JP2003258094A - 配線構造、その製造方法、および表示装置 - Google Patents
配線構造、その製造方法、および表示装置Info
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線構造と他の電極間のショートを防ぐ。
【解決手段】 ＳｉＯ２により構成されたゲート絶縁膜
１２およびその上に積層され、ＳｉＮにより構成された
層間絶縁膜１３に、緩衝フッ酸を用いたエッチングによ
りコンタクトホールを形成する。このコンタクトホール
に、高融点金属により構成された第１の保護金属層１７
０と、高融点金属よりも抵抗の低い金属により構成され
た配線層１７２と、および高融点金属により構成され、
ゲート絶縁膜１２よりも厚く形成された第２の保護金属
層１７４とがこの順で積層された電極５３を形成する。
１２およびその上に積層され、ＳｉＮにより構成された
層間絶縁膜１３に、緩衝フッ酸を用いたエッチングによ
りコンタクトホールを形成する。このコンタクトホール
に、高融点金属により構成された第１の保護金属層１７
０と、高融点金属よりも抵抗の低い金属により構成され
た配線層１７２と、および高融点金属により構成され、
ゲート絶縁膜１２よりも厚く形成された第２の保護金属
層１７４とがこの順で積層された電極５３を形成する。
Description
【０００１】本発明は、配線構造、その製造方法および
その配線構造を含む表示装置に関する。
その配線構造を含む表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、薄層トランジスタ（以下、単
にＴＦＴという）をスイッチング素子として用いた表示
装置が商品化されている。また、近年、発光素子として
機能する電流駆動型の有機ＥＬ（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎ
ｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）素
子を用いた表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装
置として注目されている。有機ＥＬ素子を用いた表示装
置において、ＴＦＴは、有機ＥＬ素子の駆動にも用いら
れる。
にＴＦＴという）をスイッチング素子として用いた表示
装置が商品化されている。また、近年、発光素子として
機能する電流駆動型の有機ＥＬ（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎ
ｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）素
子を用いた表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装
置として注目されている。有機ＥＬ素子を用いた表示装
置において、ＴＦＴは、有機ＥＬ素子の駆動にも用いら
れる。
【０００３】図５は、有機ＥＬ素子を用いた表示装置に
おけるＴＦＴの断面図である。ＴＦＴ２００は、石英ガ
ラス等により構成された絶縁性基板２１０、多結晶シリ
コンにより構成された能動層２４３、ＳｉＯ2（酸化シ
リコン）により構成されたゲート絶縁膜２１２、および
モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属により構成されたゲ
ート電極２４２がこの順で積層された構造を持つ。能動
層２４３には、ゲート電極２４２下方のチャネル２４３
ｃと、このチャネル２４３ｃの両側に、ゲート電極２４
２をマスクにしてイオン注入して形成されたドレイン２
４３ｄ及びソース２４３ｓが設けられている。
おけるＴＦＴの断面図である。ＴＦＴ２００は、石英ガ
ラス等により構成された絶縁性基板２１０、多結晶シリ
コンにより構成された能動層２４３、ＳｉＯ2（酸化シ
リコン）により構成されたゲート絶縁膜２１２、および
モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属により構成されたゲ
ート電極２４２がこの順で積層された構造を持つ。能動
層２４３には、ゲート電極２４２下方のチャネル２４３
ｃと、このチャネル２４３ｃの両側に、ゲート電極２４
２をマスクにしてイオン注入して形成されたドレイン２
４３ｄ及びソース２４３ｓが設けられている。
【０００４】ＴＦＴ２００は、さらに、ＳｉＮにより構
成された第１の層間絶縁膜２１３およびＳｉＯ2により
構成された第２の層間絶縁膜２１４により形成された層
間絶縁膜２１５、ドレイン電極２５３、およびソース電
極２５４を有する。ドレイン電極２５３およびソース電
極２５４は、ドレイン２４３ｄ及びソース２４３ｓに対
応して設けられたコンタクトホールにアルミニウム（Ａ
ｌ）等の金属を充填して形成される。ドレイン電極２５
３およびソース電極２５４を形成するためのコンタクト
ホールは、緩衝フッ酸等を用いたエッチングにより形成
される。
成された第１の層間絶縁膜２１３およびＳｉＯ2により
構成された第２の層間絶縁膜２１４により形成された層
間絶縁膜２１５、ドレイン電極２５３、およびソース電
極２５４を有する。ドレイン電極２５３およびソース電
極２５４は、ドレイン２４３ｄ及びソース２４３ｓに対
応して設けられたコンタクトホールにアルミニウム（Ａ
ｌ）等の金属を充填して形成される。ドレイン電極２５
３およびソース電極２５４を形成するためのコンタクト
ホールは、緩衝フッ酸等を用いたエッチングにより形成
される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のように
構成されたＴＦＴ２００においては、第１の層間絶縁膜
２１３は、その下層のゲート絶縁膜２１２を構成するＳ
ｉＯ2よりも緩衝フッ酸に対するエッチングレートが低
いＳｉＮにより構成されている。そのため、緩衝フッ酸
を用いたウェットエッチングによりコンタクトホールを
形成すると、図６（ａ）に示すように、ゲート絶縁膜２
１２と第１の層間絶縁膜２１３との境界において、ゲー
ト絶縁膜２１２の方がより多くエッチングされた状態の
オーバーハング部が形成されてしまう。このようなオー
バーハング部の形成により、コンタクトホールに形成さ
れるドレイン電極２５３およびソース電極２５４に段差
が生じ、コンタクト抵抗が増加するという問題が生じ
る。
構成されたＴＦＴ２００においては、第１の層間絶縁膜
２１３は、その下層のゲート絶縁膜２１２を構成するＳ
ｉＯ2よりも緩衝フッ酸に対するエッチングレートが低
いＳｉＮにより構成されている。そのため、緩衝フッ酸
を用いたウェットエッチングによりコンタクトホールを
形成すると、図６（ａ）に示すように、ゲート絶縁膜２
１２と第１の層間絶縁膜２１３との境界において、ゲー
ト絶縁膜２１２の方がより多くエッチングされた状態の
オーバーハング部が形成されてしまう。このようなオー
バーハング部の形成により、コンタクトホールに形成さ
れるドレイン電極２５３およびソース電極２５４に段差
が生じ、コンタクト抵抗が増加するという問題が生じ
る。
【０００６】一方、有機ＥＬ素子を用いた表示装置にお
いて、有機ＥＬ素子への電源供給ラインとなる配線を含
む駆動用のＴＦＴには、より高い信頼性が求められ、例
えば低抵抗化、ウィスカ・ヒロック対策、エレクトロマ
イグレーション対策、ストレスマイグレーション対策が
必要である。低抵抗化を図るために、ドレイン電極２５
３およびソース電極２５４は、上述のアルミニウム等の
低抵抗金属により構成される。さらに、アルミニウム等
の低抵抗金属により構成された配線層を被覆するように
モリブデン等の高融点金属により構成された保護金属層
を設けることにより、ウィスカ・ヒロックが改善され
る。このような保護金属層は、配線全体を低抵抗化する
ため、またパネル表面の凹凸低減のために、低抵抗金属
により構成される配線層よりも薄く形成される。
いて、有機ＥＬ素子への電源供給ラインとなる配線を含
む駆動用のＴＦＴには、より高い信頼性が求められ、例
えば低抵抗化、ウィスカ・ヒロック対策、エレクトロマ
イグレーション対策、ストレスマイグレーション対策が
必要である。低抵抗化を図るために、ドレイン電極２５
３およびソース電極２５４は、上述のアルミニウム等の
低抵抗金属により構成される。さらに、アルミニウム等
の低抵抗金属により構成された配線層を被覆するように
モリブデン等の高融点金属により構成された保護金属層
を設けることにより、ウィスカ・ヒロックが改善され
る。このような保護金属層は、配線全体を低抵抗化する
ため、またパネル表面の凹凸低減のために、低抵抗金属
により構成される配線層よりも薄く形成される。
【０００７】ドレイン電極２５３およびソース電極２５
４を低抵抗金属の配線層および保護金属層により形成し
た場合、図６（ｂ）に示したように、コンタクトホール
に形成されたオーバーハング部の影響により生じた段差
により、保護金属層が途切れてしまうという問題があ
る。さらに、図示したように、この途切れた部分からウ
ィスカが生じてしまうことがある。特に、ドレイン電極
２５３およびソース電極２５４の上方には有機ＥＬ素子
の陰極が全面に形成されるので、上側の保護金属層にウ
ィスカが生じるとこれらの電極と陰極間がショートして
表示装置が不良となってしまう。
４を低抵抗金属の配線層および保護金属層により形成し
た場合、図６（ｂ）に示したように、コンタクトホール
に形成されたオーバーハング部の影響により生じた段差
により、保護金属層が途切れてしまうという問題があ
る。さらに、図示したように、この途切れた部分からウ
ィスカが生じてしまうことがある。特に、ドレイン電極
２５３およびソース電極２５４の上方には有機ＥＬ素子
の陰極が全面に形成されるので、上側の保護金属層にウ
ィスカが生じるとこれらの電極と陰極間がショートして
表示装置が不良となってしまう。
【０００８】本発明は、そうした課題に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、配線構造において、電極間の
ショートを防いで装置の不良の発生割合を低減すること
にある。本発明の別の目的は、配線構造のウィスカの発
生を低減させることにある。本発明のまた別の目的は、
配線構造の低抵抗化を図ることにある。
ものであり、その目的は、配線構造において、電極間の
ショートを防いで装置の不良の発生割合を低減すること
にある。本発明の別の目的は、配線構造のウィスカの発
生を低減させることにある。本発明のまた別の目的は、
配線構造の低抵抗化を図ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、異なる
材料により構成された第１の絶縁層および第２の絶縁層
がこの順で積層された絶縁膜に形成されたコンタクトホ
ールに設けられた配線構造であって、高融点金属により
構成された第１の金属層と、高融点金属よりも抵抗の低
い金属により構成された配線層と、高融点金属により構
成され、第１の絶縁層よりも厚く形成された第２の金属
層とがこの順で積層された配線を有することを特徴とす
る配線構造が提供される。
材料により構成された第１の絶縁層および第２の絶縁層
がこの順で積層された絶縁膜に形成されたコンタクトホ
ールに設けられた配線構造であって、高融点金属により
構成された第１の金属層と、高融点金属よりも抵抗の低
い金属により構成された配線層と、高融点金属により構
成され、第１の絶縁層よりも厚く形成された第２の金属
層とがこの順で積層された配線を有することを特徴とす
る配線構造が提供される。
【００１０】第２の金属層を第１の絶縁層よりも厚く形
成することにより、コンタクトホールにおいて、第１の
絶縁層と第２の絶縁層との境界にオーバーハング部が形
成された場合であっても、第２の金属層を途切れること
なく形成することができる。そのため、第２の金属層に
おいて、ウィスカの形成を防ぐことができ、この配線構
造と他の電極との間のショートが発生しないようにでき
る。
成することにより、コンタクトホールにおいて、第１の
絶縁層と第２の絶縁層との境界にオーバーハング部が形
成された場合であっても、第２の金属層を途切れること
なく形成することができる。そのため、第２の金属層に
おいて、ウィスカの形成を防ぐことができ、この配線構
造と他の電極との間のショートが発生しないようにでき
る。
【００１１】第１の絶縁層はＳｉＯ２またはＳｉＯＮに
より構成することができる。また、第２の絶縁層はＳｉ
Ｎにより構成することができる。
より構成することができる。また、第２の絶縁層はＳｉ
Ｎにより構成することができる。
【００１２】高融点金属としては、モリブデン（Ｍ
ｏ）、クロム（Ｃｒ）、またはタングステン（Ｗ）等の
６Ａ族元素を含むものが例示される。このような金属層
を設けることにより、配線構造のウィスカ・ヒロックを
改善することができる。また、これら６Ａ族元素は、低
抵抗金属への拡散が少ないという特徴を有する。またさ
らに、高融点金属としてタンタル（Ｔａ）、バナジウム
（Ｖ）、またはニオブ（Ｎｂ）等を用いることもでき
る。高融点金属は、モリブデンを含むのが好ましい。モ
リブデンは、特に製造工程における加工が容易であると
いう特徴を有する。
ｏ）、クロム（Ｃｒ）、またはタングステン（Ｗ）等の
６Ａ族元素を含むものが例示される。このような金属層
を設けることにより、配線構造のウィスカ・ヒロックを
改善することができる。また、これら６Ａ族元素は、低
抵抗金属への拡散が少ないという特徴を有する。またさ
らに、高融点金属としてタンタル（Ｔａ）、バナジウム
（Ｖ）、またはニオブ（Ｎｂ）等を用いることもでき
る。高融点金属は、モリブデンを含むのが好ましい。モ
リブデンは、特に製造工程における加工が容易であると
いう特徴を有する。
【００１３】配線層を構成する金属としては、アルミニ
ウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、
ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、白金（Ｐｔ）、またはパラジウム（Ｐｄ）等が例
示される。これらの金属を用いることにより、配線構造
の低抵抗化を図ることができる。これらの中で、特にア
ルミニウム、またはアルミニウムよりも比抵抗の低い銅
または銀が好ましく用いられる。配線層はアルミニウム
を含む金属により構成されるのが特に好ましい。このよ
うにすると、アルミニウムは反応性が高いため、高融点
金属により構成された金属層との密着性が高まり、配線
構造の歩留まりの向上に寄与できる。
ウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、
ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、白金（Ｐｔ）、またはパラジウム（Ｐｄ）等が例
示される。これらの金属を用いることにより、配線構造
の低抵抗化を図ることができる。これらの中で、特にア
ルミニウム、またはアルミニウムよりも比抵抗の低い銅
または銀が好ましく用いられる。配線層はアルミニウム
を含む金属により構成されるのが特に好ましい。このよ
うにすると、アルミニウムは反応性が高いため、高融点
金属により構成された金属層との密着性が高まり、配線
構造の歩留まりの向上に寄与できる。
【００１４】本発明によれば、異なる材料により構成さ
れた第１の絶縁層および第２の絶縁層がこの順で積層さ
れた絶縁膜に形成されたコンタクトホールに設けられた
配線構造であって、コンタクトホールは所定のエッチン
グ液を用いたエッチングにより形成され、コンタクトホ
ールにおいて、第２の絶縁膜には、第１の絶縁膜よりも
コンタクトホールの中心方向に突出した凸部分であるオ
ーバーハング部が形成され、高融点金属により構成され
た第１の金属層と、高融点金属よりも抵抗の低い金属に
より構成された配線層と、高融点金属により構成され、
オーバーハング部とその下方の第１の絶縁膜との距離よ
りも厚く形成された第２の金属層とがこの順で積層され
た配線を有することを特徴とする配線構造が提供され
る。
れた第１の絶縁層および第２の絶縁層がこの順で積層さ
れた絶縁膜に形成されたコンタクトホールに設けられた
配線構造であって、コンタクトホールは所定のエッチン
グ液を用いたエッチングにより形成され、コンタクトホ
ールにおいて、第２の絶縁膜には、第１の絶縁膜よりも
コンタクトホールの中心方向に突出した凸部分であるオ
ーバーハング部が形成され、高融点金属により構成され
た第１の金属層と、高融点金属よりも抵抗の低い金属に
より構成された配線層と、高融点金属により構成され、
オーバーハング部とその下方の第１の絶縁膜との距離よ
りも厚く形成された第２の金属層とがこの順で積層され
た配線を有することを特徴とする配線構造が提供され
る。
【００１５】第２の金属層を、コンタクトホールにおい
て第２の絶縁膜に形成されたオーバーハング部とその下
方の第１の絶縁膜との距離よりも厚く形成することによ
り、このオーバーハング部の影響を吸収して、第２の金
属層を途切れることなく形成することができる。そのた
め、第２の金属層において、ウィスカの形成を防ぐこと
ができ、この配線構造と他の電極との間のショートが発
生しないようにできる。なお、このとき、第２の金属層
は、オーバーハング部の先端部とその下方の第１の絶縁
膜との距離よりも厚く形成されることができる。
て第２の絶縁膜に形成されたオーバーハング部とその下
方の第１の絶縁膜との距離よりも厚く形成することによ
り、このオーバーハング部の影響を吸収して、第２の金
属層を途切れることなく形成することができる。そのた
め、第２の金属層において、ウィスカの形成を防ぐこと
ができ、この配線構造と他の電極との間のショートが発
生しないようにできる。なお、このとき、第２の金属層
は、オーバーハング部の先端部とその下方の第１の絶縁
膜との距離よりも厚く形成されることができる。
【００１６】所定のエッチング液としては、緩衝フッ酸
（バッファドフッ酸）を用いることができる。
（バッファドフッ酸）を用いることができる。
【００１７】本発明によれば、異なる材料により構成さ
れた第１の絶縁層および第２の絶縁層がこの順で積層さ
れた絶縁膜に形成されたコンタクトホールに設けられた
配線構造であって、コンタクトホールは所定のエッチン
グ液を用いたエッチングにより形成され、高融点金属に
より構成された第１の金属層と、高融点金属よりも抵抗
の低い金属により構成された配線層と、高融点金属によ
り構成され、第１の絶縁層と第２の絶縁層の所定のエッ
チング液に対するエッチングレートの違いにより生じた
段差によっても途切れない厚さに形成された第２の金属
層とがこの順で積層された配線を有することを特徴とす
る配線構造が提供される。
れた第１の絶縁層および第２の絶縁層がこの順で積層さ
れた絶縁膜に形成されたコンタクトホールに設けられた
配線構造であって、コンタクトホールは所定のエッチン
グ液を用いたエッチングにより形成され、高融点金属に
より構成された第１の金属層と、高融点金属よりも抵抗
の低い金属により構成された配線層と、高融点金属によ
り構成され、第１の絶縁層と第２の絶縁層の所定のエッ
チング液に対するエッチングレートの違いにより生じた
段差によっても途切れない厚さに形成された第２の金属
層とがこの順で積層された配線を有することを特徴とす
る配線構造が提供される。
【００１８】第２の金属層を、このように形成すること
により、第２の金属層を途切れることなく形成すること
ができる。そのため、第２の金属層において、ウィスカ
の形成を防ぐことができ、この配線構造と他の電極との
間のショートが発生しないようにできる。
により、第２の金属層を途切れることなく形成すること
ができる。そのため、第２の金属層において、ウィスカ
の形成を防ぐことができ、この配線構造と他の電極との
間のショートが発生しないようにできる。
【００１９】コンタクトホールは、第２の絶縁層におい
て第１の絶縁層よりも緩やかなテーパ部を有するように
形成されてよい。
て第１の絶縁層よりも緩やかなテーパ部を有するように
形成されてよい。
【００２０】第２の絶縁層におけるテーパ部を第１の絶
縁層におけるものよりも緩やかにすることにより、オー
バーハング部の影響を低減することができ、第２の金属
層の厚さを薄くすることができる。これにより、配線構
造を低抵抗化することができる。
縁層におけるものよりも緩やかにすることにより、オー
バーハング部の影響を低減することができ、第２の金属
層の厚さを薄くすることができる。これにより、配線構
造を低抵抗化することができる。
【００２１】絶縁膜は、第２の絶縁層よりも所定のエッ
チング液に対するエッチングレートが高い材料により構
成され、第２の絶縁層の上に形成された第３の絶縁層を
さらに含むことができる。第２の絶縁層がＳｉＮにより
構成された場合、第３の絶縁層はＳｉＯ２またはＳｉＯ
Ｎにより構成されてよい。このような第３の絶縁層を設
けることにより、エッチング中に第３の絶縁層が第２の
絶縁層よりも速くエッチングされるので、第２の絶縁層
が上側からもエッチングされ、第２の絶縁層のテーパ部
を緩やかにすることができる。
チング液に対するエッチングレートが高い材料により構
成され、第２の絶縁層の上に形成された第３の絶縁層を
さらに含むことができる。第２の絶縁層がＳｉＮにより
構成された場合、第３の絶縁層はＳｉＯ２またはＳｉＯ
Ｎにより構成されてよい。このような第３の絶縁層を設
けることにより、エッチング中に第３の絶縁層が第２の
絶縁層よりも速くエッチングされるので、第２の絶縁層
が上側からもエッチングされ、第２の絶縁層のテーパ部
を緩やかにすることができる。
【００２２】第２の絶縁層は、第１の絶縁層の膜厚以
上、６００ｎｍ以下の厚さに形成されることができる。
上、６００ｎｍ以下の厚さに形成されることができる。
【００２３】第２の絶縁層を第１の絶縁層以上の厚さに
形成することにより、第２の絶縁層におけるテーパ部を
第１の絶縁層におけるものよりも緩やかにすることがで
きる。また、第２の絶縁層を６００ｎｍ以下に形成する
ことにより、コンタクトホールを形成するためにかかる
エッチング時間を制御することができ、コンタクトホー
ルの広がりを制限することができる。
形成することにより、第２の絶縁層におけるテーパ部を
第１の絶縁層におけるものよりも緩やかにすることがで
きる。また、第２の絶縁層を６００ｎｍ以下に形成する
ことにより、コンタクトホールを形成するためにかかる
エッチング時間を制御することができ、コンタクトホー
ルの広がりを制限することができる。
【００２４】第１の金属層は、第１の絶縁層よりも厚く
形成されることができる。第１の金属層を第１の絶縁層
よりも厚く形成することにより、コンタクトホールにお
いて、第１の絶縁層と第２の絶縁層との境界にオーバー
ハング部が形成された場合であっても、第１の金属層を
途切れることなく形成することができる。そのため、第
１の金属層において、ウィスカの形成を防ぐことがで
き、この配線構造と他の電極との間のショートが発生し
ないようにできる。
形成されることができる。第１の金属層を第１の絶縁層
よりも厚く形成することにより、コンタクトホールにお
いて、第１の絶縁層と第２の絶縁層との境界にオーバー
ハング部が形成された場合であっても、第１の金属層を
途切れることなく形成することができる。そのため、第
１の金属層において、ウィスカの形成を防ぐことがで
き、この配線構造と他の電極との間のショートが発生し
ないようにできる。
【００２５】以上の配線構造は、基板と第１の絶縁層と
の間に設けられた半導体層と、第１の絶縁層の上方のコ
ンタクトホールが形成された個所とは異なる位置に設け
られたゲート電極とを含む半導体装置に用いることがで
きる。この場合、第１の絶縁層はゲート絶縁膜として機
能し、第２の絶縁膜はゲート絶縁膜または層間絶縁膜と
して機能する。コンタクトホールは、配線が半導体層に
接続して設けられるように、第１の絶縁層および第２の
絶縁層を貫通して形成されてよい。
の間に設けられた半導体層と、第１の絶縁層の上方のコ
ンタクトホールが形成された個所とは異なる位置に設け
られたゲート電極とを含む半導体装置に用いることがで
きる。この場合、第１の絶縁層はゲート絶縁膜として機
能し、第２の絶縁膜はゲート絶縁膜または層間絶縁膜と
して機能する。コンタクトホールは、配線が半導体層に
接続して設けられるように、第１の絶縁層および第２の
絶縁層を貫通して形成されてよい。
【００２６】本発明によれば、異なる材料により構成さ
れた第１の絶縁層および第２の絶縁層がこの順で積層さ
れた絶縁膜に、所定のエッチング液を用いたエッチング
によりコンタクトホールを形成する工程と、コンタクト
ホールに、高融点金属により構成された第１の金属層を
形成する工程と、第１の金属層の上に、高融点金属より
も抵抗の低い金属により構成された配線層を形成する工
程と、配線層の上に、高融点金属により構成された第２
の金属層を第１の絶縁層よりも厚く形成する工程とを含
むことを特徴とする配線構造の製造方法が提供される。
れた第１の絶縁層および第２の絶縁層がこの順で積層さ
れた絶縁膜に、所定のエッチング液を用いたエッチング
によりコンタクトホールを形成する工程と、コンタクト
ホールに、高融点金属により構成された第１の金属層を
形成する工程と、第１の金属層の上に、高融点金属より
も抵抗の低い金属により構成された配線層を形成する工
程と、配線層の上に、高融点金属により構成された第２
の金属層を第１の絶縁層よりも厚く形成する工程とを含
むことを特徴とする配線構造の製造方法が提供される。
【００２７】コンタクトホールを形成する工程は、第１
の絶縁層に対するエッチングレートが第２の絶縁層に対
するエッチングレートよりも高いエッチング液によりエ
ッチングを行うことができる。
の絶縁層に対するエッチングレートが第２の絶縁層に対
するエッチングレートよりも高いエッチング液によりエ
ッチングを行うことができる。
【００２８】本発明によれば、以上で説明したいずれか
の配線構造と、その配線構造の上部に設けられ、少なく
とも陽極、発光素子層、および陰極を有する光学素子
と、を含むことを特徴とする表示装置が提供される。
の配線構造と、その配線構造の上部に設けられ、少なく
とも陽極、発光素子層、および陰極を有する光学素子
と、を含むことを特徴とする表示装置が提供される。
【００２９】本発明によれば、異なる材料により構成さ
れた第１の絶縁層および第２の絶縁層がこの順で積層さ
れた絶縁膜に設けられたコンタクトホールに形成された
配線構造と、その上部に設けられ、少なくとも陽極、発
光素子層、および陰極を有する光学素子とを含み、配線
構造は、高融点金属により構成された第１の金属層と、
高融点金属よりも抵抗の低い金属により構成された配線
層と、高融点金属により構成され、第１の絶縁層よりも
厚く形成された第２の金属層とがこの順で積層されたこ
とを特徴とする表示装置が提供される。
れた第１の絶縁層および第２の絶縁層がこの順で積層さ
れた絶縁膜に設けられたコンタクトホールに形成された
配線構造と、その上部に設けられ、少なくとも陽極、発
光素子層、および陰極を有する光学素子とを含み、配線
構造は、高融点金属により構成された第１の金属層と、
高融点金属よりも抵抗の低い金属により構成された配線
層と、高融点金属により構成され、第１の絶縁層よりも
厚く形成された第２の金属層とがこの順で積層されたこ
とを特徴とする表示装置が提供される。
【００３０】第２の金属層を第１の絶縁層よりも厚く形
成することにより、コンタクトホールにおいて、第１の
絶縁層と第２の絶縁層との境界にオーバーハング部が形
成された場合であっても、第２の金属層を途切れること
なく形成することができる。そのため、第２の金属層に
おいて、ウィスカの形成を防ぐことができ、この配線構
造とその上部に設けられた光学素子の電極との間のショ
ートが発生しないようにできる。特に、光学素子の陰極
が表示装置の複数の画素に共通に形成された場合、配線
構造と陰極間のショートを防ぐことにより、表示装置の
不良が生じる確率を大幅に低減することができる。
成することにより、コンタクトホールにおいて、第１の
絶縁層と第２の絶縁層との境界にオーバーハング部が形
成された場合であっても、第２の金属層を途切れること
なく形成することができる。そのため、第２の金属層に
おいて、ウィスカの形成を防ぐことができ、この配線構
造とその上部に設けられた光学素子の電極との間のショ
ートが発生しないようにできる。特に、光学素子の陰極
が表示装置の複数の画素に共通に形成された場合、配線
構造と陰極間のショートを防ぐことにより、表示装置の
不良が生じる確率を大幅に低減することができる。
【００３１】なお、以上の構成要素の任意の組合せ、本
発明の表現を方法、装置の間で変換したものもまた、本
発明の態様として有効である。
発明の表現を方法、装置の間で変換したものもまた、本
発明の態様として有効である。
【００３２】
【発明の実施の形態】第１の実施の形態：本実施の形態
における配線構造は、有機ＥＬ素子を含む表示装置を駆
動するＴＦＴに用いられる。図１は、この表示装置の一
部を示す平面図である。表示装置１００は、絶縁性基板
１０上に、図中一点鎖線で示す表示領域１１０と、その
表示領域のＴＦＴを駆動する周辺駆動回路１２０および
１３０とを有する。周辺駆動回路１２０には複数の走査
線Ｇ１〜Ｇｍが、周辺駆動回路１３０には複数のデータ
線Ｄ１〜Ｄｎが接続される。
における配線構造は、有機ＥＬ素子を含む表示装置を駆
動するＴＦＴに用いられる。図１は、この表示装置の一
部を示す平面図である。表示装置１００は、絶縁性基板
１０上に、図中一点鎖線で示す表示領域１１０と、その
表示領域のＴＦＴを駆動する周辺駆動回路１２０および
１３０とを有する。周辺駆動回路１２０には複数の走査
線Ｇ１〜Ｇｍが、周辺駆動回路１３０には複数のデータ
線Ｄ１〜Ｄｎが接続される。
【００３３】表示領域１１０において、走査線Ｇｋとデ
ータ線Ｄｋとの交差点付近の一表示画素のみ回路図を示
す。この表示画素は、有機ＥＬ素子６０、第１のＴＦＴ
３０、有機ＥＬ素子６０の第２のＴＦＴ４０、およびコ
ンデンサＣを含む。
ータ線Ｄｋとの交差点付近の一表示画素のみ回路図を示
す。この表示画素は、有機ＥＬ素子６０、第１のＴＦＴ
３０、有機ＥＬ素子６０の第２のＴＦＴ４０、およびコ
ンデンサＣを含む。
【００３４】第１のＴＦＴ３０において、ゲート電極は
走査線Ｇｋに接続され、ソース（またはドレイン）電極
はデータ線Ｄｋに接続され、ドレイン（またはソース）
電極は第２のＴＦＴ４０のゲート電極およびコンデンサ
Ｃの一方の電極に接続される。
走査線Ｇｋに接続され、ソース（またはドレイン）電極
はデータ線Ｄｋに接続され、ドレイン（またはソース）
電極は第２のＴＦＴ４０のゲート電極およびコンデンサ
Ｃの一方の電極に接続される。
【００３５】第２のＴＦＴ４０において、ゲート電極は
第１のＴＦＴ３０のドレイン（またはソース）電極に接
続され、ソース電極は有機ＥＬ素子６０の陽極に接続さ
れ、ドレイン電極は電源線１１２に接続される。電源線
１１２には、実際に有機ＥＬ素子６０を発光させるため
の電圧が供給される。コンデンサＣにおいて、一方の電
極が第１のＴＦＴ３０のドレイン（またはソース）電極
と第２のＴＦＴ４０のゲート電極に接続され、他方の電
極は接地される。有機ＥＬ素子６０の陽極は第２のＴＦ
Ｔ４０のソース電極に接続され、陰極は接地される。
第１のＴＦＴ３０のドレイン（またはソース）電極に接
続され、ソース電極は有機ＥＬ素子６０の陽極に接続さ
れ、ドレイン電極は電源線１１２に接続される。電源線
１１２には、実際に有機ＥＬ素子６０を発光させるため
の電圧が供給される。コンデンサＣにおいて、一方の電
極が第１のＴＦＴ３０のドレイン（またはソース）電極
と第２のＴＦＴ４０のゲート電極に接続され、他方の電
極は接地される。有機ＥＬ素子６０の陽極は第２のＴＦ
Ｔ４０のソース電極に接続され、陰極は接地される。
【００３６】図２は、図１に示した表示画素において点
線で囲んだ領域１５０の断面図である。図２に示すよう
に、ガラスまたは石英等により構成された絶縁性基板１
０の上に能動層４３が形成される。能動層４３は、非晶
質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜にレーザ光を照射して多結晶
化した多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）膜により構成され
る。能動層４３には、チャネル４３ｃの両側にソース４
３ｓおよびドレイン４３ｄが設けられる。
線で囲んだ領域１５０の断面図である。図２に示すよう
に、ガラスまたは石英等により構成された絶縁性基板１
０の上に能動層４３が形成される。能動層４３は、非晶
質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜にレーザ光を照射して多結晶
化した多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）膜により構成され
る。能動層４３には、チャネル４３ｃの両側にソース４
３ｓおよびドレイン４３ｄが設けられる。
【００３７】能動層４３の上にゲート絶縁膜１２、その
上にゲート電極４２が設けられる。ゲート電極４２は、
モリブデンやクロム等の高融点金属により構成される。
ゲート電極４２は、第１のＴＦＴ３０のソースに接続さ
れる。能動層４３において、チャネル４３ｃはゲート電
極４２の下方に形成される。
上にゲート電極４２が設けられる。ゲート電極４２は、
モリブデンやクロム等の高融点金属により構成される。
ゲート電極４２は、第１のＴＦＴ３０のソースに接続さ
れる。能動層４３において、チャネル４３ｃはゲート電
極４２の下方に形成される。
【００３８】ゲート絶縁膜１２およびゲート電極４２の
上の全面には、層間絶縁膜１５が形成される。ドレイン
４３ｄおよびソース４３ｓに対応して設けられたコンタ
クトホールにはアルミニウム等の金属が充填され、ドレ
イン電極５３およびソース電極５４が形成される。コン
タクトホール、ドレイン電極５３およびソース電極５４
の製造方法に関しては、後に詳述する。
上の全面には、層間絶縁膜１５が形成される。ドレイン
４３ｄおよびソース４３ｓに対応して設けられたコンタ
クトホールにはアルミニウム等の金属が充填され、ドレ
イン電極５３およびソース電極５４が形成される。コン
タクトホール、ドレイン電極５３およびソース電極５４
の製造方法に関しては、後に詳述する。
【００３９】層間絶縁膜１５、ドレイン電極５３および
ソース電極５４の上の全面には、例えば有機樹脂からな
る平坦化絶縁膜１７が形成される。平坦化絶縁膜１７の
上には、有機ＥＬ素子６０が形成される。有機ＥＬ素子
６０は、陽極６１、発光素子層６６、および陰極６７が
この順で積層形成された構造を持つ。陽極６１は、平坦
化絶縁膜１７のソース電極５４に対応して設けられたコ
ンタクトホールを介してソース４３ｓと接続される。陽
極６１の上には絶縁膜６８が形成される。絶縁膜６８
は、陽極６１の厚みによる段差に起因する発光素子層６
６の断ち切れによって生じる陰極６７と陽極６１との短
絡を防止するために設けられる。
ソース電極５４の上の全面には、例えば有機樹脂からな
る平坦化絶縁膜１７が形成される。平坦化絶縁膜１７の
上には、有機ＥＬ素子６０が形成される。有機ＥＬ素子
６０は、陽極６１、発光素子層６６、および陰極６７が
この順で積層形成された構造を持つ。陽極６１は、平坦
化絶縁膜１７のソース電極５４に対応して設けられたコ
ンタクトホールを介してソース４３ｓと接続される。陽
極６１の上には絶縁膜６８が形成される。絶縁膜６８
は、陽極６１の厚みによる段差に起因する発光素子層６
６の断ち切れによって生じる陰極６７と陽極６１との短
絡を防止するために設けられる。
【００４０】陽極６１の材料としては、酸化インジウム
・スズ（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）、酸化スズ（Ｓ
ｎＯ２）、または酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ3）等が例
示される。一般的には、ホール注入効率や表面抵抗の低
さからＩＴＯが用いられる。陰極６７の材料としては、
例えば、リチウムを微量に含むアルミニウム合金、マグ
ネシウムインジウム合金、またはマグネシウム銀合金等
が例示される。発光素子層６６は、ホール輸送層６２、
発光層６４および電子輸送層６５がこの順で積層形成さ
れた構造を持つ。ホール輸送層６２の材料としては、4,
4’,4’’-トリス(3-メチルフェニルフェニルアミノ)ト
リフェニルアミン（4,4’,4’’-tris(3-methylphenylp
henylamino)triphenylamine：ＭＴＤＡＴＡ）、N,N’-
ジ(ナフタレン-１-イル)-N,N’-ジフェニル-ベンジジン
(N,N'-Di(naphthalene-１-yl)-N,N'-diphenyl-benzidin
e：ＮＰＢ)、N,N’-ジフェニル-N,N’-ジ(3-メチルフェ
ニル)-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミン（N,N’-diphe
nyl-N,N’-di(3-methylphenyl)-1,1’-biphenyl-4,4’-
diamine：ＴＰＤ）等が例示される。発光層６４の材料
としては、アルミキノレン錯体（Ａｌｑ３）、またはキ
ナクリドン誘導体を含むビス（ベンゾキノリノラト）ベ
リリウム錯体（bis (10-hydroxybenzo[h]quinolinato)
beryllium：Ｂｅｂｑ２）等が例示される。電子輸送層
６５の材料としては、Ａｌｑ３、またはＢｅｂｑ２等が
例示される。
・スズ（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）、酸化スズ（Ｓ
ｎＯ２）、または酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ3）等が例
示される。一般的には、ホール注入効率や表面抵抗の低
さからＩＴＯが用いられる。陰極６７の材料としては、
例えば、リチウムを微量に含むアルミニウム合金、マグ
ネシウムインジウム合金、またはマグネシウム銀合金等
が例示される。発光素子層６６は、ホール輸送層６２、
発光層６４および電子輸送層６５がこの順で積層形成さ
れた構造を持つ。ホール輸送層６２の材料としては、4,
4’,4’’-トリス(3-メチルフェニルフェニルアミノ)ト
リフェニルアミン（4,4’,4’’-tris(3-methylphenylp
henylamino)triphenylamine：ＭＴＤＡＴＡ）、N,N’-
ジ(ナフタレン-１-イル)-N,N’-ジフェニル-ベンジジン
(N,N'-Di(naphthalene-１-yl)-N,N'-diphenyl-benzidin
e：ＮＰＢ)、N,N’-ジフェニル-N,N’-ジ(3-メチルフェ
ニル)-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミン（N,N’-diphe
nyl-N,N’-di(3-methylphenyl)-1,1’-biphenyl-4,4’-
diamine：ＴＰＤ）等が例示される。発光層６４の材料
としては、アルミキノレン錯体（Ａｌｑ３）、またはキ
ナクリドン誘導体を含むビス（ベンゾキノリノラト）ベ
リリウム錯体（bis (10-hydroxybenzo[h]quinolinato)
beryllium：Ｂｅｂｑ２）等が例示される。電子輸送層
６５の材料としては、Ａｌｑ３、またはＢｅｂｑ２等が
例示される。
【００４１】ホール輸送層６２、電子輸送層６５および
陰極６７は、各表示画素の有機ＥＬ素子６０に共通に形
成される。発光層６４は、陽極６１に対応して島状に形
成される。
陰極６７は、各表示画素の有機ＥＬ素子６０に共通に形
成される。発光層６４は、陽極６１に対応して島状に形
成される。
【００４２】以上で説明した表示画素の構成、材料は例
示であり、これらに限定する趣旨ではない。例えば、第
１のＴＦＴ３０および第２のＴＦＴ４０は、ｎチャネル
型であってもよく、ｐチャネル型であってもよく、さら
にｎチャネル型とｐチャネル型との組合せであってもよ
い。また、各層の間には介在層があってもよい。
示であり、これらに限定する趣旨ではない。例えば、第
１のＴＦＴ３０および第２のＴＦＴ４０は、ｎチャネル
型であってもよく、ｐチャネル型であってもよく、さら
にｎチャネル型とｐチャネル型との組合せであってもよ
い。また、各層の間には介在層があってもよい。
【００４３】次に、以上のように構成された表示画素に
おいて、有機ＥＬ素子６０を発光させる動作を説明す
る。走査線Ｇｋからの信号が第１のＴＦＴ３０のゲート
電極に印加されると、第１のＴＦＴ３０がオンになる。
そのため、第１のＴＦＴ３０のソース（またはドレイ
ン）電極から印加された電荷がコンデンサＣに蓄積され
るとともに第２のＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加さ
れる。有機ＥＬ素子６０には、第２のＴＦＴ４０のゲー
ト電極４１に印加された電圧に応じた電流が電源線１１
２から供給される。
おいて、有機ＥＬ素子６０を発光させる動作を説明す
る。走査線Ｇｋからの信号が第１のＴＦＴ３０のゲート
電極に印加されると、第１のＴＦＴ３０がオンになる。
そのため、第１のＴＦＴ３０のソース（またはドレイ
ン）電極から印加された電荷がコンデンサＣに蓄積され
るとともに第２のＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加さ
れる。有機ＥＬ素子６０には、第２のＴＦＴ４０のゲー
ト電極４１に印加された電圧に応じた電流が電源線１１
２から供給される。
【００４４】有機ＥＬ素子６０において、陽極６１から
注入されたホールと陰極６７から注入された電子とが発
光層６４の内部で再結合し、発光層６４を構成する有機
分子を励起して励起子が生じる。この励起子が放射失活
する過程で発光層６４から光が放たれ、この光が透明な
陽極６１を介して外部へ放出されて有機ＥＬ素子６０が
発光する。
注入されたホールと陰極６７から注入された電子とが発
光層６４の内部で再結合し、発光層６４を構成する有機
分子を励起して励起子が生じる。この励起子が放射失活
する過程で発光層６４から光が放たれ、この光が透明な
陽極６１を介して外部へ放出されて有機ＥＬ素子６０が
発光する。
【００４５】以上の有機ＥＬ表示装置の表示画素の構造
をもとに、本発明の特徴を説明する。本発明の実施の形
態において、ドレイン電極５３およびソース電極５４
は、比抵抗の低い金属により構成された配線層が高融点
金属により構成される保護金属層によって被覆された多
層構造を持つ。第１の実施の形態において、保護金属層
は、ゲート絶縁膜１２よりも厚く形成される。
をもとに、本発明の特徴を説明する。本発明の実施の形
態において、ドレイン電極５３およびソース電極５４
は、比抵抗の低い金属により構成された配線層が高融点
金属により構成される保護金属層によって被覆された多
層構造を持つ。第１の実施の形態において、保護金属層
は、ゲート絶縁膜１２よりも厚く形成される。
【００４６】図３は、コンタクトホール、ドレイン電極
５３およびソース電極５４の形成方法を示す工程図であ
る。本実施の形態において、ゲート絶縁膜１２は、ＣＶ
Ｄ法によって成膜された酸化シリコン（ＳｉＯ２）によ
り構成される。層間絶縁膜１５は、ＣＶＤ法によって成
膜された窒化シリコン（ＳｉＮ）により構成された第１
の層間絶縁膜１３と、同じくＣＶＤ法によって成膜され
た酸化シリコン（ＳｉＯ２）により構成された第２の層
間絶縁膜１４とを有する。これらの第１の層間絶縁膜１
３と第２の層間絶縁膜１４とは、真空から取り出される
ことなく、連続してＣＶＤ法によって形成されるのが好
ましい。これにより、空気中の塵等が両膜の界面に付着
するのを防止することができる。
５３およびソース電極５４の形成方法を示す工程図であ
る。本実施の形態において、ゲート絶縁膜１２は、ＣＶ
Ｄ法によって成膜された酸化シリコン（ＳｉＯ２）によ
り構成される。層間絶縁膜１５は、ＣＶＤ法によって成
膜された窒化シリコン（ＳｉＮ）により構成された第１
の層間絶縁膜１３と、同じくＣＶＤ法によって成膜され
た酸化シリコン（ＳｉＯ２）により構成された第２の層
間絶縁膜１４とを有する。これらの第１の層間絶縁膜１
３と第２の層間絶縁膜１４とは、真空から取り出される
ことなく、連続してＣＶＤ法によって形成されるのが好
ましい。これにより、空気中の塵等が両膜の界面に付着
するのを防止することができる。
【００４７】以下に、コンタクトホールの形成方法を説
明する。能動層４３のソース４３ｓ（またはドレイン４
３ｄ）（図２参照）に対応した位置に開口が形成された
レジスト層１６０をマスクとして、緩衝フッ酸を用いて
エッチングを行う。まず、図３（ａ）に示すように、第
２の層間絶縁膜１４がエッチングにより除去される。こ
のとき、第２の層間絶縁膜１４において、レジスト層１
６０の下部分もアンダーエッチングされる。
明する。能動層４３のソース４３ｓ（またはドレイン４
３ｄ）（図２参照）に対応した位置に開口が形成された
レジスト層１６０をマスクとして、緩衝フッ酸を用いて
エッチングを行う。まず、図３（ａ）に示すように、第
２の層間絶縁膜１４がエッチングにより除去される。こ
のとき、第２の層間絶縁膜１４において、レジスト層１
６０の下部分もアンダーエッチングされる。
【００４８】次に、図３（ｂ）に示すように、第１の層
間絶縁膜１３がエッチングにより除去される。このと
き、第２の層間絶縁膜１４は、緩衝フッ酸に対するエッ
チングレートが第１の層間絶縁膜１３よりも大きいの
で、第１の層間絶縁膜１３がエッチングされる間に第２
の層間絶縁膜１４が横方向にさらにエッチングされる。
その結果、第１の層間絶縁膜１３は、上部方向からもエ
ッチングされるので、第１の層間絶縁膜１３のテーパ角
を小さくすることができる。
間絶縁膜１３がエッチングにより除去される。このと
き、第２の層間絶縁膜１４は、緩衝フッ酸に対するエッ
チングレートが第１の層間絶縁膜１３よりも大きいの
で、第１の層間絶縁膜１３がエッチングされる間に第２
の層間絶縁膜１４が横方向にさらにエッチングされる。
その結果、第１の層間絶縁膜１３は、上部方向からもエ
ッチングされるので、第１の層間絶縁膜１３のテーパ角
を小さくすることができる。
【００４９】図３（ｃ）に示すように、第１の層間絶縁
膜１３の縦方向のエッチングが終了すると、次にゲート
絶縁膜１２がエッチングされる。ゲート絶縁膜１２は、
縦方向にエッチングされるとともに横方向にもエッチン
グされる。このとき、第１の層間絶縁膜１３もエッチン
グされるが、ゲート絶縁膜１２は、緩衝フッ酸に対する
エッチングレートが第１の層間絶縁膜１３よりも大きい
ので、ゲート絶縁膜１２の方が第１の層間絶縁膜１３よ
りも横方向に多くエッチングされる。その結果、図示す
るように、第１の層間絶縁膜１３とゲート絶縁膜１２と
の境界にオーバーハング部が形成される。オーバーハン
グ部とは、第１の層間絶縁膜１３とゲート絶縁膜１２と
の境界において、第１の層間絶縁膜１３がコンタクトホ
ールの中心に向かってゲート絶縁膜１２よりも突出した
形状のことである。このようにして、能動層４３のドレ
イン１４ｄ（またはソース１４ｓ）に対応した位置に、
ゲート絶縁膜１２、第１の層間絶縁膜１３、および第２
の層間絶縁膜１４を貫通したコンタクトホールが形成さ
れる。
膜１３の縦方向のエッチングが終了すると、次にゲート
絶縁膜１２がエッチングされる。ゲート絶縁膜１２は、
縦方向にエッチングされるとともに横方向にもエッチン
グされる。このとき、第１の層間絶縁膜１３もエッチン
グされるが、ゲート絶縁膜１２は、緩衝フッ酸に対する
エッチングレートが第１の層間絶縁膜１３よりも大きい
ので、ゲート絶縁膜１２の方が第１の層間絶縁膜１３よ
りも横方向に多くエッチングされる。その結果、図示す
るように、第１の層間絶縁膜１３とゲート絶縁膜１２と
の境界にオーバーハング部が形成される。オーバーハン
グ部とは、第１の層間絶縁膜１３とゲート絶縁膜１２と
の境界において、第１の層間絶縁膜１３がコンタクトホ
ールの中心に向かってゲート絶縁膜１２よりも突出した
形状のことである。このようにして、能動層４３のドレ
イン１４ｄ（またはソース１４ｓ）に対応した位置に、
ゲート絶縁膜１２、第１の層間絶縁膜１３、および第２
の層間絶縁膜１４を貫通したコンタクトホールが形成さ
れる。
【００５０】レジスト層１６０を除去し、図３（ｄ）に
示すように、コンタクトホールおよび第２の層間絶縁膜
１４の上部全面に高融点金属により構成された第１の保
護金属層１７０、低抵抗金属により構成された配線層１
７２、および高融点金属により構成された第２の保護金
属層１７４を順次スパッタリング法により形成する。こ
のとき、第２の保護金属層１７４は、ゲート絶縁膜１２
よりも厚く形成される。その後、第１の保護金属層１７
０、配線層１７２および第２の保護金属層１７４をエッ
チングしてドレイン電極５３およびソース電極５４を形
成する。
示すように、コンタクトホールおよび第２の層間絶縁膜
１４の上部全面に高融点金属により構成された第１の保
護金属層１７０、低抵抗金属により構成された配線層１
７２、および高融点金属により構成された第２の保護金
属層１７４を順次スパッタリング法により形成する。こ
のとき、第２の保護金属層１７４は、ゲート絶縁膜１２
よりも厚く形成される。その後、第１の保護金属層１７
０、配線層１７２および第２の保護金属層１７４をエッ
チングしてドレイン電極５３およびソース電極５４を形
成する。
【００５１】本実施の形態において、第２の保護金属層
１７４をゲート絶縁膜１２よりも厚く形成することによ
り、第１の層間絶縁膜１３とゲート絶縁膜１２との境界
にオーバーハング部が形成されていても、第２の保護金
属層１７４が途切れることなく形成される。したがっ
て、ドレイン電極５３およびソース電極５４のウィスカ
の発生を抑えることができる。そのため、図２に示した
ように、ドレイン電極５３およびソース電極５４の上方
に有機ＥＬ素子６０の陰極６７が一面に形成されても、
ショートがおこらず、表示装置１００を安定に製造する
ことができる。
１７４をゲート絶縁膜１２よりも厚く形成することによ
り、第１の層間絶縁膜１３とゲート絶縁膜１２との境界
にオーバーハング部が形成されていても、第２の保護金
属層１７４が途切れることなく形成される。したがっ
て、ドレイン電極５３およびソース電極５４のウィスカ
の発生を抑えることができる。そのため、図２に示した
ように、ドレイン電極５３およびソース電極５４の上方
に有機ＥＬ素子６０の陰極６７が一面に形成されても、
ショートがおこらず、表示装置１００を安定に製造する
ことができる。
【００５２】また、本実施の形態において、第１の保護
金属層１７０もまた、ゲート絶縁膜１２よりも厚く形成
される。これにより、ドレイン電極５３およびソース電
極５４のウィスカの発生を抑えることができる。そのた
め、ドレイン電極５３およびソース電極５４と他の電極
との間のショートがおこらず、表示装置１００を安定に
製造することができる。
金属層１７０もまた、ゲート絶縁膜１２よりも厚く形成
される。これにより、ドレイン電極５３およびソース電
極５４のウィスカの発生を抑えることができる。そのた
め、ドレイン電極５３およびソース電極５４と他の電極
との間のショートがおこらず、表示装置１００を安定に
製造することができる。
【００５３】さらに、本実施の形態において、第１の層
間絶縁膜１３は、ゲート絶縁膜１２以上の厚さに形成さ
れる。これにより、第１の層間絶縁膜１３が上方向から
エッチングされる時間が長くなり、第１の層間絶縁膜１
３のテーパ角を緩やかにすることができる。また、第１
の層間絶縁膜１３上に、第１の層間絶縁膜１３よりも緩
衝フッ酸に対するエッチングレートが高い材料により構
成された第２の層間絶縁膜１４が形成されているので、
第１の層間絶縁膜１３が上方向からエッチングされる時
間が長くなり、第１の層間絶縁膜１３のテーパ角をさら
に緩やかにすることができる。
間絶縁膜１３は、ゲート絶縁膜１２以上の厚さに形成さ
れる。これにより、第１の層間絶縁膜１３が上方向から
エッチングされる時間が長くなり、第１の層間絶縁膜１
３のテーパ角を緩やかにすることができる。また、第１
の層間絶縁膜１３上に、第１の層間絶縁膜１３よりも緩
衝フッ酸に対するエッチングレートが高い材料により構
成された第２の層間絶縁膜１４が形成されているので、
第１の層間絶縁膜１３が上方向からエッチングされる時
間が長くなり、第１の層間絶縁膜１３のテーパ角をさら
に緩やかにすることができる。
【００５４】また、第１の層間絶縁膜１３は、コンタク
トホールの最も広い部分の半径が所望の値以下となるよ
うに形成することができる。例えば、本実施の形態にお
いては、コンタクトホールの最も広い部分の半径が（２
＋α）μｍ（αはレジスト層１６０の開口の半径、本実
施の形態において、α＝約２μｍ）以下となるように形
成することができる。図３（ｃ）に示すように、ゲート
絶縁膜１２（ＳｉＯ２）／第１の層間絶縁膜１３（Ｓｉ
Ｎ）／第２の層間絶縁膜１４（ＳｉＯ２）の膜厚をｄ
１、ｄ２、ｄ３、それぞれの緩衝フッ酸に対するエッチ
ングレートをｒ１、ｒ２、ｒ３とすると、全エッチング
時間Ｔ＝ｄ１／ｒ１＋ｄ２／ｒ２＋ｄ３／ｒ３となる。
トホールの最も広い部分の半径が所望の値以下となるよ
うに形成することができる。例えば、本実施の形態にお
いては、コンタクトホールの最も広い部分の半径が（２
＋α）μｍ（αはレジスト層１６０の開口の半径、本実
施の形態において、α＝約２μｍ）以下となるように形
成することができる。図３（ｃ）に示すように、ゲート
絶縁膜１２（ＳｉＯ２）／第１の層間絶縁膜１３（Ｓｉ
Ｎ）／第２の層間絶縁膜１４（ＳｉＯ２）の膜厚をｄ
１、ｄ２、ｄ３、それぞれの緩衝フッ酸に対するエッチ
ングレートをｒ１、ｒ２、ｒ３とすると、全エッチング
時間Ｔ＝ｄ１／ｒ１＋ｄ２／ｒ２＋ｄ３／ｒ３となる。
【００５５】第２の層間絶縁膜１４におけるコンタクト
ホールの広がりＬ＝ｒ３×Ｔとなる。したがって、ゲー
ト絶縁膜１２、第１の層間絶縁膜１３および第２の層間
絶縁膜１４は、Ｌ＝ｒ３×Ｔ≦２μｍ（式１）となるよ
うな厚さに形成される。本実施の形態において、ゲート
絶縁膜１２および第２の層間絶縁膜１４はいずれもＳｉ
Ｏ２により構成されるので、ｒ１≒ｒ３とすることがで
きる。これを式１に代入すると、ｄ２≦ｒ２／ｒ３（２
−ｄ１−ｄ３）となる。第１の層間絶縁膜１３の厚さｄ
２は、第１の層間絶縁膜１３および第２の層間絶縁膜１
４に対する緩衝フッ酸のエッチングレートｒ２およびｒ
３、第２の層間絶縁膜１４の厚さｄ３およびゲート絶縁
膜の厚さｄ１に応じて定めることができる。通常、Ｓｉ
Ｏ２膜の緩衝フッ酸に対するエッチングレートは、Ｓｉ
Ｎ膜のものの３〜１０倍である。
ホールの広がりＬ＝ｒ３×Ｔとなる。したがって、ゲー
ト絶縁膜１２、第１の層間絶縁膜１３および第２の層間
絶縁膜１４は、Ｌ＝ｒ３×Ｔ≦２μｍ（式１）となるよ
うな厚さに形成される。本実施の形態において、ゲート
絶縁膜１２および第２の層間絶縁膜１４はいずれもＳｉ
Ｏ２により構成されるので、ｒ１≒ｒ３とすることがで
きる。これを式１に代入すると、ｄ２≦ｒ２／ｒ３（２
−ｄ１−ｄ３）となる。第１の層間絶縁膜１３の厚さｄ
２は、第１の層間絶縁膜１３および第２の層間絶縁膜１
４に対する緩衝フッ酸のエッチングレートｒ２およびｒ
３、第２の層間絶縁膜１４の厚さｄ３およびゲート絶縁
膜の厚さｄ１に応じて定めることができる。通常、Ｓｉ
Ｏ２膜の緩衝フッ酸に対するエッチングレートは、Ｓｉ
Ｎ膜のものの３〜１０倍である。
【００５６】以上の条件に適合する場合に、第１の層間
絶縁膜１３の厚さの好ましい範囲は、１００〜６００ｎ
ｍである。第２の層間絶縁膜１４の厚さの好ましい範囲
は、１００〜５００ｎｍである。ゲート酸化膜１２の厚
さの好ましい範囲は、２０〜１００ｎｍである。第１の
保護金属層１７０の厚さの好ましい範囲は３０〜１２０
ｎｍ、第２の保護金属層１７４の厚さの好ましい範囲は
３０〜１２０ｎｍ、配線層１７２の厚さの好ましい範囲
は３００〜７００ｎｍである。
絶縁膜１３の厚さの好ましい範囲は、１００〜６００ｎ
ｍである。第２の層間絶縁膜１４の厚さの好ましい範囲
は、１００〜５００ｎｍである。ゲート酸化膜１２の厚
さの好ましい範囲は、２０〜１００ｎｍである。第１の
保護金属層１７０の厚さの好ましい範囲は３０〜１２０
ｎｍ、第２の保護金属層１７４の厚さの好ましい範囲は
３０〜１２０ｎｍ、配線層１７２の厚さの好ましい範囲
は３００〜７００ｎｍである。
【００５７】第２の実施の形態：図４は、本発明の第２
の実施の形態を説明する模式図である。第１の実施の形
態においては、第２の保護金属層１７４がゲート絶縁膜
１２よりも厚く形成される形態を説明したが、本実施の
形態において、第２の保護金属層１７４は、オーバーハ
ング部の先端部とその先端部下方のゲート絶縁膜１２と
の距離ｄ４よりも厚く形成される。これにより、第１の
層間絶縁膜１３とゲート絶縁膜１２との境界にオーバー
ハング部が形成されていても、第２の保護金属層１７４
が途切れることなく形成される。したがって、ドレイン
電極５３およびソース電極５４へのウィスカの発生を抑
えることができる。そのため、図２に示したように、ド
レイン電極５３およびソース電極５４の上方に有機ＥＬ
素子６０の陰極６７が一面に形成されても、ショートが
おこらず、表示装置１００を安定に製造することができ
る。
の実施の形態を説明する模式図である。第１の実施の形
態においては、第２の保護金属層１７４がゲート絶縁膜
１２よりも厚く形成される形態を説明したが、本実施の
形態において、第２の保護金属層１７４は、オーバーハ
ング部の先端部とその先端部下方のゲート絶縁膜１２と
の距離ｄ４よりも厚く形成される。これにより、第１の
層間絶縁膜１３とゲート絶縁膜１２との境界にオーバー
ハング部が形成されていても、第２の保護金属層１７４
が途切れることなく形成される。したがって、ドレイン
電極５３およびソース電極５４へのウィスカの発生を抑
えることができる。そのため、図２に示したように、ド
レイン電極５３およびソース電極５４の上方に有機ＥＬ
素子６０の陰極６７が一面に形成されても、ショートが
おこらず、表示装置１００を安定に製造することができ
る。
【００５８】また、本実施の形態において、第１の保護
金属層１７０もまた、オーバーハング部の先端部とその
先端部下方のゲート絶縁膜１２との距離ｄ４よりも厚く
形成される。これにより、電極間のショートを防ぐこと
ができるという同様の効果が得られる。
金属層１７０もまた、オーバーハング部の先端部とその
先端部下方のゲート絶縁膜１２との距離ｄ４よりも厚く
形成される。これにより、電極間のショートを防ぐこと
ができるという同様の効果が得られる。
【００５９】なお、以上の実施の形態において、ゲート
絶縁膜１２および第２の層間絶縁膜１４は、ＳｉＯ２に
より構成されるとしたが、ゲート絶縁膜１２および第２
の層間絶縁膜１４は、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）によ
り構成されてもよい。本発明に係る配線構造およびその
配線構造の製造方法は、多層構造の膜を所定のエッチン
グ液によりエッチングしてホールを形成する際に、その
多層構造の膜の下層を構成する材料のそのエッチング液
に対するエッチングレートが上層を構成する材料のもの
よりも大きい場合に効果的に用いられる。
絶縁膜１２および第２の層間絶縁膜１４は、ＳｉＯ２に
より構成されるとしたが、ゲート絶縁膜１２および第２
の層間絶縁膜１４は、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）によ
り構成されてもよい。本発明に係る配線構造およびその
配線構造の製造方法は、多層構造の膜を所定のエッチン
グ液によりエッチングしてホールを形成する際に、その
多層構造の膜の下層を構成する材料のそのエッチング液
に対するエッチングレートが上層を構成する材料のもの
よりも大きい場合に効果的に用いられる。
【００６０】また、以上の実施の形態において、第１の
層間絶縁膜１３がＳｉＮにより構成されるとして説明し
たが、例えばゲート絶縁膜１２の上に第２のゲート絶縁
膜としてＳｉＮにより構成された層が設けられてもよ
い。
層間絶縁膜１３がＳｉＮにより構成されるとして説明し
たが、例えばゲート絶縁膜１２の上に第２のゲート絶縁
膜としてＳｉＮにより構成された層が設けられてもよ
い。
【００６１】
【発明の効果】本発明によれば、配線構造において、電
極間のショートを防いで装置の不良の発生割合を低減す
ることにある。
極間のショートを防いで装置の不良の発生割合を低減す
ることにある。
【図１】 表示装置の一部を示す平面図である。
【図２】 図１に示した表示画素において点線で囲んだ
領域の断面図である。
領域の断面図である。
【図３】 コンタクトホール、ソース電極およびドレイ
ン電極の形成方法を示す工程図である。
ン電極の形成方法を示す工程図である。
【図４】 本発明の第２の実施の形態を説明する模式図
である。
である。
【図５】 従来の有機ＥＬ素子のＴＦＴの断面図であ
る。
る。
【図６】 従来の有機ＥＬ素子のＴＦＴにおけるコンタ
クトホールを示す断面図である。
クトホールを示す断面図である。
１０ 絶縁性基板、 １２ ゲート絶縁膜、 １３ 第
１の層間絶縁膜、１４第２の層間絶縁膜、 １５ 層間
絶縁膜、 ３０ 第１のＴＦＴ、 ４０ 第２のＴＦ
Ｔ、 ５３ ドレイン電極、 ５４ ソース電極、 ６
０ 有機ＥＬ素子、 ６１ 陽極、 ６４ 発光層、
６６ 発光素子層、 １００ 表示装置、 １７０ 第
１の保護金属層、 １７２ 配線層、 １７４ 第２の
保護金属層。
１の層間絶縁膜、１４第２の層間絶縁膜、 １５ 層間
絶縁膜、 ３０ 第１のＴＦＴ、 ４０ 第２のＴＦ
Ｔ、 ５３ ドレイン電極、 ５４ ソース電極、 ６
０ 有機ＥＬ素子、 ６１ 陽極、 ６４ 発光層、
６６ 発光素子層、 １００ 表示装置、 １７０ 第
１の保護金属層、 １７２ 配線層、 １７４ 第２の
保護金属層。
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 3K007 AB05 AB08 DB03 GA00
4M104 AA01 AA08 AA09 BB02 BB13
BB16 BB17 BB18 CC01 CC05
DD09 DD12 DD16 DD17 DD18
DD37 EE03 EE12 EE14 EE16
EE17 FF13 FF22 GG09 HH05
HH08 HH20
5F033 GG04 HH07 HH08 HH11 HH13
HH14 HH17 HH19 HH20 HH21
HH38 JJ01 JJ07 JJ08 JJ11
JJ13 JJ14 JJ17 JJ19 JJ20
JJ21 KK01 KK04 KK07 KK08
KK11 KK13 KK14 KK17 KK19
KK20 KK21 MM05 MM08 NN06
PP15 QQ09 QQ19 QQ33 QQ34
QQ37 QQ98 RR04 RR06 RR08
RR21 SS11 TT02 VV06 VV15
WW02 XX13 XX28 XX31
5F110 AA26 BB01 BB04 CC01 CC02
DD02 DD03 EE04 FF02 FF03
FF04 FF09 FF29 GG02 GG13
HL02 HL03 HL04 HL12 HL23
HM03 HM17 HM19 NN03 NN22
NN23 NN24 NN35 PP03 QQ05
QQ09
Claims (9)
- 【請求項１】 異なる材料により構成された第１の絶縁
層および第２の絶縁層がこの順で積層された絶縁膜に形
成されたコンタクトホールに設けられた配線構造であっ
て、 高融点金属により構成された第１の金属層と、 前記高融点金属よりも抵抗の低い金属により構成された
配線層と、 高融点金属により構成され、前記第１の絶縁層よりも厚
く形成された第２の金属層と、 がこの順で積層された配線を有することを特徴とする配
線構造。 - 【請求項２】 異なる材料により構成された第１の絶縁
層および第２の絶縁層がこの順で積層された絶縁膜に形
成されたコンタクトホールに設けられた配線構造であっ
て、 前記コンタクトホールは所定のエッチング液を用いたエ
ッチングにより形成され、前記コンタクトホールにおい
て、前記第２の絶縁膜には、前記第１の絶縁膜よりも前
記コンタクトホールの中心方向に突出したオーバーハン
グ部が形成され、 高融点金属により構成された第１の金属層と、 前記高融点金属よりも抵抗の低い金属により構成された
配線層と、 高融点金属により構成され、前記オーバーハング部とそ
の下方の前記第１の絶縁膜との距離よりも厚く形成され
た第２の金属層と、 がこの順で積層された配線を有することを特徴とする配
線構造。 - 【請求項３】 異なる材料により構成された第１の絶縁
層および第２の絶縁層がこの順で積層された絶縁膜に形
成されたコンタクトホールに設けられた配線構造であっ
て、 前記コンタクトホールは所定のエッチング液を用いたエ
ッチングにより形成され、 高融点金属により構成された第１の金属層と、 前記高融点金属よりも抵抗の低い金属により構成された
配線層と、 高融点金属により構成され、前記第１の絶縁層と前記第
２の絶縁層の前記所定のエッチング液に対するエッチン
グレートの違いにより生じた段差によっても途切れない
厚さに形成された第２の金属層と、 がこの順で積層された配線を有することを特徴とする配
線構造。 - 【請求項４】 前記コンタクトホールは、前記第２の絶
縁層において前記第１の絶縁層よりも緩やかなテーパ部
を有するように形成されたことを特徴とする請求項１か
ら３のいずれかに記載の配線構造。 - 【請求項５】 前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層
の膜厚以上、６００ｎｍ以下の厚さに形成されたことを
特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の配線構
造。 - 【請求項６】 前記第１の金属層は、前記第１の絶縁層
よりも厚く形成されたことを特徴とする請求項１から５
のいずれかに記載の配線構造。 - 【請求項７】 異なる材料により構成された第１の絶縁
層および第２の絶縁層がこの順で積層された絶縁膜に、
所定のエッチング液を用いたエッチングによりコンタク
トホールを形成する工程と、 前記コンタクトホールに、高融点金属により構成された
第１の金属層を形成する工程と、 前記第１の金属層の上に、前記高融点金属よりも抵抗の
低い金属により構成された配線層を形成する工程と、 前記配線層の上に、高融点金属により構成された第２の
金属層を前記第１の絶縁層よりも厚く形成する工程と、 を含むことを特徴とする配線構造の製造方法。 - 【請求項８】 前記コンタクトホールを形成する工程
は、前記第１の絶縁層に対するエッチングレートが前記
第２の絶縁層に対するエッチングレートよりも高いエッ
チング液により前記エッチングを行うことを特徴とする
請求項７に記載の配線構造の製造方法。 - 【請求項９】 請求項１から６のいずれかに記載の配線
構造と、 該配線構造の上部に設けられ、少なくとも陽極、発光素
子層、および陰極を有する光学素子と、を含むことを特
徴とする表示装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002059151A JP2003258094A (ja) | 2002-03-05 | 2002-03-05 | 配線構造、その製造方法、および表示装置 |
| CNB031043801A CN100405610C (zh) | 2002-03-05 | 2003-02-10 | 在接触孔中形成的配线分层结构，配线分层结构的制作方法，以及具有该配线分层结构的显示装置 |
| KR10-2003-0013315A KR100504051B1 (ko) | 2002-03-05 | 2003-03-04 | 배선 구조 및 그 제조 방법, 이를 포함하는 표시 장치 |
| US10/378,907 US6717218B2 (en) | 2002-03-05 | 2003-03-05 | Wiring structure formed in contact hole, manufacturing method therefor, and a display apparatus having the same |
| US10/796,189 US20040183427A1 (en) | 2002-03-05 | 2004-03-10 | Layered structure of wire (s) formed in contact hole, a manufacturing method therefor, and a display apparatus having the same |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2002059151A JP2003258094A (ja) | 2002-03-05 | 2002-03-05 | 配線構造、その製造方法、および表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003258094A true JP2003258094A (ja) | 2003-09-12 |
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ID=27784733
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|---|---|---|---|
| JP2002059151A Pending JP2003258094A (ja) | 2002-03-05 | 2002-03-05 | 配線構造、その製造方法、および表示装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6717218B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003258094A (ja) |
| KR (1) | KR100504051B1 (ja) |
| CN (1) | CN100405610C (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009093602A1 (ja) * | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | 表示装置 |
| JP2009545117A (ja) * | 2006-07-25 | 2009-12-17 | エルジー・ケム・リミテッド | 有機発光素子の製造方法およびこれによって製造された有機発光素子 |
| KR101052960B1 (ko) * | 2004-04-29 | 2011-07-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 폴리실리콘 액정표시소자 제조방법 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7579251B2 (en) * | 2003-05-15 | 2009-08-25 | Fujitsu Limited | Aerosol deposition process |
| KR20060020017A (ko) * | 2004-08-30 | 2006-03-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자와 이의 제조 방법 |
| TWI253872B (en) * | 2004-09-23 | 2006-04-21 | Au Optronics Corp | Organic electro-luminescence device and method for forming the same |
| KR100700650B1 (ko) * | 2005-01-05 | 2007-03-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 장치 및 그 제조 방법 |
| CN100553010C (zh) * | 2005-07-29 | 2009-10-21 | 京瓷株式会社 | 有机el元件以及制造方法 |
| KR101135540B1 (ko) | 2009-11-30 | 2012-04-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시장치 |
| CN104051542B (zh) * | 2014-06-23 | 2016-10-05 | 上海和辉光电有限公司 | 有机发光显示装置及其薄膜晶体管 |
Family Cites Families (47)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3662210A (en) * | 1970-04-28 | 1972-05-09 | Viktor Fedorovich Maximov | Electrode for pulse high-power electrovacuum devices |
| JPH0673023B2 (ja) | 1984-12-10 | 1994-09-14 | 三井石油化学工業株式会社 | 熱定着型電子写真用現像材 |
| JPH084153B2 (ja) | 1987-04-08 | 1996-01-17 | 沖電気工業株式会社 | 発光ダイオ−ド駆動回路 |
| JP2819929B2 (ja) * | 1991-03-19 | 1998-11-05 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2946921B2 (ja) | 1992-03-10 | 1999-09-13 | 日本電気株式会社 | 低電力駆動回路 |
| US5517080A (en) * | 1992-12-14 | 1996-05-14 | Westinghouse Norden Systems Inc. | Sunlight viewable thin film electroluminescent display having a graded layer of light absorbing dark material |
| DE69426208T2 (de) * | 1993-08-05 | 2001-05-17 | Matsushita Electronics Corp., Takatsuki | Halbleiterbauelement mit Kondensator und dessen Herstellungsverfahren |
| JP3436971B2 (ja) * | 1994-06-03 | 2003-08-18 | 三菱電機株式会社 | 電圧制御型電流源およびそれを用いたバイアス発生回路 |
| JP2689917B2 (ja) | 1994-08-10 | 1997-12-10 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス型電流制御型発光素子の駆動回路 |
| US5945008A (en) * | 1994-09-29 | 1999-08-31 | Sony Corporation | Method and apparatus for plasma control |
| JPH08129358A (ja) | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Tdk Corp | エレクトロルミネセンス表示装置 |
| JPH08204009A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-08-09 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置及び該半導体装置の製造方法 |
| JP3645379B2 (ja) * | 1996-01-19 | 2005-05-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| KR100255516B1 (ko) * | 1996-11-28 | 2000-05-01 | 김영환 | 반도체 장치의 금속배선 및 그 형성방법 |
| JPH10198292A (ja) * | 1996-12-30 | 1998-07-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JPH10319872A (ja) | 1997-01-17 | 1998-12-04 | Xerox Corp | アクティブマトリクス有機発光ダイオード表示装置 |
| TW491985B (en) | 1997-02-17 | 2002-06-21 | Seiko Epson Corporatoin | Display unit |
| US5851732A (en) * | 1997-03-06 | 1998-12-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Plasma display panel device fabrication utilizing black electrode between substrate and conductor electrode |
| JP3767877B2 (ja) | 1997-09-29 | 2006-04-19 | 三菱化学株式会社 | アクティブマトリックス発光ダイオード画素構造およびその方法 |
| JP3679567B2 (ja) * | 1997-09-30 | 2005-08-03 | 三洋電機株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JPH11260562A (ja) | 1998-03-09 | 1999-09-24 | Tdk Corp | 有機ｅｌカラーディスプレイ |
| GB9812739D0 (en) * | 1998-06-12 | 1998-08-12 | Koninkl Philips Electronics Nv | Active matrix electroluminescent display devices |
| JP2000221903A (ja) | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2000276078A (ja) * | 1999-03-23 | 2000-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| US6281552B1 (en) * | 1999-03-23 | 2001-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistors having ldd regions |
| JP3259774B2 (ja) * | 1999-06-09 | 2002-02-25 | 日本電気株式会社 | 画像表示方法および装置 |
| JP4092857B2 (ja) | 1999-06-17 | 2008-05-28 | ソニー株式会社 | 画像表示装置 |
| JP4595143B2 (ja) * | 1999-09-06 | 2010-12-08 | 双葉電子工業株式会社 | 有機ｅｌデバイスとその製造方法 |
| JP2001102172A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-04-13 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| GB9923261D0 (en) * | 1999-10-02 | 1999-12-08 | Koninkl Philips Electronics Nv | Active matrix electroluminescent display device |
| JP2001147659A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-05-29 | Sony Corp | 表示装置 |
| JP2002057212A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
| TWI226205B (en) * | 2000-03-27 | 2005-01-01 | Semiconductor Energy Lab | Self-light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2001282136A (ja) | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| US6489222B2 (en) * | 2000-06-02 | 2002-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US7078321B2 (en) * | 2000-06-19 | 2006-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US6528824B2 (en) * | 2000-06-29 | 2003-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP3673715B2 (ja) * | 2000-12-06 | 2005-07-20 | キヤノン株式会社 | ピークホールド回路 |
| US6747290B2 (en) * | 2000-12-12 | 2004-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Information device |
| JP3846293B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2006-11-15 | 日本電気株式会社 | 帰還型増幅回路及び駆動回路 |
| JP3757797B2 (ja) * | 2001-01-09 | 2006-03-22 | 株式会社日立製作所 | 有機ｌｅｄディスプレイおよびその駆動方法 |
| TW536689B (en) * | 2001-01-18 | 2003-06-11 | Sharp Kk | Display, portable device, and substrate |
| US6770518B2 (en) * | 2001-01-29 | 2004-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US6407534B1 (en) * | 2001-02-06 | 2002-06-18 | Quallion Llc | Detecting a microcurrent and a microcurrent detecting circuit |
| US6717181B2 (en) * | 2001-02-22 | 2004-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Luminescent device having thin film transistor |
| JP4231645B2 (ja) * | 2001-12-12 | 2009-03-04 | 大日本印刷株式会社 | パターン形成体の製造方法 |
| JP2004028550A (ja) * | 2001-12-28 | 2004-01-29 | Canon Inc | 複数の物質を含有する混合気体から各物質を分離する分離方法及びその装置 |
-
2002
- 2002-03-05 JP JP2002059151A patent/JP2003258094A/ja active Pending
-
2003
- 2003-02-10 CN CNB031043801A patent/CN100405610C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-03-04 KR KR10-2003-0013315A patent/KR100504051B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2003-03-05 US US10/378,907 patent/US6717218B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-03-10 US US10/796,189 patent/US20040183427A1/en not_active Abandoned
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101052960B1 (ko) * | 2004-04-29 | 2011-07-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 폴리실리콘 액정표시소자 제조방법 |
| JP2009545117A (ja) * | 2006-07-25 | 2009-12-17 | エルジー・ケム・リミテッド | 有機発光素子の製造方法およびこれによって製造された有機発光素子 |
| WO2009093602A1 (ja) * | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | 表示装置 |
| JP5389672B2 (ja) * | 2008-01-21 | 2014-01-15 | ゴールドチャームリミテッド | 表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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