JP2000272960A - マイクロ波用誘電体磁器組成物およびその製造方法ならびにマイクロ波用誘電体磁器組成物を用いたマイクロ波用電子部品 - Google Patents
マイクロ波用誘電体磁器組成物およびその製造方法ならびにマイクロ波用誘電体磁器組成物を用いたマイクロ波用電子部品Info
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- JP2000272960A JP2000272960A JP2000011412A JP2000011412A JP2000272960A JP 2000272960 A JP2000272960 A JP 2000272960A JP 2000011412 A JP2000011412 A JP 2000011412A JP 2000011412 A JP2000011412 A JP 2000011412A JP 2000272960 A JP2000272960 A JP 2000272960A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｑ値が高く、τｆが小さく、しかも１０００
℃以下の低温で焼成することができるマイクロ波用誘電
体磁器組成物を提供する。 【解決手段】 主成分がＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒの酸化物で構
成され、Ａｌ，Ｓｉ，ＳｒをそれぞれＡｌ２Ｏ３、Ｓｉ
Ｏ２、ＳｒＯに換算し合計１００質量％としたとき、Ａ
ｌ２Ｏ３換算で１０〜６０質量％、ＳｉＯ２換算で２５
〜６０質量％、ＳｒＯ換算で７．５〜５０質量％のＡ
ｌ，Ｓｉ，Ｓｒを含有し、前記合計１００質量％に対し
副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で０．１〜１０質量％の
Ｂｉを含有していることを特徴とするマイクロ波用誘電
体磁器組成物。
℃以下の低温で焼成することができるマイクロ波用誘電
体磁器組成物を提供する。 【解決手段】 主成分がＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒの酸化物で構
成され、Ａｌ，Ｓｉ，ＳｒをそれぞれＡｌ２Ｏ３、Ｓｉ
Ｏ２、ＳｒＯに換算し合計１００質量％としたとき、Ａ
ｌ２Ｏ３換算で１０〜６０質量％、ＳｉＯ２換算で２５
〜６０質量％、ＳｒＯ換算で７．５〜５０質量％のＡ
ｌ，Ｓｉ，Ｓｒを含有し、前記合計１００質量％に対し
副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で０．１〜１０質量％の
Ｂｉを含有していることを特徴とするマイクロ波用誘電
体磁器組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波領域で
使用される誘電体磁器組成物に関し、特に、Ｑが高く、
温度特性が安定しており、さらに銀や銅といった内部電
極材料との同時焼成が可能な低温焼結性を有する誘電体
磁器組成物およびその製造方法ならびにそれを用いたマ
イクロ波用電子部品に関する。
使用される誘電体磁器組成物に関し、特に、Ｑが高く、
温度特性が安定しており、さらに銀や銅といった内部電
極材料との同時焼成が可能な低温焼結性を有する誘電体
磁器組成物およびその製造方法ならびにそれを用いたマ
イクロ波用電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、自動車電話、携帯電話、衛星放送
など、マイクロ波領域の電磁波を利用する通信技術の進
展に伴い、機器の小型化が要求されている。このために
は、機器を構成する個々の部品が小型化される必要があ
る。
など、マイクロ波領域の電磁波を利用する通信技術の進
展に伴い、機器の小型化が要求されている。このために
は、機器を構成する個々の部品が小型化される必要があ
る。
【０００３】誘電体磁器組成物は、これらのマイクロ波
機器において、誘電体共振器、フィルタ、積層インダク
ター、または積層コンデンサ、および、これらを複合化
した高周波積層基板用の材料として用いられている。誘
電体共振器の大きさは同じ共振モードを利用する場合、
誘電体材料の持つ誘電率の平方根に逆比例する。このた
め、小型の誘電体共振器を作製するには、高い誘電率を
有する誘電体材料が必要となる。また、他にマイクロ波
用の誘電体材料として求められる特性としては、マイク
ロ波領域での誘電損失ｔａｎδ（＝１／Ｑ）が小さいこ
と、すなわちＱ値が大きいこと、共振周波数の温度係数
τｆができるだけ零に近いことなどが要求される。
機器において、誘電体共振器、フィルタ、積層インダク
ター、または積層コンデンサ、および、これらを複合化
した高周波積層基板用の材料として用いられている。誘
電体共振器の大きさは同じ共振モードを利用する場合、
誘電体材料の持つ誘電率の平方根に逆比例する。このた
め、小型の誘電体共振器を作製するには、高い誘電率を
有する誘電体材料が必要となる。また、他にマイクロ波
用の誘電体材料として求められる特性としては、マイク
ロ波領域での誘電損失ｔａｎδ（＝１／Ｑ）が小さいこ
と、すなわちＱ値が大きいこと、共振周波数の温度係数
τｆができるだけ零に近いことなどが要求される。
【０００４】さらに、マイクロ波領域で使用される誘電
体共振器、フィルタ、積層インダクター、又は積層コン
デンサの内部電極等は、マイクロ波帯における抵抗損失
の低い材料で構成される必要があり、従って、銀や銅・
金といった導電率の高い金属材料を用いて構成する必要
がある。また、これらマイクロ波用の電子部品において
は、小型化を図るために、セラミックスと内部電極との
積層構造体を同時焼成して得られる積層型電子部品とす
ることが試みられている。このため、銀（融点９６１
℃）や銅（融点１０８３℃）、金（融点１０６３℃）の
ような融点の低い電極材料を用いて、誘電体材料と同時
焼成する場合、誘電体材料として１０００℃以下の温
度、好ましくは９００℃以下の温度で焼結する材料であ
ることが必要である。
体共振器、フィルタ、積層インダクター、又は積層コン
デンサの内部電極等は、マイクロ波帯における抵抗損失
の低い材料で構成される必要があり、従って、銀や銅・
金といった導電率の高い金属材料を用いて構成する必要
がある。また、これらマイクロ波用の電子部品において
は、小型化を図るために、セラミックスと内部電極との
積層構造体を同時焼成して得られる積層型電子部品とす
ることが試みられている。このため、銀（融点９６１
℃）や銅（融点１０８３℃）、金（融点１０６３℃）の
ような融点の低い電極材料を用いて、誘電体材料と同時
焼成する場合、誘電体材料として１０００℃以下の温
度、好ましくは９００℃以下の温度で焼結する材料であ
ることが必要である。
【０００５】従来のマイクロ波帯で利用されてきた誘電
体材料の一例として、特開平８−３２５０５５号公報に
は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｒの酸化物
から構成される磁器組成物で組成比は、重量％で、Ａｌ
２Ｏ３ ４０〜６０％、ＳｉＯ２ ２５〜４０％、Ｐｂ
Ｏ ５〜１５％、Ｎａ２Ｏ ０．１〜３％、Ｋ２Ｏ１〜
３％、ＣａＯ １〜６％、ＳｒＯ １〜６％から成る低
温焼成磁器組成物が開示されている。これによれば、９
００℃程度での低温焼成が可能である。
体材料の一例として、特開平８−３２５０５５号公報に
は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｒの酸化物
から構成される磁器組成物で組成比は、重量％で、Ａｌ
２Ｏ３ ４０〜６０％、ＳｉＯ２ ２５〜４０％、Ｐｂ
Ｏ ５〜１５％、Ｎａ２Ｏ ０．１〜３％、Ｋ２Ｏ１〜
３％、ＣａＯ １〜６％、ＳｒＯ １〜６％から成る低
温焼成磁器組成物が開示されている。これによれば、９
００℃程度での低温焼成が可能である。
【０００６】また、従来のマイクロ波帯で利用されてき
た誘電体材料の他の一例として、特公平６−７４１６６
号公報には、ＳｉＯ２ ２５〜８０重量％、ＢａＯ，Ｓ
ｒＯのうち１種または２種が１５〜７０重量％およびＢ
２Ｏ３ １．５〜５重量％からなる主成分に、Ｃｒ２Ｏ
３，ＣｕＯ，ＮｉＯ，Ｃｏ２Ｏ３およびＦｅ２Ｏ３のい
ずれか１種が添加含有された磁器組成物であり、添加物
がＣｒ２Ｏ３またはＣｕＯの場合には０．２〜１０重量
％の範囲で添加され、添加物がＮｉＯ，Ｃｏ２Ｏ３およ
びＦｅ２Ｏ３の場合には、１〜１０重量％の範囲で添加
される事を特徴とする低温焼成用磁器組成物が開示され
ている。これによれば、９００℃程度での低温焼成が可
能である。
た誘電体材料の他の一例として、特公平６−７４１６６
号公報には、ＳｉＯ２ ２５〜８０重量％、ＢａＯ，Ｓ
ｒＯのうち１種または２種が１５〜７０重量％およびＢ
２Ｏ３ １．５〜５重量％からなる主成分に、Ｃｒ２Ｏ
３，ＣｕＯ，ＮｉＯ，Ｃｏ２Ｏ３およびＦｅ２Ｏ３のい
ずれか１種が添加含有された磁器組成物であり、添加物
がＣｒ２Ｏ３またはＣｕＯの場合には０．２〜１０重量
％の範囲で添加され、添加物がＮｉＯ，Ｃｏ２Ｏ３およ
びＦｅ２Ｏ３の場合には、１〜１０重量％の範囲で添加
される事を特徴とする低温焼成用磁器組成物が開示され
ている。これによれば、９００℃程度での低温焼成が可
能である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この特開平８−３２５
０５５号に開示されている磁器組成物では、ＰｂＯが５
〜１５重量％含有されている。このＰｂＯは、低温で焼
成させるために、このような磁器組成物では一般に用い
られている。しかし、このＰｂＯは有害物質であり、製
造工程中で生じる廃棄物等の処理に費用がかかり、又製
造工程中でのＰｂＯの取り扱いにも注意が必要であっ
た。
０５５号に開示されている磁器組成物では、ＰｂＯが５
〜１５重量％含有されている。このＰｂＯは、低温で焼
成させるために、このような磁器組成物では一般に用い
られている。しかし、このＰｂＯは有害物質であり、製
造工程中で生じる廃棄物等の処理に費用がかかり、又製
造工程中でのＰｂＯの取り扱いにも注意が必要であっ
た。
【０００８】また、この特公平６−７４１６６号に開示
されている磁器組成物では、Ｂ２Ｏ ３が１．５〜５重量
％含有されている。このＢ２Ｏ３は、低温で焼成させる
ために、このような磁器組成物では一般に用いられてい
る。しかし、このＢ２Ｏ３を用いて焼成した場合には、
高周波での誘電損失が増大するため、Ｑの高い磁器を得
る事が困難であり、さらに、これを多用した場合、仮焼
中にホウ素が蒸発し炉材に損傷を与えたり、焼成時に電
極材料と反応したり、製造工程で水、アルコールに溶解
し、乾燥時に偏析したり、使用する有機バインダーと反
応しバインダーの性能を劣化させる等の課題を解決する
必要があり、高いＱ値を有する磁器を得ようとする場
合、また、安定した製造工程を確立しようとする場合に
たくさんの課題を解決する必要があった。
されている磁器組成物では、Ｂ２Ｏ ３が１．５〜５重量
％含有されている。このＢ２Ｏ３は、低温で焼成させる
ために、このような磁器組成物では一般に用いられてい
る。しかし、このＢ２Ｏ３を用いて焼成した場合には、
高周波での誘電損失が増大するため、Ｑの高い磁器を得
る事が困難であり、さらに、これを多用した場合、仮焼
中にホウ素が蒸発し炉材に損傷を与えたり、焼成時に電
極材料と反応したり、製造工程で水、アルコールに溶解
し、乾燥時に偏析したり、使用する有機バインダーと反
応しバインダーの性能を劣化させる等の課題を解決する
必要があり、高いＱ値を有する磁器を得ようとする場
合、また、安定した製造工程を確立しようとする場合に
たくさんの課題を解決する必要があった。
【０００９】本発明は、上記のことを鑑みてＰｂＯを含
まず、かつ、ホウ素化合物をも含有しない磁器組成物で
あって、εが６〜８程度で、Ｑ値が高く、τｆが小さ
く、しかも１０００℃以下の低温、さらに好ましくは、
９００℃以下の低温で焼成することが可能なマイクロ波
用誘電体磁器組成物を提供すること、またその製造方法
を提供すること、またそれを用いたマイクロ波用電子部
品を提供することを目的とする。
まず、かつ、ホウ素化合物をも含有しない磁器組成物で
あって、εが６〜８程度で、Ｑ値が高く、τｆが小さ
く、しかも１０００℃以下の低温、さらに好ましくは、
９００℃以下の低温で焼成することが可能なマイクロ波
用誘電体磁器組成物を提供すること、またその製造方法
を提供すること、またそれを用いたマイクロ波用電子部
品を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】第1の発明は、主成分が
Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒの酸化物で構成され、Ａｌ，Ｓｉ，Ｓ
ｒをそれぞれＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯに換算し合
計１００質量％としたとき、Ａｌ２Ｏ３換算で１０〜６
０質量％、ＳｉＯ２換算で２５〜６０質量％、ＳｒＯ換
算で７．５〜５０質量％のＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒを含有し、
前記合計１００質量％に対し副成分として、Ｂｉ２Ｏ３
換算で０．１〜１０質量％のＢｉを含有したマイクロ波
用誘電体磁器組成物である。
Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒの酸化物で構成され、Ａｌ，Ｓｉ，Ｓ
ｒをそれぞれＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯに換算し合
計１００質量％としたとき、Ａｌ２Ｏ３換算で１０〜６
０質量％、ＳｉＯ２換算で２５〜６０質量％、ＳｒＯ換
算で７．５〜５０質量％のＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒを含有し、
前記合計１００質量％に対し副成分として、Ｂｉ２Ｏ３
換算で０．１〜１０質量％のＢｉを含有したマイクロ波
用誘電体磁器組成物である。
【００１１】第２の発明は、主成分がＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ
の酸化物で構成され、Ａｌ，Ｓｉ，ＳｒをそれぞれＡｌ
２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯに換算し合計１００質量％と
したとき、Ａｌ２Ｏ３換算で１０〜６０質量％、ＳｉＯ
２換算で２５〜６０質量％、ＳｒＯ換算で７．５〜５０
質量％のＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒを含有し、前記合計１００質
量％に対し副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で０．１〜１
０質量％のＢｉを含有し、更にＮａ２Ｏ換算で０．１〜
５質量％のＮａ、Ｋ２Ｏ換算で０．１〜５質量％のＫ、
ＣｏＯ換算で０．１〜５質量％のＣｏうち少なくとも１
種以上を含有したマイクロ波用誘電体磁器組成物であ
る。
の酸化物で構成され、Ａｌ，Ｓｉ，ＳｒをそれぞれＡｌ
２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯに換算し合計１００質量％と
したとき、Ａｌ２Ｏ３換算で１０〜６０質量％、ＳｉＯ
２換算で２５〜６０質量％、ＳｒＯ換算で７．５〜５０
質量％のＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒを含有し、前記合計１００質
量％に対し副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で０．１〜１
０質量％のＢｉを含有し、更にＮａ２Ｏ換算で０．１〜
５質量％のＮａ、Ｋ２Ｏ換算で０．１〜５質量％のＫ、
ＣｏＯ換算で０．１〜５質量％のＣｏうち少なくとも１
種以上を含有したマイクロ波用誘電体磁器組成物であ
る。
【００１２】第３の発明は、主成分がＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ
の酸化物で構成され、Ａｌ，Ｓｉ，ＳｒをそれぞれＡｌ
２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯに換算し合計１００質量％と
したとき、Ａｌ２Ｏ３換算で１０〜６０質量％、ＳｉＯ
２換算で２５〜６０質量％、ＳｒＯ換算で７．５〜５０
質量％のＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒを含有し、前記合計１００質
量％に対し副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で０．１〜１
０質量％のＢｉを含有し、更にＣｕＯ換算で０．０１〜
５質量％のＣｕ、ＭｎＯ２換算で０．０１〜５質量％の
Ｍｎ、０．０１〜５質量％のＡｇのうち少なくとも１種
以上を含有したマイクロ波用誘電体磁器組成物である。
の酸化物で構成され、Ａｌ，Ｓｉ，ＳｒをそれぞれＡｌ
２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯに換算し合計１００質量％と
したとき、Ａｌ２Ｏ３換算で１０〜６０質量％、ＳｉＯ
２換算で２５〜６０質量％、ＳｒＯ換算で７．５〜５０
質量％のＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒを含有し、前記合計１００質
量％に対し副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で０．１〜１
０質量％のＢｉを含有し、更にＣｕＯ換算で０．０１〜
５質量％のＣｕ、ＭｎＯ２換算で０．０１〜５質量％の
Ｍｎ、０．０１〜５質量％のＡｇのうち少なくとも１種
以上を含有したマイクロ波用誘電体磁器組成物である。
【００１３】第４の発明は、主成分がＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ
の酸化物で構成され、Ａｌ，Ｓｉ，ＳｒをそれぞれＡｌ
２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯに換算し合計１００質量％と
したとき、Ａｌ２Ｏ３換算で１０〜６０質量％、ＳｉＯ
２換算で２５〜６０質量％、ＳｒＯ換算で７．５〜５０
質量％のＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒを含有し、前記合計１００質
量％に対し副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で０．１〜１
０質量％のＢｉを含有し、更にＮａ２Ｏ換算で０．１〜
５質量％のＮａ、Ｋ２Ｏ換算で０．１〜５質量％のＫ、
ＣｏＯ換算で０．１〜５質量％のＣｏのうち少なくとも
１種以上を含有し、かつＣｕＯ換算で０．０１〜５質量
％のＣｕ、ＭｎＯ２換算で０．０１〜５質量％のＭｎ、
０．０１〜５質量％のＡｇのうち少なくとも１種以上を
含有したマイクロ波用誘電体磁器組成物である。
の酸化物で構成され、Ａｌ，Ｓｉ，ＳｒをそれぞれＡｌ
２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯに換算し合計１００質量％と
したとき、Ａｌ２Ｏ３換算で１０〜６０質量％、ＳｉＯ
２換算で２５〜６０質量％、ＳｒＯ換算で７．５〜５０
質量％のＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒを含有し、前記合計１００質
量％に対し副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で０．１〜１
０質量％のＢｉを含有し、更にＮａ２Ｏ換算で０．１〜
５質量％のＮａ、Ｋ２Ｏ換算で０．１〜５質量％のＫ、
ＣｏＯ換算で０．１〜５質量％のＣｏのうち少なくとも
１種以上を含有し、かつＣｕＯ換算で０．０１〜５質量
％のＣｕ、ＭｎＯ２換算で０．０１〜５質量％のＭｎ、
０．０１〜５質量％のＡｇのうち少なくとも１種以上を
含有したマイクロ波用誘電体磁器組成物である。
【００１４】第５の発明は、主成分がＡｌ，Ｓｉ，Ｓ
ｒ，Ｔｉの酸化物で構成され、Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉ
をそれぞれＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯ、ＴｉＯ２に
換算し合計１００質量％としたとき、Ａｌ２Ｏ３換算で
１０〜６０質量％、ＳｉＯ２換算で２５〜６０質量％、
ＳｒＯ換算で７．５〜５０質量％、ＴｉＯ２換算で２０
質量％以下のＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉを含有し、前記合
計１００質量％に対し副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で
０．１〜１０質量％のＢｉを含有したマイクロ波用誘電
体磁器組成物である。
ｒ，Ｔｉの酸化物で構成され、Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉ
をそれぞれＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯ、ＴｉＯ２に
換算し合計１００質量％としたとき、Ａｌ２Ｏ３換算で
１０〜６０質量％、ＳｉＯ２換算で２５〜６０質量％、
ＳｒＯ換算で７．５〜５０質量％、ＴｉＯ２換算で２０
質量％以下のＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉを含有し、前記合
計１００質量％に対し副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で
０．１〜１０質量％のＢｉを含有したマイクロ波用誘電
体磁器組成物である。
【００１５】第６の発明は、主成分がＡｌ，Ｓｉ，Ｓ
ｒ，Ｔｉの酸化物で構成され、Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉ
をそれぞれＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯ、ＴｉＯ２に
換算し合計１００質量％としたとき、Ａｌ２Ｏ３換算で
１０〜６０質量％、ＳｉＯ２換算で２５〜６０質量％、
ＳｒＯ換算で７．５〜５０質量％、ＴｉＯ２換算で２０
質量％以下のＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉを含有し、前記合
計１００質量％に対し副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で
０．１〜１０質量％のＢｉを含有し、更にＮａ２Ｏ換算
で０．１〜５質量％のＮａ、Ｋ２Ｏ換算で０．１〜５質
量％のＫ、ＣｏＯ換算で０．１〜５質量％のＣｏのうち
少なくとも１種以上を含有したマイクロ波用誘電体磁器
組成物である。
ｒ，Ｔｉの酸化物で構成され、Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉ
をそれぞれＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯ、ＴｉＯ２に
換算し合計１００質量％としたとき、Ａｌ２Ｏ３換算で
１０〜６０質量％、ＳｉＯ２換算で２５〜６０質量％、
ＳｒＯ換算で７．５〜５０質量％、ＴｉＯ２換算で２０
質量％以下のＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉを含有し、前記合
計１００質量％に対し副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で
０．１〜１０質量％のＢｉを含有し、更にＮａ２Ｏ換算
で０．１〜５質量％のＮａ、Ｋ２Ｏ換算で０．１〜５質
量％のＫ、ＣｏＯ換算で０．１〜５質量％のＣｏのうち
少なくとも１種以上を含有したマイクロ波用誘電体磁器
組成物である。
【００１６】第７の発明は、主成分がＡｌ，Ｓｉ，Ｓ
ｒ，Ｔｉの酸化物で構成され、Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉ
をそれぞれＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯ、ＴｉＯ２に
換算し合計１００質量％としたとき、Ａｌ２Ｏ３換算で
１０〜６０質量％、ＳｉＯ２換算で２５〜６０質量％、
ＳｒＯ換算で７．５〜５０質量％、ＴｉＯ２換算で２０
質量％以下のＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉを含有し、前記合
計１００質量％に対し副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で
０．１〜１０質量％のＢｉを含有し、更にＣｕＯ換算で
０．０１〜５質量％のＣｕ、ＭｎＯ２換算で０．０１〜
５質量％のＭｎ、０．０１〜５質量％のＡｇのうち少な
くとも１種以上を含有したマイクロ波用誘電体磁器組成
物である。
ｒ，Ｔｉの酸化物で構成され、Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉ
をそれぞれＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯ、ＴｉＯ２に
換算し合計１００質量％としたとき、Ａｌ２Ｏ３換算で
１０〜６０質量％、ＳｉＯ２換算で２５〜６０質量％、
ＳｒＯ換算で７．５〜５０質量％、ＴｉＯ２換算で２０
質量％以下のＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉを含有し、前記合
計１００質量％に対し副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で
０．１〜１０質量％のＢｉを含有し、更にＣｕＯ換算で
０．０１〜５質量％のＣｕ、ＭｎＯ２換算で０．０１〜
５質量％のＭｎ、０．０１〜５質量％のＡｇのうち少な
くとも１種以上を含有したマイクロ波用誘電体磁器組成
物である。
【００１７】第８の発明は、主成分がＡｌ，Ｓｉ，Ｓ
ｒ，Ｔｉの酸化物で構成され、Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉ
をそれぞれＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯ、ＴｉＯ２に
換算し合計１００質量％としたとき、Ａｌ２Ｏ３換算で
１０〜６０質量％、ＳｉＯ２換算で２５〜６０質量％、
ＳｒＯ換算で７．５〜５０質量％、ＴｉＯ２換算で２０
質量％以下のＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉを含有し、前記合
計１００質量％に対し副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で
０．１〜１０質量％のＢｉを含有し、更にＮａ２Ｏ換算
で０．１〜５質量％のＮａ、Ｋ２Ｏ換算で０．１〜５質
量％のＫ、ＣｏＯ換算で０．１〜５質量％のＣｏのうち
少なくとも１種以上を含有し、かつＣｕＯ換算で０．０
１〜５質量％のＣｕ、ＭｎＯ２換算で０．０１〜５質量
％のＭｎ、０．０１〜５質量％のＡｇのうち少なくとも
１種以上を含有したマイクロ波用誘電体磁器組成物であ
る。
ｒ，Ｔｉの酸化物で構成され、Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉ
をそれぞれＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯ、ＴｉＯ２に
換算し合計１００質量％としたとき、Ａｌ２Ｏ３換算で
１０〜６０質量％、ＳｉＯ２換算で２５〜６０質量％、
ＳｒＯ換算で７．５〜５０質量％、ＴｉＯ２換算で２０
質量％以下のＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉを含有し、前記合
計１００質量％に対し副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で
０．１〜１０質量％のＢｉを含有し、更にＮａ２Ｏ換算
で０．１〜５質量％のＮａ、Ｋ２Ｏ換算で０．１〜５質
量％のＫ、ＣｏＯ換算で０．１〜５質量％のＣｏのうち
少なくとも１種以上を含有し、かつＣｕＯ換算で０．０
１〜５質量％のＣｕ、ＭｎＯ２換算で０．０１〜５質量
％のＭｎ、０．０１〜５質量％のＡｇのうち少なくとも
１種以上を含有したマイクロ波用誘電体磁器組成物であ
る。
【００１８】第９の発明は、Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒ又はＡ
ｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉの酸化物を主成分とし、副成分と
してＢｉを必須とするマイクロ波用誘電体磁器組成物で
あって、組織にＡｌ２Ｏ３結晶相と少なくともＡｌ，Ｓ
ｉ，Ｓｒ又はＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉを含む化合物結晶
相を備え、ｆＱ値が５ＴＨｚ以上であるマイクロ波用誘
電体磁器組成物である。
ｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉの酸化物を主成分とし、副成分と
してＢｉを必須とするマイクロ波用誘電体磁器組成物で
あって、組織にＡｌ２Ｏ３結晶相と少なくともＡｌ，Ｓ
ｉ，Ｓｒ又はＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉを含む化合物結晶
相を備え、ｆＱ値が５ＴＨｚ以上であるマイクロ波用誘
電体磁器組成物である。
【００１９】また第１０の発明は、第1の発明乃至第９
の発明のいずれかのマイクロ波用誘電体磁器組成物の製
造方法であって、Ａｌ２Ｏ３以外の元素をガラス化する
第1の熱処理工程と、当該第1の熱処理工程のしかる後
に、組織にＡｌ２Ｏ３の他に少なくともＡｌ，Ｓｉ，Ｓ
ｒ又はＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉを含む化合物相を形成す
るような、かつｆＱ値が５ＴＨｚ以上となるような第２
の熱処理工程を有することを特徴とするマイクロ波用誘
電体磁器組成物の製造方法である。このマイクロ波用誘
電体磁器組成物の製造方法において、第２の熱処理工程
を第1の熱処理工程の熱処理温度超、１０００℃以下の
熱処理温度で行うことが好ましい。
の発明のいずれかのマイクロ波用誘電体磁器組成物の製
造方法であって、Ａｌ２Ｏ３以外の元素をガラス化する
第1の熱処理工程と、当該第1の熱処理工程のしかる後
に、組織にＡｌ２Ｏ３の他に少なくともＡｌ，Ｓｉ，Ｓ
ｒ又はＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉを含む化合物相を形成す
るような、かつｆＱ値が５ＴＨｚ以上となるような第２
の熱処理工程を有することを特徴とするマイクロ波用誘
電体磁器組成物の製造方法である。このマイクロ波用誘
電体磁器組成物の製造方法において、第２の熱処理工程
を第1の熱処理工程の熱処理温度超、１０００℃以下の
熱処理温度で行うことが好ましい。
【００２０】また第１１の発明は、第1の発明乃至第９
の発明のいずれかのマイクロ波用誘電体磁器組成物を用
いることを特徴とするマイクロ波用電子部品である。前
記マイクロ波用誘電体磁器組成物からなる誘電体層に電
極を形成し、当該誘電体層を複数積層してマイクロ波用
電子部品を構成してもよい。
の発明のいずれかのマイクロ波用誘電体磁器組成物を用
いることを特徴とするマイクロ波用電子部品である。前
記マイクロ波用誘電体磁器組成物からなる誘電体層に電
極を形成し、当該誘電体層を複数積層してマイクロ波用
電子部品を構成してもよい。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明のマイクロ波用誘電体磁器
組成物は、例えば主成分がＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ又はＡｌ，
Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉの酸化物で構成され、それぞれＡｌ２
Ｏ３換算で１０〜６０質量％、ＳｉＯ２換算で２５〜６
０質量％、ＳｒＯ換算で１０〜５０質量％、ＴｉＯ２換
算で２０質量％以下からなり、前記主成分１００質量％
に対し副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で０．１〜１０質
量％のＢｉを含有し、１０００℃以下又は９００℃以下
の温度で焼成できるマイクロ波用誘電体磁器組成物であ
る。これにより、本発明の誘電体磁器組成物は、銀や
銅、金といった高い導電率を有する金属材料を内部電極
として用い、一体焼結を行うことができる。よって、本
発明の誘電体材料の有する高いＱ値を用い、しかも電気
抵抗による損失を抑えた内部電極を用い、極めて損失の
小さいマイクロ波用電子部品を構成することができる。
これにより、誘電体共振器、フィルタ、積層インダクタ
ー又は積層コンデンサ、および、これらを複合化した高
周波積層基板等に応用して、優れたマイクロ波特性およ
び低損失な回路デバイスを実現することができる。
組成物は、例えば主成分がＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ又はＡｌ，
Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉの酸化物で構成され、それぞれＡｌ２
Ｏ３換算で１０〜６０質量％、ＳｉＯ２換算で２５〜６
０質量％、ＳｒＯ換算で１０〜５０質量％、ＴｉＯ２換
算で２０質量％以下からなり、前記主成分１００質量％
に対し副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で０．１〜１０質
量％のＢｉを含有し、１０００℃以下又は９００℃以下
の温度で焼成できるマイクロ波用誘電体磁器組成物であ
る。これにより、本発明の誘電体磁器組成物は、銀や
銅、金といった高い導電率を有する金属材料を内部電極
として用い、一体焼結を行うことができる。よって、本
発明の誘電体材料の有する高いＱ値を用い、しかも電気
抵抗による損失を抑えた内部電極を用い、極めて損失の
小さいマイクロ波用電子部品を構成することができる。
これにより、誘電体共振器、フィルタ、積層インダクタ
ー又は積層コンデンサ、および、これらを複合化した高
周波積層基板等に応用して、優れたマイクロ波特性およ
び低損失な回路デバイスを実現することができる。
【００２２】また本発明では、前記マイクロ波用誘電体
磁器組成物に更に副成分としてＮａ（Ｎａ２Ｏ換算で
０．１〜５質量％）、Ｋ（Ｋ２Ｏ換算で０．１〜５質量
％）、Ｃｏ（ＣｏＯ換算で０．１〜５質量％）のうち少
なくとも１種以上を含有させることが好ましい。これら
の副成分は、仮焼工程においてＡｌ２Ｏ３以外の成分が
ガラス化する際、このガラスの軟化点を低下させる効果
があり、より低温で収縮を開始する材料が得られる事、
および、焼成工程において、１０００℃以下の焼成温度
でＱの高い誘電特性を得る事を可能とするものであり、
含有させることが好ましい。
磁器組成物に更に副成分としてＮａ（Ｎａ２Ｏ換算で
０．１〜５質量％）、Ｋ（Ｋ２Ｏ換算で０．１〜５質量
％）、Ｃｏ（ＣｏＯ換算で０．１〜５質量％）のうち少
なくとも１種以上を含有させることが好ましい。これら
の副成分は、仮焼工程においてＡｌ２Ｏ３以外の成分が
ガラス化する際、このガラスの軟化点を低下させる効果
があり、より低温で収縮を開始する材料が得られる事、
および、焼成工程において、１０００℃以下の焼成温度
でＱの高い誘電特性を得る事を可能とするものであり、
含有させることが好ましい。
【００２３】また本発明は、更に副成分としてＣｕ（Ｃ
ｕＯ換算で０．０１〜５質量％）、Ｍｎ（ＭｎＯ２換算
で０．０１〜５質量％）、Ａｇ：０．０１〜５質量％の
うち少なくとも１種以上を含有させることが好ましい。
これらの副成分は、主に焼成工程において誘電体磁器組
成物の結晶化を促進する効果があり、低温焼結を達成す
るために添加されるものである。
ｕＯ換算で０．０１〜５質量％）、Ｍｎ（ＭｎＯ２換算
で０．０１〜５質量％）、Ａｇ：０．０１〜５質量％の
うち少なくとも１種以上を含有させることが好ましい。
これらの副成分は、主に焼成工程において誘電体磁器組
成物の結晶化を促進する効果があり、低温焼結を達成す
るために添加されるものである。
【００２４】本発明において、各成分範囲を特定した理
由は以下のとおりである。ＡｌがＡｌ２Ｏ３換算で１０
質量％より少ないと、１０００℃以下の低温焼成では、
焼結密度が十分上昇しないために、磁器が多孔質とな
り、吸湿等により良好な特性が得られない。又、６０質
量％より多いと、やはり１０００℃以下の低温焼成で
は、焼結密度が十分上昇しないために、磁器が多孔質と
なり、吸湿等により良好な特性が得られない。
由は以下のとおりである。ＡｌがＡｌ２Ｏ３換算で１０
質量％より少ないと、１０００℃以下の低温焼成では、
焼結密度が十分上昇しないために、磁器が多孔質とな
り、吸湿等により良好な特性が得られない。又、６０質
量％より多いと、やはり１０００℃以下の低温焼成で
は、焼結密度が十分上昇しないために、磁器が多孔質と
なり、吸湿等により良好な特性が得られない。
【００２５】また、ＳｉがＳｉＯ２換算で２５質量％よ
り少ないと、１０００℃以下の低温焼成では、焼結密度
が十分上昇しないために、磁器が多孔質となり、吸湿等
により良好な特性が得られない。又、６０質量％より多
いと、やはり１０００℃以下の低温焼成では、焼結密度
が十分上昇しないために、磁器が多孔質となり、吸湿等
により良好な特性が得られない。
り少ないと、１０００℃以下の低温焼成では、焼結密度
が十分上昇しないために、磁器が多孔質となり、吸湿等
により良好な特性が得られない。又、６０質量％より多
いと、やはり１０００℃以下の低温焼成では、焼結密度
が十分上昇しないために、磁器が多孔質となり、吸湿等
により良好な特性が得られない。
【００２６】また、ＳｒがＳｒＯ換算で１０質量％より
少ないと、１０００℃以下の低温焼成では、焼結密度が
十分上昇しないために、磁器が多孔質となり、吸湿等に
より良好な特性が得られない。又、５０質量％より多い
と、やはり１０００℃以下の低温焼成では、焼結密度が
十分上昇しないために、磁器が多孔質となり、吸湿等に
より良好な特性が得られない。
少ないと、１０００℃以下の低温焼成では、焼結密度が
十分上昇しないために、磁器が多孔質となり、吸湿等に
より良好な特性が得られない。又、５０質量％より多い
と、やはり１０００℃以下の低温焼成では、焼結密度が
十分上昇しないために、磁器が多孔質となり、吸湿等に
より良好な特性が得られない。
【００２７】また、ＴｉがＴｉＯ２換算で２０質量％よ
り多いと、１０００℃以下の低温焼成では、焼結密度が
十分上昇しないために、磁器が多孔質となり、吸湿等に
より良好な特性が得られないと同時に、磁器の共振周波
数の温度係数が，Ｔｉの含有量増加と共に大きくなり良
好な特性が得られない。Ｔｉが含有してない場合の磁器
の共振周波数の温度係数τｆは−２０〜−４０ppm/℃に
対し、Ｔｉの配合量を多くしていくにつれて増加し、τ
ｆを０ppm/℃に調整する事も容易である。
り多いと、１０００℃以下の低温焼成では、焼結密度が
十分上昇しないために、磁器が多孔質となり、吸湿等に
より良好な特性が得られないと同時に、磁器の共振周波
数の温度係数が，Ｔｉの含有量増加と共に大きくなり良
好な特性が得られない。Ｔｉが含有してない場合の磁器
の共振周波数の温度係数τｆは−２０〜−４０ppm/℃に
対し、Ｔｉの配合量を多くしていくにつれて増加し、τ
ｆを０ppm/℃に調整する事も容易である。
【００２８】また、本発明に係る誘電体磁器組成物は、
その製造工程中の仮焼工程において、誘電体磁器組成物
を構成する各成分のうちＡｌ２Ｏ３を除くＳｉＯ２、Ｓ
ｒＯ、および副成分添加物がガラス化する事により、そ
の後の焼成工程において、生成されたガラス材料が焼結
促進剤として機能し、緻密化が達成されると同時に、Ａ
ｌ２Ｏ３を含む成分が結晶化してＱの高い誘電特性を発
現するものと考えられる。
その製造工程中の仮焼工程において、誘電体磁器組成物
を構成する各成分のうちＡｌ２Ｏ３を除くＳｉＯ２、Ｓ
ｒＯ、および副成分添加物がガラス化する事により、そ
の後の焼成工程において、生成されたガラス材料が焼結
促進剤として機能し、緻密化が達成されると同時に、Ａ
ｌ２Ｏ３を含む成分が結晶化してＱの高い誘電特性を発
現するものと考えられる。
【００２９】また、Ｂｉは、低温焼結を達成するために
添加される。つまり、このＢｉを添加することにより、
仮焼工程においてＡｌ２Ｏ３以外の成分がガラス化する
際、このガラスの軟化点を低下させる効果があり、より
低温で収縮を開始する材料が得られる事、および、焼成
工程において、１０００℃以下の焼成温度でＱの高い誘
電特性を得る事を可能とするものである。しかしなが
ら、Ｂｉ２Ｏ３換算で１０質量％より多いと、Ｑ値が小
さくなる。このため、１０質量％以下が望ましい。更に
好ましくは５質量％以下である。一方、０．１質量％よ
り少ないと添加効果が少なく、より低温での結晶化が困
難になるため、０．１質量％以上が好ましい。更に好ま
しくは０．２質量％以上である。
添加される。つまり、このＢｉを添加することにより、
仮焼工程においてＡｌ２Ｏ３以外の成分がガラス化する
際、このガラスの軟化点を低下させる効果があり、より
低温で収縮を開始する材料が得られる事、および、焼成
工程において、１０００℃以下の焼成温度でＱの高い誘
電特性を得る事を可能とするものである。しかしなが
ら、Ｂｉ２Ｏ３換算で１０質量％より多いと、Ｑ値が小
さくなる。このため、１０質量％以下が望ましい。更に
好ましくは５質量％以下である。一方、０．１質量％よ
り少ないと添加効果が少なく、より低温での結晶化が困
難になるため、０．１質量％以上が好ましい。更に好ま
しくは０．２質量％以上である。
【００３０】また、Ｎａは、Ｂｉと同様に、Ｎａ２Ｏ換
算で０．１質量％未満の場合、ガラスの軟化点が高くな
り低温での焼結が困難となる。このため、１０００℃以
下の焼成では緻密な材料が得られない。また、５質量％
を超えると誘電損失が大きくなり過ぎ、実用性が無くな
る。このため、Ｎａ２Ｏ換算で０．１〜５質量％が好ま
しい。
算で０．１質量％未満の場合、ガラスの軟化点が高くな
り低温での焼結が困難となる。このため、１０００℃以
下の焼成では緻密な材料が得られない。また、５質量％
を超えると誘電損失が大きくなり過ぎ、実用性が無くな
る。このため、Ｎａ２Ｏ換算で０．１〜５質量％が好ま
しい。
【００３１】また、ＫもＮａと同様にＫ２Ｏ換算で０．
１質量％未満の場合、ガラスの軟化点が高くなり焼結が
困難となり緻密な材料が得られず、５質量％を超えると
誘電損失が大きくなり過ぎ、実用性がない。このため、
Ｋ２Ｏ換算で０．１〜５質量％が好ましい。
１質量％未満の場合、ガラスの軟化点が高くなり焼結が
困難となり緻密な材料が得られず、５質量％を超えると
誘電損失が大きくなり過ぎ、実用性がない。このため、
Ｋ２Ｏ換算で０．１〜５質量％が好ましい。
【００３２】また、Ｃｏは、Ｎａと同じく仮焼工程で生
成されるガラスの軟化点を低下させる効果があり、低温
焼結を達成するために添加されるが、ＣｏＯ換算で０．
１質量％未満の場合、その添加効果は小さく、このた
め、９００℃以下の焼成では緻密な材料を得る事が困難
となる。また、５質量％を超えると結晶化する温度が１
０００℃以上となり、１０００℃以下で誘電損失が大き
くなり過ぎ、実用性が無くなる。このため、ＣｏＯ換算
で０．１〜５質量％が好ましい。
成されるガラスの軟化点を低下させる効果があり、低温
焼結を達成するために添加されるが、ＣｏＯ換算で０．
１質量％未満の場合、その添加効果は小さく、このた
め、９００℃以下の焼成では緻密な材料を得る事が困難
となる。また、５質量％を超えると結晶化する温度が１
０００℃以上となり、１０００℃以下で誘電損失が大き
くなり過ぎ、実用性が無くなる。このため、ＣｏＯ換算
で０．１〜５質量％が好ましい。
【００３３】また、ＡｇもＮａと同様に添加する事によ
り、ガラスの軟化点を低下させると同時に、結晶化を促
進する効果があり、低温焼結を達成するために添加され
るが、５質量％を超えると誘電損失が大きくなり過ぎ、
実用性がない。このため、Ａｇは５質量％以下の添加が
好ましい。さらに好ましくは２質量％以下である。
り、ガラスの軟化点を低下させると同時に、結晶化を促
進する効果があり、低温焼結を達成するために添加され
るが、５質量％を超えると誘電損失が大きくなり過ぎ、
実用性がない。このため、Ａｇは５質量％以下の添加が
好ましい。さらに好ましくは２質量％以下である。
【００３４】また、Ｃｕは、焼成工程において誘電体磁
器組成物の結晶化を促進する効果があり、低温焼結を達
成するために添加されるが、ＣｕＯ換算で０．０１質量
％未満の場合、その添加効果は小さく、９００℃以下で
の焼成ではＱの高い材料を得る事が困難になる。また、
５質量％を超えると低温焼結性が損なわれるため、Ｃｕ
Ｏ換算で０．０１〜５質量％が好ましい。
器組成物の結晶化を促進する効果があり、低温焼結を達
成するために添加されるが、ＣｕＯ換算で０．０１質量
％未満の場合、その添加効果は小さく、９００℃以下で
の焼成ではＱの高い材料を得る事が困難になる。また、
５質量％を超えると低温焼結性が損なわれるため、Ｃｕ
Ｏ換算で０．０１〜５質量％が好ましい。
【００３５】また、Ｍｎは、Ｃｕと同じく焼成工程にお
いて誘電体磁器組成物の結晶化を促進する効果があり、
低温焼結を達成するために添加されるが、ＭｎＯ２換算
で０．０１質量％未満の場合、その添加効果は小さく、
９００℃以下での焼成ではＱの高い材料を得る事が困難
になる。また、５質量％を超えると低温焼結性が損なわ
れるため、ＭｎＯ２換算で０．０１〜５質量％が好まし
い。
いて誘電体磁器組成物の結晶化を促進する効果があり、
低温焼結を達成するために添加されるが、ＭｎＯ２換算
で０．０１質量％未満の場合、その添加効果は小さく、
９００℃以下での焼成ではＱの高い材料を得る事が困難
になる。また、５質量％を超えると低温焼結性が損なわ
れるため、ＭｎＯ２換算で０．０１〜５質量％が好まし
い。
【００３６】本発明では、上記の特定の成分組成によ
り、εが６〜８程度、τｆの絶対値が小さく（５０ｐｐ
ｍ／℃以下）、ｆＱ（ｆは共振周波数）値が５０００Ｇ
Ｈｚ（５ＴＨｚ）以上で、しかも１０００℃以下の温度
で焼結することができるマイクロ波用誘電体磁器組成物
を得ることができる。
り、εが６〜８程度、τｆの絶対値が小さく（５０ｐｐ
ｍ／℃以下）、ｆＱ（ｆは共振周波数）値が５０００Ｇ
Ｈｚ（５ＴＨｚ）以上で、しかも１０００℃以下の温度
で焼結することができるマイクロ波用誘電体磁器組成物
を得ることができる。
【００３７】このように１０００℃以下又は９００℃以
下の温度で焼成できるため、本発明の誘電体磁器組成物
は、銀や銅、金といった高い導電率を有する金属材料を
内部電極として用い、一体焼結を行うことができる。よ
って、本発明の誘電体材料の有する高いＱ値と、内部電
極の電気抵抗による損失を抑えることにより、極めて損
失の小さいマイクロ波用電子部品を構成することができ
る。これにより、誘電体共振器、フィルタ、積層インダ
クター又は積層コンデンサ、および、これらを複合化し
た高周波積層基板等に応用して、優れたマイクロ波特性
および低損失な回路デバイスを実現することができる。
下の温度で焼成できるため、本発明の誘電体磁器組成物
は、銀や銅、金といった高い導電率を有する金属材料を
内部電極として用い、一体焼結を行うことができる。よ
って、本発明の誘電体材料の有する高いＱ値と、内部電
極の電気抵抗による損失を抑えることにより、極めて損
失の小さいマイクロ波用電子部品を構成することができ
る。これにより、誘電体共振器、フィルタ、積層インダ
クター又は積層コンデンサ、および、これらを複合化し
た高周波積層基板等に応用して、優れたマイクロ波特性
および低損失な回路デバイスを実現することができる。
【００３８】一方で、この銅を内部電極材料として用い
る場合は、焼成雰囲気の調整が必要となるが、銀を内部
電極材料として用いる場合は、焼成時の雰囲気を空気中
で行うことができ、工数の低減が可能である。本発明の
誘電体磁器組成物は、９００℃での焼成も可能であり、
銀を用いて、空気中での一体焼結が可能であるという特
徴も有する。
る場合は、焼成雰囲気の調整が必要となるが、銀を内部
電極材料として用いる場合は、焼成時の雰囲気を空気中
で行うことができ、工数の低減が可能である。本発明の
誘電体磁器組成物は、９００℃での焼成も可能であり、
銀を用いて、空気中での一体焼結が可能であるという特
徴も有する。
【００３９】
【実施例】以下、実施例について詳細に説明する。 （実施例１）出発原料として、純度９９．９％、平均粒
径０．５μｍのＡｌ２Ｏ３粉末、純度９９．９％以上、
平均粒径０．５μｍ以下のＳｉＯ２粉末、純度９９．９
％、平均粒径０．５μｍのＳｒＯ粉末、純度９９．９
％、平均粒径０．５μｍのＴｉＯ２粉末、純度９９．９
％、平均粒径０．５〜５μｍのＢｉ２Ｏ３粉末、Ｎａ２
ＣＯ３粉末、Ｋ２ＣＯ３粉末、ＣｕＯ粉末、Ａｇ粉末、
ＭｎＯ２粉末、Ｃｏ３Ｏ ４粉末を用い、表１，表２，表
３に示す質量比率に従って秤量する。
径０．５μｍのＡｌ２Ｏ３粉末、純度９９．９％以上、
平均粒径０．５μｍ以下のＳｉＯ２粉末、純度９９．９
％、平均粒径０．５μｍのＳｒＯ粉末、純度９９．９
％、平均粒径０．５μｍのＴｉＯ２粉末、純度９９．９
％、平均粒径０．５〜５μｍのＢｉ２Ｏ３粉末、Ｎａ２
ＣＯ３粉末、Ｋ２ＣＯ３粉末、ＣｕＯ粉末、Ａｇ粉末、
ＭｎＯ２粉末、Ｃｏ３Ｏ ４粉末を用い、表１，表２，表
３に示す質量比率に従って秤量する。
【００４０】
【表１】
【００４１】
【表２】
【００４２】
【表３】
【００４３】これらの粉末をポリエチレン製のボールミ
ルに投入し更に酸化ジルコニウム製のボールと純水を投
入して２０時間湿式混合を行う。混合スラリーを加熱乾
燥し水分を蒸発させた後ライカイ機で解砕し、アルミナ
製のるつぼに入れて、７００〜８５０℃で２時間仮焼す
る。仮焼粉末は、前述のボールミルに投入し２０〜４０
時間湿式粉砕を行い、乾燥させ原料粉体とする。この粉
体にバインダとしてポリビニルアルコールの１０％水溶
液を１０〜２０質量％添加し、乳鉢に混練後、３２メッ
シュのふるいを通過させ整粒し、造粒粉末を得る。この
粉末を金型に投入し、２ＧＰａの圧力で加圧成形し、円
柱形状の成形体試料を得た。
ルに投入し更に酸化ジルコニウム製のボールと純水を投
入して２０時間湿式混合を行う。混合スラリーを加熱乾
燥し水分を蒸発させた後ライカイ機で解砕し、アルミナ
製のるつぼに入れて、７００〜８５０℃で２時間仮焼す
る。仮焼粉末は、前述のボールミルに投入し２０〜４０
時間湿式粉砕を行い、乾燥させ原料粉体とする。この粉
体にバインダとしてポリビニルアルコールの１０％水溶
液を１０〜２０質量％添加し、乳鉢に混練後、３２メッ
シュのふるいを通過させ整粒し、造粒粉末を得る。この
粉末を金型に投入し、２ＧＰａの圧力で加圧成形し、円
柱形状の成形体試料を得た。
【００４４】この試料を空気中にて、６００℃まで１０
０℃／ｈで昇温し、２時間持続後８００〜９００℃まで
２００℃／ｈの速度で昇温し、さらに２時間持続後、２
００℃／ｈの速度で冷却して焼成を行い、得られた焼結
体の寸法と質量から焼結密度を算出した。また、誘電体
共振器法により、共振周波数ｆ０と無負荷Ｑ値Ｑ０を求
めた。焼成体の寸法とｆ０、Ｑ０より、比誘電率及び誘
電損失係数ｔａｎδの逆数とｆ０の積よりｆ・Ｑ値を算
出した。共振周波数は８〜１４ＧＨｚであった。これら
の結果を表４、表５、表６に示す。焼成雰囲気は空気中
に限定されるものではなく、窒素などの非還元性雰囲気
下でも同じ誘電特性を示す。又、試料の結晶化状態は、
Ｘ線回折装置により、ガラス化、結晶化の状態を測定
し、確認した。尚、試料番号に＊印のないものが本発明
の実施例であり、試料番号に＊印のあるものは本発明の
範囲外の比較例である。
０℃／ｈで昇温し、２時間持続後８００〜９００℃まで
２００℃／ｈの速度で昇温し、さらに２時間持続後、２
００℃／ｈの速度で冷却して焼成を行い、得られた焼結
体の寸法と質量から焼結密度を算出した。また、誘電体
共振器法により、共振周波数ｆ０と無負荷Ｑ値Ｑ０を求
めた。焼成体の寸法とｆ０、Ｑ０より、比誘電率及び誘
電損失係数ｔａｎδの逆数とｆ０の積よりｆ・Ｑ値を算
出した。共振周波数は８〜１４ＧＨｚであった。これら
の結果を表４、表５、表６に示す。焼成雰囲気は空気中
に限定されるものではなく、窒素などの非還元性雰囲気
下でも同じ誘電特性を示す。又、試料の結晶化状態は、
Ｘ線回折装置により、ガラス化、結晶化の状態を測定
し、確認した。尚、試料番号に＊印のないものが本発明
の実施例であり、試料番号に＊印のあるものは本発明の
範囲外の比較例である。
【００４５】試料番号に＊印を付した比較例によれば、
発明の実施の形態で述べた通り、本発明で規定した発明
の範囲外で作製した試料においては、１０００℃以下の
低温の焼成温度においては緻密化していないために試料
が多孔質となったり、緻密化しても結晶化しないために
ｆＱ値が低く誘電特性の測定が不能であることが明らか
である。一方、試料番号に＊印のない実施例において
は、本発明で規定した組成の範囲内であるため、１００
０℃以下、さらには９００℃以下の焼成温度いおいても
緻密化し、誘電率が６〜９、ｆＱ値が５ＴＨｚ以上の誘
電特性が得られ、さらにＴｉＯ２の配合量により共振周
波数の温度係数を制御可能であり、０ｐｐｍ／℃に近づ
けることが出来ることが明らかである。
発明の実施の形態で述べた通り、本発明で規定した発明
の範囲外で作製した試料においては、１０００℃以下の
低温の焼成温度においては緻密化していないために試料
が多孔質となったり、緻密化しても結晶化しないために
ｆＱ値が低く誘電特性の測定が不能であることが明らか
である。一方、試料番号に＊印のない実施例において
は、本発明で規定した組成の範囲内であるため、１００
０℃以下、さらには９００℃以下の焼成温度いおいても
緻密化し、誘電率が６〜９、ｆＱ値が５ＴＨｚ以上の誘
電特性が得られ、さらにＴｉＯ２の配合量により共振周
波数の温度係数を制御可能であり、０ｐｐｍ／℃に近づ
けることが出来ることが明らかである。
【００４６】また試料Ｎｏ．７３の組成を有するマイク
ロ波用誘電体磁器組成物について、８００℃で仮焼した
後のＸ線回折パターンを図２に、これを９００℃で焼結
した後のＸ線回折パターンを図１に示す。８００℃仮焼
のＸ線回折パターンでは、一部未反応の元素等の微小ピ
ークがあるものの、おおよそＡｌ２Ｏ３結晶以外の元素
がガラス化したハローなパターンであった。これを更に
９００℃で焼結した後のＸ線回折パターンでは、ハロー
なパターンが減少し、新たにＳｒＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８やＮ
ａやＫを含む長石族の固溶体と考えられる結晶相が析出
した。
ロ波用誘電体磁器組成物について、８００℃で仮焼した
後のＸ線回折パターンを図２に、これを９００℃で焼結
した後のＸ線回折パターンを図１に示す。８００℃仮焼
のＸ線回折パターンでは、一部未反応の元素等の微小ピ
ークがあるものの、おおよそＡｌ２Ｏ３結晶以外の元素
がガラス化したハローなパターンであった。これを更に
９００℃で焼結した後のＸ線回折パターンでは、ハロー
なパターンが減少し、新たにＳｒＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８やＮ
ａやＫを含む長石族の固溶体と考えられる結晶相が析出
した。
【００４７】
【表４】
【００４８】
【表５】
【００４９】
【表６】
【００５０】（実施例２）以下本発明のマイクロ波用誘
電体磁器組成物を用いて構成したマイクロ波用電子部品
の一例として、積層型ローパスフィルタについて図３及
び図４にもとづいて説明する。図３は当該積層型ローパ
スフィルタの斜視図であり、図４はその内部構造を示し
た分解斜視図である。
電体磁器組成物を用いて構成したマイクロ波用電子部品
の一例として、積層型ローパスフィルタについて図３及
び図４にもとづいて説明する。図３は当該積層型ローパ
スフィルタの斜視図であり、図４はその内部構造を示し
た分解斜視図である。
【００５１】実施例１で得られた粉砕粉を所定量のバイ
ンダー（例えばポリビニルブチラール）、可塑剤ととも
にポリエチレン製のボールミルに投入し更に酸化ジルコ
ニウム製のボールと溶媒（例えばエチルアルコールとブ
タノール）を投入して２０時間湿式混合を行ったスラリ
ーを真空濃縮処理して粘度を調整した。次に、このスラ
リーをドクターブレード法によりフィルム上に塗布、乾
燥してグリーンシートを得た。このシートを所定の大き
さに切断し、部品回路上必要なスルーホール５，６を形
成するとともに、Ａｇ電極ペーストを印刷塗布してイン
ダクタを構成する導体パターン１，２，３，４およびコ
ンデンサを構成する導体パターン７，８，９とアース電
極１０，１１を形成した。さらに各層１２〜１７を積層
圧着し、所定の寸法に切断した。得られたチップを、脱
脂焼成、バレル研磨を施した後、回路基板に電気結合さ
せるための外部電極２０ａ〜２０ｊを形成した。外部電
極が銀系の場合、はんだ食われが生じて電気部品として
の機械的、電気的信頼性に悪影響を及ぼす可能性がある
ので、Ｎｉめっきを被膜する。更に、はんだ濡れ性向上
のために、はんだめっきを形成する。このようにして２
つのインダクタと３つのコンデンサをπ型接続した積層
型ローパスフィルタ１８を得た。この積層型ローパスフ
ィルタの電気的特性を測定したところ通過帯域での挿入
損失が０．２ｄＢ程度と優れた特性が得られた。また本
発明のマイクロ波用誘電体磁器組成物を用いて他のマイ
クロ波用電子部品を構成したが、同様に優れた電気的特
性が得られた。
ンダー（例えばポリビニルブチラール）、可塑剤ととも
にポリエチレン製のボールミルに投入し更に酸化ジルコ
ニウム製のボールと溶媒（例えばエチルアルコールとブ
タノール）を投入して２０時間湿式混合を行ったスラリ
ーを真空濃縮処理して粘度を調整した。次に、このスラ
リーをドクターブレード法によりフィルム上に塗布、乾
燥してグリーンシートを得た。このシートを所定の大き
さに切断し、部品回路上必要なスルーホール５，６を形
成するとともに、Ａｇ電極ペーストを印刷塗布してイン
ダクタを構成する導体パターン１，２，３，４およびコ
ンデンサを構成する導体パターン７，８，９とアース電
極１０，１１を形成した。さらに各層１２〜１７を積層
圧着し、所定の寸法に切断した。得られたチップを、脱
脂焼成、バレル研磨を施した後、回路基板に電気結合さ
せるための外部電極２０ａ〜２０ｊを形成した。外部電
極が銀系の場合、はんだ食われが生じて電気部品として
の機械的、電気的信頼性に悪影響を及ぼす可能性がある
ので、Ｎｉめっきを被膜する。更に、はんだ濡れ性向上
のために、はんだめっきを形成する。このようにして２
つのインダクタと３つのコンデンサをπ型接続した積層
型ローパスフィルタ１８を得た。この積層型ローパスフ
ィルタの電気的特性を測定したところ通過帯域での挿入
損失が０．２ｄＢ程度と優れた特性が得られた。また本
発明のマイクロ波用誘電体磁器組成物を用いて他のマイ
クロ波用電子部品を構成したが、同様に優れた電気的特
性が得られた。
【００５２】このように、本発明の誘電体磁器組成物
は、種々の製造方法においても１０００℃以下又は９０
０℃以下の焼成温度で緻密な焼結体を得ることが出来，
かつ誘電率εが６〜９程度で、τｆの絶対値が５０ｐｐ
ｍ／℃以下で、ｆＱ値が５ＴＨｚ以上の値を得ることが
出来た。これにより、銀又は銅、金を内部電極用の材料
として用いることができ、各種マイクロ波部品用として
有用である。
は、種々の製造方法においても１０００℃以下又は９０
０℃以下の焼成温度で緻密な焼結体を得ることが出来，
かつ誘電率εが６〜９程度で、τｆの絶対値が５０ｐｐ
ｍ／℃以下で、ｆＱ値が５ＴＨｚ以上の値を得ることが
出来た。これにより、銀又は銅、金を内部電極用の材料
として用いることができ、各種マイクロ波部品用として
有用である。
【００５３】
【発明の効果】本発明によれば、マイクロ波用誘電体磁
器組成物として、１０００℃以下又は９００℃以下で焼
結可能な材料であって、誘電率が約６〜９で、Ｑ値の高
い誘電体材料を得ることができる。これにより、マイク
ロ波用の誘電体共振器、フィルタ、積層インダクター、
積層コンデンサなど、マイクロ波部品として優れたマイ
クロ波特性と低損失を得ることができる。特に、銀又は
銅などの電極材料と同時焼成して内部回路を構成する積
層型のマイクロ波部品用、および、これらを複合化した
高周波積層基板用として、優れた材料である。また、本
発明の材料は、マイクロ波より低い周波数においても、
同様に高性能な積層回路基板が形成出来る材料であり、
さらに、電極材料と同時焼成を行わない材料としても用
いる事が可能である。
器組成物として、１０００℃以下又は９００℃以下で焼
結可能な材料であって、誘電率が約６〜９で、Ｑ値の高
い誘電体材料を得ることができる。これにより、マイク
ロ波用の誘電体共振器、フィルタ、積層インダクター、
積層コンデンサなど、マイクロ波部品として優れたマイ
クロ波特性と低損失を得ることができる。特に、銀又は
銅などの電極材料と同時焼成して内部回路を構成する積
層型のマイクロ波部品用、および、これらを複合化した
高周波積層基板用として、優れた材料である。また、本
発明の材料は、マイクロ波より低い周波数においても、
同様に高性能な積層回路基板が形成出来る材料であり、
さらに、電極材料と同時焼成を行わない材料としても用
いる事が可能である。
【図１】 本発明マイクロ波用誘電体の焼結後のＸ線回
折パターン図。
折パターン図。
【図２】 本発明マイクロ波用誘電体の焼結前のＸ線回
折パターン図。
折パターン図。
【図３】 本発明の一実施例のマイクロ波用電子部品の
斜視図。
斜視図。
【図４】 本発明の一実施例のマイクロ波用電子部品の
分解斜視図。
分解斜視図。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０３Ｈ 7/075 Ｈ０３Ｈ 7/075 Ａ
Claims (13)
- 【請求項１】 主成分がＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒの酸化物で構
成され、Ａｌ，Ｓｉ，ＳｒをそれぞれＡｌ２Ｏ３、Ｓｉ
Ｏ２、ＳｒＯに換算し合計１００質量％としたとき、Ａ
ｌ２Ｏ３換算で１０〜６０質量％、ＳｉＯ２換算で２５
〜６０質量％、ＳｒＯ換算で７．５〜５０質量％のＡ
ｌ，Ｓｉ，Ｓｒを含有し、前記合計１００質量％に対し
副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で０．１〜１０質量％の
Ｂｉを含有していることを特徴とするマイクロ波用誘電
体磁器組成物。 - 【請求項２】 主成分がＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒの酸化物で構
成され、Ａｌ，Ｓｉ，ＳｒをそれぞれＡｌ２Ｏ３、Ｓｉ
Ｏ２、ＳｒＯに換算し合計１００質量％としたとき、Ａ
ｌ２Ｏ３換算で１０〜６０質量％、ＳｉＯ２換算で２５
〜６０質量％、ＳｒＯ換算で７．５〜５０質量％のＡ
ｌ，Ｓｉ，Ｓｒを含有し、前記合計１００質量％に対し
副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で０．１〜１０質量％の
Ｂｉを含有し、更にＮａ２Ｏ換算で０．１〜５質量％の
Ｎａ、Ｋ２Ｏ換算で０．１〜５質量％のＫ、ＣｏＯ換算
で０．１〜５質量％のＣｏうち少なくとも１種以上を含
有していることを特徴とするマイクロ波用誘電体磁器組
成物。 - 【請求項３】 主成分がＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒの酸化物で構
成され、Ａｌ，Ｓｉ，ＳｒをそれぞれＡｌ２Ｏ３、Ｓｉ
Ｏ２、ＳｒＯに換算し合計１００質量％としたとき、Ａ
ｌ２Ｏ３換算で１０〜６０質量％、ＳｉＯ２換算で２５
〜６０質量％、ＳｒＯ換算で７．５〜５０質量％のＡ
ｌ，Ｓｉ，Ｓｒを含有し、前記合計１００質量％に対し
副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で０．１〜１０質量％の
Ｂｉを含有し、更にＣｕＯ換算で０．０１〜５質量％の
Ｃｕ、ＭｎＯ２換算で０．０１〜５質量％のＭｎ、０．
０１〜５質量％のＡｇのうち少なくとも１種以上を含有
していることを特徴とするマイクロ波用誘電体磁器組成
物。 - 【請求項４】 主成分がＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒの酸化物で構
成され、Ａｌ，Ｓｉ，ＳｒをそれぞれＡｌ２Ｏ３、Ｓｉ
Ｏ２、ＳｒＯに換算し合計１００質量％としたとき、Ａ
ｌ２Ｏ３換算で１０〜６０質量％、ＳｉＯ２換算で２５
〜６０質量％、ＳｒＯ換算で７．５〜５０質量％のＡ
ｌ，Ｓｉ，Ｓｒを含有し、前記合計１００質量％に対し
副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で０．１〜１０質量％の
Ｂｉを含有し、更にＮａ２Ｏ換算で０．１〜５質量％の
Ｎａ、Ｋ２Ｏ換算で０．１〜５質量％のＫ、ＣｏＯ換算
で０．１〜５質量％のＣｏのうち少なくとも１種以上を
含有し、かつＣｕＯ換算で０．０１〜５質量％のＣｕ、
ＭｎＯ２換算で０．０１〜５質量％のＭｎ、０．０１〜
５質量％のＡｇのうち少なくとも１種以上を含有してい
ることを特徴とするマイクロ波用誘電体磁器組成物。 - 【請求項５】 主成分がＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉの酸化
物で構成され、Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，ＴｉをそれぞれＡｌ
２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯ、ＴｉＯ２に換算し合計１０
０質量％としたとき、Ａｌ２Ｏ３換算で１０〜６０質量
％、ＳｉＯ２換算で２５〜６０質量％、ＳｒＯ換算で
７．５〜５０質量％、ＴｉＯ２換算で２０質量％以下の
Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉを含有し、前記合計１００質量
％に対し副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で０．１〜１０
質量％のＢｉを含有していることを特徴とするマイクロ
波用誘電体磁器組成物。 - 【請求項６】 主成分がＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉの酸化
物で構成され、Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，ＴｉをそれぞれＡｌ
２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯ、ＴｉＯ２に換算し合計１０
０質量％としたとき、Ａｌ２Ｏ３換算で１０〜６０質量
％、ＳｉＯ２換算で２５〜６０質量％、ＳｒＯ換算で
７．５〜５０質量％、ＴｉＯ２換算で２０質量％以下の
Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉを含有し、前記合計１００質量
％に対し副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で０．１〜１０
質量％のＢｉを含有し、更にＮａ ２Ｏ換算で０．１〜５
質量％のＮａ、Ｋ２Ｏ換算で０．１〜５質量％のＫ、Ｃ
ｏＯ換算で０．１〜５質量％のＣｏのうち少なくとも１
種以上を含有していることを特徴とするマイクロ波用誘
電体磁器組成物。 - 【請求項７】 主成分がＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉの酸化
物で構成され、Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，ＴｉをそれぞれＡｌ
２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯ、ＴｉＯ２に換算し合計１０
０質量％としたとき、Ａｌ２Ｏ３換算で１０〜６０質量
％、ＳｉＯ２換算で２５〜６０質量％、ＳｒＯ換算で
７．５〜５０質量％、ＴｉＯ２換算で２０質量％以下の
Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉを含有し、前記合計１００質量
％に対し副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で０．１〜１０
質量％のＢｉを含有し、更にＣｕＯ換算で０．０１〜５
質量％のＣｕ、ＭｎＯ２換算で０．０１〜５質量％のＭ
ｎ、０．０１〜５質量％のＡｇのうち少なくとも１種以
上を含有していることを特徴とするマイクロ波用誘電体
磁器組成物。 - 【請求項８】 主成分がＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉの酸化
物で構成され、Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，ＴｉをそれぞれＡｌ
２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯ、ＴｉＯ２に換算し合計１０
０質量％としたとき、Ａｌ２Ｏ３換算で１０〜６０質量
％、ＳｉＯ２換算で２５〜６０質量％、ＳｒＯ換算で
７．５〜５０質量％、ＴｉＯ２換算で２０質量％以下の
Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉを含有し、前記合計１００質量
％に対し副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で０．１〜１０
質量％のＢｉを含有し、更にＮａ ２Ｏ換算で０．１〜５
質量％のＮａ、Ｋ２Ｏ換算で０．１〜５質量％のＫ、Ｃ
ｏＯ換算で０．１〜５質量％のＣｏのうち少なくとも１
種以上を含有し、かつＣｕＯ換算で０．０１〜５質量％
のＣｕ、ＭｎＯ２換算で０．０１〜５質量％のＭｎ、
０．０１〜５質量％のＡｇのうち少なくとも１種以上を
含有していることを特徴とするマイクロ波用誘電体磁器
組成物。 - 【請求項９】 Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒ又はＡｌ，Ｓｉ，Ｓ
ｒ，Ｔｉの酸化物を主成分とし、副成分としてＢｉを必
須とするマイクロ波用誘電体磁器組成物であって、組織
にＡｌ２Ｏ３結晶相と少なくともＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ又は
Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉを含む化合物結晶相を備え、ｆ
Ｑ値が５ＴＨｚ以上であることを特徴とするマイクロ波
用誘電体磁器組成物。 - 【請求項１０】 請求項１乃至９のいずれかに記載のマ
イクロ波用誘電体磁器組成物の製造方法であって、Ａｌ
２Ｏ３以外の元素をガラス化する第1の熱処理工程と、
当該第1の熱処理工程のしかる後に、組織にＡｌ２Ｏ３
の他に少なくともＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ又はＡｌ，Ｓｉ，Ｓ
ｒ，Ｔｉを含む化合物結晶相を形成するような、かつｆ
Ｑ値が５ＴＨｚ以上となるような第２の熱処理工程を有
することを特徴とするマイクロ波用誘電体磁器組成物の
製造方法。 - 【請求項１１】 前記第２の熱処理工程を第1の熱処理
工程の熱処理温度超、１０００℃以下の熱処理温度で行
うことを特徴とする請求項１０に記載のマイクロ波用誘
電体磁器組成物の製造方法。 - 【請求項１２】 請求項1乃至９のいずれかに記載のマ
イクロ波用誘電体磁器組成物を用いることを特徴とする
マイクロ波用電子部品。 - 【請求項１３】 前記マイクロ波用誘電体磁器組成物か
らなる誘電体層に電極を形成し、当該誘電体層を複数積
層してなることを特徴とする請求項１２に記載のマイク
ロ波用電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000011412A JP4392633B2 (ja) | 1999-01-20 | 2000-01-20 | マイクロ波用誘電体磁器組成物およびその製造方法ならびにマイクロ波用誘電体磁器組成物を用いたマイクロ波用電子部品 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1128699 | 1999-01-20 | ||
| JP11-11286 | 1999-01-20 | ||
| JP2000011412A JP4392633B2 (ja) | 1999-01-20 | 2000-01-20 | マイクロ波用誘電体磁器組成物およびその製造方法ならびにマイクロ波用誘電体磁器組成物を用いたマイクロ波用電子部品 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000272960A true JP2000272960A (ja) | 2000-10-03 |
| JP2000272960A5 JP2000272960A5 (ja) | 2006-10-12 |
| JP4392633B2 JP4392633B2 (ja) | 2010-01-06 |
Family
ID=26346689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000011412A Expired - Lifetime JP4392633B2 (ja) | 1999-01-20 | 2000-01-20 | マイクロ波用誘電体磁器組成物およびその製造方法ならびにマイクロ波用誘電体磁器組成物を用いたマイクロ波用電子部品 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP4392633B2 (ja) |
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| JP2002368531A (ja) * | 2001-06-06 | 2002-12-20 | Hitachi Metals Ltd | 表面実装型アンテナとその製造方法 |
| WO2004052804A1 (ja) * | 2002-12-06 | 2004-06-24 | Hitachi Metals, Ltd. | 高強度低温焼成セラミック組成物及びその製造方法、並びにこれを用いた積層電子部品 |
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-
2000
- 2000-01-20 JP JP2000011412A patent/JP4392633B2/ja not_active Expired - Lifetime
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