JP2000286220A - 基板処理装置 - Google Patents
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 オゾンが溶解したオゾン水により基板の洗浄
を行う場合において、オゾン水を最も洗浄効果の高い状
態で基板に対し作用させて基板の洗浄効果を高めること
ができる装置を提供する。 【手段】 処理槽10内の基板Wに対して純水を供給す
る純水供給ノズル14と、処理槽内の基板に対してオゾ
ンガスを供給するガス吹出しノズル16とを備え、基板
の表面上において純水にオゾンガスを溶解させてオゾン
水を生成させる。
を行う場合において、オゾン水を最も洗浄効果の高い状
態で基板に対し作用させて基板の洗浄効果を高めること
ができる装置を提供する。 【手段】 処理槽10内の基板Wに対して純水を供給す
る純水供給ノズル14と、処理槽内の基板に対してオゾ
ンガスを供給するガス吹出しノズル16とを備え、基板
の表面上において純水にオゾンガスを溶解させてオゾン
水を生成させる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置用ガラス基板、電子部品などの基板を、純
水中にオゾンが溶解したオゾン水あるいは処理液中にオ
ゾンが溶解したオゾン液により洗浄するためなどに使用
される基板処理装置に関する。
液晶表示装置用ガラス基板、電子部品などの基板を、純
水中にオゾンが溶解したオゾン水あるいは処理液中にオ
ゾンが溶解したオゾン液により洗浄するためなどに使用
される基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の従来の基板処理装置、例えばオ
ゾン水による基板洗浄装置は、図5に概略構成を模式的
に示すように、フッ素樹脂、石英ガラス等の耐薬品性を
有する材料で形成された処理槽50を備え、その処理槽
50内へ複数枚の基板、例えば半導体ウエハWがウエハ
ホルダ(図示を省略)に保持されて搬入され、処理槽5
0内に収容されたオゾン水52中にウエハWが浸漬させ
られることにより、ウエハWの表面に付着した有機物が
分解されてウエハWの洗浄処理が行われる。処理槽50
の底部にはオゾン水供給口54が形設されており、その
オゾン水供給口54に、フッ素樹脂などで形成されたオ
ゾン水供給管56が連通して接続されている。オゾン水
供給管56は、オゾン水発生装置58に接続されてい
る。オゾン水発生装置58には、開閉制御弁62が介挿
された純水供給管60が接続されていて、純水供給源か
ら純水供給管60を通ってオゾン水発生装置58へ送給
された純水中に、オゾン水発生装置58においてオゾン
ガスが溶解させられ、オゾン水発生装置58からオゾン
水供給管56を通って処理槽50のオゾン水供給口54
へオゾン水が送給される。そして、処理槽50内へオゾ
ン水供給口54を通ってオゾン水が連続して供給され、
処理槽50内にオゾン水52が満たされるとともに、処
理槽50の上部の溢流部64からオゾン水が槽外へ溢れ
出るようになっている。なお、アンモニア水、塩酸、フ
ッ酸等の処理液にオゾンガスを溶解させたオゾン液を用
いてウエハWの洗浄処理を行う場合もある。
ゾン水による基板洗浄装置は、図5に概略構成を模式的
に示すように、フッ素樹脂、石英ガラス等の耐薬品性を
有する材料で形成された処理槽50を備え、その処理槽
50内へ複数枚の基板、例えば半導体ウエハWがウエハ
ホルダ(図示を省略)に保持されて搬入され、処理槽5
0内に収容されたオゾン水52中にウエハWが浸漬させ
られることにより、ウエハWの表面に付着した有機物が
分解されてウエハWの洗浄処理が行われる。処理槽50
の底部にはオゾン水供給口54が形設されており、その
オゾン水供給口54に、フッ素樹脂などで形成されたオ
ゾン水供給管56が連通して接続されている。オゾン水
供給管56は、オゾン水発生装置58に接続されてい
る。オゾン水発生装置58には、開閉制御弁62が介挿
された純水供給管60が接続されていて、純水供給源か
ら純水供給管60を通ってオゾン水発生装置58へ送給
された純水中に、オゾン水発生装置58においてオゾン
ガスが溶解させられ、オゾン水発生装置58からオゾン
水供給管56を通って処理槽50のオゾン水供給口54
へオゾン水が送給される。そして、処理槽50内へオゾ
ン水供給口54を通ってオゾン水が連続して供給され、
処理槽50内にオゾン水52が満たされるとともに、処
理槽50の上部の溢流部64からオゾン水が槽外へ溢れ
出るようになっている。なお、アンモニア水、塩酸、フ
ッ酸等の処理液にオゾンガスを溶解させたオゾン液を用
いてウエハWの洗浄処理を行う場合もある。
【0003】処理槽50の外側には、処理槽50を取り
囲むように溢流水受け槽66が配設されており、処理槽
50内から溢れ出たオゾン水が溢流水受け槽66内に流
入して集められるようになっている。溢流水受け槽66
の底部にはドレン排出口68が形設されており、そのド
レン排出口68に、開閉弁72が介挿されたドレン排出
管70が連通して接続されている。そして、処理槽50
内から溢れ出て溢流水受け槽66内へ流入したオゾン水
が、ドレン排出口68からドレン排出管70を通って槽
外へ排出されるように構成されている。
囲むように溢流水受け槽66が配設されており、処理槽
50内から溢れ出たオゾン水が溢流水受け槽66内に流
入して集められるようになっている。溢流水受け槽66
の底部にはドレン排出口68が形設されており、そのド
レン排出口68に、開閉弁72が介挿されたドレン排出
管70が連通して接続されている。そして、処理槽50
内から溢れ出て溢流水受け槽66内へ流入したオゾン水
が、ドレン排出口68からドレン排出管70を通って槽
外へ排出されるように構成されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
の基板洗浄装置では、洗浄処理部とは別置きのオゾン水
発生装置58によりオゾン水を製造し、オゾン水発生装
置58から処理槽50へオゾン水を送給するようにして
いた。ところが、オゾン水は、その分解が速く、処理槽
50内へ供給されたオゾン水は、オゾン水発生装置58
で製造された直後のオゾン水に比べて濃度が低下する。
このため、従来の装置では、折角製造されたオゾン水を
ウエハWの洗浄処理に十分に有効利用することができな
かった。また、オゾン水発生装置58から処理槽50へ
オゾン水を送給するためのオゾン水供給管56には、フ
ッ素樹脂などの耐薬品性を有する材料を用いる必要があ
るが、オゾン水発生装置58から処理槽50までの配管
長さが長くなると、コスト高になる。
の基板洗浄装置では、洗浄処理部とは別置きのオゾン水
発生装置58によりオゾン水を製造し、オゾン水発生装
置58から処理槽50へオゾン水を送給するようにして
いた。ところが、オゾン水は、その分解が速く、処理槽
50内へ供給されたオゾン水は、オゾン水発生装置58
で製造された直後のオゾン水に比べて濃度が低下する。
このため、従来の装置では、折角製造されたオゾン水を
ウエハWの洗浄処理に十分に有効利用することができな
かった。また、オゾン水発生装置58から処理槽50へ
オゾン水を送給するためのオゾン水供給管56には、フ
ッ素樹脂などの耐薬品性を有する材料を用いる必要があ
るが、オゾン水発生装置58から処理槽50までの配管
長さが長くなると、コスト高になる。
【0005】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、オゾンが溶解したオゾン水やオゾン
液により基板の洗浄等の処理を行う場合において、オゾ
ン水やオゾン液を最も処理効果の高い状態で基板に対し
作用させて基板の処理効果を高めることができ、また、
コスト的にみても従来の装置より有利である基板処理装
置を提供することを目的とする。
されたものであり、オゾンが溶解したオゾン水やオゾン
液により基板の洗浄等の処理を行う場合において、オゾ
ン水やオゾン液を最も処理効果の高い状態で基板に対し
作用させて基板の処理効果を高めることができ、また、
コスト的にみても従来の装置より有利である基板処理装
置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
オゾンが溶解したオゾン水またはオゾン液による基板の
処理が行われる処理室と、この処理室内に収容された基
板に対して純水または処理液を供給する液供給手段と、
前記処理室内に収容された基板に対してオゾンガスを供
給するガス供給手段とを備えて、基板処理装置を構成し
たことを特徴とする。
オゾンが溶解したオゾン水またはオゾン液による基板の
処理が行われる処理室と、この処理室内に収容された基
板に対して純水または処理液を供給する液供給手段と、
前記処理室内に収容された基板に対してオゾンガスを供
給するガス供給手段とを備えて、基板処理装置を構成し
たことを特徴とする。
【0007】請求項2に係る発明は、請求項1に記載の
基板処理装置において、液供給手段は、純水または処理
液を霧状に噴出する噴霧ノズルを備えたことを特徴とす
るものである。
基板処理装置において、液供給手段は、純水または処理
液を霧状に噴出する噴霧ノズルを備えたことを特徴とす
るものである。
【0008】請求項3に係る発明は、請求項1に記載の
基板処理装置において、液供給手段は、純水または処理
液を無数の液滴状に散布するシャワーノズルを備えたこ
とを特徴とするものである。
基板処理装置において、液供給手段は、純水または処理
液を無数の液滴状に散布するシャワーノズルを備えたこ
とを特徴とするものである。
【0009】請求項4に係る発明は、請求項1に記載の
基板処理装置において、液供給手段は、純水または処理
液を連続的な液流状態に吹き出す連続流吹き出しノズル
を備えたことを特徴とするものである。
基板処理装置において、液供給手段は、純水または処理
液を連続的な液流状態に吹き出す連続流吹き出しノズル
を備えたことを特徴とするものである。
【0010】請求項5に係る発明は、請求項1ないし4
のいずれかに記載の基板処理装置において、処理室の底
部に溜まったオゾン水またはオゾン液を、処理室の外部
に配設された配管を通して再び処理室内の基板に対し供
給する液循環手段を、さらに備えたことを特徴とするも
である。
のいずれかに記載の基板処理装置において、処理室の底
部に溜まったオゾン水またはオゾン液を、処理室の外部
に配設された配管を通して再び処理室内の基板に対し供
給する液循環手段を、さらに備えたことを特徴とするも
である。
【0011】
【作用】請求項1に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。
る。
【0012】液供給手段により処理室内の基板に対して
純水または処理液が供給され、それと同時に、ガス供給
手段により処理室内の基板に対してオゾンガスが供給さ
れるので、基板の表面上において純水または処理液にオ
ゾンが溶解したオゾン水またはオゾン液が生成される。
そして、生成直後における最も処理効果の高い状態のオ
ゾン水またはオゾン液により、基板の洗浄等の処理が行
われる。
純水または処理液が供給され、それと同時に、ガス供給
手段により処理室内の基板に対してオゾンガスが供給さ
れるので、基板の表面上において純水または処理液にオ
ゾンが溶解したオゾン水またはオゾン液が生成される。
そして、生成直後における最も処理効果の高い状態のオ
ゾン水またはオゾン液により、基板の洗浄等の処理が行
われる。
【0013】請求項2に係る発明の基板処理装置では、
請求項1に記載の基板処理装置において、液供給手段
は、純水または処理液を霧状に噴出する噴霧ノズルを備
えたことにより、液供給手段から供給された純水または
処理液は、処理室内の空間を霧状になって、ゆっくりと
基板表面へ到達する。その間、液供給手段から供給され
た純水または処理液は、霧状つまり、靄が漂うように微
細に分散されるので、純水または処理液は表面積が極め
て広い状態にあり、処理室内へ供給されたオゾンガスが
溶解し易いこと、および、ゆっくり浮遊しながら降りる
ようにして基板へ到達するので、基板に到達するまでに
オゾンガスが溶解する時間が長いこと、これら2つに起
因して、基板には高濃度にオゾンガスが溶解したオゾン
水またはオゾン液が供給される。また、基板に到達した
後も、基板表面においてオゾンガスの溶解は継続する。
請求項1に記載の基板処理装置において、液供給手段
は、純水または処理液を霧状に噴出する噴霧ノズルを備
えたことにより、液供給手段から供給された純水または
処理液は、処理室内の空間を霧状になって、ゆっくりと
基板表面へ到達する。その間、液供給手段から供給され
た純水または処理液は、霧状つまり、靄が漂うように微
細に分散されるので、純水または処理液は表面積が極め
て広い状態にあり、処理室内へ供給されたオゾンガスが
溶解し易いこと、および、ゆっくり浮遊しながら降りる
ようにして基板へ到達するので、基板に到達するまでに
オゾンガスが溶解する時間が長いこと、これら2つに起
因して、基板には高濃度にオゾンガスが溶解したオゾン
水またはオゾン液が供給される。また、基板に到達した
後も、基板表面においてオゾンガスの溶解は継続する。
【0014】請求項3に係る発明基板処理装置では、請
求項1に記載の基板処理装置において、液供給手段は、
純水または処理液を無数の液滴状に散布するシャワーノ
ズルを備えたことにより、液供給手段から供給された純
水または処理液は、処理室内の空間を無数の液滴状にな
って、基板表面へ到達する。その間、液供給手段から供
給された純水または処理液は、無数の液滴状の飛沫に分
散されるので、純水または処理液は表面積が広い状態に
あり、オゾンガスが溶解し易く、基板には高濃度にオゾ
ンガスが溶解したオゾン水またはオゾン液が供給され
る。また、シャワーノズルからの純水または処理液の供
給は、霧状にまで細かくすることを必須とするものでは
ないから、基板に対して大流量で供給できる。また、ま
た、基板に到達した後も、基板表面においてオゾンガス
の溶解は継続する。
求項1に記載の基板処理装置において、液供給手段は、
純水または処理液を無数の液滴状に散布するシャワーノ
ズルを備えたことにより、液供給手段から供給された純
水または処理液は、処理室内の空間を無数の液滴状にな
って、基板表面へ到達する。その間、液供給手段から供
給された純水または処理液は、無数の液滴状の飛沫に分
散されるので、純水または処理液は表面積が広い状態に
あり、オゾンガスが溶解し易く、基板には高濃度にオゾ
ンガスが溶解したオゾン水またはオゾン液が供給され
る。また、シャワーノズルからの純水または処理液の供
給は、霧状にまで細かくすることを必須とするものでは
ないから、基板に対して大流量で供給できる。また、ま
た、基板に到達した後も、基板表面においてオゾンガス
の溶解は継続する。
【0015】請求項4に係る発明基板処理装置では、請
求項1に記載の基板処理装置において、液供給手段は、
純水または処理液を連続的な液流状態に吹き出す連続流
吹き出しノズルを備えたことにより、液供給手段から供
給された純水または処理液は、連続的な液流状態で基板
に供給されるので、基板に対して大流量で供給され、基
板表面においてオゾンガスが溶解し、オゾン水またはオ
ゾン液が生成される。
求項1に記載の基板処理装置において、液供給手段は、
純水または処理液を連続的な液流状態に吹き出す連続流
吹き出しノズルを備えたことにより、液供給手段から供
給された純水または処理液は、連続的な液流状態で基板
に供給されるので、基板に対して大流量で供給され、基
板表面においてオゾンガスが溶解し、オゾン水またはオ
ゾン液が生成される。
【0016】請求項5に係る発明の基板処理装置では、
処理室の底部に溜まったオゾン水またはオゾン液が液循
環手段により再び処理室内の基板に対し供給されるの
で、そのオゾン水またはオゾン液の循環流量に応じて適
当な量だけ、液供給手段により基板に対して供給される
純水または処理液の量を低減させることにより、より高
濃度のオゾン水またはオゾン液が基板の表面上において
生成されることになる。
処理室の底部に溜まったオゾン水またはオゾン液が液循
環手段により再び処理室内の基板に対し供給されるの
で、そのオゾン水またはオゾン液の循環流量に応じて適
当な量だけ、液供給手段により基板に対して供給される
純水または処理液の量を低減させることにより、より高
濃度のオゾン水またはオゾン液が基板の表面上において
生成されることになる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図面を参照しながら説明する。
について図面を参照しながら説明する。
【0018】図1は、この発明の1実施形態を示し、基
板処理装置の1種である基板洗浄装置の概略構成を示す
模式図である。この基板洗浄装置は、フッ素樹脂、石英
ガラス等の耐薬品性材料で形成され、カバー12によっ
て上部開口面が閉塞可能であり、複数枚の基板、例えば
半導体ウエハWがウエハホルダ(図示を省略)に保持さ
れて搬入され、ウエハWの洗浄処理が行われる処理槽1
0を備えている。
板処理装置の1種である基板洗浄装置の概略構成を示す
模式図である。この基板洗浄装置は、フッ素樹脂、石英
ガラス等の耐薬品性材料で形成され、カバー12によっ
て上部開口面が閉塞可能であり、複数枚の基板、例えば
半導体ウエハWがウエハホルダ(図示を省略)に保持さ
れて搬入され、ウエハWの洗浄処理が行われる処理槽1
0を備えている。
【0019】処理槽10の上部には、カバー12によっ
て閉塞された処理槽10の内部に吐出口および吹出し口
がそれぞれ配置された純水供給ノズル14およびガス吹
出しノズル16がそれぞれ配設されている。純水供給ノ
ズル14には、開閉制御弁20が介挿された純水供給管
18が連通して接続され、純水供給管18は純水供給源
に接続されている。また、ガス吹き出しノズル16に
は、フィルタ24および開閉制御弁26がそれぞれ介挿
されたガス供給管22が連通して接続され、ガス供給管
22は、オゾンガス発生装置等のオゾンガス供給源に接
続されている。そして、純水供給源から純水供給管18
を通って純水供給ノズル14へ送給された純水が、純水
供給ノズル14の吐出口から処理槽10内に収容された
ウエハWの表面に向かって吐出され、また、オゾンガス
供給源からガス供給管22を通ってガス吹出しノズル1
6へ送給されたオゾンガスが、ガス吹出しノズル16の
吹出し口から処理槽10内のウエハWの表面に向かって
吹き出されるように構成されている。
て閉塞された処理槽10の内部に吐出口および吹出し口
がそれぞれ配置された純水供給ノズル14およびガス吹
出しノズル16がそれぞれ配設されている。純水供給ノ
ズル14には、開閉制御弁20が介挿された純水供給管
18が連通して接続され、純水供給管18は純水供給源
に接続されている。また、ガス吹き出しノズル16に
は、フィルタ24および開閉制御弁26がそれぞれ介挿
されたガス供給管22が連通して接続され、ガス供給管
22は、オゾンガス発生装置等のオゾンガス供給源に接
続されている。そして、純水供給源から純水供給管18
を通って純水供給ノズル14へ送給された純水が、純水
供給ノズル14の吐出口から処理槽10内に収容された
ウエハWの表面に向かって吐出され、また、オゾンガス
供給源からガス供給管22を通ってガス吹出しノズル1
6へ送給されたオゾンガスが、ガス吹出しノズル16の
吹出し口から処理槽10内のウエハWの表面に向かって
吹き出されるように構成されている。
【0020】処理槽10の底部には、ドレン排出口28
が形設されており、そのドレン排出口28に、開閉弁3
2が介挿されたドレン排出管30が連通して接続されて
いる。また、処理槽10の底部には、オゾン水流出口3
4が形設されている。一方、処理槽10の上部には、カ
バー12によって閉塞された処理槽10の内部に吐出口
が臨むようにオゾン水吐出ノズル36が配設されてい
る。そして、処理槽10の底部のオゾン水流出口34に
オゾン水循環用配管38が連通して接続され、オゾン水
循環用配管38の先端がオゾン水吐出ノズル36に連通
して接続されている。オゾン水循環用配管38には、ポ
ンプ40、フィルタ42および開閉弁44がそれぞれ介
在して設けられており、処理槽10の底部に溜まったオ
ゾン水46が、オゾン水流出口34を通ってオゾン水循
環用配管38内へ流入し、そのオゾン水が、オゾン水循
環用配管38を通ってオゾン水吐出ノズル36へ送給さ
れ、オゾン水吐出ノズル36の吐出口から処理槽10内
のウエハWの表面に向かって吐出されるように構成さ
れ、オゾン水が循環使用されるようになっている。
が形設されており、そのドレン排出口28に、開閉弁3
2が介挿されたドレン排出管30が連通して接続されて
いる。また、処理槽10の底部には、オゾン水流出口3
4が形設されている。一方、処理槽10の上部には、カ
バー12によって閉塞された処理槽10の内部に吐出口
が臨むようにオゾン水吐出ノズル36が配設されてい
る。そして、処理槽10の底部のオゾン水流出口34に
オゾン水循環用配管38が連通して接続され、オゾン水
循環用配管38の先端がオゾン水吐出ノズル36に連通
して接続されている。オゾン水循環用配管38には、ポ
ンプ40、フィルタ42および開閉弁44がそれぞれ介
在して設けられており、処理槽10の底部に溜まったオ
ゾン水46が、オゾン水流出口34を通ってオゾン水循
環用配管38内へ流入し、そのオゾン水が、オゾン水循
環用配管38を通ってオゾン水吐出ノズル36へ送給さ
れ、オゾン水吐出ノズル36の吐出口から処理槽10内
のウエハWの表面に向かって吐出されるように構成さ
れ、オゾン水が循環使用されるようになっている。
【0021】次に、上記したような構成を有する基板洗
浄装置によるウエハWの洗浄操作について説明する。
浄装置によるウエハWの洗浄操作について説明する。
【0022】複数枚の半導体ウエハWが、ウエハホルダ
に保持されて図示しないウエハ昇降機構により処理槽1
0内へ搬入され、カバー12によって処理槽10の上部
開口面が閉塞されると、純水供給源から純水供給管18
を通って純水供給ノズル14へ純水が送給され、純水供
給ノズル14の吐出口から処理槽10内に収容されたウ
エハWの表面に向かって純水が吐出される。それと同時
に、オゾンガス供給源からガス供給管22を通ってガス
吹出しノズル16へオゾンガスが送給され、ガス吹出し
ノズル16の吹出し口から処理槽10内のウエハWの表
面に向かってオゾンガスが吹き出される。これにより、
ウエハWの表面上において純水にオゾンガスが溶解して
オゾン水が生成される。そして、生成直後における最も
洗浄効果の高い状態のオゾン水により、ウエハWの洗浄
処理が行われる。
に保持されて図示しないウエハ昇降機構により処理槽1
0内へ搬入され、カバー12によって処理槽10の上部
開口面が閉塞されると、純水供給源から純水供給管18
を通って純水供給ノズル14へ純水が送給され、純水供
給ノズル14の吐出口から処理槽10内に収容されたウ
エハWの表面に向かって純水が吐出される。それと同時
に、オゾンガス供給源からガス供給管22を通ってガス
吹出しノズル16へオゾンガスが送給され、ガス吹出し
ノズル16の吹出し口から処理槽10内のウエハWの表
面に向かってオゾンガスが吹き出される。これにより、
ウエハWの表面上において純水にオゾンガスが溶解して
オゾン水が生成される。そして、生成直後における最も
洗浄効果の高い状態のオゾン水により、ウエハWの洗浄
処理が行われる。
【0023】ウエハWの表面上で生成されたオゾン水
は、ウエハWの表面を伝って流下し、処理槽10の底部
に溜まる。処理槽10の底部に溜まったオゾン水46
は、その一部がドレン排出口28からドレン排出管30
を通って槽外へ排出され、それ以外のオゾン水は、オゾ
ン水流出口34からオゾン水循環用配管38内へ流入
し、オゾン水循環用配管38内を通ってオゾン水吐出ノ
ズル36へ送給される。そして、オゾン水吐出ノズル3
6の吐出口から処理槽10内のウエハWの表面に向かっ
てオゾン水が吐出される。このように、オゾンが溶解し
たオゾン水が、再び処理槽10内のウエハWの表面に向
かって吐出され、その吐出されたオゾン水にウエハWの
表面上でオゾンガスが溶解し、このオゾン水の循環が繰
り返されることにより、ウエハWの表面上におけるオゾ
ン水の濃度が徐々に高くなっていく。そして、高濃度の
オゾン水によってウエハWが洗浄されることにより、洗
浄効果が高められることとなる。
は、ウエハWの表面を伝って流下し、処理槽10の底部
に溜まる。処理槽10の底部に溜まったオゾン水46
は、その一部がドレン排出口28からドレン排出管30
を通って槽外へ排出され、それ以外のオゾン水は、オゾ
ン水流出口34からオゾン水循環用配管38内へ流入
し、オゾン水循環用配管38内を通ってオゾン水吐出ノ
ズル36へ送給される。そして、オゾン水吐出ノズル3
6の吐出口から処理槽10内のウエハWの表面に向かっ
てオゾン水が吐出される。このように、オゾンが溶解し
たオゾン水が、再び処理槽10内のウエハWの表面に向
かって吐出され、その吐出されたオゾン水にウエハWの
表面上でオゾンガスが溶解し、このオゾン水の循環が繰
り返されることにより、ウエハWの表面上におけるオゾ
ン水の濃度が徐々に高くなっていく。そして、高濃度の
オゾン水によってウエハWが洗浄されることにより、洗
浄効果が高められることとなる。
【0024】次に、上記した実施形態における純水供給
ノズル14について図2、図3、図4を参照して説明す
る。
ノズル14について図2、図3、図4を参照して説明す
る。
【0025】図2は、純水供給ノズル14として噴霧ノ
ズル110を使用する場合に、噴霧ノズル110およ
び、そのノズルから供給される純水の様子を示すもので
ある。前記噴霧ノズル110は、円筒形のノズル胴体部
111の先を切頭円錐型に絞り、先端の切頭面に吐出口
でもある小さな開口112が形成されいる。ノズル内へ
高圧に供給された純水は、その小さな開口112より一
気に噴霧ノズル110の外、すなわち処理槽10内へ噴
出する。噴出された純水は、噴霧ノズル110内外での
急激な圧力低下と、処理槽10内へ一気に放出される際
に処理槽10内の気体と勢い良くぶつかることにより、
靄が漂うように微細に分散して霧状になり、僅かに浮遊
しながらウエハWへ降り注ぐようにしてウエハWへ供給
されることとなる。なお、図2では噴霧ノズル110か
ら供給された純水は、細かな点で図示しているが、肉眼
レベルでは必ずしも液滴が一つずつ容易には確認できる
わけではなく、靄が漂うようである。
ズル110を使用する場合に、噴霧ノズル110およ
び、そのノズルから供給される純水の様子を示すもので
ある。前記噴霧ノズル110は、円筒形のノズル胴体部
111の先を切頭円錐型に絞り、先端の切頭面に吐出口
でもある小さな開口112が形成されいる。ノズル内へ
高圧に供給された純水は、その小さな開口112より一
気に噴霧ノズル110の外、すなわち処理槽10内へ噴
出する。噴出された純水は、噴霧ノズル110内外での
急激な圧力低下と、処理槽10内へ一気に放出される際
に処理槽10内の気体と勢い良くぶつかることにより、
靄が漂うように微細に分散して霧状になり、僅かに浮遊
しながらウエハWへ降り注ぐようにしてウエハWへ供給
されることとなる。なお、図2では噴霧ノズル110か
ら供給された純水は、細かな点で図示しているが、肉眼
レベルでは必ずしも液滴が一つずつ容易には確認できる
わけではなく、靄が漂うようである。
【0026】この噴霧ノズル110によると、供給され
た純水は、処理槽10内の空間を霧状になって、ゆっく
りとウエハWの表面へ到達する。その間、噴霧ノズル1
10から供給された純水は、霧状つまり、極めて微細に
分散されるので、純水は表面積が極めて広い状態にあ
り、処理槽10内へ供給されたオゾンガスが溶解し易い
状態にある。しかも、ゆっくり浮遊しながら降りるよう
にしてウエハWへ到達するので、ウエハWに到達するま
でにオゾンガスが溶解する時間が長い。これら2つに起
因して、ウエハW基板には高濃度にオゾンガスが溶解し
たオゾン水が供給される。また、ウエハWに到達した後
も、ウエハW表面においてオゾンガスの溶解は継続す
る。
た純水は、処理槽10内の空間を霧状になって、ゆっく
りとウエハWの表面へ到達する。その間、噴霧ノズル1
10から供給された純水は、霧状つまり、極めて微細に
分散されるので、純水は表面積が極めて広い状態にあ
り、処理槽10内へ供給されたオゾンガスが溶解し易い
状態にある。しかも、ゆっくり浮遊しながら降りるよう
にしてウエハWへ到達するので、ウエハWに到達するま
でにオゾンガスが溶解する時間が長い。これら2つに起
因して、ウエハW基板には高濃度にオゾンガスが溶解し
たオゾン水が供給される。また、ウエハWに到達した後
も、ウエハW表面においてオゾンガスの溶解は継続す
る。
【0027】なお、前記噴霧ノズル110から噴霧され
る純水は、望ましくは粒径100マイクロメートル以下
が望ましく、10マイクロメートルよりは大きくてもよ
い。
る純水は、望ましくは粒径100マイクロメートル以下
が望ましく、10マイクロメートルよりは大きくてもよ
い。
【0028】また、前記噴霧ノズル110は、ウエハW
へ供給するオゾン水のオゾン濃度を高くしたい処理に好
適である。
へ供給するオゾン水のオゾン濃度を高くしたい処理に好
適である。
【0029】図3は、純水供給ノズル14としてシャワ
ーノズル120を使用する場合に、シャワーノズル12
0および、そのノズルから供給される純水の様子を示す
ものである。前記シャワーノズル120は、円筒形のノ
ズル胴体部121の先を拡径し、先端面に吐出口でもあ
る開口122を複数形成しており、それら複数の開口1
22より、純水を無数の液滴状に吹き出す。
ーノズル120を使用する場合に、シャワーノズル12
0および、そのノズルから供給される純水の様子を示す
ものである。前記シャワーノズル120は、円筒形のノ
ズル胴体部121の先を拡径し、先端面に吐出口でもあ
る開口122を複数形成しており、それら複数の開口1
22より、純水を無数の液滴状に吹き出す。
【0030】このシャワーノズル120によると、供給
された純水は、処理槽10内の空間を無数の液滴状にな
って、ウエハW表面へ到達する。その間、シャワーノズ
ル120から供給された純水は、無数の液滴状の飛沫に
分散されるので、純水は表面積が広い状態にあり、オゾ
ンガスが溶解し易く、ウエハWには高濃度にオゾンガス
が溶解したオゾン水が供給される。また、シャワーノズ
ル120からの純水の供給は、霧状にまで細かくするこ
とを必須とするものではないから、ウエハWに対して大
流量で供給できる。また、また、ウエハWに到達後も、
ウエハW表面においてオゾンガスの溶解は継続する。
された純水は、処理槽10内の空間を無数の液滴状にな
って、ウエハW表面へ到達する。その間、シャワーノズ
ル120から供給された純水は、無数の液滴状の飛沫に
分散されるので、純水は表面積が広い状態にあり、オゾ
ンガスが溶解し易く、ウエハWには高濃度にオゾンガス
が溶解したオゾン水が供給される。また、シャワーノズ
ル120からの純水の供給は、霧状にまで細かくするこ
とを必須とするものではないから、ウエハWに対して大
流量で供給できる。また、また、ウエハWに到達後も、
ウエハW表面においてオゾンガスの溶解は継続する。
【0031】このシャワーノズル120は、前記噴霧ノ
ズル110と後述する連続流吹き出しノズル130との
中間の機能を有する。
ズル110と後述する連続流吹き出しノズル130との
中間の機能を有する。
【0032】図4は、純水供給ノズル14として連続流
吹き出しノズル130を使用する場合に、連続流吹き出
しノズル130および、そのノズルから供給される純水
の様子を示すものである。前記連続流吹き出しノズル1
30は、円筒形のノズル胴体部131の先に水平に延在
する液溜め部131を備え、この液溜め部131の下端
に、水平方向に長く延びて幅狭い隙間であるスリット状
開口132から、純水を出す。なお、スリット状開口1
32は純水をいわゆるカーテン状の連続流で供給するに
適した開口形状であり、純水の連続流としていわゆる棒
状の流れを所望する場合には、円形状開口にすればよ
く、開口形状は長く延びて幅狭い隙間に限定されるもの
ではない。
吹き出しノズル130を使用する場合に、連続流吹き出
しノズル130および、そのノズルから供給される純水
の様子を示すものである。前記連続流吹き出しノズル1
30は、円筒形のノズル胴体部131の先に水平に延在
する液溜め部131を備え、この液溜め部131の下端
に、水平方向に長く延びて幅狭い隙間であるスリット状
開口132から、純水を出す。なお、スリット状開口1
32は純水をいわゆるカーテン状の連続流で供給するに
適した開口形状であり、純水の連続流としていわゆる棒
状の流れを所望する場合には、円形状開口にすればよ
く、開口形状は長く延びて幅狭い隙間に限定されるもの
ではない。
【0033】この連続流吹き出しノズル130による
と、連続的な液流状態で純水をウエハWへ供給する。か
かるからの連続流での純水の供給は、ウエハWに対して
大流量で供給できる。そして、連続流吹き出しノズル1
30から供給された純水は、前記噴霧ノズル110やシ
ャワーノズル120程ではないが、ウエハWに到達する
までにオゾンガスが溶解し、ウエハWにはオゾンガスが
溶解したオゾン水が供給される。また、ウエハWに到達
後も、ウエハW表面においてオゾンガスの溶解は継続す
る。
と、連続的な液流状態で純水をウエハWへ供給する。か
かるからの連続流での純水の供給は、ウエハWに対して
大流量で供給できる。そして、連続流吹き出しノズル1
30から供給された純水は、前記噴霧ノズル110やシ
ャワーノズル120程ではないが、ウエハWに到達する
までにオゾンガスが溶解し、ウエハWにはオゾンガスが
溶解したオゾン水が供給される。また、ウエハWに到達
後も、ウエハW表面においてオゾンガスの溶解は継続す
る。
【0034】また、前記連続流吹き出しノズル130
は、ウエハWへのオゾン水の供給を大流量とする処理に
好適である。
は、ウエハWへのオゾン水の供給を大流量とする処理に
好適である。
【0035】なお、上記した噴霧ノズル110やシャワ
ーノズル120および連続流吹き出しノズル130は、
上記した実施形態における純水供給ノズル14に使用す
る場合について説明したが、オゾン水吐出ノズル36に
使用してもよく、あるいは、純水供給ノズル14とオゾ
ン水吐出ノズル36の双方に使用してもよい。
ーノズル120および連続流吹き出しノズル130は、
上記した実施形態における純水供給ノズル14に使用す
る場合について説明したが、オゾン水吐出ノズル36に
使用してもよく、あるいは、純水供給ノズル14とオゾ
ン水吐出ノズル36の双方に使用してもよい。
【0036】なお、上記した実施形態では、純水供給源
から純水供給ノズル14へ純水を送給し、純水供給ノズ
ル14から処理槽10内のウエハWの表面へ純水を供給
して、ウエハWの表面上で純水にオゾンガスを溶解させ
てオゾン水を生成させるようにしているが、純水に代え
て、アンモニア水、塩酸、フッ酸等を含む処理液をウエ
ハWの表面へ供給し、ウエハWの表面上で処理液にオゾ
ンガスを溶解させてオゾン液を生成させ、オゾンが溶解
すると共にアンモニア水、塩酸、フッ酸等を含むオゾン
液により、ウエハWの洗浄処理を行うようにしてもよ
い。また、上記した実施形態では、純水供給ノズル14
とガス吹出しノズル16とを別々に設けるようにした
が、1つの2流体噴霧ノズルを設け、その2流体噴霧ノ
ズルの噴霧口の直前で純水とオゾンガスとを混合して、
噴霧口から純水とオゾンガスとを噴出させるようにして
もよい。
から純水供給ノズル14へ純水を送給し、純水供給ノズ
ル14から処理槽10内のウエハWの表面へ純水を供給
して、ウエハWの表面上で純水にオゾンガスを溶解させ
てオゾン水を生成させるようにしているが、純水に代え
て、アンモニア水、塩酸、フッ酸等を含む処理液をウエ
ハWの表面へ供給し、ウエハWの表面上で処理液にオゾ
ンガスを溶解させてオゾン液を生成させ、オゾンが溶解
すると共にアンモニア水、塩酸、フッ酸等を含むオゾン
液により、ウエハWの洗浄処理を行うようにしてもよ
い。また、上記した実施形態では、純水供給ノズル14
とガス吹出しノズル16とを別々に設けるようにした
が、1つの2流体噴霧ノズルを設け、その2流体噴霧ノ
ズルの噴霧口の直前で純水とオゾンガスとを混合して、
噴霧口から純水とオゾンガスとを噴出させるようにして
もよい。
【0037】また、上記した実施形態では、オゾン水ま
たはオゾン液による基板の処理を行う処理室を、槽10
とカバー12とで構成しているが、処理室はこれに限定
されるものではなく、例えば、基板を出し入れする開口
を有する箱体でもよい。
たはオゾン液による基板の処理を行う処理室を、槽10
とカバー12とで構成しているが、処理室はこれに限定
されるものではなく、例えば、基板を出し入れする開口
を有する箱体でもよい。
【0038】また、上記した実施形態では、ウエハWは
複数枚を同時に処理槽10内へ搬入して洗浄処理した
が、ウエハWを一枚ずつ洗浄処理するようにしてもよ
い。
複数枚を同時に処理槽10内へ搬入して洗浄処理した
が、ウエハWを一枚ずつ洗浄処理するようにしてもよ
い。
【0039】
【発明の効果】請求項1に係る発明の基板処理装置を使
用すると、最も処理効果の高い状態のオゾン水またはオ
ゾン液により基板の処理が行われるので、基板の処理効
果を高めることができ、また、オゾン水やオゾン液を処
理室へ供給するための配管やオゾン水発生装置が不要に
なるので、コスト的にみても従来の装置より有利にな
る。
用すると、最も処理効果の高い状態のオゾン水またはオ
ゾン液により基板の処理が行われるので、基板の処理効
果を高めることができ、また、オゾン水やオゾン液を処
理室へ供給するための配管やオゾン水発生装置が不要に
なるので、コスト的にみても従来の装置より有利にな
る。
【0040】請求項2に係る発明の装置では、請求項1
に記載の基板処理装置における液供給手段として、純水
または処理液を霧状に噴出する噴霧ノズルを備えたこと
により、液供給手段から供給された純水または処理液
は、処理室内の空間を霧状になって、ゆっくりと基板表
面へ到達し、その間、純水または処理液は表面積が極め
て広い状態にあり、処理室内へ供給されたオゾンガスが
溶解し易く、しかも、基板に到達するまでにオゾンガス
が溶解する時間が長いので、基板には高濃度にオゾンガ
スが溶解したオゾン水またはオゾン液が供給される。
に記載の基板処理装置における液供給手段として、純水
または処理液を霧状に噴出する噴霧ノズルを備えたこと
により、液供給手段から供給された純水または処理液
は、処理室内の空間を霧状になって、ゆっくりと基板表
面へ到達し、その間、純水または処理液は表面積が極め
て広い状態にあり、処理室内へ供給されたオゾンガスが
溶解し易く、しかも、基板に到達するまでにオゾンガス
が溶解する時間が長いので、基板には高濃度にオゾンガ
スが溶解したオゾン水またはオゾン液が供給される。
【0041】請求項3に係る発明基板処理装置では、請
求項1に記載の基板処理装置における液供給手段とし
て、純水または処理液を無数の液滴状に散布するシャワ
ーノズルを備えたことにより、液供給手段から供給され
た純水または処理液は、無数の液滴状の飛沫に分散され
るので、純水または処理液は表面積が広い状態にあり、
オゾンガスが溶解し易く、基板には高濃度にオゾンガス
が溶解したオゾン水またはオゾン液が供給される。ま
た、基板に対して大流量で供給できる。
求項1に記載の基板処理装置における液供給手段とし
て、純水または処理液を無数の液滴状に散布するシャワ
ーノズルを備えたことにより、液供給手段から供給され
た純水または処理液は、無数の液滴状の飛沫に分散され
るので、純水または処理液は表面積が広い状態にあり、
オゾンガスが溶解し易く、基板には高濃度にオゾンガス
が溶解したオゾン水またはオゾン液が供給される。ま
た、基板に対して大流量で供給できる。
【0042】請求項4に係る発明基板処理装置では、請
求項1に記載の基板処理装置における液供給手段とし
て、純水または処理液を連続的な液流状態に吹き出す連
続流吹き出しノズルを備えたことにより、液供給手段か
ら供給された純水または処理液は、連続的な液流状態で
基板に供給されるので、基板に対して大流量で供給され
る。
求項1に記載の基板処理装置における液供給手段とし
て、純水または処理液を連続的な液流状態に吹き出す連
続流吹き出しノズルを備えたことにより、液供給手段か
ら供給された純水または処理液は、連続的な液流状態で
基板に供給されるので、基板に対して大流量で供給され
る。
【0043】請求項5に係る発明の装置では、請求項1
ないし4のいずれかに記載の基板処理装置において、よ
り高濃度のオゾン水またはオゾン液が基板の表面上で生
成されて、その高濃度のオゾン水またはオゾン液により
基板の処理が行われるので、基板の処理効果をより高め
ることができ、また、オゾン水またはオゾン液が循環使
用されるので、純水の使用量が低減される。
ないし4のいずれかに記載の基板処理装置において、よ
り高濃度のオゾン水またはオゾン液が基板の表面上で生
成されて、その高濃度のオゾン水またはオゾン液により
基板の処理が行われるので、基板の処理効果をより高め
ることができ、また、オゾン水またはオゾン液が循環使
用されるので、純水の使用量が低減される。
【図1】この発明の1実施形態を示し、基板処理装置の
1種である基板洗浄装置の概略構成を示す模式図であ
る。
1種である基板洗浄装置の概略構成を示す模式図であ
る。
【図2】図1に示す基板洗浄装置における純水供給ノズ
ルとして噴霧ノズルを使用する場合の噴霧ノズルおよ
び、そのノズルから供給される純水の様子を示す図であ
る。
ルとして噴霧ノズルを使用する場合の噴霧ノズルおよ
び、そのノズルから供給される純水の様子を示す図であ
る。
【図3】図1に示す基板洗浄装置における純水供給ノズ
ルとしてシャワーノズルを使用する場合のシャワーノズ
ルおよび、そのノズルから供給される純水の様子を示す
図である。
ルとしてシャワーノズルを使用する場合のシャワーノズ
ルおよび、そのノズルから供給される純水の様子を示す
図である。
【図4】図1に示す基板洗浄装置における純水供給ノズ
ルとして連続流吹き出しノズルを使用する場合の連続流
吹き出しノズルおよび、そのノズルから供給される純水
の様子を示す図である。
ルとして連続流吹き出しノズルを使用する場合の連続流
吹き出しノズルおよび、そのノズルから供給される純水
の様子を示す図である。
【図5】従来のオゾン水による基板洗浄装置の概略構成
の1例を示す模式図である。
の1例を示す模式図である。
W 半導体ウエハ 10 処理槽 12 カバー 14 純水供給ノズル 16 ガス吹出しノズル 18 純水供給管 20、26 開閉制御弁 22 ガス供給管 24、42 フィルタ 28 処理槽のドレン排出口 30 ドレン排出管 32、44 開閉弁 34 オゾン水流出口 36 オゾン水吐出ノズル 38 オゾン水循環用配管 40 ポンプ 46 オゾン水 110 噴霧ノズル 120 シャワーノズル 130 連続流吹き出しノズル
Claims (5)
- 【請求項1】 オゾンが溶解したオゾン水またはオゾン
液による基板の処理が行われる処理室と、 この処理室内に収容された基板に対して純水または処理
液を供給する液供給手段と、 前記処理室内に収容された基板に対してオゾンガスを供
給するガス供給手段と、を備えたことを特徴とする基板
処理装置。 - 【請求項2】請求項1に記載の基板処理装置において、
液供給手段は、純水または処理液を霧状に噴出する噴霧
ノズルを備えた請求項1記載の基板処理装置。 - 【請求項3】請求項1に記載の基板処理装置において、
液供給手段は、純水または処理液を無数の液滴状に散布
するシャワーノズルを備えた請求項1記載の基板処理装
置。 - 【請求項4】請求項1に記載の基板処理装置において、
液供給手段は、純水または処理液を連続的な液流状態に
吹き出す連続流吹き出しノズルを備えた請求項1記載の
基板処理装置。 - 【請求項5】 処理室の底部に溜まったオゾン水または
オゾン液を、処理室の外部に配設された配管を通して再
び処理室内の基板に対し供給する液循環手段をさらに備
えた請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11177438A JP2000286220A (ja) | 1999-01-29 | 1999-06-23 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-21719 | 1999-01-29 | ||
| JP2171999 | 1999-01-29 | ||
| JP11177438A JP2000286220A (ja) | 1999-01-29 | 1999-06-23 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000286220A true JP2000286220A (ja) | 2000-10-13 |
Family
ID=26358810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11177438A Abandoned JP2000286220A (ja) | 1999-01-29 | 1999-06-23 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000286220A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100880510B1 (ko) | 2006-09-26 | 2009-01-28 | 주식회사 포스코 | 표면세정장치 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61164030U (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-11 | ||
| JPH04336430A (ja) * | 1991-05-13 | 1992-11-24 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄方法及び洗浄装置 |
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