JP2000276078A - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス表示装置Info
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- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 66
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 13
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 40
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- -1 phenylphenylamino Chemical group 0.000 description 7
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 1lambda4,2lambda4-dimolybdacyclopropa-1,2,3-triene Chemical compound [Mo]=C=[Mo] QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＴＦＴの能動層のソースと有機ＥＬ素子の陽
極とのコンタクトを確実にして安定した表示を得ること
ができる有機ＥＬ表示装置を提供する。 【解決手段】 ガラス基板からなる絶縁性基板１０上
に、ＴＦＴ４０及び有機ＥＬ素子６０を形成した有機Ｅ
Ｌ表示装置において、ＴＦＴ４０の能動層４３のソース
４３ｓと有機ＥＬ素子６０コンタクトが、ソース４３ｓ
のｐ−Ｓｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｍｏ、及び陽極６１のＩＴＯ
の積層体から成っているので、ソース４３ｓと陽極６１
とのコンタクトが確実に行えるので、明るさがばらつい
たりＴＦＴ４０及び有機ＥＬ素子６０の劣化が早まるこ
とを防止できる。
極とのコンタクトを確実にして安定した表示を得ること
ができる有機ＥＬ表示装置を提供する。 【解決手段】 ガラス基板からなる絶縁性基板１０上
に、ＴＦＴ４０及び有機ＥＬ素子６０を形成した有機Ｅ
Ｌ表示装置において、ＴＦＴ４０の能動層４３のソース
４３ｓと有機ＥＬ素子６０コンタクトが、ソース４３ｓ
のｐ−Ｓｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｍｏ、及び陽極６１のＩＴＯ
の積層体から成っているので、ソース４３ｓと陽極６１
とのコンタクトが確実に行えるので、明るさがばらつい
たりＴＦＴ４０及び有機ＥＬ素子６０の劣化が早まるこ
とを防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（Thin Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称す
る。）及び有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を
備えており、そのＴＦＴをスイッチング素子として用い
た有機ＥＬ表示装置に関する。
（Thin Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称す
る。）及び有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を
備えており、そのＴＦＴをスイッチング素子として用い
た有機ＥＬ表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３に従来のＥＬ表示装置の表示画素部
の平面図を示し、図４（ａ）に図３中のＡ−Ａ線に沿っ
たＥＬ表示装置の断面図を示し、図４（ｂ）に図３中の
Ｂ−Ｂ線に沿った断面図を示す。
の平面図を示し、図４（ａ）に図３中のＡ−Ａ線に沿っ
たＥＬ表示装置の断面図を示し、図４（ｂ）に図３中の
Ｂ−Ｂ線に沿った断面図を示す。
【０００３】図３に示すように、ゲート信号線５１とド
レイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素が形成さ
れている。両信号線の交点付近には第１のＴＦＴ３０が
備えられており、そのＴＦＴ３０のソース１３ｓは保持
容量電極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ね
るとともに、第２のＴＦＴ４０のゲート４１に接続され
ている。第２のＴＦＴのソース４３ｓは有機ＥＬ素子６
０の陽極６１に接続され、他方のドレイン４３ｄは有機
ＥＬ素子を駆動する駆動電源線５３に接続されている。
レイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素が形成さ
れている。両信号線の交点付近には第１のＴＦＴ３０が
備えられており、そのＴＦＴ３０のソース１３ｓは保持
容量電極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ね
るとともに、第２のＴＦＴ４０のゲート４１に接続され
ている。第２のＴＦＴのソース４３ｓは有機ＥＬ素子６
０の陽極６１に接続され、他方のドレイン４３ｄは有機
ＥＬ素子を駆動する駆動電源線５３に接続されている。
【０００４】また、ＴＦＴの付近には、ゲート信号線５
１と並行に保持容量電極線５４が配置されている。この
保持容量電極線５４はクロム等から成っており、ゲート
絶縁膜１２を介してＴＦＴのソース１３ｓと接続された
容量電極５５との間で電荷を蓄積して容量を成してい
る。この保持容量は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４
１に印加される電圧を保持するために設けられている。
１と並行に保持容量電極線５４が配置されている。この
保持容量電極線５４はクロム等から成っており、ゲート
絶縁膜１２を介してＴＦＴのソース１３ｓと接続された
容量電極５５との間で電荷を蓄積して容量を成してい
る。この保持容量は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４
１に印加される電圧を保持するために設けられている。
【０００５】このように有機ＥＬ素子６０及びＴＦＴ３
０，４０を備えた表示画素が基板１０上にマトリクス状
に配置されることにより有機ＥＬ表示装置が形成され
る。
０，４０を備えた表示画素が基板１０上にマトリクス状
に配置されることにより有機ＥＬ表示装置が形成され
る。
【０００６】図４に示すように、有機ＥＬ表示装置は、
ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する
基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び
有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１
０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場
合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの
絶縁膜を形成した上にＴＦＴ３０，４０及び有機ＥＬ表
示素子６０を形成する。
ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する
基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び
有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１
０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場
合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの
絶縁膜を形成した上にＴＦＴ３０，４０及び有機ＥＬ表
示素子６０を形成する。
【０００７】まず、スイッチング用のＴＦＴである第１
のＴＦＴ３０について説明する。
のＴＦＴ３０について説明する。
【０００８】図４（ａ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、クロム
（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からな
るゲート電極１１を兼ねたゲート信号線５１及びＡｌか
ら成るドレイン信号線５２を備えており、有機ＥＬ素子
の駆動電源でありＡｌから成る駆動電源線５３を配置す
る。
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、クロム
（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からな
るゲート電極１１を兼ねたゲート信号線５１及びＡｌか
ら成るドレイン信号線５２を備えており、有機ＥＬ素子
の駆動電源でありＡｌから成る駆動電源線５３を配置す
る。
【０００９】続いて、ゲート絶縁膜１２、及び多結晶シ
リコン（以下、「ｐ−Ｓｉ」と称する。）膜からなる能
動層１３を順に形成し、その能動層１３には、いわゆる
ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造が設けられてい
る。その外側にソース１３ｓ及びドレイン１３ｄが設け
られている。
リコン（以下、「ｐ−Ｓｉ」と称する。）膜からなる能
動層１３を順に形成し、その能動層１３には、いわゆる
ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造が設けられてい
る。その外側にソース１３ｓ及びドレイン１３ｄが設け
られている。
【００１０】そして、ゲート絶縁膜１２、能動層１３及
びストッパ絶縁膜１４上の全面には、ＳｉＯ2膜、Ｓｉ
Ｎ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を
設け、ドレイン１３ｄに対応して設けたコンタクトホー
ルにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極１６を設け
る。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にす
る平坦化絶縁膜１７を設ける。
びストッパ絶縁膜１４上の全面には、ＳｉＯ2膜、Ｓｉ
Ｎ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を
設け、ドレイン１３ｄに対応して設けたコンタクトホー
ルにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極１６を設け
る。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にす
る平坦化絶縁膜１７を設ける。
【００１１】次に、有機ＥＬ素子６０の駆動用のＴＦＴ
である第２のＴＦＴ４０について説明する。
である第２のＴＦＴ４０について説明する。
【００１２】図４（ｂ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃｒ、
Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１を形成す
る。
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃｒ、
Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１を形成す
る。
【００１３】ゲート絶縁膜１２、及びｐ−Ｓｉ膜からな
る能動層４３を順に形成する。
る能動層４３を順に形成する。
【００１４】その能動層４３には、ゲート電極４１上方
に真性又は実質的に真性であるチャネル４３ｃと、この
チャネル４３ｃの両側に、その両側にイオンドーピング
してソース４３ｓ及びドレイン４３ｄが設けられてい
る。
に真性又は実質的に真性であるチャネル４３ｃと、この
チャネル４３ｃの両側に、その両側にイオンドーピング
してソース４３ｓ及びドレイン４３ｄが設けられてい
る。
【００１５】そして、ゲート絶縁膜１２及び能動層４３
上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に
積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン４３ｄに
対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填
して駆動電源５０に接続された駆動電源線５３を形成す
る。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にす
る平坦化絶縁膜１７を形成する。そして、その平坦化絶
縁膜１７及び層間絶縁膜１５のソース４３ｓに対応した
位置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホー
ルを介してソース１３ｓとコンタクトしたＩＴＯ（（Ｉ
ｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2）：Indium Tin Oxide）から成る透明
電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６１を平坦化絶縁膜１７
上に形成する。
上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に
積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン４３ｄに
対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填
して駆動電源５０に接続された駆動電源線５３を形成す
る。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にす
る平坦化絶縁膜１７を形成する。そして、その平坦化絶
縁膜１７及び層間絶縁膜１５のソース４３ｓに対応した
位置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホー
ルを介してソース１３ｓとコンタクトしたＩＴＯ（（Ｉ
ｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2）：Indium Tin Oxide）から成る透明
電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６１を平坦化絶縁膜１７
上に形成する。
【００１６】有機ＥＬ素子６０は、ＩＴＯ等の透明電極
から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylph
enylphenylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送
層、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3- methylphenylphenylamino)
triphenylanine）からなる第２ホール輸送層、キナクリ
ドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベン
ゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光
層及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層からなる発光素子
層６２、マグネシウム・インジウム合金から成る陰極６
３がこの順番で積層形成された構造である。この陰極６
３は、図３に示した有機ＥＬ表示装置を形成する基板１
０の全面、即ち紙面の全面に設けられている。
から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylph
enylphenylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送
層、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3- methylphenylphenylamino)
triphenylanine）からなる第２ホール輸送層、キナクリ
ドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベン
ゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光
層及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層からなる発光素子
層６２、マグネシウム・インジウム合金から成る陰極６
３がこの順番で積層形成された構造である。この陰極６
３は、図３に示した有機ＥＬ表示装置を形成する基板１
０の全面、即ち紙面の全面に設けられている。
【００１７】また有機ＥＬ素子は、陽極から注入された
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介
して外部へ放出されて発光する。
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介
して外部へ放出されて発光する。
【００１８】そして、陽極の厚みによる段差に起因する
発光層の段切れによって発生する陰極６３と陽極６１と
の短絡を防止するために、陽極６１を形成した後、その
陽極６１の周辺部に絶縁膜６４（点線で囲まれた領域以
外）を形成する。その後、発光素子層６２及び陰極６３
を形成する。そして、発光素子層６２にて発光された光
は絶縁性基板１０を透過して出射する。
発光層の段切れによって発生する陰極６３と陽極６１と
の短絡を防止するために、陽極６１を形成した後、その
陽極６１の周辺部に絶縁膜６４（点線で囲まれた領域以
外）を形成する。その後、発光素子層６２及び陰極６３
を形成する。そして、発光素子層６２にて発光された光
は絶縁性基板１０を透過して出射する。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、有機ＥＬ素
子６０は上述の通り、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４
１に印加された電圧に応じて駆動電源線５３からの電流
を有機ＥＬ素子に供給することで発光する素子であり、
陽極から注入されたホールと、陰極から注入された電子
とが発光層の内部で再結合して発光層から光が放たれる
電荷注入型の発光であることから電流制御駆動である。
そのため、例えば、１００ｃｄ／ｍ2の輝度を得るため
には電流密度は１ｍＡ／ｃｍ2であり、１００００ｃｄ
／ｍ2の輝度を得るためには電流密度は約１００ｍＡ／
ｃｍ2である。
子６０は上述の通り、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４
１に印加された電圧に応じて駆動電源線５３からの電流
を有機ＥＬ素子に供給することで発光する素子であり、
陽極から注入されたホールと、陰極から注入された電子
とが発光層の内部で再結合して発光層から光が放たれる
電荷注入型の発光であることから電流制御駆動である。
そのため、例えば、１００ｃｄ／ｍ2の輝度を得るため
には電流密度は１ｍＡ／ｃｍ2であり、１００００ｃｄ
／ｍ2の輝度を得るためには電流密度は約１００ｍＡ／
ｃｍ2である。
【００２０】このように有機ＥＬ素子を駆動させるため
には高電流が必要であることから、良好な表示を得るた
めには、直接コンタクトしている半導体膜であるソース
１３ｓとＩＴＯとが確実にされていなければならないと
いう必要があった。
には高電流が必要であることから、良好な表示を得るた
めには、直接コンタクトしている半導体膜であるソース
１３ｓとＩＴＯとが確実にされていなければならないと
いう必要があった。
【００２１】しかしながら、ｐ−Ｓｉ膜であるソース１
３ｓとＩＴＯとのコンタクト部において、ｐ−Ｓｉ膜表
面が酸化して絶縁体であるＳｉＯ2膜が形成されてしま
いコンタクトが安定せず良好な表示を得ることができな
いという欠点があった。
３ｓとＩＴＯとのコンタクト部において、ｐ−Ｓｉ膜表
面が酸化して絶縁体であるＳｉＯ2膜が形成されてしま
いコンタクトが安定せず良好な表示を得ることができな
いという欠点があった。
【００２２】また、ソース１３ｓとＩＴＯとの間にｐ−
Ｓｉ膜よりも低抵抗のＡｌを設けた場合であってもＡｌ
膜表面に絶縁膜であるアルミ酸化膜（Ａｌ2Ｏ3膜）が形
成されてしまい安定したコンタクトを得ることができな
いという欠点があった。
Ｓｉ膜よりも低抵抗のＡｌを設けた場合であってもＡｌ
膜表面に絶縁膜であるアルミ酸化膜（Ａｌ2Ｏ3膜）が形
成されてしまい安定したコンタクトを得ることができな
いという欠点があった。
【００２３】そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑み
て為されたものであり、ソースと陽極とのコンタクトを
確実に行い、良好な表示を得ることができる有機ＥＬ表
示装置を提供することを目的とする。
て為されたものであり、ソースと陽極とのコンタクトを
確実に行い、良好な表示を得ることができる有機ＥＬ表
示装置を提供することを目的とする。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本発明の有機ＥＬ表示装
置は、絶縁性基板上に、ソースを有する半導体膜を備え
た薄膜トランジスタと、前記ソースに接続された陽極、
有機材料から成る発光層及び陰極が順に積層されたエレ
クトロルミネッセンス素子とを備えた有機エレクトロル
ミネッセンス表示装置であって、前記ソースと前記陽極
は、該ソース側の導電材料及び前記陽極側の第１の高融
点金属を介して接続されているものである。
置は、絶縁性基板上に、ソースを有する半導体膜を備え
た薄膜トランジスタと、前記ソースに接続された陽極、
有機材料から成る発光層及び陰極が順に積層されたエレ
クトロルミネッセンス素子とを備えた有機エレクトロル
ミネッセンス表示装置であって、前記ソースと前記陽極
は、該ソース側の導電材料及び前記陽極側の第１の高融
点金属を介して接続されているものである。
【００２５】また、本発明の有機ＥＬ表示装置は、前記
ソースと前記陽極は、該ソース側から順に第２の高融点
金属、導電材料及び第１の高融点金属が積層されて接続
されている有機ＥＬ表示装置である。
ソースと前記陽極は、該ソース側から順に第２の高融点
金属、導電材料及び第１の高融点金属が積層されて接続
されている有機ＥＬ表示装置である。
【００２６】更に、本発明の有機ＥＬ表示装置は、前記
第１または第２の高融点金属は、クロム（Ｃｒ）、モリ
ブ（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）のう
ちいずれかを含んだ材料から成っており、前記導電材料
はアルミニウム（Ａｌ）を含んだ材料から成る有機ＥＬ
表示装置である。
第１または第２の高融点金属は、クロム（Ｃｒ）、モリ
ブ（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）のう
ちいずれかを含んだ材料から成っており、前記導電材料
はアルミニウム（Ａｌ）を含んだ材料から成る有機ＥＬ
表示装置である。
【００２７】また、本発明の有機ＥＬ表示装置は、前記
陽極は酸化インジウム錫または酸化インジウム亜鉛から
成り、前記半導体膜は多結晶シリコン膜から成る有機Ｅ
Ｌ表示装置である。
陽極は酸化インジウム錫または酸化インジウム亜鉛から
成り、前記半導体膜は多結晶シリコン膜から成る有機Ｅ
Ｌ表示装置である。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下に本発明の有機ＥＬ表示装置
について説明する。
について説明する。
【００２９】図１に本発明の有機ＥＬ表示装置の表示画
素部の平面図を示し、図２に図１中のＢ−Ｂ線に沿った
断面図を示す。なお、図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図
は前述の図４（ａ）と同じであるので省略する。
素部の平面図を示し、図２に図１中のＢ−Ｂ線に沿った
断面図を示す。なお、図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図
は前述の図４（ａ）と同じであるので省略する。
【００３０】図１に示すように、ゲート信号線５１とド
レイン信号線５２とに囲まれた領域に有機ＥＬ素子等か
らなる表示画素が形成されている。両信号線の交点付近
には第１のＴＦＴ３０が備えられており、そのＴＦＴ３
０のソース１３ｓは保持容量電極線５４との間で容量を
なす容量電極５５を兼ねるとともに、第２のＴＦＴ４０
のゲート４１に接続されている。第２のＴＦＴのソース
４３ｓは有機ＥＬ素子６０の陽極６１に接続され、他方
のドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子を駆動する駆動電源線
５３に接続されている。
レイン信号線５２とに囲まれた領域に有機ＥＬ素子等か
らなる表示画素が形成されている。両信号線の交点付近
には第１のＴＦＴ３０が備えられており、そのＴＦＴ３
０のソース１３ｓは保持容量電極線５４との間で容量を
なす容量電極５５を兼ねるとともに、第２のＴＦＴ４０
のゲート４１に接続されている。第２のＴＦＴのソース
４３ｓは有機ＥＬ素子６０の陽極６１に接続され、他方
のドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子を駆動する駆動電源線
５３に接続されている。
【００３１】また、表示画素付近には、ゲート信号線５
１と並行に保持容量電極線５４が配置されている。この
保持容量電極線５４はクロム等から成っており、ゲート
絶縁膜１２を介してＴＦＴのソース１３ｓと接続された
容量電極５５との間で電荷を蓄積して容量を成してい
る。この保持容量は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４
１に印加される電圧を保持するために設けられている。
１と並行に保持容量電極線５４が配置されている。この
保持容量電極線５４はクロム等から成っており、ゲート
絶縁膜１２を介してＴＦＴのソース１３ｓと接続された
容量電極５５との間で電荷を蓄積して容量を成してい
る。この保持容量は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４
１に印加される電圧を保持するために設けられている。
【００３２】このように有機ＥＬ素子６０及びＴＦＴ３
０，４０を備えた表示画素が基板１０上にマトリクス状
に配置されることにより有機ＥＬ表示装置が形成され
る。
０，４０を備えた表示画素が基板１０上にマトリクス状
に配置されることにより有機ＥＬ表示装置が形成され
る。
【００３３】図２に示すように、有機ＥＬ表示装置は、
ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する
基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び
有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１
０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場
合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの
絶縁膜を形成した上にＴＦＴ及び有機ＥＬ表示素子を形
成する。
ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する
基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び
有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１
０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場
合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの
絶縁膜を形成した上にＴＦＴ及び有機ＥＬ表示素子を形
成する。
【００３４】本実施の形態においては、第１及び第２の
ＴＦＴ３０，４０ともに、ゲート電極１１，４１を能動
層１３，４３の下方に設けたいわゆるボトムゲート型の
ＴＦＴであり、半導体膜である能動層として多結晶シリ
コン（Poly-Silicon、以下、「ｐ−Ｓｉ」と称する。）
膜を用いた場合を示す。またゲート電極１１，４１がダ
ブルゲート構造であるＴＦＴの場合を示す。
ＴＦＴ３０，４０ともに、ゲート電極１１，４１を能動
層１３，４３の下方に設けたいわゆるボトムゲート型の
ＴＦＴであり、半導体膜である能動層として多結晶シリ
コン（Poly-Silicon、以下、「ｐ−Ｓｉ」と称する。）
膜を用いた場合を示す。またゲート電極１１，４１がダ
ブルゲート構造であるＴＦＴの場合を示す。
【００３５】スイッチング用のＴＦＴである第１のＴＦ
Ｔ３０については従来の構造と同じであるので説明を省
略する。
Ｔ３０については従来の構造と同じであるので説明を省
略する。
【００３６】ここで、有機ＥＬ素子６０の駆動用のＴＦ
Ｔである第２のＴＦＴ４０について説明する。
Ｔである第２のＴＦＴ４０について説明する。
【００３７】図１及び図２に示すように、石英ガラス、
無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１を形
成する。ゲート絶縁膜１２、及びｐ−Ｓｉ膜からなる能
動層４３を順に形成する。
無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１を形
成する。ゲート絶縁膜１２、及びｐ−Ｓｉ膜からなる能
動層４３を順に形成する。
【００３８】その能動層４３には、ゲート電極４１上方
に真性又は実質的に真性であるチャネル４３ｃと、この
チャネル４３ｃの両側に、その両側にイオンドーピング
してソース１３ｓ及びドレイン１３ｄが設けられてい
る。
に真性又は実質的に真性であるチャネル４３ｃと、この
チャネル４３ｃの両側に、その両側にイオンドーピング
してソース１３ｓ及びドレイン１３ｄが設けられてい
る。
【００３９】そして、ゲート絶縁膜１２及び能動層４３
上の全面に、例えばＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜
の順に積層された層間絶縁膜１５を形成する。そして、
その層間絶縁膜１５にソース４３ｓ及びドレイン４３ｄ
にそれぞれ対応した位置にコンタクトホール１５ｓ，１
５ｄを設ける。そのコンタクトホールによって露出した
能動層４３を含む層間絶縁膜１５の全面に第１の高融点
金属２１である、例えばＭｏをスパッタ法等により堆積
し、連続してスパッタ法等により導電材料であるＡｌ、
及び第２の高融点金属２２である、例えばＭｏを堆積す
る。こうしてコンタクトホール形成によって露出した能
動層４３上には、能動層４３側からＭｏ、Ａｌ、Ｍｏが
積層される。そしてホトリソ技術を用いて、ドレイン４
３ｄに対応したコンタクトホール１５ｄ及び層間絶縁膜
１５上にはＭｏ及びＡｌから成る駆動電源線５３が形成
される。他方のソース４３ｓに対応したコンタクトホー
ル１５ｓ及び層間絶縁膜１５上にはソース電極４６が形
成される。こうして形成されたソース電極４６、駆動信
号線５３及び層間絶縁膜１５上に、有機樹脂から成り表
面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を形成する。そして、
その平坦化絶縁膜１７のソース４３ｓに対応した位置に
コンタクトホール１７ｓを形成する。その後、コンタク
トホール１７ｓ及び平坦化絶縁膜１７の全面にＩＴＯを
堆積し、ホトリソ技術を用いて透明電極、即ち有機ＥＬ
素子の陽極６１を平坦化絶縁膜１７上に形成する。
上の全面に、例えばＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜
の順に積層された層間絶縁膜１５を形成する。そして、
その層間絶縁膜１５にソース４３ｓ及びドレイン４３ｄ
にそれぞれ対応した位置にコンタクトホール１５ｓ，１
５ｄを設ける。そのコンタクトホールによって露出した
能動層４３を含む層間絶縁膜１５の全面に第１の高融点
金属２１である、例えばＭｏをスパッタ法等により堆積
し、連続してスパッタ法等により導電材料であるＡｌ、
及び第２の高融点金属２２である、例えばＭｏを堆積す
る。こうしてコンタクトホール形成によって露出した能
動層４３上には、能動層４３側からＭｏ、Ａｌ、Ｍｏが
積層される。そしてホトリソ技術を用いて、ドレイン４
３ｄに対応したコンタクトホール１５ｄ及び層間絶縁膜
１５上にはＭｏ及びＡｌから成る駆動電源線５３が形成
される。他方のソース４３ｓに対応したコンタクトホー
ル１５ｓ及び層間絶縁膜１５上にはソース電極４６が形
成される。こうして形成されたソース電極４６、駆動信
号線５３及び層間絶縁膜１５上に、有機樹脂から成り表
面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を形成する。そして、
その平坦化絶縁膜１７のソース４３ｓに対応した位置に
コンタクトホール１７ｓを形成する。その後、コンタク
トホール１７ｓ及び平坦化絶縁膜１７の全面にＩＴＯを
堆積し、ホトリソ技術を用いて透明電極、即ち有機ＥＬ
素子の陽極６１を平坦化絶縁膜１７上に形成する。
【００４０】有機ＥＬ素子６０は、ＩＴＯ等の透明電極
から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylph
enylphenylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送
層、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)t
riphenylanine）からなる第２ホール輸送層、キナクリ
ドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベン
ゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光
層及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層からなる発光素子
層６２、マグネシウム・インジウム合金から成る陰極６
３がこの順番で積層形成された構造である。この陰極６
３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置を形成する基板１
０の全面、即ち紙面の全面に設けられている。
から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylph
enylphenylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送
層、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)t
riphenylanine）からなる第２ホール輸送層、キナクリ
ドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベン
ゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光
層及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層からなる発光素子
層６２、マグネシウム・インジウム合金から成る陰極６
３がこの順番で積層形成された構造である。この陰極６
３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置を形成する基板１
０の全面、即ち紙面の全面に設けられている。
【００４１】また有機ＥＬ素子は、陽極から注入された
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介
して外部へ放出されて発光する。
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介
して外部へ放出されて発光する。
【００４２】陽極６１の周辺に絶縁膜６４（点線で示す
領域の外側）を形成する。これは、陽極６１の厚みによ
る段差に起因する発光層の断切れによって生じる陰極６
３と陽極６１との短絡を防止するために設ける。そし
て、陽極６１上に前述の各相の材料を堆積して発光層６
２を形成する。更にその上には不透明材料であるマグネ
シウム（Ｍｇ）とインジウム（Ｉｎ）との合金から成る
各有機ＥＬ素子に共通の陰極６３をＴＦＴ４０の上方を
含む基板１０の全面に形成する。
領域の外側）を形成する。これは、陽極６１の厚みによ
る段差に起因する発光層の断切れによって生じる陰極６
３と陽極６１との短絡を防止するために設ける。そし
て、陽極６１上に前述の各相の材料を堆積して発光層６
２を形成する。更にその上には不透明材料であるマグネ
シウム（Ｍｇ）とインジウム（Ｉｎ）との合金から成る
各有機ＥＬ素子に共通の陰極６３をＴＦＴ４０の上方を
含む基板１０の全面に形成する。
【００４３】以上のように、本発明の有機ＥＬ表示装置
によれば、駆動電源からの電流が有機ＥＬ素子の陽極と
ＴＦＴのソースとの間に流れても、ｐ−Ｓｉ膜よりも低
抵抗であり、かつ表面に酸化膜が形成されにくい高融点
金属を用いることによって、両者のコンタクトが確実に
行われるので、安定して電流を有機ＥＬ素子に供給する
ことができ、明るさがばらついたり早期に劣化してしま
うことが防止できる。
によれば、駆動電源からの電流が有機ＥＬ素子の陽極と
ＴＦＴのソースとの間に流れても、ｐ−Ｓｉ膜よりも低
抵抗であり、かつ表面に酸化膜が形成されにくい高融点
金属を用いることによって、両者のコンタクトが確実に
行われるので、安定して電流を有機ＥＬ素子に供給する
ことができ、明るさがばらついたり早期に劣化してしま
うことが防止できる。
【００４４】なお、本実施の形態においては、第１及び
第２の高融点金属としてＭｏを用いた場合を示したが、
クロム（Ｃｒ）、モリブ（Ｍｏ）、タングステン
（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）のうちいずれかの金属を含んで
いれば良く、これらの金属の中から１つを選択して用い
ることが可能であり、また、これらの金属の合金を用い
ることも可能である。その合金としては例えばＡｌＳｉ
（アルミシリコン）合金、ＡｌＳｉＣｕ（アルミシリコ
ン銅）合金、ＡｌＮｄ（アルミネオジウム）合金、Ｍｏ
Ｗ（モリブタングステン）合金、ＴｉＷ（チタンタング
ステン）合金、ＴｉＮ（チタンナイトライド）合金を用
いても良い。
第２の高融点金属としてＭｏを用いた場合を示したが、
クロム（Ｃｒ）、モリブ（Ｍｏ）、タングステン
（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）のうちいずれかの金属を含んで
いれば良く、これらの金属の中から１つを選択して用い
ることが可能であり、また、これらの金属の合金を用い
ることも可能である。その合金としては例えばＡｌＳｉ
（アルミシリコン）合金、ＡｌＳｉＣｕ（アルミシリコ
ン銅）合金、ＡｌＮｄ（アルミネオジウム）合金、Ｍｏ
Ｗ（モリブタングステン）合金、ＴｉＷ（チタンタング
ステン）合金、ＴｉＮ（チタンナイトライド）合金を用
いても良い。
【００４５】さらに本実施の形態においては、陽極の材
料として酸化インジウム錫を用いた場合について説明し
たが、酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ）を用い
ても良い。
料として酸化インジウム錫を用いた場合について説明し
たが、酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ）を用い
ても良い。
【００４６】更に第１の高融点金属と第２の高融点金属
とは異なる高融点金属であっても本発明の効果を奏する
ことができる。
とは異なる高融点金属であっても本発明の効果を奏する
ことができる。
【００４７】また、本実施の形態においては導電材料と
して、Ａｌを用いた場合について説明したが、Ａｌとの
合金、例えばＡｌＳｉ（アルミシリコン）合金、ＡｌＳ
ｉＣｕ（アルミシリコン銅）合金、ＡｌＮｄ（アルミネ
オジウム）合金を用いても良い。
して、Ａｌを用いた場合について説明したが、Ａｌとの
合金、例えばＡｌＳｉ（アルミシリコン）合金、ＡｌＳ
ｉＣｕ（アルミシリコン銅）合金、ＡｌＮｄ（アルミネ
オジウム）合金を用いても良い。
【００４８】
【発明の効果】本発明によれば、ＴＦＴの能動層と有機
ＥＬ素子の陽極とのコンタクトが確実に行われるので安
定した表示を得ることができる有機ＥＬ表示装置が得ら
れる。
ＥＬ素子の陽極とのコンタクトが確実に行われるので安
定した表示を得ることができる有機ＥＬ表示装置が得ら
れる。
【図１】本発明のＥＬ表示装置の平面図である。
【図２】本発明のＥＬ表示装置の断面図である。
【図３】従来のＥＬ表示装置の平面図である。
【図４】従来のＥＬ表示装置の断面図である。
１０ 絶縁性基板 １４ ストッパ絶縁膜 １５ 層間絶縁膜 １５ｓ，１５ｄ コンタクトホール １７ 平坦化絶縁膜 １７ｓ コンタクトホール ４１ ゲート電極 ４３ 能動層 ４３ｓ ソース ４３ｄ ドレイン ４３ｃ チャネル ６１ 陽極 ６２ 発光素子層 ６３ 陰極 ６４ 絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小田 信彦 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 山路 敏文 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5C080 AA06 BB05 DD28 EE25 FF09 JJ06 5C094 AA02 AA21 AA55 BA03 BA29 DA13 EA04 FB12 FB14
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に、ソースを有する半導体
膜を備えた薄膜トランジスタと、前記ソースに接続され
た陽極、有機材料から成る発光層及び陰極が順に積層さ
れたエレクトロルミネッセンス素子とを備えた有機エレ
クトロルミネッセンス表示装置であって、前記ソースと
前記陽極は、該ソース側の導電材料及び前記陽極側の第
１の高融点金属を介して接続されていることを特徴とす
る有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項２】 前記ソースと前記陽極は、該ソース側か
ら順に第２の高融点金属、導電材料及び第１の高融点金
属が積層されて接続されていることを特徴とする請求項
１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項３】 前記第１または第２の高融点金属は、ク
ロム（Ｃｒ）、モリブ（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、
チタン（Ｔｉ）のうちいずれかを含んだ材料から成って
おり、前記導電材料はアルミニウム（Ａｌ）を含んだ材
料から成ることを特徴とする請求項１または２に記載の
有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項４】 前記陽極は酸化インジウム錫または酸化
インジウム亜鉛から成り、前記半導体膜は多結晶シリコ
ン膜から成ることを特徴とする請求項１乃至３のうちい
ずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11078372A JP2000276078A (ja) | 1999-03-23 | 1999-03-23 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| KR1020000010870A KR20010014528A (ko) | 1999-03-23 | 2000-03-04 | 유기 일렉트로 루미네센스 표시 장치 |
| TW089105103A TW451598B (en) | 1999-03-23 | 2000-03-21 | Organic electro luminescence display device |
| US09/532,283 US6794675B1 (en) | 1999-03-23 | 2000-03-23 | Organic electroluminescence display with improved contact characteristics |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11078372A JP2000276078A (ja) | 1999-03-23 | 1999-03-23 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000276078A true JP2000276078A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13660193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11078372A Pending JP2000276078A (ja) | 1999-03-23 | 1999-03-23 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6794675B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000276078A (ja) |
| KR (1) | KR20010014528A (ja) |
| TW (1) | TW451598B (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002047062A1 (en) * | 2000-12-08 | 2002-06-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | El display device |
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|---|---|
| TW451598B (en) | 2001-08-21 |
| KR20010014528A (ko) | 2001-02-26 |
| US6794675B1 (en) | 2004-09-21 |
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