JPH11176743A - 露光装置及び露光方法 - Google Patents

露光装置及び露光方法

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JPH11176743A
JPH11176743A JP9363337A JP36333797A JPH11176743A JP H11176743 A JPH11176743 A JP H11176743A JP 9363337 A JP9363337 A JP 9363337A JP 36333797 A JP36333797 A JP 36333797A JP H11176743 A JPH11176743 A JP H11176743A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハのアライメント動作を複数回繰り返す
必要が無くウエハアライメントに掛かる時間を短縮し、
スループットを向上させることができる技術を提供す
る。 【解決手段】 レチクル1上のパターンを感光膜付きの
ウエハ8に投影光学系12を介しパターン転写する露光
装置において、複数のレチクル1、3を搭載するための
複数のレチクルスキャンステージ2、4と、感光膜付き
のウエハ8を搭載するウエハスキャンステージ9とを備
え、前記投影光学系12は、各レチクルスキャンステー
ジ上のレチクルの走査に同期する機能を有する構成とし
た。各レチクルスキャンステージは、レチクルの走査方
向に間隔をおいて配置する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程に
おいて、リソグラフィーにおける半導体基板(以下、ウ
エハ)に対し、露光処理を行う露光装置及び露光方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体製造工程において、リソグ
ラフイーにおける露光装置及び露光方法を図3〜図8を
用いて説明する。
【0003】まず、従来の露光装置の概略図を示す図3
を用いて説明する。露光マスク(以下:レチクル17)
は、レチクル収納部16に複数枚保管して有り、X方向
24、θ方向25に動作させるレチクル搬送X、θ駆動
部18及びZ方向22に動作させるレチクル搬送Z駆動
部19を装備したレチクル搬送部21を有し、この搬送
部によりレチクル収納部16から取り出した、レチクル
17をレチクルスキャンステージ2aに移載し、半導体
基板(以下:ウ工ハ8)を、図示していないウエハ搬送
ロボットにより、ウエハスキャンステージ9に移載す
る。
【0004】従来の露光装置における露光処理の動作概
略を図4を用いて説明する。レチクルスキャンステージ
近傍に装備してあるリニアモータ5cの駆動力により、
レチクルスキャンステージ2a上のレチクル17をY方
向23に走査させる。このとき、ウエハ8に投影される
レチクル像は、照明光学系(イルミネーションオプテイ
クス26)からの照明をレチクル17及びプロジェクシ
ョンレンズ7aを介し、ウエハスキャンステージ9上の
感光膜塗布後のウエハ8に露光処理する際、ウエハスキ
ャンステージ9近傍のリニアモータ5cの駆動力によ
り、レチクル17の走査と同期しながら、Y方向23に
走査露光処理を行う。
【0005】従来の露光装置における2度露光処理の動
作フローについて、図8を用いて説明する。
【0006】従来のロット処理では、ステップSl(以
下、ステップの文字を省略)においてロット処理開始を
実行し、S2.第1ウ工ハ・第1レチクル搬送開始を実
行し、S2.第1レチクルゴミ検査を実行した後、S
4.ゴミ検査OKとなり、S5.第1レチクル搬送継続
を行う。
【0007】S2b.第1レチクル・第1ウエハ搬送終
了となった時点で、S7.第1レチクル・第1ウエハラ
イメント開始を実行する。そして、S8.第1レチクル
・第1ウエハライメントOKとなった時点において、第
1レチクル17を用いたS13.第1レチクル露光処理
開始を実行し、S14.第1レチクル露光処理終了とな
る。
【0008】この第1レチクル露光処理は、ロット全体
(2枚〜50枚)に実施し、ロット全体のS14.第1
レチクル露光処理終了となる。
【0009】次に、S25.第2レチクル・第1ウエハ
搬送開始を実行し、S3.第2レチクルゴミ検査開始を
実行し、S5.ゴミ検査OKとなり、S9.レチクル搬
送継続をした後、S26.第2レチクル・第1ウエハ搬
送終了となる。
【0010】次に、S27.第2レチクル・第1ウエハ
ライメント開始を実行し、S28.第2レチクル・第1
ウエハライメントOKの後、S17.第2レチクル露光
処理開始を実行する。
【0011】これ以下は、第1レチクル露光処理と同様
のシーケンスにて実行し、ロット全てを処理する。S1
8.第2レチクル露光終了となった時点で、次工程であ
るS24.現像工程に流す方式をとる。
【0012】従来の露光方法の多品種少量生産における
ショットマップについて図7を用いて説明する。
【0013】従来の露光装置およぴ露光方法では前述の
様にレチクルスキャンステージには複数枚のレチクルを
搭載することが出来ないため、複数工程の露光処理を処
理する場合、ロットにおけるウエハ8のAパターン41
の露光処理が全て終了した時点で、再度、Bパターン4
2の第2レチクルの露光処理を行う必要があり、ウエハ
交換動作がロットあたり、複数回発生するために、ロッ
トの処理時間が長くなり、多品種少量生産におけるスル
ープットの低下を招いていた。
【0014】クウォータミクロン・サブミクロン等の微
細化が進むにつれ、図5に示すように孤立パターン51
と、繰り返しパターン52の対象線幅54における微細
線幅(約1.8〜2.5μm)において狐立パターンの
DOF53が繰り返しパターン51に比べ、少ないこと
が問題となっている。
【0015】また、図6の様に対象線幅に対する最適露
光量における孤立パターン51と繰り返しパターン52
の最適露光量に差が有り、孤立パターンにおいて露光量
(DOSE55)が少ないことが問題となっているた
め、狐立パターン専用のレチクルを用いた露光処理と繰
り返しパターンのレチクルを用いた露光処理を各々実施
する、いわゆる2度露光プロセスが必要となり、これも
スループットの低下を招いていた。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】前述の従来露光処理装
置では、2度露光プロセスや多品種少量生産におけるス
ループットが従来製品に比べ、約40%程度低下してい
ることが問題となっており、これを改善すべく2度露光
プロセスや多品種少量生産に見合った処理能力をもつ露
光装置のハードウェアの開発が急がれている。
【0017】よって、本発明では、ウエハのアライメン
ト動作を複数回繰り返す必要が無くウエハアライメント
に掛かる時間を短縮し、スループットを向上させること
ができる技術を提供することを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明では、露光マスクであるレチクル上のパター
ンを感光膜付きの基板に投影光学系を介しパターン転写
する露光装置において、レチクルスキャンステージに複
数枚のレチクルを同時あるいは、任意に搭載でき、任意
のレチクルによる露光処理と露光処理中に他のレチクル
にて露光処理可能な機能を有する構成とした。ここで、
孤立パターン露光処理と、繰り返しパターン露光処理と
を、レチクルスキャンステージに対しレチクル交換動作
をすることなく露光処理可能な機能を有する構成とする
こともできる。また、レチクルを用いて複数品種のパタ
ーンを基板に露光処理する際、レチクルスキャンステー
ジに対しレチクル交換動作をすることなく露光処理可能
な機能を有する構成とすることもできる。また、本発明
では、レチクル上のパターンを感光膜付きのウエハに投
影光学系を介しパターン転写する露光装置において、複
数のレチクルを搭載するための複数のレチクルスキャン
ステージと、感光膜付きのウエハを搭載するウエハスキ
ャンステージとを備え、前記投影光学系は、各レチクル
スキャンステージ上のレチクルの走査に同期する機能を
有する構成とした。その場合、各レチクルスキャンステ
ージは、レチクルの走査方向に間隔をおいて配置するこ
ともできる。また、複数のレチクルを、各レチクルスキ
ャンステージに移載可能なレチクル搬送部を備える構成
とすることもできる。さらに、本発明では、レチクル上
のパターンを感光膜付きのウエハに投影光学系を介しパ
ターン転写する露光方法において、感光膜付きのウエハ
を搭載するウエハスキャンステージの上方に複数のレチ
クルスキャンステージを配置し、各レチクルスキャンス
テージにパターンの異なるレチクルを搭載し、各レチク
ルによる露光処理を終えた後に、ウエハスキャンステー
ジ上のウエハを交換する方法を採用した。その場合、各
レチクルスキャンステージを、レチクルの走査方向に間
隔をおいて配置することもできる。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について、添付の図1及び図2を参照して説明する。図
1は、本発明の実施の形態に係る露光装置の部分外観
図、図2は露光方法のフロー図である。
【0020】図1において、レチクル17は、レチクル
収納部16に複数枚保管して有り、X方向24、θ方向
25、Y方向23、及びZ方向22に駆動可能な機構を
装備し、第1レチクル交換位置15、及び第2レチクル
交換位置6なる位置を持ち、これらのエリアを許容可能
なレチクル搬送部21と、リニアモータ1(5a)の駆
動系により動作する第1レチクルスキャンステージ2及
びリニアモータ2(5b)の駆動系により動作する第2
レチクルスキャンステージ4とが独立動作可能である特
徴を持つ機構と、露光処理せしめる感光膜付きウエハ8
を保持するウエハスキャンステージ9と、ウエハスキヤ
ンステージ9を駆動せしめるYリニアモータ+Yガイド
10、及びXリニアモータ+Xガイド11と、投影露光
処理に必要な露光用の光源ユニット(エキシマレーザ
ー)12と、反射ミラー13と、レンズ7とを具備す
る。
【0021】ウエハスキャンステージ9は、図示してい
ない搬送系を用い、キャリアから移載されたウエハ8を
真空保持し、ウエハスキャンステージ9の近傍にある、
Yリニアモータ十Yガイド10と、Xリニアモータ+X
ガイド11を用いて、Y方向23に走査及びX方向24
に移動可能な機構を具備している。
【0022】本露光装置には露光処理に必要な露光光源
(エキシマレーザー)12を具備し、露光光路14のよ
うに露光光を第1レチクル1及び第2レチクル3を介し
てウエハスキャンステージ9上のレジスト付きウエハ8
に対し、第1レチクル1あるいは第2レチクル3の走査
動作に同期しウエハスキャンステージに露光処理を行う
機構を具備している。なお、走査露光処理方法は従来と
同様である。
【0023】次に、本実施の形態に係る露光装置を用い
た露光方法を、図2のフロー図を参照して説明する。
【0024】まず、Sl.ロット処理開始より、S2.
第1レチクル・第1ウエハ搬送開始を実行し、S3.第
1レチクルゴミ検査開始を実行し、良好であればS4.
レチクル搬送継続を実行する。このとき、NGの場合
は、S30.処理中断を実行する。
【0025】次に、第1レチクル1を第1レチクルスキ
ャンステージ2の第1レチクル交換位置15において移
載する。このとき、第2レチクル3は、第1レチクル1
のS3.ゴミ検査OKの後、S9.第2レチクル搬送開
始を実行する。S10.第2レチクルゴミ検査開始を実
行した後、S5.ゴミ検査OKで有れば、第2レチクル
交換位置6において第2レチクルの同時移載を実行す
る。この時、第1レチクル1の搬送シーケンスが進むと
同時に第1ウエハ8は、図示していない専用の搬送系を
用い、ウエハスキャンステージ9に移載される。
【0026】次に、第1レチクルスキャンステージ2及
び第2レチクルスキャンステージ6近傍に装備してある
リニアモータ1(5a)の駆動力により第1レチクルス
キャンステージ2上の第1レチクル1をY方向23に走
査させ、ウエハスキャンステージ9上のウエハ8はYリ
ニアモータ+Yガイド10及びXリニアモータ+Xガイ
ド11からX方向24及びY方向23に動作させ、S
7.第1レチクル・第1ウエハライメント開始を実行す
る。
【0027】S8.アライメント結果OKで有れば、第
1レチクル1を第1レチクル近傍にあるリニアモータ1
の駆動力により走査動作させると同時に、感光膜付きウ
エハ8に対し、ウエハスキャンステージ9近傍にあるY
リニアモータ+Yガイド10を用いて、Y方向23に走
査させ、S13.第1レチクル露光処理開始を実行す
る。
【0028】1ショットの露光処理が終了した時点で、
次ショットの露光位置にXリニアモータ+Xガイド11
を用いX方向24に移動しながらステッピング露光処理
を行う。
【0029】第1ウエハ面内の全てのS14.第1レチ
クル露光処理終了となった後、S15.第2レチクルア
ライメント開始を実行し、S16.第2レチクルアライ
メントOKで有れば、第2レチクルスキャンステージ4
に移載された第2レチクル3を第2レチクルスキャンス
テージ4近傍に装備してあるリニアモータ2(5b)の
駆動力により、第2レチクル3をY方向23に走査さ
せ、これと同期させて、前記第1レチクル露光処理と同
様にS17.第2レチクル露光処理開始を実行する。
【0030】第1ウエハ面内の全てのS18.第2レチ
クル露光処理終了となった時点で、S19.第2ウエハ
交換開始を実行し、交換を終了した後、S21.第2ウ
エハライメント開始を実行し、S22.第2ウエハライ
メントOKであれば、S13.第1レチクル露光処理開
始を実行する。
【0031】第1レチクル1のウエハ8面内の全てのS
14.第1レチクル露光処理終了となった時点で、S1
7.第2レチクル露光処理開始を実行し、第2レチクル
3のウエハ面内の第2レチクル露光処理終了となった時
点で、次ウエハのアライメント処理を実施する。
【0032】以降は第1レチクル露光処理及び第2レチ
クル露光処理を繰り返し、最終ウ工ハのS18.第2レ
チクル露光処理終了となった時点で、S23.ロット処
理が終了し、次工程であるS24.現像工程に流す方式
をとる。
【0033】以上の動作シーケンスにより、従来、第1
レチクル露光処理及び第2レチクル処理にて行われてい
た、ウエハのアライメント動作を複数回繰り返す必要が
無くウエハアライメントに掛かる時間が短縮される為、
本装置使用によるスループットが約40%程度向上する
効果を有する。
【0034】
【発明の効果】このように本発明では、2度露光プロセ
スや多品種少量生産に見合った、ウエハ1枚あたりに複
数回露光処理可能な複数レチクルを複数レチクルスキャ
ンステージ上に装備することにより、複数レイヤーの露
光処理をウエハの交換をすることなく実施可能であるた
め、生産能力が約40%程度向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る露光装置を示す要部
の概観図である。
【図2】本発明の実施の形態に係る露光方法を示す動作
フロー図である。
【図3】従来の露光装置を示す概観図である。
【図4】従来の露光装置を示す概観図である。
【図5】従来の露光方法における対象線幅による焦点深
度を示す図である。
【図6】従来の露光方法における対象線幅による最適露
光量を示す図である。
【図7】従来の露光方法の多品種少量生産におけるショ
ットマップ図である。
【図8】従来の露光方法を示す動作フロー図である。
【符号の説明】 1 第1レチクル 2 第1レチクルスキャンステージ 2a レチクルスキャンステージ 3 第2レチクル 4 第2レチクルスキャンステージ 5a リニアモータ1 5b リニアモータ2 5c リニアモータ 6 第2レチクル交換位置 7 レンズ 7a プロジェクションレンズ 8 ウエハ 9 ウエハスキャンステージ 10 Yリニアモータ+Yガイド 11 Xリニアモータ+Xガイド 12 露光光源(エキシマレーザー) 13 反射ミラー 14 露光光路 15 第1レチクル交換位置 16 レチクル収納部 17 レチクル 18 レチクル搬送X、θ駆動部 19 レチクル搬送Z駆動部 20 レチクル搬送Y駆動部 21 レチクル般送部 22 Z方向 23 Y方向 24 X方向 25 θ方向 26 イルミネーションオプティクス 41 Aパターン 42 Bパターン 51 孤立パターン 52 繰り返しパターン 53 DOF 54 対象線幅 55 DOSE Sl ロット処理開始 S2 第1レチクル・第1ウエハ搬送開始 S2b 第1レチクル・第1ウエハ放送終了 S3 第1レチクルゴミ検査開始 S4 第1レチクル搬送継続 S5 ゴミ検査OK S6 第1レチクル搬送終了 S7 第1レチクル・第1ウエハアライメント開始 S8 第1レチクル・第1ウエハアライメント結果OK S9 第2レチクル搬送開始 Sl0 第2レチクルゴミ検査開始 Sll 第2レチクル搬送継続 S12 第2レチクル搬送終了 S13 第1レチクル露光処理開始 S14 第1レチクル露光処理終了 S15 第2レチクルアライメント開始 S16 第2レチクルアライメントOK S17 第2レチクル露光処理開始 S18 第2レチクル露光処理終了 S19 第2ウエハ交換開始 S20 第2ウエハ交換終了 S21 第2ウエハライメント開始 S22 第2ウエハライメントOK S23 ロット処理終了 S24 現像工程 S25 第2レチクル・第1ウエハ搬送開始 S26 第2レチクル・第1ウエハ搬送終了 S27 第2レチクル・第1ウエハライメント開始 S28 第2レチクル・第1ウエハライメントOK S30 処理中断

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 露光マスクであるレチクル上のパターン
    を感光膜付きの基板に投影光学系を介しパターン転写す
    る露光装置において、レチクルスキャンステージに複数
    枚のレチクルを同時あるいは、任意に搭載でき、任意の
    レチクルによる露光処理と露光処理中に他のレチクルに
    て露光処理可能な機能を有することを特徴とする露光装
    置。
  2. 【請求項2】 孤立パターン露光処理と、繰り返しパタ
    ーン露光処理とを、レチクルスキャンステージに対しレ
    チクル交換動作をすることなく露光処理可能な機能を有
    することを特徴とする請求項1記載の露光装置。
  3. 【請求項3】 レチクルを用いて複数品種のパターンを
    基板に露光処理する際、レチクルスキャンステージに対
    しレチクル交換動作をすることなく露光処理可能な機能
    を有することを特徴とする、請求項1記載の露光装置。
  4. 【請求項4】 レチクル上のパターンを感光膜付きのウ
    エハに投影光学系を介しパターン転写する露光装置にお
    いて、複数のレチクルを搭載するための複数のレチクル
    スキャンステージと、感光膜付きのウエハを搭載するウ
    エハスキャンステージとを備え、前記投影光学系は、各
    レチクルスキャンステージ上のレチクルの走査に同期す
    る機能を有することを特徴とする、露光装置。
  5. 【請求項5】 各レチクルスキャンステージは、レチク
    ルの走査方向に間隔をおいて配置してあることを特徴と
    する、請求項4記載の露光装置。
  6. 【請求項6】 前記複数のレチクルを、各レチクルスキ
    ャンステージに移載可能なレチクル搬送部を備えること
    を特徴とする、請求項4又は5記載の露光装置。
  7. 【請求項7】 レチクル上のパターンを感光膜付きのウ
    エハに投影光学系を介しパターン転写する露光方法にお
    いて、感光膜付きのウエハを搭載するウエハスキャンス
    テージの上方に複数のレチクルスキャンステージを配置
    し、各レチクルスキャンステージにパターンの異なるレ
    チクルを搭載し、各レチクルによる露光処理を終えた後
    に、ウエハスキャンステージ上のウエハを交換すること
    を特徴とする、露光方法。
  8. 【請求項8】 各レチクルスキャンステージを、レチク
    ルの走査方向に間隔をおいて配置することを特徴とす
    る、請求項7記載の露光方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003068620A (ja) * 2001-08-28 2003-03-07 Sendai Nikon:Kk 露光装置
JP2008218769A (ja) * 2007-03-06 2008-09-18 Nikon Corp マスク保持装置、マスク調整方法、露光装置及び露光方法
US9182683B2 (en) 2011-02-22 2015-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic projection method

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