JP2000292941A - フォトマスク作製方法 - Google Patents
フォトマスク作製方法Info
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- JP2000292941A JP2000292941A JP10371399A JP10371399A JP2000292941A JP 2000292941 A JP2000292941 A JP 2000292941A JP 10371399 A JP10371399 A JP 10371399A JP 10371399 A JP10371399 A JP 10371399A JP 2000292941 A JP2000292941 A JP 2000292941A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】化学増幅系レジストのレジスト剥離においてサ
ブミクロンパタン部でのレジスト残りをなくし、高品位
なフォトマスクを歩留まり高く提供する。 【解決手段】レジスト剥離液としてｐＨ１３．７以上の
アルカリ水溶液を用いる。
ブミクロンパタン部でのレジスト残りをなくし、高品位
なフォトマスクを歩留まり高く提供する。 【解決手段】レジスト剥離液としてｐＨ１３．７以上の
アルカリ水溶液を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフォトマスク作成方
法に係り、特にエッチング後のレジストの剥離方法に関
する。
法に係り、特にエッチング後のレジストの剥離方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、集積回路は高集積化に伴う微細化
が進み、サブハーフミクロン以下のパタン形成が要求さ
れるようになっている。これに伴い、フォトマスク上の
パタンも微細化が必要となっている。そこで、フォトマ
スク作成に微細加工が可能な化学増幅系レジストが適用
され始めた。
が進み、サブハーフミクロン以下のパタン形成が要求さ
れるようになっている。これに伴い、フォトマスク上の
パタンも微細化が必要となっている。そこで、フォトマ
スク作成に微細加工が可能な化学増幅系レジストが適用
され始めた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の有機溶
剤系剥離液では、化学増幅系レジストを用いてエッチン
グした後のレジスト剥離において、サブミクロンパタン
部でレジストが残り、フォトマスク欠陥となってしまう
欠点があった。また、上記有機溶剤系剥離液の中には、
環境保護の観点から好ましくない組成物を含むものもあ
った。
剤系剥離液では、化学増幅系レジストを用いてエッチン
グした後のレジスト剥離において、サブミクロンパタン
部でレジストが残り、フォトマスク欠陥となってしまう
欠点があった。また、上記有機溶剤系剥離液の中には、
環境保護の観点から好ましくない組成物を含むものもあ
った。
【０００４】本発明の目的は、化学増幅系レジストをマ
スクとして用いてエッチングした後のレジスト剥離にお
いて、サブミクロンパタン部でのレジスト残りのない高
品位なフォトマスクを歩留まり高く作製することにあ
る。また環境保護の観点からも、より安全性の高いフォ
トマスクの作成方法を提供することにある。
スクとして用いてエッチングした後のレジスト剥離にお
いて、サブミクロンパタン部でのレジスト残りのない高
品位なフォトマスクを歩留まり高く作製することにあ
る。また環境保護の観点からも、より安全性の高いフォ
トマスクの作成方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記本発明の課題は、フ
ォトマスク作成工程において用いられる化学増幅系レジ
ストを用いたエッチング後のレジスト剥離工程におい
て、剥離液としてｐＨ１３．７以上のアルカリ水溶液を
用いることにより達成することができる。
ォトマスク作成工程において用いられる化学増幅系レジ
ストを用いたエッチング後のレジスト剥離工程におい
て、剥離液としてｐＨ１３．７以上のアルカリ水溶液を
用いることにより達成することができる。
【０００６】本発明に使用される、エッチング後のレジ
スト剥離液としては、ｐＨ１３．７以上のアルカリ水溶
液であり、一般式（１） ［（Ｒ1）3Ｎ−Ｒ2］・ＯＨ ……（１） （式中Ｒ1は炭素数１から４のアルキル基、Ｒ2は炭素数
１から４のアルキル基、または炭素数１から４のヒドロ
キシアルキル基、Ｎは窒素、ＯＨは水酸基）で表される
第４級アンモニウム化合物、または一般式（２） Ａ・ＯＨ ……（２） （式中のＡはアルカリ金属、ＯＨは水酸基）で表される
無機アルカリ化合物のうち少なくとも１種類以上のアル
カリ化合物をを含む水溶液であることを特徴とする。
スト剥離液としては、ｐＨ１３．７以上のアルカリ水溶
液であり、一般式（１） ［（Ｒ1）3Ｎ−Ｒ2］・ＯＨ ……（１） （式中Ｒ1は炭素数１から４のアルキル基、Ｒ2は炭素数
１から４のアルキル基、または炭素数１から４のヒドロ
キシアルキル基、Ｎは窒素、ＯＨは水酸基）で表される
第４級アンモニウム化合物、または一般式（２） Ａ・ＯＨ ……（２） （式中のＡはアルカリ金属、ＯＨは水酸基）で表される
無機アルカリ化合物のうち少なくとも１種類以上のアル
カリ化合物をを含む水溶液であることを特徴とする。
【０００７】また、本発明使用される、エッチング後の
レジスト剥離液としては、ｐＨ１３．７以上のアルカリ
水溶液であり、一般式（３） （Ｎ2Ｈ4）・Ｂ ……（３） （式中ＢはＨ2Ｏ、ＣＯ3，ＨＣＯ3）で表されるヒドラ
ジン化合物を含むことを特徴とする。
レジスト剥離液としては、ｐＨ１３．７以上のアルカリ
水溶液であり、一般式（３） （Ｎ2Ｈ4）・Ｂ ……（３） （式中ＢはＨ2Ｏ、ＣＯ3，ＨＣＯ3）で表されるヒドラ
ジン化合物を含むことを特徴とする。
【０００８】上記一般式（１）で表される第４級アンモ
ニウム化合物としては、具体的にはテトラメチルアンモ
ニウム水酸化物、テトラエチルアンモニウム水酸化物、
テトラ−ｎ−プロピルアンモニウム水酸化物、テトラ−
ｎ−ブチルアンモニウム水酸化物、トリメチルエチルア
ンモニウム水酸化物、トリエチルメチルアンモニウム水
酸化物、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニ
ウム水酸化物、トリエチル（２−ヒドロキシエチル）ア
ンモニウム水酸化物等の第４級アンモニウム水酸化物が
挙げられる。
ニウム化合物としては、具体的にはテトラメチルアンモ
ニウム水酸化物、テトラエチルアンモニウム水酸化物、
テトラ−ｎ−プロピルアンモニウム水酸化物、テトラ−
ｎ−ブチルアンモニウム水酸化物、トリメチルエチルア
ンモニウム水酸化物、トリエチルメチルアンモニウム水
酸化物、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニ
ウム水酸化物、トリエチル（２−ヒドロキシエチル）ア
ンモニウム水酸化物等の第４級アンモニウム水酸化物が
挙げられる。
【０００９】一般式（２）で表される無機アルカリ化合
物としては、具体的には水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム等が挙げられる。
物としては、具体的には水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム等が挙げられる。
【００１０】一般式（３）で表されるヒドラジン化合物
としては水加ヒドラジン、炭酸ヒドラジン、重炭酸ヒド
ラジン等が挙げられる。
としては水加ヒドラジン、炭酸ヒドラジン、重炭酸ヒド
ラジン等が挙げられる。
【００１１】本発明による剥離液は、ｐＨが１３．７よ
りも大きいものが好ましく、１３．７以下ではエッチン
グ後の微細パタンにおいて剥離後にレジストがフィルム
状に残ってしまう。
りも大きいものが好ましく、１３．７以下ではエッチン
グ後の微細パタンにおいて剥離後にレジストがフィルム
状に残ってしまう。
【００１２】本発明における剥離液は、上記一般式
（１）単独、一般式（２）単独、一般式（１）および一
般式（２）、一般式（１）および（３）、一般式（２）
および（３）、一般式（１）、（２）および（３）の組
み合わせが好ましい。
（１）単独、一般式（２）単独、一般式（１）および一
般式（２）、一般式（１）および（３）、一般式（２）
および（３）、一般式（１）、（２）および（３）の組
み合わせが好ましい。
【００１３】本発明における剥離液を用いた剥離方法
は、従来どおりの浸漬法、スプレー法、浸漬して超音波
を作用させる方法が用いられる。
は、従来どおりの浸漬法、スプレー法、浸漬して超音波
を作用させる方法が用いられる。
【００１４】本発明における剥離液を使用する温度は室
温でもよく、特に制限はない。
温でもよく、特に制限はない。
【００１５】
【発明の実施の形態】（実施例１）ｍ，ｐ−クレゾール
ノボラック樹脂をベース樹脂とした化学増幅系ポジ型レ
ジスト溶液を表面が酸化クロム／クロム／酸化クロムの
三層構造であるフォトマスク基板上に滴下、回転塗布後
１１０℃、５分間熱処理して、０．４μmの厚さのレジ
スト膜を得た。この基板に電子線描画装置（電子線の加
速電圧は５０ｋＶ）を用い、照射量を段階的に変化させ
て電子線照射後、９０℃、５分間熱処理してレジストの
潜像部分の酸触媒反応を促進した。
ノボラック樹脂をベース樹脂とした化学増幅系ポジ型レ
ジスト溶液を表面が酸化クロム／クロム／酸化クロムの
三層構造であるフォトマスク基板上に滴下、回転塗布後
１１０℃、５分間熱処理して、０．４μmの厚さのレジ
スト膜を得た。この基板に電子線描画装置（電子線の加
速電圧は５０ｋＶ）を用い、照射量を段階的に変化させ
て電子線照射後、９０℃、５分間熱処理してレジストの
潜像部分の酸触媒反応を促進した。
【００１６】上述の熱処理後、水酸化テトラメチルアン
モニウム２．３８重量％を含む水溶液を現像液に用い
て、潜像を形成したレジストを１００秒間現像した。そ
の後、１３０℃で熱処理を行い、ＨＩ−Ｆをエッチャン
トとしウエットエッチングを行った。その後、レジスト
剥離液として水酸化テトラメチルアンモニウム５重量％
を含む水溶液（ｐＨ＞１３．７）を用い、上記基板を２
分間浸漬させ、水洗した。
モニウム２．３８重量％を含む水溶液を現像液に用い
て、潜像を形成したレジストを１００秒間現像した。そ
の後、１３０℃で熱処理を行い、ＨＩ−Ｆをエッチャン
トとしウエットエッチングを行った。その後、レジスト
剥離液として水酸化テトラメチルアンモニウム５重量％
を含む水溶液（ｐＨ＞１３．７）を用い、上記基板を２
分間浸漬させ、水洗した。
【００１７】本実施例ではフォトマスク基板上でのサブ
ミクロンパタン部でのレジスト残りは見られなかった。
ミクロンパタン部でのレジスト残りは見られなかった。
【００１８】（実施例２）レジスト剥離液として水酸化
ナトリウム５重量％を含む水溶液を用いる以外は実施例
１の方法に従った。本実施例でも、フォトマスク基板上
でのサブミクロンパタン部でのレジスト残りは見られな
かった。
ナトリウム５重量％を含む水溶液を用いる以外は実施例
１の方法に従った。本実施例でも、フォトマスク基板上
でのサブミクロンパタン部でのレジスト残りは見られな
かった。
【００１９】（実施例３）レジスト剥離液として水酸化
テトラメチルアンモニウム５重量％、水加ヒドラジン２
重量部を含む水溶液を用いる以外は実施例１の方法に従
った。本実施例においても、フォトマスク基板上でのサ
ブミクロンパタン部でのレジスト残りは見られなかっ
た。
テトラメチルアンモニウム５重量％、水加ヒドラジン２
重量部を含む水溶液を用いる以外は実施例１の方法に従
った。本実施例においても、フォトマスク基板上でのサ
ブミクロンパタン部でのレジスト残りは見られなかっ
た。
【００２０】（実施例４）レジスト剥離液として水酸化
ナトリウム５重量％、水加ヒドラジン２重量％を含む水
溶液を用いる以外は実施例１の方法に従った。本実施例
においても、フォトマスク基板上でのサブミクロンパタ
ン部でのレジスト残りは見られなかった。
ナトリウム５重量％、水加ヒドラジン２重量％を含む水
溶液を用いる以外は実施例１の方法に従った。本実施例
においても、フォトマスク基板上でのサブミクロンパタ
ン部でのレジスト残りは見られなかった。
【００２１】（実施例５）レジスト剥離液として水酸化
テトラメチルアンモニウム５重量％、水酸化ナトリウム
５重量％、水加ヒドラジン２重量％を含む水溶液を用い
る以外は実施例１の方法に従った。本実施例において
も、フォトマスク基板上でのサブミクロンパタン部での
レジスト残りは見られなかった。
テトラメチルアンモニウム５重量％、水酸化ナトリウム
５重量％、水加ヒドラジン２重量％を含む水溶液を用い
る以外は実施例１の方法に従った。本実施例において
も、フォトマスク基板上でのサブミクロンパタン部での
レジスト残りは見られなかった。
【００２２】（実施例６）エッチング方法を、Ｃｌ2／
Ｏ2ガスを用いたドライエッチングを行う以外は実施例
１の方法に従った。本実施例においても、フォトマスク
基板上でのサブミクロンパタン部でのレジスト残りは見
られなかった。
Ｏ2ガスを用いたドライエッチングを行う以外は実施例
１の方法に従った。本実施例においても、フォトマスク
基板上でのサブミクロンパタン部でのレジスト残りは見
られなかった。
【００２３】（実施例７）エッチング方法を、Ｃｌ2／
Ｏ2ガスを用いたドライエッチングを行う以外は実施例
２の方法に従った。本実施例においても、フォトマスク
基板上でのサブミクロンパタン部でのレジスト残りは見
られなかった。
Ｏ2ガスを用いたドライエッチングを行う以外は実施例
２の方法に従った。本実施例においても、フォトマスク
基板上でのサブミクロンパタン部でのレジスト残りは見
られなかった。
【００２４】（実施例８）エッチング方法を、Ｃｌ2／
Ｏ2ガスを用いたドライエッチングを行う以外は実施例
３の方法に従った。本実施例においても、フォトマスク
基板上でのサブミクロンパタン部でのレジスト残りは見
られなかった。
Ｏ2ガスを用いたドライエッチングを行う以外は実施例
３の方法に従った。本実施例においても、フォトマスク
基板上でのサブミクロンパタン部でのレジスト残りは見
られなかった。
【００２５】（実施例９）エッチング方法を、Ｃｌ2／
Ｏ2ガスを用いたドライエッチングを行う以外は実施例
４の方法に従った。本実施例においても、フォトマスク
基板上でのサブミクロンパタン部でのレジスト残りは見
られなかった。
Ｏ2ガスを用いたドライエッチングを行う以外は実施例
４の方法に従った。本実施例においても、フォトマスク
基板上でのサブミクロンパタン部でのレジスト残りは見
られなかった。
【００２６】（実施例１０）エッチング方法を、Ｃｌ2
／Ｏ2ガスを用いたドライエッチングを行う以外は実施
例５の方法に従った。本実施例においても、フォトマス
ク基板上でのサブミクロンパタン部でのレジスト残りは
見られなかった。
／Ｏ2ガスを用いたドライエッチングを行う以外は実施
例５の方法に従った。本実施例においても、フォトマス
ク基板上でのサブミクロンパタン部でのレジスト残りは
見られなかった。
【００２７】（比較例１）レジスト剥離液として水酸化
テトラメチルアンモニウム２．３８重量％を含む水溶液
（ｐＨ１３．６５）を用いる以外は実施例１の方法に従
った。本比較例では、フォトマスク基板上でのサブミク
ロンパタン部でフィルム状のレジスト残りが観測され
た。
テトラメチルアンモニウム２．３８重量％を含む水溶液
（ｐＨ１３．６５）を用いる以外は実施例１の方法に従
った。本比較例では、フォトマスク基板上でのサブミク
ロンパタン部でフィルム状のレジスト残りが観測され
た。
【００２８】（比較例２）エッチング方法を、Ｃｌ2／
Ｏ2ガスを用いたドライエッチングを行う以外は比較例
１の方法に従った。本比較例でも、フォトマスク基板上
でのサブミクロンパタン部でフィルム状のレジスト残り
が観測された。
Ｏ2ガスを用いたドライエッチングを行う以外は比較例
１の方法に従った。本比較例でも、フォトマスク基板上
でのサブミクロンパタン部でフィルム状のレジスト残り
が観測された。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、フォトマスク基板上に
レジスト残りのないサブミクロンのパタンを形成でき、
欠陥のないフォトマスクを製作できた。
レジスト残りのないサブミクロンのパタンを形成でき、
欠陥のないフォトマスクを製作できた。
フロントページの続き (72)発明者 内野 正市 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 逆水 登志夫 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 斉藤 秀隆 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 (72)発明者 曽我 隆 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 (72)発明者 粕谷 圭 東京都新宿区西新宿二丁目１番１号 日立 化成工業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H096 AA24 AA25 BA01 BA09 EA06 HA11 LA03 5F004 AA09 BA20 DA04 DA26 DB27 EA10 EB07 5F043 AA40 BB30 CC01 DD13 GG10
Claims (5)
- 【請求項１】フォトマスク基板上に、フェノール性樹脂
をマトリックスとした化学増幅系電子線レジスト組成物
でレジストパタンを形成する工程、上記レジストパタン
をもとに上記基板をエッチング加工する工程、上記フォ
トレジストをフォトマスク基板から剥離する工程におい
て、剥離液にｐＨ１３．７以上のアルカリ水溶液を用い
ることを特徴とするフォトマスク作成方法。 - 【請求項２】請求項１記載の剥離液が、一般式（１） ［（Ｒ1）3Ｎ−Ｒ2］・ＯＨ ……（１） （式中Ｒ1は炭素数１から４のアルキル基、Ｒ2は炭素数
１から４のアルキル基、または炭素数１から４のヒドロ
キシアルキル基、Ｎは窒素、ＯＨは水酸基）で表される
第４級アンモニウム化合物、または一般式（２） Ａ・ＯＨ ……（２） （式中のＡはアルカリ金属、ＯＨは水酸基）で表される
無機アルカリ化合物のうち少なくとも１種類のアルカリ
化合物をを含む水溶液であることを特徴とするフォトマ
スク作成方法。 - 【請求項３】請求項１または請求項２記載の剥離液が、
一般式（３） （Ｎ2Ｈ4）・Ｂ ……（３） （式中ＢはＨ2Ｏ、ＣＯ3，ＨＣＯ3）で表されるヒドラ
ジン化合物を含むことを特徴とするフォトマスク作成方
法。 - 【請求項４】請求項１記載のレジスト組成物が、電子線
照射によりポジ化するレジストを用いたことを特徴とす
るフォトマスク作成方法。 - 【請求項５】請求項１記載のレジスト組成物が、電子線
照射によりネガ化するレジストを用いたことを特徴とす
るフォトマスク作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10371399A JP2000292941A (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | フォトマスク作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10371399A JP2000292941A (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | フォトマスク作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000292941A true JP2000292941A (ja) | 2000-10-20 |
Family
ID=14361365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10371399A Pending JP2000292941A (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | フォトマスク作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000292941A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002334866A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Tokyo Electron Ltd | 被覆剤及びそれを施した耐プラズマ性部品 |
| US7051068B1 (en) | 1999-06-16 | 2006-05-23 | International Business Machines Corporation | Method and system for changing a collaborating client behavior according to context |
| JP2009069849A (ja) * | 2008-12-01 | 2009-04-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 不純物の低減方法 |
-
1999
- 1999-04-12 JP JP10371399A patent/JP2000292941A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7051068B1 (en) | 1999-06-16 | 2006-05-23 | International Business Machines Corporation | Method and system for changing a collaborating client behavior according to context |
| JP2002334866A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Tokyo Electron Ltd | 被覆剤及びそれを施した耐プラズマ性部品 |
| JP2009069849A (ja) * | 2008-12-01 | 2009-04-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 不純物の低減方法 |
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