JP2000261207A - 静磁波デバイス - Google Patents
静磁波デバイスInfo
- Publication number
- JP2000261207A JP2000261207A JP11061791A JP6179199A JP2000261207A JP 2000261207 A JP2000261207 A JP 2000261207A JP 11061791 A JP11061791 A JP 11061791A JP 6179199 A JP6179199 A JP 6179199A JP 2000261207 A JP2000261207 A JP 2000261207A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- layer
- crystal film
- magnetic garnet
- magnetostatic wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 48
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 43
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims abstract description 40
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 5
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 abstract 3
- 229910009493 Y3Fe5O12 Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 3
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/3209—Exchange coupling of garnet multilayers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】一定の外部磁化で、同時に複数の周波数帯域で
動作可能な静磁波デバイスを提供する。 【解決手段】磁性ガーネット単結晶膜を備えた静磁波デ
バイスにおいて、該磁性ガーネット単結晶膜は飽和磁化
の異なる２層以上の積層膜２、３で構成されている。積
層膜の各層の厚みは、上層３が下層２と比較して薄いこ
とが好ましい。
動作可能な静磁波デバイスを提供する。 【解決手段】磁性ガーネット単結晶膜を備えた静磁波デ
バイスにおいて、該磁性ガーネット単結晶膜は飽和磁化
の異なる２層以上の積層膜２、３で構成されている。積
層膜の各層の厚みは、上層３が下層２と比較して薄いこ
とが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁性ガーネット単
結晶膜を用いた静磁波デバイスに関する。
結晶膜を用いた静磁波デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、静磁波デバイス用として、磁
性ガーネット単結晶の１種であるＹ3Ｆｅ5Ｏ12（ＹＩＧ
と略す）単結晶は重要な物質である。特に、ＹＩＧの最
も際立った性質は、極端に強磁性半値幅（ΔＨ）が小さ
いことであり、この性質が静磁波デバイスにしたとき、
入力信号と出力信号との差を小さくできることにつなが
っている。さらに、ＹＩＧの特徴は入力信号に対して比
較的小さな電力で飽和現象が現われることであり、この
性質を利用したリミッタやノイズフィルタなどの静磁波
デバイスとしてＹＩＧ単結晶膜は広く用いられてきた。
性ガーネット単結晶の１種であるＹ3Ｆｅ5Ｏ12（ＹＩＧ
と略す）単結晶は重要な物質である。特に、ＹＩＧの最
も際立った性質は、極端に強磁性半値幅（ΔＨ）が小さ
いことであり、この性質が静磁波デバイスにしたとき、
入力信号と出力信号との差を小さくできることにつなが
っている。さらに、ＹＩＧの特徴は入力信号に対して比
較的小さな電力で飽和現象が現われることであり、この
性質を利用したリミッタやノイズフィルタなどの静磁波
デバイスとしてＹＩＧ単結晶膜は広く用いられてきた。
【０００３】また、ＹＩＧ単結晶膜以外の磁性ガーネッ
ト単結晶膜（Ｆｅ元素を含むガーネット単結晶膜）につ
いても、同様に静磁波デバイス用として用いられてき
た。
ト単結晶膜（Ｆｅ元素を含むガーネット単結晶膜）につ
いても、同様に静磁波デバイス用として用いられてき
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
静磁波デバイスにおいては、ＹＩＧなどの単層の磁性ガ
ーネット単結晶膜を用いているため、動作周波数が任意
の１周波数帯域のみに限定された。このため、複数の異
なる周波数帯域で同時に動作させるためには、複数の静
磁波デバイスを必要とするという問題点を有していた。
静磁波デバイスにおいては、ＹＩＧなどの単層の磁性ガ
ーネット単結晶膜を用いているため、動作周波数が任意
の１周波数帯域のみに限定された。このため、複数の異
なる周波数帯域で同時に動作させるためには、複数の静
磁波デバイスを必要とするという問題点を有していた。
【０００５】そこで、本発明の目的は、一定の外部磁界
で、同時に複数の周波数帯域で動作可能な静磁波デバイ
スを提供することにある。
で、同時に複数の周波数帯域で動作可能な静磁波デバイ
スを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の静磁波デバイスは、磁性ガーネット単結晶
膜を備えた静磁波デバイスにおいて、該磁性ガーネット
単結晶膜は飽和磁化の異なる２層以上の積層膜で構成さ
れていることを特徴とする。
め、本発明の静磁波デバイスは、磁性ガーネット単結晶
膜を備えた静磁波デバイスにおいて、該磁性ガーネット
単結晶膜は飽和磁化の異なる２層以上の積層膜で構成さ
れていることを特徴とする。
【０００７】そして、前記積層膜の各層の厚みは、前記
積層膜の上層ほど下層と比較して薄いことを特徴とす
る。
積層膜の上層ほど下層と比較して薄いことを特徴とす
る。
【０００８】このように、飽和磁化の異なる２層以上の
積層膜で構成された磁性ガーネット単結晶膜を備えるこ
とにより、一定の外部磁界で、同時に複数の周波数帯域
で動作する静磁波デバイスを得ることができる。
積層膜で構成された磁性ガーネット単結晶膜を備えるこ
とにより、一定の外部磁界で、同時に複数の周波数帯域
で動作する静磁波デバイスを得ることができる。
【０００９】また、この積層膜の各層の厚みを、積層膜
の上層ほど下層と比較して薄くすることにより、外部磁
界の作用度合いが厚み方向で異なることによる影響や、
静磁波の厚み方向での伝播度合いが異なることによる影
響などを補償して、全ての動作周波数で挿入損失などの
特性を合わせることが可能となる。
の上層ほど下層と比較して薄くすることにより、外部磁
界の作用度合いが厚み方向で異なることによる影響や、
静磁波の厚み方向での伝播度合いが異なることによる影
響などを補償して、全ての動作周波数で挿入損失などの
特性を合わせることが可能となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の静磁波デバイスの
実施の形態を、実施例に基づき説明する。
実施の形態を、実施例に基づき説明する。
【００１１】（実施例）まず、Ｇｄ3Ｇａ5Ｏ12（ＧＧＧ
と略す）基板を、液相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ
法）で磁性ガーネット単結晶膜を形成するための基板と
して用意した。
と略す）基板を、液相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ
法）で磁性ガーネット単結晶膜を形成するための基板と
して用意した。
【００１２】次に、原料である純度９９．９９％のＦｅ
2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3およびＰｂ
Ｏを、それぞれ７．５ｗｔ％、０．５ｗｔ％、０．１ｗ
ｔ％、０．４ｗｔ％、２．０ｗｔ％および８９．５ｗｔ
％の比率で秤量し混合した後、縦型電気炉内に置かれた
白金坩堝に充填し、１２００℃で融液化して均質化し
た。その後、この融液を約８９０℃に保持し、融液中の
ガーネット材料成分を過飽和状態にした後、この融液中
にＧＧＧ基板を浸漬し、回転させながら約１０分間結晶
成長を行った。その後、このＧＧＧ基板を融液から引き
上げ、５００ｒｐｍで回転させて、生成した磁性ガーネ
ット膜上の付着融液を遠心力により振り切ることによっ
て、ＧＧＧ基板上に、磁性ガーネット単結晶の１種であ
る、厚み約５μｍのＹ2.9Ｌａ0.1Ｆｅ4.7Ｇａ0.3Ｏ12単
結晶膜を形成した。
2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3およびＰｂ
Ｏを、それぞれ７．５ｗｔ％、０．５ｗｔ％、０．１ｗ
ｔ％、０．４ｗｔ％、２．０ｗｔ％および８９．５ｗｔ
％の比率で秤量し混合した後、縦型電気炉内に置かれた
白金坩堝に充填し、１２００℃で融液化して均質化し
た。その後、この融液を約８９０℃に保持し、融液中の
ガーネット材料成分を過飽和状態にした後、この融液中
にＧＧＧ基板を浸漬し、回転させながら約１０分間結晶
成長を行った。その後、このＧＧＧ基板を融液から引き
上げ、５００ｒｐｍで回転させて、生成した磁性ガーネ
ット膜上の付着融液を遠心力により振り切ることによっ
て、ＧＧＧ基板上に、磁性ガーネット単結晶の１種であ
る、厚み約５μｍのＹ2.9Ｌａ0.1Ｆｅ4.7Ｇａ0.3Ｏ12単
結晶膜を形成した。
【００１３】次に、Ｙ2.9Ｌａ0.1Ｆｅ4.7Ｇａ0.3Ｏ12単
結晶膜が形成されたＧＧＧ基板上に再度ＬＰＥ法で磁性
ガーネット単結晶膜を形成した。
結晶膜が形成されたＧＧＧ基板上に再度ＬＰＥ法で磁性
ガーネット単結晶膜を形成した。
【００１４】すなわち、まず、原料である純度９９．９
９％のＦｅ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3およびＰｂＯを７．５
ｗｔ％、０．５ｗｔ％、２．０ｗｔ％および９０．０ｗ
ｔ％の比率で秤量し混合した後、縦型電気炉内に置かれ
た白金坩堝に充填し、１２００℃で融液化して均質化し
た。その後、この融液を約９００℃の一定温度に保持し
て、融液中のガーネット材料成分を過飽和状態にした
後、この融液中に先のＹ2.9Ｌａ0.1Ｆｅ4.7Ｇａ0.3Ｏ12
単結晶膜が形成されたＧＧＧ基板を浸漬し、回転させな
がら約１０分間結晶成長を行った。その後、この基板を
融液から引き上げ、５００ｒｐｍで回転させて、生成し
た磁性ガーネット膜上の付着融液を遠心力により振り切
ることによって、ＧＧＧ基板上のＹ2.9Ｌａ0.1Ｆｅ4.7
Ｇａ0.3Ｏ12単結晶膜上に、磁性ガーネット単結晶の１
種である、厚み約５μｍのＹ3Ｆｅ5Ｏ12単結晶膜を形成
した。
９％のＦｅ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3およびＰｂＯを７．５
ｗｔ％、０．５ｗｔ％、２．０ｗｔ％および９０．０ｗ
ｔ％の比率で秤量し混合した後、縦型電気炉内に置かれ
た白金坩堝に充填し、１２００℃で融液化して均質化し
た。その後、この融液を約９００℃の一定温度に保持し
て、融液中のガーネット材料成分を過飽和状態にした
後、この融液中に先のＹ2.9Ｌａ0.1Ｆｅ4.7Ｇａ0.3Ｏ12
単結晶膜が形成されたＧＧＧ基板を浸漬し、回転させな
がら約１０分間結晶成長を行った。その後、この基板を
融液から引き上げ、５００ｒｐｍで回転させて、生成し
た磁性ガーネット膜上の付着融液を遠心力により振り切
ることによって、ＧＧＧ基板上のＹ2.9Ｌａ0.1Ｆｅ4.7
Ｇａ0.3Ｏ12単結晶膜上に、磁性ガーネット単結晶の１
種である、厚み約５μｍのＹ3Ｆｅ5Ｏ12単結晶膜を形成
した。
【００１５】次に、得られた磁性ガーネット単結晶の積
層膜を用いて、図１に示す静磁波デバイスを作製し、磁
性ガーネット単結晶膜に垂直に２４０ｍTの外部磁界を
印加して、１．５〜３．５ＧＨｚでのマイクロ波の透過
特性を測定した。
層膜を用いて、図１に示す静磁波デバイスを作製し、磁
性ガーネット単結晶膜に垂直に２４０ｍTの外部磁界を
印加して、１．５〜３．５ＧＨｚでのマイクロ波の透過
特性を測定した。
【００１６】なお、図１は静磁波デバイスの斜視図であ
る。同図において、１はＧＧＧ基板、２はＹ2.9Ｌａ0.1
Ｆｅ4.7Ｇａ0.3Ｏ12で表わされる磁性ガーネット単結晶
膜、３はＹ3Ｆｅ5Ｏ12で表わされる磁性ガーネット単結
晶膜、５はマイクロストリップライン、６は入力端子、
７は出力端子である。
る。同図において、１はＧＧＧ基板、２はＹ2.9Ｌａ0.1
Ｆｅ4.7Ｇａ0.3Ｏ12で表わされる磁性ガーネット単結晶
膜、３はＹ3Ｆｅ5Ｏ12で表わされる磁性ガーネット単結
晶膜、５はマイクロストリップライン、６は入力端子、
７は出力端子である。
【００１７】本実施例の静磁波デバイスの透過特性は、
図３に示すとおりであり、約１．７ＧＨｚと約３．３Ｇ
Ｈｚで吸収ピークがあらわれ、２つの周波数帯で動作す
ることが確認された。なお、本実施例の磁性ガーネット
単結晶膜は、Ｙ2.9Ｌａ0.1Ｆｅ4.7Ｇａ0.3Ｏ12層とＹ3
Ｆｅ5Ｏ12層の組成の異なる２層からなり、それぞれの
層は飽和磁化が異なるものである。
図３に示すとおりであり、約１．７ＧＨｚと約３．３Ｇ
Ｈｚで吸収ピークがあらわれ、２つの周波数帯で動作す
ることが確認された。なお、本実施例の磁性ガーネット
単結晶膜は、Ｙ2.9Ｌａ0.1Ｆｅ4.7Ｇａ0.3Ｏ12層とＹ3
Ｆｅ5Ｏ12層の組成の異なる２層からなり、それぞれの
層は飽和磁化が異なるものである。
【００１８】（比較例１）まず、ＧＧＧ基板を、LＰＥ
法で磁性ガーネット膜を形成するための基板として用意
した。
法で磁性ガーネット膜を形成するための基板として用意
した。
【００１９】次に、原料である純度９９．９９％のＦｅ
2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3およびＰｂＯを７．５ｗｔ％、
０．５ｗｔ％、２．０ｗｔ％および９０．０ｗｔ％の比
率で秤量し混合した後、縦型電気炉内に置かれた白金坩
堝に充填し、１２００℃で融液化して均質化した。その
後、この融液を約９００℃の一定温度に保持して、融液
中のガーネット材料成分を過飽和状態にした後、この融
液中にＧＧＧ基板を浸漬し、回転させながら約２０分間
結晶成長を行った。その後、このＧＧＧ基板を融液から
引き上げ、５００ｒｐｍで回転させて、生成した磁性ガ
ーネット膜上の付着融液を遠心力により振り切ることに
よって、ＧＧＧ基板上に、磁性ガーネット単結晶膜の１
種である、厚み約１０μｍのＹ3Ｆｅ5Ｏ12単結晶膜を形
成した。
2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3およびＰｂＯを７．５ｗｔ％、
０．５ｗｔ％、２．０ｗｔ％および９０．０ｗｔ％の比
率で秤量し混合した後、縦型電気炉内に置かれた白金坩
堝に充填し、１２００℃で融液化して均質化した。その
後、この融液を約９００℃の一定温度に保持して、融液
中のガーネット材料成分を過飽和状態にした後、この融
液中にＧＧＧ基板を浸漬し、回転させながら約２０分間
結晶成長を行った。その後、このＧＧＧ基板を融液から
引き上げ、５００ｒｐｍで回転させて、生成した磁性ガ
ーネット膜上の付着融液を遠心力により振り切ることに
よって、ＧＧＧ基板上に、磁性ガーネット単結晶膜の１
種である、厚み約１０μｍのＹ3Ｆｅ5Ｏ12単結晶膜を形
成した。
【００２０】次に、得られたＹ3Ｆｅ5Ｏ12単結晶膜を用
いて、図２に示す静磁波デバイスを作製した。その後、
実施例と同様にして、磁性ガーネット単結晶膜に垂直に
２４０ｍTの外部磁界を印加して、１．５〜３．５ＧＨ
ｚでのマイクロ波の透過特性を測定した。
いて、図２に示す静磁波デバイスを作製した。その後、
実施例と同様にして、磁性ガーネット単結晶膜に垂直に
２４０ｍTの外部磁界を印加して、１．５〜３．５ＧＨ
ｚでのマイクロ波の透過特性を測定した。
【００２１】なお、図２は静磁波デバイスの斜視図であ
る。同図において、１はＧＧＧ基板、４はＹ3Ｆｅ5Ｏ12
で表わされる磁性ガーネット単結晶膜、５はマイクロス
トリップライン、６は入力端子、７は出力端子である。
る。同図において、１はＧＧＧ基板、４はＹ3Ｆｅ5Ｏ12
で表わされる磁性ガーネット単結晶膜、５はマイクロス
トリップライン、６は入力端子、７は出力端子である。
【００２２】本比較例の静磁波デバイスの透過特性は、
図４に示すとおりであり、約１．７ＧＨｚで吸収ピーク
があらわれ、１つの周波数でしか動作しないことが確認
された。また、試料振動型磁力計を用いて測定した、Ｙ
3Ｆｅ5Ｏ12単結晶膜の飽和磁化は１７６ｍTであった。
図４に示すとおりであり、約１．７ＧＨｚで吸収ピーク
があらわれ、１つの周波数でしか動作しないことが確認
された。また、試料振動型磁力計を用いて測定した、Ｙ
3Ｆｅ5Ｏ12単結晶膜の飽和磁化は１７６ｍTであった。
【００２３】（比較例２）まず、ＧＧＧ基板を、ＬＰＥ
法で磁性ガーネット膜を形成するための基板として用意
した。
法で磁性ガーネット膜を形成するための基板として用意
した。
【００２４】次に、原料であるＦｅ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｌａ
2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3およびＰｂＯを、それぞれ７．
５ｗｔ％、０．５ｗｔ％、０．１ｗｔ％、０．４ｗｔ
％、２．０ｗｔ％および８９．５ｗｔ％の比率で秤量し
混合した後、縦型電気炉内に置かれた白金坩堝に充填
し、１２００℃で融液化して均質化した。その後、この
融液を約８９０℃に保持して、融液中のガーネット材料
成分を過飽和状態にした後、この融液中にＧＧＧ基板を
浸漬し、回転させながら約２０分間結晶成長を行った。
その後、このＧＧＧ基板を融液から引き上げ、５００ｒ
ｐｍで回転させて、生成した磁性ガーネット膜上の付着
融液を遠心力により振り切ることによって、ＧＧＧ基板
上に、磁性ガーネット単結晶膜の１種である、厚み約１
０μｍのＹ2.9Ｌａ0.1Ｆｅ4.7Ｇａ0.3Ｏ12単結晶膜を形
成した。
2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3およびＰｂＯを、それぞれ７．
５ｗｔ％、０．５ｗｔ％、０．１ｗｔ％、０．４ｗｔ
％、２．０ｗｔ％および８９．５ｗｔ％の比率で秤量し
混合した後、縦型電気炉内に置かれた白金坩堝に充填
し、１２００℃で融液化して均質化した。その後、この
融液を約８９０℃に保持して、融液中のガーネット材料
成分を過飽和状態にした後、この融液中にＧＧＧ基板を
浸漬し、回転させながら約２０分間結晶成長を行った。
その後、このＧＧＧ基板を融液から引き上げ、５００ｒ
ｐｍで回転させて、生成した磁性ガーネット膜上の付着
融液を遠心力により振り切ることによって、ＧＧＧ基板
上に、磁性ガーネット単結晶膜の１種である、厚み約１
０μｍのＹ2.9Ｌａ0.1Ｆｅ4.7Ｇａ0.3Ｏ12単結晶膜を形
成した。
【００２５】次に、得られたＹ2.9Ｌａ0.1Ｆｅ4.7Ｇａ
0.3Ｏ12単結晶膜を用いて、その他は比較例１と同様に
して、静磁波デバイスを作製した。その後、実施例と同
様にして、磁性ガーネット単結晶膜に垂直に２４０ｍT
の外部磁界を印加して、１．５〜３．５ＧＨｚ帯でのマ
イクロ波の透過特性を測定した。
0.3Ｏ12単結晶膜を用いて、その他は比較例１と同様に
して、静磁波デバイスを作製した。その後、実施例と同
様にして、磁性ガーネット単結晶膜に垂直に２４０ｍT
の外部磁界を印加して、１．５〜３．５ＧＨｚ帯でのマ
イクロ波の透過特性を測定した。
【００２６】本比較例の静磁波デバイスの透過特性は、
図５に示すとおりであり、約３．３ＧＨｚで吸収ピーク
があらわれ、１つの周波数でしか動作しないことが確認
された。また、試料振動型磁力計を用いて測定した、Ｙ
2.9Ｌａ0.1Ｆｅ4.7Ｇａ0.3Ｏ12単結晶膜の飽和磁化は１
２５ｍTであった。
図５に示すとおりであり、約３．３ＧＨｚで吸収ピーク
があらわれ、１つの周波数でしか動作しないことが確認
された。また、試料振動型磁力計を用いて測定した、Ｙ
2.9Ｌａ0.1Ｆｅ4.7Ｇａ0.3Ｏ12単結晶膜の飽和磁化は１
２５ｍTであった。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、飽和磁化
の異なる２層以上の積層膜で構成された磁性ガーネット
単結晶膜を備えた、本発明の静磁波デバイスは、一定の
外部磁界で、同時に複数の周波数帯域で動作させること
ができる。
の異なる２層以上の積層膜で構成された磁性ガーネット
単結晶膜を備えた、本発明の静磁波デバイスは、一定の
外部磁界で、同時に複数の周波数帯域で動作させること
ができる。
【００２８】また、この積層膜の各層の厚みを、積層膜
の上層ほど下層と比較して薄くすることにより、外部磁
界の作用度合いが厚み方向で異なることによる影響や、
静磁波の厚み方向での伝播度合いが異なることによる影
響などを補償して、全ての動作周波数で挿入損失などの
特性を合わせることが可能となる。
の上層ほど下層と比較して薄くすることにより、外部磁
界の作用度合いが厚み方向で異なることによる影響や、
静磁波の厚み方向での伝播度合いが異なることによる影
響などを補償して、全ての動作周波数で挿入損失などの
特性を合わせることが可能となる。
【図１】本発明の静磁波デバイスの一例を示す斜視図で
ある。
ある。
【図２】従来の静磁波デバイスを示す斜視図である。
【図３】本発明の静磁波デバイスのマイクロ波透過特性
を示す図である。
を示す図である。
【図４】従来の静磁波デバイスのマイクロ波透過特性を
示す図である。
示す図である。
【図５】従来の他の静磁波デバイスのマイクロ波透過特
性を示す図である。
性を示す図である。
１ ＧＧＧ基板 ２、３、４ 磁性ガーネット単結晶膜 ５ マイクロストリップライン ６ 入力端子 ７ 出力端子
Claims (2)
- 【請求項１】 磁性ガーネット単結晶膜を備えた静磁波
デバイスにおいて、該磁性ガーネット単結晶膜は飽和磁
化の異なる２層以上の積層膜で構成されていることを特
徴とする、静磁波デバイス。 - 【請求項２】 前記積層膜の各層の厚みは、前記積層膜
の上層ほど下層と比較して薄いことを特徴とする、請求
項１に記載の静磁波デバイス。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11061791A JP2000261207A (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | 静磁波デバイス |
| DE10010080A DE10010080A1 (de) | 1999-03-09 | 2000-03-02 | Magnetostatische Wellenvorrichtung |
| KR10-2000-0011248A KR100385121B1 (ko) | 1999-03-09 | 2000-03-07 | 정자파 디바이스 |
| CN00104010A CN1266913A (zh) | 1999-03-09 | 2000-03-08 | 静磁波器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11061791A JP2000261207A (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | 静磁波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000261207A true JP2000261207A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13181287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11061791A Pending JP2000261207A (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | 静磁波デバイス |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000261207A (ja) |
| KR (1) | KR100385121B1 (ja) |
| CN (1) | CN1266913A (ja) |
| DE (1) | DE10010080A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100718145B1 (ko) | 2006-01-12 | 2007-05-14 | 삼성전자주식회사 | 공진 소자, 밴드 패스 필터 및 듀플렉서 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10608310B1 (en) * | 2019-08-02 | 2020-03-31 | Raytheon Company | Vertically meandered frequency selective limiter |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0266025A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-06 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 荷役機械 |
| JPH03259601A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-11-19 | Murata Mfg Co Ltd | 静磁波装置 |
| JPH06120709A (ja) * | 1992-10-07 | 1994-04-28 | Murata Mfg Co Ltd | 静磁波共振器 |
| US5770101A (en) * | 1993-01-11 | 1998-06-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Magnetostatic-wave device |
| KR100208882B1 (ko) * | 1996-01-11 | 1999-07-15 | . | 정자파 장치 |
| JP3019008B2 (ja) * | 1996-10-11 | 2000-03-13 | 株式会社村田製作所 | 静磁波装置 |
| JP3389814B2 (ja) * | 1997-04-10 | 2003-03-24 | 株式会社村田製作所 | 静磁波装置 |
-
1999
- 1999-03-09 JP JP11061791A patent/JP2000261207A/ja active Pending
-
2000
- 2000-03-02 DE DE10010080A patent/DE10010080A1/de not_active Withdrawn
- 2000-03-07 KR KR10-2000-0011248A patent/KR100385121B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2000-03-08 CN CN00104010A patent/CN1266913A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100718145B1 (ko) | 2006-01-12 | 2007-05-14 | 삼성전자주식회사 | 공진 소자, 밴드 패스 필터 및 듀플렉서 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100385121B1 (ko) | 2003-05-22 |
| CN1266913A (zh) | 2000-09-20 |
| KR20010014535A (ko) | 2001-02-26 |
| DE10010080A1 (de) | 2000-09-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Glass | Ferrite films for microwave and millimeter-wave devices | |
| US4968954A (en) | Epitaxial layer-bearing wafer of rare earth gallium garnet for MSW device | |
| US5801604A (en) | Magnetostatic wave device with indium/tin in the magnetic garnet | |
| KR100385121B1 (ko) | 정자파 디바이스 | |
| US5879824A (en) | Magnetostatic wave device and material for the same | |
| JP2998628B2 (ja) | 静磁波デバイス | |
| JP2904668B2 (ja) | 静磁波素子用ガーネット磁性酸化物単結晶とその製造方法および静磁波素子 | |
| JP3539322B2 (ja) | 静磁波素子 | |
| JPH1197242A (ja) | 静磁波デバイス | |
| JPH11340038A (ja) | 磁性ガーネット単結晶膜、磁性ガーネット単結晶膜の製造方法および静磁波デバイス | |
| JP3217721B2 (ja) | ファラデー素子及びファラデー素子の製造方法 | |
| US6368401B1 (en) | Method of producing magnetic garnet single crystal film and magnetic garnet single crystal film having a nonuniform thickness | |
| JP3089742B2 (ja) | 静磁波デバイス用材料 | |
| JP3089741B2 (ja) | 静磁波デバイス用材料 | |
| US6194091B1 (en) | Magnetostatic wave device | |
| JPH09190919A (ja) | 静磁波デバイス | |
| JPH05251788A (ja) | 静磁波デバイス用材料 | |
| JPH06260322A (ja) | 静磁波素子用材料 | |
| JPH07226313A (ja) | 静磁波デバイス用材料 | |
| JPH08213237A (ja) | 静磁波デバイス | |
| JPH1012440A (ja) | 静磁波デバイス | |
| JP2779058B2 (ja) | 静磁波フィルタ | |
| JPH08288140A (ja) | 静磁波デバイス | |
| Glass | Epitaxial Hexagonal Ferrites for Millimeter Wave Tunable Filters. | |
| JPH04338200A (ja) | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080425 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090425 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090425 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100425 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 14 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110425 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 15 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120425 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 15 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120425 |