JPH10241213A - 光ディスク用スタンパーの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低ノイズレベルの光ディスクを製造すること
ができるスタンパーを作製する。 【解決手段】 フォトレジスト１１が塗布されたガラス
原盤１０上に光ビーム３を照射してガイド溝パターンあ
るいは微小な凹凸信号パターンを記録する。この記録パ
ターンを現像し、ガラス原盤１０の表面を露出させ非現
像面をマスクとして所望の深さまでリアクティブイオン
エッチング（ＲＩＥ）することによりガイド溝あるいは
微小な凹凸を形成する。残留フォトマスクを除去してガ
ラスマスター２０を形成する。このガラスマスター２０
の表面にＮｉ導電層１３とＮｉ電鋳層１４を形成して金
属スタンパー２１を作製する。このスタンパー２１をガ
ラスマスター２０から剥離する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光学式情報記録媒
体の製造方法に係り、特にビデオディスク、デジタルオ
ーディオディスク、追記型ディスクおよび書換可能型デ
ィスク等の情報記録媒体を射出成形するときに成形型と
して用いられるスタンパーの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】高密度データが蓄積でき高速に情報処理
可能な光ディスクは、オーディオや画像用途、さらには
コンピュータメモリーとして注目されている。直径５．
２５インチや３．５インチ等の光ディスクは、情報の書
き換えが可能である光磁気タイプや相変化タイプがＩＳ
Ｏ規格により標準化されており、今後さらに市場への普
及が加速されるものと予想される。

【０００３】また、最近ではＳＤ規格等のＤＶＤ（デジ
タルビデオディスク）に関する規格も固まりつつあり、
マルチメディア分野への光ディスクの応用が一層期待さ
れている。

【０００４】このような光ディスクは、図２に示すよう
にディスク基板１に記録再生装置のピックアップ２から
の光ビーム３を情報に沿って導くための、すなわちトラ
ッキングのためのガイドを凹と凸の形でディスクの内周
から外周へ向けて螺旋状に形成している。この溝をガイ
ド溝と呼ぶ。トラッキングガイドについて詳しく説明す
ると、ＩＳＯ規格において定義されているように、ピッ
クアップ２側から見た場合に凹となる部分４、すなわち
遠方になる部分はランドと呼ばれる。一方、凸となる部
分５、すなわち近くになる部分はグルーブと呼ばれる。
ランド４の中心から隣接するランド４の中心までの距離
をトラックピッチＰと呼んでいる。一般的に、グルーブ
５の深さｄは５０ｎｍ、幅Ｗは０．４〜０．６μｍであ
り、トラックピッチＰは１．４μｍのものが主流をなし
ている。

【０００５】また、最近ではさらに高密度な情報の記録
を可能にするため、トラックピッチＰを１．１μｍにし
て狭トラックピッチ化した光ディスクも報告されてい
る。しかし、例えば光ディスクの場合、波長６３０〜６
８０ｎｍの半導体レーザーおよび開口数（ＮＡ）０．５
〜０．６の対物レンズを搭載した従来のピックアップ２
ではトラックピッチＰを１．１μｍより小さくすると隣
接したトラックに書き込まれた情報への影響（光クロス
トーク）が極端に大きくなること、またトラッキングに
必要なトラッキング誤差信号が極端に小さくなるため正
確なトラッキングが行い難くなること等の問題が生じて
いた。

【０００６】また、記録型光ディスクの場合には、トラ
ックにデータを書き込んだり消去する際に隣接するトラ
ックのデータをも消去してしまうという問題もあった。
すなわち、光磁気ディスクや相変化ディスクは、レーザ
ー光によってディスクの温度を上昇させる熱記録である
ため、隣接するトラックとの間隔が小さくなれば隣接ト
ラックへの熱拡散がより大きくなる。そのため、トラッ
クに情報を書き込んだり、消去したりするとき、隣接ト
ラックに書き込まれている情報を消してしまう。これを
熱クロストークまたはクロスイレーズと呼んでいる。特
に、狭トラックピッチ化のためランドとグルーブの両方
に情報を記録するランド・グルーブ記録方式では、クロ
スイレーズの影響を受け易く、多数回の繰り返し記録時
におけるクロスイレーズの制御が重要である。従来の光
ディスクにおいて、このようなクロスイレーズが問題と
なるランドおよびグルーブの幅は、光磁気タイプ、相変
化タイプともに０．７μｍ程度が限界となっており、さ
らなる狭トラック化が困難な状況になっている。

【０００７】そこで、本発明者らは、先にクロスイレー
ズ低減のためガイド溝の深さを深くした光ディスクを提
案した。すなわち、この光ディスクは、溝による段差を
大きくすることで隣接するトラックへの熱伝搬距離を長
くし、クロスイレーズ耐性を向上させるようにしたもの
である。その結果として、従来のランド・グルーブ記録
方式の光ディスクではグルーブ深さが４０〜９０ｎｍで
あったのを、より深いグルーブにすることができる。例
えばグルーブ深さが１００ｎｍ以上であればトラックピ
ッチＰを０．７μｍ以下にできる。

【０００８】図３にこのような従来の光学式情報記録媒
体の製造方法を示す。この記録媒体の製造方法は、先ず
鏡面研磨されたガラス原盤１０上にシランカップリング
剤等のプライマーを表面に塗布した後、フォトレジスト
１１を塗布し乾燥させる（ａ）。その後、Ａｒレーザー
光、Ｈｅ−Ｃｄレーザー光、電子ビーム、紫外線、遠紫
外線等の光ビーム３によりガイド溝やＲＯＭ情報、プリ
フォーマット情報等にしたがって、信号パターンを露光
し記録する。次に、現像を行い、露光した部分あるいは
未露光部分を除去する（ｂ）。露光部分が溶解されるよ
うなフォトレジスト１１としてはポジ型フォトレジス
ト、未露光部分が除去されるようなフォトレジストとし
てはネガ型フォトレジストがそれぞれ知られており、必
要に応じて使い分けられる。このように記録信号が凹状
信号となるように形成し、ガラスマスター１２とする。
このガラスマスター１２の表面に無電解めっき、スパッ
タ等の方法によりＮｉ等の導電膜１３を形成し（ｃ）、
導通処理した後、さらにその上に電鋳法によりＮｉ電鋳
層１４を形成する（ｄ）。そして、ガラス原盤１０から
Ｎｉ電鋳層１４を剥離することにより記録信号が凸状の
金属スタンパー１５を作製する（ｅ）。最後に残留レジ
ストを酸素プラズマや溶剤等で除去してスタンパー１５
が完成する。このスタンパー１５を使用して、ポリカー
ボネート等の合成樹脂１６を用いた射出成形法（ｆ）や
紫外線硬化樹脂を用いた２Ｐ法により凹状の記録信号を
有する光ディスク基板（いわゆるレプリカ）１７を複製
する（ｇ）。射出成形法では、高温で溶融した状態の合
成樹脂１６を金型の中へ加圧注入してレプリカを作製す
る。一方、紫外線硬化樹脂を用いる方法では、金型に紫
外線硬化樹脂を塗布した後、ガラスもしくは合成樹脂製
の基板を押し付け、紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を
硬化させることによってレプリカを作製する。この後、
光ディスク基板１７の記録信号面上にアルミニウム等の
金属反射膜や磁性膜を形成して光ディスクを形成する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上記したように、スタ
ンパー１５を用いてレプリカディスク、すなわち光ディ
スク基板１７を作製しているため、ディスクの品質はこ
のスタンパー１５に依存していると言っても過言ではな
い。そのため、いかに高い品質のスタンパーを作製する
かが非常に重要なことである。しかしながら、従来の製
造方法によりスタンパー１５を作製し、このスタンパー
１５から光ディスク基板１７を作製し、この光ディスク
基板にデータを記録し、再生すると、図４に破線Ｌ1 で
示すように数１００ＫＨｚから数ＭＨｚに及んで未記録
ノイズが大きくのっていることが判明した。また、この
傾向は特に溝の凹凸が１００ｎｍ以上のものに多いこと
が判った。このような未記録ノイズは、ディスクにデー
タを記録していない状態でも生じるため、基板製造工程
の条件を再チェックし改善を加えてみたがいっこうに低
減させることができなかった。

【００１０】そこで、光ディスク基板１７の原盤である
スタンパー１５を走査型電子顕微鏡で観察したところ、
溝の壁面部が段差の低いものに比べて粗面であることが
判った。溝壁面の凹凸のピッチ間隔とノイズの周波数か
ら考えて、ノイズの原因はこの溝壁面の表面粗さによる
ものと考えられる。

【００１１】上記した通り従来の光ディスク用スタンパ
ーの製造方法は、フォトレジストパターンの表面にＮｉ
等の金属を電鋳法によりめっきして電鋳層１４を形成し
た後、ガラス原盤１０から剥離してスタンパー１５を作
製していた。よって、通常のスタンパーの製造工程の場
合、フォトレジストパターン上に直接金属を積層するた
め、フォトレジストパターンの品質がスタンパーそのも
のの品質を決定するといっても過言ではない。言い換え
れば、ノイズの原因と思われるスタンパーの壁面の表面
粗さは、フォトレジスト１１の溝パターンを形成したと
きに既に決定されているといえる。しかしながら、レジ
ストパターンの溝壁面の表面粗さは、フォトレジスト材
料の選択、レーザーカッティング条件、現像条件の最適
化等により低減されてきてはいるが、特に段差の大きい
スタンパーの場合、壁面の角度を制御することが困難で
あるとともに壁面露出面積が大きく、光ヘッドで再生し
たとき壁面が見えるなどの理由から十分に容認できるノ
イズレベルまでには達していなかった。

【００１２】本発明は上記した従来の問題を解決するた
めになされたもので、その目的とするところは、低ノイ
ズレベルの光ディスクの製造を可能にした光ディスク用
スタンパーの製造方法を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、フォトレジストが塗布されたガラス原盤上
に光ビームを照射してガイド溝パターンあるいは微小な
凹凸信号パターンを露光記録する工程と、前記記録パタ
ーンを現像してガラス原盤表面を露出させ、非現像面を
マスクとして所望の深さまでリアクティブイオンエッチ
ングすることによりガイド溝あるいは微小な凹凸をガラ
ス原盤の表面に形成する工程と、残留フォトマスクを除
去してガラスマスターを作製する工程と、前記ガラスマ
スターの表面に導電膜を成膜する工程と、前記導電膜の
上に金属をめっきして金属スタンパーを作製する工程
と、前記ガラスマスターから金属スタンパーを剥離する
工程とを含むことを特徴とする。また、本発明は、ガラ
ス原盤が石英であることを特徴とする。さらに、本発明
は、ガラス原盤のエッチング深さが１００ｎｍ以上であ
ることを特徴とする。

【００１４】本発明において、リアクティブイオンエッ
チングはガラス原盤のガラス部分をフォトレジストのよ
うなポリマーに比べて非常にシャープにエッチングす
る。したがって、フォトレジストパターンよりも壁面の
表面粗さが低く、また壁面角度の大きい溝を形成するこ
とができる。壁面角度が大きいと、溝を光磁気ヘッドで
再生したとき壁面が見え難く、壁面の表面粗さによるノ
イズを低減することができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係るス
タンパーの製造方法を示す工程図である。本発明に係る
製造方法においては、以下の工程、 フォトレジスト１１が塗布されたガラス原盤１０上に
光ビーム３を照射してガイド溝パターンあるいは微小な
凹凸信号パターンを露光記録する工程（ａ）。 記録パターンを現像してガラス原盤１０の表面を露出
させ（ｂ）、非現像面をマスクとして所望の深さまでリ
アクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）することにより
ガイド溝あるいは微小な凹凸をガラス原盤１０の表面に
形成する工程（ｃ）。 残留フォトマスクを除去してガラスマスター２０を作
製する工程（ｄ）。 ガラスマスター２０の表面に導電膜１３を成膜する工
程（ｅ）。 導電膜１３の上に金属をめっきして金属スタンパー１
５を作製する工程（ｆ）。 ガラスマスター２０から金属スタンパー１５を剥離す
る工程（ｇ）。 を備え、最後に残留レジストを酸素プラズマや溶剤等で
除去してスタンパー２１を完成させる。

【００１６】すなわち、本発明は、リアクティブイオン
エッチング（ＲＩＥ）によってガイド溝あるいは微小な
凹凸をガラス原盤１０の表面に形成することを特徴とす
るものである。

【００１７】リアクティブイオンエッチングは、イオン
（イオンエッチング）と活性ラジカル（プラズマエッチ
ング）の両方を利用したエッチング法で、次のような特
徴をもっている。 異方性エッチングが行える。したがって、微細パター
ンの加工が可能である。 被エッチング物質のエッチング速度が大きく、フォト
レジスト、下地等に対する選択比を大きくとることがで
きる。 プラズマエッチングではエッチングの難しかったＡ
ｌ，ＳｉＯ₃ 等に対しても十分速いエッチング速度が得
られる。 したがって、このようなリアクティブイオンエッチング
を用いると、フォトレジストのようなポリマーに比べて
ガラス原盤１０の表面を非常にシャープにエッチングす
ることができ、フォトレジストパターンよりも壁面の表
面粗さが低く、また溝の壁面角度の制御が容易で、壁面
角度の大きい溝を形成することができる。リアクティブ
イオンエッチングによるガラス原盤１０のエッチング深
さは、１００ｎｍ以上である。ガラス原盤１０として
は、石英（合成石英を含む）が用いられる。

【００１８】このようにして作製されたスタンパー２１
を使用して、ポリカーボネート等の合成樹脂１６を用い
た射出成形法（ｈ）や紫外線硬化樹脂を用いた２Ｐ法に
より凹状の記録信号を有する光ディスク基板１７を複製
し（ｉ）、その記録信号面上にアルミニウム等の金属反
射膜や磁性膜を成膜すると光ディスクが完成する。

【００１９】このように、本発明による製造方法によっ
て製作されたスタンパー２１においては、溝壁面の表面
粗さが低く、また壁面角度の大きい溝を形成することが
できるので、このようなスタンパーにより複製された光
ディスクを光磁気ヘッドで再生したとき溝壁面が見え難
く、壁面の表面粗さによるノイズを小さくすることがで
きる。

【００２０】

【実施例】外径１８５ｍｍ、内径２０ｍｍ、厚さ６ｍｍ
で、表面粗度５ｎｍ以下に鏡面研磨された合成石英原盤
を用意し、この原盤を濃硫酸と過酸化水素水を体積比
４：１の割合で混合した液中（液温は４０°Ｃ）に５分
間浸漬した後、超純水、代替フロン（旭硝子社製Ｋ２２
５ＥＳ）で超音波洗浄した。

【００２１】次に、合成石英原盤の表面にプライマー
（トランシル社製アンカーコート）をスピンコートした
後、ポジ型レジスト（ヘキスト社製ＡＺＰ１３５０）を
溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテートに溶解させてレジスト溶液を調整し、スピンコ
ートした。次に、Ａｒイオンレーザーを搭載したカッテ
ィングマシンで合成石英原盤の半径３０ｍｍから半径６
０ｍｍまでの領域を露光した。なお、トラックピッチは
１．０μｍであり、現像後に幅０．５μｍのランド（あ
るいはグルーブ）が形成されるようなレーザーパワーで
連続的に露光した。露光時の合成石英原盤の回転数は９
００ｒｐｍ、レーザー光のスポット径は約０．８μｍで
ある。

【００２２】その後、無機アルカリ液（ヘキスト社製Ａ
Ｚデベロッパー）と超純水とを体積比３：５の割合で混
合し希釈した現像液でスピン現像した。この時の現像条
件は前純水塗布時間５４秒、現像液塗布時間９８秒、後
純水シャワー時間９０秒、スピン乾燥時間９０秒であ
る。次いで、１２０°Ｃのクリーンオーブン内で３０分
間ポストベークした。

【００２３】その後、反応性イオンエッチング装置（日
電アネルバ社製ＤＥＡ５０６）のチャンバー内に合成石
英原盤を入れ真空度１×１０^-4Ｐａまで排気した後、Ｃ
ＨＦ₃ ガスを導入し反応性イオンエッチングを行なっ
た。この時のガス流量は６ｓｃｃｍであり、ガス圧は
０．３Ｐａ、ＲＦ電力は３００Ｗ、自己バイアス電圧は
−３００Ｖ、電極間距離は１００ｍｍ、エッチング時間
は３分、６分、９分に設定した。

【００２４】次に、濃硫酸と過酸化水素水を体積比４：
１の割合で混合した液中に合成石英原盤を浸漬し残留レ
ジストを剥離した。この時の液温は１００°Ｃであり、
処理時間は５分である。その後、超純水、代替フロンで
超音波洗浄し石英マスターを製作した。この石英マスタ
ーの溝深さを計測したところ、エッチング時間が５分か
ら１０分までのサンプルでそれぞれ１５０ｎｍ、３００
ｎｍ、４５０ｎｍとなった。作製した石英マスターにス
パッタリング法により７０ｎｍのＮｉ導電膜を成膜し
た。なお、スパッタリング法の代わりに真空蒸着、無電
解めっき法等を使用することも可能である。このＮｉ導
電膜を電極としてＮｉを９０分間電鋳めっきし、０．３
ｍｍ厚のＮｉマスターを作製した。次に、Ｎｉをガラス
マスターから剥離した後、金属板に裏打ちしＮｉスタン
パーとした。

【００２５】以上のようにして作製したＮｉスタンパー
から射出成形法により直径１３０ｍｍのランド、グルー
ブパターンプラスチィック基板を複製した。

【００２６】次に、この基板表面に窒化シリコン（Ｓｉ
₃Ｎ₄）誘電体層、ＴｂＦｅＣｏ光磁気記録層、窒化シリ
コン（Ｓｉ₃Ｎ₄）保護層の順に成膜した後、紫外線硬化
型樹脂により膜面にハードコードを形成した。

【００２７】このようにして作製した光ディスクを波長
６８０ｎｍ、対物レンズのＮＡ０．５５、ケラレ係数
１．０、波面収差０．０３０λ（ｒｍｓ値）、偏光状態
は直線偏光であり、その方向はガイド溝に対し平行とな
る方向であるピックアップにより再生し、反射光量信号
出力をスペクトラムアナライザーに入力し未記録部のノ
イズレベルを測定した。この時の再生光パワーは、１．
０ｍＷ、回転数は３５００ｒｐｍ、半径位置は６０ｍｍ
である。

【００２８】このときの溝（段差）深さとノイズレベル
の関係を図４の実線Ｌ2 で示す。測定周波数は５ＭＨｚ
である。図４に示すように、溝深さを１５０ｎｍから４
５０ｎｍにわたって変えても、従来の製造方法で作製さ
れたスタンパーを用いて製作した光ディスクに比べてノ
イズレベルの上昇傾向は全く見られず、低ノイズな光デ
ィスクを得ることができた。

【００２９】〔比較例〕先ず、外径１８５ｍｍ、内径２
０ｍｍ、厚さ６ｍｍ、表面粗度５ｎｍ以下に研磨された
合成石英原盤を濃硫酸と過酸化水素水を体積比４：１の
割合で混合した液中（液温は４０°Ｃ）で５分間浸漬し
た後、超純水、代替フロンで超音波洗浄した。

【００３０】次に、上記した実施の形態と同様に合成石
英原盤の表面にプライマーをスピンコートした後、ポジ
型レジストを溶媒としてプロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテートに溶解させてレジスト溶液を調整
し、スピンコートした。この時、溶媒とフォトレジスト
の希釈比を変えて１５０ｎｍ、３００ｎｍ、４５０ｎｍ
厚さのフォトレジスト原盤を得た。

【００３１】次に、Ａｒイオンレーザーを搭載したカッ
ティングマシンで合成石英原盤の半径３０ｍｍから半径
６０ｍｍまでの領域を露光した。トラックピッチは１．
０μｍであり、現像後に幅０．５μｍのランド（あるい
はグルーブ）が形成されるようなレーザーパワーで連続
的に露光した。露光時の合成石英原盤の回転数は９００
ｒｐｍ、レーザー光のスポット径は約０．８μｍであ
る。

【００３２】その後、無機アルカリ液と超純水とを体積
比３：５の割合で混合し希釈した現像液でスピン現像し
た。この時の現像条件は前純水塗布時間５４秒、現像液
塗布時間９８秒、後純水シャワー時間９０秒、スピン乾
燥時間９０秒である。次いで、１２０°Ｃのクリーンオ
ーブン内で３０分間ポストベークした。

【００３３】作製したガラスマスターにスパッタリング
法により７０ｎｍのＮｉ導電膜を成膜した。なお、スパ
ッタリング法の代わりに真空蒸着、無電解めっき法等を
使用することも可能である。このＮｉ導電膜を電極とし
てＮｉを９０分間電鋳めっきし、０．３ｍｍ厚のＮｉマ
スターを作製した。次に、Ｎｉをガラスマスターから剥
離し、金属板に裏打ちすることによりＮｉスタンパーを
作製した。以上のようにして作製したＮｉスタンパーを
用いて射出成形法により直径１３０ｍｍのランド、グル
ーブパターンプラスチック基板を複製した。

【００３４】次に、この基板の表面に窒化シリコン（Ｓ
ｉ₃Ｎ₄）誘電体層、ＴｂＦｅＣｏ光磁気記録層、窒化シ
リコン（Ｓｉ₃Ｎ₄）保護層の順に成膜した後、紫外線硬
化型樹脂により膜面にハードコードを形成した。

【００３５】このようにして作製した光ディスクを波長
６８０ｎｍ、対物レンズのＮＡ０．５５、ケラレ係数
１．０、波面収差０．０３０λ（ｒｍｓ値）、偏光状態
は直線偏光であり、その方向はガイド溝に対し平行とな
る方向であるピックアップにより再生し、反射光量信号
出力をスペクトラムアナライザーに入力し未記録部のノ
イズレベルを測定した。この時の再生光パワーは、１．
０ｍＷ、回転数は３５００ｒｐｍ、半径位置は６０ｍｍ
である。

【００３６】このときの溝（段差）深さとノイズレベル
の関係を図４の破線Ｌ1 で示す。測定周波数は５ＭＨｚ
である。図４に示すように、従来方法で製作されたスタ
ンパーを用いて光ディスクを製作した場合は、溝深さが
２００ｎｍからノイズレベルが約６ｄＢ上昇する結果と
なった。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように本発明に係る光ディ
スク用スタンパーの製造方法は、フォトレジストが塗布
されたガラス原盤上に光ビームを照射してガイド溝パタ
ーンあるいは微小な凹凸信号パターンを露光記録する工
程と、記記録パターンを現像してガラス原盤表面を露出
させ、非現像面をマスクとして所望の深さまでリアクテ
ィブイオンエッチングすることによりガイド溝あるいは
微小な凹凸をガラス原盤の表面に形成する工程と、残留
フォトマスクを除去してガラスマスターを作製する工程
と、前記ガラスマスターの表面に導電膜を成膜する工程
と、前記導電膜の上に金属をめっきして金属スタンパー
を作製する工程と、前記ガラスマスターから金属スタン
パーを剥離する工程とを備えているので、溝の深さが１
００ｎｍ以上であっても溝壁面の表面粗さが低く、また
溝の壁面角度の制御が容易で、壁面角度の大きい溝を形
成することができる。したがって、このようなスタンパ
ーにより複製された光ディスクにおいても溝壁面の表面
粗さが低く、また壁面角度の大きい溝を形成することが
でき、低ノイズレベルの光ディスクの製作が可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 （ａ）〜（ｉ）は本発明に係るスタンパーの
製造方法の工程を示す図である。

【図２】 光ディスクの要部の断面図である。

【図３】 （ａ）〜（ｇ）は従来のスタンパーの製造方
法の工程を示す図である。

【図４】 スタンパーの溝深さとノイズレベルの関係を
示す図である。

【符号の説明】

３…光ビーム、１０…ガラス原盤、１１…フォトレジス
ト、１２…ガラスマスター、１３…Ｎｉ導電膜、１４…
Ｎｉ電鋳層、１５…スタンパー、１６…ポリカーボネー
ト合成樹脂、１７…光ディスク基板、２０…ガラスマス
ター、２１…スタンパー。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フォトレジストが塗布されたガラス原盤
   上に光ビームを照射してガイド溝パターンあるいは微小
   な凹凸信号パターンを露光記録する工程と、 前記記録パターンを現像してガラス原盤表面を露出さ
   せ、非現像面をマスクとして所望の深さまでリアクティ
   ブイオンエッチングすることによりガイド溝あるいは微
   小な凹凸をガラス原盤の表面に形成する工程と、 残留フォトマスクを除去してガラスマスターを作製する
   工程と、 前記ガラスマスターの表面に導電膜を成膜する工程と、 前記導電膜の上に金属をめっきして金属スタンパーを作
   製する工程と、 前記ガラスマスターから金属スタンパーを剥離する工程
   とを含むことを特徴とする光ディスク用スタンパーの製
   造方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の光ディスク用スタンパー
   の製造方法において、 ガラス原盤が石英であることを特徴とする光ディスク用
   スタンパーの製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の光ディスク用ス
   タンパーの製造方法において、 ガラス原盤のエッチング深さが１００ｎｍ以上であるこ
   とを特徴とする光ディスク用スタンパーの製造方法。