JP2000277911A

JP2000277911A - 配線板の製造方法

Info

Publication number: JP2000277911A
Application number: JP7866399A
Authority: JP
Inventors: Koji Sato; 光司佐藤; Hiroshi Ogawa; 浩史小川; Masao Aotsu; 政夫青津; Masaharu Kubo; 正治久保
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1999-03-23
Filing date: 1999-03-23
Publication date: 2000-10-06

Abstract

(57)【要約】【課題】バイアホール形成のための工数を削減すると
共に、バイアホールによる回路層間の導通信頼性を向上
することができ、更にバイアホールの一部を構成する各
回路層の開口部を位置精度よく形成することができる配
線板の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁樹脂層２の表面に回路層１を設けて
形成される内層基板５の回路層１に、絶縁樹脂層２及び
回路層１を積層成形すると共に、表層側に開口するバイ
アホール３により回路層１間を導通して複数の回路層１
を有する配線板の製造方法である。バイアホール３にて
導通される回路層１にバイアホール３の一部を構成する
開口部４を設ける。この導通されるべき回路層１のう
ち、表層側に配置された回路層１の開口部４の口径を、
内層側に配置された回路層１の開口部４の口径よりも５
０〜２００μｍ大きく形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の回路層が積
層成形され、この回路層間の導通を、非貫通孔であるバ
イアホールにて確保する配線板の製造方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】近年携帯電話等の電気、電子機器の小型
化や軽量化が急速に進んでいる。そしてこのような電
気、電子機器の基板に用いられる多層配線板は、ビルド
アップ多層配線板によって高密度化、小型化、薄型化が
進められてきている。

【０００３】ビルドアップ多層配線板を製造するには各
種の方法が提供されているが、例えばその一つの方法と
して次のような方法がある。すなわち、樹脂積層板の表
面に金属箔や金属めっきで銅等の金属層を設けた内層基
板５を用い、この内層基板５の表面に金属層のパターン
ニング加工によって回路を形成し、次いで、銅箔等の金
属箔の片面に樹脂層を設けて形成した樹脂付き金属箔を
その樹脂層の側で内層基板５の表面に重ね、これを加熱
加圧成形することによって樹脂層を介して内層基板５に
金属箔を積層し、そして、金属箔をパターンニング加工
して回路をすることによって、ビルドアップ多層配線板
を得ることができる。また必要に応じて、樹脂付き金属
箔の積層及び回路のパターニング加工を繰り返すことに
よって、さらに回路を多層に形成することができる。

【０００４】ここで回路間の導通を確保するためには、
特公平４−３６７６号公報に開示されているような、バ
イアホール形成が一般的に行われている。このバイアホ
ール形成にあたっては、回路層１を逐次形成するごと
に、その回路層１と、その内層側の回路層１とを導通さ
せるバイアホール３を形成することができるが、製造工
数を削減という観点からは、回路層１をすべて積層成形
した後に、バイアホール３を形成することが望ましい。
この場合は、図６（ａ）に示すように積層成形された各
回路層１にあらかじめ開口部４を形成しておき、この開
口部４が形成された部分にレーザ光を照射することによ
り、内周に各回路層１の開口部４が露出するバイアホー
ル３を形成し、このバイアホール３内面にめっき層を形
成するものである。

【０００５】しかし上記公報に開示されているような従
来技術では、図６（ｂ）に示すように、各回路層１に形
成される開口部４の形成位置がわずかでもずれると、バ
イアホール３内周面に露出する各回路層１の面積が小さ
くなり、回路間の導通信頼性が損なわれるという問題が
あった。またこのようにして形成されるバイアホール３
の内周形状は、開口部４のずれが生じるほど複雑とな
り、また回路層１の積層数が増加するほど更に複雑な形
状となるものであって、このようなバイアホール３にめ
っき処理を施そうとしても、めっき液がバイアホール３
内周全面に行き渡ることが困難となり、やはり回路層１
間の導通信頼性が損なわれるものであった。

【０００６】一方、貫通孔であるスルーホールにて回路
層間の導通を確保する方法としては、米国特許第４２５
８４６８号に、積層成形される各回路層に開口部を設
け、この開口部を設けた部分にレーザ光を照射すること
によりスルーホールを形成する技術が開示されており、
また各回路層に形成する各開口部の口径を、表層側から
順次小さくすることにより回路層間の導通を向上するこ
とが記載されているが、この技術はあくまで貫通孔に関
する技術であって、バイアホール形成に関してはこのよ
うな技術は開示されていないものであった。またこの従
来技術では、各開口部間の口径の差に関しては何ら言及
されておらず、各開口部同士を位置精度よく形成するこ
とにより導通を確実に確保するという技術思想も存在し
ないものであった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の点に鑑
みてなされたものであり、バイアホール形成のための工
数を削減すると共に、バイアホールによる回路層間の導
通信頼性を向上することができ、更にバイアホールの一
部を構成する各回路層の開口部を位置精度よく形成する
ことができる配線板の製造方法を提供することを目的と
するものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
配線板の製造方法は、絶縁樹脂層２の表面に回路層１を
設けて形成される内層基板５の回路層１に、絶縁樹脂層
２及び回路層１を積層成形すると共に、表層側に開口す
るバイアホール３により回路層１間を導通して複数の回
路層１を有する配線板の製造方法であって、バイアホー
ル３にて導通される回路層１にバイアホール３の一部を
構成する開口部４を設けると共に、この導通されるべき
回路層１のうち、表層側に配置された回路層１の開口部
４の口径を、内層側に配置された回路層１の開口部４の
口径よりも５０〜２００μｍ大きく形成して成ることを
特徴とするものである。

【０００９】また本発明の請求項２に係る配線板の製造
方法は、請求項１構成に加えて、開口部４が形成された
回路層１をマスクとして絶縁樹脂層２にレーザ光を照射
することによりバイアホール３を形成することを特徴と
するものである。

【００１０】また本発明の請求項３に係る配線板の製造
方法は、請求項２の構成に加えて、絶縁樹脂層２に照射
するレーザ光として炭酸ガスレーザを用いることを特徴
とするものである。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
１乃至５を示して説明する。

【００１２】内層基板５はガラス布基材エポキシ樹脂積
層板など樹脂積層板１の表面に回路層１を設けて形成さ
れるものであり、銅張り積層板のなどの両表面にアディ
ティブ法やサブトラクティブ法等により回路形成を行う
などして、絶縁樹脂層２の表層に回路層１を形成したも
のとして得ることができる。

【００１３】この内層基板５に形成された回路層１のう
ちの一方の回路層１ａの表面又は双方の回路層１ａ，１
ａ’の表面に、絶縁樹脂層２及び回路層１を逐次積層成
形し、更に表層側に開口するバイアホール３を形成し
て、配線板を形成する。

【００１４】絶縁樹脂層２及び回路層１の形成方法とし
ては、金属箔の片面に絶縁樹脂を塗布して形成される樹
脂付き金属箔を積層すると共に、この樹脂付き金属箔の
金属箔に回路パターニングを施して金属箔を回路層１と
して形成する方法や、液状樹脂を塗布した後硬化させて
絶縁樹脂層２を形成し、この絶縁樹脂層２の表面に、セ
ミアディティブ法等により回路層１を形成する方法等を
採用することができる。

【００１５】まず樹脂付き金属箔を用いて絶縁樹脂層２
及び回路層１を形成する方法を具体的に説明する。

【００１６】内層基板５に回路層１を形成した後、樹脂
付き金属箔を内層基板５の表面に積層成形する。樹脂付
き金属箔は、銅箔等の金属箔の片面にエポキシ樹脂など
の熱硬化性樹脂を塗布して半硬化状態にした樹脂層を設
けて形成されるものである。そしてこの樹脂付き金属箔
を樹脂層の側で、内層基板５に形成した回路層１のうち
の一方の回路層１ａの表面又は双方の回路層１ａ，１
ａ’の表面に重ね、これを加熱加圧成形して樹脂層を溶
融・硬化させることによって、硬化した樹脂層を介して
内層基板５の表面に金属箔を積層することができるもの
であり、このとき硬化した樹脂付き金属箔の樹脂層は、
配線板の絶縁樹脂層２として形成される。このようにし
て樹脂付き金属箔を内層基板５の表面に成形した後、外
層の樹脂付き金属箔にパターンニング加工を行ない、こ
の金属箔を回路層１として形成する。パターンニング加
工は、金属箔の表面へのエッチングレジストの塗布、露
光、現像、エッチングの通常の手順で行なうことができ
る。このとき同時に、バイアホール３形成箇所において
金属箔に開口部４を形成するものである。このようにし
て内層基板５に絶縁樹脂層２及び回路層１を積層成形し
たら、必要に応じてこの新たに形成された回路層１の表
面に樹脂付き金属箔を樹脂層の側で重ね、同様にして絶
縁樹脂層２及び回路層１を積層成形する。このようにし
て絶縁樹脂層２及び回路層１の形成を逐次繰り返し行
い、回路層１を所望の段数成形する。但し最も表層側に
形成される回路層１ｄには、この段階では回路形成を行
わず、開口部４の形成のみを行う。

【００１７】次に内層基板５の表面に、液状樹脂の硬化
物からなる絶縁樹脂層２と、セミアディティブ法等によ
り形成される回路層１を逐次積層成形する方法を具体的
に説明する。

【００１８】内層基板５に形成した回路層１のうちの一
方の回路層１ａの表面又は双方の回路層１ａ，１ａ’の
表面に液状樹脂をカーテンコータ、ロールコータ、スク
リーン印刷等により塗布する。この液状樹脂としては、
例えばブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂モノマ
ー５５〜７０重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
モノマー２０〜３５重量部、ビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂オリゴマー２０〜３５重量部、シアン系硬化剤１
〜２重量部、アミン系硬化剤５〜１０重量部を配合し、
固形分３５〜６０重量％、好ましくは固形分５２重量％
になるように、メチルエチルケトン、ジメチルホルムア
ミド等の溶剤を配合して調製したものを用いることがで
きる。そしてこのようにして得られる液状樹脂を、カー
テンコータを用いる場合は、粘度が６０〜３００ｃｐ
ｓ、好ましくは１１０ｃｐｓとなるようにメチルエチル
ケトンで調製しながら、内層基板５の回路層１に塗布す
る。塗布後、８０〜１３０℃で１５〜４５分間、好まし
くは１２０℃で３０分間加熱して乾燥させた後、１４０
〜１６０℃で４０〜８０分間、好ましくは１５０℃で５
０分間加熱することにより硬化させて、絶縁樹脂層２を
形成する。

【００１９】この絶縁樹脂層２の表面を、研磨機を用い
て整面した後、無電解めっき前処理、無電解めっき処
理、めっきレジスト形成、電解めっき処理、めっきレジ
スト剥離、ソフトエッチング処理を順に行うセミアディ
ティブ工法による工程を経て回路層１の形成を行う。こ
のとき同時に、バイアホール３形成箇所において回路層
１に開口部４を形成するものである。このようにして内
層基板５に絶縁樹脂層２及び回路層１を積層成形した
ら、必要に応じてこの新たに形成された回路層１の表面
に液状樹脂の塗布、硬化による絶縁樹脂層２の形成及び
回路層１の形成を行う。このようにして絶縁樹脂層２及
び回路層１の形成を逐次繰り返し行い、回路層１を所望
の段数成形する。但し最も表層側に形成される回路層１
ｄには、この段階では回路形成を行わず、開口部４のみ
を形成する。

【００２０】前記に例示した２方法等により形成される
開口部４は、バイアホール３で導通されるべき回路層１
のうち、最も内層側に配置されるものを除いたすべての
回路層１に設けるものである。本発明においては、この
互いにバイアホールで導通されるべき回路層１に形成さ
れた開口部４は、表層側に配置されるものほどその口径
が大きくなるように形成するものであり、すなわちバイ
アール３の開口側に形成されるものほど口径が大きくな
るように形成するものである。ここで開口部４の形状
は、円形に限られるものではなく、矩形状等の種々の形
状を適用することができるものであり、また本明細書中
において開口部４の口径は、開口部４が円形の場合はそ
の直径を指し、開口部４が円形以外の形状の場合は、そ
の開口部４に外接する円の直径を指すものとする。また
各回路層１に形成する開口部４は、その中心がバイアホ
ール３の穿設方向に沿って略一直線状に並ぶように位置
合わせして形成することが好ましい。また絶縁樹脂層２
の厚みは特に制限されないが、レーザ加工によるバイア
ホール３形成を効率良く行うためには、２０〜１００μ
ｍの範囲とすることが好ましい。尚、開口部４は互いに
導通されるべき回路層１の間に配置された導通を確保し
ない回路層１にも形成されるものであるが、この点に関
しては後に詳述する。

【００２１】このようにして図１（ａ）に示すように内
層基板５に絶縁樹脂層２及び回路層１を逐次形成した
後、最も表層側に形成された回路層１の開口部４から露
出する絶縁樹脂層２に向けてレーザ光を照射し、絶縁樹
脂層２の、レーザ光が照射された部分を分解除去して、
図１（ｂ）に示すようにバイアホール３を穿設する。こ
のときレーザ光は、表層側に配置された回路層１がコン
フォーマルマスクとなってこの回路層１が形成された開
口部４を通過し、この回路層１よりも内層側に形成され
た絶縁樹脂層２を除去する。その後レーザ光は、この回
路層１よりも内層側に配置された、この回路層１と導通
されるべき回路層１に達し、レーザ光はこの内層側に配
置された回路層１がコンフォーマルマスクとなってこの
回路層１が形成された開口部４を通過し、この回路層１
よりも更に内層側に形成された絶縁樹脂層２を除去す
る。このように、バイアホール３にて導通されるべき回
路層１が順次コンフォーマルマスクとなって、内面が階
段状に多段に形成され、底面に、導通されるべき回路層
１のうちの最も内層側の回路層１、すなわち図１の場合
は内層基板５の回路層１ａが露出するバイアホール３が
形成される。ここでレーザ光としては、炭酸ガスレーザ
を用いることが好ましく、この場合、レーザ光は回路層
１、特に銅にて形成される回路層１にて反射されやすい
と共に、絶縁樹脂層２に吸収されやすくなり、回路層１
をコンフォーマルマスクとするバイアホール３の形成を
確実に行うことができる。このバイアホール３に必要に
応じてデスミアー処理を施した後、バイアホール３の内
面に無電解めっき及び電解めっきを施すパネルめっきを
施すことによって、バイアホール３の内面に所望の導通
すべき回路層１と導通するめっき層が形成される。そし
て最も表層側の回路層１に回路形成を行うことにより、
配線板が作製される。

【００２２】図１に示す例では、回路層１ａ,１ａ’が
形成された内層基板５の一方の回路層１ａの表面に更に
３層の回路層１を形成し、内層基板５の一方の回路層１
ａ及びこれより表層側に形成されたすべての回路層１を
バイアホール３にて導通させるようにしたものであり、
内層基板５の一方の回路層１ａよりも表層側に形成され
た回路層１すべてに開口部４を形成すると共に、各開口
部４の口径を、そのすぐ内層側の回路層１の開口部４の
口径よりも大きく形成したものである。このようにする
と、一つのバイアホール３にてすべての回路層１間の導
通を確保することができるが、各回路層１における開口
部４の形成の有無及び各開口部４の口径を制御すること
により、所望の回路層１間のみの導通を確保することが
できる。

【００２３】例えば図２に示す例は、回路層１ａ,１
ａ’が形成された内層基板５の一方の回路層１ａの表面
に更に３層の回路層１を形成し、この回路層１のうちの
最も内層側の回路層１である内層基板５の回路層１ａを
除いた、３層の回路層１ｂ、１ｃ、１ｄ間の導通を確保
するものである。かかる例では、内層基板５に形成した
回路層１ａ及びこれより表層側に形成した回路層１ｂ、
１ｃ、１ｄのうち内層側から２層目までの回路層１ａ，
１ｂには開口部４を形成せず、それより表層側の２層の
回路層１ｃ，１ｄのみに開口部４を形成すると共に、表
層側の回路層１ｄの開口部４の口径を、そのすぐ内層の
回路層１ｃの開口部４の口径よりも大きく形成したもの
である。

【００２４】このようにある回路層１よりも内層側に配
置されたすべての回路層１との導通を確保しない場合
は、その回路層１に開口部４を形成しないようにするも
のである。

【００２５】また図３に示す例は、回路層１ａ,１ａ’
が形成された内層基板５の一方の回路層１ａの表面に更
に３層の回路層１を形成し、この回路層１のうちの内層
側から第１層目、第３層目、第４層目の回路層１ａ，１
ｃ，１ｄのみを互いに導通させるようにしたものであ
る。かかる例では、内層側から第１層目の回路層１であ
る内層基板５に形成した回路層１ａを除いた表層側のす
べての回路層１ｂ，１ｃ，１ｄに開口部４を形成すると
共に、導通を確保しない内層側から第２層目の回路層１
ｂの開口部４の口径を、そのすぐ表層側の回路層１であ
る第３層目の回路層１ｃの開口部４の口径よりも大きく
形成し、また互いに導通を確保すべき回路層１である第
３層目の回路層１ｃと第４層目の回路層１ｄでは、表層
側の第４層目の回路層１ｄに形成された開口部４の口径
を、そのすぐ内層の第３層目の回路層１ｃの開口部４の
口径よりも大きく形成したものである。このようにする
と、バイアホール３の口径は、第３層目の回路層１ｃよ
りも内層側では、レーザ光の照射時に第３層目の回路層
１ｃがコンフォーマルマスクとなって第３層目の回路層
１ｃの開口部４の口径と同一となり、第２層目の回路層
１ｂの開口部４の口径よりも小さくなる。その結果、バ
イアホール３の内面において第２層目の回路層１ｂが露
出しなくなり、バイアホール３における第２層目の回路
層１ｂと他の回路層１ａ，１ｃ，１ｄとの導通が確保さ
れないようにすることができる。

【００２６】また図４に示す例では、４層の回路層１を
形成し、この回路層１のうちの内層側から第１層目、第
２層目、第４層目の回路層１ａ，１ｂ，１ｄのみを互い
に導通させるようにしたものである。かかる例では、内
層側から第１層目の回路層１である内層基板５に形成し
た回路層１ａを除いた表層側のすべての回路層１ｂ，１
ｃ，１ｄに開口部４を形成すると共に、導通を確保しな
い内層側から第３層目の回路層１ｃの開口部４の口径
を、そのすぐ表層の回路層１である第４層目の回路層１
ｄの開口部４の口径よりも大きく形成し、また互いに導
通を確保すべき回路層１である第２層目の回路層１ｂと
第４層目の回路層１ｄでは、表層側の第４層目の回路層
１ｄの開口部４の口径を、その内層の第２層目の回路層
１ｂの開口部４の口径よりも大きく形成したものであ
る。このようにすると、バイアホール３の口径は、第１
層目の回路層１ａと第３層目の回路層１ｃの間において
は、レーザ光の照射時に第４層目の回路層１ｄがコンフ
ォーマルマスクとなって第４層目の回路層１ｄの開口部
４の口径と同一となり、第３層目の回路層１ｃの口径よ
りも小さくなる。その結果、バイアホール３の内面にお
いて第３層目の回路層１ｃが露出しなくなり、バイアホ
ール３における第３層目の回路層１ｃと他の回路層１
ａ，１ｂ，１ｄとの導通が確保されないようすることが
できる。

【００２７】この図３、４に示す場合のように、導通を
確保すべき回路層１の間に、導通を確保しない回路層１
が配置されている場合は、導通を確保しない回路層１の
開口部４の口径を、そのすぐ表層側に配置されている、
導通を確保すべき回路層１の開口部４の口径よりも大き
く形成し、バイアホール３の内面から、この導通を確保
しない回路層１が露出しないようにするものである。

【００２８】また上記図１乃至４に示した例では、内層
基材５に形成した回路層１ａ，１ａ’のうちの一方の回
路層１ａのみに絶縁樹脂層２及び回路層１を順次積層成
形したものであるが、図５に示すような、内層基材５の
両面の回路層１ａ，１ａ’双方に絶縁樹脂層２及び回路
層１を順次積層成形する場合は、内層基材５の一方の面
の回路層１ａの表面に積層成形された絶縁樹脂層２及び
回路層１ｂ，１ｃ，１ｄと、内層基材５の他方の面の回
路層１ａ’の表面に積層成形された絶縁樹脂層２及び回
路層１ｂ’，１ｃ’，１ｄ’に、それぞれ図１乃至４に
例示するような開口部４の形成及びバイアホール３の形
成を行うものである。

【００２９】上記のようにしてバイアホール３を形成す
ると、バイアホール３の内面の面積が大きくなり、また
バイアホール３は内面が階段状に形成されるためその内
面に形成されるめっき層のある段の面に応力がかかった
場合、めっき層の剥離が他の段の面における摩擦力によ
り抑制されるものであり、バイアホール３内面とめっき
層との密着性が向上して、回路層１間の導通信頼性が向
上する。また互いに導通されるべき各回路層１の開口部
４は、バイアホール３の開口側ほどその口径を大きく形
成しているため、各回路層１の開口部４形成位置の位置
あわせが容易であり、開口部４の位置ずれによる回路層
１間の導通不良を防止することができる。また形成され
たバイアホール３の内面には、表層側の回路層１の開口
部４の内層側において、内層側の回路層１の開口部４の
外縁全周が露出することとなり、バイアホール３の内面
において、互いに導通されるべき各回路層１の露出面積
が大きくなる。従ってこのバイアホール３の内面に形成
されるめっき層による各回路層１間の導通信頼性を向上
することができる。またこのような複数の回路層１を導
通させるバイアホール３を作製するにもかかわらず、そ
の内面形状が複雑化することを防ぎ、バイアホール３内
面にめっき層を形成する場合にめっき液がバイアホール
３の内面全面に行き渡りやすくなるものであり、この点
においてもバイアホール３による各回路層１間の導通信
頼性を向上することができるものである。

【００３０】ここでバイアホール３にて互いに導通され
るべき回路層１のうち、表層側に配置される回路層１の
開口部４の口径は、そのすぐ内層側に配置される回路層
１の開口部４の口径よりも、５０〜２００μｍ大きく形
成するものである。すなわち回路層１を積層成形する際
の回路層１の開口部４形成位置の成形精度は、±２５μ
ｍ以内であり、表層側に配置される回路層１の開口部４
の口径を、そのすぐ内層側に配置される回路層１の開口
部４の口径よりも５０μｍ以上大きく形成すると、内層
側の回路層１の開口部４の外縁全周を確実にバイアホー
ル３の内面に露出させることができるものである。一
方、この開口部４の口径の差が２００μｍを超えると、
開口部４の口径が大きくなりすぎ、回路層１における配
線密度が低下するものである。またレーザ光の口径は、
一般的には３５０μｍであるが、回路層１をコンフォー
マルマスクとしてバイアホール３を形成するためには、
開口部４の口径を３５０μｍよりも大きくすると、一回
のレーザ光照射によりバイアホール３を形成することが
できず、また開口部４の口径が３５０μｍよりも小さい
場合であってもその口径の差が僅少な場合は形成される
バイアホール３の内周がテーパ状になるなどして、均一
な形状のバイアホール３を得ることが困難であるため、
レーザ光を一回照射することにより均一な形状のバイア
ホール３を形成するためには、最も表層側に形成される
開口部４の口径を３００μｍ以下にすることが好まし
く、この場合、この最も表層側に形成される開口部４の
口径に従って他の開口部４の口径が適宜設計される。ま
た一方、バイアホール３の内部形状が狭すぎる場合は、
バイアホール３の内面にめっき層を形成する場合にめっ
き液が内部まで行き渡らず、導通不良が発生するおそれ
があるため、互いに導通を確保すべき回路層１に形成さ
れる開口部４のうち最も内層側に形成される開口部４の
口径は、５０μｍ以上とすることが好ましく、この場
合、バイアホール３の内周面の口径はいずれの深さにお
いても５０μｍ以上となって、めっき層形成の際にバイ
アホール３の内面すべてにめっき液を容易に行き渡らせ
ることができ、バイアホール３による回路層１間の導通
を確実に確保することができるものである。

【００３１】

【実施例】以下、本発明を実施例によって詳述する。

【００３２】（実施例１）内層基板５として、ＦＲ−４
相当のガラス布基材銅張エポキシ樹脂積層板（松下電工
株式会社製「Ｒ１７６６」）を用い、この内層基板５の
金属層２の表面へのエッチングレジストの塗布、露光、
現像、エッチングを行なって、内層基板５３の表面の金
属層２をパターンニング加工することによって、内層基
板５の表面に回路層１を形成した。

【００３３】次に、樹脂付き金属板として銅箔にエポキ
シ樹脂を塗布して作製した松下電工株式会社製「Ｒ０８
８０」を用い、この樹脂付き金属箔を樹脂層の側で内層
基板５の回路層１に重ね、これを１８０℃、４０ｋｇ／
ｃｍ²、９０分の条件で加熱加圧成形することによっ
て、樹脂付き金属箔を内層基板５に積層した。この樹脂
付き金属箔の金属箔にパターニング加工を行うと共に直
径５０μｍの円形状の開口部４を形成して金属箔を回路
層１として成形した。更にこの新たに成形された回路層
１の表面に樹脂付き金属箔を樹脂層の側で重ね、前回と
同一の条件で加熱加圧することよって樹脂付き金属箔を
更に積層成形した。この樹脂付き金属箔の金属箔に、そ
の内層側に形成した開口部４と位置合わせして直径１０
０μｍの円形状の開口部４を形成して金属箔を回路層１
として成形した。

【００３４】この表層側の回路層１の開口部４に炭酸ガ
スレーザ光を照射し、バイアホール３を形成した。この
バイアホール３の内周をデスミアー処理した後、無電解
めっきと電解めっきからなるパネルめっきを施して、バ
イアホール３内面に厚み２０μｍのめっき層を形成し
た。

【００３５】この後、表層の回路層１の表面へのエッチ
ングレジストの塗布、露光、現像、エッチングを行なっ
てパターンニング加工し、４層の配線板を得た。

【００３６】（実施例２）表層側の回路層１に形成する
開口部４の直径を１７５μｍとした以外は、実施例１と
同様にして４層の配線板を得た。

【００３７】（実施例３）表層側の回路層１に形成する
開口部４の直径を２５０μｍとした以外は、実施例１と
同様にして４層の配線板を得た。

【００３８】（実施例４）内層側の回路層１に形成する
開口部４の直径を８０μｍとし、表層側の回路層１に形
成する開口部４の直径を１８０μｍとした以外は、実施
例１と同様にして４層の配線板を得た。

【００３９】（比較例１）表層側の回路層１に形成する
開口部４の直径を５０μｍとした以外は、実施例１と同
様にして４層の配線板を得た。

【００４０】（比較例２）表層側の回路層１に形成する
開口部４の直径を８０μｍとした以外は、実施例１と同
様にして４層の配線板を得た。

【００４１】（バイアホール形状評価）実施例１〜４及
び比較例１、２で得られた各配線板につき、バイアホー
ル３形成後、パネルめっき形成前に、バイアホール３内
周を開口上方から観察し、内層基板５の回路層１に形成
した開口部４が全周にわたって露出しているか否かを確
認し、全周にわたって露出しているものを「○」、露出
していない部分があるものを「×」として評価した。

【００４２】（導通信頼性評価）実施例１〜４及び比較
例１、２で得られた各配線板につき、気相中において−
５５℃の温度から３０分間かけて１２５℃に加熱し、更
に３０分間かけて−５５℃の温度に冷却する操作を１サ
イクルとするヒートサイクル試験を３００サイクル行
い、試験後の各配線板の回路層１間の導通の有無を検査
し、導通が維持されているものを「○」、導通が維持さ
れていないものを「×」として評価した。ここで回路層
１に形成する回路パターンはデージーチェーンパターン
とした。

【００４３】以上の結果を表１に示す。

【００４４】

【表１】

【００４５】

【発明の効果】上記のように本発明の請求項１に係る配
線板の製造方法は、絶縁樹脂層の表面に回路層を設けて
形成される内層基板の回路層に、絶縁樹脂層及び回路層
を積層成形すると共に、表層側に開口するバイアホール
により回路層間を導通して複数の回路層を有する配線板
を製造する配線板の製造方法であって、バイアホールに
て導通される回路層にバイアホールの一部を構成する開
口部を設けると共に、この導通されるべき回路層のう
ち、表層側に配置された回路層の開口部の口径を、内層
側に配置された回路層の開口部の口径よりも５０〜２０
０μｍ大きく形成するものであり、バイアホールの内面
の面積が大きくなり、またバイアホールは内面が階段状
に形成されるためバイアホール内面とめっき層との密着
性を向上し、また回路層の開口部形成位置の位置あわせ
が容易であり、開口部の位置ずれを防止することがで
き、また形成されたバイアホールの内面には、表層側の
回路層の開口部の内層側において、内層側の回路層の開
口部の外縁全周が露出することとなり、バイアホールの
内面において、互いに導通されるべき各回路層の露出面
積が大きくなるものであり、またバイアホールの内面形
状が複雑化することを防ぎ、バイアホール内面にめっき
層を形成する場合にめっき液がバイアホールの内面全面
に行き渡りやすくなるものであり、従ってバイアホール
の内面に形成されるめっき層による各回路層間の導通信
頼性を向上することができるものである。

【００４６】また本発明の請求項２に係る配線板の製造
方法は、請求項１の構成に加えて、開口部が形成された
回路層をマスクとして絶縁樹脂層にレーザ光を照射する
ことによりバイアホールを形成するものであり、すべて
の回路層の積層成形を行った後にレーザ光を照射して回
路層間の導通を確保するためのバイアホールを形成する
ことができ、バイアホール形成の工数を削減することが
できるものである。

【００４７】また本発明の請求項３に係る発明は、請求
項２の構成に加えて、絶縁樹脂層に照射するレーザ光と
して炭酸ガスレーザを用いるものであり、この炭酸ガス
レーザは回路層にて反射されやすいと共に絶縁樹脂層に
吸収されやすいものであって、回路層をマスクとするバ
イアホールの形成を容易に行うことができるものであ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）（ｂ）は本発明の実施の形態の一例を示
す断面図である。

【図２】本発明の実施の形態の他例を示す断面図であ
る。

【図３】本発明の実施の形態の更に他例を示す断面図で
ある。

【図４】本発明の実施の形態の更に他例を示す断面図で
ある。

【図５】本発明の実施の形態の更に他例を示す断面図で
ある。

【図６】従来技術を示す図であり、（ａ）は断面図、
（ｂ）は開口部の配置状態を説明する概念図である。

【符号の説明】

１回路層２絶縁樹脂層３バイアホール４開口部５内層基板

フロントページの続き (72)発明者青津政夫大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内 (72)発明者久保正治大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内Ｆターム(参考） 5E346 AA35 AA43 CC04 CC09 CC32 DD22 DD25 DD44 EE13 EE33 FF15 GG15 GG17 GG18 GG22 GG28 HH22 HH31

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁樹脂層の表面に回路層を設けて形成
される内層基板の回路層に、絶縁樹脂層及び回路層を積
層成形すると共に、表層側に開口するバイアホールによ
り回路層間を導通して複数の回路層を有する配線板を製
造する配線板の製造方法であって、バイアホールにて導
通される回路層にバイアホールの一部を構成する開口部
を設けると共に、この導通されるべき回路層のうち、表
層側に配置された回路層の開口部の口径を、内層側に配
置された回路層の開口部の口径よりも５０〜２００μｍ
大きく形成して成ることを特徴とする配線板の製造方
法。
【請求項２】開口部が形成された回路層をマスクとし
て絶縁樹脂層にレーザ光を照射することによりバイアホ
ールを形成することを特徴とする請求項１に記載の配線
板の製造方法。
【請求項３】絶縁樹脂層に照射するレーザ光として炭
酸ガスレーザを用いることを特徴とする請求項２に記載
の配線板の製造方法。