JP2000278088A - 弾性表面波デバイス - Google Patents
弾性表面波デバイスInfo
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 伝搬速度を遅くすることにより小型化に有利
で、かつＬｉＴａＯ3（ＬＴ）基板の低温度特性を改善
することによって良好なＫ2および低温度特性を有する
ＳＡＷデバイスを提供する。 【解決手段】 ＳＡＷデバイス５は、ガラス基板１と、
ＬＴ基板２と、電極３とを有している。電極３のピッチ
をλ、ＬＴ基板２の厚みをＨ、Ｋを２π／λとしたと
き、ＫとＨとの積が０．５以上１．５以下である。
で、かつＬｉＴａＯ3（ＬＴ）基板の低温度特性を改善
することによって良好なＫ2および低温度特性を有する
ＳＡＷデバイスを提供する。 【解決手段】 ＳＡＷデバイス５は、ガラス基板１と、
ＬＴ基板２と、電極３とを有している。電極３のピッチ
をλ、ＬＴ基板２の厚みをＨ、Ｋを２π／λとしたと
き、ＫとＨとの積が０．５以上１．５以下である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波（Surf
ace Acoustic Wave：ＳＡＷ）デバイスに関するもので
ある。
ace Acoustic Wave：ＳＡＷ）デバイスに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】ＳＡＷデバイスには、ＳＡＷ共振器、ト
ランスバーサル型ＳＡＷフィルタおよび共振器型ＳＡＷ
フィルタなどがあり、それぞれ用途に応じて使い分けら
れている。以下、ＳＡＷデバイスの１つとしてたとえば
ＳＡＷフィルタについて説明する。
ランスバーサル型ＳＡＷフィルタおよび共振器型ＳＡＷ
フィルタなどがあり、それぞれ用途に応じて使い分けら
れている。以下、ＳＡＷデバイスの１つとしてたとえば
ＳＡＷフィルタについて説明する。
【０００３】図１７は、ＳＡＷフィルタの構成を概略的
に示す斜視図である。図１７を参照して、ＳＡＷフィル
タ１５の基本構造は、圧電基板１２と、その圧電基板１
２の表面上に形成された表面波の励振用および受信用の
１対の櫛型電極１３とを有する４端子構造からなってい
る。また、このような電極１３を交差指形電極（interd
igital electrode）といい、この種の変換素子をＩＤＴ
（interdigital transducer）という。
に示す斜視図である。図１７を参照して、ＳＡＷフィル
タ１５の基本構造は、圧電基板１２と、その圧電基板１
２の表面上に形成された表面波の励振用および受信用の
１対の櫛型電極１３とを有する４端子構造からなってい
る。また、このような電極１３を交差指形電極（interd
igital electrode）といい、この種の変換素子をＩＤＴ
（interdigital transducer）という。
【０００４】一般に、励振用の櫛型電極１３にインパル
ス電圧を印加すると、図１８に示すように圧電効果によ
り隣り合う電極１３間に互いに逆位相の歪みが生じＳＡ
Ｗが励起される。このＳＡＷが圧電基板１２の表面を伝
搬し、この表面波による歪みで圧電基板１２上に表面電
荷が生じ、受信用の櫛型電極１３により電気信号として
取出される。
ス電圧を印加すると、図１８に示すように圧電効果によ
り隣り合う電極１３間に互いに逆位相の歪みが生じＳＡ
Ｗが励起される。このＳＡＷが圧電基板１２の表面を伝
搬し、この表面波による歪みで圧電基板１２上に表面電
荷が生じ、受信用の櫛型電極１３により電気信号として
取出される。
【０００５】従来、このようなＳＡＷフィルタ１５など
のＳＡＷデバイスは、図１９に示すように圧電基板１２
の表面にそれぞれのデバイスに応じた電極１３を配置し
た構造となっている。ＳＡＷデバイス１５の特性は圧電
基板１２の特性に大きく依存し、圧電基板１２もまた用
途に応じて使い分けられている。表１に代表的な圧電基
板１２の材質と圧電基板１２上を伝搬するＳＡＷの特性
とを示す。
のＳＡＷデバイスは、図１９に示すように圧電基板１２
の表面にそれぞれのデバイスに応じた電極１３を配置し
た構造となっている。ＳＡＷデバイス１５の特性は圧電
基板１２の特性に大きく依存し、圧電基板１２もまた用
途に応じて使い分けられている。表１に代表的な圧電基
板１２の材質と圧電基板１２上を伝搬するＳＡＷの特性
とを示す。
【０００６】
【表１】
【０００７】表１より、水晶基板では温度特性が小さく
良好であるが、電気−機械結合係数（Ｋ2）が小さい。
またＬｉＮｂＯ3（ＬＮ）基板ではＫ2が大きいが、遅延
時間温度係数（Temperature Coefficient of Delaytim
e：ＴＣＤ）に代表される温度特性が悪い。またＬｉＴ
ａＯ3（ＬＴ）を用いた基板として、従来、Ｘ−１１２
°Ｙ ＬＴ基板（オイラー角表示で（９０°，９０°，
１１２°）ＬＴ）などがあるが、従来のＬＴ基板は水晶
基板とＬＮ基板との中間の特性を持っている。
良好であるが、電気−機械結合係数（Ｋ2）が小さい。
またＬｉＮｂＯ3（ＬＮ）基板ではＫ2が大きいが、遅延
時間温度係数（Temperature Coefficient of Delaytim
e：ＴＣＤ）に代表される温度特性が悪い。またＬｉＴ
ａＯ3（ＬＴ）を用いた基板として、従来、Ｘ−１１２
°Ｙ ＬＴ基板（オイラー角表示で（９０°，９０°，
１１２°）ＬＴ）などがあるが、従来のＬＴ基板は水晶
基板とＬＮ基板との中間の特性を持っている。
【０００８】このように各基板はそれぞれ長所と短所と
を持っており、デバイスの用途に応じて使い分けられて
いる。近年、ＴＶなどの映像機器および携帯電話などの
通信機器の発達に伴い、それらに用いられるＳＡＷデバ
イスにもまた、これまで以上に優れた特性が要求されて
いる。
を持っており、デバイスの用途に応じて使い分けられて
いる。近年、ＴＶなどの映像機器および携帯電話などの
通信機器の発達に伴い、それらに用いられるＳＡＷデバ
イスにもまた、これまで以上に優れた特性が要求されて
いる。
【０００９】なお、表１におけるオイラー角について以
下に図２０を用いて説明する。図２０を参照して、まず
Ｚ軸を回転軸としてＸ軸をＹ軸方向にφだけ回転させた
軸を第１軸とする。次に第１軸を回転軸としてＺ軸を反
時計回りにθだけ回転させた軸を第２軸とする。この第
２軸を法線として第１軸を含む面方位でカットし、基板
とする。上記面方位にカットした基板において、第２軸
を回転軸として第１軸を反時計回りにψだけ回転させた
軸を第３軸とし、この第３軸をＳＡＷ伝搬方向とする。
面上の第３軸と直交する軸を第４軸とする。このように
オイラー角（φ，θ，ψ）が規定される。
下に図２０を用いて説明する。図２０を参照して、まず
Ｚ軸を回転軸としてＸ軸をＹ軸方向にφだけ回転させた
軸を第１軸とする。次に第１軸を回転軸としてＺ軸を反
時計回りにθだけ回転させた軸を第２軸とする。この第
２軸を法線として第１軸を含む面方位でカットし、基板
とする。上記面方位にカットした基板において、第２軸
を回転軸として第１軸を反時計回りにψだけ回転させた
軸を第３軸とし、この第３軸をＳＡＷ伝搬方向とする。
面上の第３軸と直交する軸を第４軸とする。このように
オイラー角（φ，θ，ψ）が規定される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ＳＡＷデバイスの中心
周波数ｆ0は、 ｆ0＝Ｖ／λ （Ｖ：ＳＡＷの伝搬速度、λ：ＩＤＴの電極ピッチ（図
１７））で決定される。このため、同じ中心周波数ｆ0
を持つデバイスを作製する場合、水晶基板などに比べ速
い伝搬速度Ｖを持つＬＴ基板を用いると、ＩＤＴの電極
ピッチλが大きくなり、ＳＡＷデバイス自身も大きくな
ってしまう。
周波数ｆ0は、 ｆ0＝Ｖ／λ （Ｖ：ＳＡＷの伝搬速度、λ：ＩＤＴの電極ピッチ（図
１７））で決定される。このため、同じ中心周波数ｆ0
を持つデバイスを作製する場合、水晶基板などに比べ速
い伝搬速度Ｖを持つＬＴ基板を用いると、ＩＤＴの電極
ピッチλが大きくなり、ＳＡＷデバイス自身も大きくな
ってしまう。
【００１１】また一般的に圧電基板のＫ2が大きいほど
帯域幅の広いデバイスが設計しやすいとされている。し
かし、大きなＫ2を有するＬＴ基板は、ＴＣＤが大きい
ため、低い温度特性が要求されるデバイスには不向きで
ある。
帯域幅の広いデバイスが設計しやすいとされている。し
かし、大きなＫ2を有するＬＴ基板は、ＴＣＤが大きい
ため、低い温度特性が要求されるデバイスには不向きで
ある。
【００１２】それゆえ本発明の目的は、伝搬速度を遅く
できることで小型化を図ることができ、かつ高いＫ2特
性および低い温度特性を有するＳＡＷデバイスを提供す
ることである。
できることで小型化を図ることができ、かつ高いＫ2特
性および低い温度特性を有するＳＡＷデバイスを提供す
ることである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本願発明者らは、上記目
的に基づいて鋭意検討した結果、ＬＴを含む圧電基板と
ガラス基板とを組合せることにより、ＳＡＷデバイス自
身の小型化を図ることができ、かつ電極のピッチλと圧
電基板の厚みＨとを所定範囲に設定することで、高いＫ
2および低い温度特性が得られることを見出した。
的に基づいて鋭意検討した結果、ＬＴを含む圧電基板と
ガラス基板とを組合せることにより、ＳＡＷデバイス自
身の小型化を図ることができ、かつ電極のピッチλと圧
電基板の厚みＨとを所定範囲に設定することで、高いＫ
2および低い温度特性が得られることを見出した。
【００１４】それゆえ、本発明のＳＡＷデバイスは、ガ
ラス基板と、ガラス基板上に形成されたＬＴを含む圧電
基板と、圧電基板上に形成された電極とを備え、電極の
ピッチをλ、圧電基板の厚みをＨ、Ｋを２π／λとした
とき、ＫとＨとの積（ＫＨ）が０．５以上１．５以下で
ある。
ラス基板と、ガラス基板上に形成されたＬＴを含む圧電
基板と、圧電基板上に形成された電極とを備え、電極の
ピッチをλ、圧電基板の厚みをＨ、Ｋを２π／λとした
とき、ＫとＨとの積（ＫＨ）が０．５以上１．５以下で
ある。
【００１５】ガラス基板は、ＬＴを含む圧電基板に比べ
て音速（伝搬速度）の遅い材料である。このため、ガラ
ス基板とこの圧電基板とを組合せることにより、圧電基
板はガラス基板の影響を受けるため、ＳＡＷの音速を遅
くすることができる。たとえば、圧電基板の厚みが薄い
ほどガラス基板の影響が強くなり、ＳＡＷの音速が遅く
なる。また圧電基板の厚みを厚くしていくと、ＳＡＷの
音速は圧電基板の音速に収束していく。
て音速（伝搬速度）の遅い材料である。このため、ガラ
ス基板とこの圧電基板とを組合せることにより、圧電基
板はガラス基板の影響を受けるため、ＳＡＷの音速を遅
くすることができる。たとえば、圧電基板の厚みが薄い
ほどガラス基板の影響が強くなり、ＳＡＷの音速が遅く
なる。また圧電基板の厚みを厚くしていくと、ＳＡＷの
音速は圧電基板の音速に収束していく。
【００１６】このようにガラス基板と圧電基板とを接合
することにより、それらの各厚みを調整することでＳＡ
Ｗの音速を低速化するよう調整することができる。これ
により、ＩＤＴの電極ピッチλを小さくできるため、Ｓ
ＡＷデバイス自身の小型化を図ることができる。
することにより、それらの各厚みを調整することでＳＡ
Ｗの音速を低速化するよう調整することができる。これ
により、ＩＤＴの電極ピッチλを小さくできるため、Ｓ
ＡＷデバイス自身の小型化を図ることができる。
【００１７】また圧電基板の厚みＨおよび電極ピッチλ
によって電界分布が異なる。ここで、ガラス基板と圧電
基板とを組合せるとともに、ＫＨを０．５以上１．５以
下とすることにより、電界分布を圧電基板に集中するよ
うに調整できる。このため、ＳＡＷを効率的に励振でき
るようになり、それによりＫ2が改善される。
によって電界分布が異なる。ここで、ガラス基板と圧電
基板とを組合せるとともに、ＫＨを０．５以上１．５以
下とすることにより、電界分布を圧電基板に集中するよ
うに調整できる。このため、ＳＡＷを効率的に励振でき
るようになり、それによりＫ2が改善される。
【００１８】なお、ＫＨを０．５以上１．５以下とした
のは、０．５未満および１．５を超えた場合のいずれに
も、ＳＡＷの音速が大きくなり、ＳＡＷデバイス自身の
小型化が困難となるからである。
のは、０．５未満および１．５を超えた場合のいずれに
も、ＳＡＷの音速が大きくなり、ＳＡＷデバイス自身の
小型化が困難となるからである。
【００１９】またガラス基板のＴＣＤおよび音速の温度
係数（ＴＣＶ）は、ＬＴを含む圧電基板のＴＣＤおよび
ＴＣＶと異符号の特性を持つ。たとえばＴＣＶの場合、
ＬＴを含む圧電基板は＋の係数を持つが、ガラス基板は
−の係数を持つ。このため、これらの基板を接合するこ
とにより、互いのＴＣＤ、ＴＣＶを各々キャンセルする
ことができ、それにより温度特性を改善することができ
る。
係数（ＴＣＶ）は、ＬＴを含む圧電基板のＴＣＤおよび
ＴＣＶと異符号の特性を持つ。たとえばＴＣＶの場合、
ＬＴを含む圧電基板は＋の係数を持つが、ガラス基板は
−の係数を持つ。このため、これらの基板を接合するこ
とにより、互いのＴＣＤ、ＴＣＶを各々キャンセルする
ことができ、それにより温度特性を改善することができ
る。
【００２０】また本願発明者らは、鋭意検討した結果、
オイラー角を所定範囲に設定すれば、高いＫ2および低
い温度特性が得られることを見出した。
オイラー角を所定範囲に設定すれば、高いＫ2および低
い温度特性が得られることを見出した。
【００２１】それゆえ、上記のＳＡＷデバイスにおいて
好ましくは、ＬＴがオイラー角表示で（０°，２０°〜
４０°，０°〜１０°）、（１０°，２０°〜３０°，
１５５°〜１８０°）、（０°，２０°〜４０°，１７
０°〜１８０°）または（１０°，２０°〜３０°，０
°〜５°）である。
好ましくは、ＬＴがオイラー角表示で（０°，２０°〜
４０°，０°〜１０°）、（１０°，２０°〜３０°，
１５５°〜１８０°）、（０°，２０°〜４０°，１７
０°〜１８０°）または（１０°，２０°〜３０°，０
°〜５°）である。
【００２２】これにより、従来例であるＸ−１１２°Ｙ
ＬＴ基板と同程度の低い温度特性を有し、かつより遅
い伝搬速度を持つＳＡＷデバイス基板が得られる。
ＬＴ基板と同程度の低い温度特性を有し、かつより遅
い伝搬速度を持つＳＡＷデバイス基板が得られる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図に基づいて説明する。
て図に基づいて説明する。
【００２４】図１は、本発明の一実施の形態におけるＳ
ＡＷデバイスの構成を示す概略断面図である。図１を参
照して、ＳＡＷデバイス５は、ガラス基板１と、圧電基
板２と、電極３とを有している。圧電基板２は、ガラス
基板１上に形成され、かつＬＴよりなっている。また圧
電基板２上にはデバイスに応じた配置を有する電極３が
形成されている。
ＡＷデバイスの構成を示す概略断面図である。図１を参
照して、ＳＡＷデバイス５は、ガラス基板１と、圧電基
板２と、電極３とを有している。圧電基板２は、ガラス
基板１上に形成され、かつＬＴよりなっている。また圧
電基板２上にはデバイスに応じた配置を有する電極３が
形成されている。
【００２５】このようなＳＡＷデバイス５は、ガラス基
板１の表面にＬＴ基板２を接合、あるいはガラス基板１
の表面にＬＴ薄膜２を形成した後に、ＬＴ基板（薄膜）
２上に電極３を成膜・パターニングすることにより得ら
れる。
板１の表面にＬＴ基板２を接合、あるいはガラス基板１
の表面にＬＴ薄膜２を形成した後に、ＬＴ基板（薄膜）
２上に電極３を成膜・パターニングすることにより得ら
れる。
【００２６】ガラス基板１の材質としては、たとえば石
英ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、
ソーダ石灰ガラス、鉛ケイ酸ガラスなどが用いられ得
る。またＬＴ基板２と組合せる基板は、ガラス基板に限
定されず、ＬＴよりも音速の遅い材料でかつＬＴのＴＣ
ＤおよびＴＣＶと異符号の特性を持つ材料であればよ
い。
英ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、
ソーダ石灰ガラス、鉛ケイ酸ガラスなどが用いられ得
る。またＬＴ基板２と組合せる基板は、ガラス基板に限
定されず、ＬＴよりも音速の遅い材料でかつＬＴのＴＣ
ＤおよびＴＣＶと異符号の特性を持つ材料であればよ
い。
【００２７】また、圧電基板２の材質は、ＬＴのみから
なっていてもよく、また一部にＬＴを含んでもよい。ま
た電極３の材質としては、たとえばアルミニウムなどが
用いられ得るが、これに限定されるものではない。
なっていてもよく、また一部にＬＴを含んでもよい。ま
た電極３の材質としては、たとえばアルミニウムなどが
用いられ得るが、これに限定されるものではない。
【００２８】また圧電基板２の厚みをＨとし、電極３の
ピッチをλとし、Ｋを２π／λとしたとき、ＫＨが０．
５以上１．５以下となる。
ピッチをλとし、Ｋを２π／λとしたとき、ＫＨが０．
５以上１．５以下となる。
【００２９】また圧電基板２のＬＴが、オイラー角表示
で（０°，２０°〜４０°，０°〜１０°）、（１０
°，２０°〜３０°，１５５°〜１８０°）、（０°，
２０°〜４０°，１７０°〜１８０°）または（１０
°，２０°〜３０°，０°〜５°）となることが好まし
い。
で（０°，２０°〜４０°，０°〜１０°）、（１０
°，２０°〜３０°，１５５°〜１８０°）、（０°，
２０°〜４０°，１７０°〜１８０°）または（１０
°，２０°〜３０°，０°〜５°）となることが好まし
い。
【００３０】本実施の形態では、ガラス基板１とＬＴ基
板２とを組合せたことにより、ＳＡＷデバイス自身を小
型化することができる。つまり、ガラス基板１は、ＬＴ
基板２よりも音速の遅い材料である。このため、ガラス
基板１をＬＴ基板２と組合せることによりＬＴ基板２が
ガラス基板１の影響を受けるため、ＳＡＷの音速を遅く
することができる。よって、電極ピッチλを小さくで
き、ＳＡＷデバイス自身を小型化することができる。
板２とを組合せたことにより、ＳＡＷデバイス自身を小
型化することができる。つまり、ガラス基板１は、ＬＴ
基板２よりも音速の遅い材料である。このため、ガラス
基板１をＬＴ基板２と組合せることによりＬＴ基板２が
ガラス基板１の影響を受けるため、ＳＡＷの音速を遅く
することができる。よって、電極ピッチλを小さくで
き、ＳＡＷデバイス自身を小型化することができる。
【００３１】またＬＴ基板２の厚みＨおよび電極ピッチ
λによって電界分布が異なる。このため、ガラス基板１
とＬＴ基板２とを組合せるとともにＫＨを０．５以上
１．５以下とすることにより、電界分布をＬＴ基板２に
集中するように調整することができる。よって、ＳＡＷ
を効果的に励振できるようになり、Ｋ2が改善される。
λによって電界分布が異なる。このため、ガラス基板１
とＬＴ基板２とを組合せるとともにＫＨを０．５以上
１．５以下とすることにより、電界分布をＬＴ基板２に
集中するように調整することができる。よって、ＳＡＷ
を効果的に励振できるようになり、Ｋ2が改善される。
【００３２】なお、ＫＨを０．５以上１．５以下とした
のは、０．５未満および１．５を超える場合のいずれに
も、ＳＡＷの音速が速くなるため、ＳＡＷデバイス自身
を小型化することが困難となるからである。
のは、０．５未満および１．５を超える場合のいずれに
も、ＳＡＷの音速が速くなるため、ＳＡＷデバイス自身
を小型化することが困難となるからである。
【００３３】またガラス基板１とＬＴ基板２とを組合せ
たことにより、ＴＣＤ、ＴＣＶを改善することができ
る。つまり、ガラス基板１のＴＣＤ、ＴＣＶがＬＴ基板
２のＴＣＤ、ＴＣＶと異符号の特性を持つため（たとえ
ばＴＣＶの場合、ＬＴ基板２は＋の係数を持つが、ガラ
ス基板１は−の係数を持つ）、これらの基板１、２を接
合することにより、互いのＴＣＤ、ＴＣＶをキャンセル
することができる。これにより、低い温度特性を得るこ
とができる。
たことにより、ＴＣＤ、ＴＣＶを改善することができ
る。つまり、ガラス基板１のＴＣＤ、ＴＣＶがＬＴ基板
２のＴＣＤ、ＴＣＶと異符号の特性を持つため（たとえ
ばＴＣＶの場合、ＬＴ基板２は＋の係数を持つが、ガラ
ス基板１は−の係数を持つ）、これらの基板１、２を接
合することにより、互いのＴＣＤ、ＴＣＶをキャンセル
することができる。これにより、低い温度特性を得るこ
とができる。
【００３４】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００３５】図１においてオイラー角が（０°，３０
°，０°）のＬＴ／ガラス構造基板において、ＬＴのＫ
Ｈパラメータと伝搬速度および結合係数との関係を計算
した。その結果を図２および図３に示す。計算したＬＴ
のＫＨの範囲は、０≦ＫＨ≦３．０とした。
°，０°）のＬＴ／ガラス構造基板において、ＬＴのＫ
Ｈパラメータと伝搬速度および結合係数との関係を計算
した。その結果を図２および図３に示す。計算したＬＴ
のＫＨの範囲は、０≦ＫＨ≦３．０とした。
【００３６】図２より、ＫＨの値が０．９のとき伝搬速
度が最も遅くなり、かつ０．５以上１．５以下のときほ
ぼ２６００ｍ／ｓ以下の伝搬速度になることが判明し
た。また、すべての方位について同様の結果が得られ
た。
度が最も遅くなり、かつ０．５以上１．５以下のときほ
ぼ２６００ｍ／ｓ以下の伝搬速度になることが判明し
た。また、すべての方位について同様の結果が得られ
た。
【００３７】またＫＨパラメータの値が０．５以上１．
５以下の範囲内では、ＫＨ＝０．５付近でＴＣＤが最小
となった。その時の（０°，３０°，０°）ＬＴ（ＫＨ
＝０．５）でのＴＣＤは１４．１５であった。
５以下の範囲内では、ＫＨ＝０．５付近でＴＣＤが最小
となった。その時の（０°，３０°，０°）ＬＴ（ＫＨ
＝０．５）でのＴＣＤは１４．１５であった。
【００３８】また、ＫＨパラメータの値が０．５以上
１．５以下の範囲内では、ＫＨ＝１．３付近で、Ｋ2の
値が（９０°，９０°，１１２°）ＬＴのＫ2（＝１．
１％）と同じとなった。
１．５以下の範囲内では、ＫＨ＝１．３付近で、Ｋ2の
値が（９０°，９０°，１１２°）ＬＴのＫ2（＝１．
１％）と同じとなった。
【００３９】この結果より、ＬＴのＫＨパラメータの値
を０．９とすることによって伝搬速度を最も遅くできる
とともに、０．５以上１．５以下とすることにより伝搬
速度を十分に低くできることが判明した。
を０．９とすることによって伝搬速度を最も遅くできる
とともに、０．５以上１．５以下とすることにより伝搬
速度を十分に低くできることが判明した。
【００４０】次に、ＬＴのＫＨパラメータの値を０．９
としたときのオイラー角と伝搬速度、Ｋ2、ＴＣＤとの
関係を計算した。伝搬速度とオイラー角との関係の計算
結果を図４〜図７に、Ｋ2とオイラー角との関係の計算
結果を図８〜図１１に、ＴＣＤとオイラー角との関係の
計算結果を図１２〜図１５に示す。
としたときのオイラー角と伝搬速度、Ｋ2、ＴＣＤとの
関係を計算した。伝搬速度とオイラー角との関係の計算
結果を図４〜図７に、Ｋ2とオイラー角との関係の計算
結果を図８〜図１１に、ＴＣＤとオイラー角との関係の
計算結果を図１２〜図１５に示す。
【００４１】なお、上記の計算は、ＬＴの結晶性の対称
性から、０°≦φ≦３０°、０°≦θ≦１８０°、０°
≦ψ≦１８０°の範囲のみ行なった。
性から、０°≦φ≦３０°、０°≦θ≦１８０°、０°
≦ψ≦１８０°の範囲のみ行なった。
【００４２】図８〜図１５の結果より、Ｋ2が０．５５
％より大きく、ＴＣＤが１８より小さくなる角度は（０
°，２０°〜４０°，０°〜１０°）、（１０°，２０
°〜３０°，１５５°〜１８０°）、（０°，２０°〜
４０°，１７０°〜１８０°）または（１０°，２０°
〜３０°，０°〜５°）であることが判明した。また、
上記本発明の角度範囲の場合、図４〜図７より伝搬速度
は２５１０ｍ／ｓ未満であることもわかった。
％より大きく、ＴＣＤが１８より小さくなる角度は（０
°，２０°〜４０°，０°〜１０°）、（１０°，２０
°〜３０°，１５５°〜１８０°）、（０°，２０°〜
４０°，１７０°〜１８０°）または（１０°，２０°
〜３０°，０°〜５°）であることが判明した。また、
上記本発明の角度範囲の場合、図４〜図７より伝搬速度
は２５１０ｍ／ｓ未満であることもわかった。
【００４３】さらに図４〜図１１より、伝搬速度が２５
１０ｍ／ｓより遅く、Ｋ2が０．６％より大きくなる角
度は（０°，３０°，０°）および（０°，３０°，１
８０°）付近だけであることが判明した。
１０ｍ／ｓより遅く、Ｋ2が０．６％より大きくなる角
度は（０°，３０°，０°）および（０°，３０°，１
８０°）付近だけであることが判明した。
【００４４】（０°，３０°，０°）ＬＴ（ＫＨ＝０．
９）／ガラス構造基板のＴＣＤを計算した結果は、１
６．３３ｐｐｍ／℃であった。
９）／ガラス構造基板のＴＣＤを計算した結果は、１
６．３３ｐｐｍ／℃であった。
【００４５】なお、計算に用いたガラスの定数は、一般
的に電子材料用として用いられているガラスの定数とし
た。その計算に用いたガラスの材料定数を表２に示す。
的に電子材料用として用いられているガラスの定数とし
た。その計算に用いたガラスの材料定数を表２に示す。
【００４６】
【表２】
【００４７】また本発明のＬＴ／ガラス基板を用いた場
合について、表１に記載した（９０°，９０°，１１２
°）ＬＴ基板を用いた場合と比較すると、本発明ではＴ
ＣＤはほとんど同じで伝搬速度は２５％遅くなっている
ことが分かる。
合について、表１に記載した（９０°，９０°，１１２
°）ＬＴ基板を用いた場合と比較すると、本発明ではＴ
ＣＤはほとんど同じで伝搬速度は２５％遅くなっている
ことが分かる。
【００４８】次に、本発明のＬＴ／ガラス基板を用いた
場合について、表１に記載した（０°，１３２．７５
°，０°）水晶基板と比較すると、本発明ではＴＣＤは
大きくなるものの、Ｋ2および伝搬速度の双方において
優れていることがわかる。
場合について、表１に記載した（０°，１３２．７５
°，０°）水晶基板と比較すると、本発明ではＴＣＤは
大きくなるものの、Ｋ2および伝搬速度の双方において
優れていることがわかる。
【００４９】以上より、従来よりも大きなＫ2および遅
い伝搬速度を有するＬＴ／ガラス基板が得られたことが
わかる。
い伝搬速度を有するＬＴ／ガラス基板が得られたことが
わかる。
【００５０】次に、上記で優れた特性の得られた本発明
のＬＴ／ガラス基板を用いてＳＡＷフィルタを製造する
場合の実施例について説明する。
のＬＴ／ガラス基板を用いてＳＡＷフィルタを製造する
場合の実施例について説明する。
【００５１】図１を参照して、表２に示した材料定数を
持つガラス基板１と厚み１０μｍの（０°，３０°，０
°）ＬＴ基板２とを直接接合技術を用いて積層し、ＬＴ
基板２の表面に電極３を形成した。ここで、直接接合と
は、接着層を介さず基板同士を直接接合する技術であ
る。具体的には、研磨、洗浄したガラス基板１とＬＴ基
板２とをアンモニア系水溶液により親水化処理し、その
後、基板１、２同士を重ね合わせ水素結合によって接合
した。
持つガラス基板１と厚み１０μｍの（０°，３０°，０
°）ＬＴ基板２とを直接接合技術を用いて積層し、ＬＴ
基板２の表面に電極３を形成した。ここで、直接接合と
は、接着層を介さず基板同士を直接接合する技術であ
る。具体的には、研磨、洗浄したガラス基板１とＬＴ基
板２とをアンモニア系水溶液により親水化処理し、その
後、基板１、２同士を重ね合わせ水素結合によって接合
した。
【００５２】本実施例では、接合強度を得るために接合
後、熱処理を行なった。このＬＴ／ガラス構造の基板上
にスパッタによってアルミニウム膜を１０００Å成膜
し、フォトリソグラフィによって電極３のパターニング
を行なった。
後、熱処理を行なった。このＬＴ／ガラス構造の基板上
にスパッタによってアルミニウム膜を１０００Å成膜
し、フォトリソグラフィによって電極３のパターニング
を行なった。
【００５３】従来のＸ−１１２°Ｙ ＬＴ基板と本発明
のＬＴ／ガラス基板との上に同じパラメータで設計され
た電極を形成したＳＡＷフィルタの周波数特性を調べ
た。その結果を図１６に示す。ここで、電極ピッチλは
ＫＨ＝０．９となるように６９．８μｍとした。
のＬＴ／ガラス基板との上に同じパラメータで設計され
た電極を形成したＳＡＷフィルタの周波数特性を調べ
た。その結果を図１６に示す。ここで、電極ピッチλは
ＫＨ＝０．９となるように６９．８μｍとした。
【００５４】図１６を参照して、本発明のＬＴ／ガラス
基板を用いたＳＡＷフィルタの周波数特性４と従来のＸ
−１１２°Ｙ ＬＴ基板を用いたＳＡＷフィルタの周波
数特性５とを比べてみると、共振周波数が大きく異なる
ことがわかる。これは、本発明のＳＡＷフィルタの伝搬
速度が従来のＳＡＷフィルタに比べ遅いことが原因であ
る。本発明のＳＡＷフィルタを従来のＳＡＷフィルタと
同じ周波数帯にするためには、電極ピッチλを小さくす
る必要がある。それにより、本発明のＳＡＷフィルタの
小型化が可能になる。また、通過帯域内特性を比較する
と、挿入損失および通過帯域幅ともに遜色なく、本発明
のＳＡＷフィルタは従来のＳＡＷフィルタと同程度のＫ
2を有していることがわかる。
基板を用いたＳＡＷフィルタの周波数特性４と従来のＸ
−１１２°Ｙ ＬＴ基板を用いたＳＡＷフィルタの周波
数特性５とを比べてみると、共振周波数が大きく異なる
ことがわかる。これは、本発明のＳＡＷフィルタの伝搬
速度が従来のＳＡＷフィルタに比べ遅いことが原因であ
る。本発明のＳＡＷフィルタを従来のＳＡＷフィルタと
同じ周波数帯にするためには、電極ピッチλを小さくす
る必要がある。それにより、本発明のＳＡＷフィルタの
小型化が可能になる。また、通過帯域内特性を比較する
と、挿入損失および通過帯域幅ともに遜色なく、本発明
のＳＡＷフィルタは従来のＳＡＷフィルタと同程度のＫ
2を有していることがわかる。
【００５５】今回開示された実施の形態および実施例は
すべての点で例示であって制限的なものではないと考え
られるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではな
くて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と
均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれるこ
とが意図される。
すべての点で例示であって制限的なものではないと考え
られるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではな
くて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と
均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれるこ
とが意図される。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように本発明のＳＡＷデバ
イスでは、ガラス基板と圧電基板とを接合することによ
り、それらの各厚みを調整することでＳＡＷの音速を低
速化するよう調整することができる。これにより、ＩＤ
Ｔの電極ピッチλを小さくできるため、ＳＡＷデバイス
自身の小型化を図ることができる。
イスでは、ガラス基板と圧電基板とを接合することによ
り、それらの各厚みを調整することでＳＡＷの音速を低
速化するよう調整することができる。これにより、ＩＤ
Ｔの電極ピッチλを小さくできるため、ＳＡＷデバイス
自身の小型化を図ることができる。
【００５７】また、ガラス基板と圧電基板とを組合せる
とともに、ＫＨを０．５以上１．５以下としたため、電
界分布を圧電基板に集中するように調整できる。これに
よってＳＡＷを効率的に励振できるようになり、それに
よりＫ2が改善される。
とともに、ＫＨを０．５以上１．５以下としたため、電
界分布を圧電基板に集中するように調整できる。これに
よってＳＡＷを効率的に励振できるようになり、それに
よりＫ2が改善される。
【００５８】また、ガラス基板と圧電基板とを接合する
ことにより、互いのＴＣＤ、ＴＣＶを各々キャンセルす
ることができ、それにより温度特性が改善される。
ことにより、互いのＴＣＤ、ＴＣＶを各々キャンセルす
ることができ、それにより温度特性が改善される。
【図１】本発明の一実施の形態におけるＳＡＷデバイス
の構成を示す概略断面図である。
の構成を示す概略断面図である。
【図２】（０°，３０°，０°）ＬＴ／ガラス構造基板
の伝搬速度のＫＨ依存性を示す図である。
の伝搬速度のＫＨ依存性を示す図である。
【図３】（０°，３０°，０°）ＬＴ／ガラス構造基板
のＫ2のＫＨ依存性を示す図である。
のＫ2のＫＨ依存性を示す図である。
【図４】（０°，θ，ψ）ＬＴ（ＫＨ＝０．９）／ガラ
ス構造基板の伝搬速度を示す図である。
ス構造基板の伝搬速度を示す図である。
【図５】（１０゜，θ，ψ）ＬＴ（ＫＨ＝０．９）／ガ
ラス構造基板の伝搬速度を示す図である。
ラス構造基板の伝搬速度を示す図である。
【図６】（２０゜，θ，ψ）ＬＴ（ＫＨ＝０．９）／ガ
ラス構造基板の伝搬速度を示す図である。
ラス構造基板の伝搬速度を示す図である。
【図７】（３０゜，θ，ψ）ＬＴ（ＫＨ＝０．９）／ガ
ラス構造基板の伝搬速度を示す図である。
ラス構造基板の伝搬速度を示す図である。
【図８】（０゜，θ，ψ）ＬＴ（ＫＨ＝０．９）／ガラ
ス構造基板のＫ2を示す図である。
ス構造基板のＫ2を示す図である。
【図９】（１０゜，θ，ψ）ＬＴ（ＫＨ＝０．９）／ガ
ラス構造基板のＫ2を示す図である。
ラス構造基板のＫ2を示す図である。
【図１０】（２０゜，θ，ψ）ＬＴ（ＫＨ＝０．９）／
ガラス構造基板のＫ2を示す図である。
ガラス構造基板のＫ2を示す図である。
【図１１】（３０゜，θ，ψ）ＬＴ（ＫＨ＝０．９）／
ガラス構造基板のＫ2を示す図である。
ガラス構造基板のＫ2を示す図である。
【図１２】（０゜，θ，ψ）ＬＴ（ＫＨ＝０．９）／ガ
ラス構造基板のＴＣＤを示す図である。
ラス構造基板のＴＣＤを示す図である。
【図１３】（１０゜，θ，ψ）ＬＴ（ＫＨ＝０．９）／
ガラス構造基板のＴＣＤを示す図である。
ガラス構造基板のＴＣＤを示す図である。
【図１４】（２０゜，θ，ψ）ＬＴ（ＫＨ＝０．９）／
ガラス構造基板のＴＣＤを示す図である。
ガラス構造基板のＴＣＤを示す図である。
【図１５】（３０゜，θ，ψ）ＬＴ（ＫＨ＝０．９）／
ガラス構造基板のＴＣＤを示す図である。
ガラス構造基板のＴＣＤを示す図である。
【図１６】Ｘ−１１２°Ｙ ＬＴ基板と本発明のＬＴ／
ガラス構造を用いたＳＡＷフィルタの周波数特性を比較
して示す図である。
ガラス構造を用いたＳＡＷフィルタの周波数特性を比較
して示す図である。
【図１７】一般的なＳＡＷフィルタの構成を示す斜視図
である。
である。
【図１８】図１７に示すＳＡＷフィルタの動作を説明す
るための図である。
るための図である。
【図１９】従来のＳＡＷデバイスの構成を概略的に示す
断面図である。
断面図である。
【図２０】オイラー角を説明するための図である。
１ ガラス基板 ２ 圧電基板（ＬｉＴａＯ3） ３ 電極
Claims (2)
- 【請求項１】 ガラス基板と、前記ガラス基板上に形成
されたＬｉＴａＯ3を含む圧電基板と、前記圧電基板上
に形成された電極とを備え、 前記電極のピッチをλとし、前記圧電基板の厚みをＨと
し、Ｋを２π／λとしたとき、ＫとＨとの積が０．５以
上１．５以下であることを特徴とする、弾性表面波デバ
イス。 - 【請求項２】 前記ＬｉＴａＯ3がオイラー角表示で
（０°，２０°〜４０°，０°〜１０°）、（１０°，
２０°〜３０°，１５５°〜１８０°）、（０°，２０
°〜４０°，１７０°〜１８０°）または（１０°，２
０°〜３０°，０°〜５°）であることを特徴とする、
請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08165099A JP3485833B2 (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 弾性表面波デバイス |
| US09/533,667 US6310424B1 (en) | 1999-03-25 | 2000-03-23 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08165099A JP3485833B2 (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 弾性表面波デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000278088A true JP2000278088A (ja) | 2000-10-06 |
| JP3485833B2 JP3485833B2 (ja) | 2004-01-13 |
Family
ID=13752218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08165099A Expired - Fee Related JP3485833B2 (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 弾性表面波デバイス |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6310424B1 (ja) |
| JP (1) | JP3485833B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005528031A (ja) * | 2002-03-19 | 2005-09-15 | タレス | タンタル酸リチウム製の弾性境界波装置 |
| JP2009535869A (ja) * | 2006-04-28 | 2009-10-01 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 電気音響部品 |
| WO2018097016A1 (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | 国立大学法人東北大学 | 弾性波デバイス |
| JP2019009641A (ja) * | 2017-06-26 | 2019-01-17 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3196678B2 (ja) * | 1997-02-07 | 2001-08-06 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置 |
| US6972508B2 (en) * | 2000-04-28 | 2005-12-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US6674220B2 (en) * | 2001-02-14 | 2004-01-06 | Michigan Aerospace Corp. | Temperature-compensated piezoelectric force motor |
| US6717327B2 (en) * | 2001-04-23 | 2004-04-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US20050135759A1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-06-23 | Xingwu Wang | Optical fiber assembly |
| JP2004281474A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-10-07 | Seiko Epson Corp | 製造対象物の受け渡し装置および製造対象物の受け渡し装置を有する搬送システム |
| JP2006025396A (ja) * | 2004-06-09 | 2006-01-26 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置、その製造方法、および電子機器 |
| JP4587732B2 (ja) * | 2004-07-28 | 2010-11-24 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置 |
| CN115997342B (zh) * | 2020-08-24 | 2025-11-18 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06326553A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面弾性波素子 |
| JPH0865088A (ja) * | 1994-06-16 | 1996-03-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面弾性波素子 |
| JPH09130192A (ja) * | 1995-09-01 | 1997-05-16 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置 |
| JPH09162697A (ja) * | 1995-12-05 | 1997-06-20 | Fuji Electric Co Ltd | 弾性表面波コンボルバ |
| JPH1155070A (ja) * | 1997-06-02 | 1999-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波素子とその製造方法 |
| JPH11122073A (ja) * | 1997-10-17 | 1999-04-30 | Kazuhiko Yamanouchi | 弾性表面波素子 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3965444A (en) * | 1975-01-03 | 1976-06-22 | Raytheon Company | Temperature compensated surface acoustic wave devices |
| JPH07283682A (ja) * | 1994-04-13 | 1995-10-27 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波共振子フィルタ |
| JP3358688B2 (ja) * | 1995-04-10 | 2002-12-24 | 三洋電機株式会社 | 弾性表面波素子 |
| EP0762640B1 (en) * | 1995-09-01 | 2001-02-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US6025636A (en) * | 1996-02-09 | 2000-02-15 | Sumitomo Electric Industries Ltd. | Surface acoustic wave device incorporating single crystal LiNbO3 |
| US5760524A (en) * | 1996-09-03 | 1998-06-02 | Motorola, Inc. | SAW device and method for forming same |
-
1999
- 1999-03-25 JP JP08165099A patent/JP3485833B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-03-23 US US09/533,667 patent/US6310424B1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06326553A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面弾性波素子 |
| JPH0865088A (ja) * | 1994-06-16 | 1996-03-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面弾性波素子 |
| JPH09130192A (ja) * | 1995-09-01 | 1997-05-16 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置 |
| JPH09162697A (ja) * | 1995-12-05 | 1997-06-20 | Fuji Electric Co Ltd | 弾性表面波コンボルバ |
| JPH1155070A (ja) * | 1997-06-02 | 1999-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波素子とその製造方法 |
| JPH11122073A (ja) * | 1997-10-17 | 1999-04-30 | Kazuhiko Yamanouchi | 弾性表面波素子 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005528031A (ja) * | 2002-03-19 | 2005-09-15 | タレス | タンタル酸リチウム製の弾性境界波装置 |
| JP2009535869A (ja) * | 2006-04-28 | 2009-10-01 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 電気音響部品 |
| WO2018097016A1 (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | 国立大学法人東北大学 | 弾性波デバイス |
| JPWO2018097016A1 (ja) * | 2016-11-25 | 2019-10-17 | 国立大学法人東北大学 | 弾性波デバイス |
| US11258427B2 (en) | 2016-11-25 | 2022-02-22 | Tohoku University | Acoustic wave devices |
| GB2572099B (en) * | 2016-11-25 | 2022-03-23 | Univ Tohoku | Acoustic wave devices |
| JP2019009641A (ja) * | 2017-06-26 | 2019-01-17 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
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|---|---|
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