JP2000267943A - データ書込み管理方式 - Google Patents

データ書込み管理方式

Info

Publication number
JP2000267943A
JP2000267943A JP11073141A JP7314199A JP2000267943A JP 2000267943 A JP2000267943 A JP 2000267943A JP 11073141 A JP11073141 A JP 11073141A JP 7314199 A JP7314199 A JP 7314199A JP 2000267943 A JP2000267943 A JP 2000267943A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sector
write
data
time
byte
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11073141A
Other languages
English (en)
Inventor
Noriko Kubushiro
紀子 久布白
Yuji Sugaya
祐二 菅谷
Kazuhiro Obe
一博 大部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Science Systems Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Science Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Science Systems Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP11073141A priority Critical patent/JP2000267943A/ja
Publication of JP2000267943A publication Critical patent/JP2000267943A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Memory System (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】データ書込みに時間にばらつきのあるメモリを
使用した外部記憶装置において、一部のバイト書込みで
は時間がかかるような場合でも、セクタ全体でみた場合
には規定時間以内にデータ書込みが可能な場合は書込み
タイムアウトエラー発生セクタと判定せず、一部のデー
タの書込み時間超過による使用不可能領域を増やさない
ことを課題とする。 【解決手段】データ書込みに時間にばらつきのあるメモ
リを使用している外部記憶装置のセクタ単位でのデータ
ライトアクセスにおいて、バイト単位での書込み時間規
定値ではなく、ホストのアクセスする単位であるセクタ
あたりのデータ書込み時間規定値を設定し、セクタの書
込みでデータ書込み時間規定値以内ならば不良セクタと
判定しない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はフラッシュメモリ等
のような、データ書込みに時間のかかるメモリを使用し
た外部記憶装置のデータの書込み方式に係り、データの
書込み時間を管理し、使用可能領域を確保する技術分野
に属する。
【0002】
【従来の技術】最近、書換回数に制限はあるが、電気的
に書換可能な不揮発性メモリとしてフラッシュメモリが
注目されており、携帯用機器や、メモリカード等に使用
されてきている。フラッシュメモリはデータのリードア
クセスは高速なものの、データ書込み時間に時間がかか
り、1バイトあたり8μS〜2msとばらつきがある。
また、フラッシュメモリは消去回数に制限があり、消去
回数が増えることにより劣化が進むとデータ書込み時間
は更に遅くなる。
【0003】そのため、1バイト書込みにおいて規定値
を設け、規定値以上に長い書込み時間がかかる場合には
タイムアウトエラーを設けていた。
【0004】しかし、フラッシュメモリを外部記憶装置
として使用する場合、ホストはセクタ単位で外部記憶装
置にアクセスを行い、バイト単位ではデータアクセスを
行わない。そのため、1セクタのあるバイトの書込みで
時間がかかった場合、そのセクタはそれ以外の書込みで
は規定書込み時間以内であっても不良発生セクタとして
使用されないセクタとなり、外部記憶装置としての使用
不可能領域が増加する原因となっていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】データ書込みに時間に
ばらつきのあるメモリを使用した外部記憶装置におい
て、ホストがアクセスする単位であるセクタのセクタの
一部のデータの書込み時間が超過しても、セクタ書込み
時間が規定値以内ならば使用可能領域にすることにより
使用不可能領域と判定せず使用可能領域を確保すること
を課題とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は上記の問
題点を解消して、フラッシュメモリを使用した外部記憶
装置において、セクタの一部でデータ書込み時間がかか
ってもセクタ全体としてセクタの書込み時間規定値以内
ならば、不良発生セクタと判定しないデータ書込み管理
方式を提供することにある。
【0007】そのため、本発明のデータ書込み管理方式
は、ホストとのインタフェースと、実際にデータを記憶
するフラッシュメモリと、CPUと、CPUとフラッシ
ュメモリへのアクセスを制御する制御回路と、ホストと
インタフェースを結ぶインタフェースバスと、インタフ
ェースと制御回路を結ぶ制御用データバスと、制御回路
とCPUを結ぶCPU制御バスと制御信号,制御回路と
フラッシュメモリを結ぶデータバスとメモリ制御線から
構成される。
【0008】フラッシュメモリへのセクタ書込み時間を
CPU内のタイマで測定し、セクタ単位のデータ書込み
時間がセクタの書込み規定値以内ならば不良セクタと判
定せず、使用可能な領域とみなす。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を図面を参照して
説明する。
【0010】例として、外部記憶装置はフラッシュメモ
リをメモリとし、セクタサイズは512バイトの仕様の
もので説明する。
【0011】(実施例1)図1はセクタ単位書込みのフ
ローチャート図である。
【0012】データライトアクセスがホストからおきる
と、CPU2内のタイマを起動し、セクタ単位の書込み
時間測定を開始する。CPU2にはセクタ書込み時間規
定値が設定されており、セクタ書込み時間規定値はバイ
ト書込み時間規定値×1セクタ分のバイト数である。
【0013】フラッシュメモリに対し1セクタ分(51
2バイト)のデータライトが終了するとCPU2内のタ
イマを終了して1セクタ分のライトアクセスにかかった
時間を測定する。1セクタ分のライトアクセスにかかっ
た時間が、セクタ書込み時間規定値以内で、書込みタイ
ムアウトエラーが発生しなければ、セクタ単位のライト
アクセスを引き続き指定セクタ分を繰り返し、全てのデ
ータの書込みが終了した時点で処理を終了する。
【0014】セクタの書込み時間がセクタ書込み時間規
定値以上であれば、ホストにはエラー発生報告を行い、
エラーの発生したセクタをエラー登録し、書込みを終了
する。
【0015】図2は外部記憶装置構成図である。
【0016】図1を実行するライトアクセス方式を説明
する。ホスト1からインタフェースバス7,インタフェ
ース2を介してデータライトアクセスが来ると、CPU
2は制御回路4を介してフラッシュメモリ5にデータラ
イトアクセスを行う。データライトが始まる時点でCP
U2はCPU2内のタイマで、書込み時間の測定を開始
し1セクタ分のデータ書込み時間を測定する構成であ
る。
【0017】図3はデータ書込みにおいて従来案のバイ
ト書込み時間規定値を設けた場合と、本方式によるセク
タ書込み時間規定値を設けた場合のタイムアウトエラー
検出の比較である。
【0018】従来提案のデータ書込みにおいてバイト書
込み時間規定値を設けた場合、バイト単位でデータを書
込んでいき、データ一部のあるバイトでバイト書込み時
間規定値を超過した場合、そのセクタは使用不可能な書
込みタイムアウトエラー発生セクタとして登録される。
【0019】本方式による、データ書込みにおいてセク
タ書込み時間規定値を設けた場合では、セクタ1部分の
バイト書込み時間に時間がかかっても、1セクタ分(5
12バイト)のデータ書込み時間が短ければ書込みタイ
ムアウトエラーとして登録されない。
【0020】即ち、1部のバイト書込みに時間がかかっ
ても、全体として書込み時間規定値以内ならば、エラー
として登録されないので、従来案ならば使用不可能な書
込みタイムアウトエラー発生領域と判定される領域が使
用可能領域となる。
【0021】セクタの1部のデータでバイト書込み時間
がかかっても、エラーとして登録されないことで、使用
不可能な領域を増やさないことが出来る。
【0022】(実施例2)図4はデータアクセス高速化
時の外部記憶装置構成図である。
【0023】各々のフラッシュメモリ5a〜5dにはメ
モリデータバス13がありメモリデータバス13はデー
タバス11を介して制御回路とアクセスを行う。CPU
2のタイマに設定されるセクタ書込み時間規定値は、バ
イト書込み時間規定値×1セクタ分のバイト数をフラッ
シュメモリに同時にアクセスする個数である4で割った
値に設定する。並列アクセスを行うため、その分セクタ
書込み時間が短くなるためである。
【0024】図5は1セクタのフラッシュメモリへのデ
ータ書込みを示している。
【0025】メモリデータバスが8ビットである時、デ
ータバスは32ビットデータバスとし、4バイト並行で
フラッシュメモリ4個に同時にアクセスを行う。
【0026】図6はデータアクセス高速化時のデータ書
込みにおいて、従来案のバイト書込み時間規定値を設け
た場合と、本方式によるセクタ書込み時間規定値を設け
た場合のタイムアウト検出の比較である。
【0027】データ書込みにおいて、バイト書込み時間
規定値を設けた場合にはフラッシュメモリ5a〜5cの
間でバイト書込み時間規定値にデータ書込み時間が収ま
っても、フラッシュメモリ5dでバイト書込み時間規定
値を超過した場合、フラッシュメモリ5a〜5cの同一
セクタを書込んでいた領域と、5dの書込みタイムアウ
トエラーの発生した領域はエラー発生領域として登録さ
れ、使用不可能領域となる。
【0028】データ書込みにおいて、セクタ書込み時間
規定値を設けた場合、フラッシュメモリ5dでデータラ
イトアクセスに時間がかかってもフラッシュメモリ5a
〜5cの間ではデータ待ち時間を設けて、フラッシュメ
モリ5dのデータ書込みが終了するまでを待たせてお
き、フラッシュメモリ5dの書込みが終了したらデータ
バス,フラッシュメモリ5a〜5dのメモリデータバス
を通して新たにフラッシュメモリに32ビットデータの
書込みを続行する。
【0029】同時にアクセスするフラッシュメモリ間で
書込み時間にばらつきがあり、例えば一つのフラッシュ
メモリで書込み時間がかかっても、セクタ書込み時間規
定値以内ならばエラーの発生したセクタとして登録され
ないことで、使用不可能な書込みタイムアウトエラー発
生領域となる領域と判定されない。またセクタ書込み時
間規定値を4分の1に設定でき、32ビットでアクセス
することでデータのライトアクセス高速化が可能で、更
に、データ書込みにおいてエラーが発生し、交代セクタ
にデータを待避したい場合においても、待避にかかる時
間は4分の1に設定でき、外部記憶装置全体としてアク
セス時間短縮を図れる構成となる。
【0030】本方式においてはフラッシュメモリが8ビ
ット、ホストのアクセスを32ビット、セクタサイズを
512バイトで説明したが、フラッシュメモリ,ホスト
のデータ幅,セクタサイズが変わっても、並列アクセス
するフラッシュメモリの数等を変えることによって同様
な方式を取ることができる。
【0031】
【発明の効果】セクタ単位にセクタ書込み時間規定値を
設けることでセクタの一部でバイト書込みに時間がかか
っても、データの書込み時間がセクタ書込み時間規定値
以内ならばタイムアウトエラー発生セクタとせず、書込
みタイムアウトエラーと判定せず、不良セクタの増加を
減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明における外部記憶装置のセクタ単位書込
みフローチャート図である。
【図2】本発明における外部記憶装置構成図である。
【図3】本発明と従来例のタイムアウト検出との比較を
示す図である。
【図4】本発明におけるデータアクセス高速化時の外部
記憶装置構成図である。
【図5】本発明におけるデータアクセス高速化時の1セ
クタ分のフラッシュメモリへのデータ書込みを示す図で
ある。
【図6】本発明と従来例のデータアクセス高速化時のタ
イムアウト検出の比較を示す図である。
【符号の説明】
1…ホスト、2…CPU、3…インタフェース、4…制
御回路、5…フラッシュメモリ、6…外部記憶装置、7
…インタフェースバス、8…制御用データバス、9…C
PUバス、10…制御信号、11…データバス、12…
メモリ制御線、13…メモリデータバス。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菅谷 祐二 茨城県ひたちなか市大字市毛882番地 株 式会社日立製作所計測器事業部内 (72)発明者 大部 一博 茨城県ひたちなか市大字市毛1040番地 株 式会社日立サイエンスシステムズ内 Fターム(参考) 5B018 GA01 GA05 HA31 KA01 NA06 QA15 5B060 CB00

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】データのバイト書込み時間がばらついてい
    るメモリを媒体とした外部記憶装置で、ホストの読込
    み、又は書込み単位が一定のバイト数のセクタ単位であ
    る時、バイト書込み時間規定値を設定し、書込みタイム
    アウトを設けた場合には、セクタの1部でバイト書込み
    時間がかかり書込みタイムアウトエラーとなり不良セク
    タとなってしまう場合でも、セクタのバイト数分のデー
    タを書込んだ時に、セクタの全部のデータのバイト書込
    み時間の和であるセクタ書込み時間が、バイト単位で書
    込みエラーを設けた時のバイト書込み時間規定値のセク
    タバイト数分の和とするセクタ書込み時間規定値よりも
    小さければ、書込みタイムアウトエラーとしないこと
    で、セクタの一部でデータ書込み時間がかかる場合で
    も、不良セクタと判定しないデータ書込み管理方式。
  2. 【請求項2】請求項1記載のデータ管理方式において、
    データバスを拡張してメモリ複数個に並行にアクセス可
    能にし、又、バイト書込み時間規定値のセクタバイト数
    分の和を並行にアクセスするフラッシュメモリの個数で
    割った値に、セクタ書込み時間規定値を設定し、データ
    書込み時には、複数あるフラッシュメモリを並行にアク
    セスし、それぞれのフラッシュメモリにデータ書込みを
    行い、フラッシュメモリ毎のバイト書込み時間がばらつ
    く場合でも一番バイト書込みが遅くなったメモリにあわ
    せてセクタのデータの書込みが終了するまでバイト書込
    みを繰り返し、ホストとメモリ間の高速アクセスを可能
    にするデータ書込み管理方式。
JP11073141A 1999-03-18 1999-03-18 データ書込み管理方式 Pending JP2000267943A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11073141A JP2000267943A (ja) 1999-03-18 1999-03-18 データ書込み管理方式

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11073141A JP2000267943A (ja) 1999-03-18 1999-03-18 データ書込み管理方式

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000267943A true JP2000267943A (ja) 2000-09-29

Family

ID=13509637

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11073141A Pending JP2000267943A (ja) 1999-03-18 1999-03-18 データ書込み管理方式

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000267943A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011525643A (ja) * 2008-12-22 2011-09-22 株式会社日立製作所 ストレージ装置、及びストレージ装置におけるデータ検証方法
US11354063B2 (en) 2019-03-19 2022-06-07 Kioxia Corporation Memory system

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011525643A (ja) * 2008-12-22 2011-09-22 株式会社日立製作所 ストレージ装置、及びストレージ装置におけるデータ検証方法
US11354063B2 (en) 2019-03-19 2022-06-07 Kioxia Corporation Memory system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6081878A (en) Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
US5754567A (en) Write reduction in flash memory systems through ECC usage
US7424593B2 (en) Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
US6757800B1 (en) Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
US6438665B2 (en) System and method which compares data preread from memory cells to data to be written to the cells
EP1228510B1 (en) Space management for managing high capacity nonvolatile memory
US6134151A (en) Space management for managing high capacity nonvolatile memory
JP3485938B2 (ja) 不揮発性半導体メモリ装置
US5956743A (en) Transparent management at host interface of flash-memory overhead-bytes using flash-specific DMA having programmable processor-interrupt of high-level operations
US20020178338A1 (en) Non-volatile data storage system and data storaging method
US20070101237A1 (en) Memory card and memory controller
JP3421581B2 (ja) 不揮発性半導体メモリを用いた記憶装置
JP2003508861A (ja) セクタ書き込み操作時間を効果的に減少させるための不揮発性メモリユニット内のブロックの構成
JP2001350665A (ja) ブロックアラインメント機能付き半導体記憶装置
WO2002075745A1 (en) Storage device, storage device controlling method, and program
US11199991B2 (en) Method and apparatus for controlling different types of storage units
CN113885808A (zh) 映射信息记录方法以及存储器控制电路单元与存储装置
US20030084231A1 (en) Nonvolatile semiconductor storage device with interface functions
JP2000267943A (ja) データ書込み管理方式
CN112347524B (zh) 闪存编程方法、装置及电子设备
CN118430624B (zh) 一种存储芯片的测试方法及测试系统
JP2003263894A (ja) 不揮発性半導体メモリ装置の制御方法
CN119536616A (zh) 存储系统、操作方法和电子设备
JPH09114598A (ja) ディスクキャッシュ装置
JPH10302483A (ja) 半導体記憶装置