JP2000271783A - ろう材及び抵抗素子 - Google Patents
ろう材及び抵抗素子Info
- Publication number
- JP2000271783A JP2000271783A JP11083866A JP8386699A JP2000271783A JP 2000271783 A JP2000271783 A JP 2000271783A JP 11083866 A JP11083866 A JP 11083866A JP 8386699 A JP8386699 A JP 8386699A JP 2000271783 A JP2000271783 A JP 2000271783A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance element
- resistance
- brazing material
- weight
- atomic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 1,000°C以上(好ましくは1,400
°C以上)の高温環境下で長期間の使用が可能であると
共に、しかも室温から1,000°C以上(好ましくは
1,400°C以上)の高温またはその逆に繰り返し昇
降温を繰り返しても、抵抗値の変動が少ない耐久性に優
れた抵抗素子と、このような抵抗素子に好ましく用いら
れるろう材を提供する。 【解決手段】 セラミックスで構成してある抵抗素子本
体と、前記抵抗素子本体の内部に設けられる内部導体
と、前記抵抗素子本体の表面に設けられ、前記内部導体
と接続される取り出し電極部と、前記取り出し電極部に
ろう材を用いて固定される外部端子電極とを有し、前記
ろう材が、35〜80原子%の銀と、20〜65原子%
のアルミニウムとを含むことを特徴とする抵抗素子であ
る。
°C以上)の高温環境下で長期間の使用が可能であると
共に、しかも室温から1,000°C以上(好ましくは
1,400°C以上)の高温またはその逆に繰り返し昇
降温を繰り返しても、抵抗値の変動が少ない耐久性に優
れた抵抗素子と、このような抵抗素子に好ましく用いら
れるろう材を提供する。 【解決手段】 セラミックスで構成してある抵抗素子本
体と、前記抵抗素子本体の内部に設けられる内部導体
と、前記抵抗素子本体の表面に設けられ、前記内部導体
と接続される取り出し電極部と、前記取り出し電極部に
ろう材を用いて固定される外部端子電極とを有し、前記
ろう材が、35〜80原子%の銀と、20〜65原子%
のアルミニウムとを含むことを特徴とする抵抗素子であ
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、300°C以上
(好ましくは500°C以上)の高温環境下に長時間お
かれても、特性低下が少ないろう材、及びこのろう材を
用いた耐久性に優れた抵抗素子に関する。
(好ましくは500°C以上)の高温環境下に長時間お
かれても、特性低下が少ないろう材、及びこのろう材を
用いた耐久性に優れた抵抗素子に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、天然ガス、プロパンガス、灯
油等の気体燃料や液体燃料の着火には、セラミックスを
用いた通電式の着火用抵抗素子が一般に用いられてい
る。
油等の気体燃料や液体燃料の着火には、セラミックスを
用いた通電式の着火用抵抗素子が一般に用いられてい
る。
【0003】この種の着火用抵抗素子は、2〜3秒間程
度で1,000°C以上の温度に達するという急速昇温
と、空気中で1,550°C程度の高温に耐えるため
に、優れた耐熱衝撃性および耐酸化性を有することが要
求される。
度で1,000°C以上の温度に達するという急速昇温
と、空気中で1,550°C程度の高温に耐えるため
に、優れた耐熱衝撃性および耐酸化性を有することが要
求される。
【0004】また、1,000°C以上の高温を瞬時に
測定する高温サーミスター用抵抗素子についても、前記
着火用抵抗素子と同様に、優れた耐熱衝撃性及び耐酸化
性を有することが要求される。
測定する高温サーミスター用抵抗素子についても、前記
着火用抵抗素子と同様に、優れた耐熱衝撃性及び耐酸化
性を有することが要求される。
【0005】この種の抵抗素子は、セラミック体の内部
に内部導体が埋設され、内部導体の取り出し電極部が素
子の発熱部から離れたところに形成してある。取り出し
電極部には、外部端子電極がろう材等で接合してある。
に内部導体が埋設され、内部導体の取り出し電極部が素
子の発熱部から離れたところに形成してある。取り出し
電極部には、外部端子電極がろう材等で接合してある。
【0006】前述したように、抵抗素子は、瞬時に1,
000°C以上の高温になるため、同時に取り出し電極
部も300°C以上の高温になる。従って、外部端子電
極が接合される取り出し電極部に用いられるろう材も3
00°C以上の耐熱性及び耐酸化性が要求されるので、
通常のろう材を用いることはできない。
000°C以上の高温になるため、同時に取り出し電極
部も300°C以上の高温になる。従って、外部端子電
極が接合される取り出し電極部に用いられるろう材も3
00°C以上の耐熱性及び耐酸化性が要求されるので、
通常のろう材を用いることはできない。
【0007】そこで、取り出し電極部の温度を低下させ
るために、素子の長さを十分に長くして発熱部と電極部
との距離を長くすることが考えられる。
るために、素子の長さを十分に長くして発熱部と電極部
との距離を長くすることが考えられる。
【0008】しかしながら、この場合、低コスト化及び
急速な温度変化に追随する熱容量の小さい素子、と言う
要求に反するものとなるため実現できないのが現状であ
る。
急速な温度変化に追随する熱容量の小さい素子、と言う
要求に反するものとなるため実現できないのが現状であ
る。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来技術の問題点に鑑みなされたものであり、300°
C以上(好ましくは500°C以上)の高温環境下に長
時間おかれても、特性低下が少ないろう材を提供するこ
とを目的とする。さらにまた、本発明は、1,000°
C以上(好ましくは1,400°C以上)の高温環境下
で長期間の使用が可能であると共に、しかも室温から
1,000°C以上(好ましくは1,400°C以上)
の高温またはその逆に繰り返し昇降温を繰り返しても、
抵抗値の変動が少ない耐久性に優れた抵抗素子を提供す
ることを目的とする。
従来技術の問題点に鑑みなされたものであり、300°
C以上(好ましくは500°C以上)の高温環境下に長
時間おかれても、特性低下が少ないろう材を提供するこ
とを目的とする。さらにまた、本発明は、1,000°
C以上(好ましくは1,400°C以上)の高温環境下
で長期間の使用が可能であると共に、しかも室温から
1,000°C以上(好ましくは1,400°C以上)
の高温またはその逆に繰り返し昇降温を繰り返しても、
抵抗値の変動が少ない耐久性に優れた抵抗素子を提供す
ることを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成するために鋭意研究を重ねた結果、高温でも特性劣
化が少ない抵抗素子を得るには、素子本体の内部に設け
られた内部導体の取り出し電極部及び取り出し電極部付
近のセラミック体の双方に対して外部端子電極を強固に
接合でき、且つ300°C以上の高温においても耐酸化
性のあるろう材が不可欠であることを見い出し、本発明
を完成させるに至った。
達成するために鋭意研究を重ねた結果、高温でも特性劣
化が少ない抵抗素子を得るには、素子本体の内部に設け
られた内部導体の取り出し電極部及び取り出し電極部付
近のセラミック体の双方に対して外部端子電極を強固に
接合でき、且つ300°C以上の高温においても耐酸化
性のあるろう材が不可欠であることを見い出し、本発明
を完成させるに至った。
【0011】(1)即ち、本発明に係る「ろう材」は、
35〜80原子%、好ましくは40〜45原子%の銀
(Ag)と、20〜65原子%、好ましくは55〜60
原子%のアルミニウム(Al)とを含むことを特徴とす
る。アルミニウムの含有量が65原子%を超えると充分
な耐酸化性が得られず、20原子%未満ではマイグレー
ションの防止が充分ではないので、何れも好ましくな
い。
35〜80原子%、好ましくは40〜45原子%の銀
(Ag)と、20〜65原子%、好ましくは55〜60
原子%のアルミニウム(Al)とを含むことを特徴とす
る。アルミニウムの含有量が65原子%を超えると充分
な耐酸化性が得られず、20原子%未満ではマイグレー
ションの防止が充分ではないので、何れも好ましくな
い。
【0012】Agは、貴金属としての特性を有し、高温
でも酸化されにくく、融点も960°Cと高いので、高
温環境での使用に耐えうるが、マイグレーションを起こ
しやすいという問題がある。これに対し、Alは、酸化
されると表面に純粋なアルミナ(Al2 O3 )保護
膜が形成され、耐酸化性が付与されるが、単独では融点
が660°Cと低すぎ、高温環境下での使用が困難にな
る。本発明では、これらAgとAlとを特定組成で含め
ることにより、融点を566〜780°C、好ましくは
566〜650°Cとすることができ、300°C以上
の高温でも特性低下が少ないろう材が提供される。
でも酸化されにくく、融点も960°Cと高いので、高
温環境での使用に耐えうるが、マイグレーションを起こ
しやすいという問題がある。これに対し、Alは、酸化
されると表面に純粋なアルミナ(Al2 O3 )保護
膜が形成され、耐酸化性が付与されるが、単独では融点
が660°Cと低すぎ、高温環境下での使用が困難にな
る。本発明では、これらAgとAlとを特定組成で含め
ることにより、融点を566〜780°C、好ましくは
566〜650°Cとすることができ、300°C以上
の高温でも特性低下が少ないろう材が提供される。
【0013】(2)前記銀とアルミニウムとの合計重量
を100重量%とした場合に、1〜5重量%、好ましく
は2〜4重量%の活性金属をさらに含有することが好ま
しい。
を100重量%とした場合に、1〜5重量%、好ましく
は2〜4重量%の活性金属をさらに含有することが好ま
しい。
【0014】前記活性金属は、チタン(Ti)及び/又
はジルコニウム(Zr)を含むことが好ましい。
はジルコニウム(Zr)を含むことが好ましい。
【0015】活性金属をさらに含有させることにより、
セラミックス(例えば、Si3 N 4 )から構成され
る抵抗素子本体の内部に設けられた内部導体の取り出し
電極部及び取り出し電極部付近の抵抗素子本体の双方に
対して、外部端子電極を強固に接合可能となる。従っ
て、2秒間の通電により素子温度を1,550°C以上
まで到達させ、その後、その温度を2,000時間保持
させても、抵抗値の変化が10%以下である発熱抵抗素
子が得られる。また、1,000°Cに加熱された炉に
サーミスターを20秒間入れ測温後引き出すという操作
を10,000回繰り返しても、抵抗値の変化が10%
以下である発熱抵抗素子が得られる。
セラミックス(例えば、Si3 N 4 )から構成され
る抵抗素子本体の内部に設けられた内部導体の取り出し
電極部及び取り出し電極部付近の抵抗素子本体の双方に
対して、外部端子電極を強固に接合可能となる。従っ
て、2秒間の通電により素子温度を1,550°C以上
まで到達させ、その後、その温度を2,000時間保持
させても、抵抗値の変化が10%以下である発熱抵抗素
子が得られる。また、1,000°Cに加熱された炉に
サーミスターを20秒間入れ測温後引き出すという操作
を10,000回繰り返しても、抵抗値の変化が10%
以下である発熱抵抗素子が得られる。
【0016】また、活性金属の添加量が1重量%未満で
は接着強度が低下する傾向にあり、また、5重量%を越
すと、ろう材素材の柔軟性が低下し、激しいヒートサイ
クルを繰り返すとクラック発生の原因となるおそれがあ
るので好ましくない。
は接着強度が低下する傾向にあり、また、5重量%を越
すと、ろう材素材の柔軟性が低下し、激しいヒートサイ
クルを繰り返すとクラック発生の原因となるおそれがあ
るので好ましくない。
【0017】(3)本発明のろう材の使用形態は、特に
限定されず、ペースト状であっても、粉末状であっても
よい。
限定されず、ペースト状であっても、粉末状であっても
よい。
【0018】ペースト状で用いる場合には、例えば、所
定の比の銀、アルミニウム及び好ましくは活性金属を融
解して作製された金属塊を粉末状に処理し、または所定
の比の銀とアルミニウムの粉末の混合物に、好ましく
は、チタン等の活性金属の水素化物粉末(例えば、水素
化チタン)を加えたものの何れかの粉末に、バインダー
及び有機溶剤を混合したビヒクルを、適当量、添加混練
することによりペースト化することができる。
定の比の銀、アルミニウム及び好ましくは活性金属を融
解して作製された金属塊を粉末状に処理し、または所定
の比の銀とアルミニウムの粉末の混合物に、好ましく
は、チタン等の活性金属の水素化物粉末(例えば、水素
化チタン)を加えたものの何れかの粉末に、バインダー
及び有機溶剤を混合したビヒクルを、適当量、添加混練
することによりペースト化することができる。
【0019】バインダーとしては、例えば、PMMA等
のアクリル系樹脂、メチルセルロース、エチルセルロー
ス等の繊維素系樹脂等が例示される。有機溶剤として
は、例えば、トルエン、メチルセロソルブ、α−テルピ
ネオール等が例示される。こうしたビヒクルの添加量
は、前記粉末100重量部に対して、10〜30重量部
の範囲であることが好ましい。
のアクリル系樹脂、メチルセルロース、エチルセルロー
ス等の繊維素系樹脂等が例示される。有機溶剤として
は、例えば、トルエン、メチルセロソルブ、α−テルピ
ネオール等が例示される。こうしたビヒクルの添加量
は、前記粉末100重量部に対して、10〜30重量部
の範囲であることが好ましい。
【0020】(4)上述した本発明に係るろう材は、例
えば、セラミックスで構成してある抵抗素子本体と、前
記抵抗素子本体の内部に設けられる内部導体と、前記抵
抗素子本体の表面に設けられる前記内部導体の取り出し
電極部と、前記取り出し電極部にろう材を用いて固定さ
れる外部端子電極とを有する「抵抗素子」の、前記ろう
材として好ましく用いられる。
えば、セラミックスで構成してある抵抗素子本体と、前
記抵抗素子本体の内部に設けられる内部導体と、前記抵
抗素子本体の表面に設けられる前記内部導体の取り出し
電極部と、前記取り出し電極部にろう材を用いて固定さ
れる外部端子電極とを有する「抵抗素子」の、前記ろう
材として好ましく用いられる。
【0021】こうした抵抗素子は、例えば発熱素子また
は高温サーミスター(温度センサ)等として用いること
ができる。
は高温サーミスター(温度センサ)等として用いること
ができる。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図1(A)は本実施形態に係る抵抗
素子の斜視図、図1(B)は図1(A)のIB−IB線に沿
った断面図、図2は図1に示す抵抗素子の製造過程を示
す斜視図、図3は図1に示す抵抗素子の製造に用いるホ
ットプレス装置の概略図である。
基づいて説明する。図1(A)は本実施形態に係る抵抗
素子の斜視図、図1(B)は図1(A)のIB−IB線に沿
った断面図、図2は図1に示す抵抗素子の製造過程を示
す斜視図、図3は図1に示す抵抗素子の製造に用いるホ
ットプレス装置の概略図である。
【0023】まず、本実施形態に係る「抵抗素子」の構
成を説明する。図1(A),(B)に示すように、本実
施形態の抵抗素子20は、例えば発熱素子または高温サ
ーミスター(温度センサ)として用いられ、抵抗素子本
体22を有し、抵抗素子本体22内部に所定パターンの
内部導体14(図2参照)が形成してある。抵抗素子本
体22の内部に所定パターンで形成してある内部導体1
4の一対の取り出し電極部14aは、図1に示すよう
に、素子本体22の後端側の二側面に各々形成され、外
部端子電極24に対して接合してあり、この外部端子2
4には、通常、電力投入用リード線28が接続される。
成を説明する。図1(A),(B)に示すように、本実
施形態の抵抗素子20は、例えば発熱素子または高温サ
ーミスター(温度センサ)として用いられ、抵抗素子本
体22を有し、抵抗素子本体22内部に所定パターンの
内部導体14(図2参照)が形成してある。抵抗素子本
体22の内部に所定パターンで形成してある内部導体1
4の一対の取り出し電極部14aは、図1に示すよう
に、素子本体22の後端側の二側面に各々形成され、外
部端子電極24に対して接合してあり、この外部端子2
4には、通常、電力投入用リード線28が接続される。
【0024】本実施形態では、取り出し電極部14aと
外部端子電極24とがろう材26を介して接合してあ
る。本実施形態におけるろう材26は、35〜80原子
%の銀と、20〜65原子%のアルミニウムとを含み、
しかも前記銀とアルミニウムとの合計重量を100重量
%とした場合に、1〜5重量%の、チタン及び/又はジ
ルコニウムを含む活性金属をさらに含有するように構成
されていることが好ましい。ろう材26としては、例え
ば、所定の比の活性金属、銀、アルミニウムを融解して
作製された金属塊を粉末状に処理し、または所定の比の
銀とアルミニウムの粉末の混合物に、チタン等の活性金
属の水素化物粉末(例えば、水素化チタン)を加えた何
れかの粉末に、バインダー及び有機溶剤を混合したビヒ
クルを、適当量添加混練することによりペースト状にし
たものが用いられる。ペースト状ろう材中の粉末の平均
粒径は、通常、1〜6μm、好ましくは2〜4μmであ
る。こうしたペースト状ろう材は、取り出し電極部14
aと外部端子電極24との間に供給され、例えば、真空
焼き付け法等により焼き付けられ、取り出し電極部14
aと外部端子電極24とが接合される。
外部端子電極24とがろう材26を介して接合してあ
る。本実施形態におけるろう材26は、35〜80原子
%の銀と、20〜65原子%のアルミニウムとを含み、
しかも前記銀とアルミニウムとの合計重量を100重量
%とした場合に、1〜5重量%の、チタン及び/又はジ
ルコニウムを含む活性金属をさらに含有するように構成
されていることが好ましい。ろう材26としては、例え
ば、所定の比の活性金属、銀、アルミニウムを融解して
作製された金属塊を粉末状に処理し、または所定の比の
銀とアルミニウムの粉末の混合物に、チタン等の活性金
属の水素化物粉末(例えば、水素化チタン)を加えた何
れかの粉末に、バインダー及び有機溶剤を混合したビヒ
クルを、適当量添加混練することによりペースト状にし
たものが用いられる。ペースト状ろう材中の粉末の平均
粒径は、通常、1〜6μm、好ましくは2〜4μmであ
る。こうしたペースト状ろう材は、取り出し電極部14
aと外部端子電極24との間に供給され、例えば、真空
焼き付け法等により焼き付けられ、取り出し電極部14
aと外部端子電極24とが接合される。
【0025】なお、本実施形態において、外部端子電極
24の材質は、特に限定されず、ニッケル、タングステ
ン、モリブデン、ステンレス等で構成される。
24の材質は、特に限定されず、ニッケル、タングステ
ン、モリブデン、ステンレス等で構成される。
【0026】次に、「抵抗素子の製造方法」を説明す
る。まず、内部導体14が表面にスクリーン印刷法等で
所定の繰り返しパターンで形成してあるグリーンシート
12と、何ら内部電極14が形成されていないグリーン
シート16とを準備する。
る。まず、内部導体14が表面にスクリーン印刷法等で
所定の繰り返しパターンで形成してあるグリーンシート
12と、何ら内部電極14が形成されていないグリーン
シート16とを準備する。
【0027】図2に示すグリーンシート12および16
は、例えばセラミックス焼結体を製造するために、通常
使用している原料混合物の粉末に有機バインダーを含む
水溶液または有機溶剤系溶液を加えてシート状に成形し
て乾燥したものである。シート状に成形するための方法
としては、ドクターブレード法等が用いられる。
は、例えばセラミックス焼結体を製造するために、通常
使用している原料混合物の粉末に有機バインダーを含む
水溶液または有機溶剤系溶液を加えてシート状に成形し
て乾燥したものである。シート状に成形するための方法
としては、ドクターブレード法等が用いられる。
【0028】原料混合物としては、特に限定されない
が、例えば金属の、酸化物、炭化物、窒化物、硼化物、
珪化物等、又は、焼成によりこれらに変化しうる化合物
等の1以上の混合物を例示することができる。また、原
料混合物の粉末に添加されるバインダとしては、特に限
定されないが、例えばポリビニルアルコール、アクリル
樹脂等を例示することができる。原料混合物の粉末の平
均粒径は、特に限定されないが、好ましくは0.1〜
1.5μm程度である。
が、例えば金属の、酸化物、炭化物、窒化物、硼化物、
珪化物等、又は、焼成によりこれらに変化しうる化合物
等の1以上の混合物を例示することができる。また、原
料混合物の粉末に添加されるバインダとしては、特に限
定されないが、例えばポリビニルアルコール、アクリル
樹脂等を例示することができる。原料混合物の粉末の平
均粒径は、特に限定されないが、好ましくは0.1〜
1.5μm程度である。
【0029】上記の金属の酸化物の例としては、例え
ば、アルミナ(Al2 O3 )、ベリリア(Be
O)、トリア(ThO2 )等のような酸化物が例示さ
れる。金属の炭化物の例としては、例えば、炭化珪素
(SiC)、炭化チタン(TiC)等のような炭化物が
例示される。金属の窒化物の例としては、例えば、窒化
硼素(BN)、窒化珪素(Si3 N4 )、窒化アル
ミニウム(AlN)等のような窒化物が例示される。金
属の硼化物の例としては、例えば、硼化チタン(TiB
2 )、硼化ジルコニウム(ZrB2 )等のような硼
化物が例示される。金属の珪化物の例としては、例え
ば、珪化モリブデン(MoSi2 )、珪化硼素(Si
B3 、SiB6 )等のような珪化物が例示される。
中でも、好ましくは窒化物であり、より好ましくは、熱
膨張係数が小さく、高い強度を持つSi3N4 であ
る。
ば、アルミナ(Al2 O3 )、ベリリア(Be
O)、トリア(ThO2 )等のような酸化物が例示さ
れる。金属の炭化物の例としては、例えば、炭化珪素
(SiC)、炭化チタン(TiC)等のような炭化物が
例示される。金属の窒化物の例としては、例えば、窒化
硼素(BN)、窒化珪素(Si3 N4 )、窒化アル
ミニウム(AlN)等のような窒化物が例示される。金
属の硼化物の例としては、例えば、硼化チタン(TiB
2 )、硼化ジルコニウム(ZrB2 )等のような硼
化物が例示される。金属の珪化物の例としては、例え
ば、珪化モリブデン(MoSi2 )、珪化硼素(Si
B3 、SiB6 )等のような珪化物が例示される。
中でも、好ましくは窒化物であり、より好ましくは、熱
膨張係数が小さく、高い強度を持つSi3N4 であ
る。
【0030】また、これらの化合物に変わりうるものと
しては、対応する金属の炭酸塩、珪酸塩、ポリシラン化
合物、金属+硼素混合物、金属酸化物+炭素、金属酸化
物+炭素+窒素等がある。
しては、対応する金属の炭酸塩、珪酸塩、ポリシラン化
合物、金属+硼素混合物、金属酸化物+炭素、金属酸化
物+炭素+窒素等がある。
【0031】グリーンシート12の表面に形成される内
部導体14は、前記原料混合物と同時焼成されるので、
その材質としては、高融点、低熱膨張率および低電気比
抵抗の特性を有する材質が好ましく、特に限定されない
が、例えばタングステン(W)および炭素(C)等を所
定の割合で含有する導電性ペースト組成物等が用いられ
る。
部導体14は、前記原料混合物と同時焼成されるので、
その材質としては、高融点、低熱膨張率および低電気比
抵抗の特性を有する材質が好ましく、特に限定されない
が、例えばタングステン(W)および炭素(C)等を所
定の割合で含有する導電性ペースト組成物等が用いられ
る。
【0032】そして、グリーンシート12および16の
積層体の単位を、図示省略してある離型剤層を介して多
数積層し、予備加圧することで、ブロック状の予備成形
体10が得られる。離型剤層としては、特に限定されな
いが、例えば、窒化硼素(BN)シート等が用いられ
る。
積層体の単位を、図示省略してある離型剤層を介して多
数積層し、予備加圧することで、ブロック状の予備成形
体10が得られる。離型剤層としては、特に限定されな
いが、例えば、窒化硼素(BN)シート等が用いられ
る。
【0033】予備成形体10は、図3に示すホットプレ
ス装置に装着される前に、脱バインダ炉内に入れられ、
脱バインダ処理が行われる。脱バインダ処理時の加熱温
度は、脱バインダ処理すべきバインダの種類等によって
も異なるが、一般には、400〜1,000°Cであ
る。また、脱バインダ処理の時間は、予備成形体10の
大きさや加熱温度等によっても異なるが、一般には、数
時間〜数十時間である。
ス装置に装着される前に、脱バインダ炉内に入れられ、
脱バインダ処理が行われる。脱バインダ処理時の加熱温
度は、脱バインダ処理すべきバインダの種類等によって
も異なるが、一般には、400〜1,000°Cであ
る。また、脱バインダ処理の時間は、予備成形体10の
大きさや加熱温度等によっても異なるが、一般には、数
時間〜数十時間である。
【0034】その後、脱バインダ処理後の予備成形体1
0を、例えば図3に示すホットプレス装置30にセット
し、ホットプレス成形を行う。ホットプレス装置30
は、耐熱性押パンチ32と、受パンチ34とを有し、予
備成形体10は、黒鉛製耐熱スリーブ36の内部で、押
パンチ32と受パンチ34との間で加熱および加圧され
る。スリーブ36は、型38の内部に交換自在に取り付
けられ、型38は、型支持ブロック40の下に支持して
ある。型支持ブロック40は、耐熱ブロック42の下に
保持してある。型38は、耐火性チャンバ44の内部に
配置してあり、押パンチ32は、チャンバ44の外部に
配置してある水圧プレス機構等の駆動源により受パンチ
に向けて押圧される。なお、図3では、予備成形体10
を加熱するためのヒータ等の加熱手段の図示を省略して
ある。
0を、例えば図3に示すホットプレス装置30にセット
し、ホットプレス成形を行う。ホットプレス装置30
は、耐熱性押パンチ32と、受パンチ34とを有し、予
備成形体10は、黒鉛製耐熱スリーブ36の内部で、押
パンチ32と受パンチ34との間で加熱および加圧され
る。スリーブ36は、型38の内部に交換自在に取り付
けられ、型38は、型支持ブロック40の下に支持して
ある。型支持ブロック40は、耐熱ブロック42の下に
保持してある。型38は、耐火性チャンバ44の内部に
配置してあり、押パンチ32は、チャンバ44の外部に
配置してある水圧プレス機構等の駆動源により受パンチ
に向けて押圧される。なお、図3では、予備成形体10
を加熱するためのヒータ等の加熱手段の図示を省略して
ある。
【0035】このホットプレス装置30を用いる成形に
おいて、チャンバ44の内部は、窒素ガス又はアルゴン
ガス等の不活性ガス雰囲気下にすることが好ましい。ま
た、予備成形体10の焼成温度は、特に限定されない
が、通常1,300〜2,100°C、好ましくは1,
500〜1,900°Cである。さらに、予備成形体1
0に印加される加圧力は、好ましくは100〜600k
g/cm2 、さらに好ましくは200〜300kg/
cm2 である。加圧時間は、一般には、10〜120
分である。
おいて、チャンバ44の内部は、窒素ガス又はアルゴン
ガス等の不活性ガス雰囲気下にすることが好ましい。ま
た、予備成形体10の焼成温度は、特に限定されない
が、通常1,300〜2,100°C、好ましくは1,
500〜1,900°Cである。さらに、予備成形体1
0に印加される加圧力は、好ましくは100〜600k
g/cm2 、さらに好ましくは200〜300kg/
cm2 である。加圧時間は、一般には、10〜120
分である。
【0036】このような成形により、予備成形体10は
加圧状態で焼成され、図2に示すグリーンシート14と
16とが一体となり焼結され、その後、ダイアモンドカ
ッター等で切断することで、図1に示す抵抗素子本体2
2が得られる。
加圧状態で焼成され、図2に示すグリーンシート14と
16とが一体となり焼結され、その後、ダイアモンドカ
ッター等で切断することで、図1に示す抵抗素子本体2
2が得られる。
【0037】その結果、図1に示すように、抵抗素子本
体22の後方二側面には、内部導体14の取り出し電極
部14aが露出する。その後、これら取り出し電極部1
4aと外部端子電極24との間に、前述のろう材を供給
し、例えば、真空焼き付け法等の接合手段を用いて両者
を接合することにより抵抗素子20が得られる。焼き付
けは、例えば5×10−4〜1×10−5Torr程度
の真空雰囲気で行われる。また、焼き付け温度は、用い
るろう材の融点以上である566〜900°Cであり、
焼き付け時間は、通常1〜10分間である。
体22の後方二側面には、内部導体14の取り出し電極
部14aが露出する。その後、これら取り出し電極部1
4aと外部端子電極24との間に、前述のろう材を供給
し、例えば、真空焼き付け法等の接合手段を用いて両者
を接合することにより抵抗素子20が得られる。焼き付
けは、例えば5×10−4〜1×10−5Torr程度
の真空雰囲気で行われる。また、焼き付け温度は、用い
るろう材の融点以上である566〜900°Cであり、
焼き付け時間は、通常1〜10分間である。
【0038】なお、以上説明した実施形態は、本発明の
理解を容易にするために記載されたものであって、本発
明を限定するために記載されたものではない。従って、
本発明の範囲内で種々の設計変更や改変が可能である。
例えば、上述した実施形態では、取り出し電極部14a
と外部端子電極24とを接合するに際し、ペースト状ろ
う材を用いたが、これに限定されず、粉末状の形態で用
いることとしてもよい。
理解を容易にするために記載されたものであって、本発
明を限定するために記載されたものではない。従って、
本発明の範囲内で種々の設計変更や改変が可能である。
例えば、上述した実施形態では、取り出し電極部14a
と外部端子電極24とを接合するに際し、ペースト状ろ
う材を用いたが、これに限定されず、粉末状の形態で用
いることとしてもよい。
【0039】また、上述した実施形態では、抵抗素子と
して、積層型の抵抗素子を例示したが、本発明に係る抵
抗素子の具体的構造は、特に限定されず、積層型の抵抗
素子以外に、巻き付け型の抵抗素子であっても良い。ま
た、例えば、一つの抵抗素子中に、内部導体を複数本備
え、多層構造として各内部導体同士を直列又は並列に接
続するような構造としても良い。
して、積層型の抵抗素子を例示したが、本発明に係る抵
抗素子の具体的構造は、特に限定されず、積層型の抵抗
素子以外に、巻き付け型の抵抗素子であっても良い。ま
た、例えば、一つの抵抗素子中に、内部導体を複数本備
え、多層構造として各内部導体同士を直列又は並列に接
続するような構造としても良い。
【0040】さらに、上述した実施形態では、焼成方法
として、ホットプレス方法を採用したが、本発明では、
焼成方法については特に制限は無く、公知の方法、常圧
焼成法、ガス加圧焼成法等を用いても良い。
として、ホットプレス方法を採用したが、本発明では、
焼成方法については特に制限は無く、公知の方法、常圧
焼成法、ガス加圧焼成法等を用いても良い。
【0041】さらにまた、本発明では、外部端子電極2
4の材質や形状も特に限定されない。
4の材質や形状も特に限定されない。
【0042】
【実施例】次に、本発明を実施例により、さらに詳細に
説明するが、本発明はこれらの例によって何ら限定され
るものではない。
説明するが、本発明はこれらの例によって何ら限定され
るものではない。
【0043】実施例1 80原子%のAg及び20原子%のAlからなり、平均
粒径が3μmである混合粉末100重量%に、Ti量換
算で2重量%となる水素化Ti粉末を混合し混合粉末を
得た。そして、この混合粉末100重量部に対して、エ
チルセルロースを9重量部、ブチルカルビトールを78
重量部、テルピン油を13重量部添加して、ペースト状
ろう材を作製した。
粒径が3μmである混合粉末100重量%に、Ti量換
算で2重量%となる水素化Ti粉末を混合し混合粉末を
得た。そして、この混合粉末100重量部に対して、エ
チルセルロースを9重量部、ブチルカルビトールを78
重量部、テルピン油を13重量部添加して、ペースト状
ろう材を作製した。
【0044】また、別途、以下の方法により、図1に示
す抵抗素子本体22を作製した。α型−Si3 N4
粉末100モル、Al2 O3 粉末6.86モル、及
びSiO2 粉末10モルを混合して混合粉末を得た。
この混合粉末100重量部に対し、アクリル系樹脂と、
エタノール及びトルエンを適量加え混合してスラリーを
調整し、ドクターブレード法により厚み1mmのセラミ
ックス用グリーンシート12および16を作製した。
す抵抗素子本体22を作製した。α型−Si3 N4
粉末100モル、Al2 O3 粉末6.86モル、及
びSiO2 粉末10モルを混合して混合粉末を得た。
この混合粉末100重量部に対し、アクリル系樹脂と、
エタノール及びトルエンを適量加え混合してスラリーを
調整し、ドクターブレード法により厚み1mmのセラミ
ックス用グリーンシート12および16を作製した。
【0045】グリーンシート12の表面に、例えば、タ
ングステン(W)、炭素(C)、炭化タングステン(W
2 C)及び窒化珪素(Si3 N4 )を所定の割合
で含有する導体ペーストを用いて、スクリーン印刷し、
内部導体14のパターンを形成した。
ングステン(W)、炭素(C)、炭化タングステン(W
2 C)及び窒化珪素(Si3 N4 )を所定の割合
で含有する導体ペーストを用いて、スクリーン印刷し、
内部導体14のパターンを形成した。
【0046】内部導体14のパターンが印刷されたグリ
ーンシート12の上下面に、内部導体14のパターンが
何ら印刷されていないグリーンシート14を、それぞれ
2枚、総数が5枚となるように積層し、それらをBNシ
ートを介して複数枚積層し予備成形体10を形成した。
次に、この予備成形体10を、窒素雰囲気中、500°
Cで脱バインダーした。その後、予備成形体10を、図
3に示すホットプレス装置30にセットし、窒素雰囲気
中、1700°C、250kg/cm2 の条件でホット
プレス焼成した。焼成後、ダイアモンドカッターで切断
し、図1に示す抵抗素子本体22を得た。
ーンシート12の上下面に、内部導体14のパターンが
何ら印刷されていないグリーンシート14を、それぞれ
2枚、総数が5枚となるように積層し、それらをBNシ
ートを介して複数枚積層し予備成形体10を形成した。
次に、この予備成形体10を、窒素雰囲気中、500°
Cで脱バインダーした。その後、予備成形体10を、図
3に示すホットプレス装置30にセットし、窒素雰囲気
中、1700°C、250kg/cm2 の条件でホット
プレス焼成した。焼成後、ダイアモンドカッターで切断
し、図1に示す抵抗素子本体22を得た。
【0047】抵抗素子本体22の内部には、内部導体1
4が内蔵され、その露出部である取り出し電極部14a
に、上述したペースト状ろう材を塗布して、Ni板電極
(外部端子電極24に相当する)で覆い、2×10−4
Torrの真空中、850°C、5分保持の条件で焼き
付けて接合し、抵抗素子20を得た。
4が内蔵され、その露出部である取り出し電極部14a
に、上述したペースト状ろう材を塗布して、Ni板電極
(外部端子電極24に相当する)で覆い、2×10−4
Torrの真空中、850°C、5分保持の条件で焼き
付けて接合し、抵抗素子20を得た。
【0048】得られた素子各々20本の電極部分を、空
気中、500°Cの環境下におき、外部端子電極24及
び24間の抵抗値を、200時間経過前後で測定し、2
00時間経過後の抵抗値増加量を調べた。結果を表1に
示す。表1に示すように、抵抗増加率は9%であった。
気中、500°Cの環境下におき、外部端子電極24及
び24間の抵抗値を、200時間経過前後で測定し、2
00時間経過後の抵抗値増加量を調べた。結果を表1に
示す。表1に示すように、抵抗増加率は9%であった。
【0049】また、得られた素子各々20本を、端子電
極部を炉から空気中に出した状態で、1,000°Cに
加熱された炉に20秒間入れた後、引き出し、室温付近
まで冷却させる繰り返すサイクル試験を、10,000
回行った。10,000回のサイクル試験後における外
部端子電極24及び24間の抵抗値増加量を調べた。結
果を表1に示す。表1に示すように、抵抗増加率は7%
であった。
極部を炉から空気中に出した状態で、1,000°Cに
加熱された炉に20秒間入れた後、引き出し、室温付近
まで冷却させる繰り返すサイクル試験を、10,000
回行った。10,000回のサイクル試験後における外
部端子電極24及び24間の抵抗値増加量を調べた。結
果を表1に示す。表1に示すように、抵抗増加率は7%
であった。
【0050】実施例2 60原子%のAg及び40原子%のAlからなる混合粉
末を用いた以外は、実施例1と同様に、抵抗値増加量を
調べた結果を表1に示す。表1に示すように、抵抗増加
率は1%であった。また、実施例1と同様にして、サイ
クル試験後の抵抗増加率を調べた。結果を表1に示す。
表1に示すように、サイクル試験後の抵抗増加率は、1
%であった。
末を用いた以外は、実施例1と同様に、抵抗値増加量を
調べた結果を表1に示す。表1に示すように、抵抗増加
率は1%であった。また、実施例1と同様にして、サイ
クル試験後の抵抗増加率を調べた。結果を表1に示す。
表1に示すように、サイクル試験後の抵抗増加率は、1
%であった。
【0051】実施例3 35原子%のAg及び65原子%のAlからなる混合粉
末を用いた以外は、実施例1と同様に、抵抗値増加量を
調べた結果を表1に示す。表1に示すように、抵抗増加
率は7%であった。また、実施例1と同様にして、サイ
クル試験後の抵抗増加率を調べた。結果を表1に示す。
表1に示すように、サイクル試験後の抵抗増加率は、4
%であった。
末を用いた以外は、実施例1と同様に、抵抗値増加量を
調べた結果を表1に示す。表1に示すように、抵抗増加
率は7%であった。また、実施例1と同様にして、サイ
クル試験後の抵抗増加率を調べた。結果を表1に示す。
表1に示すように、サイクル試験後の抵抗増加率は、4
%であった。
【0052】実施例4 Ti量換算で1重量%となる水素化Ti粉末を混合した
以外は、実施例3と同様に、抵抗値増加量を調べた結果
を表1に示す。表1に示すように、抵抗増加率は2%で
あった。また、実施例1と同様にして、サイクル試験後
の抵抗増加率を調べた。結果を表1に示す。表1に示す
ように、サイクル試験後の抵抗増加率は、1%であっ
た。
以外は、実施例3と同様に、抵抗値増加量を調べた結果
を表1に示す。表1に示すように、抵抗増加率は2%で
あった。また、実施例1と同様にして、サイクル試験後
の抵抗増加率を調べた。結果を表1に示す。表1に示す
ように、サイクル試験後の抵抗増加率は、1%であっ
た。
【0053】実施例5 Ti量換算で5重量%となる水素化Ti粉末を混合した
以外は、実施例3と同様に、抵抗値増加量を調べた結果
を表1に示す。表1に示すように、抵抗増加率は3%で
あった。また、実施例1と同様にして、サイクル試験後
の抵抗増加率を調べた。結果を表1に示す。表1に示す
ように、サイクル試験後の抵抗増加率は、2%であっ
た。
以外は、実施例3と同様に、抵抗値増加量を調べた結果
を表1に示す。表1に示すように、抵抗増加率は3%で
あった。また、実施例1と同様にして、サイクル試験後
の抵抗増加率を調べた。結果を表1に示す。表1に示す
ように、サイクル試験後の抵抗増加率は、2%であっ
た。
【0054】実施例6 2重量%のZr粉末を混合した以外は、実施例3と同様
に、抵抗値増加量を調べた結果を表1に示す。表1に示
すように、抵抗増加率は2%であった。また、実施例1
と同様にして、サイクル試験後の抵抗増加率を調べた。
結果を表1に示す。表1に示すように、サイクル試験後
の抵抗増加率は、1%であった。
に、抵抗値増加量を調べた結果を表1に示す。表1に示
すように、抵抗増加率は2%であった。また、実施例1
と同様にして、サイクル試験後の抵抗増加率を調べた。
結果を表1に示す。表1に示すように、サイクル試験後
の抵抗増加率は、1%であった。
【0055】実施例7 Ti量換算で0.5重量%となる水素化Ti粉末を混合
した以外は、実施例3と同様に、抵抗値増加量を調べた
結果を表1に示す。表1に示すように、抵抗増加率は2
2%であった。また、実施例1と同様にして、サイクル
試験後の抵抗増加率を調べた。結果を表1に示す。表1
に示すように、サイクル試験後の抵抗増加率は、50%
であった。
した以外は、実施例3と同様に、抵抗値増加量を調べた
結果を表1に示す。表1に示すように、抵抗増加率は2
2%であった。また、実施例1と同様にして、サイクル
試験後の抵抗増加率を調べた。結果を表1に示す。表1
に示すように、サイクル試験後の抵抗増加率は、50%
であった。
【0056】実施例8 Ti量換算で7重量%となる水素化Ti粉末を混合した
以外は、実施例3と同様に、抵抗値増加量を調べた結果
を表1に示す。表1に示すように、抵抗増加率は12%
であった。また、実施例1と同様にして、サイクル試験
後の抵抗増加率を調べた。結果を表1に示す。表1に示
すように、サイクル試験後の抵抗増加率は、40%であ
った。
以外は、実施例3と同様に、抵抗値増加量を調べた結果
を表1に示す。表1に示すように、抵抗増加率は12%
であった。また、実施例1と同様にして、サイクル試験
後の抵抗増加率を調べた。結果を表1に示す。表1に示
すように、サイクル試験後の抵抗増加率は、40%であ
った。
【0057】比較例1 90原子%のAg及び10原子%のAlからなる混合粉
末を用いた以外は、実施例1と同様に、抵抗値増加量を
調べた結果を表1に示す。表1に示すように、抵抗増加
率は23%であった。また、実施例1と同様にして、サ
イクル試験後の抵抗増加率を調べた。結果を表1に示
す。表1に示すように、サイクル試験後の抵抗増加率
は、80%であった。
末を用いた以外は、実施例1と同様に、抵抗値増加量を
調べた結果を表1に示す。表1に示すように、抵抗増加
率は23%であった。また、実施例1と同様にして、サ
イクル試験後の抵抗増加率を調べた。結果を表1に示
す。表1に示すように、サイクル試験後の抵抗増加率
は、80%であった。
【0058】比較例2 20原子%のAg及び80原子%のAlからなる混合粉
末を用いた以外は、実施例1と同様に、抵抗値増加量を
調べた結果を表1に示す。表1に示すように、抵抗増加
率は15%であった。また、実施例1と同様にして、サ
イクル試験後の抵抗増加率を調べた。結果を表1に示
す。表1に示すように、サイクル試験後の抵抗増加率
は、70%であった。
末を用いた以外は、実施例1と同様に、抵抗値増加量を
調べた結果を表1に示す。表1に示すように、抵抗増加
率は15%であった。また、実施例1と同様にして、サ
イクル試験後の抵抗増加率を調べた。結果を表1に示
す。表1に示すように、サイクル試験後の抵抗増加率
は、70%であった。
【0059】比較例3 40原子%のAlの代わりに、40原子%のCuを用い
た以外は、実施例2と同様に、抵抗値増加量を調べた結
果を表1に示す。表1に示すように、加熱前後の抵抗増
加率は35%であった。また、実施例1と同様にして、
サイクル試験後の抵抗増加率を調べた。結果を表1に示
す。表1に示すように、サイクル試験後の抵抗増加率
は、250%であった。
た以外は、実施例2と同様に、抵抗値増加量を調べた結
果を表1に示す。表1に示すように、加熱前後の抵抗増
加率は35%であった。また、実施例1と同様にして、
サイクル試験後の抵抗増加率を調べた。結果を表1に示
す。表1に示すように、サイクル試験後の抵抗増加率
は、250%であった。
【0060】
【表1】
【0061】考察 表1に示すように、AgとAlとを特定の組成で混合
し、さらには特定の活性金属を特定量添加してなるろう
材用ペーストを用いて、取り出し電極部と外部端子電極
をろう付けした実施例1〜8に係る抵抗素子によれば、
比較例1〜3の抵抗素子に比較し、500°Cの高温環
境下で200時間保持されても抵抗値の変動が少なくな
り、しかも室温付近から1,000°Cまでの繰り返し
サイクル試験でも、抵抗値の変動が少ないことが確認さ
れた。
し、さらには特定の活性金属を特定量添加してなるろう
材用ペーストを用いて、取り出し電極部と外部端子電極
をろう付けした実施例1〜8に係る抵抗素子によれば、
比較例1〜3の抵抗素子に比較し、500°Cの高温環
境下で200時間保持されても抵抗値の変動が少なくな
り、しかも室温付近から1,000°Cまでの繰り返し
サイクル試験でも、抵抗値の変動が少ないことが確認さ
れた。
【0062】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、300°C以上(好ましくは500°C以上)の高
温環境下に長時間おかれても、特性低下が少ないろう材
が提供される。従って、こうしたろう材を用いることに
より、1,000°C以上(好ましくは1,400°C
以上)の高温環境下で長期間の使用が可能であると共
に、しかも室温から1,000°C以上(好ましくは
1,400°C以上)の高温またはその逆に繰り返し昇
降温を繰り返しても、抵抗値の変動が少ない耐久性に優
れた抵抗素子を実現することができる。
ば、300°C以上(好ましくは500°C以上)の高
温環境下に長時間おかれても、特性低下が少ないろう材
が提供される。従って、こうしたろう材を用いることに
より、1,000°C以上(好ましくは1,400°C
以上)の高温環境下で長期間の使用が可能であると共
に、しかも室温から1,000°C以上(好ましくは
1,400°C以上)の高温またはその逆に繰り返し昇
降温を繰り返しても、抵抗値の変動が少ない耐久性に優
れた抵抗素子を実現することができる。
【図1】図1(A)は本実施形態に係る抵抗素子の斜視
図、図1(B)は図1(A)のIB−IB線に沿った断面図
である。
図、図1(B)は図1(A)のIB−IB線に沿った断面図
である。
【図2】図2は図1に示す抵抗素子の製造過程を示す斜
視図である。
視図である。
【図3】図3は図1に示す抵抗素子の製造に用いるホッ
トプレス装置の概略図である。
トプレス装置の概略図である。
12,16… グリーンシート 14… 内部導体 14a… 取り出し電極部 20… 抵抗素子 22… 抵抗素子本体 24… 外部端子電極 26… ろう材 28… 電力投入用リード線
Claims (4)
- 【請求項1】 35〜80原子%の銀と、20〜65原
子%のアルミニウムとを含むろう材。 - 【請求項2】 前記銀とアルミニウムとの合計重量を1
00重量%とした場合に、1〜5重量%の活性金属をさ
らに含有することを特徴とする請求項1記載のろう材。 - 【請求項3】 前記活性金属が、チタン及び/又はジル
コニウムを含むことを特徴とする請求項2記載のろう
材。 - 【請求項4】 セラミックスで構成してある抵抗素子本
体と、 前記抵抗素子本体の内部に設けられる内部導体と、 前記抵抗素子本体の表面に設けられる前記内部導体の取
り出し電極部と、 前記取り出し電極部にろう材を用いて固定される外部端
子電極とを有する抵抗素子であって、 前記ろう材が、35〜80原子%の銀と、20〜65原
子%のアルミニウムとを含むことを特徴とする抵抗素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11083866A JP2000271783A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | ろう材及び抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11083866A JP2000271783A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | ろう材及び抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000271783A true JP2000271783A (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=13814601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11083866A Withdrawn JP2000271783A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | ろう材及び抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000271783A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002313823A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-25 | Kyocera Corp | 接触加熱装置 |
| JP2010234401A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Dowa Metaltech Kk | ろう材、ろう材の接合方法及びろう材接合基板 |
| JP2017091956A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | 京セラ株式会社 | セラミックヒータ |
| EP3422367B1 (en) * | 2016-12-27 | 2021-04-28 | Mitsuboshi Belting Ltd. | Electroconductive paste, electronic substrate, and method for manufacturing said substrate |
| WO2025057856A1 (ja) | 2023-09-12 | 2025-03-20 | 京セラ株式会社 | ヒータ |
-
1999
- 1999-03-26 JP JP11083866A patent/JP2000271783A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002313823A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-25 | Kyocera Corp | 接触加熱装置 |
| JP2010234401A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Dowa Metaltech Kk | ろう材、ろう材の接合方法及びろう材接合基板 |
| JP2017091956A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | 京セラ株式会社 | セラミックヒータ |
| EP3422367B1 (en) * | 2016-12-27 | 2021-04-28 | Mitsuboshi Belting Ltd. | Electroconductive paste, electronic substrate, and method for manufacturing said substrate |
| WO2025057856A1 (ja) | 2023-09-12 | 2025-03-20 | 京セラ株式会社 | ヒータ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7189342B2 (en) | Tapecast electro-conductive cermets for high temperature resistive heating systems | |
| JP2804393B2 (ja) | セラミックヒータ | |
| JP4818922B2 (ja) | セラミックヒータの製造方法 | |
| JPH07135067A (ja) | 窒化珪素質セラミックヒータ | |
| JP2000340350A (ja) | 窒化ケイ素製セラミックヒータおよびその製造方法 | |
| JP3933345B2 (ja) | 発熱抵抗体及びセラミックヒータ用発熱抵抗体並びにその製造方法、及びセラミックヒータ | |
| JP3889536B2 (ja) | セラミックヒータ及びその製造方法、並びに該セラミックヒータを備えるグロープラグ | |
| JP2000271783A (ja) | ろう材及び抵抗素子 | |
| JP3121985B2 (ja) | 窒化珪素質セラミックヒータ | |
| JP2616931B2 (ja) | グロープラグのヒータ支持体 | |
| JPH06151044A (ja) | セラミックスヒーター及びその製造方法 | |
| JPH11214124A (ja) | セラミックヒータ | |
| JP3078418B2 (ja) | セラミック発熱体 | |
| JP2001230060A (ja) | 抵抗素子 | |
| JP2001244053A (ja) | 発熱用抵抗素子 | |
| JP2004259610A (ja) | セラミックヒータとその製造方法、およびグロープラグ | |
| JP3811440B2 (ja) | セラミックヒータ | |
| JP2537606B2 (ja) | セラミツクヒ−タ | |
| JP2646083B2 (ja) | セラミツクヒータ | |
| JPH07106055A (ja) | 急速昇温発熱素子およびその製造方法 | |
| JP2000286039A (ja) | 抵抗素子およびその製造方法 | |
| JP2512818Y2 (ja) | セラミックヒ―タ― | |
| JPH08255678A (ja) | 急速昇温発熱素子およびその製造方法 | |
| JP2001244052A (ja) | 発熱素子 | |
| JP2001043962A (ja) | 窒化ケイ素セラミックヒータ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060606 |