JP2000290374A - 含フッ素ポリベンゾオキサゾール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ポリベンゾオキサゾールの機械的強度、熱的安
定性などの特性を維持したまま、低誘電率かつ低熱膨張
係数を示す含フッ素ポリベンゾオキサゾールを提供す
る。 【解決手段】 一般式（１）、（式中、Ｘは芳香環を含む４価の有機基
であり、２組のＮとＯはそれぞれ五員環を形成するよう
にＸの芳香環に互いにオルト位に結合している。）で表
される構成単位を含む含フッ素ポリベンゾオキサゾー
ル。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、新規な含フッ素ポリベ
ンゾオキサゾールおよびその前駆体である含フッ素ポリ
ヒドロキシアミドに関する。

【０００２】

【従来の技術】一般にポリベンゾオキサゾールは引っ張
り強度、曲げ強度などの機械的強度が大きく、熱分解温
度、熱変形温度などの熱的安定性に優れる等の多くの特
徴があり、ポリイミドと並ぶ高性能エンジニアリングプ
ラスチックとして位置づけられている。その基本骨格お
よび製造方法については特公昭４２−１９２７１号公報
などによって知られている。

【０００３】これらの樹脂について半導体用部材に使用
する保護膜等の用途を想定すると、低誘電率と同時に低
熱膨張係数であることも重要なポイントとなる。すなわ
ち、膜の熱膨張係数を低くすることで、半導体分野にお
いて基板として広く使用されているシリコンと熱膨張係
数を実質上等しくすることができ、膜を形成したデバイ
スが反るという現象を回避できるのである。そのために
は、熱膨張係数をシリコン程度の値にまで低下させる工
夫が求められ、ポリイミドについては、分子鎖を直線剛
直にすることでイミド環の面配向を効率良く起こし、そ
の結果として熱膨張を抑制しようとする試みがなされて
いる。

【０００４】ポリベンゾオキサゾールにおいてもポリイ
ミド同様に低誘電率と低熱膨張係数が望まれる。これら
の点に関して、ポリベンゾオキサゾールはポリイミドと
比較してカルボニル基を持たない環状構造であることか
ら分極が小さく誘電率が低くなることが期待され、特に
フッ素を導入したポリベンゾオキサゾールでは、さらに
電子密度が低下することで誘電率がポリイミドよりも大
幅に小さくなると考えられる。

【０００５】ところで、フッ素を含有するポリベンゾオ
キサゾールに関しては、耐水性改良や新たな機能性、例
えば光学的、電気的性質を付与するために含フッ素のポ
リベンゾオキサゾールが特開昭６２−２０７３３２号公
報、特開平３−２９０４３４号公報などで報告されてい
る。

【０００６】しかしながら、従来の含フッ素ポリベンゾ
オキサゾールの構造に見られるようなヘキサフルオロイ
ソプロピリデン基のみの導入では十分低い熱膨張係数を
持たせることが困難であり、さらに低い誘電率の要求に
も対応できていない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明は
従来知られているポリベンゾオキサゾールの機械的強
度、熱的安定性などの特性を維持したまま、低誘電率か
つ低熱膨張係数を示す含フッ素ポリベンゾオキサゾール
を提供する。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決するため、ポリベンゾオキサゾールの構造を詳
細に検討したところ、分子中にフッ素原子を効率的に導
入することで誘電率の低下を実現し、かつ分子構造を直
線剛直にすることによって熱膨張係数を低下させ得るこ
とを見いだし、本発明を完成するに至った。

【０００９】すなわち、本発明は、一般式（１）、

【００１０】

【化４】

【００１１】（式中、Ｘは芳香環を含む４価の有機基で
あり、２組のＮとＯはそれぞれ五員環を形成するように
Ｘの芳香環に互いにオルト位に結合している。）で表さ
れる構成単位を含む含フッ素ポリベンゾオキサゾールお
よびその前駆体である一般式（２）、

【００１２】

【化５】

【００１３】（式中、Ｘは一般式（１）におけるＸと同
じ）で表される含フッ素ポリヒドロキシアミドである。

【００１４】本発明の含フッ素ポリベンゾオキサゾール
は一般式（１）で表される構成単位からなるかまたは該
構成単位が１〜１００モル％の範囲のポリマーである。
一般式（１）で表される構成単位が１モル％以下の場合
は、それから得られた膜の誘電率が充分低くはならず、
また、熱膨張係数も低くならないことがあり好ましくな
い。

【００１５】一般式（１）におけるＸは芳香環を含む４
価の有機基であれば特にその構造に限定されないが、一
般式

【００１６】

【化６】

【００１７】または、下記一般式（３）で示される基が
例示できる。

【００１８】

【化７】

【００１９】ここで、式中のＹはそれぞれ独立に単結
合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＨ
₂−、−Ｃ（ＣＨ₃）₂−、−ＣＦ₂−、−Ｃ（ＣＦ₃）₂−
であり、ｍ、ｎはそれぞれ０〜３の整数である。これら
の一般式中のベンゼン環は、適宜、低級アルキル基、塩
素、臭素、フッ素等のハロゲン原子で置換されていても
よい。

【００２０】一般式（３）で表される基としては、ｍが
０、ｎが１のものが好ましい。特に好ましいものとして
下式（６）のものが例示できる。これらの一般式中のベ
ンゼン環は、適宜、低級アルキル基、塩素、臭素、フッ
素等のハロゲン原子で置換されていてもよい。

【００２１】

【化８】

【００２２】本発明の含フッ素ポリベンゾオキサゾール
は、その製造方法は限定されないが、下記式

【００２３】

【化９】

【００２４】で表される ２、２’−ビス（トリフルオ
ロメチル）−４， ４’−ビフェニルジカルボン酸、ま
たはそのアミド形成性誘導体を含む酸成分と、一般式
（５）、

【００２５】

【化１０】

【００２６】（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴はそれぞれ独
立に、水素またはトリアルキルシリル基であり、Ｘは一
般式（１）に同じである。）で表されるビス（アミノフ
ェノール）化合物とを反応させて得られる前駆体であっ
て、一般式（２）、

【００２７】

【化１１】

【００２８】（式中、Ｘは一般式（１）におけるＸと同
じ）で表される含フッ素ポリヒドロキシアミドを閉環反
応させることで得られる。

【００２９】この場合、２、２’−ビス（トリフルオロ
メチル）−４，４’−ビフェニルジカルボン酸のアミド
形成性誘導体としては、該ジカルボン酸のジクロライ
ド、ジブロマイド等の酸ハロゲン化物、該ジカルボン酸
のジメチルエステル、ジエチルエステル等のジアルキル
エステル等が使用できる。本発明の含フッ素ポリベンゾ
オキサゾールでは、２、２’−ビス（トリフルオロメチ
ル）−４，４’−ビフェニルジカルボン酸またはそのア
ミド形成性誘導体は、使用する全ジカルボン酸中５〜１
００％程度が好ましく、５％未満の場合は誘電率が充分
低くならず、また吸水性も高くなるので好ましくない。

【００３０】本発明の含フッ素ポリベンゾオキサゾール
を製造するのに用いられる２、２’−ビス（トリフルオ
ロメチル）−４，４’−ビフェニルジカルボン酸または
そのアミド形成性誘導体以外の酸成分としては分子中に
２つのカルボン酸基を有するジカルボン酸化合物または
そのアミド形成誘導体であれば制限されない。その併用
できるジカルボン酸化合物としては、シュウ酸、マロン
酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、
スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸等の脂肪族ジカ
ルボン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、
３，３’−ジカルボキシルジフェニルエーテル、３，
４’−ジカルボキシルジフェニルエーテル、４，４’−
ジカルボキシルジフェニルエーテル、３，３’−ジカル
ボキシルジフェニルメタン、３，４’−ジカルボキシル
ジフェニルメタン、４，４’−ジカルボキシルジフェニ
ルメタン、３，３’−ジカルボキシルジフェニルジフル
オロメタン、３，４’−ジカルボキシルジフェニルジフ
ルオロメタン、４，４’−ジカルボキシルジフェニルジ
フルオロメタン、３，３’−ジカルボキシルジフェニル
スルホン、３，４’−ジカルボキシルジフェニルスルホ
ン、４，４’−ジカルボキシルジフェニルスルホン、
３，３’−ジカルボキシルジフェニルスルフィド、３，
４’−ジカルボキシルジフェニルスルフィド、４，４’
−ジカルボキシルジフェニルスルフィド、３，３’−ジ
カルボキシルジフェニルケトン、３，４’−ジカルボキ
シルジフェニルケトン、４，４’−ジカルボキシルジフ
ェニルケトン、２，２−ビス（３−カルボキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３，４’−ジカルボキシ
フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−カルボキシフ
ェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３，
４’−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、２，２−ビス（４−カルボキシフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン、１，３−ビス（３−カルボキシフェノ
キシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−カルボキシフェノ
キシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−カルボキシフェノ
キシ）ベンゼン、３，３’−（１，４−フェニレンビス
（１−メチルエチリデン））ビス安息香酸、３，４’−
（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））
ビス安息香酸、４，４’−（１，４−フェニレンビス
（１−メチルエチリデン））ビス安息香酸、２，２−ビ
ス（４−（３−カルボキシフェノキシ）フェニル）プロ
パン、２，２−ビス（４−（４−カルボキシフェノキ
シ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（３−カ
ルボキシフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、２，２−ビス（４−（４−カルボキシフェノキシ）
フェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−（３−
カルボキシフェノキシ）フェニル）スルフィド、ビス
（４−（４−カルボキシフェノキシ）フェニル）スルフ
ィド、ビス（４−（３−カルボキシフェノキシ）フェニ
ル）スルホン、ビス（４−（４−カルボキシフェノキ
シ）フェニル）スルホン、５−（パーフルオロノネニル
オキシ）イソフタル酸、４−（パーフルオロノネニルオ
キシ）フタル酸、２−（パーフルオロノネニルオキシ）
テレフタル酸、４−メトキシ−５−（パーフルオロノネ
ニルオキシ）イソフタル酸などのパーフルオロノネニル
オキシ基含有のジカルボン酸、５−（パーフルオロヘキ
セニルオキシ）イソフタル酸、４−（パーフルオロヘキ
セニルオキシ）フタル酸、２−（パーフルオロヘキセニ
ルオキシ）テレフタル酸、４−メトキシ−５−（パーフ
ルオロヘキセニルオキシ）イソフタル酸などのパーフル
オロヘキセニルオキシ基含有のジカルボン酸、等の芳香
族ジカルボン酸が例示できる。

【００３１】また本発明の含フッ素ポリベンゾオキサゾ
ールの製造に用いられるジカルボン酸のアミド形成性誘
導体としては、該ジカルボン酸のジクロライド、ジブロ
マイド等の酸ハロゲン化物、該ジカルボン酸のジメチル
エステル、ジエチルエステル等のジアルキルエステル等
が挙げられる。

【００３２】本発明の含フッ素ポリベンゾオキサゾール
の製造に用いられるビス（アミノフェノール）化合物を
具体的に例示するならば、２，４−ジアミノ−１，５−
ベンゼンジオール、３，３’−ジヒドロキシ−４，４’
−ジアミノビフェニル、３，３’−ジアミノ−４，４’
−ジヒドロキシビフェニル、ビス（３−アミノ−４−ヒ
ドロキシフェニル）ケトン、ビス（３−アミノ−４−ヒ
ドロキシフェニル）スルフィド、ビス（３−アミノ−４
−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（３−ヒドロキ
シ−４−アミノフェニル）スルホン、２，２−ビス（３
−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２
−ビス（３−ヒドロキシ−４−アミノフェニル）プロパ
ン、ビス（３−ヒドロキシ−４−アミノフェニル）メタ
ン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−ヒド
ロキシ−４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ジフ
ルオロメタン等が挙げられ、さらには一般式（５）中の
ＸとしてＣＦ₂、ＣＦ₃を少なくとも含有する種々のアミ
ノフェノール化合物も使用できる。これらのうち、誘電
率の低下や耐水性の向上などを効率的に実現するために
は一般式（５）で示される前記ビス（アミノフェノー
ル）化合物中、Ｘ内にヘキサフルオロイソプロピリデン
基を有する化合物など、特に一般式（６）、

【００３３】

【化１２】

【００３４】（式中、各芳香環は互いにオルト位に未結
合手を有し、芳香環の水素原子はハロゲン（フッ素、塩
素、臭素およびヨウ素）で置換していてもよい。）で表
される有機基を有する化合物が好適である。

【００３５】また、前記した一般式（５）で表わされる
ビス（アミノフェノール）化合物のうちＲ１，Ｒ²，
Ｒ³，Ｒ⁴がトリアルキルシリル基で表わされるビス（ア
ミノフェノール）化合物のトリアルキルシリル化物も重
合反応性を高める目的で使用できる。これらのビス（ア
ミノフェノール）化合物は、マクロモレキュールズ（Ｍ
ａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ）第２１巻２３０５頁（１
９８８年）以下に示される様な３，３′−ビス（トリメ
チルシロキシ）−４，４′−ビス（トリメチルシリルア
ミノ）ビフェニルの製造法に準拠して調整することがで
きる。例えば、４，４′−ジアミノ−３，３′−ジヒド
ロキシビフェニルのテトラヒドロフラン溶液中でトリエ
チルアミンの存在下、トリアルキルシリルクロライドを
反応させて、３，３′−ビス（トリアルキルシロキシ）
−４，４′−ビス（トリアルキルシリルアミノ）ビフェ
ニルを得ることができる。

【００３６】本発明の含フッ素ポリベンゾオキサゾール
およびその前駆体である含フッ素ポリヒドロキシアミド
は前記酸成分と前記アミノフェノール化合物を反応させ
ることで製造することができる。この重合反応の方法、
条件については特に制限されない。例えば、酸成分とア
ミノフェノール成分を１５０℃以上で相互に溶解（溶
融）させて無溶媒で反応させる方法、酸成分とアミノフ
ェノール成分を有機溶媒中またはポリリン酸中高温（好
ましくは１５０℃以上）で反応させる方法でほとんどま
たは完全に閉環したポリベンゾオキサゾールが得られ
る。また、酸成分とアミノフェノール成分を−２０〜８
０℃の温度で有機溶媒中にて反応させることで閉環して
いないかまたは部分的にしか閉環していない一般式
（２）で表される前駆体の含フッ素ポリヒドロキシアミ
ドを得る方法などが採用される。また、塩化リチウムや
塩化カルシウムなどの無機塩類や塩基類を重合反応系に
添加すると、アミノフェノール成分の分子内水素結合を
抑制し、酸性分とアミノフェノールのアミノ基を選択的
に反応させ、重合反応性を高めることもできる。

【００３７】前駆体である含フッ素ポリヒドロキシアミ
ドまたは部分的に閉環した含フッ素ポリヒドロキシアミ
ドは１００℃以上、好ましくは１５０℃以上の温度で、
必要に応じて無水酢酸、無水プロピオン酸、無水安息香
酸などの酸無水物、ジシクロヘキシルカルボジイミドな
どの閉環剤、さらにピリジン、イソキノリン、トリメチ
ルアミン、アミノピリジン、イミダゾールなどの閉環触
媒を適宜添加して、閉環させることでポリベンゾオキサ
ゾールとすることができる。

【００３８】本発明にかかるポリベンゾオキサゾールま
たは前駆体である含フッ素ポリヒドロキシアミドの重合
反応に使用できる有機溶媒としては原料の両成分が溶解
すれば特に限定されないが、N，N−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキ
シド、フェノール、ｏ−クレゾール、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン、スルホラン、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾ
ール、３−クロロフェノール、４−クロロフェノール、
γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロ
ラクトン、γ−カプロラクトン、ε−カプロラクトン、
α−メチル−γ−ブチロラクトン、エチレンカーボネー
ト、プロピレンカーボネート、トリエチレングリコー
ル、アセトフェノン、１，３−ジメチル−２−イミダゾ
リジノンなどが使用可能である。さらに両原料成分の溶
解性を損なわない範囲であれば、その他の有機溶媒、例
えば、酢酸ブチル、酢酸エチル、エチルセロソルブ、ブ
チルセロソルブ、２−メチルセロソルブアセテート、エ
チルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテー
ト、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、ジブチ
ルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、
プロピレングリコールメチルアセテート、テトラヒドロ
フラン、ジメトキシエタン、ジエトキシエタン、メチル
イソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサ
ノン、メチルエチルケトン、アセトン、ブタノール、エ
タノール、キシレン、トルエン、クロルベンゼン、ター
ペン、ミネラルスピリット、石油ナフサ系溶媒など特に
限定することなく使用できる。

【００３９】またこれらの重合反応に際して酸成分とし
てジハライドを使用する場合、ピリジン、トリエチルア
ミン、ジメチルアニリンなどのアミン系ハロゲントラッ
プ剤を使用することができる。前記酸成分とアミノフェ
ノール成分は等モルまたはその近傍組成で反応させるこ
とが好ましい。

【００４０】また前記トリアルキルシリル基含有成分を
使用する場合は、重合後にトリアルキルシリル基を含有
する重合体となるが、この場合は重合体をメタノールま
たは水に添加してトリアルキルシリル基をＯＨ基に変換
することができる。

【００４１】本発明にかかる含フッ素ポリベンゾオキサ
ゾールまたは含フッ素ポリヒドロキシアミドは、それぞ
れ、ジメチルアセトアミドに溶解するものは、該溶媒に
０．１ｇ／ｄｌの濃度で溶解し、オストワルド粘度計に
より３０℃で測定した還元粘度が０．０１ｄｌ／ｇ以
上、特に０．３ｄｌ／ｇ以上のものが好ましい。

【００４２】本発明の含フッ素ポリベンゾオキサゾール
または前駆体である含フッ素ポリヒドロキシアミドは有
機溶媒に溶解したワニス状態、または粉末状態、フィル
ム状態、固体状態で使用に供することが可能である。ワ
ニスで使用する場合は、ガラス、シリコンウエーハ、金
属、金属酸化物、セラミックス、樹脂などの基材上にス
ピンコート、スプレーコート、フローコート、含浸コー
ト、ハケ塗りなど通常用いられる方法で塗布することが
できる。

【００４３】

【実施例】以下、本発明を実施例をもって説明するが、
実施態様はこれらの実施例によって限定されるものでは
ない。

【００４４】［実施例１］撹拌装置の付いたガラスライ
ニング製オートクレーブに２，２−ビス（３−アミノ−
４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン７．
００ｇ（０．０２mol）、ピリジン ３．５ｇ、ジメチ
ルアセトアミド３７ｇを仕込み、撹拌しながら内温１℃
に冷却した。２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキ
シフェニル）ヘキサフルオロプロパンが溶解したところ
で２,２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−
ビフェニルジカルボン酸のジクロライド８．８８ｇ
（０．０２mol）を２０分かけて少量ずつ添加し、３０
分間反応させて冷却をやめ、添加後５時間重合を進行さ
せた。次いで反応溶液を過剰のメタノール中に滴下し、
ポリマーを沈殿させた。沈殿したポリマーをろ別、メタ
ノール洗浄を繰り返した後、５０℃で乾燥し、含フッ素
ポリヒドロキシアミドを得た。ジメチルアセトアミドに
０．１ｇ／ｄｌの濃度で溶解し、オストワルド粘度計に
より３０℃で測定した還元粘度は０．７０ｄｌ／ｇであ
った。得られた含フッ素ポリヒドロキシアミドの赤外吸
収スペクトルを図１に示す。得られた含フッ素ポリヒド
ロキシアミドは

【００４５】

【化１３】

【００４６】の構造単位からなる重合体である。

【００４７】得られた含フッ素ポリヒドロキシアミドは
ジメチルアセトアミドに２０重量％の濃度になるように
再溶解し、溶媒キャスト法でガラス板上に膜厚３５ミク
ロンの均一なフィルムを得た。次いで１５０℃、２３０
℃、３００℃で順次３０分加熱することで脱水縮合さ
せ、含フッ素ポリベンゾオキサゾールを得た。赤外吸収
スペクトルを図２に示す。得られた含フッ素ポリベンゾ
オキサゾールは

【００４８】

【化１４】

【００４９】の構造単位からなる重合体である。

【００５０】また、得られた含フッ素ポリベンゾオキサ
ゾールの誘電率の測定を行ったところ１ＭＨｚで２．４
であった。またこのフィルムの線熱膨張係数を測定した
ところ５０〜３００℃の平均値として２×１０^-5／℃で
あった。

【００５１】［実施例２］実施例１と同様にして、撹拌
装置の付いたガラスライニング製オートクレーブに３，
３’−ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノビフェニル
４．３２ｇ（０．０２mol）、ピリジン３．５ｇ、ジメ
チルアセトアミド３０ｇを仕込み、撹拌しながら内温１
℃に冷却した。３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ジ
アミノビフェニルが溶解したところで２，２’−ビス
（トリフルオロメチル）−４，４’−ビフェニルジカル
ボン酸のジクロライド８．８８ｇ（０．０２mol）を２
０分かけて少量ずつ添加し、３０分間反応させて冷却を
やめ、添加後５時間重合を進行させた。次いで反応溶液
を過剰のメタノール中に滴下し、ポリマーを沈殿させ
た。沈殿したポリマーをろ別、メタノール洗浄を繰り返
した後、５０℃で乾燥し、含フッ素ポリヒドロキシアミ
ドを得た。ジメチルアセトアミドに０．１ｇ／ｄｌの濃
度で溶解し、オストワルド粘度計により３０℃で測定し
た還元粘度は０．７５ｄｌ／ｇであった。得られた含フ
ッ素ポリヒドロキシアミドは

【００５２】

【化１５】

【００５３】の構造単位からなる重合体である。

【００５４】得られた含フッ素ポリヒドロキシアミドは
ジメチルアセトアミドに２０重量％の濃度になるように
再溶解し、溶媒キャスト法、ガラス板上に膜厚３４ミク
ロンの均一なフィルムを得た。次いで１５０℃、２３０
℃、３００℃で順次３０分加熱することで脱水縮合さ
せ、含フッ素ポリベンゾオキサゾールを得た。得られた
含フッ素ポリベンゾオキサゾールは

【００５５】

【化１６】

【００５６】の構造単位からなる重合体である。

【００５７】また、得られた含フッ素ポリベンゾオキサ
ゾールの誘電率の測定を行ったところ１ＭＨｚで２．６
であった。またこのフィルムの線熱膨張係数を測定した
ところ５０〜３００℃の平均値として１.２×１０^-5／
℃であった。

【００５８】

【発明の効果】本発明の含フッ素ポリベンゾオキサゾー
ルは機械的強度、熱的安定性などの特性を維持したま
ま、低誘電率かつ低熱膨張係数を示すため、電気・電子
部品の絶縁材や光学部品のコーティング材として有用で
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１で得られた含フッ素ポリヒドロキシア
ミドのフィルムの赤外吸収スペクトルである。

【図２】実施例１で得られた含フッ素ポリベンゾオキサ
ゾールのフィルムの赤外吸収スペクトルである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石田 道夫 埼玉県川越市今福中台2805番地 セントラ ル硝子株式会社化学研究所内 (72)発明者 堤 憲太郎 埼玉県川越市今福中台2805番地 セントラ ル硝子株式会社化学研究所内 Ｆターム(参考） 4J043 PA02 PA04 PC145 PC146 PC195 PC196 QB33 QB34 RA52 SA06 SA54 SA85 SB01 TA12 TA26 TA47 TA70 TB01 TB02 UA082 UA121 UA122 UA131 UA132 UB011 UB021 UB022 UB061 UB062 UB082 UB121 UB122 UB151 UB152 UB281 UB282 UB301 UB302 VA012 VA021 VA022 VA041 VA042 VA052 VA062 VA082 VA101 XA03 XA08 XA15 XA16 XA17 XA18 XA19 XB14 XB15 XB17 XB19 XB20 XB36 ZA12 ZA31 ZA43 ZB03 ZB21 ZB47

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一般式（１）、 【化１】 （式中、Ｘは芳香環を含む４価の有機基であり、２組の
   ＮとＯはそれぞれ五員環を形成するようにＸの芳香環に
   互いにオルト位に結合している。）で表される構成単位
   を含む含フッ素ポリベンゾオキサゾール。
2. 【請求項２】Ｘが一般式（６）、 【化２】 （式中、各芳香環は互いにオルト位に未結合手を有し、
   芳香環の水素原子はハロゲン（フッ素、塩素、臭素およ
   びヨウ素）で置換していてもよい。）で表される有機基
   である請求項１記載の含フッ素ポリベンゾオキサゾー
   ル。
3. 【請求項３】一般式（２）、 【化３】 （式中、Ｘは一般式（１）におけるＸと同じ）で表され
   る含フッ素ポリヒドロキシアミド。