JPH09162697A - 弾性表面波コンボルバ - Google Patents
弾性表面波コンボルバInfo
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- JPH09162697A JPH09162697A JP31620295A JP31620295A JPH09162697A JP H09162697 A JPH09162697 A JP H09162697A JP 31620295 A JP31620295 A JP 31620295A JP 31620295 A JP31620295 A JP 31620295A JP H09162697 A JPH09162697 A JP H09162697A
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- acoustic wave
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】コンボルバ自身に弾性表面波の増幅機能を付加
して大きな出力信号が取り出せるようにする。 【解決手段】圧電体基板１の表面に弾性表面波を励振す
る２組のトランスデューサ２と、その中間に配して弾性
表面波のコンボリューション出力を電気信号として取り
出す出力電極３とを備え、反対方向から伝播する二つの
弾性表面波の非線形相互作用によって信号処理を行う弾
性表面波コンボルバにおいて、圧電体基板を、ガラス基
板１ａに圧電薄膜１ｂを成層したものなし、かつこの圧
電薄膜上に形成したトランスデューサと出力電極との間
の表面波伝播経路に半導体で作られた表面波増幅素子４
を設けて出力信号の増大化を図る。
して大きな出力信号が取り出せるようにする。 【解決手段】圧電体基板１の表面に弾性表面波を励振す
る２組のトランスデューサ２と、その中間に配して弾性
表面波のコンボリューション出力を電気信号として取り
出す出力電極３とを備え、反対方向から伝播する二つの
弾性表面波の非線形相互作用によって信号処理を行う弾
性表面波コンボルバにおいて、圧電体基板を、ガラス基
板１ａに圧電薄膜１ｂを成層したものなし、かつこの圧
電薄膜上に形成したトランスデューサと出力電極との間
の表面波伝播経路に半導体で作られた表面波増幅素子４
を設けて出力信号の増大化を図る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波デバイ
スの一種である弾性表面波コンボルバの構成に関する。
スの一種である弾性表面波コンボルバの構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波デバイスの一種として、圧電
体基板の表面に弾性表面波を励振する２組のトランスデ
ューサと、その中間に配して弾性表面波のコンボリュー
ション出力を電気信号として取り出す出力電極とを備
え、反対方向から伝播する二つの弾性表面波の非線形相
互作用によって信号処理を行う弾性表面波コンボルバが
知られている。この弾性表面波コンボルバは、例えばス
ペクトラム拡散通信（ＳＳ通信）の受信器に用いる相関
器の一つとして適用される。
体基板の表面に弾性表面波を励振する２組のトランスデ
ューサと、その中間に配して弾性表面波のコンボリュー
ション出力を電気信号として取り出す出力電極とを備
え、反対方向から伝播する二つの弾性表面波の非線形相
互作用によって信号処理を行う弾性表面波コンボルバが
知られている。この弾性表面波コンボルバは、例えばス
ペクトラム拡散通信（ＳＳ通信）の受信器に用いる相関
器の一つとして適用される。
【０００３】次に、従来におけるコンボルバを図４に示
す。図において、１は圧電体基板（圧電単結晶板もしく
は圧電薄膜）、２は基板１の両端に配して弾性表面波を
励振する２組のトランスデューサ、３は左右のトランス
デューサの中間に配した出力電極であり、前記トランス
デューサ２はすだれ状電極（くし歯状電極，交差指電極
とも呼称される）として、出力電極３とともにフォトリ
ソグラフィ加工技術により形成される。
す。図において、１は圧電体基板（圧電単結晶板もしく
は圧電薄膜）、２は基板１の両端に配して弾性表面波を
励振する２組のトランスデューサ、３は左右のトランス
デューサの中間に配した出力電極であり、前記トランス
デューサ２はすだれ状電極（くし歯状電極，交差指電極
とも呼称される）として、出力電極３とともにフォトリ
ソグラフィ加工技術により形成される。
【０００４】かかるコンボルバの低周波における横コン
ボリューション電圧ＶX は次式（１）で与えられる。
ボリューション電圧ＶX は次式（１）で与えられる。
【０００５】
【数１】 ＶX （２ω，０）＝−（εs ／６ｎ0 ｅ)(Ｅ1 + Ｅ1 - ）……（１） 上式において、Ｅ1 + ，Ｅ1 - は左右から伝播してきた
弾性表面波により誘起される１次の電界、εs は半導体
中で弾性表面波により誘起された誘電率、ｎ0は半導体
のキャリア濃度である。
弾性表面波により誘起される１次の電界、εs は半導体
中で弾性表面波により誘起された誘電率、ｎ0は半導体
のキャリア濃度である。
【０００６】また、図５は前記コンボルバを先記したＳ
Ｓ通信方式に適用する場合の信号処理回路を表す図であ
り、コンボルバの出力側には高周波増幅器（ＩＣ）を接
続して微小なコンボルバの出力信号を増幅するようにし
ている。一方、弾性表面波デバイスの一つとして、図６
に示すようなモノリシック形の弾性表面波増幅器が、
「弾性波素子技術ハンドブック」（日本学術振興会弾性
波素子技術第１５０委員会編、オーム社発行）に掲載さ
れており、これによれば図６の弾性表面波増幅器におけ
る単位長さ当たりの増幅率Ｇは次式（２）で与えられ、
外部から電界８×１０4 Ｖ／ｍを加えたときに４０ｄＢ
の電子利得の得られることが報告されている。
Ｓ通信方式に適用する場合の信号処理回路を表す図であ
り、コンボルバの出力側には高周波増幅器（ＩＣ）を接
続して微小なコンボルバの出力信号を増幅するようにし
ている。一方、弾性表面波デバイスの一つとして、図６
に示すようなモノリシック形の弾性表面波増幅器が、
「弾性波素子技術ハンドブック」（日本学術振興会弾性
波素子技術第１５０委員会編、オーム社発行）に掲載さ
れており、これによれば図６の弾性表面波増幅器におけ
る単位長さ当たりの増幅率Ｇは次式（２）で与えられ、
外部から電界８×１０4 Ｖ／ｍを加えたときに４０ｄＢ
の電子利得の得られることが報告されている。
【０００７】
【数２】 Ｇ＝５4.６（−Ｋ2 ／２)(εp ／σｈ)(１−ｕ／ｖ）〔ｄＢ／λ〕…（２） 上式において、σは導電率、ｕはμＥ（ｕ：キャリアの
速度、μ：移動度、Ｅ：印加電圧）、ｖは弾性表面波の
速度、εp は圧電体の等価誘電率である。
速度、μ：移動度、Ｅ：印加電圧）、ｖは弾性表面波の
速度、εp は圧電体の等価誘電率である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前記した弾性表面波コ
ンボルバは、圧電体を伝播す弾性表面波の非線形効果を
利用して信号処理を行うものであり、大きな表面波パワ
ーを必要とすることから従来構成のままではその極めて
小さな出力信号しか得られず、一般には図５で示すよう
にコンボルバの出力側に高周波増幅器を接続して出力信
号を増幅するような使い方をしている。
ンボルバは、圧電体を伝播す弾性表面波の非線形効果を
利用して信号処理を行うものであり、大きな表面波パワ
ーを必要とすることから従来構成のままではその極めて
小さな出力信号しか得られず、一般には図５で示すよう
にコンボルバの出力側に高周波増幅器を接続して出力信
号を増幅するような使い方をしている。
【０００９】しかしながら、高周波増幅器（ＩＣ）の製
品は高価であるのみならず、その外形サイズはコンボル
バに較べて非常に大きく、このことがデバイスの小型化
を推進する上で大きなネックとなっている。したがっ
て、この観点からできるだけ大きな出力信号の得られる
コンボルバを製作すること重要課題となっている。本発
明は上記の点にかんがみなされたものであり、その目的
はコンボルバ自身に弾性表面波を増幅させる機能を付加
して大きな出力が得られるようにした弾性表面波コンボ
ルバを提供することにある。
品は高価であるのみならず、その外形サイズはコンボル
バに較べて非常に大きく、このことがデバイスの小型化
を推進する上で大きなネックとなっている。したがっ
て、この観点からできるだけ大きな出力信号の得られる
コンボルバを製作すること重要課題となっている。本発
明は上記の点にかんがみなされたものであり、その目的
はコンボルバ自身に弾性表面波を増幅させる機能を付加
して大きな出力が得られるようにした弾性表面波コンボ
ルバを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によれば、圧電体基板の表面に弾性表面波を
励振する２組のトランスデューサと、その中間に配して
弾性表面波のコンボリューション出力を電気信号として
取り出す出力電極とを備えた弾性表面波コンボルバにお
いて、前記基板上におけるトランスデューサと出力電極
との間の表面波伝播経路上に表面波増幅素子を設けるも
のとし、具体的には次記のような形態で構成することが
できる。
に、本発明によれば、圧電体基板の表面に弾性表面波を
励振する２組のトランスデューサと、その中間に配して
弾性表面波のコンボリューション出力を電気信号として
取り出す出力電極とを備えた弾性表面波コンボルバにお
いて、前記基板上におけるトランスデューサと出力電極
との間の表面波伝播経路上に表面波増幅素子を設けるも
のとし、具体的には次記のような形態で構成することが
できる。
【００１１】１）圧電体基板をガラス基板上に圧電薄膜
を成層して作成し、該圧電薄膜層の上に半導体で作られ
た表面波増幅素子を形成する。 ２）圧電体基板を圧電単結晶基板とし、該基板の上に半
導体で作られた表面波増幅素子を形成する。 ３）圧電体基板を高抵抗シリコン基板上に圧電薄膜を成
層して作成するとともに、前記の高抵抗シリコン基板に
低抵抗不純物領域を形成してここに半導体の表面波増幅
素子を作り込む。
を成層して作成し、該圧電薄膜層の上に半導体で作られ
た表面波増幅素子を形成する。 ２）圧電体基板を圧電単結晶基板とし、該基板の上に半
導体で作られた表面波増幅素子を形成する。 ３）圧電体基板を高抵抗シリコン基板上に圧電薄膜を成
層して作成するとともに、前記の高抵抗シリコン基板に
低抵抗不純物領域を形成してここに半導体の表面波増幅
素子を作り込む。
【００１２】４）前記の圧電薄膜としてＺｎＯ，ＡＩ
Ｎ，ＣｄＳ，Ｔａ2 Ｏ5 のいずれかの材料を用いる。 ５）前記の圧電単結晶基板としてＬｉＮｂＯ3 ，ＬｉＴ
ａＯ3 ，ＳｉＯ2 のいずれかの材料を用いる。 ６）表面波増幅素子の半導体材料としてＩｎＳｂ，Ｃ，
Ｓｉ，Ｇｅ，ＧａＡｓ，ＧａＳｂ，ＩｎＡｓのいずれか
の材料を用いる。
Ｎ，ＣｄＳ，Ｔａ2 Ｏ5 のいずれかの材料を用いる。 ５）前記の圧電単結晶基板としてＬｉＮｂＯ3 ，ＬｉＴ
ａＯ3 ，ＳｉＯ2 のいずれかの材料を用いる。 ６）表面波増幅素子の半導体材料としてＩｎＳｂ，Ｃ，
Ｓｉ，Ｇｅ，ＧａＡｓ，ＧａＳｂ，ＩｎＡｓのいずれか
の材料を用いる。
【００１３】上記の構成で、コンボルバの圧電体基板上
でトランスデューサと出力電極との間に伝播経路上に形
成した表面波増幅素子は、図６で述べた半導体式の弾性
表面波増幅器と同じ原理のものであり、先記した数式
（２）にしたがってトランスデューサから出力電極に向
かって伝播する表面波を増幅させる一種の加速器とし機
能する。また、この表面波増幅素子は方向性があり、増
幅素子に近い側のトランスデューサから伝播したきた表
面波は増幅されて出力電極に向かうが、反対側のトラン
スデューサから伝播してきた表面波，反射波は逆に減衰
される。つまり、入力信号の取り出しに障害となる逆方
向の表面波，反射波を除去するように機能する。
でトランスデューサと出力電極との間に伝播経路上に形
成した表面波増幅素子は、図６で述べた半導体式の弾性
表面波増幅器と同じ原理のものであり、先記した数式
（２）にしたがってトランスデューサから出力電極に向
かって伝播する表面波を増幅させる一種の加速器とし機
能する。また、この表面波増幅素子は方向性があり、増
幅素子に近い側のトランスデューサから伝播したきた表
面波は増幅されて出力電極に向かうが、反対側のトラン
スデューサから伝播してきた表面波，反射波は逆に減衰
される。つまり、入力信号の取り出しに障害となる逆方
向の表面波，反射波を除去するように機能する。
【００１４】したがって、この表面波増幅素子をコンボ
ルバの表面波伝播経路の途中に設けることにより、先記
数式（１）で与えられるコンボリューション電圧ＶX が
大となり、コンボルバの出力特性が向上する。しかも、
弾性表面波の伝播経路上で表面波を直接増幅させること
は、表面波を電気信号に変換してから外部の増幅器（Ｉ
Ｃ）で増幅させるよりも遥かに有利である。
ルバの表面波伝播経路の途中に設けることにより、先記
数式（１）で与えられるコンボリューション電圧ＶX が
大となり、コンボルバの出力特性が向上する。しかも、
弾性表面波の伝播経路上で表面波を直接増幅させること
は、表面波を電気信号に変換してから外部の増幅器（Ｉ
Ｃ）で増幅させるよりも遥かに有利である。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、前項で述べた各種形態別に
本発明の実施例を図面に基づいて説明する。なお、各実
施例の図中で図４に対応する同一部材には同じ符号が付
してある。 〔実施例１〕図１（ａ),（ｂ）は本発明の請求項２に対
応する実施例を示すものである。図において、圧電体基
板１はガラス基板１ａの上面に圧電薄膜１ｂをスパッタ
法で形成したもので、該圧電薄膜１ｂの上には２組のト
ランスデューサ２，および出力電極３とともに、各組ご
とにトランスデューサ２と出力電極３との間の表面波伝
播経路の途中に符号４で示す表面波増幅素子が設けてあ
る。この表面波増幅素子４は圧電薄膜１ａの上に半導体
膜４ａをスパッタ法などで積層させて作成する。なお、
４ｂは半導体膜４ａを保護するパッシベーション膜、５
は増幅素子４に接続した電源である。
本発明の実施例を図面に基づいて説明する。なお、各実
施例の図中で図４に対応する同一部材には同じ符号が付
してある。 〔実施例１〕図１（ａ),（ｂ）は本発明の請求項２に対
応する実施例を示すものである。図において、圧電体基
板１はガラス基板１ａの上面に圧電薄膜１ｂをスパッタ
法で形成したもので、該圧電薄膜１ｂの上には２組のト
ランスデューサ２，および出力電極３とともに、各組ご
とにトランスデューサ２と出力電極３との間の表面波伝
播経路の途中に符号４で示す表面波増幅素子が設けてあ
る。この表面波増幅素子４は圧電薄膜１ａの上に半導体
膜４ａをスパッタ法などで積層させて作成する。なお、
４ｂは半導体膜４ａを保護するパッシベーション膜、５
は増幅素子４に接続した電源である。
【００１６】上記の構成で、圧電薄膜１ｂにＺｎＯ，半
導体膜４ａにＩｎＳｂを用い、増幅素子４の長さを１０
０μｍとして製作したコンボルバについて、発明者等が
評価テストをおこなったところ、増幅素子４に５Ｖの電
圧を印加することでコンボルリューション出力（数式
（１）参照）が２０ｄＢ増大することが確認された。な
お、圧電薄膜１ｂとしては、前記ＺｎＯのほかに、ＡＩ
Ｎ，ＣｄＳ，Ｔａ2Ｏ5 などの材料が使用できる。ま
た、増幅素子４の半導体膜４ａとしてＩｎＳｂの代わり
に、Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，ＧａＡｓ，ＧａＳｂ，ＩｎＡｓな
どの材料を用いても同様な効果が得られる。
導体膜４ａにＩｎＳｂを用い、増幅素子４の長さを１０
０μｍとして製作したコンボルバについて、発明者等が
評価テストをおこなったところ、増幅素子４に５Ｖの電
圧を印加することでコンボルリューション出力（数式
（１）参照）が２０ｄＢ増大することが確認された。な
お、圧電薄膜１ｂとしては、前記ＺｎＯのほかに、ＡＩ
Ｎ，ＣｄＳ，Ｔａ2Ｏ5 などの材料が使用できる。ま
た、増幅素子４の半導体膜４ａとしてＩｎＳｂの代わり
に、Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，ＧａＡｓ，ＧａＳｂ，ＩｎＡｓな
どの材料を用いても同様な効果が得られる。
【００１７】〔実施例２〕図２（ａ),（ｂ）は、本発明
の請求項３に対応する先記実施例１の応用実施例であ
り、この実施例においては、圧電体基板１として例えば
ＬｉＮｂＯ3 ，ＬｉＴａＯ3 ，ＳｉＯ2 などの圧電単結
晶基板１ｃを採用し、この圧電単結晶基板１ｃの上に直
接トランスデューサ２，出力電極３，および表面波増幅
素子４を形成してコンボルバを構成してたものであり、
実施例１と同様な効果の得られることが確認されてい
る。
の請求項３に対応する先記実施例１の応用実施例であ
り、この実施例においては、圧電体基板１として例えば
ＬｉＮｂＯ3 ，ＬｉＴａＯ3 ，ＳｉＯ2 などの圧電単結
晶基板１ｃを採用し、この圧電単結晶基板１ｃの上に直
接トランスデューサ２，出力電極３，および表面波増幅
素子４を形成してコンボルバを構成してたものであり、
実施例１と同様な効果の得られることが確認されてい
る。
【００１８】〔実施例３〕図３（ａ),（ｂ）は本発明の
請求項４に対応する実施例を示すものである。この実施
例においては、圧電体基板１が高抵抗のシリコン基板１
ｄに上に圧電薄膜１ｂを成層したものであり、先記の実
施例１，２とは異なり、表面波増幅素子４がシリコン基
板１ｄに作り込まれている。すなわち、高抵抗シリコン
基板１ｄに対して、まず表面波増幅素子４を作り込む箇
所に不純物を拡散させ、この部分に表面波増幅素子４と
して機能する低抵抗のｎ型シリコン領域１ｅを形成す
る。続いて、シリコン基板１ｄの上面に薄いシリコン酸
化膜１ｆを成膜し、フォトリソグラフィ加工法により電
極形状の酸化膜を除去した上で、ここに表面波増幅素子
４の電極４ｃを作成する。次にシリコン基板１ｄの上面
に成膜したシリコン酸化膜１ｆの上に全長に亙って圧電
薄膜１ｂをスパッタ法で成膜し、さらに圧電薄膜１ｂの
上にトランスデューサ２，出力電極３をパターンニング
してコンボルバが完成する。
請求項４に対応する実施例を示すものである。この実施
例においては、圧電体基板１が高抵抗のシリコン基板１
ｄに上に圧電薄膜１ｂを成層したものであり、先記の実
施例１，２とは異なり、表面波増幅素子４がシリコン基
板１ｄに作り込まれている。すなわち、高抵抗シリコン
基板１ｄに対して、まず表面波増幅素子４を作り込む箇
所に不純物を拡散させ、この部分に表面波増幅素子４と
して機能する低抵抗のｎ型シリコン領域１ｅを形成す
る。続いて、シリコン基板１ｄの上面に薄いシリコン酸
化膜１ｆを成膜し、フォトリソグラフィ加工法により電
極形状の酸化膜を除去した上で、ここに表面波増幅素子
４の電極４ｃを作成する。次にシリコン基板１ｄの上面
に成膜したシリコン酸化膜１ｆの上に全長に亙って圧電
薄膜１ｂをスパッタ法で成膜し、さらに圧電薄膜１ｂの
上にトランスデューサ２，出力電極３をパターンニング
してコンボルバが完成する。
【００１９】なお、圧電薄膜１ｂとしては、実施例１で
述べたと同様に、ＺｎＯ，ＡＩＮ，ＣｄＳ，Ｔａ2 Ｏ5
などの材料を用いることができる。
述べたと同様に、ＺｎＯ，ＡＩＮ，ＣｄＳ，Ｔａ2 Ｏ5
などの材料を用いることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、弾性
表面波コンボルバの圧電体基板におけるトランスデュー
サと出力電極との間の表面波伝播経路上に表面波増幅素
子を設けたことにより、従来と同等な外形サイズのまま
でコンボルバ自身のから大きな出力信号が取り出せる優
れた出力特性の弾性表面波コンボルバを提供することが
できる。
表面波コンボルバの圧電体基板におけるトランスデュー
サと出力電極との間の表面波伝播経路上に表面波増幅素
子を設けたことにより、従来と同等な外形サイズのまま
でコンボルバ自身のから大きな出力信号が取り出せる優
れた出力特性の弾性表面波コンボルバを提供することが
できる。
【図１】本発明の実施例１に対応する弾性表面波コンボ
ルバの構成図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図
ルバの構成図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図
【図２】本発明の実施例２に対応する弾性表面波コンボ
ルバの構成図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図
ルバの構成図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図
【図３】本発明の実施例３に対応する弾性表面波コンボ
ルバの構成図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図
ルバの構成図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図
【図４】従来における弾性表面波コンボルバの構成を模
式的に表した平面図
式的に表した平面図
【図５】図４のコンボルバを採用した信号処理回路のブ
ロック図
ロック図
【図６】公知のモノリシック形弾性表面波増幅器の構成
図
図
１ 圧電体基板 １ａ ガラス基板 １ｂ 圧電薄膜 １ｃ 圧電単結晶基板 １ｄ 高抵抗シリコン基板 １ｅ 低抵抗ｎ領域 １ｆ シリコン酸化膜 ２ トランスデューサ ３ 出力電極 ４ 表面波増幅素子 ４ａ 半導体膜 ４ｃ 電極
Claims (7)
- 【請求項１】圧電体基板の表面に弾性表面波を励振する
２組のトランスデューサと、その中間に配して弾性表面
波のコンボリューション出力を電気信号として取り出す
出力電極とを備え、反対方向から伝播する二つの弾性表
面波の非線形相互作用によって信号処理を行う弾性表面
波コンボルバにおいて、前記基板上におけるトランスデ
ューサと出力電極との間の表面波伝播経路上に表面波増
幅素子を設けたことを特徴とする弾性表面波コンボル
バ。 - 【請求項２】請求項１記載のコンボルバにおいて、圧電
体基板が、ガラス基板上に圧電薄膜を成層したものであ
り、圧電薄膜層の上に半導体で作られた表面波増幅素子
を形成したことを特徴とする弾性表面波コンボルバ。 - 【請求項３】請求項１記載のコンボルバにおいて、圧電
体基板が圧電単結晶基板でり、該基板の上に半導体で作
られた表面波増幅素子を形成したことを特徴とする弾性
表面波コンボルバ。 - 【請求項４】請求項１記載のコンボルバにおいて、圧電
体基板が高抵抗シリコン基板上に圧電薄膜を成層したも
のであり、かつ表面波増幅素子が前記高抵抗シリコン基
板に形成した低抵抗不純物領域に作り込まれていること
を特徴とする弾性表面波コンボルバ。 - 【請求項５】請求項２記載のコンボルバにおいて、圧電
薄膜としてＺｎＯ，ＡＩＮ，ＣｄＳ，Ｔａ2 Ｏ5 のいず
れかの材料を用いたことを特徴とする弾性表面波コンボ
ルバ。 - 【請求項６】請求項３記載のコンボルバにおいて、圧電
単結晶基板としてＬｉＮｂＯ3 ，ＬｉＴａＯ3 ，ＳｉＯ
2 のいずれかの材料を用いたことを特徴とする弾性表面
波コンボルバ。 - 【請求項７】請求項２または３記載のコンボルバにおい
て、表面波増幅素子の半導体材料としてＩｎＳｂ，Ｃ，
Ｓｉ，Ｇｅ，ＧａＡｓ，ＧａＳｂ，ＩｎＡｓのいずれか
の材料を用いたことを特徴とする弾性表面波コンボル
バ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31620295A JPH09162697A (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 弾性表面波コンボルバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31620295A JPH09162697A (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 弾性表面波コンボルバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162697A true JPH09162697A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18074439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31620295A Pending JPH09162697A (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 弾性表面波コンボルバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09162697A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000278086A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波デバイス |
| JP2000278087A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波デバイス |
| JP2000278088A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波デバイス |
-
1995
- 1995-12-05 JP JP31620295A patent/JPH09162697A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000278086A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波デバイス |
| JP2000278087A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波デバイス |
| JP2000278088A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波デバイス |
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