JP2000294479A - 走査型露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
走査型露光装置およびデバイス製造方法Info
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- JP2000294479A JP2000294479A JP11095453A JP9545399A JP2000294479A JP 2000294479 A JP2000294479 A JP 2000294479A JP 11095453 A JP11095453 A JP 11095453A JP 9545399 A JP9545399 A JP 9545399A JP 2000294479 A JP2000294479 A JP 2000294479A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 走査型露光装置のスループットを向上して液
晶パネルや半導体の生産性を向上する。 【解決手段】 基板を保持してステップアンドスキャン
動作によって基板上の複数の露光領域を順次走査露光す
るためのステージと、所定の受取位置まで移動させたス
テージから露光後の基板を受け取るための搬送ロボット
とを備え、複数の露光領域のうちの最終露光領域での露
光終了後に受取位置まで停止することなくステージを移
動させる制御手段を有する走査型露光装置。
晶パネルや半導体の生産性を向上する。 【解決手段】 基板を保持してステップアンドスキャン
動作によって基板上の複数の露光領域を順次走査露光す
るためのステージと、所定の受取位置まで移動させたス
テージから露光後の基板を受け取るための搬送ロボット
とを備え、複数の露光領域のうちの最終露光領域での露
光終了後に受取位置まで停止することなくステージを移
動させる制御手段を有する走査型露光装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、走査型露光装置お
よび該装置を用いたデバイス製造方法に関するものであ
る。
よび該装置を用いたデバイス製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、走査型露光装置においては、基板
ステージ上の最後の露光領域の露光処理が終了した時点
で、基板ステージは一旦停止し、その後基板ステージが
基板交換位置へ移動するシーケンスとなっており、基板
交換位置に移動するまでの時間が長かった。
ステージ上の最後の露光領域の露光処理が終了した時点
で、基板ステージは一旦停止し、その後基板ステージが
基板交換位置へ移動するシーケンスとなっており、基板
交換位置に移動するまでの時間が長かった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、液晶パネルや半
導体の生産コストの低減に伴い、走査型露光装置におい
ても、その生産性は益々重要視されてきている。これに
伴い、従来、液晶パネルや半導体を露光する露光装置に
おいて、基板上に複数の露光領域を設けて原板であるマ
スク上の液晶パネル画素パターン（被写体）や半導体チ
ップを複数ステップで基板に転写する露光方法において
は、基板を保持してステップ移動する基板ステージが最
終露光領域を露光する場合に、走査露光が終了した基板
ステージ位置から基板交換位置に基板ステージが移動す
るまでの時間が長く、生産性を落とす要因となってい
た。
導体の生産コストの低減に伴い、走査型露光装置におい
ても、その生産性は益々重要視されてきている。これに
伴い、従来、液晶パネルや半導体を露光する露光装置に
おいて、基板上に複数の露光領域を設けて原板であるマ
スク上の液晶パネル画素パターン（被写体）や半導体チ
ップを複数ステップで基板に転写する露光方法において
は、基板を保持してステップ移動する基板ステージが最
終露光領域を露光する場合に、走査露光が終了した基板
ステージ位置から基板交換位置に基板ステージが移動す
るまでの時間が長く、生産性を落とす要因となってい
た。
【０００４】本発明の目的は上記課題を解決し、走査型
露光装置のスループットが向上して液晶パネルや半導体
の生産性を向上し得る走査型露光装置およびデバイス製
造方法を提供することにある。
露光装置のスループットが向上して液晶パネルや半導体
の生産性を向上し得る走査型露光装置およびデバイス製
造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するため、本発明は、マスク上に形成された液晶パネ
ル画素パターン（被写体）や半導体チップのパターン等
を基板上の露光領域へ走査露光した後に、短時間で基板
ステージが基板交換位置に移動する走査型露光装置の露
光方法の手法に関する。
成するため、本発明は、マスク上に形成された液晶パネ
ル画素パターン（被写体）や半導体チップのパターン等
を基板上の露光領域へ走査露光した後に、短時間で基板
ステージが基板交換位置に移動する走査型露光装置の露
光方法の手法に関する。
【０００６】すなわち、本発明の走査型露光装置は、基
板を保持してステップアンドスキャン動作によって基板
上の複数の露光領域を順次走査露光するためのステージ
と、所定の受取位置まで移動させたステージから露光後
の基板を受け取るための搬送ロボットとを備え、複数の
露光領域のうちの最終露光領域での露光終了後に受取位
置まで停止することなくステージを移動させる制御手段
を有することを特徴とする。
板を保持してステップアンドスキャン動作によって基板
上の複数の露光領域を順次走査露光するためのステージ
と、所定の受取位置まで移動させたステージから露光後
の基板を受け取るための搬送ロボットとを備え、複数の
露光領域のうちの最終露光領域での露光終了後に受取位
置まで停止することなくステージを移動させる制御手段
を有することを特徴とする。
【０００７】本発明における制御手段は、好ましくは、
最終露光領域の露光終了後から受取位置への移動時間を
最も短くするように基板の受取位置と最終露光領域の位
置関係からステージの加減速動作パターンを自動的に計
算して求め、求めた加減速動作パターンに従って加減速
を行いながら基板ステージを受取位置に移動させるよう
にステージの移動を制御するという機能を有する。
最終露光領域の露光終了後から受取位置への移動時間を
最も短くするように基板の受取位置と最終露光領域の位
置関係からステージの加減速動作パターンを自動的に計
算して求め、求めた加減速動作パターンに従って加減速
を行いながら基板ステージを受取位置に移動させるよう
にステージの移動を制御するという機能を有する。
【０００８】ステージの加減速動作パターンは最終露光
領域を露光する前に基板の受取位置を判断して求めるこ
とが望ましく、その理由は最終露光領域の終了後に受取
位置までステージを停止しないで移動させれば移動時間
が短くなるように、露光におけるステージの走査方向が
受取位置へ向かう速度成分を含むように最終露光領域の
走査方向を選択するためである。
領域を露光する前に基板の受取位置を判断して求めるこ
とが望ましく、その理由は最終露光領域の終了後に受取
位置までステージを停止しないで移動させれば移動時間
が短くなるように、露光におけるステージの走査方向が
受取位置へ向かう速度成分を含むように最終露光領域の
走査方向を選択するためである。
【０００９】具体的には、最終露光領域の走査露光時に
ステージの走査方向が受取位置に向かって近付くように
走査方向を選択し、最終露光領域を露光する前にステー
ジの加減速動作パターンを求めればよい。また、搬送ロ
ボットを複数備える等の構成により、搬送ロボットが複
数の受取位置で露光後の基板を受け取れる場合には、逆
に、最終露光領域の走査露光時にステージの向かう方向
にある受取位置（搬送ロボット）を選択してもよい。
ステージの走査方向が受取位置に向かって近付くように
走査方向を選択し、最終露光領域を露光する前にステー
ジの加減速動作パターンを求めればよい。また、搬送ロ
ボットを複数備える等の構成により、搬送ロボットが複
数の受取位置で露光後の基板を受け取れる場合には、逆
に、最終露光領域の走査露光時にステージの向かう方向
にある受取位置（搬送ロボット）を選択してもよい。
【００１０】本発明のデバイス製造方法は、上記本発明
の走査型露光装置により実現され、ステージに基板を搭
載し、基板上の複数の露光領域を順次露光位置にステッ
プ移動させ、各露光位置においてその露光領域上に原版
であるマスクの像を投影光学系を介して走査露光した後
に、所定の受取位置までステージを移動し、基板搬送ロ
ボットを用いてステージから基板を取り出すことを行う
露光方法において、複数の露光領域のうちの最終露光領
域の露光終了後に受取位置まで停止することなくステー
ジを移動させることを特徴とする。
の走査型露光装置により実現され、ステージに基板を搭
載し、基板上の複数の露光領域を順次露光位置にステッ
プ移動させ、各露光位置においてその露光領域上に原版
であるマスクの像を投影光学系を介して走査露光した後
に、所定の受取位置までステージを移動し、基板搬送ロ
ボットを用いてステージから基板を取り出すことを行う
露光方法において、複数の露光領域のうちの最終露光領
域の露光終了後に受取位置まで停止することなくステー
ジを移動させることを特徴とする。
【００１１】
【実施例】（第１の実施例）図１は本発明を最も良く表
す図であり、マスク上に形成された液晶パネル画素パタ
ーン（被写体）や半導体チップを、マスクステージ（図
２の２３）と基板ステージ（図２の２８）が各々の速度
で移動することにより走査露光を行う走査型露光装置に
おいて、最終露光領域を露光する時の基板ステージ動作
および基板交換位置への基板ステージの移動に関する動
作を示すタイミングチャートを表すグラフである。
す図であり、マスク上に形成された液晶パネル画素パタ
ーン（被写体）や半導体チップを、マスクステージ（図
２の２３）と基板ステージ（図２の２８）が各々の速度
で移動することにより走査露光を行う走査型露光装置に
おいて、最終露光領域を露光する時の基板ステージ動作
および基板交換位置への基板ステージの移動に関する動
作を示すタイミングチャートを表すグラフである。
【００１２】図１に示す速度パターンは、最終露光領域
の露光を行う前に予め基板交換位置を判断して走査露光
方向が基板交換位置に向かうように走査露光開始位置を
自動的に決定し、走査露光が終了した後に、基板ステー
ジ（図２の２８）が基板交換位置に最短時間で移動する
ように加減速して基板交換位置に移動するパターンを示
している。
の露光を行う前に予め基板交換位置を判断して走査露光
方向が基板交換位置に向かうように走査露光開始位置を
自動的に決定し、走査露光が終了した後に、基板ステー
ジ（図２の２８）が基板交換位置に最短時間で移動する
ように加減速して基板交換位置に移動するパターンを示
している。
【００１３】図２および図３は、マスクとプレートを保
持して走査露光を行う機能を有する走査型露光装置を示
す側面図である。図２は、各ステージ（マスクステージ
２３および基板ステージ２８）が図１で示した最終露光
領域の走査露光開始位置にあることを示し、図３は、各
ステージ位置が図１で示した基板交換位置にあることを
示している。
持して走査露光を行う機能を有する走査型露光装置を示
す側面図である。図２は、各ステージ（マスクステージ
２３および基板ステージ２８）が図１で示した最終露光
領域の走査露光開始位置にあることを示し、図３は、各
ステージ位置が図１で示した基板交換位置にあることを
示している。
【００１４】図２および図３において、１は石英ガラス
に液晶パネル画素パターンが複数描画されたマスク、２
は液晶表示板を製造するためのトランジスタ等のパター
ンがフォトリソグラフィの手段で形成されるガラス板か
らなる基板、２１は特定の波長で露光位置にあるマスク
１を照明する照明光学系、２２は基板２上の位置合わせ
マークを検出するための機構である観察光学系、２３は
マスク１を保持してＸＹθ方向に移動可能でＹ方向に走
査露光機能を有するマスクステージ、２４はマスクステ
ージ２３および基板ステージ２８が搭載される本体構造
体、２５はマスク１に描画されたパターンを基板２上に
投影する凸凹面鏡を組み合わせて構成されるミラー投影
光学系、２８は基板２を保持してＸＹθ方向に移動可能
でＹ方向に走査露光機能を有する基板ステージ、２９は
マスクステージ２３のＹ軸方向の位置を制御するための
マスクＹ軸制御レーザ干渉計、３０は基板ステージ２８
のＹ軸方向の位置を制御するためのプレートＹ軸制御レ
ーザ干渉計、３１はマスクステージ２３をＹ軸方向に駆
動するマスクＹ軸駆動モータ、３２は基板ステージ２８
をＹ軸方向に駆動するプレートＹ軸駆動モータ、３４は
レーザ干渉計２９および３０の測定結果に基づいてステ
ージ２３および２８をモータ制御する制御回路、３５は
走査型露光装置を制御して処理を行うための処理回路、
３６は基板を基板ステージから取り出しまた基板ステー
ジに置く基板搬送ロボットである。
に液晶パネル画素パターンが複数描画されたマスク、２
は液晶表示板を製造するためのトランジスタ等のパター
ンがフォトリソグラフィの手段で形成されるガラス板か
らなる基板、２１は特定の波長で露光位置にあるマスク
１を照明する照明光学系、２２は基板２上の位置合わせ
マークを検出するための機構である観察光学系、２３は
マスク１を保持してＸＹθ方向に移動可能でＹ方向に走
査露光機能を有するマスクステージ、２４はマスクステ
ージ２３および基板ステージ２８が搭載される本体構造
体、２５はマスク１に描画されたパターンを基板２上に
投影する凸凹面鏡を組み合わせて構成されるミラー投影
光学系、２８は基板２を保持してＸＹθ方向に移動可能
でＹ方向に走査露光機能を有する基板ステージ、２９は
マスクステージ２３のＹ軸方向の位置を制御するための
マスクＹ軸制御レーザ干渉計、３０は基板ステージ２８
のＹ軸方向の位置を制御するためのプレートＹ軸制御レ
ーザ干渉計、３１はマスクステージ２３をＹ軸方向に駆
動するマスクＹ軸駆動モータ、３２は基板ステージ２８
をＹ軸方向に駆動するプレートＹ軸駆動モータ、３４は
レーザ干渉計２９および３０の測定結果に基づいてステ
ージ２３および２８をモータ制御する制御回路、３５は
走査型露光装置を制御して処理を行うための処理回路、
３６は基板を基板ステージから取り出しまた基板ステー
ジに置く基板搬送ロボットである。
【００１５】図２に示すように、最終露光領域の１つ前
の露光領域の走査露光が終了した時点で、最終露光領域
の走査露光は基板交換位置がＹ方向で（−）側にあるの
で走査露光の開始位置はＹ方向（＋）側にあると処理回
路３５が判断し、マスクステージ２３と基板ステージ２
８はＹ方向（＋）側に移動する。その後、マスクステー
ジ２３と基板ステージ２８が走査露光動作を行う。走査
露光はマスク１上に形成された液晶パネル画素パターン
（被写体）の全面が基板２に露光されるまで行う。その
後、処理回路３５が加減速を伴って基板ステージ２８を
基板交換位置に移動するように制御する（図３）。
の露光領域の走査露光が終了した時点で、最終露光領域
の走査露光は基板交換位置がＹ方向で（−）側にあるの
で走査露光の開始位置はＹ方向（＋）側にあると処理回
路３５が判断し、マスクステージ２３と基板ステージ２
８はＹ方向（＋）側に移動する。その後、マスクステー
ジ２３と基板ステージ２８が走査露光動作を行う。走査
露光はマスク１上に形成された液晶パネル画素パターン
（被写体）の全面が基板２に露光されるまで行う。その
後、処理回路３５が加減速を伴って基板ステージ２８を
基板交換位置に移動するように制御する（図３）。
【００１６】（他の実施例）第１の実施例では、走査方
向（Ｙ方向）に対して最短時間で基板搬送位置に移動す
るように記したが、Ｘ方向ステップ移動を伴う走査型露
光装置に関しても、同様に最終領域の露光終了後、Ｙ方
向と同時に加減速を伴ってＸ方向に基板搬送位置に移動
することも可能である。
向（Ｙ方向）に対して最短時間で基板搬送位置に移動す
るように記したが、Ｘ方向ステップ移動を伴う走査型露
光装置に関しても、同様に最終領域の露光終了後、Ｙ方
向と同時に加減速を伴ってＸ方向に基板搬送位置に移動
することも可能である。
【００１７】第１の実施例では基板搬送ロボットが１つ
のみの場合を示したが、基板搬送ロボットが複数存在す
る場合も同様に制御される。すなわち、基板搬送ロボッ
トが図２において走査方向の（＋）側と（−）側の両方
に存在する場合に、 処理回路にて使用する基板搬送ロボ
ットを選択することにより、走査露光開始位置と基板交
換位置を決定することが可能である。
のみの場合を示したが、基板搬送ロボットが複数存在す
る場合も同様に制御される。すなわち、基板搬送ロボッ
トが図２において走査方向の（＋）側と（−）側の両方
に存在する場合に、 処理回路にて使用する基板搬送ロボ
ットを選択することにより、走査露光開始位置と基板交
換位置を決定することが可能である。
【００１８】また、第１の実施例ではミラー走査型露光
装置に対して記したが、レンズ走査型露光装置も同様に
適用可能である。
装置に対して記したが、レンズ走査型露光装置も同様に
適用可能である。
【００１９】（デバイス製造方法の実施例）次に、上記
説明した露光装置を利用したデバイス製造方法の実施形
態を説明する。図４は、微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等
の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッ
ド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステッ
プ１（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行な
う。ステップ２（マスク製作）では設計したパターンを
形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ
製造）ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４
によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する
工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディ
ング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を
含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された
半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検
査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
説明した露光装置を利用したデバイス製造方法の実施形
態を説明する。図４は、微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等
の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッ
ド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステッ
プ１（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行な
う。ステップ２（マスク製作）では設計したパターンを
形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ
製造）ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４
によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する
工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディ
ング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を
含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された
半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検
査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
【００２０】図５は上記ウエハプロセス（ステップ４）
の詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエ
ハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウ
エハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形
成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステ
ップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込
む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハにレジス
トを塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した
露光装置または露光方法によってマスクの回路パターン
をウエハの複数のショット領域に並べて焼付露光する。
ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。
ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以
外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）で
はエッチングが済んで不要となったレジストを取り除
く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、
ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
の詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエ
ハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウ
エハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形
成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステ
ップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込
む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハにレジス
トを塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した
露光装置または露光方法によってマスクの回路パターン
をウエハの複数のショット領域に並べて焼付露光する。
ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。
ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以
外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）で
はエッチングが済んで不要となったレジストを取り除
く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、
ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００２１】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
走査型露光装置での露光において、最終露光領域の露光
終了後に最短時間で基板交換位置に基板ステージを移動
することにより、走査型露光装置のスループットが向上
して生産性が向上する。
走査型露光装置での露光において、最終露光領域の露光
終了後に最短時間で基板交換位置に基板ステージを移動
することにより、走査型露光装置のスループットが向上
して生産性が向上する。
【図１】 最終露光領域を露光する場合の基板ステージ
動作タイミングチャートである。
動作タイミングチャートである。
【図２】 本発明の第１の実施例に係る走査型露光装置
において各ステージが最終露光領域の走査露光開始位置
にあることを示す露光装置の側面図である。
において各ステージが最終露光領域の走査露光開始位置
にあることを示す露光装置の側面図である。
【図３】 本発明の第１の実施例に係る走査型露光装置
において各ステージが基板交換位置にあることを示す露
光装置の側面図である。
において各ステージが基板交換位置にあることを示す露
光装置の側面図である。
【図４】 本発明の半導体製造装置を利用できるデバイ
ス製造方法を示すフローチャートである。
ス製造方法を示すフローチャートである。
【図５】 図４中のウエハプロセスの詳細なフローチャ
ートである。
ートである。
１：マスク、２：基板、２１：照明光学系、２２：観察
光学系、２３：マスクステージ、２４：本体構造体、２
５：ミラー投影光学系、２８：基板ステージ、２９：マ
スクＹ軸制御レーザ干渉計、３０：プレートＹ軸制御レ
ーザ干渉計、３１：マスクＹ軸駆動モータ、３２：プレ
ートＹ軸駆動モータ、３４：制御回路、３５：処理回
路、３６：基板搬送ロボット。
光学系、２３：マスクステージ、２４：本体構造体、２
５：ミラー投影光学系、２８：基板ステージ、２９：マ
スクＹ軸制御レーザ干渉計、３０：プレートＹ軸制御レ
ーザ干渉計、３１：マスクＹ軸駆動モータ、３２：プレ
ートＹ軸駆動モータ、３４：制御回路、３５：処理回
路、３６：基板搬送ロボット。
Claims (6)
- 【請求項１】 基板を保持してステップアンドスキャン
動作によって基板上の複数の露光領域を順次走査露光す
るためのステージと、所定の受取位置まで移動させた前
記ステージから露光後の基板を受け取るための搬送ロボ
ットとを備え、複数の露光領域のうちの最終露光領域で
の露光終了後に前記受取位置まで停止することなく前記
ステージを移動させる制御手段を有することを特徴とす
る走査型露光装置。 - 【請求項２】 前記制御手段は、前記受取位置と前記最
終露光領域の位置関係から前記ステージの加減速動作パ
ターンを求め、求めた加減速動作パターンに従って前記
ステージの移動を制御するものであることを特徴とする
走査型露光装置。 - 【請求項３】 前記制御手段は、前記最終露光領域の露
光終了後から前記受取位置への移動時間を最も短くする
ように、前記ステージの加減速動作パターンを自動的に
計算して求めることを特徴とする請求項１または２記載
の走査型露光装置。 - 【請求項４】 前記制御手段は、前記最終露光領域の走
査露光時に前記ステージの走査方向が前記受取位置に向
かって近付くように前記走査方向を選択し、前記最終露
光領域を露光する前に前記ステージの加減速動作パター
ンを求めることを特徴とする請求項１〜３記載の走査型
露光装置。 - 【請求項５】 前記搬送ロボットが、複数の前記受取位
置で露光後の基板を受け取れるように構成され、前記制
御手段は、前記最終露光領域の走査露光時に前記ステー
ジが向かう方向にある前記受取位置を選択し、前記最終
露光領域を露光する前に前記ステージの加減速動作パタ
ーンを求めることを特徴とする請求項１〜３に記載の走
査型露光装置。 - 【請求項６】 ステージに基板を搭載し、基板上の複数
の露光領域を順次露光位置にステップ移動させ、各露光
位置においてその露光領域上に原板であるマスクの像を
投影光学系を介して走査露光した後に、所定の受取位置
まで前記ステージを移動し、基板搬送ロボットを用いて
ステージから基板を取り出すことを行う露光方法におい
て、複数の露光領域のうちの最終露光領域の露光終了後
に前記受取位置まで停止することなく前記ステージを移
動させることを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11095453A JP2000294479A (ja) | 1999-04-01 | 1999-04-01 | 走査型露光装置およびデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11095453A JP2000294479A (ja) | 1999-04-01 | 1999-04-01 | 走査型露光装置およびデバイス製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000294479A true JP2000294479A (ja) | 2000-10-20 |
Family
ID=14138122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11095453A Pending JP2000294479A (ja) | 1999-04-01 | 1999-04-01 | 走査型露光装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000294479A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1037114A3 (en) * | 1999-03-09 | 2003-07-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Stage control method, exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method |
-
1999
- 1999-04-01 JP JP11095453A patent/JP2000294479A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1037114A3 (en) * | 1999-03-09 | 2003-07-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Stage control method, exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method |
| US6809798B1 (en) | 1999-03-09 | 2004-10-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Stage control method, exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method |
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