JP2000285747A - 高周波同軸ケーブル - Google Patents

高周波同軸ケーブル

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JP2000285747A JP11092097A JP9209799A JP2000285747A JP 2000285747 A JP2000285747 A JP 2000285747A JP 11092097 A JP11092097 A JP 11092097A JP 9209799 A JP9209799 A JP 9209799A JP 2000285747 A JP2000285747 A JP 2000285747A
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朋基 羽川
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ケーブルへの振動または曲げにかかわらずに
高レベルのIM成分の発生を防止できる高周波同軸ケー
ブルを提供する。 【解決手段】 銅線などの内部導体1と、その内部導体
1を覆う絶縁体2と、該絶縁体2に縦添えされる金属箔
11及びその金属箔11の外周を覆う編組14からなる
外部導体16とを備えた高周波同軸ケーブル10におい
て、上記金属箔11と編組14との間に絶縁層12を介
在させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波同軸ケーブ
ルに関するものである。
【0002】
【従来の技術】図6に示すように、従来の高周波同軸ケ
ーブル60の構造は、銅線またはアルミ線などからなる
内部導体1を軸心として、順次、ポリエチレンからなる
絶縁体2、金属箔3と編組4からなる外部導体61、ポ
リエチレンまたはビニル或はポリオレフィンからなる外
被5を同軸上に被膜したものよりなっている。
【0003】この同軸ケーブル60の外部導体61は、
アルミ箔または銅箔付プラスチックフィルム(図示せ
ず)或は両面導体付プラスチック(PS etc)フィルム
(図示せず)などを絶縁体2に縦添えして、この上から
編組(編組線)4で覆い押さえる構造とされていた。
【0004】アルミ箔等は、図7(a)、図7(b)に
示すように、断面長方形状でテープ状に形成されたアル
ミテープ3aからなり、このアルミテープ3aを絶縁体
2に縦添えして巻き付けることにより金属箔3とされ
る。
【0005】また、図7で示したテープ3aと編組4と
で外部導体61を形成する他に、銅線またはメッキされ
た銅線あるいはアルミニウム線などからなる編組線4の
みで外部導体61を形成している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図6に
示すように、従来の同軸ケーブル60の構造では、外部
導体61を構成する金属箔3の上を編組4で押える構造
(または、編組4のみ)としていたため、ケーブル60
に振動または曲げが加えられると、金属箔3と編組4と
が動いて均一な接触を安定して得られない問題点があっ
た。
【0007】このように、外部導体61(アース側)で
の接触の不均一が生じると、IM(Inter Mod
ulation)の高レベルな成分が発生することとな
る。
【0008】このため、従来、高周波同軸ケーブル60
へのIM性能要求に対しては、外部導体61が銅の波付
中空パイプ形の同軸ケーブルで対応せざるを得なかっ
た。
【0009】そこで、本発明の目的は、ケーブルへの振
動または曲げにかかわらずに高レベルのIM成分の発生
を防止できる高周波同軸ケーブルを提供することにあ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、銅線などの内部導体と、その内部導体を
覆う絶縁体と、該絶縁体に縦添えされる金属箔及びその
金属箔の外周を覆う編組からなる外部導体とを備えた高
周波同軸ケーブルにおいて、上記金属箔と編組との間に
絶縁層を介在させて外部導体を形成したものである。
【0011】また、金属箔と絶縁層が、銅箔あるいはア
ルミ箔にプラスチックをラミネートした片面導体プラス
チックフィルムで形成され、その導体側が内部導体を覆
う絶縁体と接するように縦添えされ、その片面導体プラ
スチックフィルム面の外面に編組が施されるようにす
る。
【0012】あるいは、編組を絶縁被膜付編組とし、そ
の絶縁被膜付編組で金属箔の外周を覆って金属箔と編組
との間に絶縁層を形成することが好ましい。
【0013】もしくは、上記絶縁層は、金属箔と編組と
の間に設けて絶縁テープで形成されることが好ましい。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適一実施の形態
を添付図面に基づいて詳述する。
【0015】図1〜図3に示すように、本発明の高周波
同軸ケーブル10は、アルミ線あるいは銅線などの内部
導体1と、その内部導体1を覆うポリエチレン等の円筒
状の絶縁体2と、絶縁体2に縦添えされるアルミあるい
は銅等からなる金属箔11及びその金属箔11を覆う編
組14からなる外部導体16と、その外周を覆うポリエ
チレンまたはビニル或はポリオレフィン等の外被5とか
らなり、特に、その金属箔11と編組14との間に絶縁
層12を介在させて外部導体16を形成したものであ
る。
【0016】金属箔11と編組14との間に介在させる
絶縁層12は、図2(a)、図2(b)に示すように、
アルミあるいは銅等からなる金属箔11にプラスチック
フィルム13をラミネートしたテープ状の片面導体プラ
スチックフィルム15で形成し、図1、図3に示したよ
うに、円筒状の絶縁体2の外周にその金属箔11が内周
側に、プラスチックフィルム13が外周側になるように
縦添えして設けられ、金属箔11と編組14との間には
プラスチックフィルム13からなる絶縁層12が形成さ
れることとなる。
【0017】次に本発明の作用を述べる。
【0018】本発明によれば、金属箔11と編組14と
の間に絶縁性を有するフィルム13を介在させた構造と
することで、金属箔11と編組14とが互に非接触構造
の外部導体16となる。これにより、接触不均一部を作
らないため、ケーブル10に振動または曲げが加えられ
ても、高いレベルのIM成分の発生を防止することがで
きる。
【0019】同軸ケーブル10において外部導体16を
接触しない単一導体同士とすることにより、IMの発生
要素が除外できる。
【0020】金属箔11をPS(プラスチック)フィル
ム15の片面に張り付けて外部導体16を形成したこと
により、機械的要素の編組14の構成材料との絶縁が達
成でき、従来の外部導体接触型に比べて格段のIM性能
向上が計れる。
【0021】次に本発明の他の実施の形態を説明する。
【0022】図4に示すように、この形態は、編組14
の内面に絶縁層12を設けて絶縁被膜付編組17にした
ものである。
【0023】これにより、金属箔11と編組14とを絶
縁することができる。
【0024】従って、金属箔11と編組14との接触不
均一部分を作らないため、ケーブル10に振動または曲
げが加えられても、高レベルのIM成分の発生を防止す
ることができる。
【0025】図5は本発明のさらに他の実施の形態を示
したものである。
【0026】図5に示すように、この形態は、金属箔1
1と編組14との間に絶縁テープ等の絶縁層12を設け
たものである。
【0027】この形態においても、金属箔11と編組1
4とを絶縁するため、ケーブル10に振動または曲げが
加えられても、高いレベルのIM成分の発生を防止する
ことができる。
【0028】以上により、金属箔11と編組14との間
に絶縁性を有するフィルム13を介在させた構造とする
ことで、金属箔11と編組14とが互に非接触構造の外
部導体16となる。これにより、接触不均一部を作らな
いため、ケーブル10に振動または曲げが加えられて
も、高いレベルのIM成分の発生を防止することができ
る。
【0029】同軸ケーブル10において外部導体16を
接触しない単一導体同士とすることにより、IMの発生
要素が除外できる。
【0030】金属箔11をPS(プラスチック)フィル
ム15の片面に張り付けて外部導体16を形成したこと
により、機械的要素の編組14の構成材料との絶縁が達
成でき、従来の外部導体接触型に比べて格段のIM性能
向上が計れる。
【0031】
【発明の効果】以上要するに、本発明によれば、高周波
同軸ケーブルを多チャンネル通信用の低IM高周波ケー
ブルとして使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態の構造概略図である。
【図2】本発明の一実施の形態のプラスチックフィルム
を説明する概略図である。
【図3】本発明の一実施の形態の横断面概略図である。
【図4】本発明の他の実施の形態の構造概略図である。
【図5】本発明のさらに他の実施の形態の構造概略図で
ある。
【図6】従来の同軸ケーブルの例を示す構造概略図であ
る。
【図7】従来の同軸ケーブルのアルミ箔を説明する概略
図である。
【符号の説明】
1 内部導体 2 絶縁体 4 編組 5 外被 6 外部導体 10 高周波同軸ケーブル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新田 修 茨城県日立市砂沢町880番地 日立電線株 式会社高砂工場内 Fターム(参考) 5G319 FA08 FB01 FC20 FC21 FC25

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 銅線などの内部導体と、その内部導体を
    覆う絶縁体と、該絶縁体に縦添えされる金属箔及びその
    金属箔の外周を覆う編組からなる外部導体とを備えた高
    周波同軸ケーブルにおいて、上記金属箔と編組との間に
    絶縁層を介在させて外部導体を形成したことを特徴とす
    る高周波同軸ケーブル。
  2. 【請求項2】 金属箔と絶縁層が、銅箔あるいはアルミ
    箔にプラスチックをラミネートした片面導体プラスチッ
    クフィルムで形成され、その導体側が内部導体を覆う絶
    縁体と接するように縦添えされ、その片面導体プラスチ
    ックフィルムの外面に編組が施される請求項1に記載の
    高周波同軸ケーブル。
  3. 【請求項3】 編組を絶縁被膜付編組とし、その絶縁被
    膜付編組で金属箔の外周を覆って金属箔と編組との間に
    絶縁層が形成される請求項1に記載の高周波同軸ケーブ
    ル。
  4. 【請求項4】 上記絶縁層は、金属箔と編組との間に設
    けられて絶縁テープで形成される請求項1に記載の高周
    波同軸ケーブル。
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