JP2000283943A - ガス検出装置 - Google Patents

ガス検出装置

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JP2000283943A
JP2000283943A JP11088759A JP8875999A JP2000283943A JP 2000283943 A JP2000283943 A JP 2000283943A JP 11088759 A JP11088759 A JP 11088759A JP 8875999 A JP8875999 A JP 8875999A JP 2000283943 A JP2000283943 A JP 2000283943A
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gas sensor
oxide semiconductor
metal oxide
signal voltage
voltage
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JP11088759A
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Masashi Nishiguchi
昌志 西口
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Panasonic Ecology Systems Co Ltd
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Matsushita Seiko Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 温度や湿度変化によるノイズ、ガスセンサ信
号のドリフトによる誤検出を防ぐとともに、ガスセンサ
の特性のバラツキを低減し、誤差の少ない検知ができる
ガス検出装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 ガスセンサ１は負荷抵抗回路を介してバ
ッテリーなどの信号電源５に接続してある。４はガスセ
ンサ１に設けられたヒータであり、このヒータ４はヒー
タ電源３に接続してある。ヒータ電源３は、図２に示す
ようにＯＮ時間ＴＯＮは所定の電圧Ｖｈをヒータ４に印
加しガスセンサ１を駆動温度に加熱する。また、ＯＦＦ
時間ＴＯＦＦは、ヒータ電源３はヒータ４に電圧を印加
しない。この動作を１周期としてヒータ電源３はＯＮ、
ＯＦＦを周期的に繰り返す。負荷抵抗回路は、抵抗２か
ら構成される。信号電源５は、信号電源調整部６によ
り、例えば電源電圧５Ｖから適正な電圧に調整する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガス検出装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、金属酸化物半導体からなるガスセ
ンサを用いて雰囲気の汚染、特に喫煙による炭酸ガスの
発生を検出するものとして、特開平６ー６６７５０号公
報に記載されたものが知られている。この従来例は、ガ
スセンサの検知対象ガス感度のＳ／Ｎを改善することを
目的とし、ノイズである周囲温度、周囲湿度、経時変化
等によるドリフトを補正するため、ガスセンサ信号の包
絡線を求めて該包絡線を基準値とし、ガスセンサ信号の
レベルが基準値よりもガス濃度が高い側にある場合、つ
まり汚染側にある場合には基準値をガスセンサ信号のレ
ベルに速やかに追随させ、逆にガスセンサ信号が基準値
よりもガス濃度が低い側にある場合には、基準値をガス
センサ信号のレベルに向けて緩慢に追随させ、ガスセン
サ信号のレベルと現在の基準値のレベルとの比較によ
り、両者の差が許容値以上となった場合にガス発生と判
定するようになっている。図１３はこの従来例のガスセ
ンサ信号のレベル（イ）と、基準値（ロ）の推移を示し
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来例
では、図１３(a)、(b)に示すように基準値よりもガスセ
ンサ信号のレベルが基準値を越えると、一定時間毎に基
準値をガスセンサ信号レベルに近づけるようになってい
るため、ガス濃度が高く、ガス発生と判定されるべき筈
の状態にかかわらず、基準値とガスセンサ信号のレベル
との差が大きくならず、汚染度出力は正確な検出ができ
なかった。さらに、正確な検知をするためには、ガスセ
ンサの特性を材料、製造方法等を改良しなければならな
いという問題点が有った。
【０００４】本発明はこのような従来の課題を解決する
ものであり、ガスセンサの材料、製造方法を変更するこ
と無く、温度や湿度変化によるノイズ、ガスセンサ信号
のドリフトによる誤検出を防ぐとともに、検知対象ガス
に対する感度を向上した、ガス検出装置を提供すること
を目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のガス検出装置
は、金属酸化物半導体ガスセンサと前記金属酸化物半導
体ガスセンサを駆動温度に加熱する加熱部と前記金属酸
化物半導体ガスセンサの抵抗値を測定するための信号電
圧印加手段を備え測定雰囲気の汚染度を検知するガス検
知装置において、前記信号電圧印加手段の電圧を前記金
属酸化物半導体ガスセンサのＳ／Ｎおよび特性バラツキ
が最適になるように調整することを特徴とするガス検出
装置である。
【０００６】本発明によれば、ガスセンサの湿度変化等
の雰囲気の影響による誤検出の少ないガス検出装置が得
られる。
【０００７】また、他の手段は、信号電圧印加手段の電
圧を金属酸化物半導体ガスセンサの雰囲気湿度依存性を
低減するように調整することを特徴とするガス検出装置
である。
【０００８】また、他の手段は、信号電圧印加手段の電
圧を金属酸化物半導体ガスセンサの検知対象ガスに対す
る感度を向上するように調整することを特徴とするもの
である。
【０００９】また、他の手段は、信号電圧印加手段の電
圧を金属酸化物半導体ガスセンサの特性バラツキを低減
するように調整することを特徴とするものである。
【００１０】また、他の手段は、信号電圧印加手段の電
圧を金属酸化物半導体ガスセンサの検知対象ガスに対す
る感度の雰囲気湿度依存性に対するＳ／Ｎを向上するよ
うに調整することを特徴とするものである。
【００１１】また、他の手段は、金属酸化物半導体ガス
センサと前記金属酸化物半導体ガスセンサを駆動温度に
加熱する加熱部と前記金属酸化物半導体ガスセンサの抵
抗値を測定するための信号電圧印加手段を備え測定雰囲
気の汚染度を検知するガス検知装置において、信号電圧
印加手段の電圧印加時間を調整することによって金属酸
化物半導体ガスセンサのＳ／Ｎおよび特性バラツキが最
適になるように調整することを特徴とするものである。
【００１２】また、他の手段は、信号電圧印加手段の電
圧印加時間を金属酸化物半導体ガスセンサの雰囲気湿度
依存性を低減するように調整することを特徴とするもの
である。
【００１３】また、他の手段は、信号電圧印加手段の電
圧印加時間を金属酸化物半導体ガスセンサの検知対象ガ
スに対する感度を向上するように調整するとを特徴とす
るものである。
【００１４】また、他の手段は、信号電圧印加手段の電
圧印加時間を金属酸化物半導体ガスセンサの特性バラツ
キを低減するように調整することを特徴とするものであ
る。
【００１５】また、他の手段は、信号電圧印加手段の電
圧印加時間を金属酸化物半導体ガスセンサの検知対象ガ
スに対する感度の雰囲気湿度依存性に対するＳ／Ｎを向
上するように調整するとを特徴とするものである。
【００１６】また、他の手段は、信号電圧印加手段の電
圧印加時間をセンサ信号を計測するサンプリング周期以
下の時間で印加することをすることを特徴とするもので
あるまた、他の手段は、金属酸化物半導体ガスセンサを
駆動温度と前記駆動温度より低温に加熱変化させ、駆動
温度での前記金属酸化物半導体ガスセンサの抵抗値を測
定するための信号電圧印加手段を備え測定雰囲気の汚染
度を検知するガス検知装置において、信号電圧印加手段
の電圧を駆動温度以外の時間と信号サンプリング時に印
加することによって金属酸化物半導体ガスセンサのＳ／
Ｎおよび特性バラツキが最適になるように前記信号電圧
印加手段の電圧および印加時間を設定することを特徴と
するものである。
【００１７】また、他の手段は、信号電圧印加手段の電
圧および印加時間を金属酸化物半導体ガスセンサの雰囲
気湿度依存性を低減するように調整するとを特徴とする
ものである。
【００１８】また、他の手段は、信号電圧印加手段の電
圧および印加時間を金属酸化物半導体ガスセンサの検知
対象ガスに対する感度を向上するように調整するとを特
徴とするものである。
【００１９】また、他の手段は、信号電圧印加手段の電
圧および印加時間をを金属酸化物半導体ガスセンサの特
性バラツキを低減するように調整することを特徴とする
ものである。
【００２０】また、他の手段は、信号電圧印加手段の電
圧および印加時間を金属酸化物半導体ガスセンサの検知
対象ガスに対する感度の雰囲気湿度依存性に対するＳ／
Ｎを向上するように調整することを特徴とするものであ
る。
【００２１】また、他の手段は、信号電圧印加手段の電
圧を駆動温度以外の時間に駆動温度以外の温度に保持さ
れている間隔以内の時間印加することを特徴とするもの
である。
【００２２】また、他の手段は、信号電圧印加手段の電
圧をパルス印加することを特徴とするものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】金属酸化物半導体ガスセンサと前
記金属酸化物半導体ガスセンサを駆動温度に加熱する加
熱部と前記金属酸化物半導体ガスセンサの抵抗値を測定
するための信号電圧印加手段を備え測定雰囲気の汚染度
を検知するガス検知装置において、前記信号電圧印加手
段の電圧を調整することにより、酸化物半導体ガスセン
サの雰囲気湿度もしくは検知対象ガスとの酸化物表面で
の電気化学的な反応、特に水分が関与する反応が変化す
るため、雰囲気湿度依存性の程度、検知ガスに対する感
度の増減をすることができる作用を有するものである。
【００２４】また、信号電圧印加手段の電圧印加時間を
調整することによって、電圧を調整することと同等の作
用により、酸化物半導体ガスセンサの雰囲気湿度もしく
は検知対象ガスとの酸化物表面での電気化学的な反応、
特に水分が関与する反応が変化するため、雰囲気湿度依
存性の程度、検知ガスに対する感度の増減をすることが
できる作用を有するものである。
【００２５】また、金属酸化物半導体ガスセンサを駆動
温度と前記駆動温度より低温に加熱変化させ、駆動温度
での前記金属酸化物半導体ガスセンサの抵抗値を測定す
るための信号電圧印加手段を備え測定雰囲気の汚染度を
検知するガス検知装置において、信号電圧印加手段の電
圧を駆動温度以外の時間と信号サンプリング時に印加す
ることによって、低温時の吸着水分量が多い状態での反
応を調整し、雰囲気湿度依存性の程度、検知ガスに対す
る感度の増減をすることができる作用を有するものであ
る。
【００２６】以下、本発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。
【００２７】
【実施例】（実施例１）図１に示すように、金属酸化物
半導体ガスセンサ（以下ガスセンサと省略する）１は負
荷抵抗回路を介してバッテリーなどの信号電源５に接続
してある。４はガスセンサ１に設けられたヒータであ
り、このヒータ４はヒータ電源３に接続してある。ヒー
タ電源３は、図２に示すようにＯＮ時間ＴＯＮは所定の
電圧Ｖｈをヒータ４に印加しガスセンサ１を駆動温度に
加熱する。また、ＯＦＦ時間ＴＯＦＦは、ヒータ電源３
はヒータ４に電圧を印加しない。この動作を１周期とし
てヒータ電源３はＯＮ、ＯＦＦを周期的に繰り返す。
【００２８】負荷抵抗回路は、抵抗２から構成される。
信号電源５は、信号電源調整部６により、例えば電源電
圧５Ｖから適正な電圧に調整する。
【００２９】７は本実施形態における信号処理を行うた
めの１チップの例えば４ビットマイクロコンピュータか
らなる信号処理部であって、図においてはその機能をブ
ロック化して示しており、負荷抵抗回路の両端電圧ＶＲ
ＬをセンサＡ／Ｄ８を介して取り込み、汚染度計算部９
と、この汚染度計算部９で計算された汚染度を出力する
ＤＡ出力１０とから構成される。
【００３０】上記構成において、ガスセンサ１のガス検
知特性の一例を以下に説明する。図３は、ガスセンサを
ＳｎＯ2に希土類元素であるＬａを添加して構成したＣ
Ｏ2センサの湿度依存性と信号電圧の関係を示してい
る。湿度変化は、２０℃２０％ＲＨから８０％ＲＨで２
０％ＲＨでの抵抗値を基準(Ｒ０)として、Ｒ／Ｒ０の抵
抗比で湿度依存性を示している。
【００３１】図に示すように、信号電圧を変化させるこ
とにより、湿度依存性は変化し、信号電圧が１Ｖ〜３Ｖ
の間で湿度依存性は約１となる。
【００３２】以上のように、信号電圧を調整することに
より雰囲気の湿度変化に対するガスセンサの湿度依存性
を低減する事ができる。本実施例の場合、１Ｖ以上、３
Ｖ以下の信号電圧で最小となる。
【００３３】なお、本実施例ではセンサをＣＯ2センサ
としたが、半導体ガスセンサであれば同様の作用、効果
が得られる。
【００３４】また、湿度依存性が最小となる信号電圧
は、ガスセンサの種類、ヒータ温度、ヒータ加熱方法等
によって異なる。
【００３５】（実施例２）図１、図４を参照しながら説
明する。なお、本発明の実施例１と同一の部分は説明を
省略する。
【００３６】図１に示す構成において、ガスセンサ１の
ガス検知特性の一例を以下に説明する。
【００３７】図４は、ガスセンサをＳｎＯ2に希土類元
素であるＬａを添加して構成したＣＯ2センサのＣＯ2感
度と信号電圧の関係を示している。ＣＯ2感度は、４０
０ｐｐｍでのセンサ抵抗を基準（Ｒ０）とし、２０００
ｐｐｍでの感度をＲ／Ｒ０で示している。
【００３８】ＣＯ2とＬａとの反応には、Ｈ2０が関与し
ていると考えられ、信号電圧が印加されることにより、
反応が活性化される。そのため、図４に示すように、信
号電圧を変化させることにより、ＣＯ2感度は変化す
る。
【００３９】本実施例の場合、信号電圧が５Ｖ以上で感
度は最大となっている。
【００４０】以上のように、信号電圧を調整することに
より、検知ガスに対するガスセンサの感度を調整するこ
とが可能となる。
【００４１】なお、本実施例ではセンサをＣＯ2センサ
としたが、半導体ガスセンサで検知反応に水分が関与し
ていれば同様の作用、効果が得られる。
【００４２】（実施例３）図１、図５を参照しながら説
明する。なお、本発明の実施例１、２と同一の部分は説
明を省略する。
【００４３】図１に示す構成において、ガスセンサ１の
ガス検知特性の一例を以下に説明する。
【００４４】図５は、ＣＯ2センサにおける信号電圧と
ＣＯ2感度および湿度依存性のバラツキを示している。
バラツキは、センサ個々のＣＯ2感度、湿度依存性のそ
れぞれの個体差を標準偏差で示している。
【００４５】図に示すように、信号電圧を下げることに
よって、標準偏差は小さくなり、センサ個々の個体差を
低減することができる。
【００４６】以上のように、ガスセンサに印加する信号
電圧を調整することにより、特性のバラツキを調整し、
歩留まりを向上することができる。
【００４７】（実施例４）図１、６を参照しながら説明
する。なお、本発明の実施例１、２、３と同一の部分は
説明を省略する。
【００４８】図６は、ＣＯ2センサに印加する信号電圧
とＣＯ2感度をＳ、湿度依存性をＮとした、Ｓ／Ｎの関
係を示している。
【００４９】図に示すように、信号電圧を調整すること
によって、Ｓ／Ｎを改善することが可能となり、本実施
例では、信号電圧が１Ｖ付近でＳ／Ｎが最大となる。
【００５０】以上のように、ガスセンサに印加する信号
電圧を調整することにより、Ｓ／Ｎを改善し精度の高い
検知が可能となる。
【００５１】（実施例５）図７、８を参照しながら説明
する。なお、本発明の実施例１、２、３、４と同一の部
分は説明を省略する。
【００５２】図７に示すように信号電源５は、信号電源
印加時間調整部１１により、印加時間を調整する。印加
する時間およびタイミングは、例えば、信号サンプリン
グ周期を１０秒とした場合、サンプリング周期と同期
し、１０秒周期で１０秒以下の時間印加する。
【００５３】上記構成において、ガスセンサ１のガス検
知特性の一例を以下に説明する。
【００５４】図８は、信号電圧を５Ｖとし、印加時間を
変化させた場合のＣＯ2感度と湿度依存性を示してい
る。
【００５５】図に示すように、信号電圧の印加時間を調
整することにより、センサの特性を改善することが可能
となる。
【００５６】例えば、ＣＯ2感度を最大にするには、印
加時間を長くすることが望ましい。また、湿度依存性を
低減するには、印加時間を約１／２にすることによっ
て、湿度依存性は約１となる。
【００５７】また、図９はＣＯ2感度と湿度依存性のバ
ラツキを標準偏差で示している。
【００５８】図に示すように、標準偏差は信号電圧の印
加時間を少なくすることによって小さくなり、センサ個
々の個体差を低減することができる。
【００５９】さらに、図１０にＣＯ2感度の湿度依存性
に対するＳ／Ｎを示している。
【００６０】図に示すように、信号電圧印加時間を１／
２にすることによってＳ／Ｎは最大となる。
【００６１】以上のように、信号電圧の印加時間を調整
することにより、ガスセンサの特性を改善することがで
きる。
【００６２】ここで、信号電圧の印加時間調整をサンプ
リング周期としたが、サンプリング周期以下の周期でパ
ルス的に印加しても同様の作用と効果が得られる。
【００６３】また、信号電圧を５Ｖとしたがガスセンサ
を破壊しない範囲であれば、何Ｖでもよい。
【００６４】（実施例６）図１１、１２を参照しながら
説明する。なお、本発明の実施例１、２、３、４、５と
同一の部分は説明を省略する。
【００６５】図９に示すように信号電源５は、信号電源
印加時間調整部１１により、印加時間を調整する。印加
する時間およびタイミングは、ヒータ電源３がＯＦＦし
ているタイミングにＯＦＦ時間以下の時間印加する。例
えば、ヒータ電源３のＯＮ／ＯＦＦ周期を１０秒、ＯＦ
Ｆ時間を４秒とした場合、ヒータ電源３のＯＮ／ＯＦＦ
周期と同期し、１０秒周期で４秒以下の時間印加する。
【００６６】また、信号サンプリング時は、サンプリン
グに必要な時間だけ、信号電圧は印加される。
【００６７】上記構成において、ガスセンサ１の検知特
性は、本発明の実施例１，２，３，４，５と同様に、信
号電源の電圧、印加時間によって変化し、同様の傾向を
示す。
【００６８】ヒータ電源３をＯＮ／ＯＦＦし、ガスセン
サ１の温度を測定温度と測定温度より低温の変化させる
場合、低温時に信号電圧の印加の効果が得られる。
【００６９】以上のように、ヒータ電源がＯＦＦしてい
るタイミングに信号電圧を印加する電圧、時間を調整す
ることによりガスセンサの特性を改善することができ
る。
【００７０】
【発明の効果】本発明により、ガスセンサに印加する信
号電圧を調整することにより、ガスセンサの特性を改善
でき、誤動作の少ないガス検知装置を提供できる。
【００７１】さらに、印加時間を調整することによって
も、ガスセンサの特性を改善できると共に、マイコンを
用いることによってより、簡便な回路で構成できる効果
がある。
【００７２】さらに、ガスセンサを駆動温度と駆動温度
より低温に加熱変化させる場合において、駆動温度より
低温になるタイミングに信号電圧を印加することによっ
ても、ガスセンサの特性を改善でき、水分の吸着量の多
い低温時に信号電圧を印加するため大きな効果が得られ
る、とともに、消費電力を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１の構成図
【図２】同ヒータ電源の動作説明用の図
【図３】同ガスセンサの湿度依存性と信号電圧の関係を
示すグラフ
【図４】同実施例２のガスセンサのＣＯ2感度と信号電
圧の関係を示すグラフ
【図５】同実施例３のガスセンサのＣＯ2感度および湿
度依存性のバラツキと信号電圧の関係を示すグラフ
【図６】同実施例４のガスセンサのＣＯ2感度のＳ／Ｎ
と信号電圧の関係を示すグラフ
【図７】同実施例５の構成図
【図８】同ガスセンサのＣＯ2感度および湿度依存性と
信号電圧印加時間の関係を示すグラフ
【図９】同ガスセンサのＣＯ2感度と湿度依存性のバラ
ツキと信号電圧印加時間の関係を示すグラフ
【図１０】同ガスセンサのＣＯ2感度のＳ／Ｎと信号電
圧印加時間の関係を示すグラフ
【図１１】同実施例６のヒータ電源と信号電源の動作説
明用の図
【図１２】従来の基準値更新の説明図
【符号の説明】
１ ガスセンサ ２ 抵抗 ３ ヒータ電源 ４ ヒータ ５ 信号電源 ６ 信号電源調整部 １１ 信号電源印加時間調整部

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属酸化物半導体ガスセンサと前記金属
    酸化物半導体ガスセンサを駆動温度に加熱する加熱部と
    前記金属酸化物半導体ガスセンサの抵抗値を測定するた
    めの信号電圧印加手段を備え測定雰囲気の汚染度を検知
    するガス検知装置において、前記信号電圧印加手段の電
    圧を前記金属酸化物半導体ガスセンサのＳ／Ｎおよび特
    性バラツキが最適になるように調整することを特徴とす
    るガス検出装置。
  2. 【請求項２】 信号電圧印加手段の電圧を金属酸化物半
    導体ガスセンサの雰囲気湿度依存性を低減するように調
    整することを特徴とする請求項１記載のガス検出装置。
  3. 【請求項３】 信号電圧印加手段の電圧を金属酸化物半
    導体ガスセンサの検知対象ガスに対する感度を向上する
    ように調整することを特徴とする請求項１記載のガス検
    出装置。
  4. 【請求項４】 信号電圧印加手段の電圧を金属酸化物半
    導体ガスセンサの特性バラツキを低減するように調整す
    ることを特徴とする請求項１記載のガス検出装置。
  5. 【請求項５】 信号電圧印加手段の電圧を金属酸化物半
    導体ガスセンサの検知対象ガスに対する感度の雰囲気湿
    度依存性に対するＳ／Ｎを向上するように調整すること
    を特徴とする請求項１記載のガス検出装置。
  6. 【請求項６】 金属酸化物半導体ガスセンサと前記金属
    酸化物半導体ガスセンサを駆動温度に加熱する加熱部と
    前記金属酸化物半導体ガスセンサの抵抗値を測定するた
    めの信号電圧印加手段を備え測定雰囲気の汚染度を検知
    するガス検知装置において、信号電圧印加手段の電圧印
    加時間を調整することによって金属酸化物半導体ガスセ
    ンサのＳ／Ｎおよび特性バラツキが最適になるように調
    整することを特徴とするガス検出装置。
  7. 【請求項７】 信号電圧印加手段の電圧印加時間を金属
    酸化物半導体ガスセンサの雰囲気湿度依存性を低減する
    ように調整することを特徴とする請求項６記載のガス検
    出装置。
  8. 【請求項８】 信号電圧印加手段の電圧印加時間を金属
    酸化物半導体ガスセンサの検知対象ガスに対する感度を
    向上するように調整することを特徴とする請求項６記載
    のガス検出装置。
  9. 【請求項９】 信号電圧印加手段の電圧印加時間を金属
    酸化物半導体ガスセンサの特性バラツキを低減するよう
    に調整することを特徴とする請求項６記載のガス検出装
    置。
  10. 【請求項１０】 信号電圧印加手段の電圧印加時間を金
    属酸化物半導体ガスセンサの検知対象ガスに対する感度
    の雰囲気湿度依存性に対するＳ／Ｎを向上するように調
    整することを特徴とする請求項６記載のガス検出装置。
  11. 【請求項１１】 信号電圧印加手段の電圧印加時間をセ
    ンサ信号を計測するサンプリング周期以下の時間で印加
    することを特徴とする請求項６，７，８，９および１０
    記載のガス検出装置
  12. 【請求項１２】 金属酸化物半導体ガスセンサを駆動温
    度と前記駆動温度より低温に加熱変化させ、駆動温度で
    の前記金属酸化物半導体ガスセンサの抵抗値を測定する
    ための信号電圧印加手段を備え測定雰囲気の汚染度を検
    知するガス検知装置において、信号電圧印加手段の電圧
    を駆動温度以外の時間と信号サンプリング時に印加する
    ことによって金属酸化物半導体ガスセンサのＳ／Ｎおよ
    び特性バラツキが最適になるように前記信号電圧印加手
    段の電圧および印加時間を設定することを特徴とするガ
    ス検出装置。
  13. 【請求項１３】 信号電圧印加手段の電圧および印加時
    間を金属酸化物半導体ガスセンサの雰囲気湿度依存性を
    低減するように調整することを特徴とする請求項１２記
    載のガス検出装置。
  14. 【請求項１４】 信号電圧印加手段の電圧および印加時
    間を金属酸化物半導体ガスセンサの検知対象ガスに対す
    る感度を向上するように調整することを特徴とする請求
    項１２記載のガス検出装置。
  15. 【請求項１５】 信号電圧印加手段の電圧および印加時
    間をを金属酸化物半導体ガスセンサの特性バラツキを低
    減するように調整することを特徴とする請求項１２記載
    のガス検出装置。
  16. 【請求項１６】 信号電圧印加手段の電圧および印加時
    間を金属酸化物半導体ガスセンサの検知対象ガスに対す
    る感度の雰囲気湿度依存性に対するＳ／Ｎを向上するよ
    うに調整することを特徴とする請求項１２記載のガス検
    出装置。
  17. 【請求項１７】 信号電圧印加手段の電圧を駆動温度以
    外の時間に駆動温度以外の温度に保持されている間隔以
    内の時間印加することを特徴とする請求項１２、１３，
    １４，１５、および１６記載のガス検出装置
  18. 【請求項１８】 信号電圧印加手段の電圧をパルス印加
    することを特徴とする請求項１２、１３、１４、１５、
    および１６記載のガス検出装置
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