JP2000275271A - 半導体加速度センサ - Google Patents
半導体加速度センサInfo
- Publication number
- JP2000275271A JP2000275271A JP8423399A JP8423399A JP2000275271A JP 2000275271 A JP2000275271 A JP 2000275271A JP 8423399 A JP8423399 A JP 8423399A JP 8423399 A JP8423399 A JP 8423399A JP 2000275271 A JP2000275271 A JP 2000275271A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acceleration sensor
- weight
- semiconductor acceleration
- weight portion
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 title claims abstract description 53
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 撓み部を薄型化してより高感度の半導体加速
度センサを提供する。 【解決手段】 重り部１１と、重り部の側面から側方に
突出して重り部と連動する略平板状の撓み部１２と、撓
み部の先端部を支持する支持部１３と、を半導体基板を
加工して形成し、撓み部にピエゾ抵抗１４を形成した半
導体加速度センサにおいて、撓み部の幅方向を前記重り
部の厚み方向に一致するように撓み部を設けた。
度センサを提供する。 【解決手段】 重り部１１と、重り部の側面から側方に
突出して重り部と連動する略平板状の撓み部１２と、撓
み部の先端部を支持する支持部１３と、を半導体基板を
加工して形成し、撓み部にピエゾ抵抗１４を形成した半
導体加速度センサにおいて、撓み部の幅方向を前記重り
部の厚み方向に一致するように撓み部を設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車、航空機又
は家電製品等に用いられる半導体加速度センサに関す
る。
は家電製品等に用いられる半導体加速度センサに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の半導体加速度センサとして
図６に示すものが存在する。このものは、重り部１と、
該重り部１の側面から側方に突出して重り部と連動する
撓み部２と、撓み部２を支持する支持部３とを半導体基
板を加工して形成し、前記撓み部にピエゾ抵抗４を形成
して構成されている。このものの撓み部２は、撓み部２
の幅方向が重り部１の幅方向に一致しており、また撓み
部２の厚み方向が重り部１の厚み方向に一致するもので
ある。このような構造の半導体加速度センサは例えば特
開平６−１０９７５５号公報に記載されているものであ
り、従来の機械式の加速度センサに比べて、小型、高感
度のセンサを実現することができるとともに、低コスト
にて製造可能となるものである。
図６に示すものが存在する。このものは、重り部１と、
該重り部１の側面から側方に突出して重り部と連動する
撓み部２と、撓み部２を支持する支持部３とを半導体基
板を加工して形成し、前記撓み部にピエゾ抵抗４を形成
して構成されている。このものの撓み部２は、撓み部２
の幅方向が重り部１の幅方向に一致しており、また撓み
部２の厚み方向が重り部１の厚み方向に一致するもので
ある。このような構造の半導体加速度センサは例えば特
開平６−１０９７５５号公報に記載されているものであ
り、従来の機械式の加速度センサに比べて、小型、高感
度のセンサを実現することができるとともに、低コスト
にて製造可能となるものである。
【０００３】また、この半導体加速度センサの製造方法
としては、特開平９−２８９３２７号公報に示されてい
るように、高濃度不純物層をシリコン基板に埋め込み形
成した後、エピタキシャル層を形成させた埋込エピ基板
を用いたものが存在する。この方法にあっては、異方性
エッチング後に高濃度不純物層を犠牲層として、フッ硝
酸系のエッチング液（フッ酸：硝酸：酢酸＝１：：３：
８系の溶液）により犠牲層エッチングして重り部と撓み
部との間の切れ込み構造を形成させている。その他の製
造方法としては、電解エッチングやＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃ
ｏｎ ｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いた犠牲層エ
ッチングによるものがあり、該方法によって撓み部の厚
みを所定厚のものとしている。
としては、特開平９−２８９３２７号公報に示されてい
るように、高濃度不純物層をシリコン基板に埋め込み形
成した後、エピタキシャル層を形成させた埋込エピ基板
を用いたものが存在する。この方法にあっては、異方性
エッチング後に高濃度不純物層を犠牲層として、フッ硝
酸系のエッチング液（フッ酸：硝酸：酢酸＝１：：３：
８系の溶液）により犠牲層エッチングして重り部と撓み
部との間の切れ込み構造を形成させている。その他の製
造方法としては、電解エッチングやＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃ
ｏｎ ｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いた犠牲層エ
ッチングによるものがあり、該方法によって撓み部の厚
みを所定厚のものとしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような撓み部２の厚み方向が重り部１の厚み方向に一致
する半導体加速度センサにあっては次のような問題点が
あった。
ような撓み部２の厚み方向が重り部１の厚み方向に一致
する半導体加速度センサにあっては次のような問題点が
あった。
【０００５】即ち、埋込エピ基板を用いた犠牲層エッチ
ングにより製造する場合には、撓み部の厚みは高濃度不
純物層の濃度及び拡がり、エピ厚や犠牲層エッチングの
エッチング条件によって決定される。また、ＳＯＩ基板
を用いて製造する場合には、撓み部２の厚みがＳＯＩ基
板作成時の活性層の膜厚に依存するため、所望の撓み部
２の厚みを得ようとすれば対応するＳＯＩ基板を入手し
なければならない。また、電解エッチングによる製造で
は、エピ厚、犠牲層エッチングのエッチング条件に撓み
部２の厚みが依存する。つまり、埋込エピ基板を用いた
犠牲層エッチングにより製造する場合、ＳＯＩ基板を用
いて製造する場合、電解エッチングにより製造する場
合、のいずれの場合であっても、撓み部２の厚みを厳密
に所望の値にすることが困難であるという問題点があっ
た。
ングにより製造する場合には、撓み部の厚みは高濃度不
純物層の濃度及び拡がり、エピ厚や犠牲層エッチングの
エッチング条件によって決定される。また、ＳＯＩ基板
を用いて製造する場合には、撓み部２の厚みがＳＯＩ基
板作成時の活性層の膜厚に依存するため、所望の撓み部
２の厚みを得ようとすれば対応するＳＯＩ基板を入手し
なければならない。また、電解エッチングによる製造で
は、エピ厚、犠牲層エッチングのエッチング条件に撓み
部２の厚みが依存する。つまり、埋込エピ基板を用いた
犠牲層エッチングにより製造する場合、ＳＯＩ基板を用
いて製造する場合、電解エッチングにより製造する場
合、のいずれの場合であっても、撓み部２の厚みを厳密
に所望の値にすることが困難であるという問題点があっ
た。
【０００６】本発明は、上記問題点を改善するために成
されたもので、その目的とするところは、撓み部を薄型
化してより高感度の半導体加速度センサを提供すること
にある。
されたもので、その目的とするところは、撓み部を薄型
化してより高感度の半導体加速度センサを提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の問題を解
決するために、重り部と、該重り部の側面から側方に突
出して重り部と連動する略平板状の撓み部と、該撓み部
の先端部を支持する支持部と、を半導体基板を加工して
形成し、前記撓み部にピエゾ抵抗を形成した半導体加速
度センサにおいて、前記撓み部の幅方向を前記重り部の
厚み方向に一致するように撓み部を設けたことを特徴と
するものである。
決するために、重り部と、該重り部の側面から側方に突
出して重り部と連動する略平板状の撓み部と、該撓み部
の先端部を支持する支持部と、を半導体基板を加工して
形成し、前記撓み部にピエゾ抵抗を形成した半導体加速
度センサにおいて、前記撓み部の幅方向を前記重り部の
厚み方向に一致するように撓み部を設けたことを特徴と
するものである。
【０００８】また、重り部と、該重り部の側面から側方
に突出して重り部と連動する略平板状の撓み部と、該撓
み部の先端部を支持する支持部とを半導体基板を加工し
て形成し、前記重り部の一側面を可動電極とし、該可動
電極に対向して固定電極を設けた半導体加速度センサに
おいて、前記撓み部の幅方向を前記重り部の厚み方向に
一致するように撓み部を設けたことを特徴とするもので
あってもよい。
に突出して重り部と連動する略平板状の撓み部と、該撓
み部の先端部を支持する支持部とを半導体基板を加工し
て形成し、前記重り部の一側面を可動電極とし、該可動
電極に対向して固定電極を設けた半導体加速度センサに
おいて、前記撓み部の幅方向を前記重り部の厚み方向に
一致するように撓み部を設けたことを特徴とするもので
あってもよい。
【０００９】そして、前記撓み部の基端部の厚み方向両
側に切り込み溝を撓み部の突出方向と反対方向に向けて
形成することは、撓み部を長くすることができる点で好
ましい。
側に切り込み溝を撓み部の突出方向と反対方向に向けて
形成することは、撓み部を長くすることができる点で好
ましい。
【００１０】前記重り部の過剰な動きを規制するストッ
パー部を前記重り部と同一材料にて形成することで、単
一のシリコンウエハーから半導体加速度センサを製造す
ることができる。
パー部を前記重り部と同一材料にて形成することで、単
一のシリコンウエハーから半導体加速度センサを製造す
ることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明にかかる半導体加速度セン
サの第一実施の形態を図１、図２に基づいて、第二実施
の形態を図３に基づいて説明する。
サの第一実施の形態を図１、図２に基づいて、第二実施
の形態を図３に基づいて説明する。
【００１２】〔第一実施の形態〕図１は、本発明の半導
体加速度センサを示すものであり、（ａ）は平面図、
（ｂ）はＡ−Ａ’で切断した側面断面図である。図２は
本発明の半導体加速度センサの要部の斜視図である。
体加速度センサを示すものであり、（ａ）は平面図、
（ｂ）はＡ−Ａ’で切断した側面断面図である。図２は
本発明の半導体加速度センサの要部の斜視図である。
【００１３】図１、図２において、半導体加速度センサ
は、重り部１１と、撓み部に相当するビーム１２と、支
持部１３と、ピエゾ抵抗１４と、ストッパー１５とを有
して構成されており、重り部１１とビーム１２と支持部
１３とストッパー１５とはシリコンにより形成されてい
る。
は、重り部１１と、撓み部に相当するビーム１２と、支
持部１３と、ピエゾ抵抗１４と、ストッパー１５とを有
して構成されており、重り部１１とビーム１２と支持部
１３とストッパー１５とはシリコンにより形成されてい
る。
【００１４】重り部１１は加速度を検出するための慣性
力を生じさせる部分であり、例えば図２に示すように略
直方体としている。そして、該重り部１１の対向する二
側面から、互いに遠ざかる方向である側方に突出してビ
ーム１２が設けられている。このビーム１２は重り部１
１と連動するものであって略平板状に形成されており、
ビーム１２の幅方向Ｗが重り部１１の厚み方向Ｄ１に一
致するように、ビーム１２は重り部１１に設けられてい
る。
力を生じさせる部分であり、例えば図２に示すように略
直方体としている。そして、該重り部１１の対向する二
側面から、互いに遠ざかる方向である側方に突出してビ
ーム１２が設けられている。このビーム１２は重り部１
１と連動するものであって略平板状に形成されており、
ビーム１２の幅方向Ｗが重り部１１の厚み方向Ｄ１に一
致するように、ビーム１２は重り部１１に設けられてい
る。
【００１５】支持部１３は重り部１１を外囲するように
して設けられており、ビーム１２の先端が連設されてビ
ーム１２を支持するものである。
して設けられており、ビーム１２の先端が連設されてビ
ーム１２を支持するものである。
【００１６】そして、ビーム１２の基端部１２ａの厚み
方向Ｄ２両側に切り込み溝１６がビーム１２の突出方向
と反対方向である重り部１２の内側方向に向けて形成さ
れている。該切り込み溝１６により、ビーム１２が実質
的に長くなるようになされており、より一層高感度の半
導体加速度センサとすることができる。
方向Ｄ２両側に切り込み溝１６がビーム１２の突出方向
と反対方向である重り部１２の内側方向に向けて形成さ
れている。該切り込み溝１６により、ビーム１２が実質
的に長くなるようになされており、より一層高感度の半
導体加速度センサとすることができる。
【００１７】ピエゾ抵抗１４は歪みに応じて抵抗値が変
化するものであり、ビーム１２の先端部１２ｂに設けら
れている。
化するものであり、ビーム１２の先端部１２ｂに設けら
れている。
【００１８】ストッパー１５は、重り部１１の他の一対
の側面に各々対向するようにして設けられており、重り
部１１の過剰な動きを規制してビーム１２を過大な応力
から保護するものである。
の側面に各々対向するようにして設けられており、重り
部１１の過剰な動きを規制してビーム１２を過大な応力
から保護するものである。
【００１９】以上の構成の半導体加速度センサにあって
は、加速度に応じてビーム１２が撓むことにより、ピエ
ゾ抵抗１４を含む不図示のブリッジ回路が加速度に応じ
た電圧を出力し、該電圧により加速度を検出することが
できる。
は、加速度に応じてビーム１２が撓むことにより、ピエ
ゾ抵抗１４を含む不図示のブリッジ回路が加速度に応じ
た電圧を出力し、該電圧により加速度を検出することが
できる。
【００２０】そして、該半導体加速度センサでは、ビー
ム１２の幅方向Ｗが重り部１１の厚み方向Ｄ１に一致す
るように、ビーム１２が重り部１１に設けられているの
で、トレンチエッチングにより垂直に掘り込み形成が可
能である。従って、ビーム１２を精度良く薄型化するこ
とができる。シリコンのトレンチエッチングはＲＩＥ
（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）により
行うことができる。
ム１２の幅方向Ｗが重り部１１の厚み方向Ｄ１に一致す
るように、ビーム１２が重り部１１に設けられているの
で、トレンチエッチングにより垂直に掘り込み形成が可
能である。従って、ビーム１２を精度良く薄型化するこ
とができる。シリコンのトレンチエッチングはＲＩＥ
（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）により
行うことができる。
【００２１】また、ストッパー１５もトレンチエッチン
グにより形成することが可能であるから、従来の技術の
ように別部材を張り合わせる必要がなく、製造工程が容
易となる。また、重り部１１が自在に動作可能であるた
めには重り部１１と基台部１７との間に空洞部１８が必
要であるが、犠牲層エッチングにより該空洞部１８を設
けることができる。犠牲層エッチングによって空洞部１
８を設けることにより、別体の基台部１７を張り合わせ
るという手間を要さず、シリコンウエハーのみから半導
体加速度センサを製造することが可能となる。
グにより形成することが可能であるから、従来の技術の
ように別部材を張り合わせる必要がなく、製造工程が容
易となる。また、重り部１１が自在に動作可能であるた
めには重り部１１と基台部１７との間に空洞部１８が必
要であるが、犠牲層エッチングにより該空洞部１８を設
けることができる。犠牲層エッチングによって空洞部１
８を設けることにより、別体の基台部１７を張り合わせ
るという手間を要さず、シリコンウエハーのみから半導
体加速度センサを製造することが可能となる。
【００２２】〔第二実施の形態〕図３は、本発明の半導
体加速度センサを示すものであり、（ａ）は平面図、
（ｂ）はＢ−Ｂ’で切断した側面断面図である。なお、
図３においては前述の第一実施の形態で説明したところ
の半導体加速度センサと同等の箇所には同じ符号を付し
てあるので、同等の箇所の詳細な説明は省略する。
体加速度センサを示すものであり、（ａ）は平面図、
（ｂ）はＢ−Ｂ’で切断した側面断面図である。なお、
図３においては前述の第一実施の形態で説明したところ
の半導体加速度センサと同等の箇所には同じ符号を付し
てあるので、同等の箇所の詳細な説明は省略する。
【００２３】図３に示す本実施の形態の半導体加速度セ
ンサが、前述の第一実施の形態で説明したところの半導
体加速度センサと異なり特徴となるのは次の構成であ
る。
ンサが、前述の第一実施の形態で説明したところの半導
体加速度センサと異なり特徴となるのは次の構成であ
る。
【００２４】即ち、重り部１１の一側面を可動電極１１
ａとし、この一側面に対向するストッパー１５の側面を
固定電極１５ａとして静電容量方式の半導体加速度セン
サとした構成である。該構成にともない、固定電極１５
ａを設けたストッパー１５と基台部１８との間に、絶縁
層１９を介在させている。絶縁層１９はストッパー１５
と重り部１１との間の絶縁を図るものである。
ａとし、この一側面に対向するストッパー１５の側面を
固定電極１５ａとして静電容量方式の半導体加速度セン
サとした構成である。該構成にともない、固定電極１５
ａを設けたストッパー１５と基台部１８との間に、絶縁
層１９を介在させている。絶縁層１９はストッパー１５
と重り部１１との間の絶縁を図るものである。
【００２５】また、本実施例では重り部１１の可動電極
１１ａとストッパー１５の固定電極１５ａとには互いに
かみ合うように櫛歯１１ｂ、１５ｂがそれぞれ複数設け
てある。
１１ａとストッパー１５の固定電極１５ａとには互いに
かみ合うように櫛歯１１ｂ、１５ｂがそれぞれ複数設け
てある。
【００２６】以上の構成の半導体加速度センサにあって
は、加速度に応じてビーム１２が撓むことにより、可動
電極１１ａと固定電極１５ａとの間隔が変化し、該間隔
の変化に応じて静電容量が変化するので、該静電容量に
より加速度を検出することができる。
は、加速度に応じてビーム１２が撓むことにより、可動
電極１１ａと固定電極１５ａとの間隔が変化し、該間隔
の変化に応じて静電容量が変化するので、該静電容量に
より加速度を検出することができる。
【００２７】そして、該半導体加速度センサでは、ビー
ム１２の幅方向Ｗが重り部１１の厚み方向Ｄ１に一致す
るように、ビーム１２が重り部１１に設けられているの
で、トレンチエッチングにより垂直に掘り込み形成が可
能である。従って、ビーム１２を精度良く薄型化するこ
とができる。
ム１２の幅方向Ｗが重り部１１の厚み方向Ｄ１に一致す
るように、ビーム１２が重り部１１に設けられているの
で、トレンチエッチングにより垂直に掘り込み形成が可
能である。従って、ビーム１２を精度良く薄型化するこ
とができる。
【００２８】なお、本第一及び第二実施の形態において
は、一軸の半導体加速度センサについて説明している
が、例えば図４、図５に示すように、複数の半導体加速
度センサを１つのチップ２０に軸を異ならせて複数配置
したり、単一の半導体加速度センサが配置されたチップ
２１を軸を異ならせて複数実装することにより、多軸の
検出が可能である。
は、一軸の半導体加速度センサについて説明している
が、例えば図４、図５に示すように、複数の半導体加速
度センサを１つのチップ２０に軸を異ならせて複数配置
したり、単一の半導体加速度センサが配置されたチップ
２１を軸を異ならせて複数実装することにより、多軸の
検出が可能である。
【００２９】
【発明の効果】本発明の半導体加速度センサは上述のよ
うに構成してあるから、請求項１記載の発明にあって
は、重り部と、該重り部の側面から側方に突出して重り
部と連動する略平板状の撓み部と、該撓み部の先端部を
支持する支持部と、を半導体基板を加工して形成し、前
記撓み部にピエゾ抵抗を形成した半導体加速度センサに
おいて、前記撓み部の幅方向を前記重り部の厚み方向に
一致するように撓み部を設けたので、トレンチエッチン
グにより垂直に掘り込み形成が可能であり、よって、撓
み部を精度良く薄型化することができるという効果を奏
する。
うに構成してあるから、請求項１記載の発明にあって
は、重り部と、該重り部の側面から側方に突出して重り
部と連動する略平板状の撓み部と、該撓み部の先端部を
支持する支持部と、を半導体基板を加工して形成し、前
記撓み部にピエゾ抵抗を形成した半導体加速度センサに
おいて、前記撓み部の幅方向を前記重り部の厚み方向に
一致するように撓み部を設けたので、トレンチエッチン
グにより垂直に掘り込み形成が可能であり、よって、撓
み部を精度良く薄型化することができるという効果を奏
する。
【００３０】請求項２記載の発明にあっては、重り部
と、該重り部の側面から側方に突出して重り部と連動す
る略平板状の撓み部と、該撓み部の先端部を支持する支
持部とを半導体基板を加工して形成し、前記重り部の一
側面を可動電極とし、該可動電極に対向して固定電極を
設けた半導体加速度センサにおいて、前記撓み部の幅方
向を前記重り部の厚み方向に一致するように撓み部を設
けたので、トレンチエッチングにより垂直に掘り込み形
成が可能であり、よって、撓み部を精度良く薄型化する
ことができるという効果を奏する。
と、該重り部の側面から側方に突出して重り部と連動す
る略平板状の撓み部と、該撓み部の先端部を支持する支
持部とを半導体基板を加工して形成し、前記重り部の一
側面を可動電極とし、該可動電極に対向して固定電極を
設けた半導体加速度センサにおいて、前記撓み部の幅方
向を前記重り部の厚み方向に一致するように撓み部を設
けたので、トレンチエッチングにより垂直に掘り込み形
成が可能であり、よって、撓み部を精度良く薄型化する
ことができるという効果を奏する。
【００３１】請求項３記載の発明にあっては、前記撓み
部の基端部の厚み方向両側に切り込み溝を撓み部の突出
方向と反対方向に向けて形成したので、より撓み部を長
くすることができ、より高感度の半導体加速度センサを
提供できるという効果を奏する。
部の基端部の厚み方向両側に切り込み溝を撓み部の突出
方向と反対方向に向けて形成したので、より撓み部を長
くすることができ、より高感度の半導体加速度センサを
提供できるという効果を奏する。
【００３２】請求項４記載の発明にあっては、前記重り
部の過剰な動きを規制するストッパー部を前記重り部と
同一材料にて形成したので、単一のシリコンウエハーか
ら半導体加速度センサを製造することができるという効
果を奏する。
部の過剰な動きを規制するストッパー部を前記重り部と
同一材料にて形成したので、単一のシリコンウエハーか
ら半導体加速度センサを製造することができるという効
果を奏する。
【図１】本発明の半導体加速度センサの一構成をを示す
ものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’で切断
した側面断面図である。
ものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’で切断
した側面断面図である。
【図２】本発明の半導体加速度センサの要部の斜視図で
ある。
ある。
【図３】本発明の半導体加速度センサの他の構成を示す
ものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＢ−Ｂ’で切断
した側面断面図である。
ものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＢ−Ｂ’で切断
した側面断面図である。
【図４】本発明の半導体加速度センサの他の構成を示す
平面図である。
平面図である。
【図５】本発明の半導体加速度センサの他の構成を示す
平面図である。
平面図である。
【図６】従来の半導体加速度センサの一構成を示す平面
図である。
図である。
１１ 重り部 １２ 撓み部 １３ 支持部 １４ ピエゾ抵抗 １１ａ 可動電極 １５ａ 固定電極 １５ ストッパー部 １６ 切り込み溝
Claims (4)
- 【請求項１】 重り部と、該重り部の側面から側方に突
出して重り部と連動する略平板状の撓み部と、該撓み部
の先端部を支持する支持部と、を半導体基板を加工して
形成し、前記撓み部にピエゾ抵抗を形成した半導体加速
度センサにおいて、 前記撓み部の幅方向を前記重り部の厚み方向に一致する
ように撓み部を設けたことを特徴とする半導体加速度セ
ンサ。 - 【請求項２】 重り部と、該重り部の側面から側方に突
出して重り部と連動する略平板状の撓み部と、該撓み部
の先端部を支持する支持部とを半導体基板を加工して形
成し、前記重り部の一側面を可動電極とし、該可動電極
に対向して固定電極を設けた半導体加速度センサにおい
て、 前記撓み部の幅方向を前記重り部の厚み方向に一致する
ように撓み部を設けたことを特徴とする半導体加速度セ
ンサ。 - 【請求項３】 前記撓み部の基端部の厚み方向両側に切
り込み溝を撓み部の突出方向と反対方向に向けて形成し
たことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体
加速度センサ。 - 【請求項４】前記重り部の過剰な動きを規制するストッ
パー部を前記重り部と同一材料にて形成したことを特徴
とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体
加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8423399A JP2000275271A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | 半導体加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8423399A JP2000275271A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | 半導体加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000275271A true JP2000275271A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13824766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8423399A Pending JP2000275271A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | 半導体加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000275271A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007003211A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Sharp Corp | 加速度センサおよびその出力補正方法 |
| JP2008058106A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Honda Motor Co Ltd | 力覚センサ用チップ |
| JP2010014406A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-21 | Toshiba Corp | 慣性センサ及び慣性検出装置 |
| US20110006380A1 (en) * | 2009-07-10 | 2011-01-13 | Yamaha Corporation | Uniaxial acceleration sensor |
-
1999
- 1999-03-26 JP JP8423399A patent/JP2000275271A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007003211A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Sharp Corp | 加速度センサおよびその出力補正方法 |
| JP2008058106A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Honda Motor Co Ltd | 力覚センサ用チップ |
| JP2010014406A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-21 | Toshiba Corp | 慣性センサ及び慣性検出装置 |
| US20110006380A1 (en) * | 2009-07-10 | 2011-01-13 | Yamaha Corporation | Uniaxial acceleration sensor |
| US8487389B2 (en) * | 2009-07-10 | 2013-07-16 | Yamaha Corporation | Uniaxial acceleration sensor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4969359A (en) | Silicon accelerometer responsive to three orthogonal force components and method for fabricating | |
| JP3457037B2 (ja) | 集積型加速度計 | |
| KR100301097B1 (ko) | 가속도센서용소자및그제조방법 | |
| JP3199775B2 (ja) | 加速度センサ | |
| US4981552A (en) | Method for fabricating a silicon accelerometer responsive to three orthogonal force components | |
| JPH0798327A (ja) | 絶縁体上シリコン技術を用いた加速度計の製造方法およびそれにより得られる加速度計 | |
| WO2005062060A1 (ja) | 半導体型３軸加速度センサ | |
| KR101654391B1 (ko) | 압전저항기를 갖춘 장치를 형성하는 방법 | |
| US8991252B2 (en) | Displacement amount monitoring electrode arrangement | |
| JP2010256281A (ja) | 圧力センサ及びその製造方法 | |
| EP1723072B1 (en) | Mechanical sensor with pyramid socket suspension | |
| JP2001203371A (ja) | マイクロメカニカル装置 | |
| JP2004245760A (ja) | 圧力と加速度との双方を検出するセンサおよびその製造方法 | |
| KR102163052B1 (ko) | 압력 센서 소자 및 그 제조 방법 | |
| US20170001857A1 (en) | Sensor element and method of manufacturing the same | |
| KR20030026872A (ko) | 가속도 센서 | |
| JP2000275271A (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JP4420038B2 (ja) | 応力感応素子 | |
| JPH08247768A (ja) | 角速度センサ | |
| JP2001044450A (ja) | 半導体力学量センサ | |
| JP3405219B2 (ja) | 半導体加速度センサ素子及びその製造方法 | |
| JP3567052B2 (ja) | 半導体のマイクロマシニング方法 | |
| JP4179070B2 (ja) | 半導体加速度センサおよびその製造方法 | |
| JP4134881B2 (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JPH075192A (ja) | 半導体加速度センサ及びその製造方法 |