JP2000292384A - 試料分析方法および電子線分析装置 - Google Patents

試料分析方法および電子線分析装置

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JP2000292384A
JP2000292384A JP11094735A JP9473599A JP2000292384A JP 2000292384 A JP2000292384 A JP 2000292384A JP 11094735 A JP11094735 A JP 11094735A JP 9473599 A JP9473599 A JP 9473599A JP 2000292384 A JP2000292384 A JP 2000292384A
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electron beam
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Takahisa Yamada
田 貴 久 山
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Jeol Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 試料分析時に試料がイオンスパッタされて、
試料表面形状が変化しても、ドリフト補正が正しく行わ
れる試料分析方法および電子線分析装置を提供するこ
と。 【解決手段】 ドリフト補正信号作成手段16は、中央
制御装置17から送られてくる画像データを2値化処理
して2値化画像データを作成し、その2値化画像データ
に基づき、ピットの中心位置の座標を求める。また、ド
リフト補正信号作成手段16は、分析前に前記画像デー
タ記憶手段20に記憶された画像データを2値化処理し
て2値化画像データを作成し、その2値化画像データに
基づき、ピットの中心位置の座標を求める。そして、ド
リフト補正信号作成手段16は、それらの座標の差を求
め、ドリフト補正データとして偏向制御手段14に送
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】 本発明は、オージェ電子分
光装置等における試料分析方法、およびオージェ電子分
光装置などの電子線分析装置に関する。
【0002】
【従来の技術】 オージェ電子分光装置は、試料上の特
定位置に電子線を照射し、その電子線の照射により試料
表面の極薄層から放出されたオージェ電子を検出し、検
出したオージェ電子から試料の極薄層に存在する元素を
調べる装置である。
【0003】このオージェ電子分光装置は、たとえばI
C(集積回路)製造工程中にICの表面に付いたごみの
分析等に用いられる。また、最近のオージェ電子分光装
置は、試料のドリフト等による電子線照射位置の移動を
防ぐために、ドリフト補正機能を備えている。すなわ
ち、最近のオージェ電子分光装置は、分析前に収集した
像と分析中に収集した像とを比較して電子線照射位置の
ずれ量を求め、そのずれ量を補正する偏向信号を電子線
偏向手段にフィードバックしている。このようなドリフ
ト補正機能を備えたオージェ電子分光装置においては、
試料分析中、電子線照射位置は試料上の特定位置に保た
れる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】 しかしながら、この
ようなドリフト補正が行われている試料分析時に、試料
の深さ方向の分析のために試料がイオンスパッタされる
と、そのイオンスパッタによる試料表面形状の変化が前
記分析中に収集される2次電子像にあらわれ、ドリフト
補正が正しく行われない場合がある。ドリフト補正が正
しく行われないと、試料分析中に、電子線照射位置が試
料上の特定位置から移動してしまう。
【0005】本発明はこのような点に鑑みて成されたも
ので、その目的は、試料分析時に試料がイオンスパッタ
されて、試料表面形状が変化しても、ドリフト補正が正
しく行われる試料分析方法および電子線分析装置を提供
することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】 この目的を達成する本
発明の試料分析方法は、試料上の特定位置に電子線を照
射し、その電子線の照射により試料から放出された信号
を検出して試料分析を行う試料分析方法であって、試料
上に人工的に形成されたピットを含む一定領域を電子線
で走査するための走査データを走査データ記憶手段に記
憶しておき、試料分析前に、前記走査データ記憶手段に
記憶された走査データに対応した走査信号を電子線偏向
手段に供給して電子線走査を行い、該電子線走査によっ
て試料から放出される信号を画像データとして記憶し、
試料分析中に前記特定位置への電子線の照射を中断し、
試料分析中断中に、前記走査データ記憶手段に記憶され
た走査データに対応した走査信号を前記電子線偏向手段
に供給して電子線走査を行い、該電子線走査によって試
料から放出される信号を画像データに変換し、該画像デ
ータと前記画像データ記憶手段に記憶された画像データ
に基づいてドリフト補正信号を作成し、該ドリフト補正
信号を前記偏向手段に供給してドリフト補正を行うこと
を特徴とする。
【0007】
【発明の実施の形態】 以下、図面を用いて本発明の実
施の形態について説明する。
【0008】図1は、本発明の電子線分析装置の一つで
ある、オージェ電子分光装置を示した図である。
【0009】まず、図1の構成について説明する。
【0010】図1において、1は試料であり、試料1は
試料ステージ2上に置かれている。試料1の真上には電
子光学装置3が配置されており、この電子光学装置3
は、電子銃4と、集束レンズ5と、偏向手段6を備えて
いる。
【0011】7はイオン光学装置であり、イオン光学装
置7は前記電子光学装置3の近くに配置されている。こ
のイオン光学装置7は、イオン銃8と、集束レンズ9
と、偏向手段10を備えている。
【0012】11は、試料1から発生したオージェ電子
を検出する電子分光器である。12は、試料1から発生
した2次電子を検出する2次電子検出装置である。
【0013】前記試料1、試料ステージ2、電子分光器
11および2次電子検出装置12は試料室13内に配置
されており、また、前記電子光学装置3とイオン光学装
置7は、その試料室壁に取り付けられている。なお、試
料室13内は、図示しない排気装置により超高真空に排
気されている。
【0014】14は、前記偏向手段6を制御する偏向制
御手段であり、偏向制御手段14は、走査データ発生手
段15と、ドリフト補正信号作成手段16と、中央制御
装置17にそれぞれ接続されている。前記走査データ発
生手段15は、前記中央制御装置17と、前記イオン光
学装置7を制御するピット生成装置18に接続されてい
る。また、前記ドリフト補正信号作成手段16は、前記
中央制御装置17に接続されており、走査データ記憶手
段19も中央制御装置17に接続されている。
【0015】前記電子分光器11と2次電子検出装置1
2の出力は、前記中央制御装置17に送られるように構
成されており、画像データ記憶手段20は、中央制御装
置17から送られてくる2次電子像を表す画像データを
記憶する。この画像データ記憶手段20は、前記ドリフ
ト補正信号作成手段16に接続されている。
【0016】21は深さ方向分析制御装置であり、深さ
方向分析制御装置20は、前記中央制御装置17からの
信号に基づいて前記イオン光学装置7と電子分光器11
を制御する。
【0017】また、前記中央制御装置17は、指示手段
22、分析位置情報記憶手段23、ピット生成位置情報
記憶手段24、像マッチング装置25、試料ステージ制
御装置26、表示装置27および前記ピット生成装置1
8に接続されている。前記像マッチング装置25は前記
ピット生成装置18に、そして、前記試料ステージ制御
装置26は前記試料ステージ2に接続されている。
【0018】以上、図1の装置構成について説明した
が、次に、図1の装置の動作について説明する。
【0019】まず、オペレータは、試料1の2次電子像
を得るために、前記指示手段22により2次電子像取得
の指示を行う。2次電子像取得の指示が行われると、前
記中央制御装置17は、前記走査データ発生手段15に
走査データ発生信号を送り、この走査データ発生信号を
受け取った走査データ発生手段15は、走査データを前
記偏向制御手段14に送る。偏向制御手段14は、送ら
れてくる走査データに対応した走査信号を前記偏向手段
6に送る。この走査信号を受けた偏向手段6は、前記電
子銃4から放出されて集束レンズ5により集束された電
子線を2次元的に偏向させる。この結果、試料1の一定
領域S1が電子線により走査される。このとき、試料1
の試料面は電子光学装置3の光軸に直交している。
【0020】電子線が試料に照射されると試料から2次
電子が発生し、その2次電子は前記2次電子検出装置1
2により検出される。2次電子検出装置は、検出した2
次電子に対応した画像データを前記中央制御装置17に
送る。中央制御装置17は、この画像データを前記像マ
ッチング装置25に記憶させる。また、中央制御装置1
7は、この画像データと、前記走査データ発生手段15
の発生する走査データに基づき、前記表示装置27の画
面上に前記一定領域S1の2次電子像を表示させる。図
2は、前記表示装置27の画面上に表示される領域S1
の2次電子像を示したものである。
【0021】試料の2次電子像が表示装置27に表示さ
れると、オペレータは、その2次電子像を用いて分析位
置とピット生成位置を指定する。この位置指定について
説明すると、オペレータは、前記指示手段22を操作し
て、前記2次電子像に重畳して表示されるカーソルKを
分析したい位置に移動させて分析位置を指定する。ま
た、オペレータは、前記指示手段22を操作して、前記
カーソルKをピットを生成したい位置に移動させてピッ
ト生成位置を指定する。このピット生成位置とは、イオ
ンビーム照射により穴をあける位置である。図3に示す
ように、分析位置Aと、ピット生成位置P1、P2、P3
がそれぞれ指定されると、分析位置Aの分析位置データ
A(x,y)が前記中央制御装置17で作られて前記分
析位置情報記憶手段23に記憶され、一方、ピット生成
位置P1、P2、P3のピット生成位置データP1(x1
1)、P2(x2,y2)、P3(x3,y3)が前記中央
制御装置17で作られて前記ピット生成位置情報記憶手
段24に記憶される。
【0022】このようにして、分析位置とピット生成位
置が決まると、前記中央制御装置17は、前記試料1の
試料面を前記イオン光学装置7の光軸に直交させるため
の傾斜信号を、前記試料ステージ制御装置26に送る。
この傾斜信号を受け取った試料ステージ制御装置26
は、試料面がイオン光学装置7の光軸に直交するように
試料ステージ2を傾斜させる。
【0023】このように試料ステージ2が傾斜すると、
前記中央制御装置17は、前記走査データ発生手段15
に走査データ発生信号を送る。この走査データ発生信号
を受け取った走査データ発生手段15は、前記偏向制御
手段14に送った走査データと同じ走査データ、すなわ
ち、前記試料1の一定領域S1をイオンビームで走査す
るための走査データを前記ピット生成装置18に送る。
ピット生成装置18は、送られてくる走査データに対応
した走査信号を前記偏向手段10に送る。この走査信号
を受けた偏向手段10は、前記イオン銃8から放出され
て集束レンズ9により集束されたイオンビームを2次元
的に偏向させる。
【0024】イオンビームが試料に照射されると試料か
ら2次電子が発生し、その2次電子は前記2次電子検出
装置12により検出される。2次電子検出装置は、検出
した2次電子に対応した画像データを前記中央制御装置
17に送る。中央制御装置17は、この画像データを前
記像マッチング装置25に記憶させる。
【0025】さて、像マッチング装置25は、このイオ
ン照射によって得られた画像データと、上述した電子線
照射によって得られた画像データのマッチング処理を行
い、このマッチング処理により、観察視野のずれを求め
る。このずれは、試料を傾斜させたこと等により起こ
り、像マッチング装置25は、求めたずれをイオンビー
ム照射位置補正データ(Δx,Δy)として前記ピット
生成装置18に送る。なお、このデータは、後述する、
試料上へのイオンビーム照射の際に用いられ、イオンビ
ームを前記ピット生成位置P1、P2、P3に正確に照射
するために用いられる。
【0026】このようにして、イオンビーム照射位置補
正データがピット生成装置18に送られると、前記中央
制御装置17は、前記ピット生成位置情報記憶手段24
に記憶されているピット生成位置データP1(x1
1)、P2(x2,y2)、P3(x3,y3)を読み出し
て前記ピット生成装置18に送る。ピット生成装置18
は、ピット生成位置データとイオンビーム照射位置補正
データを加算し、イオンビーム照射信号P1(x1+Δ
x,y1+Δy)、P2(x2+Δx,y2+Δy)、P 3
(x3+Δx,y3+Δy)を作成して、それらを順に前
記偏向手段10に送る。この結果、イオンビームは、前
記ピット生成位置P1、P2、P3に順に所定時間照射さ
れ、それらの位置にはピットp1、p2、p3が形成され
る。図4(a)は、試料1上に形成されたピットp1
2、p3を試料の上側から見た図であり、図4(b)
は、ピットp1の断面図である。図4(b)に示すよう
に、ピットの穴径は、穴が深くなるにつれて小さくなっ
ている。
【0027】試料1上にピットp1、p2、p3が形成さ
れると、前記中央制御装置17は、試料1の試料面を前
記電子光学装置3の光軸に直交させるための傾斜信号
を、前記試料ステージ制御装置26に送る。この傾斜信
号を受け取った試料ステージ制御装置26は、試料面が
電子光学装置3の光軸に直交するように試料ステージ2
を傾斜させる。
【0028】このようにして、試料が元の水平な状態に
戻されると、前記中央制御装置17は、前記ピット生成
位置情報記憶手段24に記憶されているピット生成位置
データP1(x1,y1)、P2(x2,y2)、P3(x3
3)を読み出す。そして、中央制御装置17は、その
ピット生成位置データに基づき、前記ピットp1を含む
一定領域Sp1を電子線で走査するための走査データD
(Sp1)、前記ピットp2を含む一定領域Sp2を電子
線で走査するための走査データD(Sp2)、およびピ
ットp3を含む一定領域Sp3を電子線で走査するための
走査データD(Sp3)を作成し、それらの走査データ
D(Sp1)、D(Sp2)、D(Sp3)を前記走査デ
ータ記憶手段19に記憶する。
【0029】また、中央制御装置17は、それらの走査
データD(Sp1)、D(Sp2)、D(Sp3)を順に
前記偏向制御手段14に送る。偏向制御手段14は、送
られてくる走査データに対応した走査信号を前記偏向手
段6に送る。この走査信号を受けた偏向手段6は、前記
電子銃4から放出されて集束レンズ5により集束された
電子線を2次元的に偏向させる。この結果、試料1の一
定領域Sp1、Sp2、Sp3が順に電子線により走査さ
れる。
【0030】電子線が試料に照射されると試料から2次
電子が発生するが、前記2次電子検出装置12は、検出
した2次電子を画像データに変換し、前記走査データD
(Sp1)に対応した画像データD2(Sp1)、前記走
査データD(Sp2)に対応した画像データD2(S
2)、前記走査データD(Sp3)に対応した画像デー
タD2(Sp3)を前記中央制御装置17に送る。中央制
御装置17は、これらの画像データを前記画像データ記
憶手段20に記憶させる。
【0031】以上のような処理が行われると、次に、前
記分析点Aの分析が開始される。以下に、その分析時の
装置動作について説明する。
【0032】まず、前記中央制御装置17は、前記分析
位置情報記憶手段23に記憶された分析位置データA
(x,y)を読み出して前記偏向制御手段14に送る。
分析位置データA(x,y)を受け取った偏向制御手段
14は、その分析位置データに対応した偏向信号を前記
偏向手段10に送る。この偏向信号を受け取った偏向手
段10は、電子線が試料上の分析点Aを照射するように
電子線を偏向させるので、試料1の分析点Aに電子線が
照射される。この電子線の照射により、試料から2次電
子やオージェ電子等が放出され、このオージェ電子は前
記電子分光器11により検出される。
【0033】前記中央制御装置17は、上述したように
分析位置データを偏向制御手段14に送る一方、分析対
象元素をあらわす信号を前記深さ方向分析制御装置21
に送る。深さ方向分析制御装置21は、この信号を前記
電子分光器11に送るので、電子分光器11は、検出し
たオージェ電子から指定された対象元素のスペクトルを
収集し、その収集結果を前記中央制御装置17に送る。
【0034】さらに、前記中央制御装置17は、イオン
スパッタの周期tをあらわす信号を前記深さ方向分析制
御装置21に送る。深さ方向分析制御装置21は、この
信号に基づき、周期tで試料がイオンスパッタされるよ
うに前記イオン光学装置7を制御する。このイオンスパ
ッタの際には、試料上の広い領域にわたってイオンビー
ムが照射され、前記分析位置Aとピットp1、p2、p3
にもイオンビームが照射される。このイオンスパッタに
より試料表面は削られ、試料の深さ方向のオージェ分析
が行われる。
【0035】なお、分析対象元素やイオンスパッタの周
期の情報は、オペレータの操作により前記指示手段22
から中央制御装置17に予め入力されており、また、イ
オンスパッタが行われているときは、前記電子分光器1
1はスペクトルの収集を中断している。
【0036】さて、図1の装置はドリフト補正機能を備
えているが、以下に、そのドリフト補正について説明す
る。
【0037】前記中央制御装置17は、前記分析位置A
の分析が始まって、たとえば前記周期tよりも長い時間
T経過すると、前記分析位置データA(x,y)の偏向
制御手段14への供給を停止する。すなわち、前記分析
位置Aのオージェ分析を中断する。
【0038】そして、中央制御装置17は、前記走査デ
ータ記憶手段19に記憶されている走査データD(Sp
1)、D(Sp2)、D(Sp3)を読み出して、それら
を順に前記偏向制御手段14に送る。偏向制御手段14
は、送られてくる走査データに対応した走査信号を前記
偏向手段6に送り、偏向手段6は電子線を2次元的に偏
向させる。
【0039】電子線が試料に照射されると試料から2次
電子が発生するが、試料上に形成されたピットp1
2、p3から発生する2次電子の量は他の部分に比べて
少なく、2次電子像ではピットは暗い部分となる。前記
2次電子検出装置12は、検出した2次電子を画像デー
タに変換し、前記走査データD(Sp1)に対応した画
像データD2´(Sp1)、前記走査データD(Sp2
に対応した画像データD2´(Sp2)、前記走査データ
D(Sp3)に対応した画像データD2´(Sp3)を前
記中央制御装置17に送る。中央制御装置17は、これ
らの画像データを前記ドリフト補正信号作成手段16に
送る。以下に、このドリフト補正信号作成手段16の動
作について詳しく説明する。
【0040】ドリフト補正信号作成手段16は、中央制
御装置17から送られてくる画像データD2´(S
1)、D2´(Sp2)、D2´(Sp3)をそれぞれ2
値化処理して2値化画像データを作成する。すなわち、
ドリフト補正信号作成手段16は、各画素における画像
データの信号強度を所定値Qと比較し、画像データを2
値化する。図5は、画像データD2´(Sp1)が2値化
処理されてできた2値化画像データによる像を示したも
のである。図5において、円形状の部分M1が前記ピッ
トp1に対応しており、斜線部分がピットp1以外の部分
に対応しているが、前記所定値Qはこのようにピット部
が判別できるように設定されている。
【0041】ドリフト補正信号作成手段16は、このよ
うに画像データを2値化すると、その2値化画像データ
に基づき、前記各ピットp1、p2、p3の中心位置の座
標p1´(x1,y1)、p2´(x2,y2)、p3´
(x3,y3)をそれぞれ求める。
【0042】また、ドリフト補正信号作成手段16は、
分析前に前記画像データ記憶手段20に記憶された画像
データD2(Sp1)、D2(Sp2)、D2(Sp3)を読
み出し、前記同様にしてそれらを2値化処理して2値化
画像データを作成する。図6は、画像データD2(S
1)が2値化処理されてできた2値化画像データによ
る像を示したものである。図6において、円形状の部分
1が前記ピットp1に対応しており、斜線部分がピット
1以外の部分に対応している。ドリフト補正信号作成
手段16は、このように画像データを2値化すると、そ
の2値化画像データに基づき、前記各ピットp1、p2
3の中心位置の座標p1(x1,y1)、p2(x2
2)、p3(x3,y3)をそれぞれ求める。
【0043】さて、図6に示すように、分析開始前には
ピットp1が画像中央にあったのが、図5に示すよう
に、分析開始から時間T経過したときにはピットp1
画像中央から外れている。これは、試料分析中に試料の
ドリフト等が発生したためである。また、図5における
ピットの径が、図6におけるピットの径よりもやや小さ
いのは、上述したイオンスパッタによるものである。
【0044】前記ドリフト補正信号作成手段16は、さ
らに、求めた座標p1(x1,y1)、p2(x2,y2)、
3(x3,y3)と座標p1´(x1,y1)、p2´
(x2,y2)、p3´(x3,y3)の差を求め、ドリフ
ト量dp1(x1,y1)、dp2(x2,y2)、dp
3(x3,y3)をそれぞれ求める。そして、ドリフト補
正信号作成手段16は、これら3つのドリフト量の平均
値((dp1+dp2+dp3)/3)を求め、この平均
値に対応したドリフト補正データを前記偏向制御手段1
4に送る。
【0045】このようにして、偏向制御手段14にドリ
フト補正データが送られると、前記中央制御装置17
は、前記分析位置データA(x,y)を偏向制御手段1
4に送る。すると、偏向制御手段14は、この分析位置
データA(x,y)と前記ドリフト補正データを加算
し、その加算データに対応した偏向信号を前記偏向手段
6に送る。この結果、分析再開時には、電子線は、最初
に指定された分析位置Aに照射される。
【0046】以後、同様にして、試料分析とイオンスパ
ッタとドリフト補正が行われる。
【0047】以上、図1の装置動作について説明した
が、試料がイオンスパッタされると試料の表面形状(ピ
ットの穴径)は変化するが、そのピットの中心位置は、
ドリフトが発生しない限り変化しない。図1の装置にお
いては、そのピットの中心位置の移動を検出してドリフ
ト補正を行うので、試料分析時に試料がイオンスパッタ
されて、試料表面形状が変化しても、ドリフト補正が正
しく行われる。
【0048】なお、図1の装置においては、分析したい
位置の周辺に開けるピットを、オージェ電子分光装置に
取り付けられたイオン光学装置で生成するようにしてい
るが、他のイオン光学装置の装着された装置などで分析
したい位置を見つけ、あらかじめピットを生成した上
で、オージェ電子分光装置に試料を取り付けるようにし
ても良い。
【0049】また、上記例では、イオンスパッタされる
領域内にピットが生成されたが、ピットは分析対象を外
れた場所ならどこでもよく、スパッタされる領域内であ
る必要はない。
【0050】また、本発明は、X線マイクロアナライザ
等の微小領域分析が可能な装置に適用することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明を適用したオージェ電子分光装置を示
した図である。
【図2】 表示装置27に表示される2次電子像を示し
た図である。
【図3】 分析位置の指定とピット生成位置の指定につ
いて説明するために示した図である。
【図4】 試料上に形成されたピットを説明するために
示した図である。
【図5】 試料の2値化像を示した図である。
【図6】 試料の2値化像を示した図である。
【符号の説明】
1…試料、2…試料ステージ、3…電子光学装置、4…
電子銃、5、9…集束レンズ、6、10…偏向手段、1
1…電子分光器、12…2次電子検出装置、13…試料
室、14…偏向制御手段、15…走査データ発生手段、
16…ドリフト補正信号作成手段、17…中央制御装
置、18…ピット生成装置、19…走査データ記憶手
段、20…画像データ記憶手段、21…深さ方向分析制
御装置、22…指示手段、23…分析位置情報記憶手
段、24…ピット生成位置情報記憶手段、25…像マッ
チング装置、26…試料ステージ制御装置

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 試料上の特定位置に電子線を照射し、そ
    の電子線の照射により試料から放出された信号を検出し
    て試料分析を行う試料分析方法であって、試料上に人工
    的に形成されたピットを含む一定領域を電子線で走査す
    るための走査データを走査データ記憶手段に記憶してお
    き、試料分析前に、前記走査データ記憶手段に記憶され
    た走査データに対応した走査信号を電子線偏向手段に供
    給して電子線走査を行い、該電子線走査によって試料か
    ら放出される信号を画像データとして記憶し、試料分析
    中に前記特定位置への電子線の照射を中断し、試料分析
    中断中に、前記走査データ記憶手段に記憶された走査デ
    ータに対応した走査信号を前記電子線偏向手段に供給し
    て電子線走査を行い、該電子線走査によって試料から放
    出される信号を画像データに変換し、該画像データと前
    記画像データ記憶手段に記憶された画像データに基づい
    てドリフト補正信号を作成し、該ドリフト補正信号を前
    記偏向手段に供給してドリフト補正を行うことを特徴と
    する試料分析方法。
  2. 【請求項2】 試料上の特定位置に電子線を照射し、そ
    の電子線の照射により試料から放出された信号を検出し
    て試料分析を行う電子線分析装置であって、電子線を偏
    向させる偏向手段と、試料上に人工的に形成されたピッ
    トを含む一定領域を電子線で走査するための走査データ
    を記憶する走査データ記憶手段と、前記試料上の特定位
    置への電子線の照射を中断させる試料分析中断手段と、
    試料分析前と試料分析中断中に、前記走査データ記憶手
    段に記憶された走査データに対応した走査信号を前記偏
    向手段に供給する制御手段と、試料分析前に前記一定領
    域が電子線によって走査されたときに、試料から放出さ
    れる信号を画像データとして記憶する画像データ記憶手
    段と、試料分析中断中の前記電子線走査によって得られ
    た画像データと、前記画像データ記憶手段に記憶された
    画像データに基づいてドリフト補正信号を作成し、該ド
    リフト補正信号を前記偏向手段に供給するドリフト補正
    信号作成手段を備えたことを特徴とする電子線分析装
    置。
  3. 【請求項3】 さらに、試料上にピットを生成するため
    のピット生成手段を備えることを特徴とする請求項2記
    載の電子線分析装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007298397A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Shimadzu Corp 表面分析装置

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