JPH068189B2 - 酸化物誘電体材料 - Google Patents
酸化物誘電体材料Info
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- JPH068189B2 JPH068189B2 JP60059455A JP5945585A JPH068189B2 JP H068189 B2 JPH068189 B2 JP H068189B2 JP 60059455 A JP60059455 A JP 60059455A JP 5945585 A JP5945585 A JP 5945585A JP H068189 B2 JPH068189 B2 JP H068189B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
- C03C14/004—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of particles or flakes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明は酸化物誘電体材料に関し、さらに詳しくは、電
気特性及び機械的特性が優れると共に、低温での焼成が
可能な特に回路基板用として優れた酸化物誘電体材料に
関する。
気特性及び機械的特性が優れると共に、低温での焼成が
可能な特に回路基板用として優れた酸化物誘電体材料に
関する。
［発明の技術的背景とその問題点］ マイクロエレクトロニクス(ME)の発達により、オフィス
オートメーション用機器やホームエレクトロニクス機器
の小型化が急速に押し進められ、小型化されたマイクロ
エレクトロニクス機器が身近な存在となりつつある。マ
イクロエレクトロニクス機器には比較的高密度の多層配
線基板が広く利用されているが、その材料としては、電
気的特性、機械的特性及び量産性の観点から主としてア
ルミナセラミックが使用されてきた。このような多層配
線基板は、通常層間絶縁の役割を有する誘電体層と導体
層とを交互に積層した後、一体的に焼成して得ることが
できる。
オートメーション用機器やホームエレクトロニクス機器
の小型化が急速に押し進められ、小型化されたマイクロ
エレクトロニクス機器が身近な存在となりつつある。マ
イクロエレクトロニクス機器には比較的高密度の多層配
線基板が広く利用されているが、その材料としては、電
気的特性、機械的特性及び量産性の観点から主としてア
ルミナセラミックが使用されてきた。このような多層配
線基板は、通常層間絶縁の役割を有する誘電体層と導体
層とを交互に積層した後、一体的に焼成して得ることが
できる。
アルミナ（Al2O3）は絶縁特性が優れていはいるものの
焼成温度が1500〜1600℃と高いため、使用しうる導体層
はこの焼成温度に耐え得るモリブデン(Mo)，タングステ
ン(W)等の高融点金属からなるものに限定される。このM
o，W等は、比抵抗が大きいため、配線幅の減少に限界が
あり、高密度配線による装置の小型化の要求に逆行する
のみならず、その焼成には、還元雰囲気下の高温を使用
するため焼成装置の維持及び管理が困難となり、工数低
減を阻害していた。
焼成温度が1500〜1600℃と高いため、使用しうる導体層
はこの焼成温度に耐え得るモリブデン(Mo)，タングステ
ン(W)等の高融点金属からなるものに限定される。このM
o，W等は、比抵抗が大きいため、配線幅の減少に限界が
あり、高密度配線による装置の小型化の要求に逆行する
のみならず、その焼成には、還元雰囲気下の高温を使用
するため焼成装置の維持及び管理が困難となり、工数低
減を阻害していた。
一方、W，Mo等に比べ比抵抗の小さい白金一銀(Pt-Ag)，
銀−金(Ag-Au)，銅(Cu)等のペーストを用いることを考
えると、誘電体材料の焼成温度は1000℃以下程度である
ことが望まれる。このような要求に応じて主成分として
酸化鉛を含むガラス系セラミックスを誘電体として用い
るものがある（特開昭58-78496号）。この材料はAl2O3
に比べれば焼成温度は低いものの、まだ十分ではない。
さらに酸化鉛を含む系では、低分圧酸素雰囲気（Cuペー
スト焼結用）下の焼成時に酸化鉛が一部還元され、金属
鉛として析出してしまう。これは誘電体材料からなる絶
縁体層の体積抵抗率を大幅に低下し、配線間に信号のリ
ークが起る。
銀−金(Ag-Au)，銅(Cu)等のペーストを用いることを考
えると、誘電体材料の焼成温度は1000℃以下程度である
ことが望まれる。このような要求に応じて主成分として
酸化鉛を含むガラス系セラミックスを誘電体として用い
るものがある（特開昭58-78496号）。この材料はAl2O3
に比べれば焼成温度は低いものの、まだ十分ではない。
さらに酸化鉛を含む系では、低分圧酸素雰囲気（Cuペー
スト焼結用）下の焼成時に酸化鉛が一部還元され、金属
鉛として析出してしまう。これは誘電体材料からなる絶
縁体層の体積抵抗率を大幅に低下し、配線間に信号のリ
ークが起る。
さらに装置の小型化による高密度配線、高速化が進展す
ると信号電播に係る誘導体層の影響が無視できなくなっ
てきている。例えば誘電率（ε）は信号伝播遅延時間に
大きく影響し（一般式 τ：１cm当りの遅延時間）、εは小さいほうが好まし
い。又、誘電損失（tanδ）は信号の損失に大きく影響
し、tanδが大きいと信号電流により配線周辺の誘電体
層に電磁界が形成され、熱エネルギーに変換され、信号
損失につながるのである。この熱エネルギーは基板の温
度上昇につながり、ICチップの破壊、ハンダ溶融等のト
ラブルの原因となる。従ってtanδが小さいことが望ま
れる。
ると信号電播に係る誘導体層の影響が無視できなくなっ
てきている。例えば誘電率（ε）は信号伝播遅延時間に
大きく影響し（一般式 τ：１cm当りの遅延時間）、εは小さいほうが好まし
い。又、誘電損失（tanδ）は信号の損失に大きく影響
し、tanδが大きいと信号電流により配線周辺の誘電体
層に電磁界が形成され、熱エネルギーに変換され、信号
損失につながるのである。この熱エネルギーは基板の温
度上昇につながり、ICチップの破壊、ハンダ溶融等のト
ラブルの原因となる。従ってtanδが小さいことが望ま
れる。
このような基板に用いられる誘電体材料の誘電率、誘電
損失は小さい方が望ましく、従来のAl2O3，ガラス系セ
ラミックス（ε：７〜20、tanδ：２×10-3〜４×10-3
（at １MHz））では十分ではなかった。
損失は小さい方が望ましく、従来のAl2O3，ガラス系セ
ラミックス（ε：７〜20、tanδ：２×10-3〜４×10-3
（at １MHz））では十分ではなかった。
［発明の目的］ 本発明の目的は、上記した問題点の解消にあり、電気的
特性及び機械的特性が優れると共に、低温での焼成が可
能な酸化物誘電体材料を提供することである。
特性及び機械的特性が優れると共に、低温での焼成が可
能な酸化物誘電体材料を提供することである。
［発明の概要］ 本発明は、Mg，Si，B及びBaが夫々酸化物に換算して、M
gO20〜40重量％、SiO2 34〜40重量％、BaO 9〜28重量
％及びB2O3 4〜12重量％を含有しMg2SiO4フォルステラ
イトと硼珪酸バリウムガラスとのガラスセラミックを構
成することを特徴とする酸化物誘電体材料である。
gO20〜40重量％、SiO2 34〜40重量％、BaO 9〜28重量
％及びB2O3 4〜12重量％を含有しMg2SiO4フォルステラ
イトと硼珪酸バリウムガラスとのガラスセラミックを構
成することを特徴とする酸化物誘電体材料である。
本発明の誘電体材料における二酸化珪素(SiO2)は、焼成
時に酸化マグネシウムと固溶し、Mg SiO2フォルステラ
イトを形成し、又、酸化硼素、酸化バリウムと融液を形
成する役割を果たす。SiO2に換算した割合が34重量％未
満では、酸化マグネシウムと残部の成分が分離して焼成
不可能となり、40重量％を超える場合には、導体ペース
トの移行性（マイグレーション）による体積抵抗の劣化
が生じる。好ましくは36〜38重量％である。
時に酸化マグネシウムと固溶し、Mg SiO2フォルステラ
イトを形成し、又、酸化硼素、酸化バリウムと融液を形
成する役割を果たす。SiO2に換算した割合が34重量％未
満では、酸化マグネシウムと残部の成分が分離して焼成
不可能となり、40重量％を超える場合には、導体ペース
トの移行性（マイグレーション）による体積抵抗の劣化
が生じる。好ましくは36〜38重量％である。
酸化マグネシウム(MgO)は二酸化珪素と一部固溶して化
合物を形成し、本発明の誘電体材料に機械的強度を付与
する役割を果たす。MgO換算で20重量％未満の場合に
は、一般に要求される15Kg／mm2を下まわる6Kg／mm2と
十分な抗析強度が得られず、MgO換算で40重量％を超え
る場合には、1000℃以下での焼結が不可能となり低温焼
結が達成できない。好ましくは27〜32重量％である。
合物を形成し、本発明の誘電体材料に機械的強度を付与
する役割を果たす。MgO換算で20重量％未満の場合に
は、一般に要求される15Kg／mm2を下まわる6Kg／mm2と
十分な抗析強度が得られず、MgO換算で40重量％を超え
る場合には、1000℃以下での焼結が不可能となり低温焼
結が達成できない。好ましくは27〜32重量％である。
酸化バリウムは、二酸化ケイ素，酸化硼素等の単独でガ
ラスを形成する網目形成酸化物に網目修飾酸化物として
作用し、安定なガラス相を形成し、焼結温度低下の役割
を果たす。BaO換算で９重量％未満の場合には、焼結温
度が上昇し、1000℃以下の低温焼結が困難となり、BaO
換算で28重量％を超える場合には、焼結時に発泡現象を
招き、機械的強度が15Kg／mm2以下に低下する。好まし
くは16〜20重量％である。
ラスを形成する網目形成酸化物に網目修飾酸化物として
作用し、安定なガラス相を形成し、焼結温度低下の役割
を果たす。BaO換算で９重量％未満の場合には、焼結温
度が上昇し、1000℃以下の低温焼結が困難となり、BaO
換算で28重量％を超える場合には、焼結時に発泡現象を
招き、機械的強度が15Kg／mm2以下に低下する。好まし
くは16〜20重量％である。
酸化硼素は網目形成酸化物となり、二酸化珪素，酸化バ
リウムとガラス相を形成する。また酸化マグネシウムと
二酸化珪素から成る化合物とガラスとの焼結を促進し両
者のガラス−セラミックスを得る役割を果たす。４重量
％未満の場合には、1000℃以下の低温焼結は困難とな
り、12重量％を超える場合には、流動成分が多く、成形
形状が維持できなくなると共に、表面に泡が残留してペ
ーストの印刷性、精度等に大きく影響する。好ましくは
７〜９重量％である。
リウムとガラス相を形成する。また酸化マグネシウムと
二酸化珪素から成る化合物とガラスとの焼結を促進し両
者のガラス−セラミックスを得る役割を果たす。４重量
％未満の場合には、1000℃以下の低温焼結は困難とな
り、12重量％を超える場合には、流動成分が多く、成形
形状が維持できなくなると共に、表面に泡が残留してペ
ーストの印刷性、精度等に大きく影響する。好ましくは
７〜９重量％である。
なお本発明材料は各構成元素を各々酸化物若しくは焼成
により酸化物にかわる塩等を原料として混合し、焼の
後、焼結しても良いし、Mg2SiO4及びB2O3−SiO2−BaOガ
ラスを原料として粉砕、混合し焼結しても良い。この場
合、Mg2SiO4単独での焼結は困難であり、一般にAl2O3等
の焼結助剤を含有する。通常Mg2SiO4中に１〜３重量％
程度含有される。あまり多いと本発明材料の焼成温度を
1000℃以上程度と高くしてしまうが、焼結助剤程度の量
であれば本発明材料に特に悪影響をおよぼすことはな
い。又、ガラス成分中にも製造上不可避の成分が含有さ
れるが、不純物程度の量であれば何等問題は生じない。
例えばCaO，SrO，K2O，ＴｉＯ２，Fe2O3，Na2O，ZrO2等
が挙げられる。通常５重量％以下、好ましくは２重量％
以下であれば問題はない。又、PbOも含有される場合が
あるが、前述のごとく電気的特性に悪影響を与えるため
0.1重量％程度が限界である。
により酸化物にかわる塩等を原料として混合し、焼の
後、焼結しても良いし、Mg2SiO4及びB2O3−SiO2−BaOガ
ラスを原料として粉砕、混合し焼結しても良い。この場
合、Mg2SiO4単独での焼結は困難であり、一般にAl2O3等
の焼結助剤を含有する。通常Mg2SiO4中に１〜３重量％
程度含有される。あまり多いと本発明材料の焼成温度を
1000℃以上程度と高くしてしまうが、焼結助剤程度の量
であれば本発明材料に特に悪影響をおよぼすことはな
い。又、ガラス成分中にも製造上不可避の成分が含有さ
れるが、不純物程度の量であれば何等問題は生じない。
例えばCaO，SrO，K2O，ＴｉＯ２，Fe2O3，Na2O，ZrO2等
が挙げられる。通常５重量％以下、好ましくは２重量％
以下であれば問題はない。又、PbOも含有される場合が
あるが、前述のごとく電気的特性に悪影響を与えるため
0.1重量％程度が限界である。
本発明材料はMg2SiO4とB2O3−SiO2−BaOガラスとのガラ
スセラミックスを構成する。ほぼMgO量によりMg2SiO4の
量は決定されるが、Mg2SiO4が40〜80重量％のとき機械
的強度等各特性に優れたものを得ることができる。60重
量％近傍がもっとも優れているため、55〜65重量％のと
きがより好ましい範囲となる。ガラス量が多いと機械的
強度に劣り、又、少ないと焼結温度が高くなってしま
う。
スセラミックスを構成する。ほぼMgO量によりMg2SiO4の
量は決定されるが、Mg2SiO4が40〜80重量％のとき機械
的強度等各特性に優れたものを得ることができる。60重
量％近傍がもっとも優れているため、55〜65重量％のと
きがより好ましい範囲となる。ガラス量が多いと機械的
強度に劣り、又、少ないと焼結温度が高くなってしま
う。
つぎに、本発明の酸化物誘導体材料の一製造方法を説明
する。
する。
Mg2SiO4フォルステライト及び硼珪酸バリウムガラスを
所定量秤量し、湿式振動ミル等で平均粒径１．０〜１．
９μｍ程度となるように混合・粉砕し、原料粉末とす
る。次いでこの粉末に対し、バインダー、溶剤等を加え
スラリーを作る。バインダー、溶剤は適宜選定できる
が、例えば原料粉末100重量％に対しバインダーとして
のPVB（ポリビニルブチラール）５〜20重量％、溶剤と
して1,1,1-トリクロルエタン25〜35重量％、n-ブタノー
ル10〜22重量％、テトラクロルエチレン８〜19重量％、
トリブチルホスフェート４〜13重量％のものを用いる。
混合時には原料の均一分散等のため、粘度を500cps程度
とする。その後このスラリーを脱泡し、スラリー中に溶
存する空気を脱気し、後工程で形成するグリーンシート
表面の平坦化、強度等調整のため、20000cps程度の粘度
とする。
所定量秤量し、湿式振動ミル等で平均粒径１．０〜１．
９μｍ程度となるように混合・粉砕し、原料粉末とす
る。次いでこの粉末に対し、バインダー、溶剤等を加え
スラリーを作る。バインダー、溶剤は適宜選定できる
が、例えば原料粉末100重量％に対しバインダーとして
のPVB（ポリビニルブチラール）５〜20重量％、溶剤と
して1,1,1-トリクロルエタン25〜35重量％、n-ブタノー
ル10〜22重量％、テトラクロルエチレン８〜19重量％、
トリブチルホスフェート４〜13重量％のものを用いる。
混合時には原料の均一分散等のため、粘度を500cps程度
とする。その後このスラリーを脱泡し、スラリー中に溶
存する空気を脱気し、後工程で形成するグリーンシート
表面の平坦化、強度等調整のため、20000cps程度の粘度
とする。
そのスラリーを用いて、一般的な方法により、グリーン
シートを作成し、焼成を大気中および窒素雰囲気中でお
こなって、本発明の酸化物誘導体材料を得る。
シートを作成し、焼成を大気中および窒素雰囲気中でお
こなって、本発明の酸化物誘導体材料を得る。
なお上述の方法ではフォルステライトとガラスを原料と
して用いたが、各構成原料（MgO，SiO2，BaO，B2O3若し
くは焼等により酸化物にかわる各種塩）を混合し、
焼等によりフォルステライトを形成させても良い。多少
の化学量論比からのずれは本発明に影響を与えない。
又、この場合Mg2SiO4の焼結助剤としAl2O3を１〜３重量
％含有せしめることは有効である。
して用いたが、各構成原料（MgO，SiO2，BaO，B2O3若し
くは焼等により酸化物にかわる各種塩）を混合し、
焼等によりフォルステライトを形成させても良い。多少
の化学量論比からのずれは本発明に影響を与えない。
又、この場合Mg2SiO4の焼結助剤としAl2O3を１〜３重量
％含有せしめることは有効である。
特にSiO 36〜33重量％、MgO27〜32重量％、BaO16〜20
重量％、B2O3７〜９重量％を含有するものはε：６．８
〜７．０、tanδ：４×10-4以下、体積抵抗：７×1014
以上の特性を有すると共に、960℃以下の低温での焼成
が可能であるため、特に好ましい。
重量％、B2O3７〜９重量％を含有するものはε：６．８
〜７．０、tanδ：４×10-4以下、体積抵抗：７×1014
以上の特性を有すると共に、960℃以下の低温での焼成
が可能であるため、特に好ましい。
本発明の誘電体材料は酸化鉛を含まないため、金属鉛の
析出の恐れがなく、焼成雰囲気を選ばなくてもすること
である。従って各種の導体ペーストを用いることがで
き、回路基板製造上の利点は大なるものである。
析出の恐れがなく、焼成雰囲気を選ばなくてもすること
である。従って各種の導体ペーストを用いることがで
き、回路基板製造上の利点は大なるものである。
以下において、実施例及び比較例を掲げ、本発明を更に
詳しく説明する。
詳しく説明する。
［発明の実施例］ 実施例１〜９ フォルステライト（Mg2SiO4）及び硼珪酸バリウムガラ
スを所定の割合で坪量し、非水系湿式混合ミル等で平均
粒径１．０〜２．０μｍ程度となるように混合粉砕し、
原料粉末とした。次いでこの原料粉末にバインダーとし
てPVB（ポリビニルブチラル）、溶剤として1,1,1-トリ
クロルエタン、n-ブタノール、テトラクロルエチレン、
トリブチルホスフェート等を加えスラリーを調整した。
均一分散等のため粘度は500cps程度とした。その後この
スラリーを脱泡し、スラリー中に溶存する空気を脱気
し、後工程で形成するグリーンシート表面の平坦化，強
度等の調整のため、20000cps程度の粘度とした。
スを所定の割合で坪量し、非水系湿式混合ミル等で平均
粒径１．０〜２．０μｍ程度となるように混合粉砕し、
原料粉末とした。次いでこの原料粉末にバインダーとし
てPVB（ポリビニルブチラル）、溶剤として1,1,1-トリ
クロルエタン、n-ブタノール、テトラクロルエチレン、
トリブチルホスフェート等を加えスラリーを調整した。
均一分散等のため粘度は500cps程度とした。その後この
スラリーを脱泡し、スラリー中に溶存する空気を脱気
し、後工程で形成するグリーンシート表面の平坦化，強
度等の調整のため、20000cps程度の粘度とした。
同様に本発明の範囲外のものも（比較例１〜５）製造し
た。
た。
このスラリーを用いて、一般的な方法により、グリーン
シートを作成した。表に各特性を示した。なお、焼成は
大気中および窒素雰囲気中でおこない、本発明の酸化物
誘導体材料を得た。
シートを作成した。表に各特性を示した。なお、焼成は
大気中および窒素雰囲気中でおこない、本発明の酸化物
誘導体材料を得た。
ε，tanδびρは円板状試料の両面にAgペーストを325メ
ッシュのスクリーン印刷により同心円状に印刷し、乾燥
後、大気中にて750℃×20分間の焼付処理行ない、17.5m
mφ×15μｍの円形電極を作成して測定した。ε，tanδ
は1MHzでの値であり、ρは25℃，50％の湿度の下で、10
00Ｖ印加、１分後の最低値である。
ッシュのスクリーン印刷により同心円状に印刷し、乾燥
後、大気中にて750℃×20分間の焼付処理行ない、17.5m
mφ×15μｍの円形電極を作成して測定した。ε，tanδ
は1MHzでの値であり、ρは25℃，50％の湿度の下で、10
00Ｖ印加、１分後の最低値である。
なお表中には焼結後の組成化もあわせて示した。Al2O3
はフォルステライト中の焼結助剤であり、不純物はアル
カリ金属，ZnO等である。
はフォルステライト中の焼結助剤であり、不純物はアル
カリ金属，ZnO等である。
いずれもPbOは0.07重量％以下であった。
表から明らかな通り、本発明の誘電体材料は、1000℃以
下の低温での焼結が可能であり、かつ抵抗強度：15Kg／
mm2以上と機械的特性も優れ、誘電率（ε）：７〜８．
０、誘電正接（tanδ）：３×10-4〜６×10-4及び体積
抵抗(Rv)：９×1013〜１．３×1015と電気的特性も満足
すべきものである。したがって、このような良好な特性
を有するものを、低温で焼成することができるために、
例えば、導体ペーストとして従来のタングステン(W)、
モリブデン(Mo)に代えて銅(Cu)、銀(Ag)−パラジウム(P
d)、銀(Ag)−金(Au)等の低抵抗の物質及びRuO等の抵抗
ペーストを使用することができ、装置小型化を目標とす
る高密度配線化、製造工程数の低減が図れる。
下の低温での焼結が可能であり、かつ抵抗強度：15Kg／
mm2以上と機械的特性も優れ、誘電率（ε）：７〜８．
０、誘電正接（tanδ）：３×10-4〜６×10-4及び体積
抵抗(Rv)：９×1013〜１．３×1015と電気的特性も満足
すべきものである。したがって、このような良好な特性
を有するものを、低温で焼成することができるために、
例えば、導体ペーストとして従来のタングステン(W)、
モリブデン(Mo)に代えて銅(Cu)、銀(Ag)−パラジウム(P
d)、銀(Ag)−金(Au)等の低抵抗の物質及びRuO等の抵抗
ペーストを使用することができ、装置小型化を目標とす
る高密度配線化、製造工程数の低減が図れる。
これに対し、比較例５は要求される機械的特性を満足す
るものの焼成温度は1000℃以上となり、比較例３は1000
℃以下で焼成可能であるが要求される機械的特性を満足
しない。比較例１は要求される焼成温度及び機械的特性
を比較例２及び４は要求される焼成温度、機械的特性及
び電気的特性を満足できず実用上使用が困難である。
るものの焼成温度は1000℃以上となり、比較例３は1000
℃以下で焼成可能であるが要求される機械的特性を満足
しない。比較例１は要求される焼成温度及び機械的特性
を比較例２及び４は要求される焼成温度、機械的特性及
び電気的特性を満足できず実用上使用が困難である。
［発明の効果］ 以上に詳述した通り、本発明の酸化物誘電体材料は優れ
た電気的特性及び機械的特性を有すると共に、低温で焼
成可能なものであるため、例えば、一体焼結が必要な多
層配線基板用、あるいはε、tanδが小さいため、LSIを
搭載する高密度ハイブリッド用基板用としての用途が期
待でき、その実用的価値は極めて大である。
た電気的特性及び機械的特性を有すると共に、低温で焼
成可能なものであるため、例えば、一体焼結が必要な多
層配線基板用、あるいはε、tanδが小さいため、LSIを
搭載する高密度ハイブリッド用基板用としての用途が期
待でき、その実用的価値は極めて大である。
Claims (3)
- 【請求項１】Mg，Si，B及びBaが夫々酸化物に換算し
て、MgO20〜40重量％、SiO2 34〜40重量％、BaO 9〜2
8重量％及びB2O3 4〜12重量％を含有しMg2SiO4フォル
ステライトと硼珪酸バリウムガラスとのガラスセラミッ
クを構成することを特徴とする酸化物誘電体材料。 - 【請求項２】Mg2SiO4フォルステライトを40〜80重量％
含有する特許請求の範囲第１項記載の酸化物誘電体材
料。 - 【請求項３】Mg2SiO4フォルステライトを55〜65重量％
含有する特許請求の範囲第１項記載の酸化物誘電体材
料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60059455A JPH068189B2 (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 酸化物誘電体材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60059455A JPH068189B2 (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 酸化物誘電体材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61219741A JPS61219741A (ja) | 1986-09-30 |
| JPH068189B2 true JPH068189B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=13113792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60059455A Expired - Lifetime JPH068189B2 (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 酸化物誘電体材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH068189B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3030558B2 (ja) * | 1987-11-28 | 2000-04-10 | ティーディーケイ株式会社 | 誘電体磁器材料 |
| NO310348B1 (no) * | 1997-04-14 | 2001-06-25 | Norsk Hydro As | Glasskeramisk materiale og dets anvendelse som middel for sammenfoyning av forskjellige typer materiale og som understottelse |
| US6335663B1 (en) * | 1998-03-17 | 2002-01-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multiplexer/branching filter |
| EP1130003A4 (en) * | 1999-06-16 | 2004-04-21 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | GLASS CERAMIC COMPOSITION AND ELECTRONIC PARTS AND MULTIPLE COATED LC COMPONENT USING THIS |
| CN115925262B (zh) * | 2022-12-30 | 2025-10-17 | 中国电子科技集团公司第十二研究所 | 玻璃陶瓷及其制备方法与静电卡盘 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58151345A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-08 | Asahi Glass Co Ltd | 低誘電率ガラス組成物 |
| JPS58156552A (ja) * | 1982-03-11 | 1983-09-17 | Nec Corp | 絶縁性セラミツクペ−スト用無機組成物 |
-
1985
- 1985-03-26 JP JP60059455A patent/JPH068189B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61219741A (ja) | 1986-09-30 |
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