JP2000288922A - 研磨用キャリア及び研磨方法並びに情報記録媒体用基板の製造方法 - Google Patents
研磨用キャリア及び研磨方法並びに情報記録媒体用基板の製造方法Info
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 171
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 109
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 40
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 33
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 12
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 6
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 abstract description 5
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 abstract 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 abstract 1
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 8
- IDCBOTIENDVCBQ-UHFFFAOYSA-N TEPP Chemical compound CCOP(=O)(OCC)OP(=O)(OCC)OCC IDCBOTIENDVCBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000003426 chemical strengthening reaction Methods 0.000 description 7
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 7
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 7
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 6
- 229920006231 aramid fiber Polymers 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 4
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000003280 down draw process Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001149 41xx steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000943 NiAl Inorganic materials 0.000 description 1
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- -1 suva Substances 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ポリッシング加工等において被研磨体の端面
(外周側面)に傷等を発生させるおそれのない研磨用キ
ャリア及び該研磨用キャリアを用いた研磨方法並びに該
研磨方法を用いた情報記録媒体用基板の製造方法を提供
する。 【解決手段】 被研磨体たる磁気記録媒体用ガラス基板
4を保持する被研磨体保持孔2a〜2gを有する研磨用
キャリア1において、少なくとも前記被研磨体と接触す
る前記保持孔の内周部分を、硬度100以下(Aske
r−C)の材料できる構成した。
(外周側面)に傷等を発生させるおそれのない研磨用キ
ャリア及び該研磨用キャリアを用いた研磨方法並びに該
研磨方法を用いた情報記録媒体用基板の製造方法を提供
する。 【解決手段】 被研磨体たる磁気記録媒体用ガラス基板
4を保持する被研磨体保持孔2a〜2gを有する研磨用
キャリア1において、少なくとも前記被研磨体と接触す
る前記保持孔の内周部分を、硬度100以下(Aske
r−C)の材料できる構成した。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク用基板、
光ディスク用基板、又はシリコンウエハ、電子デバイス
用基板(フォトマスクブランク用基板、位相シフトマス
クブランク用基板、液晶ディスプレイ用基板)などの被
研磨体を研磨するとき、被研磨体を保持する研磨用キャ
リア及び該研磨用キャリアを用いた研磨方法並びに該研
磨方法を用いた情報記録媒体用基板の製造方法に関す
る。
光ディスク用基板、又はシリコンウエハ、電子デバイス
用基板(フォトマスクブランク用基板、位相シフトマス
クブランク用基板、液晶ディスプレイ用基板)などの被
研磨体を研磨するとき、被研磨体を保持する研磨用キャ
リア及び該研磨用キャリアを用いた研磨方法並びに該研
磨方法を用いた情報記録媒体用基板の製造方法に関す
る。
【0002】
【従来技術】通常、磁気ディスク用基板等に使用される
円盤状のガラス基板のポリッシング加工又はラッピング
加工は、円板状の研磨用キャリアに設けられた複数の円
形の保持孔にガラス基板を入れ、研磨装置の下定盤及び
上定盤によりガラス基板を挟持した状態で、上下定盤を
互いに逆回転させることにより行われる。ここで研磨用
キャリアの外周部にはギアが形成されており、このギア
が研磨装置のインターナルギア及びサンギアに噛合する
ようになっている。したがって、研磨用キャリアは、イ
ンターナルギアとサンギアとの回転数の差により遊星運
動を行い、これによりガラス基板は両面を同時にポリッ
シング又はラッピングされる。
円盤状のガラス基板のポリッシング加工又はラッピング
加工は、円板状の研磨用キャリアに設けられた複数の円
形の保持孔にガラス基板を入れ、研磨装置の下定盤及び
上定盤によりガラス基板を挟持した状態で、上下定盤を
互いに逆回転させることにより行われる。ここで研磨用
キャリアの外周部にはギアが形成されており、このギア
が研磨装置のインターナルギア及びサンギアに噛合する
ようになっている。したがって、研磨用キャリアは、イ
ンターナルギアとサンギアとの回転数の差により遊星運
動を行い、これによりガラス基板は両面を同時にポリッ
シング又はラッピングされる。
【0003】上記の研磨用キャリアとしては、例えば、
特開平8−300565に開示されているようにガラス
織布にエポキシ樹脂を含浸乾燥して得たプリプレグを所
定枚数重ねて一体に加熱加圧成形したものがある。
特開平8−300565に開示されているようにガラス
織布にエポキシ樹脂を含浸乾燥して得たプリプレグを所
定枚数重ねて一体に加熱加圧成形したものがある。
【0004】一方、磁気ディスク用ガラス基板等は、該
ガラス基板の端面(外周側面)が鏡面になっていないと
以下の問題が生ずる。すなわち、磁気ディスク用ガラス
基板又はガラス磁気ディスクをポリカーボネード等から
なる収納容器に出し入れする際に、収納容器の内周面と
ガラス基板の端面とが接触し、端面から発塵したパーテ
ィクルがガラス基板又は磁気ディスク表面に付着し、こ
れによって、サーマルアスフェリティーが発生する場合
がある。
ガラス基板の端面(外周側面)が鏡面になっていないと
以下の問題が生ずる。すなわち、磁気ディスク用ガラス
基板又はガラス磁気ディスクをポリカーボネード等から
なる収納容器に出し入れする際に、収納容器の内周面と
ガラス基板の端面とが接触し、端面から発塵したパーテ
ィクルがガラス基板又は磁気ディスク表面に付着し、こ
れによって、サーマルアスフェリティーが発生する場合
がある。
【0005】したがって、このサーマルアスフェリティ
ーの発生防止のために上記ガラス基板の端面(外周側
面)に鏡面加工が施される。一般的にガラス基板端面の
鏡面加工工程は、要求される表面粗さの違い(主表面の
表面粗さの方が端面の表面粗さより小さい)により、主
表面の精密研磨工程で使用する砥粒の粒径より端面の鏡
面加工工程で使用する砥粒の粒径の方が大きいので、ポ
リッシング工程の前に行われる。
ーの発生防止のために上記ガラス基板の端面(外周側
面)に鏡面加工が施される。一般的にガラス基板端面の
鏡面加工工程は、要求される表面粗さの違い(主表面の
表面粗さの方が端面の表面粗さより小さい)により、主
表面の精密研磨工程で使用する砥粒の粒径より端面の鏡
面加工工程で使用する砥粒の粒径の方が大きいので、ポ
リッシング工程の前に行われる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の研磨用
キャリアを用いてポリッシング加工した場合、ガラス基
板端面の鏡面加工工程で一旦鏡面仕上げされたガラス基
板端面が、研磨用キャリア内でガラス基板がこすれるこ
とにより端面まだらと呼ばれるすじ状の傷が発生するこ
とが確認された。この端面まだらのあるガラス基板の場
合でも、上述した収納容器との接触による発塵が発生
し、サーマルアスフェリティーを引き起こすという問題
点が生じた。
キャリアを用いてポリッシング加工した場合、ガラス基
板端面の鏡面加工工程で一旦鏡面仕上げされたガラス基
板端面が、研磨用キャリア内でガラス基板がこすれるこ
とにより端面まだらと呼ばれるすじ状の傷が発生するこ
とが確認された。この端面まだらのあるガラス基板の場
合でも、上述した収納容器との接触による発塵が発生
し、サーマルアスフェリティーを引き起こすという問題
点が生じた。
【0007】本発明は上述の背景のもとでなされたもの
であり、ポリッシング加工等において被研磨体の端面
(外周側面)に傷等を発生させるおそれのない研磨用キ
ャリア及び該研磨用キャリアを用いた研磨方法並びに該
研磨方法を用いた情報記録媒体用基板の製造方法を提供
することを目的とする。
であり、ポリッシング加工等において被研磨体の端面
(外周側面)に傷等を発生させるおそれのない研磨用キ
ャリア及び該研磨用キャリアを用いた研磨方法並びに該
研磨方法を用いた情報記録媒体用基板の製造方法を提供
することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、第1の発明は、被研磨体を保持する保持孔を有す
る研磨用キャリアにおいて、少なくとも前記被研磨体と
接触する前記保持孔の内周部分が、硬度100以下(A
sker−C)の材料からなることを特徴とする研磨用
キャリアである。
めに、第1の発明は、被研磨体を保持する保持孔を有す
る研磨用キャリアにおいて、少なくとも前記被研磨体と
接触する前記保持孔の内周部分が、硬度100以下(A
sker−C)の材料からなることを特徴とする研磨用
キャリアである。
【0009】第2の発明は、第1の発明において、前記
材料は、ウレタン、スバ、ポリカーボネード、塩化ビニ
ール、ゴムの何れかの材料からなることを特徴とする研
磨用キャリアである。
材料は、ウレタン、スバ、ポリカーボネード、塩化ビニ
ール、ゴムの何れかの材料からなることを特徴とする研
磨用キャリアである。
【0010】第3の発明は、研磨用キャリアに設けられ
た複数の保持孔に被研磨体を入れ、下定盤及び上定盤に
より被研磨体を挟持した状態で上下定盤を回転させ、前
記被研磨体の主表面をラッピング及び/又はポリッシン
グを施して前記被研磨体の主表面を鏡面研磨する研磨方
法において、少なくとも前記被研磨体と接触する前記保
持孔の内周部分が、ポリッシング工程で使用する研磨パ
ッドよりも軟質な材料からなることを特徴とする研磨方
法である。
た複数の保持孔に被研磨体を入れ、下定盤及び上定盤に
より被研磨体を挟持した状態で上下定盤を回転させ、前
記被研磨体の主表面をラッピング及び/又はポリッシン
グを施して前記被研磨体の主表面を鏡面研磨する研磨方
法において、少なくとも前記被研磨体と接触する前記保
持孔の内周部分が、ポリッシング工程で使用する研磨パ
ッドよりも軟質な材料からなることを特徴とする研磨方
法である。
【0011】第4の発明は、第3の発明において、前記
材料は、硬度100以下(Asker−C)であること
を特徴とする研磨方法である。
材料は、硬度100以下(Asker−C)であること
を特徴とする研磨方法である。
【0012】第5の発明は、第3又は第4の発明におい
て、前記被研磨体がガラス又はシリコンからなることを
特徴とする研磨方法である。
て、前記被研磨体がガラス又はシリコンからなることを
特徴とする研磨方法である。
【0013】第6の発明は、研磨用キャリアに設けられ
た複数の被研磨体保持孔に、情報記録媒体用基板を入
れ、下定盤及び上定盤により被研磨体を挟持した状態で
上下定盤を回転させ、前記情報記録媒体用基板の主表面
をラッピング及び/又はポリッシングを施して前記情報
記録媒体用基板の主表面を鏡面研磨する研磨工程を有す
る情報記録媒体用基板の製造方法において、少なくとも
前記情報記録媒体用基板と接触する前記被研磨体保持孔
の内周部分がポリッシング工程で使用する研磨パッドよ
りも軟質な材料で形成されていることを特徴とする情報
記録媒体用基板の製造方法である。
た複数の被研磨体保持孔に、情報記録媒体用基板を入
れ、下定盤及び上定盤により被研磨体を挟持した状態で
上下定盤を回転させ、前記情報記録媒体用基板の主表面
をラッピング及び/又はポリッシングを施して前記情報
記録媒体用基板の主表面を鏡面研磨する研磨工程を有す
る情報記録媒体用基板の製造方法において、少なくとも
前記情報記録媒体用基板と接触する前記被研磨体保持孔
の内周部分がポリッシング工程で使用する研磨パッドよ
りも軟質な材料で形成されていることを特徴とする情報
記録媒体用基板の製造方法である。
【0014】第7の発明は、情報記録媒体用基板の端面
を研磨した後、研磨用キャリアに設けられた複数の保持
孔に、前記情報記録媒体用基板を入れ、下定盤及び上定
盤により被研磨体を挟持した状態で上下定盤を回転さ
せ、前記情報記録媒体用基板の主表面をラッピング及び
/又はポリッシングを施して情報記録媒体用基板を研磨
する研磨工程を有する情報記録媒体用基板の製造方法に
おいて、少なくとも前記情報記録媒体用基板と接触する
前記被研磨体保持孔の内周部分がポリッシング工程で使
用する研磨パッドよりも軟質な材料で形成されているこ
とを特徴とする情報記録媒体用基板の製造方法である。
を研磨した後、研磨用キャリアに設けられた複数の保持
孔に、前記情報記録媒体用基板を入れ、下定盤及び上定
盤により被研磨体を挟持した状態で上下定盤を回転さ
せ、前記情報記録媒体用基板の主表面をラッピング及び
/又はポリッシングを施して情報記録媒体用基板を研磨
する研磨工程を有する情報記録媒体用基板の製造方法に
おいて、少なくとも前記情報記録媒体用基板と接触する
前記被研磨体保持孔の内周部分がポリッシング工程で使
用する研磨パッドよりも軟質な材料で形成されているこ
とを特徴とする情報記録媒体用基板の製造方法である。
【0015】
【発明の実施の形態】(実施例1)図1は本発明の実施
例1にかかる研磨用キャリアの平面図、図2は図1のI
I−II線断面図、図3は研磨用キャリアを研磨装置に
装着した状態を示す図、図4は図3における部分断面図
である。以下、これらの図面を参照にしながら実施例1
にかかる研磨用キャリア及び研磨方法並びに情報記録媒
体用基板の製造方法を説明する。なお、この実施例は、
2.5インチ用磁気記録媒体用ガラス基板(情報記録媒
体用ガラス基板=被研磨体)を製造する場合に本発明を
適用する例である。
例1にかかる研磨用キャリアの平面図、図2は図1のI
I−II線断面図、図3は研磨用キャリアを研磨装置に
装着した状態を示す図、図4は図3における部分断面図
である。以下、これらの図面を参照にしながら実施例1
にかかる研磨用キャリア及び研磨方法並びに情報記録媒
体用基板の製造方法を説明する。なお、この実施例は、
2.5インチ用磁気記録媒体用ガラス基板(情報記録媒
体用ガラス基板=被研磨体)を製造する場合に本発明を
適用する例である。
【0016】図1において、研磨用キャリア1は、円板
状の被研磨体保持部2と、被研磨体保持部の外周に嵌合
固定されたギア部3とで構成されている。被研磨体保持
部2には、複数の被研磨体保持孔2a〜2gが形成され
ている。この被研磨体保持孔2a〜2gは、2.5イン
チ用磁気記録媒体用ガラス基板4(情報記録媒体用ガラ
ス基板=被研磨体)を収納できる大きさ(内径約65m
m)を有するものである。
状の被研磨体保持部2と、被研磨体保持部の外周に嵌合
固定されたギア部3とで構成されている。被研磨体保持
部2には、複数の被研磨体保持孔2a〜2gが形成され
ている。この被研磨体保持孔2a〜2gは、2.5イン
チ用磁気記録媒体用ガラス基板4(情報記録媒体用ガラ
ス基板=被研磨体)を収納できる大きさ(内径約65m
m)を有するものである。
【0017】被研磨体保持部2は、複数の部材を一体に
積層固着した構造をなしている。すなわち、図2に示さ
れるように、中間部材21を、上側部材22及び下側部
材23によって挟み込んでサンドイッチ構造にして接着
固定した構造をなしている。この実施例では、中間部材
21として、厚さ約0.35mmのウレタン材を、ま
た、上側部材22及び下側部材23としては、ウレタン
材より硬質な材料である厚さ約0.1mmのアラミド繊
維樹脂を用いている。
積層固着した構造をなしている。すなわち、図2に示さ
れるように、中間部材21を、上側部材22及び下側部
材23によって挟み込んでサンドイッチ構造にして接着
固定した構造をなしている。この実施例では、中間部材
21として、厚さ約0.35mmのウレタン材を、ま
た、上側部材22及び下側部材23としては、ウレタン
材より硬質な材料である厚さ約0.1mmのアラミド繊
維樹脂を用いている。
【0018】この場合、中間部材21及び上側部材22
及び下側部材23には、被研磨体保持孔2a〜2gを構
成する貫通孔が形成されているが、中間部材21の貫通
孔の孔径(約65mm)が上側部材22及び下側部材2
3に形成された孔径(約67mm)よりわずかに小さく
なっている(図2参照)。
及び下側部材23には、被研磨体保持孔2a〜2gを構
成する貫通孔が形成されているが、中間部材21の貫通
孔の孔径(約65mm)が上側部材22及び下側部材2
3に形成された孔径(約67mm)よりわずかに小さく
なっている(図2参照)。
【0019】したがって、図2に示されるように、磁気
記録媒体用ガラス基板4の端面(外周側面)41は、比
較的軟質の中間部材(ウレタン層)21にのみ接触し、
硬質の上側部材22及び下側部材23(アラミド繊維樹
脂層)には接触しないようになっている。これにより、
研磨中において、磁気記録媒体用ガラス基板4の端面
(外周側面)41に傷がつくおそれを効果的に防止して
いる。
記録媒体用ガラス基板4の端面(外周側面)41は、比
較的軟質の中間部材(ウレタン層)21にのみ接触し、
硬質の上側部材22及び下側部材23(アラミド繊維樹
脂層)には接触しないようになっている。これにより、
研磨中において、磁気記録媒体用ガラス基板4の端面
(外周側面)41に傷がつくおそれを効果的に防止して
いる。
【0020】ギア部3は、研磨装置におけるサンギア5
及びインターナルギア6(図3参照)と噛合させて回転
させるために、機械的耐久性、耐摩耗性の良いステンレ
スで構成され、被研磨体保持部2の外周端面にその内周
端面を接着して固定されている。
及びインターナルギア6(図3参照)と噛合させて回転
させるために、機械的耐久性、耐摩耗性の良いステンレ
スで構成され、被研磨体保持部2の外周端面にその内周
端面を接着して固定されている。
【0021】なお、上記例では、被研磨体の端面に接触
する中間部材21として、ウレタン材を用いたが、この
中間部材21の材料としては、ポリッシング工程の際に
使用する研磨パッドより軟質な材料であればよい。この
ような材料としては、例えば、スバ、ポリカーボネー
ド、塩化ビニール、ゴム等の材料があげられる。
する中間部材21として、ウレタン材を用いたが、この
中間部材21の材料としては、ポリッシング工程の際に
使用する研磨パッドより軟質な材料であればよい。この
ような材料としては、例えば、スバ、ポリカーボネー
ド、塩化ビニール、ゴム等の材料があげられる。
【0022】ポリッシング加工、又は、ラッピング加工
の際に使用する研磨パッドの硬度(Asker−C)
は、150〜100なので、中間部材21の硬度は10
0以下(Asker−C)にすることが好ましい。上述
した各材料の硬度(Asker−C)は、60〜82
(ウレタン)、61〜95(スバ)、ポリカーボネー
ド、ロックウエル硬度M75(塩化ビニール)、ロック
ウエル硬度C112(ゴム)である。中間部材21の材
料としては、上側部材22及び下側部材23との接着
性、柔軟性の点から、ゴムも適している。
の際に使用する研磨パッドの硬度(Asker−C)
は、150〜100なので、中間部材21の硬度は10
0以下(Asker−C)にすることが好ましい。上述
した各材料の硬度(Asker−C)は、60〜82
(ウレタン)、61〜95(スバ)、ポリカーボネー
ド、ロックウエル硬度M75(塩化ビニール)、ロック
ウエル硬度C112(ゴム)である。中間部材21の材
料としては、上側部材22及び下側部材23との接着
性、柔軟性の点から、ゴムも適している。
【0023】また、上側部材22及び下側部材を23の
材料として、アラミド繊維樹脂を用いたが、これは、中
間部材21よりも硬質な材料であって、ポリッシング加
工又は、ラッピング加工の際、被研磨体の面精度が出る
ものであれば良く、例えば、FRP(ガラスエポキ
シ),SUS(ステンレス)等の材料を用いることもで
きる。
材料として、アラミド繊維樹脂を用いたが、これは、中
間部材21よりも硬質な材料であって、ポリッシング加
工又は、ラッピング加工の際、被研磨体の面精度が出る
ものであれば良く、例えば、FRP(ガラスエポキ
シ),SUS(ステンレス)等の材料を用いることもで
きる。
【0024】中間部材21と上側部材22及び下側部材
23とを接着剤によって固定する例を掲げたが、これは
プレス成形によって固定することもできる。
23とを接着剤によって固定する例を掲げたが、これは
プレス成形によって固定することもできる。
【0025】さらに、研磨用キャリア1の厚さは、最終
的に得ようとする被研磨体であるガラス基板等の厚さに
よって適宜調整される。2.5インチのガラス基板の場
合、ガラス基板の厚さが0.635±0.015mmな
ので、0.55〜0.60mm程度にすることが好まし
い。尚、ガラス基板等の被研磨体と接触する研磨用キャ
リア1の中間部材21の厚さは、ガラス基板の端面(外
周側面)の長さ(面取部以外)より大きい方がより好ま
しい。
的に得ようとする被研磨体であるガラス基板等の厚さに
よって適宜調整される。2.5インチのガラス基板の場
合、ガラス基板の厚さが0.635±0.015mmな
ので、0.55〜0.60mm程度にすることが好まし
い。尚、ガラス基板等の被研磨体と接触する研磨用キャ
リア1の中間部材21の厚さは、ガラス基板の端面(外
周側面)の長さ(面取部以外)より大きい方がより好ま
しい。
【0026】次に、図3、図4を用いて研磨用キャリア
1を研磨装置5に装着し、被研磨体である磁気記録媒体
用ガラス基板4をポリッシング加工、又は、ラッピング
加工を行う研磨工程の概略を説明する。
1を研磨装置5に装着し、被研磨体である磁気記録媒体
用ガラス基板4をポリッシング加工、又は、ラッピング
加工を行う研磨工程の概略を説明する。
【0027】研磨装置5は、それぞれ所定の回転比率で
回転駆動されるインターナルギア51及びサンギア52
を有する研磨用キャリア装着部と、この研磨用キャリア
装着部を挟んで互いに逆回転駆動される上定盤53及び
下定盤54とを有する。
回転駆動されるインターナルギア51及びサンギア52
を有する研磨用キャリア装着部と、この研磨用キャリア
装着部を挟んで互いに逆回転駆動される上定盤53及び
下定盤54とを有する。
【0028】研磨用キャリア装着部に、複数の研磨用キ
ャリア1をセットすると、これら研磨用キャリア1のギ
アがインターナルギア51及びサンギア52と噛合され
るようになっている。各研磨用キャリア1の被研磨体保
持孔2a〜2gに被研磨体である磁気記録媒体用ガラス
基板4をセットし、研磨を開始すると、研磨用キャリア
1はインターナルギア51及びサンギア52との回転数
の差により遊星運動を行う。同時に、上定盤53及び下
定盤54は互いに逆回転し、それらに設けられた研磨パ
ッド53a,54aによって磁気記録媒体用ガラス基板
4の表裏の面がポリッシング又はラッピングされる。
ャリア1をセットすると、これら研磨用キャリア1のギ
アがインターナルギア51及びサンギア52と噛合され
るようになっている。各研磨用キャリア1の被研磨体保
持孔2a〜2gに被研磨体である磁気記録媒体用ガラス
基板4をセットし、研磨を開始すると、研磨用キャリア
1はインターナルギア51及びサンギア52との回転数
の差により遊星運動を行う。同時に、上定盤53及び下
定盤54は互いに逆回転し、それらに設けられた研磨パ
ッド53a,54aによって磁気記録媒体用ガラス基板
4の表裏の面がポリッシング又はラッピングされる。
【0029】一般に、ガラス基板は、荒ずり→ラッピン
グ(砂掛け)→端面鏡面工程→ポリッシングの工程を経
て鏡面仕上げされる。ここで、ラッピング工程は、寸法
精度・形状精度の向上を目的としており、ラップ盤によ
ってガラス基板の主表面を加工する。ポリッシング工程
は、面の平滑さの向上(表面粗さの低減)と加工歪を小
さくすることを目的としており、通常、硬質ポリシャを
使用する第1研磨工程と、軟質ポリシャを使用する第2
研磨工程(ファイナル研磨工程)とからなる。
グ(砂掛け)→端面鏡面工程→ポリッシングの工程を経
て鏡面仕上げされる。ここで、ラッピング工程は、寸法
精度・形状精度の向上を目的としており、ラップ盤によ
ってガラス基板の主表面を加工する。ポリッシング工程
は、面の平滑さの向上(表面粗さの低減)と加工歪を小
さくすることを目的としており、通常、硬質ポリシャを
使用する第1研磨工程と、軟質ポリシャを使用する第2
研磨工程(ファイナル研磨工程)とからなる。
【0030】本発明の研磨用キャリアは、上述のいずれ
の工程にも使用することができるが、端面の鏡面加工工
程の後、例えば、ラッピング工程以降のポリッシング工
程に使用することによって、最大の効果が発揮される。
従って、以下、ポリッシング加工について具体的に説明
する。
の工程にも使用することができるが、端面の鏡面加工工
程の後、例えば、ラッピング工程以降のポリッシング工
程に使用することによって、最大の効果が発揮される。
従って、以下、ポリッシング加工について具体的に説明
する。
【0031】ポリッシング加工(第1研磨工程、ファイ
ナル研磨工程)を行う際には、研磨用キャリア1の外周
部に形成したギア3を、研磨装置5のサンギア52及
び、インターナルギア51と噛合させた状態で、研磨用
キャリア1を研磨装置5の研磨パッド54aを貼った下
定盤54の上にセットする。次に、被研磨体保持孔2a
〜2gの中に被研磨体である磁気記録媒体用ガラス基板
4を入れて保持する。
ナル研磨工程)を行う際には、研磨用キャリア1の外周
部に形成したギア3を、研磨装置5のサンギア52及
び、インターナルギア51と噛合させた状態で、研磨用
キャリア1を研磨装置5の研磨パッド54aを貼った下
定盤54の上にセットする。次に、被研磨体保持孔2a
〜2gの中に被研磨体である磁気記録媒体用ガラス基板
4を入れて保持する。
【0032】次に、該ガラス基板4を研磨パッド54a
を貼った下定盤54及び研磨パッド53aを貼った上定
盤53によって挟持し、酸化セリウムなどの砥粒を含む
研磨液を供給しながら下定盤54及び上定盤53を互い
に逆方向に回転させる。これにより、サンギア52及び
インターナルギア51の回転数の差により、研磨用キャ
リア1を自転しつつ公転し、上記ガラス基板4の両面が
同時に研磨加工される。
を貼った下定盤54及び研磨パッド53aを貼った上定
盤53によって挟持し、酸化セリウムなどの砥粒を含む
研磨液を供給しながら下定盤54及び上定盤53を互い
に逆方向に回転させる。これにより、サンギア52及び
インターナルギア51の回転数の差により、研磨用キャ
リア1を自転しつつ公転し、上記ガラス基板4の両面が
同時に研磨加工される。
【0033】上記ガラス基板4は、研磨工程の際、保持
孔2a〜2g内で回転するか、又は、該保持孔2a〜2
g内周部と擦れるが、上記ガラス基板4を保持する中間
部材21が軟質な材料であるから、上記ガラス基板4の
端面を傷つけることがない。
孔2a〜2g内で回転するか、又は、該保持孔2a〜2
g内周部と擦れるが、上記ガラス基板4を保持する中間
部材21が軟質な材料であるから、上記ガラス基板4の
端面を傷つけることがない。
【0034】なお、研磨パッド53、54としては、例
えば、スウェード、ベロアを素材とする軟質ポリシャ
や、硬質ベロア、ウレタン発砲、ピッチ含浸スウェード
等の硬質ポリシャ等が挙げられる。
えば、スウェード、ベロアを素材とする軟質ポリシャ
や、硬質ベロア、ウレタン発砲、ピッチ含浸スウェード
等の硬質ポリシャ等が挙げられる。
【0035】以下、磁気記録媒体用ガラス基板の製造工
程をより具体的に説明する。 (1) 第1ラッピング工程(第1砂掛け工程) まず、ダウンドロー法で形成したシートガラスから、研
削砥石で直径66mmφ、厚さ1.1mmの円盤状に切
り出したアルミノシリケートガラスからなるガラス基板
を、比較的粗いダイヤモンド砥石で研削加工して、直径
65mm(2.5インチ)φ、厚さ0.6mmに成形し
た。
程をより具体的に説明する。 (1) 第1ラッピング工程(第1砂掛け工程) まず、ダウンドロー法で形成したシートガラスから、研
削砥石で直径66mmφ、厚さ1.1mmの円盤状に切
り出したアルミノシリケートガラスからなるガラス基板
を、比較的粗いダイヤモンド砥石で研削加工して、直径
65mm(2.5インチ)φ、厚さ0.6mmに成形し
た。
【0036】この場合、ダウンドロー法の代わりに、溶
融ガラスを上型、下型、胴型を用いてダイレクトプレス
して、円盤状のガラス体を得ても良い。尚、アルミノシ
リケートガラスとしては、モル%表示で、SiO2 を5
7〜74%、ZnO2 を0〜2.8%、Al2 O3 を3
〜15%、LiO2 を7〜16%、Na2 Oを4〜14
%、を主成分として含有する化学強化用ガラスを使用し
た。
融ガラスを上型、下型、胴型を用いてダイレクトプレス
して、円盤状のガラス体を得ても良い。尚、アルミノシ
リケートガラスとしては、モル%表示で、SiO2 を5
7〜74%、ZnO2 を0〜2.8%、Al2 O3 を3
〜15%、LiO2 を7〜16%、Na2 Oを4〜14
%、を主成分として含有する化学強化用ガラスを使用し
た。
【0037】次いで、ガラス基板にラッピング加工を施
した。このラッピング工程は、寸法精度及び形状精度の
向上を目的としている。ラッピング加工は、ラッピング
装置を用いて行い、キャリアは、アラミド繊維製のもの
を使用し、砥粒の粒度を#400として行った。詳しく
は、粒度#400のアルミナ砥粒を用い、荷重Lを10
0kg程度に設定して、サンギアとインターナルギアを
回転させることによって、キャリア内に収納したガラス
基板の両面を面精度0〜1μm、表面粗さ(Rmax)
(JIS B 0601で測定)6μm程度にラッピン
グした。
した。このラッピング工程は、寸法精度及び形状精度の
向上を目的としている。ラッピング加工は、ラッピング
装置を用いて行い、キャリアは、アラミド繊維製のもの
を使用し、砥粒の粒度を#400として行った。詳しく
は、粒度#400のアルミナ砥粒を用い、荷重Lを10
0kg程度に設定して、サンギアとインターナルギアを
回転させることによって、キャリア内に収納したガラス
基板の両面を面精度0〜1μm、表面粗さ(Rmax)
(JIS B 0601で測定)6μm程度にラッピン
グした。
【0038】次に、円筒状の砥石を用いてガラス基板の
中心部に円孔(直径20mmφ)を開けるとともに、外
周端面及び内周端面に所定の面取り加工を施した。この
ときのガラス基板の内外周端面の表面粗さは、Rmax
で14μm程度であった。
中心部に円孔(直径20mmφ)を開けるとともに、外
周端面及び内周端面に所定の面取り加工を施した。この
ときのガラス基板の内外周端面の表面粗さは、Rmax
で14μm程度であった。
【0039】(2) 端面研磨工程 次いで、平均粒径約3μmの酸化セリウム砥粒によるブ
ラシ研磨により、ガラス基板を回転させながらガラス基
板の端面部分(角張った部位、側面及び面取部)の研磨
を行い、角張った部位を半径0.2〜10mmの曲面と
するとともに、それらの表面粗さをRmaxで1μm、
Raで0.3μm程度とした。上記端面研磨工程を終え
たガラス基板の表面を水洗浄した。
ラシ研磨により、ガラス基板を回転させながらガラス基
板の端面部分(角張った部位、側面及び面取部)の研磨
を行い、角張った部位を半径0.2〜10mmの曲面と
するとともに、それらの表面粗さをRmaxで1μm、
Raで0.3μm程度とした。上記端面研磨工程を終え
たガラス基板の表面を水洗浄した。
【0040】(3) 第2ラッピング工程(第2砂掛け
工程) 次に、ラッピング装置を用い、中間部材21がウレタン
(硬度95(Asker−C))からなる実施例1のキ
ャリアを使用し、粒度#1000(粒径約3μm)のア
ルミナ砥粒、荷重Lを100kg程度に設定して、サン
ギアとインターナルギアを回転させることによって、ラ
ッピングを行い、ガラス基板の両面の表面粗さ(Rma
x)を2μm程度とした。上記第2ラッピング工程を終
えたガラス基板を、中性洗剤、水の各洗浄槽に順次浸漬
して、洗浄した。
工程) 次に、ラッピング装置を用い、中間部材21がウレタン
(硬度95(Asker−C))からなる実施例1のキ
ャリアを使用し、粒度#1000(粒径約3μm)のア
ルミナ砥粒、荷重Lを100kg程度に設定して、サン
ギアとインターナルギアを回転させることによって、ラ
ッピングを行い、ガラス基板の両面の表面粗さ(Rma
x)を2μm程度とした。上記第2ラッピング工程を終
えたガラス基板を、中性洗剤、水の各洗浄槽に順次浸漬
して、洗浄した。
【0041】(4) 第1ポリッシング工程(第1研磨
工程) 次に、第1ポリッシング工程を施した。この第1ポリッ
シング工程は、上述したラッピング工程で残留した傷
や、歪みの除去を目的とするもので、ポリッシング装置
を用いて行った。詳しくは、研磨パッド(研磨布)とし
て硬質ポリシャ(セリウムパッドMHC15:スピード
ファム社製)を用い、保持部材4がスバ(硬度82(A
sker−C))からなる実施例1のキャリアを使用
し、以下のポリッシング条件で第1ポリッシング工程を
実施した。
工程) 次に、第1ポリッシング工程を施した。この第1ポリッ
シング工程は、上述したラッピング工程で残留した傷
や、歪みの除去を目的とするもので、ポリッシング装置
を用いて行った。詳しくは、研磨パッド(研磨布)とし
て硬質ポリシャ(セリウムパッドMHC15:スピード
ファム社製)を用い、保持部材4がスバ(硬度82(A
sker−C))からなる実施例1のキャリアを使用
し、以下のポリッシング条件で第1ポリッシング工程を
実施した。
【0042】 研磨液:酸化セリウム(平均粒径;1.3μm)+水 荷重:300kg/cm2(L=238kg) 研磨時間:15分 除去量:30μm 下定盤回転数:40rpm 上定盤回転数:35rpm サンギア回転数:14rpm インターナルギア回転数:29rpm 上記第1ポリッシング工程を終えたガラス基板を、中性
洗剤、純水、純水、IPA(イソプロピルアルコー
ル)、IPA(蒸気乾燥)の各洗浄槽に順次浸漬して、
洗浄した。
洗剤、純水、純水、IPA(イソプロピルアルコー
ル)、IPA(蒸気乾燥)の各洗浄槽に順次浸漬して、
洗浄した。
【0043】(5) 第2ポリッシング工程(ファイナ
ル研磨工程) 次に、第1ポリッシング工程で使用したポリッシング装
置を用い、研磨パッドを硬質ポリシャから軟質ポリシャ
(ポリラックス:スピードファム社製)に替え、中間部
材21がスバ(硬度61(Asker−C))からなる
実施例1のキャリアを使用し、第2ポリッシング工程を
実施した。研磨条件は、研磨液;酸化セリウム(平均粒
径:0.8μm)、荷重100g/cm2、研磨時間を
5分、除去量を5μmとしたこと以外は、第1ポリッシ
ング工程と同様とした。上記第2ポリッシング工程を終
えたガラス基板を、中性洗剤、中性洗剤、純水、純水、
IPA(イソプロピルアルコール)、IPA(蒸気乾
燥)の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。尚、各洗浄
槽には超音波を印加した。
ル研磨工程) 次に、第1ポリッシング工程で使用したポリッシング装
置を用い、研磨パッドを硬質ポリシャから軟質ポリシャ
(ポリラックス:スピードファム社製)に替え、中間部
材21がスバ(硬度61(Asker−C))からなる
実施例1のキャリアを使用し、第2ポリッシング工程を
実施した。研磨条件は、研磨液;酸化セリウム(平均粒
径:0.8μm)、荷重100g/cm2、研磨時間を
5分、除去量を5μmとしたこと以外は、第1ポリッシ
ング工程と同様とした。上記第2ポリッシング工程を終
えたガラス基板を、中性洗剤、中性洗剤、純水、純水、
IPA(イソプロピルアルコール)、IPA(蒸気乾
燥)の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。尚、各洗浄
槽には超音波を印加した。
【0044】(6) 化学強化工程 次に、上記ラッピング、ポリッシング工程を終えたガラ
ス基板に化学強化を施した。化学強化は、硝酸カリウム
(60%)と硝酸ナトリウム(40%)を混合した化学
強化溶液を用意し、この化学強化溶液を400℃に加熱
し、300℃に予熱された洗浄済みのガラス基板を約3
時間浸漬して行った。この浸漬の際に、ガラス基板の表
面全体が化学強化されるようにするため、複数のガラス
基板が端面で保持されるようにホルダーに収納した状態
で行った。
ス基板に化学強化を施した。化学強化は、硝酸カリウム
(60%)と硝酸ナトリウム(40%)を混合した化学
強化溶液を用意し、この化学強化溶液を400℃に加熱
し、300℃に予熱された洗浄済みのガラス基板を約3
時間浸漬して行った。この浸漬の際に、ガラス基板の表
面全体が化学強化されるようにするため、複数のガラス
基板が端面で保持されるようにホルダーに収納した状態
で行った。
【0045】このように、化学強化溶液に浸漬処理する
ことによって、ガラス基板表層のリチウムイオン、ナト
リウムイオンは、化学強化溶液中のナトリウムイオン、
カリウムイオンにそれぞれ置換されガラス基板は強化さ
れる。ガラス基板の表そうに形成された圧縮応力層の厚
さは、約100〜200μmであった。上記化学強化を
終えたガラス基板を、20℃の水槽に浸漬して急冷し、
約10分間維持した。上記急冷を終えたガラス基板を、
約40℃に加熱した濃硫酸に浸漬して洗浄を行った。さ
らに上記硫酸洗浄を終えたガラス基板を、純水、純水、
IPA(イソプロピルアルコール)、IPA(蒸気乾
燥)の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。尚、各洗浄
槽には超音波を印加した。
ことによって、ガラス基板表層のリチウムイオン、ナト
リウムイオンは、化学強化溶液中のナトリウムイオン、
カリウムイオンにそれぞれ置換されガラス基板は強化さ
れる。ガラス基板の表そうに形成された圧縮応力層の厚
さは、約100〜200μmであった。上記化学強化を
終えたガラス基板を、20℃の水槽に浸漬して急冷し、
約10分間維持した。上記急冷を終えたガラス基板を、
約40℃に加熱した濃硫酸に浸漬して洗浄を行った。さ
らに上記硫酸洗浄を終えたガラス基板を、純水、純水、
IPA(イソプロピルアルコール)、IPA(蒸気乾
燥)の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。尚、各洗浄
槽には超音波を印加した。
【0046】(評価)上記の工程を経て得られた磁気記
録媒体用ガラス基板の外周端面の表面粗さRaは0.0
3μmであった。また、該ガラス基板の主表面の表面粗
さRaは0.3〜0.7nm(AFM(原子間力顕微
鏡)で測定)であった。電子顕微鏡(4000倍)で端
面表面を観察したところ鏡面状態であり、端面まだらは
発生していなかった。
録媒体用ガラス基板の外周端面の表面粗さRaは0.0
3μmであった。また、該ガラス基板の主表面の表面粗
さRaは0.3〜0.7nm(AFM(原子間力顕微
鏡)で測定)であった。電子顕微鏡(4000倍)で端
面表面を観察したところ鏡面状態であり、端面まだらは
発生していなかった。
【0047】(7) 磁気ディスク製造工程 上述した工程を経て選られた磁気ディスク用ガラス基板
の両面に、インライン式のスパッタリング装置を用い
て、NiAlシード層、CrMo下地層、CoPtCr
Ta磁性層、水素化カーボン保護層を順次成膜し、ディ
ップ法によってパーフルオロポリエーテル液体潤滑層を
成膜して磁気ディスクを得た。
の両面に、インライン式のスパッタリング装置を用い
て、NiAlシード層、CrMo下地層、CoPtCr
Ta磁性層、水素化カーボン保護層を順次成膜し、ディ
ップ法によってパーフルオロポリエーテル液体潤滑層を
成膜して磁気ディスクを得た。
【0048】この得られた磁気ディスクについてグライ
ドテストを実施したところ、ヒット(ヘッドが磁気ディ
スク表面の突起にかすること)やクラッシュ(ヘッドが
磁気ディスク表面の突起に衝突すること)は認められな
かった。また、サーマルアスフェリティーの原因となる
パーティクルによって、磁性層等の膜に欠陥が発生して
いないことも確認し、磁気抵抗型ヘッド(MRヘッド)
で再生試験を行ったが、複数のサンプル(500枚)の
全数についてサーマルアスフェリティーによる再生の誤
動作は認められなかった。
ドテストを実施したところ、ヒット(ヘッドが磁気ディ
スク表面の突起にかすること)やクラッシュ(ヘッドが
磁気ディスク表面の突起に衝突すること)は認められな
かった。また、サーマルアスフェリティーの原因となる
パーティクルによって、磁性層等の膜に欠陥が発生して
いないことも確認し、磁気抵抗型ヘッド(MRヘッド)
で再生試験を行ったが、複数のサンプル(500枚)の
全数についてサーマルアスフェリティーによる再生の誤
動作は認められなかった。
【0049】(比較例1)第2ラッピング工程、ポリッ
シング工程(第1、ファイナル)において、使用する被
研磨体保持部2をアラミド繊維樹脂(硬度;ロックウエ
ルHRL122〜HRF84 (Asker−C))の
1層構造のものにした以外は、上記実施例と同様にして
磁気記録媒体用ガラス基板を作製した。
シング工程(第1、ファイナル)において、使用する被
研磨体保持部2をアラミド繊維樹脂(硬度;ロックウエ
ルHRL122〜HRF84 (Asker−C))の
1層構造のものにした以外は、上記実施例と同様にして
磁気記録媒体用ガラス基板を作製した。
【0050】その結果、ガラス基板の主表面の表面粗さ
は同程度であったが、外周端面を電子顕微鏡(4000
倍)で観察したところ、すじ状の傷の端面まだらが観察
された。上述と同様に、この得られた磁気ディスクにつ
いてグライドテストを実施したところ、ヒットやクラッ
シュすることはなかったが、磁性層等の膜に欠陥が発生
していることが確認された。この磁気ディスクについて
磁気抵抗型ヘッド(MRヘッド)で再生試験を行った結
果、複数のサンプル(500枚)中12枚について、サ
ーマルアスフェリティーによるものと思われる再生の誤
動作が確認された。
は同程度であったが、外周端面を電子顕微鏡(4000
倍)で観察したところ、すじ状の傷の端面まだらが観察
された。上述と同様に、この得られた磁気ディスクにつ
いてグライドテストを実施したところ、ヒットやクラッ
シュすることはなかったが、磁性層等の膜に欠陥が発生
していることが確認された。この磁気ディスクについて
磁気抵抗型ヘッド(MRヘッド)で再生試験を行った結
果、複数のサンプル(500枚)中12枚について、サ
ーマルアスフェリティーによるものと思われる再生の誤
動作が確認された。
【0051】図5〜図8は本発明の他の実施例にかかる
研磨用キャリアの要部断面図である。以下、図5〜図8
を参照にしながら他の実施例を説明する。
研磨用キャリアの要部断面図である。以下、図5〜図8
を参照にしながら他の実施例を説明する。
【0052】図5に示される例は、被研磨体保持部2を
1層の硬質材料24で形成し、各被研磨体保持孔2a〜
2gの内周面に軟質の材料のリング体24aを接着固定
した例である。
1層の硬質材料24で形成し、各被研磨体保持孔2a〜
2gの内周面に軟質の材料のリング体24aを接着固定
した例である。
【0053】図6に示される例は、被研磨体保持部2を
1層の硬質材料25で形成し、各被研磨体保持孔2a〜
2gの内周面を凹状の曲面に形成し、この凹状曲面部
に、内周面を平坦に仕上げた軟質の材料のリング体25
aを嵌合固定した例である。
1層の硬質材料25で形成し、各被研磨体保持孔2a〜
2gの内周面を凹状の曲面に形成し、この凹状曲面部
に、内周面を平坦に仕上げた軟質の材料のリング体25
aを嵌合固定した例である。
【0054】図7に示される例は、被研磨体保持部2
を、硬質材料からなる上側部材26、中間部材27、下
側部材26を積層して固着したもので形成し、中間部材
27の孔径のみわずかに小さく形成し、被研磨体保持孔
2a〜2gの内周面に中間部材27を突出させ、この突
出部に外周に窪みを設けた軟質材料からなるリング体2
7aを嵌合固定したものである。
を、硬質材料からなる上側部材26、中間部材27、下
側部材26を積層して固着したもので形成し、中間部材
27の孔径のみわずかに小さく形成し、被研磨体保持孔
2a〜2gの内周面に中間部材27を突出させ、この突
出部に外周に窪みを設けた軟質材料からなるリング体2
7aを嵌合固定したものである。
【0055】上述の図7、図8において示されている例
においては、中間部材27は、縦・横方向及び歯車とし
ての機械強度を上げ、かつ発塵の少ない材料が良い。例
えば、SUS(ステンレス)(以下、SUという)、ア
ラミド繊維(以下、ARという)ガラスエポキシ(以
下、EGという)などが使用できる。
においては、中間部材27は、縦・横方向及び歯車とし
ての機械強度を上げ、かつ発塵の少ない材料が良い。例
えば、SUS(ステンレス)(以下、SUという)、ア
ラミド繊維(以下、ARという)ガラスエポキシ(以
下、EGという)などが使用できる。
【0056】また、上側部材26、下側部材26は、上
下定盤との接触性がよく、摩耗の少ない材料が良く、例
えば、ポリカ−ボネ−ト(以下、PCという)、テトロ
ン、塩化ビニ−ル(以下、塩ビという)などが使用でき
る。
下定盤との接触性がよく、摩耗の少ない材料が良く、例
えば、ポリカ−ボネ−ト(以下、PCという)、テトロ
ン、塩化ビニ−ル(以下、塩ビという)などが使用でき
る。
【0057】上側部材26、中間部材27、下側部材2
6の組み合わせとしては、(上側/中間/下側)=(P
C/SU/PC)、(PC/EG/PC)、(PC/A
R/PC)、(テトロン/SU/テトロン)、(テトロ
ン/EG/テトロン)、(テトロン/AR/テトロ
ン)、(塩ビ/SU/塩ビ)、(塩ビ/EG/塩ビ)、
(塩ビ/AR/塩ビ)などがあげられる。)
6の組み合わせとしては、(上側/中間/下側)=(P
C/SU/PC)、(PC/EG/PC)、(PC/A
R/PC)、(テトロン/SU/テトロン)、(テトロ
ン/EG/テトロン)、(テトロン/AR/テトロ
ン)、(塩ビ/SU/塩ビ)、(塩ビ/EG/塩ビ)、
(塩ビ/AR/塩ビ)などがあげられる。)
【0058】図8に示される例は、被研磨体保持部2
を、硬質材料からなる上側部材26、中間部材27、下
側部材26を積層して固着したもので形成し、中間部材
27の孔径のみわずかに大きく形成し、被研磨体保持孔
2a〜2gの内周面に窪みを形成し、この窪みに、軟質
材料からなるリング体27bを嵌合固定し、該リング体
27bを被研磨体保持孔2a〜2gの内周面に突出させ
たものである。
を、硬質材料からなる上側部材26、中間部材27、下
側部材26を積層して固着したもので形成し、中間部材
27の孔径のみわずかに大きく形成し、被研磨体保持孔
2a〜2gの内周面に窪みを形成し、この窪みに、軟質
材料からなるリング体27bを嵌合固定し、該リング体
27bを被研磨体保持孔2a〜2gの内周面に突出させ
たものである。
【0059】さらに、上記例のほかにも、少なくとも被
研磨体と接触する部分を軟質材料(硬度100以下(A
sker−C))で形成したものであればどのような形
態のものであってもよい。また、被研磨体と接触する部
分は、必ずしも平らである必要はなく、台形や、丸みを
帯びた形でも良い。
研磨体と接触する部分を軟質材料(硬度100以下(A
sker−C))で形成したものであればどのような形
態のものであってもよい。また、被研磨体と接触する部
分は、必ずしも平らである必要はなく、台形や、丸みを
帯びた形でも良い。
【0060】また、被研磨体の材質としてガラスを挙げ
たが、これに限らず、ガラスセラミックス、セラミック
ス、シリコン、カーボン等の脆性材料や、アルミニウム
などの金属などを材料とするものであっても構わない。
また、被研磨体の形状として円盤状の基板を挙げたが、
これに限らず、矩形状のものでも良い。この場合、キャ
リアの保持孔は略同一の大きさの矩形状とする。また、
基板状に限らず、ブロック状のものであっても良い。
たが、これに限らず、ガラスセラミックス、セラミック
ス、シリコン、カーボン等の脆性材料や、アルミニウム
などの金属などを材料とするものであっても構わない。
また、被研磨体の形状として円盤状の基板を挙げたが、
これに限らず、矩形状のものでも良い。この場合、キャ
リアの保持孔は略同一の大きさの矩形状とする。また、
基板状に限らず、ブロック状のものであっても良い。
【0061】又、上述の実施例では、本発明の研磨用キ
ャリアを端面研磨工程の後の全ての工程(ラッピング工
程及びポリッシング工程)で使用したが、これに限ら
ず、端面の鏡面加工工程で使用する砥粒の粒径が大きい
砥粒を使用するラッピング工程のみで使用してもよい。
これは、砥粒による端面まだらの形成は、端面の鏡面加
工工程で使用する砥粒の粒径が小さい砥粒を使用するポ
リッシング工程では形成されないと考えられるからであ
る。保持孔の内周部分による端面まだらの発生を抑える
には、上述の実施例の通り、ポリッシング工程でも本発
明の研磨用キャリアを使用するとよい。
ャリアを端面研磨工程の後の全ての工程(ラッピング工
程及びポリッシング工程)で使用したが、これに限ら
ず、端面の鏡面加工工程で使用する砥粒の粒径が大きい
砥粒を使用するラッピング工程のみで使用してもよい。
これは、砥粒による端面まだらの形成は、端面の鏡面加
工工程で使用する砥粒の粒径が小さい砥粒を使用するポ
リッシング工程では形成されないと考えられるからであ
る。保持孔の内周部分による端面まだらの発生を抑える
には、上述の実施例の通り、ポリッシング工程でも本発
明の研磨用キャリアを使用するとよい。
【0062】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明は、 被研
磨体を保持する保持孔を有する研磨用キャリアにおい
て、少なくとも前記被研磨体と接触する前記保持孔の内
周部分が、硬度100以下(Asker−C)の材料か
らなることを特徴とするもので、これにより、ポリッシ
ング加工等において被研磨体の端面(外周側面)に傷等
を発生させるおそれのない研磨用キャリア及び該研磨用
キャリアを用いた研磨方法並びに該研磨方法を用いた情
報記録媒体用基板の製造方法を得ているものである。
磨体を保持する保持孔を有する研磨用キャリアにおい
て、少なくとも前記被研磨体と接触する前記保持孔の内
周部分が、硬度100以下(Asker−C)の材料か
らなることを特徴とするもので、これにより、ポリッシ
ング加工等において被研磨体の端面(外周側面)に傷等
を発生させるおそれのない研磨用キャリア及び該研磨用
キャリアを用いた研磨方法並びに該研磨方法を用いた情
報記録媒体用基板の製造方法を得ているものである。
【図1】本発明の実施例1にかかる研磨用キャリアの平
面図である。
面図である。
【図2】図1のII−II線断面図である。
【図3】研磨用キャリアを研磨装置に装着した状態を示
す図である。
す図である。
【図4】図3における部分断面図である。
【図5】本発明の他の実施例の要部断面図である。
【図6】本発明の他の実施例の要部断面図である。
【図7】本発明の他の実施例の要部断面図である。
【図8】本発明の他の実施例の要部断面図である。
1…研磨用キャリア、2…被研磨体保持部、3…ギア
部、4…磁気記録媒体用ガラス基板、5…研磨装置、2
a〜2g…被研磨体保持孔。
部、4…磁気記録媒体用ガラス基板、5…研磨装置、2
a〜2g…被研磨体保持孔。
Claims (7)
- 【請求項1】 被研磨体を保持する保持孔を有する研磨
用キャリアにおいて、少なくとも前記被研磨体と接触す
る前記保持孔の内周部分が、硬度100以下(Aske
r−C)の材料からなることを特徴とする研磨用キャリ
ア。 - 【請求項2】 前記材料は、ウレタン、スバ、ポリカー
ボネード、塩化ビニール、ゴムの何れかの材料からなる
ことを特徴とする請求項1記載の研磨用キャリア。 - 【請求項3】 研磨用キャリアに設けられた複数の保持
孔に被研磨体を入れ、下定盤及び上定盤により被研磨体
を挟持した状態で上下定盤を回転させ、前記被研磨体の
主表面をラッピング及び/又はポリッシングを施して前
記被研磨体の主表面を鏡面研磨する研磨方法において、
少なくとも前記被研磨体と接触する前記保持孔の内周部
分が、ポリッシング工程で使用する研磨パッドよりも軟
質な材料からなることを特徴とする研磨方法。 - 【請求項4】 前記材料は、硬度100以下(Ask
er−C)であることを特徴とする請求項3記載の研磨
方法。 - 【請求項5】 前記被研磨体がガラス又はシリコンから
なることを特徴とする請求項3又は4記載の研磨方法。 - 【請求項6】 研磨用キャリアに設けられた複数の被研
磨体保持孔に、情報記録媒体用基板を入れ、下定盤及び
上定盤により情報記録媒体用基板を挟持した状態で上下
定盤を回転させ、前記情報記録媒体用基板の主表面をラ
ッピング及び/又はポリッシングを施して前記情報記録
媒体用基板の主表面を鏡面研磨する研磨工程を有する情
報記録媒体用基板の製造方法において、 少なくとも前記情報記録媒体用基板と接触する前記被研
磨体保持孔の内周部分がポリッシング工程で使用する研
磨パッドよりも軟質な材料で形成されていることを特徴
とする情報記録媒体用基板の製造方法。 - 【請求項7】 情報記録媒体用基板の端面を研磨した
後、研磨用キャリアに設けられた複数の保持孔に、前記
情報記録媒体用基板を入れ、下定盤及び上定盤により被
研磨体を挟持した状態で上下定盤を回転させ、前記情報
記録媒体用基板の主表面をラッピング及び/又はポリッ
シングを施して情報記録媒体用基板を研磨する研磨工程
を有する情報記録媒体用基板の製造方法において、 少なくとも前記情報記録媒体用基板と接触する前記被研
磨体保持孔の内周部分がポリッシング工程で使用する研
磨パッドよりも軟質な材料で形成されていることを特徴
とする情報記録媒体用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9394499A JP2000288922A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 研磨用キャリア及び研磨方法並びに情報記録媒体用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9394499A JP2000288922A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 研磨用キャリア及び研磨方法並びに情報記録媒体用基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000288922A true JP2000288922A (ja) | 2000-10-17 |
Family
ID=14096559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9394499A Pending JP2000288922A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 研磨用キャリア及び研磨方法並びに情報記録媒体用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000288922A (ja) |
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-
1999
- 1999-03-31 JP JP9394499A patent/JP2000288922A/ja active Pending
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|
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|
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