来のようにヒータ等の適宜の加熱
手段を備えることが不要となる。
熱処理するので，載置台５６からの放熱がなくなり，従
来よりも電力を効率よく利用することができる。しか
も，載置台５６には従来のようにヒータ等の適宜の加熱
手段を備えることが不要となる。
【００４０】さらに図４の破線で示したように，ウェハ
Ｗから発せられて，ポリゴンミラー６２によって反射し
た赤外線を検出して，当該ウェハＷの面内温度を検知す
る温度センサ７５を設けると共に，レーザ光源５７から
発せられるレーザ光の光量をスリット５８によって制御
するようにしている。そのため，温度センサ７５の検出
したウェハＷ上における特定部分の面内温度に応じて，
ポリゴンミラー６２にて反射する赤外線の照射量を好適
に調整し，上記特定部分に照射することができる。ま
た，当該検出した温度に基づいて，ポリゴンミラー６２
の回転，ピッチングを制御するように構成すれば，なお
好ましい効果が得られる。
Ｗから発せられて，ポリゴンミラー６２によって反射し
た赤外線を検出して，当該ウェハＷの面内温度を検知す
る温度センサ７５を設けると共に，レーザ光源５７から
発せられるレーザ光の光量をスリット５８によって制御
するようにしている。そのため，温度センサ７５の検出
したウェハＷ上における特定部分の面内温度に応じて，
ポリゴンミラー６２にて反射する赤外線の照射量を好適
に調整し，上記特定部分に照射することができる。ま
た，当該検出した温度に基づいて，ポリゴンミラー６２
の回転，ピッチングを制御するように構成すれば，なお
好ましい効果が得られる。
【００４１】即ち，図１５に示したように，温度センサ
７５の検出したウェハＷ上における特定部分の温度が所
定の温度よりも低い場合には，その時のウェハＷ上のア
ドレスを認識しておき，当該アドレスの部分に，レーザ
光が照射するように，ポリゴンミラー６２の回転を担う
モータ６４と，ピッチングを担うモータ６９との回転を
制御する制御装置７６を設ければ，以後例えばフィード
バック制御によって，前記特定部分の温度を所定の温度
に加熱することで，ウェハＷの面内温度の分布を補正す
ることができ，ウェハＷの面内温度に応じた加熱処理が
可能である。従って，より均一な加熱処理が実施でき
る。このように，ポリゴンミラー６２の回転，ピッチン
グを利用して，ウェハＷからの赤外線をポリゴンミラー
６２にて反射させて温度センサ７５で検出するようにし
ているから，ウェハＷ全面の温度を常時検出するセンサ
も不要となる。
７５の検出したウェハＷ上における特定部分の温度が所
定の温度よりも低い場合には，その時のウェハＷ上のア
ドレスを認識しておき，当該アドレスの部分に，レーザ
光が照射するように，ポリゴンミラー６２の回転を担う
モータ６４と，ピッチングを担うモータ６９との回転を
制御する制御装置７６を設ければ，以後例えばフィード
バック制御によって，前記特定部分の温度を所定の温度
に加熱することで，ウェハＷの面内温度の分布を補正す
ることができ，ウェハＷの面内温度に応じた加熱処理が
可能である。従って，より均一な加熱処理が実施でき
る。このように，ポリゴンミラー６２の回転，ピッチン
グを利用して，ウェハＷからの赤外線をポリゴンミラー
６２にて反射させて温度センサ７５で検出するようにし
ているから，ウェハＷ全面の温度を常時検出するセンサ
も不要となる。
【００４２】なお，前記実施の形態にあっては，ポリゴ
ンミラー６２が８角柱である例を挙げて説明したが，ポ
リゴンミラー６２は１２角柱，２４角柱等の多角柱であ
ってもよく，また多角筒に形成することも可能である。
ンミラー６２が８角柱である例を挙げて説明したが，ポ
リゴンミラー６２は１２角柱，２４角柱等の多角柱であ
ってもよく，また多角筒に形成することも可能である。
【００４３】また，載置台５６にウェハＷを載置して加
熱処理する例を挙げて説明したが，本発明はこのような
例には限定されず，載置台５６を使用せずに，例えば支
持ピン等の適宜の支持部材にウェハＷを支持させて加熱
処理するようにしてもよい。
熱処理する例を挙げて説明したが，本発明はこのような
例には限定されず，載置台５６を使用せずに，例えば支
持ピン等の適宜の支持部材にウェハＷを支持させて加熱
処理するようにしてもよい。
【００４４】また，本発明に適用可能な加熱処理装置と
しては，前記実施の形態のようにプリベーキングユニッ
ト３４に限定されず，例えばプリベーキングユニット３
５，ポストベーキングユニット３６，３７，４６，４
７，ポストエクスポージャーベーキングユニット４４，
４５等の他の加熱処理装置であってもよい。また，本発
明に使用可能な基板もウェハＷには限定されず，例えば
ＬＣＤ基板やＣＤ基板等であってもよい。
しては，前記実施の形態のようにプリベーキングユニッ
ト３４に限定されず，例えばプリベーキングユニット３
５，ポストベーキングユニット３６，３７，４６，４
７，ポストエクスポージャーベーキングユニット４４，
４５等の他の加熱処理装置であってもよい。また，本発
明に使用可能な基板もウェハＷには限定されず，例えば
ＬＣＤ基板やＣＤ基板等であってもよい。
【００４５】
【発明の効果】請求項１，２によれば，基板の全面に反
射光を均一に照射して基板を均一に加熱処理することが
可能である。
射光を均一に照射して基板を均一に加熱処理することが
可能である。
【００４６】請求項３〜７によれば，請求項１，２に記
載の加熱処理方法を好適に実施可能な加熱処理装置を提
供することができる。
載の加熱処理方法を好適に実施可能な加熱処理装置を提
供することができる。
【００４７】特に，請求項４，７によれば，温度センサ
の検出温度に基づいて基板上における反射光の照射位置
を変化させるようにしたので，より均一な基板の加熱処
理が可能となる。
の検出温度に基づいて基板上における反射光の照射位置
を変化させるようにしたので，より均一な基板の加熱処
理が可能となる。
【００４８】特に請求項５によれば，温度センサの検出
温度に基づいて反射体からの反射光の照射量を光量制御
手段によって制御できるので，より均一な基板の加熱処
理が可能となる。
温度に基づいて反射体からの反射光の照射量を光量制御
手段によって制御できるので，より均一な基板の加熱処
理が可能となる。
【図１】本発明の実施の形態にかかるプリベーキングユ
ニットを備えた塗布現像処理装置の概略的な平面図であ
る。
ニットを備えた塗布現像処理装置の概略的な平面図であ
る。
【図２】図１の塗布現像処理装置の正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理装置の背面図である。
【図４】本発明の実施の形態にかかるプリベーキングユ
ニットの概略的な説明図である。
ニットの概略的な説明図である。
【図５】図４のプリベーキングユニットに備えられた反
射装置の概略的な斜視図である。
射装置の概略的な斜視図である。
【図６】図５の反射装置の断面図である。
【図７】図４のプリベーキングユニットの要部の構成を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図８】図５の反射装置のポリゴンミラーが回転軸まわ
りに回転した際の反射光の照射位置を示す説明図であ
る。
りに回転した際の反射光の照射位置を示す説明図であ
る。
【図９】図８の状態からさらにポリゴンミラーが回転軸
まわりに回転した際の反射光の照射位置を示す説明図で
ある。
まわりに回転した際の反射光の照射位置を示す説明図で
ある。
【図１０】図８のポリゴンミラーが回転軸まわりに回転
した際のウェハ上における反射光の照射軌跡を示す説明
図である。
した際のウェハ上における反射光の照射軌跡を示す説明
図である。
【図１１】図５の反射装置の基台がピッチングした際の
反射光の照射位置を示す説明図である。
反射光の照射位置を示す説明図である。
【図１２】図１１の状態からさらに基台がピッチングし
た際の反射光の照射位置を示す説明図である。
た際の反射光の照射位置を示す説明図である。
【図１３】図１１の基台がピッチングした際のウェハ上
における反射光の照射軌跡を示す説明図である。
における反射光の照射軌跡を示す説明図である。
【図１４】ポリゴンミラーの回転とピッチングによるウ
ェハ上における反射光の照射軌跡を示す説明図である。
ェハ上における反射光の照射軌跡を示す説明図である。
【図１５】温度センサと制御装置を備えた図４のプリベ
ーキングユニットの概略的な構成を示す説明図である。
ーキングユニットの概略的な構成を示す説明図である。
１ 塗布現像処理装置 ３４，３５ プリベーキングユニット ５７ レーザ光源 ５９ 反射装置 ６２ ポリゴンミラー ６４，６９ モータ ６５ 回転軸 ７０ ピッチング軸 ７１ ピッチング手段 ７５ 温度センサ ７６ 制御装置 Ｗ ウェハ
Claims (7)
- 【請求項１】 基板を加熱処理する方法であって，レー
ザ光源からのレーザ光を反射体によって反射させて，当
該反射光を基板上に照射すると共に，反射体を変位させ
ることによって，基板上における反射光の照射位置を変
えて基板を加熱することを特徴とする，加熱処理方法。 - 【請求項２】 基板を加熱処理する方法であって，レー
ザ光源からのレーザ光を略多角柱または略多角筒の反射
体によって反射させて，当該反射光を基板上に照射する
と共に，反射体を少なくとも略多角柱または略多角筒の
軸まわりに回転させると共に当該反射体自体をピッチン
グさせることによって，基板上における反射光の照射位
置を変えて基板を加熱することを特徴とする，加熱処理
方法。 - 【請求項３】 支持部材に支持された基板を加熱処理す
る装置であって，基板を加熱するレーザ光を発生するレ
ーザ光源と，レーザ光源からのレーザ光を基板に向けて
反射させる反射体とを備え，前記反射体は，レーザ光源
からのレーザ光を基板上の任意の位置に反射自在である
ことを特徴とする，加熱処理装置。 - 【請求項４】 基板から発せられる赤外線を当該基板の
面内温度として検出可能な温度センサと，当該温度セン
サの検出した温度に基づいて前記反射体からの反射光の
照射位置を制御する制御手段とを備えたことを特徴とす
る，請求項３に記載の加熱処理装置。 - 【請求項５】 基板から発せられる赤外線を当該基板の
面内温度として検出可能な温度センサと，当該温度セン
サの検出した温度に基づいてレーザ光源の出力を調整
し，前記反射体からの反射光の照射量を制御する光量制
御手段とを備えたことを特徴とする，請求項３に記載の
加熱処理装置。 - 【請求項６】 支持部材に支持された基板を加熱処理す
る装置であって，基板を加熱するレーザ光を発生するレ
ーザ光源と，レーザ光源からのレーザ光を基板に向けて
反射させる反射体とを備え，前記反射体は，周面が多角
形の多角柱または多角筒の軸を中心として回転自在であ
り，かつ基板に対してピッチング自在であることを特徴
とする，加熱処理装置。 - 【請求項７】 基板から発せられる赤外線を当該基板の
面内温度として検出可能な温度センサと，当該温度セン
サの検出した温度に基づいて，反射体からの反射光の照
射位置を調整するために，少なくとも反射体の回転又は
ピッチングを制御する制御手段とを備えたことを特徴と
する，請求項６に記載の加熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11060390A JP2000260687A (ja) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | 加熱処理方法及び加熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11060390A JP2000260687A (ja) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | 加熱処理方法及び加熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000260687A true JP2000260687A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13140788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11060390A Withdrawn JP2000260687A (ja) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | 加熱処理方法及び加熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000260687A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013109328A3 (en) * | 2011-10-27 | 2013-10-03 | Applied Materials, Inc. | Laser crystallization and polycrystal efficiency improvement for thin film solar |
| JP2015164194A (ja) * | 2012-06-11 | 2015-09-10 | ウルトラテック インク | 滞留時間が非常に短いレーザアニールシステムおよび方法 |
| JP2016540246A (ja) * | 2013-11-27 | 2016-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 光学投影を使用する基板チューニングシステム及び方法 |
| US9558973B2 (en) | 2012-06-11 | 2017-01-31 | Ultratech, Inc. | Laser annealing systems and methods with ultra-short dwell times |
| US9798241B2 (en) | 2015-01-09 | 2017-10-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of manufacturing photomasks, methods of forming photoresist patterns and methods of manufacturing semiconductor devices |
| US10083843B2 (en) | 2014-12-17 | 2018-09-25 | Ultratech, Inc. | Laser annealing systems and methods with ultra-short dwell times |
-
1999
- 1999-03-08 JP JP11060390A patent/JP2000260687A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013109328A3 (en) * | 2011-10-27 | 2013-10-03 | Applied Materials, Inc. | Laser crystallization and polycrystal efficiency improvement for thin film solar |
| JP2015164194A (ja) * | 2012-06-11 | 2015-09-10 | ウルトラテック インク | 滞留時間が非常に短いレーザアニールシステムおよび方法 |
| US9558973B2 (en) | 2012-06-11 | 2017-01-31 | Ultratech, Inc. | Laser annealing systems and methods with ultra-short dwell times |
| JP2016540246A (ja) * | 2013-11-27 | 2016-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 光学投影を使用する基板チューニングシステム及び方法 |
| US10083843B2 (en) | 2014-12-17 | 2018-09-25 | Ultratech, Inc. | Laser annealing systems and methods with ultra-short dwell times |
| US9798241B2 (en) | 2015-01-09 | 2017-10-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of manufacturing photomasks, methods of forming photoresist patterns and methods of manufacturing semiconductor devices |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060509 |