JPH03259601A - 静磁波装置 - Google Patents
静磁波装置Info
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- JPH03259601A JPH03259601A JP5882090A JP5882090A JPH03259601A JP H03259601 A JPH03259601 A JP H03259601A JP 5882090 A JP5882090 A JP 5882090A JP 5882090 A JP5882090 A JP 5882090A JP H03259601 A JPH03259601 A JP H03259601A
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- transducer
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は静磁波装置に関し、特にたとえば、ＹＩＧ
（イツトリウム、アイアン、ガーネット）薄膜などのフ
ェリ磁性基体とトランスデユーサとを有し、たとえばフ
ィルタとして用いられる、静磁波装置に関する。
（イツトリウム、アイアン、ガーネット）薄膜などのフ
ェリ磁性基体とトランスデユーサとを有し、たとえばフ
ィルタとして用いられる、静磁波装置に関する。
（従来技術）
第４図は従来の静磁波装置の一例を示す斜視図である。
この静磁波装置ｌは、フェリ磁性基体としての矩形のＹ
Ｉ Ｇｌ膜２を含み、このＹＩＧｉ膜２は、ＧＧＧ
（ガドリニウム、ガリウム、ガーネット）基板３の一方
主面上に形成されている。
Ｉ Ｇｌ膜２を含み、このＹＩＧｉ膜２は、ＧＧＧ
（ガドリニウム、ガリウム、ガーネット）基板３の一方
主面上に形成されている。
さらに、このＹＩＧ薄膜２上には、トランスデユーサと
して、２つのアンテナ４および５が間隔を隔てて形成さ
れているやまた、これらのアンテナ４および５は、それ
らの一方端が接地され、それらの他方端が入力端子６お
よび出力端子７にそれぞれ接続される。
して、２つのアンテナ４および５が間隔を隔てて形成さ
れているやまた、これらのアンテナ４および５は、それ
らの一方端が接地され、それらの他方端が入力端子６お
よび出力端子７にそれぞれ接続される。
この静磁波装置１では、ＹＩＧ薄膜２に磁界を印加し一
方のアンテナ４に入力信号を与えれば、ＹＩＧ薄膜２に
静磁波が励起され、その静磁波が他方のアンテナ５で受
信され、そのアンテナ５から出力信号が得られる。
方のアンテナ４に入力信号を与えれば、ＹＩＧ薄膜２に
静磁波が励起され、その静磁波が他方のアンテナ５で受
信され、そのアンテナ５から出力信号が得られる。
（発明が解決しようとする課題）
ところが、この従来の静磁波装置１では、２つのアンテ
ナ４および５とＹＩＧＩ膜２との結合が弱いので挿入損
失が大きい。また、２つのアンテナ４および５が電磁界
で結合するので、入出力間のアイソレーション特性が悪
い。
ナ４および５とＹＩＧＩ膜２との結合が弱いので挿入損
失が大きい。また、２つのアンテナ４および５が電磁界
で結合するので、入出力間のアイソレーション特性が悪
い。
それゆえに、この発明の主たる目的は、低損失でしかも
アイソレーション特性の良い、静磁波装置を提供するこ
とである。
アイソレーション特性の良い、静磁波装置を提供するこ
とである。
（課題を解決するための手段）
この発明にかかる静磁波装置は、フェリ磁性基体と、フ
ェリ磁性基体の一方主面上に形成される誘電体基板と、
誘電体基板上に間隔を隔てて形成されるトランスデユー
サと、トランスデユーサの間に形成されるアース電極と
を含む、静磁波装置である。
ェリ磁性基体の一方主面上に形成される誘電体基板と、
誘電体基板上に間隔を隔てて形成されるトランスデユー
サと、トランスデユーサの間に形成されるアース電極と
を含む、静磁波装置である。
（作用〉
フェリ磁性基体とトランスデユーサとの間に形成される
誘電体基板は、トランスデユーサとフェリ磁性基体との
結合を強める働きをする。したがって、挿入損失が小さ
くなる。
誘電体基板は、トランスデユーサとフェリ磁性基体との
結合を強める働きをする。したがって、挿入損失が小さ
くなる。
さらに、トランスデユーサの間に形成されるアース電極
は、電磁界でのトランスデユーサ間の結合を弱める働き
をする。したがって、入出力間のアイソレーション特性
が改善される。
は、電磁界でのトランスデユーサ間の結合を弱める働き
をする。したがって、入出力間のアイソレーション特性
が改善される。
（発明の効果）
この発明によれば、低損失でしかもアイソレーション特
性の良い、静磁波装置が得られる。
性の良い、静磁波装置が得られる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
（実施例〉
第１Ａ図はこの発明の一実施例を示す平面図であり、第
１Ｂ図は第１Ａ図の線ＩＢ−ＩＢにおける断面図解図で
ある。この静磁波装置１０は、フェリ磁性基体として、
たとえば矩形のＹＩＧｆｆ膜１２を含む。このＹ Ｉ
Ｇｉ膜１２は、台としてのＧＧＧ基板１４の一方主面上
に、たとえば液相法などの方法でＹＩＧ単結晶をエピタ
キシャル戊辰させることによって形成される。
１Ｂ図は第１Ａ図の線ＩＢ−ＩＢにおける断面図解図で
ある。この静磁波装置１０は、フェリ磁性基体として、
たとえば矩形のＹＩＧｆｆ膜１２を含む。このＹ Ｉ
Ｇｉ膜１２は、台としてのＧＧＧ基板１４の一方主面上
に、たとえば液相法などの方法でＹＩＧ単結晶をエピタ
キシャル戊辰させることによって形成される。
さらに、このＹＩＧ薄膜１２上には、誘電体基板１６が
形成される。この誘電体基板１６は、たとえばアルミナ
、酸化シリコンなどの誘電体で形成される。
形成される。この誘電体基板１６は、たとえばアルミナ
、酸化シリコンなどの誘電体で形成される。
この誘電体基板１６の表面には、その長手方向に間隔を
隔てて、人出刃用のトランスデユーサ１８および２０が
、それぞれ形成される。これらのトランスデユーサ１８
および２０は、それぞれ、たとえば互いに平行する３つ
のラインを有するストリップラインで構成される。そし
て、それらのストリップラインの平行するラインは、誘
電体基板１６の幅方向に配置される。
隔てて、人出刃用のトランスデユーサ１８および２０が
、それぞれ形成される。これらのトランスデユーサ１８
および２０は、それぞれ、たとえば互いに平行する３つ
のラインを有するストリップラインで構成される。そし
て、それらのストリップラインの平行するラインは、誘
電体基板１６の幅方向に配置される。
また、一方のトランスデユーサ１８の一端および他方の
トランスデユーサ２０の他端は、それぞれ接地される。
トランスデユーサ２０の他端は、それぞれ接地される。
さらに、一方のトランスデユーサ１８の他端および他方
のトランスデユーサ２０の一端は、入力端子（図示せず
〉および出力端子（図示せず）にそれぞれ接続される。
のトランスデユーサ２０の一端は、入力端子（図示せず
〉および出力端子（図示せず）にそれぞれ接続される。
また、誘電体基板１６の表面の中央には、２つのトラン
スデユーサ１８および２０間に、アース電極２２が形成
される。そして、このアース電極２２は接地される。な
お、このアース電極２２は、たとえば銀などの導体材料
を蒸着あるいはスパッタリングなどの方法で誘電体基板
１６の表面に付着することによって形成される。
スデユーサ１８および２０間に、アース電極２２が形成
される。そして、このアース電極２２は接地される。な
お、このアース電極２２は、たとえば銀などの導体材料
を蒸着あるいはスパッタリングなどの方法で誘電体基板
１６の表面に付着することによって形成される。
この静磁波装置１０では、たとえばＹＩＧ薄膜１２の主
面に直交する方向に、直流磁界が印加される。そして、
たとえば一方のトランスデユーサ１８に入力信号を与え
れば、ＹＩＧ薄膜１２に体積前進静磁波（ＭＳＦＶＷ）
が励起され、その静磁波が他方のトランスデユーサ２０
で受信され、そのトランスデユーサ２０から信号として
出力される。
面に直交する方向に、直流磁界が印加される。そして、
たとえば一方のトランスデユーサ１８に入力信号を与え
れば、ＹＩＧ薄膜１２に体積前進静磁波（ＭＳＦＶＷ）
が励起され、その静磁波が他方のトランスデユーサ２０
で受信され、そのトランスデユーサ２０から信号として
出力される。
この静磁波装置１０では、第４図の従来例と比べて、Ｙ
ＩＧ薄膜１２とトランスデユーサ１８および２０との間
に誘電体基板１６が形成されているので、ＹＩＧ薄膜１
２とトランスデユーサ１８および２０との結合が強くな
る。すなわち、誘電体基板１６は、トランスデユーサ１
８および２０とＹ Ｉ Ｇ薄膜１２との結合を強める働
きをする。
ＩＧ薄膜１２とトランスデユーサ１８および２０との間
に誘電体基板１６が形成されているので、ＹＩＧ薄膜１
２とトランスデユーサ１８および２０との結合が強くな
る。すなわち、誘電体基板１６は、トランスデユーサ１
８および２０とＹ Ｉ Ｇ薄膜１２との結合を強める働
きをする。
その結果、挿入損失が小さくなる。
さらに、この静磁波装置１０では、２つのトランスデユ
ーサ１８および２０間にアース電極２２が形成されてい
るので、電磁界でのトランスデユーサ１８および２０間
の結合が弱くなり、入出力間のアイソレーション特性が
良くなる。発明者の実験によれば、この実施例のように
アース電極２２を設けることによって、入出力間のアイ
ソレーション特性が４０ｄＢから７０ｄＢと改善された
。
ーサ１８および２０間にアース電極２２が形成されてい
るので、電磁界でのトランスデユーサ１８および２０間
の結合が弱くなり、入出力間のアイソレーション特性が
良くなる。発明者の実験によれば、この実施例のように
アース電極２２を設けることによって、入出力間のアイ
ソレーション特性が４０ｄＢから７０ｄＢと改善された
。
なお、上述の実施例では、一方のトランスデユーサ１８
を入力端として用い、他方のトランスデユーサ２０を出
力側として用いたが、これらのトランスデユーサを逆に
用いてもよい。
を入力端として用い、他方のトランスデユーサ２０を出
力側として用いたが、これらのトランスデユーサを逆に
用いてもよい。
また、Ｙ Ｉ Ｇｌ膜１２には、その主面に平行する幅
方向に磁界を印加してもよい。この場合、ＹＩＧｆｊｌ
＃１２には、表面静磁波（ＭＳＳＷ）が励起される。あ
るいは、Ｙ Ｉ Ｇ薄膜１２には、その主面に平行する
長手方向に磁界を印加してもよい。
方向に磁界を印加してもよい。この場合、ＹＩＧｆｊｌ
＃１２には、表面静磁波（ＭＳＳＷ）が励起される。あ
るいは、Ｙ Ｉ Ｇ薄膜１２には、その主面に平行する
長手方向に磁界を印加してもよい。
この場合、ＹＩＧｉ膜１２には、体積後退静磁波（ＭＳ
ＢＶＷ）が励起される。
ＢＶＷ）が励起される。
第２Ａ図はこの発明の他の実施例を示す平面図であり、
第２Ｂ図は第２Ａ図の線Ｉ［Ｂ−Ｉ［Ｂにおける断面図
解図であり、第２Ｃ図は第２Ｂ図の線ｎｃ−ｎｃにおけ
る断面図である。この実施例では、第１Ａ図および第１
Ｂ図に示す実施例と比べて、特に、誘電体基板１６の裏
面に、たとえば３つの円板状の共振器電極２４ａ、２４
ｂおよび２４ｃが形成される。この場合、これらの共振
器電極２４ａ、２４ｂおよび２４ｃは、誘電体基板１６
の長手方向に間隔を隔てかつアース電極２２に対向する
ように形成される。これらの共振器電極２４ａ、２４ｂ
および２４Ｃは、たとえば銀などの導体材料を蒸着ある
いはスパフタリングなどの方法で誘電体基板１６の裏面
に付着することによって、形成される。
第２Ｂ図は第２Ａ図の線Ｉ［Ｂ−Ｉ［Ｂにおける断面図
解図であり、第２Ｃ図は第２Ｂ図の線ｎｃ−ｎｃにおけ
る断面図である。この実施例では、第１Ａ図および第１
Ｂ図に示す実施例と比べて、特に、誘電体基板１６の裏
面に、たとえば３つの円板状の共振器電極２４ａ、２４
ｂおよび２４ｃが形成される。この場合、これらの共振
器電極２４ａ、２４ｂおよび２４ｃは、誘電体基板１６
の長手方向に間隔を隔てかつアース電極２２に対向する
ように形成される。これらの共振器電極２４ａ、２４ｂ
および２４Ｃは、たとえば銀などの導体材料を蒸着ある
いはスパフタリングなどの方法で誘電体基板１６の裏面
に付着することによって、形成される。
この実施例の静磁波装置１０では、第１Ａ図および第１
Ｂ図に示す実施例と比べて、特に、誘電体基板１６の裏
面に３つの共振器電極２４ａ、２４ｂおよび２４Ｃが形
成されているので、Ｑ値が大きくなり、不要なスプリア
ス応答が抑圧される。
Ｂ図に示す実施例と比べて、特に、誘電体基板１６の裏
面に３つの共振器電極２４ａ、２４ｂおよび２４Ｃが形
成されているので、Ｑ値が大きくなり、不要なスプリア
ス応答が抑圧される。
第３Ａ図は、第２Ａ図ないし第２Ｃ図に示す実施例の変
形例を示す平面図であり、第３Ｂ図は第３Ａ図の線１［
［Ｂ−ＩＩ［Ｂにおける断面図解図である。
形例を示す平面図であり、第３Ｂ図は第３Ａ図の線１［
［Ｂ−ＩＩ［Ｂにおける断面図解図である。
この実施例では、第２Ａ図ないし第２Ｃ図に示す実施例
に比べて、特に、アース電極２２にその長手方向に間隔
を隔てて３つの孔２２ａ、２２ｂおよび２２ｃが形成さ
れていて、３つの共振器電極２４ａ、２４ｂおよび２４
ｃがそれらの孔２２ａ２２ｂおよび２２ｃ内において誘
電体基板１６の表面にそれぞれ形成されている。
に比べて、特に、アース電極２２にその長手方向に間隔
を隔てて３つの孔２２ａ、２２ｂおよび２２ｃが形成さ
れていて、３つの共振器電極２４ａ、２４ｂおよび２４
ｃがそれらの孔２２ａ２２ｂおよび２２ｃ内において誘
電体基板１６の表面にそれぞれ形成されている。
また、この静磁波装２１０では、トランスデユーサ１８
および２０が、それぞれ、たとえば互いに平行する５つ
のラインを有するストリップラインで構成されている。
および２０が、それぞれ、たとえば互いに平行する５つ
のラインを有するストリップラインで構成されている。
この実施例の静磁波装置１０でも、挿入損失が小さく、
入出力間のアイソレーション特性が良く、しかも、Ｑ値
が大きくなり、不要なスプリアス応答が抑圧される。
入出力間のアイソレーション特性が良く、しかも、Ｑ値
が大きくなり、不要なスプリアス応答が抑圧される。
なお、上述の各実施例では、複数のラインを有するスト
リップラインでトランスデユーサを構成したが、この発
明では、トランスデユーサとしてたとえば１本のワイヤ
からなるアンテナが用いられてもよい。
リップラインでトランスデユーサを構成したが、この発
明では、トランスデユーサとしてたとえば１本のワイヤ
からなるアンテナが用いられてもよい。
第１Ａ図はこの発明の一実施例を示す平面図であり、第
１Ｂ図は第１Ａ図の線ＩＢ−ＩＢにおける断面図解図で
ある。 第２Ａ図はこの発明の他の実施例を示す平面図であり、
第２Ｂ図は第２Ａ図の線ｎＢ−ＩＩＢにおける断面図解
図であり、第２ｃ図は第２Ｂ図の線ｎｃ−ｎｃにおける
断面図である。 第３Ａ図は第２Ａ図ないし第２ｃ図に示す実施例の変形
例を示す平面図であり、第３Ｂ図は第３Ａ図の線Ｉ［［
Ｂ−ＩＩ［Ｂにおける断面図解図である。 第４図は従来の静磁波装置の一例を示す斜視図である。 図において、１０は静磁波装置、１２はＹＩＧ薄膜、１
６は誘電体基板、１８および２ｏはトランスデユーサ、
２２はアース電極を示す。
１Ｂ図は第１Ａ図の線ＩＢ−ＩＢにおける断面図解図で
ある。 第２Ａ図はこの発明の他の実施例を示す平面図であり、
第２Ｂ図は第２Ａ図の線ｎＢ−ＩＩＢにおける断面図解
図であり、第２ｃ図は第２Ｂ図の線ｎｃ−ｎｃにおける
断面図である。 第３Ａ図は第２Ａ図ないし第２ｃ図に示す実施例の変形
例を示す平面図であり、第３Ｂ図は第３Ａ図の線Ｉ［［
Ｂ−ＩＩ［Ｂにおける断面図解図である。 第４図は従来の静磁波装置の一例を示す斜視図である。 図において、１０は静磁波装置、１２はＹＩＧ薄膜、１
６は誘電体基板、１８および２ｏはトランスデユーサ、
２２はアース電極を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 フェリ磁性基体、 前記フェリ磁性基体の一方主面上に形成される誘電体基
板、 前記誘電体基板上に間隔を隔てて形成されるトランスデ
ューサ、および 前記トランスデューサの間に形成されるアース電極を含
む、静磁波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5882090A JPH03259601A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 静磁波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5882090A JPH03259601A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 静磁波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03259601A true JPH03259601A (ja) | 1991-11-19 |
Family
ID=13095266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5882090A Pending JPH03259601A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 静磁波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03259601A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100385121B1 (ko) * | 1999-03-09 | 2003-05-22 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 정자파 디바이스 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6019301A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-01-31 | Murata Mfg Co Ltd | ストリツプラインフイルタ |
| JPS63275201A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Murata Mfg Co Ltd | 静磁波装置 |
-
1990
- 1990-03-09 JP JP5882090A patent/JPH03259601A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6019301A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-01-31 | Murata Mfg Co Ltd | ストリツプラインフイルタ |
| JPS63275201A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Murata Mfg Co Ltd | 静磁波装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100385121B1 (ko) * | 1999-03-09 | 2003-05-22 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 정자파 디바이스 |
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