JPH07242731A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
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- JPH07242731A JPH07242731A JP3430894A JP3430894A JPH07242731A JP H07242731 A JPH07242731 A JP H07242731A JP 3430894 A JP3430894 A JP 3430894A JP 3430894 A JP3430894 A JP 3430894A JP H07242731 A JPH07242731 A JP H07242731A
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- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 title claims abstract description 77
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title abstract description 4
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 10
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims abstract description 8
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 24
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 13
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 7
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 5
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 claims description 5
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 21
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 15
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 abstract description 8
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 abstract description 6
- 238000007654 immersion Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 2
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 abstract 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- -1 m-xylylene structure Chemical group 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 14
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 12
- 239000000047 product Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 10
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 6
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 5
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 5
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 5
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 5
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 4
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 4
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- XMXVCWWCNLEDCG-UHFFFAOYSA-N 2-[[2-[2,4-dimethyl-6-(oxiran-2-ylmethoxy)phenyl]-3,5-dimethylphenoxy]methyl]oxirane Chemical compound C=1C(C)=CC(C)=C(C=2C(=CC(C)=CC=2C)OCC2OC2)C=1OCC1CO1 XMXVCWWCNLEDCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 2
- DAJPMKAQEUGECW-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(methoxymethyl)benzene Chemical compound COCC1=CC=C(COC)C=C1 DAJPMKAQEUGECW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQOZJDNCADWEKH-UHFFFAOYSA-N 2-[3,3-bis(2-hydroxyphenyl)propyl]phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1CCC(C=1C(=CC=CC=1)O)C1=CC=CC=C1O CQOZJDNCADWEKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONLPKGMCOFNAJA-UHFFFAOYSA-N 3-methoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[SiH2]CCCS ONLPKGMCOFNAJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004203 carnauba wax Substances 0.000 description 1
- 235000013869 carnauba wax Nutrition 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N diphosphonate Chemical compound O=P(=O)OP(=O)=O YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentoxide Inorganic materials O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011802 pulverized particle Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012855 volatile organic compound Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 3,3’,5,5’−テトラメチルビフェノ
ールジグリシジルエーテルを総エポキシ樹脂量中に50
%以上、下記式で示されるフェノール樹脂硬化剤を総フ
ェノール樹脂量中に50%以上、総エポキシ樹脂組成物
中に70〜94重量%の無機質充填剤、硬化促進剤、シ
ランカップリング剤を必須とするエポキシ樹脂組成物に
おいて、総エポキシ樹脂組成物を150℃〜200℃で
熱処理を行った際の重量減少率が2000ppm以下で
ある半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化1】 【効果】 成形品パッケージ中にピンホール・ボイドが
殆ど発生せず、さらにリードフレームやチップと封止材
料との界面の濡れ性が向上し、これら界面の接着性が向
上するため、半田浸漬時の耐パッケージクラック性や耐
湿信頼性を向上できる。
ールジグリシジルエーテルを総エポキシ樹脂量中に50
%以上、下記式で示されるフェノール樹脂硬化剤を総フ
ェノール樹脂量中に50%以上、総エポキシ樹脂組成物
中に70〜94重量%の無機質充填剤、硬化促進剤、シ
ランカップリング剤を必須とするエポキシ樹脂組成物に
おいて、総エポキシ樹脂組成物を150℃〜200℃で
熱処理を行った際の重量減少率が2000ppm以下で
ある半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化1】 【効果】 成形品パッケージ中にピンホール・ボイドが
殆ど発生せず、さらにリードフレームやチップと封止材
料との界面の濡れ性が向上し、これら界面の接着性が向
上するため、半田浸漬時の耐パッケージクラック性や耐
湿信頼性を向上できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は成形性、半田耐熱性、耐
湿信頼性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関
するものである。
湿信頼性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】IC、LSI等の半導体素子の封止方法
としてエポキシ樹脂のトランスファー成形による方法が
低コスト、大量生産に適した方法として採用され、信頼
性の面でもエポキシ樹脂や硬化剤であるフェノール樹脂
の改良により向上が図られてきた。しかし、近年の電子
機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向において、
半導体の高集積化も年々進み、また半導体パッケージの
表面実装化が促進されるなかで、半導体封止材料への要
求は益々厳しいものとなってきている。このため、従来
の封止材料では解決できない問題点もでてきている。
としてエポキシ樹脂のトランスファー成形による方法が
低コスト、大量生産に適した方法として採用され、信頼
性の面でもエポキシ樹脂や硬化剤であるフェノール樹脂
の改良により向上が図られてきた。しかし、近年の電子
機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向において、
半導体の高集積化も年々進み、また半導体パッケージの
表面実装化が促進されるなかで、半導体封止材料への要
求は益々厳しいものとなってきている。このため、従来
の封止材料では解決できない問題点もでてきている。
【0003】1番目の問題としては、パッケージの薄型
化に伴い、パッケージ中に占める半導体封止材料の厚み
が一段と薄くなってきたことであり、例えば1mm厚の
TSOP等の場合、チップの上面に形成される封止材料
の厚みは0.2〜0.3mm程度となる。このために、
半導体封止材料中にピンホールやボイド(空洞)が存在
すると耐湿信頼性、電気絶縁性が著しく低下してしま
う。ピンホール・ボイドに関しては従来より、タブレッ
ト変形や流動樹脂の乱流による成形時のエアーの巻き込
み、あるいはタブレット中に含まれる水分が原因として
考えられてきた(特開昭63−237910号公報、特
開昭64−61028号公報、特開平1−129424
号公報等)。しかし、エアーの巻き込み防止やタブレッ
ト吸湿の防止等の従来の手法では、確かにピンホール・
ボイドを低減できる効果があるが、皆無とならず、特に
薄型パッケージで問題となる0.2mm以下のピンホー
ル・ボイドを発生させないための更なる改良が望まれて
いる。
化に伴い、パッケージ中に占める半導体封止材料の厚み
が一段と薄くなってきたことであり、例えば1mm厚の
TSOP等の場合、チップの上面に形成される封止材料
の厚みは0.2〜0.3mm程度となる。このために、
半導体封止材料中にピンホールやボイド(空洞)が存在
すると耐湿信頼性、電気絶縁性が著しく低下してしま
う。ピンホール・ボイドに関しては従来より、タブレッ
ト変形や流動樹脂の乱流による成形時のエアーの巻き込
み、あるいはタブレット中に含まれる水分が原因として
考えられてきた(特開昭63−237910号公報、特
開昭64−61028号公報、特開平1−129424
号公報等)。しかし、エアーの巻き込み防止やタブレッ
ト吸湿の防止等の従来の手法では、確かにピンホール・
ボイドを低減できる効果があるが、皆無とならず、特に
薄型パッケージで問題となる0.2mm以下のピンホー
ル・ボイドを発生させないための更なる改良が望まれて
いる。
【0004】2番目の問題点としては、半導体パッケー
ジの表面実装の採用によりパッケージが半田浸漬、ある
いはリフロー工程で急激に200℃以上の高温にさらさ
れ、このためにパッケージが割れたり、チップと封止樹
脂との界面剥離が生じて耐湿性が低下したりするという
半田耐熱性がある。この半田耐熱性の向上に関しては耐
熱エポキシ樹脂の使用、半田浸漬時の応力低減やリード
フレーム、チップとの接着性向上のための可撓性樹脂の
使用、接着性付与成分の添加、熱膨張係数を小さくする
ための無機質充填材の配合量の増量、あるいはシリカへ
のシランカップリング剤の処理条件の改良等数多くの提
案がなされてきている。しかし、パッケージクラックや
チップと封止樹脂との界面剥離はいずれも封止樹脂とリ
ードフレーム、または封止樹脂とチップとの接着力の低
いことが原因であり、しかもこの接着力の低さは成形時
の封止樹脂のチップ、リードフレーム界面への濡れ性の
低下も要因の一つと考えられる。根本的に濡れ性の低下
を改良しなければ、上記諸提案の効果が十分に得ること
ができない。
ジの表面実装の採用によりパッケージが半田浸漬、ある
いはリフロー工程で急激に200℃以上の高温にさらさ
れ、このためにパッケージが割れたり、チップと封止樹
脂との界面剥離が生じて耐湿性が低下したりするという
半田耐熱性がある。この半田耐熱性の向上に関しては耐
熱エポキシ樹脂の使用、半田浸漬時の応力低減やリード
フレーム、チップとの接着性向上のための可撓性樹脂の
使用、接着性付与成分の添加、熱膨張係数を小さくする
ための無機質充填材の配合量の増量、あるいはシリカへ
のシランカップリング剤の処理条件の改良等数多くの提
案がなされてきている。しかし、パッケージクラックや
チップと封止樹脂との界面剥離はいずれも封止樹脂とリ
ードフレーム、または封止樹脂とチップとの接着力の低
いことが原因であり、しかもこの接着力の低さは成形時
の封止樹脂のチップ、リードフレーム界面への濡れ性の
低下も要因の一つと考えられる。根本的に濡れ性の低下
を改良しなければ、上記諸提案の効果が十分に得ること
ができない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】半導体パッケージ成形
時のピンホール・ボイドの発生及びチップ・リードフレ
ーム界面での接着力の低下の原因につき種々の検討を行
った結果、半田浸漬時に発生する熱応力を効果的に低減
できる樹脂組成物において、さらに封止樹脂組成物に含
まれる揮発成分をある一定量以下にすることで、飛躍的
に特性が向上することを見いだした。即ち本発明は、ピ
ンホールやボイドの発生及び表面実装化における半田処
理工程での信頼性低下の両者のいずれをも防止すること
ができる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供するも
のである。
時のピンホール・ボイドの発生及びチップ・リードフレ
ーム界面での接着力の低下の原因につき種々の検討を行
った結果、半田浸漬時に発生する熱応力を効果的に低減
できる樹脂組成物において、さらに封止樹脂組成物に含
まれる揮発成分をある一定量以下にすることで、飛躍的
に特性が向上することを見いだした。即ち本発明は、ピ
ンホールやボイドの発生及び表面実装化における半田処
理工程での信頼性低下の両者のいずれをも防止すること
ができる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供するも
のである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、(A)式
(1)で示されるエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂量中に
50重量%以上含むエポキシ樹脂、
(1)で示されるエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂量中に
50重量%以上含むエポキシ樹脂、
【0007】
【化3】 (R1は水素、炭素数1〜5のアルキル基、ハロゲン原
子の群から選択される同一もしくは異なる原子または
基、lは0、または1以上、5以下の整数)
子の群から選択される同一もしくは異なる原子または
基、lは0、または1以上、5以下の整数)
【0008】(B)式(2)で表されるフェノール樹脂
硬化剤を総フェノール樹脂硬化剤量中に50重量%以上
含むフェノール樹脂硬化剤、
硬化剤を総フェノール樹脂硬化剤量中に50重量%以上
含むフェノール樹脂硬化剤、
【0009】
【化4】 (R2は水素、炭素数1〜5のアルキル基の群から選択
される同一もしくは異なる原子または基、mおよびnは
0、または1以上の整数であり、かつm+nは1以上、
6以下の整数)
される同一もしくは異なる原子または基、mおよびnは
0、または1以上の整数であり、かつm+nは1以上、
6以下の整数)
【0010】(C)硬化促進剤、(D)総樹脂組成物中
に70〜94重量%含む無機質充填材、(E)シランカ
ップリング剤を必須成分とするエポキシ樹脂組成物にお
いて、総エポキシ樹脂組成物を150〜200℃で熱処
理を行った際の重量減少率が2000重量ppm以下で
あることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物
である。
に70〜94重量%含む無機質充填材、(E)シランカ
ップリング剤を必須成分とするエポキシ樹脂組成物にお
いて、総エポキシ樹脂組成物を150〜200℃で熱処
理を行った際の重量減少率が2000重量ppm以下で
あることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物
である。
【0011】以下に本発明を詳細に説明する。本発明に
用いられる式(1)のエポキシ樹脂は1分子中にビフェ
ニル構造と2個のエポキシ基を有する2官能性エポキシ
樹脂で、硬化物の半田浸漬温度での弾性率が従来の多官
能性エポキシ樹脂に比べ著しく低く、また溶融粘度が低
いため、無機質充填材を多く配合することができる。こ
のため低吸水化、低応力化が図られ、耐半田ストレス性
に優れるエポキシ樹脂組成物を得ることができる。この
ビフェニルエポキシ樹脂の使用量は、これを調節するこ
とにより耐半田ストレス性を最大限に引きだすことがで
きる。耐半田ストレス性の効果をだすためには、式
(1)で示されるビフェニルエポキシ樹脂を総エポキシ
樹脂量の50重量%以上、好ましくは70重量%以上の
使用が望ましい。50重量%未満では半田浸漬時の熱応
力の低減が不充分である。
用いられる式(1)のエポキシ樹脂は1分子中にビフェ
ニル構造と2個のエポキシ基を有する2官能性エポキシ
樹脂で、硬化物の半田浸漬温度での弾性率が従来の多官
能性エポキシ樹脂に比べ著しく低く、また溶融粘度が低
いため、無機質充填材を多く配合することができる。こ
のため低吸水化、低応力化が図られ、耐半田ストレス性
に優れるエポキシ樹脂組成物を得ることができる。この
ビフェニルエポキシ樹脂の使用量は、これを調節するこ
とにより耐半田ストレス性を最大限に引きだすことがで
きる。耐半田ストレス性の効果をだすためには、式
(1)で示されるビフェニルエポキシ樹脂を総エポキシ
樹脂量の50重量%以上、好ましくは70重量%以上の
使用が望ましい。50重量%未満では半田浸漬時の熱応
力の低減が不充分である。
【0012】式(1)のR1は水素、炭素数1〜5のア
ルキル基、ハロゲン原子の群から選択される同一もしく
は異なる原子または基、lは0、または1以上、5以下
の整数である。R1としては、メチル基が好ましい。炭
素数が5を越えるアルキル基だと硬化性が劣る傾向にあ
る。また、lの値は0、または1以上、5以下の整数で
あり、かつその混合物であるが、lの値が0である成分
の割合が90重量%以上であることが流動性の点から好
ましい。式(1)のビフェニルエポキシ樹脂と併用可能
なエポキシ樹脂とはエポキシ基を有するモノマー、オリ
ゴマー、ポリマー全般を指し、例えばビスフェノールA
型エポキシ樹脂、オルソクレゾール型エポキシ樹脂、ナ
フタレン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポ
キシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂等が挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。また、これら
のエポキシ樹脂は単独もしくは併用しても差し支えな
い。
ルキル基、ハロゲン原子の群から選択される同一もしく
は異なる原子または基、lは0、または1以上、5以下
の整数である。R1としては、メチル基が好ましい。炭
素数が5を越えるアルキル基だと硬化性が劣る傾向にあ
る。また、lの値は0、または1以上、5以下の整数で
あり、かつその混合物であるが、lの値が0である成分
の割合が90重量%以上であることが流動性の点から好
ましい。式(1)のビフェニルエポキシ樹脂と併用可能
なエポキシ樹脂とはエポキシ基を有するモノマー、オリ
ゴマー、ポリマー全般を指し、例えばビスフェノールA
型エポキシ樹脂、オルソクレゾール型エポキシ樹脂、ナ
フタレン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポ
キシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂等が挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。また、これら
のエポキシ樹脂は単独もしくは併用しても差し支えな
い。
【0013】本発明の式(2)で示されるフェノール樹
脂硬化剤はp−および/またはm−キシリレン構造を含
む樹脂であり、通常はフェノール類とp−キシリレング
リコールジメチルエーテルおよび/またはm−キシリレ
ングリコールジメチルエーテルとの重縮合反応により合
成される。この構造のフェノール樹脂は通常のフェノー
ルノボラック樹脂に比べ、熱時の低弾性率化、基材との
高密着性、低吸水などの特長を有し、半田浸漬時の熱応
力の低減とパッケージクラック発生の防止に効果的であ
る。このキシリレン変性フェノール樹脂硬化剤の使用量
は、これを調整することにより半田耐熱性を最大限に引
きだすことができる。このためには式(2)で示される
フェノール樹脂硬化剤を50重量%以上、好ましくは7
0重量%以上の使用が望ましい。R2は水素、炭素数1
〜5のアルキル基の群から選択される同一もしくは異な
る原子または基、mおよびnは0、または1以上の整数
であり、かつm+nは1以上、6以下の整数であり、R
2は、水素が好ましい。炭素数が5を越えるアルキル基
だと硬化性が劣る傾向にある。
脂硬化剤はp−および/またはm−キシリレン構造を含
む樹脂であり、通常はフェノール類とp−キシリレング
リコールジメチルエーテルおよび/またはm−キシリレ
ングリコールジメチルエーテルとの重縮合反応により合
成される。この構造のフェノール樹脂は通常のフェノー
ルノボラック樹脂に比べ、熱時の低弾性率化、基材との
高密着性、低吸水などの特長を有し、半田浸漬時の熱応
力の低減とパッケージクラック発生の防止に効果的であ
る。このキシリレン変性フェノール樹脂硬化剤の使用量
は、これを調整することにより半田耐熱性を最大限に引
きだすことができる。このためには式(2)で示される
フェノール樹脂硬化剤を50重量%以上、好ましくは7
0重量%以上の使用が望ましい。R2は水素、炭素数1
〜5のアルキル基の群から選択される同一もしくは異な
る原子または基、mおよびnは0、または1以上の整数
であり、かつm+nは1以上、6以下の整数であり、R
2は、水素が好ましい。炭素数が5を越えるアルキル基
だと硬化性が劣る傾向にある。
【0014】また、p−キシリレン構造とm−キシリレ
ン構造の比率は特に限定されるもではなく、p−キシリ
レン構造、m−キシリレン構造のそれぞれの単独の樹脂
であっても、あるいはそれぞれ単独の樹脂の併用であっ
ても、または1分子中にp−キシリレン構造とm−キシ
リレン構造とが共存していてもなんら差し支えない。m
+nの値は1以上、6以下で、6を越えると流動性が低
下し、成形性が悪くなる。
ン構造の比率は特に限定されるもではなく、p−キシリ
レン構造、m−キシリレン構造のそれぞれの単独の樹脂
であっても、あるいはそれぞれ単独の樹脂の併用であっ
ても、または1分子中にp−キシリレン構造とm−キシ
リレン構造とが共存していてもなんら差し支えない。m
+nの値は1以上、6以下で、6を越えると流動性が低
下し、成形性が悪くなる。
【0015】式(2)で示されるフェノール樹脂硬化剤
と併用可能なフェノール樹脂硬化剤としては、エポキシ
樹脂と硬化反応を行い架橋構造を形成することができる
フェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポ
リマー全般を指し、具体的には、フェノールノボラック
樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジ
エン変性フェノール樹脂、ビスフェノールA、トリフェ
ノールメタンなどが例示されるが、これらに限定される
ものではない。これらのフェノール樹脂硬化剤も単独も
しくは併用しても差し支えない。
と併用可能なフェノール樹脂硬化剤としては、エポキシ
樹脂と硬化反応を行い架橋構造を形成することができる
フェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポ
リマー全般を指し、具体的には、フェノールノボラック
樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジ
エン変性フェノール樹脂、ビスフェノールA、トリフェ
ノールメタンなどが例示されるが、これらに限定される
ものではない。これらのフェノール樹脂硬化剤も単独も
しくは併用しても差し支えない。
【0016】本発明の硬化促進剤は、前記エポキシ樹脂
とフェノール樹脂硬化剤との架橋反応をそくしんするも
のを指し、具体的には1,8−ジアザビシクロウンデセ
ン等のアミン系化合物、トリフェニルホスフィン等の有
機ホスフィン化合物、2−メチルイミダゾール等のイミ
ダゾール化合物等が例示できる。これらの硬化促進剤は
単独であっても、また併用であっても差し支えない。
とフェノール樹脂硬化剤との架橋反応をそくしんするも
のを指し、具体的には1,8−ジアザビシクロウンデセ
ン等のアミン系化合物、トリフェニルホスフィン等の有
機ホスフィン化合物、2−メチルイミダゾール等のイミ
ダゾール化合物等が例示できる。これらの硬化促進剤は
単独であっても、また併用であっても差し支えない。
【0017】本発明の無機質充填材は、溶融シリカ粉
末、結晶シリカ粉末、アルミナ、窒化珪素等が挙げられ
る。これら無機質充填材の配合量は成形性と半田耐熱性
とのバランスから総エポキシ樹脂組成物中に70から9
4重量%、好ましくは80から94重量%含むものが望
ましい。特に充填材量の多い配合では、球状の溶融シリ
カを用いるのが一般的である。
末、結晶シリカ粉末、アルミナ、窒化珪素等が挙げられ
る。これら無機質充填材の配合量は成形性と半田耐熱性
とのバランスから総エポキシ樹脂組成物中に70から9
4重量%、好ましくは80から94重量%含むものが望
ましい。特に充填材量の多い配合では、球状の溶融シリ
カを用いるのが一般的である。
【0018】本発明のシランカップリング剤は、具体的
にはγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ
−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプト
プロピルメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン等
が挙げられるが、これに限定するものでなく、またこれ
らの単独、併用のどちらでも差し支えない。本発明のエ
ポキシ樹脂組成物は式(1)のエポキシ樹脂、式(2)
のフェノール樹脂硬化剤、硬化促進剤、無機質充填材及
びシランカップリング剤を必須成分とするが、これ以外
にも必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、三酸化アンチモ
ン等の難燃剤、カーボンブラックに代表される着色剤、
天然ワックス及び合成ワックス等の離型剤、シリコーン
オイル等の低応力添加剤を適宜配合しても差し支えな
い。成形材料化するに際しては、加熱ニーダーや熱ロー
ルにより全成分を加熱混練し、続いて冷却、粉砕するこ
とで目的とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物が得ら
れる。この粉状の組成物をタブレットに打錠する。本発
明ではタブレットの形状は特に限定するものではない。
本発明はタブレットで保管した場合の揮発分が2000
重量ppm以下であることが必要である。
にはγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ
−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプト
プロピルメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン等
が挙げられるが、これに限定するものでなく、またこれ
らの単独、併用のどちらでも差し支えない。本発明のエ
ポキシ樹脂組成物は式(1)のエポキシ樹脂、式(2)
のフェノール樹脂硬化剤、硬化促進剤、無機質充填材及
びシランカップリング剤を必須成分とするが、これ以外
にも必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、三酸化アンチモ
ン等の難燃剤、カーボンブラックに代表される着色剤、
天然ワックス及び合成ワックス等の離型剤、シリコーン
オイル等の低応力添加剤を適宜配合しても差し支えな
い。成形材料化するに際しては、加熱ニーダーや熱ロー
ルにより全成分を加熱混練し、続いて冷却、粉砕するこ
とで目的とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物が得ら
れる。この粉状の組成物をタブレットに打錠する。本発
明ではタブレットの形状は特に限定するものではない。
本発明はタブレットで保管した場合の揮発分が2000
重量ppm以下であることが必要である。
【0019】本発明の重要な点は、半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物を150〜200℃の温度範囲で熱処理し
た際の重量減少率を総エポキシ樹脂組成物に対して20
00重量ppm以下、さらに好ましくは1000重量p
pm以下に抑えることである。一般に半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物の原料の有機成分であるエポキシ樹脂、
フェノール樹脂硬化剤、シランカップリング剤等は、そ
の製造工程、保管工程で空気中の水分を吸湿しており、
さらにこれら原料と無機質充填材等とを加熱混練して製
造されるエポキシ樹脂組成物においても、その製造工
程、保管工程において水分を吸湿する。
シ樹脂組成物を150〜200℃の温度範囲で熱処理し
た際の重量減少率を総エポキシ樹脂組成物に対して20
00重量ppm以下、さらに好ましくは1000重量p
pm以下に抑えることである。一般に半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物の原料の有機成分であるエポキシ樹脂、
フェノール樹脂硬化剤、シランカップリング剤等は、そ
の製造工程、保管工程で空気中の水分を吸湿しており、
さらにこれら原料と無機質充填材等とを加熱混練して製
造されるエポキシ樹脂組成物においても、その製造工
程、保管工程において水分を吸湿する。
【0020】この吸湿水分が成形性や半田耐熱性の低下
の原因となることは既に多くの報告がある。そしてその
対策として、露点−10℃以下の乾燥空気中で乾燥させ
る、密閉された保管場所で減圧処理を施し水分を気化、
乾燥させる、あるいはシリカゲル、五酸化燐等の乾燥剤
を用いて水分を乾燥剤に吸着させる等、多くの提案がな
されており、これらの方法により封止材組成物中に残存
する水分の量を実質的に殆どゼロとすることが可能であ
る。これにより成形時の揮発成分が顕著に減少するた
め、成形品中のピンホール・ボイドの数を減少させた
り、あるいは揮発ガスの発生による樹脂組成物とチッ
プ、リードフレームとの界面の濡れ性が低下することに
起因する密着性低下を改善するのに効果は認められる。
しかしながら、先に述べたように最近の半導体パッケー
ジの薄型化及び苛酷な半田処理条件においてはこれだけ
では不十分となってきていることも事実である。
の原因となることは既に多くの報告がある。そしてその
対策として、露点−10℃以下の乾燥空気中で乾燥させ
る、密閉された保管場所で減圧処理を施し水分を気化、
乾燥させる、あるいはシリカゲル、五酸化燐等の乾燥剤
を用いて水分を乾燥剤に吸着させる等、多くの提案がな
されており、これらの方法により封止材組成物中に残存
する水分の量を実質的に殆どゼロとすることが可能であ
る。これにより成形時の揮発成分が顕著に減少するた
め、成形品中のピンホール・ボイドの数を減少させた
り、あるいは揮発ガスの発生による樹脂組成物とチッ
プ、リードフレームとの界面の濡れ性が低下することに
起因する密着性低下を改善するのに効果は認められる。
しかしながら、先に述べたように最近の半導体パッケー
ジの薄型化及び苛酷な半田処理条件においてはこれだけ
では不十分となってきていることも事実である。
【0021】この原因としてはエポキシ樹脂組成物中に
含まれる揮発性有機成分が、先に述べたような水分除去
の方法では殆ど除去できないためであり、このため成形
温度において気化・揮発する有機成分によってピンホー
ル・ボイドの生成やチップ・リードフレームと封止材料
界面の濡れ性、延いては接着力の低下を起こしているた
めである。ここでいうエポキシ樹脂組成物中に含まれる
揮発性有機成分とは、成形時に気化、揮発する有機化合
物を指し、さらに詳しく言えば、150〜200℃の温
度範囲において熱処理することにより揮発する有機成分
のことである。
含まれる揮発性有機成分が、先に述べたような水分除去
の方法では殆ど除去できないためであり、このため成形
温度において気化・揮発する有機成分によってピンホー
ル・ボイドの生成やチップ・リードフレームと封止材料
界面の濡れ性、延いては接着力の低下を起こしているた
めである。ここでいうエポキシ樹脂組成物中に含まれる
揮発性有機成分とは、成形時に気化、揮発する有機化合
物を指し、さらに詳しく言えば、150〜200℃の温
度範囲において熱処理することにより揮発する有機成分
のことである。
【0022】これらの揮発性有機成分は主に以下の二つ
の理由によりエポキシ樹脂組成物中に残存すると考えら
れる。 (1)エポキシ樹脂組成物中のエポキシ樹脂、フェノー
ル樹脂硬化剤成分の製造工程で使用した沸点250℃以
下の有機物成分が除去しきれずに残存したもの。揮発性
有機成分の例としては、トルエン(沸点110℃)、ア
セトン(沸点56℃)、メチルエチルケトン(沸点80
℃)、メチルイソブチルケトン(沸点117℃)、ジメ
チルスルフォキシド(沸点189℃)、o−クレゾール
(沸点191℃)、フェノール(沸点182℃)等が挙
げられる。 (2)エポキシ樹脂組成物の製造工程中および保管中に
無機質充填材の水酸基とシランカップリング剤のアルコ
キシ基とが反応することにより生成するアルコール成
分。(代表的なものとしてはメタノール、エタノールが
挙げられる。)
の理由によりエポキシ樹脂組成物中に残存すると考えら
れる。 (1)エポキシ樹脂組成物中のエポキシ樹脂、フェノー
ル樹脂硬化剤成分の製造工程で使用した沸点250℃以
下の有機物成分が除去しきれずに残存したもの。揮発性
有機成分の例としては、トルエン(沸点110℃)、ア
セトン(沸点56℃)、メチルエチルケトン(沸点80
℃)、メチルイソブチルケトン(沸点117℃)、ジメ
チルスルフォキシド(沸点189℃)、o−クレゾール
(沸点191℃)、フェノール(沸点182℃)等が挙
げられる。 (2)エポキシ樹脂組成物の製造工程中および保管中に
無機質充填材の水酸基とシランカップリング剤のアルコ
キシ基とが反応することにより生成するアルコール成
分。(代表的なものとしてはメタノール、エタノールが
挙げられる。)
【0023】これら揮発性有機成分を低減し、さらに同
時に原料中に吸湿により含まれた水分を低減する方法と
して、以下の三つの方法が工業的には重要である。 使用する原料のエポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化
剤等を予め減圧下加熱することで、残存する有機揮発成
分及び原料中に吸湿している水分を除去する方法。この
場合、加熱温度は樹脂の軟化温度以上の温度、好ましく
は150〜250℃の温度とし、真空度50mmHg以
下で攪拌しながら処理することで効果が得られる。 無機質充填材を予めシランカップリング剤で被覆処
理した後、加熱することで両者の反応を完結させるとと
もに、反応生成物であるアルコールを除去する。また、
同時に原料の無機質充填材に吸湿されていた水分を除去
する。このシランカップリング剤処理無機質充填材をエ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化促進剤等と加
熱混練することでエポキシ樹脂組成物とする方法。従来
より、シリカに代表される無機質充填材とシランカップ
リング剤とを予め被覆、反応させる方法は提案されては
いるが、この場合重要なのはその反応させるための温度
と時間である。本発明の150〜200℃の範囲での揮
発成分の量を2000重量ppm以下に抑えるために
は、シランカップリング剤被覆無機質充填材の加熱処理
条件を200℃では30分以上、150℃では8時間以
上、100℃では24時間以上が望ましい。
時に原料中に吸湿により含まれた水分を低減する方法と
して、以下の三つの方法が工業的には重要である。 使用する原料のエポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化
剤等を予め減圧下加熱することで、残存する有機揮発成
分及び原料中に吸湿している水分を除去する方法。この
場合、加熱温度は樹脂の軟化温度以上の温度、好ましく
は150〜250℃の温度とし、真空度50mmHg以
下で攪拌しながら処理することで効果が得られる。 無機質充填材を予めシランカップリング剤で被覆処
理した後、加熱することで両者の反応を完結させるとと
もに、反応生成物であるアルコールを除去する。また、
同時に原料の無機質充填材に吸湿されていた水分を除去
する。このシランカップリング剤処理無機質充填材をエ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化促進剤等と加
熱混練することでエポキシ樹脂組成物とする方法。従来
より、シリカに代表される無機質充填材とシランカップ
リング剤とを予め被覆、反応させる方法は提案されては
いるが、この場合重要なのはその反応させるための温度
と時間である。本発明の150〜200℃の範囲での揮
発成分の量を2000重量ppm以下に抑えるために
は、シランカップリング剤被覆無機質充填材の加熱処理
条件を200℃では30分以上、150℃では8時間以
上、100℃では24時間以上が望ましい。
【0024】 成形材料化に際して行う加熱混練工程
において、ニーダー等の混練機を真空ポンプにより脱気
し、減圧状態とすることでエポキシ樹脂組成物の加熱溶
融混練と同時に水分や低沸点の揮発性有機成分を除去す
る方法。この場合、通常加熱混練されるエポキシ樹脂組
成物の溶融混練時の温度は80〜150℃の範囲とし、
その際に脱気による減圧度は200mmHg以下とする
ことが望ましい。本発明の、150〜200℃での熱処
理においての重量減少率を2000重量ppm以下に抑
えるためには、先に述べた吸湿水分を低減させるための
諸方法や、揮発性有機物質及び吸湿水分を低減させる
からまでの方法を適宜組み合わせることが必要であ
る。150〜200℃での熱処理においての重量減少率
を2000重量ppm以下に抑えることにより、揮発成
分に起因するピンホール・ボイドの発生を低減すると共
に、更にリードフレームやチップとの接着力の低下も防
止することができ、半田浸漬時の熱応力によるパッケー
ジクラックや耐湿性等の信頼性の低下を防止することが
できる。
において、ニーダー等の混練機を真空ポンプにより脱気
し、減圧状態とすることでエポキシ樹脂組成物の加熱溶
融混練と同時に水分や低沸点の揮発性有機成分を除去す
る方法。この場合、通常加熱混練されるエポキシ樹脂組
成物の溶融混練時の温度は80〜150℃の範囲とし、
その際に脱気による減圧度は200mmHg以下とする
ことが望ましい。本発明の、150〜200℃での熱処
理においての重量減少率を2000重量ppm以下に抑
えるためには、先に述べた吸湿水分を低減させるための
諸方法や、揮発性有機物質及び吸湿水分を低減させる
からまでの方法を適宜組み合わせることが必要であ
る。150〜200℃での熱処理においての重量減少率
を2000重量ppm以下に抑えることにより、揮発成
分に起因するピンホール・ボイドの発生を低減すると共
に、更にリードフレームやチップとの接着力の低下も防
止することができ、半田浸漬時の熱応力によるパッケー
ジクラックや耐湿性等の信頼性の低下を防止することが
できる。
【0025】なお、重量減少率の測定温度範囲を150
〜200℃としたのは、本発明のエポキシ樹脂組成物の
成形温度が実質的にこの温度範囲内であり、成形時の揮
発成分と成形性、信頼性とに大きな相関があるからであ
る。200℃より高い温度での揮発成分には樹脂成分の
分解物や原料中の高沸点成分などが含まれるため、通常
この温度での揮発成分量は成形時の揮発成分量よりも多
いが、成形性、信頼性と相関は認められない。また一
方、150℃未満の温度範囲での揮発成分量では、成形
温度の揮発分量を充分に予測することができない。エポ
キシ樹脂組成物の150〜200℃での温度範囲におけ
る重量減少率は、タブレット状の成形材料を再度粉砕
し、3mmφのスクリーンで篩分けを行いスクリーンを
通過した粉砕粒子100gをガラス製のシャーレに厚み
が3mm以下となるように敷き詰め、一定温度のオーブ
ン中で一定時間放置した後、その処理前後での重量変化
を測定することで簡単に求めることができる。通常揮発
分の測定のために要するオーブン中での熱処理時間は3
0分間から3時間で充分である。また、エポキシ樹脂組
成物中に残存する揮発性有機物質のみを定量しようとす
る場合は、種々の方法があるが、比較的簡便なものとし
てはガスクローマススペクトル法、熱重量天秤−マスス
ペクトル法が挙げられる。これらはエポキシ樹脂組成物
の試料を150〜200℃の温度に加熱し、発生する揮
発成分をマススペクトルにて同定、定量する測定方法で
ある。
〜200℃としたのは、本発明のエポキシ樹脂組成物の
成形温度が実質的にこの温度範囲内であり、成形時の揮
発成分と成形性、信頼性とに大きな相関があるからであ
る。200℃より高い温度での揮発成分には樹脂成分の
分解物や原料中の高沸点成分などが含まれるため、通常
この温度での揮発成分量は成形時の揮発成分量よりも多
いが、成形性、信頼性と相関は認められない。また一
方、150℃未満の温度範囲での揮発成分量では、成形
温度の揮発分量を充分に予測することができない。エポ
キシ樹脂組成物の150〜200℃での温度範囲におけ
る重量減少率は、タブレット状の成形材料を再度粉砕
し、3mmφのスクリーンで篩分けを行いスクリーンを
通過した粉砕粒子100gをガラス製のシャーレに厚み
が3mm以下となるように敷き詰め、一定温度のオーブ
ン中で一定時間放置した後、その処理前後での重量変化
を測定することで簡単に求めることができる。通常揮発
分の測定のために要するオーブン中での熱処理時間は3
0分間から3時間で充分である。また、エポキシ樹脂組
成物中に残存する揮発性有機物質のみを定量しようとす
る場合は、種々の方法があるが、比較的簡便なものとし
てはガスクローマススペクトル法、熱重量天秤−マスス
ペクトル法が挙げられる。これらはエポキシ樹脂組成物
の試料を150〜200℃の温度に加熱し、発生する揮
発成分をマススペクトルにて同定、定量する測定方法で
ある。
【0026】以下本発明を実施例で具体的に説明する。
実施例1 3,3’,5,5’−テトラメチルビフェノールジグリシジルエーテル(融点 103℃、エポキシ基当量195) 4.2重量部 式(3)で示されるフェノール樹脂硬化剤(軟化温度70℃、水酸基当量17 5) 4.3重量部
実施例1 3,3’,5,5’−テトラメチルビフェノールジグリシジルエーテル(融点 103℃、エポキシ基当量195) 4.2重量部 式(3)で示されるフェノール樹脂硬化剤(軟化温度70℃、水酸基当量17 5) 4.3重量部
【0027】
【化5】 (ここで、m/nは1/1、かつm+n=1を1とした
ときに、m+n=2は4.5、m+n=3は0.8、m
+n=4は0.2、m+n=5は0.1、m+n≧6は
0の割合で含まれる混合物である)
ときに、m+n=2は4.5、m+n=3は0.8、m
+n=4は0.2、m+n=5は0.1、m+n≧6は
0の割合で含まれる混合物である)
【0028】 トリフェニルホスフィン 0.2重量部 溶融シリカ粉末 86.0重量部 γ−アミノプロピルトリエトキシシラン 0.5重量部 三酸化アンチモン 1.0重量部 臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂 1.0重量部 カルナバワックス 0.5重量部 カーボンブラック 0.3重量部 上記配合でエポキシ樹脂組成物を製造するにあたって、
予め3,3’,5,5’−テトラメチルビフェノールジ
グリシジルエーテル、式(3)のフェノール樹脂硬化剤
をそれぞれ別々に150℃に加熱し、20mmHg減圧
下30分間攪拌し、揮発成分を除去した。また、予めミ
キサーで溶融シリカ粉末とγ−アミノプロピルトリエト
キシシランとを10分間混合後、これを150℃で8時
間加熱処理を行った。次に全配合原料をミキサーにより
混合した後、バレル温度100℃で、真空ポンプにより
150mmHgの減圧条件下の2軸ニーダーで加熱混練
を行った。混練物をシーティングロールで2mm厚のシ
ート状にし、さらに冷却後粉砕して封止材料とした。得
られたエポキシ樹脂組成物をタブレット打錠した後、露
点−10℃の乾燥空気で24時間処理し、この処理され
たタブレット10kg及び包装されたシリカゲル20g
をポリエチレン製の袋に密閉して保管した。
予め3,3’,5,5’−テトラメチルビフェノールジ
グリシジルエーテル、式(3)のフェノール樹脂硬化剤
をそれぞれ別々に150℃に加熱し、20mmHg減圧
下30分間攪拌し、揮発成分を除去した。また、予めミ
キサーで溶融シリカ粉末とγ−アミノプロピルトリエト
キシシランとを10分間混合後、これを150℃で8時
間加熱処理を行った。次に全配合原料をミキサーにより
混合した後、バレル温度100℃で、真空ポンプにより
150mmHgの減圧条件下の2軸ニーダーで加熱混練
を行った。混練物をシーティングロールで2mm厚のシ
ート状にし、さらに冷却後粉砕して封止材料とした。得
られたエポキシ樹脂組成物をタブレット打錠した後、露
点−10℃の乾燥空気で24時間処理し、この処理され
たタブレット10kg及び包装されたシリカゲル20g
をポリエチレン製の袋に密閉して保管した。
【0029】実施例2 実施例1と全く同様の配合で、かつ実施例1と全く同様
の製造条件で封止材料を製造した。得られたエポキシ樹
脂組成物をタブレット打錠した後、乾燥空気では処理せ
ず、タブレット10kg及び包装されたシリカゲル20
gをポリエチレン製の袋に密閉して保管した。 実施例3 実施例1の配合において、予めミキサーで溶融シリカ粉
末とγ−アミノプロピルトリエトキシシランとを10分
間混合後、これを100℃で24時間加熱処理を行っ
た。この処理シリカと実施例1の他の配合物とをミキサ
ーで混合した後、バレル温度100℃の2軸ニーダーに
て加熱混練した。このとき2軸ニーダーの減圧脱気は行
わなかった。混練物を実施例1同様シート化、粉砕して
封止材料を得た。実施例1と同様に、タブレット打錠、
乾燥空気による水分除去、密閉包装を行い保管した。
の製造条件で封止材料を製造した。得られたエポキシ樹
脂組成物をタブレット打錠した後、乾燥空気では処理せ
ず、タブレット10kg及び包装されたシリカゲル20
gをポリエチレン製の袋に密閉して保管した。 実施例3 実施例1の配合において、予めミキサーで溶融シリカ粉
末とγ−アミノプロピルトリエトキシシランとを10分
間混合後、これを100℃で24時間加熱処理を行っ
た。この処理シリカと実施例1の他の配合物とをミキサ
ーで混合した後、バレル温度100℃の2軸ニーダーに
て加熱混練した。このとき2軸ニーダーの減圧脱気は行
わなかった。混練物を実施例1同様シート化、粉砕して
封止材料を得た。実施例1と同様に、タブレット打錠、
乾燥空気による水分除去、密閉包装を行い保管した。
【0030】実施例4〜6 表1に示す配合で実施例1と同様、エポキシ樹脂、フェ
ノール樹脂硬化剤をそれぞれ別々に150℃に加熱し、
20mmHg減圧下30分間攪拌し、揮発成分を除去し
た。また、予めミキサーで溶融シリカ粉末と、γ−アミ
ノプロピルトリエトキシシランとを10分間混合後、こ
れを150℃で8時間加熱処理を行った。次に全配合原
料をミキサーにより混合した後、バレル温度100℃
で、真空ポンプにより150mmHgの減圧条件下の2
軸ニーダーで加熱混練を行った。混練物をシーティング
ロールで2mm厚のシート状にし、さらに冷却後粉砕し
て、封止材料とした。得られたエポキシ樹脂組成物をタ
ブレットに打錠した後、露点−10℃の乾燥空気で24
時間処理し、この処理されたタブレット10kg及び包
装されたシリカゲル20gをポリエチレン製の袋に密閉
して保管した。
ノール樹脂硬化剤をそれぞれ別々に150℃に加熱し、
20mmHg減圧下30分間攪拌し、揮発成分を除去し
た。また、予めミキサーで溶融シリカ粉末と、γ−アミ
ノプロピルトリエトキシシランとを10分間混合後、こ
れを150℃で8時間加熱処理を行った。次に全配合原
料をミキサーにより混合した後、バレル温度100℃
で、真空ポンプにより150mmHgの減圧条件下の2
軸ニーダーで加熱混練を行った。混練物をシーティング
ロールで2mm厚のシート状にし、さらに冷却後粉砕し
て、封止材料とした。得られたエポキシ樹脂組成物をタ
ブレットに打錠した後、露点−10℃の乾燥空気で24
時間処理し、この処理されたタブレット10kg及び包
装されたシリカゲル20gをポリエチレン製の袋に密閉
して保管した。
【0031】比較例1 表2の配合で、全配合原料をミキサーで混合した後、バ
レル温度100℃の2軸ニーダーにて加熱混練した。こ
のとき2軸ニーダーの減圧脱気を行わなかった。混練物
を実施例1同様シート化、粉砕して封止材料を得た。実
施例1と同様に、タブレット打錠、乾燥空気による水分
除去、密閉包装を行い保管した。 比較例2 表2の配合で、実施例3と全く同様の製造条件で封止材
料を製造した。得られたエポキシ樹脂組成物をタブレッ
ト打錠した後、乾燥空気では処理せず、タブレット10
kgをポリエチレン製の袋に密閉して保管する際にもシ
リカゲルを使用しなかった。
レル温度100℃の2軸ニーダーにて加熱混練した。こ
のとき2軸ニーダーの減圧脱気を行わなかった。混練物
を実施例1同様シート化、粉砕して封止材料を得た。実
施例1と同様に、タブレット打錠、乾燥空気による水分
除去、密閉包装を行い保管した。 比較例2 表2の配合で、実施例3と全く同様の製造条件で封止材
料を製造した。得られたエポキシ樹脂組成物をタブレッ
ト打錠した後、乾燥空気では処理せず、タブレット10
kgをポリエチレン製の袋に密閉して保管する際にもシ
リカゲルを使用しなかった。
【0032】比較例3〜5 表2に示す配合で実施例1と同様に、エポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂硬化剤をそれぞれ別々に150℃に加熱
し、20mmHg減圧下30分間攪拌し、揮発成分を除
去した。また予めミキサーで溶融シリカ粉末とγ−アミ
ノプロピルトリエトキシシランとを十分混合後、これを
150℃で8時間加熱処理を行った。全配合原料をミキ
サーにより混合した後、実施例1と同様バレル温度10
0℃で、真空ポンプにより150mmHgの減圧条件下
の2軸ニーダーで加熱混練を行い、さらに混練物をシー
ティングロールで2mm厚のシート状にし、さらに冷却
後粉砕して、封止材料とした。得られたエポキシ樹脂組
成物をタブレットに打錠した後、露点−10℃の乾燥空
気で24時間処理し、この処理されたタブレット10k
g及び包装されたシリカゲル20gをポリエチレン製の
袋に密閉して保管した。上記実施例及び比較例の各成形
材料のタブレットを2週間保管後、以下の評価を実施し
た。タブレットを粉砕し、3mmφのスクリーンで篩分
けを行った。スクリーンを通過した粉砕粒子100gを
ガラス製のシャーレに厚みが3mm以下となるように敷
き詰め、このシャーレを175℃のオーブン中に2時間
放置し、熱処理前後の重量変化を測定し、全エポキシ樹
脂組成物に対する比率で重量減少率を表した。なお、参
考までに175℃で30分間熱処理した際に発生する揮
発性有機成分の同定と定量をガススペクトルー質量分析
装置を用いて行った。
ェノール樹脂硬化剤をそれぞれ別々に150℃に加熱
し、20mmHg減圧下30分間攪拌し、揮発成分を除
去した。また予めミキサーで溶融シリカ粉末とγ−アミ
ノプロピルトリエトキシシランとを十分混合後、これを
150℃で8時間加熱処理を行った。全配合原料をミキ
サーにより混合した後、実施例1と同様バレル温度10
0℃で、真空ポンプにより150mmHgの減圧条件下
の2軸ニーダーで加熱混練を行い、さらに混練物をシー
ティングロールで2mm厚のシート状にし、さらに冷却
後粉砕して、封止材料とした。得られたエポキシ樹脂組
成物をタブレットに打錠した後、露点−10℃の乾燥空
気で24時間処理し、この処理されたタブレット10k
g及び包装されたシリカゲル20gをポリエチレン製の
袋に密閉して保管した。上記実施例及び比較例の各成形
材料のタブレットを2週間保管後、以下の評価を実施し
た。タブレットを粉砕し、3mmφのスクリーンで篩分
けを行った。スクリーンを通過した粉砕粒子100gを
ガラス製のシャーレに厚みが3mm以下となるように敷
き詰め、このシャーレを175℃のオーブン中に2時間
放置し、熱処理前後の重量変化を測定し、全エポキシ樹
脂組成物に対する比率で重量減少率を表した。なお、参
考までに175℃で30分間熱処理した際に発生する揮
発性有機成分の同定と定量をガススペクトルー質量分析
装置を用いて行った。
【0033】また、上記各成形材料を用いて80pQF
Pパッケージ(パッケージサイズは14×20mm、厚
み1.5mm、チップサイズは9×9mm)を175℃
の金型温度、75kgf/cm2の圧力で2分間成形
し、さらに175℃で8時間の後硬化を行った。 ボイド数:上記の成形品パッケージを超音波探傷装置を
用いて観察し、0.1mmφ以上の内部のボイド数(個
数/パッケージ)で表現した。 半田クラック数:上記の成形品パッケージを85℃、8
5%RHの環境下で168時間放置し、その後260℃
の半田槽に10秒間浸漬した。顕微鏡でパッケージを観
察し、外部クラック数(クラック発生パッケージ数/全
パッケージ数)で表現した。 耐湿信頼性:上記の成形品パッケージを85℃、85%
RHの環境下で24時間放置し、その後260℃の半田
槽に10秒間浸漬した。次にこのパッケージに125
℃、2.3気圧のPCT処理を行い、不良率が50%と
なる迄のPCT処理時間を耐湿信頼性として表現した。
これらの結果を表1、表2に示す。
Pパッケージ(パッケージサイズは14×20mm、厚
み1.5mm、チップサイズは9×9mm)を175℃
の金型温度、75kgf/cm2の圧力で2分間成形
し、さらに175℃で8時間の後硬化を行った。 ボイド数:上記の成形品パッケージを超音波探傷装置を
用いて観察し、0.1mmφ以上の内部のボイド数(個
数/パッケージ)で表現した。 半田クラック数:上記の成形品パッケージを85℃、8
5%RHの環境下で168時間放置し、その後260℃
の半田槽に10秒間浸漬した。顕微鏡でパッケージを観
察し、外部クラック数(クラック発生パッケージ数/全
パッケージ数)で表現した。 耐湿信頼性:上記の成形品パッケージを85℃、85%
RHの環境下で24時間放置し、その後260℃の半田
槽に10秒間浸漬した。次にこのパッケージに125
℃、2.3気圧のPCT処理を行い、不良率が50%と
なる迄のPCT処理時間を耐湿信頼性として表現した。
これらの結果を表1、表2に示す。
【0034】
【表1】
【0035】
【表2】
【0036】
【発明の効果】本発明に従うと、特定のエポキシ樹脂と
特定のフェノール樹脂硬化剤とを組み合わせて、半田処
理時の熱応力を低減することで半田クラックを向上する
ことができる。さらに、半導体封止用エポキシ樹脂組成
物中に含まれる水分及び揮発性有機物質の量を非常に少
ないレベルにすることにより、半導体封止を目的とする
成形の際に発生する揮発分が極めて少ない。このため、
成形品パッケージ中にピンホール・ボイドが殆ど発生せ
ず、さらにリードフレームやチップと封止材料との界面
の濡れ性が向上することにより、これら界面の接着性が
向上するため、半田浸漬時の耐パッケージクラック性や
耐湿信頼性を向上できる。
特定のフェノール樹脂硬化剤とを組み合わせて、半田処
理時の熱応力を低減することで半田クラックを向上する
ことができる。さらに、半導体封止用エポキシ樹脂組成
物中に含まれる水分及び揮発性有機物質の量を非常に少
ないレベルにすることにより、半導体封止を目的とする
成形の際に発生する揮発分が極めて少ない。このため、
成形品パッケージ中にピンホール・ボイドが殆ど発生せ
ず、さらにリードフレームやチップと封止材料との界面
の濡れ性が向上することにより、これら界面の接着性が
向上するため、半田浸漬時の耐パッケージクラック性や
耐湿信頼性を向上できる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C08L 63/00 NKX H01L 23/29 23/31
Claims (1)
- 【請求項1】 (A)式(1)で示されるエポキシ樹脂
を総エポキシ樹脂量中に50重量%以上含むエポキシ樹
脂、 【化1】 (R1は水素、炭素数1〜5のアルキル基、ハロゲン原
子の群から選択される同一もしくは異なる原子または
基、lは0、または1以上、5以下の整数) (B)式(2)で表されるフェノール樹脂硬化剤を総フ
ェノール樹脂硬化剤量中に50重量%以上含むフェノー
ル樹脂硬化剤、 【化2】 (R2は水素、炭素数1〜5のアルキル基の群から選択
される同一もしくは異なる原子または基、mおよびnは
0、または1以上の整数であり、かつm+nは1以上、
6以下の整数) (C)硬化促進剤、(D)総樹脂組成物中に70〜94
重量%含む無機質充填材、(E)シランカップリング剤
を必須成分とするエポキシ樹脂組成物において、総エポ
キシ樹脂組成物を150〜200℃で熱処理を行った際
の重量減少率が2000重量ppm以下であることを特
徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3430894A JPH07242731A (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3430894A JPH07242731A (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07242731A true JPH07242731A (ja) | 1995-09-19 |
Family
ID=12410537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3430894A Pending JPH07242731A (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07242731A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10158366A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状注入封止アンダーフィル材料 |
| WO2004090033A1 (ja) * | 2003-04-07 | 2004-10-21 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
| JP2005281401A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Kyocera Chemical Corp | 半導体封止材料とその製造方法、製造装置 |
| JP2010001427A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Nippon Kayaku Co Ltd | エポキシ樹脂、エポキシ樹脂組成物、およびその硬化物 |
| JP2010031286A (ja) * | 2009-09-28 | 2010-02-12 | Japan Epoxy Resin Kk | 粒状エポキシ樹脂包装袋とその製法 |
-
1994
- 1994-03-04 JP JP3430894A patent/JPH07242731A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10158366A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状注入封止アンダーフィル材料 |
| WO2004090033A1 (ja) * | 2003-04-07 | 2004-10-21 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
| US7397139B2 (en) | 2003-04-07 | 2008-07-08 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin molding material for sealing use and semiconductor device |
| JP2005281401A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Kyocera Chemical Corp | 半導体封止材料とその製造方法、製造装置 |
| JP2010001427A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Nippon Kayaku Co Ltd | エポキシ樹脂、エポキシ樹脂組成物、およびその硬化物 |
| JP2010031286A (ja) * | 2009-09-28 | 2010-02-12 | Japan Epoxy Resin Kk | 粒状エポキシ樹脂包装袋とその製法 |
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