JP2000285732A

JP2000285732A - 導電性ペースト及びそれを用いた高周波用電子部品

Info

Publication number: JP2000285732A
Application number: JP11092145A
Authority: JP
Inventors: Kenichirou Morishige; 憲一郎森茂; Norio Nakano; 紀男中野
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1999-03-31
Filing date: 1999-03-31
Publication date: 2000-10-13

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明はガラス成分が３０体積％以下の基体
との同時焼成においても、基体と表面配線パターンとの
界面部分にガラス層を形成でき、高温放置等による基体
と表面配線パターンの接合力の低下を抑制することので
きる高周波用電子部品およびそれに用いる導電性ペース
トを提供するものである。【解決手段】本発明は、低温焼成で焼成可能で、且つガ
ラス成分の含有量が３０体積％以下の基体１の表面に、
Ａｇ系金属成分とＬｉ₂Ｏ−ＳｉＯ₂系結晶化ガラス成
分とから成る表面配線パターン２を形成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波共振器、コ
ンデンサ、フィルタ等やこれらと同等の動作を行なう導
体膜を有する高周波用電子部品及びそれに用いる導電性
ペーストに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、ガラス成分とセラミック成分
とを有するガラス−セラミック基板は、単板状基板また
は複数のガラス−セラミック層を積層した積層基板など
として用いられている。これらの基板材料は比較的低温
で焼結することができるため、基板の内部または表面の
所定配線・電極パターンの材料にＡｇやＣｕなどの低抵
抗材料を用いることができる。

【０００３】従って、高周波動作する共振器、コンデン
サ、フィルタなどの素子を基板に形成する高周波用電子
部品として非常に有望となる。この高周波用電子部品と
しては、高周波共振器、コンデンサ、フィルタ等やこれ
らを含む電圧制御型発振回路、局発振信号形成回路、パ
ワーアンプ等などを形成した回路基板などが例示でき
る。

【０００４】このような回路基板は、例えば積層基板を
用いた回路基板で構成され、複数の絶縁層（誘電体層）
を積層した積層体と、前記絶縁層の層間に配置した内部
配線パターンと、前記積層基板の表面に形成した表面配
線パターンと、さらに内部配線パターンどうしや内部配
線パターンと表面配線パターンとを接続するビアホール
導体と、積層基板の表面に表面配線パターンの一部を被
覆する絶縁層と、表面配線パターンに実装された各種電
子部品とから構成されている。

【０００５】また、単板基板の回路基板は、表面配線パ
ターンと、表面配線パターンの一部を被覆する絶縁層
と、表面配線パターンに実装された各種電子部品とから
構成されている。

【０００６】比較的低温で焼成可能な回路基板は、誘電
体層にセラミックなどのフィラー材とガラス成分とから
なっている。例えば絶縁性を重視するガラス−セラミッ
クにおいては、例えば低融点ガラス成分は、コージェラ
イト、ムライト、アノートサイト、セルジアン、スピネ
ル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライ
ト、オオスミライト及びその置換誘電体等の結晶相のう
ち少なくとも１種類を析出し得るガラス成分であり、フ
ィラー材は、クリストバライト、石英、コランダム（α
アルミナ）等が例示できる。この場合、ガラス成分は全
基体の２５体積％〜７０体積％含有するものである。

【０００７】また、基体材料の高周波特性を重要視する
低温焼成基板は、ＭｇＴｉＯ₃、ＣａＴｉＯ₂、ＴｉＯ
₂などの誘電体セラミックフィラーが用いられており、
ガラス成分を極力少なくしている。例えば、ガラス成分
は全基体の５〜３０体積％程度含有するものである。

【０００８】このような低温焼成基板に用いる低温焼成
用導電性ペーストとしては、Ａｇ系、Ｃｕ系、Ａｕ系等
の低抵抗材料を主体とし、ガラスフリット、有機ビヒク
ルを混練した導電ペーストが挙げられる。ここで、Ａｕ
系の導電性ペーストは導電性及び化学的安定性に優れ、
且つ基板との接着性も良いものの、大変高価であるとい
う欠点がある。また、Ｃｕ系ペーストは安価で導電性に
も優れるが、還元雰囲気での焼成が必要となるため焼成
工程が高価になる。

【０００９】そこで、これらの欠点を解消するために、
内部配線パターンや表面配線パターンは専らＡｇ系材料
（Ａｇ単体、Ａｇを主成分とするＡｇ合金）を用いたＡ
ｇ系ペーストが用いられていた。そして、このＡｇ系ペ
ーストは、導電性に優れ、且つ主成分のＡｇ粉末は比較
的安価で焼成も大気中で行うことができる。

【００１０】このような回路基板では製造工程の簡略化
のために、表面配線パターンは、低温焼結可能な未焼成
状態上の基体上に、Ａｇ系の導電性ペーストを用いて所
定パターンの配線導体膜を形成し、基体と同時に焼成し
て形成していた。

【００１１】尚、Ａｇ系表面配線パターンを形成するた
めのＡｇ系ペーストは、Ａｇ系金属成分、基体との接合
強度を向上させるガラス成分、ペースト化するための有
機ビヒクルから構成され、焼成された後のＡｇ系表面配
線パターンには、Ａｇ系金属成分とガラス成分とから構
成されることになる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかし、表面配線パタ
ーンを形成した回路基板においては、高温放置等による
基体と表面配線パターンとの接着力を維持するには、両
者の界面にガラス層を生成してアンカー効果を発揮する
ようにしなくてはならない。

【００１３】ガラス成分が３０体積％以上を含む未焼成
状態の基体上にＡｇ系導電性ペーストを印刷形成し、基
体と同時焼成してＡｇ系表面配線パターンを形成する
と、基体中のガラス成分がリッチであるため、Ａｇ系導
体中のガラス成分が基体側に拡散しにくい。逆に基体側
のガラス成分が表面配線パターン側に拡散する。その結
果、基体と表面配線パターンとの界面にガラス成分で生
成され、そのガラス成分が基体の表面に食い込んだ状態
のアンカー効果が得られ、高温放置後においても安定し
た接着力が維持できる。尚、この場合、特にＡｇ系導電
性ペーストのガラス成分の重量を制御して、表面配線パ
ターンの表面にガラス成分が析出しないようにする必要
がある。

【００１４】また、ガラス成分が３０体積％以下の基
体、例えば、誘電体材料をフィラーに用いた基体におい
ては、ガラス成分が少ないため、基体中に気孔が残存し
やすい。そして、Ａｇ系導電性ペーストのガラス成分の
軟化点が低い場合には、基体が充分焼結反応が開始され
ていないことにより、Ａｇ系配線パターンとなる導体中
のガラス成分が、焼成の比較的早い段階から基体中に拡
散してしまう。その結果、基体と表面配線パターンとの
界面にガラス成分が留まることかできず、アンカー効果
を充分に達成できない。そして、特に、高温放置後の接
着力が低下してしまう。

【００１５】逆に、Ａｇ系導電性ペーストのガラス成分
の軟化点が高いと、流動性の不足によって、表面配線パ
ターンとなると導体中にガラス成分が残存してしまう。
即ち、基体と表面配線パターンとの界面に充分なガラス
層が形成できず、また半田濡れ性も劣化してしまう。こ
れらは非結晶性ガラスの軟化後の流動性が温度と共に緩
やかに増していくためである。

【００１６】本発明は上述の課題に鑑みて案出されたも
のであり、その目的はガラス成分が３０体積％以下の基
体との同時焼成して表面配線パターンを形成する導電性
ペーストであって、基体と表面配線パターンとの間に安
定したガラス層を形成でき、しかも、表面配線パターン
の半田塗れ性に優れた導電性ペーストを提供するもので
ある。

【００１７】また、このような導電性ペーストを用いて
高温放置後の接着力が高く、半田塗れ性の優れた表面配
線パターンを有する高周波用電子部品を提供するもので
ある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明は、Ａｇ系粉末
と、融点が８２０〜９６５℃のＬｉ₂Ｏ−ＳｉＯ₂系結
晶化ガラス粉末と、有機ビヒクルとからなる導電性ペー
ストである。

【００１９】また、別の発明は、ガラス成分が全体の３
０体積％以下のセラミック基体表面に、請求項１に記載
の導電性ペーストを用いて、Ａｇ系金属成分と、Ｌｉ₂
Ｏ−ＳｉＯ₂系結晶化ガラス成分とから成る表面配線パ
ターンを形成したことを特徴とする高周波用電子部品で
ある。

【００２０】ここで、Ｌｉ₂Ｏ−ＳｉＯ₂系の結晶化ガ
ラスとは、その融点をＬｉ₂Ｏ、ＳｉＯ₂のモル比の制
御により容易に８２０℃〜１０００℃の範囲に制御でき
る。

【００２１】また、焼成ピーク温度は、Ａｇの融点に合
わせて、９６５℃を上限となる。

【００２２】

【作用】本発明の導電性ペースト及びその高周波用電子
部品において、表面配線パターンをＡｇ系材料を用いる
ことができ、比較的安価に作成することができる。ま
た、Ｌｉ₂Ｏ、ＳｉＯ₂では、融点を８２０℃〜１００
０℃程度の制御に適しており、基体の焼結収縮開始温度
（未焼成の基体が焼成によりその体積が５％収縮する温
度、例えば８５０〜８７0 ℃）前後に、その融点を設定
することが非常に容易となる。

【００２３】これより、導電性ペーストの印刷で形成し
た表面配線パターンとなる導体膜のガラス成分が、焼結
収縮開始温度付近の融点以上の温度で急激にガラス流動
性を有する。このガラス成分が流動した時には、基体は
ある程度の焼結が進んでおり、このガラスが基体側に積
極的に拡散されることはない。従って、基体と表面配線
パターンとの界面にガラス成分が集中し、基体と表面配
線パターンとのアンカー効果によってその接着強度を向
上させ、同時に高温放置後の接着力の低下を防止するこ
とができる。

【００２４】以上のように、本発明の導電性ペーストで
は、基体の焼結開始温度の付近に容易にガラスの融点を
制御できることになり、また、これを用いた高周波用電
子部品において、基体と表面配線パターンとの間の接着
力を高め、半田塗れ性を高めることができる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる高周波用電
子部品を図面に基づいて説明する。

【００２６】図１は、本発明の高周波用電子部品の一例
である表面にマイクロストリップ線路（表面配線パター
ン）を有する積層型回路基板の斜視図を示す。このマイ
クロストリップ線路は例えば共振回路部を構成し、積層
型回路基板は共振回路部を含む発振回路が形成されてい
る。

【００２７】図において、１０は積層型回路基板であ
り、１は基体であり、２は表面配線パターンであり、３
は各種電子部品素子である。

【００２８】基体１は、例えば複数の誘電体層を積層し
てなり、その層間には、図では省略しているが、Ａｇな
どを主成分とする内部配線パターン（所定回路網、マイ
クロストリップ線路などのインダクタ導体や容量形成の
容量電極など）が形成され、各層には内部配線パターン
間を接続し、また、内部配線パターンと表面配線パター
ン２とを接続するビアホール導体が形成されている。

【００２９】基体１は、例えば、Ｃａ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ａ
ｌ等の酸化物を主成分材料と、基体１全体の３０体積％
以下のガラス成分とから構成されている。また、内部配
線パターン、ビアホール導体はＡｇを主成分とする材料
からなる。

【００３０】また、基体１の表面には、Ａｇ系（Ａｇ単
体、Ａｇ合金、Ａｇを主成分とする）とする金属成分
と、Ｌｉ₂Ｏ−ＳｉＯ₂系結晶化ガラス成分とから成る
表面配線パターン２が形成されている。この表面配線パ
ターン２とは、所定回路網、マイクロストリップ線路な
どのインダクタ導体、容量形成の容量電極、電子部品素
子３を半田接合する電極パッド、外部回路と接続する端
子電極を含む。この表面配線パターン２は、基体とする
未焼成状態の基体の表面にＡｇ系導電性ペーストを用い
て印刷形成し、基体と一体的に焼結処理する。このＡｇ
系導電性ペーストは、例えば、Ａｇ粉末を主成分とする
金属粉末と、Ｌｉ₂Ｏ−ＳｉＯ₂系結晶化ガラスのフリ
ットと、有機ビヒクルとから構成される。

【００３１】そして、内部導体パターン３の厚みは８〜
１５μｍ程度であり、ビアホール導体４の直径のは８０
〜２５０μｍ程度である。

【００３２】上述の構造の回路基板において、Ａｇ系導
電性ペースト、即ち、Ａｇ系材料を主成分としているた
め、低温焼成（Ａｇの融点約９６５℃以下の低温）に対
応できること、高周波特性に優れ、製造工程が簡素化で
き、さらに、安価なものとなる。

【００３３】また、Ａｇ系導電性ペーストに含まれるガ
ラス成分が、Ｌｉ₂Ｏ−ＳｉＯ₂系結晶化ガラスを用い
ている。これは、Ｌｉ₂Ｏ−ＳｉＯ₂系結晶化ガラスの
融点をＬｉ₂Ｏ、ＳｉＯ₂とともに用いられるＢａＯや
ＣａＯの組成により、８００ガラス融点を８００〜１１
００℃の範囲に容易に制御ができるためである。そし
て、結晶化ガラス成分の融点を８２０〜９６５℃に制御
できる。

【００３４】このような結晶化ガラスを用いることによ
り、基体１との同時焼結時、基体１の焼結収縮開始温度
（基体１中のガラス成分や誘電体フィラーの組成や含有
量によっても異なるが、例えば８５０〜８７０℃）の近
傍に、ガラス成分の融点を設定できることになる。

【００３５】尚、上述のＬｉ₂Ｏ−ＳｉＯ₂系結晶化ガ
ラスとしては、例えば、Ｌｉ₂Ｏが１０〜３０mol ％、
ＳｉＯ₂が５０〜７０mol ％、ＢａＯが５〜１５mol
％、ＣａＯが５〜１５mol ％の組成のガラスが例示で
き、これにより、融点温度を約８５０℃とすることがで
きる。

【００３６】また、Ｌｉ₂Ｏ−ＳｉＯ₂系結晶化ガラス
は、固形成分中５〜１０重量％の範囲に添加する。

【００３７】このようなＬｉ₂Ｏ−ＳｉＯ₂系結晶化ガ
ラスを導電性ペーストに用いることにより、例えば、基
体１と表面配線パターン２との同時焼成によって、基体
１と表面配線パターン２との界面部分に両者を強固に接
着し得る安定してガラス層を形成することができる。即
ち、このガラス層により基体１と表面配線パターン２と
の間をアンカー効果によって接着強度を向上させる。し
かも、このアンカー効果により、例えば１５０℃、２５
０時間放置後の接着力を安定的に維持することができ
る。

【００３８】しかも、Ｌｉ₂Ｏ−ＳｉＯ₂系結晶化ガラ
ス成分が、基体１との間のガラス層の形成に主に作用
し、その表面配線パターン２の表面に析出することが少
ないため、表面配線パターン２に電子部品素子３などを
半田によって安定的に接合することができる。

【００３９】ここで、上述のＬｉ₂Ｏ−ＳｉＯ₂系結晶
化ガラスの添加量が５重量％未満では、基体１と表面配
線パターン２との界面にアンカー効果を及ぼすガラス層
が形成されにくく、特に高温放置後の接着力が低下して
しまう。また、１０重量％を越えると、表面配線パター
ン２の表面にこのガラス成分が析出されて半田塗れ性を
劣化させてしまう。このため、Ｌｉ₂Ｏ−ＳｉＯ₂系結
晶化ガラスは、固形成分（金属成分とこのガラス成分）
中に、５〜１０重量％、好ましくは６〜８重量％添加す
ることが望ましい。

【００４０】また、本発明のＡｇ系導電性ペーストに
は、導体特性に悪影響を及ぼさない範囲でＢｉ、Ｒｈ、
Ｃａ、Ｖ、Ｒｕ、Ｎｉ等の酸化物や有機物を添加含有し
ても良い。この場合、さらに接着力低下の抑制や基体反
りの低減を図ることが出来る。

【００４１】尚、Ｌｉ₂Ｏ−ＳｉＯ₂系結晶化ガラスに
ついて検討すると、例えば、Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−Ｚｎ
系結晶化ガラスでは融点が１０００℃以上となり、ま
た、Ｂ₂Ｏ₃−ＣａＯ−Ｌｉ₂Ｏ系結晶化ガラスでは融
点が７００℃程度となってしまう。

【００４２】例えば、Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系の非晶質ガ
ラスでは、融点は存在せず、７００〜９００の広い温度
範囲での軟化点を有する。

【００４３】ここで、本発明では、Ｌｉ₂Ｏ−ＳｉＯ₂
系結晶化ガラスの融点と、非晶質ガラスの軟化点では、
ガラス流動性状態が全く相違する。即ち、結晶化ガラス
では融点を越えると急激にガラス流動性状態となる。こ
れに対して、非晶質ガラスは、軟化点を越えると温度の
上昇にともない流動性が徐々に進行する。

【００４４】このようなＡｇ系導電性ペーストは、例え
ばＡｇ粉末、Ｐｔ粉末、有機ビヒクル、Ｌｉ₂Ｏ−Ｓｉ
Ｏ₂系ガラス、Ｂｉ₂Ｏ₃、分散剤の各原料を所定量と
なるように秤量し、３本ロールで混合し、これを所定の
粘度となるように有機ビヒクルを添加し調整することに
より得られる。

【００４５】また、基体１を構成するガラス−セラミッ
ク材料としては、特に、高周波用回路基板においては、
誘電率を所定値とするために、ＭｇＴｉＯ₃、ＣａＴｉ
Ｏ₂、ＴｉＯ₂などの誘電体セラミックフィラーを用い
る必要があり、これらの誘電特性を向上・維持させるた
めに、例えばＢ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系のガラス成分を３０
体積％以下、例えば、５〜３０体積％の範囲で添加す
る。このガラス成分は、主に焼結を促進させる低温焼結
助材としても作用するものである。

【００４６】

【実施例】先ず、平均粒径０．５〜８μｍのＡｇ粉末、
Ｐｔ粉末、Ｌｉ₂Ｏ−ＳｉＯ₂系結晶化ガラス（試料番
号５〜７）、Ｂｉ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系非晶質ガラス（試
料番号１〜４）の各原料粉末を表１に示す量を秤量し混
合した後、得られた混合物に対し、ビヒクルとしてエチ
ルセルロース等の有機バインダーをペンタジオールイソ
ブチレート等の有機溶剤に溶解したもの及び分散剤を加
え、３本ロールミルを使用して充分混合した。さらに、
上記ペンタジオールイソブチレート等の有機溶剤を用い
て粘度を調整し、求める導電ペーストを得た。

【００４７】次に基体材料を作成するにあたり、原料と
して純度９９％以上のＭｇＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ₃のフ
ィラーと、Ｂ₂Ｏ₃、Ｌｉ₂ＣＯ₃、Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ
₂系ガラス成分との各原料粉末を秤量し、該原料粉末に
媒体として純水を加えて２４時間、ＺｒＯ₂ボールを用
いたボールミルにて混合した後、該混合物を乾燥し、次
いで該乾燥物を大気中７５０℃の温度で３時間仮焼し
た。得られた仮焼物にアクリル酸系のバインダー、可塑
剤等を加えてからドクターブレード法にてグリーンシー
トを得た。

【００４８】このグリーンシートには所定径のビアホー
ルをパンチングによって形成し、Ａｇ系ペーストをこの
ビアホールに充填した。また、グリーンシート上にはＡ
ｇ系ペーストを印刷し、特に表層の絶縁層１Ａとなるグ
リーンシート上に、上記導電ペーストを印刷し、各グリ
ーンシートを積層一体化してから大気中で焼成した。

【００４９】尚、基体の焼結収縮開始温度は、約８５０
〜８７０℃であり、ピーク温度は約９１０℃である。

【００５０】こうして得られた基体の表面配線パターン
２（一辺が２ｍｍの矩形状パターン）を１５０℃の高温
漕に２５０時間投入した後の接着強度を調べ、また、半
田塗れ性を調べた。接着強度は０．５Kg以上、半田濡れ
は２．５ｍｍ²以上を良好とした。

【００５１】

【表１】

【００５２】試料番号１〜４については非晶質ガラスを
用いており、軟化点温度が７４０〜９２０℃の範囲であ
る。非結晶性ガラスの軟化後の流動性が温度と共に緩や
かに増していく。

【００５３】試料番号１、２では、ガラス軟化点が基体
の焼結収縮開始温度よりも低いため、表面配線パターン
２となる導体中のガラス成分が、基体１側に拡散して、
表面配線パターン２中に残存しなくなるため、半田塗れ
性は良好であるものの、高温放置後の接着力が大きく低
下する。

【００５４】試料番号３、４は、ガラス軟化点が基体の
焼結収縮開始温度よりも高いため、表面配線パターン２
となる導体中のガラス成分が、基体１側に拡散しにく
い、その結果、半田塗れ性は悪化する傾向を示す。

【００５５】試料番号５〜７は、Ｌｉ₂Ｏ−ＳｉＯ₂系
結晶化ガラスを用いているため、試料番号１〜４のＢ₂
Ｏ₃−ＳｉＯ₂系非晶系のガラス成分でいう軟化点をも
たない。そして、結晶化ガラスでは融点を越えると急激
にその流動性が増す。

【００５６】試料番号５では、その融点が焼結収縮開始
温度よりも低いため、実質的に試料番号１〜２のように
表面配線パターン２となる導体中のガラス成分が、基体
１側に拡散してしまう。

【００５７】試料番号６、７では、基体が焼結し始めた
（焼結収縮開始温度）後、即ち、ある程度の基体の焼結
が進んだ後に、Ｌｉ₂Ｏ−ＳｉＯ₂系結晶化ガラスが急
激な流動性を示すため、このガラス成分が基体１側に積
極的に拡散されることがなく、安定して基体１と表面配
線パターン２との界面に形成されることになる。そし
て、表面配線パターン２の表面にもガラス成分が析出し
にくく、半田塗れ性も良好であり、高温放置後の接着力
を良好な値となる。

【００５８】尚、Ｌｉ₂Ｏ−ＳｉＯ₂系結晶化ガラスで
融点をＡｇの融点である９６５℃まで挙げても、同様な
効果があられることを確認した。

【００５９】また、Ｌｉ₂Ｏ−ＳｉＯ₂系結晶化ガラス
で融点を、９６５℃以上にすると、当然、焼成ピーク温
度９６５℃以上にしなくてはならず、Ａｇが溶けだすこ
とにより、表面配線パターン２が崩れてしまう。

【００６０】以上のように、Ｌｉ₂Ｏ−ＳｉＯ₂系結晶
化ガラスで融点を９６５℃に近くまであげると、ピーク
温度も同時に挙げる必要があり、このピーク温度に応じ
た基体１のフィラー及びガラスの組成、添加量を調整す
る必要があり、また、ガラス融点とピーク温度との温度
マージンが少なくなるため、温度バラツキによりＡｇが
溶けだすという不良が発生してしまう可能性がある。

【００６１】このため、実用的には、Ｌｉ₂Ｏ−ＳｉＯ
₂系結晶化ガラスで融点を８２０〜８７５℃の範囲とす
ることが最も安定した表面配線パターン２が得られるこ
とになる。

【００６２】尚、上述の実施例では、基体に積層状基板
を用いて説明したが、単板状の基板であっても構わな
い。

【００６３】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、基体と
表面配線パターンとの接合強度、特に高温放置後の接着
力に優れ、同時に半田塗れ性に優れた表面配線パターン
を容易に形成することができる導電性ペーストとなる。

【００６４】また、基体と表面配線パターンとの接合強
度を向上させることができ、同時に半田塗れ性に優れた
表面配線パターンを容易に形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる高周波用電子部品の一例である
積層型回路基板の外観斜視図である。

【符号の説明】

１０・・・・・回路基板１・・・・・・基体２・・・・・・表面配線パターン３・・・・・・電子部品素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4E351 AA14 BB01 BB31 BB35 BB49 CC12 CC22 CC31 DD05 DD31 DD45 DD47 EE10 EE11 EE27 GG01 GG07 GG16 4J038 EA011 HA066 HA176 HA436 HA456 KA20 NA20 PB09 5G301 DA03 DA12 DA36 DA39 DA42 DD01 5J006 HB03 HB22 LA18 LA25 LA27

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ａｇ系粉末と、融点が８２０〜９６５℃
のＬｉ₂Ｏ−ＳｉＯ₂系結晶化ガラス粉末と、有機ビヒ
クルとからなる導電性ペースト。
【請求項２】ガラス成分が全体の３０体積％以下のセ
ラミック基体表面に、請求項１に記載の導電性ペースト
を用いて、Ａｇ系金属成分と、Ｌｉ₂Ｏ−ＳｉＯ₂系結
晶化ガラス成分とから成る表面配線パターンを形成した
ことを特徴とする高周波用電子部品。