JP2000277814A - 光通信モジュール - Google Patents
光通信モジュールInfo
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高機能化を図ることが可能な光通信モジュー
ルを提供する。 【解決手段】 本発明に係わる光通信モジュール1は、
第1の導電層を有するフレキシブルプリント基板2と、
半導体電子デバイス4、6、半導体光デバイス8ととを
備える。半導体光デバイス8は、フレキシブルプリント
基板2上に搭載され所定波長の光を発光叉は受光する。
半導体電子デバイス4、6は、フレキシブルプリント基
板2上に搭載されフレキシブルプリント基板2上の第1
の導電層を介して半導体光デバイス8に電気的に接続さ
れている。半導体光デバイス8および半導体電子デバイ
ス4、6は封止用樹脂10、12を用いて封止されてい
る。
ルを提供する。 【解決手段】 本発明に係わる光通信モジュール1は、
第1の導電層を有するフレキシブルプリント基板2と、
半導体電子デバイス4、6、半導体光デバイス8ととを
備える。半導体光デバイス8は、フレキシブルプリント
基板2上に搭載され所定波長の光を発光叉は受光する。
半導体電子デバイス4、6は、フレキシブルプリント基
板2上に搭載されフレキシブルプリント基板2上の第1
の導電層を介して半導体光デバイス8に電気的に接続さ
れている。半導体光デバイス8および半導体電子デバイ
ス4、6は封止用樹脂10、12を用いて封止されてい
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光通信モジュールに
関し、特に、フレキシブルプリント基板上に搭載された
半導体光デバイス及び半導体電子デバイスを備える光通
信モジュールに関する。
関し、特に、フレキシブルプリント基板上に搭載された
半導体光デバイス及び半導体電子デバイスを備える光通
信モジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の光リンクには、以下のようなもの
があった。
があった。
【0003】特開平10−123376号公報には、光
リンクに使用されるリードフレームに関する技術が記載
されている。そのリードフレームは、光素子搭載部、電
子素子搭載部、およびこの両部を電気的に接続し所定の
形状を保持するための接続部を有する。リードフレーム
の光素子搭載部には光素子を搭載し、電子素子搭載部に
は電子素子を搭載している。電子素子搭載部および光素
子搭載部には、光素子および電子素子を電気的に接続す
るために配線リードが形成され、これらの各部は個別に
樹脂封止されている。この光リンクでは、接続部を鉤型
に折り曲げることによって光素子の光軸の方向を光ファ
イバに向けている。
リンクに使用されるリードフレームに関する技術が記載
されている。そのリードフレームは、光素子搭載部、電
子素子搭載部、およびこの両部を電気的に接続し所定の
形状を保持するための接続部を有する。リードフレーム
の光素子搭載部には光素子を搭載し、電子素子搭載部に
は電子素子を搭載している。電子素子搭載部および光素
子搭載部には、光素子および電子素子を電気的に接続す
るために配線リードが形成され、これらの各部は個別に
樹脂封止されている。この光リンクでは、接続部を鉤型
に折り曲げることによって光素子の光軸の方向を光ファ
イバに向けている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このリードフレームで
は、配線リードは外部リードピンも兼ねている。このた
め、機械的な強度の点から、微細な配線を形成するため
にリードフレーム用金属板の厚さを薄くすることにも限
界がある。配線リードの強度が不十分であると、樹脂モ
ールドの際に配線リードが変形してしまう可能性もあ
る。
は、配線リードは外部リードピンも兼ねている。このた
め、機械的な強度の点から、微細な配線を形成するため
にリードフレーム用金属板の厚さを薄くすることにも限
界がある。配線リードの強度が不十分であると、樹脂モ
ールドの際に配線リードが変形してしまう可能性もあ
る。
【0005】また、リードフレームは、薄い金属板から
エッチングによって形成されるので、製作方法に起因す
る微細化の限界も存在する。
エッチングによって形成されるので、製作方法に起因す
る微細化の限界も存在する。
【0006】リードフレームは、所望の形状の配線リー
ド及びダイパッドを有している。しかしながら、リード
フレームは単一の金属板から形成されるので、リードフ
レーム上に搭載される素子間を接続するために多層の導
電層を使用できない。
ド及びダイパッドを有している。しかしながら、リード
フレームは単一の金属板から形成されるので、リードフ
レーム上に搭載される素子間を接続するために多層の導
電層を使用できない。
【0007】一方、光リンクの高機能化を図るために
は、より複雑で微細な配線パターンを形成可能な構造が
必要である。
は、より複雑で微細な配線パターンを形成可能な構造が
必要である。
【0008】そこで、本発明の目的は、高機能化を図る
ことが可能な光通信モジュールを提供することにある。
ことが可能な光通信モジュールを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】発明者は、このような課
題を解決しつつ、更に今後の光通信の高速化にも対応可
能な光通信モジュールについて検討を重ねた。
題を解決しつつ、更に今後の光通信の高速化にも対応可
能な光通信モジュールについて検討を重ねた。
【0010】高速な光通信を行うためには、ノイズ特性
を良好にすることが重要である。このためには、GND
配線を強化する必要がある。しかしながら、リードフレ
ームでは、GND電位の強化にも限界がある。
を良好にすることが重要である。このためには、GND
配線を強化する必要がある。しかしながら、リードフレ
ームでは、GND電位の強化にも限界がある。
【0011】また、従来と同様に光デバイスおよび半導
体電子デバイスを樹脂封止することも必要である。
体電子デバイスを樹脂封止することも必要である。
【0012】以上のことを検討した結果、本発明を次の
ようにした。
ようにした。
【0013】本発明に係わる光通信モジュールは、フレ
キシブルプリント基板と、半導体光デバイスと、半導体
電子デバイスとを備える。半導体光デバイスは、フレキ
シブルプリント基板上に搭載され所定波長の光を発光叉
は受光する。半導体電子デバイスは、フレキシブルプリ
ント基板上に搭載されている。半導体光デバイスはモー
ルド封止されている。また、半導体電子デバイスもモー
ルド封止されている。半導体光デバイスは、フレキシブ
ルプリント基板上において半導体電子デバイスと電気的
に接続されている。
キシブルプリント基板と、半導体光デバイスと、半導体
電子デバイスとを備える。半導体光デバイスは、フレキ
シブルプリント基板上に搭載され所定波長の光を発光叉
は受光する。半導体電子デバイスは、フレキシブルプリ
ント基板上に搭載されている。半導体光デバイスはモー
ルド封止されている。また、半導体電子デバイスもモー
ルド封止されている。半導体光デバイスは、フレキシブ
ルプリント基板上において半導体電子デバイスと電気的
に接続されている。
【0014】フレキシブルプリント基板は、第1の導電
層および絶縁性の基体を有する。フレキシブルプリント
基板の第1の導電層は基体によって支持されているの
で、導電層の機械的強度は基体によって補強される。こ
のため、リードフレームのように配線リードの機械的強
度を考慮することなく、フレキシブルプリント基板上に
微細な配線を形成できる。
層および絶縁性の基体を有する。フレキシブルプリント
基板の第1の導電層は基体によって支持されているの
で、導電層の機械的強度は基体によって補強される。こ
のため、リードフレームのように配線リードの機械的強
度を考慮することなく、フレキシブルプリント基板上に
微細な配線を形成できる。
【0015】このような光通信モジュールでは、半導体
電子デバイスおよび半導体光デバイスをフレキシブルプ
リント基板の同一面に搭載することができる。
電子デバイスおよび半導体光デバイスをフレキシブルプ
リント基板の同一面に搭載することができる。
【0016】本発明の光通信モジュールでは、フレキシ
ブルプリント基板の絶縁性基体は、第1の導電層が設け
られた第1の面と、第1の面と対向する第2の面を備
え、第2の面は第2の導電層を有することができる。ま
た、フレキシブルプリント基板は、第1の面と第2の面
との間に導電性を有する第3の導電層を有することがで
きる。第3の導電層は、第1の導電層及び第2の導線層
と異なる導電層である。このため、フレキシブルプリン
ト基板では、多層化された導電層を利用できる。複雑で
微細な配線パターンを実現することが可能になる。
ブルプリント基板の絶縁性基体は、第1の導電層が設け
られた第1の面と、第1の面と対向する第2の面を備
え、第2の面は第2の導電層を有することができる。ま
た、フレキシブルプリント基板は、第1の面と第2の面
との間に導電性を有する第3の導電層を有することがで
きる。第3の導電層は、第1の導電層及び第2の導線層
と異なる導電層である。このため、フレキシブルプリン
ト基板では、多層化された導電層を利用できる。複雑で
微細な配線パターンを実現することが可能になる。
【0017】第1の導電層、第2の導線層及び第3の導
電層は、例えば接続ビア等によって意図的に接続される
場合を除き、基体によって絶縁されている。
電層は、例えば接続ビア等によって意図的に接続される
場合を除き、基体によって絶縁されている。
【0018】本発明の光通信モジュールでは、半導体光
デバイスをモールド封止するための樹脂体、および半導
体半導体電子デバイスをモールド封止するための樹脂体
を有することができる。半導体光デバイスは、所定波長
の光に透明な封止用樹脂から形成された樹脂体で封止さ
れることができる。このような樹脂体は、トランスファ
モールド法で形成されることができる。この樹脂体の形
状を利用して、半導体光デバイスと光学的に結合可能な
レンズを設けることができる。このレンズを用いると、
半導体光デバイスが受光デバイスの場合には、その受光
面に光を集光可能になり、半導体光デバイスが発光デバ
イスの場合には、この発光デバイスと光学的に結合する
光導波路といった光学デバイスに光を集光可能になる。
デバイスをモールド封止するための樹脂体、および半導
体半導体電子デバイスをモールド封止するための樹脂体
を有することができる。半導体光デバイスは、所定波長
の光に透明な封止用樹脂から形成された樹脂体で封止さ
れることができる。このような樹脂体は、トランスファ
モールド法で形成されることができる。この樹脂体の形
状を利用して、半導体光デバイスと光学的に結合可能な
レンズを設けることができる。このレンズを用いると、
半導体光デバイスが受光デバイスの場合には、その受光
面に光を集光可能になり、半導体光デバイスが発光デバ
イスの場合には、この発光デバイスと光学的に結合する
光導波路といった光学デバイスに光を集光可能になる。
【0019】本発明の光通信モジュールでは、半導体電
子デバイスの素子形成面がフレキシブルプリント基板に
対面していることが好ましい。このような光通信モジュ
ールでは、半導体光デバイスが受光または出射する光
が、ノイズ光として、素子形成面に形成されている素子
に直接に到達しない。このため、ノイズ光が半導体電子
デバイスの動作へ影響することを防止できる。
子デバイスの素子形成面がフレキシブルプリント基板に
対面していることが好ましい。このような光通信モジュ
ールでは、半導体光デバイスが受光または出射する光
が、ノイズ光として、素子形成面に形成されている素子
に直接に到達しない。このため、ノイズ光が半導体電子
デバイスの動作へ影響することを防止できる。
【0020】本発明の光通信モジュールでは、フレキシ
ブルプリント基板は、半導体光デバイスを封止すること
を可能にするための位置合わせ手段を有することができ
る。位置合わせ手段は、半導体光デバイスとフレキシブ
ルプリント基板とを確実に位置合わせすること可能にす
る。このような位置合わせ手段として、例えばフレキシ
ブル基板に形成された貫通孔を適用できる。
ブルプリント基板は、半導体光デバイスを封止すること
を可能にするための位置合わせ手段を有することができ
る。位置合わせ手段は、半導体光デバイスとフレキシブ
ルプリント基板とを確実に位置合わせすること可能にす
る。このような位置合わせ手段として、例えばフレキシ
ブル基板に形成された貫通孔を適用できる。
【0021】本発明の光通信モジュールでは、第1の半
導体電子デバイス及び半導体光デバイスの少なくともい
ずれか一方と電気的に接続された第2の半導体電子デバ
イスを備えることができる。半導体光デバイス、第1の
半導体電子デバイス、および第2の半導体半導体電子デ
バイスは、フレキシブルプリント基板の一主面上に搭載
される。フレキシブルプリント基板は、一主面、および
この主面と対向する裏面、のいずれかを対面するように
屈曲された状態で、第1の半導体電子デバイスおよび第
2の半導体半導体電子デバイスが一体にモールド封止さ
れていることができる。
導体電子デバイス及び半導体光デバイスの少なくともい
ずれか一方と電気的に接続された第2の半導体電子デバ
イスを備えることができる。半導体光デバイス、第1の
半導体電子デバイス、および第2の半導体半導体電子デ
バイスは、フレキシブルプリント基板の一主面上に搭載
される。フレキシブルプリント基板は、一主面、および
この主面と対向する裏面、のいずれかを対面するように
屈曲された状態で、第1の半導体電子デバイスおよび第
2の半導体半導体電子デバイスが一体にモールド封止さ
れていることができる。
【0022】複数の半導体電子デバイスをフレキシブル
プリント基板に搭載し一体の樹脂体で封止しているの
で、半導体電子デバイスの搭載部分を小型化しつつ、光
通信モジュールの高機能化を図ることができる。また、
フレキシブルプリント基板を用いているので、一体の樹
脂体を形成するときにも、基板を容易に屈曲できる。樹
脂体が形成されていないフレキシブルプリント基板の部
分は可撓性を有したままである。故に、モールド封止用
金型にフレキシブルプリント基板を配置する際にフレキ
シブルプリント基板が容易に屈曲する。このため、予め
金型に合うように屈曲する工程が必要なリードフレーム
を用いる場合に比べて製造工程が簡素にできる。
プリント基板に搭載し一体の樹脂体で封止しているの
で、半導体電子デバイスの搭載部分を小型化しつつ、光
通信モジュールの高機能化を図ることができる。また、
フレキシブルプリント基板を用いているので、一体の樹
脂体を形成するときにも、基板を容易に屈曲できる。樹
脂体が形成されていないフレキシブルプリント基板の部
分は可撓性を有したままである。故に、モールド封止用
金型にフレキシブルプリント基板を配置する際にフレキ
シブルプリント基板が容易に屈曲する。このため、予め
金型に合うように屈曲する工程が必要なリードフレーム
を用いる場合に比べて製造工程が簡素にできる。
【0023】本発明の光通信モジュールは、半導体電子
デバイスを封止する第1の樹脂体が設けられた第1の領
域、半導体光デバイスを封止する第2の樹脂体が設けら
れた第2の領域、第1の領域および第2の領域の間に設
けられ可撓性を有する第1のネック領域、および半導体
電子デバイスおよび前記半導体光デバイスを接続する少
なくとも一層以上の導電層を有するフレキシブルプリン
ト基板を備える。このようなフレキシブルプリント基板
は、リード端子が設けられた端子辺、および第1の樹脂
体および第2の樹脂体のいずれかと、端子辺との間に設
けられた可撓性を有する第2のネック領域を有すること
ができる。これによって、光通信モジュールの完成した
後にも、ネック領域を繰り返し屈曲させることができ
る。フレキシブルプリント基板の第1の領域は、リード
辺と第2の領域との間に設けられていることが好適であ
る。
デバイスを封止する第1の樹脂体が設けられた第1の領
域、半導体光デバイスを封止する第2の樹脂体が設けら
れた第2の領域、第1の領域および第2の領域の間に設
けられ可撓性を有する第1のネック領域、および半導体
電子デバイスおよび前記半導体光デバイスを接続する少
なくとも一層以上の導電層を有するフレキシブルプリン
ト基板を備える。このようなフレキシブルプリント基板
は、リード端子が設けられた端子辺、および第1の樹脂
体および第2の樹脂体のいずれかと、端子辺との間に設
けられた可撓性を有する第2のネック領域を有すること
ができる。これによって、光通信モジュールの完成した
後にも、ネック領域を繰り返し屈曲させることができ
る。フレキシブルプリント基板の第1の領域は、リード
辺と第2の領域との間に設けられていることが好適であ
る。
【0024】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
しながら説明する。可能な場合には、同一および類似の
部分には同一の符号を付して重複する説明を省略する。
しながら説明する。可能な場合には、同一および類似の
部分には同一の符号を付して重複する説明を省略する。
【0025】図1は、本発明の光通信モジュールの斜視
図である。図1では、光通信モジュールの内部が明らか
になるように一部破断図にしている。図1を参照する
と、光通信モジュール1は、フレキシブルプリント基板
2と、半導体電子デバイス4、6と、半導体光デバイス
8と、半導体電子デバイス4、6を封止する第1のモー
ルド樹脂体10と、半導体光デバイス8を封止する第2
のモールド樹脂体12と、を備える。半導体電子デバイ
ス4、6および半導体光デバイス8は、基体22の第1
の面22a上に搭載されている。
図である。図1では、光通信モジュールの内部が明らか
になるように一部破断図にしている。図1を参照する
と、光通信モジュール1は、フレキシブルプリント基板
2と、半導体電子デバイス4、6と、半導体光デバイス
8と、半導体電子デバイス4、6を封止する第1のモー
ルド樹脂体10と、半導体光デバイス8を封止する第2
のモールド樹脂体12と、を備える。半導体電子デバイ
ス4、6および半導体光デバイス8は、基体22の第1
の面22a上に搭載されている。
【0026】フレキシブルプリント基板2は、基体2
2、リード端子24、第1の導電層26、第2の導電層
28、および第3の導電層30を備える。基体22の一
辺には、複数のリード端子24が設けられている。リー
ド端子24は、実装基板(図示せず)に接続され電気的
な信号の伝達を可能にする。基体22は、第1の導電層
26、第2の導電層28、および第3の導電層30をそ
れぞれ電気的に絶縁する。基体22は、矩形のフィルム
であって、可撓性を有する。基体22は、リード端子2
4、第1の導電層26、第2の導電層28、および第3
の導電層30を支持できるような機械的な強度を有する
支持部材でもある。この支持部材は、電気的な絶縁性を
有する。この様な支持部材を使用すると、各配線層2
6、28、30は、最小幅0.1mm程度までも微細化
を可能にする。
2、リード端子24、第1の導電層26、第2の導電層
28、および第3の導電層30を備える。基体22の一
辺には、複数のリード端子24が設けられている。リー
ド端子24は、実装基板(図示せず)に接続され電気的
な信号の伝達を可能にする。基体22は、第1の導電層
26、第2の導電層28、および第3の導電層30をそ
れぞれ電気的に絶縁する。基体22は、矩形のフィルム
であって、可撓性を有する。基体22は、リード端子2
4、第1の導電層26、第2の導電層28、および第3
の導電層30を支持できるような機械的な強度を有する
支持部材でもある。この支持部材は、電気的な絶縁性を
有する。この様な支持部材を使用すると、各配線層2
6、28、30は、最小幅0.1mm程度までも微細化
を可能にする。
【0027】基体22は、所定の軸20方向に沿って第
1の領域2a、第2の領域2b、および第3の領域2c
を有する。第1の領域2aには、フレキシブルプリント
基板の一辺に設けられるリード端子24を有する。第2
の領域2bには、半導体電子デバイス4、6を封止する
ための樹脂体10を有する。第3の領域2cには、半導
体光デバイス8を封止するための樹脂体12を有する。
第2の領域2bと第3の領域2cとの間には、樹脂体1
0が搭載されているフレキシブルプリント基板2の表面
と、樹脂体12が搭載されているフレキシブルプリント
基板2の表面との角度を変更可能にするような可撓性を
有する第1のネック領域が形成される。第1の領域2a
と第2の領域2bの間には、複数のリード端子24を含
む面と、樹脂体10が搭載されているフレキシブルプリ
ント基板2の表面との角度を変更可能にするような可撓
性を有する第2のネック領域が形成される。このような
第1および第2のネック領域は、実装基板に搭載された
後に、光通信モジュール1が光コネクタ(図示せず)と
結合される際に接続形態を多様にするために役立つ。樹
脂体10、12は、基体22の機械的な強度も補強して
いる。
1の領域2a、第2の領域2b、および第3の領域2c
を有する。第1の領域2aには、フレキシブルプリント
基板の一辺に設けられるリード端子24を有する。第2
の領域2bには、半導体電子デバイス4、6を封止する
ための樹脂体10を有する。第3の領域2cには、半導
体光デバイス8を封止するための樹脂体12を有する。
第2の領域2bと第3の領域2cとの間には、樹脂体1
0が搭載されているフレキシブルプリント基板2の表面
と、樹脂体12が搭載されているフレキシブルプリント
基板2の表面との角度を変更可能にするような可撓性を
有する第1のネック領域が形成される。第1の領域2a
と第2の領域2bの間には、複数のリード端子24を含
む面と、樹脂体10が搭載されているフレキシブルプリ
ント基板2の表面との角度を変更可能にするような可撓
性を有する第2のネック領域が形成される。このような
第1および第2のネック領域は、実装基板に搭載された
後に、光通信モジュール1が光コネクタ(図示せず)と
結合される際に接続形態を多様にするために役立つ。樹
脂体10、12は、基体22の機械的な強度も補強して
いる。
【0028】図2は、図1のI−I断面での光通信モジ
ュール1の断面図である。図1および図2を参照しなが
ら、第1の導電層26、第2の導電層28、および第3
の導電層30について説明する。第1の導電層26は、
基体22の第1の面22a上に形成されている。第2の
導電層28は、基体22の第2の面22b上に形成され
ている。第3の導電層30は、基体22の第1の面22
aと第2の面22bとの間に形成されている。第1の導
電層26、第2の導電層28、および第3の導電層30
の各々は、リード端子24、半導体電子デバイス4、
6、および半導体光デバイス8を相互に電気的に接続す
るために所定のパターンに形成された金属薄膜である。
第1の導電層26、第2の導電層28、および第3の導
電層30は、それぞれ、絶縁部材22cに設けられたビ
ア孔22dを介して相互に電気的に接続されることがで
きる。
ュール1の断面図である。図1および図2を参照しなが
ら、第1の導電層26、第2の導電層28、および第3
の導電層30について説明する。第1の導電層26は、
基体22の第1の面22a上に形成されている。第2の
導電層28は、基体22の第2の面22b上に形成され
ている。第3の導電層30は、基体22の第1の面22
aと第2の面22bとの間に形成されている。第1の導
電層26、第2の導電層28、および第3の導電層30
の各々は、リード端子24、半導体電子デバイス4、
6、および半導体光デバイス8を相互に電気的に接続す
るために所定のパターンに形成された金属薄膜である。
第1の導電層26、第2の導電層28、および第3の導
電層30は、それぞれ、絶縁部材22cに設けられたビ
ア孔22dを介して相互に電気的に接続されることがで
きる。
【0029】好適な実施の形態としては、半導体電子デ
バイス4、6および半導体光デバイス8を相互に接続す
るための配線として第1の導電層26および第3の導電
層30を使用し、また、光通信モジュール1の基準電位
(接地、GND)を強化するために第2の導電層28を
使用することが好ましい。このようにすれば、光通信モ
ジュール1の高機能化を達成するために複数の配線層を
使用でき、加えて、ノイズ特性を良好にするために基準
電位を強化すること、つまりインピーダンスを整合する
ことも達成できる。基準電位の強化のためには、例え
ば、GNDプレーンを広く、厚く形成することができ
る。これら第1の導電層26、第2の導電層28、およ
び第3の導電層30の薄膜としては、銅(Cu)薄膜を
使用できる。第1の導電層26と第2の導電層28との
間には、フレキシブルプリント基板のフレキシビリティ
を犠牲にすることがない程度に複数の導電層を備えるこ
とは可能である。
バイス4、6および半導体光デバイス8を相互に接続す
るための配線として第1の導電層26および第3の導電
層30を使用し、また、光通信モジュール1の基準電位
(接地、GND)を強化するために第2の導電層28を
使用することが好ましい。このようにすれば、光通信モ
ジュール1の高機能化を達成するために複数の配線層を
使用でき、加えて、ノイズ特性を良好にするために基準
電位を強化すること、つまりインピーダンスを整合する
ことも達成できる。基準電位の強化のためには、例え
ば、GNDプレーンを広く、厚く形成することができ
る。これら第1の導電層26、第2の導電層28、およ
び第3の導電層30の薄膜としては、銅(Cu)薄膜を
使用できる。第1の導電層26と第2の導電層28との
間には、フレキシブルプリント基板のフレキシビリティ
を犠牲にすることがない程度に複数の導電層を備えるこ
とは可能である。
【0030】再び、図1を参照すると、半導体電子デバ
イス4、6は、半導体光デバイス8から受けた電気信号
を処理することができる。この処理された信号は、リー
ド端子24を介して光通信モジュール1から出力され
る。また、半導体電子デバイス4、6は、リード端子2
4を介して光通信モジュール1の外から受けた電気信号
を処理し、基体22上の配線層を介して半導体光デバイ
ス8を駆動することができる。半導体電子デバイス4、
6は、受けた信号を所定の処理を行い出力する信号処理
デバイス、例えばアナログ信号処理が可能なデバイス、
デジタル信号処理が可能なデバイス、前置増幅器、等で
有り得る。フレキシブルプリント基板2上に搭載される
電子デバイスとしては、トランジスタを有する半導体能
動デバイスだけでなく、チップ抵抗、チップコンデン
サ、半固定抵抗といった受動デバイス等がある。このよ
うに、受動デバイスを搭載すると、例えば、半導体光デ
バイス8の電源ラインに近接した位置に電源バイパスコ
ンデンサ等の電子素子を一緒に接続し、素子間の接続距
離を短縮することによって雑音特性の改善を図ることが
できる。
イス4、6は、半導体光デバイス8から受けた電気信号
を処理することができる。この処理された信号は、リー
ド端子24を介して光通信モジュール1から出力され
る。また、半導体電子デバイス4、6は、リード端子2
4を介して光通信モジュール1の外から受けた電気信号
を処理し、基体22上の配線層を介して半導体光デバイ
ス8を駆動することができる。半導体電子デバイス4、
6は、受けた信号を所定の処理を行い出力する信号処理
デバイス、例えばアナログ信号処理が可能なデバイス、
デジタル信号処理が可能なデバイス、前置増幅器、等で
有り得る。フレキシブルプリント基板2上に搭載される
電子デバイスとしては、トランジスタを有する半導体能
動デバイスだけでなく、チップ抵抗、チップコンデン
サ、半固定抵抗といった受動デバイス等がある。このよ
うに、受動デバイスを搭載すると、例えば、半導体光デ
バイス8の電源ラインに近接した位置に電源バイパスコ
ンデンサ等の電子素子を一緒に接続し、素子間の接続距
離を短縮することによって雑音特性の改善を図ることが
できる。
【0031】再び、図2を参照すると、半導体電子デバ
イス6の素子形成面6aは、フレキシブルプリント基板
2の第1の面(デバイス実装面)22aと対面してい
る。つまり、半導体電子デバイス6は、フリップチップ
実装されている。このために、半導体電子デバイス6の
素子形成面6a上のパッド部には、バンプのための接続
部材14が形成され、これと第1の配線層26とが電気
的に接続される。LCC(Leadless Chip Charier)の
形態を採用すると、半導体電子デバイス6の素子形成面
6aが基体22の表面22aと対面する。このため、半
導体光デバイス8が出射する光または受ける光が半導体
電子デバイス6の素子形成面6aに直接に到達しない。
故に、ノイズ光は、半導体電子デバイス6の動作へ影響
しない。一方、半導体電子デバイス4は、素子形成面に
対向する面をフレキシブルプリント基板2のデバイス実
装面22aに対面させるように搭載されている。半導体
電子デバイス4は、フレキシブルプリント基板2上の所
定の位置に搭載された後に、フレキシブルプリント基板
2上に配線とボンディングワイヤを用いて電気的に接続
される。
イス6の素子形成面6aは、フレキシブルプリント基板
2の第1の面(デバイス実装面)22aと対面してい
る。つまり、半導体電子デバイス6は、フリップチップ
実装されている。このために、半導体電子デバイス6の
素子形成面6a上のパッド部には、バンプのための接続
部材14が形成され、これと第1の配線層26とが電気
的に接続される。LCC(Leadless Chip Charier)の
形態を採用すると、半導体電子デバイス6の素子形成面
6aが基体22の表面22aと対面する。このため、半
導体光デバイス8が出射する光または受ける光が半導体
電子デバイス6の素子形成面6aに直接に到達しない。
故に、ノイズ光は、半導体電子デバイス6の動作へ影響
しない。一方、半導体電子デバイス4は、素子形成面に
対向する面をフレキシブルプリント基板2のデバイス実
装面22aに対面させるように搭載されている。半導体
電子デバイス4は、フレキシブルプリント基板2上の所
定の位置に搭載された後に、フレキシブルプリント基板
2上に配線とボンディングワイヤを用いて電気的に接続
される。
【0032】半導体光デバイス8は、発光素子および受
光素子の少なくともいずれかである。発光素子として
は、半導体レーザ、発光ダイオード等がある。受光素子
としては、pinフォトダイオード、アバランシェフォ
トダイオード等がある。半導体光デバイス8は、フレキ
シブルプリント基板2上に配線層に対してボンディング
ワイヤで電気的に接続されている。半導体光デバイス8
は、必要に応じてチップキャリア等に搭載された状態で
フレキシブルプリント基板2上に搭載されることもでき
る。光通信モジュール1は、半導体光デバイス8に加え
て、別個の半導体光デバイスを含むことができる。
光素子の少なくともいずれかである。発光素子として
は、半導体レーザ、発光ダイオード等がある。受光素子
としては、pinフォトダイオード、アバランシェフォ
トダイオード等がある。半導体光デバイス8は、フレキ
シブルプリント基板2上に配線層に対してボンディング
ワイヤで電気的に接続されている。半導体光デバイス8
は、必要に応じてチップキャリア等に搭載された状態で
フレキシブルプリント基板2上に搭載されることもでき
る。光通信モジュール1は、半導体光デバイス8に加え
て、別個の半導体光デバイスを含むことができる。
【0033】半導体電子デバイス4、6は、第2の樹脂
体10によってモールド封止されている。半導体光デバ
イス8は、第1の樹脂体12によってモールド封止され
ている。第2の樹脂体10としては、半導体光デバイス
8が発光叉は受光する所定波長の光に不透明な樹脂を用
いる。一方、第1の樹脂体12としては、半導体光デバ
イス8が発光叉は受光する所定波長の光に対して透明な
樹脂を用いる。このため、第2の樹脂体10は、所定の
波長の光に対する光透過率に関して、第1の樹脂体12
に比べて小さい。このような樹脂体10、12は、例え
ばトランスファモールド法を用いて形成される。
体10によってモールド封止されている。半導体光デバ
イス8は、第1の樹脂体12によってモールド封止され
ている。第2の樹脂体10としては、半導体光デバイス
8が発光叉は受光する所定波長の光に不透明な樹脂を用
いる。一方、第1の樹脂体12としては、半導体光デバ
イス8が発光叉は受光する所定波長の光に対して透明な
樹脂を用いる。このため、第2の樹脂体10は、所定の
波長の光に対する光透過率に関して、第1の樹脂体12
に比べて小さい。このような樹脂体10、12は、例え
ばトランスファモールド法を用いて形成される。
【0034】第1の樹脂体12は、半導体光デバイス8
が発光または受光する光を集光するための集光手段12
aを有することができる。集光手段12aとしては、樹
脂体の外部形状を利用して形成されるレンズがある。レ
ンズ12aが十分な集光機能を発揮するために、レンズ
12aの光軸12bは、半導体光デバイス8の発光面ま
たは受光面と交差する必要がある。このために、半導体
光デバイス8の位置は、第1の樹脂体12の位置と相対
的に位置合わせされている必要がある。
が発光または受光する光を集光するための集光手段12
aを有することができる。集光手段12aとしては、樹
脂体の外部形状を利用して形成されるレンズがある。レ
ンズ12aが十分な集光機能を発揮するために、レンズ
12aの光軸12bは、半導体光デバイス8の発光面ま
たは受光面と交差する必要がある。このために、半導体
光デバイス8の位置は、第1の樹脂体12の位置と相対
的に位置合わせされている必要がある。
【0035】これを確実に行うために、フレキシブルプ
リント基板2は、位置合わせ手段34を有する。位置合
わせ手段34は、半導体光デバイス8とフレキシブルプ
リント基板2とが位置合わせされた状態の下に、封止用
樹脂を用いて半導体光デバイス8を封止することを可能
にする。このような位置合わせ手段34は。図1に示さ
れた実施の形態では、位置合わせ手段34は、基板22
の第1の面22aから第2の面22bに貫通する位置合
わせ孔34である。
リント基板2は、位置合わせ手段34を有する。位置合
わせ手段34は、半導体光デバイス8とフレキシブルプ
リント基板2とが位置合わせされた状態の下に、封止用
樹脂を用いて半導体光デバイス8を封止することを可能
にする。このような位置合わせ手段34は。図1に示さ
れた実施の形態では、位置合わせ手段34は、基板22
の第1の面22aから第2の面22bに貫通する位置合
わせ孔34である。
【0036】図3は、半導体光デバイス8が搭載された
フレキシブルプリント基板2、およびトランスファモー
ルド金型35を部分的に示している。金型35は、位置
決め手段36を有している。位置決め手段36は、フレ
キシブルプリント基板2の位置合わせ手段34と組み合
わされて、フレキシブルプリント基板2を金型35に位
置合わせすることを可能にする。図3に示された実施の
形態では、位置決め手段34は、基板搭載面37上に設
けられた複数の突起部(ピン)36である。複数の突起
部36は、フレキシブルプリント基板2の対応する位置
合わせ孔34に挿入され、半導体光デバイス8と樹脂体
12との相対的な位置を規定する。このような突起部3
6は、半導体電子デバイス4、6と樹脂体10との相対
的な位置を規定するためにも利用できる。
フレキシブルプリント基板2、およびトランスファモー
ルド金型35を部分的に示している。金型35は、位置
決め手段36を有している。位置決め手段36は、フレ
キシブルプリント基板2の位置合わせ手段34と組み合
わされて、フレキシブルプリント基板2を金型35に位
置合わせすることを可能にする。図3に示された実施の
形態では、位置決め手段34は、基板搭載面37上に設
けられた複数の突起部(ピン)36である。複数の突起
部36は、フレキシブルプリント基板2の対応する位置
合わせ孔34に挿入され、半導体光デバイス8と樹脂体
12との相対的な位置を規定する。このような突起部3
6は、半導体電子デバイス4、6と樹脂体10との相対
的な位置を規定するためにも利用できる。
【0037】フレキシブルプリント基板2は、樹脂体1
0、12の形成領域に孔38を有することができる。こ
の孔38を含む領域に樹脂体を形成すると、孔38内に
樹脂体10、12が設けられる。このため、樹脂体1
0、12がフレキシブルプリント基板2に十分に固定さ
れる。この固定によって、フレキシブルプリント基板2
の機械的な強度が増す。
0、12の形成領域に孔38を有することができる。こ
の孔38を含む領域に樹脂体を形成すると、孔38内に
樹脂体10、12が設けられる。このため、樹脂体1
0、12がフレキシブルプリント基板2に十分に固定さ
れる。この固定によって、フレキシブルプリント基板2
の機械的な強度が増す。
【0038】図4は、樹脂封止された光通信モジュール
を示す斜視図である。光通信モジュール1を樹脂封止す
るためには、例えば以下の手順による。
を示す斜視図である。光通信モジュール1を樹脂封止す
るためには、例えば以下の手順による。
【0039】所定の金型(図示せず)を用いて、フレキ
シブルプリント基板2の第2の領域2bを封止用樹脂で
モールドすることによって、その領域内に存在する半導
体電子デバイス6および受動素子、並びにボンディング
ワイヤ等を樹脂封止する。このための封止用樹脂は、半
導体光デバイス8に係わる光の波長に対して光透過性を
有していないので、封止された素子を外光から遮光す
る。
シブルプリント基板2の第2の領域2bを封止用樹脂で
モールドすることによって、その領域内に存在する半導
体電子デバイス6および受動素子、並びにボンディング
ワイヤ等を樹脂封止する。このための封止用樹脂は、半
導体光デバイス8に係わる光の波長に対して光透過性を
有していないので、封止された素子を外光から遮光す
る。
【0040】別の金型(図3の35)を用いて、フレキ
シブルプリント基板2の第3の領域2cを封止用樹脂で
モールドすることによって、その領域内に存在する半導
体光デバイス8および受動素子、並びにボンディングワ
イヤ等を樹脂封止する。このための封止用樹脂は、半導
体光デバイス8に係わる光の波長に対して光透過性を有
する。既に説明したように、この金型でモールド成型す
ると、半導体光デバイス8の主面に対応するように集光
レンズ12aが一体に樹脂成型される。
シブルプリント基板2の第3の領域2cを封止用樹脂で
モールドすることによって、その領域内に存在する半導
体光デバイス8および受動素子、並びにボンディングワ
イヤ等を樹脂封止する。このための封止用樹脂は、半導
体光デバイス8に係わる光の波長に対して光透過性を有
する。既に説明したように、この金型でモールド成型す
ると、半導体光デバイス8の主面に対応するように集光
レンズ12aが一体に樹脂成型される。
【0041】第1の領域2aのモールド樹脂形成と、第
2の領域2bのモールド樹脂形成とを別々に行う場合を
説明したけれども、一つの金型を用いてモールド成型す
ることができるので、これらの樹脂形成を同時に一括し
て行うことができる。このとき使用される封止用樹脂
は、半導体光デバイスに係わる光の波長に対して光透過
性を有する。このため、半導体電子デバイス4、6の部
分に光を遮蔽するための手段、例えば、遮光性を有する
筐体等を設けることが望ましい。
2の領域2bのモールド樹脂形成とを別々に行う場合を
説明したけれども、一つの金型を用いてモールド成型す
ることができるので、これらの樹脂形成を同時に一括し
て行うことができる。このとき使用される封止用樹脂
は、半導体光デバイスに係わる光の波長に対して光透過
性を有する。このため、半導体電子デバイス4、6の部
分に光を遮蔽するための手段、例えば、遮光性を有する
筐体等を設けることが望ましい。
【0042】以上、説明したように本発明では、フレキ
シブルプリント基板2を用いているので、リードフレー
ムを用いる場合に必要な樹脂形成後のリード形成工程が
不要になる。また、樹脂体10と樹脂体12とを所定の
位置関係に配置するために、従来では、リードフレーム
の接続部を曲げる工程が必要であった。しかしながら、
本発明の光通信モジュールでは、そのような工程は必要
ない。
シブルプリント基板2を用いているので、リードフレー
ムを用いる場合に必要な樹脂形成後のリード形成工程が
不要になる。また、樹脂体10と樹脂体12とを所定の
位置関係に配置するために、従来では、リードフレーム
の接続部を曲げる工程が必要であった。しかしながら、
本発明の光通信モジュールでは、そのような工程は必要
ない。
【0043】図5は、別の実施の形態の光通信モジュー
ルの断面図である。図5では、図1のI−I断面に相当
する断面を示し、ネック領域2d,2eにて屈曲された
状態を示している。破線は、第3の領域2cが屈曲され
る前の状態を示している。図5を参照すると、光通信モ
ジュール41では、第3の領域2cにモールド成型され
る樹脂体42の形状は、図1に示された光通信モジュー
ル1に形状された樹脂体12の形状と異なる。樹脂体4
2は、集光レンズ42aおよび結合部42cを備える。
図5では、集光レンズ42aおよび結合部42cの形状
は、軸42bを中心に回転対称である。
ルの断面図である。図5では、図1のI−I断面に相当
する断面を示し、ネック領域2d,2eにて屈曲された
状態を示している。破線は、第3の領域2cが屈曲され
る前の状態を示している。図5を参照すると、光通信モ
ジュール41では、第3の領域2cにモールド成型され
る樹脂体42の形状は、図1に示された光通信モジュー
ル1に形状された樹脂体12の形状と異なる。樹脂体4
2は、集光レンズ42aおよび結合部42cを備える。
図5では、集光レンズ42aおよび結合部42cの形状
は、軸42bを中心に回転対称である。
【0044】集光レンズ42aは、その光軸42bが半
導体光デバイス8の光出射端(光出射面)叉は受光端
(受光面)と交差するように設けられている。結合部4
2cは、円錐状の内壁を有する凹部42dを含む。この
凹部42dは、集光レンズ42aに向かうにつれて軸4
2bを中心にする内径が次第に小さくなる。結合部42
の凹部42dに、後述するスリーブ(図6(a)および
図6(b)の40)をはめ込むことができる。
導体光デバイス8の光出射端(光出射面)叉は受光端
(受光面)と交差するように設けられている。結合部4
2cは、円錐状の内壁を有する凹部42dを含む。この
凹部42dは、集光レンズ42aに向かうにつれて軸4
2bを中心にする内径が次第に小さくなる。結合部42
の凹部42dに、後述するスリーブ(図6(a)および
図6(b)の40)をはめ込むことができる。
【0045】図6(a)は、スリーブの斜視図である。
図6(b)は、図6(a)のII−II断面における断
面図である。スリーブ42は、金属またはプラスチック
等の樹脂から成型された円筒状の部品である。スリーブ
40の先端部40aは、結合部42の凹部42dの内壁
に嵌め合されるような形状に形成されている。このた
め、スリーブ42は、その先端に近づくにつれて次第に
外形が小さくなる円錐台状に形成されている。スリーブ
40は、所定の軸42eに沿って伸び、その中心には中
心孔40bを有する。先端部分40aに設けられた中心
孔40b内には、レンズ40cが設けられている。先端
部分40aと対向する他端には、所定の軸に沿って所定
の長さ伸びる挿入孔40bが設けられている。挿入孔4
0bの他端には、挿入孔40bの挿入されるフェルール
端部を接触させてフェルールの位置決めを行うための段
部40dが設けられている。
図6(b)は、図6(a)のII−II断面における断
面図である。スリーブ42は、金属またはプラスチック
等の樹脂から成型された円筒状の部品である。スリーブ
40の先端部40aは、結合部42の凹部42dの内壁
に嵌め合されるような形状に形成されている。このた
め、スリーブ42は、その先端に近づくにつれて次第に
外形が小さくなる円錐台状に形成されている。スリーブ
40は、所定の軸42eに沿って伸び、その中心には中
心孔40bを有する。先端部分40aに設けられた中心
孔40b内には、レンズ40cが設けられている。先端
部分40aと対向する他端には、所定の軸に沿って所定
の長さ伸びる挿入孔40bが設けられている。挿入孔4
0bの他端には、挿入孔40bの挿入されるフェルール
端部を接触させてフェルールの位置決めを行うための段
部40dが設けられている。
【0046】図7は、スリーブ40の先端部40aを光
通信モジュール41の結合部42の凹部42dに挿入し
た状態を示す断面図である。なお、光通信モジュール4
1は、図1のI−I断面における断面図であり、スリー
ブ40は、図6(b)のII−II断面における断面図
である。図7を参照すると、凹部42dの内壁と先端部
40aの外壁とがはめ合わされると、スリーブ40は、
光通信モジュール41に対して位置決めされる。これに
よって、レンズ42aの軸42bとスリーブ40の軸4
0eとが一致する。光ファイバを保持するフェルール4
4をスリーブ40の後端から中心孔40bに挿入する
と、光ファイバの光が伝搬する方向を示す軸44aは、
レンズ42aの軸42b及びスリーブ40の軸40eに
一致する。
通信モジュール41の結合部42の凹部42dに挿入し
た状態を示す断面図である。なお、光通信モジュール4
1は、図1のI−I断面における断面図であり、スリー
ブ40は、図6(b)のII−II断面における断面図
である。図7を参照すると、凹部42dの内壁と先端部
40aの外壁とがはめ合わされると、スリーブ40は、
光通信モジュール41に対して位置決めされる。これに
よって、レンズ42aの軸42bとスリーブ40の軸4
0eとが一致する。光ファイバを保持するフェルール4
4をスリーブ40の後端から中心孔40bに挿入する
と、光ファイバの光が伝搬する方向を示す軸44aは、
レンズ42aの軸42b及びスリーブ40の軸40eに
一致する。
【0047】スリーブ40を用いて光通信モジュール4
1の半導体光デバイス8を光ファイバに光学的に結合す
る場合を説明した。しかしながら、別個の構成を有する
光コネクタを用いて、光通信モジュール1、41を光コ
ネクタと結合させることも可能である。
1の半導体光デバイス8を光ファイバに光学的に結合す
る場合を説明した。しかしながら、別個の構成を有する
光コネクタを用いて、光通信モジュール1、41を光コ
ネクタと結合させることも可能である。
【0048】図8および図9を参照しながら、本発明の
別の実施の形態の光通信モジュール51、61について
説明する。図8は、光通信モジュール51の断面図であ
る。図9は、光通信モジュール61の断面図である。図
8および図9は、図1におけるI−I断面に相当する断
面を示している。
別の実施の形態の光通信モジュール51、61について
説明する。図8は、光通信モジュール51の断面図であ
る。図9は、光通信モジュール61の断面図である。図
8および図9は、図1におけるI−I断面に相当する断
面を示している。
【0049】図8および図9を参照すると、フレキシブ
ルプリント基板2の一主面(基体22の表面22a)上
に半導体電子デバイス6a、6bおよび半導体光デバイ
ス8を備える。既に説明したように、フレキシブルプリ
ント基板2は、リード端子24が設けられている第1の
領域2a、半導体光デバイス8をモールド封止する樹脂
体42が設けられている第3の領域2cを備える。フレ
キシブルプリント基板2は、更に、第1の領域2aおよ
び第3の領域2cの間に、第4の領域2f、第5の領域
2g、および第6の領域2hを備える。第6の領域2h
は、第4の領域2fと第5の領域2gとの間に設けられ
ている。第4の領域2fおよび第5の領域2gには、そ
れぞれ半導体電子デバイス6a、6bが搭載されてい
る。半導体電子デバイス6a、6bは、フレキシブルプ
リント基板2の第1の面(基体22の表面22a)に素
子形成面が対面するようにフリップチップ実装されてい
る。
ルプリント基板2の一主面(基体22の表面22a)上
に半導体電子デバイス6a、6bおよび半導体光デバイ
ス8を備える。既に説明したように、フレキシブルプリ
ント基板2は、リード端子24が設けられている第1の
領域2a、半導体光デバイス8をモールド封止する樹脂
体42が設けられている第3の領域2cを備える。フレ
キシブルプリント基板2は、更に、第1の領域2aおよ
び第3の領域2cの間に、第4の領域2f、第5の領域
2g、および第6の領域2hを備える。第6の領域2h
は、第4の領域2fと第5の領域2gとの間に設けられ
ている。第4の領域2fおよび第5の領域2gには、そ
れぞれ半導体電子デバイス6a、6bが搭載されてい
る。半導体電子デバイス6a、6bは、フレキシブルプ
リント基板2の第1の面(基体22の表面22a)に素
子形成面が対面するようにフリップチップ実装されてい
る。
【0050】図8を参照すると、フレキシブルプリント
基板2は、上記主面が第4の領域2fおよび第5の領域
2gにおいて対面するように、第6の領域2hにおいて
折り曲げられている。光通信モジュール51は、この屈
曲状態で、第4の領域2fおよび第5の領域2gに形成
された樹脂体10aを備える。樹脂体10aは、半導体
電子デバイス6a、6bを一体にモールド封止する。樹
脂体10aは、半導体光素子8が発光または受光する光
を透過させない特性を有することが好ましい。半導体電
子デバイス6a、6bを搭載した面が対面するように、
フレキシブルプリント基板2を折り曲げると、半導体電
子デバイス6a、6bが共に、フレキシブルプリント基
板2によって挟まれる。このため、いわゆるノイズ光が
半導体電子デバイス6a、6bに到達しにくくなる。
基板2は、上記主面が第4の領域2fおよび第5の領域
2gにおいて対面するように、第6の領域2hにおいて
折り曲げられている。光通信モジュール51は、この屈
曲状態で、第4の領域2fおよび第5の領域2gに形成
された樹脂体10aを備える。樹脂体10aは、半導体
電子デバイス6a、6bを一体にモールド封止する。樹
脂体10aは、半導体光素子8が発光または受光する光
を透過させない特性を有することが好ましい。半導体電
子デバイス6a、6bを搭載した面が対面するように、
フレキシブルプリント基板2を折り曲げると、半導体電
子デバイス6a、6bが共に、フレキシブルプリント基
板2によって挟まれる。このため、いわゆるノイズ光が
半導体電子デバイス6a、6bに到達しにくくなる。
【0051】図9を参照すると、フレキシブルプリント
基板2は、上記主面に対向する面が第4の領域2fおよ
び第5の領域2gにおいて対面するように、第6の領域
2hにおいて折り曲げられている。光通信モジュール6
1は、この屈曲状態で、第4の領域2fおよび第5の領
域2gに形成された樹脂体10bを備える。樹脂体10
bは、半導体電子デバイス6a、6bを一体にモールド
封止する。樹脂体10bは、半導体光素子8が発光また
は受光する光を透過させない特性を有することが好まし
い。半導体電子デバイス6a、6bを搭載した面が対面
するように、フレキシブルプリント基板2を折り曲げる
と、半導体電子デバイス6a、6bが共に、フレキシブ
ルプリント基板2を挟むように配置される。このため、
半導体電子デバイス6a、6b間のノイズをフレキシブ
ルプリント基板2上に形成されている導電層によって遮
蔽することができる。
基板2は、上記主面に対向する面が第4の領域2fおよ
び第5の領域2gにおいて対面するように、第6の領域
2hにおいて折り曲げられている。光通信モジュール6
1は、この屈曲状態で、第4の領域2fおよび第5の領
域2gに形成された樹脂体10bを備える。樹脂体10
bは、半導体電子デバイス6a、6bを一体にモールド
封止する。樹脂体10bは、半導体光素子8が発光また
は受光する光を透過させない特性を有することが好まし
い。半導体電子デバイス6a、6bを搭載した面が対面
するように、フレキシブルプリント基板2を折り曲げる
と、半導体電子デバイス6a、6bが共に、フレキシブ
ルプリント基板2を挟むように配置される。このため、
半導体電子デバイス6a、6b間のノイズをフレキシブ
ルプリント基板2上に形成されている導電層によって遮
蔽することができる。
【0052】光通信モジュール51、61では、フレキ
シブルプリント基板2を屈曲させた状態で複数の半導体
電子デバイス6a、6bを一体の樹脂体10a、10b
でモールド封止している。故に、電子部品の搭載数を増
加させることができ、且つ光通信モジュール51、61
が実装基板上において占める面積の増大を抑えることが
できる。
シブルプリント基板2を屈曲させた状態で複数の半導体
電子デバイス6a、6bを一体の樹脂体10a、10b
でモールド封止している。故に、電子部品の搭載数を増
加させることができ、且つ光通信モジュール51、61
が実装基板上において占める面積の増大を抑えることが
できる。
【0053】樹脂体10aと樹脂体42との間、または
樹脂体10bと樹脂体42との間にネック領域2eが設
けられるので、半導体光デバイス8が、光導波路といっ
た光学デバイスと結合することを容易にしている。
樹脂体10bと樹脂体42との間にネック領域2eが設
けられるので、半導体光デバイス8が、光導波路といっ
た光学デバイスと結合することを容易にしている。
【0054】このような光通信モジュール51、61の
製造方法は、以下の順によって特徴的つけられる。
製造方法は、以下の順によって特徴的つけられる。
【0055】半導体電子デバイス6a、6bをフレキシ
ブルプリント基板2の主面上に搭載する。フレキシブル
プリント基板2の主面およびこの主面と対向する裏面の
いずれかを対面するように、フレキシブルプリント基板
2を屈曲させる。半導体電子デバイス6a、6bを一括
してモールド封止する。モールド封止には、トランスフ
ァモールド法を使用できる。フレキシブルプリント基板
2の屈曲は、トランスファモールド金型(図示せず)に
載置することによって、モールド封止中を通して容易に
維持される。
ブルプリント基板2の主面上に搭載する。フレキシブル
プリント基板2の主面およびこの主面と対向する裏面の
いずれかを対面するように、フレキシブルプリント基板
2を屈曲させる。半導体電子デバイス6a、6bを一括
してモールド封止する。モールド封止には、トランスフ
ァモールド法を使用できる。フレキシブルプリント基板
2の屈曲は、トランスファモールド金型(図示せず)に
載置することによって、モールド封止中を通して容易に
維持される。
【0056】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の光
通信モジュールは、第1の導電層を有するフレキシブル
プリント基板と、半導体光デバイスと、半導体電子デバ
イスとを備える。半導体光デバイスおよび半導体電子デ
バイスは封止用樹脂を用いて封止されている。フレキシ
ブルプリント基板は、第1の導電層と、この第1の導電
層を支持する基体とを有する。このため、半導体光デバ
イスおよび半導体電子デバイスを搭載する部材の機械的
強度の低下を考慮することなく第1の導電層を形成でき
る。故に、フレキシブルプリント基板上に微細な配線を
形成可能になる。
通信モジュールは、第1の導電層を有するフレキシブル
プリント基板と、半導体光デバイスと、半導体電子デバ
イスとを備える。半導体光デバイスおよび半導体電子デ
バイスは封止用樹脂を用いて封止されている。フレキシ
ブルプリント基板は、第1の導電層と、この第1の導電
層を支持する基体とを有する。このため、半導体光デバ
イスおよび半導体電子デバイスを搭載する部材の機械的
強度の低下を考慮することなく第1の導電層を形成でき
る。故に、フレキシブルプリント基板上に微細な配線を
形成可能になる。
【0057】したがって、高機能化を図ることが可能な
光通信モジュールを提供できる。
光通信モジュールを提供できる。
【図1】図1は、本発明の光通信モジュールの斜視図で
あり、図1では、光通信モジュールの内部が明らかにな
るように一部破断図にしている。
あり、図1では、光通信モジュールの内部が明らかにな
るように一部破断図にしている。
【図2】図2は、図1のI−I断面での光通信モジュー
ル1の断面図である。
ル1の断面図である。
【図3】図3は、半導体光デバイスが搭載されたフレキ
シブルプリント基板、およびトランスファモールド金型
を部分的に示す斜視図である。
シブルプリント基板、およびトランスファモールド金型
を部分的に示す斜視図である。
【図4】図4は、樹脂封止された光通信モジュールを示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図5】図5は、別の実施の形態を示す光通信モジュー
ルの断面図であり、図5では、図1のI−I断面に相当
する断面を示している。
ルの断面図であり、図5では、図1のI−I断面に相当
する断面を示している。
【図6】図6(a)は、スリーブの斜視図である。図6
(b)は、図6(a)のII−II断面における断面図
である。
(b)は、図6(a)のII−II断面における断面図
である。
【図7】図7は、スリーブを光通信モジュールに挿入し
た状態を示す断面図である。
た状態を示す断面図である。
【図8】図8は、別の実施の形態を示す光通信モジュー
ルの断面図であり、図1におけるI−I断面に相当する
断面を示している。
ルの断面図であり、図1におけるI−I断面に相当する
断面を示している。
【図9】図9は、別の実施の形態を示す光通信モジュー
ルの断面図であり、図1におけるI−I断面に相当する
断面を示している。
ルの断面図であり、図1におけるI−I断面に相当する
断面を示している。
1、41、51、61…光通信モジュール、 2…フレ
キシブルプリント基板、4、6、6a、6b…半導体電
子デバイス、 8…半導体光デバイス、 10、12、
10a、10b…樹脂体、22…基体、24…リード端
子、26、28、30…導電層、34…位置合わせ孔、
36…位置決めピン、40…スリーブ、42…結合部、
44…フェルール
キシブルプリント基板、4、6、6a、6b…半導体電
子デバイス、 8…半導体光デバイス、 10、12、
10a、10b…樹脂体、22…基体、24…リード端
子、26、28、30…導電層、34…位置合わせ孔、
36…位置決めピン、40…スリーブ、42…結合部、
44…フェルール
Claims (10)
- 【請求項1】 第1の導電層とこの第1の導電層を支持
する絶縁性基体を有するフレキシブルプリント基板と、 前記フレキシブルプリント基板上に搭載され前記第1の
導電層と電気的に接続され所定波長の光を発光叉は受光
する半導体光デバイスと、 前記フレキシブルプリント基板上に搭載され前記第1の
導電層および前記半導体光デバイスに電気的に接続され
た第1の半導体電子デバイスと、を備え、 前記半導体光デバイスはモールド封止され、また前記第
1の半導体電子デバイスはモールド封止されている、光
通信モジュール。 - 【請求項2】 前記フレキシブルプリント基板の前記絶
縁性基体は、前記第1の導電層が設けられた第1の面
と、前記第1の面と対向する第2の面を備え、 前記第2の面は第2の導電層を有する、ことを特徴とす
る請求項1に記載の光通信モジュール。 - 【請求項3】 前記フレキシブルプリント基板は、前記
第1の面と前記第2の面との間に設けられた第3の導電
層を有する、ことを特徴とする請求項2に記載の光通信
モジュール。 - 【請求項4】 前記半導体光デバイスは、前記所定波長
の光が透過する封止用樹脂を用いてモールド封止されて
いる、ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれ
かに記載の光通信モジュール。 - 【請求項5】 前記モールド封止のための樹脂体を利用
して形成され前記半導体光デバイスと光学的に結合され
るレンズが設けられている、ことを特徴とする請求項4
に記載の光通信モジュール。 - 【請求項6】 前記第1の半導体電子デバイスは素子が
形成された素子形成面を有し、前記素子形成面は前記フ
レキシブルプリント基板に対面している、ことを特徴と
する請求項1から請求項5のいずれかに記載の光通信モ
ジュール。 - 【請求項7】 前記フレキシブルプリント基板は、前記
半導体光デバイスとフレキシブルプリント基板とが位置
合わせされた状態で前記半導体光デバイスをモールド封
止することを可能にするための位置合わせ手段を有す
る、ことを特徴とする請求項4から請求項6のいずれか
に記載の光通信モジュール。 - 【請求項8】 前記第1の半導体電子デバイス及び前記
半導体光デバイスの少なくともいずれか一方と電気的に
接続された第2の半導体電子デバイスを備え、 前記半導体光デバイス、前記第1の半導体電子デバイ
ス、および前記第2の半導体半導体電子デバイスは、前
記フレキシブルプリント基板の一主面上に搭載され、 前記フレキシブルプリント基板は、前記主面、および前
記主面と対向する裏面、のいずれかを対面させるように
屈曲され、 前記第1の半導体電子デバイスおよび前記第2の半導体
半導体電子デバイスは、一体にモールド封止されてい
る、ことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか
に記載の光通信モジュール。 - 【請求項9】 半導体電子デバイスを封止する第1の樹
脂体が設けられた第1の領域、半導体光デバイスを封止
する第2の樹脂体が設けられた第2の領域、前記第1の
領域および前記第2の領域の間に設けられ可撓性を有す
る第1のネック領域、並びに前記半導体電子デバイスお
よび前記半導体光デバイスを接続する少なくとも一層以
上の導電層を有するフレキシブルプリント基板を備える
光通信モジュール。 - 【請求項10】 前記フレキシブルプリント基板は、リ
ード端子が設けられた端子辺、並びに第1の樹脂体およ
び前記第2の樹脂体のいずれかと前記端子辺との間に設
けられた可撓性を有する第2のネック領域を有する、請
求項9に記載の光通信モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11086306A JP2000277814A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 光通信モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11086306A JP2000277814A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 光通信モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000277814A true JP2000277814A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13883162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11086306A Pending JP2000277814A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 光通信モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000277814A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003014990A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光通信モジュール |
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| JP2007081073A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Rohm Co Ltd | 受光モジュール |
| JP2007123743A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Sony Corp | フレックスリジッド基板、光送受信モジュール及び光送受信装置 |
| JP2008108861A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd | 光源にフレキシブルpcbが直結された発光ダイオードパッケージ |
| JP2009253166A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Yazaki Corp | 光通信モジュール |
| WO2013065774A1 (ja) * | 2011-11-02 | 2013-05-10 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 光通信モジュール |
| JP2014182379A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-29 | General Electric Co <Ge> | 光学サブアセンブリとその製造方法 |
-
1999
- 1999-03-29 JP JP11086306A patent/JP2000277814A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2013065774A1 (ja) * | 2011-11-02 | 2013-05-10 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 光通信モジュール |
| JP2013098431A (ja) * | 2011-11-02 | 2013-05-20 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 光通信モジュール |
| CN103907250A (zh) * | 2011-11-02 | 2014-07-02 | 株式会社自动网络技术研究所 | 光通信模块 |
| JP2014182379A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-29 | General Electric Co <Ge> | 光学サブアセンブリとその製造方法 |
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