JP2000272930A - 光ファイバ母材の製造方法 - Google Patents
光ファイバ母材の製造方法Info
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- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
- C03B37/0142—Reactant deposition burners
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スート割れや気泡発生のない大型の光ファイ
バ母材を確実にかつ安価に製造する。 【解決手段】 OVD法による光ファイバ母材の製造方
法において、バーナ3の原料ガス噴出口から噴出させる
燃料ガスの流量を制御することによって堆積面の温度を
950±100℃とし、出発材2のトラバースの速度を
制御することによりガラス微粒子の堆積層厚さを0.3
mm以下にする。これにより、スート密度が0.8±
0.2g/cm3となり、スート密度が低下することに
起因するスート割れや、スート密度の差が大きくなるこ
とに起因する脱水・焼結時の気泡の発生を確実に防止し
て大型の光ファイバ母材が製造でき、しかもコストの低
減化が図られる。
バ母材を確実にかつ安価に製造する。 【解決手段】 OVD法による光ファイバ母材の製造方
法において、バーナ3の原料ガス噴出口から噴出させる
燃料ガスの流量を制御することによって堆積面の温度を
950±100℃とし、出発材2のトラバースの速度を
制御することによりガラス微粒子の堆積層厚さを0.3
mm以下にする。これにより、スート密度が0.8±
0.2g/cm3となり、スート密度が低下することに
起因するスート割れや、スート密度の差が大きくなるこ
とに起因する脱水・焼結時の気泡の発生を確実に防止し
て大型の光ファイバ母材が製造でき、しかもコストの低
減化が図られる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、OVD(Outside
Vapour-phase Deposition)法により光ファイバ用多孔
質母材を製造するために用いられる光ファイバ母材の製
造方法に関する。
Vapour-phase Deposition)法により光ファイバ用多孔
質母材を製造するために用いられる光ファイバ母材の製
造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、この種の光ファイバ母材の製
造方法として、棒状の出発材に対し直交する方向からバ
ーナにより原料ガス、燃料ガス、助燃ガス等を噴出させ
つつ、上記出発材とバーナとを上記出発材の長手方向に
相対的に往復移動(トラバース)させながら、上記原料
ガスの酸水素火炎中での加水分解により生じたガラス微
粒子を上記出発材の周囲に対し順次堆積することにより
光ファイバ用多孔質母材を製造する方法が知られている
(例えば、特許2793617号公報、特開平6−16
447号公報、または、特開平9−118539号公報
参照)。
造方法として、棒状の出発材に対し直交する方向からバ
ーナにより原料ガス、燃料ガス、助燃ガス等を噴出させ
つつ、上記出発材とバーナとを上記出発材の長手方向に
相対的に往復移動(トラバース)させながら、上記原料
ガスの酸水素火炎中での加水分解により生じたガラス微
粒子を上記出発材の周囲に対し順次堆積することにより
光ファイバ用多孔質母材を製造する方法が知られている
(例えば、特許2793617号公報、特開平6−16
447号公報、または、特開平9−118539号公報
参照)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図2に示す
ように、ガラス微粒子堆積体(スート)の成長につれて
スートの密度(スート密度)が低下するようになってし
まう。このスート密度の低下は、図3に示すように、堆
積面の温度の低下に起因するものである。すなわち、堆
積面の温度が高い時には焼き締め効果により、ガラス微
粒子がより高密度に付着する一方、堆積面の温度が低く
なれば上記の焼き締め効果が得られないため、ガラス微
粒子が低密度に付着するようになってしまうと考えられ
る。このようにスート密度が低くなれば、スートが割れ
やすくなってしまうという不都合がある。また、スート
の中心部と外周部とのスート密度の差が大きくなるた
め、上記光ファイバ母材を脱水・焼結する際に、内部に
気泡が発生し易くなってしまうという不都合もある。さ
らに、上記スート密度が低下すれば、スートの嵩が増え
ることになるため、製造終了時の光ファイバ母材は比較
的太径のものとなってしまう。この場合、製造設備を大
型化する必要があり、特に脱水・焼結工程に用いるマッ
フル管は定期的に交換する必要があるため、このマッフ
ル管が大型化すれば、その分ランニングコストが増大し
てしまうという不都合もある。
ように、ガラス微粒子堆積体(スート)の成長につれて
スートの密度(スート密度)が低下するようになってし
まう。このスート密度の低下は、図3に示すように、堆
積面の温度の低下に起因するものである。すなわち、堆
積面の温度が高い時には焼き締め効果により、ガラス微
粒子がより高密度に付着する一方、堆積面の温度が低く
なれば上記の焼き締め効果が得られないため、ガラス微
粒子が低密度に付着するようになってしまうと考えられ
る。このようにスート密度が低くなれば、スートが割れ
やすくなってしまうという不都合がある。また、スート
の中心部と外周部とのスート密度の差が大きくなるた
め、上記光ファイバ母材を脱水・焼結する際に、内部に
気泡が発生し易くなってしまうという不都合もある。さ
らに、上記スート密度が低下すれば、スートの嵩が増え
ることになるため、製造終了時の光ファイバ母材は比較
的太径のものとなってしまう。この場合、製造設備を大
型化する必要があり、特に脱水・焼結工程に用いるマッ
フル管は定期的に交換する必要があるため、このマッフ
ル管が大型化すれば、その分ランニングコストが増大し
てしまうという不都合もある。
【0004】加えて、近年、光ファイバの製造コスト削
減のために、より太径かつ長尺である大型の光ファイバ
母材を製造することが要求されている。ところが、径を
太くすればスート外周部のスート密度がより一層低くな
ってしまい、上記スート割れがより一層頻繁に発生する
おそれがある。また、長尺になれば一回のトラバースに
長時間を要するため、その間の堆積面の温度の低下を招
いてしまい、それに伴いスート密度が低下してしまうと
いう不都合がある。このため、スート中心部と外周部と
の密度差がより一層大きくなり、脱水・焼結の際に気泡
が発生する確率が高くなってしまう。加えて、スート密
度がより一層低くなれば、製造終了時の光ファイバがさ
らに太径となってしまうため、上記製造設備を大型化せ
ざるを得ないという問題もある。その結果、従来の光フ
ァイバ母材の製造方法では、大型の光ファイバ母材を確
実かつ安価に製造することが極めて困難なものとなって
いる。
減のために、より太径かつ長尺である大型の光ファイバ
母材を製造することが要求されている。ところが、径を
太くすればスート外周部のスート密度がより一層低くな
ってしまい、上記スート割れがより一層頻繁に発生する
おそれがある。また、長尺になれば一回のトラバースに
長時間を要するため、その間の堆積面の温度の低下を招
いてしまい、それに伴いスート密度が低下してしまうと
いう不都合がある。このため、スート中心部と外周部と
の密度差がより一層大きくなり、脱水・焼結の際に気泡
が発生する確率が高くなってしまう。加えて、スート密
度がより一層低くなれば、製造終了時の光ファイバがさ
らに太径となってしまうため、上記製造設備を大型化せ
ざるを得ないという問題もある。その結果、従来の光フ
ァイバ母材の製造方法では、大型の光ファイバ母材を確
実かつ安価に製造することが極めて困難なものとなって
いる。
【0005】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、スート割れを
起こさない、かつ、脱水・焼結時に気泡が発生しない大
型の光ファイバ母材を確実に、しかも低コストで製造す
ることにある。
たものであり、その目的とするところは、スート割れを
起こさない、かつ、脱水・焼結時に気泡が発生しない大
型の光ファイバ母材を確実に、しかも低コストで製造す
ることにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者は、ガラス微粒子堆積層の層厚及び堆積面
の温度を制御することによってスート密度を制御する点
に着目し実験を繰り返した結果、スート密度が最適な値
となる層厚及び温度の設定を見出し、この条件に従えば
スート割れや、脱水・焼結時の気泡の発生が防止された
大型の光ファイバ母材が得られることを確認して本発明
を完成するに至ったものである。
に、本発明者は、ガラス微粒子堆積層の層厚及び堆積面
の温度を制御することによってスート密度を制御する点
に着目し実験を繰り返した結果、スート密度が最適な値
となる層厚及び温度の設定を見出し、この条件に従えば
スート割れや、脱水・焼結時の気泡の発生が防止された
大型の光ファイバ母材が得られることを確認して本発明
を完成するに至ったものである。
【0007】具体的に、本発明は、バーナに設けられた
原料ガス噴出口と出発材とをこの出発材の長手方向に相
対的に往復移動させながら上記原料ガス噴出口から原料
ガス及び燃料ガスを出発材に向かって噴出させ、この原
料ガスの酸水素火炎中での加水分解反応により生じたガ
ラス微粒子を上記出発材の径方向に積層状態に堆積させ
て光ファイバ母材を製造する光ファイバ母材の製造方法
を対象とし、この方法において、上記ガラス微粒子の堆
積層厚さが0.3mm以下となり、かつ、堆積面の温度
が950±100℃となる条件で上記ガラス微粒子を堆
積させて、ガラス微粒子堆積体の密度を0.8±0.2
g/cm3にすることを特定事項とする方法である。こ
こで、ガラス微粒子の堆積層厚さは、例えば原料ガス噴
出口と出発材との往復移動の速度を制御することによっ
て制御するようにすればよい。また、堆積面の温度は、
例えば燃料ガス流量を制御することによって制御するよ
うにすればよい。
原料ガス噴出口と出発材とをこの出発材の長手方向に相
対的に往復移動させながら上記原料ガス噴出口から原料
ガス及び燃料ガスを出発材に向かって噴出させ、この原
料ガスの酸水素火炎中での加水分解反応により生じたガ
ラス微粒子を上記出発材の径方向に積層状態に堆積させ
て光ファイバ母材を製造する光ファイバ母材の製造方法
を対象とし、この方法において、上記ガラス微粒子の堆
積層厚さが0.3mm以下となり、かつ、堆積面の温度
が950±100℃となる条件で上記ガラス微粒子を堆
積させて、ガラス微粒子堆積体の密度を0.8±0.2
g/cm3にすることを特定事項とする方法である。こ
こで、ガラス微粒子の堆積層厚さは、例えば原料ガス噴
出口と出発材との往復移動の速度を制御することによっ
て制御するようにすればよい。また、堆積面の温度は、
例えば燃料ガス流量を制御することによって制御するよ
うにすればよい。
【0008】この場合、ガラス微粒子の堆積層厚さを
0.3mm以下とし、かつ、堆積面の温度を950±1
00℃として上記ガラス微粒子を積層させれば、ガラス
微粒子堆積体(スート)の密度が0.8±0.2g/c
m3になり、スートの径方向にスート密度がほぼ一定と
なる。このため、このスート密度が上記スートの外周部
にかけて低下することに起因するスート割れや、スート
密度の差が大きくなることに起因する脱水・焼結時の気
泡の発生が確実に防止される。また、スート密度を比較
的高くすることによりスートの嵩が小さくなり、その結
果、製造終了時の光ファイバ母材の径が比較的細径にな
る。このため、製造設備を大型化に伴うコストの増大が
回避される。しかも、スートの嵩が小さくなることによ
って、少ない熱量で脱水・焼結することが可能となり、
製造コストの低減が図られる。
0.3mm以下とし、かつ、堆積面の温度を950±1
00℃として上記ガラス微粒子を積層させれば、ガラス
微粒子堆積体(スート)の密度が0.8±0.2g/c
m3になり、スートの径方向にスート密度がほぼ一定と
なる。このため、このスート密度が上記スートの外周部
にかけて低下することに起因するスート割れや、スート
密度の差が大きくなることに起因する脱水・焼結時の気
泡の発生が確実に防止される。また、スート密度を比較
的高くすることによりスートの嵩が小さくなり、その結
果、製造終了時の光ファイバ母材の径が比較的細径にな
る。このため、製造設備を大型化に伴うコストの増大が
回避される。しかも、スートの嵩が小さくなることによ
って、少ない熱量で脱水・焼結することが可能となり、
製造コストの低減が図られる。
【0009】
【発明の効果】以上説明したように、本発明における光
ファイバ母材の製造方法によれば、スート割れや気泡発
生のない大型の光ファイバ母材を確実に、かつ、安価に
製造することができる。
ファイバ母材の製造方法によれば、スート割れや気泡発
生のない大型の光ファイバ母材を確実に、かつ、安価に
製造することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基いて説明する。
基いて説明する。
【0011】図1は、本発明の製造方法を実施するため
の光ファイバ母材の製造装置の一例を示し、1は出発材
2に対し堆積されたガラス微粒子堆積体(スート)、3
は上記出発材2に対し直交する方向から火炎を吹き付け
るバーナ、4は上記スート1を挟んでバーナ3と相対向
する排気管である。
の光ファイバ母材の製造装置の一例を示し、1は出発材
2に対し堆積されたガラス微粒子堆積体(スート)、3
は上記出発材2に対し直交する方向から火炎を吹き付け
るバーナ、4は上記スート1を挟んでバーナ3と相対向
する排気管である。
【0012】上記出発材2はその両端がそれぞれ把持手
段5により把持され、この両把持手段5,5は出発材2
を把持してその軸X回りに回転させながら軸X方向(同
図の左右方向)に往復移動(トラバース)可能に基台
(図示省略)上に配設されている。また、上記スート1
を含む出発材2と、バーナ3及び排気管4の各先端部と
が反応容器(図示省略)内に収容されている。
段5により把持され、この両把持手段5,5は出発材2
を把持してその軸X回りに回転させながら軸X方向(同
図の左右方向)に往復移動(トラバース)可能に基台
(図示省略)上に配設されている。また、上記スート1
を含む出発材2と、バーナ3及び排気管4の各先端部と
が反応容器(図示省略)内に収容されている。
【0013】上記バーナ3は、原料ガス、燃料ガス、助
燃ガス及びシールガス等が供給されこれらのガスを先端
から噴出させて上記原料ガス中の原料を酸水素火炎中で
加水分解させることによりガラス微粒子を上記出発材2
に対し順次堆積させるものである。
燃ガス及びシールガス等が供給されこれらのガスを先端
から噴出させて上記原料ガス中の原料を酸水素火炎中で
加水分解させることによりガラス微粒子を上記出発材2
に対し順次堆積させるものである。
【0014】上記原料ガスとしてはSiCl4等のケイ
素化合物が用いられる。また、上記シールガスとしては
Ar、燃料ガスとしてはH2、上記助燃ガスとしてはO2
がそれぞれ用いられる。この場合、酸水素火炎中で上記
原料ガスが加水分解され(SiCl4+2H2O→SiO
2+4HCl)、SiO2のガラス微粒子がターゲット
(出発材2及びスート1)に対し堆積されることにな
る。
素化合物が用いられる。また、上記シールガスとしては
Ar、燃料ガスとしてはH2、上記助燃ガスとしてはO2
がそれぞれ用いられる。この場合、酸水素火炎中で上記
原料ガスが加水分解され(SiCl4+2H2O→SiO
2+4HCl)、SiO2のガラス微粒子がターゲット
(出発材2及びスート1)に対し堆積されることにな
る。
【0015】そして、上記バーナ3には、このバーナ3
に対し少なくとも上記燃料ガスを供給する図示省略の供
給装置が接続されており、この供給装置には上記燃料ガ
スについての流量調整手段(例えばマスフローコントロ
ーラ)が設けられている。そして、この流量調整手段が
図示省略の流量制御手段からの制御信号により作動制御
されて堆積過程に応じた所定流量の原料ガスが供給され
るようになっている。すなわち、上記燃料ガスの流量
は、流量調整手段及び流量制御手段により、スート1の
径方向の成長に対してその流量が直線的に大となるよう
に制御されるようになっている。この燃料ガスの流量制
御は、過去に得られたデータに基づき、径に対する燃料
ガスの流量を予め設定し、その傾きに従って上記燃料ガ
スの流量を調整するようにしている。具体的には、スー
ト1の径を超音波式、レーザ式などの距離測定装置等に
よって測定しながら、この測定値に基づき上記スート1
が所定径まで成長する間に上記燃料ガスの流量を所定の
流量にまで徐々に増加させるようにしている。このよう
に上記燃料ガスの流量をスート1の径に対して所定の傾
きでもって直線的に増加させるようにして、堆積面の温
度を950±100℃となるようにしている。
に対し少なくとも上記燃料ガスを供給する図示省略の供
給装置が接続されており、この供給装置には上記燃料ガ
スについての流量調整手段(例えばマスフローコントロ
ーラ)が設けられている。そして、この流量調整手段が
図示省略の流量制御手段からの制御信号により作動制御
されて堆積過程に応じた所定流量の原料ガスが供給され
るようになっている。すなわち、上記燃料ガスの流量
は、流量調整手段及び流量制御手段により、スート1の
径方向の成長に対してその流量が直線的に大となるよう
に制御されるようになっている。この燃料ガスの流量制
御は、過去に得られたデータに基づき、径に対する燃料
ガスの流量を予め設定し、その傾きに従って上記燃料ガ
スの流量を調整するようにしている。具体的には、スー
ト1の径を超音波式、レーザ式などの距離測定装置等に
よって測定しながら、この測定値に基づき上記スート1
が所定径まで成長する間に上記燃料ガスの流量を所定の
流量にまで徐々に増加させるようにしている。このよう
に上記燃料ガスの流量をスート1の径に対して所定の傾
きでもって直線的に増加させるようにして、堆積面の温
度を950±100℃となるようにしている。
【0016】また、上記スート1の径の計測結果に基づ
いて把持手段5,5のトラバース速度を制御する速度制
御手段(図示省略)を備えており、この速度制御手段に
より、上記トラバース速度を制御して、ガラス微粒子の
堆積層厚さを制御するようにしている。すなわち、一回
のトラバースによって堆積されるガラス微粒子堆積層の
層厚が所定値よりも薄すぎるときは、上記トラバースの
速度を遅くする一方、所定値よりも分厚いときは、トラ
バースの速度を速くするようにしている。これにより、
ガラス微粒子堆積層の層厚が0.3mm以下に制御され
るようになっている。
いて把持手段5,5のトラバース速度を制御する速度制
御手段(図示省略)を備えており、この速度制御手段に
より、上記トラバース速度を制御して、ガラス微粒子の
堆積層厚さを制御するようにしている。すなわち、一回
のトラバースによって堆積されるガラス微粒子堆積層の
層厚が所定値よりも薄すぎるときは、上記トラバースの
速度を遅くする一方、所定値よりも分厚いときは、トラ
バースの速度を速くするようにしている。これにより、
ガラス微粒子堆積層の層厚が0.3mm以下に制御され
るようになっている。
【0017】このように、ガラス微粒子堆積層の層厚を
0.3mm以下にし、堆積面の温度を950±100℃
とすることにより、スート密度が0.8±0.2g/c
m3となる。
0.3mm以下にし、堆積面の温度を950±100℃
とすることにより、スート密度が0.8±0.2g/c
m3となる。
【0018】そして、上記の条件であれば、スート密度
の低下に起因するスート割れや、スート密度差が大きく
なることに起因する脱水・焼結時の気泡の発生が防止さ
れ、大型の光ファイバ母材を確実に得られることが実験
により確認できた。
の低下に起因するスート割れや、スート密度差が大きく
なることに起因する脱水・焼結時の気泡の発生が防止さ
れ、大型の光ファイバ母材を確実に得られることが実験
により確認できた。
【0019】また、スート密度を比較的高くすることに
よって、脱水・焼結時の熱量の低減化が図られることが
確認できた。これは、スート密度を高くすればガラス微
粒子堆積体の径が小さくなると共に、スート1の内部に
含まれる空気が少なくなるため、空気が多く含まれる場
合の断熱効果がなく、その分少ない熱量でより短時間に
焼結できるためと考えられる。このため、大型の光ファ
イバ母材を低コストで製造できるようになる。 <他の実施形態>なお、本発明は、上記実施形態に限定
されるものではなく、その他種々の実施形態を包含する
ものでる。すなわち、上記実施形態では、ガラス微粒子
の堆積層の層厚をトラバース速度を制御することによっ
て制御するようにしているが、これに限らず、例えば、
原料ガスの流量または堆積効率を制御することによって
ガラス微粒子の堆積層厚さを0.3mm以下となるよう
にしてもよい。例えば、原料ガスの流量を制御する場合
には、上記ガラス微粒子の堆積層厚さが薄すぎるときに
は、上記原料ガス流量を大とする一方、堆積層厚さが分
厚いときには、上記原料ガス流量を小とすればよい。
よって、脱水・焼結時の熱量の低減化が図られることが
確認できた。これは、スート密度を高くすればガラス微
粒子堆積体の径が小さくなると共に、スート1の内部に
含まれる空気が少なくなるため、空気が多く含まれる場
合の断熱効果がなく、その分少ない熱量でより短時間に
焼結できるためと考えられる。このため、大型の光ファ
イバ母材を低コストで製造できるようになる。 <他の実施形態>なお、本発明は、上記実施形態に限定
されるものではなく、その他種々の実施形態を包含する
ものでる。すなわち、上記実施形態では、ガラス微粒子
の堆積層の層厚をトラバース速度を制御することによっ
て制御するようにしているが、これに限らず、例えば、
原料ガスの流量または堆積効率を制御することによって
ガラス微粒子の堆積層厚さを0.3mm以下となるよう
にしてもよい。例えば、原料ガスの流量を制御する場合
には、上記ガラス微粒子の堆積層厚さが薄すぎるときに
は、上記原料ガス流量を大とする一方、堆積層厚さが分
厚いときには、上記原料ガス流量を小とすればよい。
【0020】また、上記実施形態では、燃料ガスの流量
の制御として、この燃料ガスの流量のスート1の径に対
する傾きを予め設定し、この傾きに従って上記燃料ガス
を流量調整しているが、これに限らず、例えば、サーモ
グラフィ等の温度計測手段を用いて堆積面の温度を計測
しながら、この計測値に基づいて堆積面の温度が950
±100℃となるように上記燃料ガス流量の流量調整を
行ってもよい。なお、上記温度計測手段としては、温度
計測点である体積面が、スート1の成長と共に移動する
ことを考慮すれば、非接触式の温度計測手段とすること
が好ましい。
の制御として、この燃料ガスの流量のスート1の径に対
する傾きを予め設定し、この傾きに従って上記燃料ガス
を流量調整しているが、これに限らず、例えば、サーモ
グラフィ等の温度計測手段を用いて堆積面の温度を計測
しながら、この計測値に基づいて堆積面の温度が950
±100℃となるように上記燃料ガス流量の流量調整を
行ってもよい。なお、上記温度計測手段としては、温度
計測点である体積面が、スート1の成長と共に移動する
ことを考慮すれば、非接触式の温度計測手段とすること
が好ましい。
【図1】本発明に係る母材製造装置の概要を示す平面図
である。
である。
【図2】従来の光ファイバ母材の製造方法におけるスー
ト径に対するスート密度の変化を示す図である。
ト径に対するスート密度の変化を示す図である。
【図3】従来の光ファイバ母材の製造方法におけるスー
ト径に対する堆積面の温度の変化を示す図である。
ト径に対する堆積面の温度の変化を示す図である。
1 スート(ガラス微粒子堆積体) 2 出発材 3 バーナ
フロントページの続き (72)発明者 下山 義夫 兵庫県伊丹市池尻4丁目3番地 三菱電線 工業株式会社伊丹製作所内 Fターム(参考) 4G021 EA03 EB11 EB26
Claims (3)
- 【請求項1】 バーナに設けられた原料ガス噴出口と出
発材とをこの出発材の長手方向に相対的に往復移動させ
ながら上記原料ガス噴出口から原料ガス及び燃料ガスを
出発材に向かって噴出させ、この原料ガスの酸水素火炎
中での加水分解反応により生じたガラス微粒子を上記出
発材の径方向に積層状態に堆積させて光ファイバ母材を
製造する光ファイバ母材の製造方法において、 上記ガラス微粒子の堆積層厚さが0.3mm以下とな
り、かつ、堆積面の温度が950±100℃となる条件
で上記ガラス微粒子を堆積させて、ガラス微粒子堆積体
の密度を0.8±0.2g/cm3にすることを特徴と
する光ファイバ母材の製造方法。 - 【請求項2】 請求項1において、 ガラス微粒子の堆積層厚さを、原料ガス噴出口と出発材
との往復移動の速度を制御することによって制御するこ
とを特徴とする光ファイバ母材の製造方法。 - 【請求項3】 請求項1において、 堆積面の温度を、燃料ガス流量を制御することによって
制御することを特徴とする光ファイバ母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8282899A JP2000272930A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8282899A JP2000272930A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | 光ファイバ母材の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000272930A true JP2000272930A (ja) | 2000-10-03 |
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ID=13785271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8282899A Pending JP2000272930A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | 光ファイバ母材の製造方法 |
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1999
- 1999-03-26 JP JP8282899A patent/JP2000272930A/ja active Pending
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