JP2000294521A - 電子素子の製造方法 - Google Patents
電子素子の製造方法Info
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- JP2000294521A JP2000294521A JP10331599A JP10331599A JP2000294521A JP 2000294521 A JP2000294521 A JP 2000294521A JP 10331599 A JP10331599 A JP 10331599A JP 10331599 A JP10331599 A JP 10331599A JP 2000294521 A JP2000294521 A JP 2000294521A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上に分離層を介して形成された素子層か
ら、各電子素子を分離・切断する場合において、各電子
素子の切断面にバリが発生することのない電子素子の製
造方法を提供すること。また、各電子素子を切断する際
に電子素子が離散することのない電子素子の製造方法を
提供することにある。 【解決手段】 基板12上に分離層14を介して素子層
16が形成された素子板10から、素子要素50aが半
切り溝30でつながっているデバイスシート26として
素子層16を分離し、これを粘着テープ32上に貼り付
ける。次に、デバイスシート26に形成された半切り溝
30の上方及び下方に、それぞれ、2枚刃の分断治具3
4及び単刃の分断治具36を配置する。さらに、単刃の
分断治具36を半切り溝30に沿って上方に押し上げる
ことにより、デバイスシート26を半切り溝30に沿っ
て分断し、電子素子50を得る。
ら、各電子素子を分離・切断する場合において、各電子
素子の切断面にバリが発生することのない電子素子の製
造方法を提供すること。また、各電子素子を切断する際
に電子素子が離散することのない電子素子の製造方法を
提供することにある。 【解決手段】 基板12上に分離層14を介して素子層
16が形成された素子板10から、素子要素50aが半
切り溝30でつながっているデバイスシート26として
素子層16を分離し、これを粘着テープ32上に貼り付
ける。次に、デバイスシート26に形成された半切り溝
30の上方及び下方に、それぞれ、2枚刃の分断治具3
4及び単刃の分断治具36を配置する。さらに、単刃の
分断治具36を半切り溝30に沿って上方に押し上げる
ことにより、デバイスシート26を半切り溝30に沿っ
て分断し、電子素子50を得る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子素子の製造方
法に関し、更に詳しくは、接触型薄膜磁気ヘッド、各種
センサー等、複数の薄膜を積層することにより得られ、
薄膜の状態で使用する電子素子の製造方法に関するもの
である。
法に関し、更に詳しくは、接触型薄膜磁気ヘッド、各種
センサー等、複数の薄膜を積層することにより得られ、
薄膜の状態で使用する電子素子の製造方法に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】電子工業分野、光学分野においては、基
板上に複数の薄膜を積層し、これを分割する方法により
製造される各種の電子素子が使用されている。集積回
路、太陽電池、発光ダイオード、レーザーダイオード、
光集積回路、エアスライダを備えた浮上型磁気ヘッド、
接触型の薄膜磁気ヘッド等がその一例である。
板上に複数の薄膜を積層し、これを分割する方法により
製造される各種の電子素子が使用されている。集積回
路、太陽電池、発光ダイオード、レーザーダイオード、
光集積回路、エアスライダを備えた浮上型磁気ヘッド、
接触型の薄膜磁気ヘッド等がその一例である。
【0003】ところで、薄膜を積層することにより得ら
れる電子素子は、通常、大きさが極めて小さく、取り扱
いに困難を伴う場合が多い。従って、得られた電子素子
を効率的に各種電子機器に組み込むためには、基板から
各電子素子を正確に切り出すと共に、切り出された各電
子素子の離散を防止して、後工程に供する必要がある。
この問題を解決するために、従来から、各種の方法が提
案されている。
れる電子素子は、通常、大きさが極めて小さく、取り扱
いに困難を伴う場合が多い。従って、得られた電子素子
を効率的に各種電子機器に組み込むためには、基板から
各電子素子を正確に切り出すと共に、切り出された各電
子素子の離散を防止して、後工程に供する必要がある。
この問題を解決するために、従来から、各種の方法が提
案されている。
【0004】例えば、特開平5−41451号公報に
は、ダイシングテープ上に装着された半導体ウエハをフ
ルカットダイシングし、次いで、ダイシングテープを2
次元方向に延伸させ、ダイシングされた個々の半導体チ
ップの間隔を引き離すことにより、ダイボンディング時
のピックアップ作業性を向上させた半導体ウエハのダイ
シング方法が開示されている。
は、ダイシングテープ上に装着された半導体ウエハをフ
ルカットダイシングし、次いで、ダイシングテープを2
次元方向に延伸させ、ダイシングされた個々の半導体チ
ップの間隔を引き離すことにより、ダイボンディング時
のピックアップ作業性を向上させた半導体ウエハのダイ
シング方法が開示されている。
【0005】また、特開平6−29388号公報には、
ブレーク用の溝が形成されたウエハをテープ上に貼り付
け、テープに対して張力を加えながら、ローラでウエハ
をブレークするウエハーブレーキング・分離方法が開示
されている。
ブレーク用の溝が形成されたウエハをテープ上に貼り付
け、テープに対して張力を加えながら、ローラでウエハ
をブレークするウエハーブレーキング・分離方法が開示
されている。
【0006】さらに、特開平6−153443号公報に
は、薄膜素子部を形成した基板を切断して棒状の研磨加
工バーに加工した後、機械加工及びレーザ加工により研
磨加工バーの表面に溝を形成し、さらに、研磨加工バー
を幅方向に切断することによりスライダーチップとする
薄膜磁気ヘッドの製造方法が開示されている。
は、薄膜素子部を形成した基板を切断して棒状の研磨加
工バーに加工した後、機械加工及びレーザ加工により研
磨加工バーの表面に溝を形成し、さらに、研磨加工バー
を幅方向に切断することによりスライダーチップとする
薄膜磁気ヘッドの製造方法が開示されている。
【0007】また、上述した分離・切断方法が適用され
る電子素子は、いずれも、基板上に薄膜を積層し、素子
部を基板に密着させた状態で使用するものであるが、薄
膜技術を用いて作製される電子素子の中には、基板上に
成膜された薄膜素子を、基板から分離した状態で使用さ
れるものがある。接触パッドを備えた接触型の薄膜磁気
ヘッドがその一例である。
る電子素子は、いずれも、基板上に薄膜を積層し、素子
部を基板に密着させた状態で使用するものであるが、薄
膜技術を用いて作製される電子素子の中には、基板上に
成膜された薄膜素子を、基板から分離した状態で使用さ
れるものがある。接触パッドを備えた接触型の薄膜磁気
ヘッドがその一例である。
【0008】接触型の薄膜磁気ヘッドに代表されるこの
種の電子素子は、一般に、分離層(接着層ともいう。)
を介して基板上に形成されているので、湿式エッチング
法を用いて分離層を溶解し、基板から電子素子を分離さ
せる必要がある。しかしながら、分離層の厚さは、基板
の直径に比して極めて薄いので、複数の電子素子を含む
素子層が形成された基板をそのままエッチング液に浸漬
しても、分離層が溶解するのは基板の外周近傍のみであ
る。そのため、この方法では、電子素子を基板から分離
するのは事実上困難である。
種の電子素子は、一般に、分離層(接着層ともいう。)
を介して基板上に形成されているので、湿式エッチング
法を用いて分離層を溶解し、基板から電子素子を分離さ
せる必要がある。しかしながら、分離層の厚さは、基板
の直径に比して極めて薄いので、複数の電子素子を含む
素子層が形成された基板をそのままエッチング液に浸漬
しても、分離層が溶解するのは基板の外周近傍のみであ
る。そのため、この方法では、電子素子を基板から分離
するのは事実上困難である。
【0009】一方、素子層に形成された電子素子の全て
の境界線に沿って、少なくとも分離層に達する切り込み
を入れたり、あるいは、基板ごとフルカットダイシング
又はローラブレイクし、これをエッチング液に浸漬すれ
ば、エッチング液の拡散距離が短くなるために、分離層
の溶解が容易となり、電子素子を基板から分離すること
が可能となる。しかしながら、この方法では、分離した
個々の電子素子がエッチング液の中で完全に離散し、取
り扱いが煩雑になるという問題がある。
の境界線に沿って、少なくとも分離層に達する切り込み
を入れたり、あるいは、基板ごとフルカットダイシング
又はローラブレイクし、これをエッチング液に浸漬すれ
ば、エッチング液の拡散距離が短くなるために、分離層
の溶解が容易となり、電子素子を基板から分離すること
が可能となる。しかしながら、この方法では、分離した
個々の電子素子がエッチング液の中で完全に離散し、取
り扱いが煩雑になるという問題がある。
【0010】また、基板を棒状の加工バーに切断し、加
工バーの状態でエッチング液に浸漬すれば、加工バーの
幅方向から分離層の溶解が進行するので、素子層の分離
が容易となる。しかも、分離した素子層は、短冊状であ
るので、取り扱いも比較的容易である。しかしながら、
得られた短冊状の素子層は、複数の電子素子が1列につ
ながった状態になっている。そのため、分離した短冊状
の素子層を適当な接着手段を用いて固定治具に固定し、
幅方向に切断するための工程が別途必要となり、製造工
程が煩雑になるという問題がある。
工バーの状態でエッチング液に浸漬すれば、加工バーの
幅方向から分離層の溶解が進行するので、素子層の分離
が容易となる。しかも、分離した素子層は、短冊状であ
るので、取り扱いも比較的容易である。しかしながら、
得られた短冊状の素子層は、複数の電子素子が1列につ
ながった状態になっている。そのため、分離した短冊状
の素子層を適当な接着手段を用いて固定治具に固定し、
幅方向に切断するための工程が別途必要となり、製造工
程が煩雑になるという問題がある。
【0011】そこで、特開平10−3615号公報に
は、素子層の表面から分離層に達する深さの全切り溝を
複数条平行的に形成し、かつ、素子層の厚みのほぼ中間
の深さの半切り溝を全切り溝とは交差する状態で複数条
形成し、エッチング液により分離層を溶解した後、半切
り溝に沿って分断することにより電子素子を得る、電子
素子の製造方法が本件出願人により提案されている。
は、素子層の表面から分離層に達する深さの全切り溝を
複数条平行的に形成し、かつ、素子層の厚みのほぼ中間
の深さの半切り溝を全切り溝とは交差する状態で複数条
形成し、エッチング液により分離層を溶解した後、半切
り溝に沿って分断することにより電子素子を得る、電子
素子の製造方法が本件出願人により提案されている。
【0012】特開平10−3615号公報に提案された
方法によれば、素子層に形成した全切り溝を通してエッ
チング液が分離層に供給されるので、分離層の溶解が容
易になるという利点がある。また、各素子要素は、半切
り溝でつながった状態になっているので、素子要素相互
の離散を防止でき、取り扱いが容易化されるという利点
がある。さらに、分離した素子層を半切り溝に沿って分
断するだけで多数の電子素子が同時に得られ、製造工程
が簡略化されるという利点がある。
方法によれば、素子層に形成した全切り溝を通してエッ
チング液が分離層に供給されるので、分離層の溶解が容
易になるという利点がある。また、各素子要素は、半切
り溝でつながった状態になっているので、素子要素相互
の離散を防止でき、取り扱いが容易化されるという利点
がある。さらに、分離した素子層を半切り溝に沿って分
断するだけで多数の電子素子が同時に得られ、製造工程
が簡略化されるという利点がある。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、薄膜技
術を用いて作製される電子素子は、通常、複数の薄膜が
段階的に積層された多層構造を呈している。一般に、複
数の薄膜を段階的に積層した場合、上層に位置する薄膜
ほど、密度が低くなる傾向にある。また、基板上に形成
された素子層に半切り溝を形成する場合、半切り溝の深
さを一定に保つことが難しく、通常、数μm〜十数μm
程度の誤差が生ずる。
術を用いて作製される電子素子は、通常、複数の薄膜が
段階的に積層された多層構造を呈している。一般に、複
数の薄膜を段階的に積層した場合、上層に位置する薄膜
ほど、密度が低くなる傾向にある。また、基板上に形成
された素子層に半切り溝を形成する場合、半切り溝の深
さを一定に保つことが難しく、通常、数μm〜十数μm
程度の誤差が生ずる。
【0014】そのため、全切り溝及び半切り溝が互いに
交差するように形成された素子層を基板から分離し、半
切り溝に沿って各電子素子を分断する方法を用いる場合
において、図7(a)に示すように、素子層16に形成
した半切り溝30に沿って単に曲げモーメントMを作用
させると、半切り溝30の深さ精度によっては、図7
(b)に示すように、積層された薄膜16a、16b…
の界面に沿って亀裂が伝搬し、切断面にバリ17が発生
する場合があるという問題がある。
交差するように形成された素子層を基板から分離し、半
切り溝に沿って各電子素子を分断する方法を用いる場合
において、図7(a)に示すように、素子層16に形成
した半切り溝30に沿って単に曲げモーメントMを作用
させると、半切り溝30の深さ精度によっては、図7
(b)に示すように、積層された薄膜16a、16b…
の界面に沿って亀裂が伝搬し、切断面にバリ17が発生
する場合があるという問題がある。
【0015】また、基板から分離された素子層16は、
その厚さが数十μm〜百μm程度であり、極めて弾力性
に富んでいる。そのため、素子層16の保持が不十分で
あると、半切り溝30に沿って力を加えた時に素子層1
6が撓み、半切り溝30に沿って割れた瞬間に、分断さ
れた電子素子が飛散するという問題がある。
その厚さが数十μm〜百μm程度であり、極めて弾力性
に富んでいる。そのため、素子層16の保持が不十分で
あると、半切り溝30に沿って力を加えた時に素子層1
6が撓み、半切り溝30に沿って割れた瞬間に、分断さ
れた電子素子が飛散するという問題がある。
【0016】本発明が解決しようとする課題は、基板上
に分離層を介して形成された素子層から、電子素子を分
離・切断する場合において、電子素子の切断面における
バリの発生を抑制することが可能な電子素子の製造方法
を提供することにある。
に分離層を介して形成された素子層から、電子素子を分
離・切断する場合において、電子素子の切断面における
バリの発生を抑制することが可能な電子素子の製造方法
を提供することにある。
【0017】また、本発明が解決しようとする他の課題
は、基板上に分離層を介して形成された素子層から、電
子素子を分離・切断する場合において、分離・切断され
た電子素子の離散を防止し、これによって電子素子のピ
ックアップ作業性を容易化することが可能な電子素子の
製造方法を提供することにある。
は、基板上に分離層を介して形成された素子層から、電
子素子を分離・切断する場合において、分離・切断され
た電子素子の離散を防止し、これによって電子素子のピ
ックアップ作業性を容易化することが可能な電子素子の
製造方法を提供することにある。
【0018】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明に係る電子素子の製造方法は、基板上に分離層
を介して、複数の素子要素を含み、かつ、薄膜の積層体
からなる素子層が形成された素子板を作製する素子板作
製工程と、前記素子板に対し、前記素子層の表面から前
記分離層に達する複数の全切り溝と前記素子層の内部で
止まる複数の半切り溝とを形成することにより、前記素
子層を、前記複数の素子要素が前記半切り溝を介して連
結している複数の短冊要素が、少なくともその一端にお
いて並列に連結しているシートに区分する溝形成工程
と、前記分離層を除去し、前記シートを前記基板から分
離する分離工程と、前記シートを粘着テープに貼り付け
る貼付工程と、前記シートの一方の面であって、前記半
切り溝が形成された面から前記半切り溝の両側を支持
し、前記シートの他方の面から前記半切り溝に沿って押
圧することにより、前記シートを前記半切り溝に沿って
分断する分断工程とを備えていることを要旨とするもの
である。
に本発明に係る電子素子の製造方法は、基板上に分離層
を介して、複数の素子要素を含み、かつ、薄膜の積層体
からなる素子層が形成された素子板を作製する素子板作
製工程と、前記素子板に対し、前記素子層の表面から前
記分離層に達する複数の全切り溝と前記素子層の内部で
止まる複数の半切り溝とを形成することにより、前記素
子層を、前記複数の素子要素が前記半切り溝を介して連
結している複数の短冊要素が、少なくともその一端にお
いて並列に連結しているシートに区分する溝形成工程
と、前記分離層を除去し、前記シートを前記基板から分
離する分離工程と、前記シートを粘着テープに貼り付け
る貼付工程と、前記シートの一方の面であって、前記半
切り溝が形成された面から前記半切り溝の両側を支持
し、前記シートの他方の面から前記半切り溝に沿って押
圧することにより、前記シートを前記半切り溝に沿って
分断する分断工程とを備えていることを要旨とするもの
である。
【0019】この場合、前記粘着テープとして、紫外線
硬化型の粘着テープを用い、前記シートを前記半切り溝
に沿って分断した後、前記粘着テープに紫外線を照射す
る紫外線照射工程をさらに備えていることが望ましい。
また、前記シートを前記半切り溝に沿って分断した後、
前記粘着テープを、凹部を有する吸引治具の上に載せ、
前記凹部内を吸引することにより、前記粘着テープを凹
部に沿って変形させる吸引工程をさらに備えていてもよ
い。
硬化型の粘着テープを用い、前記シートを前記半切り溝
に沿って分断した後、前記粘着テープに紫外線を照射す
る紫外線照射工程をさらに備えていることが望ましい。
また、前記シートを前記半切り溝に沿って分断した後、
前記粘着テープを、凹部を有する吸引治具の上に載せ、
前記凹部内を吸引することにより、前記粘着テープを凹
部に沿って変形させる吸引工程をさらに備えていてもよ
い。
【0020】上記構成を有する本発明に係る電子素子の
製造方法によれば、複数の素子要素が半切り溝を介して
連結しているシートとして素子層を分離し、これを粘着
テープに貼り付け、シートの一方の面であって、半切り
溝が形成された面から半切り溝の両側を支持し、シート
の他方の面から半切り溝に沿って押圧しているので、半
切り溝に力を集中させることができる。
製造方法によれば、複数の素子要素が半切り溝を介して
連結しているシートとして素子層を分離し、これを粘着
テープに貼り付け、シートの一方の面であって、半切り
溝が形成された面から半切り溝の両側を支持し、シート
の他方の面から半切り溝に沿って押圧しているので、半
切り溝に力を集中させることができる。
【0021】そのため、素子層が多層構造を有し、しか
も、半切り溝の深さに誤差がある場合であっても、素子
層をほぼ垂直に分断することができ、バリの発生を抑制
することができる。また、粘着テープに貼り付けられた
状態でシートの分断が行われるので、半切り溝に沿って
割れた瞬間に電子素子が飛散することもない。しかも、
素子層がシートの状態で基板から分離されるので、素子
層の分離が容易化となり、分離の際に素子要素が離散す
ることもない。
も、半切り溝の深さに誤差がある場合であっても、素子
層をほぼ垂直に分断することができ、バリの発生を抑制
することができる。また、粘着テープに貼り付けられた
状態でシートの分断が行われるので、半切り溝に沿って
割れた瞬間に電子素子が飛散することもない。しかも、
素子層がシートの状態で基板から分離されるので、素子
層の分離が容易化となり、分離の際に素子要素が離散す
ることもない。
【0022】さらに、粘着テープとして紫外線硬化型の
粘着テープを用いれば、紫外線を照射するだけで、容易
に粘着テープの粘着力を低下させることができるので、
分断された素子要素のピックアップ作業が容易になる。
また、紫外線が照射された粘着テープを凹部を有する吸
引治具の上に載せ、凹部内を吸引すれば、分断された電
子素子から粘着テープを容易に剥離させることができ、
ピックアップ作業がさらに容易化する。
粘着テープを用いれば、紫外線を照射するだけで、容易
に粘着テープの粘着力を低下させることができるので、
分断された素子要素のピックアップ作業が容易になる。
また、紫外線が照射された粘着テープを凹部を有する吸
引治具の上に載せ、凹部内を吸引すれば、分断された電
子素子から粘着テープを容易に剥離させることができ、
ピックアップ作業がさらに容易化する。
【0023】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の一実施の形態に
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。図1〜図6
に、本発明に係る電子素子の製造方法の一例を示す。図
1〜図6において、本実施の形態に係る電子素子の製造
方法は、素子板作製工程と、溝形成工程と、分離工程
と、貼付工程と、分断工程とを備えている。
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。図1〜図6
に、本発明に係る電子素子の製造方法の一例を示す。図
1〜図6において、本実施の形態に係る電子素子の製造
方法は、素子板作製工程と、溝形成工程と、分離工程
と、貼付工程と、分断工程とを備えている。
【0024】まず、素子板作製工程について説明する。
素子板作製工程は、図1(a)に示すように、基板12
の上に分離層14を介して素子層16が形成された素子
板10を作製する工程である。基板12は、素子層16
を支持するためのものであり、用途に応じて、種々の形
状、材質を有するものが用いられる。一般的には、アル
ミナ、TiC等のセラミックスからなる直径約150m
m、厚さ2〜3mm程度のセラミック基板が用いられ
る。
素子板作製工程は、図1(a)に示すように、基板12
の上に分離層14を介して素子層16が形成された素子
板10を作製する工程である。基板12は、素子層16
を支持するためのものであり、用途に応じて、種々の形
状、材質を有するものが用いられる。一般的には、アル
ミナ、TiC等のセラミックスからなる直径約150m
m、厚さ2〜3mm程度のセラミック基板が用いられ
る。
【0025】分離層14は、基板12と素子層16とを
接着すると同時に、製造工程の最終段階において基板1
2と素子層16とを分離させる役割を有するものであ
る。従って、分離層14には、適当なエッチング液によ
り容易に溶解する材料が用いられる。具体的には、銅、
クロム、ニッケル等からなる金属薄膜が好適である。
接着すると同時に、製造工程の最終段階において基板1
2と素子層16とを分離させる役割を有するものであ
る。従って、分離層14には、適当なエッチング液によ
り容易に溶解する材料が用いられる。具体的には、銅、
クロム、ニッケル等からなる金属薄膜が好適である。
【0026】なお、分離層14は、真空蒸着、スパッタ
リング、メッキ等の周知の手段を用いて基板12上に形
成することができる。また、分離層14の厚さは、成膜
速度、基板12と素子層16との分離の容易性等を考慮
して、任意に定めるとよい。通常は、数μm〜十数μm
程度である。
リング、メッキ等の周知の手段を用いて基板12上に形
成することができる。また、分離層14の厚さは、成膜
速度、基板12と素子層16との分離の容易性等を考慮
して、任意に定めるとよい。通常は、数μm〜十数μm
程度である。
【0027】素子層16は、分離・切断後に電子素子と
なる複数の素子要素(図示せず)が周期的に形成された
層である。その厚さは、電子素子の種類にもよるが、通
常、50μm〜100μm程度である。素子層16に含
まれる素子要素の数は、その大きさにもよるが、直径1
50mm程度の基板12を用いる場合には、数千個〜1
万個程度となる。
なる複数の素子要素(図示せず)が周期的に形成された
層である。その厚さは、電子素子の種類にもよるが、通
常、50μm〜100μm程度である。素子層16に含
まれる素子要素の数は、その大きさにもよるが、直径1
50mm程度の基板12を用いる場合には、数千個〜1
万個程度となる。
【0028】また、素子層16は、リソグラフィ技術を
用いて作製することができ、得られた素子層16は、多
数の薄膜が積層された積層構造を呈している。また、素
子層16の表面は、平坦になっている場合もあるが、図
1(a)に示すように、素子層16の表面に突起54が
形成される場合もある。
用いて作製することができ、得られた素子層16は、多
数の薄膜が積層された積層構造を呈している。また、素
子層16の表面は、平坦になっている場合もあるが、図
1(a)に示すように、素子層16の表面に突起54が
形成される場合もある。
【0029】例えば、接触型の薄膜磁気ヘッドの場合、
素子層16の主要部は、通常、6〜7層のアルミナ、シ
リカ等からなるセラミックス薄膜の積層体で構成されて
いる。また、素子層16の内部には、磁気ヨーク、コイ
ル、リード線、接続パッド(Auパッド)等の構成要素
がヘッド素子の数だけ形成される。また、素子層16の
表面には、磁極を含む接触パッドが突設される。
素子層16の主要部は、通常、6〜7層のアルミナ、シ
リカ等からなるセラミックス薄膜の積層体で構成されて
いる。また、素子層16の内部には、磁気ヨーク、コイ
ル、リード線、接続パッド(Auパッド)等の構成要素
がヘッド素子の数だけ形成される。また、素子層16の
表面には、磁極を含む接触パッドが突設される。
【0030】図2(a)に、多数の素子要素50aが縦
横に形成された素子板10の一例を示す。なお、素子要
素50aの配列方法は、図2(a)に示す例に限定され
るものではなく、素子層16の切断・分離、電子素子の
ピックアップ等が容易となるように、各素子要素50a
を配列させればよい。
横に形成された素子板10の一例を示す。なお、素子要
素50aの配列方法は、図2(a)に示す例に限定され
るものではなく、素子層16の切断・分離、電子素子の
ピックアップ等が容易となるように、各素子要素50a
を配列させればよい。
【0031】次に、溝形成工程について説明する。溝形
成工程は、分離層14にエッチング液を供給し、素子層
16の分離を容易化するための全切り溝と、各素子要素
50aの離散を防止し、かつ、素子層16の分断を容易
化するための半切り溝とを、各素子要素50aの境界線
に沿って互いに交差するように形成する工程である。
成工程は、分離層14にエッチング液を供給し、素子層
16の分離を容易化するための全切り溝と、各素子要素
50aの離散を防止し、かつ、素子層16の分断を容易
化するための半切り溝とを、各素子要素50aの境界線
に沿って互いに交差するように形成する工程である。
【0032】ここで、全切り溝及び半切り溝は、例え
ば、素子層16が短冊状の要素に区分され、短冊状の要
素内では、複数の素子要素50aが半切り溝を介して一
列に並んだ状態となるように形成してもよい。しかしな
がら、後述する切断工程を効率化するためには、素子層
16がシート状に区分されるように溝を形成することが
望ましい。具体的には、以下の手順に従って、溝の形成
を行うとよい。
ば、素子層16が短冊状の要素に区分され、短冊状の要
素内では、複数の素子要素50aが半切り溝を介して一
列に並んだ状態となるように形成してもよい。しかしな
がら、後述する切断工程を効率化するためには、素子層
16がシート状に区分されるように溝を形成することが
望ましい。具体的には、以下の手順に従って、溝の形成
を行うとよい。
【0033】すなわち、まず、図1(b)に示すよう
に、素子板10の表面に保護膜22を形成する。これ
は、溝を入れる際に生ずる溶融物、切り粉等の不要物が
素子層16表面に付着するのを防止するためである。従
って、保護膜22は、素子層16への不要物の付着を阻
止できる程度の厚さがあればよい。具体的には、10μ
m程度とすればよい。
に、素子板10の表面に保護膜22を形成する。これ
は、溝を入れる際に生ずる溶融物、切り粉等の不要物が
素子層16表面に付着するのを防止するためである。従
って、保護膜22は、素子層16への不要物の付着を阻
止できる程度の厚さがあればよい。具体的には、10μ
m程度とすればよい。
【0034】保護膜22としては、具体的には、フォト
レジスト膜、ポリミド等が一例として挙げられる。特
に、フォトレジスト膜は、膜の形成及び除去が容易であ
るので、保護膜22として好適である。なお、フォトレ
ジスト膜を素子層16の表面に形成する場合、例えば、
回転塗布等の手段を用いて素子板10の表面に液体状の
フォトレジストを塗布し、電気炉内で硬化処理すればよ
い。
レジスト膜、ポリミド等が一例として挙げられる。特
に、フォトレジスト膜は、膜の形成及び除去が容易であ
るので、保護膜22として好適である。なお、フォトレ
ジスト膜を素子層16の表面に形成する場合、例えば、
回転塗布等の手段を用いて素子板10の表面に液体状の
フォトレジストを塗布し、電気炉内で硬化処理すればよ
い。
【0035】次に、保護膜22が形成された素子板10
の表面に全切り溝と半切り溝を形成する。上述の工程を
経て得られた素子板10は、図2(a)に示すように、
その表面に多数の素子要素50aが規則的に配列した状
態になっている。そこで、まず、図2(b)に示すよう
に、素子層16を、複数の素子要素50aが縦横に配列
した四角形状のシート26(以下、これを「デバイスシ
ート26」という。)に区分するための全切り溝24
(以下、これを「シート区分溝24」という。)を素子
板10の表面に縦横に形成する。
の表面に全切り溝と半切り溝を形成する。上述の工程を
経て得られた素子板10は、図2(a)に示すように、
その表面に多数の素子要素50aが規則的に配列した状
態になっている。そこで、まず、図2(b)に示すよう
に、素子層16を、複数の素子要素50aが縦横に配列
した四角形状のシート26(以下、これを「デバイスシ
ート26」という。)に区分するための全切り溝24
(以下、これを「シート区分溝24」という。)を素子
板10の表面に縦横に形成する。
【0036】さらに、シート区分溝24で区分されたデ
バイスシート26の内部には、図3(a)の拡大平面
図、図3(b)のB−B’線断面図、及び図3(c)の
C−C’線断面図に示すように、各素子要素50aを複
数の短冊状要素に区分するための直線状の全切り溝28
(以下、これを「短冊要素区分溝28」といい、図3
(a)中、実線で表示。)を入れ、短冊要素区分溝28
と直交する方向に複数の直線状の半切り溝30(図3
(a)中、点線で表示。)を入れる。
バイスシート26の内部には、図3(a)の拡大平面
図、図3(b)のB−B’線断面図、及び図3(c)の
C−C’線断面図に示すように、各素子要素50aを複
数の短冊状要素に区分するための直線状の全切り溝28
(以下、これを「短冊要素区分溝28」といい、図3
(a)中、実線で表示。)を入れ、短冊要素区分溝28
と直交する方向に複数の直線状の半切り溝30(図3
(a)中、点線で表示。)を入れる。
【0037】ここで、「全切り溝」とは、少なくとも分
離層14に達する深さを有する溝をいう。全切り溝の先
端は、分離層14の途中で止まっていてもよく、あるい
は、基板12に達するものであってもよい。また、「半
切り溝30」とは、その先端が素子層16内部で止まっ
ているものをいう。
離層14に達する深さを有する溝をいう。全切り溝の先
端は、分離層14の途中で止まっていてもよく、あるい
は、基板12に達するものであってもよい。また、「半
切り溝30」とは、その先端が素子層16内部で止まっ
ているものをいう。
【0038】また、デバイスシート26として素子層1
6を分離するためには、各短冊要素区分溝28の少なく
とも一端は、シート区分溝24と連通しないように形成
する必要がある。これは、デバイスシート26を基板1
2から分離したときに、半切り溝30を介して短冊状に
つながっている素子要素50aが離散しないようにする
ためである。一方、半切り溝30は、シート区分溝24
と連通するように形成した方が好ましい。これは、半切
り溝30がデバイスシート26の一端から他端まで形成
されている方が、デバイスシート26の分断が容易にな
るためである。
6を分離するためには、各短冊要素区分溝28の少なく
とも一端は、シート区分溝24と連通しないように形成
する必要がある。これは、デバイスシート26を基板1
2から分離したときに、半切り溝30を介して短冊状に
つながっている素子要素50aが離散しないようにする
ためである。一方、半切り溝30は、シート区分溝24
と連通するように形成した方が好ましい。これは、半切
り溝30がデバイスシート26の一端から他端まで形成
されている方が、デバイスシート26の分断が容易にな
るためである。
【0039】なお、シート区分溝24、短冊要素区分溝
28、及び半切り溝30は、ダイシング、レーザースク
ライブ等の手段を用いて形成することができる。特に、
レーザースクライブは、溝の幅を数十μm程度にするこ
とができ、材料歩留まりが向上するので、溝形成方法と
して好適である。また、半切り溝30については、ウエ
ハースクライバーを用いてもよい。
28、及び半切り溝30は、ダイシング、レーザースク
ライブ等の手段を用いて形成することができる。特に、
レーザースクライブは、溝の幅を数十μm程度にするこ
とができ、材料歩留まりが向上するので、溝形成方法と
して好適である。また、半切り溝30については、ウエ
ハースクライバーを用いてもよい。
【0040】次に、分離工程について説明する。分離工
程は、分離層14を除去し、素子層16を基板12から
分離する工程である。具体的には、図1(c)に示すよ
うに、シート区分溝24、短冊要素区分溝28(図示せ
ず)及び半切り溝30が形成された素子板10を、分離
層14のみを溶解するエッチング液中に浸漬する。例え
ば、分離層14として銅を用いる場合には、エッチング
液として熱硝酸を用いればよい。
程は、分離層14を除去し、素子層16を基板12から
分離する工程である。具体的には、図1(c)に示すよ
うに、シート区分溝24、短冊要素区分溝28(図示せ
ず)及び半切り溝30が形成された素子板10を、分離
層14のみを溶解するエッチング液中に浸漬する。例え
ば、分離層14として銅を用いる場合には、エッチング
液として熱硝酸を用いればよい。
【0041】素子板10をエッチング液に浸漬すると、
素子板10に形成されたシート区分溝24及び短冊要素
区分溝28を通って、エッチング液が分離層14に供給
される。そのため、数十分程度で分離層14が完全に溶
解し、図1(d)に示すように、基板12から素子層1
6が分離する。さらに、素子層16の表面を覆っていた
保護膜22を除去すれば、図1(e)に示すように、複
数の素子要素50aが半切り溝30を介して連結してい
るデバイスシート26を得ることができる。
素子板10に形成されたシート区分溝24及び短冊要素
区分溝28を通って、エッチング液が分離層14に供給
される。そのため、数十分程度で分離層14が完全に溶
解し、図1(d)に示すように、基板12から素子層1
6が分離する。さらに、素子層16の表面を覆っていた
保護膜22を除去すれば、図1(e)に示すように、複
数の素子要素50aが半切り溝30を介して連結してい
るデバイスシート26を得ることができる。
【0042】なお、レーザースクライブを用いて溝を形
成する場合、レーザーにより溶融した基板12、分離層
14及び/又は素子層16の成分がドロスとなって、保
護膜22の表面、並びにシート区分溝24、短冊要素区
分溝28及び半切り溝30の内部に付着する。特に、シ
ート区分溝24及び短冊要素区分溝28内に付着したド
ロスは、分離層14へのエッチング液の供給を妨げ、分
離層14の溶解速度を遅延させる原因となる。また、素
子層16を基板12から分離する際、ドロスによって素
子層16と基板12とが機械的に連結され、素子層16
の分離が困難となる場合がある。
成する場合、レーザーにより溶融した基板12、分離層
14及び/又は素子層16の成分がドロスとなって、保
護膜22の表面、並びにシート区分溝24、短冊要素区
分溝28及び半切り溝30の内部に付着する。特に、シ
ート区分溝24及び短冊要素区分溝28内に付着したド
ロスは、分離層14へのエッチング液の供給を妨げ、分
離層14の溶解速度を遅延させる原因となる。また、素
子層16を基板12から分離する際、ドロスによって素
子層16と基板12とが機械的に連結され、素子層16
の分離が困難となる場合がある。
【0043】従って、レーザースクライブにより溝2
4、28、30を入れた後、素子層16を分離する前
に、ドロスを除去することが望ましい。具体的には、特
開平10−3616号公報において本件出願人により提
案されている方法を用いて、ドロスを除去するとよい。
4、28、30を入れた後、素子層16を分離する前
に、ドロスを除去することが望ましい。具体的には、特
開平10−3616号公報において本件出願人により提
案されている方法を用いて、ドロスを除去するとよい。
【0044】すなわち、まず、レーザースクライブによ
り溝24、28、30を入れた後、素子層16を溶解可
能なエッチング液に素子板10を浸漬し、付着したドロ
スと素子層16の界面に空隙を形成する。さらに、素子
板10に対し、メガソニック等を用いて超音波振動を付
与する。これにより、ドロスが破壊され、素子層16か
らドロスを容易に除去することができる。
り溝24、28、30を入れた後、素子層16を溶解可
能なエッチング液に素子板10を浸漬し、付着したドロ
スと素子層16の界面に空隙を形成する。さらに、素子
板10に対し、メガソニック等を用いて超音波振動を付
与する。これにより、ドロスが破壊され、素子層16か
らドロスを容易に除去することができる。
【0045】次に、貼付工程について説明する。貼付工
程は、基板12から分離したデバイスシート26を粘着
テープに貼り付ける工程である。貼り付けに用いる粘着
テープには、紫外線硬化型の粘着テープが好適である。
紫外線硬化型の粘着テープは、紫外線を照射するだけで
粘着力を低下させることができるので、分断後の電子素
子を、真空ピンセット等を用いて容易にピックアップで
きるという利点がある。
程は、基板12から分離したデバイスシート26を粘着
テープに貼り付ける工程である。貼り付けに用いる粘着
テープには、紫外線硬化型の粘着テープが好適である。
紫外線硬化型の粘着テープは、紫外線を照射するだけで
粘着力を低下させることができるので、分断後の電子素
子を、真空ピンセット等を用いて容易にピックアップで
きるという利点がある。
【0046】なお、粘着テープの形状及びデバイスシー
ト26の貼り付け方法については、特に限定されるもの
ではない。例えば、円形状の粘着テープに分離したデバ
イスシート26を単独で貼り付けてもよい。
ト26の貼り付け方法については、特に限定されるもの
ではない。例えば、円形状の粘着テープに分離したデバ
イスシート26を単独で貼り付けてもよい。
【0047】あるいは、図4に示すように、帯状の粘着
テープ32を用い、半切り溝30が粘着テープ32の長
手方向に対して直角になるように、粘着テープ32上に
デバイスシート26を一列に並べて貼り付けてもよい。
デバイスシート26をこのように貼り付けると、粘着テ
ープ32を一方向に順送りしながら、半切り溝30の分
断を連続的に行えるので、効率的である。
テープ32を用い、半切り溝30が粘着テープ32の長
手方向に対して直角になるように、粘着テープ32上に
デバイスシート26を一列に並べて貼り付けてもよい。
デバイスシート26をこのように貼り付けると、粘着テ
ープ32を一方向に順送りしながら、半切り溝30の分
断を連続的に行えるので、効率的である。
【0048】次に、分断工程について説明する。分断工
程は、粘着テープ32に貼り付けられた素子層16を半
切り溝30に沿って分断する工程である。ここで、デバ
イスシート26の分断は、デバイスシート26の一方の
面であって、半切り溝30が形成された面から半切り溝
30の両側を支持し、デバイスシート26の他方の面か
ら半切り溝30に沿って押圧することにより行う必要が
ある。
程は、粘着テープ32に貼り付けられた素子層16を半
切り溝30に沿って分断する工程である。ここで、デバ
イスシート26の分断は、デバイスシート26の一方の
面であって、半切り溝30が形成された面から半切り溝
30の両側を支持し、デバイスシート26の他方の面か
ら半切り溝30に沿って押圧することにより行う必要が
ある。
【0049】具体的には、図5(a)に示すように、デ
バイスシート26が貼り付けられた粘着テープ32に張
力Tを加えた状態で、デバイスシート26に形成された
半切り溝30の上方及び下方に、それぞれ、2枚刃の分
断治具34及び単刃の分断治具36を配置し、単刃の分
断治具36を半切り溝30に沿って上方に押し上げれば
よい。
バイスシート26が貼り付けられた粘着テープ32に張
力Tを加えた状態で、デバイスシート26に形成された
半切り溝30の上方及び下方に、それぞれ、2枚刃の分
断治具34及び単刃の分断治具36を配置し、単刃の分
断治具36を半切り溝30に沿って上方に押し上げれば
よい。
【0050】単刃の分断治具36を上方に押し上げる
と、デバイスシート26の上面では、半切り溝30の両
側が、2枚刃の分断治具34の2つの先端によって左右
対称に支持される。また、デバイスシート26の下面
は、単刃の分断治具36の先端により、半切り溝30に
沿って下から上に押し上げられる。これにより、図5
(b)に示すように、デバイスシート26が半切り溝3
0に沿って分断され、電子素子50が得られる。
と、デバイスシート26の上面では、半切り溝30の両
側が、2枚刃の分断治具34の2つの先端によって左右
対称に支持される。また、デバイスシート26の下面
は、単刃の分断治具36の先端により、半切り溝30に
沿って下から上に押し上げられる。これにより、図5
(b)に示すように、デバイスシート26が半切り溝3
0に沿って分断され、電子素子50が得られる。
【0051】このように、2枚刃の分断治具34及び単
刃の分断治具36を組み合わせて用いれば、押圧力を半
切り溝30に集中させることができる。そのため、デバ
イスシート26が多層構造を有する場合であっても、デ
バイスシート26を半切り溝30に沿ってほぼ垂直に分
断することができ、バリの発生が抑制される。
刃の分断治具36を組み合わせて用いれば、押圧力を半
切り溝30に集中させることができる。そのため、デバ
イスシート26が多層構造を有する場合であっても、デ
バイスシート26を半切り溝30に沿ってほぼ垂直に分
断することができ、バリの発生が抑制される。
【0052】また、デバイスシート26の分断は、粘着
テープ32に貼り付けられた状態で行われる。そのた
め、デバイスシート26が極めて弾力性に富んでいる場
合であっても、半切り溝30に沿って割れた瞬間に、分
断された電子素子50がはね飛ぶこともない。
テープ32に貼り付けられた状態で行われる。そのた
め、デバイスシート26が極めて弾力性に富んでいる場
合であっても、半切り溝30に沿って割れた瞬間に、分
断された電子素子50がはね飛ぶこともない。
【0053】以上のような工程を経て得られた電子素子
50は、真空ピンセット等を用いて粘着テープ32から
ピックアップし、後工程に送られることになる。また、
粘着テープ32として、紫外線硬化型の粘着テープを用
いている場合には、粘着テープ32に紫外線を照射した
(紫外線照射工程)後、ピックアップするとよい。紫外
線硬化型の粘着テープに紫外線を照射すると、粘着力を
十分に低下させることができるので、ピックアップの際
に電子素子50に割れ、欠け等を生じさせるおそれが少
ないという利点がある。
50は、真空ピンセット等を用いて粘着テープ32から
ピックアップし、後工程に送られることになる。また、
粘着テープ32として、紫外線硬化型の粘着テープを用
いている場合には、粘着テープ32に紫外線を照射した
(紫外線照射工程)後、ピックアップするとよい。紫外
線硬化型の粘着テープに紫外線を照射すると、粘着力を
十分に低下させることができるので、ピックアップの際
に電子素子50に割れ、欠け等を生じさせるおそれが少
ないという利点がある。
【0054】また、電子素子50のピックアップに先立
って、適当な治具を用いて、電子素子50から粘着テー
プ32を剥離させるようにしてもよい。特に、凹部を有
する吸引治具を用いて粘着テープを変形させると、ピッ
クアップ時に電子素子50を傷つけるおそれが少ないと
いう利点がある。以下に、凹部を有する吸引治具を用い
た粘着テープの剥離方法の一例について説明する。
って、適当な治具を用いて、電子素子50から粘着テー
プ32を剥離させるようにしてもよい。特に、凹部を有
する吸引治具を用いて粘着テープを変形させると、ピッ
クアップ時に電子素子50を傷つけるおそれが少ないと
いう利点がある。以下に、凹部を有する吸引治具を用い
た粘着テープの剥離方法の一例について説明する。
【0055】図6(a)において、吸引治具60は、枠
部62と、枠部62内に納められた吸引部64とを備え
ている。枠部62は、吸引部64を支持するものである
と同時に、吸引時においては、粘着テープ32を引き延
ばすエキスパンダとしての役割も果たす部分である。
部62と、枠部62内に納められた吸引部64とを備え
ている。枠部62は、吸引部64を支持するものである
と同時に、吸引時においては、粘着テープ32を引き延
ばすエキスパンダとしての役割も果たす部分である。
【0056】吸引部64の表面には、所定の間隔で凹部
64aと凸部64bが設けられ、凹部64aの底部に
は、排気口64cが設けられている。また、凸部64b
の間隔は、粘着テープ32上に貼り付けられている電子
素子50の間隔より大きくなっている。
64aと凸部64bが設けられ、凹部64aの底部に
は、排気口64cが設けられている。また、凸部64b
の間隔は、粘着テープ32上に貼り付けられている電子
素子50の間隔より大きくなっている。
【0057】図6(a)に示す吸引治具60を用いた粘
着テープ32の剥離は、以下のような手順により行われ
る。すなわち、まず、図6(a)に示すように、分断済
みの電子素子50が貼り付けられている粘着テープ32
を吸引治具60の上に配置する。この時、粘着テープ3
2として紫外線硬化型の粘着テープを用いている場合に
は、予め粘着テープ32に紫外線を照射し、粘着力を低
下させておく。
着テープ32の剥離は、以下のような手順により行われ
る。すなわち、まず、図6(a)に示すように、分断済
みの電子素子50が貼り付けられている粘着テープ32
を吸引治具60の上に配置する。この時、粘着テープ3
2として紫外線硬化型の粘着テープを用いている場合に
は、予め粘着テープ32に紫外線を照射し、粘着力を低
下させておく。
【0058】次いで、図6(b)に示すように、粘着テ
ープ32を引っ張りながら、吸引治具60の上面に粘着
テープ32を密着させる。この時、吸引部64の凸部6
4bの真上に各電子素子50が載るように、粘着テープ
32を引っ張るとよい。
ープ32を引っ張りながら、吸引治具60の上面に粘着
テープ32を密着させる。この時、吸引部64の凸部6
4bの真上に各電子素子50が載るように、粘着テープ
32を引っ張るとよい。
【0059】さらに、図6(c)に示すように、排気口
64cから排気すれば、粘着テープ32が凹部64a内
に吸い込まれて変形し、粘着テープ32の一部が電子素
子50から剥離する。これにより、真空ピンセット等に
より、他に干渉を与えることなく個々の電子素子50を
ピックアップすることができるようになる。また、これ
によって、ピックアップ作業の自動化も容易化される。
64cから排気すれば、粘着テープ32が凹部64a内
に吸い込まれて変形し、粘着テープ32の一部が電子素
子50から剥離する。これにより、真空ピンセット等に
より、他に干渉を与えることなく個々の電子素子50を
ピックアップすることができるようになる。また、これ
によって、ピックアップ作業の自動化も容易化される。
【0060】以上、本発明の実施の形態について詳細に
説明したが、本発明は、上記実施の形態に何ら限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々
の改変が可能である。
説明したが、本発明は、上記実施の形態に何ら限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々
の改変が可能である。
【0061】例えば、上記実施の形態では、デバイスシ
ート26に直線状の短冊要素区分溝28と半切り溝30
を形成しているが、半切り溝30のみを直線状に形成
し、短冊要素区分溝28をジグザグ状に形成してもよ
い。短冊要素区分溝28をジグザグ状に形成すれば、三
角形状、あるいは台形状の電子素子を歩留よく製造する
ことができる。
ート26に直線状の短冊要素区分溝28と半切り溝30
を形成しているが、半切り溝30のみを直線状に形成
し、短冊要素区分溝28をジグザグ状に形成してもよ
い。短冊要素区分溝28をジグザグ状に形成すれば、三
角形状、あるいは台形状の電子素子を歩留よく製造する
ことができる。
【0062】また、上記実施の形態では、デバイスシー
ト26を分断する際に、一体化された2枚刃の分断治具
34を用いてデバイスシート26の上面を支持している
が、独立した2つの単刃の分断治具を用いて半切り溝3
0の両側を左右対称に支持し、もう一つの単刃の分断治
具36を用いて半切り溝30の裏側から押圧するように
してもよい。
ト26を分断する際に、一体化された2枚刃の分断治具
34を用いてデバイスシート26の上面を支持している
が、独立した2つの単刃の分断治具を用いて半切り溝3
0の両側を左右対称に支持し、もう一つの単刃の分断治
具36を用いて半切り溝30の裏側から押圧するように
してもよい。
【0063】また、上記実施の形態では、排気口64c
を備えた吸引治具60を用いているが、吸引部64全体
を多孔体で構成し、多孔体全体を排気してもよい。この
ような方法であっても、吸引部64の凹部64aに沿っ
て粘着テープ32を変形させることができる。
を備えた吸引治具60を用いているが、吸引部64全体
を多孔体で構成し、多孔体全体を排気してもよい。この
ような方法であっても、吸引部64の凹部64aに沿っ
て粘着テープ32を変形させることができる。
【0064】さらに、本発明は、接触型の薄膜磁気ヘッ
ド、あるいは各種センサーの製造方法として特に好適で
あるが、本発明の用途はこれに限定されるものではな
く、薄膜の積層体からなるあらゆる電子素子の製造方法
として適用でき、これにより上記実施の形態と同様の効
果を得ることができる。
ド、あるいは各種センサーの製造方法として特に好適で
あるが、本発明の用途はこれに限定されるものではな
く、薄膜の積層体からなるあらゆる電子素子の製造方法
として適用でき、これにより上記実施の形態と同様の効
果を得ることができる。
【0065】
【発明の効果】本発明は、基板上に分離層を介して素子
層が形成された素子板から、半切り溝を介して複数の素
子要素が連結している短冊要素が少なくともその一端に
おいて連結しているシートとして素子層を分離し、分離
したシートを粘着テープに貼り付け、半切り溝が形成さ
れたシートの一方の面から半切り溝の両側を支持し、シ
ートの他方の面から半切り溝に沿って押圧するようにし
たので、半切り溝に力を集中させることができ、バリの
発生を抑制することができるという効果がある。
層が形成された素子板から、半切り溝を介して複数の素
子要素が連結している短冊要素が少なくともその一端に
おいて連結しているシートとして素子層を分離し、分離
したシートを粘着テープに貼り付け、半切り溝が形成さ
れたシートの一方の面から半切り溝の両側を支持し、シ
ートの他方の面から半切り溝に沿って押圧するようにし
たので、半切り溝に力を集中させることができ、バリの
発生を抑制することができるという効果がある。
【0066】また、粘着テープに貼り付けた状態でシー
トの分断が行われるので、半切り溝に沿って割れた瞬間
に分断された電子素子が飛散することがないという効果
がある。さらに、素子要素の境界線に沿って互いに交差
するように全切り溝と半切り溝が形成されたシートとし
て素子層を分離しているので、素子層の分離が容易であ
り、しかも、分離の際に各素子要素が離散することがな
いという効果がある。
トの分断が行われるので、半切り溝に沿って割れた瞬間
に分断された電子素子が飛散することがないという効果
がある。さらに、素子要素の境界線に沿って互いに交差
するように全切り溝と半切り溝が形成されたシートとし
て素子層を分離しているので、素子層の分離が容易であ
り、しかも、分離の際に各素子要素が離散することがな
いという効果がある。
【0067】また、粘着テープとして紫外線硬化型の粘
着テープを用いれば、粘着テープに紫外線を照射するだ
けで、容易に粘着テープの粘着力を低下させることがで
き、ピックアップが容易になるという効果がある。
着テープを用いれば、粘着テープに紫外線を照射するだ
けで、容易に粘着テープの粘着力を低下させることがで
き、ピックアップが容易になるという効果がある。
【0068】さらに、分断された電子素子が貼り付けら
れた粘着テープを、凹部を有する吸引治具の上に載せ、
凹部内を吸引すれば、分断された電子素子から粘着テー
プの一部を容易に剥離させることができ、分断された電
子素子のピックアップが容易になるという効果がある。
れた粘着テープを、凹部を有する吸引治具の上に載せ、
凹部内を吸引すれば、分断された電子素子から粘着テー
プの一部を容易に剥離させることができ、分断された電
子素子のピックアップが容易になるという効果がある。
【0069】以上のように、本発明に係る電子素子の製
造方法によれば、バリのない健全な電子素子が得られ、
しかも、分断された電子素子の離散が防止されるので、
ピックアップ作業に要する時間の大幅な短縮が可能とな
る。また、これによって、製造工程の自動化も容易化さ
れる。そのため、これを例えば接触型磁気ヘッドの製造
に応用すれば、製造コストの大幅な削減と信頼性の向上
に寄与するものであり、産業上その効果の極めて大きい
発明である。
造方法によれば、バリのない健全な電子素子が得られ、
しかも、分断された電子素子の離散が防止されるので、
ピックアップ作業に要する時間の大幅な短縮が可能とな
る。また、これによって、製造工程の自動化も容易化さ
れる。そのため、これを例えば接触型磁気ヘッドの製造
に応用すれば、製造コストの大幅な削減と信頼性の向上
に寄与するものであり、産業上その効果の極めて大きい
発明である。
【図1】本発明に係る電子素子の製造方法を示す工程図
である。
である。
【図2】図2(a)は、素子板表面に素子要素が規則的
に形成された状態を示す平面図であり、図2(b)は、
図2(a)に示す素子板にシート区分溝を形成した状態
を示す図である。
に形成された状態を示す平面図であり、図2(b)は、
図2(a)に示す素子板にシート区分溝を形成した状態
を示す図である。
【図3】図3(a)は、デバイスシートの拡大平面図で
あり、図3(b)は、そのB−B’線断面図、図3
(c)は、そのC−C’線断面図である。
あり、図3(b)は、そのB−B’線断面図、図3
(c)は、そのC−C’線断面図である。
【図4】粘着テープにデバイスシートを貼り付けた状態
を示す図である。
を示す図である。
【図5】分断治具を用いてデバイスシートを分断する工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図6】吸引治具を用いてデバイスシートから電子素子
を分離する工程を示す図である。
を分離する工程を示す図である。
【図7】図7(a)は、多層構造を有するデバイスシー
トに曲げモーメントを作用させた状態を示す図であり、
図7(b)は、半切り溝に沿ってデバイスシートが分断
された状態を示す図である。
トに曲げモーメントを作用させた状態を示す図であり、
図7(b)は、半切り溝に沿ってデバイスシートが分断
された状態を示す図である。
10 素子板 12 基板 14 分離層 16 素子層 24 全切り溝(シート区分溝) 28 全切り溝(短冊要素区分溝) 30 半切り溝 32 粘着テープ 34 2枚刃の分断治具 36 単枚刃の分断治具 50 電子素子 50a 素子要素 60 吸引治具 64a 凹部
Claims (3)
- 【請求項1】 基板上に分離層を介して、複数の素子要
素を含み、かつ、薄膜の積層体からなる素子層が形成さ
れた素子板を作製する素子板作製工程と、 前記素子板に対し、前記素子層の表面から前記分離層に
達する複数の全切り溝と前記素子層の内部で止まる複数
の半切り溝とを形成することにより、前記素子層を、前
記複数の素子要素が前記半切り溝を介して連結している
複数の短冊要素が、少なくともその一端において並列に
連結しているシートに区分する溝形成工程と、 前記分離層を除去し、前記シートを前記基板から分離す
る分離工程と、 前記シートを粘着テープに貼り付ける貼付工程と、 前記シートの一方の面であって、前記半切り溝が形成さ
れた面から前記半切り溝の両側を支持し、前記シートの
他方の面から前記半切り溝に沿って押圧することによ
り、前記シートを前記半切り溝に沿って分断する分断工
程とを備えていることを特徴とする電子素子の製造方
法。 - 【請求項2】 前記粘着テープとして、紫外線硬化型の
粘着テープを用い、 前記シートを前記半切り溝に沿って分断した後、前記粘
着テープに紫外線を照射する紫外線照射工程をさらに備
えていることを特徴とする請求項1に記載の電子素子の
製造方法。 - 【請求項3】 前記シートを前記半切り溝に沿って分断
した後、前記粘着テープを、凹部を有する吸引治具の上
に載せ、前記凹部内を吸引することにより、前記粘着テ
ープを凹部に沿って変形させる吸引工程をさらに備えて
いることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10331599A JP2000294521A (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | 電子素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10331599A JP2000294521A (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | 電子素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000294521A true JP2000294521A (ja) | 2000-10-20 |
Family
ID=14350779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10331599A Withdrawn JP2000294521A (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | 電子素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000294521A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006041245A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Murata Mfg Co Ltd | ダイシング装置及びダイシング方法 |
| JP2006289563A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | マイクロデバイス製造用基板及びマイクロデバイスの製造方法 |
| CN100461353C (zh) * | 2003-12-24 | 2009-02-11 | 三洋电机株式会社 | 混合集成电路装置的制造方法 |
| JP2009182178A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | デバイスの製造方法 |
| WO2013083007A1 (zh) * | 2011-12-09 | 2013-06-13 | 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司 | 衬底、衬底的制作方法和使用方法 |
| JP2014082301A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | 脆性材料基板のブレイク用治具及びブレイク方法 |
-
1999
- 1999-04-09 JP JP10331599A patent/JP2000294521A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100461353C (zh) * | 2003-12-24 | 2009-02-11 | 三洋电机株式会社 | 混合集成电路装置的制造方法 |
| JP2006041245A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Murata Mfg Co Ltd | ダイシング装置及びダイシング方法 |
| JP2006289563A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | マイクロデバイス製造用基板及びマイクロデバイスの製造方法 |
| JP2009182178A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | デバイスの製造方法 |
| WO2013083007A1 (zh) * | 2011-12-09 | 2013-06-13 | 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司 | 衬底、衬底的制作方法和使用方法 |
| JP2014082301A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | 脆性材料基板のブレイク用治具及びブレイク方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060224 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070107 |