JP2000273154A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 成形時のボイド、金線変形等の少ない成形性
に優れ、かつ耐半田特性にも優れた信頼性の高い半導体
封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、硬
化促進剤、無機質充填材、1分子に水酸基を1個以上有
し、沸点が80〜300℃の有機化合物を総エポキシ樹
脂組成物中に0.01〜2重量%含むことを特徴とする
半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
に優れ、かつ耐半田特性にも優れた信頼性の高い半導体
封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、硬
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し、沸点が80〜300℃の有機化合物を総エポキシ樹
脂組成物中に0.01〜2重量%含むことを特徴とする
半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、成形性、吸湿後の
耐半田特性や耐温度サイクル性等の信頼性に優れた半導
体封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装
置に関するものである。
耐半田特性や耐温度サイクル性等の信頼性に優れた半導
体封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装
置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年の電子機器の小型化、軽量化、高性
能化の市場動向において、半導体の高集積化が年々進
み、又、半導体装置の表面実装化が促進される中で、半
導体封止材料への要求は益々厳しいものとなってきてい
る。特に半導体装置の表面実装化が一般的になってきて
いる現状では、吸湿した半導体装置が半田処理時に高温
にさらされ、気化した水蒸気の爆発的応力により半導体
装置にクラックが発生したり、或いは半導体素子やリー
ドフレームと半導体封止材料との界面に剥離が発生する
ことにより、電気的信頼性を大きく損なう不良が生じ、
これらの不良の防止、即ち耐半田特性の向上が大きな課
題となっている。この耐半田特性の向上のために、半導
体封止材料は無機質充填材を多量に配合することによ
り、半導体装置の低吸湿化、低熱膨張化、高強度化を図
ってきている。このため、エポキシ樹脂としては低粘度
型のものや、常温では結晶性であるが融点を越えると極
めて低粘性を示す結晶性エポキシ樹脂を使用して、無機
質充填材の配合量の増加に伴うエポキシ樹脂組成物の成
形時の流動性の低下を防止する手法が一般的にとられて
いる。
能化の市場動向において、半導体の高集積化が年々進
み、又、半導体装置の表面実装化が促進される中で、半
導体封止材料への要求は益々厳しいものとなってきてい
る。特に半導体装置の表面実装化が一般的になってきて
いる現状では、吸湿した半導体装置が半田処理時に高温
にさらされ、気化した水蒸気の爆発的応力により半導体
装置にクラックが発生したり、或いは半導体素子やリー
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ことにより、電気的信頼性を大きく損なう不良が生じ、
これらの不良の防止、即ち耐半田特性の向上が大きな課
題となっている。この耐半田特性の向上のために、半導
体封止材料は無機質充填材を多量に配合することによ
り、半導体装置の低吸湿化、低熱膨張化、高強度化を図
ってきている。このため、エポキシ樹脂としては低粘度
型のものや、常温では結晶性であるが融点を越えると極
めて低粘性を示す結晶性エポキシ樹脂を使用して、無機
質充填材の配合量の増加に伴うエポキシ樹脂組成物の成
形時の流動性の低下を防止する手法が一般的にとられて
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【0003】ところが、各配合物を加熱混練して製造さ
れるエポキシ樹脂組成物において無機質充填材を多量に
配合するエポキシ樹脂組成物では、加熱混練時に無機質
充填材の樹脂成分への分散不良により、樹脂組成物の製
造工程で均一な樹脂組成物が得られにくく、均一性が不
十分なエポキシ樹脂組成物は無機質充填材とエポキシ樹
脂やフェノール樹脂との親和性が乏しいため、樹脂組成
物の各成分が成形時に均一な流れを形成しないため空気
の巻き込みが多くなるため、成形品中に多量の気泡(以
後、ボイドと称する)が残ってしまったり、又成形時の
流動性が低下してしまうなどの問題点が発生する。成形
品中にボイドが存在すると、半導体装置内に外部からの
水分が侵入しやすく、且つ水分が溜まり易いために半導
体素子が腐食し易くなり信頼性が低下する。ボイドは上
記の様に、成形時のエポキシ樹脂組成物の均一流動不良
によっても発生するが、一方、成形温度でエポキシ樹脂
組成物から発生する揮発分が気化膨張して硬化後に気泡
として残存することも知られている。このボイドの原因
となる揮発分としては、エポキシ樹脂やフェノール樹脂
等の樹脂成分との相溶性が低いものが最終硬化物に残存
し易い傾向にある。従って、エポキシ樹脂組成物の配合
物に含有される水分や、エポキシ樹脂組成物の製造工程
に吸湿された水分が最も影響が大きい。
れるエポキシ樹脂組成物において無機質充填材を多量に
配合するエポキシ樹脂組成物では、加熱混練時に無機質
充填材の樹脂成分への分散不良により、樹脂組成物の製
造工程で均一な樹脂組成物が得られにくく、均一性が不
十分なエポキシ樹脂組成物は無機質充填材とエポキシ樹
脂やフェノール樹脂との親和性が乏しいため、樹脂組成
物の各成分が成形時に均一な流れを形成しないため空気
の巻き込みが多くなるため、成形品中に多量の気泡(以
後、ボイドと称する)が残ってしまったり、又成形時の
流動性が低下してしまうなどの問題点が発生する。成形
品中にボイドが存在すると、半導体装置内に外部からの
水分が侵入しやすく、且つ水分が溜まり易いために半導
体素子が腐食し易くなり信頼性が低下する。ボイドは上
記の様に、成形時のエポキシ樹脂組成物の均一流動不良
によっても発生するが、一方、成形温度でエポキシ樹脂
組成物から発生する揮発分が気化膨張して硬化後に気泡
として残存することも知られている。このボイドの原因
となる揮発分としては、エポキシ樹脂やフェノール樹脂
等の樹脂成分との相溶性が低いものが最終硬化物に残存
し易い傾向にある。従って、エポキシ樹脂組成物の配合
物に含有される水分や、エポキシ樹脂組成物の製造工程
に吸湿された水分が最も影響が大きい。
【0004】そこで、エポキシ樹脂組成物から水分を除
去する目的で、エポキシ樹脂組成物は製造後から成形時
までの間にシリカゲル等の乾燥剤と一緒に梱包されて保
管される。ところが、乾燥剤の影響で含有水分が低減し
たエポキシ樹脂組成物は、成形時の溶融粘度が上昇し、
流動性が低下するために、成形品である半導体装置の内
部に存在する半導体素子やリードフレーム等の基材とエ
ポキシ樹脂組成物の硬化物との界面の濡れ性が低下し、
硬化後の界面の接着強度が低下する。このため吸湿後の
半田リフロー時に基材とエポキシ樹脂組成物界面の間に
剥離が発生したり、更にこの剥離に起因するパッケージ
クラックが起こりやすい。又、エポキシ樹脂組成物の成
形時の流動性が低下すると、半導体素子が押し上げられ
てパッケージ表面に露出する、いわゆるチップシフトが
発生したり、半導体素子の回路とリードフレームとを結
線している金線が変形、又は切断されるいわゆる金線変
形が発生したり、更には成形材料が金型内に充分充填さ
れない、いわゆる未充填等の成形不良を起こす。以上の
ような理由で、成形時のボイド、流動性等の成形性と耐
半田特性との両立に優れる樹脂組成物の開発が望まれて
いた。
去する目的で、エポキシ樹脂組成物は製造後から成形時
までの間にシリカゲル等の乾燥剤と一緒に梱包されて保
管される。ところが、乾燥剤の影響で含有水分が低減し
たエポキシ樹脂組成物は、成形時の溶融粘度が上昇し、
流動性が低下するために、成形品である半導体装置の内
部に存在する半導体素子やリードフレーム等の基材とエ
ポキシ樹脂組成物の硬化物との界面の濡れ性が低下し、
硬化後の界面の接着強度が低下する。このため吸湿後の
半田リフロー時に基材とエポキシ樹脂組成物界面の間に
剥離が発生したり、更にこの剥離に起因するパッケージ
クラックが起こりやすい。又、エポキシ樹脂組成物の成
形時の流動性が低下すると、半導体素子が押し上げられ
てパッケージ表面に露出する、いわゆるチップシフトが
発生したり、半導体素子の回路とリードフレームとを結
線している金線が変形、又は切断されるいわゆる金線変
形が発生したり、更には成形材料が金型内に充分充填さ
れない、いわゆる未充填等の成形不良を起こす。以上の
ような理由で、成形時のボイド、流動性等の成形性と耐
半田特性との両立に優れる樹脂組成物の開発が望まれて
いた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、成形時の流
動性に優れ、ボイドが少なく、且つ成形品である半導体
装置の耐半田特性等の信頼性に優れた半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置を提供する
ものである。
動性に優れ、ボイドが少なく、且つ成形品である半導体
装置の耐半田特性等の信頼性に優れた半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置を提供する
ものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、 (A)エポ
キシ樹脂、(B)フェノール樹脂硬化剤、(C)硬化促
進剤、(D)無機質充填材、(E)1分子に水酸基を1
個以上有し、沸点が80〜300℃の有機化合物を総エ
ポキシ樹脂組成物中に0.01〜2重量%含むことを特
徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこのエ
ポキシ樹脂組成物により封止されてなることを特徴とす
る半導体装置である。
キシ樹脂、(B)フェノール樹脂硬化剤、(C)硬化促
進剤、(D)無機質充填材、(E)1分子に水酸基を1
個以上有し、沸点が80〜300℃の有機化合物を総エ
ポキシ樹脂組成物中に0.01〜2重量%含むことを特
徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこのエ
ポキシ樹脂組成物により封止されてなることを特徴とす
る半導体装置である。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明に用いられるエポキシ樹脂
は、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するモノマ
ー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、例えば、ビスフ
ェノールA型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹
脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノ
ールメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性
フェノール型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エ
ポキシ樹脂、テルペン変性フェノール型エポキシ樹脂、
ビフェニル型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ
樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型
エポキシ樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。又、これらのエポキシ樹脂は単独でも混合
して用いてもよい。半導体装置の耐半田特性を向上する
ことを目的に樹脂組成物中の無機質充填材の配合量を増
大させ、得られた樹脂組成物の硬化物の低吸湿化、低熱
膨張化、高強度化を達成させる場合には、エポキシ樹脂
として、常温で結晶性を示し、融点を越えると極めて低
粘度の液状となる結晶性エポキシ樹脂を用いることが特
に好ましい。
は、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するモノマ
ー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、例えば、ビスフ
ェノールA型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹
脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノ
ールメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性
フェノール型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エ
ポキシ樹脂、テルペン変性フェノール型エポキシ樹脂、
ビフェニル型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ
樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型
エポキシ樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。又、これらのエポキシ樹脂は単独でも混合
して用いてもよい。半導体装置の耐半田特性を向上する
ことを目的に樹脂組成物中の無機質充填材の配合量を増
大させ、得られた樹脂組成物の硬化物の低吸湿化、低熱
膨張化、高強度化を達成させる場合には、エポキシ樹脂
として、常温で結晶性を示し、融点を越えると極めて低
粘度の液状となる結晶性エポキシ樹脂を用いることが特
に好ましい。
【0008】本発明で用いられるフェノール樹脂として
は、1分子中に2個以上のフェノール性水酸基を有する
モノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、例えば、
フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹
脂、フェノールアラルキル樹脂、テルペン変性フェノー
ル樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、ナ
フトールアラルキル樹脂、トリフェノールメタン型樹
脂、ビスフェノール化合物等が挙げられるが、これらに
限定されるものではない。又、これらのフェノール樹脂
は単独でも混合して用いてもよい。
は、1分子中に2個以上のフェノール性水酸基を有する
モノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、例えば、
フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹
脂、フェノールアラルキル樹脂、テルペン変性フェノー
ル樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、ナ
フトールアラルキル樹脂、トリフェノールメタン型樹
脂、ビスフェノール化合物等が挙げられるが、これらに
限定されるものではない。又、これらのフェノール樹脂
は単独でも混合して用いてもよい。
【0009】本発明で用いられる硬化促進剤としては、
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応の触媒
となり得るものを指し、具体例としては、トリブチルア
ミン、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセ
ン−7等のアミン系化合物、トリフェニルホスフィン、
テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート
塩等の有機リン系化合物、2−メチルイミダゾール等の
イミダゾール化合物等が挙げられるが、これらに限定さ
れるものではない。又、これらの硬化促進剤は単独でも
混合して用いてもよい。
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応の触媒
となり得るものを指し、具体例としては、トリブチルア
ミン、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセ
ン−7等のアミン系化合物、トリフェニルホスフィン、
テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート
塩等の有機リン系化合物、2−メチルイミダゾール等の
イミダゾール化合物等が挙げられるが、これらに限定さ
れるものではない。又、これらの硬化促進剤は単独でも
混合して用いてもよい。
【0010】本発明で用いられる無機質充填材として
は、例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化
珪素、窒化アルミ等が挙げられる。無機質充填材の配合
量を特に大きくする場合は、溶融シリカを用いるのが一
般的である。溶融シリカは、破砕状、球状のいずれでも
使用可能であるが、溶融シリカの配合量を高め、且つ成
形材料の溶融粘度の上昇を抑えるためには、球状のもの
を主に用いる方が好ましい。更に球状シリカの配合量を
高めるためには、球状シリカの粒度分布がより広くなる
ように調整することが望ましい。
は、例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化
珪素、窒化アルミ等が挙げられる。無機質充填材の配合
量を特に大きくする場合は、溶融シリカを用いるのが一
般的である。溶融シリカは、破砕状、球状のいずれでも
使用可能であるが、溶融シリカの配合量を高め、且つ成
形材料の溶融粘度の上昇を抑えるためには、球状のもの
を主に用いる方が好ましい。更に球状シリカの配合量を
高めるためには、球状シリカの粒度分布がより広くなる
ように調整することが望ましい。
【0011】本発明で用いられる1分子に水酸基を1個
以上有し、沸点が80〜300℃の有機化合物として
は、イソプロパノール、n−ブタノール、n−ペンタノ
ール、n−ヘキサノール、n−ヘプタノール、n−オク
タノール、エチレングリコール、ジエチレングリコー
ル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレ
ングリコールモノブチルエーテル、シクロヘキサノー
ル、グリセリン等が挙げられるが、これらに限定される
ものではない。これらの有機化合物の効果は、エポキシ
樹脂組成物の混練工程における無機質充填材と樹脂成分
との親和性向上による低粘度化と各配合成分の均一化、
又エポキシ樹脂組成物の成形時の高流動化と半導体装置
中の基材界面へのエポキシ樹脂組成物の濡れ性の向上に
よる界面接着強度の向上が挙げられる。これらの効果
は、本発明に用いる有機化合物に含まれる水酸基と無機
質充填材、或いは基材界面との相互作用によるものと考
えられる。
以上有し、沸点が80〜300℃の有機化合物として
は、イソプロパノール、n−ブタノール、n−ペンタノ
ール、n−ヘキサノール、n−ヘプタノール、n−オク
タノール、エチレングリコール、ジエチレングリコー
ル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレ
ングリコールモノブチルエーテル、シクロヘキサノー
ル、グリセリン等が挙げられるが、これらに限定される
ものではない。これらの有機化合物の効果は、エポキシ
樹脂組成物の混練工程における無機質充填材と樹脂成分
との親和性向上による低粘度化と各配合成分の均一化、
又エポキシ樹脂組成物の成形時の高流動化と半導体装置
中の基材界面へのエポキシ樹脂組成物の濡れ性の向上に
よる界面接着強度の向上が挙げられる。これらの効果
は、本発明に用いる有機化合物に含まれる水酸基と無機
質充填材、或いは基材界面との相互作用によるものと考
えられる。
【0012】エポキシ樹脂組成物中に含まれる、或いは
製造工程中に吸湿する水分は同様の効果を有すものの、
エポキシ樹脂組成物の樹脂成分との相溶性が低いため
に、成形時揮発したガス成分は樹脂中に溶け込むことな
く、成形品内にボイドの形で残存し易いものと考えられ
る。更に、エポキシ樹脂組成物の保管中に、吸湿を防止
する目的でシリカゲル等の乾燥剤が一緒に梱包される場
合、経時的に水分が減少する。このため、水分含有量が
減少するに伴いボイドは減少するものの、各基材界面で
の接着強度は低下する。これに対して、1分子に水酸基
を1個以上有する有機化合物はエポキシ樹脂組成物との
親和性が高いため、ボイドの発生がなく、又シリカゲル
等の乾燥剤に吸着されることがないことから、効果の経
時変化が起こらない。1分子に水酸基を1個以上有する
有機化合物の沸点は、80℃〜300℃の範囲内にある
ことが必要である。80℃未満では、エポキシ樹脂組成
物の加熱混練中に揮発して、最終製品に残存する有機化
合物量が一定とならない問題点を有し、一方沸点が30
0℃を越えると成形品内に有機化合物が残存し、半導体
装置の吸湿後の半田処理中に気化して界面剥離やクラッ
クの発生の原因になる。1分子に水酸基を1個以上有す
る有機化合物の添加量は、総エポキシ樹脂組成物中に
0.01〜2重量%、好ましくは0.05〜0.5重量
%の範囲である。0.01重量%未満ではエポキシ樹脂
組成物の加熱混練時の低粘度化、均一化、或いは成形時
の基材界面の濡れ性の効果が発現しない。一方、添加量
が2重量%を越えると、硬化後の有機化合物の残存が硬
化物特性、特に曲げ強度等の機械特性、耐吸湿後の半田
特性等の信頼性を低下させる傾向がある。
製造工程中に吸湿する水分は同様の効果を有すものの、
エポキシ樹脂組成物の樹脂成分との相溶性が低いため
に、成形時揮発したガス成分は樹脂中に溶け込むことな
く、成形品内にボイドの形で残存し易いものと考えられ
る。更に、エポキシ樹脂組成物の保管中に、吸湿を防止
する目的でシリカゲル等の乾燥剤が一緒に梱包される場
合、経時的に水分が減少する。このため、水分含有量が
減少するに伴いボイドは減少するものの、各基材界面で
の接着強度は低下する。これに対して、1分子に水酸基
を1個以上有する有機化合物はエポキシ樹脂組成物との
親和性が高いため、ボイドの発生がなく、又シリカゲル
等の乾燥剤に吸着されることがないことから、効果の経
時変化が起こらない。1分子に水酸基を1個以上有する
有機化合物の沸点は、80℃〜300℃の範囲内にある
ことが必要である。80℃未満では、エポキシ樹脂組成
物の加熱混練中に揮発して、最終製品に残存する有機化
合物量が一定とならない問題点を有し、一方沸点が30
0℃を越えると成形品内に有機化合物が残存し、半導体
装置の吸湿後の半田処理中に気化して界面剥離やクラッ
クの発生の原因になる。1分子に水酸基を1個以上有す
る有機化合物の添加量は、総エポキシ樹脂組成物中に
0.01〜2重量%、好ましくは0.05〜0.5重量
%の範囲である。0.01重量%未満ではエポキシ樹脂
組成物の加熱混練時の低粘度化、均一化、或いは成形時
の基材界面の濡れ性の効果が発現しない。一方、添加量
が2重量%を越えると、硬化後の有機化合物の残存が硬
化物特性、特に曲げ強度等の機械特性、耐吸湿後の半田
特性等の信頼性を低下させる傾向がある。
【0013】本発明のエポキシ樹脂組成物は、(A)〜
(E)成分を必須成分とするが、これ以外にも必要に応
じて臭素化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン等の難燃
剤、シランカップリング剤、カーボンブラック等の着色
剤、天然ワックス及び合成ワックス等の離型剤、ポリオ
ルガノシロキサン、シリコーンゴム、合成ゴム等の低応
力添加剤等を適宜配合してもよい。本発明のエポキシ樹
脂組成物は、(A)〜(E)成分、及びその他の添加剤
等を混合後、加熱ニーダや熱ロールを用いて加熱混練
し、続いて冷却、粉砕して得られる。本発明の樹脂組成
物を用いて、半導体素子等の電子部品を封止し、半導体
装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプ
レッションモールド、インジェクションモールド等の成
型方法で硬化成形すればよい。
(E)成分を必須成分とするが、これ以外にも必要に応
じて臭素化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン等の難燃
剤、シランカップリング剤、カーボンブラック等の着色
剤、天然ワックス及び合成ワックス等の離型剤、ポリオ
ルガノシロキサン、シリコーンゴム、合成ゴム等の低応
力添加剤等を適宜配合してもよい。本発明のエポキシ樹
脂組成物は、(A)〜(E)成分、及びその他の添加剤
等を混合後、加熱ニーダや熱ロールを用いて加熱混練
し、続いて冷却、粉砕して得られる。本発明の樹脂組成
物を用いて、半導体素子等の電子部品を封止し、半導体
装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプ
レッションモールド、インジェクションモールド等の成
型方法で硬化成形すればよい。
【0014】
【実施例】以下、本発明を実施例で具体的に説明する。
配合量の単位は重量部とする。 実施例1 3,3’,5,5’−テトラメチルビフェノールジグリシジルエーテルを主成 分とするエポキシ樹脂(油化シェルエポキシ(株)・製、YX4000H、融点 105℃、エポキシ当量195)(以下、ビフェニルエポキシ樹脂と略す) 7.9重量部 フェノールアラルキル樹脂(三井化学(株)・製 XL225−LL、軟化点 75℃、水酸基当量175) 7.1重量部 1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7(以下、DBUという ) 0.2重量部 球状溶融シリカ 84.0重量部 エチレングリコール 0.2重量部 カルナバワックス 0.3重量部 カーボンブラック 0.3重量部 をミキサーを用いて混合した後、表面温度が90℃と2
5℃の2軸ロールを用いて20回混練し、得られた混練
物シートを冷却後粉砕して、エポキシ樹脂組成物とし
た。得られたエポキシ樹脂組成物の特性を以下の方法で
評価した。結果を表1に示す。
配合量の単位は重量部とする。 実施例1 3,3’,5,5’−テトラメチルビフェノールジグリシジルエーテルを主成 分とするエポキシ樹脂(油化シェルエポキシ(株)・製、YX4000H、融点 105℃、エポキシ当量195)(以下、ビフェニルエポキシ樹脂と略す) 7.9重量部 フェノールアラルキル樹脂(三井化学(株)・製 XL225−LL、軟化点 75℃、水酸基当量175) 7.1重量部 1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7(以下、DBUという ) 0.2重量部 球状溶融シリカ 84.0重量部 エチレングリコール 0.2重量部 カルナバワックス 0.3重量部 カーボンブラック 0.3重量部 をミキサーを用いて混合した後、表面温度が90℃と2
5℃の2軸ロールを用いて20回混練し、得られた混練
物シートを冷却後粉砕して、エポキシ樹脂組成物とし
た。得られたエポキシ樹脂組成物の特性を以下の方法で
評価した。結果を表1に示す。
【0015】評価方法 スパイラルフロー:EMMI−I−66に準じたスパイ
ラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度175℃、
注入圧力70kg/cm2、硬化時間2分で測定した。 金線変形量:144pQFPパッケージ(パッケージサ
イズ20×20×1.4mm、チップサイズ9×9m
m、金線:25μm径、リードフレーム:銅)を金型温
度175℃、成形圧力75kgf/cm2、硬化時間2
分間で成形した。得られたパッケージを軟X線透視装置
で観察し、金線の変形率を(流れ量)/(金線長)で表
した(単位%)。 耐半田性:金線変形量を測定した144pQFPパッケ
ージを、175℃、8時間で後硬化させた。得られた半
導体パッケージを85℃、相対湿度85%の環境下で1
68時間放置した後、この半導体パッケージを240℃
の半田槽に10秒間浸漬した。顕微鏡で外部クラックを
観察し、クラック数((クラック発生パッケージ数)/
(全パッケージ数)×100)を%で表示した。又、こ
のパッケージを超音波探傷装置を用いて観察し、チップ
(SiNコート品)とエポキシ樹脂組成物の硬化物との
界面に剥離が発生した剥離数((剥離発生パッケージ
数)/(全パッケージ数)×100)を%で表示した。 ボイド:耐半田性で剥離数を評価した144pQFPの
超音波探傷装置観察において、パッケージ中に観察され
た直径0.1mm以上のボイド個数を1パッケージあた
りの平均で表示した。なお、スパイラルフロー、金線変
形量、耐半田性、ボイドの評価については、エポキシ樹
脂組成物の製造直後での評価(製造直後と表示)と、エ
ポキシ樹脂組成物1kgに対しシリカゲル100gを同
一のポリエチレン製の袋に梱包し、2週間経過してから
の評価(乾燥後と表示)との両者の結果を示す。 熱時強度:240℃での曲げ強さをJIS−K6911
に準じて測定した。単位はkgf/mm2。 離型性:金線変形量を測定した144pQFPのパッケ
ージを10回連続で成形した。この10回の成形で、離
型時に金型に付着したり、成形品に割れ・欠けが発生し
た回数が5回以上を×、1〜4回を△、発生なしを○で
表した。
ラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度175℃、
注入圧力70kg/cm2、硬化時間2分で測定した。 金線変形量:144pQFPパッケージ(パッケージサ
イズ20×20×1.4mm、チップサイズ9×9m
m、金線:25μm径、リードフレーム:銅)を金型温
度175℃、成形圧力75kgf/cm2、硬化時間2
分間で成形した。得られたパッケージを軟X線透視装置
で観察し、金線の変形率を(流れ量)/(金線長)で表
した(単位%)。 耐半田性:金線変形量を測定した144pQFPパッケ
ージを、175℃、8時間で後硬化させた。得られた半
導体パッケージを85℃、相対湿度85%の環境下で1
68時間放置した後、この半導体パッケージを240℃
の半田槽に10秒間浸漬した。顕微鏡で外部クラックを
観察し、クラック数((クラック発生パッケージ数)/
(全パッケージ数)×100)を%で表示した。又、こ
のパッケージを超音波探傷装置を用いて観察し、チップ
(SiNコート品)とエポキシ樹脂組成物の硬化物との
界面に剥離が発生した剥離数((剥離発生パッケージ
数)/(全パッケージ数)×100)を%で表示した。 ボイド:耐半田性で剥離数を評価した144pQFPの
超音波探傷装置観察において、パッケージ中に観察され
た直径0.1mm以上のボイド個数を1パッケージあた
りの平均で表示した。なお、スパイラルフロー、金線変
形量、耐半田性、ボイドの評価については、エポキシ樹
脂組成物の製造直後での評価(製造直後と表示)と、エ
ポキシ樹脂組成物1kgに対しシリカゲル100gを同
一のポリエチレン製の袋に梱包し、2週間経過してから
の評価(乾燥後と表示)との両者の結果を示す。 熱時強度:240℃での曲げ強さをJIS−K6911
に準じて測定した。単位はkgf/mm2。 離型性:金線変形量を測定した144pQFPのパッケ
ージを10回連続で成形した。この10回の成形で、離
型時に金型に付着したり、成形品に割れ・欠けが発生し
た回数が5回以上を×、1〜4回を△、発生なしを○で
表した。
【0016】実施例2〜5、比較例1〜6 実施例1を基本配合とし、実施例1のエチレングリコー
ル0.2重量部に代えて有機化合物の種類と添加量を変
更し、実施例1と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得、
実施例1と同様にして評価した。有機化合物の種類、配
合量及び結果を表1、表2に示す。
ル0.2重量部に代えて有機化合物の種類と添加量を変
更し、実施例1と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得、
実施例1と同様にして評価した。有機化合物の種類、配
合量及び結果を表1、表2に示す。
【0017】
【表1】
【0018】
【表2】
【0019】
【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物は、均一性
かつ流動性に優れるため、ボイド、金線変形等の極めて
少ない成形性に優れたものであり、又、耐半田特性に優
れるものである。
かつ流動性に優れるため、ボイド、金線変形等の極めて
少ない成形性に優れたものであり、又、耐半田特性に優
れるものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4J002 CC032 CC042 CC052 CC072 CD041 CD051 CD061 CD071 CD201 DJ017 EC038 EC058 ED028 ED038 EU136 EW146 EY016 FD017 FD028 FD142 FD156 GQ05 4J036 AB02 AC05 AD01 AD07 AD08 AE07 AF01 AF06 DA01 DA02 DC05 DC38 DC40 DC46 DD07 FB07 GA06 JA07 4M109 AA01 BA01 CA21 EA02 EB03 EB04 EB06 EB07 EB08 EB09 EB12 EB18 EB19 EC01 EC03 EC20
Claims (2)
- 【請求項1】 (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール
樹脂、(C)硬化促進剤、(D)無機質充填材、(E)
1分子に水酸基を1個以上有し、沸点が80〜300℃
の有機化合物を総エポキシ樹脂組成物中に0.01〜2
重量%含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂
組成物。 - 【請求項2】 請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を用いて封止してなることを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11080265A JP2000273154A (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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-
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