JP2000294504A5 - - Google Patents
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
トポグラフィーを有する基体上にフォトレジストレリーフイメージを形成する方法であって、
（ａ）約８，０００以下の分子量（Ｍｗ）を有するポリマーを含む反射防止組成物の層を基体上に適用し、
（ｂ）該反射防止組成物層の上にフォトレジスト組成物の層を適用し、および
（ｃ）活性化放射線によりフォトレジスト層を露光し、露光したフォトレジスト層を現像する、
ことを含む、フォトレジストレリーフイメージを形成する方法。
【請求項２】
反射防止層がフォトレジスト組成物層を適用する前に熱硬化されている請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ポリマーが、約６，０００以下の分子量（Ｍｗ）である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ポリマーが、約５，０００以下の分子量（Ｍｗ）である請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ポリマーが、約３，０００以下の分子量（Ｍｗ）である請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ポリマーが、アントラセニル単位または、フェニル単位を含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
反射防止組成物が、シリコンの局部酸化手順により形成され、０．８ミクロンの幅および２ミクロンの中間点深さであるスロープ形状を有するステップに対して約０．５０以上の平坦度を示す請求項１に記載の方法。
【請求項８】
反射防止組成物が架橋剤化合物をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
反射防止組成物が可塑剤化合物をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
可塑剤化合物が、非ポリマー状化合物である請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
可塑剤化合物が、フェニルまたはベンジル置換のアントラセン化合物；複数のアリール置換基を有する化合物；またはフェノール系化合物である請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
可塑剤化合物が、約２，０００以下の分子量（Ｍｗ）を有するオリゴマーである請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
反射防止組成物が、反射防止組成物の実質的な架橋が生じる温度よりも低いＴｇを有する樹脂を含んでいる請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
反射防止組成物を適用した後、反射防止組成物を反射防止組成物の実質的な架橋が起こらないがおおむね樹脂のＴｇに加熱する請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
トポグラフィーを有する基体上にフォトレジストレリーフイメージを形成する方法であって、
（ａ）可塑剤化合物を含む反射防止組成物の層を基体上に適用し、
（ｂ）該反射防止組成物層の上にフォトレジスト組成物の層を適用し、および
（ｃ）活性化放射線によりフォトレジスト層を露光し、露光されたフォトレジスト層を現像する
ことを含む、フォトレジストレリーフイメージの形成方法。
【請求項１６】
トポグラフィーを有する基体上にフォトレジストレリーフイメージを形成する方法であって、
（ａ）可塑剤化合物を含む反射防止組成物の実質的な架橋を生ずる温度より低いＴｇを有する樹脂を含む反射防止組成物の層を基体上に適用し、および
（ｂ）該反射防止組成物層の上にフォトレジスト組成物の層を適用し、
（ｃ）活性化放射線によりフォトレジスト層を露光し、露光されたフォトレジスト層を現像する
ことを含む、フォトレジストレリーフイメージの形成方法。
【請求項１７】
トポグラフィーを有する基体上にフォトレジストレリーフイメージを形成する方法であって、
（ａ）反射防止組成物の実質的な架橋を生ずる温度より低いＴｇを有する樹脂を含む架橋性反射防止組成物の層を基体上に適用し、
（ｂ）該反射防止組成物層を、反射防止組成物の実質的な架橋を生じないが、少なくともおおむね該樹脂のＴｇに加熱し、
（ｃ）該反射防止組成物層の上にフォトレジスト組成物の層を適用し、および
（ｄ）活性化放射線によりフォトレジスト層を露光し、露光されたフォトレジスト層を現像する
ことを含む、フォトレジストレリーフイメージの形成方法。
【請求項１８】
上塗りされるフォトレジストと共に用いられる反射防止被覆組成物であって、１またはそれ以上の
（１）約８，０００以下の分子量（Ｍｗ）を有するポリマー、
（２）可塑剤、および
（３）組成物の実質的な架橋を生ずる温度より低いＴｇを有する樹脂、
を含む組成物。
【請求項１９】
ポリマーまたは樹脂が、アクリレート単位を含む請求項１８に記載の反射防止被覆組成物。
【請求項２０】
被覆された基体であって、
（１）請求項１７に記載の反射防止組成物の被覆層；および
（２）フォトレジストの被覆層
をその上に有する基体。
【請求項２１】
基体が、マイクロエレクトロニックウェーハ基体である請求項２０の被覆された基体。
【請求項２２】
基体が、フラットパネルディスプレイ基体である請求項２０に記載の被覆された基体。
【請求項１】
トポグラフィーを有する基体上にフォトレジストレリーフイメージを形成する方法であって、
（ａ）約８，０００以下の分子量（Ｍｗ）を有するポリマーを含む反射防止組成物の層を基体上に適用し、
（ｂ）該反射防止組成物層の上にフォトレジスト組成物の層を適用し、および
（ｃ）活性化放射線によりフォトレジスト層を露光し、露光したフォトレジスト層を現像する、
ことを含む、フォトレジストレリーフイメージを形成する方法。
【請求項２】
反射防止層がフォトレジスト組成物層を適用する前に熱硬化されている請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ポリマーが、約６，０００以下の分子量（Ｍｗ）である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ポリマーが、約５，０００以下の分子量（Ｍｗ）である請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ポリマーが、約３，０００以下の分子量（Ｍｗ）である請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ポリマーが、アントラセニル単位または、フェニル単位を含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
反射防止組成物が、シリコンの局部酸化手順により形成され、０．８ミクロンの幅および２ミクロンの中間点深さであるスロープ形状を有するステップに対して約０．５０以上の平坦度を示す請求項１に記載の方法。
【請求項８】
反射防止組成物が架橋剤化合物をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
反射防止組成物が可塑剤化合物をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
可塑剤化合物が、非ポリマー状化合物である請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
可塑剤化合物が、フェニルまたはベンジル置換のアントラセン化合物；複数のアリール置換基を有する化合物；またはフェノール系化合物である請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
可塑剤化合物が、約２，０００以下の分子量（Ｍｗ）を有するオリゴマーである請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
反射防止組成物が、反射防止組成物の実質的な架橋が生じる温度よりも低いＴｇを有する樹脂を含んでいる請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
反射防止組成物を適用した後、反射防止組成物を反射防止組成物の実質的な架橋が起こらないがおおむね樹脂のＴｇに加熱する請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
トポグラフィーを有する基体上にフォトレジストレリーフイメージを形成する方法であって、
（ａ）可塑剤化合物を含む反射防止組成物の層を基体上に適用し、
（ｂ）該反射防止組成物層の上にフォトレジスト組成物の層を適用し、および
（ｃ）活性化放射線によりフォトレジスト層を露光し、露光されたフォトレジスト層を現像する
ことを含む、フォトレジストレリーフイメージの形成方法。
【請求項１６】
トポグラフィーを有する基体上にフォトレジストレリーフイメージを形成する方法であって、
（ａ）可塑剤化合物を含む反射防止組成物の実質的な架橋を生ずる温度より低いＴｇを有する樹脂を含む反射防止組成物の層を基体上に適用し、および
（ｂ）該反射防止組成物層の上にフォトレジスト組成物の層を適用し、
（ｃ）活性化放射線によりフォトレジスト層を露光し、露光されたフォトレジスト層を現像する
ことを含む、フォトレジストレリーフイメージの形成方法。
【請求項１７】
トポグラフィーを有する基体上にフォトレジストレリーフイメージを形成する方法であって、
（ａ）反射防止組成物の実質的な架橋を生ずる温度より低いＴｇを有する樹脂を含む架橋性反射防止組成物の層を基体上に適用し、
（ｂ）該反射防止組成物層を、反射防止組成物の実質的な架橋を生じないが、少なくともおおむね該樹脂のＴｇに加熱し、
（ｃ）該反射防止組成物層の上にフォトレジスト組成物の層を適用し、および
（ｄ）活性化放射線によりフォトレジスト層を露光し、露光されたフォトレジスト層を現像する
ことを含む、フォトレジストレリーフイメージの形成方法。
【請求項１８】
上塗りされるフォトレジストと共に用いられる反射防止被覆組成物であって、１またはそれ以上の
（１）約８，０００以下の分子量（Ｍｗ）を有するポリマー、
（２）可塑剤、および
（３）組成物の実質的な架橋を生ずる温度より低いＴｇを有する樹脂、
を含む組成物。
【請求項１９】
ポリマーまたは樹脂が、アクリレート単位を含む請求項１８に記載の反射防止被覆組成物。
【請求項２０】
被覆された基体であって、
（１）請求項１７に記載の反射防止組成物の被覆層；および
（２）フォトレジストの被覆層
をその上に有する基体。
【請求項２１】
基体が、マイクロエレクトロニックウェーハ基体である請求項２０の被覆された基体。
【請求項２２】
基体が、フラットパネルディスプレイ基体である請求項２０に記載の被覆された基体。
本発明の第一の態様では、反射防止組成物は、比較的低い分子量ポリマー、例えば約８，０００ダルトン以下の分子量（Ｍｗ）、さらに好ましくは約７，０００、６，０００または５，０００ダルトン以下の分子量（Ｍｗ）を有するポリマー、を含む樹脂バインダー成分を含むものである。約４，０００、３，０００または２，０００ダルトン以下の分子量（Ｍｗ）を有するポリマー又はオリゴマーもまた本発明の平坦化ＡＲＣｓに有用である。一般的に、本発明のこの態様においては、低分子量樹脂は少なくとも約１，０００又は１，５００ダルトンの分子量（Ｍｗ）を有する。しばしばアクリレート単位を有する樹脂が好ましい。
本発明の更なる態様としては、平坦化ＡＲＣｓは比較的に低分子量の可塑剤化合物を含んでいる。本発明のＡＲＣ組成物の可塑剤化合物としては、さまざまなオリゴマーを使用できるが、非ポリマー状化合物が好ましい。本発明のＡＲＣｓに使用される可塑剤は、典型的には、約２，０００又は１，５００ダルトン以下の分子量を有する。より好ましくは、約１，０００、８００又は５００ダルトン以下の分子量を有する。好ましい可塑剤はまた、リソグラフィ処理の間に比較的非揮発性であるのに十分な分子量を有する。例えば、少なくとも約１５０又は２００ダルトン、及び／また 約１６０℃、より好ましくは約１８０℃又は約２００℃より高い沸点を有する。
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