JP2000266525A - 電子部品検査装置 - Google Patents
電子部品検査装置Info
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95684—Patterns showing highly reflecting parts, e.g. metallic elements
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】虚像の映り込み防止に有効な電子部品検査装置
を提供する。 【解決手段】電子部品（１２）を収容する容器（１０）
の側壁面のうち、第１の側面（１６−１）に対しては、
該第１の側面（１６−１）のブリュースタ角ΨＢ１方向
に撮像方向を設定するとともに、この撮像方向上に第１
のプリズム（２４−１）および第１の偏光ビームスプリ
ッタ（２６−１）を配設する。同様に、第２の側面（１
６−２）に対しては、該第２の側面（１６−２）のブリ
ュースタ角ΨＢ２方向に撮像方向を設定するとともに、
この撮像方向上に第２のプリズム（２４−２）および第
２の偏光ビームスプリッタ（２６−２）を配設する。
を提供する。 【解決手段】電子部品（１２）を収容する容器（１０）
の側壁面のうち、第１の側面（１６−１）に対しては、
該第１の側面（１６−１）のブリュースタ角ΨＢ１方向
に撮像方向を設定するとともに、この撮像方向上に第１
のプリズム（２４−１）および第１の偏光ビームスプリ
ッタ（２６−１）を配設する。同様に、第２の側面（１
６−２）に対しては、該第２の側面（１６−２）のブリ
ュースタ角ΨＢ２方向に撮像方向を設定するとともに、
この撮像方向上に第２のプリズム（２４−２）および第
２の偏光ビームスプリッタ（２６−２）を配設する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品検査装置
に関し、特に、虚像の映り込み防止に有効な電子部品検
査装置に関する。
に関し、特に、虚像の映り込み防止に有効な電子部品検
査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置等の電子部品は、エンボステ
ープ等にラッピングされて出荷される場合がある。電子
部品の外観検査は、一般に、このラッピング直前に行わ
れる場合が多く、実際に、リードの浮きやピッチ等の検
査は、電子部品がエンボステープに収容された時点で行
われている。このような電子部品の外観検査には、ＣＣ
Ｄカメラ等を用いた光学的手法が好適である。
ープ等にラッピングされて出荷される場合がある。電子
部品の外観検査は、一般に、このラッピング直前に行わ
れる場合が多く、実際に、リードの浮きやピッチ等の検
査は、電子部品がエンボステープに収容された時点で行
われている。このような電子部品の外観検査には、ＣＣ
Ｄカメラ等を用いた光学的手法が好適である。
【０００３】ところが、エンボステープに収容された電
子部品を光学的に撮像すると、電子部品本体だけでな
く、エンボステープの壁面に映ったリードの虚像をも同
時に撮像してしまう場合がある。このエンボステープの
壁面に映ったリードの虚像は、実体部分の判断を困難に
し、場合によっては検査に支障をきたすこともある。
子部品を光学的に撮像すると、電子部品本体だけでな
く、エンボステープの壁面に映ったリードの虚像をも同
時に撮像してしまう場合がある。このエンボステープの
壁面に映ったリードの虚像は、実体部分の判断を困難に
し、場合によっては検査に支障をきたすこともある。
【０００４】特開平１０−１４８５１７号公報は、この
虚像の映り込みという現象の防止に有効な手段として、
ブリュースタ角を利用した撮像技術を提唱している。こ
の技術は、Ｐ偏光波の反射がブリュースタ角で最も小さ
くなるという点に着目した技術であり、カメラの撮像方
向をエンボステープの壁面に対してブリュースタ角に設
定し、該設定した位置からＰ偏光波の照明を用いて電子
部品のリードを撮像するものである。
虚像の映り込みという現象の防止に有効な手段として、
ブリュースタ角を利用した撮像技術を提唱している。こ
の技術は、Ｐ偏光波の反射がブリュースタ角で最も小さ
くなるという点に着目した技術であり、カメラの撮像方
向をエンボステープの壁面に対してブリュースタ角に設
定し、該設定した位置からＰ偏光波の照明を用いて電子
部品のリードを撮像するものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記技術を利
用して電子部品のリード検査を行ってみたところ、リー
ドの映り込みが若干発生し、この問題の解決に余地があ
ることを知った。特に、この問題は、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ
Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）で顕著である。
用して電子部品のリード検査を行ってみたところ、リー
ドの映り込みが若干発生し、この問題の解決に余地があ
ることを知った。特に、この問題は、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ
Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）で顕著である。
【０００６】そこで、本発明は、虚像の映り込み防止に
有効な電子部品検査装置を提供することを目的とする。
有効な電子部品検査装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１の発明は、容器（１０）に収容された電子部品
（１２）の外観形状を光学的に検査する電子部品検査装
置であって、前記電子部品に照明光（１４）を照射する
照明手段（Ｍ１０）と、前記容器の側壁面（１６）に対
してブリュースタ角を満たす方向を撮像方向（１８）と
する撮像手段（Ｍ１２）と、前記撮像方向上に配設さ
れ、前記側壁面に対するＰ偏光波を優先的に選択し、該
選択したＰ偏光波を前記撮像手段に導く偏光波選択手段
（Ｍ１４）とを具備する。第２の発明は、第１の発明に
おいて、前記偏光波選択手段（Ｍ１４）は、偏光素子を
用いて構成され、前記撮像手段は、前記偏光素子が選択
したＰ偏光波の光路上に配設される。第３の発明は、第
２の発明において、前記偏光素子は、偏光ビームスプリ
ッタである。第４の発明は、第２の発明において、前記
偏光素子は、偏光フィルタである。第５の発明は、容器
（１０）に収容された電子部品（１２）の外観形状を光
学的に検査する電子部品検査装置であって、前記電子部
品に照明光（１４）を照射する照明手段（Ｍ１０）と、
前記容器の第１の側面（１６−１）に対してブリュース
タ角を満たす第１の方向（１８−１）および該第１の側
面と角度を有する第２の側面（１６−２）に対してブリ
ュースタ角を満たす第２の方向（１８−２）の双方を撮
像方向とする撮像手段（Ｍ１２）と、前記第１の方向上
に配設され、前記第１の側面に対するＰ偏光波を優先的
に選択し、該選択したＰ偏光波を前記撮像手段に導く第
１の選択手段（Ｍ１４−１）と、前記第２の方向上に配
設され、前記第２の側面に対するＰ偏光波を優先的に選
択し、該選択したＰ偏光波を前記撮像手段に導く第２の
選択手段（Ｍ１４−２）とを具備する。第６の発明は、
第５の発明において、前記第１の選択手段および前記第
２の選択手段は、ともに偏光素子を用いて構成され、前
記撮像手段は、前記各偏光素子がそれぞれ選択した前記
第１の側面に対するＰ偏光波および前記第２の側面に対
するＰ偏光波の光路上に配設される。第７の発明は、第
５の発明において、前記第１の選択手段および前記第２
の選択手段は、単一の偏光素子を用いて構成され、前記
偏光素子と前記第２の側面との間には、前記第２の側面
に対するＰ偏光波の振動方向を９０°回転させる１／２
λ板（３２）が設けられ、前記撮像手段は、前記偏光素
子が選択した前記第１の側面に対するＰ偏光波の光路上
に配設される。第８の発明は、第６または第７の発明に
おいて、前記偏光素子は、偏光ビームスプリッタであ
る。第９の発明は、第６または第７の発明において、前
記偏光素子は、偏光フィルタである。
め、第１の発明は、容器（１０）に収容された電子部品
（１２）の外観形状を光学的に検査する電子部品検査装
置であって、前記電子部品に照明光（１４）を照射する
照明手段（Ｍ１０）と、前記容器の側壁面（１６）に対
してブリュースタ角を満たす方向を撮像方向（１８）と
する撮像手段（Ｍ１２）と、前記撮像方向上に配設さ
れ、前記側壁面に対するＰ偏光波を優先的に選択し、該
選択したＰ偏光波を前記撮像手段に導く偏光波選択手段
（Ｍ１４）とを具備する。第２の発明は、第１の発明に
おいて、前記偏光波選択手段（Ｍ１４）は、偏光素子を
用いて構成され、前記撮像手段は、前記偏光素子が選択
したＰ偏光波の光路上に配設される。第３の発明は、第
２の発明において、前記偏光素子は、偏光ビームスプリ
ッタである。第４の発明は、第２の発明において、前記
偏光素子は、偏光フィルタである。第５の発明は、容器
（１０）に収容された電子部品（１２）の外観形状を光
学的に検査する電子部品検査装置であって、前記電子部
品に照明光（１４）を照射する照明手段（Ｍ１０）と、
前記容器の第１の側面（１６−１）に対してブリュース
タ角を満たす第１の方向（１８−１）および該第１の側
面と角度を有する第２の側面（１６−２）に対してブリ
ュースタ角を満たす第２の方向（１８−２）の双方を撮
像方向とする撮像手段（Ｍ１２）と、前記第１の方向上
に配設され、前記第１の側面に対するＰ偏光波を優先的
に選択し、該選択したＰ偏光波を前記撮像手段に導く第
１の選択手段（Ｍ１４−１）と、前記第２の方向上に配
設され、前記第２の側面に対するＰ偏光波を優先的に選
択し、該選択したＰ偏光波を前記撮像手段に導く第２の
選択手段（Ｍ１４−２）とを具備する。第６の発明は、
第５の発明において、前記第１の選択手段および前記第
２の選択手段は、ともに偏光素子を用いて構成され、前
記撮像手段は、前記各偏光素子がそれぞれ選択した前記
第１の側面に対するＰ偏光波および前記第２の側面に対
するＰ偏光波の光路上に配設される。第７の発明は、第
５の発明において、前記第１の選択手段および前記第２
の選択手段は、単一の偏光素子を用いて構成され、前記
偏光素子と前記第２の側面との間には、前記第２の側面
に対するＰ偏光波の振動方向を９０°回転させる１／２
λ板（３２）が設けられ、前記撮像手段は、前記偏光素
子が選択した前記第１の側面に対するＰ偏光波の光路上
に配設される。第８の発明は、第６または第７の発明に
おいて、前記偏光素子は、偏光ビームスプリッタであ
る。第９の発明は、第６または第７の発明において、前
記偏光素子は、偏光フィルタである。
【０００８】
【発明の実施の形態】（発明の概要）本発明の主な特徴
は、虚像のＰ偏光成分をブリュースタ角で回避するとと
もに、Ｐ偏光成分以外の成分を積極的に減衰させること
にある。これにより、ブリュースタ角のみでは完全に除
去できなかった偏光成分の影響が少なくなり、虚像の映
り込み防止が図られる。
は、虚像のＰ偏光成分をブリュースタ角で回避するとと
もに、Ｐ偏光成分以外の成分を積極的に減衰させること
にある。これにより、ブリュースタ角のみでは完全に除
去できなかった偏光成分の影響が少なくなり、虚像の映
り込み防止が図られる。
【０００９】（発明プロセス）まず、本発明者は、ブリ
ュースタ角を利用したにも拘わらず、虚像の映り込みが
発生する原因を次のように考えた。尚、以下の説明で
は、発明のプロセスに深く関係する部分を重点的に説明
し、図中に示した各構成要素の詳細は後述する。
ュースタ角を利用したにも拘わらず、虚像の映り込みが
発生する原因を次のように考えた。尚、以下の説明で
は、発明のプロセスに深く関係する部分を重点的に説明
し、図中に示した各構成要素の詳細は後述する。
【００１０】図１は、電子部品の形状検査において拡散
光が発生する現象を示す模式側面図である。同図に示す
ように、特開平１０−１４８５１７号公報記載の技術で
は、撮像手段Ｍ１２の撮像方向１８を側壁面１６に対し
てブリュースタ角ΨＢに設定し、照明をＰ偏光波として
電子部品１２の撮像が行われる。ここで、照明として使
用するＰ偏光波の状態に着目してみると、次のようなこ
とが考えられる。
光が発生する現象を示す模式側面図である。同図に示す
ように、特開平１０−１４８５１７号公報記載の技術で
は、撮像手段Ｍ１２の撮像方向１８を側壁面１６に対し
てブリュースタ角ΨＢに設定し、照明をＰ偏光波として
電子部品１２の撮像が行われる。ここで、照明として使
用するＰ偏光波の状態に着目してみると、次のようなこ
とが考えられる。
【００１１】電子部品１２のリード２０に対して照射さ
れたＰ偏光波は、該リード２０に到達するまではＰ偏光
のまま進行する。その後、該Ｐ偏光波は、リード２０で
反射した際にその振動方向が拡散して拡散光となる。こ
れは、リード２０の表面が拡散面であることに起因する
ものと考えられる。その後、リード２０で発生した拡散
光は、容器１０の側壁面１６で反射してさらに拡散す
る。同図に示すように、この拡散光のうちＰ偏光成分
は、ブリュースタ角ΨＢをはずれて進行するが、Ｐ偏光
成分以外の偏光成分は、側壁面１６のブリュースタ角に
設定された撮像方向１８に進行する。その結果、このＰ
偏光成分以外の偏光成分が撮像手段Ｍ１２に入射して、
虚像が撮像されることになる。
れたＰ偏光波は、該リード２０に到達するまではＰ偏光
のまま進行する。その後、該Ｐ偏光波は、リード２０で
反射した際にその振動方向が拡散して拡散光となる。こ
れは、リード２０の表面が拡散面であることに起因する
ものと考えられる。その後、リード２０で発生した拡散
光は、容器１０の側壁面１６で反射してさらに拡散す
る。同図に示すように、この拡散光のうちＰ偏光成分
は、ブリュースタ角ΨＢをはずれて進行するが、Ｐ偏光
成分以外の偏光成分は、側壁面１６のブリュースタ角に
設定された撮像方向１８に進行する。その結果、このＰ
偏光成分以外の偏光成分が撮像手段Ｍ１２に入射して、
虚像が撮像されることになる。
【００１２】本発明者は、さらに、ＱＦＰの検査時に虚
像の映り込みが顕著になる原因を次のように考えた。図
２は、ＱＦＰの形状検査において異なる側面に入射され
る２種類の偏光波の振動方向を示す模式斜視図である。
同図に示すように、ＱＦＰ型の電子部品１２は、４つの
辺のそれぞれにリードを有するため、容器１０のすべて
の側壁面での映り込みが問題となる。ここで、この容器
１０の側壁面は、各面の向きを基準にすると、第１の側
面１６−１と第２の側面１６−２の２つのグループに分
類できる。これら第１の側面１６−１と第２の側面１６
−２での映り込みを防止するためには、該各面に対して
それぞれＰ偏光となる第１の偏光波２２−１および第２
の偏光波２２−２を照明光として、それぞれ第１の側面
１６−１および第２の側面１６−２に照射する必要があ
る。第１の側面１６−１と第２の側面１６−２との間に
は、約９０°の角度があるため、該各面に対してそれぞ
れＰ偏光となる第１の偏光波２２−１と第２の偏光波２
２−２の波形は異なる。従って、ＱＦＰの各リードに
は、２種類の偏光波が照射されることになる。
像の映り込みが顕著になる原因を次のように考えた。図
２は、ＱＦＰの形状検査において異なる側面に入射され
る２種類の偏光波の振動方向を示す模式斜視図である。
同図に示すように、ＱＦＰ型の電子部品１２は、４つの
辺のそれぞれにリードを有するため、容器１０のすべて
の側壁面での映り込みが問題となる。ここで、この容器
１０の側壁面は、各面の向きを基準にすると、第１の側
面１６−１と第２の側面１６−２の２つのグループに分
類できる。これら第１の側面１６−１と第２の側面１６
−２での映り込みを防止するためには、該各面に対して
それぞれＰ偏光となる第１の偏光波２２−１および第２
の偏光波２２−２を照明光として、それぞれ第１の側面
１６−１および第２の側面１６−２に照射する必要があ
る。第１の側面１６−１と第２の側面１６−２との間に
は、約９０°の角度があるため、該各面に対してそれぞ
れＰ偏光となる第１の偏光波２２−１と第２の偏光波２
２−２の波形は異なる。従って、ＱＦＰの各リードに
は、２種類の偏光波が照射されることになる。
【００１３】図３は、図２に示す第１の偏光波２２−１
と第２の偏光波２２−２の波形を示す模式斜視図であ
る。同図に示すように、第１の側面１６−１に照射され
る第１の偏光波２２−１は、ＺＹ平面上を振動し、第２
の側面１６−２に照射される第２の偏光波２２−２は、
ＺＸ平面上を振動する。このように振動面が異なる第１
の偏光波２２−１と第２の偏光波２２−２の双方が図２
に示す如く照射されると、異なる２つの偏光波の混入に
より拡散光が発生するものと考える。このようにして発
生した拡散光は、図１に示す例と同様に、撮像手段Ｍ１
２に入り込む。
と第２の偏光波２２−２の波形を示す模式斜視図であ
る。同図に示すように、第１の側面１６−１に照射され
る第１の偏光波２２−１は、ＺＹ平面上を振動し、第２
の側面１６−２に照射される第２の偏光波２２−２は、
ＺＸ平面上を振動する。このように振動面が異なる第１
の偏光波２２−１と第２の偏光波２２−２の双方が図２
に示す如く照射されると、異なる２つの偏光波の混入に
より拡散光が発生するものと考える。このようにして発
生した拡散光は、図１に示す例と同様に、撮像手段Ｍ１
２に入り込む。
【００１４】以上のように考えた本発明者は、Ｐ偏光の
みの撮像は物理的に困難であると判断し、撮像方向１８
に進行する拡散光を除去するという視点で検討した。し
かし、撮像手段Ｍ１２に入射する光を全て遮断したので
は、肝心の実体部分を撮像できなくなる。本発明は、こ
のような観点に基づいて創作行為を繰り返し、虚像の映
り込み防止に有効な構成を見出した。以下、この特徴あ
る新規な構成を詳細に説明する。
みの撮像は物理的に困難であると判断し、撮像方向１８
に進行する拡散光を除去するという視点で検討した。し
かし、撮像手段Ｍ１２に入射する光を全て遮断したので
は、肝心の実体部分を撮像できなくなる。本発明は、こ
のような観点に基づいて創作行為を繰り返し、虚像の映
り込み防止に有効な構成を見出した。以下、この特徴あ
る新規な構成を詳細に説明する。
【００１５】（第１の形態）図４は、本発明の第１の形
態に係る電子部品検出装置の構成を示す模式側面図であ
る。以下、同図に基づいて、本発明の第１の形態の構成
を説明する。
態に係る電子部品検出装置の構成を示す模式側面図であ
る。以下、同図に基づいて、本発明の第１の形態の構成
を説明する。
【００１６】電子部品１２は、本発明の検査対象となる
部品であり、半導体装置やチップコイル、チップ抵抗、
その他の表面実装部品を含む。この電子部品１２は、実
装時に外部電極端子として機能するリード２０を有し、
このリード２０の形状を正確に検査することが本発明の
主な目的である。
部品であり、半導体装置やチップコイル、チップ抵抗、
その他の表面実装部品を含む。この電子部品１２は、実
装時に外部電極端子として機能するリード２０を有し、
このリード２０の形状を正確に検査することが本発明の
主な目的である。
【００１７】容器１０は、側壁面１６に囲まれた収容空
間を有し、この収容空間内に電子部品１２を収容する。
エンボステープは、この容器１０の一態様である。容器
１０の側壁面１６は、一般に、電子部品の取り出し易さ
を考慮して、垂直よりもやや寝かせた状態で設けられ
る。虚像が映り込む度合いは、この側壁面１６の傾斜角
度によっても変わるが、本発明は、任意の傾斜角度に対
して適用可能である。
間を有し、この収容空間内に電子部品１２を収容する。
エンボステープは、この容器１０の一態様である。容器
１０の側壁面１６は、一般に、電子部品の取り出し易さ
を考慮して、垂直よりもやや寝かせた状態で設けられ
る。虚像が映り込む度合いは、この側壁面１６の傾斜角
度によっても変わるが、本発明は、任意の傾斜角度に対
して適用可能である。
【００１８】照明手段Ｍ１０は、容器１０の上方に配設
され、電子部品１２に照明光１４を照射する。この照明
光１４は、Ｐ偏光、拡散光および直線偏光のいずれを用
いてもよい。同図に示すように、リード２０に照射され
た照明光１４は、リード２０で反射した後は拡散光とな
る。このように、どのような偏光波を入射してもリード
２０で反射した後は、ある程度拡散成分を含むため、照
明光１４には初めから拡散光を用いれば十分である。
され、電子部品１２に照明光１４を照射する。この照明
光１４は、Ｐ偏光、拡散光および直線偏光のいずれを用
いてもよい。同図に示すように、リード２０に照射され
た照明光１４は、リード２０で反射した後は拡散光とな
る。このように、どのような偏光波を入射してもリード
２０で反射した後は、ある程度拡散成分を含むため、照
明光１４には初めから拡散光を用いれば十分である。
【００１９】撮像手段Ｍ１２は、容器１０の側壁面１６
に対してブリュースタ角を満たす方向を撮像方向１８と
して設定し、この方向から電子部品１２を撮像する。ブ
リュースタ角を満たす方向とは、同図に示すように、側
壁面１６の法線からブリュースタ角ΨＢだけ傾けた方向
を意味する。ブリュースタ角を満たす方向を撮像方向１
８とする理由は、側壁面１６に映った虚像のＰ偏光成分
を回避するためである。このような配置により、側壁面
１６に映った虚像のうち、撮像方向１８に向かって進行
するのは、Ｐ偏光以外の成分となる。ＣＣＤカメラ等の
光学撮像装置は、この撮像手段Ｍ１２に含まれる。
に対してブリュースタ角を満たす方向を撮像方向１８と
して設定し、この方向から電子部品１２を撮像する。ブ
リュースタ角を満たす方向とは、同図に示すように、側
壁面１６の法線からブリュースタ角ΨＢだけ傾けた方向
を意味する。ブリュースタ角を満たす方向を撮像方向１
８とする理由は、側壁面１６に映った虚像のＰ偏光成分
を回避するためである。このような配置により、側壁面
１６に映った虚像のうち、撮像方向１８に向かって進行
するのは、Ｐ偏光以外の成分となる。ＣＣＤカメラ等の
光学撮像装置は、この撮像手段Ｍ１２に含まれる。
【００２０】偏光波選択手段Ｍ１４は、撮像方向１８上
に配設され、側壁面１６に対するＰ偏光波を優先的に選
択し、該選択したＰ偏光波を撮像手段Ｍ１２に導く。側
壁面１６に対するＰ偏光波とは、該偏光波の入射光路と
側壁面１６の法線とを含む面に平行に振動する偏光波で
ある。ブリュースタ角効果によって、撮像方向１８から
意図的にはずされる偏光成分は、この側壁面１６に対す
るＰ偏光波である。
に配設され、側壁面１６に対するＰ偏光波を優先的に選
択し、該選択したＰ偏光波を撮像手段Ｍ１２に導く。側
壁面１６に対するＰ偏光波とは、該偏光波の入射光路と
側壁面１６の法線とを含む面に平行に振動する偏光波で
ある。ブリュースタ角効果によって、撮像方向１８から
意図的にはずされる偏光成分は、この側壁面１６に対す
るＰ偏光波である。
【００２１】「側壁面１６に対するＰ偏光波を優先的に
選択する」とは、Ｐ偏光以外の成分を撮像方向１８から
はずすことを意味する。これによって、撮像手段Ｍ１２
にはＰ偏光波が優先的に導かれる。Ｐ偏光波を選択する
方法としては、Ｐ偏光波以外の成分を偏光フィルタで遮
断または減衰させる方法が考えられる。このような偏光
フィルタを撮像手段Ｍ１２の前段に配置すれば、Ｐ偏光
以外の成分はこの偏光フィルタで減衰し、Ｐ偏光波が優
先的に選択されることになる。この偏光フィルタを利用
した遮断または減衰は、Ｐ偏光以外の成分をすべて減衰
させるという限定的なものではなく、Ｐ偏光以外の成分
を１つでも遮断および減衰させることをも含む。従っ
て、この遮断および減衰の概念を裏返せば、Ｐ偏光波を
選択的に透過させるという概念で表現することもでき
る。Ｐ偏光以外の成分のうち、特に、減衰対象として取
り上げるべき成分は、Ｓ偏光成分である。これは、側壁
面１６で反射した拡散光のうち、Ｐ偏光波がブリュース
タ角で除去されると、撮像方向１８上には、Ｓ偏光波が
残るからである。従って、実質的には、Ｓ偏光成分を減
衰させることが「Ｐ偏光波を優先的に選択する」ことに
なる。このようにして、側壁面１６に映った虚像のＰ偏
光成分はブリュースタ角で除去され、Ｓ偏光成分は偏光
波選択手段Ｍ１４で除去される。一方、電子部品１２の
実像のうち、少なくともＰ偏光成分は、偏光波選択手段
１４を透過するため、実像部分は、問題なく撮像手段Ｍ
１２に入射される。その結果、虚像部分のみを選択的に
減衰させた撮像が可能になる。
選択する」とは、Ｐ偏光以外の成分を撮像方向１８から
はずすことを意味する。これによって、撮像手段Ｍ１２
にはＰ偏光波が優先的に導かれる。Ｐ偏光波を選択する
方法としては、Ｐ偏光波以外の成分を偏光フィルタで遮
断または減衰させる方法が考えられる。このような偏光
フィルタを撮像手段Ｍ１２の前段に配置すれば、Ｐ偏光
以外の成分はこの偏光フィルタで減衰し、Ｐ偏光波が優
先的に選択されることになる。この偏光フィルタを利用
した遮断または減衰は、Ｐ偏光以外の成分をすべて減衰
させるという限定的なものではなく、Ｐ偏光以外の成分
を１つでも遮断および減衰させることをも含む。従っ
て、この遮断および減衰の概念を裏返せば、Ｐ偏光波を
選択的に透過させるという概念で表現することもでき
る。Ｐ偏光以外の成分のうち、特に、減衰対象として取
り上げるべき成分は、Ｓ偏光成分である。これは、側壁
面１６で反射した拡散光のうち、Ｐ偏光波がブリュース
タ角で除去されると、撮像方向１８上には、Ｓ偏光波が
残るからである。従って、実質的には、Ｓ偏光成分を減
衰させることが「Ｐ偏光波を優先的に選択する」ことに
なる。このようにして、側壁面１６に映った虚像のＰ偏
光成分はブリュースタ角で除去され、Ｓ偏光成分は偏光
波選択手段Ｍ１４で除去される。一方、電子部品１２の
実像のうち、少なくともＰ偏光成分は、偏光波選択手段
１４を透過するため、実像部分は、問題なく撮像手段Ｍ
１２に入射される。その結果、虚像部分のみを選択的に
減衰させた撮像が可能になる。
【００２２】ビームスプリッタ等の偏光素子もＰ偏光波
を選択する手段として利用できる。このような偏光素子
を撮像手段Ｍ１２の前段に配置すれば、Ｐ偏光波とそれ
以外の成分の光路が撮像手段Ｍ１２の手前で分離され
る。この分離したＰ偏光波の光路を撮像方向１８に設定
すれば、Ｐ偏光波を優先的に選択できる。このような状
態は、撮像手段Ｍ１２や偏光素子の位置関係によって作
り出すことができる。この偏光素子を利用した方法は、
特定の偏光成分を反射させて、Ｐ偏光波を撮像手段Ｍ１
２に導くという概念で表現することもできる。
を選択する手段として利用できる。このような偏光素子
を撮像手段Ｍ１２の前段に配置すれば、Ｐ偏光波とそれ
以外の成分の光路が撮像手段Ｍ１２の手前で分離され
る。この分離したＰ偏光波の光路を撮像方向１８に設定
すれば、Ｐ偏光波を優先的に選択できる。このような状
態は、撮像手段Ｍ１２や偏光素子の位置関係によって作
り出すことができる。この偏光素子を利用した方法は、
特定の偏光成分を反射させて、Ｐ偏光波を撮像手段Ｍ１
２に導くという概念で表現することもできる。
【００２３】以上説明した本発明の第１の形態によれ
ば、側壁面１６に映った虚像のうち、Ｐ偏光成分はブリ
ュースタ角に設定された撮像方向１８からはずれ、それ
以外の偏光成分は撮像手段Ｍ１２の手前で除去されるた
め、虚像の映り込みが効果的に防止できる。
ば、側壁面１６に映った虚像のうち、Ｐ偏光成分はブリ
ュースタ角に設定された撮像方向１８からはずれ、それ
以外の偏光成分は撮像手段Ｍ１２の手前で除去されるた
め、虚像の映り込みが効果的に防止できる。
【００２４】（第２の形態）本発明の第２の形態は、本
発明のＱＦＰへの適用可能性を例示する。図５は、本発
明の第２の形態に係る電子部品検査装置の構成を示す模
式斜視図である。以下、同図に基づいて、本発明の第２
の形態の構成を説明する。尚、前述した第１の形態に準
ずる構成要素については、同一符号を付して説明を省略
し、以下の説明では、第１の形態と異なる部分を主に説
明する。
発明のＱＦＰへの適用可能性を例示する。図５は、本発
明の第２の形態に係る電子部品検査装置の構成を示す模
式斜視図である。以下、同図に基づいて、本発明の第２
の形態の構成を説明する。尚、前述した第１の形態に準
ずる構成要素については、同一符号を付して説明を省略
し、以下の説明では、第１の形態と異なる部分を主に説
明する。
【００２５】第１の側面１６−１および第２の側面１６
−２は、電子部品１２を取り囲む側壁面をその面方向か
ら２つのグループに分類した概念である。同図に示すよ
うに、第１の側面１６−１と第２の側面１６−２とは、
所定の角度を有して配設され、電子部品１２を収容する
空間を形成する。ＱＦＰ型の電子部品１２は、４つの辺
にそれぞれリードを有するため、該各側面にはリードの
虚像が映ることになる。
−２は、電子部品１２を取り囲む側壁面をその面方向か
ら２つのグループに分類した概念である。同図に示すよ
うに、第１の側面１６−１と第２の側面１６−２とは、
所定の角度を有して配設され、電子部品１２を収容する
空間を形成する。ＱＦＰ型の電子部品１２は、４つの辺
にそれぞれリードを有するため、該各側面にはリードの
虚像が映ることになる。
【００２６】第１の方向１８−１および第２の方向１８
−２は、それぞれ第１の側面１６−１および第２の側面
１６−２に対してブリュースタ角ΨＢ１、ΨＢ２を満た
す方向である。この第１の方向１８−１および第２の方
向１８−２が撮像手段Ｍ１２の撮像方向に設定される。
これにより、第１の側面１６−１に映った虚像のうち、
該第１の側面１６−１に対するＰ偏光成分は、第１の方
向１８−１からはずれて進行する。そして、第２の側面
１６−２に映った虚像のうち、該第２の側面１６−２に
対するＰ偏光成分は、第２の方向１８−２からはずれて
進行する。
−２は、それぞれ第１の側面１６−１および第２の側面
１６−２に対してブリュースタ角ΨＢ１、ΨＢ２を満た
す方向である。この第１の方向１８−１および第２の方
向１８−２が撮像手段Ｍ１２の撮像方向に設定される。
これにより、第１の側面１６−１に映った虚像のうち、
該第１の側面１６−１に対するＰ偏光成分は、第１の方
向１８−１からはずれて進行する。そして、第２の側面
１６−２に映った虚像のうち、該第２の側面１６−２に
対するＰ偏光成分は、第２の方向１８−２からはずれて
進行する。
【００２７】第１の選択手段Ｍ１４−１および第２の選
択手段Ｍ１４−２は、それぞれ第１の方向１８−１およ
び第２の方向１８−２上に配設され、それぞれ第１の側
面１６−１および第２の側面１６−２に対するＰ偏光波
を優先的に選択し、該選択したＰ偏光波を撮像手段Ｍ１
２に導く。これにより、第１の側面１６−１および第２
の側面１６−２に映った虚像のうち、Ｐ偏光成分はブリ
ュースタ角ΨＢ１、Ψ Ｂ２でそれぞれ除去され、それ以
外の成分は、第１の選択手段Ｍ１４−１および第２の選
択手段Ｍ１４−２でそれぞれ除去される。この第１の選
択手段Ｍ１４−１および第２の選択手段Ｍ１４−２は、
前述した第１の形態の偏光波選択手段Ｍ１４と同様に、
偏光素子や偏光フィルタを用いて構成できる。偏光素
子、偏光フィルタおよび撮像手段の位置関係には様々な
バリエーションが考えられる。これらの例は、後述の実
施例にて説明する。
択手段Ｍ１４−２は、それぞれ第１の方向１８−１およ
び第２の方向１８−２上に配設され、それぞれ第１の側
面１６−１および第２の側面１６−２に対するＰ偏光波
を優先的に選択し、該選択したＰ偏光波を撮像手段Ｍ１
２に導く。これにより、第１の側面１６−１および第２
の側面１６−２に映った虚像のうち、Ｐ偏光成分はブリ
ュースタ角ΨＢ１、Ψ Ｂ２でそれぞれ除去され、それ以
外の成分は、第１の選択手段Ｍ１４−１および第２の選
択手段Ｍ１４−２でそれぞれ除去される。この第１の選
択手段Ｍ１４−１および第２の選択手段Ｍ１４−２は、
前述した第１の形態の偏光波選択手段Ｍ１４と同様に、
偏光素子や偏光フィルタを用いて構成できる。偏光素
子、偏光フィルタおよび撮像手段の位置関係には様々な
バリエーションが考えられる。これらの例は、後述の実
施例にて説明する。
【００２８】以上説明した本発明の第２の形態によれ
ば、角度の異なる２つの側面に対してそれぞれブリュー
スタ角が設定され、かつ、Ｐ偏光成分を優先的に選択す
る手段が設けられるため、ＱＦＰのリード映り込みを効
果的に防止できる。
ば、角度の異なる２つの側面に対してそれぞれブリュー
スタ角が設定され、かつ、Ｐ偏光成分を優先的に選択す
る手段が設けられるため、ＱＦＰのリード映り込みを効
果的に防止できる。
【００２９】
【実施例】（要約）電子部品１２を収容する容器１０の
側壁面のうち、第１の側面１６−１に対しては、該第１
の側面１６−１のブリュースタ角ΨＢ１方向に撮像方向
を設定するとともに、この撮像方向上に第１のプリズム
２４−１および第１の偏光ビームスプリッタ２６−１を
配設する。同様に、第２の側面１６−２に対しては、該
第２の側面１６−２のブリュースタ角ΨＢ２方向に撮像
方向を設定するとともに、この撮像方向上に第２のプリ
ズム２４−２および第２の偏光ビームスプリッタ２６−
２を配設する（図６参照）。
側壁面のうち、第１の側面１６−１に対しては、該第１
の側面１６−１のブリュースタ角ΨＢ１方向に撮像方向
を設定するとともに、この撮像方向上に第１のプリズム
２４−１および第１の偏光ビームスプリッタ２６−１を
配設する。同様に、第２の側面１６−２に対しては、該
第２の側面１６−２のブリュースタ角ΨＢ２方向に撮像
方向を設定するとともに、この撮像方向上に第２のプリ
ズム２４−２および第２の偏光ビームスプリッタ２６−
２を配設する（図６参照）。
【００３０】（第１の実施例）容器の側壁面に映った虚
像には、Ｐ偏光成分とＳ偏光成分が多く含まれる。従っ
て、ここでは、この両者を除去する光学的配置例をいく
つか提示し、これを本発明の好適な実施例とする。尚、
当該説明中、前述した構成要素と同一の要素について
は、その詳細な説明を省略する。
像には、Ｐ偏光成分とＳ偏光成分が多く含まれる。従っ
て、ここでは、この両者を除去する光学的配置例をいく
つか提示し、これを本発明の好適な実施例とする。尚、
当該説明中、前述した構成要素と同一の要素について
は、その詳細な説明を省略する。
【００３１】図６は、本発明の第１の実施例に係る電子
部品検査装置の構造を示す斜視図である。同図に示すよ
うに、第１の側面１６−１および第２の側面１６−２に
映った虚像のうち、ブリュースタ角ΨＢ１、ΨＢ２方向
に進行するのは、それぞれ、第１の側面に対するＳ偏光
波３０−１と第２の側面に対するＳ偏光波３０−２であ
る。
部品検査装置の構造を示す斜視図である。同図に示すよ
うに、第１の側面１６−１および第２の側面１６−２に
映った虚像のうち、ブリュースタ角ΨＢ１、ΨＢ２方向
に進行するのは、それぞれ、第１の側面に対するＳ偏光
波３０−１と第２の側面に対するＳ偏光波３０−２であ
る。
【００３２】従って、該各Ｓ偏光波の光路上に、第１の
プリズム２４−１および第２のプリズム２４−２をそれ
ぞれ配設し、該各Ｓ偏光波の進路を垂直方向に変換す
る。尚、同図中には、Ｓ偏光波の光路を明示するため、
２本のプリズムしか図示していないが、実際には、４つ
の側壁面に対応させて４本のプリズムが設けられる。
プリズム２４−１および第２のプリズム２４−２をそれ
ぞれ配設し、該各Ｓ偏光波の進路を垂直方向に変換す
る。尚、同図中には、Ｓ偏光波の光路を明示するため、
２本のプリズムしか図示していないが、実際には、４つ
の側壁面に対応させて４本のプリズムが設けられる。
【００３３】第１のプリズム２４−１および第２のプリ
ズム２４−２の直上には、第１の偏光ビームスプリッタ
２６−１および第２の偏光ビームスプリッタ２６−２を
配設し、該各プリズムを通過したＳ偏光波を水平方向に
放出する。即ち、この第１の偏光ビームスプリッタ２６
−１および第２の偏光ビームスプリッタ２６−２は、そ
れぞれ、第１の側面に対するＳ偏光波３０−１と第２の
側面に対するＳ偏光波３０−２の光路を撮像カメラ２８
の撮像方向からはずして、撮像カメラ２８への該各Ｓ偏
光波の入射を防止する。尚、この第１の偏光ビームスプ
リッタ２６−１および第２の偏光ビームスプリッタ２６
−２も第１のプリズム２４−１および第２のプリズム２
４−２と同様に、実際は４本設けられる。
ズム２４−２の直上には、第１の偏光ビームスプリッタ
２６−１および第２の偏光ビームスプリッタ２６−２を
配設し、該各プリズムを通過したＳ偏光波を水平方向に
放出する。即ち、この第１の偏光ビームスプリッタ２６
−１および第２の偏光ビームスプリッタ２６−２は、そ
れぞれ、第１の側面に対するＳ偏光波３０−１と第２の
側面に対するＳ偏光波３０−２の光路を撮像カメラ２８
の撮像方向からはずして、撮像カメラ２８への該各Ｓ偏
光波の入射を防止する。尚、この第１の偏光ビームスプ
リッタ２６−１および第２の偏光ビームスプリッタ２６
−２も第１のプリズム２４−１および第２のプリズム２
４−２と同様に、実際は４本設けられる。
【００３４】図７は、図６のＶＩＩ方向から見た第１の
側面に対するＳ偏光波３０−１の光路と振動方向を示す
模式側面図である。同図に示すように、該第１の側面に
対するＳ偏光波３０−１は、第１の側面１６−１と平行
方向に振動する。即ち、同紙面の手前と向こうを往復振
動する。以下、紙面を貫く方向に振動する部分を矢記号
を付して示す。そして、該Ｓ偏光波は、紙面を貫く方向
に振動しながら、第１のプリズム２４−１を通過し、そ
の後、第１の偏光ビームスプリッタ２６−１で撮像カメ
ラ２８の撮像方向から除外される。
側面に対するＳ偏光波３０−１の光路と振動方向を示す
模式側面図である。同図に示すように、該第１の側面に
対するＳ偏光波３０−１は、第１の側面１６−１と平行
方向に振動する。即ち、同紙面の手前と向こうを往復振
動する。以下、紙面を貫く方向に振動する部分を矢記号
を付して示す。そして、該Ｓ偏光波は、紙面を貫く方向
に振動しながら、第１のプリズム２４−１を通過し、そ
の後、第１の偏光ビームスプリッタ２６−１で撮像カメ
ラ２８の撮像方向から除外される。
【００３５】図８は、図６のＶＩＩＩ方向から見た第２
の側面に対するＳ偏光波３０−２の光路と振動方向を示
す模式側面図である。同図に示すように、該第２の側面
に対するＳ偏光波３０−２は、第２の側面１６−２と平
行方向に振動する。即ち、この場合も同紙面の手前と向
こうを往復振動する。そして、該Ｓ偏光波は、紙面を貫
く方向に振動しながら、第２のプリズム２４−２を通過
し、その後、第２の偏光ビームスプリッタ２６−２で撮
像カメラ２８の撮像方向から除外される。このようにし
て、容器１０の側壁面に映った電子部品１２の虚像が除
去される。
の側面に対するＳ偏光波３０−２の光路と振動方向を示
す模式側面図である。同図に示すように、該第２の側面
に対するＳ偏光波３０−２は、第２の側面１６−２と平
行方向に振動する。即ち、この場合も同紙面の手前と向
こうを往復振動する。そして、該Ｓ偏光波は、紙面を貫
く方向に振動しながら、第２のプリズム２４−２を通過
し、その後、第２の偏光ビームスプリッタ２６−２で撮
像カメラ２８の撮像方向から除外される。このようにし
て、容器１０の側壁面に映った電子部品１２の虚像が除
去される。
【００３６】（第２の実施例）図９は、本発明の第２の
実施例に係る電子部品検査装置の構造を示す模式側面図
である。同図は、前述した第１の実施例の図７に対応す
る図である。この第２の実施例では、単一の偏光素子を
用いて、第１の側面に対するＳ偏光波３０−１と第２の
側面に対するＳ偏光波３０−２の双方を撮像領域から除
去する。この実施例で用いる第３の偏光ビームスプリッ
タ２６−３は、同図に示すように、紙面を貫く方向に振
動する偏光波を除去する素子である。
実施例に係る電子部品検査装置の構造を示す模式側面図
である。同図は、前述した第１の実施例の図７に対応す
る図である。この第２の実施例では、単一の偏光素子を
用いて、第１の側面に対するＳ偏光波３０−１と第２の
側面に対するＳ偏光波３０−２の双方を撮像領域から除
去する。この実施例で用いる第３の偏光ビームスプリッ
タ２６−３は、同図に示すように、紙面を貫く方向に振
動する偏光波を除去する素子である。
【００３７】同図に示すように、各Ｓ偏光波を第１の側
面１６−１と平行方向から観察すると、第１の側面に対
するＳ偏光波３０−１は紙面を貫く方向に振動し、第２
の側面に対するＳ偏光波３０−２は紙面上を振動する。
従って、第２の側面に対するＳ偏光波３０−２は、この
ままでは第３の偏光ビームスプリッタ２６−３で除去す
ることができない。そこで、第２のプリズム２４−２の
直上に、１／２λ板３２を配設し、該Ｓ偏光波の振動方
向を９０°回転させる。その結果、該１／２λ板３２を
通過したＳ偏光波は、紙面を貫く方向に振動し、第３の
偏光ビームスプリッタ２６−３で撮像領域から除去され
る。
面１６−１と平行方向から観察すると、第１の側面に対
するＳ偏光波３０−１は紙面を貫く方向に振動し、第２
の側面に対するＳ偏光波３０−２は紙面上を振動する。
従って、第２の側面に対するＳ偏光波３０−２は、この
ままでは第３の偏光ビームスプリッタ２６−３で除去す
ることができない。そこで、第２のプリズム２４−２の
直上に、１／２λ板３２を配設し、該Ｓ偏光波の振動方
向を９０°回転させる。その結果、該１／２λ板３２を
通過したＳ偏光波は、紙面を貫く方向に振動し、第３の
偏光ビームスプリッタ２６−３で撮像領域から除去され
る。
【００３８】（第３の実施例）図１０は、本発明の第３
の実施例に係る電子部品検査装置の構造を示す模式側面
図である。同図は、前述した第２の実施例の図９に対応
する図である。この第３の実施例は、第２の実施例の偏
光素子の種類と撮像カメラ２８の位置を変更した場合の
例である。
の実施例に係る電子部品検査装置の構造を示す模式側面
図である。同図は、前述した第２の実施例の図９に対応
する図である。この第３の実施例は、第２の実施例の偏
光素子の種類と撮像カメラ２８の位置を変更した場合の
例である。
【００３９】即ち、本実施例では、図９に示す第３の偏
光ビームスプリッタ２６−３を第４の偏光ビームスプリ
ッタ２６−４に置換する。この第４の偏光ビームスプリ
ッタ２６−４は、紙面上を振動する偏光波を透過させ紙
面と垂直に振動する偏光波を直角方向に反射させる素子
である。そして、１／２λ板３２を第２のプリズム２４
−２ではなく、第１のプリズム２４−１の直上に配置
し、撮像カメラ２８をこの第４の偏光ビームスプリッタ
の側面に配置する。このような配置により、Ｓ偏光波３
０−１は、１／２λ板３２によって振動方向が９０°回
転し、紙面上を振動する偏光波となる。その結果、虚像
の成分は、偏光素子２６−４を透過して、撮像カメラ２
８からはずれ、紙面と垂直に振動する虚像以外の成分が
撮像カメラ２８に導かれる。このようにして、容器側面
に映った虚像を避けた撮像が行われる。
光ビームスプリッタ２６−３を第４の偏光ビームスプリ
ッタ２６−４に置換する。この第４の偏光ビームスプリ
ッタ２６−４は、紙面上を振動する偏光波を透過させ紙
面と垂直に振動する偏光波を直角方向に反射させる素子
である。そして、１／２λ板３２を第２のプリズム２４
−２ではなく、第１のプリズム２４−１の直上に配置
し、撮像カメラ２８をこの第４の偏光ビームスプリッタ
の側面に配置する。このような配置により、Ｓ偏光波３
０−１は、１／２λ板３２によって振動方向が９０°回
転し、紙面上を振動する偏光波となる。その結果、虚像
の成分は、偏光素子２６−４を透過して、撮像カメラ２
８からはずれ、紙面と垂直に振動する虚像以外の成分が
撮像カメラ２８に導かれる。このようにして、容器側面
に映った虚像を避けた撮像が行われる。
【００４０】（第４の実施例）図１１は、本発明の第４
の実施例に係る電子部品検査装置の構造を示す模式側面
図である。同図は、前述した第１の実施例の図９に対応
する図である。この第４の実施例では、偏光フィルタを
用いて、第１の側面に対するＳ偏光波３０−１と第２の
側面に対するＳ偏光波３０−２をカットし、Ｐ偏光成分
を撮像カメラ２８に導く。本実施例で用いる偏光フィル
タ３４は、同図に示すように、紙面を貫く方向に振動す
る偏光波を除去する素子である。第２のプリズム２４−
２の直上に、１／２λ板３２を配設する点は、前述の実
施例と同様である。
の実施例に係る電子部品検査装置の構造を示す模式側面
図である。同図は、前述した第１の実施例の図９に対応
する図である。この第４の実施例では、偏光フィルタを
用いて、第１の側面に対するＳ偏光波３０−１と第２の
側面に対するＳ偏光波３０−２をカットし、Ｐ偏光成分
を撮像カメラ２８に導く。本実施例で用いる偏光フィル
タ３４は、同図に示すように、紙面を貫く方向に振動す
る偏光波を除去する素子である。第２のプリズム２４−
２の直上に、１／２λ板３２を配設する点は、前述の実
施例と同様である。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
虚像の映り込み防止に有効な電子部品検査装置を提供す
ることができる。
虚像の映り込み防止に有効な電子部品検査装置を提供す
ることができる。
【００４２】また、本発明の第１の形態によれば、側壁
面１６に映った虚像のうち、Ｐ偏光成分はブリュースタ
角に設定された撮像方向１８からはずれ、それ以外の偏
光成分は撮像手段Ｍ１２の手前で除去されるため、虚像
の映り込みが効果的に防止できる。
面１６に映った虚像のうち、Ｐ偏光成分はブリュースタ
角に設定された撮像方向１８からはずれ、それ以外の偏
光成分は撮像手段Ｍ１２の手前で除去されるため、虚像
の映り込みが効果的に防止できる。
【００４３】また、本発明の第２の形態によれば、角度
の異なる２つの側面に対してそれぞれブリュースタ角が
設定され、かつ、Ｐ偏光成分を優先的に選択する手段が
設けられるため、ＱＦＰのリード映り込みを効果的に防
止できる。
の異なる２つの側面に対してそれぞれブリュースタ角が
設定され、かつ、Ｐ偏光成分を優先的に選択する手段が
設けられるため、ＱＦＰのリード映り込みを効果的に防
止できる。
【図１】電子部品の形状検査において拡散光が発生する
現象を示す模式側面図である。
現象を示す模式側面図である。
【図２】ＱＦＰの形状検査において異なる側面に入射さ
れる２種類の偏光波の振動方向を示す模式斜視図であ
る。
れる２種類の偏光波の振動方向を示す模式斜視図であ
る。
【図３】図２に示す第１の偏光波２２−１と第２の偏光
波２２−２の波形を示す模式斜視図である。
波２２−２の波形を示す模式斜視図である。
【図４】本発明の第１の形態に係る電子部品検出装置の
構成を示す模式側面図である。
構成を示す模式側面図である。
【図５】本発明の第２の形態に係る電子部品検査装置の
構成を示す模式斜視図である。
構成を示す模式斜視図である。
【図６】本発明の第１の実施例に係る電子部品検査装置
の構造を示す斜視図である。
の構造を示す斜視図である。
【図７】図６のＶＩＩ方向から見た第１の側面に対する
Ｓ偏光波３０−１の光路と振動方向を示す模式側面図で
ある。
Ｓ偏光波３０−１の光路と振動方向を示す模式側面図で
ある。
【図８】図６のＶＩＩＩ方向から見た第２の側面に対す
るＳ偏光波３０−２の光路と振動方向を示す模式側面図
である。
るＳ偏光波３０−２の光路と振動方向を示す模式側面図
である。
【図９】本発明の第２の実施例に係る電子部品検査装置
の構造を示す模式側面図である。
の構造を示す模式側面図である。
【図１０】本発明の第３の実施例に係る電子部品検査装
置の構造を示す模式側面図である。
置の構造を示す模式側面図である。
【図１１】本発明の第４の実施例に係る電子部品検査装
置の構造を示す模式側面図である。
置の構造を示す模式側面図である。
１０…容器、１２…電子部品、１４…照明光、１６…側
壁面、１６−１…第１の側面、１６−２…第２の側面、
１８…撮像方向、１８−１…第１の方向、１８−２…第
２の方向、２０…リード、２２−１…第１の偏光波、２
２−２…第２の偏光波、２４−１…第１のプリズム、２
４−２…第２のプリズム、２６−１…第１の偏光ビーム
スプリッタ、２６−２…第２の偏光ビームスプリッタ、
２６−３…第３の偏光ビームスプリッタ、２６−４…第
４の偏光ビームスプリッタ、２８…撮像カメラ、３０−
１…第１の側面に対するＳ偏光波、３０−２…第２の側
面に対するＳ偏光波、３２…１／２λ板、３４…偏光フ
ィルタ、Ｍ１０…照明手段、Ｍ１２…撮像手段、Ｍ１４
…偏光波選択手段、Ｍ１４−１…第１の選択手段、Ｍ１
４−２…第２の選択手段、
壁面、１６−１…第１の側面、１６−２…第２の側面、
１８…撮像方向、１８−１…第１の方向、１８−２…第
２の方向、２０…リード、２２−１…第１の偏光波、２
２−２…第２の偏光波、２４−１…第１のプリズム、２
４−２…第２のプリズム、２６−１…第１の偏光ビーム
スプリッタ、２６−２…第２の偏光ビームスプリッタ、
２６−３…第３の偏光ビームスプリッタ、２６−４…第
４の偏光ビームスプリッタ、２８…撮像カメラ、３０−
１…第１の側面に対するＳ偏光波、３０−２…第２の側
面に対するＳ偏光波、３２…１／２λ板、３４…偏光フ
ィルタ、Ｍ１０…照明手段、Ｍ１２…撮像手段、Ｍ１４
…偏光波選択手段、Ｍ１４−１…第１の選択手段、Ｍ１
４−２…第２の選択手段、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宗田 昭彦 神奈川県平塚市万田1200 株式会社小松製 作所研究所内 Ｆターム(参考） 2F065 AA45 CC27 DD12 FF01 FF04 HH02 HH08 HH12 JJ03 JJ07 JJ26 LL12 LL32 LL35 LL37 PP11
Claims (2)
- 【請求項１】 容器（１０）に収容された電子部品（１
２）の外観形状を光学的に検査する電子部品検査装置で
あって、 前記電子部品に照明光（１４）を照射する照明手段（Ｍ
１０）と、 前記容器の側壁面（１６）に対してブリュースタ角を満
たす方向を撮像方向（１８）とする撮像手段（Ｍ１２）
と、 前記撮像方向上に配設され、前記側壁面に対するＰ偏光
波を優先的に選択し、該選択したＰ偏光波を前記撮像手
段に導く偏光波選択手段（Ｍ１４）とを具備する電子部
品検査装置。 - 【請求項２】 容器（１０）に収容された電子部品（１
２）の外観形状を光学的に検査する電子部品検査装置で
あって、 前記電子部品に照明光（１４）を照射する照明手段（Ｍ
１０）と、 前記容器の第１の側面（１６−１）に対してブリュース
タ角を満たす第１の方向（１８−１）および該第１の側
面と角度を有する第２の側面（１６−２）に対してブリ
ュースタ角を満たす第２の方向（１８−２）の双方を撮
像方向とする撮像手段（Ｍ１２）と、 前記第１の方向上に配設され、前記第１の側面に対する
Ｐ偏光波を優先的に選択し、該選択したＰ偏光波を前記
撮像手段に導く第１の選択手段（Ｍ１４−１）と、 前記第２の方向上に配設され、前記第２の側面に対する
Ｐ偏光波を優先的に選択し、該選択したＰ偏光波を前記
撮像手段に導く第２の選択手段（Ｍ１４−２）とを具備
する電子部品検査装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11075767A JP2000266525A (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 電子部品検査装置 |
| US09/527,448 US6683682B1 (en) | 1999-03-19 | 2000-03-17 | Electronic component inspection equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11075767A JP2000266525A (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 電子部品検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000266525A true JP2000266525A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13585703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11075767A Pending JP2000266525A (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 電子部品検査装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6683682B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000266525A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015163844A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-10 | 株式会社日立製作所 | 内面形状計測方法および装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016120535A (ja) * | 2014-12-24 | 2016-07-07 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
| JP7199241B2 (ja) * | 2019-02-07 | 2023-01-05 | 株式会社東芝 | 半導体検査システム及び半導体検査装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5844249A (en) * | 1993-12-24 | 1998-12-01 | Hoechst Aktiengesellschaft | Apparatus for detecting defects of wires on a wiring board wherein optical sensor includes a film of polymer non-linear optical material |
| US6005965A (en) * | 1997-04-07 | 1999-12-21 | Komatsu Ltd. | Inspection apparatus for semiconductor packages |
| JP3404274B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2003-05-06 | 株式会社日立製作所 | ウエハ検査装置 |
-
1999
- 1999-03-19 JP JP11075767A patent/JP2000266525A/ja active Pending
-
2000
- 2000-03-17 US US09/527,448 patent/US6683682B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015163844A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-10 | 株式会社日立製作所 | 内面形状計測方法および装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6683682B1 (en) | 2004-01-27 |
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