JP2000269551A - チップ型発光装置 - Google Patents
チップ型発光装置Info
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- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放射面の中心輝度を向上させると共に、ＬＥ
Ｄ素子を基板に対して搭載する際に位置ずれを生じても
中心輝度が変化しないチップ型発光装置を提供するこ
と。 【解決手段】 基板２に形成した一対の電極３、４の一
方の電極３に形成したパッド部３ａにＬＥＤ素子１を搭
載する。リフレクタ６には傾斜面６Ｚを設け、傾斜面６
Ｚで囲まれて外側に開いた開口部６ｃを形成し、ＬＥＤ
素子１を収容する。開口部６ｃには透光性樹脂を充填す
る。傾斜面６Ｚは、それぞれの反射面の中腹部分で反射
光を真上方向に反射させるように、基板２に対する傾斜
角が選定されている複数の反射面Ｐ、Ｑを連接して多面
状に形成する。
Ｄ素子を基板に対して搭載する際に位置ずれを生じても
中心輝度が変化しないチップ型発光装置を提供するこ
と。 【解決手段】 基板２に形成した一対の電極３、４の一
方の電極３に形成したパッド部３ａにＬＥＤ素子１を搭
載する。リフレクタ６には傾斜面６Ｚを設け、傾斜面６
Ｚで囲まれて外側に開いた開口部６ｃを形成し、ＬＥＤ
素子１を収容する。開口部６ｃには透光性樹脂を充填す
る。傾斜面６Ｚは、それぞれの反射面の中腹部分で反射
光を真上方向に反射させるように、基板２に対する傾斜
角が選定されている複数の反射面Ｐ、Ｑを連接して多面
状に形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リフレクタにより
放射面の中心輝度を向上させたチップ型発光装置に関す
る。
放射面の中心輝度を向上させたチップ型発光装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、発光源として発光ダイオ−ド（Ｌ
ＥＤ）素子を用いた種々のチップ型発光装置が知られて
いる。図１１、図１２はその一例を示すもので、図１１
は基板にＬＥＤ素子を搭載した状態を示す平面図であ
る。図１１において、基板２の表面に導電材料よりなる
一対の電極３、４が形成される。
ＥＤ）素子を用いた種々のチップ型発光装置が知られて
いる。図１１、図１２はその一例を示すもので、図１１
は基板にＬＥＤ素子を搭載した状態を示す平面図であ
る。図１１において、基板２の表面に導電材料よりなる
一対の電極３、４が形成される。
【０００３】基板２の両端に形成される半円形の切欠部
２ａ、２ｂには、メッキ層等の導電膜が形成されて基板
の裏面に延在し、基板２の表面に形成される一対の電極
３、４と電気的に接続されている。一方の電極３には矩
形状のパッド部３ａを形成し、パッド部３ａの上にＬＥ
Ｄ素子１をダイボンデング処理で搭載する。ＬＥＤ素子
１は、他方の電極４と金属線５によりワイヤ−ボンデン
グで電気的に接続される。
２ａ、２ｂには、メッキ層等の導電膜が形成されて基板
の裏面に延在し、基板２の表面に形成される一対の電極
３、４と電気的に接続されている。一方の電極３には矩
形状のパッド部３ａを形成し、パッド部３ａの上にＬＥ
Ｄ素子１をダイボンデング処理で搭載する。ＬＥＤ素子
１は、他方の電極４と金属線５によりワイヤ−ボンデン
グで電気的に接続される。
【０００４】ＬＥＤ素子１を搭載した基板２に不透明樹
脂からなるリフレクタを設け、リフレクタ内に形成され
ている開口部に透光性樹脂を充填してチップ型発光装置
が形成される。図１２はこのようにして形成されたチッ
プ型発光装置を図１１のＡ−Ａ断面で示す断面図であ
る。
脂からなるリフレクタを設け、リフレクタ内に形成され
ている開口部に透光性樹脂を充填してチップ型発光装置
が形成される。図１２はこのようにして形成されたチッ
プ型発光装置を図１１のＡ−Ａ断面で示す断面図であ
る。
【０００５】図１２において、６は不透明樹脂からなる
リフレクタで、基板２に対して鋭角θ１で傾斜している
傾斜面６Ｘを設けている。このような傾斜面６Ｘで囲ま
れて外側に開いた開口部６ａが形成されている。このリ
フレクタ６は例えば白色状の液晶ポリマから射出成形に
より形成される。
リフレクタで、基板２に対して鋭角θ１で傾斜している
傾斜面６Ｘを設けている。このような傾斜面６Ｘで囲ま
れて外側に開いた開口部６ａが形成されている。このリ
フレクタ６は例えば白色状の液晶ポリマから射出成形に
より形成される。
【０００６】リフレクタ６を基板２上に載置し、傾斜面
６Ｘで囲まれて上下に貫通している開口部６ａにＬＥＤ
素子１を収容する。次に、エポキシ樹脂等の透光性樹脂
７を充填してＬＥＤ素子１と金属線５を封止し、チップ
型発光装置２０を形成する。チップ型発光装置１０は、
プリント基板等に表面実装され、基板２の半円形の切欠
部２ａ、２ｂを通して裏面に形成された導電膜とプリン
ト基板の回路パタ−ンが電気的に接続される。
６Ｘで囲まれて上下に貫通している開口部６ａにＬＥＤ
素子１を収容する。次に、エポキシ樹脂等の透光性樹脂
７を充填してＬＥＤ素子１と金属線５を封止し、チップ
型発光装置２０を形成する。チップ型発光装置１０は、
プリント基板等に表面実装され、基板２の半円形の切欠
部２ａ、２ｂを通して裏面に形成された導電膜とプリン
ト基板の回路パタ−ンが電気的に接続される。
【０００７】このようにリフレクタ６に傾斜面６Ｘを形
成することにより、ＬＥＤ素子１の出力光は傾斜面６Ｘ
で反射されてチップ型発光装置２０の前方に放射され
る。このため、チップ型発光装置の発光効率を向上させ
ることができる。この例では、リフレクタ６の開口部６
ａは、上面視矩形状に形成されている。
成することにより、ＬＥＤ素子１の出力光は傾斜面６Ｘ
で反射されてチップ型発光装置２０の前方に放射され
る。このため、チップ型発光装置の発光効率を向上させ
ることができる。この例では、リフレクタ６の開口部６
ａは、上面視矩形状に形成されている。
【０００８】図１３、図１４はチップ型発光装置の他の
従来例を示すものであり、図１３は一部透視して示す概
略の斜視図、図１４は図１３のＢ−Ｂ断面を示す断面図
である。図１１、図１２の例と同じ部分または対応する
ところには同一の符号を付している。図１３の例では基
板２の両端には長穴状の切欠きを形成し、長穴状の切欠
きにはメッキ層等の導電膜が形成されて基板の裏面に延
在している。一対の電極３、４はこの導電膜と接続され
る。
従来例を示すものであり、図１３は一部透視して示す概
略の斜視図、図１４は図１３のＢ−Ｂ断面を示す断面図
である。図１１、図１２の例と同じ部分または対応する
ところには同一の符号を付している。図１３の例では基
板２の両端には長穴状の切欠きを形成し、長穴状の切欠
きにはメッキ層等の導電膜が形成されて基板の裏面に延
在している。一対の電極３、４はこの導電膜と接続され
る。
【０００９】リフレクタ６の内部には、図１４に示すよ
うに基板２に対して鋭角θ２で傾斜している傾斜面６Ｙ
を設け、傾斜面６Ｙで囲まれて上下に貫通している逆円
錐台状の開口部６ｂを形成している。図１３、図１４に
示したチップ型発光装置３０においては、ＬＥＤ素子１
の出力光は傾斜面６Ｙで反射されて前方に放射され、発
光効率を向上させることができる。また、図１３の例で
はリフレクタ６の開口部６ｂは上面視円形状に形成され
ている。
うに基板２に対して鋭角θ２で傾斜している傾斜面６Ｙ
を設け、傾斜面６Ｙで囲まれて上下に貫通している逆円
錐台状の開口部６ｂを形成している。図１３、図１４に
示したチップ型発光装置３０においては、ＬＥＤ素子１
の出力光は傾斜面６Ｙで反射されて前方に放射され、発
光効率を向上させることができる。また、図１３の例で
はリフレクタ６の開口部６ｂは上面視円形状に形成され
ている。
【００１０】このように、従来のチップ型発光装置は、
内部に上下に貫通する傾斜面が形成されているリフレク
タを設けて、ＬＥＤ素子の出力光をリフレクタで反射さ
せて放射することにより、発光効率を向上させている。
内部に上下に貫通する傾斜面が形成されているリフレク
タを設けて、ＬＥＤ素子の出力光をリフレクタで反射さ
せて放射することにより、発光効率を向上させている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
チップ型発光装置においては、リフレクタの傾斜面の傾
斜角度は一定の角度に設定されているので、出力光の中
心輝度を大きく取れないという問題があった。
チップ型発光装置においては、リフレクタの傾斜面の傾
斜角度は一定の角度に設定されているので、出力光の中
心輝度を大きく取れないという問題があった。
【００１２】また、リフレクタは射出成形により別個に
製作されたものをＬＥＤ素子が搭載された基板に取り付
けている。このため、ＬＥＤを基板に搭載する際にダイ
ボンデング処理の位置ずれが生じても、ＬＥＤ素子とリ
フレクタとの位置合わせをすることができないので、中
心輝度が変化してしまうという問題があった。
製作されたものをＬＥＤ素子が搭載された基板に取り付
けている。このため、ＬＥＤを基板に搭載する際にダイ
ボンデング処理の位置ずれが生じても、ＬＥＤ素子とリ
フレクタとの位置合わせをすることができないので、中
心輝度が変化してしまうという問題があった。
【００１３】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであり、放射面の中心輝度を向上させると共に、Ｌ
ＥＤ素子が基板に対して位置ずれを生じても中心輝度が
変化しないチップ型発光装置の提供を目的とする。
ものであり、放射面の中心輝度を向上させると共に、Ｌ
ＥＤ素子が基板に対して位置ずれを生じても中心輝度が
変化しないチップ型発光装置の提供を目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、請
求項１に係る発明においてチップ型発光装置を、基板
と、該基板に搭載される発光ダイオ−ド（ＬＥＤ）素子
と、上下に貫通する上面視円形状の開口部を有し、該開
口部の内壁が傾斜面からなり、該傾斜面で前記ＬＥＤ素
子を中央に囲むように前記基板上に載置されるリフレク
タと、を備えるチップ型発光装置において、前記リフレ
クタの傾斜面は、ＬＥＤ素子の発光部より上側に、傾斜
角の異なる少なくとも２つ以上の反射面を上方に連接し
て多面状に形成され、前記反射面のそれぞれは、その傾
斜角が、前記ＬＥＤ素子の発光中心からの光を当該反射
面の中腹部分で直上方向に反射するように選定すること
により達成される。
求項１に係る発明においてチップ型発光装置を、基板
と、該基板に搭載される発光ダイオ−ド（ＬＥＤ）素子
と、上下に貫通する上面視円形状の開口部を有し、該開
口部の内壁が傾斜面からなり、該傾斜面で前記ＬＥＤ素
子を中央に囲むように前記基板上に載置されるリフレク
タと、を備えるチップ型発光装置において、前記リフレ
クタの傾斜面は、ＬＥＤ素子の発光部より上側に、傾斜
角の異なる少なくとも２つ以上の反射面を上方に連接し
て多面状に形成され、前記反射面のそれぞれは、その傾
斜角が、前記ＬＥＤ素子の発光中心からの光を当該反射
面の中腹部分で直上方向に反射するように選定すること
により達成される。
【００１５】また、請求項２に係る発明においては、チ
ップ型発光装置を、基板と、該基板に搭載されるＬＥＤ
素子と、上下に貫通する上面視矩形状の開口部を有し、
該開口部の内壁が傾斜面からなり、該傾斜面で前記ＬＥ
Ｄ素子を囲むように前記基板上に載置されるリフレクタ
と、を備えるチップ型発光装置において、前記リフレク
タの傾斜面は、ＬＥＤ素子の発光部より上側に、傾斜角
の異なる少なくとも２つ以上の反射面を上方に連接して
多面状に形成され、前記反射面のそれぞれは、その傾斜
角が、前記ＬＥＤ素子の発光中心からの光を当該反射面
の中央部分で直上方向に反射するように選定されている
ことを特徴としている。
ップ型発光装置を、基板と、該基板に搭載されるＬＥＤ
素子と、上下に貫通する上面視矩形状の開口部を有し、
該開口部の内壁が傾斜面からなり、該傾斜面で前記ＬＥ
Ｄ素子を囲むように前記基板上に載置されるリフレクタ
と、を備えるチップ型発光装置において、前記リフレク
タの傾斜面は、ＬＥＤ素子の発光部より上側に、傾斜角
の異なる少なくとも２つ以上の反射面を上方に連接して
多面状に形成され、前記反射面のそれぞれは、その傾斜
角が、前記ＬＥＤ素子の発光中心からの光を当該反射面
の中央部分で直上方向に反射するように選定されている
ことを特徴としている。
【００１６】また、請求項３に係る発明においては、チ
ップ型発光装置を、基板と、該基板に搭載されるＬＥＤ
素子と、上下に貫通する上面視楕円形状の開口部を有
し、該開口部の内壁が傾斜面からなり、該傾斜面で前記
ＬＥＤ素子を中央に囲むように前記基板上に載置される
リフレクタと、を備えるチップ型発光装置において、前
記リフレクタの傾斜面は、ＬＥＤ素子の発光部より上側
に、傾斜角の異なる少なくとも２つ以上の反射面を上方
に連接して多面状に形成され、前記反射面のそれぞれ
は、その傾斜角が、前記ＬＥＤ素子の発光中心からの光
を当該反射面の前記開口部の上面視短径および長径に相
当する中腹部分で直上方向に反射するように選定されて
いることを特徴としている。
ップ型発光装置を、基板と、該基板に搭載されるＬＥＤ
素子と、上下に貫通する上面視楕円形状の開口部を有
し、該開口部の内壁が傾斜面からなり、該傾斜面で前記
ＬＥＤ素子を中央に囲むように前記基板上に載置される
リフレクタと、を備えるチップ型発光装置において、前
記リフレクタの傾斜面は、ＬＥＤ素子の発光部より上側
に、傾斜角の異なる少なくとも２つ以上の反射面を上方
に連接して多面状に形成され、前記反射面のそれぞれ
は、その傾斜角が、前記ＬＥＤ素子の発光中心からの光
を当該反射面の前記開口部の上面視短径および長径に相
当する中腹部分で直上方向に反射するように選定されて
いることを特徴としている。
【００１７】請求項１に係る発明の上記特徴によれば、
リフレクタに、反射面の中腹部分で光を直上方向に反射
させる、少なくとも２つ以上の反射面を連接して傾斜面
を形成しているので、複数の反射面による反射光が集積
されることにより放射面の中心軸に向けて進行する反射
光の光量が増大し、中心輝度を向上させることができ
る。
リフレクタに、反射面の中腹部分で光を直上方向に反射
させる、少なくとも２つ以上の反射面を連接して傾斜面
を形成しているので、複数の反射面による反射光が集積
されることにより放射面の中心軸に向けて進行する反射
光の光量が増大し、中心輝度を向上させることができ
る。
【００１８】また、反射面の中腹部分で反射する反射光
を真上方向に反射させる少なくとも２つ以上の反射面を
連接して傾斜面を形成していることにより、個々の反射
面においてＬＥＤ素子の発光部の中心軸方向に反射する
反射光を得ることができる。このため、ＬＥＤ素子を基
板に搭載する際に、ＬＥＤ素子に位置ずれが生じても、
反射面の上部または下部において真上方向の反射光が得
られ、中心輝度の変動を抑制することができる。
を真上方向に反射させる少なくとも２つ以上の反射面を
連接して傾斜面を形成していることにより、個々の反射
面においてＬＥＤ素子の発光部の中心軸方向に反射する
反射光を得ることができる。このため、ＬＥＤ素子を基
板に搭載する際に、ＬＥＤ素子に位置ずれが生じても、
反射面の上部または下部において真上方向の反射光が得
られ、中心輝度の変動を抑制することができる。
【００１９】また、請求項２および請求項３に係る発明
においても、前記請求項１に係る発明と同様の効果が得
られる。更に、請求項２および請求項３に係る発明にお
いては、開口部の形状を上面視矩形状と楕円形状に設定
しているので、用途に応じて、開口部の上面視の形状、
すなわちＬＥＤ素子から出力される出力光の照射面の形
状が適合しているチップ型発光装置を選定することがで
きる。
においても、前記請求項１に係る発明と同様の効果が得
られる。更に、請求項２および請求項３に係る発明にお
いては、開口部の形状を上面視矩形状と楕円形状に設定
しているので、用途に応じて、開口部の上面視の形状、
すなわちＬＥＤ素子から出力される出力光の照射面の形
状が適合しているチップ型発光装置を選定することがで
きる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図を参照して説明する。図１は本発明の実施の形態に
係るチップ型発光装置を示す概略の斜視図、図２は図１
のＢ−Ｂ断面でみた断面図である。図１１〜図１４に示
した従来例のチップ型発光装置と同じ部分または対応す
る部分については同一の符号を付しており、詳細な説明
は省略する。
て図を参照して説明する。図１は本発明の実施の形態に
係るチップ型発光装置を示す概略の斜視図、図２は図１
のＢ−Ｂ断面でみた断面図である。図１１〜図１４に示
した従来例のチップ型発光装置と同じ部分または対応す
る部分については同一の符号を付しており、詳細な説明
は省略する。
【００２１】図１において、不透光性の樹脂で形成され
るリフレクタ６の中央部分には、上下に貫通する上面視
円形状の開口部６ｃが形成されており、該開口部の内壁
には傾斜面６Ｚが設けられている。この傾斜面６Ｚは、
銀（Ａｇ）、銅−ニッケル（ＣｕＮｉ）等の金属メッキ
が施され、ＬＥＤ素子１の出力光の反射効率を向上させ
ている。リフレクタ６の開口部６ｃの内壁に設けられて
いる傾斜面６Ｚは、リフレクタ６の厚み方向の上方へ向
かうにしたがい段階的に開口幅が広がるように、基板に
対する傾斜角度の異なる複数の面で形成されている。
るリフレクタ６の中央部分には、上下に貫通する上面視
円形状の開口部６ｃが形成されており、該開口部の内壁
には傾斜面６Ｚが設けられている。この傾斜面６Ｚは、
銀（Ａｇ）、銅−ニッケル（ＣｕＮｉ）等の金属メッキ
が施され、ＬＥＤ素子１の出力光の反射効率を向上させ
ている。リフレクタ６の開口部６ｃの内壁に設けられて
いる傾斜面６Ｚは、リフレクタ６の厚み方向の上方へ向
かうにしたがい段階的に開口幅が広がるように、基板に
対する傾斜角度の異なる複数の面で形成されている。
【００２２】リフレクタ６を基板２上に載置し、図２の
断面図に示すように傾斜面６Ｚで囲まれた空間部の中央
に、基板２上に搭載されたＬＥＤ素子１を収納する。次
に、透光性樹脂７をリフレクタ６の空間部に充填する
と、透光性樹脂７は基板２とリフレクタ６との接触面に
も流入し、リフレクタ６を基板２に接着すると共にＬＥ
Ｄ素子１を封止する。
断面図に示すように傾斜面６Ｚで囲まれた空間部の中央
に、基板２上に搭載されたＬＥＤ素子１を収納する。次
に、透光性樹脂７をリフレクタ６の空間部に充填する
と、透光性樹脂７は基板２とリフレクタ６との接触面に
も流入し、リフレクタ６を基板２に接着すると共にＬＥ
Ｄ素子１を封止する。
【００２３】図１の例では、傾斜面６Ｚを二つの反射面
Ｐ、Ｑで形成している。図２に示すように、傾斜面６Ｚ
の下側の反射面Ｐは基板２に対する傾斜角θ３が緩やか
な鋭角で設定されている。また、反射面Ｐと連接する上
側の反射面Ｑは、基板２に対する傾斜角θ４が反射面Ｐ
の傾斜角θ３よりも急峻な鋭角に設定されている。
Ｐ、Ｑで形成している。図２に示すように、傾斜面６Ｚ
の下側の反射面Ｐは基板２に対する傾斜角θ３が緩やか
な鋭角で設定されている。また、反射面Ｐと連接する上
側の反射面Ｑは、基板２に対する傾斜角θ４が反射面Ｐ
の傾斜角θ３よりも急峻な鋭角に設定されている。
【００２４】すなわち、図１に示したチップ型発光装置
は、リフレクタ６の厚み方向の上方へ向かうにしたが
い、基板に対する反射面の傾斜角が大きくなるような多
面構成の傾斜面６Ｚとした複数の反射面を設けている。
は、リフレクタ６の厚み方向の上方へ向かうにしたが
い、基板に対する反射面の傾斜角が大きくなるような多
面構成の傾斜面６Ｚとした複数の反射面を設けている。
【００２５】次に、傾斜面６ＺによるＬＥＤ素子１の出
力光の反射特性について図３の断面図により説明する。
図３に示すように、ＬＥＤ素子１の発光部の発光中心Ｓ
からの出力光は、反射面Ｐで反射する。この際に、反射
面Ｐの中腹部分で反射する反射光Ｒａは、基板２の表面
に対して真上方向に進行するように、反射面Ｐの基板２
に対する鋭角の傾斜角θ３が選定される。
力光の反射特性について図３の断面図により説明する。
図３に示すように、ＬＥＤ素子１の発光部の発光中心Ｓ
からの出力光は、反射面Ｐで反射する。この際に、反射
面Ｐの中腹部分で反射する反射光Ｒａは、基板２の表面
に対して真上方向に進行するように、反射面Ｐの基板２
に対する鋭角の傾斜角θ３が選定される。
【００２６】ここで、反射面Ｐの中腹部分とは、光源Ｓ
の位置から基板２の表面に平行線Ｌ１を引き、この平行
線Ｌ１を基準として、反射面Ｐの高さがａ＝ａとなるＰ
ｘの位置をいうものとする。反射面Ｐの中腹部分よりも
下側で反射する反射光Ｒａは、ＬＥＤ素子１の発光部の
中心軸方向に、すなわち開口部６ｃの内側に向けて反射
する。また、反射面Ｐの中腹部分よりも上側で反射する
反射光Ｒｃは、開口部６ｃから外部に拡散する方向に反
射する。
の位置から基板２の表面に平行線Ｌ１を引き、この平行
線Ｌ１を基準として、反射面Ｐの高さがａ＝ａとなるＰ
ｘの位置をいうものとする。反射面Ｐの中腹部分よりも
下側で反射する反射光Ｒａは、ＬＥＤ素子１の発光部の
中心軸方向に、すなわち開口部６ｃの内側に向けて反射
する。また、反射面Ｐの中腹部分よりも上側で反射する
反射光Ｒｃは、開口部６ｃから外部に拡散する方向に反
射する。
【００２７】次に、反射面Ｐに連接して形成されている
反射面Ｑの反射について説明する。反射面Ｐと反射面Ｑ
とが連接する位置から基板２に平行線Ｌ２を引き、この
平行線Ｌ２を基準として、反射面Ｑの高さがｂ＝ｂとな
るＰｙの位置を反射面Ｑの中腹部分というものとする。
また、反射面Ｑの基板２に対する傾斜角θ４は、反射面
Ｐの基板２に対する傾斜角θ３よりも大きく選定され
る。
反射面Ｑの反射について説明する。反射面Ｐと反射面Ｑ
とが連接する位置から基板２に平行線Ｌ２を引き、この
平行線Ｌ２を基準として、反射面Ｑの高さがｂ＝ｂとな
るＰｙの位置を反射面Ｑの中腹部分というものとする。
また、反射面Ｑの基板２に対する傾斜角θ４は、反射面
Ｐの基板２に対する傾斜角θ３よりも大きく選定され
る。
【００２８】発光中心Ｓからの出力光が反射面Ｑで反射
する際に、反射面Ｑの中腹部分で反射する反射光Ｒｘ
は、基板２の表面に対して真上方向に反射するように、
反射面Ｑの基板２に対する鋭角の傾斜角θ４が選定され
る。反射面Ｑの中腹部分よりも下側で反射する反射光Ｒ
ｙは、ＬＥＤ素子１の発光部の中心軸方向に、すなわち
開口部６ｃの内側に向けて反射する。また、反射面Ｑの
中腹部分よりも上側で反射する反射光Ｒｚは、開口部６
ｃから外部に拡散する方向に反射する。
する際に、反射面Ｑの中腹部分で反射する反射光Ｒｘ
は、基板２の表面に対して真上方向に反射するように、
反射面Ｑの基板２に対する鋭角の傾斜角θ４が選定され
る。反射面Ｑの中腹部分よりも下側で反射する反射光Ｒ
ｙは、ＬＥＤ素子１の発光部の中心軸方向に、すなわち
開口部６ｃの内側に向けて反射する。また、反射面Ｑの
中腹部分よりも上側で反射する反射光Ｒｚは、開口部６
ｃから外部に拡散する方向に反射する。
【００２９】このように、反射面Ｐと反射面Ｑにおいて
は、それぞれ中腹部分で基板２の表面に対して真上方向
に反射する反射成分を中心として、扇状の反射光が得ら
れる。また、反射面Ｑの基板２に対する傾斜角θ４を反
射面Ｐの基板２に対する傾斜角θ３よりも大きく選定す
ることにより、ＬＥＤ素子１の出力光を反射面Ｑに有効
に集光している。
は、それぞれ中腹部分で基板２の表面に対して真上方向
に反射する反射成分を中心として、扇状の反射光が得ら
れる。また、反射面Ｑの基板２に対する傾斜角θ４を反
射面Ｐの基板２に対する傾斜角θ３よりも大きく選定す
ることにより、ＬＥＤ素子１の出力光を反射面Ｑに有効
に集光している。
【００３０】仮に、θ４＜θ３となるように反射面Ｐと
反射面Ｑとのそれぞれの傾斜角を選定すると、反射面Ｐ
に連接されている部分に近い反射面Ｑにおいては、反射
面Ｐに遮られて出力光が到達しない。このため、反射面
Ｑで集光されるＬＥＤ素子１の出力光の割合は減少する
ことになる。
反射面Ｑとのそれぞれの傾斜角を選定すると、反射面Ｐ
に連接されている部分に近い反射面Ｑにおいては、反射
面Ｐに遮られて出力光が到達しない。このため、反射面
Ｑで集光されるＬＥＤ素子１の出力光の割合は減少する
ことになる。
【００３１】次に、本発明のチップ型発光装置が、従来
例のものよりも放射面の中心輝度を向上させることがで
きる原理について説明する。図４は、図１１、図１２で
説明した従来例のチップ型発光装置を図１１のＡ−Ａ断
面で示す断面図である。従来例の構成では、開口部６ａ
の内部には単一の傾斜面６Ｘが設けられており、反射面
は一個所だけ形成されている。ＬＥＤ素子１の出力光
は、この反射面で広角に均一に反射されることになる。
例のものよりも放射面の中心輝度を向上させることがで
きる原理について説明する。図４は、図１１、図１２で
説明した従来例のチップ型発光装置を図１１のＡ−Ａ断
面で示す断面図である。従来例の構成では、開口部６ａ
の内部には単一の傾斜面６Ｘが設けられており、反射面
は一個所だけ形成されている。ＬＥＤ素子１の出力光
は、この反射面で広角に均一に反射されることになる。
【００３２】図６は、開口部６ａの中心、即ち、従来の
チップ型発光装置の放射面の中心Ｏを基準とした光度Ｉ
の分布を示す特性図である。図６に示すように、従来例
のチップ型発光装置においては、放射面の全域で光度は
なだらかな分布となり、放射面の中心付近の輝度はそれ
ほど大きくはならない。
チップ型発光装置の放射面の中心Ｏを基準とした光度Ｉ
の分布を示す特性図である。図６に示すように、従来例
のチップ型発光装置においては、放射面の全域で光度は
なだらかな分布となり、放射面の中心付近の輝度はそれ
ほど大きくはならない。
【００３３】図５は、本発明のチップ型発光装置の断面
図であり、図３に対応している。本発明においては、上
面視が円形状のリフレクタの開口部の内部には、ＬＥＤ
素子の発光部よりも上側に、中腹部分の反射光を真上方
向（基板２の表面に対して垂直方向）に導く角度に傾斜
角が選定されている反射面を、少なくとも２つ以上連接
して多面状に設けている。このため、それぞれの反射面
で真上方向へ向かう反射光の成分が得られることにな
り、放射面の中心付近の輝度が高められる。
図であり、図３に対応している。本発明においては、上
面視が円形状のリフレクタの開口部の内部には、ＬＥＤ
素子の発光部よりも上側に、中腹部分の反射光を真上方
向（基板２の表面に対して垂直方向）に導く角度に傾斜
角が選定されている反射面を、少なくとも２つ以上連接
して多面状に設けている。このため、それぞれの反射面
で真上方向へ向かう反射光の成分が得られることにな
り、放射面の中心付近の輝度が高められる。
【００３４】図７は、本発明のチップ型発光装置の放射
面の中心Ｏを基準とした光度Ｉの分布を示す特性図であ
る。前記のように、本発明においては、反射面Ｐと反射
面Ｑとを連接して傾斜面６Ｚを多面構成の反射面とする
ことにより、複数の反射面Ｐ、Ｑによる反射光が集積さ
れて、チップ型発光装置１０の放射面の中心軸に向けて
進行する反射光の光量を増大させている。このため、図
６の従来例の特性と比較すると、放射面の中心付近の光
度が周辺の部分の光度よりも大きな特性になっている。
面の中心Ｏを基準とした光度Ｉの分布を示す特性図であ
る。前記のように、本発明においては、反射面Ｐと反射
面Ｑとを連接して傾斜面６Ｚを多面構成の反射面とする
ことにより、複数の反射面Ｐ、Ｑによる反射光が集積さ
れて、チップ型発光装置１０の放射面の中心軸に向けて
進行する反射光の光量を増大させている。このため、図
６の従来例の特性と比較すると、放射面の中心付近の光
度が周辺の部分の光度よりも大きな特性になっている。
【００３５】図８は、チップ型発光装置の鉛直配光曲線
を示す特性図である。図８において、ＳはＬＥＤチップ
１の発光部の発光中心、Ｉは光度である。特性Ｔ１は従
来例を、特性Ｔ２は本発明によるものである。図８の特
性から明らかなように、本発明のチップ型発光装置は中
心輝度が大幅に改善されている。
を示す特性図である。図８において、ＳはＬＥＤチップ
１の発光部の発光中心、Ｉは光度である。特性Ｔ１は従
来例を、特性Ｔ２は本発明によるものである。図８の特
性から明らかなように、本発明のチップ型発光装置は中
心輝度が大幅に改善されている。
【００３６】ところで、リフレクタの開口部の内部に、
基板に対する傾斜角度が段階的に異なる反射面を複数連
接すると、各反射面の長さが短くなり、反射面で真上方
向に向かう反射光が得られる確率は、一般的には小さく
なる。しかしながら、本発明においては、反射面の傾斜
角度を前記のように中腹部分での反射光を真上方向に導
く角度に選定することにより、放射面の中心付近の輝度
を高めている。
基板に対する傾斜角度が段階的に異なる反射面を複数連
接すると、各反射面の長さが短くなり、反射面で真上方
向に向かう反射光が得られる確率は、一般的には小さく
なる。しかしながら、本発明においては、反射面の傾斜
角度を前記のように中腹部分での反射光を真上方向に導
く角度に選定することにより、放射面の中心付近の輝度
を高めている。
【００３７】また、反射面の中腹部分で反射する反射光
を真上方向に反射させる複数の反射面Ｐ、Ｑを連接して
傾斜面６Ｚを形成していることにより、個々の反射面
Ｐ、Ｑにおいて、ＬＥＤ素子１の発光部の中心軸方向に
反射する反射光を得ることができるので、ＬＥＤ素子１
を基板２に搭載する際に、ＬＥＤ素子１に位置ずれが生
じても、上部の反射面Ｑまたは下部の反射面Ｐにおいて
真上方向の反射光が得られ、中心輝度の変動を抑制する
ことができる。
を真上方向に反射させる複数の反射面Ｐ、Ｑを連接して
傾斜面６Ｚを形成していることにより、個々の反射面
Ｐ、Ｑにおいて、ＬＥＤ素子１の発光部の中心軸方向に
反射する反射光を得ることができるので、ＬＥＤ素子１
を基板２に搭載する際に、ＬＥＤ素子１に位置ずれが生
じても、上部の反射面Ｑまたは下部の反射面Ｐにおいて
真上方向の反射光が得られ、中心輝度の変動を抑制する
ことができる。
【００３８】図１に示した構成のチップ型発光装置１０
は、リフレクタ６の傾斜面６Ｚを二面の反射面Ｐ、Ｑを
連接して形成しているが、更に多数の反射面を連接する
こともできる。この場合には、各反射面の基板に対する
傾斜角を、それぞれ反射面に連接される位置を基準とし
て、中腹部分で反射光を真上方向に反射させる角度に選
定すると共に、基板側の下部の反射面の傾斜角を、上部
に連接される反射面の傾斜角よりも小さく選定する。
は、リフレクタ６の傾斜面６Ｚを二面の反射面Ｐ、Ｑを
連接して形成しているが、更に多数の反射面を連接する
こともできる。この場合には、各反射面の基板に対する
傾斜角を、それぞれ反射面に連接される位置を基準とし
て、中腹部分で反射光を真上方向に反射させる角度に選
定すると共に、基板側の下部の反射面の傾斜角を、上部
に連接される反射面の傾斜角よりも小さく選定する。
【００３９】また、リフレクタ６の端面の位置を、基板
２の両端に形成した切欠部２ａ、２ｂの位置よりも内側
となるように選定しているが、図１２に示すようにリフ
レクタ６の端面の位置を基板２の両端の位置に揃えるこ
とも可能である。更に、図１３のように基板２の両端に
長穴状の切欠きを形成し、一対の電極３、４を長穴状の
切欠きに形成されているメッキ層等の導電膜と接続する
構成とすることもできる。
２の両端に形成した切欠部２ａ、２ｂの位置よりも内側
となるように選定しているが、図１２に示すようにリフ
レクタ６の端面の位置を基板２の両端の位置に揃えるこ
とも可能である。更に、図１３のように基板２の両端に
長穴状の切欠きを形成し、一対の電極３、４を長穴状の
切欠きに形成されているメッキ層等の導電膜と接続する
構成とすることもできる。
【００４０】図１の例では、リフレクタ６の開口部６ｃ
の形状を上面視円形状としているので、空間部６ｃにお
ける断面形状は各位置で同じ形状となり、反射面Ｐ、Ｑ
の傾斜角θ３、θ４はどの位置においても、前記のよう
に反射面の中腹部分で反射光を真上に反射させる角度
に、しかもθ４＞θ３となるように選定されている。
の形状を上面視円形状としているので、空間部６ｃにお
ける断面形状は各位置で同じ形状となり、反射面Ｐ、Ｑ
の傾斜角θ３、θ４はどの位置においても、前記のよう
に反射面の中腹部分で反射光を真上に反射させる角度
に、しかもθ４＞θ３となるように選定されている。
【００４１】本発明のチップ型発光装置においては、リ
フレクタ６の開口部の上面視の形状、すなわちＬＥＤ素
子から出力される出力光の照射面の形状は、用途に応じ
て種々の形状とすることができる。図９は、開口部の形
状を上面視矩形状に形成したリフレクタの斜視図、図１
０は、開口部の形状を上面視楕円状に形成したリフレク
タの斜視図である。
フレクタ６の開口部の上面視の形状、すなわちＬＥＤ素
子から出力される出力光の照射面の形状は、用途に応じ
て種々の形状とすることができる。図９は、開口部の形
状を上面視矩形状に形成したリフレクタの斜視図、図１
０は、開口部の形状を上面視楕円状に形成したリフレク
タの斜視図である。
【００４２】図９において、リフレクタ６に、上面視矩
形状の開口部を上下に貫通させ、開口部の内部には、長
辺側と短辺側でそれぞれ反射面Ｐａと反射面Ｑａを連接
した傾斜面６Ｚａを形成している。この傾斜面６Ｚａ
は、矢視Ａ−Ａ、矢視Ｂ−Ｂの両方向の断面において、
図３で説明したと同様に反射光を反射させる。
形状の開口部を上下に貫通させ、開口部の内部には、長
辺側と短辺側でそれぞれ反射面Ｐａと反射面Ｑａを連接
した傾斜面６Ｚａを形成している。この傾斜面６Ｚａ
は、矢視Ａ−Ａ、矢視Ｂ−Ｂの両方向の断面において、
図３で説明したと同様に反射光を反射させる。
【００４３】すなわち、反射面Ｐａの中央部分で反射す
る反射光は、基板の表面に対して真上方向に反射するよ
うに、長辺側と短辺側で反射面Ｐａの基板に対する傾斜
角が選定される。また、反射面Ｑａの中央部分で反射す
る反射光も、基板の表面に対して真上方向に反射するよ
うに、長辺側と短辺側で反射面Ｑａの基板に対する傾斜
角が選定される。なお、反射面Ｐａの基板に対する傾斜
角は、反射面Ｑａの前記傾斜角よりも小さく設定されて
いる。
る反射光は、基板の表面に対して真上方向に反射するよ
うに、長辺側と短辺側で反射面Ｐａの基板に対する傾斜
角が選定される。また、反射面Ｑａの中央部分で反射す
る反射光も、基板の表面に対して真上方向に反射するよ
うに、長辺側と短辺側で反射面Ｑａの基板に対する傾斜
角が選定される。なお、反射面Ｐａの基板に対する傾斜
角は、反射面Ｑａの前記傾斜角よりも小さく設定されて
いる。
【００４４】図９の例においても、前記のように、リフ
レクタの傾斜面は、ＬＥＤ素子の発光部より上側に、傾
斜角の異なる少なくとも２つ以上の反射面を上方に連接
して多面状に形成されている。そして、前記反射面のそ
れぞれは、その傾斜角が、ＬＥＤ素子の発光中心からの
光を当該反射面の中央部分で直上方向に反射するように
選定されているので、放射面の中心輝度を向上させるこ
とができる。
レクタの傾斜面は、ＬＥＤ素子の発光部より上側に、傾
斜角の異なる少なくとも２つ以上の反射面を上方に連接
して多面状に形成されている。そして、前記反射面のそ
れぞれは、その傾斜角が、ＬＥＤ素子の発光中心からの
光を当該反射面の中央部分で直上方向に反射するように
選定されているので、放射面の中心輝度を向上させるこ
とができる。
【００４５】また、ＬＥＤ素子を基板に搭載する際に位
置ずれが生じても、反射面の上部または下部において真
上方向の反射光が得られ、中心輝度の変動を抑制するこ
とができる。
置ずれが生じても、反射面の上部または下部において真
上方向の反射光が得られ、中心輝度の変動を抑制するこ
とができる。
【００４６】次に、図１０の例においては、リフレクタ
６に、上面視楕円状である開口部を上下に貫通させ、開
口部の内部には、長径側と短径側でそれぞれ反射面Ｐｂ
と反射面Ｑｂを連接した傾斜面６Ｚｂを形成している。
傾斜面６Ｚｂで、中央にＬＥＤ素子を囲むようにリフレ
クタ６を基板に載置する。
６に、上面視楕円状である開口部を上下に貫通させ、開
口部の内部には、長径側と短径側でそれぞれ反射面Ｐｂ
と反射面Ｑｂを連接した傾斜面６Ｚｂを形成している。
傾斜面６Ｚｂで、中央にＬＥＤ素子を囲むようにリフレ
クタ６を基板に載置する。
【００４７】この傾斜面６Ｚｂも、矢視Ａ−Ａ、矢視Ｂ
−Ｂの両方向の断面において、前記図９の例で説明した
と同様に、反射面の中腹部分で反射する反射光は基板の
表面に対して真上方向に反射するように、長径側と短径
側でそれぞれ反射面の基板に対する傾斜角が選定され
る。すなわち、上面視短径および長径に相当する中腹部
分で、ＬＥＤ素子の発光中心からの光を真上方向に反射
するように、反射面の傾斜角が選定される。また、反射
面Ｐｂの基板に対する傾斜角は、反射面Ｑｂの傾斜角よ
りも小さく設定されている。
−Ｂの両方向の断面において、前記図９の例で説明した
と同様に、反射面の中腹部分で反射する反射光は基板の
表面に対して真上方向に反射するように、長径側と短径
側でそれぞれ反射面の基板に対する傾斜角が選定され
る。すなわち、上面視短径および長径に相当する中腹部
分で、ＬＥＤ素子の発光中心からの光を真上方向に反射
するように、反射面の傾斜角が選定される。また、反射
面Ｐｂの基板に対する傾斜角は、反射面Ｑｂの傾斜角よ
りも小さく設定されている。
【００４８】このように、図１０の例においても、リフ
レクタの傾斜面は、ＬＥＤ素子の発光部より上側に、傾
斜角の異なる少なくとも２つ以上の反射面を上方に連接
して多面状に形成されている。そして、前記反射面のそ
れぞれは、その傾斜角が、ＬＥＤ素子の発光中心からの
光を当該反射面の上面視短径および長径に相当する中腹
部分で直上方向に反射するように選定されているので、
放射面の中心輝度を向上させることができる。また、Ｌ
ＥＤ素子を基板に搭載する際に位置ずれが生じても、反
射面の上部または下部において真上方向の反射光が得ら
れ、中心輝度の変動を抑制することができる
レクタの傾斜面は、ＬＥＤ素子の発光部より上側に、傾
斜角の異なる少なくとも２つ以上の反射面を上方に連接
して多面状に形成されている。そして、前記反射面のそ
れぞれは、その傾斜角が、ＬＥＤ素子の発光中心からの
光を当該反射面の上面視短径および長径に相当する中腹
部分で直上方向に反射するように選定されているので、
放射面の中心輝度を向上させることができる。また、Ｌ
ＥＤ素子を基板に搭載する際に位置ずれが生じても、反
射面の上部または下部において真上方向の反射光が得ら
れ、中心輝度の変動を抑制することができる
【００４９】
【発明の効果】請求項１に係る発明の上記特徴によれ
ば、リフレクタに、反射面の中腹部分で光を直上方向に
反射させる、少なくとも２つ以上の反射面を連接して傾
斜面を形成しているので、複数の反射面による反射光が
集積されることにより放射面の中心軸に向けて進行する
反射光の光量が増大し、中心輝度を向上させることがで
きる。
ば、リフレクタに、反射面の中腹部分で光を直上方向に
反射させる、少なくとも２つ以上の反射面を連接して傾
斜面を形成しているので、複数の反射面による反射光が
集積されることにより放射面の中心軸に向けて進行する
反射光の光量が増大し、中心輝度を向上させることがで
きる。
【００５０】また、反射面の中腹部分で反射する反射光
を真上方向に反射させる少なくとも２つ以上の反射面を
連接して傾斜面を形成していることにより、個々の反射
面においてＬＥＤ素子の発光部の中心軸方向に反射する
反射光を得ることができる。このため、ＬＥＤ素子を基
板に搭載する際に、ＬＥＤ素子に位置ずれが生じても、
反射面の上部または下部において垂直方向の反射光が得
られ、中心輝度の変動を抑制することができる。
を真上方向に反射させる少なくとも２つ以上の反射面を
連接して傾斜面を形成していることにより、個々の反射
面においてＬＥＤ素子の発光部の中心軸方向に反射する
反射光を得ることができる。このため、ＬＥＤ素子を基
板に搭載する際に、ＬＥＤ素子に位置ずれが生じても、
反射面の上部または下部において垂直方向の反射光が得
られ、中心輝度の変動を抑制することができる。
【００５１】また、請求項２および請求項３に係る発明
においても、前記請求項１に係る発明と同様の効果が得
られる。更に、請求項２および請求項３に係る発明にお
いては、開口部の形状を上面視矩形状と楕円形状に設定
しているので、用途に応じて、開口部の上面視の形状、
すなわちＬＥＤ素子から出力される出力光の照射面の形
状が適合しているチップ型発光装置を選定することがで
きる。
においても、前記請求項１に係る発明と同様の効果が得
られる。更に、請求項２および請求項３に係る発明にお
いては、開口部の形状を上面視矩形状と楕円形状に設定
しているので、用途に応じて、開口部の上面視の形状、
すなわちＬＥＤ素子から出力される出力光の照射面の形
状が適合しているチップ型発光装置を選定することがで
きる。
【図１】本発明の実施の形態に係るチップ型発光装置の
概略の斜視図である。
概略の斜視図である。
【図２】図１の矢視Ｂ−Ｂでみた断面を示す断面図であ
る。
る。
【図３】図２を部分的に拡大して示す断面図である。
【図４】従来例のチップ型発光装置の断面図である。
【図５】図３に対応する断面図である。
【図６】従来例の光度分布を示す特性図である。
【図７】本発明の光度分布を示す特性図である。
【図８】チップ型発光装置の鉛直配光曲線を示す特性図
である。
である。
【図９】本発明の他の実施の形態のリフレクタを示す斜
視図である。
視図である。
【図１０】本発明の他の実施の形態のリフレクタを示す
斜視図である。
斜視図である。
【図１１】従来例のチップ型発光装置の基板にＬＥＤチ
ップを搭載した状態の平面図である。
ップを搭載した状態の平面図である。
【図１２】図１１のＡ−Ａ断面図である。
【図１３】従来例のチップ型発光装置の斜視図である。
【図１４】図１３のＢ−Ｂ断面図である。
１ ＬＥＤ素子 ２ 基板 ３ａ パッド部 ３、４ 一対の電極 ５ 金属線 ６ リフレクタ ６Ｚ 傾斜面 ７ 透光性樹脂 Ｐ、Ｑ 反射面 １０ チップ型発光装置
Claims (3)
- 【請求項１】 基板と、該基板に搭載される発光ダイオ
−ド（ＬＥＤ）素子と、上下に貫通する上面視円形状の
開口部を有し、該開口部の内壁が傾斜面からなり、該傾
斜面で前記ＬＥＤ素子を中央に囲むように前記基板上に
載置されるリフレクタと、を備えるチップ型発光装置に
おいて、前記リフレクタの傾斜面は、ＬＥＤ素子の発光
部より上側に、傾斜角の異なる少なくとも２つ以上の反
射面を上方に連接して多面状に形成され、前記反射面の
それぞれは、その傾斜角が、前記ＬＥＤ素子の発光中心
からの光を当該反射面の中腹部分で直上方向に反射する
ように選定されていることを特徴とするチップ型発光装
置。 - 【請求項２】 基板と、該基板に搭載されるＬＥＤ素子
と、上下に貫通する上面視矩形状の開口部を有し、該開
口部の内壁が傾斜面からなり、該傾斜面で前記ＬＥＤ素
子を囲むように前記基板上に載置されるリフレクタと、
を備えるチップ型発光装置において、前記リフレクタの
傾斜面は、ＬＥＤ素子の発光部より上側に、傾斜角の異
なる少なくとも２つ以上の反射面を上方に連接して多面
状に形成され、前記反射面のそれぞれは、その傾斜角
が、前記ＬＥＤ素子の発光中心からの光を当該反射面の
中央部分で直上方向に反射するように選定されているこ
とを特徴とするチップ型発光装置。 - 【請求項３】 基板と、該基板に搭載されるＬＥＤ素子
と、上下に貫通する上面視楕円形状の開口部を有し、該
開口部の内壁が傾斜面からなり、該傾斜面で前記ＬＥＤ
素子を中央に囲むように前記基板上に載置されるリフレ
クタと、を備えるチップ型発光装置において、前記リフ
レクタの傾斜面は、ＬＥＤ素子の発光部より上側に、傾
斜角の異なる少なくとも２つ以上の反射面を上方に連接
して多面状に形成され、前記反射面のそれぞれは、その
傾斜角が、前記ＬＥＤ素子の発光中心からの光を当該反
射面の前記開口部の上面視短径および長径に相当する中
腹部分で直上方向に反射するように選定されていること
を特徴とするチップ型発光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7308799A JP2000269551A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | チップ型発光装置 |
| PCT/JP2000/001621 WO2000055926A1 (fr) | 1999-03-18 | 2000-03-16 | Puce a semiconducteur photoemettrice |
| EP00909689A EP1087447B1 (en) | 1999-03-18 | 2000-03-16 | Light-emitting diode |
| US09/700,247 US6495861B1 (en) | 1999-03-18 | 2000-03-16 | Light-emitting semiconductor chip |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7308799A JP2000269551A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | チップ型発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269551A true JP2000269551A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13508215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7308799A Pending JP2000269551A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | チップ型発光装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6495861B1 (ja) |
| EP (1) | EP1087447B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000269551A (ja) |
| WO (1) | WO2000055926A1 (ja) |
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003056636A1 (fr) * | 2001-12-29 | 2003-07-10 | Hangzhou Fuyang Xinying Dianzi Ltd. | Del et lampe a del |
| KR100414056B1 (ko) * | 2001-03-31 | 2004-01-07 | 엘지전자 주식회사 | 프로젝터용 엘이디 광원 제조방법 |
| JP2006203262A (ja) * | 2006-04-27 | 2006-08-03 | Kyocera Corp | 発光装置 |
| JP2006294804A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Sharp Corp | 発光ダイオード |
| JP2006310613A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Sharp Corp | 半導体発光装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060418 |
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| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060605 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070424 |