JP2000265161A - Ｃｍｐ用スラリおよびｃｍｐ法 - Google Patents
Ｃｍｐ用スラリおよびｃｍｐ法Info
- Publication number
- JP2000265161A JP2000265161A JP7161099A JP7161099A JP2000265161A JP 2000265161 A JP2000265161 A JP 2000265161A JP 7161099 A JP7161099 A JP 7161099A JP 7161099 A JP7161099 A JP 7161099A JP 2000265161 A JP2000265161 A JP 2000265161A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- slurry
- cmp
- alumina
- silica
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F3/00—Brightening metals by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
- H10P52/40—Chemomechanical polishing [CMP]
- H10P52/403—Chemomechanical polishing [CMP] of conductive or resistive materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ディッシングやシニングを招かずにＡｌダマシ
ン配線を形成すること。 【解決手段】配線溝３が形成されたＳｉＯ2 膜２上にＡ
ｌダマシン配線となるＡｌ膜４を堆積した後、研磨粒子
がシリカとアルミナとの混晶粒子であるスラリを用いた
ＣＭＰによって、配線溝３の外部の余剰なＡｌ膜４を除
去する。
ン配線を形成すること。 【解決手段】配線溝３が形成されたＳｉＯ2 膜２上にＡ
ｌダマシン配線となるＡｌ膜４を堆積した後、研磨粒子
がシリカとアルミナとの混晶粒子であるスラリを用いた
ＣＭＰによって、配線溝３の外部の余剰なＡｌ膜４を除
去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ａｌ膜やＷ膜等の
金属膜の研磨に有効なＣＭＰ用スラリおよびＣＭＰ法に
関する。
金属膜の研磨に有効なＣＭＰ用スラリおよびＣＭＰ法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の製造分野では、微細
化および高密度化が進み、種々の微細加工技術が研究開
発されている。その中でもＣＭＰ技術は、ダマシン配線
を形成する上で欠かすことのできない重要技術である。
化および高密度化が進み、種々の微細加工技術が研究開
発されている。その中でもＣＭＰ技術は、ダマシン配線
を形成する上で欠かすことのできない重要技術である。
【０００３】従来技術でメタルＣＭＰを行う場合、アル
ミナ粒子をベースとしたスラリが用いられる。その理由
としてはアルミナ自体に高い研磨能力があることと、酸
化剤として硝酸などの強酸（ｐＨ：〜２）が使用される
ことが多く、この領域でアルミナ粒子の分散性が良いこ
となどがあげられる。
ミナ粒子をベースとしたスラリが用いられる。その理由
としてはアルミナ自体に高い研磨能力があることと、酸
化剤として硝酸などの強酸（ｐＨ：〜２）が使用される
ことが多く、この領域でアルミナ粒子の分散性が良いこ
となどがあげられる。
【０００４】しかしながら、アルミナベースのスラリに
は、以下に示す３つの問題が存在する。
は、以下に示す３つの問題が存在する。
【０００５】第１の問題は、Ｃｕ膜やＡｌ膜などの金属
膜を研磨するためには、スラリのｐＨを中性付近にする
必要があるが、アルミナベースのスラリは中性付近で分
散性が不安定であるため、安定したポリッシュ特性を得
ることが難しいということである。
膜を研磨するためには、スラリのｐＨを中性付近にする
必要があるが、アルミナベースのスラリは中性付近で分
散性が不安定であるため、安定したポリッシュ特性を得
ることが難しいということである。
【０００６】第２の問題は、絶縁膜に対する金属膜の選
択比（金属膜研磨速度／絶縁膜研磨速度）を十分に確保
できないということである。ダマシン配線を形成する場
合、絶縁膜に対する金属膜の選択比を十分に確保する必
要がある。そのために一般にアルミナ濃度を下げるなど
して絶縁膜の研磨速度を下げるようにしている。しか
し、同時に金属膜の研磨速度も低下してしまうため、高
選択比を得ることは難しく、シンニング（絶縁膜の膜減
り）を抑制することができない。
択比（金属膜研磨速度／絶縁膜研磨速度）を十分に確保
できないということである。ダマシン配線を形成する場
合、絶縁膜に対する金属膜の選択比を十分に確保する必
要がある。そのために一般にアルミナ濃度を下げるなど
して絶縁膜の研磨速度を下げるようにしている。しか
し、同時に金属膜の研磨速度も低下してしまうため、高
選択比を得ることは難しく、シンニング（絶縁膜の膜減
り）を抑制することができない。
【０００７】第３の問題は、ディッシング（溝内の金属
膜膜の後退）が大きいことである。特に、オーバーポリ
ッシュマージンが小さく、ウェハ全面で深さが均一のダ
マシン配線を形成することができない。その対策とし
て、弾性変形の小さい硬質研磨パッドが用いられている
が、Ａｌのように柔らかい材料の場合には、傷とのトレ
ードオフの関係にあるため、スラリを工夫しなければ解
決することは難しい。
膜膜の後退）が大きいことである。特に、オーバーポリ
ッシュマージンが小さく、ウェハ全面で深さが均一のダ
マシン配線を形成することができない。その対策とし
て、弾性変形の小さい硬質研磨パッドが用いられている
が、Ａｌのように柔らかい材料の場合には、傷とのトレ
ードオフの関係にあるため、スラリを工夫しなければ解
決することは難しい。
【０００８】また、シリカ粒子をベースとしたスラリを
用いたメタルＣＭＰも試みられているが、十分な研磨速
度が得られなかったり、研磨面のモフォロジが悪いなど
の問題がある。
用いたメタルＣＭＰも試みられているが、十分な研磨速
度が得られなかったり、研磨面のモフォロジが悪いなど
の問題がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、従来のメ
タルＣＭＰでは、アルミナ粒子をベースとしたスラリが
用いられていたが、この種のスラリを用いた場合には、
中性付近で安定したポリッシュ特性を得ることが難しか
ったり、絶縁膜に対する金属膜の選択比を十分に確保で
きなかったり、ディッシングが大きいなどの問題があっ
た。
タルＣＭＰでは、アルミナ粒子をベースとしたスラリが
用いられていたが、この種のスラリを用いた場合には、
中性付近で安定したポリッシュ特性を得ることが難しか
ったり、絶縁膜に対する金属膜の選択比を十分に確保で
きなかったり、ディッシングが大きいなどの問題があっ
た。
【００１０】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、中性付近での安定した
ポリッシュ特性、絶縁膜と導電膜との間での高い選択
性、ディッシングの抑制を実現できるＣＭＰ用スラリお
よびＣＭＰ法を提供することにある。
ので、その目的とするところは、中性付近での安定した
ポリッシュ特性、絶縁膜と導電膜との間での高い選択
性、ディッシングの抑制を実現できるＣＭＰ用スラリお
よびＣＭＰ法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、ＣＭＰ用スラリ（以下、単にスラリと
いう）として、シリカとアルミナとの混晶粒子からなる
研磨粒子を含むものを使用する。
に、本発明では、ＣＭＰ用スラリ（以下、単にスラリと
いう）として、シリカとアルミナとの混晶粒子からなる
研磨粒子を含むものを使用する。
【００１２】本発明者らの研究によれば、研磨粒子がシ
リカとアルミナとの混晶粒子であるスラリを用いたＣＭ
Ｐは研磨速度の荷重依存性が大きく、ディッシングの増
加を効果的に抑制できることが分かった。
リカとアルミナとの混晶粒子であるスラリを用いたＣＭ
Ｐは研磨速度の荷重依存性が大きく、ディッシングの増
加を効果的に抑制できることが分かった。
【００１３】また、この種のスラリは、シリカに対する
アルミナの混合比を１〜９の範囲に設定することによ
り、ＣＭＰ用スラリのｐＨに関係なく、絶縁膜に対する
導電膜の選択比、または導電膜に対する絶縁膜の選択比
を十分に大きくすることができ、絶縁膜と導電膜との間
での高い選択性が取れることが分かった。
アルミナの混合比を１〜９の範囲に設定することによ
り、ＣＭＰ用スラリのｐＨに関係なく、絶縁膜に対する
導電膜の選択比、または導電膜に対する絶縁膜の選択比
を十分に大きくすることができ、絶縁膜と導電膜との間
での高い選択性が取れることが分かった。
【００１４】さらに、この種のスラリは、ｐＨを４〜９
の範囲に設定すると、研磨粒子のアグリゲーション化
（凝集しても元に戻れる可逆的な凝集）を実現でき、こ
れにより分散性が低下せず、安定したポリッシュ特性が
得られることが分かった。また、アグリゲーション化し
た粒子を効率良く基板にこすりつけるために、有機酸を
添加すると、研磨速度が向上することが分かった。これ
は粒子の研磨パッドの保持が改善されるからである。
の範囲に設定すると、研磨粒子のアグリゲーション化
（凝集しても元に戻れる可逆的な凝集）を実現でき、こ
れにより分散性が低下せず、安定したポリッシュ特性が
得られることが分かった。また、アグリゲーション化し
た粒子を効率良く基板にこすりつけるために、有機酸を
添加すると、研磨速度が向上することが分かった。これ
は粒子の研磨パッドの保持が改善されるからである。
【００１５】さらにまた、酸化剤としてペルオキソニ硫
酸アンモニウムまたは過酸化水素水を使用すれば、４〜
９の範囲でＣＭＰ用スラリのｐＨを変えずに済むことが
分かった。
酸アンモニウムまたは過酸化水素水を使用すれば、４〜
９の範囲でＣＭＰ用スラリのｐＨを変えずに済むことが
分かった。
【００１６】したがって、このようなスラリおよびこれ
を用いたＣＭＰ法によれば、中性付近での安定したポリ
ッシュ特性、絶縁膜と導電膜との間での高い選択性、デ
ィッシングの抑制を実現できるようになる。
を用いたＣＭＰ法によれば、中性付近での安定したポリ
ッシュ特性、絶縁膜と導電膜との間での高い選択性、デ
ィッシングの抑制を実現できるようになる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態（以下、実施形態という）を説明する。
の実施の形態（以下、実施形態という）を説明する。
【００１８】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１
の実施形態に係るＡｌダマシン配線の形成方法を示す工
程断面図である。
の実施形態に係るＡｌダマシン配線の形成方法を示す工
程断面図である。
【００１９】まず、図１（ａ）に示すように、素子（不
図示）が形成されたシリコン基板１上に層間絶縁膜とし
てのＳｉＯ2 膜２を堆積する。
図示）が形成されたシリコン基板１上に層間絶縁膜とし
てのＳｉＯ2 膜２を堆積する。
【００２０】次に図１（ｂ）に示すように、ＳｉＯ2 膜
２の表面に配線溝３を形成した後、配線溝３の内部を充
填する厚さ６００ｎｍのＡｌ膜４を全面に堆積する。
２の表面に配線溝３を形成した後、配線溝３の内部を充
填する厚さ６００ｎｍのＡｌ膜４を全面に堆積する。
【００２１】最後に、図１（ｃ）に示すように、研磨粒
子がシリカとアルミナとの混晶粒子、ｐＨが７のスラリ
を用いたＣＭＰによって、配線溝３の外部の余剰なＡｌ
膜４を除去することによって、Ａｌダマシン配線４が完
成する。
子がシリカとアルミナとの混晶粒子、ｐＨが７のスラリ
を用いたＣＭＰによって、配線溝３の外部の余剰なＡｌ
膜４を除去することによって、Ａｌダマシン配線４が完
成する。
【００２２】本実施形態のスラリを用いれば、図２に示
すように、シリカに対するアルミナのアルミナ濃度
［％］（アルミナ／シリカ混晶比）を変えるだけで、Ｓ
ｉＯ2 膜に対するＡｌ膜の選択比（Ａｌ研磨速度／Ｓｉ
Ｏ2 研磨速度）を制御できるようになる。
すように、シリカに対するアルミナのアルミナ濃度
［％］（アルミナ／シリカ混晶比）を変えるだけで、Ｓ
ｉＯ2 膜に対するＡｌ膜の選択比（Ａｌ研磨速度／Ｓｉ
Ｏ2 研磨速度）を制御できるようになる。
【００２３】例えば、アルミナ濃度が１０％、シリカ濃
度が９０％のシリカとアルミナとの混晶粒子（固形分：
３ｗｔ％）、ｐＨが７のスラリを用い、荷重：３００ｇ
／ｃｍ2 、トップリング回転数：６０ｒｐｍ、テーブル
回転数：１００ｒｐｍの条件でＣＭＰを行えば、ＳｉＯ
2 膜に対するＡｌ膜の選択比は１０６（＝Ａｌ研磨速
度：１５９［ｎｍ／ｍｉｎ］／ＳｉＯ2 研磨速度：１．
５［ｎｍ／ｍｉｎ］）となる。
度が９０％のシリカとアルミナとの混晶粒子（固形分：
３ｗｔ％）、ｐＨが７のスラリを用い、荷重：３００ｇ
／ｃｍ2 、トップリング回転数：６０ｒｐｍ、テーブル
回転数：１００ｒｐｍの条件でＣＭＰを行えば、ＳｉＯ
2 膜に対するＡｌ膜の選択比は１０６（＝Ａｌ研磨速
度：１５９［ｎｍ／ｍｉｎ］／ＳｉＯ2 研磨速度：１．
５［ｎｍ／ｍｉｎ］）となる。
【００２４】従来のＣＭＰでは３０程度の選択比しか取
れないので、本実施形態によれば従来に比べて３倍以上
も高い選択比が得られることになる。したがって、本実
施形態によれば、従来に比べてシンニングが十分に小さ
いＡｌダマシン配線４を実現できるようになる。また、
第２の実施形態で詳細に説明するように、ディッシング
の増加も効果的に抑制できる。
れないので、本実施形態によれば従来に比べて３倍以上
も高い選択比が得られることになる。したがって、本実
施形態によれば、従来に比べてシンニングが十分に小さ
いＡｌダマシン配線４を実現できるようになる。また、
第２の実施形態で詳細に説明するように、ディッシング
の増加も効果的に抑制できる。
【００２５】また、本実施形態によれば、従来に比べて
速い研磨速度が得られるので、従来よりも速い研磨速度
を保ったまま、スラリ濃度を低くすることが可能とな
る。スラリ濃度を低くできれば、その分コストを削減で
き、またスラリの廃棄量が減り環境に対して優しいプロ
セスが可能となる。
速い研磨速度が得られるので、従来よりも速い研磨速度
を保ったまま、スラリ濃度を低くすることが可能とな
る。スラリ濃度を低くできれば、その分コストを削減で
き、またスラリの廃棄量が減り環境に対して優しいプロ
セスが可能となる。
【００２６】（第２の実施形態）図３は、本発明の第２
の実施形態に係るＡｌダマシン配線の形成方法を示す工
程断面図である。本実施例ではライナ膜としてＮｂ膜を
使用したＡｌダマシン配線の形成方法について説明す
る。
の実施形態に係るＡｌダマシン配線の形成方法を示す工
程断面図である。本実施例ではライナ膜としてＮｂ膜を
使用したＡｌダマシン配線の形成方法について説明す
る。
【００２７】まず、図３（ａ）に示すように、シリコン
基板１１上に層間絶縁膜としてのＳＯＧ膜１２を堆積
し、次にＳＯＧ膜１２の表面に配線溝１３を形成する。
ここまでは、層間絶縁膜の種類を除いて第１の実施形態
と同じである。
基板１１上に層間絶縁膜としてのＳＯＧ膜１２を堆積
し、次にＳＯＧ膜１２の表面に配線溝１３を形成する。
ここまでは、層間絶縁膜の種類を除いて第１の実施形態
と同じである。
【００２８】次に図３（ｂ）に示すように、厚さ３０ｎ
ｍのＮｂライナ膜１４を全面に堆積した後、配線溝１３
の内部を充填する厚さ６００ｎｍのＡｌ膜１５をＮｂラ
イナ膜１４上に堆積する。
ｍのＮｂライナ膜１４を全面に堆積した後、配線溝１３
の内部を充填する厚さ６００ｎｍのＡｌ膜１５をＮｂラ
イナ膜１４上に堆積する。
【００２９】次に図３（ｃ）に示すように、研磨粒子が
シリカ（４０％）とアルミナ（６０％）との混晶粒子
（固形分：０．５ｗｔ％）、ｐＨが５〜６．５、酸化剤
としてペルオキソニ硫酸アンモニウムを１％、パッド上
の粒子の保持力を上げることおよび酸化抑制のためのキ
ナルジン酸を０．０５ｗｔ％含む含むスラリを用い、荷
重：３００ｇ／ｃｍ2 、トップリング回転数：６０ｒｐ
ｍ、テーブル回転数：１００ｒｐｍ、研磨時間：２分の
条件のＣＭＰによって、Ｎｂライナ膜１４の表面が現れ
るまでＡｌ膜１５を研磨する。
シリカ（４０％）とアルミナ（６０％）との混晶粒子
（固形分：０．５ｗｔ％）、ｐＨが５〜６．５、酸化剤
としてペルオキソニ硫酸アンモニウムを１％、パッド上
の粒子の保持力を上げることおよび酸化抑制のためのキ
ナルジン酸を０．０５ｗｔ％含む含むスラリを用い、荷
重：３００ｇ／ｃｍ2 、トップリング回転数：６０ｒｐ
ｍ、テーブル回転数：１００ｒｐｍ、研磨時間：２分の
条件のＣＭＰによって、Ｎｂライナ膜１４の表面が現れ
るまでＡｌ膜１５を研磨する。
【００３０】この工程で、ペルオキソニ硫酸アンモニウ
ムとキナルジン酸を含むスラリを用いた理由は、Ａｌ膜
１５の研磨速度を速めることができるからである。
ムとキナルジン酸を含むスラリを用いた理由は、Ａｌ膜
１５の研磨速度を速めることができるからである。
【００３１】具体的には、従来のシリカベースのスラリ
およびアルミナベースのスラリにそれぞれ酸化剤を添加
した場合には、図４に示すように、Ａｌ膜の研磨速度は
それぞれ高々２００ｎｍ／ｍｉｎ、２８０ｎｍ／ｍｉｎ
であるのに対し、研磨粒子としてシリカとアルミナとの
混晶粒子を用いたスラリにペルオキソニ硫酸アンモニウ
ムとキナルジン酸を添加した場合には、Ａｌ膜の研磨速
度は７００ｎｍ／ｍｉｎとなる。すなわち、本実施形態
によれば、従来の２倍の研磨速度が得られる。
およびアルミナベースのスラリにそれぞれ酸化剤を添加
した場合には、図４に示すように、Ａｌ膜の研磨速度は
それぞれ高々２００ｎｍ／ｍｉｎ、２８０ｎｍ／ｍｉｎ
であるのに対し、研磨粒子としてシリカとアルミナとの
混晶粒子を用いたスラリにペルオキソニ硫酸アンモニウ
ムとキナルジン酸を添加した場合には、Ａｌ膜の研磨速
度は７００ｎｍ／ｍｉｎとなる。すなわち、本実施形態
によれば、従来の２倍の研磨速度が得られる。
【００３２】Ａｌ膜１５の膜厚は通常６００〜８００ｎ
ｍである。一方、Ａｌ膜１５の研磨時間はスループット
の観点から２分程度であることが好ましい、したがっ
て、本実施形態のスラリを用いなければ、このような好
ましい研磨時間でもって余剰なＡｌ膜１５を除去するこ
とは困難なことであるといえる。
ｍである。一方、Ａｌ膜１５の研磨時間はスループット
の観点から２分程度であることが好ましい、したがっ
て、本実施形態のスラリを用いなければ、このような好
ましい研磨時間でもって余剰なＡｌ膜１５を除去するこ
とは困難なことであるといえる。
【００３３】また、酸化剤であるペルオキソニ硫酸アン
モニウムは、スラリのｐＨを変えないという利点もあ
る。以上述べた効果は、酸化剤として過酸化水素水を用
いた場合にも得られる。
モニウムは、スラリのｐＨを変えないという利点もあ
る。以上述べた効果は、酸化剤として過酸化水素水を用
いた場合にも得られる。
【００３４】また、図３（ｃ）の工程を従来のスラリを
用いて行うと、従来技術の問題の一つであるＡｌ膜１５
にディッシングが大きく入ってしまうが、本方法によれ
ばディッシングの発生を効果的に抑制することができ
る。
用いて行うと、従来技術の問題の一つであるＡｌ膜１５
にディッシングが大きく入ってしまうが、本方法によれ
ばディッシングの発生を効果的に抑制することができ
る。
【００３５】実際にオーバーポリッシング（ジャスト＋
５０％）を行ってディッシングの配線幅依存性を調べた
ところ、図５に示すように本方法によれば従来の１／５
程度にディッシングを押さえ込むことができるようにな
る。
５０％）を行ってディッシングの配線幅依存性を調べた
ところ、図５に示すように本方法によれば従来の１／５
程度にディッシングを押さえ込むことができるようにな
る。
【００３６】この結果は、図６に示すように、シリカと
アルミナとの混晶粒子（本発明）は従来の研磨粒子に比
べて研磨速度の荷重依存性、すなわち荷重の増加に対し
ての研磨速度の増加が大きいからだと考えられる。
アルミナとの混晶粒子（本発明）は従来の研磨粒子に比
べて研磨速度の荷重依存性、すなわち荷重の増加に対し
ての研磨速度の増加が大きいからだと考えられる。
【００３７】その理由は次の通りである。研磨中、パッ
ドの弾性変形により配線溝３内のＡｌ膜１５上面の研磨
は進行する。基本的にはこの部部は低荷重であり、一方
他の部分すなわちＳＯＧ膜１２は高荷重である。そのた
め、荷重が低いほど研磨速度の遅いスラリほどディシン
グは小さくなることになる。
ドの弾性変形により配線溝３内のＡｌ膜１５上面の研磨
は進行する。基本的にはこの部部は低荷重であり、一方
他の部分すなわちＳＯＧ膜１２は高荷重である。そのた
め、荷重が低いほど研磨速度の遅いスラリほどディシン
グは小さくなることになる。
【００３８】したがって、シリカとアルミナとの混晶粒
子のように、荷重の増加に対しての研磨速度の増加が大
きい研磨粒子を用いたスラリであれば、ディッシングの
発生を効果的に抑制できるようになる。
子のように、荷重の増加に対しての研磨速度の増加が大
きい研磨粒子を用いたスラリであれば、ディッシングの
発生を効果的に抑制できるようになる。
【００３９】また、シリカとアルミナとの混晶粒子はＳ
ＯＧ膜１２上での研磨速度が速い（例えば荷重３００ｇ
／ｃｍ2 で研磨速度７００ｎｍ／ｍｉｎ）ため、オーバ
ーポリッシング時間を短くできるようになる。
ＯＧ膜１２上での研磨速度が速い（例えば荷重３００ｇ
／ｃｍ2 で研磨速度７００ｎｍ／ｍｉｎ）ため、オーバ
ーポリッシング時間を短くできるようになる。
【００４０】最後に、図３（ｄ）に示すように、配線溝
１３の外部の余剰なＡｌ膜１５およびＮｂライナ膜１４
をＣＭＰまたはＣＤＥ等のドライエッチングによって除
去してＡｌダマシン配線１５が完成する。
１３の外部の余剰なＡｌ膜１５およびＮｂライナ膜１４
をＣＭＰまたはＣＤＥ等のドライエッチングによって除
去してＡｌダマシン配線１５が完成する。
【００４１】ここで、ＣＭＰで除去する場合には、例え
ば研磨粒子がシリカ（４０％）とアルミナ（６０％）と
の混晶粒子（固形分：３Ｗｔ％）、キナルジン酸を０．
０５％含むスラリを用いる。
ば研磨粒子がシリカ（４０％）とアルミナ（６０％）と
の混晶粒子（固形分：３Ｗｔ％）、キナルジン酸を０．
０５％含むスラリを用いる。
【００４２】いわゆるタッチアップＣＭＰ（例えば図８
（ｃ）のＣＭＰ）では、凹部の金属膜の残りや、配線部
および絶縁膜部の傷を取ることを目的とするため、柔ら
かい研磨パッドを用いる。このため、ディッシングが大
きく生じてしまう。例えば、荷重３００ｇ／ｃｍ2 、ト
ップリング＠転数６０ｒｐｍ、テーブル＠転数１００の
条件で行う。
（ｃ）のＣＭＰ）では、凹部の金属膜の残りや、配線部
および絶縁膜部の傷を取ることを目的とするため、柔ら
かい研磨パッドを用いる。このため、ディッシングが大
きく生じてしまう。例えば、荷重３００ｇ／ｃｍ2 、ト
ップリング＠転数６０ｒｐｍ、テーブル＠転数１００の
条件で行う。
【００４３】本発明のスラリでは、図７に示すように、
フィールド上の研磨速度よりもディッシング速度を小さ
くすることができるため、エロージョンの小さなダマシ
ン配線を形成できる。これはキナルジン酸によって研磨
パッドと研磨粒子の相互作用が大きくなり、ディッシン
グの原因となる遊離粒子の溝部への溜まりが少なくなる
ためと考えられる。
フィールド上の研磨速度よりもディッシング速度を小さ
くすることができるため、エロージョンの小さなダマシ
ン配線を形成できる。これはキナルジン酸によって研磨
パッドと研磨粒子の相互作用が大きくなり、ディッシン
グの原因となる遊離粒子の溝部への溜まりが少なくなる
ためと考えられる。
【００４４】また、スラリは酸化剤を含んでいなくても
良い。ＣＤＥで除去する場合には、反応ガスとして例え
ばＣＦ4 ／Ｏ2 ガスを用いる。
良い。ＣＤＥで除去する場合には、反応ガスとして例え
ばＣＦ4 ／Ｏ2 ガスを用いる。
【００４５】（第３の実施形態）図７は、本発明の第３
の実施形態に係るＷダマシン配線の形成方法を示す工程
断面図である。
の実施形態に係るＷダマシン配線の形成方法を示す工程
断面図である。
【００４６】まず、図８（ａ）に示すように、素子（不
図示）が形成されたシリコン基板２１上に層間絶縁膜と
してのＳｉＯ2 膜２２を堆積し、次にＳｉＯ2 膜２２の
表面に配線溝２３を形成する。
図示）が形成されたシリコン基板２１上に層間絶縁膜と
してのＳｉＯ2 膜２２を堆積し、次にＳｉＯ2 膜２２の
表面に配線溝２３を形成する。
【００４７】次に図８（ｂ）に示すように、厚さ３０ｎ
ｍのＴｉライナ膜２４を全面に堆積し、続いて５００℃
の窒化アニールによってＴｉライナ膜２４の表面にＴｉ
Ｎライナ膜２５を形成した後、配線溝２３の内部を充填
する厚さ５００ｎｍのＷ膜２６をＴｉＮライナ膜２５上
に堆積する。
ｍのＴｉライナ膜２４を全面に堆積し、続いて５００℃
の窒化アニールによってＴｉライナ膜２４の表面にＴｉ
Ｎライナ膜２５を形成した後、配線溝２３の内部を充填
する厚さ５００ｎｍのＷ膜２６をＴｉＮライナ膜２５上
に堆積する。
【００４８】次に図８（ｃ）に示すように、酸化剤とし
て過酸化水素３％、酸化抑制剤にコハク酸３％、シリカ
（６０％）アルミナ（４０％）混晶粒子３％のスラリを
用い、加重２５０ｇ／ｃｍ2 、トップリング＠転数５０
ｒｐｍ、テーブル＠転数５０ｒｐｍの条件のスラリを用
いたＣＭＰによってＴｉＮライナ膜２５の表面が現れる
までＷ膜２６を研磨する。
て過酸化水素３％、酸化抑制剤にコハク酸３％、シリカ
（６０％）アルミナ（４０％）混晶粒子３％のスラリを
用い、加重２５０ｇ／ｃｍ2 、トップリング＠転数５０
ｒｐｍ、テーブル＠転数５０ｒｐｍの条件のスラリを用
いたＣＭＰによってＴｉＮライナ膜２５の表面が現れる
までＷ膜２６を研磨する。
【００４９】最後に、図８（ｄ）に示すように、研磨粒
子がシリカ（４０％）とアルミナ（６０％）との混晶粒
子（固形分：０．５ｗｔ％）のスラリを用い、荷重：３
００ｇ／ｃｍ2 、トップリング回転数：６０ｒｐｍ、テ
ーブル回転数：１００ｒｐｍ、研磨時間：１分の条件の
ＣＭＰによって、シリコン基板１の表面が現れるまでＷ
膜２６、ＴｉＮライナ膜２５およびＴｉライナ膜２４を
研磨して、Ｗダマシン配線２６が完成する。
子がシリカ（４０％）とアルミナ（６０％）との混晶粒
子（固形分：０．５ｗｔ％）のスラリを用い、荷重：３
００ｇ／ｃｍ2 、トップリング回転数：６０ｒｐｍ、テ
ーブル回転数：１００ｒｐｍ、研磨時間：１分の条件の
ＣＭＰによって、シリコン基板１の表面が現れるまでＷ
膜２６、ＴｉＮライナ膜２５およびＴｉライナ膜２４を
研磨して、Ｗダマシン配線２６が完成する。
【００５０】図８（ｄ）の工程での各膜２２，２４，２
５の研磨速度は速くないほうが好ましい。図８の工程で
使用したスラリの場合には、各膜２２，２４，２５の研
磨速度は１０〜２０ｎｍ／ｍｉｎの範囲で収まり、研磨
速度が速くなりすぎないようにできる。さらに各膜２
２，２４，２５の研磨を同じ条件で行うことができ、ま
たオーバーポリッシュマージンも大きく、ディッシング
やシニングの無い安定したポリッシングを実現できるよ
うになる。
５の研磨速度は速くないほうが好ましい。図８の工程で
使用したスラリの場合には、各膜２２，２４，２５の研
磨速度は１０〜２０ｎｍ／ｍｉｎの範囲で収まり、研磨
速度が速くなりすぎないようにできる。さらに各膜２
２，２４，２５の研磨を同じ条件で行うことができ、ま
たオーバーポリッシュマージンも大きく、ディッシング
やシニングの無い安定したポリッシングを実現できるよ
うになる。
【００５１】また、従来のＷ膜のＣＭＰはｐＨ１〜２の
強酸で行っていたが、本実施形態によれば、Ｗ膜のＣＭ
ＰをｐＨ５の中性領域で行えるので、Ｗ膜の腐食の問題
も無い。
強酸で行っていたが、本実施形態によれば、Ｗ膜のＣＭ
ＰをｐＨ５の中性領域で行えるので、Ｗ膜の腐食の問題
も無い。
【００５２】なお、上記実施形態では本発明が適用され
るデバイスについては言及しなかったが、例えばＤＲＡ
Ｍ等の半導体メモリがあげられる。さらにはロジック混
載回路、ロジック回路等があげられる。
るデバイスについては言及しなかったが、例えばＤＲＡ
Ｍ等の半導体メモリがあげられる。さらにはロジック混
載回路、ロジック回路等があげられる。
【００５３】また、配線となる導電膜（Ａｌ膜，Ｗ膜）
は上述した実施形態で説明したものに限定されるもので
はなく、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｂ、ＴａおよびＶからなる
金属群から選ばれた金属からなる単層金属膜もしくはＣ
ｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｂ、ＴａおよびＶからな
る金属群から選ばれた積層金属膜、または上記金属群か
ら選ばれた金属を主成分とする合金膜、窒化膜、ホウ化
膜もしくは酸化膜を用いることもできる。いずれの導電
膜の場合にもアルミナとシリカの混晶比を変えることで
ディッシングやシニングを防止することが可能となる。
は上述した実施形態で説明したものに限定されるもので
はなく、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｂ、ＴａおよびＶからなる
金属群から選ばれた金属からなる単層金属膜もしくはＣ
ｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｂ、ＴａおよびＶからな
る金属群から選ばれた積層金属膜、または上記金属群か
ら選ばれた金属を主成分とする合金膜、窒化膜、ホウ化
膜もしくは酸化膜を用いることもできる。いずれの導電
膜の場合にもアルミナとシリカの混晶比を変えることで
ディッシングやシニングを防止することが可能となる。
【００５４】また、ＣＭＰを行う際には、研磨すべき導
電膜の表面に予め酸化膜を形成しておく方が好ましい。
電膜の表面に予め酸化膜を形成しておく方が好ましい。
【００５５】また、上記実施形態ではダマシン配線の場
合について説明したが、本発明はデュアルダマシン配線
に対しても有効である。
合について説明したが、本発明はデュアルダマシン配線
に対しても有効である。
【００５６】その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施できる。
で、種々変形して実施できる。
【００５７】
【発明の効果】以上詳説したように本発明によれば、研
磨粒子としてシリカとアルミナとの混晶粒子を用いるこ
とにより、中性付近での安定したポリッシュ特性、絶縁
膜と金属膜との間での高い選択性、ディッシングの抑制
を実現できるＣＭＰ用スラリおよびＣＭＰ法を実現でき
るようになる。
磨粒子としてシリカとアルミナとの混晶粒子を用いるこ
とにより、中性付近での安定したポリッシュ特性、絶縁
膜と金属膜との間での高い選択性、ディッシングの抑制
を実現できるＣＭＰ用スラリおよびＣＭＰ法を実現でき
るようになる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係るＡｌダマシン配
線の形成方法を示す工程断面図
線の形成方法を示す工程断面図
【図２】シリカとアルミナとの混晶粒子のアルミナ濃度
（アルミナ／シリカ混晶比）と選択比（Ａｌ膜研磨速度
／ＳｉＯ2 膜研磨速度）との関係を示す特性図
（アルミナ／シリカ混晶比）と選択比（Ａｌ膜研磨速度
／ＳｉＯ2 膜研磨速度）との関係を示す特性図
【図３】本発明の第２の実施形態に係るＡｌダマシン配
線の形成方法を示す工程断面図
線の形成方法を示す工程断面図
【図４】シリカとアルミナとの混晶粒子、シリカベース
およびアルミナベースのスラリに酸化剤を添加した場合
のそれぞれのＡｌ研磨速度を示す特性図
およびアルミナベースのスラリに酸化剤を添加した場合
のそれぞれのＡｌ研磨速度を示す特性図
【図５】シリカとアルミナとの混晶粒子およびアルミナ
ベースのスラリを用いた場合のそれぞれの配線幅とディ
シングとの関係を示す特性図
ベースのスラリを用いた場合のそれぞれの配線幅とディ
シングとの関係を示す特性図
【図６】シリカとアルミナとの混晶粒子およびアルミナ
ベースのスラリを用いた場合のそれぞれの荷重とＡｌ研
磨速度との関係を示す特性図
ベースのスラリを用いた場合のそれぞれの荷重とＡｌ研
磨速度との関係を示す特性図
【図７】シリカとアルミナとの混晶粒子およびアルミナ
ベースのスラリにキナルジン酸を添加した場合のアルミ
研磨速度を示す特性図
ベースのスラリにキナルジン酸を添加した場合のアルミ
研磨速度を示す特性図
【図８】本発明の第３の実施形態に係るＷダマシン配線
の形成方法を示す工程断面図
の形成方法を示す工程断面図
１…シリコン基板 ２…ＳｉＯ2 膜 ３…配線溝 ４…Ａｌ膜（Ａｌダマシン配線） １１…シリコン基板 １２…ＳＯＧ膜 １３…配線溝 １４…Ｎｂライナ膜 １５…Ａｌ膜（Ａｌダマシン配線） ２１…シリコン基板 ２２…ＳｉＯ2 膜 ２３…配線溝 ２４…Ｔｉライナ膜 ２５…ＴｉＮライナ膜 ２６…Ｗ膜（Ｗダマシン配線）
Claims (8)
- 【請求項１】シリカとアルミナとの混晶粒子からなる研
磨粒子を含むことを特徴とするＣＭＰ用スラリ。 - 【請求項２】前記シリカに対する前記アルミナの混晶比
が１〜９の範囲であることを特徴とする請求項１に記載
のＣＭＰ用スラリ。 - 【請求項３】ｐＨが４〜９の範囲に設定されていること
を特徴とする請求項１に記載のＣＭＰ用スラリ。 - 【請求項４】酸化剤としてペルオキソニ硫酸アンモニウ
ムまたは過酸化水素水を含むことを特徴とする請求項１
に記載のＣＭＰ用スラリ。 - 【請求項５】酸化抑制剤、研磨粒子、分散剤および粒子
の研磨パッドの保持の改善を目的とする有機酸を含むこ
とを特徴とする請求項１に記載のＣＭＰ用スラリ。 - 【請求項６】請求項１ないし請求項５のいずれかに記載
のＣＭＰ用スラリを用いて、導電膜を研磨することを特
徴とするＣＭＰ法。 - 【請求項７】請求項１ないし請求項５のいずれかに記載
のＣＭＰ用スラリを用いて、溝を有する絶縁膜上に形成
された導電膜を、前記絶縁膜の表面が露出するまで研磨
することによって、前記溝の内部に前記導電膜を選択的
に残置させることを特徴とするＣＭＰ法。 - 【請求項８】前記導電膜は、Ａｌ、Ｗ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍ
ｏ、Ｎｂ、ＴａおよびＶからなる金属群から選ばれた金
属からなる単層金属膜もしくは積層金属膜、または前記
金属群から選ばれた金属を主成分とする合金膜、窒化
膜、ホウ化膜もしくは酸化膜であることを特徴とする請
求項５または請求項７に記載のＣＭＰ法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07161099A JP3523107B2 (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | Ｃｍｐ用スラリおよびｃｍｐ法 |
| TW089104250A TWI254739B (en) | 1999-03-17 | 2000-03-09 | Slurry for using CMP and CMP method |
| KR10-2000-0013287A KR100369762B1 (ko) | 1999-03-17 | 2000-03-16 | Ｃｍｐ용 슬러리 및 ｃｍｐ법 |
| US09/527,600 US6444139B1 (en) | 1999-03-17 | 2000-03-17 | Slurry for CMP and CMP method |
| US10/155,015 US7364667B2 (en) | 1999-03-17 | 2002-05-28 | Slurry for CMP and CMP method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07161099A JP3523107B2 (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | Ｃｍｐ用スラリおよびｃｍｐ法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000265161A true JP2000265161A (ja) | 2000-09-26 |
| JP3523107B2 JP3523107B2 (ja) | 2004-04-26 |
Family
ID=13465603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07161099A Expired - Fee Related JP3523107B2 (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | Ｃｍｐ用スラリおよびｃｍｐ法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6444139B1 (ja) |
| JP (1) | JP3523107B2 (ja) |
| KR (1) | KR100369762B1 (ja) |
| TW (1) | TWI254739B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001055028A1 (fr) | 2000-01-25 | 2001-08-02 | Nippon Aerosil Co., Ltd. | Poudre d'oxyde, procede de production de celle-ci et produit l'utilisant |
| KR100359216B1 (ko) * | 2000-12-13 | 2002-11-04 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자의 금속층 연마용 슬러리 |
| KR100421928B1 (ko) * | 2001-11-21 | 2004-03-11 | 제일모직주식회사 | 반도체 웨이퍼의 금속배선 연마용 슬러리 조성물 |
| US7169322B2 (en) * | 2001-02-22 | 2007-01-30 | Degussa Ag | Aqueous dispersion, process for its production and use |
| KR101134589B1 (ko) | 2005-11-30 | 2012-04-09 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 아민화제로 표면처리된 알루미나를 포함하는 금속 배선용 연마 슬러리 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3837277B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2006-10-25 | 株式会社東芝 | 銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体及び化学機械研磨方法 |
| JP2002164307A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Fujimi Inc | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
| KR100398834B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2003-09-19 | 제일모직주식회사 | Ｃｍｐ용 슬러리 조성물 |
| US7416680B2 (en) * | 2001-10-12 | 2008-08-26 | International Business Machines Corporation | Self-cleaning colloidal slurry composition and process for finishing a surface of a substrate |
| KR100442962B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2004-08-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 금속배선 콘택플러그 형성방법 |
| JP3748410B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2006-02-22 | 株式会社東芝 | 研磨方法及び半導体装置の製造方法 |
| KR100525076B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2005-11-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 화학적 기계적 연마용 슬러리 |
| DE10320854A1 (de) * | 2003-05-09 | 2004-12-09 | Degussa Ag | Dispersion zum chemisch-mechanischen Polieren |
| US7955519B2 (en) * | 2005-09-30 | 2011-06-07 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for planarizing surfaces |
| US7344987B2 (en) * | 2006-06-02 | 2008-03-18 | Texas Instruments Incorporated | Method for CMP with variable down-force adjustment |
| US8404129B1 (en) * | 2010-03-31 | 2013-03-26 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a curved surface in a magnetic recording head |
| US8211775B1 (en) | 2011-03-09 | 2012-07-03 | United Microelectronics Corp. | Method of making transistor having metal gate |
| US8519487B2 (en) | 2011-03-21 | 2013-08-27 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor device |
| US9303190B2 (en) | 2014-03-24 | 2016-04-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Mixed abrasive tungsten CMP composition |
| US9127187B1 (en) | 2014-03-24 | 2015-09-08 | Cabot Microelectronics Corporation | Mixed abrasive tungsten CMP composition |
| JP7431038B2 (ja) * | 2019-12-27 | 2024-02-14 | ニッタ・デュポン株式会社 | 研磨用スラリー |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1475251A (en) * | 1975-01-15 | 1977-06-01 | Colgate Palmolive Co | Oral preparations |
| US4183788A (en) * | 1978-02-28 | 1980-01-15 | Howard A. Fromson | Process for graining an aluminum base lithographic plate and article thereof |
| US4264529A (en) * | 1980-03-24 | 1981-04-28 | Mallinckrodt, Inc. | Method for preparing p-aminophenol |
| US4659504A (en) * | 1984-11-30 | 1987-04-21 | Colgate-Palmolive Company | Preparation of phytate-salt free gel dentifrice |
| JPS63166713A (ja) | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Kyoritsu Yogyo Genryo Kk | ケイ酸アルミニウムの製造法 |
| US5051164A (en) * | 1987-09-04 | 1991-09-24 | Mobil Oil Corporation | Crystalline porous silicate composite and its use in catalytic cracking |
| JPH07193034A (ja) | 1993-03-26 | 1995-07-28 | Toshiba Corp | 研磨方法 |
| JP3509188B2 (ja) | 1994-06-22 | 2004-03-22 | ソニー株式会社 | 化学機械研磨用微粒子の製造方法及びこれを用いた研磨方法 |
| US5693239A (en) | 1995-10-10 | 1997-12-02 | Rodel, Inc. | Polishing slurries comprising two abrasive components and methods for their use |
| JP3507628B2 (ja) | 1996-08-06 | 2004-03-15 | 昭和電工株式会社 | 化学的機械研磨用研磨組成物 |
| US5783489A (en) * | 1996-09-24 | 1998-07-21 | Cabot Corporation | Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing |
| SG68005A1 (en) | 1996-12-02 | 1999-10-19 | Fujimi Inc | Polishing composition |
| JPH10204416A (ja) | 1997-01-21 | 1998-08-04 | Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk | 研磨用組成物 |
| KR100253083B1 (ko) | 1997-03-15 | 2000-04-15 | 윤종용 | 반도체용웨이퍼의일렉트론왁스제거를위한왁스세정조성물및이를이용한일렉트론왁스제거방법 |
| JPH10279926A (ja) | 1997-04-01 | 1998-10-20 | Toshiba Corp | 研磨液 |
| US6083419A (en) * | 1997-07-28 | 2000-07-04 | Cabot Corporation | Polishing composition including an inhibitor of tungsten etching |
| US6149895A (en) * | 1998-02-17 | 2000-11-21 | Kreativ, Inc | Dental bleaching compositions, kits & methods |
| US6077337A (en) * | 1998-12-01 | 2000-06-20 | Intel Corporation | Chemical-mechanical polishing slurry |
-
1999
- 1999-03-17 JP JP07161099A patent/JP3523107B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-03-09 TW TW089104250A patent/TWI254739B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-03-16 KR KR10-2000-0013287A patent/KR100369762B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2000-03-17 US US09/527,600 patent/US6444139B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-05-28 US US10/155,015 patent/US7364667B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001055028A1 (fr) | 2000-01-25 | 2001-08-02 | Nippon Aerosil Co., Ltd. | Poudre d'oxyde, procede de production de celle-ci et produit l'utilisant |
| US6620508B2 (en) | 2000-01-25 | 2003-09-16 | Nippon Aerosil Co., Ltd. | Oxide powder and method for preparing the same, and product using the same |
| KR100359216B1 (ko) * | 2000-12-13 | 2002-11-04 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자의 금속층 연마용 슬러리 |
| US7169322B2 (en) * | 2001-02-22 | 2007-01-30 | Degussa Ag | Aqueous dispersion, process for its production and use |
| KR100421928B1 (ko) * | 2001-11-21 | 2004-03-11 | 제일모직주식회사 | 반도체 웨이퍼의 금속배선 연마용 슬러리 조성물 |
| KR101134589B1 (ko) | 2005-11-30 | 2012-04-09 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 아민화제로 표면처리된 알루미나를 포함하는 금속 배선용 연마 슬러리 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020148997A1 (en) | 2002-10-17 |
| US6444139B1 (en) | 2002-09-03 |
| US7364667B2 (en) | 2008-04-29 |
| JP3523107B2 (ja) | 2004-04-26 |
| KR20000076877A (ko) | 2000-12-26 |
| TWI254739B (en) | 2006-05-11 |
| KR100369762B1 (ko) | 2003-01-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000265161A (ja) | Ｃｍｐ用スラリおよびｃｍｐ法 | |
| US7029373B2 (en) | Chemical mechanical polishing compositions for metal and associated materials and method of using same | |
| US6692546B2 (en) | Chemical mechanical polishing compositions for metal and associated materials and method of using same | |
| JP4130614B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3895949B2 (ja) | Ｃｍｐ用スラリー、およびこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP2004512681A (ja) | 化学機械的研磨スラリー及び研磨方法 | |
| WO2001083638A1 (en) | Polishing slurries for copper and associated materials | |
| JP5766289B2 (ja) | タングステン研磨用ｃｍｐスラリー組成物 | |
| US6110396A (en) | Dual-valent rare earth additives to polishing slurries | |
| US20140312266A1 (en) | Polishing slurry and method of polishing using the same | |
| JP2001015460A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| WO2009070967A1 (fr) | Liquide de polissage chimico-mécanique | |
| US6530824B2 (en) | Method and composition for polishing by CMP | |
| JP4756814B2 (ja) | ルテニウムｃｍｐ用溶液及びこれらを利用するルテニウムパターン形成方法 | |
| US7307023B2 (en) | Polishing method of Cu film and method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2004214667A (ja) | ナイトライド用ｃｍｐスラリー及びこれを利用したｃｍｐ方法 | |
| JP2001085372A (ja) | 金属用研磨液及び基板の研磨方法 | |
| JP2006049479A (ja) | 化学的機械研磨方法 | |
| KR100495975B1 (ko) | 텅스텐 금속막 연마용 화학-기계적 연마 슬러리 조성물 | |
| CN112399999B (zh) | 化学机械研磨组合物、化学机械研磨浆料及基板研磨方法 | |
| JP3910785B2 (ja) | 化学機械研磨用スラリーおよび半導体装置の製造方法 | |
| US20110312181A1 (en) | Method for chemical mechanical planarization of a copper-containing substrate | |
| WO2004100243A1 (ja) | ナノトポグラフィ効果を補償し得る化学機械的研磨用スラリー組成物およびこれを利用した半導体素子の表面平坦化方法 | |
| JPH10135163A (ja) | 半導体基板上の金属膜研磨用組成物及びこれを使用した半導体基板上の金属膜の平坦化方法 | |
| US20020127954A1 (en) | Process for the chemical-mechanical polishing of isolation layers produced using the STI technology, at elevated temperatures |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040109 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040203 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040205 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080220 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090220 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100220 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100220 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110220 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |