JPH1110101A - 光洗浄装置 - Google Patents
光洗浄装置Info
- Publication number
- JPH1110101A JPH1110101A JP9161336A JP16133697A JPH1110101A JP H1110101 A JPH1110101 A JP H1110101A JP 9161336 A JP9161336 A JP 9161336A JP 16133697 A JP16133697 A JP 16133697A JP H1110101 A JPH1110101 A JP H1110101A
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- Japan
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- light
- cleaned
- cleaning device
- optical
- optical cleaning
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 常温状態に保つ必要のある被洗浄物に対して
も適用することができる光洗浄装置を提供する。 【解決手段】 紫外線ランプから放射される紫外線を照
射することにより被洗浄物を洗浄する光洗浄装置におい
て、前記紫外線ランプから放射される光のうち、前記被
洗浄物に向かう３００ｎｍ（又は略３００ｎｍ）よりも
長波長の光を遮蔽する部材を設けたことを特徴とする光
洗浄装置。
も適用することができる光洗浄装置を提供する。 【解決手段】 紫外線ランプから放射される紫外線を照
射することにより被洗浄物を洗浄する光洗浄装置におい
て、前記紫外線ランプから放射される光のうち、前記被
洗浄物に向かう３００ｎｍ（又は略３００ｎｍ）よりも
長波長の光を遮蔽する部材を設けたことを特徴とする光
洗浄装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、紫外線ランプを用
いた光洗浄装置に関する。
いた光洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ドライで有効な洗浄法として、紫
外線を利用した洗浄法やオゾン、活性酸素等のガスと紫
外線を組み合わせた洗浄法がある。その光洗浄に用いら
れる従来の光洗浄装置は、図５に示すように、装置１内
には、光源として紫外線ランプ２と、被洗浄物を保持す
るホルダー４が設けられた構成である。
外線を利用した洗浄法やオゾン、活性酸素等のガスと紫
外線を組み合わせた洗浄法がある。その光洗浄に用いら
れる従来の光洗浄装置は、図５に示すように、装置１内
には、光源として紫外線ランプ２と、被洗浄物を保持す
るホルダー４が設けられた構成である。
【０００３】一般には、紫外線ランプ２として低圧水銀
ランプが使用され、この様な光洗浄装置はUV／オゾン洗
浄装置とも呼ばれ、有機物を分解／除去することができ
るので、食器洗浄、半導体／ガラス表面洗浄、レジスト
剥離等に広く用いられている。
ランプが使用され、この様な光洗浄装置はUV／オゾン洗
浄装置とも呼ばれ、有機物を分解／除去することができ
るので、食器洗浄、半導体／ガラス表面洗浄、レジスト
剥離等に広く用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記光洗浄装置に用い
られる低圧水銀ランプの発光スペクトル特性は、図４に
示されるように波長１８５ｎｍと２５４ｎｍに主な輝線
がある。入力電力に対するこれらの輝線への発光効率は
それほど高くはなく、多くは熱へ変換される。その発熱
のためにランプ自体の温度が高くなり、ランプからの熱
伝導、又は赤外線輻射により被洗浄物が加熱され、温度
が上がるという問題がある。
られる低圧水銀ランプの発光スペクトル特性は、図４に
示されるように波長１８５ｎｍと２５４ｎｍに主な輝線
がある。入力電力に対するこれらの輝線への発光効率は
それほど高くはなく、多くは熱へ変換される。その発熱
のためにランプ自体の温度が高くなり、ランプからの熱
伝導、又は赤外線輻射により被洗浄物が加熱され、温度
が上がるという問題がある。
【０００５】従って、従来の光洗浄装置は、被洗浄物が
高温になっても問題が生じない場合にのみ用いられ、被
洗浄物を高温にすることなく常温で洗浄する必要がある
場合には使用できないという問題があった。そこで、本
発明は、このような問題に鑑みて、常温状態に保つ必要
のある被洗浄物に対しても適用することができる光洗浄
装置を提供することを目的とする。
高温になっても問題が生じない場合にのみ用いられ、被
洗浄物を高温にすることなく常温で洗浄する必要がある
場合には使用できないという問題があった。そこで、本
発明は、このような問題に鑑みて、常温状態に保つ必要
のある被洗浄物に対しても適用することができる光洗浄
装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、第一に「紫外
線ランプから放射される紫外線を照射することにより被
洗浄物を洗浄する光洗浄装置において、前記紫外線ラン
プから放射される光のうち、前記被洗浄物に向かう３０
０ｎｍ（又は略３００ｎｍ）よりも長波長の光を遮蔽す
る部材を設けたことを特徴とする光洗浄装置（請求項
１）」を提供する。
線ランプから放射される紫外線を照射することにより被
洗浄物を洗浄する光洗浄装置において、前記紫外線ラン
プから放射される光のうち、前記被洗浄物に向かう３０
０ｎｍ（又は略３００ｎｍ）よりも長波長の光を遮蔽す
る部材を設けたことを特徴とする光洗浄装置（請求項
１）」を提供する。
【０００７】また、本発明は、第二に「前記部材は、前
記被洗浄物に向けて波長３００ｎｍ（又は略３００ｎ
ｍ）以下の光のみを透過するフィルター部を有すること
を特徴とする請求項１記載の光洗浄装置（請求項２）」
を提供する。また、本発明は、第三に「前記紫外線ラン
プから放射された光のうち、波長３００ｎｍ（又は略３
００ｎｍ）以下の光のみを前記フィルターに向けて反射
するミラー部をさらに有することを特徴とする請求項２
記載の光洗浄装置（請求項３）」を提供する。
記被洗浄物に向けて波長３００ｎｍ（又は略３００ｎ
ｍ）以下の光のみを透過するフィルター部を有すること
を特徴とする請求項１記載の光洗浄装置（請求項２）」
を提供する。また、本発明は、第三に「前記紫外線ラン
プから放射された光のうち、波長３００ｎｍ（又は略３
００ｎｍ）以下の光のみを前記フィルターに向けて反射
するミラー部をさらに有することを特徴とする請求項２
記載の光洗浄装置（請求項３）」を提供する。
【０００８】また、本発明は、第四に「前記部材は、前
記被洗浄物に向けて波長３００ｎｍ（又は略３００ｎ
ｍ）以下の光のみを反射するミラー部を有することを特
徴とする請求項１記載の光洗浄装置（請求項４）」を提
供する。また、本発明は、第五に「前記紫外線ランプが
低圧水銀ランプであることを特徴とする請求項１〜４記
載の光洗浄装置（請求項５）」を提供する。
記被洗浄物に向けて波長３００ｎｍ（又は略３００ｎ
ｍ）以下の光のみを反射するミラー部を有することを特
徴とする請求項１記載の光洗浄装置（請求項４）」を提
供する。また、本発明は、第五に「前記紫外線ランプが
低圧水銀ランプであることを特徴とする請求項１〜４記
載の光洗浄装置（請求項５）」を提供する。
【０００９】また、本発明は、第六に「前記部材、前記
フィルター部、又は前記ミラー部に強制冷却機構を設け
たことを特徴とする請求項１〜５記載の光洗浄装置（請
求項６）」を提供する。
フィルター部、又は前記ミラー部に強制冷却機構を設け
たことを特徴とする請求項１〜５記載の光洗浄装置（請
求項６）」を提供する。
【００１０】
【発明の実施形態】以下、本発明の実施形態として、図
面を用いて説明する。図１は、本発明にかかる第１の実
施形態の光洗浄装置の概略断面図である。第１の実施形
態の光洗浄装置は、装置１内に、光源として低圧水銀ラ
ンプ２、被洗浄物５を保持するホルダー４、低圧水銀ラ
ンプ２とホルダー４の間に３００ｎｍ以下の光のみを透
過するフィルター３と、が設けられた構成である。
面を用いて説明する。図１は、本発明にかかる第１の実
施形態の光洗浄装置の概略断面図である。第１の実施形
態の光洗浄装置は、装置１内に、光源として低圧水銀ラ
ンプ２、被洗浄物５を保持するホルダー４、低圧水銀ラ
ンプ２とホルダー４の間に３００ｎｍ以下の光のみを透
過するフィルター３と、が設けられた構成である。
【００１１】図示した光洗浄装置においては、図４に示
すような低圧水銀ランプ２から放射される１８５ｎｍ及
び２５４ｎｍの光と、発熱した前記ランプ２表面から放
射された赤外線は、フィルター３により、赤外線はカッ
トされ、波長１８５ｎｍと２５４ｎｍの光のみが透過さ
れ、被洗浄物に照射され、洗浄される。そのため、赤外
線による加熱効果を防ぐことができる。
すような低圧水銀ランプ２から放射される１８５ｎｍ及
び２５４ｎｍの光と、発熱した前記ランプ２表面から放
射された赤外線は、フィルター３により、赤外線はカッ
トされ、波長１８５ｎｍと２５４ｎｍの光のみが透過さ
れ、被洗浄物に照射され、洗浄される。そのため、赤外
線による加熱効果を防ぐことができる。
【００１２】また、赤外線をカットしたフィルター３は
赤外線により加熱されているので、フィルター３からの
発熱（熱伝導）を防止するために、強制冷却機構８を設
けることが好ましい。強制冷却機構８による冷却方法と
しては、フィルター３の周囲やフィルター３の保持部材
にペルチェ素子を設けたり、保持部材を水冷構造にする
方法や、フィルター３を２枚配置し、そのフィルター３
の間に液体窒素を流す方法等が挙げられる。
赤外線により加熱されているので、フィルター３からの
発熱（熱伝導）を防止するために、強制冷却機構８を設
けることが好ましい。強制冷却機構８による冷却方法と
しては、フィルター３の周囲やフィルター３の保持部材
にペルチェ素子を設けたり、保持部材を水冷構造にする
方法や、フィルター３を２枚配置し、そのフィルター３
の間に液体窒素を流す方法等が挙げられる。
【００１３】また、光洗浄装置１全体やホルダー４に強
制冷却機構を設けることにより、冷却効果をさらに向上
させることができる。このような構成にすることで、被
洗浄物を高温にすることなく常温で、光洗浄を行なうこ
とが可能となる。図２は、本発明にかかる第２の実施形
態の光洗浄装置の概略断面図である。第２の実施形態の
光洗浄装置は、装置１内に、光源として低圧水銀ランプ
２と、低圧水銀ランプ２付近に、該紫外線から放射され
た光の一部を遮蔽する遮蔽板７と、その残りの光のうち
３００ｎｍ以下の光を反射し、３００ｎｍ以上の光を透
過及び吸収するミラー６と、被洗浄物５を保持するホル
ダー４と、が設けられた構成である。
制冷却機構を設けることにより、冷却効果をさらに向上
させることができる。このような構成にすることで、被
洗浄物を高温にすることなく常温で、光洗浄を行なうこ
とが可能となる。図２は、本発明にかかる第２の実施形
態の光洗浄装置の概略断面図である。第２の実施形態の
光洗浄装置は、装置１内に、光源として低圧水銀ランプ
２と、低圧水銀ランプ２付近に、該紫外線から放射され
た光の一部を遮蔽する遮蔽板７と、その残りの光のうち
３００ｎｍ以下の光を反射し、３００ｎｍ以上の光を透
過及び吸収するミラー６と、被洗浄物５を保持するホル
ダー４と、が設けられた構成である。
【００１４】遮蔽板７の材料としては、アルミ、ステン
レス等が用いられるが、これに限らない。ミラー６は、
光学ガラス、セラミックス等の基板上に金属膜、誘電体
膜が形成されたものである。図示した光洗浄装置におい
ては、図４に示すような低圧水銀ランプ２から放射され
る１８５ｎｍ及び２５４ｎｍの光と、発熱した前記ラン
プ表面から放射された赤外線は、直接被洗浄物５に照射
されないように、その一部が遮蔽板７により遮蔽され、
その残りがミラー６に到達し、ミラー６により、赤外線
が透過及び吸収され、１８５ｎｍ及び２５４ｎｍの光の
みが反射され、被洗浄物５に照射され、被洗浄物５は洗
浄される。そのため、赤外線による加熱効果を防ぐこと
ができる。
レス等が用いられるが、これに限らない。ミラー６は、
光学ガラス、セラミックス等の基板上に金属膜、誘電体
膜が形成されたものである。図示した光洗浄装置におい
ては、図４に示すような低圧水銀ランプ２から放射され
る１８５ｎｍ及び２５４ｎｍの光と、発熱した前記ラン
プ表面から放射された赤外線は、直接被洗浄物５に照射
されないように、その一部が遮蔽板７により遮蔽され、
その残りがミラー６に到達し、ミラー６により、赤外線
が透過及び吸収され、１８５ｎｍ及び２５４ｎｍの光の
みが反射され、被洗浄物５に照射され、被洗浄物５は洗
浄される。そのため、赤外線による加熱効果を防ぐこと
ができる。
【００１５】また、遮蔽板７及びミラー６は赤外線を吸
収しているので、遮蔽板７及びミラー６からの発熱（熱
伝導）を防止するために、遮蔽板７及びミラー６に強制
冷却機構８を設けることが好ましい。強制冷却機構によ
る冷却方法としては、遮蔽板７及びミラー６の裏面を水
冷構造にする方法、裏面にペルチェ素子を設ける方法等
が挙げられる。
収しているので、遮蔽板７及びミラー６からの発熱（熱
伝導）を防止するために、遮蔽板７及びミラー６に強制
冷却機構８を設けることが好ましい。強制冷却機構によ
る冷却方法としては、遮蔽板７及びミラー６の裏面を水
冷構造にする方法、裏面にペルチェ素子を設ける方法等
が挙げられる。
【００１６】さらに、第１の実施形態と同様に、光洗浄
装置１全体やホルダー４に強制冷却機構を設けることに
より、冷却効果をさらに向上させることができる。この
ような構成にすることで、被洗浄物を高温にすることな
く常温で、光洗浄を行なうことが可能となる。図３は、
本発明にかかる第３の実施形態の光洗浄装置の概略断面
図である。
装置１全体やホルダー４に強制冷却機構を設けることに
より、冷却効果をさらに向上させることができる。この
ような構成にすることで、被洗浄物を高温にすることな
く常温で、光洗浄を行なうことが可能となる。図３は、
本発明にかかる第３の実施形態の光洗浄装置の概略断面
図である。
【００１７】第３の実施形態の光洗浄装置は、装置１内
に、光源として低圧水銀ランプ２と、被洗浄物５を保持
するホルダー４と低圧水銀ランプ２とホルダー４の間
に、３００ｎｍ以下の光のみを透過するフィルター３
と、フィルター３の設置位置とは反対位置に、低圧水銀
ランプ２を介して３００ｎｍ以下の光を反射し、３００
ｎｍ以上の光を透過及び吸収するミラー６と、が設けら
れた構成である。
に、光源として低圧水銀ランプ２と、被洗浄物５を保持
するホルダー４と低圧水銀ランプ２とホルダー４の間
に、３００ｎｍ以下の光のみを透過するフィルター３
と、フィルター３の設置位置とは反対位置に、低圧水銀
ランプ２を介して３００ｎｍ以下の光を反射し、３００
ｎｍ以上の光を透過及び吸収するミラー６と、が設けら
れた構成である。
【００１８】図示した光洗浄装置においては、図４に示
すような低圧水銀ランプ２から放射される１８５ｎｍ及
び２５４ｎｍの光と、発熱した前記ランプ表面から放射
された赤外線は、ミラー６により、赤外線が吸収され、
１８５ｎｍ及び２５４ｎｍの光のみが反射され、フィル
ター３により、赤外線がカットされ、１８５ｎｍ及び２
５４ｎｍの光のみが被洗浄物に照射され、被洗浄物５は
洗浄される。
すような低圧水銀ランプ２から放射される１８５ｎｍ及
び２５４ｎｍの光と、発熱した前記ランプ表面から放射
された赤外線は、ミラー６により、赤外線が吸収され、
１８５ｎｍ及び２５４ｎｍの光のみが反射され、フィル
ター３により、赤外線がカットされ、１８５ｎｍ及び２
５４ｎｍの光のみが被洗浄物に照射され、被洗浄物５は
洗浄される。
【００１９】即ち、低圧水銀ランプ２から放射された光
のうち、フィルター３とは反対方向に放射された光は、
ミラー６により、赤外線が透過及び吸収され、１８５ｎ
ｍ及び２５４ｎｍの光のみが反射され、フィルター３を
透過するので、フィルター３とは反対方向に放射された
光を有効に利用することができ、効率的に光洗浄するこ
とができる。そのため、赤外線による加熱効果を防ぐこ
とができる。
のうち、フィルター３とは反対方向に放射された光は、
ミラー６により、赤外線が透過及び吸収され、１８５ｎ
ｍ及び２５４ｎｍの光のみが反射され、フィルター３を
透過するので、フィルター３とは反対方向に放射された
光を有効に利用することができ、効率的に光洗浄するこ
とができる。そのため、赤外線による加熱効果を防ぐこ
とができる。
【００２０】また、第１及び第２の実施形態と同様に、
フィルター３及び／又はミラー６に強制冷却機構８を設
けることが好ましい。さらに、第１の実施形態と同様
に、光洗浄装置１全体やホルダー４に強制冷却機構を設
けることにより、冷却効果をさらに向上させることがで
きる。このような構成にすることで、高温になることな
く常温で、光洗浄を行なうことが可能となる。
フィルター３及び／又はミラー６に強制冷却機構８を設
けることが好ましい。さらに、第１の実施形態と同様
に、光洗浄装置１全体やホルダー４に強制冷却機構を設
けることにより、冷却効果をさらに向上させることがで
きる。このような構成にすることで、高温になることな
く常温で、光洗浄を行なうことが可能となる。
【００２１】なお、第１の実施形態〜第３の実形態の光
洗浄装置は、光洗浄する際、装置内に空気が満たされて
いる状態であっても光洗浄は可能であるが、ドライエア
ー又はドライＮ2とドライＯ2の混合ガスで満たされてい
る方が好ましい。上記エアーの導入は、光洗浄装置内を
強制冷却するという機能も有する。 ［実施例１］ 図１に示す光洗浄装置を用いて光洗浄を行った。
洗浄装置は、光洗浄する際、装置内に空気が満たされて
いる状態であっても光洗浄は可能であるが、ドライエア
ー又はドライＮ2とドライＯ2の混合ガスで満たされてい
る方が好ましい。上記エアーの導入は、光洗浄装置内を
強制冷却するという機能も有する。 ［実施例１］ 図１に示す光洗浄装置を用いて光洗浄を行った。
【００２２】光源２は、出力が１０ｍＷの低圧水銀ラン
プである。光洗浄装置のホルダー４に被洗浄物５をセッ
トした。被洗浄物は、Φ３０ｍｍ-ｔ３ｍｍの石英ガラ
ス基板上にＭｇＦ2とＬａＦ2との交互層からなる反射防
止膜を片面に成膜したものである。被洗浄物５に低圧水
銀ランプから発生する光を１０分間、照射し続けた。
プである。光洗浄装置のホルダー４に被洗浄物５をセッ
トした。被洗浄物は、Φ３０ｍｍ-ｔ３ｍｍの石英ガラ
ス基板上にＭｇＦ2とＬａＦ2との交互層からなる反射防
止膜を片面に成膜したものである。被洗浄物５に低圧水
銀ランプから発生する光を１０分間、照射し続けた。
【００２３】被洗浄物は、温度が上昇することなく表面
吸着物を除去することができた。また、本発明にかかる
光洗浄装置は、光学薄膜成膜前の光学基板や鏡筒内にレ
ンズを組み込んだ光学製品の洗浄にも使用することがで
きる。また、鏡筒内にレンズを組み込んだ半導体製造装
置用光学製品を被洗浄物として、光洗浄を行った。
吸着物を除去することができた。また、本発明にかかる
光洗浄装置は、光学薄膜成膜前の光学基板や鏡筒内にレ
ンズを組み込んだ光学製品の洗浄にも使用することがで
きる。また、鏡筒内にレンズを組み込んだ半導体製造装
置用光学製品を被洗浄物として、光洗浄を行った。
【００２４】この光学製品は、常に、常温±３℃の状態
を保つ必要があるが、このような光学製品に対しても、
常温±３℃の状態を保持しつつ、十分な洗浄を行うこと
ができた。
を保つ必要があるが、このような光学製品に対しても、
常温±３℃の状態を保持しつつ、十分な洗浄を行うこと
ができた。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる光
洗浄装置によれば、水銀ランプから放射される光のうち
１８５ｎｍ及び２５４ｎｍの光のみを、被洗浄物に照射
することができるので、被洗浄物を常温状態に保ったま
ま、十分な光洗浄を行うこができる。
洗浄装置によれば、水銀ランプから放射される光のうち
１８５ｎｍ及び２５４ｎｍの光のみを、被洗浄物に照射
することができるので、被洗浄物を常温状態に保ったま
ま、十分な光洗浄を行うこができる。
【００２６】また、本発明にかかる光洗浄装置のフィル
ター、ミラー、遮蔽板に強制冷却機構を設けると、赤外
線により加熱されたフィルター、ミラー、遮蔽板からの
熱伝導を防止できるので、より一層、上記本発明の効果
を向上させることができる。
ター、ミラー、遮蔽板に強制冷却機構を設けると、赤外
線により加熱されたフィルター、ミラー、遮蔽板からの
熱伝導を防止できるので、より一層、上記本発明の効果
を向上させることができる。
【図１】本発明にかかる第１の実施形態の光洗浄装置の
概略断面図である。
概略断面図である。
【図２】本発明にかかる第２の実施形態の光洗浄装置の
概略断面図である。
概略断面図である。
【図３】本発明にかかる第３の実施形態の光洗浄装置の
概略断面図である。
概略断面図である。
【図４】低圧水銀ランプの発光スペクトル特性図であ
る。
る。
【図５】従来の光洗浄装置の概略断面図である。
１・・・光洗浄装置 ２・・・低圧水銀ランプ ３・・・フィルター ４・・・ホルダー ５・・・被洗浄物 ６・・・ミラー ７・・・遮蔽板 ８・・・強制冷却機構
Claims (6)
- 【請求項１】紫外線ランプから放射される紫外線を照射
することにより被洗浄物を洗浄する光洗浄装置におい
て、 前記紫外線ランプから放射される光のうち、前記被洗浄
物に向かう３００ｎｍ（又は略３００ｎｍ）よりも長波
長の光を遮蔽する部材を設けたことを特徴とする光洗浄
装置。 - 【請求項２】前記部材は、前記被洗浄物に向けて波長３
００ｎｍ（又は略３００ｎｍ）以下の光のみを透過する
フィルター部を有することを特徴とする請求項１記載の
光洗浄装置。 - 【請求項３】前記紫外線ランプから放射された光のう
ち、波長３００ｎｍ（又は略３００ｎｍ）以下の光のみ
を前記フィルターに向けて反射するミラー部をさらに有
することを特徴とする請求項２記載の光洗浄装置。 - 【請求項４】前記部材は、前記被洗浄物に向けて波長３
００ｎｍ（又は略３００ｎｍ）以下の光のみを反射する
ミラー部を有することを特徴とする請求項１記載の光洗
浄装置。 - 【請求項５】前記紫外線ランプが低圧水銀ランプである
ことを特徴とする請求項１〜４記載の光洗浄装置。 - 【請求項６】前記部材、前記フィルター部、又は前記ミ
ラー部に強制冷却機構を設けたことを特徴とする請求項
１〜５記載の光洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9161336A JPH1110101A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 光洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9161336A JPH1110101A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 光洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1110101A true JPH1110101A (ja) | 1999-01-19 |
Family
ID=15733154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9161336A Pending JPH1110101A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 光洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1110101A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6726886B2 (en) | 1999-04-06 | 2004-04-27 | Nec Electronics Corporation | Apparatus for cleaning semiconductor device |
| JP2012004144A (ja) * | 2010-06-14 | 2012-01-05 | Ushio Inc | 光照射装置 |
| JP2018040915A (ja) * | 2016-09-07 | 2018-03-15 | ウシオ電機株式会社 | 光照射器 |
| CN108290185A (zh) * | 2015-08-27 | 2018-07-17 | 聚斯微技术光掩模设备两合公司 | 用于将利用uv辐射辐照的液体介质施加到基板上的装置 |
| CN110402170A (zh) * | 2017-03-01 | 2019-11-01 | 休斯微科光罩仪器股份有限公司 | 用于涂布被紫外线照射的液体介质至基板上的装置 |
| US11788959B1 (en) | 2022-11-23 | 2023-10-17 | Uv Systems, Inc. | Lighting apparatus with filter having improved transmissivity, improved solarization rate, or both improved transmissivity and improved solarization rate |
-
1997
- 1997-06-18 JP JP9161336A patent/JPH1110101A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6726886B2 (en) | 1999-04-06 | 2004-04-27 | Nec Electronics Corporation | Apparatus for cleaning semiconductor device |
| JP2012004144A (ja) * | 2010-06-14 | 2012-01-05 | Ushio Inc | 光照射装置 |
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