JP2000267140A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

液晶表示装置の製造方法

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gate bus
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crystal display
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Abstract

(57)【要約】 【課題】マスクの数を減らして製造コストを低減させる
ことができる液晶表示装置の製造方法を提供する。 【解決手段】ゲートバスライン３が形成された基板４１
上にゲート絶縁膜４３、半導体膜４５、シリコン窒化膜
４７を積層し、ゲートバスライン３をマスクとして背面
露光を行い、シリコン窒化膜４７をパターニングしてゲ
ートバスライン３に沿うチャネル保護膜４７を形成す
る。ゲートバスライン３に沿ってソース電極１７及びド
レイン電極１５を挟み込む２カ所で２つの素子分離用穴
２５、２７を開口する。素子分離用穴２５、２７に挟ま
れて他の画素領域から電気的に分離された半導体膜４５
で動作半導体膜を構成し、ゲートバスライン３の２つの
素子分離用穴間の領域でゲート電極を構成する薄膜トラ
ンジスタを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置（Ｌ
ｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）の製造
方法に関し、特に、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉ
ｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、ＴＦＴという）を
スイッチング素子として備えたアクティブマトリクス型
の液晶表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータを含むＯＡ機器等の表示装
置として用いられているアクティブマトリクス型の液晶
表示装置は、高画質のフラットパネル・ディスプレイと
して注目されている。このアクティブマトリックス型の
液晶表示装置は、縦電界方式と横電界方式の駆動方式に
大別される。縦電界方式の液晶表示パネルは、ＴＦＴ及
び画素電極が形成されたアレイ基板と共通電極が形成さ
れた対向基板との間に液晶を封入してあり、液晶層を挟
む電極間に電圧が印加されると基板面にほぼ垂直な方向
に電界が生じるようになっている。一方、横電界方式の
液晶表示パネルは、ＴＦＴおよび画素電極と共に共通電
極もアレイ基板側に形成されており、電極間に電圧が印
加されると、アレイ基板と対向基板との間に封止された
液晶層には基板面にほぼ平行な方向に電界が生じるよう
になっている。
【０００３】図１４は、縦電界方式の液晶表示パネルの
アレイ基板を液晶層側から見た基板面を示している。図
１４に示すように、基板上には図中上下方向に延びる複
数のデータバスライン（ドレインバスライン）１０１が
形成されている。また基板上には、図中左右方向に延び
る破線で示した複数のゲートバスライン１０３が形成さ
れている。これらデータバスライン１０１とゲートバス
ライン１０３とで画定される領域に画素が形成される。
そして、各データバスライン１０１とゲートバスライン
１０３との交差位置近傍にＴＦＴが形成されている。Ｔ
ＦＴのドレイン電極１１７は、図中左側に示されたデー
タバスライン１０１から引き出されて、その端部がゲー
トバスライン１０３上に形成されたチャネル保護膜１０
５上の一端辺側に位置するように形成されている。
【０００４】一方、ソース電極１１９はチャネル保護膜
１０５上の他端辺側に位置するように形成されている。
このような構成においてチャネル保護膜１０５直下のゲ
ートバスライン１０３領域が当該ＴＦＴのゲート電極と
して機能するようになっている。図示は省略している
が、ゲートバスライン１０３上にはゲート絶縁膜が形成
され、その上にチャネルを構成する動作半導体層が形成
されている。このように図１４に示すＴＦＴ構造は、ゲ
ート電極がゲートバスライン１０３から引き出されて形
成されておらず、直線状に配線されたゲートバスライン
１０３の一部をゲート電極として用いる構成になってい
る。また、画素領域ほぼ中央を左右に延びる破線で示さ
れた領域に、補助容量バスライン１１５が形成されてい
る。補助容量バスライン１１５の上層には絶縁膜を介し
て各画素毎に蓄積容量電極１０９が形成されている。ソ
ース電極１１９および蓄積容量電極１０９の上層には透
明電極からなる画素電極１１３が形成されている。画素
電極１１３は、その下方に形成した保護膜に設けられた
コンタクトホール１０７を介してソース電極１１９と電
気的に接続されている。また画素電極１１３は、コンタ
クトホール１１１を介して蓄積容量電極１０９と電気的
に接続されている。
【０００５】次に図１４に示した液晶表示装置の製造方
法について図１５乃至図２０を用いて説明する。なお図
１５乃至図２０において、図１４に示した構成要素と同
一の構成要素については同一の符号を付している。ま
た、図１５乃至図２０における（ａ）は、図１４のＭ−
Ｍ’線で切断したＴＦＴの断面を示し、（ｂ）は図１４
のＮ−Ｎ’線で切断した蓄積容量部の断面を示してい
る。
【０００６】まず図１５に示すように、透明ガラス基板
１２１上に例えばＡｌ（アルミニウム）を全面に成膜し
て厚さ約１５０ｎｍの金属層を形成する。次いで、第１
のマスクを用いてパターニングし、ゲートバスライン１
０３（図１５（ａ）参照）及び補助容量バスライン１１
５を形成する（図１５（ｂ）参照）。次に、例えばシリ
コン窒化膜（ＳｉＮ）をプラズマＣＶＤ法により基板全
面に成膜してゲート絶縁膜１２３を形成する。次に、動
作半導体膜を形成するための例えばアモルファスシリコ
ン（ａ−Ｓｉ）層１２５をプラズマＣＶＤ法により基板
全面に成膜する。さらに、チャネル保護膜を形成するた
めの例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）１２７をプラズマ
ＣＶＤ法により全面に形成する。
【０００７】次に、ゲートバスライン１０３及び補助容
量バスライン１１５をマスクとして、透明ガラス基板１
２１に対して背面露光を行い、第２のマスクを用いて、
ゲートバスライン１０３上に自己整合的にレジストパタ
ーン（図示せず）を形成し、ゲートバスライン１０３及
び補助容量バスライン１１５上に形成されたシリコン窒
化膜１２７をエッチングして、ＴＦＴ形成領域のゲート
バスライン１０３上にチャネル保護膜１０５を形成する
（図１６（ａ）、（ｂ）参照）。
【０００８】次に、図１７に示すように、オーミックコ
ンタクト層を形成するためのｎ＋ａ−Ｓｉ層１２９をプ
ラズマＣＶＤ法により全面に形成する。次いで、ドレイ
ン電極１１５、ソース電極１１９、蓄積容量電極１０
９、及びデータバスライン１０１を形成するための金属
（例えばＣｒ）層１３１をスパッタリングにより成膜す
る。
【０００９】次に、図１８に示すように、第３のマスク
を用いて、金属層１３１、ｎ＋ａ−Ｓｉ層１２９、アモ
ルファスシリコン層１２５をパターニングし、データバ
スライン１０１（図１８では図示せず）、ドレイン電極
１１７、ソース電極１１９、蓄積容量電極１０９、及び
動作半導体層１０６を形成する。このパターニングにお
けるエッチング処理において、チャネル保護膜１０５は
エッチングストッパーとして機能し、その下層のアモル
ファスシリコン層１２５はエッチングされずに残存す
る。
【００１０】次に、図１９に示すように例えばシリコン
窒化膜からなる保護膜１３３をプラズマＣＶＤ法にて形
成する。次いで、第４のマスクを用いて保護膜１３３を
パターニングし、ソース電極１１９及び蓄積容量電極１
０９上の保護膜１３３を開口して、ソース電極１１９上
にコンタクトホール１０７を形成し、蓄積容量電極１０
９上にコンタクトホール１１１を形成する。
【００１１】次に、図２０に示すように、透明ガラス基
板１２１全面に例えばＩＴＯからなる画素電極材１３５
を成膜する。次いで、第５のマスクを用いて画素電極材
１３５をパターニングし、図１４に示すような所定形状
の画素電極１１３を形成する。また、画素電極１１３は
コンタクトホール１０７を介してソース電極１１９と電
気的に接続され、またコンタクトホール１１１を介して
蓄積容量電極１０９と電気的に接続される。以上説明し
た工程を経て図１４に示したような縦電界方式の液晶表
示装置が完成する。
【００１２】次に、横電界方式の液晶表示パネルの構成
を図２１及び図２２を用いて説明する。図２１は横電界
方式の液晶表示パネルのアレイ基板を液晶層側から見た
基板平面を示している。図２１に示すように、基板上に
は図中上下方向に延びる複数のデータバスライン１０１
（図２１では１本のみ図示している）が形成されてい
る。また基板上には、データバスライン１０１に直交し
て図中左右方向に延びる複数のゲートバスライン１０３
（図２１では１本のみ図示している）が形成されてい
る。これらデータバスライン１０１とゲートバスライン
１０３とで画定される領域が画素領域である。そして、
各データバスライン１０１とゲートバスライン１０３と
の交差位置近傍にＴＦＴが形成されている。ＴＦＴのド
レイン電極１１７は、データバスライン１０１から引き
出されて、その端部がゲートバスライン１０３上に形成
されたチャネル保護膜１０５上の一端辺側に位置するよ
うに形成されている。ソース電極を兼ねる画素電極１４
１の一端部は、ドレイン電極１１７に対向するようにチ
ャネル保護膜１０５上の他端辺側に形成されている。こ
のような構成においてチャネル保護膜１０５直下のゲー
トバスライン１０３領域が当該ＴＦＴのゲート電極とし
て機能するようになっている。図示は省略しているが、
ゲートバスライン１０３上にはゲート絶縁膜が形成さ
れ、ゲート絶縁膜と上層のチャネル保護膜１０５との間
にチャネルを構成する動作半導体層が形成されている。
【００１３】図２１に示すＴＦＴ構造は、ゲート電極が
ゲートバスライン１０３から引き出されて形成されてお
らず、直線状に延びるゲートバスライン１０３の一部を
ゲート電極として用いる構成になっている。また、ソー
ス電極を兼ねる画素電極１４１は図中上方から下方に延
びる櫛歯状に形成された構造をしている。また、基板上
の画素領域内には、この櫛歯状の画素電極１４１にかみ
合うように対向して下方から上方に延びる櫛歯状に成形
された対向電極１４３が形成されている。
【００１４】図２２は、図２１のＰ−Ｐ’線で切断した
横電界方式の液晶表示パネルの断面を模式的に示してい
る。アレイ基板である透明ガラス基板１４７と、基板１
４７に所定のセルギャップで対向する透明ガラス基板１
６３との間に液晶１５５が封止されている。アレイ基板
は光入射側から順に偏光板１４５、透明ガラス基板１４
７、下地絶縁膜１４９、画素電極１４１及び対向電極１
４３、保護膜１５１、配向膜１５３が形成されている。
一方、対向基板は、光射出側から順に偏光板１６５、透
明ガラス基板１６３、カラーフィルタ１６１、配向膜１
５９が形成されている。
【００１５】この横電界方式の液晶表示パネルの製造方
法は、縦電界方式の液晶表示パネルの製造方法と殆ど変
わるところはないが、横電界方式の場合、１枚のマスク
を用いたパターニングで、データバスライン１０１、ド
レイン電極１１７、ソース電極を兼ねる画素電極１４
１、さらに対向電極１４３を形成できる点が異なってい
る。従って、縦電界方式の液晶表示パネルのアレイ基板
を製造するには上述の図１５乃至図２０を用いて説明し
たように５枚のマスクを必要としたのに対して、横電界
方式の液晶表示パネルのアレイ基板を製造するには、４
枚のマスクで済むようになる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、アクティブ
・マトリクス型の液晶表示装置の普及に伴い、低価格で
安定した液晶表示装置を市場に供給するには、製造コス
トの削減が重要な課題となってきている。製造コストを
低減させるには、第１に液晶表示装置の製造歩留りを改
善することが強く求められる。第２には液晶表示装置の
製造におけるスループットを向上させることも必要であ
る。そのためには、製造工程の簡素化を図ると共に、従
来に増して高度な成膜工程やフォトリソグラフィ工程が
要求されるが、高性能の製造設備を導入することにより
却ってコスト増になりかねないという問題を有してい
る。さらに現状の製造方法では、近年の液晶表示装置の
高精細化、大画面化の要求の前では、製造歩留まりやス
ループットを飛躍的に向上させるには限度がある。ま
た、半導体装置の製造と比較して液晶表示装置の製造に
おいては、フォトリソグラフィ工程で使用するマスクの
作製費用が高くつくため、製造コスト上の課題となって
いるが、液晶表示装置の高精細化、大画面化の要求の前
では、目をつぶらざるを得ないという問題を有してい
る。
【００１７】本発明の目的は、製造コストを低減させる
ことができる液晶表示装置の製造方法を提供することに
ある。
【００１８】また本発明の目的は、フォトリソグラフィ
工程で使用するマスクの数を低減させることができる液
晶表示装置の製造方法を提供することにある。
【００１９】さらに本発明の目的は、製造工程を簡素化
し且つスループットを向上させることができる液晶表示
装置の製造方法を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記目的は、基板及び基
板上に形成したゲートバスライン上に、ゲート絶縁膜、
半導体膜、第１の絶縁膜をこの順に積層し、ゲートバス
ラインをマスクとして背面露光を行い、第１の絶縁膜を
パターニングしてゲートバスラインに沿うチャネル保護
膜を形成し、チャネル保護膜を介して対向するソース電
極及びドレイン電極を画素領域毎に形成し、ゲートバス
ラインに沿ってソース電極及びドレイン電極を挟み込む
２カ所で、ゲートバスライン上の少なくともチャネル保
護膜及び半導体膜をエッチング除去して２つの素子分離
用穴を開口し、当該２つの素子分離用穴に挟まれて他の
画素領域から電気的に分離された半導体膜で動作半導体
膜を構成し、ゲートバスラインの当該２つの素子分離用
穴間の領域でゲート電極を構成する薄膜トランジスタを
形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法によ
って達成される。
【００２１】また、本発明の液晶表示装置の製造方法に
おいて、前記ゲートバスラインの形成と同時に蓄積容量
線を形成し、蓄積容量線をマスクとして背面露光を行
い、第１の絶縁膜をパターニングして蓄積容量線に沿う
保護膜を形成し、保護膜を介して蓄積容量線上に蓄積容
量電極を形成し、蓄積容量線に沿う画素領域内の２カ所
で少なくとも護膜及び半導体膜をエッチング除去して２
つの素子分離用穴を開口し、当該２つの素子分離用穴に
挟まれて他の画素領域から電気的に分離された蓄積容量
部を形成することを特徴とする。
【００２２】また、本発明の液晶表示装置の製造方法に
おいて、前記ゲートバスラインの端子部又は前記蓄積容
量線の端子部近傍に、さらに素子分離用穴を形成するこ
とを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態による
液晶表示装置の製造方法を図１乃至図７を用いて説明す
る。本実施の形態では縦電界方式の液晶表示パネルの製
造方法について説明する。初めに本実施の形態により製
造された縦電界方式の液晶表示パネルの概略の構成を図
１を用いて説明する。図１は縦電界方式の液晶表示パネ
ルのアレイ基板を液晶層側から見た基板平面を示してい
る。また、図１では、画素領域の図示と共に、ゲートバ
スライン、データバスライン、及び補助容量バスライン
の各端子部を途中の図示を省略して示している。
【００２４】図１に示すように、基板上には図中上下方
向に延びる複数のデータバスライン１（図１では２本の
み図示している）が形成されている。また基板上には、
データバスライン１に直交して図中左右方向に延びる破
線で示された複数のゲートバスライン３（図１では１本
のみ図示している）が形成されている。これらデータバ
スライン１とゲートバスライン３とで画定される領域が
画素領域である。そして、各データバスライン１とゲー
トバスライン３との交差位置近傍にＴＦＴが形成されて
いる。ＴＦＴのドレイン電極１５は、図中左側のデータ
バスライン１から引き出されて、その端部がゲートバス
ライン３上に形成されたチャネル保護膜４７上の一端辺
側に位置するように形成されている。チャネル保護膜４
７は、ドレイン電極１５を挟んでゲートバスライン３上
に開口された２つの素子分離用穴２５、２７で他の領域
から画定されている。ソース電極１７は、ドレイン電極
１５に対向するようにチャネル保護膜４７上の他端辺側
に形成されている。このような構成においてチャネル保
護膜４７直下のゲートバスライン３領域が当該ＴＦＴの
ゲート電極として機能するようになっている。図示は省
略しているが、ゲートバスライン３上にはゲート絶縁膜
が形成され、ゲート絶縁膜と上層のチャネル保護膜４７
との間にはチャネルを構成する動作半導体層が形成され
ている。
【００２５】２つの素子分離用穴２５、２７はゲートバ
スライン３を完全に横切る長さを有するスリット状開口
を有し、開口底部にゲートバスライン３が露出する深さ
を有している。従って、ゲートバスライン３上方にゲー
トバスライン３に沿って半導体層が形成されているが、
この２つの素子分離用穴２５、２７により画定された動
作半導体層は隣接する他の画素のＴＦＴの動作半導体層
から電気的に分離されている。図１に示すＴＦＴ構造
は、ゲート電極がゲートバスライン３から引き出されて
形成されておらず、直線状に配線されたゲートバスライ
ン３の一部をゲート電極として用いる構成になってい
る。
【００２６】また、画素領域ほぼ中央を左右に延びる破
線で示された領域に、補助容量バスライン９が形成され
ている。画素領域内の補助容量バスライン９の上層には
絶縁膜（図示せず）を介して蓄積容量電極７が形成され
ている。また、補助容量バスライン９上層の絶縁膜と蓄
積容量電極７との間には補助容量バスライン９に沿って
半導体層（図示せず）が形成されている。この半導体層
は、画素電極１９とデータバスライン１との間に設けら
れた素子分離用穴３３、３５で画定されて、隣接する画
素に形成された蓄積容量部（図示せず）と電気的に分離
されている。２つの素子分離用穴３３、３５は補助容量
バスライン９を完全に横切るスリット状開口を有し、開
口底部に補助容量バスライン９が露出する深さを有して
いる。従って、この２つの素子分離用穴３３、３５によ
り画定された半導体層を有する蓄積容量部は隣接する他
の画素に設けられた蓄積容量部から電気的に分離されて
いる。
【００２７】ソース電極１７および蓄積容量電極７の上
層には透明電極からなる画素電極１９が形成されてい
る。画素電極１９は、その下層に形成した保護膜（図示
せず）に形成されたコンタクトホール１７を介してソー
ス電極１５と電気的に接続されている。また画素電極１
９は、コンタクトホール２３を介して蓄積容量電極７と
電気的に接続されている。
【００２８】データバスライン１の一端部には外部の素
子と電気的な接続を行うためのデータバスライン端子５
が設けられている。同様に、ゲートバスライン３の一端
部にはゲートバスライン端子１１が設けられている。ま
た、補助容量バスライン９の一端部にも外部との電気的
な接続を行うための補助容量バスライン端子１３が設け
られている。これらの端子のうち、ゲートバスライン端
子１１近傍には、ゲートバスライン１１を完全に横切る
スリット状開口を有し、開口底部にゲートバスライン３
が露出する深さを有する素子分離用穴３１が形成されて
いる。この素子分離用穴３１により、ゲートバスライン
１１に沿って形成されている半導体層を切断して、端子
１１に形成された半導体層と端子１１に隣接する画素の
ＴＦＴの動作半導体層とを電気的に分離している。ま
た、補助容量バスライン端子１３近傍にも、補助容量バ
スライン端子１３を完全に横切るスリット状開口を有
し、開口底部に補助容量バスライン９が露出する深さを
有する素子分離用穴３７が形成されている。この素子分
離用穴３７により、補助容量バスライン１３に沿って形
成されている半導体層を切断して、端子１３に形成され
た半導体層と端子１３に隣接する画素の蓄積容量部の半
導体層とを電気的に分離している。
【００２９】次に、図１に示した液晶表示装置の製造方
法について図２乃至図７を用いて説明する。なお、図２
乃至図７において、図１に示した構成要素と同一の構成
要素については同一の符号を付している。ここで、図２
乃至図７における（ａ）は、図１のＡ−Ａ’線で切断し
たデータバスライン端子５の断面を示し、（ｂ）は図１
のＢ−Ｂ’線で切断したＴＦＴの断面を示している。ま
た、（ｃ）は図１のＣ−Ｃ’線で切断した蓄積容量部の
断面を示し、（ｄ）は図１のＤ−Ｄ’線及びＥ−Ｅ’線
で切断したゲートバスライン端子１１および補助容量バ
スライン端子１３の断面を示している。これら端子１
１、１３の積層構造は同一であるので１つにまとめて図
示している。また、（ｅ）は図１のＦ−Ｆ’線で切断し
たＴＦＴのゲートバスライン３に平行な方向の断面を示
し、（ｆ）は図１のＧ−Ｇ’線で切断にした蓄積容量部
の補助容量バスライン９に平行な方向の断面を示してい
る。
【００３０】さて、図２に示すように、透明なガラス基
板４１上に例えばＡｌ（アルミニウム）およびＴｉ（チ
タン）をこの順にスパッタリングにより全面に成膜し、
厚さ約１５０ｎｍの金属層を形成する。次いで、第１の
マスク（フォトマスクあるいはレチクル、以下マスクと
いう）を用いてパターニングし、ゲートバスライン３
（図２（ｂ）、（ｅ）参照）及び補助容量バスライン９
（図２（ｃ）、（ｆ）参照）、並びにゲートバスライン
端子１１及び補助容量バスライン端子１３（図２（ｄ）
参照）を形成する。次いで、例えばシリコン窒化膜（Ｓ
ｉＮ）をプラズマＣＶＤ法により約４００ｎｍの厚さで
基板全面に成膜してゲート絶縁膜（成膜の部位により層
間絶縁膜；以下、成膜部位によりゲート絶縁膜又は絶縁
膜という）４３を形成する。次に、動作半導体膜４５を
形成するための例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓ
ｉ）層４５’をプラズマＣＶＤ法により約１５ｎｍの厚
さで基板全面に成膜する。さらに、チャネル保護膜４７
を形成するための例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）４
７’をプラズマＣＶＤ法により約１２０ｎｍの膜厚で全
面に形成する。
【００３１】次に、スピンコート等により全面にフォト
レジスト（図示せず）を塗布した後、ゲートバスライン
３及び補助容量バスライン９をマスクとして、透明ガラ
ス基板４１に対して背面露光を行う。露光された領域の
レジスト層を溶解することにより、ゲートバスライン３
及び補助容量バスライン９並びにゲートバスライン端子
１１及び補助容量バスライン端子１３上に自己整合的に
レジストパターン（図示せず）が形成される。このレジ
ストパターンをエッチングマスクとしてシリコン窒化膜
４７’に対してドライエッチングを施すことによりチャ
ネル保護膜（成膜の部位によっては層間絶縁膜となる；
以下、チャネル保護膜又はシリコン窒化膜という）４７
が形成される（図３参照）。
【００３２】図３に示すように、チャネル保護膜４７は
ゲートバスライン３及び補助容量バスライン９並びにゲ
ートバスライン端子１１及び補助容量バスライン端子１
３上に形成される。この段階では、動作半導体層４５を
形成するためのアモルファスシリコン層４５’は基板全
面に存在している。
【００３３】次に、図４に示すように、オーミックコン
タクト層４９を形成するための例えばｎ＋ａ−Ｓｉ層４
９’をプラズマＣＶＤ法により約３０ｎｍの厚さに透明
ガラス基板４１全面に形成する。次いで、ドレイン電極
１５、ソース電極１７、蓄積容量電極７、及びデータバ
スライン１を形成するための例えばクロム（Ｃｒ）から
なる金属層５１をスパッタリングにより約１７０ｎｍの
厚さに成膜する。金属層５１は、クロム以外にも、例え
ば、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン
（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）等を用いることがで
き、あるいはそれらの複合膜、またあるいはＴｉ／Ａｌ
／Ｔｉ等の複合膜を用いることができる。
【００３４】次に、基板全面にフォトレジスト層（図示
せず）を形成し、第２のマスクを用いてレジストを露光
した後現像してレジスト層をパターニングする。パター
ニングされたレジスト層をエッチングマスク（図示せ
ず）として、金属層５１、ｎ＋ａ−Ｓｉ層４９’、アモ
ルファスシリコン層４５’に対してエッチング処理を施
して、図５に示すように、データバスライン１、データ
バスライン端子５、ドレイン電極１５、ソース電極１
７、蓄積容量電極７、及びコンタクト層４９並びに動作
半導体層４５を形成する。このエッチング処理におい
て、チャネル保護膜４７はエッチングストッパーとして
機能するので、その下層のアモルファスシリコン層４
５’はエッチングされずに残存して所望の動作半導体層
４５が形成される。
【００３５】以上の工程が終了すると、図５（ａ）に示
すように、データバスライン端子５には、アモルファス
シリコン層４５’、ｎ＋ａ−Ｓｉ層４９’、金属層５１
がこの順に積層された構造が形成される。また、図５
（ｂ）、（ｅ）に示すように、ゲートバスライン３上に
ゲート絶縁膜４３を介して動作半導体層４５が形成さ
れ、動作半導体層４５上にチャネル保護膜４７、及びド
レイン電極１５、ソース電極１７を備えたＴＦＴ構造の
原型が形成される。ドレイン電極１５及びソース電極１
７は、コンタクト層４９、金属層５１がこの順に積層さ
れた構造として形成される。また、図５（ｃ）、（ｆ）
に示すように、補助容量バスライン９上に絶縁膜４３を
介してアモルファスシリコン層４５’が形成され、その
上にチャネル保護膜と同一のシリコン窒化膜４７を介し
てｎ＋ａ−Ｓｉ層４９’、金属層５１がこの順に積層さ
れた蓄積容量電極７が形成されている。蓄積容量電極７
の幅はシリコン窒化膜４７の幅より大きく形成されてお
り、この領域に後程コンタクトホール２３が形成され
る。また図５（ｆ）に示すように、隣り合うデータバス
ライン１間の画素領域内のシリコン窒化膜４７上にｎ＋
ａ−Ｓｉ層４９’及び金属層５１による蓄積容量電極７
が形成されている。
【００３６】また、図５（ｄ）に示すように、ゲートバ
スライン端子１１および補助容量バスライン端子１３上
に絶縁膜４３を介してアモルファスシリコン層４５’及
びシリコン窒化膜４７がこの順に積層されている。
【００３７】図５（ａ）〜（ｆ）から明らかなように、
この段階において、動作半導体層（アモルファスシリコ
ン層）４５は、ゲートバスライン３上の全面及び補助容
量バスライン９上の全面、さらにゲートバスライン端子
１１および補助容量バスライン端子１３上に残存してい
る。
【００３８】次に、図６に示すように例えばシリコン窒
化膜からなる保護膜５３をプラズマＣＶＤ法にて約３０
０ｎｍの厚さに形成する。次いで、基板全面にフォトレ
ジスト層（図示せず）を形成し、第３のマスクを用いて
レジストを露光した後現像してレジスト層（図示せず）
をパターニングする。パターニングされたレジスト層を
エッチングマスクとして保護膜５３をエッチングし、デ
ータバスライン端子５のパッド用窓５５、ゲートバスラ
イン端子１１のパッド用窓５７、及び補助容量バスライ
ン端子１３のパッド用窓５７を開口する（図６（ａ）、
（ｄ）参照）。これらのパッド用窓５５、５７を介して
外部の駆動回路からの信号が液晶表示装置内に伝送され
る。また、エッチングマスクを用いて窓５３、５７の開
口と同時にソース電極１７及び蓄積容量電極７上の保護
膜５３もエッチング除去し、ソース電極１７上にコンタ
クトホール２１を形成し、また蓄積容量電極７上にはコ
ンタクトホール２３を形成する。
【００３９】さらに図１及び図６（ｅ）に示すように、
素子分離用穴２５乃至３１の形成領域の保護膜５３を当
該エッチングマスクによりエッチング除去し、続いてチ
ャネル保護膜（シリコン窒化膜）４７、アモルファスシ
リコン層４５’、及び絶縁膜４３を除去して底部にゲー
トバスライン３が露出するまでエッチングを行い、素子
分離用穴２５乃至３１を形成する。既に図１を用いて説
明したが、素子分離用穴２５乃至３１は、ゲートバスラ
イン３の幅より長い幅を有しゲートバスライン３を完全
に横切るスリット状開口を有するように形成される。こ
の素子分離用穴２５乃至３１を形成することにより、ゲ
ートバスライン３に沿って各画素間で接続されていた動
作半導体層４５が切断され、各画素間のＴＦＴが電気的
に分離される。また、ゲートバスライン３上で端子１１
と隣接する画素のＴＦＴの動作半導体層４５と当該端子
１１のアモルファスシリコン層４５’とを電気的に分離
することができるようになる。
【００４０】また同時に、図１及び図６（ｆ）に示すよ
うに、素子分離用穴３３乃至３９の形成領域の保護膜５
３を当該エッチングマスクによりエッチング除去し、続
いてチャネル保護膜（シリコン窒化膜）４７、アモルフ
ァスシリコン層４５’、及び絶縁膜４３を除去して底部
に補助容量バスライン９が露出するまでエッチングを行
い、素子分離用穴３３乃至３９を形成する。素子分離用
穴３３乃至３９は、補助容量バスライン９の幅より長い
幅を有し補助容量バスライン９を完全に横切るスリット
状開口を有するように形成される。この素子分離用穴３
３乃至３９を形成することにより、補助容量バスライン
９に沿って各画素間で接続されていたアモルファスシリ
コン層４５’を含む蓄積容量電極７が切断され、各画素
間の蓄積容量部を電気的に分離することができる。ま
た、補助容量バスライン９上で端子１３に隣接する画素
の蓄積容量部と端子１３とを電気的に分離することがで
きるようになる。
【００４１】以上の処理を行う工程でのドライエッチン
グの条件は、ＲＦ電力は例えば６００Ｗ、圧力は例えば
８．０Ｐａである。またエッチャントとしては、保護膜
５３、チャネル保護膜（シリコン窒化膜）４７、アモル
ファスシリコン層４５、及び絶縁膜４３を溶解すること
ができるフッ素系材料が用いられる。例えば、ＳＦ６：
１５０Ｓｃｃｍ、Ｏ２：２５０Ｓｃｃｍにおいて、エッ
チング時間約１６０秒である。
【００４２】次に、図７に示すように、透明ガラス基板
４１全面に例えばＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサ
イド）からなる画素電極材５９を成膜する。この画素電
極材５９の膜厚は、約７０ｎｍである。次いで、第４の
マスクを用いて画素電極材５９をパターニングし、図１
に示すような所定形状の画素電極１９を形成すると共
に、各端子の窓５５及び５７に所定のパッドを形成する
（図７（ａ）、（ｄ）参照）。また、画素電極１９はコ
ンタクトホール２１を介してソース電極１７と電気的に
接続され、またコンタクトホール２３を介して蓄積容量
電極７と電気的に接続される（図７（ｂ）、（ｃ）参
照）。以上説明した工程を経て図１に示したような本実
施の形態における縦電界方式の液晶表示装置のアレイ基
板が完成する。
【００４３】このように本実施の形態による液晶表示装
置の製造方法によれば、縦電界方式の液晶表示装置の製
造において、アレイ基板の製造に従来５枚必要であった
マスクを１枚少なくして４枚にすることができるように
なる。従って、マスク作製に要する費用を軽減すること
ができ、またフォトリソグラフィ工程を１つ減らすこと
ができるようになるので、素子素子製造のコストを低減
させることができるようになると共に、素子製造のスル
ープットを向上させることもできるようになる。
【００４４】次に、本発明の第２の実施の形態による液
晶表示装置の製造方法を図８乃至図１３を用いて説明す
る。本実施の形態では横電界方式の液晶表示パネルの製
造方法について説明する。初めに本実施の形態により製
造された横電界方式の液晶表示パネルの概略の構成を図
８を用いて説明する。図８は横電界方式の液晶表示パネ
ルのアレイ基板を液晶層側から見た基板平面を示してい
る。図８では、画素領域の図示と共に、ゲートバスライ
ン及びデータバスラインの各端子部を途中の図示を省略
して示している。
【００４５】図８に示すように、基板上には図中上下方
向に延びる複数のデータバスライン６１（図８では１本
のみ図示している）が形成されている。また基板上に
は、データバスライン６１に直交して図中左右方向に延
びる複数のゲートバスライン６３（図８では１本のみ図
示している）が形成されている。これらデータバスライ
ン６１とゲートバスライン６３とで画定される領域が画
素領域である。そして、各データバスライン６１とゲー
トバスライン６３との交差位置近傍にＴＦＴが形成され
ている。ＴＦＴのドレイン電極６５は、データバスライ
ン６１から引き出されて、その端部がゲートバスライン
６３上に形成されたチャネル保護膜８５上の一端辺側に
位置するように形成されている。チャネル保護膜８５
は、ドレイン電極６５を挟んでゲートバスライン６３上
に開口された２つの素子分離用穴７５、７７で他の領域
から画定されている。ソース電極６７は、ドレイン電極
６５に対向するようにチャネル保護膜８５上の他端辺側
に形成されている。このような構成においてチャネル保
護膜８５直下のゲートバスライン６３領域が当該ＴＦＴ
のゲート電極として機能するようになっている。図示は
省略しているが、ゲートバスライン６３上にはゲート絶
縁膜が形成され、ゲート絶縁膜と上層のチャネル保護膜
８５との間にチャネルを構成する動作半導体層が形成さ
れている。
【００４６】２つの素子分離用穴７５、７７はゲートバ
スライン６３を完全に横切る長さを有するスリット状開
口を有し、開口底部にゲートバスライン６３が露出する
深さを有している。従って、ゲートバスライン６３上方
にゲートバスライン６３に沿って半導体層が形成されて
いるが、この２つの素子分離用穴７５、７７により画定
された動作半導体層は隣接する他の画素のＴＦＴの動作
半導体層から電気的に隔離されている。図８に示すＴＦ
Ｔ構造は、ゲート電極がゲートバスライン６３から引き
出されて形成されておらず、直線形状に形成されたゲー
トバスライン６３の一部をゲート電極として用いる構成
になっている。また、ソース電極６７は画素領域内に直
接引き回されて、図中上方から下方に延びる櫛歯状に形
成された画素電極６７’を構成している。基板上の画素
領域内には、この櫛歯状の画素電極６７’にかみ合うよ
うに対向して図中下方から上方に延びる櫛歯状に成形さ
れた対向電極６９が形成されている。
【００４７】また、データバスライン６１の一端部には
外部の素子と電気的な接続を行うためのデータバスライ
ン端子７１が設けられている。同様に、ゲートバスライ
ン６３の一端部にはゲートバスライン端子７３が設けら
れている。
【００４８】次に、図８に示した液晶表示装置の製造方
法について図９乃至図１３を用いて説明する。なお、図
９乃至図１３において、図８に示した構成要素と同一の
構成要素については同一の符号を付している。ここで、
図９乃至図１３における（ａ）は、図８のＫ−Ｋ’線で
切断したデータバスライン端子７１の断面を示し、
（ｂ）は図１のＨ−Ｈ’線で切断したＴＦＴの断面を示
している。また、（ｃ）は図８のＩ−Ｉ’線で切断した
対向電極６９の断面を示し、（ｄ）は図８のＪ−Ｊ’線
で切断したゲートバスライン端子７３の断面を示してい
る。また、（ｅ）は図８のＬ−Ｌ’線で切断したＴＦＴ
のゲートバスライン６３に平行な方向の断面を示してい
る。
【００４９】さて、図９に示すように、透明なガラス基
板７９上に例えばＡｌ（アルミニウム）およびＴｉ（チ
タン）をこの順にスパッタリングにより全面に成膜し、
厚さ約１５０ｎｍの金属層を形成する。次いで、第１の
マスクを用いてパターニングし、ゲートバスライン６３
（図９（ｂ）、（ｅ）参照）及びゲートバスライン端子
７３（図９（ｄ）参照）を形成する。次いで、例えばシ
リコン窒化膜（ＳｉＮ）をプラズマＣＶＤ法により約４
００ｎｍの厚さで基板全面に成膜してゲート絶縁膜（成
膜の部位により層間絶縁膜；以下、成膜部位によりゲー
ト絶縁膜又は絶縁膜という）８１を形成する。次に、動
作半導体膜８３を形成するための例えばアモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉ）層８３’をプラズマＣＶＤ法により
約１５ｎｍの厚さで基板全面に成膜する。さらに、チャ
ネル保護膜８５を形成するための例えばシリコン窒化膜
（ＳｉＮ）８５’をプラズマＣＶＤ法により約１２０ｎ
ｍの膜厚で全面に形成する。
【００５０】次に、スピンコート等により全面にフォト
レジストを塗布した後、ゲートバスライン６３をマスク
として、透明ガラス基板７９に対して背面露光を行う。
露光された領域のレジスト層（図示せず）を溶解するこ
とにより、ゲートバスライン６３及びゲートバスライン
端子７３上に自己整合的にレジストパターンが形成され
る。このレジストパターン（図示せず）をエッチングマ
スクとしてシリコン窒化膜８５’に対してドライエッチ
ングを施すことによりチャネル保護膜（成膜の部位によ
っては層間絶縁膜となる；以下、チャネル保護膜又はシ
リコン窒化膜という）８５が形成される（図１０参
照）。
【００５１】図１０に示すように、チャネル保護膜８５
はゲートバスライン６３及びゲートバスライン端子７３
上に形成される。この段階では、動作半導体層８３を形
成するためのアモルファスシリコン層８３’は基板全面
に存在している。
【００５２】次に、図１１に示すように、オーミックコ
ンタクト層８７を形成するための例えばｎ＋ａ−Ｓｉ層
９７’をプラズマＣＶＤ法により約３０ｎｍの厚さに透
明ガラス基板７９全面に形成する。次いで、ドレイン電
極６５、ソース電極６７及び画素電極６７’、そして対
向電極６９、及びデータバスライン６１を形成するため
の例えばクロム（Ｃｒ）からなる金属層８９をスパッタ
リングにより約１１０〜１７０ｎｍの厚さに成膜する。
金属層８９は、クロム以外にも、例えば、モリブデン
（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、アルミ
ニウム（Ａｌ）等を用いることができ、あるいはそれら
の複合膜、またあるいはＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ等の複合膜を
用いることができる。
【００５３】次に、基板全面にフォトレジスト層を形成
し、第２のマスクを用いてレジストを露光した後現像し
てレジスト層をパターニングする。パターニングされた
レジスト層（図示せず）をエッチングマスクとして、金
属層８９、ｎ＋ａ−Ｓｉ層８７’、アモルファスシリコ
ン層８３’に対してエッチング処理を施して、図１２に
示すように、データバスライン６１、データバスライン
端子７１、ドレイン電極６５、ソース電極６７、画素電
極６７’、対向電極６９、及び動作半導体層８３を形成
する。このエッチング処理において、チャネル保護膜８
５はエッチングストッパーとして機能するので、その下
層のアモルファスシリコン層８３’はエッチングされず
に残存して所望の動作半導体層８３が形成される。
【００５４】以上の工程が終了すると、図１２（ａ）に
示すように、データバスライン端子７１として、アモル
ファスシリコン層８３’、ｎ＋ａ−Ｓｉ層８７’、金属
層８９がこの順に積層された構造が形成される。また、
図１２（ｂ）、（ｅ）に示すように、ゲートバスライン
６３上にゲート絶縁膜８１を介して動作半導体層８３が
形成され、動作半導体層８３上にチャネル保護膜８５、
及びドレイン電極６５、ソース電極６７を備えたＴＦＴ
構造が形成される。また、図１２には図示していない
が、同時に画素電極６７’も形成されている。ドレイン
電極６５、ソース電極６７、及び画素電極６７’の領域
は、アモルファスシリコン層８３’、コンタクト層８
７、金属層８９がこの順に積層された構造となってい
る。また、図１２（ｃ）に示すように、アモルファスシ
リコン層８３’上にｎ＋ａ−Ｓｉ層８７’、金属層８９
がこの順に積層された対向電極６９が形成されている。
【００５５】また、図１２（ｄ）に示すように、ゲート
バスライン端子７３上に絶縁膜８１を介してアモルファ
スシリコン層８３’及びシリコン窒化膜８５がこの順に
積層されている。
【００５６】図１２（ａ）〜（ｅ）から明らかなよう
に、この段階において、動作半導体層（アモルファスシ
リコン層）４５は、ゲートバスライン６３上部の全面及
び端子７３上部に残存している。
【００５７】次に、図１３に示すように例えばシリコン
窒化膜からなる保護膜９１をプラズマＣＶＤ法にて約３
００ｎｍの厚さに形成する。次いで、基板全面にフォト
レジスト層を形成し、第３のマスクを用いてレジストを
露光した後現像してレジスト層（図示せず）をパターニ
ングする。パターニングされたレジスト層をエッチング
マスクとして保護膜９１をエッチングし、データバスラ
イン端子７１のパッド用窓９５、ゲートバスライン端子
７３のパッド用窓９３を開口する（図１３（ａ）、
（ｄ）参照）。これらのパッド用窓９５、９３を介して
外部の駆動回路からの信号が液晶表示装置内に伝送され
る。
【００５８】このパターニングにおいて同時に、図１及
び図１２（ｅ）に示すように、素子分離用穴７５、７７
の形成領域の保護膜９１を当該エッチングマスクにより
エッチング除去し、続いてチャネル保護膜（シリコン窒
化膜）８５、アモルファスシリコン層８３’、及び絶縁
膜８１を除去して底部にゲートバスライン６３が露出す
るまでエッチングを行い、素子分離用穴７５、７７を形
成する。既に図８を用いて説明したが、素子分離用穴７
５、７７は、ゲートバスライン６３の幅より長い幅を有
しゲートバスライン６３を完全に横切るスリット状開口
を有するように形成される。この素子分離用穴７５、７
７を形成することにより、ゲートバスライン６３に沿っ
て各画素間で接続されていた動作半導体層８３が切断さ
れ、各画素間のＴＦＴが電気的に分離される。また、ゲ
ートバスライン６３上で端子７３のアモルファスシリコ
ン層８３’と端子に隣り合う素子のＴＦＴの動作半導体
層８３とを電気的に分離することができるようになる。
【００５９】以上の処理を行う工程でのドライエッチン
グの条件は、ＲＦ電力は例えば６００Ｗ、圧力は例えば
８．０Ｐａである。またエッチャントとしては、保護膜
９１、チャネル保護膜（シリコン窒化膜）８５、アモル
ファスシリコン層８３、及び絶縁膜８１を溶解すること
ができるフッ素系材料が用いられる。例えば、ＳＦ６：
１５０Ｓｃｃｍ、Ｏ２：２５０Ｓｃｃｍにおいて、エッ
チング時間約１６０秒である。
【００６０】以上説明した工程を経て図８に示したよう
な本実施の形態における横電界方式の液晶表示装置のア
レイ基板が完成する。
【００６１】このように本実施の形態による液晶表示装
置の製造方法によれば、横電界方式の液晶表示装置の製
造においてアレイ基板の製造に従来４枚必要であったマ
スクを１枚少なくして３枚にすることができるようにな
る。従って、マスク作製に要する費用を軽減することが
でき、またフォトリソグラフィ工程を１つ減らすことが
できるようになるので、素子素子製造のコストを低減さ
せることができるようになると共に、素子製造のスルー
プットを向上させることもできるようになる。
【００６２】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、フォトリ
ソグラフィ工程で使用するマスクの数を低減させて製造
コストを低減させることができるようになる。また本発
明によれば、製造工程を簡素化し且つスループットを向
上させることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
の製造方法で製造した縦電界方式の液晶表示パネルのア
レイ基板を示す平面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
の製造方法を説明する基板断面図である。図２は工程の
第１段階を示している。図２乃至図７共通で、（ａ）は
図１のＡ−Ａ’線での断面図であり、（ｂ）は図１のＢ
−Ｂ’線での断面図であり、（ｃ）は図１のＣ−Ｃ’線
での断面図であり、（ｄ）は図１のＤ−Ｄ’及びＥ−
Ｅ’線での断面図であり、（ｅ）は図１のＦ−Ｆ’線で
の断面図であり、（ｆ）は図１のＧ−Ｇ’線での断面図
である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
の製造方法を説明する基板断面図である。図３は工程の
第２段階を示している。
【図４】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
の製造方法を説明する基板断面図である。図４は工程の
第３段階を示している。
【図５】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
の製造方法を説明する基板断面図である。図５は工程の
第４段階を示している。
【図６】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
の製造方法を説明する基板断面図である。図６は工程の
第５段階を示している。
【図７】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
の製造方法を説明する基板断面図である。図７は工程の
第６段階を示している。
【図８】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置
の製造方法で製造した横電界方式の液晶表示パネルのア
レイ基板を示す平面図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置
の製造方法を説明する基板断面図である。図９は工程の
第１段階を示している。図９乃至図１３共通で、（ａ）
は図８のＫ−Ｋ’線での断面図であり、（ｂ）は図８の
Ｈ−Ｈ’線での断面図であり、（ｃ）は図８のＩ−Ｉ’
線での断面図であり、（ｄ）は図８のＪ−Ｊ’線での断
面図であり、（ｅ）は図８のＬ−Ｌ’線での断面図であ
る。
【図１０】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装
置の製造方法を説明する基板断面図である。図１０は、
工程の第２段階を示している。
【図１１】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装
置の製造方法を説明する基板断面図である。図１１は、
工程の第３段階を示している。
【図１２】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装
置の製造方法を説明する基板断面図である。図１２は工
程の第４段階を示している。
【図１３】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装
置の製造方法を説明する基板断面図である。図１３は、
工程の第５段階を示している。
【図１４】従来の縦電界方式の液晶表示パネルを示す平
面図である。
【図１５】従来の縦電界方式の液晶表示パネルの製造方
法を説明する基板断面図である。図１５は工程の第１段
階を示している。図１５乃至図２０共通で、（ａ）は図
１４のＭ−Ｍ’線での断面図であり、（ｂ）は図１４の
Ｎ−Ｎ’線での断面図である。
【図１６】従来の縦電界方式の液晶表示パネルの製造方
法を説明する基板断面図である。図１６は工程の第２段
階を示している。
【図１７】従来の縦電界方式の液晶表示パネルの製造方
法を説明する基板断面図である。図１７は工程の第３段
階を示している。
【図１８】従来の縦電界方式の液晶表示パネルの製造方
法を説明する基板断面図である。図１８は工程の第４段
階を示している。
【図１９】従来の縦電界方式の液晶表示パネルの製造方
法を説明する基板断面図である。図１９は工程の第５段
階を示している。
【図２０】従来の縦電界方式の液晶表示パネルの製造方
法を説明する基板断面図である。図２０は工程の第６段
階を示している。
【図２１】従来の横電界方式の液晶表示パネルを示す平
面図である。
【図２２】図２１のＰ−Ｐ’線での基板断面を示す図で
ある。
【符号の説明】
１、６１、１０１ データバスライン ３、６３、１０３ ゲートバスライン ５、７１ データバスライン端子 ７、１０９ 蓄積容量電極 ９、１１５ 補助容量バスライン１１、７３ ゲートバ
スライン端子 １３ 補助容量バスライン端子 １５、６５、１１７ ドレイン電極 １７、１１９ ソース電極 １９、６７、１１３、１４１ 画素電極 ２１、２３、１０７、１１１ コンタクトホール ２５、２７、２９、３１、３３、３５、３７、３９ 素
子分離用穴 ４１、７９、１２１、１４７、１６３ 透明ガラス基板 ４３、８１、１２３ ゲート絶縁膜 ４５、８３、１２５ 動作半導体膜 ４７、８５、１０５、１２７ チャネル保護膜 ４９、８７、１２９ コンタクト層 ５１、８９、１３１ 金属層 ５３、９１、１３３、１５１ 保護膜 ５５、５７、９３、９５ 窓 ５９、１３５ 画素電極材 ６９、１４３ 対向電極 １４９ 絶縁膜 １５３、１５９ 配向膜 １５５ 液晶 １４５、１６５ 偏光板 １６１ カラーフィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/66 １０２ Ｆターム(参考） 2H092 GA14 JA26 JA33 JA35 JA39 JA40 JA43 JA44 JB57 JB64 JB69 KA05 KA12 KA18 KB04 KB24 MA05 MA08 MA10 MA17 MA20 MA37 MA42 NA27 5C058 AA06 BA35 5C094 AA43 AA44 BA03 BA43 CA19 DA13 DA14 EA04 EA05 EA07 EB02 FB12 5F110 AA16 BB01 CC07 EE03 EE04 FF03 FF30 GG15 GG45 HK03 HK04 HK09 HK16 HK21 NN16 NN24 NN35 QQ04 QQ12 5G435 AA17 BB12 CC09 EE33 HH12 HH14 KK05

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板及び前記基板上に形成したゲートバス
    ライン上に、ゲート絶縁膜、半導体膜、第１の絶縁膜を
    この順に積層し、 前記ゲートバスラインをマスクとして背面露光を行い、
    前記第１の絶縁膜をパターニングして前記ゲートバスラ
    インに沿うチャネル保護膜を形成し、 前記チャネル保護膜を介して対向するソース電極及びド
    レイン電極を画素領域毎に形成し、 前記ゲートバスラインに沿って前記ソース電極及びドレ
    イン電極を挟み込む２カ所で、前記ゲートバスライン上
    の少なくとも前記チャネル保護膜及び前記半導体膜をエ
    ッチング除去して２つの素子分離用穴を開口し、当該２
    つの素子分離用穴に挟まれて他の画素領域から電気的に
    分離された前記半導体膜で動作半導体膜を構成し、前記
    ゲートバスラインの当該２つの素子分離用穴間の領域で
    ゲート電極を構成する薄膜トランジスタを形成すること
    を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  2. 【請求項２】請求項１記載の液晶表示装置の製造方法に
    おいて、 前記ゲートバスラインの形成と同時に蓄積容量線を形成
    し、 前記蓄積容量線をマスクとして背面露光を行い、前記第
    １の絶縁膜をパターニングして前記蓄積容量線に沿う保
    護膜を形成し、 前記保護膜を介して前記蓄積容量線上に蓄積容量電極を
    形成し、 前記蓄積容量線に沿う前記画素領域内の２カ所で少なく
    とも前保護膜及び前記半導体膜をエッチング除去して２
    つの素子分離用穴を開口し、当該２つの素子分離用穴に
    挟まれて他の画素領域から電気的に分離された蓄積容量
    部を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方
    法。
  3. 【請求項３】請求項１又は２に記載の液晶表示装置の製
    造方法において、 前記ゲートバスラインの端子部又は前記蓄積容量線の端
    子部近傍に、さらに前記素子分離用穴を形成することを
    特徴とする液晶表示装置の製造方法。
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