JP2000285521A - 情報記録媒体、情報記録媒体用支持体、情報記録媒体用支持体スタンパー、情報記録媒体の製造方法、情報記録媒体用支持体の製造方法、情報記録媒体用支持体の製造装置 - Google Patents
情報記録媒体、情報記録媒体用支持体、情報記録媒体用支持体スタンパー、情報記録媒体の製造方法、情報記録媒体用支持体の製造方法、情報記録媒体用支持体の製造装置Info
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- JP2000285521A JP2000285521A JP11214865A JP21486599A JP2000285521A JP 2000285521 A JP2000285521 A JP 2000285521A JP 11214865 A JP11214865 A JP 11214865A JP 21486599 A JP21486599 A JP 21486599A JP 2000285521 A JP2000285521 A JP 2000285521A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 超解像など高密度記録を用いてランド・グル
ーブ記録可能として高密度記録を達成する情報記録媒体
を提供する。 【解決手段】 支持体１Ａ上に、少なくとも、記録層５
が積層されてなる情報記録媒体Ｂであって、支持体１Ａ
は、微細トラックパターンとしてランド２とグルーブ３
とが交互に形成されており、かつグルーブ３の幅方向の
一端縁部３ａ近傍には、グルーブ３の深さＤｇよりも深
いＤｃクレビス４が設けられている。
ーブ記録可能として高密度記録を達成する情報記録媒体
を提供する。 【解決手段】 支持体１Ａ上に、少なくとも、記録層５
が積層されてなる情報記録媒体Ｂであって、支持体１Ａ
は、微細トラックパターンとしてランド２とグルーブ３
とが交互に形成されており、かつグルーブ３の幅方向の
一端縁部３ａ近傍には、グルーブ３の深さＤｇよりも深
いＤｃクレビス４が設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光又は磁気を記録
再生に利用したディスク、カード、テープなどの情報記
録媒体、特に光磁気や相変化などの記録再生型情報記録
媒体に好適な情報記録媒体、情報記録媒体用支持体、情
報記録媒体用支持体スタンパー、情報記録媒体の製造方
法、情報記録媒体用支持体の製造方法、情報記録媒体用
支持体の製造装置に関する。
再生に利用したディスク、カード、テープなどの情報記
録媒体、特に光磁気や相変化などの記録再生型情報記録
媒体に好適な情報記録媒体、情報記録媒体用支持体、情
報記録媒体用支持体スタンパー、情報記録媒体の製造方
法、情報記録媒体用支持体の製造方法、情報記録媒体用
支持体の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より光ディスクの世界では、音楽情
報を収録可能なＭＤやＣＤ−Ｒ、データーを収録可能な
ＤＶＤ−ＲＡＭなどの記録再生型ディスクがある。また
従来磁気記録しか利用されなかったフロッピーディスク
の分野でも、スーパーディスクなどに代表される光トラ
ッキングによる光フロッピーが開発されている。またカ
ードの世界でも、磁気カードが主流であったが、近年光
カードも市場に投入され始めた。またテープの世界でも
磁気テープばかりか光テープの開発が進んでいる。この
ように光技術は円盤状情報記録媒体の独占ではなくな
り、あらゆる形状の記録媒体に使われようとしている。
そしていずれの場合にも高密度、大容量化へと開発が進
めらている。
報を収録可能なＭＤやＣＤ−Ｒ、データーを収録可能な
ＤＶＤ−ＲＡＭなどの記録再生型ディスクがある。また
従来磁気記録しか利用されなかったフロッピーディスク
の分野でも、スーパーディスクなどに代表される光トラ
ッキングによる光フロッピーが開発されている。またカ
ードの世界でも、磁気カードが主流であったが、近年光
カードも市場に投入され始めた。またテープの世界でも
磁気テープばかりか光テープの開発が進んでいる。この
ように光技術は円盤状情報記録媒体の独占ではなくな
り、あらゆる形状の記録媒体に使われようとしている。
そしていずれの場合にも高密度、大容量化へと開発が進
めらている。
【０００３】こうした光技術のうち、光記録再生の高密
度化には、超解像再生やランド・グルーブ記録などの技
術が用いられている。しかしながら、これら技術にも問
題点が指摘されており、更なる高密度化に障害が生じて
いる。次に、この超解像再生の１つの例である、ＤＷＤ
Ｄ（Ｄｏｍａｉｎ Ｗａｌｌ Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎ
ｔ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ、磁壁移動検出）型情報記録媒
体とその問題点について説明する。
度化には、超解像再生やランド・グルーブ記録などの技
術が用いられている。しかしながら、これら技術にも問
題点が指摘されており、更なる高密度化に障害が生じて
いる。次に、この超解像再生の１つの例である、ＤＷＤ
Ｄ（Ｄｏｍａｉｎ Ｗａｌｌ Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎ
ｔ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ、磁壁移動検出）型情報記録媒
体とその問題点について説明する。
【０００４】詳しくは、ＤＷＤＤ型情報記録媒体は、光
磁気ディスク、光磁気カード、光磁気テープなどの光磁
気情報記録媒体のことであり、支持体上に、記録層、保
護層が順次積層されて成るものである。この記録層は、
小さな磁壁抗磁力を呈する移動層と、相対的に低いキュ
リ−温度を有するスイッチング層と、大きな磁壁抗磁力
を呈するメモリ層からなり、超解像記録膜である交換結
合３層膜で構成されている。再生時、この記録層上に再
生用レーザー光を局所的に照射して加熱すると、移動層
において温度勾配が生じ、移動層の磁壁に磁壁抗磁力が
発生する。この磁壁がスイッチング層の温度Ｔｓよりも
低い温度の領域に位置しているときには、メモリ層との
交換結合が作用しているため、メモリ層の大きな磁壁抗
磁力に阻止されて磁壁移動は起こらない。ところが、媒
体の走査に伴なって、磁壁が温度Ｔｓよりも高い温度の
領域に到達すると、スイッチング層の磁性が消失してメ
モリ層との交換結合が切断されるために、磁壁抗磁力の
小さい移動層内の磁壁だけが単独で高温側に移動する。
メモリ層中に情報信号に対応した間隔で形成されている
磁壁が、媒体の走査に伴って、温度Ｔｓの等温線上に到
達する度に、移動層内で磁壁移動が発生する。媒体を一
定速度で走査すると、記録されている磁壁の空間的間隔
に対応した時間間隔で、この磁壁移動が発生する。こう
して、情報の再生が行われる。そして、磁壁移動の発生
は、これに伴う磁化の反転を従来の光磁気光学系を用い
て検出することにより、光学系の分解能とは無関係に検
知することができるのである。
磁気ディスク、光磁気カード、光磁気テープなどの光磁
気情報記録媒体のことであり、支持体上に、記録層、保
護層が順次積層されて成るものである。この記録層は、
小さな磁壁抗磁力を呈する移動層と、相対的に低いキュ
リ−温度を有するスイッチング層と、大きな磁壁抗磁力
を呈するメモリ層からなり、超解像記録膜である交換結
合３層膜で構成されている。再生時、この記録層上に再
生用レーザー光を局所的に照射して加熱すると、移動層
において温度勾配が生じ、移動層の磁壁に磁壁抗磁力が
発生する。この磁壁がスイッチング層の温度Ｔｓよりも
低い温度の領域に位置しているときには、メモリ層との
交換結合が作用しているため、メモリ層の大きな磁壁抗
磁力に阻止されて磁壁移動は起こらない。ところが、媒
体の走査に伴なって、磁壁が温度Ｔｓよりも高い温度の
領域に到達すると、スイッチング層の磁性が消失してメ
モリ層との交換結合が切断されるために、磁壁抗磁力の
小さい移動層内の磁壁だけが単独で高温側に移動する。
メモリ層中に情報信号に対応した間隔で形成されている
磁壁が、媒体の走査に伴って、温度Ｔｓの等温線上に到
達する度に、移動層内で磁壁移動が発生する。媒体を一
定速度で走査すると、記録されている磁壁の空間的間隔
に対応した時間間隔で、この磁壁移動が発生する。こう
して、情報の再生が行われる。そして、磁壁移動の発生
は、これに伴う磁化の反転を従来の光磁気光学系を用い
て検出することにより、光学系の分解能とは無関係に検
知することができるのである。
【０００５】図５は従来の情報記録媒体用支持体の断面
模式図、図６は従来の情報記録媒体の断面模式図であ
る。図５は従来のＤＷＤＤ用支持体７を表し、図６は図
５に示した支持体７上に記録層５と保護層６とを積層し
たＤＷＤＤ型情報記録媒体を表す。
模式図、図６は従来の情報記録媒体の断面模式図であ
る。図５は従来のＤＷＤＤ用支持体７を表し、図６は図
５に示した支持体７上に記録層５と保護層６とを積層し
たＤＷＤＤ型情報記録媒体を表す。
【０００６】図５に示すように、支持体７には微細なト
ラックパターンである光トラッキング用グルーブ（ｇｒ
ｏｏｖｅ）３が平坦な溝として形成されており、例えば
光ディスクのような円盤状情報記録媒体に用いられる支
持体の場合には、このグルーブ３が円状又は渦巻き状に
形成されている。そしてグルーブ３とグルーブ３の間に
はランド（ｌａｎｄ）２と呼ぶ平坦な丘が形成されてい
る。そして、この支持体７には、図６に示すように、ラ
ンド２とグルーブ３を有する平面に記録層５と保護層６
が積層されて情報記録媒体Ａを形成している。記録層５
は例えば、前記した移動層であるＧｄＦｅＣｒ／前記し
たスイッチング層であるＴｂＦｅＣｒ／前記したメモリ
層であるＴｂＦｅＣｏＣｒの３層の積層体に代表される
超解像光磁気膜である。なおこの膜の特性を最大限に引
き出すために、補助的に２層の誘電体膜で記録層５を挟
み込んでもよく、ここではそれも含めて記録層５と呼ぶ
ことにする。また保護層６は記録層５を保護するもので
あり、紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂などの厚い樹脂層が
用いられる。
ラックパターンである光トラッキング用グルーブ（ｇｒ
ｏｏｖｅ）３が平坦な溝として形成されており、例えば
光ディスクのような円盤状情報記録媒体に用いられる支
持体の場合には、このグルーブ３が円状又は渦巻き状に
形成されている。そしてグルーブ３とグルーブ３の間に
はランド（ｌａｎｄ）２と呼ぶ平坦な丘が形成されてい
る。そして、この支持体７には、図６に示すように、ラ
ンド２とグルーブ３を有する平面に記録層５と保護層６
が積層されて情報記録媒体Ａを形成している。記録層５
は例えば、前記した移動層であるＧｄＦｅＣｒ／前記し
たスイッチング層であるＴｂＦｅＣｒ／前記したメモリ
層であるＴｂＦｅＣｏＣｒの３層の積層体に代表される
超解像光磁気膜である。なおこの膜の特性を最大限に引
き出すために、補助的に２層の誘電体膜で記録層５を挟
み込んでもよく、ここではそれも含めて記録層５と呼ぶ
ことにする。また保護層６は記録層５を保護するもので
あり、紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂などの厚い樹脂層が
用いられる。
【０００７】ＤＷＤＤについては平成１０年電気学会全
国大会Ｓ．１０−２５（１９９８）に詳しく解説されて
いるので説明は省略するが、ランド２とグルーブ３の何
れかに情報を記録し、再生することができる。このとき
ランド２又はグルーブ３の何れかを磁性領域とし、他方
を非磁性領域とする。ＤＷＤＤ再生を実現する上で重要
な点は、ランド２とグルーブ３いずれもが磁性領域であ
る場合には意図する超解像性が発現しない。言い換えれ
ば図６のままではＤＷＤＤが発現しない。そこで記録再
生ピックアップを用いて、記録条件よりも遙かに高いレ
ーザーパワーで非記録トラックを連続加熱して、磁性体
から非磁性体に変化させることが必要になる。
国大会Ｓ．１０−２５（１９９８）に詳しく解説されて
いるので説明は省略するが、ランド２とグルーブ３の何
れかに情報を記録し、再生することができる。このとき
ランド２又はグルーブ３の何れかを磁性領域とし、他方
を非磁性領域とする。ＤＷＤＤ再生を実現する上で重要
な点は、ランド２とグルーブ３いずれもが磁性領域であ
る場合には意図する超解像性が発現しない。言い換えれ
ば図６のままではＤＷＤＤが発現しない。そこで記録再
生ピックアップを用いて、記録条件よりも遙かに高いレ
ーザーパワーで非記録トラックを連続加熱して、磁性体
から非磁性体に変化させることが必要になる。
【０００８】図７はＤＷＤＤ型情報記録媒体のランドを
レーザーアニールした状態を模式的に図示した断面模式
図で、一例としてグルーブ３に記録を行い、ランド２を
非記録トラックとしている。即ちグルーブ３に記録を行
う前に、記録条件よりも遙かに高いレーザーパワーＬで
ランド２を連続的に掃引して、磁性体から非磁性体に変
化させる（以降この過程をレーザーアニールと呼ぶ。図
７に黒で塗り潰した部分）。このようにしてランド２と
グルーブ３の磁気的な結合を絶ってＤＷＤＤ型情報記録
媒体４０が完成する。この手順以降はグルーブ３にて記
録・再生を行うことができ、再生時には超解像現象が発
現する。即ち再生レーザーの波長とレンズ開口数から計
算される最小読み出し信号長よりも小さい信号が読み出
せることになる。
レーザーアニールした状態を模式的に図示した断面模式
図で、一例としてグルーブ３に記録を行い、ランド２を
非記録トラックとしている。即ちグルーブ３に記録を行
う前に、記録条件よりも遙かに高いレーザーパワーＬで
ランド２を連続的に掃引して、磁性体から非磁性体に変
化させる（以降この過程をレーザーアニールと呼ぶ。図
７に黒で塗り潰した部分）。このようにしてランド２と
グルーブ３の磁気的な結合を絶ってＤＷＤＤ型情報記録
媒体４０が完成する。この手順以降はグルーブ３にて記
録・再生を行うことができ、再生時には超解像現象が発
現する。即ち再生レーザーの波長とレンズ開口数から計
算される最小読み出し信号長よりも小さい信号が読み出
せることになる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
たＤＷＤＤは原理的に優れた超解像記録再生技術である
が、ランド２とグルーブ３の磁気的な結合を絶つ方法が
レーザーアニール以外になく、量産性に極めて乏しいと
いう問題点があった。例えばレーザーアニールに要する
時間は、トラック一本一本をトラッキングしながらレー
ザーで掃引するため、３０〜９０分という大変長い時間
を要するものであった。また磁性体と非磁性体を交互に
構成せねばならないことから、ランド２とグルーブ３の
両方に記録はできないという、論理的な問題点もあっ
た。このため、ＤＶＤ−ＲＡＭなどに使用されているラ
ンド・グルーブ記録は実現できず、大容量化に限界が生
じていた。
たＤＷＤＤは原理的に優れた超解像記録再生技術である
が、ランド２とグルーブ３の磁気的な結合を絶つ方法が
レーザーアニール以外になく、量産性に極めて乏しいと
いう問題点があった。例えばレーザーアニールに要する
時間は、トラック一本一本をトラッキングしながらレー
ザーで掃引するため、３０〜９０分という大変長い時間
を要するものであった。また磁性体と非磁性体を交互に
構成せねばならないことから、ランド２とグルーブ３の
両方に記録はできないという、論理的な問題点もあっ
た。このため、ＤＶＤ−ＲＡＭなどに使用されているラ
ンド・グルーブ記録は実現できず、大容量化に限界が生
じていた。
【００１０】そこで、本発明は、ＤＷＤＤ記録再生時の
前処理であるレーザーアニールをする必要がなく、ラン
ド・グルーブの両方にそれぞれ情報を記録可能として、
更なる高密度記録を達成することができ、しかも、量産
性が高い情報記録媒体、情報記録媒体用支持体、情報記
録媒体用支持体スタンパー、情報記録媒体の製造方法、
情報記録媒体用支持体の製造方法、情報記録媒体用支持
体の製造装置を提供することを目的とする。また本発明
はＤＷＤＤ以外の記録再生媒体においても高密度記録が
可能なことを示し、特に相変化媒体やＤＷＤＤ以外の磁
気的超解像媒体でもクロスイレーズを減らして更なる高
密度記録媒体を提供することを目的とする。
前処理であるレーザーアニールをする必要がなく、ラン
ド・グルーブの両方にそれぞれ情報を記録可能として、
更なる高密度記録を達成することができ、しかも、量産
性が高い情報記録媒体、情報記録媒体用支持体、情報記
録媒体用支持体スタンパー、情報記録媒体の製造方法、
情報記録媒体用支持体の製造方法、情報記録媒体用支持
体の製造装置を提供することを目的とする。また本発明
はＤＷＤＤ以外の記録再生媒体においても高密度記録が
可能なことを示し、特に相変化媒体やＤＷＤＤ以外の磁
気的超解像媒体でもクロスイレーズを減らして更なる高
密度記録媒体を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、本発明は、下記（１）〜（１７）の構成になる
情報記録媒体、情報記録媒体用支持体、情報記録媒体用
支持体スタンパー、情報記録媒体の製造方法、情報記録
媒体用支持体の製造方法、情報記録媒体用支持体の製造
装置を提供する。 （１） 図２、図４に示すように、支持体１Ａ，１Ｂ上
に、少なくとも、記録層５が積層されてなる情報記録媒
体Ｂ，Ｃであって、前記支持体１Ａ，１Ｂは、微細トラ
ックパターンとしてランド２とグルーブ３とが交互に形
成されており、かつグルーブ３内には、グルーブの深さ
Ｄｇよりも深いＤｃクレビス４が少なくとも一つ設けら
れていることを特徴とする情報記録媒体。 （２） 図２に示すように、支持体１Ａ上に、少なくと
も、記録層５が積層されてなる情報記録媒体Ｂであっ
て、前記支持体１Ａは、微細トラックパターンとしてラ
ンド２とグルーブ３とが交互に形成されており、かつグ
ルーブ３の幅方向の一端縁部３ａ近傍には、グルーブ３
の深さＤｇよりも深いＤｃクレビス４が設けられている
ことを特徴とする情報記録媒体。 （３） 図４に示すように、支持体１Ｂ上に、少なくと
も、記録層５が積層されてなる情報記録媒体Ｃであっ
て、前記支持体１Ｂは、微細トラックパターンとしてラ
ンド２とグルーブ３とが交互に形成されており、かつグ
ルーブ３の幅方向の両端縁部３ａ，３ｂ近傍には、グル
ーブ３の深さＤｇよりも深いＤｃクレビス４，４がそれ
ぞれ設けられていることを特徴とする情報記録媒体。 （４） 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の情報
記録媒体Ｂ，Ｃであって、前記支持体１Ａ，１Ｂ上に積
層された前記記録層５は、図２，図４に示すように、微
細トラックパターン毎に（記録層部分５ｃ，５ｄのよう
に）切断されていることを特徴とする情報記録媒体。 （５） 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の情報
記録媒体Ｂ，Ｃであって、前記記録層５は、超解像記録
膜を少なくとも有することを特徴とする情報記録媒体。 （６） 請求項５記載の情報記録媒体であって、前記超
解像記録膜は、磁壁移動検出型の超解像光磁気膜である
ことを特徴とする情報記録媒体。 （７） 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の情報
記録媒体であって、前記記録層は、相変化記録膜を少な
くとも有することを特徴とする情報記録媒体。 （８） 請求項１記載の情報記録媒体に用いられる情報
記録媒体用支持体１Ａ，１Ｂであって、微細トラックパ
ターンとしてランド２とグルーブ３とが交互に形成され
ており、かつグルーブ３内には、グルーブの深さＤｇよ
りも深いＤｃクレビス４が少なくとも一つ設けられてい
ることを特徴とする情報記録媒体用支持体。 （９） 図１に示すように、請求項２記載の情報記録媒
体Ｂに用いられる情報記録媒体用支持体１Ａであって、
微細トラックパターンとしてランド２とグルーブ３とが
交互に形成されており、かつグルーブ３の幅方向の一端
縁部３ａ近傍には、グルーブ３の深さＤｇよりも深いＤ
ｃクレビス４が設けられていることを特徴とする情報記
録媒体用支持体。 （１０） 図３に示すように、請求項３記載の情報記録
媒体Ｃに用いられる情報記録媒体用支持体１Ｂであっ
て、前記支持体１Ｂは、微細トラックパターンとしてラ
ンド２とグルーブ３とが交互に形成されており、かつグ
ルーブ３の幅方向の両端縁部３ａ，３ｂ近傍には、グル
ーブ３の深さＤｇよりも深いＤｃクレビス４，４がそれ
ぞれ設けられていることを特徴とする情報記録媒体用支
持体。 （１１） 図１９に示すように、請求項８乃至請求項１
０のいずれかに記載の情報記録媒体用支持体を製造する
スタンパー１４Ｂであって、微細トラックパターンとし
てランド２とグルーブ３とが交互に形成されており、か
つグルーブ３内には、グルーブの高さよりも高いクレビ
ス４が少なくとも一つ設けられている前記情報記録媒体
用支持体１Ｂを複製するための構成を有することを特徴
とする情報記録媒体用支持体スタンパー。 （１１．１） 図１９、図２７、図３１、図３３に示す
ように、請求項１１に記載の情報記録媒体用支持体スタ
ンパーを製造するガラスマスター１１Ｂ、３１Ｂ、４１
Ｂ、５１Ｂであって、微細トラックパターンとしてラン
ド２とグルーブ３とが交互に形成されており、かつグル
ーブ３内には、グルーブの深さよりも深いクレビス４が
少なくとも一つ設けられている前記情報記録媒体用支持
体スタンパー１４Ｂを複製するための構成を有すること
を特徴とする情報記録媒体用ガラスマスター。 （１２） 請求項８乃至請求項１０のいずれかに記載の
情報記録媒体用支持体１Ａ，１Ｂ上に、少なくとも、記
録層５が積層されてなる情報記録媒体Ｂ，Ｃを製造する
情報記録媒体の製造方法であって、前記情報記録媒体用
支持体１Ａ，１Ｂ上に、前記記録層５の真空成膜処理を
行い、前記情報記録媒体用支持体１Ａ，１Ｂのグルーブ
３及びランド２には記録層５を被着させると同時に、前
記情報記録媒体用支持体１Ａ，１Ｂのクレビス４には記
録層５を被着させないことを特徴とする情報記録媒体の
製造方法。 （１３） 図１５、図１６に示すように、請求項８乃至
請求項１０のいずれかに記載の情報記録媒体用支持体１
Ａ，１Ｂを製造する情報記録媒体用支持体の製造方法で
あって、高精度に研磨洗浄した支持体１上に、耐ドライ
エッチング性を有するパターニングマスク８を均一に成
膜する工程（図１５（ｂ）、図１６（ｂ））と、次に、
前記微細トラックパターンに対応したパターンを支持体
１上に形成するためのパターニングを行う工程（図１５
（ｃ）、図１６（ｃ））と、次に、３５〜５００ｍｔｏ
ｒｒのガス圧力でドライエッチングを行い、前記グルー
ブ３及びクレビス４を同時に彫り込む工程（図１５
（ｄ）、図１６（ｄ））と、前記パターニングマスクを
除去する工程（図１５（ｅ）、図１６（ｅ））とを備え
たことを特徴とする情報記録媒体用支持体の製造方法。 （１４） 図１９に示すように、請求項８乃至請求項１
０のいずれかに記載の情報記録媒体用支持体を製造する
情報記録媒体用支持体の製造方法であって、ガラスマス
ター１１Ｂを製造する工程（図１９（ａ）〜（ｅ））
と、ガラスマスター１１Ｂからスタンパー１４Ｂを製造
する工程（図１９（ｆ）〜（ｈ））と、スタンパー１４
Ｂから支持体１Ｂを製造する工程（図１９（ｉ））とか
らなり、ガラスマスター１１Ｂを製造する工程は、高精
度に研磨洗浄した母型上に、耐ドライエッチング性を有
するパターニングマスクを均一に成膜する工程（図１９
（ｂ））と、次に、前記微細トラックパターンに対応し
たパターンを支持体上に形成するためのパターニングを
行う工程（図１９（ｃ））と、次に、３５〜５００ｍｔ
ｏｒｒのガス圧力でドライエッチングを行い、前記グル
ーブ及びクレビスを同時に彫り込む工程（図１９
（ｄ））と、前記パターニングマスクを除去する工程
（図１９（ｅ））とを備えたことを特徴とする情報記録
媒体用支持体の製造方法。 （１４．１） 図２７に示すように、請求項８乃至請求
項１０のいずれかに記載の情報記録媒体用支持体を製造
する情報記録媒体用支持体の製造方法であって、ガラス
マスター３１Ｂを製造する工程（図２７（ａ）〜
（ｆ））と、ガラスマスター３１Ｂからスタンパー１４
Ｂを製造する工程（図１９（ｆ）〜（ｈ））と、スタン
パー１４Ｂから支持体１Ｂを製造する工程（図１９
（ｉ））とからなり、ガラスマスター３１Ｂを製造する
工程は、高精度に研磨洗浄した母型上に、ドライエッチ
ング可能なエッチング層を形成する工程（図２７
（ｂ））と、エッチング層上に、耐ドライエッチング性
を有するパターニングマスクを均一に成膜する工程（図
２７（ｃ））と、次に、前記微細トラックパターンに対
応したパターンを支持体上に形成するためのパターニン
グを行う工程（図２７（ｄ））と、次に、３５〜５００
ｍｔｏｒｒのガス圧力でドライエッチングを行い、エッ
チング層に前記グルーブ及びクレビスを同時に彫り込む
工程（図２７（ｅ））と、前記パターニングマスクを除
去する工程（図２７（ｆ））とを備えたことを特徴とす
る情報記録媒体用支持体の製造方法。 （１４．２） 図３１に示すように、請求項８乃至請求
項１０のいずれかに記載の情報記録媒体用支持体を製造
する情報記録媒体用支持体の製造方法であって、ガラス
マスター４１Ｂを製造する工程（図３１（ａ）〜
（ｆ））と、ガラスマスター４１Ｂからスタンパー１４
Ｂを製造する工程（図１９（ｆ）〜（ｈ））と、スタン
パー１４Ｂから支持体１Ｂを製造する工程（図１９
（ｉ））とからなり、ガラスマスター４１Ｂを製造する
工程は、高精度に研磨洗浄した母型上に、ドライエッチ
ング可能なエッチング層を形成する工程（図３１
（ｂ））と、エッチング層上に、耐ドライエッチング性
を有するパターニングマスクを均一に成膜する工程（図
３１（ｃ））と、次に、前記微細トラックパターンに対
応したパターンを支持体上に形成するためのパターニン
グを行う工程（図３１（ｄ））と、次に、３５〜５００
ｍｔｏｒｒのガス圧力でドライエッチングを行い、エッ
チング層に前記グルーブ、母型に前記クレビスを同時に
彫り込む工程（図３１（ｅ）、（ｆ））と、前記パター
ニングマスクを除去する工程（図３１（ｇ））とを備え
たことを特徴とする情報記録媒体用支持体の製造方法。 （１５） 図３３に示すように、請求項８乃至請求項１
０のいずれかに記載の情報記録媒体用支持体を製造する
情報記録媒体用支持体の製造方法であって、高精度に研
磨洗浄した支持体（母型盤）５１Ｂ上に、ネガ・ポジ兼
用のフォトレジストを均一に成膜する（ポジ・ネガ両用
の感光性樹脂５０を均一に成膜して感光性樹脂層５０を
形成する）工程（図３３（ｂ））と、次に、前記微細ト
ラックパターンを支持体上に形成するために、（収束ビ
ーム５２を用いて）所定の露光量でパターニングを行う
工程（図３３（ｃ））とを備えたことを特徴とする情報
記録媒体用支持体の製造方法。 （１６） 図３３に示すように、請求項８乃至請求項１
０のいずれかに記載の情報記録媒体用支持体を製造する
情報記録媒体用支持体の製造方法であって、ガラスマス
ター５１Ｂを製造する工程（図３３（ａ）〜（ｄ））
と、ガラスマスター５１Ｂからスタンパー１４Ｂを製造
する工程（図１９（ｆ）〜（ｈ））と、スタンパー１４
Ｂから支持体１Ｂを製造する工程（図１９（ｉ））とか
らなり、ガラスマスターを製造する工程は、高精度に研
磨洗浄した母型（母型盤）５１上に、ネガ・ポジ兼用の
フォトレジストを均一に成膜する（ポジ・ネガ両用の感
光性樹脂５０を均一に成膜して感光性樹脂層５０を形成
する）工程（図３３（ｂ））と、前記微細トラックパタ
ーンを支持体上に形成するために、（収束ビーム５２を
用いて）所定の露光量でパターニングを行う工程（図３
３（ｃ））とを備えたことを特徴とする情報記録媒体用
支持体の製造方法。 （１７） 請求項８乃至請求項１０のいずれかに記載の
情報記録媒体用支持体を製造する情報記録媒体用支持体
の製造装置であって、前記微細トラックのパターンが形
成された支持体１Ａ，１Ｂ上をドライエッチングするこ
とにより、前記支持体上に前記グルーブ３及びクレビス
４を同時に彫り込む手段を備えたことを特徴とする情報
記録媒体用支持体の製造装置。
ために、本発明は、下記（１）〜（１７）の構成になる
情報記録媒体、情報記録媒体用支持体、情報記録媒体用
支持体スタンパー、情報記録媒体の製造方法、情報記録
媒体用支持体の製造方法、情報記録媒体用支持体の製造
装置を提供する。 （１） 図２、図４に示すように、支持体１Ａ，１Ｂ上
に、少なくとも、記録層５が積層されてなる情報記録媒
体Ｂ，Ｃであって、前記支持体１Ａ，１Ｂは、微細トラ
ックパターンとしてランド２とグルーブ３とが交互に形
成されており、かつグルーブ３内には、グルーブの深さ
Ｄｇよりも深いＤｃクレビス４が少なくとも一つ設けら
れていることを特徴とする情報記録媒体。 （２） 図２に示すように、支持体１Ａ上に、少なくと
も、記録層５が積層されてなる情報記録媒体Ｂであっ
て、前記支持体１Ａは、微細トラックパターンとしてラ
ンド２とグルーブ３とが交互に形成されており、かつグ
ルーブ３の幅方向の一端縁部３ａ近傍には、グルーブ３
の深さＤｇよりも深いＤｃクレビス４が設けられている
ことを特徴とする情報記録媒体。 （３） 図４に示すように、支持体１Ｂ上に、少なくと
も、記録層５が積層されてなる情報記録媒体Ｃであっ
て、前記支持体１Ｂは、微細トラックパターンとしてラ
ンド２とグルーブ３とが交互に形成されており、かつグ
ルーブ３の幅方向の両端縁部３ａ，３ｂ近傍には、グル
ーブ３の深さＤｇよりも深いＤｃクレビス４，４がそれ
ぞれ設けられていることを特徴とする情報記録媒体。 （４） 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の情報
記録媒体Ｂ，Ｃであって、前記支持体１Ａ，１Ｂ上に積
層された前記記録層５は、図２，図４に示すように、微
細トラックパターン毎に（記録層部分５ｃ，５ｄのよう
に）切断されていることを特徴とする情報記録媒体。 （５） 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の情報
記録媒体Ｂ，Ｃであって、前記記録層５は、超解像記録
膜を少なくとも有することを特徴とする情報記録媒体。 （６） 請求項５記載の情報記録媒体であって、前記超
解像記録膜は、磁壁移動検出型の超解像光磁気膜である
ことを特徴とする情報記録媒体。 （７） 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の情報
記録媒体であって、前記記録層は、相変化記録膜を少な
くとも有することを特徴とする情報記録媒体。 （８） 請求項１記載の情報記録媒体に用いられる情報
記録媒体用支持体１Ａ，１Ｂであって、微細トラックパ
ターンとしてランド２とグルーブ３とが交互に形成され
ており、かつグルーブ３内には、グルーブの深さＤｇよ
りも深いＤｃクレビス４が少なくとも一つ設けられてい
ることを特徴とする情報記録媒体用支持体。 （９） 図１に示すように、請求項２記載の情報記録媒
体Ｂに用いられる情報記録媒体用支持体１Ａであって、
微細トラックパターンとしてランド２とグルーブ３とが
交互に形成されており、かつグルーブ３の幅方向の一端
縁部３ａ近傍には、グルーブ３の深さＤｇよりも深いＤ
ｃクレビス４が設けられていることを特徴とする情報記
録媒体用支持体。 （１０） 図３に示すように、請求項３記載の情報記録
媒体Ｃに用いられる情報記録媒体用支持体１Ｂであっ
て、前記支持体１Ｂは、微細トラックパターンとしてラ
ンド２とグルーブ３とが交互に形成されており、かつグ
ルーブ３の幅方向の両端縁部３ａ，３ｂ近傍には、グル
ーブ３の深さＤｇよりも深いＤｃクレビス４，４がそれ
ぞれ設けられていることを特徴とする情報記録媒体用支
持体。 （１１） 図１９に示すように、請求項８乃至請求項１
０のいずれかに記載の情報記録媒体用支持体を製造する
スタンパー１４Ｂであって、微細トラックパターンとし
てランド２とグルーブ３とが交互に形成されており、か
つグルーブ３内には、グルーブの高さよりも高いクレビ
ス４が少なくとも一つ設けられている前記情報記録媒体
用支持体１Ｂを複製するための構成を有することを特徴
とする情報記録媒体用支持体スタンパー。 （１１．１） 図１９、図２７、図３１、図３３に示す
ように、請求項１１に記載の情報記録媒体用支持体スタ
ンパーを製造するガラスマスター１１Ｂ、３１Ｂ、４１
Ｂ、５１Ｂであって、微細トラックパターンとしてラン
ド２とグルーブ３とが交互に形成されており、かつグル
ーブ３内には、グルーブの深さよりも深いクレビス４が
少なくとも一つ設けられている前記情報記録媒体用支持
体スタンパー１４Ｂを複製するための構成を有すること
を特徴とする情報記録媒体用ガラスマスター。 （１２） 請求項８乃至請求項１０のいずれかに記載の
情報記録媒体用支持体１Ａ，１Ｂ上に、少なくとも、記
録層５が積層されてなる情報記録媒体Ｂ，Ｃを製造する
情報記録媒体の製造方法であって、前記情報記録媒体用
支持体１Ａ，１Ｂ上に、前記記録層５の真空成膜処理を
行い、前記情報記録媒体用支持体１Ａ，１Ｂのグルーブ
３及びランド２には記録層５を被着させると同時に、前
記情報記録媒体用支持体１Ａ，１Ｂのクレビス４には記
録層５を被着させないことを特徴とする情報記録媒体の
製造方法。 （１３） 図１５、図１６に示すように、請求項８乃至
請求項１０のいずれかに記載の情報記録媒体用支持体１
Ａ，１Ｂを製造する情報記録媒体用支持体の製造方法で
あって、高精度に研磨洗浄した支持体１上に、耐ドライ
エッチング性を有するパターニングマスク８を均一に成
膜する工程（図１５（ｂ）、図１６（ｂ））と、次に、
前記微細トラックパターンに対応したパターンを支持体
１上に形成するためのパターニングを行う工程（図１５
（ｃ）、図１６（ｃ））と、次に、３５〜５００ｍｔｏ
ｒｒのガス圧力でドライエッチングを行い、前記グルー
ブ３及びクレビス４を同時に彫り込む工程（図１５
（ｄ）、図１６（ｄ））と、前記パターニングマスクを
除去する工程（図１５（ｅ）、図１６（ｅ））とを備え
たことを特徴とする情報記録媒体用支持体の製造方法。 （１４） 図１９に示すように、請求項８乃至請求項１
０のいずれかに記載の情報記録媒体用支持体を製造する
情報記録媒体用支持体の製造方法であって、ガラスマス
ター１１Ｂを製造する工程（図１９（ａ）〜（ｅ））
と、ガラスマスター１１Ｂからスタンパー１４Ｂを製造
する工程（図１９（ｆ）〜（ｈ））と、スタンパー１４
Ｂから支持体１Ｂを製造する工程（図１９（ｉ））とか
らなり、ガラスマスター１１Ｂを製造する工程は、高精
度に研磨洗浄した母型上に、耐ドライエッチング性を有
するパターニングマスクを均一に成膜する工程（図１９
（ｂ））と、次に、前記微細トラックパターンに対応し
たパターンを支持体上に形成するためのパターニングを
行う工程（図１９（ｃ））と、次に、３５〜５００ｍｔ
ｏｒｒのガス圧力でドライエッチングを行い、前記グル
ーブ及びクレビスを同時に彫り込む工程（図１９
（ｄ））と、前記パターニングマスクを除去する工程
（図１９（ｅ））とを備えたことを特徴とする情報記録
媒体用支持体の製造方法。 （１４．１） 図２７に示すように、請求項８乃至請求
項１０のいずれかに記載の情報記録媒体用支持体を製造
する情報記録媒体用支持体の製造方法であって、ガラス
マスター３１Ｂを製造する工程（図２７（ａ）〜
（ｆ））と、ガラスマスター３１Ｂからスタンパー１４
Ｂを製造する工程（図１９（ｆ）〜（ｈ））と、スタン
パー１４Ｂから支持体１Ｂを製造する工程（図１９
（ｉ））とからなり、ガラスマスター３１Ｂを製造する
工程は、高精度に研磨洗浄した母型上に、ドライエッチ
ング可能なエッチング層を形成する工程（図２７
（ｂ））と、エッチング層上に、耐ドライエッチング性
を有するパターニングマスクを均一に成膜する工程（図
２７（ｃ））と、次に、前記微細トラックパターンに対
応したパターンを支持体上に形成するためのパターニン
グを行う工程（図２７（ｄ））と、次に、３５〜５００
ｍｔｏｒｒのガス圧力でドライエッチングを行い、エッ
チング層に前記グルーブ及びクレビスを同時に彫り込む
工程（図２７（ｅ））と、前記パターニングマスクを除
去する工程（図２７（ｆ））とを備えたことを特徴とす
る情報記録媒体用支持体の製造方法。 （１４．２） 図３１に示すように、請求項８乃至請求
項１０のいずれかに記載の情報記録媒体用支持体を製造
する情報記録媒体用支持体の製造方法であって、ガラス
マスター４１Ｂを製造する工程（図３１（ａ）〜
（ｆ））と、ガラスマスター４１Ｂからスタンパー１４
Ｂを製造する工程（図１９（ｆ）〜（ｈ））と、スタン
パー１４Ｂから支持体１Ｂを製造する工程（図１９
（ｉ））とからなり、ガラスマスター４１Ｂを製造する
工程は、高精度に研磨洗浄した母型上に、ドライエッチ
ング可能なエッチング層を形成する工程（図３１
（ｂ））と、エッチング層上に、耐ドライエッチング性
を有するパターニングマスクを均一に成膜する工程（図
３１（ｃ））と、次に、前記微細トラックパターンに対
応したパターンを支持体上に形成するためのパターニン
グを行う工程（図３１（ｄ））と、次に、３５〜５００
ｍｔｏｒｒのガス圧力でドライエッチングを行い、エッ
チング層に前記グルーブ、母型に前記クレビスを同時に
彫り込む工程（図３１（ｅ）、（ｆ））と、前記パター
ニングマスクを除去する工程（図３１（ｇ））とを備え
たことを特徴とする情報記録媒体用支持体の製造方法。 （１５） 図３３に示すように、請求項８乃至請求項１
０のいずれかに記載の情報記録媒体用支持体を製造する
情報記録媒体用支持体の製造方法であって、高精度に研
磨洗浄した支持体（母型盤）５１Ｂ上に、ネガ・ポジ兼
用のフォトレジストを均一に成膜する（ポジ・ネガ両用
の感光性樹脂５０を均一に成膜して感光性樹脂層５０を
形成する）工程（図３３（ｂ））と、次に、前記微細ト
ラックパターンを支持体上に形成するために、（収束ビ
ーム５２を用いて）所定の露光量でパターニングを行う
工程（図３３（ｃ））とを備えたことを特徴とする情報
記録媒体用支持体の製造方法。 （１６） 図３３に示すように、請求項８乃至請求項１
０のいずれかに記載の情報記録媒体用支持体を製造する
情報記録媒体用支持体の製造方法であって、ガラスマス
ター５１Ｂを製造する工程（図３３（ａ）〜（ｄ））
と、ガラスマスター５１Ｂからスタンパー１４Ｂを製造
する工程（図１９（ｆ）〜（ｈ））と、スタンパー１４
Ｂから支持体１Ｂを製造する工程（図１９（ｉ））とか
らなり、ガラスマスターを製造する工程は、高精度に研
磨洗浄した母型（母型盤）５１上に、ネガ・ポジ兼用の
フォトレジストを均一に成膜する（ポジ・ネガ両用の感
光性樹脂５０を均一に成膜して感光性樹脂層５０を形成
する）工程（図３３（ｂ））と、前記微細トラックパタ
ーンを支持体上に形成するために、（収束ビーム５２を
用いて）所定の露光量でパターニングを行う工程（図３
３（ｃ））とを備えたことを特徴とする情報記録媒体用
支持体の製造方法。 （１７） 請求項８乃至請求項１０のいずれかに記載の
情報記録媒体用支持体を製造する情報記録媒体用支持体
の製造装置であって、前記微細トラックのパターンが形
成された支持体１Ａ，１Ｂ上をドライエッチングするこ
とにより、前記支持体上に前記グルーブ３及びクレビス
４を同時に彫り込む手段を備えたことを特徴とする情報
記録媒体用支持体の製造装置。
【００１２】
【発明の実施の態様】以下、本発明の情報記録媒体、情
報記録媒体用支持体、情報記録媒体用支持体スタンパ
ー、情報記録媒体の製造方法、情報記録媒体用支持体の
製造方法、情報記録媒体用支持体の製造装置の実施例
を、図面を用いて詳しく説明する。
報記録媒体用支持体、情報記録媒体用支持体スタンパ
ー、情報記録媒体の製造方法、情報記録媒体用支持体の
製造方法、情報記録媒体用支持体の製造装置の実施例
を、図面を用いて詳しく説明する。
【００１３】図１，図３はそれぞれ本発明の情報記録媒
体用支持体の第１，第２実施例の断面模式図、図２，図
４はそれぞれ本発明の情報記録媒体の第１，第２実施例
の断面模式図、図８は支持体１Ａ各部の具体的な寸法数
値を示す図、図１０，図２３，図２９，図３２はそれぞ
れ支持体１Ｂ各部の具体的な寸法数値を示す図、図９は
情報記録媒体Ｂの記録層５の具体的な積層構成を説明す
るための図、図１１，図２０，図２４，図３０はそれぞ
れ情報記録媒体Ｃの記録層５の具体的な積層構成を説明
するための図、図１２は図９の情報記録媒体Ｂのランド
２を再生したときのマーク長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性
図、図１３は図１１の情報記録媒体Ｃのランド２を再生
したときのマーク長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性図、図１
４は図１１の情報記録媒体Ｃのグルーブ３を再生したと
きのマーク長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性図、図２１は図
２０の情報記録媒体Ｃのランド２を再生したときのマー
ク長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性図、図２２は図２０の情
報記録媒体Ｃのグルーブ３を再生したときのマーク長対
Ｃ／Ｎ比再生周波数特性図、図１５，図１６，図１９は
それぞれ本発明の情報記録媒体用支持体の製造方法の第
１，第２，第３実施例工程を説明するための図、図１
７，図１８はそれぞれ本発明の情報記録媒体用支持体の
製造方法に用いられるドライエッチング装置ＡＡ，ＢＢ
の構造を説明するための図、図２５は図２４の情報記録
媒体Ｃのグルーブ３、ランド２を再生したときのジッタ
ーの測定値を示す図、図２６は比較例として従来の情報
記録媒体のグルーブ３、ランド２を再生したときのジッ
ターの測定値を示す図、図２７，図３１，図３３はそれ
ぞれ本発明の情報記録媒体用支持体の製造方法を用いて
ガラスマスター３１Ｂ，４１Ｂ，５１Ｂを製造する工程
を説明するための図、図２８は２Ｐ成形法によって形成
した支持体１Ｂを示す図、図３４はガラスマスター５１
Ｂを製作する工程に用いられるポジ・ネガ両用の感光性
樹脂５０の光感度曲線を示す図、図３５はガラスマスタ
ー５１Ｂを製作する工程における感光性樹脂５０に照射
される収束ビームの露光量分布と、現像後の感光性樹脂
５０の断面形状を示す図、図３６はガラスマスター５１
Ｂ各部の具体的な寸法数値を示す図である。前述したも
のと同一のものには同一符号を付し、その説明を省略す
る。
体用支持体の第１，第２実施例の断面模式図、図２，図
４はそれぞれ本発明の情報記録媒体の第１，第２実施例
の断面模式図、図８は支持体１Ａ各部の具体的な寸法数
値を示す図、図１０，図２３，図２９，図３２はそれぞ
れ支持体１Ｂ各部の具体的な寸法数値を示す図、図９は
情報記録媒体Ｂの記録層５の具体的な積層構成を説明す
るための図、図１１，図２０，図２４，図３０はそれぞ
れ情報記録媒体Ｃの記録層５の具体的な積層構成を説明
するための図、図１２は図９の情報記録媒体Ｂのランド
２を再生したときのマーク長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性
図、図１３は図１１の情報記録媒体Ｃのランド２を再生
したときのマーク長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性図、図１
４は図１１の情報記録媒体Ｃのグルーブ３を再生したと
きのマーク長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性図、図２１は図
２０の情報記録媒体Ｃのランド２を再生したときのマー
ク長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性図、図２２は図２０の情
報記録媒体Ｃのグルーブ３を再生したときのマーク長対
Ｃ／Ｎ比再生周波数特性図、図１５，図１６，図１９は
それぞれ本発明の情報記録媒体用支持体の製造方法の第
１，第２，第３実施例工程を説明するための図、図１
７，図１８はそれぞれ本発明の情報記録媒体用支持体の
製造方法に用いられるドライエッチング装置ＡＡ，ＢＢ
の構造を説明するための図、図２５は図２４の情報記録
媒体Ｃのグルーブ３、ランド２を再生したときのジッタ
ーの測定値を示す図、図２６は比較例として従来の情報
記録媒体のグルーブ３、ランド２を再生したときのジッ
ターの測定値を示す図、図２７，図３１，図３３はそれ
ぞれ本発明の情報記録媒体用支持体の製造方法を用いて
ガラスマスター３１Ｂ，４１Ｂ，５１Ｂを製造する工程
を説明するための図、図２８は２Ｐ成形法によって形成
した支持体１Ｂを示す図、図３４はガラスマスター５１
Ｂを製作する工程に用いられるポジ・ネガ両用の感光性
樹脂５０の光感度曲線を示す図、図３５はガラスマスタ
ー５１Ｂを製作する工程における感光性樹脂５０に照射
される収束ビームの露光量分布と、現像後の感光性樹脂
５０の断面形状を示す図、図３６はガラスマスター５１
Ｂ各部の具体的な寸法数値を示す図である。前述したも
のと同一のものには同一符号を付し、その説明を省略す
る。
【００１４】ところで、本発明者は上記問題点を鋭意検
討した結果、本発明に至ったものである。即ちＤＷＤＤ
型情報記録媒体４０において、図７で示したようにラン
ド２を非磁性層化しなければならない背景には、記録層
５が支持体７の形状に忠実に形成され、グルーブ２，ラ
ンド３とも切れ目がなく連続することによって記録層５
が形成されることが挙げられる。従って、レーザーアニ
ールを不要とするためには、記録層５がトラック毎に切
断されるような成膜が必要であるが、記録層５である光
磁気膜の成膜に使用されるスパッタリング法では回り込
み性が良く、意図する切断ができない。
討した結果、本発明に至ったものである。即ちＤＷＤＤ
型情報記録媒体４０において、図７で示したようにラン
ド２を非磁性層化しなければならない背景には、記録層
５が支持体７の形状に忠実に形成され、グルーブ２，ラ
ンド３とも切れ目がなく連続することによって記録層５
が形成されることが挙げられる。従って、レーザーアニ
ールを不要とするためには、記録層５がトラック毎に切
断されるような成膜が必要であるが、記録層５である光
磁気膜の成膜に使用されるスパッタリング法では回り込
み性が良く、意図する切断ができない。
【００１５】本発明では従来の成膜装置を使用したまま
で、記録層５のトラック切断（グルーブ２とランド３間
に切れ目をいれること）が可能である形状の支持体を提
供する。またこの支持体を使用した情報記録媒体を提供
する。本発明の情報記録媒体用支持体は、図１に示す断
面模式図の支持体１Ａを使用する。
で、記録層５のトラック切断（グルーブ２とランド３間
に切れ目をいれること）が可能である形状の支持体を提
供する。またこの支持体を使用した情報記録媒体を提供
する。本発明の情報記録媒体用支持体は、図１に示す断
面模式図の支持体１Ａを使用する。
【００１６】本発明の情報記録媒体用支持体（第１実施
例）１Ａは、図１に示すように、従来の支持体７（図５
図示）がグルーブ３と隣接するランド２の交互繰り返し
から構成されていたのに対して、グルーブ３とランド２
の間に、クレビス４を有した構成としたものである。グ
ルーブ３とランド２とクレビス４は互いに平行に配置さ
れており、ランド２とグルーブ３の間に各々１つずつの
クレビス４を有している。ここでクレビス４はグルーブ
３平面よりも支持体の内側に窪んでいる形状を指し（グ
ルーブ３の深さＤｇ＜クレビス４の深さＤｃ）、その断
面形状は逆三角形、急俊なＶ溝状になっている。これは
支持体１Ａの外側より眺めるとあたかも裂け目（ｃｒｅ
ｖｉｃｅ）のように見受けられる。同図中、Ｗｌはラン
ド２の幅、Ｗｃはクレビス４の幅、Ｗｇ＋Ｗｃはグルー
ブ３の幅を示す。
例）１Ａは、図１に示すように、従来の支持体７（図５
図示）がグルーブ３と隣接するランド２の交互繰り返し
から構成されていたのに対して、グルーブ３とランド２
の間に、クレビス４を有した構成としたものである。グ
ルーブ３とランド２とクレビス４は互いに平行に配置さ
れており、ランド２とグルーブ３の間に各々１つずつの
クレビス４を有している。ここでクレビス４はグルーブ
３平面よりも支持体の内側に窪んでいる形状を指し（グ
ルーブ３の深さＤｇ＜クレビス４の深さＤｃ）、その断
面形状は逆三角形、急俊なＶ溝状になっている。これは
支持体１Ａの外側より眺めるとあたかも裂け目（ｃｒｅ
ｖｉｃｅ）のように見受けられる。同図中、Ｗｌはラン
ド２の幅、Ｗｃはクレビス４の幅、Ｗｇ＋Ｗｃはグルー
ブ３の幅を示す。
【００１７】ここでは、グルーブ３の幅方向の一端縁部
３ａ近傍のみにクレビス４が設けられていることを説明
したが、図示はしないが、グルーブ３の幅方向の一端縁
部３ｂ近傍のみにクレビス４が設けられていても良く、
また、グルーブ３内、例えばその中央部付近に、急俊な
Ｖ溝状の１つあるいは複数のクレビス４が設けられてい
ても良いことは言うまでもない。
３ａ近傍のみにクレビス４が設けられていることを説明
したが、図示はしないが、グルーブ３の幅方向の一端縁
部３ｂ近傍のみにクレビス４が設けられていても良く、
また、グルーブ３内、例えばその中央部付近に、急俊な
Ｖ溝状の１つあるいは複数のクレビス４が設けられてい
ても良いことは言うまでもない。
【００１８】換言するならば、本発明の情報記録媒体用
支持体は、本発明の情報記録媒体に用いられる情報記録
媒体用支持体であって、微細トラックパターンとしてラ
ンド２とグルーブ３とが交互に形成されており、かつグ
ルーブ３内には、グルーブ３の深さＤｇよりも深いＤｃ
クレビス４が少なくとも一つ設けられていることを特徴
とするものである。
支持体は、本発明の情報記録媒体に用いられる情報記録
媒体用支持体であって、微細トラックパターンとしてラ
ンド２とグルーブ３とが交互に形成されており、かつグ
ルーブ３内には、グルーブ３の深さＤｇよりも深いＤｃ
クレビス４が少なくとも一つ設けられていることを特徴
とするものである。
【００１９】また、本発明の情報記録媒体用支持体１Ａ
は、本発明の情報記録媒体Ｂ（図２図示）に用いられる
支持体であって、微細トラックパターンとしてランド２
とグルーブ３とが交互に形成されており、かつグルーブ
３の幅方向の一端縁部３ａ（又は一端縁部３ｂ）近傍に
は、グルーブ３の深さＤｇよりも深いＤｃクレビス４が
設けられていることを特徴とするものである。
は、本発明の情報記録媒体Ｂ（図２図示）に用いられる
支持体であって、微細トラックパターンとしてランド２
とグルーブ３とが交互に形成されており、かつグルーブ
３の幅方向の一端縁部３ａ（又は一端縁部３ｂ）近傍に
は、グルーブ３の深さＤｇよりも深いＤｃクレビス４が
設けられていることを特徴とするものである。
【００２０】さて、本発明の情報記録媒体（第１実施
例）Ｂは、図２に示すように、前記した情報記録媒体用
支持体１Ａ（図１図示）上に、記録層５と保護層６を順
に形成してなるものである。ここで記録層５はスパッタ
リング法によってＤＷＤＤ型超解像膜を少なくとも有し
て成膜されているが、回り込み性の良いスパッタリング
でありながら、クレビス４はスパッタリングの陰になる
ために、クレビス４には記録層５が付着しない。従っ
て、記録層５はクレビス４近傍であたかも切断されたよ
うな形状となる。クレビス４はグルーブ３内に１つずつ
形成されているために使用可能なトラック数はランド２
の数と一致する（即ち事実上ランド記録のみ可能という
ことになる）。一方保護層６はスピンコートなどによっ
て厚く形成されるためにほぼ平坦な連続した形状として
形成される。しかし必要なのは、グルーブ３内において
記録層５が切断されていることであるので、保護層６が
連続であることは障害にならない。
例）Ｂは、図２に示すように、前記した情報記録媒体用
支持体１Ａ（図１図示）上に、記録層５と保護層６を順
に形成してなるものである。ここで記録層５はスパッタ
リング法によってＤＷＤＤ型超解像膜を少なくとも有し
て成膜されているが、回り込み性の良いスパッタリング
でありながら、クレビス４はスパッタリングの陰になる
ために、クレビス４には記録層５が付着しない。従っ
て、記録層５はクレビス４近傍であたかも切断されたよ
うな形状となる。クレビス４はグルーブ３内に１つずつ
形成されているために使用可能なトラック数はランド２
の数と一致する（即ち事実上ランド記録のみ可能という
ことになる）。一方保護層６はスピンコートなどによっ
て厚く形成されるためにほぼ平坦な連続した形状として
形成される。しかし必要なのは、グルーブ３内において
記録層５が切断されていることであるので、保護層６が
連続であることは障害にならない。
【００２１】換言するならば、本発明の情報記録媒体Ｂ
は、本発明の情報記録媒体用支持体１Ａ上に、少なくと
も、記録層５が積層されてなる情報記録媒体であって、
前記支持体１Ａは、微細トラックパターンとしてランド
２とグルーブ３とが交互に形成されており、かつグルー
ブ３の幅方向の一端縁部３ａ（又は一端縁部３ｂ）近傍
には、グルーブ３の深さＤｇよりも深いＤｃクレビス４
が設けられていることを特徴とするものである。
は、本発明の情報記録媒体用支持体１Ａ上に、少なくと
も、記録層５が積層されてなる情報記録媒体であって、
前記支持体１Ａは、微細トラックパターンとしてランド
２とグルーブ３とが交互に形成されており、かつグルー
ブ３の幅方向の一端縁部３ａ（又は一端縁部３ｂ）近傍
には、グルーブ３の深さＤｇよりも深いＤｃクレビス４
が設けられていることを特徴とするものである。
【００２２】また、本発明の情報記録媒体は、本発明の
情報記録媒体用支持体上に、少なくとも、記録層５が積
層されてなる情報記録媒体であって、前記支持体１Ａ
は、微細トラックパターンとしてランド２とグルーブ３
とが交互に形成されており、かつグルーブ３内には、グ
ルーブの深さＤｇよりも深いＤｃクレビスが少なくとも
一つ設けられていることを特徴とするものである。
情報記録媒体用支持体上に、少なくとも、記録層５が積
層されてなる情報記録媒体であって、前記支持体１Ａ
は、微細トラックパターンとしてランド２とグルーブ３
とが交互に形成されており、かつグルーブ３内には、グ
ルーブの深さＤｇよりも深いＤｃクレビスが少なくとも
一つ設けられていることを特徴とするものである。
【００２３】さて、本発明の別の情報記録媒体用支持体
は、微細トラックパターンとしてランド２とグルーブ３
とが交互に形成されており、かつグルーブ３内にグルー
ブ３の深さＤｇよりも深いＤｃクレビス４が複数設けら
れていることを特徴とするものである。従来の支持体７
がグルーブ３と隣接するランド２の交互繰り返しから構
成されていた（図５図示）のに対して、例えば本発明の
情報記録媒体用支持体１Ｂは、図３に示すように、グル
ーブ３とランド２との境界のグルーブ３内側に、２つの
クレビス４，４を有した構成としたものである。２つの
クレビス４はそれぞれグルーブ３平面よりも支持体の内
側に窪んでいる形状を指し（グルーブ３の深さＤｇ＜ク
レビス４の深さＤｃ）、その断面形状は逆三角形、急峻
なＶ溝状になっている。同図中、Ｗｌはランド２の幅、
Ｗｃはクレビス４の幅、Ｗｇ＋２Ｗｃはグルーブ３の幅
を示す。
は、微細トラックパターンとしてランド２とグルーブ３
とが交互に形成されており、かつグルーブ３内にグルー
ブ３の深さＤｇよりも深いＤｃクレビス４が複数設けら
れていることを特徴とするものである。従来の支持体７
がグルーブ３と隣接するランド２の交互繰り返しから構
成されていた（図５図示）のに対して、例えば本発明の
情報記録媒体用支持体１Ｂは、図３に示すように、グル
ーブ３とランド２との境界のグルーブ３内側に、２つの
クレビス４，４を有した構成としたものである。２つの
クレビス４はそれぞれグルーブ３平面よりも支持体の内
側に窪んでいる形状を指し（グルーブ３の深さＤｇ＜ク
レビス４の深さＤｃ）、その断面形状は逆三角形、急峻
なＶ溝状になっている。同図中、Ｗｌはランド２の幅、
Ｗｃはクレビス４の幅、Ｗｇ＋２Ｗｃはグルーブ３の幅
を示す。
【００２４】換言するならば、本発明の情報記録媒体用
支持体（第２実施例）１Ｂは、本発明の情報記録媒体Ｃ
に用いられる支持体であって、微細トラックパターンと
してランド２とグルーブ３とが交互に形成されており、
かつグルーブ３の幅方向の両端縁部３ａ，３ｂ近傍に
は、グルーブ３の深さＤｇよりも深いＤｃクレビス４，
４がそれぞれ設けられていることを特徴とするものであ
る。
支持体（第２実施例）１Ｂは、本発明の情報記録媒体Ｃ
に用いられる支持体であって、微細トラックパターンと
してランド２とグルーブ３とが交互に形成されており、
かつグルーブ３の幅方向の両端縁部３ａ，３ｂ近傍に
は、グルーブ３の深さＤｇよりも深いＤｃクレビス４，
４がそれぞれ設けられていることを特徴とするものであ
る。
【００２５】さらにまた、本発明の情報記録媒体（第２
実施例）Ｃは、図４に示すように、前記した情報記録媒
体用支持体１Ｂ（図３図示）上に、記録層５と保護層６
を順に形成してなるものである。ここで記録層５はスパ
ッタリング法によってＤＷＤＤ型超解像膜を少なくとも
有して成膜されているが、回り込み性の良いスパッタリ
ングでありながら、２つのクレビス４はスパッタリング
の陰になるために、これらのクレビス４には記録層５は
付着しない。従って、記録層５は２つのクレビス４近傍
であたかも切断されたような形状となる。２つのクレビ
ス４はグルーブ３内に２つずつ形成されているために、
ランド２とグルーブ３のいずれもが記録可能になるか
ら、使用可能なトラック数はランド２の数にグルーブ３
の数を加えた数と一致する。保護層６はスピンコートな
どによって厚く形成されるためにほぼ平坦な連続した形
状として形成される。しかし必要なのは記録層５の切断
であるので、保護層６が連続であることは障害にならな
い。
実施例）Ｃは、図４に示すように、前記した情報記録媒
体用支持体１Ｂ（図３図示）上に、記録層５と保護層６
を順に形成してなるものである。ここで記録層５はスパ
ッタリング法によってＤＷＤＤ型超解像膜を少なくとも
有して成膜されているが、回り込み性の良いスパッタリ
ングでありながら、２つのクレビス４はスパッタリング
の陰になるために、これらのクレビス４には記録層５は
付着しない。従って、記録層５は２つのクレビス４近傍
であたかも切断されたような形状となる。２つのクレビ
ス４はグルーブ３内に２つずつ形成されているために、
ランド２とグルーブ３のいずれもが記録可能になるか
ら、使用可能なトラック数はランド２の数にグルーブ３
の数を加えた数と一致する。保護層６はスピンコートな
どによって厚く形成されるためにほぼ平坦な連続した形
状として形成される。しかし必要なのは記録層５の切断
であるので、保護層６が連続であることは障害にならな
い。
【００２６】こうして、本発明の情報記録媒体Ｃ（図４
図示）は、ＤＷＤＤ型情報記録媒体では従来不可能であ
ったランド・グルーブ記録が実現でき、先に述べた本発
明なる情報記録媒体Ｂ（図２図示）の２倍の記録容量が
達成できる。
図示）は、ＤＷＤＤ型情報記録媒体では従来不可能であ
ったランド・グルーブ記録が実現でき、先に述べた本発
明なる情報記録媒体Ｂ（図２図示）の２倍の記録容量が
達成できる。
【００２７】換言するならば、本発明の情報記録媒体Ｃ
は、本発明の情報記録媒体用支持体１Ｂ上に、少なくと
も、記録層５が積層されてなる情報記録媒体であって、
前記支持体１Ｂは、微細トラックパターンとしてランド
２とグルーブ３とが交互に形成されており、かつグルー
ブ３の幅方向の両端縁部３ａ，３ｂ近傍には、グルーブ
３の深さＤｇよりも深いＤｃクレビス４，４がそれぞれ
設けられているものである。
は、本発明の情報記録媒体用支持体１Ｂ上に、少なくと
も、記録層５が積層されてなる情報記録媒体であって、
前記支持体１Ｂは、微細トラックパターンとしてランド
２とグルーブ３とが交互に形成されており、かつグルー
ブ３の幅方向の両端縁部３ａ，３ｂ近傍には、グルーブ
３の深さＤｇよりも深いＤｃクレビス４，４がそれぞれ
設けられているものである。
【００２８】さらに、前述した本発明の情報記録媒体Ｂ
は、図２に示すように、支持体１Ａ上に積層された記録
層５が、微細トラックパターン毎に、記録層部分５ｃの
ように、切断されているものである。
は、図２に示すように、支持体１Ａ上に積層された記録
層５が、微細トラックパターン毎に、記録層部分５ｃの
ように、切断されているものである。
【００２９】さらに、前述した本発明の情報記録媒体Ｃ
は、図４に示すように、支持体１Ｂ上に積層された記録
層５が、微細トラックパターン毎に、記録層部分５ｄの
ように、切断されているものである。
は、図４に示すように、支持体１Ｂ上に積層された記録
層５が、微細トラックパターン毎に、記録層部分５ｄの
ように、切断されているものである。
【００３０】さらにまた、前述した本発明の情報記録媒
体Ｂ，Ｃを構成する記録層５は、ＤＷＤＤ型超解像（記
録）膜を少なくとも有している。このＤＷＤＤ型超解像
記録膜は、例えば前述した移動層、スイッチング層、メ
モリ層の３層の積層体に代表される磁壁移動検出型の超
解像光磁気膜である。また後述するが、記録層５はこの
ＤＷＤＤ型の超解像光磁気膜に限定されず、他の再生原
理による光磁気超解像膜でも適応でき、更に光磁気以外
の原理による記録再生膜（例えば相変化記録膜）であっ
てもよいものである。
体Ｂ，Ｃを構成する記録層５は、ＤＷＤＤ型超解像（記
録）膜を少なくとも有している。このＤＷＤＤ型超解像
記録膜は、例えば前述した移動層、スイッチング層、メ
モリ層の３層の積層体に代表される磁壁移動検出型の超
解像光磁気膜である。また後述するが、記録層５はこの
ＤＷＤＤ型の超解像光磁気膜に限定されず、他の再生原
理による光磁気超解像膜でも適応でき、更に光磁気以外
の原理による記録再生膜（例えば相変化記録膜）であっ
てもよいものである。
【００３１】次に、本発明の情報記録媒体の具体的な
（媒体実施例１）〜（媒体実施例５）について順次説明
する。即ち、（媒体実施例１）は支持体１Ａ上にＤＷＤ
Ｄ型超解像膜（図９）を用いて構成した情報記録媒体
Ｂ、（媒体実施例２），（媒体実施例３）はそれぞれ支
持体１Ｂ上にＤＷＤＤ型超解像膜（図１１），ＤＷＤＤ
型超解像膜（図２０）を用いて構成した情報記録媒体
Ｃ、（媒体実施例４）は支持体１Ｂ上に相変化膜（図２
４）を記録層５として用いて構成した情報記録媒体Ｃ、
そして（媒体実施例５）は支持体１Ｂ上にＣＡＤ（Ｃｅ
ｎｔｒａｌ Ａｐｅｒｔｕｒｅ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）
型超解像膜（図３０）を記録層５として用いて構成した
情報記録媒体Ｃである。
（媒体実施例１）〜（媒体実施例５）について順次説明
する。即ち、（媒体実施例１）は支持体１Ａ上にＤＷＤ
Ｄ型超解像膜（図９）を用いて構成した情報記録媒体
Ｂ、（媒体実施例２），（媒体実施例３）はそれぞれ支
持体１Ｂ上にＤＷＤＤ型超解像膜（図１１），ＤＷＤＤ
型超解像膜（図２０）を用いて構成した情報記録媒体
Ｃ、（媒体実施例４）は支持体１Ｂ上に相変化膜（図２
４）を記録層５として用いて構成した情報記録媒体Ｃ、
そして（媒体実施例５）は支持体１Ｂ上にＣＡＤ（Ｃｅ
ｎｔｒａｌ Ａｐｅｒｔｕｒｅ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）
型超解像膜（図３０）を記録層５として用いて構成した
情報記録媒体Ｃである。
【００３２】また、本発明の情報記録媒体用支持体の製
造方法の具体的な（製造方法実施例１）〜（製造方法実
施例７）について順次説明する。即ち、（製造方法実施
例１），（製造方法実施例２）はそれぞれ支持体１をド
ライエッチング法により支持体１Ａ，１Ｂを作成する製
造方法（図１５，図１６）、（製造方法実施例３）〜
（製造方法実施例７）はそれぞれ支持体１Ｂを成形によ
り作成する製造方法（図１９，図２７，図３１，図３
３）であり、このうち、（製造方法実施例３）〜（製造
方法実施例６）は支持体１Ｂをエッチング法により作成
したガラスマスター１１Ｂ，３１Ｂ，４１Ｂ（図１９，
図２７，図３１）によって作成した製造方法実施例であ
る。そして（製造方法実施例７）は支持体１Ｂをネガ・
ポジ両用のフォトレジストにより作成したガラスマスタ
ー５１Ｂ（図３３）によって作成した製造方法実施例で
ある。
造方法の具体的な（製造方法実施例１）〜（製造方法実
施例７）について順次説明する。即ち、（製造方法実施
例１），（製造方法実施例２）はそれぞれ支持体１をド
ライエッチング法により支持体１Ａ，１Ｂを作成する製
造方法（図１５，図１６）、（製造方法実施例３）〜
（製造方法実施例７）はそれぞれ支持体１Ｂを成形によ
り作成する製造方法（図１９，図２７，図３１，図３
３）であり、このうち、（製造方法実施例３）〜（製造
方法実施例６）は支持体１Ｂをエッチング法により作成
したガラスマスター１１Ｂ，３１Ｂ，４１Ｂ（図１９，
図２７，図３１）によって作成した製造方法実施例であ
る。そして（製造方法実施例７）は支持体１Ｂをネガ・
ポジ両用のフォトレジストにより作成したガラスマスタ
ー５１Ｂ（図３３）によって作成した製造方法実施例で
ある。
【００３３】以下、本発明の情報記録媒体の具体的な実
施例を、[媒体実施例 １]、[媒体実施例 ２]と項分け
して説明する。
施例を、[媒体実施例 １]、[媒体実施例 ２]と項分け
して説明する。
【００３４】[媒体実施例 １] 「ランドとグルーブが直線平行に形成してなるカード情
報記録媒体の例」石英ガラスからなる８５ｍｍ×５４ｍ
ｍ×０．７ｍｍ厚の支持体１Ａを用意した。この断面模
式図は図１の如くなっており、ランド２とグルーブ３、
クレビス４が直線平行に形成されている。それぞれの幅
や寸法は、図１記載の符号に対応して、図８に示すよう
に構成されている。即ち、ランド２の幅Ｗｌは０．５５
ミクロン、グルーブ３の幅（Ｗｇ＋Ｗｃ）の内の幅Ｗｇ
は０．５１ミクロン、グルーブ３の深さＤｇは０．２ミ
クロン、クレビス４の幅Ｗｃは０．０４ミクロン、クレ
ビス４の深さＤｃは０．３５ミクロンとなっている。
報記録媒体の例」石英ガラスからなる８５ｍｍ×５４ｍ
ｍ×０．７ｍｍ厚の支持体１Ａを用意した。この断面模
式図は図１の如くなっており、ランド２とグルーブ３、
クレビス４が直線平行に形成されている。それぞれの幅
や寸法は、図１記載の符号に対応して、図８に示すよう
に構成されている。即ち、ランド２の幅Ｗｌは０．５５
ミクロン、グルーブ３の幅（Ｗｇ＋Ｗｃ）の内の幅Ｗｇ
は０．５１ミクロン、グルーブ３の深さＤｇは０．２ミ
クロン、クレビス４の幅Ｗｃは０．０４ミクロン、クレ
ビス４の深さＤｃは０．３５ミクロンとなっている。
【００３５】次にこの支持体１Ａ上に記録層５と保護層
６を形成した。記録層５は公知のスパッタリング法によ
って構成し、図９に示した記録材料で構成した。即ち、
ＤＷＤＤ（磁壁移動検出）型超解像膜である、光磁気膜
の３層（前記した移動層であるＧｄＣｏ（厚さ３０ｎ
ｍ）／前記したスイッチング層であるＤｙＦｅ（厚さ１
０ｎｍ）／前記したメモリ層であるＴｂＦｅＣｏ（厚さ
４０ｎｍ））を、誘電体層（第１誘電体層であるＳｉＯ
（厚さ１００ｎｍ），第２誘電体層であるＴａＯ（厚さ
６０ｎｍ））でサンドイッチした構造とした。次に保護
層６を公知のスクリーン印刷法によって、熱硬化樹脂を
１５ミクロン厚で形成し、８０℃のベーキングによって
硬化させた。このカードをトラックに垂直な方向に破断
し、断面形状を走査型電子顕微鏡で観察したところ、図
２のような断面形状であることが確認できた。
６を形成した。記録層５は公知のスパッタリング法によ
って構成し、図９に示した記録材料で構成した。即ち、
ＤＷＤＤ（磁壁移動検出）型超解像膜である、光磁気膜
の３層（前記した移動層であるＧｄＣｏ（厚さ３０ｎ
ｍ）／前記したスイッチング層であるＤｙＦｅ（厚さ１
０ｎｍ）／前記したメモリ層であるＴｂＦｅＣｏ（厚さ
４０ｎｍ））を、誘電体層（第１誘電体層であるＳｉＯ
（厚さ１００ｎｍ），第２誘電体層であるＴａＯ（厚さ
６０ｎｍ））でサンドイッチした構造とした。次に保護
層６を公知のスクリーン印刷法によって、熱硬化樹脂を
１５ミクロン厚で形成し、８０℃のベーキングによって
硬化させた。このカードをトラックに垂直な方向に破断
し、断面形状を走査型電子顕微鏡で観察したところ、図
２のような断面形状であることが確認できた。
【００３６】このカード情報記録媒体をランド２に焦点
を結びながら記録再生したところ、図１２のようなマー
ク長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性が得られた。ここで使用
した記録装置は、波長７８０ｎｍ、レンズ開口数０．５
５であり、単一周波数記録と再生を行った。ただし、Ｄ
ＷＤＤで通常使用するレーザーアニールはここでは一切
使用しなかった。記録パワーは３．５ｍＷ、再生パワー
は１．９ｍＷであった。このとき最短マーク長０．０８
ミクロンの記録再生が達成されており、超解像現象が発
現できていることが確認できた。またマーク長０．１ミ
クロンにおけるＣ／Ｎは３４ｄＢと充分再生できるレベ
ルであった。なお波長とレンズ開口数から理論的に計算
される再生限界は、マーク長０．３５ミクロンである。
を結びながら記録再生したところ、図１２のようなマー
ク長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性が得られた。ここで使用
した記録装置は、波長７８０ｎｍ、レンズ開口数０．５
５であり、単一周波数記録と再生を行った。ただし、Ｄ
ＷＤＤで通常使用するレーザーアニールはここでは一切
使用しなかった。記録パワーは３．５ｍＷ、再生パワー
は１．９ｍＷであった。このとき最短マーク長０．０８
ミクロンの記録再生が達成されており、超解像現象が発
現できていることが確認できた。またマーク長０．１ミ
クロンにおけるＣ／Ｎは３４ｄＢと充分再生できるレベ
ルであった。なお波長とレンズ開口数から理論的に計算
される再生限界は、マーク長０．３５ミクロンである。
【００３７】[媒体実施例 ２] 「ランドとグルーブがスパイラル状に、かつ互いに平行
に形成してなる情報記録ディスクの例」青板ガラスから
なる直径１２０ｍｍ×０．６ｍｍ厚の支持体１Ｂを用意
した。この断面模式図は図３の如くなっており、ランド
２とグルーブ３、２つのクレビス４が平行に且つスパイ
ラル状に形成されている。また２つのクレビス４はグル
ーブ２の両サイドに形成されている。それぞれの幅や寸
法は、図３記載の符号に対応して、図１０に示すように
構成されている。即ち、ランド２の幅Ｗｌは０．５１ミ
クロン、グルーブ３の幅（Ｗｇ＋Ｗｃ）の内の幅Ｗｇは
０．５１ミクロン、グルーブ３の深さＤｇは０．２ミク
ロン、クレビス４の幅Ｗｃは０．０４ミクロン、クレビ
ス４の深さＤｃは０．３５ミクロン。
に形成してなる情報記録ディスクの例」青板ガラスから
なる直径１２０ｍｍ×０．６ｍｍ厚の支持体１Ｂを用意
した。この断面模式図は図３の如くなっており、ランド
２とグルーブ３、２つのクレビス４が平行に且つスパイ
ラル状に形成されている。また２つのクレビス４はグル
ーブ２の両サイドに形成されている。それぞれの幅や寸
法は、図３記載の符号に対応して、図１０に示すように
構成されている。即ち、ランド２の幅Ｗｌは０．５１ミ
クロン、グルーブ３の幅（Ｗｇ＋Ｗｃ）の内の幅Ｗｇは
０．５１ミクロン、グルーブ３の深さＤｇは０．２ミク
ロン、クレビス４の幅Ｗｃは０．０４ミクロン、クレビ
ス４の深さＤｃは０．３５ミクロン。
【００３８】次に、この支持体１Ｂに記録層５と保護層
６を形成した。記録層５は公知のスパッタリング法によ
って構成し、図１１に示した記録材料で構成した。即
ち、ＤＷＤＤ（磁壁移動検出）型超解像膜である、光磁
気膜の３層（前記した移動層であるＧｄＦｅＣｒ（厚さ
３０ｎｍ）／前記したスイッチング層であるＴｂＦｅＣ
ｒ（厚さ１０ｎｍ）／前記したメモリ層であるＴｂＦｅ
ＣｏＣｒ（厚さ８０ｎｍ））を、誘電体層（第１誘電体
層であるＳｉＮ（厚さ９０ｎｍ），第２誘電体層である
ＳｉＮ（厚さ５０ｎｍ））でサンドイッチした構造とし
た。
６を形成した。記録層５は公知のスパッタリング法によ
って構成し、図１１に示した記録材料で構成した。即
ち、ＤＷＤＤ（磁壁移動検出）型超解像膜である、光磁
気膜の３層（前記した移動層であるＧｄＦｅＣｒ（厚さ
３０ｎｍ）／前記したスイッチング層であるＴｂＦｅＣ
ｒ（厚さ１０ｎｍ）／前記したメモリ層であるＴｂＦｅ
ＣｏＣｒ（厚さ８０ｎｍ））を、誘電体層（第１誘電体
層であるＳｉＮ（厚さ９０ｎｍ），第２誘電体層である
ＳｉＮ（厚さ５０ｎｍ））でサンドイッチした構造とし
た。
【００３９】次に保護層６を公知の回転成膜法によっ
て、紫外線硬化樹脂を６ミクロン厚で形成し、紫外線Ｂ
波照射によって硬化させた。この情報記録ディスクをト
ラックに垂直な方向に破断し、断面形状を走査型電子顕
微鏡で観察したところ、図４のような断面形状であるこ
とが確認できた。
て、紫外線硬化樹脂を６ミクロン厚で形成し、紫外線Ｂ
波照射によって硬化させた。この情報記録ディスクをト
ラックに垂直な方向に破断し、断面形状を走査型電子顕
微鏡で観察したところ、図４のような断面形状であるこ
とが確認できた。
【００４０】この情報記録ディスクをランド２に焦点を
結びながら記録再生したところ、図１３のようなマーク
長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性が得られた。ここで使用し
た記録装置は、波長６９０ｎｍ、レンズ開口数０．６で
あり、単一周波数記録と再生を行った。記録パワーは
３．７ｍＷ、再生パワーは２．２ｍＷであった。このと
きマーク長０．０６ミクロンの記録再生が達成されてお
り、この場合も超解像現象が発現できていることが確認
できた。またマーク長０．１ミクロンにおけるＣ／Ｎは
３６ｄＢと充分再生できるレベルであった。なお波長と
レンズ開口数から理論的に計算される再生限界は、マー
ク長０．２６ミクロンである。
結びながら記録再生したところ、図１３のようなマーク
長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性が得られた。ここで使用し
た記録装置は、波長６９０ｎｍ、レンズ開口数０．６で
あり、単一周波数記録と再生を行った。記録パワーは
３．７ｍＷ、再生パワーは２．２ｍＷであった。このと
きマーク長０．０６ミクロンの記録再生が達成されてお
り、この場合も超解像現象が発現できていることが確認
できた。またマーク長０．１ミクロンにおけるＣ／Ｎは
３６ｄＢと充分再生できるレベルであった。なお波長と
レンズ開口数から理論的に計算される再生限界は、マー
ク長０．２６ミクロンである。
【００４１】次にこの情報記録ディスクをグルーブ３に
焦点を結びながら同様に記録再生したところ、図１４の
ようなマーク長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性が得られた。
このとき最短マーク長０．０８ミクロンの記録再生が達
成されており、この場合も超解像現象が発現できている
ことが確認できた。またマーク長０．１ミクロンにおけ
るＣ／Ｎは３５ｄＢと充分再生できるレベルであった。
また図１３，図１４より、ランド・グルーブ記録が達成
できていることが確認できた。
焦点を結びながら同様に記録再生したところ、図１４の
ようなマーク長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性が得られた。
このとき最短マーク長０．０８ミクロンの記録再生が達
成されており、この場合も超解像現象が発現できている
ことが確認できた。またマーク長０．１ミクロンにおけ
るＣ／Ｎは３５ｄＢと充分再生できるレベルであった。
また図１３，図１４より、ランド・グルーブ記録が達成
できていることが確認できた。
【００４２】以上[媒体実施例 １]、[媒体実施例 ２]
で見てきたように、前記したクレビス４を有する支持体
１Ａ，１Ｂを用いることにより、従来のスパッタリング
装置を使用しながら、前記した記録層５のトラック毎の
切断が自動的に行えるのである。ここで重要なことは、
記録層５を直接エッチングなどで切断するのではなく、
スパッタリング成膜完了時点で、同時に記録層がトラッ
ク毎に分離できている点である。
で見てきたように、前記したクレビス４を有する支持体
１Ａ，１Ｂを用いることにより、従来のスパッタリング
装置を使用しながら、前記した記録層５のトラック毎の
切断が自動的に行えるのである。ここで重要なことは、
記録層５を直接エッチングなどで切断するのではなく、
スパッタリング成膜完了時点で、同時に記録層がトラッ
ク毎に分離できている点である。
【００４３】言い換えればトラック毎の記録層５の自己
切断が実現できている。また切断位置はクレビス４の近
傍に限定されており、高い位置精度で記録層５が切断で
きている。このように特別な位置合わせを行わずとも記
録層５が切れている。言い換えれば自己整合（セルフア
ライメント）的に切断が実現できている。これによって
高密度記録再生が可能となっており、特にＤＷＤＤに代
表される超解像記録層においてはレーザーアニールが不
要となる、ランドグルーブ記録が実現できるなど、多大
な効果がある。
切断が実現できている。また切断位置はクレビス４の近
傍に限定されており、高い位置精度で記録層５が切断で
きている。このように特別な位置合わせを行わずとも記
録層５が切れている。言い換えれば自己整合（セルフア
ライメント）的に切断が実現できている。これによって
高密度記録再生が可能となっており、特にＤＷＤＤに代
表される超解像記録層においてはレーザーアニールが不
要となる、ランドグルーブ記録が実現できるなど、多大
な効果がある。
【００４４】以上、[媒体実施例 １] 、[媒体実施例
２]の説明を行ってきたが、これら具体的な実施例に記
載した内容に限定されるものではない。各構成材料や寸
法は、必要に応じ随時変更することができる。
２]の説明を行ってきたが、これら具体的な実施例に記
載した内容に限定されるものではない。各構成材料や寸
法は、必要に応じ随時変更することができる。
【００４５】即ち、前記した支持体１Ａ，１Ｂは、クレ
ビス４を有する微細パターンが少なくとも刻まれている
ものであればよく、石英ガラス、青板ガラス以外のセラ
ミックでもよく、例えばソーダアルミノ珪酸ガラス、ホ
ウ珪酸ガラス、バリウムホウ珪酸ガラスなどの各種ガラ
スも用いられる。またポリカーボネートやポリメチルメ
タクリレート、ポリスチレン、ポリカーボネート・ポリ
スチレン共重合体、ポリビニルクロライド、脂環式ポリ
オレフィン、ポリメチルペンテンなどの各種熱可塑性合
成樹脂や、熱硬化性合成樹脂や、放射線硬化樹脂（紫外
線、電子線の例を含む）や、金属板であってもよい。ま
た支持体１Ａ，１Ｂ上に、ランド２、グルーブ３、クレ
ビス４以外、ピットやホログラム、認証マークなどが刻
まれてあってもよい。
ビス４を有する微細パターンが少なくとも刻まれている
ものであればよく、石英ガラス、青板ガラス以外のセラ
ミックでもよく、例えばソーダアルミノ珪酸ガラス、ホ
ウ珪酸ガラス、バリウムホウ珪酸ガラスなどの各種ガラ
スも用いられる。またポリカーボネートやポリメチルメ
タクリレート、ポリスチレン、ポリカーボネート・ポリ
スチレン共重合体、ポリビニルクロライド、脂環式ポリ
オレフィン、ポリメチルペンテンなどの各種熱可塑性合
成樹脂や、熱硬化性合成樹脂や、放射線硬化樹脂（紫外
線、電子線の例を含む）や、金属板であってもよい。ま
た支持体１Ａ，１Ｂ上に、ランド２、グルーブ３、クレ
ビス４以外、ピットやホログラム、認証マークなどが刻
まれてあってもよい。
【００４６】また、前記した記録層５はテルビウム、コ
バルト、鉄、ガドリニウム、クロム以外に、ネオジム、
ジスプロシウム、ビスマス、パラジウム、サマリウム、
ホルミウム、エルビウム、イッテルビウム、ルテチウ
ム、プロセオジム、マンガン、チタン、アルミニウム、
シリコン、インジウム、アンチモン、テルル、セレン、
ヒ素、白金、金、銀、銅、錫、硫黄などの無機物やその
合金（合金とは酸化物、窒化物、炭化物の例を含む）な
どを用いてもよい。記録再生原理に応じて、材料を適宜
選択して使用することができる。
バルト、鉄、ガドリニウム、クロム以外に、ネオジム、
ジスプロシウム、ビスマス、パラジウム、サマリウム、
ホルミウム、エルビウム、イッテルビウム、ルテチウ
ム、プロセオジム、マンガン、チタン、アルミニウム、
シリコン、インジウム、アンチモン、テルル、セレン、
ヒ素、白金、金、銀、銅、錫、硫黄などの無機物やその
合金（合金とは酸化物、窒化物、炭化物の例を含む）な
どを用いてもよい。記録再生原理に応じて、材料を適宜
選択して使用することができる。
【００４７】また補助的に用いる誘電体膜もシリコン、
タンタル以外に亜鉛、マグネシウム、カルシウム、アル
ミニウム、クロム、ジルコニウム、フッ素、硫黄やその
合金（酸化物、窒化物、炭化物を含む）などを用いても
よい。また更に補助的に反射膜を積層してもよく、アル
ミニウムや、金、銀、銅、鉄、亜鉛、クロム、タンタ
ル、チタン、モリブデン、シリコン、ニッケル、パラジ
ウムなどや、これらの合金を積層してもよい。
タンタル以外に亜鉛、マグネシウム、カルシウム、アル
ミニウム、クロム、ジルコニウム、フッ素、硫黄やその
合金（酸化物、窒化物、炭化物を含む）などを用いても
よい。また更に補助的に反射膜を積層してもよく、アル
ミニウムや、金、銀、銅、鉄、亜鉛、クロム、タンタ
ル、チタン、モリブデン、シリコン、ニッケル、パラジ
ウムなどや、これらの合金を積層してもよい。
【００４８】また上記[媒体実施例 １]、 [媒体実施例
２]では、記録層５の成膜方法を、公知のスパッタリ
ング法を使用した。本発明は回り込み性の良いスパッタ
リングを用いても、グルーブ内で記録層５が切断される
のが特徴であるから、他の真空成膜方法にも置き換えが
できるものである。例えば同じく回り込み性が良いこと
で知られるＣＶＤ法（化学的気相成長法）も使用でき
る。また成膜粒子の直進性が優れた成膜方法、例えば真
空蒸着、コリメートスパッタリング、ロングスロースパ
ッタリングであっても良い。
２]では、記録層５の成膜方法を、公知のスパッタリ
ング法を使用した。本発明は回り込み性の良いスパッタ
リングを用いても、グルーブ内で記録層５が切断される
のが特徴であるから、他の真空成膜方法にも置き換えが
できるものである。例えば同じく回り込み性が良いこと
で知られるＣＶＤ法（化学的気相成長法）も使用でき
る。また成膜粒子の直進性が優れた成膜方法、例えば真
空蒸着、コリメートスパッタリング、ロングスロースパ
ッタリングであっても良い。
【００４９】また、前記した保護層６は熱硬化樹脂、紫
外線硬化樹脂以外に、可視光を含む各種放射線硬化樹脂
や電子線硬化樹脂、湿気硬化樹脂、複数液混合硬化樹脂
などを用いてもよい。また必要に応じ保護層６上に印刷
を施してもよい。
外線硬化樹脂以外に、可視光を含む各種放射線硬化樹脂
や電子線硬化樹脂、湿気硬化樹脂、複数液混合硬化樹脂
などを用いてもよい。また必要に応じ保護層６上に印刷
を施してもよい。
【００５０】一方、記録又は再生に使用するレーザーの
波長は７８０や６９０ｎｍに限定されない。例えばレー
ザーの波長は１３００、９８０、８３０、６５０、６３
５、５３２、４３０、４１０、３７０ｎｍ付近などでも
可能である。またレンズ開口数は０．５５，０．６以外
に、０．４、０．４５、０．６５、０．７、０．７５、
０．８、０．８５、０．９などでも可能である。またソ
リッドイマージョンレンズに代表される１以上の開口数
でも可能である。また記録レーザーの波長やレンズ開口
数に応じて、支持体１Ａ，１Ｂの厚みや、記録層５，保
護層６の厚み、その内部構成、支持体１Ａ，１Ｂの外
寸、微細寸法などを変更することも可能である。また記
録層５，保護層６の厚みを、記録再生が支持体１Ａ，１
Ｂ側から行うように設計することも可能であるし、保護
層６側から行うように設計することも可能である。
波長は７８０や６９０ｎｍに限定されない。例えばレー
ザーの波長は１３００、９８０、８３０、６５０、６３
５、５３２、４３０、４１０、３７０ｎｍ付近などでも
可能である。またレンズ開口数は０．５５，０．６以外
に、０．４、０．４５、０．６５、０．７、０．７５、
０．８、０．８５、０．９などでも可能である。またソ
リッドイマージョンレンズに代表される１以上の開口数
でも可能である。また記録レーザーの波長やレンズ開口
数に応じて、支持体１Ａ，１Ｂの厚みや、記録層５，保
護層６の厚み、その内部構成、支持体１Ａ，１Ｂの外
寸、微細寸法などを変更することも可能である。また記
録層５，保護層６の厚みを、記録再生が支持体１Ａ，１
Ｂ側から行うように設計することも可能であるし、保護
層６側から行うように設計することも可能である。
【００５１】以上、[媒体実施例 １] 、[媒体実施例
２]によって、本発明の情報記録媒体及び情報記録媒体
用支持体の具体的な実施例の説明を行ってきた。しかし
本発明はこれに限定されるものではなく、その趣旨に乗
っ取った各種応用が可能である。例えば主たる説明とし
て、カードやディスクの例を多用したが、これに限らず
光フロッピーや光テープなどにも応用が可能である。
２]によって、本発明の情報記録媒体及び情報記録媒体
用支持体の具体的な実施例の説明を行ってきた。しかし
本発明はこれに限定されるものではなく、その趣旨に乗
っ取った各種応用が可能である。例えば主たる説明とし
て、カードやディスクの例を多用したが、これに限らず
光フロッピーや光テープなどにも応用が可能である。
【００５２】また、[媒体実施例 １]、[媒体実施例
２]で記載した記録層５は、磁壁移動検出型超解像膜で
あるが、本発明はこれに限定されず、他の再生原理によ
る超解像膜、例えばＣＡＤ型超解像膜やＦＡＤ（Ｆｒｏ
ｎｔ Ａｐｅｒｔｕｒｅ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）型超解
像膜、ＲＡＤ（Ｒｅａｒ Ａｐｅｒｔｕｒｅ Ｄｅｔｅ
ｃｔｉｏｎ）型超解像膜、ダブルマスク型超解像膜であ
ってもよい。また光磁気以外の記録再生原理による記録
再生膜であってもよい。
２]で記載した記録層５は、磁壁移動検出型超解像膜で
あるが、本発明はこれに限定されず、他の再生原理によ
る超解像膜、例えばＣＡＤ型超解像膜やＦＡＤ（Ｆｒｏ
ｎｔ Ａｐｅｒｔｕｒｅ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）型超解
像膜、ＲＡＤ（Ｒｅａｒ Ａｐｅｒｔｕｒｅ Ｄｅｔｅ
ｃｔｉｏｎ）型超解像膜、ダブルマスク型超解像膜であ
ってもよい。また光磁気以外の記録再生原理による記録
再生膜であってもよい。
【００５３】さて次に、本発明の情報記録媒体用支持体
の製造方法について説明する。
の製造方法について説明する。
【００５４】本発明の情報記録媒体用支持体の製造方法
は、前記した請求項８乃至請求項１０のいずれかに記載
の情報記録媒体用支持体上に、少なくとも、記録層が積
層されてなる情報記録媒体を製造する情報記録媒体の製
造方法である。そして、本発明の情報記録媒体の特徴で
あるその工程は、前記情報記録媒体用支持体上に、前記
記録層の真空成膜処理を行い、前記情報記録媒体用支持
体のグルーブ及びランドには記録層を被着させると同時
に、前記情報記録媒体用支持体のクレビスには記録層を
被着させないことを特徴としている。
は、前記した請求項８乃至請求項１０のいずれかに記載
の情報記録媒体用支持体上に、少なくとも、記録層が積
層されてなる情報記録媒体を製造する情報記録媒体の製
造方法である。そして、本発明の情報記録媒体の特徴で
あるその工程は、前記情報記録媒体用支持体上に、前記
記録層の真空成膜処理を行い、前記情報記録媒体用支持
体のグルーブ及びランドには記録層を被着させると同時
に、前記情報記録媒体用支持体のクレビスには記録層を
被着させないことを特徴としている。
【００５５】また、本発明の情報記録媒体用支持体の特
徴であるその工程は、高精度に研磨洗浄した支持体上
に、耐ドライエッチング性を有するパターニングマスク
を均一に成膜する工程と、次に、前記微細トラックパタ
ーンに対応したパターンを支持体上に形成するためのパ
ターニングを行う工程と、次に、３５〜５００ｍｔｏｒ
ｒのガス圧力でドライエッチングを行い、前記グルーブ
及びクレビスを同時に彫り込む工程と、前記パターニン
グマスクを除去する工程とを備えたことを特徴としてい
る。
徴であるその工程は、高精度に研磨洗浄した支持体上
に、耐ドライエッチング性を有するパターニングマスク
を均一に成膜する工程と、次に、前記微細トラックパタ
ーンに対応したパターンを支持体上に形成するためのパ
ターニングを行う工程と、次に、３５〜５００ｍｔｏｒ
ｒのガス圧力でドライエッチングを行い、前記グルーブ
及びクレビスを同時に彫り込む工程と、前記パターニン
グマスクを除去する工程とを備えたことを特徴としてい
る。
【００５６】さらに、本発明の情報記録媒体用支持体の
特徴である別の工程としては、ガラスマスターを製造す
る工程と、ガラスマスターからスタンパーを製造する工
程と、スタンパーから支持体を製造する工程とからな
る。ガラスマスターを製造する工程は、高精度に研磨洗
浄した母型上に、耐ドライエッチング性を有するパター
ニングマスクを均一に成膜する工程と、次に、前記微細
トラックパターンに対応したパターンを支持体上に形成
するためのパターニングを行う工程と、次に、３５〜５
００ｍｔｏｒｒのガス圧力でドライエッチングを行い、
前記グルーブ及びクレビスを同時に彫り込む工程と、前
記パターニングマスクを除去する工程とを備えたことを
特徴としている。さらに、本発明の情報記録媒体用支持
体の特徴である別の工程としては、ガラスマスターを製
造する工程と、ガラスマスターからスタンパーを製造す
る工程と、スタンパーから支持体を製造する工程とから
なる。ガラスマスターを製造する工程は、高精度に研磨
洗浄した母型上に、ドライエッチング可能なエッチング
層を形成する工程と、エッチング層上に耐ドライエッチ
ング性を有するパターニングマスクを均一に成膜する工
程と、次に、前記微細トラックパターンに対応したパタ
ーンを支持体上に形成するためのパターニングを行う工
程と、次に、３５〜５００ｍｔｏｒｒのガス圧力でドラ
イエッチングを行い、エッチング層に前記グルーブ及び
クレビスを同時に彫り込む工程と、前記パターニングマ
スクを除去する工程とを備えたことを特徴としている。
さらに、本発明の情報記録媒体用支持体の特徴である別
の工程としては、ガラスマスターを製造する工程と、ガ
ラスマスターからスタンパーを製造する工程と、スタン
パーから支持体を製造する工程とからなる。ガラスマス
ターを製造する工程は、高精度に研磨洗浄した母型上
に、ドライエッチング可能なエッチング層を形成する工
程と、エッチング層上に耐ドライエッチング性を有する
パターニングマスクを均一に成膜する工程と、次に、前
記微細トラックパターンに対応したパターンを支持体上
に形成するためのパターニングを行う工程と、次に、３
５〜５００ｍｔｏｒｒのガス圧力でドライエッチングを
行い、エッチング層に前記グルーブ、母型に前記クレビ
スを同時に彫り込む工程と、前記パターニングマスクを
除去する工程とを備えたことを特徴としている。
特徴である別の工程としては、ガラスマスターを製造す
る工程と、ガラスマスターからスタンパーを製造する工
程と、スタンパーから支持体を製造する工程とからな
る。ガラスマスターを製造する工程は、高精度に研磨洗
浄した母型上に、耐ドライエッチング性を有するパター
ニングマスクを均一に成膜する工程と、次に、前記微細
トラックパターンに対応したパターンを支持体上に形成
するためのパターニングを行う工程と、次に、３５〜５
００ｍｔｏｒｒのガス圧力でドライエッチングを行い、
前記グルーブ及びクレビスを同時に彫り込む工程と、前
記パターニングマスクを除去する工程とを備えたことを
特徴としている。さらに、本発明の情報記録媒体用支持
体の特徴である別の工程としては、ガラスマスターを製
造する工程と、ガラスマスターからスタンパーを製造す
る工程と、スタンパーから支持体を製造する工程とから
なる。ガラスマスターを製造する工程は、高精度に研磨
洗浄した母型上に、ドライエッチング可能なエッチング
層を形成する工程と、エッチング層上に耐ドライエッチ
ング性を有するパターニングマスクを均一に成膜する工
程と、次に、前記微細トラックパターンに対応したパタ
ーンを支持体上に形成するためのパターニングを行う工
程と、次に、３５〜５００ｍｔｏｒｒのガス圧力でドラ
イエッチングを行い、エッチング層に前記グルーブ及び
クレビスを同時に彫り込む工程と、前記パターニングマ
スクを除去する工程とを備えたことを特徴としている。
さらに、本発明の情報記録媒体用支持体の特徴である別
の工程としては、ガラスマスターを製造する工程と、ガ
ラスマスターからスタンパーを製造する工程と、スタン
パーから支持体を製造する工程とからなる。ガラスマス
ターを製造する工程は、高精度に研磨洗浄した母型上
に、ドライエッチング可能なエッチング層を形成する工
程と、エッチング層上に耐ドライエッチング性を有する
パターニングマスクを均一に成膜する工程と、次に、前
記微細トラックパターンに対応したパターンを支持体上
に形成するためのパターニングを行う工程と、次に、３
５〜５００ｍｔｏｒｒのガス圧力でドライエッチングを
行い、エッチング層に前記グルーブ、母型に前記クレビ
スを同時に彫り込む工程と、前記パターニングマスクを
除去する工程とを備えたことを特徴としている。
【００５７】さらにまた、本発明の情報記録媒体用支持
体の特徴である別の工程としては、高精度に研磨洗浄し
た支持体上に、ネガ・ポジ兼用のフォトレジストを均一
に成膜する工程と、次に、前記微細トラックパターンを
支持体上に形成するために、所定の露光量でパターニン
グを行う工程とを備えたことを特徴としている。
体の特徴である別の工程としては、高精度に研磨洗浄し
た支持体上に、ネガ・ポジ兼用のフォトレジストを均一
に成膜する工程と、次に、前記微細トラックパターンを
支持体上に形成するために、所定の露光量でパターニン
グを行う工程とを備えたことを特徴としている。
【００５８】さて次に、本発明の情報記録媒体用支持体
の製造方法について、前記した（製造方法実施例１）〜
（製造方法実施例７）に沿って、順次具体的に説明す
る。
の製造方法について、前記した（製造方法実施例１）〜
（製造方法実施例７）に沿って、順次具体的に説明す
る。
【００５９】ここで、本発明の情報記録媒体用支持体の
製造方法により製造される支持体１Ａ，１Ｂのクレビス
４は微細パターンであるランド２、グルーブ３に比べて
更に小さいサイズであり、しかも正確な位置合わせが要
求される。これを常法であるフォト・エッチング法によ
って形成するのはグルーブ形成、クレビス形成の２ステ
ップの工程が必要であり、また位置合わせも極めて高い
精度が必要になり、大変困難である。従ってグルーブ３
を形成する際、同時発生的にクレビス４を形成すること
が望まれる。そこで、本発明者はドライエッチング方法
を用いた情報記録媒体用支持体の製造方法を発明してこ
れを実現した。
製造方法により製造される支持体１Ａ，１Ｂのクレビス
４は微細パターンであるランド２、グルーブ３に比べて
更に小さいサイズであり、しかも正確な位置合わせが要
求される。これを常法であるフォト・エッチング法によ
って形成するのはグルーブ形成、クレビス形成の２ステ
ップの工程が必要であり、また位置合わせも極めて高い
精度が必要になり、大変困難である。従ってグルーブ３
を形成する際、同時発生的にクレビス４を形成すること
が望まれる。そこで、本発明者はドライエッチング方法
を用いた情報記録媒体用支持体の製造方法を発明してこ
れを実現した。
【００６０】本発明になる情報記録媒体用支持体の製造
方法は、次の（a）〜(e)の手順を経て行われる（説明の
都合上図１５、図１６を用いる）。即ち、
方法は、次の（a）〜(e)の手順を経て行われる（説明の
都合上図１５、図１６を用いる）。即ち、
【００６１】（ａ） 表面を高精度に研磨、洗浄した支
持体１を用意する。 （ｂ） この支持体１上に、ドライエッチング時に耐性
を有するマスク材料を均一に成膜してパターニングマス
ク８を形成する。 （ｃ） 続いて、これに常法であるフォトリソグラフィ
ー法により必要な微細トラックパターンに略対応したパ
ターンを形成する。ここで平坦部９は加工後のランド２
に略対応し、開口部１０は後のグルーブ３及びクレビス
４に略対応する
持体１を用意する。 （ｂ） この支持体１上に、ドライエッチング時に耐性
を有するマスク材料を均一に成膜してパターニングマス
ク８を形成する。 （ｃ） 続いて、これに常法であるフォトリソグラフィ
ー法により必要な微細トラックパターンに略対応したパ
ターンを形成する。ここで平坦部９は加工後のランド２
に略対応し、開口部１０は後のグルーブ３及びクレビス
４に略対応する
【００６２】（ｄ） 次に、このパターニングマスク８
を表面に有する支持体１に、後述する特殊なドライエッ
チング装置ＡＡ又はＢＢ（図１７，図１８）を用い、支
持体１上の開口部１０内にドライエッチングを行って、
グルーブ３及びクレビス４を同時に支持体１に彫り込
む。 （e） この後、残存したパターニングマスク８を除去
して、図１,図３に示した支持体１Ａ，１Ｂが完成す
る。
を表面に有する支持体１に、後述する特殊なドライエッ
チング装置ＡＡ又はＢＢ（図１７，図１８）を用い、支
持体１上の開口部１０内にドライエッチングを行って、
グルーブ３及びクレビス４を同時に支持体１に彫り込
む。 （e） この後、残存したパターニングマスク８を除去
して、図１,図３に示した支持体１Ａ，１Ｂが完成す
る。
【００６３】ここで重要なのはグルーブ３とクレビス４
とを同時に形成する特殊なドライエッチング方法であっ
て、これらについて説明するために、まず、本発明の情
報記録媒体用支持体の製造方法を、（製造方法実施例
１），（製造方法実施例２）の順に、詳しく説明する。
とを同時に形成する特殊なドライエッチング方法であっ
て、これらについて説明するために、まず、本発明の情
報記録媒体用支持体の製造方法を、（製造方法実施例
１），（製造方法実施例２）の順に、詳しく説明する。
【００６４】（製造方法実施例１）本発明の情報記録媒
体用支持体の製造方法の（製造方法実施例１）を用いて
支持体１Ａ（図１、図８）を製造することについて、
（１）〜（５）（図１５（a）〜(e)）を用いて説明す
る。即ち、
体用支持体の製造方法の（製造方法実施例１）を用いて
支持体１Ａ（図１、図８）を製造することについて、
（１）〜（５）（図１５（a）〜(e)）を用いて説明す
る。即ち、
【００６５】（１） 表面を高精度に研磨、洗浄した石
英ガラス（８５ｍｍ×５４ｍｍ×０．７ｍｍ厚）からな
る鏡面支持体１を用意する（図１５（a））。 （２） この鏡面支持体１上にマスク材料としてクロム
を均一に成膜してパターニングマスク８形成をする（図
１５（ｂ））。
英ガラス（８５ｍｍ×５４ｍｍ×０．７ｍｍ厚）からな
る鏡面支持体１を用意する（図１５（a））。 （２） この鏡面支持体１上にマスク材料としてクロム
を均一に成膜してパターニングマスク８形成をする（図
１５（ｂ））。
【００６６】（３） 続いて、これに常法であるフォト
リソグラフィー法により必要な微細トラックパターンに
略対応したパターンを形成する（図１５（ｃ））。即ち
パターニングマスク８上にフォトレジストを塗布し、こ
れに０．５５ミクロンのラインアンドスペースの平行パ
ターンを形成した写真乾板を重ね、一括露光、更に現像
を行った（この工程図示せず）。続けてウエットエッチ
ング（硝酸２セリウムアンモンと氷硝酸の混合水溶液に
浸漬）によってパターニングマスク８を選択的に除去
し、更にフォトレジストを除去して平坦部９が略０．５
５ミクロン、開口部１０が略０．５５ミクロンのパター
ンが得られた。
リソグラフィー法により必要な微細トラックパターンに
略対応したパターンを形成する（図１５（ｃ））。即ち
パターニングマスク８上にフォトレジストを塗布し、こ
れに０．５５ミクロンのラインアンドスペースの平行パ
ターンを形成した写真乾板を重ね、一括露光、更に現像
を行った（この工程図示せず）。続けてウエットエッチ
ング（硝酸２セリウムアンモンと氷硝酸の混合水溶液に
浸漬）によってパターニングマスク８を選択的に除去
し、更にフォトレジストを除去して平坦部９が略０．５
５ミクロン、開口部１０が略０．５５ミクロンのパター
ンが得られた。
【００６７】（４） これを平行平板型ドライエッチン
グ装置ＡＡ（図１７）に設置し、ＣＦ４ガスにて、支持
体１上の開口部１０内にドライエッチングを行った（図
１５（ｄ））。 （５） エッチング終了後はウエットエッチング（硝酸
２セリウムアンモンと氷硝酸の混合水溶液に浸漬）によ
ってパターニングマスク８を全面的に除去して支持体１
Ａを完成させた（図１５（e））。
グ装置ＡＡ（図１７）に設置し、ＣＦ４ガスにて、支持
体１上の開口部１０内にドライエッチングを行った（図
１５（ｄ））。 （５） エッチング終了後はウエットエッチング（硝酸
２セリウムアンモンと氷硝酸の混合水溶液に浸漬）によ
ってパターニングマスク８を全面的に除去して支持体１
Ａを完成させた（図１５（e））。
【００６８】前述した（４）中、ドライエッチング工程
は、図１７に断面模式図を示すドライエッチング装置Ａ
Ａを用いて行うことができる。ドライエッチング装置Ａ
Ａは、後述するように、微細トラックのパターンが形成
された支持体１上の開口部１０内にドライエッチングす
ることにより、支持体１上の開口部１０内にグルーブ３
及びクレビス４を、後述するように、同時に彫り込む手
段を備えている。
は、図１７に断面模式図を示すドライエッチング装置Ａ
Ａを用いて行うことができる。ドライエッチング装置Ａ
Ａは、後述するように、微細トラックのパターンが形成
された支持体１上の開口部１０内にドライエッチングす
ることにより、支持体１上の開口部１０内にグルーブ３
及びクレビス４を、後述するように、同時に彫り込む手
段を備えている。
【００６９】このドライエッチング装置ＡＡは、平行平
板型ドライエッチング装置の構成を備えている。即ち図
１７中、１は、試料となる被エッチング支持体であり、
この被エッチング支持体１は、基板電極２２上に設置さ
れている。２３は、高真空排気系の経路に設けられたバ
ルブであり、２４は、エッチングガス排気系の経路に設
けられたバルブである。２５は、チャンバ２６とバルブ
２３，２４間の経路に設けられたコンダクタンスバル
ブ、２７は流量計、２８は高周波電源である。
板型ドライエッチング装置の構成を備えている。即ち図
１７中、１は、試料となる被エッチング支持体であり、
この被エッチング支持体１は、基板電極２２上に設置さ
れている。２３は、高真空排気系の経路に設けられたバ
ルブであり、２４は、エッチングガス排気系の経路に設
けられたバルブである。２５は、チャンバ２６とバルブ
２３，２４間の経路に設けられたコンダクタンスバル
ブ、２７は流量計、２８は高周波電源である。
【００７０】２９は一端が流量計２７と連結され、他端
がチャンバ２６内に突出しているエッチングガス導入
口。２０は、基板電極２２と所定の距離を隔てて固設さ
れているアースとなる対向電極、２１はエッチング用ガ
スボンベである。なおエッチングガス導入口２９は被エ
ッチング支持体１を挟んでコンダクタンスバルブ２５と
略反対側に設置されている。従ってエッチングガスは被
エッチング支持体１上を通過して、コンダクタンスバル
ブ２５を介し、エッチングガス排気系に流れるように供
給される。なお基板電極２２は２０℃に冷却されてい
る。
がチャンバ２６内に突出しているエッチングガス導入
口。２０は、基板電極２２と所定の距離を隔てて固設さ
れているアースとなる対向電極、２１はエッチング用ガ
スボンベである。なおエッチングガス導入口２９は被エ
ッチング支持体１を挟んでコンダクタンスバルブ２５と
略反対側に設置されている。従ってエッチングガスは被
エッチング支持体１上を通過して、コンダクタンスバル
ブ２５を介し、エッチングガス排気系に流れるように供
給される。なお基板電極２２は２０℃に冷却されてい
る。
【００７１】またドライエッチング装置ＡＡは、次の工
程（１Ａ）〜（３Ａ）の順で、被エッチング支持体１に
エッチング加工を施すことができる。即ち、
程（１Ａ）〜（３Ａ）の順で、被エッチング支持体１に
エッチング加工を施すことができる。即ち、
【００７２】（１Ａ） 試料となる被エッチング支持体
１を基板電極２２上に設置した後、高真空排気系の経路
中に設けたガスバルブ２３を開き、エッチングガス排気
系の経路中に設けたガスバルブ２４を閉じ、コンダクタ
ンスバルブ（ＣＶ）２５を操作することにより、チャン
バ２６内を高真空に排気する。 （２Ａ） 続いて、高真空排気系の経路中に設けたガス
バルブ２３を閉じ、エッチングガス排気系の経路中に設
けたガスバルブ２４を開くことにより、排気系をエッチ
ングガス排気系に切換える。
１を基板電極２２上に設置した後、高真空排気系の経路
中に設けたガスバルブ２３を開き、エッチングガス排気
系の経路中に設けたガスバルブ２４を閉じ、コンダクタ
ンスバルブ（ＣＶ）２５を操作することにより、チャン
バ２６内を高真空に排気する。 （２Ａ） 続いて、高真空排気系の経路中に設けたガス
バルブ２３を閉じ、エッチングガス排気系の経路中に設
けたガスバルブ２４を開くことにより、排気系をエッチ
ングガス排気系に切換える。
【００７３】（３Ａ） この状態で、エッチング用ガス
ボンベ２１よりエッチングガスを流量計２７、エッチン
グガス導入口２９を介してチャンバ２６内に導く。チャ
ンバ２６が所定の条件となるよう流量計２７やコンダク
タンスバルブ２５を調整した後、高周波電源２８より高
周波を印加し、プラズマを発生させ、試料である被エッ
チング支持体１をドライエッチングする。
ボンベ２１よりエッチングガスを流量計２７、エッチン
グガス導入口２９を介してチャンバ２６内に導く。チャ
ンバ２６が所定の条件となるよう流量計２７やコンダク
タンスバルブ２５を調整した後、高周波電源２８より高
周波を印加し、プラズマを発生させ、試料である被エッ
チング支持体１をドライエッチングする。
【００７４】こうして、ドライエッチング装置ＡＡは、
被エッチング支持体１上の開口部１０内にドライエッチ
ング加工を施すことができる。
被エッチング支持体１上の開口部１０内にドライエッチ
ング加工を施すことができる。
【００７５】さてここで、ドライエッチング装置ＡＡを
用いて、ドライエッチングによりグルーブ３とクレビス
４が同時に形成できることについて記す。
用いて、ドライエッチングによりグルーブ３とクレビス
４が同時に形成できることについて記す。
【００７６】図１のクレビス４は、グルーブ３の両側で
はなく、片側に偏在している。その原因は明確には分か
っていないが、エッチングガスの流れと関係があると推
測している。即ちクレビス４のある境界は風上（ガスノ
ズル２９側）で、クレビス４の無い境界は風下（コンダ
クタンスバルブ２５側）に対応している。即ちエッチン
グガスがこの装置では不均一に供給されている。このこ
とからプラズマ中では分解（エッチング）と分解した被
エッチング材料との再結合が同時に起こっていると考え
られるが、このようにエッチングガスが不均一に供給さ
れるとこれらのバランスが崩れ、偏在すると考えてい
る。
はなく、片側に偏在している。その原因は明確には分か
っていないが、エッチングガスの流れと関係があると推
測している。即ちクレビス４のある境界は風上（ガスノ
ズル２９側）で、クレビス４の無い境界は風下（コンダ
クタンスバルブ２５側）に対応している。即ちエッチン
グガスがこの装置では不均一に供給されている。このこ
とからプラズマ中では分解（エッチング）と分解した被
エッチング材料との再結合が同時に起こっていると考え
られるが、このようにエッチングガスが不均一に供給さ
れるとこれらのバランスが崩れ、偏在すると考えてい
る。
【００７７】このドライエッチング装置ＡＡを用い、種
々のエッチング条件を試みたところ、以下の実験条件に
おいて、図１、図８の構成の支持体１Ａが良好に形成で
きた。 エッチングガス： ＣＨＦ3 ガス圧力： ６０ｍｔｏｒｒ ガス流量： ５７ｓｃｃｍ エッチング時間： ３分３０秒
々のエッチング条件を試みたところ、以下の実験条件に
おいて、図１、図８の構成の支持体１Ａが良好に形成で
きた。 エッチングガス： ＣＨＦ3 ガス圧力： ６０ｍｔｏｒｒ ガス流量： ５７ｓｃｃｍ エッチング時間： ３分３０秒
【００７８】また、以下の条件においても、図１、図８
の構成の支持体１Ａが良好に形成できた。 エッチングガス： ＣＨＦ3 ガス圧力： ３５ｍｔｏｒｒ ガス流量： ４０ｓｃｃｍ エッチング時間： ４分２０秒
の構成の支持体１Ａが良好に形成できた。 エッチングガス： ＣＨＦ3 ガス圧力： ３５ｍｔｏｒｒ ガス流量： ４０ｓｃｃｍ エッチング時間： ４分２０秒
【００７９】さらに、以下の条件においても、図１、図
８の構成の支持体１Ａが良好に形成できた。 エッチングガス： ＣＨＦ3 ガス圧力： ４５ｍｔｏｒｒ ガス流量： ４８ｓｃｃｍ エッチング時間： ４分１１秒
８の構成の支持体１Ａが良好に形成できた。 エッチングガス： ＣＨＦ3 ガス圧力： ４５ｍｔｏｒｒ ガス流量： ４８ｓｃｃｍ エッチング時間： ４分１１秒
【００８０】さらに、以下の条件においても、図１、図
８の構成の支持体１Ａが良好に形成できた。 エッチングガス： ＣＨＦ3 ガス圧力： １００ｍｔｏｒｒ ガス流量： ８０ｓｃｃｍ エッチング時間： ５分５５秒
８の構成の支持体１Ａが良好に形成できた。 エッチングガス： ＣＨＦ3 ガス圧力： １００ｍｔｏｒｒ ガス流量： ８０ｓｃｃｍ エッチング時間： ５分５５秒
【００８１】（製造方法実施例２）次に、本発明の情報
記録媒体用支持体の製造方法の（製造方法実施例２）を
用いて支持体１Ｂ（図３、図１０）を製造することにつ
いて、（１１）〜（１５）（図１６（a）〜(e)）を用い
て説明する。前述したものと同一部分には同一符号を付
しその説明を省略する。即ち、
記録媒体用支持体の製造方法の（製造方法実施例２）を
用いて支持体１Ｂ（図３、図１０）を製造することにつ
いて、（１１）〜（１５）（図１６（a）〜(e)）を用い
て説明する。前述したものと同一部分には同一符号を付
しその説明を省略する。即ち、
【００８２】（１１） 表面を高精度に研磨、洗浄した
青板ガラスからなる鏡面支持体１（直径１２０ｍｍ×
０．６ｍｍ厚）を用意する（図１６（a））。 （１２） この鏡面支持体１上にマスク材料８としてフ
ォトレジストを均一に成膜してパターニングマスク８形
成をする（図１６（ｂ））。
青板ガラスからなる鏡面支持体１（直径１２０ｍｍ×
０．６ｍｍ厚）を用意する（図１６（a））。 （１２） この鏡面支持体１上にマスク材料８としてフ
ォトレジストを均一に成膜してパターニングマスク８形
成をする（図１６（ｂ））。
【００８３】（１３） 続いて、これに常法であるレー
ザービーム記録法により必要な微細パターンに略対応し
たパターンを形成する（図１６（ｃ））。即ちパターニ
ングマスク８であるフォトレジスト膜上に対物レンズに
より絞り込んだレーザービームを照射し、スパイラル状
の溝パターンを記録し、現像を行った（この工程図示せ
ず）。これにより平坦部９が略０．５ミクロン、開口部
１０が略０．６ミクロンのパターンが得られた。
ザービーム記録法により必要な微細パターンに略対応し
たパターンを形成する（図１６（ｃ））。即ちパターニ
ングマスク８であるフォトレジスト膜上に対物レンズに
より絞り込んだレーザービームを照射し、スパイラル状
の溝パターンを記録し、現像を行った（この工程図示せ
ず）。これにより平坦部９が略０．５ミクロン、開口部
１０が略０．６ミクロンのパターンが得られた。
【００８４】（１４） これを平行平板型ドライエッチ
ング装置ＢＢ（図１８）に設置し、支持体１上の開口部
１０内にドライエッチングを行った（図１６（ｄ））。 （１５） エッチング終了後は酸素プラズマによるアッ
シングによってパターニングマスク８を除去して支持体
１Ｂを完成させた（図１６（ｅ））。
ング装置ＢＢ（図１８）に設置し、支持体１上の開口部
１０内にドライエッチングを行った（図１６（ｄ））。 （１５） エッチング終了後は酸素プラズマによるアッ
シングによってパターニングマスク８を除去して支持体
１Ｂを完成させた（図１６（ｅ））。
【００８５】前述した図１６（a）〜(e)を用いて説明し
た支持体１Ｂの製造方法の工程（４）中、ドライエッチ
ング工程は、図１８に断面模式図を示すドライエッチン
グ装置ＢＢを用いて行うことができる。ドライエッチン
グ装置ＢＢは、後述するように、微細トラックのパター
ンが形成された支持体１上の開口部１０内をドライエッ
チングすることにより、支持体１上の開口部１０内にグ
ルーブ３及びクレビス４を後述するように、同時に彫り
込む手段を備えている。
た支持体１Ｂの製造方法の工程（４）中、ドライエッチ
ング工程は、図１８に断面模式図を示すドライエッチン
グ装置ＢＢを用いて行うことができる。ドライエッチン
グ装置ＢＢは、後述するように、微細トラックのパター
ンが形成された支持体１上の開口部１０内をドライエッ
チングすることにより、支持体１上の開口部１０内にグ
ルーブ３及びクレビス４を後述するように、同時に彫り
込む手段を備えている。
【００８６】このドライエッチング装置ＢＢは、先のド
ライエッチング装置ＡＡと類似した部分もあるが、ガス
の供給部分の構成が異なっている。即ちエッチングガス
導入口２９が３６０度サークル状に形成されており、ガ
スが被エッチング支持体１を取り囲むように、四方八方
から均一に供給される。その他の構成はドライエッチン
グ装置ＡＡと同じである。この構成を有するドライエッ
チング装置ＢＢによるエッチング加工手順はドライエッ
チング装置ＡＡと同じ工程（１Ａ）〜（３Ａ）であるの
で、その説明は省略する。
ライエッチング装置ＡＡと類似した部分もあるが、ガス
の供給部分の構成が異なっている。即ちエッチングガス
導入口２９が３６０度サークル状に形成されており、ガ
スが被エッチング支持体１を取り囲むように、四方八方
から均一に供給される。その他の構成はドライエッチン
グ装置ＡＡと同じである。この構成を有するドライエッ
チング装置ＢＢによるエッチング加工手順はドライエッ
チング装置ＡＡと同じ工程（１Ａ）〜（３Ａ）であるの
で、その説明は省略する。
【００８７】さてここで、ドライエッチング装置ＢＢを
用いてドライエッチングによりグルーブ３とクレビス４
が同時に形成できる原因について記す。また、ドライエ
ッチング装置ＢＢでは四方八方からエッチングガスが供
給されており、この際、ドライエッチングでは尖った部
分、例えばマスクパターンの平坦部と開口部の境界にイ
オンが集中する傾向にある。その傾向はガス圧が高い条
件で顕著に現れる。
用いてドライエッチングによりグルーブ３とクレビス４
が同時に形成できる原因について記す。また、ドライエ
ッチング装置ＢＢでは四方八方からエッチングガスが供
給されており、この際、ドライエッチングでは尖った部
分、例えばマスクパターンの平坦部と開口部の境界にイ
オンが集中する傾向にある。その傾向はガス圧が高い条
件で顕著に現れる。
【００８８】そこで、本発明ではクレビス４を開口部内
の両側に形成することが必要であるから、通常は使用し
ない高いガス圧を利用している。高いガス圧とは３５ｍ
ｔｏｒｒ以上を指し、実験の結果３５ｍｔｏｒｒ以上に
おいてのみランド２とグルーブ３の境界にイオンが集中
して、その部分だけエッチングが顕著に進行することが
分かった。
の両側に形成することが必要であるから、通常は使用し
ない高いガス圧を利用している。高いガス圧とは３５ｍ
ｔｏｒｒ以上を指し、実験の結果３５ｍｔｏｒｒ以上に
おいてのみランド２とグルーブ３の境界にイオンが集中
して、その部分だけエッチングが顕著に進行することが
分かった。
【００８９】なお５００ｍｔｏｒｒ以上においてはプラ
ズマそのものの運動エネルギーが下がり、エッチングの
速度が極端に低下するので、実質的には３５〜５００ｍ
ｔｏｒｒの範囲が使用できる。特に上記した条件におい
ては顕著なクレビス４が生成され、図１０に記載の寸法
でランド２、グルーブ３、クレビス４が形成される。
ズマそのものの運動エネルギーが下がり、エッチングの
速度が極端に低下するので、実質的には３５〜５００ｍ
ｔｏｒｒの範囲が使用できる。特に上記した条件におい
ては顕著なクレビス４が生成され、図１０に記載の寸法
でランド２、グルーブ３、クレビス４が形成される。
【００９０】このドライエッチング装置ＢＢを用い、種
々のエッチング条件を試みたところ、以下の実験条件に
おいて、図３の構成の支持体１Ｂが良好に形成できたも
のである。 エッチングガス： ＣＦ4 ガス圧力： ３５ｍｔｏｒｒ ガス流量： ４０ｓｃｃｍ エッチング時間： ６分５秒
々のエッチング条件を試みたところ、以下の実験条件に
おいて、図３の構成の支持体１Ｂが良好に形成できたも
のである。 エッチングガス： ＣＦ4 ガス圧力： ３５ｍｔｏｒｒ ガス流量： ４０ｓｃｃｍ エッチング時間： ６分５秒
【００９１】また、以下の条件においても、図３の構成
の支持体１Ｂが良好に形成できる。 エッチングガス： ＣＦ4 ガス圧力： ５０ｍｔｏｒｒ ガス流量： ５３ｓｃｃｍ エッチング時間： ６分２５秒
の支持体１Ｂが良好に形成できる。 エッチングガス： ＣＦ4 ガス圧力： ５０ｍｔｏｒｒ ガス流量： ５３ｓｃｃｍ エッチング時間： ６分２５秒
【００９２】さらに、以下の条件においても、図３の構
成の支持体１Ｂが良好に形成できる。 エッチングガス： ＣＦ4 ガス圧力： ６５ｍｔｏｒｒ ガス流量： ６４ｓｃｃｍ エッチング時間： ５分５５秒
成の支持体１Ｂが良好に形成できる。 エッチングガス： ＣＦ4 ガス圧力： ６５ｍｔｏｒｒ ガス流量： ６４ｓｃｃｍ エッチング時間： ５分５５秒
【００９３】さらに、以下の条件においても、図３の構
成の支持体１Ｂが良好に形成できる。 エッチングガス： ＣＦ4 ガス圧力： ４５ｍｔｏｒｒ ガス流量： ５０ｓｃｃｍ エッチング時間： ６分２０秒
成の支持体１Ｂが良好に形成できる。 エッチングガス： ＣＦ4 ガス圧力： ４５ｍｔｏｒｒ ガス流量： ５０ｓｃｃｍ エッチング時間： ６分２０秒
【００９４】ドライエッチングに用いられる上記したガ
ス圧力は、３５〜５００ｍｔｏｒｒの範囲のものであ
り、この範囲でグルーブ３及びクレビス４を同時に支持
体１に彫り込むことができる。
ス圧力は、３５〜５００ｍｔｏｒｒの範囲のものであ
り、この範囲でグルーブ３及びクレビス４を同時に支持
体１に彫り込むことができる。
【００９５】以上、本発明になる情報記録媒体用支持体
の製造方法を、（製造方法実施例１），（製造方法実施
例２）の順に詳しく説明した。このように本発明になる
情報記録媒体用支持体の製造方法は、工程中にドライエ
ッチング製造装置ＡＡ、ＢＢを用いることによって、ク
レビス４を有する支持体１Ａ、１Ｂが製造できる。
の製造方法を、（製造方法実施例１），（製造方法実施
例２）の順に詳しく説明した。このように本発明になる
情報記録媒体用支持体の製造方法は、工程中にドライエ
ッチング製造装置ＡＡ、ＢＢを用いることによって、ク
レビス４を有する支持体１Ａ、１Ｂが製造できる。
【００９６】ここで重要なことは、グルーブ３をエッチ
ング形成後に、公知のフォト・エッチングなどを用いて
クレビス４を追加加工するのではなく、グルーブ３形成
時に、同時にクレビス４が形成できている点である。言
い換えればトラック毎にクレビス４が自動的に形成され
ている。またクレビス４の位置はグルーブ３とランド２
の境界近傍に限定されており、高い位置精度で形成でき
ている。このように特別な位置合わせを行わずともクレ
ビス４が形成できている。言い換えれば自己整合（セル
フアライメント）的に形成できているのである。このこ
とにより高い位置精度を要する追加工の工程を省くこと
ができ、工期も短期化できている。
ング形成後に、公知のフォト・エッチングなどを用いて
クレビス４を追加加工するのではなく、グルーブ３形成
時に、同時にクレビス４が形成できている点である。言
い換えればトラック毎にクレビス４が自動的に形成され
ている。またクレビス４の位置はグルーブ３とランド２
の境界近傍に限定されており、高い位置精度で形成でき
ている。このように特別な位置合わせを行わずともクレ
ビス４が形成できている。言い換えれば自己整合（セル
フアライメント）的に形成できているのである。このこ
とにより高い位置精度を要する追加工の工程を省くこと
ができ、工期も短期化できている。
【００９７】なお、前記した（製造方法実施例１），
（製造方法実施例２）においては、支持体１として石英
ガラスと青板ガラスとを用いたが、このほかソーダアル
ミノ珪酸ガラスやホウ珪酸ガラス、バリウムホウ珪酸ガ
ラスなどのセラミックや金属板なども、支持体１として
採用可能である。またグルーブ３、クレビス４以外に、
ピットやホログラム、認証マークなどを同時に刻んでも
よい。
（製造方法実施例２）においては、支持体１として石英
ガラスと青板ガラスとを用いたが、このほかソーダアル
ミノ珪酸ガラスやホウ珪酸ガラス、バリウムホウ珪酸ガ
ラスなどのセラミックや金属板なども、支持体１として
採用可能である。またグルーブ３、クレビス４以外に、
ピットやホログラム、認証マークなどを同時に刻んでも
よい。
【００９８】またエッチング用ガスはＣＨＦ3、ＣＦ4を
用いたがこれに限定されるものではない。Ｃ2Ｆ6、Ｃ3
Ｆ8、ＮＦ3、ＳＦ6、Ｃ2Ｆ4、Ｃ3Ｆ6、Ｃ4Ｆ8、Ｃ
4Ｆ10、Ｃ5Ｆ8、Ｃ6Ｆ14、ＣＦ3ＣＦＯＣＦ2、Ｃ6Ｆ5Ｃ
Ｆ2ＣＦＣＦ2、ＣＦ3Ｂｒ、ＣＦ31、Ｃ2Ｆ51、ＣＦ2Ｃ
12、ＣＦＣｌ3、ＣＨ2Ｆ2、ＣＨＦ2ＣＦ3、ＣＨ2ＦＣＦ
3、ＣＨ3ＣＨＦ2、Ｃ2Ｈ3Ｆ3、Ｃ3ＨＦ7、ＣＦ3ＣＨ2Ｃ
Ｆ3、Ｃ6Ｆ5ＣＨＣＨ2、Ｃｌ2、ＣＣ14、ＳｉＣｌ4、Ｂ
Ｃｌ3、ＰＣｌ3、ＣＣｌ2Ｆ2、ＣＣｌ3Ｆ、ＢＢｒ3、Ｃ
Ｈ2Ｃｌ2、ＣＨＣｌ3などやこれらの相互混合ガス、酸
素、水素、アルゴン、ヘリウム、窒素、ネオン、クリプ
トン、キセノン、オゾン、一酸化炭素、二酸化炭素、水
蒸気、ＣＨ4、ＣＨ3ＣＨ3、ＣＨ3ＣＨ2ＣＨ3、ＣＨ3Ｃ
Ｈ2ＣＨ2ＣＨ3、ＣＨ2ＣＨ2、ＣＨ2ＣＨＣＨ3、ＣＨ2Ｃ
Ｈ2ＣＨ2ＣＨ2、ＨＣＣＨ、ＣＨ3ＣＣＨなどとの混合ガ
スも使うことができる。
用いたがこれに限定されるものではない。Ｃ2Ｆ6、Ｃ3
Ｆ8、ＮＦ3、ＳＦ6、Ｃ2Ｆ4、Ｃ3Ｆ6、Ｃ4Ｆ8、Ｃ
4Ｆ10、Ｃ5Ｆ8、Ｃ6Ｆ14、ＣＦ3ＣＦＯＣＦ2、Ｃ6Ｆ5Ｃ
Ｆ2ＣＦＣＦ2、ＣＦ3Ｂｒ、ＣＦ31、Ｃ2Ｆ51、ＣＦ2Ｃ
12、ＣＦＣｌ3、ＣＨ2Ｆ2、ＣＨＦ2ＣＦ3、ＣＨ2ＦＣＦ
3、ＣＨ3ＣＨＦ2、Ｃ2Ｈ3Ｆ3、Ｃ3ＨＦ7、ＣＦ3ＣＨ2Ｃ
Ｆ3、Ｃ6Ｆ5ＣＨＣＨ2、Ｃｌ2、ＣＣ14、ＳｉＣｌ4、Ｂ
Ｃｌ3、ＰＣｌ3、ＣＣｌ2Ｆ2、ＣＣｌ3Ｆ、ＢＢｒ3、Ｃ
Ｈ2Ｃｌ2、ＣＨＣｌ3などやこれらの相互混合ガス、酸
素、水素、アルゴン、ヘリウム、窒素、ネオン、クリプ
トン、キセノン、オゾン、一酸化炭素、二酸化炭素、水
蒸気、ＣＨ4、ＣＨ3ＣＨ3、ＣＨ3ＣＨ2ＣＨ3、ＣＨ3Ｃ
Ｈ2ＣＨ2ＣＨ3、ＣＨ2ＣＨ2、ＣＨ2ＣＨＣＨ3、ＣＨ2Ｃ
Ｈ2ＣＨ2ＣＨ2、ＨＣＣＨ、ＣＨ3ＣＣＨなどとの混合ガ
スも使うことができる。
【００９９】なおドライエッチング装置ＡＡ，ＢＢに印
可するする電源には、高周波を用いた。ここで高周波と
は０．１〜１００００ＭＨｚの交流を意味し、特に０．
５〜３０００ＭＨｚが好適に用いられる。また必要に応
じ、直流バイアスした高周波であってもよいし、パルス
変調したものであってもよい。
可するする電源には、高周波を用いた。ここで高周波と
は０．１〜１００００ＭＨｚの交流を意味し、特に０．
５〜３０００ＭＨｚが好適に用いられる。また必要に応
じ、直流バイアスした高周波であってもよいし、パルス
変調したものであってもよい。
【０１００】また上記（製造方法実施例１），（製造方
法実施例２）では、支持体１をガラスとし、それそのも
のをエッチング加工する例で説明してきた。しかしなが
ら支持体１は先述したとおり、ガラスに限らないことは
言うまでもない。即ち本発明は支持体１の表面形状にそ
の特徴があるのであって、材質はガラスに限らず、金属
や、プラスチックであっても良いのである。
法実施例２）では、支持体１をガラスとし、それそのも
のをエッチング加工する例で説明してきた。しかしなが
ら支持体１は先述したとおり、ガラスに限らないことは
言うまでもない。即ち本発明は支持体１の表面形状にそ
の特徴があるのであって、材質はガラスに限らず、金属
や、プラスチックであっても良いのである。
【０１０１】また前記した支持体１Ａ，１Ｂは、支持体
複製用スタンパーを用いて成形されたプラスチック支持
体であっても同様な表面形状を有していればよい。支持
体１Ａ，１Ｂを多数複製するための複製用スタンパーを
製造する方法は、図１５，図１６で記載した工程を用い
て、支持体１と同じかもしくはこれより大きなサイズの
ガラス原盤（ガラスマスター）に適応し、そのガラスマ
スターから従来の光ディスク製造工程をそのまま利用し
て複製用スタンパーを製造すればよい。
複製用スタンパーを用いて成形されたプラスチック支持
体であっても同様な表面形状を有していればよい。支持
体１Ａ，１Ｂを多数複製するための複製用スタンパーを
製造する方法は、図１５，図１６で記載した工程を用い
て、支持体１と同じかもしくはこれより大きなサイズの
ガラス原盤（ガラスマスター）に適応し、そのガラスマ
スターから従来の光ディスク製造工程をそのまま利用し
て複製用スタンパーを製造すればよい。
【０１０２】上述した本発明の情報記録媒体用支持体の
製造方法を適用した情報記録媒体用原盤の製造装置は、
図１９に示すように、前記した支持体１の代りに高精度
に研磨洗浄した母型盤１１上に、耐ドライエッチング性
を有するパターニングマスク８を成膜する手段と、微細
トラックパターンに対応したパターンを母型盤１１上に
形成するパターニングする手段と、３５〜５００ｍｔｏ
ｒｒ以下のガス圧力でドライエッチングを行い、前記グ
ルーブ及びクレビスを同時に彫り込む手段と、パターニ
ングマスクを除去する手段とを備えた製造装置であって
良い。
製造方法を適用した情報記録媒体用原盤の製造装置は、
図１９に示すように、前記した支持体１の代りに高精度
に研磨洗浄した母型盤１１上に、耐ドライエッチング性
を有するパターニングマスク８を成膜する手段と、微細
トラックパターンに対応したパターンを母型盤１１上に
形成するパターニングする手段と、３５〜５００ｍｔｏ
ｒｒ以下のガス圧力でドライエッチングを行い、前記グ
ルーブ及びクレビスを同時に彫り込む手段と、パターニ
ングマスクを除去する手段とを備えた製造装置であって
良い。
【０１０３】（製造方法実施例３）[媒体実施例 ３] 本発明の情報記録媒体用支持体の製造方法の（製造方法
実施例３）として、前記したガラスマスターから支持体
複製用スタンパーを製造し、この複製用スタンパーを用
いてプラスチック製の支持体１Ｂを製造する方法につい
て、（２１）〜（２９）（図１９（a）〜(ｉ)）を用い
て説明する。前述したものと同一部分には同一符号を付
しその説明を省略する。即ち、
実施例３）として、前記したガラスマスターから支持体
複製用スタンパーを製造し、この複製用スタンパーを用
いてプラスチック製の支持体１Ｂを製造する方法につい
て、（２１）〜（２９）（図１９（a）〜(ｉ)）を用い
て説明する。前述したものと同一部分には同一符号を付
しその説明を省略する。即ち、
【０１０４】支持体１にプラスチック支持体を採用し、
更に記録層５に[媒体実施例 ３]として、改良型ＤＷＤ
Ｄ膜を採用した例について説明する。まず図１９を元
に、本発明なるクレビス付き支持体の製造方法を説明す
る。
更に記録層５に[媒体実施例 ３]として、改良型ＤＷＤ
Ｄ膜を採用した例について説明する。まず図１９を元
に、本発明なるクレビス付き支持体の製造方法を説明す
る。
【０１０５】（２１） 表面を高精度に研磨、洗浄した
青板ガラスからなる母型盤１１（直径２００ｍｍ×１０
ｍｍ厚）を用意する（図１９（a））。 （２２） この鏡面母型盤１１上にマスク材料８として
フォトレジストを均一に成膜してパターニングマスク８
を形成する（図１９（ｂ））。
青板ガラスからなる母型盤１１（直径２００ｍｍ×１０
ｍｍ厚）を用意する（図１９（a））。 （２２） この鏡面母型盤１１上にマスク材料８として
フォトレジストを均一に成膜してパターニングマスク８
を形成する（図１９（ｂ））。
【０１０６】（２３） 続いて、これに常法であるレー
ザービーム記録法により必要な微細パターンに略対応し
たパターンを形成する（図１９（ｃ））。即ちパターニ
ングマスク８であるフォトレジスト膜上に対物レンズに
より絞り込んだレーザービームを照射し、スパイラル状
の溝パターンを記録し、現像を行った（この工程図示せ
ず）。これにより平坦部９が略０．５ミクロン、開口部
１０が略０．６ミクロンの平行スパイラルパターンが得
られた。
ザービーム記録法により必要な微細パターンに略対応し
たパターンを形成する（図１９（ｃ））。即ちパターニ
ングマスク８であるフォトレジスト膜上に対物レンズに
より絞り込んだレーザービームを照射し、スパイラル状
の溝パターンを記録し、現像を行った（この工程図示せ
ず）。これにより平坦部９が略０．５ミクロン、開口部
１０が略０．６ミクロンの平行スパイラルパターンが得
られた。
【０１０７】（２４） これを平行平板型ドライエッチ
ング装置ＢＢ（図１８）に設置し、母型盤１１上の開口
部１０内にドライエッチングを行った（図１９
（ｄ））。エッチング条件は エッチングガス： ＣＦ
4 ガス圧力： ５０ｍｔｏｒｒ ガス流量： ５３ｓｃｃｍ エッチング時間： ６分２５秒 である。
ング装置ＢＢ（図１８）に設置し、母型盤１１上の開口
部１０内にドライエッチングを行った（図１９
（ｄ））。エッチング条件は エッチングガス： ＣＦ
4 ガス圧力： ５０ｍｔｏｒｒ ガス流量： ５３ｓｃｃｍ エッチング時間： ６分２５秒 である。
【０１０８】（２５） 次に酸素プラズマによるアッシ
ングによってパターニングマスク８を除去し、ガラスマ
スター１１Ｂを得た（図１９（ｅ））。 （２６） 次にこのガラスマスター１１Ｂに導電化膜１
２としてニッケル０．１ミクロンをスパッタリング法に
よって成膜した（図１９（ｆ））。
ングによってパターニングマスク８を除去し、ガラスマ
スター１１Ｂを得た（図１９（ｅ））。 （２６） 次にこのガラスマスター１１Ｂに導電化膜１
２としてニッケル０．１ミクロンをスパッタリング法に
よって成膜した（図１９（ｆ））。
【０１０９】（２７） 次にニッケル電気メッキ槽に投
入し、導電化膜１２をカソード電極として通電し、ニッ
ケルによるメッキ層１３を２５０ミクロンの厚さまで成
長させた（図１９（ｇ））。 （２８） 続いてガラスマスター１１Ｂと導電化膜１２
の間で剥離させ、導電化膜１２とメッキ層１３の合体し
たスタンパー１４Ｂを得た（図１９（ｈ））。
入し、導電化膜１２をカソード電極として通電し、ニッ
ケルによるメッキ層１３を２５０ミクロンの厚さまで成
長させた（図１９（ｇ））。 （２８） 続いてガラスマスター１１Ｂと導電化膜１２
の間で剥離させ、導電化膜１２とメッキ層１３の合体し
たスタンパー１４Ｂを得た（図１９（ｈ））。
【０１１０】（２９） 次にこのスタンパー１４Ｂの裏
面（メッキ層１３の露出した面）を研磨し、更に内外周
カットを施して射出成形機金型に取り付けた。そして脂
環式ポリオレフィンを用いて常法どおり射出成形するこ
とによって、凹凸の反転した支持体１Ｂを作成した。な
おこの時の支持体の直径は１３０ｍｍ、厚みは１．２ｍ
ｍである（図１９（ｉ））。
面（メッキ層１３の露出した面）を研磨し、更に内外周
カットを施して射出成形機金型に取り付けた。そして脂
環式ポリオレフィンを用いて常法どおり射出成形するこ
とによって、凹凸の反転した支持体１Ｂを作成した。な
おこの時の支持体の直径は１３０ｍｍ、厚みは１．２ｍ
ｍである（図１９（ｉ））。
【０１１１】こうして製造された支持体１Ｂの表面の形
状は、図１０の寸法を満足しており、即ち、ランド２の
幅Ｗｌは０．５１ミクロン、グルーブ３の幅（Ｗｇ＋２
Ｗｃ）の内の幅Ｗｇは０．５１ミクロン、グルーブ３の
深さＤｇは０．２ミクロン、クレビス４の幅Ｗｃは０．
０４ミクロン、クレビス４の深さＤｃは０．３５ミクロ
ンである。
状は、図１０の寸法を満足しており、即ち、ランド２の
幅Ｗｌは０．５１ミクロン、グルーブ３の幅（Ｗｇ＋２
Ｗｃ）の内の幅Ｗｇは０．５１ミクロン、グルーブ３の
深さＤｇは０．２ミクロン、クレビス４の幅Ｗｃは０．
０４ミクロン、クレビス４の深さＤｃは０．３５ミクロ
ンである。
【０１１２】次に、この支持体１Ｂに記録層５と保護層
６を形成した。記録層５は図２０に示した記録材料で構
成し、公知のスパッタリング法によって成膜した。即
ち、改良型ＤＷＤＤ（磁壁移動検出）超解像膜である４
層の光磁気膜（ＧｄＦｅＣｏＡｌ，ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅ
Ａｌ，ＴｂＦｅＣｏ）を、２つのＳｉＮ誘電体層でサン
ドイッチした構造とした。次に保護層６を公知の回転成
膜法によって、紫外線硬化樹脂を８ミクロン厚で形成
し、紫外線Ａ＋Ｂ＋Ｃ波照射によって硬化させた。この
情報記録ディスクをトラックに垂直な方向に破断し、断
面形状を走査型電子顕微鏡で観察したところ、図４のよ
うな断面形状であることが確認できた。
６を形成した。記録層５は図２０に示した記録材料で構
成し、公知のスパッタリング法によって成膜した。即
ち、改良型ＤＷＤＤ（磁壁移動検出）超解像膜である４
層の光磁気膜（ＧｄＦｅＣｏＡｌ，ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅ
Ａｌ，ＴｂＦｅＣｏ）を、２つのＳｉＮ誘電体層でサン
ドイッチした構造とした。次に保護層６を公知の回転成
膜法によって、紫外線硬化樹脂を８ミクロン厚で形成
し、紫外線Ａ＋Ｂ＋Ｃ波照射によって硬化させた。この
情報記録ディスクをトラックに垂直な方向に破断し、断
面形状を走査型電子顕微鏡で観察したところ、図４のよ
うな断面形状であることが確認できた。
【０１１３】この情報記録ディスクをランド２に焦点を
結びながら記録再生したところ、図２１のようなマーク
長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性が得られた。ここで使用し
た記録装置は、レーザー波長６９０ｎｍ、対物レンズ開
口数０．６であり、単一周波数記録と再生を行った。記
録パワーは３．７ｍＷ、再生パワーは２．０ｍＷであっ
た。このときマーク長０．０６ミクロンの記録再生が達
成されており、この場合も超解像現象が発現できている
ことが確認できた。またマーク長０．１ミクロンにおけ
るＣ／Ｎは３６ｄＢと充分再生できるレベルであった。
なお波長とレンズ開口数から理論的に計算される再生限
界は、マーク長０．２６ミクロンである。
結びながら記録再生したところ、図２１のようなマーク
長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性が得られた。ここで使用し
た記録装置は、レーザー波長６９０ｎｍ、対物レンズ開
口数０．６であり、単一周波数記録と再生を行った。記
録パワーは３．７ｍＷ、再生パワーは２．０ｍＷであっ
た。このときマーク長０．０６ミクロンの記録再生が達
成されており、この場合も超解像現象が発現できている
ことが確認できた。またマーク長０．１ミクロンにおけ
るＣ／Ｎは３６ｄＢと充分再生できるレベルであった。
なお波長とレンズ開口数から理論的に計算される再生限
界は、マーク長０．２６ミクロンである。
【０１１４】次にこの情報記録ディスクをグルーブ３に
焦点を結びながら同様に記録再生したところ、図２２の
ようなマーク長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性が得られた。
このとき最短マーク長０．０８ミクロンの記録再生が達
成されており、この場合も超解像現象が発現できている
ことが確認できた。またマーク長０．１ミクロンにおけ
るＣ／Ｎは３５ｄＢと充分再生できるレベルであった。
焦点を結びながら同様に記録再生したところ、図２２の
ようなマーク長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性が得られた。
このとき最短マーク長０．０８ミクロンの記録再生が達
成されており、この場合も超解像現象が発現できている
ことが確認できた。またマーク長０．１ミクロンにおけ
るＣ／Ｎは３５ｄＢと充分再生できるレベルであった。
【０１１５】そして図２１，図２２より、支持体１Ｂに
プラスチック支持体を用いた場合でもランド・グルーブ
記録が達成できていることが確認できた。
プラスチック支持体を用いた場合でもランド・グルーブ
記録が達成できていることが確認できた。
【０１１６】次にこの情報記録ディスクをランド２に焦
点を結びながら、１，７変調信号の記録再生を行った。
１，７変調信号は前述した例とは異なり、２Ｔ〜８Ｔの
各種マーク長の信号がランダムに送出されるものであ
る。ここで最短マーク長（２Ｔ）を０．１２ミクロンに
設定した場合、再生信号のジッターは９．１％が得ら
れ、充分再生できるレベルであった。なおジッターはＤ
ＶＤ規格（ＪＩＳ−Ｘ−６２４１附属書Ｆ）に準じた手
法によって測定した。理論的に計算される再生限界は、
マーク長０．２６ミクロンであるから、ここでも超解像
現象が発現できていることが確認できた。
点を結びながら、１，７変調信号の記録再生を行った。
１，７変調信号は前述した例とは異なり、２Ｔ〜８Ｔの
各種マーク長の信号がランダムに送出されるものであ
る。ここで最短マーク長（２Ｔ）を０．１２ミクロンに
設定した場合、再生信号のジッターは９．１％が得ら
れ、充分再生できるレベルであった。なおジッターはＤ
ＶＤ規格（ＪＩＳ−Ｘ−６２４１附属書Ｆ）に準じた手
法によって測定した。理論的に計算される再生限界は、
マーク長０．２６ミクロンであるから、ここでも超解像
現象が発現できていることが確認できた。
【０１１７】次にこの情報記録ディスクをグルーブ３に
焦点を結びながら同様に記録再生したところ、同様に最
短マーク長（２Ｔ）を０．１２ミクロンに設定した場
合、再生信号のジッターは９．５％が得られ、充分再生
できるレベルであった。この場合も超解像現象が発現で
きていることが確認できた。以上のようにランダム信号
であってもランド・グルーブ記録が達成できていること
が確認できた。
焦点を結びながら同様に記録再生したところ、同様に最
短マーク長（２Ｔ）を０．１２ミクロンに設定した場
合、再生信号のジッターは９．５％が得られ、充分再生
できるレベルであった。この場合も超解像現象が発現で
きていることが確認できた。以上のようにランダム信号
であってもランド・グルーブ記録が達成できていること
が確認できた。
【０１１８】以上、（製造方法実施例１）〜（製造方法
実施例３）では、本発明の情報記録媒体用支持体をＤＷ
ＤＤ型光磁気膜に適応した例を示した。本発明はこのＤ
ＷＤＤ型光磁気膜に適応限定されるものではなく、冒頭
の「発明の属する技術分野」ほかで触れたように、ＤＷ
ＤＤ型以外の光磁気膜や、相変化膜などにも適応が可能
なものである。
実施例３）では、本発明の情報記録媒体用支持体をＤＷ
ＤＤ型光磁気膜に適応した例を示した。本発明はこのＤ
ＷＤＤ型光磁気膜に適応限定されるものではなく、冒頭
の「発明の属する技術分野」ほかで触れたように、ＤＷ
ＤＤ型以外の光磁気膜や、相変化膜などにも適応が可能
なものである。
【０１１９】（製造方法実施例４）[媒体実施例 ４] 本発明の情報記録媒体用支持体の製造方法の（製造方法
実施例４）として、支持体１Ｂにプラスチック支持体を
採用し、[媒体実施例 ４]として記録層５に相変化記録
膜を採用した例について説明する。前述したものと同一
部分には同一符号を付しその説明を省略する。即ち、
実施例４）として、支持体１Ｂにプラスチック支持体を
採用し、[媒体実施例 ４]として記録層５に相変化記録
膜を採用した例について説明する。前述したものと同一
部分には同一符号を付しその説明を省略する。即ち、
【０１２０】因みに相変化記録では、ＤＶＤ−ＲＡＭ
（ランド幅約０．７４ミクロン、グルーブ幅約０．７４
ミクロン。従って物理トラックピッチは１．４８ミクロ
ン。記録容量は２．６ＧＢ）に代表されるように、市販
ディスクで既にランドグルーブ記録は実用化されてい
る。しかしながら記録時に隣接トラックの信号を消去し
てしまうクロスイレーズ現象のために、これ以上トラッ
クピッチを詰めて更なる大容量化を行うことができてい
なかった。本発明によるクレビス支持体を採用した場合
には、クロスイレーズ現象が低減され、トラックピッチ
を詰めることができ、更なる高密度化が達成できるもの
である。
（ランド幅約０．７４ミクロン、グルーブ幅約０．７４
ミクロン。従って物理トラックピッチは１．４８ミクロ
ン。記録容量は２．６ＧＢ）に代表されるように、市販
ディスクで既にランドグルーブ記録は実用化されてい
る。しかしながら記録時に隣接トラックの信号を消去し
てしまうクロスイレーズ現象のために、これ以上トラッ
クピッチを詰めて更なる大容量化を行うことができてい
なかった。本発明によるクレビス支持体を採用した場合
には、クロスイレーズ現象が低減され、トラックピッチ
を詰めることができ、更なる高密度化が達成できるもの
である。
【０１２１】前記した（製造方法実施例３）と同様な手
法により、プラスチック支持体１Ｂを製造する。ただし
製造条件は若干変更して、エッチング条件は エッチングガス： Ｃ3Ｆ6 ガス圧力： ４５ｍｔｏｒｒ ガス流量： ４０ｓｃｃｍ エッチング時間： ４分３秒
法により、プラスチック支持体１Ｂを製造する。ただし
製造条件は若干変更して、エッチング条件は エッチングガス： Ｃ3Ｆ6 ガス圧力： ４５ｍｔｏｒｒ ガス流量： ４０ｓｃｃｍ エッチング時間： ４分３秒
【０１２２】また支持体１Ｂは外径１２０ｍｍ、内径１
５ミリ、厚みは０．６ｍｍのポリカーボネート製であ
る。ここで表面の形状は図２３の寸法になっており、即
ち、ランド２の幅Ｗｌは０．５１ミクロン、グルーブ３
の幅（Ｗｇ＋２Ｗｃ）の内の幅Ｗｇは０．５１ミクロ
ン、グルーブ３の深さＤｇは０．０６ミクロン、クレビ
ス４の幅Ｗｃは０．０４ミクロン、クレビス４の深さＤ
ｃは０．１ミクロンである。従って物理的なトラックピ
ッチは１．１ミクロンになっている。
５ミリ、厚みは０．６ｍｍのポリカーボネート製であ
る。ここで表面の形状は図２３の寸法になっており、即
ち、ランド２の幅Ｗｌは０．５１ミクロン、グルーブ３
の幅（Ｗｇ＋２Ｗｃ）の内の幅Ｗｇは０．５１ミクロ
ン、グルーブ３の深さＤｇは０．０６ミクロン、クレビ
ス４の幅Ｗｃは０．０４ミクロン、クレビス４の深さＤ
ｃは０．１ミクロンである。従って物理的なトラックピ
ッチは１．１ミクロンになっている。
【０１２３】次に、この支持体１Ｂに記録層５と保護層
６を形成した。記録層５は図２４に示した構成を、公知
のスパッタリング法によって成膜した。即ち、ＤＶＤ−
ＲＡＭと同じ膜構成で、相変化記録膜ＧｅＳｂＴｅＮ
を、２つのＺｎＳ・ＳｉＯ誘電体層でサンドイッチし、
更に反射膜であるＡｌＣｒを積層した構造とした。
６を形成した。記録層５は図２４に示した構成を、公知
のスパッタリング法によって成膜した。即ち、ＤＶＤ−
ＲＡＭと同じ膜構成で、相変化記録膜ＧｅＳｂＴｅＮ
を、２つのＺｎＳ・ＳｉＯ誘電体層でサンドイッチし、
更に反射膜であるＡｌＣｒを積層した構造とした。
【０１２４】次に、保護層６として紫外線硬化樹脂を、
公知のスプレー法によって４ミクロン厚で記録層５上に
形成し、紫外線Ａ＋Ｂ波照射によって硬化させた。この
情報記録ディスクをトラックに垂直な方向に破断し、断
面形状を走査型電子顕微鏡で観察したところ、図４のよ
うな断面形状であることが確認できた。そしてこのディ
スク２枚を、保護層６が互いに対向するように接着層で
貼り合わせた（図示せず）。なお接着層は遅効性カチオ
ン系紫外線硬化樹脂を使用した。この情報記録ディスク
に公知のイニシャライズ（初期化）を行って記録再生に
供した。
公知のスプレー法によって４ミクロン厚で記録層５上に
形成し、紫外線Ａ＋Ｂ波照射によって硬化させた。この
情報記録ディスクをトラックに垂直な方向に破断し、断
面形状を走査型電子顕微鏡で観察したところ、図４のよ
うな断面形状であることが確認できた。そしてこのディ
スク２枚を、保護層６が互いに対向するように接着層で
貼り合わせた（図示せず）。なお接着層は遅効性カチオ
ン系紫外線硬化樹脂を使用した。この情報記録ディスク
に公知のイニシャライズ（初期化）を行って記録再生に
供した。
【０１２５】使用した記録装置はレーザー波長６５０ｎ
ｍ、対物レンズ開口数０．６であり、記録パワーは１１
ｍＷ、消去パワーは４．５ｍＷ、再生パワーは１ｍＷで
あった。記録信号は８−１６変調のランダム信号を使用
し、最短マーク長である３Ｔは０．６ミクロンとした。
ｍ、対物レンズ開口数０．６であり、記録パワーは１１
ｍＷ、消去パワーは４．５ｍＷ、再生パワーは１ｍＷで
あった。記録信号は８−１６変調のランダム信号を使用
し、最短マーク長である３Ｔは０．６ミクロンとした。
【０１２６】まず未記録トラックを連続して３本選び、
トラックａ，ｂ，ｃと名付ける。中央のトラックである
ｂに記録し、そのまま再生してジッターを測定した（Ｊ
１）。続いてその隣のトラックａに記録し、再びトラッ
クｂのジッターを測定した（Ｊ２）。更にトラックｃに
記録し、再びトラックｂのジッターを測定した（Ｊ
３）。トラックｂのジッター測定は、都合３回に渡って
行い、しかもランドとグルーブそれぞれについて行っ
て、図２５の結果を得た。
トラックａ，ｂ，ｃと名付ける。中央のトラックである
ｂに記録し、そのまま再生してジッターを測定した（Ｊ
１）。続いてその隣のトラックａに記録し、再びトラッ
クｂのジッターを測定した（Ｊ２）。更にトラックｃに
記録し、再びトラックｂのジッターを測定した（Ｊ
３）。トラックｂのジッター測定は、都合３回に渡って
行い、しかもランドとグルーブそれぞれについて行っ
て、図２５の結果を得た。
【０１２７】図２５に示すように、隣接トラックに記録
を行うに従って、ランド、グルーブともジッターは徐々
に増加してゆくがその変化量は最大で０．６％程度であ
り、クロスイレーズはほとんど見られなかった。またジ
ッターは２．６ＧＢ ＤＶＤ−ＲＡＭ規格では８．５％
以下と決められているが、それを充分クリアしていた。
これはＤＶＤ−ＲＡＭと同じ記録層を使用しながら、ト
ラックピッチを１．４８から１．１ミクロンに詰めるこ
とができ、記録密度を少なくとも約１．４倍に高められ
ることを意味している。
を行うに従って、ランド、グルーブともジッターは徐々
に増加してゆくがその変化量は最大で０．６％程度であ
り、クロスイレーズはほとんど見られなかった。またジ
ッターは２．６ＧＢ ＤＶＤ−ＲＡＭ規格では８．５％
以下と決められているが、それを充分クリアしていた。
これはＤＶＤ−ＲＡＭと同じ記録層を使用しながら、ト
ラックピッチを１．４８から１．１ミクロンに詰めるこ
とができ、記録密度を少なくとも約１．４倍に高められ
ることを意味している。
【０１２８】（比較例１）比較のために図６に示した構
成の従来型ディスクを用意し、同様な手法にて記録再生
特性を調べた。ここで支持体７は、図５に示した構成の
ポリカーボネートであり、ランド２の幅は０．５１ミク
ロンであり、グルーブ３の幅は０．５９ミクロンであ
る。従ってトラックピッチは実施例４と同じ１．１ミク
ロンになっている。測定結果を図２６に示すが、隣接ト
ラックの記録に伴って、ランド、グルーブ共にジッター
が著しく増加し、最大で１７％近い増加量が見られた。
これは顕著なクロスイレーズを示しており、従来型支持
体を使用した場合にはトラックピッチを詰められないこ
とを意味している。
成の従来型ディスクを用意し、同様な手法にて記録再生
特性を調べた。ここで支持体７は、図５に示した構成の
ポリカーボネートであり、ランド２の幅は０．５１ミク
ロンであり、グルーブ３の幅は０．５９ミクロンであ
る。従ってトラックピッチは実施例４と同じ１．１ミク
ロンになっている。測定結果を図２６に示すが、隣接ト
ラックの記録に伴って、ランド、グルーブ共にジッター
が著しく増加し、最大で１７％近い増加量が見られた。
これは顕著なクロスイレーズを示しており、従来型支持
体を使用した場合にはトラックピッチを詰められないこ
とを意味している。
【０１２９】このように相変化型記録ディスクであって
も、本発明の情報記録媒体用支持体であるクレビスは効
果を発揮する。本発明の情報記録媒体は図４に示したよ
うに、記録層４をトラック毎に分断するため、隣接トラ
ックの記録時に発生するレーザー熱の伝搬が著しく抑え
られ、記録情報の不必要な消去を未然に防止できるもの
である。なお上述した実施例では、図３に示した支持体
１Ｂを使用したが、グルーブ３とランド２のいずれか一
方しか使用しない場合には、片側しかクレビス４を有し
ない支持体１Ａ（図１）を用いることができるのは、言
うまでもない。
も、本発明の情報記録媒体用支持体であるクレビスは効
果を発揮する。本発明の情報記録媒体は図４に示したよ
うに、記録層４をトラック毎に分断するため、隣接トラ
ックの記録時に発生するレーザー熱の伝搬が著しく抑え
られ、記録情報の不必要な消去を未然に防止できるもの
である。なお上述した実施例では、図３に示した支持体
１Ｂを使用したが、グルーブ３とランド２のいずれか一
方しか使用しない場合には、片側しかクレビス４を有し
ない支持体１Ａ（図１）を用いることができるのは、言
うまでもない。
【０１３０】さて、グルーブ３を形成する際に同時発生
的にクレビス４を形成する方法について、（製造方法実
施例１）〜（製造方法実施例４）で詳しく説明してき
た。ここでは、前記したガラスマスター１１Ｂとは別の
ガラスマスター３１Ｂの形成手段について説明する。
的にクレビス４を形成する方法について、（製造方法実
施例１）〜（製造方法実施例４）で詳しく説明してき
た。ここでは、前記したガラスマスター１１Ｂとは別の
ガラスマスター３１Ｂの形成手段について説明する。
【０１３１】本発明になる情報記録媒体用支持体の製造
方法の工程中において作製するガラスマスターの形成手
段は、次の（a）〜(ｆ)の手順を経て行われる（説明の
都合上図２７を用いる）。即ち、
方法の工程中において作製するガラスマスターの形成手
段は、次の（a）〜(ｆ)の手順を経て行われる（説明の
都合上図２７を用いる）。即ち、
【０１３２】（ａ） 表面を高精度に研磨、洗浄した母
型盤３１を用意する。 （ａ） 母型盤３１上に、ドライエッチング可能な被エ
ッチング材料を均一に成膜してエッチング層３０を形成
する。 （ｃ） このエッチング層３０上に、ドライエッチング
時に耐性を有するマスク材料を均一に成膜してパターニ
ングマスク８を形成する。
型盤３１を用意する。 （ａ） 母型盤３１上に、ドライエッチング可能な被エ
ッチング材料を均一に成膜してエッチング層３０を形成
する。 （ｃ） このエッチング層３０上に、ドライエッチング
時に耐性を有するマスク材料を均一に成膜してパターニ
ングマスク８を形成する。
【０１３３】（ｄ） 続いて、これに常法であるフォト
リソグラフィー法により必要な微細トラックパターンに
略対応したパターンを形成する。ここで平坦部９は加工
後のランド２に略対応し、開口部１０は後のグルーブ３
及びクレビス４に略対応する。 （e） 次に、このパターニングマスク８を表面に有す
るエッチング層３０に、前記したドライエッチング装置
ＡＡ，ＢＢを用い、エッチング層３０上の開口部１０内
にドライエッチングを行って、グルーブ３及びクレビス
４を同時にエッチング層３０に彫り込む。
リソグラフィー法により必要な微細トラックパターンに
略対応したパターンを形成する。ここで平坦部９は加工
後のランド２に略対応し、開口部１０は後のグルーブ３
及びクレビス４に略対応する。 （e） 次に、このパターニングマスク８を表面に有す
るエッチング層３０に、前記したドライエッチング装置
ＡＡ，ＢＢを用い、エッチング層３０上の開口部１０内
にドライエッチングを行って、グルーブ３及びクレビス
４を同時にエッチング層３０に彫り込む。
【０１３４】（ｆ） この後、残存したパターニングマ
スク８を除去して、エッチング層３０を表面に有するガ
ラスマスター３１Ｂが完成する。
スク８を除去して、エッチング層３０を表面に有するガ
ラスマスター３１Ｂが完成する。
【０１３５】ここで重要なのは母型盤３１上にはエッチ
ング層３０が薄く被着され、グルーブ３とクレビス４
は、クレビスを同時に形成され、更にクレビスの深さ
と、エッチング層３０の厚さが略同じであるということ
である。これらについて説明するために、本発明の製造
方法を実施例５で詳しく説明する。
ング層３０が薄く被着され、グルーブ３とクレビス４
は、クレビスを同時に形成され、更にクレビスの深さ
と、エッチング層３０の厚さが略同じであるということ
である。これらについて説明するために、本発明の製造
方法を実施例５で詳しく説明する。
【０１３６】（製造方法実施例５）、[媒体実施例 ５] つぎに、本発明の情報記録媒体用支持体の製造方法の
（製造方法実施例５）として、ガラスマスター３１Ｂか
ら支持体複製用スタンパーを製造し、この複製用スタン
パーを用いてプラスチック製の支持体１Ｂを製造する方
法について、（３１）〜（３９）（図２７（a）〜
(ｆ)）を用いて説明する。前述したものと同一部分には
同一符号を付しその説明を省略する。即ち、
（製造方法実施例５）として、ガラスマスター３１Ｂか
ら支持体複製用スタンパーを製造し、この複製用スタン
パーを用いてプラスチック製の支持体１Ｂを製造する方
法について、（３１）〜（３９）（図２７（a）〜
(ｆ)）を用いて説明する。前述したものと同一部分には
同一符号を付しその説明を省略する。即ち、
【０１３７】（３１） 表面を高精度に研磨、洗浄した
無アルカリガラス（直径１８５ｍｍ×内径２０ｍｍ×厚
さ６ｍｍ）からなる母型盤３１を用意する（図２７
（a））。 （３２） この鏡面母型盤３１上に、被エッチング材料
を均一に成膜してエッチング層３０を形成する。ここで
はオルガノシロキサンのエタノール溶液を均一に回転成
膜し、１５０度で６０分ベーキングすることによって５
０ｎｍのオルガノシリカ層（エッチング層３０）を形成
した（図２７（ｂ））。
無アルカリガラス（直径１８５ｍｍ×内径２０ｍｍ×厚
さ６ｍｍ）からなる母型盤３１を用意する（図２７
（a））。 （３２） この鏡面母型盤３１上に、被エッチング材料
を均一に成膜してエッチング層３０を形成する。ここで
はオルガノシロキサンのエタノール溶液を均一に回転成
膜し、１５０度で６０分ベーキングすることによって５
０ｎｍのオルガノシリカ層（エッチング層３０）を形成
した（図２７（ｂ））。
【０１３８】（３３） 続いて、これにマスク材として
フォトレジストを均一に成膜して、パターニングマスク
８を形成する（図２７（ｃ））。 （３４） 続いて、これに常法であるフォトリソグラフ
ィー法により、必要な微細トラックパターンに略対応し
たパターンを形成する（図２７（ｄ））。即ちパターニ
ングマスク８であるフォトレジスト膜上に対物レンズに
より絞り込んだレーザービームを照射し、スパイラル状
の溝パターンを記録し、現像を行った（この工程図示せ
ず）。これにより、平坦部９が略０．４ミクロン、開口
部１０が略０．４１ミクロンの平行スパイラルパターン
が得られた。
フォトレジストを均一に成膜して、パターニングマスク
８を形成する（図２７（ｃ））。 （３４） 続いて、これに常法であるフォトリソグラフ
ィー法により、必要な微細トラックパターンに略対応し
たパターンを形成する（図２７（ｄ））。即ちパターニ
ングマスク８であるフォトレジスト膜上に対物レンズに
より絞り込んだレーザービームを照射し、スパイラル状
の溝パターンを記録し、現像を行った（この工程図示せ
ず）。これにより、平坦部９が略０．４ミクロン、開口
部１０が略０．４１ミクロンの平行スパイラルパターン
が得られた。
【０１３９】（３５） これを平行平板型ドライエッチ
ング装置ＢＢ（図１８）に設置し、エッチング層３０上
の開口部１０内にドライエッチングを行った（図２７
（ｅ））。エッチング条件は エッチングガス： Ｃ4Ｆ8 ガス圧力： ４５ｍｔｏｒｒ ガス流量： ５０ｓｃｃｍ エッチング時間： ５０秒 である。
ング装置ＢＢ（図１８）に設置し、エッチング層３０上
の開口部１０内にドライエッチングを行った（図２７
（ｅ））。エッチング条件は エッチングガス： Ｃ4Ｆ8 ガス圧力： ４５ｍｔｏｒｒ ガス流量： ５０ｓｃｃｍ エッチング時間： ５０秒 である。
【０１４０】（３６） 次に加温した硫酸・過酸化水素
水混合液による分解処理によって、パターニングマスク
８を除去し、ガラスマスター３１Ｂを得た（図２７
（ｆ））。
水混合液による分解処理によって、パターニングマスク
８を除去し、ガラスマスター３１Ｂを得た（図２７
（ｆ））。
【０１４１】（３７） 以下、（製造方法実施例３）の
（２６）〜（２８）の工程と同様な工程に従ってスタン
パーを完成させた（図示せず。図１９（ｆ）〜（ｈ）に
対応）。 （３８） 次にこのスタンパーを公知の２Ｐ成形機に取
り付け、スタンパーとは凹凸が反転した支持体１Ｂを作
成した。それは図２８に記載した断面構造を有し、強化
ガラス（化学強化ガラスまたは熱強化ガラス）からなる
外径５０ｍｍ×内径１１ｍｍ×厚さ０．６ｍｍのベース
盤３２と、紫外線硬化樹脂からなる１０ミクロンの樹脂
層３３から構成されている。
（２６）〜（２８）の工程と同様な工程に従ってスタン
パーを完成させた（図示せず。図１９（ｆ）〜（ｈ）に
対応）。 （３８） 次にこのスタンパーを公知の２Ｐ成形機に取
り付け、スタンパーとは凹凸が反転した支持体１Ｂを作
成した。それは図２８に記載した断面構造を有し、強化
ガラス（化学強化ガラスまたは熱強化ガラス）からなる
外径５０ｍｍ×内径１１ｍｍ×厚さ０．６ｍｍのベース
盤３２と、紫外線硬化樹脂からなる１０ミクロンの樹脂
層３３から構成されている。
【０１４２】また支持体（ディスク基体）１Ｂの樹脂層
３３の表面の形状は、図２９の寸法を満足しており、即
ち、ランド２の幅Ｗｌは０．４０ミクロン、グルーブ３
の幅（Ｗｇ＋２Ｗｃ）の内の幅Ｗｇは０．４０ミクロ
ン、グルーブ３の深さＤｇは０．０５ミクロン、クレビ
ス４の幅Ｗｃは０．０５ミクロン、クレビス４の深さＤ
ｃは０．０７ミクロンである。
３３の表面の形状は、図２９の寸法を満足しており、即
ち、ランド２の幅Ｗｌは０．４０ミクロン、グルーブ３
の幅（Ｗｇ＋２Ｗｃ）の内の幅Ｗｇは０．４０ミクロ
ン、グルーブ３の深さＤｇは０．０５ミクロン、クレビ
ス４の幅Ｗｃは０．０５ミクロン、クレビス４の深さＤ
ｃは０．０７ミクロンである。
【０１４３】（３９）次に、このディスク基体１Ｂ上に
記録層５と保護層６を形成した。記録層５は[媒体実施
例 ５]として、図３０に示した記録材料で構成し、公
知のスパッタリング法によって成膜した。即ち、光磁気
超解像膜の１つであるＣＡＤ型超解像膜の一例として、
３層の光磁気膜（ＧｄＦｅＣｏ，ＡｌＮ，ＤｙＦｅＣ
ｏ）を、ＳｉＮとＡｌＮとの２つの誘電体層でサンドイ
ッチした構造とした。次に保護層６を公知の回転成膜法
によって、紫外線硬化樹脂を８ミクロン厚で形成し、紫
外線Ａ＋Ｂ＋Ｃ波照射によって硬化させた。この情報記
録ディスクをトラックに垂直な方向に破断し、断面形状
を走査型電子顕微鏡で観察したところ、図４に示すよう
な断面形状であることが確認できた。
記録層５と保護層６を形成した。記録層５は[媒体実施
例 ５]として、図３０に示した記録材料で構成し、公
知のスパッタリング法によって成膜した。即ち、光磁気
超解像膜の１つであるＣＡＤ型超解像膜の一例として、
３層の光磁気膜（ＧｄＦｅＣｏ，ＡｌＮ，ＤｙＦｅＣ
ｏ）を、ＳｉＮとＡｌＮとの２つの誘電体層でサンドイ
ッチした構造とした。次に保護層６を公知の回転成膜法
によって、紫外線硬化樹脂を８ミクロン厚で形成し、紫
外線Ａ＋Ｂ＋Ｃ波照射によって硬化させた。この情報記
録ディスクをトラックに垂直な方向に破断し、断面形状
を走査型電子顕微鏡で観察したところ、図４に示すよう
な断面形状であることが確認できた。
【０１４４】次にこの情報記録ディスクをランド２に焦
点を結びながら、１，７変調信号の記録再生を行った。
ここで使用した記録装置は、波長６３５ｎｍ、レンズ開
口数０．６であり、記録パワーは１０．５ｍＷ、再生パ
ワーは２．０ｍＷであった。１，７変調信号は前述した
例とは異なり、２Ｔ〜８Ｔの各種マーク長の信号がラン
ダムに送出されるものである。ここで最短マーク長（２
Ｔ）を０．１８ミクロンに設定した場合、再生信号のジ
ッターは１０．５％が得られ、充分再生できるレベルで
あった。
点を結びながら、１，７変調信号の記録再生を行った。
ここで使用した記録装置は、波長６３５ｎｍ、レンズ開
口数０．６であり、記録パワーは１０．５ｍＷ、再生パ
ワーは２．０ｍＷであった。１，７変調信号は前述した
例とは異なり、２Ｔ〜８Ｔの各種マーク長の信号がラン
ダムに送出されるものである。ここで最短マーク長（２
Ｔ）を０．１８ミクロンに設定した場合、再生信号のジ
ッターは１０．５％が得られ、充分再生できるレベルで
あった。
【０１４５】なおジッターはＤＶＤ規格（ＪＩＳ−Ｘ−
６２４１附属書Ｆ）に準じた手法によって測定した。理
論的に計算される再生限界は、マーク長０．２５ミクロ
ンであるから、超解像現象が発現できていることが確認
できた。
６２４１附属書Ｆ）に準じた手法によって測定した。理
論的に計算される再生限界は、マーク長０．２５ミクロ
ンであるから、超解像現象が発現できていることが確認
できた。
【０１４６】次にこの情報記録ディスクをグルーブ３に
焦点を結びながら同様に記録再生したところ、同様に最
短マーク長（２Ｔ）を０．１８ミクロンに設定した場
合、再生信号のジッターは１１．０％が得られ、充分再
生できるレベルであった。この場合も超解像現象が発現
できていることが確認できた。以上のようにＤＷＤＤ以
外の超解像光磁気膜であってもランド・グルーブ記録が
達成できていることが確認できた。
焦点を結びながら同様に記録再生したところ、同様に最
短マーク長（２Ｔ）を０．１８ミクロンに設定した場
合、再生信号のジッターは１１．０％が得られ、充分再
生できるレベルであった。この場合も超解像現象が発現
できていることが確認できた。以上のようにＤＷＤＤ以
外の超解像光磁気膜であってもランド・グルーブ記録が
達成できていることが確認できた。
【０１４７】（比較例２）比較のために図６に示した構
成の従来型ＣＡＤディスク（記録層は図３０図示と同
じ）を用意し、同様な手法にて記録再生特性を調べた。
ここで支持体７は、図５に示した構成のポリカーボネー
トであり、ランド２の幅は０．４０ミクロンであり、グ
ルーブ３の幅は０．４１ミクロンである。従ってトラッ
クピッチは実施例５と同じ０．８１ミクロンになってい
る。ランドとグルーブ、交互に記録を連続的に行って再
生したところ、ランド、グルーブとも再生できなかっ
た。解析を行ったところ、従来型支持体を使用した場合
にはクロスイレーズが顕著であり、ランドを書いたとき
に隣接したグルーブが、グルーブを書いたときに隣接し
たランドが消去されていることが原因であった。即ち従
来型支持体７ではクロスイレーズにより、狭いトラック
ピッチは実現できないことを意味している。
成の従来型ＣＡＤディスク（記録層は図３０図示と同
じ）を用意し、同様な手法にて記録再生特性を調べた。
ここで支持体７は、図５に示した構成のポリカーボネー
トであり、ランド２の幅は０．４０ミクロンであり、グ
ルーブ３の幅は０．４１ミクロンである。従ってトラッ
クピッチは実施例５と同じ０．８１ミクロンになってい
る。ランドとグルーブ、交互に記録を連続的に行って再
生したところ、ランド、グルーブとも再生できなかっ
た。解析を行ったところ、従来型支持体を使用した場合
にはクロスイレーズが顕著であり、ランドを書いたとき
に隣接したグルーブが、グルーブを書いたときに隣接し
たランドが消去されていることが原因であった。即ち従
来型支持体７ではクロスイレーズにより、狭いトラック
ピッチは実現できないことを意味している。
【０１４８】以上述べてきたように母型盤３１の上に、
微細パターンの元となるエッチング層３０を形成し、こ
れを加工することによっても、本発明の情報記録媒体用
支持体を得ることができる。ここでエッチング層３０の
材質は問わず、例えば母型盤３１と同じであっても異な
ってもよいが、ドライエッチングが可能な材料であるこ
とが必要最低限の条件である。例えば、酸化珪素のＰＶ
Ｄ膜（物理的気相法による膜、例えばスパッタリング、
真空蒸着による膜）、酸化珪素のＣＶＤ膜（化学的気相
法による膜、例えばシランガスを原料とするプラズマ分
解生成膜）、酸化珪素の熱酸化膜（例えば高圧酸化雰囲
気化での成長膜）なども用いることができるし、（製造
方法実施例５）で記載したように、回転成膜膜（オルガ
ノシロキサンの溶液をベーキングして得られるオルガノ
シリカ膜や、オルガノシラザンの溶液を酸素中でベーキ
ングして得られるオルガノシリカ膜や、同溶液を非酸素
中でベーキングして得られるオルガノシリコンナイトラ
イド膜や、テトラヒドロキシシランの溶液をベーキング
して得られる酸化珪素膜）などが挙げられる。
微細パターンの元となるエッチング層３０を形成し、こ
れを加工することによっても、本発明の情報記録媒体用
支持体を得ることができる。ここでエッチング層３０の
材質は問わず、例えば母型盤３１と同じであっても異な
ってもよいが、ドライエッチングが可能な材料であるこ
とが必要最低限の条件である。例えば、酸化珪素のＰＶ
Ｄ膜（物理的気相法による膜、例えばスパッタリング、
真空蒸着による膜）、酸化珪素のＣＶＤ膜（化学的気相
法による膜、例えばシランガスを原料とするプラズマ分
解生成膜）、酸化珪素の熱酸化膜（例えば高圧酸化雰囲
気化での成長膜）なども用いることができるし、（製造
方法実施例５）で記載したように、回転成膜膜（オルガ
ノシロキサンの溶液をベーキングして得られるオルガノ
シリカ膜や、オルガノシラザンの溶液を酸素中でベーキ
ングして得られるオルガノシリカ膜や、同溶液を非酸素
中でベーキングして得られるオルガノシリコンナイトラ
イド膜や、テトラヒドロキシシランの溶液をベーキング
して得られる酸化珪素膜）などが挙げられる。
【０１４９】ここで特に母型盤３１の１．５倍以上のエ
ッチング速度を有する材料をエッチング層３０として選
択すると、クレビス４の深さが均一に仕上がるという利
点が出てくる。即ちエッチング層３０は、比較的高速に
エッチングが進行し、グルーブ３とクレビス４を形成す
るが、クレビス４の深さがエッチング層３０の厚さと同
じとなった時点で、エッチングが事実上終了する。つま
り母型３１のエッチング速度がエッチング層３０よりも
遅いために、更なるエッチングを行っても、それ以上の
進行は極めて緩慢となる。
ッチング速度を有する材料をエッチング層３０として選
択すると、クレビス４の深さが均一に仕上がるという利
点が出てくる。即ちエッチング層３０は、比較的高速に
エッチングが進行し、グルーブ３とクレビス４を形成す
るが、クレビス４の深さがエッチング層３０の厚さと同
じとなった時点で、エッチングが事実上終了する。つま
り母型３１のエッチング速度がエッチング層３０よりも
遅いために、更なるエッチングを行っても、それ以上の
進行は極めて緩慢となる。
【０１５０】この結果、仮にエッチングが不均一であっ
ても、クレビス４の深さは揃い、再現性のよいガラスマ
スター３１Ｂを作ることができるのである。（製造方法
実施例５）では母型盤３１に無アルカリガラス、エッチ
ング層３０にオルガノシリカを選んだが、オルガノシリ
カは無アルカリガラスの１．５倍以上のエッチング速度
を有している例である。望ましくはこの速度比が２倍以
上、更に望ましくは３倍以上となるように母型３１とエ
ッチング層３０を選択する。
ても、クレビス４の深さは揃い、再現性のよいガラスマ
スター３１Ｂを作ることができるのである。（製造方法
実施例５）では母型盤３１に無アルカリガラス、エッチ
ング層３０にオルガノシリカを選んだが、オルガノシリ
カは無アルカリガラスの１．５倍以上のエッチング速度
を有している例である。望ましくはこの速度比が２倍以
上、更に望ましくは３倍以上となるように母型３１とエ
ッチング層３０を選択する。
【０１５１】次に、本発明になる情報記録媒体用支持体
の製造方法の工程中において作製するガラスマスターの
別の形成手段は、次の（a）〜(ｇ)の手順を経て行われ
る（説明の都合上図３１を用いる）。即ち、
の製造方法の工程中において作製するガラスマスターの
別の形成手段は、次の（a）〜(ｇ)の手順を経て行われ
る（説明の都合上図３１を用いる）。即ち、
【０１５２】（ａ） 表面を高精度に研磨、洗浄した母
型盤４１を用意する。 （ｂ） 母型盤４１上に、ドライエッチング可能な被エ
ッチング材料を均一に成膜してエッチング層３０を形成
する。ただしここでエッチング材料４０は母型４１に比
べ、エッチング速度の遅い材料を選択する。 （ｃ） このエッチング層４０上に、ドライエッチング
時に耐性を有するマスク材料を均一に成膜してパターニ
ングマスク８を形成する。
型盤４１を用意する。 （ｂ） 母型盤４１上に、ドライエッチング可能な被エ
ッチング材料を均一に成膜してエッチング層３０を形成
する。ただしここでエッチング材料４０は母型４１に比
べ、エッチング速度の遅い材料を選択する。 （ｃ） このエッチング層４０上に、ドライエッチング
時に耐性を有するマスク材料を均一に成膜してパターニ
ングマスク８を形成する。
【０１５３】（ｄ） 続いて、これに常法であるフォト
リソグラフィー法により必要な微細トラックパターンに
略対応したパターンを形成する。ここで平坦部９は加工
後のランド２に略対応し、開口部１０は後のグルーブ３
及びクレビス４に略対応する。 （e） 次に、このパターニングマスク８を表面に有す
るエッチング層４０に、前記したドライエッチング装置
ＡＡ又はＢＢを用い、エッチング層４０上の開口部１０
内にドライエッチングを行って、グルーブ３及びクレビ
ス４を同時にエッチング層４０に彫り込む。
リソグラフィー法により必要な微細トラックパターンに
略対応したパターンを形成する。ここで平坦部９は加工
後のランド２に略対応し、開口部１０は後のグルーブ３
及びクレビス４に略対応する。 （e） 次に、このパターニングマスク８を表面に有す
るエッチング層４０に、前記したドライエッチング装置
ＡＡ又はＢＢを用い、エッチング層４０上の開口部１０
内にドライエッチングを行って、グルーブ３及びクレビ
ス４を同時にエッチング層４０に彫り込む。
【０１５４】（ｆ） ここで、少なくともクレビス４が
母型盤４１の表面よりも内部に進行するまでエッチング
を継続する。理想的にはグルーブ３の底が、母型盤４１
の表面に達したところでエッチングを停止する。 （ｇ） この後、残存したパターニングマスク８を除去
して、エッチング層４０を表面に有する支持体４１Ｂが
完成する。ここで重要なのは母型盤４１上にはエッチン
グ層４０が薄く被着され、グルーブ３とクレビス４は略
同時に形成され、更にクレビス４は母型盤４１に対して
刻まれていることである。
母型盤４１の表面よりも内部に進行するまでエッチング
を継続する。理想的にはグルーブ３の底が、母型盤４１
の表面に達したところでエッチングを停止する。 （ｇ） この後、残存したパターニングマスク８を除去
して、エッチング層４０を表面に有する支持体４１Ｂが
完成する。ここで重要なのは母型盤４１上にはエッチン
グ層４０が薄く被着され、グルーブ３とクレビス４は略
同時に形成され、更にクレビス４は母型盤４１に対して
刻まれていることである。
【０１５５】（製造方法実施例６）次に本発明の情報記
録媒体用支持体の製造方法の（製造方法実施例６）とし
て、ガラスマスター４１Ｂから支持体複製用スタンパー
を製造し、この複製用スタンパーを用いてプラスチック
製の支持体１Ｂを製造する方法について、（４１）〜
（４９）（図３１（a）〜(ｇ)）を用いて説明する。前
述したものと同一部分には同一符号を付しその説明を省
略する。即ち、
録媒体用支持体の製造方法の（製造方法実施例６）とし
て、ガラスマスター４１Ｂから支持体複製用スタンパー
を製造し、この複製用スタンパーを用いてプラスチック
製の支持体１Ｂを製造する方法について、（４１）〜
（４９）（図３１（a）〜(ｇ)）を用いて説明する。前
述したものと同一部分には同一符号を付しその説明を省
略する。即ち、
【０１５６】（４１） 表面を高精度に研磨、洗浄した
石英ガラス（直径１６０ｍｍ×３ｍｍ厚）からなる母型
盤４１を用意する（図３１（a））。 （４２） この鏡面母型盤４１上に、被エッチング材料
を均一に成膜してエッチング層４０を形成する。ここで
はモリブデンをスパッタ成膜し、均一な７０ｎｍのモリ
ブデン層（エッチング層４０）を形成した（図３１
（ｂ））。
石英ガラス（直径１６０ｍｍ×３ｍｍ厚）からなる母型
盤４１を用意する（図３１（a））。 （４２） この鏡面母型盤４１上に、被エッチング材料
を均一に成膜してエッチング層４０を形成する。ここで
はモリブデンをスパッタ成膜し、均一な７０ｎｍのモリ
ブデン層（エッチング層４０）を形成した（図３１
（ｂ））。
【０１５７】（４３） 続いて、これにマスク材として
フォトレジストを均一に成膜して、パターニングマスク
８を形成する（図３１（ｃ））。 （４４） 続いて、これに常法であるフォトリソグラフ
ィー法により、必要な微細トラックパターンに略対応し
たパターンを形成する（図３１（ｄ））。即ちパターニ
ングマスク８であるフォトレジスト膜上に対物レンズに
より絞り込んだレーザービームを照射し、同芯円状の溝
パターンを記録し、現像を行った（この工程図示せ
ず）。これにより、平坦部９が略０．３ミクロン、開口
部１０が略０．３ミクロンの平行同芯円パターンが得ら
れた。
フォトレジストを均一に成膜して、パターニングマスク
８を形成する（図３１（ｃ））。 （４４） 続いて、これに常法であるフォトリソグラフ
ィー法により、必要な微細トラックパターンに略対応し
たパターンを形成する（図３１（ｄ））。即ちパターニ
ングマスク８であるフォトレジスト膜上に対物レンズに
より絞り込んだレーザービームを照射し、同芯円状の溝
パターンを記録し、現像を行った（この工程図示せ
ず）。これにより、平坦部９が略０．３ミクロン、開口
部１０が略０．３ミクロンの平行同芯円パターンが得ら
れた。
【０１５８】（４５） これを平行平板型ドライエッチ
ング装置ＢＢ（図１８）に設置し、エッチング層４０上
の開口部１０内にドライエッチングを行った（図３１
（ｅ），（ｆ））。エッチング条件は エッチングガス： Ｃ5Ｆ8 ガス圧力： １００ｍｔｏｒｒ ガス流量： ８５ｓｃｃｍ エッチング時間： ３分１０秒 である。
ング装置ＢＢ（図１８）に設置し、エッチング層４０上
の開口部１０内にドライエッチングを行った（図３１
（ｅ），（ｆ））。エッチング条件は エッチングガス： Ｃ5Ｆ8 ガス圧力： １００ｍｔｏｒｒ ガス流量： ８５ｓｃｃｍ エッチング時間： ３分１０秒 である。
【０１５９】（４６） 次に加温したレジスト剥離液１
０５（東京応化工業（株）製）による分解処理によっ
て、パターニングマスク８を除去し、ガラスマスター４
１Ｂを得た（図３１（ｇ））。 （４７） 以下、（製造方法実施例３）の（２６）〜
（２８）の工程と同様な工程に従ってスタンパーを完成
させた（図示せず。図１９（ｆ）〜（ｈ）に対応）。
０５（東京応化工業（株）製）による分解処理によっ
て、パターニングマスク８を除去し、ガラスマスター４
１Ｂを得た（図３１（ｇ））。 （４７） 以下、（製造方法実施例３）の（２６）〜
（２８）の工程と同様な工程に従ってスタンパーを完成
させた（図示せず。図１９（ｆ）〜（ｈ）に対応）。
【０１６０】（４８） 次に（製造方法実施例３）の
（２９）の工程と同様な工程に従って、プラスチック支
持体１Ｂを製造した。ただし製造条件は若干変更して、
支持体１Ｂは直径は１３０ｍｍ、厚みは０．３ｍｍの非
晶質ポリオレフィン製である。この支持体１Ｂをトラッ
クに垂直な方向に破断し、断面形状を走査型電子顕微鏡
で観察したところ、図３のような断面形状であることが
確認できた。また表面の形状は図３２の寸法になってお
り、即ち、ランド２の幅Ｗｌは０．３０ミクロン、グル
ーブ３の幅（Ｗｇ＋２Ｗｃ）のうち、幅Ｗｇは０．２０
ミクロン、グルーブ３の深さＤｇは０．０５ミクロン、
クレビス４の幅Ｗｃは０．０５ミクロン、クレビス４の
深さＤｃは０．１０ミクロンである。従ってトラックピ
ッチは０．６ミクロンになっている。
（２９）の工程と同様な工程に従って、プラスチック支
持体１Ｂを製造した。ただし製造条件は若干変更して、
支持体１Ｂは直径は１３０ｍｍ、厚みは０．３ｍｍの非
晶質ポリオレフィン製である。この支持体１Ｂをトラッ
クに垂直な方向に破断し、断面形状を走査型電子顕微鏡
で観察したところ、図３のような断面形状であることが
確認できた。また表面の形状は図３２の寸法になってお
り、即ち、ランド２の幅Ｗｌは０．３０ミクロン、グル
ーブ３の幅（Ｗｇ＋２Ｗｃ）のうち、幅Ｗｇは０．２０
ミクロン、グルーブ３の深さＤｇは０．０５ミクロン、
クレビス４の幅Ｗｃは０．０５ミクロン、クレビス４の
深さＤｃは０．１０ミクロンである。従ってトラックピ
ッチは０．６ミクロンになっている。
【０１６１】このように母型盤４１の上に、微細パター
ンの元となるエッチング層４０を形成し、これを加工す
ることによって、本発明を達成することができる。ここ
でエッチング層４０の材質はドライエッチングが可能な
材料であって、母型盤４１に比べ、エッチング速度の遅
い材料であることが必要最低限の条件である。
ンの元となるエッチング層４０を形成し、これを加工す
ることによって、本発明を達成することができる。ここ
でエッチング層４０の材質はドライエッチングが可能な
材料であって、母型盤４１に比べ、エッチング速度の遅
い材料であることが必要最低限の条件である。
【０１６２】特に母型盤４１に比べ、エッチング速度が
０．７５倍以下であることが望ましく、更に望ましくは
０．５倍以下である。その材料は、母型盤４１に何を選
ぶかによって変わってくるが、例えばモリブデンや、シ
リコン、タンタルやこれらを含む合金（酸化物、窒化
物、炭化物の例を含む）から選ぶことができる。このよ
うな速度比でエッチング層４０を選択すると、エッチン
グ層４０は、比較的低速にエッチングが進行する。そし
てエッチング層４０内にグルーブ３とクレビス４を形成
するが、クレビス４の深さがエッチング層４０の厚さと
同じとなった時点から、エッチングは事実上加速され
る。
０．７５倍以下であることが望ましく、更に望ましくは
０．５倍以下である。その材料は、母型盤４１に何を選
ぶかによって変わってくるが、例えばモリブデンや、シ
リコン、タンタルやこれらを含む合金（酸化物、窒化
物、炭化物の例を含む）から選ぶことができる。このよ
うな速度比でエッチング層４０を選択すると、エッチン
グ層４０は、比較的低速にエッチングが進行する。そし
てエッチング層４０内にグルーブ３とクレビス４を形成
するが、クレビス４の深さがエッチング層４０の厚さと
同じとなった時点から、エッチングは事実上加速され
る。
【０１６３】つまり母型盤４１のエッチング速度がエッ
チング層４０よりも速いために、更なるエッチングを行
うと、クレビス４のみ深く進行することになる。この結
果、エッチング途中（図３１（ｅ））の形状よりも、ク
レビス４を強調した形状が形成されることになる。従っ
て深いクレビス４を形成したい場合に本方法は有効であ
る。
チング層４０よりも速いために、更なるエッチングを行
うと、クレビス４のみ深く進行することになる。この結
果、エッチング途中（図３１（ｅ））の形状よりも、ク
レビス４を強調した形状が形成されることになる。従っ
て深いクレビス４を形成したい場合に本方法は有効であ
る。
【０１６４】さて以上述べたように、（製造方法実施例
１）〜（製造方法実施例６）ではドライエッチングによ
りクレビス４を作製する方法について述べてきた。ここ
ではドライエッチングに依らない、別の形成手段につい
て説明する。
１）〜（製造方法実施例６）ではドライエッチングによ
りクレビス４を作製する方法について述べてきた。ここ
ではドライエッチングに依らない、別の形成手段につい
て説明する。
【０１６５】本発明になる情報記録媒体用支持体の製造
方法の工程中において作製するガラスマスターをドライ
エッチングに依らない別の形成手段でガラスマスター５
１Ｂを作製する方法は、次の（a）〜(ｄ)の手順を経て
行われる（説明の都合上図３３を用いる）。即ち、
方法の工程中において作製するガラスマスターをドライ
エッチングに依らない別の形成手段でガラスマスター５
１Ｂを作製する方法は、次の（a）〜(ｄ)の手順を経て
行われる（説明の都合上図３３を用いる）。即ち、
【０１６６】（ａ） 表面を高精度に研磨、洗浄した母
型盤５１を用意する。 （ｂ） 母型盤５１上に、ポジ・ネガ両用の感光性樹脂
を均一に成膜して感光性樹脂層５０を形成する。
型盤５１を用意する。 （ｂ） 母型盤５１上に、ポジ・ネガ両用の感光性樹脂
を均一に成膜して感光性樹脂層５０を形成する。
【０１６７】一般にレジストはポジ型レジストとネガ型
レジストの２つのタイプがあるが、ポジ・ネガ両用の感
光性樹脂５０とは照射する露光量によって、その挙動が
切り替わるものである。ここでは低露光量でポジ型の特
性を示し、高露光量でネガ型の特性を示す感光性樹脂を
例にとり、その光感度曲線を図３４に記載する。感度曲
線とは露光量を少しずつ変えながら露光し、現像を行っ
て、現像後の残膜をグラフ化したもので、露光特性を知
るためのものである。このタイプの感光性樹脂は低露光
量から高露光量までを４つの領域に分けることができ
る。
レジストの２つのタイプがあるが、ポジ・ネガ両用の感
光性樹脂５０とは照射する露光量によって、その挙動が
切り替わるものである。ここでは低露光量でポジ型の特
性を示し、高露光量でネガ型の特性を示す感光性樹脂を
例にとり、その光感度曲線を図３４に記載する。感度曲
線とは露光量を少しずつ変えながら露光し、現像を行っ
て、現像後の残膜をグラフ化したもので、露光特性を知
るためのものである。このタイプの感光性樹脂は低露光
量から高露光量までを４つの領域に分けることができ
る。
【０１６８】第１の領域Ｒ１：Ｅｐ０以下。この領域は
残膜率が９０％以上であり、この領域では全く感光せ
ず、現像によってほとんど膜減りしない。 第２の領域Ｒ２：Ｅｐ０〜Ｅｐｔｈ。この領域ではポジ
型レジストとして作用し、レジスト残膜は露光量の増加
と共に連続して減少する。 第３の領域Ｒ３：Ｅｐｔｈ〜Ｅｎｔｈ。この領域では残
膜率がゼロ。 第４の領域Ｒ４：Ｅｎｔｈ〜Ｅｎ０。この領域ではネガ
型レジストとして作用し、レジスト残膜は露光量の増加
と共に連続して増加する。 第５の領域Ｒ５：Ｅｎ０以上。この領域では残膜率が一
定となる。その値は５０〜９０％程度である。
残膜率が９０％以上であり、この領域では全く感光せ
ず、現像によってほとんど膜減りしない。 第２の領域Ｒ２：Ｅｐ０〜Ｅｐｔｈ。この領域ではポジ
型レジストとして作用し、レジスト残膜は露光量の増加
と共に連続して減少する。 第３の領域Ｒ３：Ｅｐｔｈ〜Ｅｎｔｈ。この領域では残
膜率がゼロ。 第４の領域Ｒ４：Ｅｎｔｈ〜Ｅｎ０。この領域ではネガ
型レジストとして作用し、レジスト残膜は露光量の増加
と共に連続して増加する。 第５の領域Ｒ５：Ｅｎ０以上。この領域では残膜率が一
定となる。その値は５０〜９０％程度である。
【０１６９】（ｃ） この感光性樹脂層５０に常法であ
るフォトリソグラフィー法により必要な微細トラックパ
ターンに略対応したパターンを形成する。この時露光に
使用する光源は、中心強度が高く、周縁で強度の低い収
束ビーム５２であり、ビーム周縁部の低露光量はポジ型
形成、中央部の高露光量はネガ型形成になるよう、感光
性樹脂層５０に対応した露光量を選ぶ。
るフォトリソグラフィー法により必要な微細トラックパ
ターンに略対応したパターンを形成する。この時露光に
使用する光源は、中心強度が高く、周縁で強度の低い収
束ビーム５２であり、ビーム周縁部の低露光量はポジ型
形成、中央部の高露光量はネガ型形成になるよう、感光
性樹脂層５０に対応した露光量を選ぶ。
【０１７０】（ｄ） 次に、この感光性樹脂層５０に対
し、アルカリ水溶液を流して、現像を行うことによっ
て、グルーブ３及びクレビス４を同時に感光性樹脂層３
２に彫り込む。ここでビーム周縁部の低露光量（第３の
領域Ｒ３）はクレビス４、中央部の高露光量（第４の領
域Ｒ４、第５の領域Ｒ５）はグルーブ３となる。このよ
うにして感光性樹脂層５０を表面に有する支持体５１Ｂ
が完成する。
し、アルカリ水溶液を流して、現像を行うことによっ
て、グルーブ３及びクレビス４を同時に感光性樹脂層３
２に彫り込む。ここでビーム周縁部の低露光量（第３の
領域Ｒ３）はクレビス４、中央部の高露光量（第４の領
域Ｒ４、第５の領域Ｒ５）はグルーブ３となる。このよ
うにして感光性樹脂層５０を表面に有する支持体５１Ｂ
が完成する。
【０１７１】ここで重要なのは母型盤５１上にはポジ・
ネガ両用の感光性樹脂５０が薄く被着され、１度の露光
工程で、グルーブ３とクレビス４が略同時に形成されて
いることである。これらについて説明するために、本発
明の情報記録媒体用支持体の一例であるガラスマスター
の製造方法を実施例７として詳しく説明する。
ネガ両用の感光性樹脂５０が薄く被着され、１度の露光
工程で、グルーブ３とクレビス４が略同時に形成されて
いることである。これらについて説明するために、本発
明の情報記録媒体用支持体の一例であるガラスマスター
の製造方法を実施例７として詳しく説明する。
【０１７２】（製造方法実施例７）次に本発明の情報記
録媒体用支持体の製造方法の（製造方法実施例７）とし
て、ガラスマスター５１Ｂから支持体複製用スタンパー
を製造し、この複製用スタンパーを用いてプラスチック
製の支持体１Ｂを製造する方法について、（５１）〜
（５９）（図３３（a）〜(ｄ)）を用いて説明する。前
述したものと同一部分には同一符号を付しその説明を省
略する。即ち、
録媒体用支持体の製造方法の（製造方法実施例７）とし
て、ガラスマスター５１Ｂから支持体複製用スタンパー
を製造し、この複製用スタンパーを用いてプラスチック
製の支持体１Ｂを製造する方法について、（５１）〜
（５９）（図３３（a）〜(ｄ)）を用いて説明する。前
述したものと同一部分には同一符号を付しその説明を省
略する。即ち、
【０１７３】（５１） 表面を高精度に研磨、洗浄した
アルミノ硼珪酸ガラス（直径２６０ｍｍ×６ｍｍ厚）か
らなる母型盤５１を用意する（図３３（a））。 （５２） この鏡面母型盤５１上に、ポジ・ネガ両用の
感光性樹脂を均一に成膜して感光性樹脂層５０を形成す
る。ここでは低露光量でポジ型の特性を示し、高露光量
でネガ型の特性を示すＡＺ５２０６Ｅ（クラリアントジ
ャパン（株）製）を使用し、膜厚が２００ｎｍとなるよ
うに回転成膜した（図３３（ｂ））。
アルミノ硼珪酸ガラス（直径２６０ｍｍ×６ｍｍ厚）か
らなる母型盤５１を用意する（図３３（a））。 （５２） この鏡面母型盤５１上に、ポジ・ネガ両用の
感光性樹脂を均一に成膜して感光性樹脂層５０を形成す
る。ここでは低露光量でポジ型の特性を示し、高露光量
でネガ型の特性を示すＡＺ５２０６Ｅ（クラリアントジ
ャパン（株）製）を使用し、膜厚が２００ｎｍとなるよ
うに回転成膜した（図３３（ｂ））。
【０１７４】（３） この感光性樹脂層５０に常法であ
るフォトリソグラフィー法により必要な微細トラックパ
ターンに略対応したパターンを形成する。即ち感光性樹
脂層５０に対物レンズにより絞り込んだレーザービーム
を照射し、スパイラル状の溝パターンを記録する。この
時露光に使用する光源は、中心強度が高く、周縁で強度
の低い収束ビーム５２であり、ビーム周縁部の低露光量
はポジ型形成、中央部の高露光量はネガ型形成になるよ
う、感光性樹脂層５０に対応した露光量を選ぶ（図３３
（ｃ））。
るフォトリソグラフィー法により必要な微細トラックパ
ターンに略対応したパターンを形成する。即ち感光性樹
脂層５０に対物レンズにより絞り込んだレーザービーム
を照射し、スパイラル状の溝パターンを記録する。この
時露光に使用する光源は、中心強度が高く、周縁で強度
の低い収束ビーム５２であり、ビーム周縁部の低露光量
はポジ型形成、中央部の高露光量はネガ型形成になるよ
う、感光性樹脂層５０に対応した露光量を選ぶ（図３３
（ｃ））。
【０１７５】図３５（ａ）は収束ビーム５２の露光量分
布が略ガウス分布である場合を例にとり、そのような最
適露光量の状態を模式的に表したものである。収束ビー
ム５２の中心で露光量が最大となり、裾野でゼロとなっ
ている。そしてビーム５２の半ば付近で、露光量はＥｐ
０〜Ｅｎ０を含んで広く分布している。この状態で露光
を行うことで、ビーム５２周縁部はポジ型挙動、中央部
はネガ型挙動を示すことができる。本実施例では波長４
５８ｎｍのアルゴンレーザーを照射し、円弧状の溝パタ
ーンをトラックピッチ３ミクロンで記録した。
布が略ガウス分布である場合を例にとり、そのような最
適露光量の状態を模式的に表したものである。収束ビー
ム５２の中心で露光量が最大となり、裾野でゼロとなっ
ている。そしてビーム５２の半ば付近で、露光量はＥｐ
０〜Ｅｎ０を含んで広く分布している。この状態で露光
を行うことで、ビーム５２周縁部はポジ型挙動、中央部
はネガ型挙動を示すことができる。本実施例では波長４
５８ｎｍのアルゴンレーザーを照射し、円弧状の溝パタ
ーンをトラックピッチ３ミクロンで記録した。
【０１７６】（５４） 次に、この感光性樹脂層５０に
対し、アルカリ水溶液を流して、現像を行うことによっ
て、グルーブ３及びクレビス４を同時に感光性樹脂層５
０に彫り込む。ここでは燐酸水素ナトリウムの０．２規
定溶液（液温：１５〜３０度、望ましくは２０〜２５
度）を使用し、約３０秒の現像をする。図３５（ａ）の
ビーム５２の形状と、図３４の感度曲線より、現像後の
感光性樹脂層５０の形状が決まり、図３５（ｂ）のよう
に作図することができる。
対し、アルカリ水溶液を流して、現像を行うことによっ
て、グルーブ３及びクレビス４を同時に感光性樹脂層５
０に彫り込む。ここでは燐酸水素ナトリウムの０．２規
定溶液（液温：１５〜３０度、望ましくは２０〜２５
度）を使用し、約３０秒の現像をする。図３５（ａ）の
ビーム５２の形状と、図３４の感度曲線より、現像後の
感光性樹脂層５０の形状が決まり、図３５（ｂ）のよう
に作図することができる。
【０１７７】即ちビーム５２の周縁部の低露光量はクレ
ビス４、中央部の高露光量はグルーブ３となる。このよ
うにして感光性樹脂層５０を表面に有するガラスマスタ
ー５１Ｂが完成する（図３３（ｄ））。
ビス４、中央部の高露光量はグルーブ３となる。このよ
うにして感光性樹脂層５０を表面に有するガラスマスタ
ー５１Ｂが完成する（図３３（ｄ））。
【０１７８】このガラスマスター５１Ｂの断面を観察し
たところ、図３のようになっており、またその表面の形
状は図３６の寸法を満足しており、即ち、ランド２の幅
Ｗｌは１．５ミクロン、グルーブ３の幅（Ｗｇ＋２Ｗ
ｃ）の内の幅Ｗｇは１．３ミクロン、グルーブ３の深さ
Ｄｇは０．１３ミクロン、クレビス４の幅Ｗｃは０．０
６ミクロン、クレビス４の深さＤｃは０．１９ミクロン
であった。
たところ、図３のようになっており、またその表面の形
状は図３６の寸法を満足しており、即ち、ランド２の幅
Ｗｌは１．５ミクロン、グルーブ３の幅（Ｗｇ＋２Ｗ
ｃ）の内の幅Ｗｇは１．３ミクロン、グルーブ３の深さ
Ｄｇは０．１３ミクロン、クレビス４の幅Ｗｃは０．０
６ミクロン、クレビス４の深さＤｃは０．１９ミクロン
であった。
【０１７９】（５５） 以下、（製造方法実施例３）の
（２６）〜（２８）の工程と同様な工程に従ってスタン
パーを完成させた（図示せず。図１９（ｆ）〜（ｈ）に
対応）。 （５６） 次に（製造方法実施例３）の（２９）の工程
と同様な工程に従って、プラスチック支持体１Ｂを製造
した。ただし製造条件は若干変更して、支持体１Ｂは直
径は１３０ｍｍ、厚みは０．３ｍｍの非晶質ポリオレフ
ィン製である。この支持体１Ｂをトラックに垂直な方向
に破断し、断面形状を走査型電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、図３のような断面形状であることが確認できた。
（２６）〜（２８）の工程と同様な工程に従ってスタン
パーを完成させた（図示せず。図１９（ｆ）〜（ｈ）に
対応）。 （５６） 次に（製造方法実施例３）の（２９）の工程
と同様な工程に従って、プラスチック支持体１Ｂを製造
した。ただし製造条件は若干変更して、支持体１Ｂは直
径は１３０ｍｍ、厚みは０．３ｍｍの非晶質ポリオレフ
ィン製である。この支持体１Ｂをトラックに垂直な方向
に破断し、断面形状を走査型電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、図３のような断面形状であることが確認できた。
【０１８０】このように母型盤５１の上にポジ・ネガ両
用の感光性樹脂層５０を形成し、適当な露光量を選択し
て露光を行うことによって、本発明を達成することがで
きる。この場合、（製造方法実施例１）〜（製造方法実
施例６）で使用したようなドライエッチング装置ＡＡ，
ＢＢは必要とせず、また母型盤５１自体は何ら加工され
ないので、材質上の制限もなくなる。特に新規な装置や
ノウハウを必要としないことから、安価に実施すること
ができる方法であるといえる。
用の感光性樹脂層５０を形成し、適当な露光量を選択し
て露光を行うことによって、本発明を達成することがで
きる。この場合、（製造方法実施例１）〜（製造方法実
施例６）で使用したようなドライエッチング装置ＡＡ，
ＢＢは必要とせず、また母型盤５１自体は何ら加工され
ないので、材質上の制限もなくなる。特に新規な装置や
ノウハウを必要としないことから、安価に実施すること
ができる方法であるといえる。
【０１８１】ここで重要なことは、グルーブ３形成時
に、同時にクレビス４が形成できている点である。言い
換えればトラック毎にクレビス４が自動的に形成されて
いる。またクレビス４の位置はグルーブ３とランド２の
境界近傍に限定されており、高い位置精度で形成できて
いる。このように特別な位置合わせを行わずともクレビ
ス４が形成できている。言い換えれば自己整合（セルフ
アライメント）的に形成できているのである。
に、同時にクレビス４が形成できている点である。言い
換えればトラック毎にクレビス４が自動的に形成されて
いる。またクレビス４の位置はグルーブ３とランド２の
境界近傍に限定されており、高い位置精度で形成できて
いる。このように特別な位置合わせを行わずともクレビ
ス４が形成できている。言い換えれば自己整合（セルフ
アライメント）的に形成できているのである。
【０１８２】上述したように、本発明の情報記録媒体の
具体的な実施例を、[媒体実施例１] 〜[媒体実施例
５] を用いて説明し、続いて、本発明の情報記録媒体用
支持体の製造方法を（製造方法実施例１）〜（製造方法
実施例７）を用いて説明してきた。これらは発明の基本
骨格を示すための説明であり、本発明はこれに限定され
るものではない。その趣旨に則った各種応用が可能であ
る。
具体的な実施例を、[媒体実施例１] 〜[媒体実施例
５] を用いて説明し、続いて、本発明の情報記録媒体用
支持体の製造方法を（製造方法実施例１）〜（製造方法
実施例７）を用いて説明してきた。これらは発明の基本
骨格を示すための説明であり、本発明はこれに限定され
るものではない。その趣旨に則った各種応用が可能であ
る。
【０１８３】例えば主たる説明として、カードやディス
クの例を多用したが、これに限らず光フロッピーや光テ
ープなどにも応用が可能である。図面で示した実施例は
お互いに構成要素を入れ替えることも可能であるし、本
文で記載した別の構成要素と交換することも可能であ
る。また各々の機構は、ユーザーや製造者の利便性を考
慮して、高度に複雑なものとしてもよい。利用目的に応
じて構成材料を変更してよいし、構成そのものを組み合
わせてもよい。
クの例を多用したが、これに限らず光フロッピーや光テ
ープなどにも応用が可能である。図面で示した実施例は
お互いに構成要素を入れ替えることも可能であるし、本
文で記載した別の構成要素と交換することも可能であ
る。また各々の機構は、ユーザーや製造者の利便性を考
慮して、高度に複雑なものとしてもよい。利用目的に応
じて構成材料を変更してよいし、構成そのものを組み合
わせてもよい。
【０１８４】例えば、上記した（製造方法実施例１），
（製造方法実施例２）はそれぞれ支持体１から支持体１
Ａ，１Ｂを作成する方法であり、また（製造方法実施例
３）〜（製造方法実施例７）はそれぞれ支持体１Ｂを成
形により作成する製造方法であり、この製造過程中にお
いて、支持体１Ｂを成形するためのスタンパーを作製す
るガラスマスター１１Ｂ，３１Ｂ，４１Ｂ，５１Ｂを作
製する工程が有る。
（製造方法実施例２）はそれぞれ支持体１から支持体１
Ａ，１Ｂを作成する方法であり、また（製造方法実施例
３）〜（製造方法実施例７）はそれぞれ支持体１Ｂを成
形により作成する製造方法であり、この製造過程中にお
いて、支持体１Ｂを成形するためのスタンパーを作製す
るガラスマスター１１Ｂ，３１Ｂ，４１Ｂ，５１Ｂを作
製する工程が有る。
【０１８５】このことから、（製造方法実施例１），
（製造方法実施例２）で作製された支持体１Ａ，１Ｂ
と、（製造方法実施例３）〜（製造方法実施例７）で作
製されたガラスマスター１１Ｂ，３１Ｂ，４１Ｂ，５１
Ｂとは概略同じである。従ってこのガラスマスター１１
Ｂ，３１Ｂ，４１Ｂ，５１Ｂを、図２，図４に示す本発
明の情報記録媒体用支持体の第１，第２実施例１Ａ，１
Ｂとして用いることができる。
（製造方法実施例２）で作製された支持体１Ａ，１Ｂ
と、（製造方法実施例３）〜（製造方法実施例７）で作
製されたガラスマスター１１Ｂ，３１Ｂ，４１Ｂ，５１
Ｂとは概略同じである。従ってこのガラスマスター１１
Ｂ，３１Ｂ，４１Ｂ，５１Ｂを、図２，図４に示す本発
明の情報記録媒体用支持体の第１，第２実施例１Ａ，１
Ｂとして用いることができる。
【０１８６】なお本発明の情報記録媒体用支持体の製造
方法において、図１５（ｄ）、図１６（ｄ）、図１９
（ｄ）、図２７（ｅ）、図３１（ｆ）ではパターニング
マスク８が残存している。この平面は、図１５（ｅ）、
図１６（ｅ）、図１９（ｅ）、図２７（ｆ）、図３１
（ｇ）で記すところのランド２と略平行であり、本来ラ
ンド２としても機能できる。従って工程の途中であるこ
の状態を、支持体或いはガラスマスターとみなして後工
程に回すこともできる。この場合、ランド２の材料はグ
ルーブ３やクレビス４と異なってくるから、後工程の都
合と勘案して特に問題がなければ使用しても構わないも
のである。
方法において、図１５（ｄ）、図１６（ｄ）、図１９
（ｄ）、図２７（ｅ）、図３１（ｆ）ではパターニング
マスク８が残存している。この平面は、図１５（ｅ）、
図１６（ｅ）、図１９（ｅ）、図２７（ｆ）、図３１
（ｇ）で記すところのランド２と略平行であり、本来ラ
ンド２としても機能できる。従って工程の途中であるこ
の状態を、支持体或いはガラスマスターとみなして後工
程に回すこともできる。この場合、ランド２の材料はグ
ルーブ３やクレビス４と異なってくるから、後工程の都
合と勘案して特に問題がなければ使用しても構わないも
のである。
【０１８７】
【発明の効果】上述したように本発明の情報記録媒体用
支持体は、微細トラックパターンとしてランドとグルー
ブとが交互に形成されており、かつグルーブ内あるいは
グルーブの幅方向の一端縁部近傍には、グルーブの深さ
よりも深いクレビスが設けられている構成を有してお
り、また、本発明の情報記録媒体は、この支持体上に、
高密度記録対応の記録層を積層すると共に、この記録層
は、各トラックパターン毎に切断されて形成されている
から、例えばＤＷＤＤ型超解像記録ではレーザーアニー
ルの不要な記録再生が可能となり、この結果、こうした
構成の高密度記録を達成することができる情報記録媒体
を量産性良く生産して提供することができる。また、本
発明の情報記録媒体用支持体は、微細トラックパターン
としてランドとグルーブとが交互に形成されており、か
つグルーブの幅方向の両端縁部近傍には、グルーブの深
さよりも深いクレビスが２つ設けられている構成を有し
ており、また、本発明の情報記録媒体は、この支持体上
に、高密度記録対応の記録層を積層すると共に、この記
録層は、各トラックパターン毎に切断されて形成されて
いるから、隣接トラックの影響を受けない記録が可能と
なるので、この結果更なる高密度記録を達成することが
でき、しかも、こうした構成の情報記録媒体を量産性良
く生産して提供することができるなどの効果がある。さ
らに、本発明の情報記録媒体用支持体の製造方法は、本
発明の情報記録媒体用支持体を精度よく製造することが
できる。さらにまた、本発明の情報記録媒体用支持体の
製造装置、情報記録媒体用支持体スタンパーは、グルー
ブ及びクレビスを同時に精度よく彫り込んだ本発明の情
報記録媒体用支持体を製造することができる。
支持体は、微細トラックパターンとしてランドとグルー
ブとが交互に形成されており、かつグルーブ内あるいは
グルーブの幅方向の一端縁部近傍には、グルーブの深さ
よりも深いクレビスが設けられている構成を有してお
り、また、本発明の情報記録媒体は、この支持体上に、
高密度記録対応の記録層を積層すると共に、この記録層
は、各トラックパターン毎に切断されて形成されている
から、例えばＤＷＤＤ型超解像記録ではレーザーアニー
ルの不要な記録再生が可能となり、この結果、こうした
構成の高密度記録を達成することができる情報記録媒体
を量産性良く生産して提供することができる。また、本
発明の情報記録媒体用支持体は、微細トラックパターン
としてランドとグルーブとが交互に形成されており、か
つグルーブの幅方向の両端縁部近傍には、グルーブの深
さよりも深いクレビスが２つ設けられている構成を有し
ており、また、本発明の情報記録媒体は、この支持体上
に、高密度記録対応の記録層を積層すると共に、この記
録層は、各トラックパターン毎に切断されて形成されて
いるから、隣接トラックの影響を受けない記録が可能と
なるので、この結果更なる高密度記録を達成することが
でき、しかも、こうした構成の情報記録媒体を量産性良
く生産して提供することができるなどの効果がある。さ
らに、本発明の情報記録媒体用支持体の製造方法は、本
発明の情報記録媒体用支持体を精度よく製造することが
できる。さらにまた、本発明の情報記録媒体用支持体の
製造装置、情報記録媒体用支持体スタンパーは、グルー
ブ及びクレビスを同時に精度よく彫り込んだ本発明の情
報記録媒体用支持体を製造することができる。
【図１】本発明の情報記録媒体用支持体の第１実施例の
断面模式図である。
断面模式図である。
【図２】本発明の情報記録媒体の第１実施例の断面模式
図である。
図である。
【図３】本発明の情報記録媒体用支持体の第２実施例の
断面模式図である。
断面模式図である。
【図４】本発明の情報記録媒体の第２実施例の断面模式
図である。
図である。
【図５】従来の情報記録媒体用支持体の断面模式図であ
る。
る。
【図６】従来の情報記録媒体の断面模式図である。
【図７】ＤＷＤＤ型情報記録媒体のランドをレーザーア
ニールした状態を模式的に図示した断面模式図である。
ニールした状態を模式的に図示した断面模式図である。
【図８】支持体１Ａ各部の具体的な寸法数値を示す図で
ある。
ある。
【図９】情報記録媒体Ｂの記録層５の具体的な積層構成
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図１０】支持体１Ｂ各部の具体的な寸法数値を示す図
である。
である。
【図１１】情報記録媒体Ｃの記録層５の具体的な積層構
成を説明するための図である。
成を説明するための図である。
【図１２】図９の情報記録媒体Ｂのランド２を再生した
ときのマーク長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性図である。
ときのマーク長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性図である。
【図１３】図１１の情報記録媒体Ｃのランド２を再生し
たときのマーク長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性図である。
たときのマーク長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性図である。
【図１４】図１１の情報記録媒体Ｃのグルーブ３を再生
したときのマーク長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性図であ
る。
したときのマーク長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性図であ
る。
【図１５】本発明の情報記録媒体用支持体の製造方法の
第１実施例工程を説明するための図である。
第１実施例工程を説明するための図である。
【図１６】本発明の情報記録媒体用支持体の製造方法の
第２実施例工程を説明するための図である。
第２実施例工程を説明するための図である。
【図１７】本発明の情報記録媒体用支持体の製造方法に
用いられるドライエッチング装置ＡＡの構造を説明する
ための図である。
用いられるドライエッチング装置ＡＡの構造を説明する
ための図である。
【図１８】本発明の情報記録媒体用支持体の製造方法に
用いられるドライエッチング装置ＢＢの構造を説明する
ための図である。
用いられるドライエッチング装置ＢＢの構造を説明する
ための図である。
【図１９】本発明の情報記録媒体用支持体の製造方法の
第３実施例工程を説明するための図である。
第３実施例工程を説明するための図である。
【図２０】情報記録媒体Ｃの記録層５の具体的な積層構
成を説明するための図である。
成を説明するための図である。
【図２１】図２０の情報記録媒体Ｃのランド２を再生し
たときのマーク長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性図である。
たときのマーク長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性図である。
【図２２】図２０の情報記録媒体Ｃのグルーブ３を再生
したときのマーク長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性図であ
る。
したときのマーク長対Ｃ／Ｎ比再生周波数特性図であ
る。
【図２３】支持体１Ｂ各部の具体的な寸法数値を示す図
である。
である。
【図２４】情報記録媒体Ｃの記録層５の具体的な積層構
成を説明するための図である。
成を説明するための図である。
【図２５】図２４の情報記録媒体Ｃのグルーブ３、ラン
ド２を再生したときのジッターの測定値を示す図であ
る。
ド２を再生したときのジッターの測定値を示す図であ
る。
【図２６】比較例として従来の情報記録媒体のグルーブ
３、ランド２を再生したときのジッターの測定値を示す
図である。
３、ランド２を再生したときのジッターの測定値を示す
図である。
【図２７】本発明の情報記録媒体用支持体の製造方法を
用いてガラスマスター３１Ｂを製造する工程を説明する
ための図である。
用いてガラスマスター３１Ｂを製造する工程を説明する
ための図である。
【図２８】２Ｐ成形によって形成した支持体１Ｂを示す
図である。
図である。
【図２９】支持体１Ｂ各部の具体的な寸法数値を示す図
である。
である。
【図３０】情報記録媒体Ｃの記録層５の具体的な積層構
成を説明するための図である。
成を説明するための図である。
【図３１】本発明の情報記録媒体用支持体の製造方法を
用いてガラスマスター４１Ｂを製造する工程を説明する
ための図である。
用いてガラスマスター４１Ｂを製造する工程を説明する
ための図である。
【図３２】支持体１Ｂ各部の具体的な寸法数値を示す図
である。
である。
【図３３】本発明の情報記録媒体用支持体の製造方法を
用いてガラスマスター５１Ｂを製造する工程を説明する
ための図である。
用いてガラスマスター５１Ｂを製造する工程を説明する
ための図である。
【図３４】ガラスマスター５１Ｂを製作する工程に用い
られるポジ・ネガ両用の感光性樹脂５０の光感度曲線を
示す図である。
られるポジ・ネガ両用の感光性樹脂５０の光感度曲線を
示す図である。
【図３５】ガラスマスター５１Ｂを製作する工程におけ
る感光性樹脂５０に照射される収束ビームの露光量分布
と、現像後の感光性樹脂５０の断面形状を示す図であ
る。
る感光性樹脂５０に照射される収束ビームの露光量分布
と、現像後の感光性樹脂５０の断面形状を示す図であ
る。
【図３６】ガラスマスター５１Ｂ各部の具体的な寸法数
値を示す図である。
値を示す図である。
１Ａ，１Ｂ，７ 支持体 ２ ランド ３ グルーブ ３ａ，３ｂ 縁部 ４ クレビス ５ 記録層 ５ｃ，５ｄ 記録層部分 ６ 保護層 ８ パターニングマスク １１Ｂ，３１Ｂ，４１Ｂ，５１Ｂ ガラスマスター １４Ｂ スタンパー ５０ 感光性樹脂（ネガ・ポジ兼用のフォトレジスト） １１，３１，４１，５１ 母型盤（母型） ５２ 収束ビーム Ａ，Ｂ，Ｃ 情報記録媒体 Ｄｃ，Ｄｇ 深さ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 11/105 ５４６ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５４６Ｄ ５４６Ｂ
Claims (17)
- 【請求項１】 支持体上に、少なくとも、記録層が積層
されてなる情報記録媒体であって、 前記支持体は、微細トラックパターンとしてランドとグ
ルーブとが交互に形成されており、かつグルーブ内に
は、グルーブの深さよりも深いクレビスが少なくとも一
つ設けられていることを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項２】 支持体上に、少なくとも、記録層が積層
されてなる情報記録媒体であって、 前記支持体は、微細トラックパターンとしてランドとグ
ルーブとが交互に形成されており、かつグルーブの幅方
向の一端縁部近傍には、グルーブの深さよりも深いクレ
ビスが設けられていることを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項３】 支持体上に、少なくとも、記録層が積層
されてなる情報記録媒体であって、 前記支持体は、微細トラックパターンとしてランドとグ
ルーブとが交互に形成されており、かつグルーブの幅方
向の両端縁部近傍には、グルーブの深さよりも深いクレ
ビスがそれぞれ設られていることを特徴とする情報記録
媒体。 - 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
の情報記録媒体であって、 前記支持体上に積層された前記記録層は、微細トラック
パターン毎に切断されていることを特徴とする情報記録
媒体。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
の情報記録媒体であって、 前記記録層は、超解像記録膜を少なくとも有することを
特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項６】 請求項５記載の情報記録媒体であって、 前記超解像記録膜は、磁壁移動検出型の超解像光磁気膜
であることを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項７】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
の情報記録媒体であって、 前記記録層は、相変化記録膜を少なくとも有することを
特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項８】 請求項１記載の情報記録媒体に用いられ
る情報記録媒体用支持体であって、 微細トラックパターンとしてランドとグルーブとが交互
に形成されており、かつグルーブ内には、グルーブの深
さよりも深いクレビスが少なくとも一つ設けられている
ことを特徴とする情報記録媒体用支持体。 - 【請求項９】 請求項２記載の情報記録媒体に用いられ
る情報記録媒体用支持体であって、 微細トラックパターンとしてランドとグルーブとが交互
に形成されており、かつグルーブの幅方向の一端縁部近
傍には、グルーブの深さよりも深いクレビスが設けられ
ていることを特徴とする情報記録媒体用支持体。 - 【請求項１０】 請求項３記載の情報記録媒体に用いら
れる情報記録媒体用支持体であって、 微細トラックパターンとしてランドとグルーブとが交互
に形成されており、かつグルーブの幅方向の両端縁部近
傍には、グルーブの深さよりも深いクレビスがそれぞれ
設られていることを特徴とする情報記録媒体用支持体。 - 【請求項１１】 請求項８乃至請求項１０のいずれかに
記載の情報記録媒体用支持体を製造するスタンパーであ
って、 微細トラックパターンとしてランドとグルーブとが交互
に形成されており、かつグルーブ内には、グルーブの高
さよりも高いクレビスが少なくとも一つ設けられている
前記情報記録媒体用支持体を複製するための構成を有す
ることを特徴とする情報記録媒体用支持体スタンパー。 - 【請求項１２】 請求項８乃至請求項１０のいずれかに
記載の情報記録媒体用支持体上に、少なくとも、記録層
が積層されてなる情報記録媒体を製造する情報記録媒体
の製造方法であって、 前記情報記録媒体用支持体上に、前記記録層の真空成膜
処理を行い、 前記情報記録媒体用支持体のグルーブ及びランドには記
録層を被着させると同時に、前記情報記録媒体用支持体
のクレビスには記録層を被着させないことを特徴とする
情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項１３】 請求項８乃至請求項１０のいずれかに
記載の情報記録媒体用支持体を製造する情報記録媒体用
支持体の製造方法であって、 高精度に研磨洗浄した支持体上に、耐ドライエッチング
性を有するパターニングマスクを均一に成膜する工程
と、 次に、前記微細トラックパターンに対応したパターンを
支持体上に形成するためのパターニングを行う工程と、 次に、３５〜５００ｍｔｏｒｒのガス圧力でドライエッ
チングを行い、前記グルーブ及びクレビスを同時に彫り
込む工程と、 前記パターニングマスクを除去する工程とを備えたこと
を特徴とする情報記録媒体用支持体の製造方法。 - 【請求項１４】 請求項８乃至請求項１０のいずれかに
記載の情報記録媒体用支持体を製造する情報記録媒体用
支持体の製造方法であって、 ガラスマスターを製造する工程と、ガラスマスターから
スタンパーを製造する工程と、スタンパーから支持体を
製造する工程とからなり、 ガラスマスターを製造する工程は、 高精度に研磨洗浄した母型上に、耐ドライエッチング性
を有するパターニングマスクを均一に成膜する工程と、 次に、前記微細トラックパターンに対応したパターンを
支持体上に形成するためのパターニングを行う工程と、 次に、３５〜５００ｍｔｏｒｒのガス圧力でドライエッ
チングを行い、前記グルーブ及びクレビスを同時に彫り
込む工程と、 前記パターニングマスクを除去する工程とを備えたこと
を特徴とする情報記録媒体用支持体の製造方法。 - 【請求項１５】 請求項８乃至請求項１０のいずれかに
記載の情報記録媒体用支持体を製造する情報記録媒体用
支持体の製造方法であって、 高精度に研磨洗浄した支持体上に、ネガ・ポジ兼用のフ
ォトレジストを均一に成膜する工程と、 次に、前記微細トラックパターンを支持体上に形成する
ために、所定の露光量でパターニングを行う工程とを備
えたことを特徴とする情報記録媒体用支持体の製造方
法。 - 【請求項１６】 請求項８乃至請求項１０のいずれかに
記載の情報記録媒体用支持体を製造する情報記録媒体用
支持体の製造方法であって、 ガラスマスターを製造する工程と、ガラスマスターから
スタンパーを製造する工程と、スタンパーから支持体を
製造する工程とからなり、 ガラスマスターを製造する工程は、 高精度に研磨洗浄した母型上に、ネガ・ポジ兼用のフォ
トレジストを均一に成膜する工程と、 前記微細トラックパターンを支持体上に形成するため
に、所定の露光量でパターニングを行う工程とを備えた
ことを特徴とする情報記録媒体用支持体の製造方法。 - 【請求項１７】 請求項８乃至請求項１０のいずれかに
記載の情報記録媒体用支持体を製造する情報記録媒体用
支持体の製造装置であって、 前記微細トラックのパターンが形成された支持体上をド
ライエッチングすることにより、前記支持体上に前記グ
ルーブ及びクレビスを同時に彫り込む手段を備えたこと
を特徴とする情報記録媒体用支持体の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11214865A JP2000285521A (ja) | 1998-08-04 | 1999-07-29 | 情報記録媒体、情報記録媒体用支持体、情報記録媒体用支持体スタンパー、情報記録媒体の製造方法、情報記録媒体用支持体の製造方法、情報記録媒体用支持体の製造装置 |
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-220166 | 1998-08-04 | ||
| JP22016698 | 1998-08-04 | ||
| JP26436398 | 1998-09-18 | ||
| JP10-264363 | 1998-09-18 | ||
| JP11-16850 | 1999-01-26 | ||
| JP1685099 | 1999-01-26 | ||
| JP11214865A JP2000285521A (ja) | 1998-08-04 | 1999-07-29 | 情報記録媒体、情報記録媒体用支持体、情報記録媒体用支持体スタンパー、情報記録媒体の製造方法、情報記録媒体用支持体の製造方法、情報記録媒体用支持体の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000285521A true JP2000285521A (ja) | 2000-10-13 |
Family
ID=27456667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11214865A Pending JP2000285521A (ja) | 1998-08-04 | 1999-07-29 | 情報記録媒体、情報記録媒体用支持体、情報記録媒体用支持体スタンパー、情報記録媒体の製造方法、情報記録媒体用支持体の製造方法、情報記録媒体用支持体の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000285521A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002284545A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-03 | Ulvac Japan Ltd | ドライエッチング法 |
-
1999
- 1999-07-29 JP JP11214865A patent/JP2000285521A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002284545A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-03 | Ulvac Japan Ltd | ドライエッチング法 |
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