JP2000294530A - 半導体基板の洗浄方法及びその洗浄装置 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法及びその洗浄装置Info
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 自然酸化膜の成長を抑制しながら、半導体基
板表面に付着したフタル酸エステル類等の有機物を除去
する洗浄方法及び洗浄装置を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 フタル酸、フタル酸エステル及びそれら
の誘導体等の有機物６により汚染された半導体基板に、
Ｏ2、空気導入口８から導入された酸素または空気雰囲
気中で、波長が１６５〜１７９ｎｍの範囲にある真空紫
外光を光源４から照射し、分解除去する半導体基板の洗
浄方法。
板表面に付着したフタル酸エステル類等の有機物を除去
する洗浄方法及び洗浄装置を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 フタル酸、フタル酸エステル及びそれら
の誘導体等の有機物６により汚染された半導体基板に、
Ｏ2、空気導入口８から導入された酸素または空気雰囲
気中で、波長が１６５〜１７９ｎｍの範囲にある真空紫
外光を光源４から照射し、分解除去する半導体基板の洗
浄方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセ
スにおいて、半導体基板に付着する有機物を除去するた
めの洗浄方法及びその洗浄装置に関する。
スにおいて、半導体基板に付着する有機物を除去するた
めの洗浄方法及びその洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの高集積化に伴い、要求
される信頼性はますます厳しいものになってきている。
特に、半導体基板上に素子を形成する場合、複数の成膜
工程を経るが、その際に下地の半導体基板の表面の清浄
度は、信頼性を決める重要なファクターであるといえ
る。
される信頼性はますます厳しいものになってきている。
特に、半導体基板上に素子を形成する場合、複数の成膜
工程を経るが、その際に下地の半導体基板の表面の清浄
度は、信頼性を決める重要なファクターであるといえ
る。
【０００３】ゲート酸化膜あるいはポリシリコン膜を形
成する場合、成膜装置の稼働状況に合わせて、通常は、
プラスチックのキャリアケースの中に数時間から数日間
保管されるといったことが日常行われている。
成する場合、成膜装置の稼働状況に合わせて、通常は、
プラスチックのキャリアケースの中に数時間から数日間
保管されるといったことが日常行われている。
【０００４】しかしながら、このように保管された場合
に、有機物により汚染されやすいという現象があった。
に、有機物により汚染されやすいという現象があった。
【０００５】有機物により汚染された表面上に、例えば
ゲート酸化膜を成膜した場合、できあがった素子は耐圧
劣化等の不具合を引き起こす危険性が高くなることがわ
かっている。
ゲート酸化膜を成膜した場合、できあがった素子は耐圧
劣化等の不具合を引き起こす危険性が高くなることがわ
かっている。
【０００６】半導体表面に付着した有機物の除去には、
従来より、オゾン雰囲気中で紫外光（波長：２５４ｎ
ｍ）を照射するといった洗浄方法がとられてきた。この
とき、さらに温度として、２００℃あるいはそれ以上の
比較的高い温度に曝すこともあった。
従来より、オゾン雰囲気中で紫外光（波長：２５４ｎ
ｍ）を照射するといった洗浄方法がとられてきた。この
とき、さらに温度として、２００℃あるいはそれ以上の
比較的高い温度に曝すこともあった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
オゾン雰囲気中で紫外光（波長：２５４ｎｍ）を照射し
た場合、ゲート酸化膜あるいはポリシリコン膜の成膜前
の下地基板に自然酸化膜が成長してしまうといった問題
が発生した。また、温度を上げた場合、自然酸化膜の成
長を促進する場合もある。
オゾン雰囲気中で紫外光（波長：２５４ｎｍ）を照射し
た場合、ゲート酸化膜あるいはポリシリコン膜の成膜前
の下地基板に自然酸化膜が成長してしまうといった問題
が発生した。また、温度を上げた場合、自然酸化膜の成
長を促進する場合もある。
【０００８】この自然酸化膜は、良質なものではなく、
後に形成するゲート酸化膜あるいはポリシリコン膜の信
頼性に影響を与えてしまうこともあった。
後に形成するゲート酸化膜あるいはポリシリコン膜の信
頼性に影響を与えてしまうこともあった。
【０００９】そこで本発明は、半導体基板上に自然酸化
膜を成長させずに、半導体基板に付着した有機物を除去
する洗浄方法を提供することを目的とする。
膜を成長させずに、半導体基板に付着した有機物を除去
する洗浄方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板上
に付着したフタル酸、フタル酸エステルまたはそれらの
誘導体を、中心波長が１７２ｎｍの真空紫外光を照射す
ることにより除去することを特徴とする半導体基板の洗
浄方法に関する。
に付着したフタル酸、フタル酸エステルまたはそれらの
誘導体を、中心波長が１７２ｎｍの真空紫外光を照射す
ることにより除去することを特徴とする半導体基板の洗
浄方法に関する。
【００１１】この真空紫外光の波長は、１６５〜１７９
ｎｍの範囲にあることが好ましい。また、この真空紫外
光の光源としては、Ｘｅエキシマランプであることが好
ましい。
ｎｍの範囲にあることが好ましい。また、この真空紫外
光の光源としては、Ｘｅエキシマランプであることが好
ましい。
【００１２】さらに本発明は、密閉された洗浄室の中に
配置され、フタル酸、フタル酸エステルまたはそれらの
誘導体により汚染された半導体基板に、中心波長が１７
２ｎｍの真空紫外光を照射する照射手段と、前記洗浄室
に酸素または空気を導入する導入口と、前記洗浄室に大
気を遮断して半導体基板を搬入するための半導体基板導
入口と、前記洗浄室で洗浄した前記半導体基板を大気に
曝露することなく、ゲート酸化膜の成膜室またはポリシ
リコン成膜室に搬入するための成膜装置前室と、を有す
ることを特徴とする半導体基板の洗浄装置に関する。
配置され、フタル酸、フタル酸エステルまたはそれらの
誘導体により汚染された半導体基板に、中心波長が１７
２ｎｍの真空紫外光を照射する照射手段と、前記洗浄室
に酸素または空気を導入する導入口と、前記洗浄室に大
気を遮断して半導体基板を搬入するための半導体基板導
入口と、前記洗浄室で洗浄した前記半導体基板を大気に
曝露することなく、ゲート酸化膜の成膜室またはポリシ
リコン成膜室に搬入するための成膜装置前室と、を有す
ることを特徴とする半導体基板の洗浄装置に関する。
【００１３】さらに本発明は、半導体基板上にゲート酸
化膜を成長させる工程の前工程として、またはポリシリ
コン膜を成膜させる工程の前工程として、上記洗浄方法
を用いた洗浄工程を行うことを特徴とする半導体装置の
製造方法に関する。
化膜を成長させる工程の前工程として、またはポリシリ
コン膜を成膜させる工程の前工程として、上記洗浄方法
を用いた洗浄工程を行うことを特徴とする半導体装置の
製造方法に関する。
【００１４】本発明者らは、特にプラスチック製のキャ
リアケースに保管した場合に、表面が有機物に汚染され
ることに着目し、汚染された基板を表面分析したとこ
ろ、主にフタル酸、フタル酸エステルまたはそれらの誘
導体であることがわかった。これらの発生源は、主にプ
ラスチックのキャリアケースの可塑剤または酸化防止剤
がガス化し付着したものであると推定される。
リアケースに保管した場合に、表面が有機物に汚染され
ることに着目し、汚染された基板を表面分析したとこ
ろ、主にフタル酸、フタル酸エステルまたはそれらの誘
導体であることがわかった。これらの発生源は、主にプ
ラスチックのキャリアケースの可塑剤または酸化防止剤
がガス化し付着したものであると推定される。
【００１５】本発明の洗浄方法は、特に上記の有機物を
除去するのに最適であり、さらに自然酸化膜の増加も少
ない方法であるといえる。
除去するのに最適であり、さらに自然酸化膜の増加も少
ない方法であるといえる。
【００１６】以下、洗浄のメカニズムについて説明す
る。
る。
【００１７】従来より有機物一般を除去する技術とし
て、ＵＶ／オゾンガスを用いたものはあり、その際に低
圧水銀ランプを光源とする波長254nm、185nm等の紫外光
が用いられてきた。これは、UV/O3（波長254nm、185nm
等）の照射の場合、以下の（式１）に示すように、気中
のO2が分解し、オゾンの生成を経て励起酸素原子になる
反応経路を通る。 O2 → O3 → (O) （式1）
て、ＵＶ／オゾンガスを用いたものはあり、その際に低
圧水銀ランプを光源とする波長254nm、185nm等の紫外光
が用いられてきた。これは、UV/O3（波長254nm、185nm
等）の照射の場合、以下の（式１）に示すように、気中
のO2が分解し、オゾンの生成を経て励起酸素原子になる
反応経路を通る。 O2 → O3 → (O) （式1）
【００１８】一方本発明の洗浄方法においては、真空紫
外光（Xeエキシマランプ 172nm）を用いているため
に、気中のO2が分解し、直接に励起酸素原子を生成する
反応（式2）とオゾンの生成を経て励起酸素原子になる
反応（式3）の２つの反応経路から成り立っている。 O2 → (O) （式2） O2 → O3 → (O) （式3）
外光（Xeエキシマランプ 172nm）を用いているため
に、気中のO2が分解し、直接に励起酸素原子を生成する
反応（式2）とオゾンの生成を経て励起酸素原子になる
反応（式3）の２つの反応経路から成り立っている。 O2 → (O) （式2） O2 → O3 → (O) （式3）
【００１９】したがって、本発明の洗浄方法は、効率的
に励起酸素原子を発生させる方法であるということがい
える。
に励起酸素原子を発生させる方法であるということがい
える。
【００２０】一方、本発明の課題であるプラスチックの
キャリアケースを主な発生源とする有機物の除去には、
励起酸素原子の発生が不可欠であり、効率的に励起酸素
原子を発生させる本発明の洗浄方法が、本発明の課題を
解決する上で最適な方法であるといえる。
キャリアケースを主な発生源とする有機物の除去には、
励起酸素原子の発生が不可欠であり、効率的に励起酸素
原子を発生させる本発明の洗浄方法が、本発明の課題を
解決する上で最適な方法であるといえる。
【００２１】さらに、本発明の洗浄方法においては、励
起酸素原子が、室温温度領域（０〜３０℃）で、効率的
に発生するために、温度を上げる必要がなく、また処理
時間も比較的短いという長所がある。そのために、自然
酸化膜の成長がせいぜい4〜5Å程度に抑制できるという
利点も有する。
起酸素原子が、室温温度領域（０〜３０℃）で、効率的
に発生するために、温度を上げる必要がなく、また処理
時間も比較的短いという長所がある。そのために、自然
酸化膜の成長がせいぜい4〜5Å程度に抑制できるという
利点も有する。
【００２２】一方、従来のＵＶ光を照射した場合、励起
酸素原子が効率的に発生しないために、要する処理時間
が長かったり、高い温度を要したり、場合によっては、
有機物の除去速度より、自然酸化膜の成長が速く、結果
的に除去不能の場合もある。
酸素原子が効率的に発生しないために、要する処理時間
が長かったり、高い温度を要したり、場合によっては、
有機物の除去速度より、自然酸化膜の成長が速く、結果
的に除去不能の場合もある。
【００２３】
【発明の実施の形態】図面を用いながら、さらに詳細に
本発明について説明する。
本発明について説明する。
【００２４】図１は、各種の成膜直前に真空紫外光（Xe
エキシマランプ 172nm）を半導体基板表面に照射する
（空気中またはO2雰囲気中）ドライ洗浄装置の概略図を
示す。この図に示すように、装置全体としては、半導体
基板導入口３、洗浄室２、成膜装置前室１からなる。
エキシマランプ 172nm）を半導体基板表面に照射する
（空気中またはO2雰囲気中）ドライ洗浄装置の概略図を
示す。この図に示すように、装置全体としては、半導体
基板導入口３、洗浄室２、成膜装置前室１からなる。
【００２５】この装置は、半導体基板を一枚ずつ洗浄す
る枚葉式、または例えば、複数枚（例えば数枚〜２５枚
程度の枚数）の半導体基板を一括洗浄する方式でもよ
い。
る枚葉式、または例えば、複数枚（例えば数枚〜２５枚
程度の枚数）の半導体基板を一括洗浄する方式でもよ
い。
【００２６】洗浄室２は、密閉空間であり、洗浄室２の
上部に真空紫外光光源４が設けられ、この光源の下に半
導体基板５が配置される。
上部に真空紫外光光源４が設けられ、この光源の下に半
導体基板５が配置される。
【００２７】本発明の半導体基板の洗浄方法で用いる真
空紫外光の光源は、中心波長１７２ｎｍのキセノンエキ
シマランプが用いられる。波長には分布があるために、
実際に半導体基板に照射される光は、１６５〜１７９ｎ
ｍの範囲の光が照射される。
空紫外光の光源は、中心波長１７２ｎｍのキセノンエキ
シマランプが用いられる。波長には分布があるために、
実際に半導体基板に照射される光は、１６５〜１７９ｎ
ｍの範囲の光が照射される。
【００２８】半導体基板５の表面は、プラスチック製の
キャリアケースに保管されたり、あるいは、クリーンル
ーム中に曝露されることにより有機物６により汚染され
ている。有機物６は、主にフタル酸、フタル酸エステル
またはそれらの誘導体で、特にプラスチック製のキャリ
アケースに含まれ、揮発により半導体基板に付着するも
のである。
キャリアケースに保管されたり、あるいは、クリーンル
ーム中に曝露されることにより有機物６により汚染され
ている。有機物６は、主にフタル酸、フタル酸エステル
またはそれらの誘導体で、特にプラスチック製のキャリ
アケースに含まれ、揮発により半導体基板に付着するも
のである。
【００２９】この洗浄室２内に、酸素を導入し、真空紫
外光を照射することにより、励起酸素原子が効率よく発
生し、半導体基板５の表面に付着したフタル酸等が分解
され、炭酸ガス、水、低分子炭素化合物等の分解物７と
なる。この分解物７は、排気９を通じて装置外へと排気
される。
外光を照射することにより、励起酸素原子が効率よく発
生し、半導体基板５の表面に付着したフタル酸等が分解
され、炭酸ガス、水、低分子炭素化合物等の分解物７と
なる。この分解物７は、排気９を通じて装置外へと排気
される。
【００３０】洗浄室に導入される酸素は、酸素を含むガ
スであればよく、半導体基板に対して付着性や腐食性の
ないキャリアガスといっしょに導入されてもよい。経済
性を考慮すると、高純度の酸素または、パーティクル、
有機物、アンモニア等の除去フィルタを通過した清浄な
空気であることが好ましい。
スであればよく、半導体基板に対して付着性や腐食性の
ないキャリアガスといっしょに導入されてもよい。経済
性を考慮すると、高純度の酸素または、パーティクル、
有機物、アンモニア等の除去フィルタを通過した清浄な
空気であることが好ましい。
【００３１】本図においては、O2、空気導入口８から導
入された酸素または空気は、ULPAフィルタ、有機物除去
用フィルタ及びアンモニア除去用フィルタの三層構造の
フィルタ１０を通過して、洗浄室２に入るようになって
いる。ここで、ULPAフィルタは、パーティクル除去用ガ
ラスフィルタであり、有機物除去用フィルタ及びアンモ
ニア除去用フィルタは、それぞれ種類の異なる活性炭ま
たはイオン交換樹脂からなるケミカルフィルタである。
入された酸素または空気は、ULPAフィルタ、有機物除去
用フィルタ及びアンモニア除去用フィルタの三層構造の
フィルタ１０を通過して、洗浄室２に入るようになって
いる。ここで、ULPAフィルタは、パーティクル除去用ガ
ラスフィルタであり、有機物除去用フィルタ及びアンモ
ニア除去用フィルタは、それぞれ種類の異なる活性炭ま
たはイオン交換樹脂からなるケミカルフィルタである。
【００３２】洗浄処理の温度であるが、特に限定はしな
いが、０〜３０℃の温度領域で処理を行うことによっ
て、自然酸化膜を増加させないという長所がある。本図
１においては、密閉空間内のクリーンルーム内の温度、
湿度に準じ、特に照射時に温度を上げる必要がなく、ま
た照射により温度が上がることはないので室温付近の処
理となっている。
いが、０〜３０℃の温度領域で処理を行うことによっ
て、自然酸化膜を増加させないという長所がある。本図
１においては、密閉空間内のクリーンルーム内の温度、
湿度に準じ、特に照射時に温度を上げる必要がなく、ま
た照射により温度が上がることはないので室温付近の処
理となっている。
【００３３】半導体基板導入口３は、汚染された半導体
基板を投入する時以外は、クリーンルームに対して遮断
された空間となっており、これにより洗浄室への汚染を
極力回避できる。
基板を投入する時以外は、クリーンルームに対して遮断
された空間となっており、これにより洗浄室への汚染を
極力回避できる。
【００３４】また、洗浄室２で洗浄された半導体基板５
は、クリーンルーム雰囲気から遮断された状態で、成膜
装置前室１に移送され、後工程であるゲート酸化膜成膜
工程、あるいはポリシリコン膜成膜工程へと進む。成膜
装置前室１は、ゲート酸化膜成膜室またはポリシリコン
成膜室に、大気を遮断して搬入するための前室であり、
装置全体をこのような構造にすることにより、清浄度の
高さを維持した状態で、ゲート酸化膜あるいはポリシリ
コン膜が成膜されるために、各膜の信頼性向上ひいては
半導体装置の製造歩留の向上につながる。
は、クリーンルーム雰囲気から遮断された状態で、成膜
装置前室１に移送され、後工程であるゲート酸化膜成膜
工程、あるいはポリシリコン膜成膜工程へと進む。成膜
装置前室１は、ゲート酸化膜成膜室またはポリシリコン
成膜室に、大気を遮断して搬入するための前室であり、
装置全体をこのような構造にすることにより、清浄度の
高さを維持した状態で、ゲート酸化膜あるいはポリシリ
コン膜が成膜されるために、各膜の信頼性向上ひいては
半導体装置の製造歩留の向上につながる。
【００３５】図２-a、ｂは、本発明の洗浄（真空紫外光
の照射時間５秒）を行う前後における半導体基板表面上
の残留有機物量を評価した結果を示し、測定には昇温脱
離型のガスクロマトグラフ質量分析計を用いた（図２-
a：洗浄後、図２-b：洗浄前）。
の照射時間５秒）を行う前後における半導体基板表面上
の残留有機物量を評価した結果を示し、測定には昇温脱
離型のガスクロマトグラフ質量分析計を用いた（図２-
a：洗浄後、図２-b：洗浄前）。
【００３６】図２-a、bにおいて、縦軸はイオン強度で
表した濃度軸であり、横軸は、クロマトグラフのリテン
ション時間を示す。両図は、相対評価のため、同一のス
ケールにて測定結果をプロットしたものである。ピーク
の数が多いほど、多くの種類の有機物が付着しているこ
とを示し、ピークの高さが高いほど、付着量が多いこと
を示す。
表した濃度軸であり、横軸は、クロマトグラフのリテン
ション時間を示す。両図は、相対評価のため、同一のス
ケールにて測定結果をプロットしたものである。ピーク
の数が多いほど、多くの種類の有機物が付着しているこ
とを示し、ピークの高さが高いほど、付着量が多いこと
を示す。
【００３７】図２-a、bの比較により、本発明の洗浄効
果が高いことが分かる。また、洗浄後の有機物の付着量
は、良好な0.1ng/cm2以下のレベルとなっていることも
わかった。
果が高いことが分かる。また、洗浄後の有機物の付着量
は、良好な0.1ng/cm2以下のレベルとなっていることも
わかった。
【００３８】さらに、この半導体基板表面上の付着有機
物のうち、フタル酸エステル類（プラスチック製のキャ
リアケース等の可塑剤として使用されている。）につい
て、詳しく昇温脱離の大気圧イオン化質量分析計で評価
した結果を図３に示す。図中縦軸は、イオン強度で表し
た濃度軸であり、横軸は、昇温脱離温度を示す。図3左
図は質量数149（フタル酸メインピーク）のグラフであ
り、右図は質量数104（フタル酸骨格）のグラフであ
る。
物のうち、フタル酸エステル類（プラスチック製のキャ
リアケース等の可塑剤として使用されている。）につい
て、詳しく昇温脱離の大気圧イオン化質量分析計で評価
した結果を図３に示す。図中縦軸は、イオン強度で表し
た濃度軸であり、横軸は、昇温脱離温度を示す。図3左
図は質量数149（フタル酸メインピーク）のグラフであ
り、右図は質量数104（フタル酸骨格）のグラフであ
る。
【００３９】両図とも、約４００〜６００℃での挙動を
比較すればよく、1桁以上もフタル酸エステル類が減少
していることがわかった。
比較すればよく、1桁以上もフタル酸エステル類が減少
していることがわかった。
【００４０】次に空気中で、本発明の洗浄方法を用いた
場合に、真空紫外光(Xeエキシマランプ 172nm）の照射
前後、さらに照射時間を延長した場合に、自然酸化膜の
膜厚に対してどのような影響があるかを調べた。この結
果を図４に示す。膜厚の測定は、図４に示すように半導
体基板上の５点で測定を行った。
場合に、真空紫外光(Xeエキシマランプ 172nm）の照射
前後、さらに照射時間を延長した場合に、自然酸化膜の
膜厚に対してどのような影響があるかを調べた。この結
果を図４に示す。膜厚の測定は、図４に示すように半導
体基板上の５点で測定を行った。
【００４１】この結果、照射時間が長くなると（最大で
120秒）自然酸化膜膜厚は増加するが、照射が最大で120
秒程度であれば、自然酸化膜膜厚の増加量は、3〜4Å程
度（照射なしの増加量1Å）であり、良好なレベルであ
ることがわかった。
120秒）自然酸化膜膜厚は増加するが、照射が最大で120
秒程度であれば、自然酸化膜膜厚の増加量は、3〜4Å程
度（照射なしの増加量1Å）であり、良好なレベルであ
ることがわかった。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第一に、プラスチック製のキャリアケースに保管され、
フタル酸、フタル酸エステル、またはそれらの誘導体に
より汚染された半導体基板を清浄な状態にする洗浄する
ことが可能となった。これは、波長が１６５〜１７９ｎ
ｍの範囲にある真空紫外光を照射することにより、上記
有機物を分解する励起酸素原子を効率的に発生させるこ
とが可能なためである。
第一に、プラスチック製のキャリアケースに保管され、
フタル酸、フタル酸エステル、またはそれらの誘導体に
より汚染された半導体基板を清浄な状態にする洗浄する
ことが可能となった。これは、波長が１６５〜１７９ｎ
ｍの範囲にある真空紫外光を照射することにより、上記
有機物を分解する励起酸素原子を効率的に発生させるこ
とが可能なためである。
【００４３】第二に、本発明の洗浄方法は、処理温度が
室温付近であるために、自然酸化膜の生成を抑えること
ができる。
室温付近であるために、自然酸化膜の生成を抑えること
ができる。
【００４４】第三に、ゲート酸化膜の成膜工程またはポ
リシリコン膜の成膜工程の直前に、本発明の洗浄工程を
設けることにより、ゲート酸化膜、ポリシリコン膜の信
頼性の向上につながる。
リシリコン膜の成膜工程の直前に、本発明の洗浄工程を
設けることにより、ゲート酸化膜、ポリシリコン膜の信
頼性の向上につながる。
【図１】本発明の一実施形態である真空紫外光（Xeエキ
シマランプ 172nm）を半導体基板表面に照射し洗浄す
る洗浄装置の概略図である。
シマランプ 172nm）を半導体基板表面に照射し洗浄す
る洗浄装置の概略図である。
【図２】本発明の洗浄方法により洗浄する前後における
半導体基板表面の残留有機物を昇温脱離型のガスクロマ
トグラフ質量分析計を用いて分析した結果である。（図
２-a：洗浄後、図２-b：洗浄前の結果を示す）
半導体基板表面の残留有機物を昇温脱離型のガスクロマ
トグラフ質量分析計を用いて分析した結果である。（図
２-a：洗浄後、図２-b：洗浄前の結果を示す）
【図３】本発明の洗浄方法により洗浄する前後における
半導体基板表面に付着しているフタル酸エステル類を昇
温脱離の大気圧イオン化質量分析計を用いて分析した結
果である。
半導体基板表面に付着しているフタル酸エステル類を昇
温脱離の大気圧イオン化質量分析計を用いて分析した結
果である。
【図４】本発明の洗浄方法を用いて洗浄した場合の自然
酸化膜の増加量を評価した結果である。
酸化膜の増加量を評価した結果である。
１ 成膜装置前室 ２ 洗浄室 ３ 半導体基板導入口 ４ 真空紫外光光源 ５ 半導体基板 ６ 有機物（フタル酸、フタル酸エステル及びそれら誘
導体） ７ 分解物 ８ 酸素、空気導入口 ９ 排気 １０ フィルター
導体） ７ 分解物 ８ 酸素、空気導入口 ９ 排気 １０ フィルター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三玉 光昭 東京都千代田区大手町２丁目６番１号 朝 日東海ビル19階 ウシオ電機株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体基板上に付着したフタル酸、フタ
ル酸エステルまたはそれらの誘導体を、中心波長が１７
２ｎｍの真空紫外光を照射することにより除去すること
を特徴とする半導体基板の洗浄方法。 - 【請求項２】 前記真空紫外光の波長の分布が、１６５
〜１７９ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項１記
載の半導体基板の洗浄方法。 - 【請求項３】 前記真空紫外光の光源が、Ｘｅエキシマ
ランプであることを特徴とする請求項１または２に記載
の半導体基板の洗浄方法。 - 【請求項４】 前記真空紫外光の照射を、酸素雰囲気中
または空気雰囲気中で行うことを特徴とする請求項１〜
３のいずれかに記載の半導体基板の洗浄方法。 - 【請求項５】 前記真空紫外光の照射を、基板温度０〜
３０℃の温度範囲で行うことを特徴とする請求項１〜４
のいずれかに記載の半導体基板の洗浄方法。 - 【請求項６】 密閉された洗浄室の中に配置され、フタ
ル酸、フタル酸エステルまたはそれらの誘導体により汚
染された半導体基板に、中心波長が１７２ｎｍの真空紫
外光を照射する照射手段と、前記洗浄室に酸素または空
気を導入する導入口と、前記洗浄室に大気を遮断して半
導体基板を搬入するための半導体基板導入口と、前記洗
浄室で洗浄した前記半導体基板を大気に曝露することな
く、ゲート酸化膜の成膜室またはポリシリコン成膜室に
搬入するための成膜装置前室と、を有することを特徴と
する半導体基板の洗浄装置。 - 【請求項７】 半導体基板上に、ゲート酸化膜またはポ
リシリコン膜を成膜させる工程の前工程として、請求項
１〜５のいずれかに記載の洗浄方法を用いた洗浄工程を
行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP11099141A JP2000294530A (ja) | 1999-04-06 | 1999-04-06 | 半導体基板の洗浄方法及びその洗浄装置 |
| US09/541,612 US6277767B1 (en) | 1999-04-06 | 2000-04-03 | Method for cleaning semiconductor device |
| KR10-2000-0017812A KR100478663B1 (ko) | 1999-04-06 | 2000-04-06 | 반도체 장치의 세정 방법 및 세정 장치 |
| US09/888,565 US6726886B2 (en) | 1999-04-06 | 2001-06-26 | Apparatus for cleaning semiconductor device |
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|---|---|---|---|
| JP11099141A JP2000294530A (ja) | 1999-04-06 | 1999-04-06 | 半導体基板の洗浄方法及びその洗浄装置 |
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|---|---|
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2000
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2001
- 2001-06-26 US US09/888,565 patent/US6726886B2/en not_active Expired - Fee Related
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