JP2000294532A - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents
Substrate processing method and substrate processing apparatusInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 加熱手段の負担を軽減することができ，しか
も処理液中のバクテリアの発生を防止できる基板処理方
法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】 純水貯留タンク８０内の純水を所定温度
に加熱し，この純水と薬液とを洗浄槽６０内に充填して
ウェハＷを浸漬させることによりウェハＷを薬液洗浄す
る方法であって，純水の加熱を停止している期間に，純
水を純水貯留タンク８０内に供給して貯留し，その後も
小流量の純水を供給し続けて純水貯留タンク８０内から
オーバーフロー管８２を通して純水を排出し，純水貯留
タンク８０内に貯留されている純水を常に流動させる。
洗浄槽６０に充填を開始する時刻よりも所定時間前に，
純水の供給と排出を停止させ，カートリッジヒータ９５
を作動させる。
(57) [Problem] To provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of reducing a load on a heating means and preventing generation of bacteria in a processing liquid. SOLUTION: A method of heating a pure water in a pure water storage tank 80 to a predetermined temperature, filling the pure water and a chemical solution into a cleaning tank 60, and immersing the wafer W to clean the wafer W with a chemical solution. Then, while the heating of the pure water is stopped, the pure water is supplied and stored in the pure water storage tank 80, and thereafter, a small flow of pure water is continuously supplied to the pure water storage tank 80. The pure water is discharged through the overflow pipe 82, and the pure water stored in the pure water storage tank 80 always flows.
A predetermined time before the time when the filling of the cleaning tank 60 is started,
The supply and discharge of pure water are stopped, and the cartridge heater 95 is stopped.
Activate
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は，処理液を用いて基
板などを処理する基板処理方法及び基板処理装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing method and apparatus for processing a substrate or the like using a processing liquid.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば，半導体デバイスの製造工程で
は，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）を所定
の薬液や純水等の洗浄液によって洗浄し，ウェハの表面
に付着したパーティクル，有機汚染物，金属不純物等の
コンタミネーションを除去する洗浄装置が使用されてい
る。その中でも，洗浄液が充填された洗浄槽内にウェハ
を浸漬させて洗浄処理を行うウェット型の洗浄装置は，
ウェハに付着したパーティクル等を効果的に除去できる
ため広く普及している。2. Description of the Related Art For example, in a semiconductor device manufacturing process, a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a "wafer") is cleaned with a predetermined cleaning solution such as a chemical solution or pure water, and particles and organic contaminants adhered to the surface of the wafer. A cleaning apparatus for removing contamination such as metal impurities is used. Among them, a wet type cleaning apparatus that performs a cleaning process by immersing a wafer in a cleaning tank filled with a cleaning liquid is provided.
It is widely used because particles and the like attached to a wafer can be effectively removed.
【０００３】通常，薬液を用いて薬液洗浄を行う薬液洗
浄装置と，純水を用いてリンス洗浄を行うリンス洗浄装
置を交互に配置しながら多数の洗浄装置を並べている。
そして，これら各洗浄装置にウェハを順次搬送すること
により，ウェハに対して所定の洗浄工程を施す。この場
合には，前の薬液洗浄と次の薬液洗浄との間に，リンス
洗浄が行われることになり，前の薬液が綺麗に洗い流さ
れたウェハが，次の薬液洗浄装置に搬入されるようにな
っている。Normally, a large number of cleaning devices are arranged while alternately disposing a chemical cleaning device for performing a chemical cleaning using a chemical solution and a rinsing cleaning device for performing a rinsing cleaning using pure water.
Then, a predetermined cleaning step is performed on the wafer by sequentially transferring the wafer to each of these cleaning apparatuses. In this case, rinsing is performed between the previous chemical cleaning and the next chemical cleaning, so that the wafer from which the previous chemical has been thoroughly cleaned is carried into the next chemical cleaning apparatus. It has become.
【０００４】ここで，薬液洗浄装置は，薬液と純水を洗
浄槽に充填し，所定濃度の薬液を生成し，このような薬
液中にウェハを浸漬させることにより，ウェハを薬液洗
浄するように構成されている。常温の薬液に比べて，高
温の薬液の方が高い洗浄能力を示すため，通常の薬液洗
浄では所定の処理温度に加熱した薬液を使用している。
そこで，薬液洗浄装置は，内部にカートリッジヒータが
設置された純水貯留タンクを備えており，この純水貯留
タンク内に予め純水を貯留して所定温度にまで加熱でき
るように構成されている。従って，薬液洗浄の際には，
純水貯留タンク内で予め所定温度にまで加熱された純水
を，薬液洗浄の開始直前に洗浄槽に充填して薬液と混合
することにより，所定の処理温度の薬液を生成し，薬液
洗浄を直ぐに開始するようにしている。洗浄槽に充填す
るまでの間，純水は純水貯留タンク内で加熱され続けら
れるので，純水を汚染するようなバクテリアが純水中に
繁殖するようなことはない。Here, the chemical cleaning apparatus fills a cleaning tank with a chemical and pure water to generate a chemical having a predetermined concentration, and immerses the wafer in such a chemical to clean the wafer. It is configured. Since a high-temperature chemical has a higher cleaning ability than a normal-temperature chemical, a normal chemical cleaning uses a chemical heated to a predetermined processing temperature.
Therefore, the chemical liquid cleaning device is provided with a pure water storage tank in which a cartridge heater is installed, and is configured so that pure water can be stored in the pure water storage tank in advance and heated to a predetermined temperature. . Therefore, when cleaning chemicals,
Pure water preheated to a predetermined temperature in a pure water storage tank is filled into a cleaning tank immediately before the start of chemical cleaning and mixed with the chemical to generate a chemical at a predetermined processing temperature, and the chemical cleaning is performed. I'm going to start right away. Until the pure water is filled in the cleaning tank, the pure water is continuously heated in the pure water storage tank, so that bacteria that contaminate the pure water do not grow in the pure water.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来の
薬液洗浄装置では，純水貯留タンク内の純水を，薬液洗
浄の開始直前までの長い間，カートリッジヒータによっ
て加熱し続けなければならず，これをウェハの薬液洗浄
毎に繰り返しているので，カートリッジヒータに過大な
負担がかかる。このため，カートリッジヒータの製品寿
命が短く，しかもカートリッジヒータにかかる電力消費
量が高騰していた。However, in the conventional chemical cleaning apparatus, the pure water in the pure water storage tank must be continuously heated by the cartridge heater for a long time immediately before the start of the chemical cleaning. Is repeated each time the wafer is washed with a chemical solution, so that an excessive burden is imposed on the cartridge heater. For this reason, the product life of the cartridge heater has been short, and the power consumption of the cartridge heater has increased.
【０００６】一方，カートリッジヒータの負担を減らす
ために，例えば洗浄槽に充填する一定時間前からカート
リッジヒータを作動させていたのでは，加熱が開始され
るまでの間，純水中にバクテリアが発生するおそれがあ
り，純水の清浄度を維持することが難しくなる。On the other hand, in order to reduce the burden on the cartridge heater, for example, if the cartridge heater is operated for a predetermined time before filling the washing tank, bacteria are generated in pure water until heating is started. And it becomes difficult to maintain the purity of pure water.
【０００７】従って，本発明の目的は，加熱手段の負担
を軽減することができ，しかも処理液中のバクテリアの
発生を防止できる基板処理方法及び基板処理装置を提供
することにある。Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of reducing the load on a heating means and preventing the generation of bacteria in a processing solution.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，請求項１の発明は，処理液貯留タンク内に貯留した
処理液を所定温度に加熱し，この加熱された処理液を前
記処理液貯留タンク内から処理槽内に充填して該処理槽
内にて処理液中に基板を浸漬させることにより基板を処
理する方法であって，前記処理液貯留タンク内に処理液
を貯留した後に，前記処理液貯留タンク内に処理液を供
給すると共に，前記処理液貯留タンク内から処理液を排
出し，前記処理液の供給と排出とを，前記処理液を所定
温度に加熱するのを停止している期間に行うことを特徴
とする，基板処理方法を提供する。According to a first aspect of the present invention, a processing liquid stored in a processing liquid storage tank is heated to a predetermined temperature, and the heated processing liquid is treated by the processing liquid. A method for treating a substrate by filling a processing tank from a liquid storage tank and immersing the substrate in the processing liquid in the processing tank, wherein the processing liquid is stored in the processing liquid storage tank. Supplying the processing liquid into the processing liquid storage tank, discharging the processing liquid from the processing liquid storage tank, and stopping the supply and discharge of the processing liquid to a predetermined temperature. The present invention provides a substrate processing method characterized in that the method is performed during a period of time.
【０００９】請求項１に記載の基板処理方法によれば，
処理液を所定温度に加熱することを停止している期間
に，処理液を処理液貯留タンク内に供給し，処理液貯留
タンク内に処理液が十分に貯留した後も処理液を供給し
続け，処理液貯留タンク内から処理液を排出する。その
後，処理槽に充填を開始する時刻よりも所定時間前に，
処理液の供給と排出を停止させ，加熱手段を作動させて
処理液貯留タンク内の処理液を加熱する。According to the substrate processing method of the first aspect,
During the period when the heating of the processing liquid to the predetermined temperature is stopped, the processing liquid is supplied into the processing liquid storage tank, and the processing liquid is continuously supplied even after the processing liquid is sufficiently stored in the processing liquid storage tank. The processing liquid is discharged from the processing liquid storage tank. Then, a predetermined time before the time when the filling of the processing tank is started,
The supply and discharge of the processing liquid are stopped, and the heating means is operated to heat the processing liquid in the processing liquid storage tank.
【００１０】このように，処理液貯留タンク内に処理液
が貯留されてから処理槽に充填が開始されるまでの長い
間，常に加熱手段を作動させ続けるのでなく，処理槽に
充填を開始する時刻よりも所定時間前に加熱手段を作動
させるので，加熱手段の負担を軽減することができる。
しかも，加熱手段が作動していない間は，処理液貯留タ
ンク内に処理液を供給して，処理液を常に流動させる状
態にするので，処理液貯留タンク内の純水が滞留してバ
クテリアが発生した状態，いわゆる死水状態になること
を防止することができる。As described above, for a long time from when the processing liquid is stored in the processing liquid storage tank to when the filling of the processing tank is started, the heating means is not always operated but the filling of the processing tank is started. Since the heating means is operated a predetermined time before the time, the burden on the heating means can be reduced.
In addition, when the heating means is not operating, the processing liquid is supplied into the processing liquid storage tank so that the processing liquid always flows, so that pure water in the processing liquid storage tank stays and bacteria are generated. It is possible to prevent the occurrence of a state, that is, a so-called dead water state.
【００１１】請求項１に記載の基板処理方法において，
請求項２に記載したように，前記処理液を所定温度に加
熱する際には，少なくとも所定温度に昇温するのに必要
な時間，前記処理液の供給と排出とを停止させることが
好ましい。かかる方法によれば，少なくとも所定温度に
昇温するのに必要な時間，処理液の供給と排出を停止さ
せるので，処理液貯留タンク内の処理液を所定温度に確
実に加熱することができる。[0011] In the substrate processing method according to the first aspect,
As described in claim 2, when heating the processing liquid to a predetermined temperature, it is preferable to stop the supply and discharge of the processing liquid at least for a time necessary to raise the temperature to the predetermined temperature. According to this method, the supply and discharge of the processing liquid are stopped at least for a time required to raise the temperature to the predetermined temperature, so that the processing liquid in the processing liquid storage tank can be reliably heated to the predetermined temperature.
【００１２】請求項３の発明は，処理液貯留タンク内に
貯留した処理液を所定温度に加熱し，この加熱された処
理液を前記処理液貯留タンク内から処理槽内に充填して
該処理槽内にて処理液中に基板を浸漬させることにより
基板を処理する方法であって，前記処理液貯留タンク内
の処理液を，前記所定温度よりも低い温度に予備加熱し
て通常待機させ，この通常待機の後に，前記処理液貯留
タンク内の処理液を前記所定温度に加熱し，前記処理槽
に充填することを特徴とする，基板処理方法を提供す
る。According to a third aspect of the present invention, the processing liquid stored in the processing liquid storage tank is heated to a predetermined temperature, and the heated processing liquid is filled into the processing tank from the processing liquid storage tank. A method for processing a substrate by immersing the substrate in a processing liquid in a tank, wherein the processing liquid in the processing liquid storage tank is preheated to a temperature lower than the predetermined temperature and is normally in standby, After the normal standby, a substrate processing method is provided in which the processing liquid in the processing liquid storage tank is heated to the predetermined temperature and filled in the processing tank.
【００１３】請求項３に記載の基板処理方法において，
請求項４に記載したように，前記処理液貯留タンク内の
処理液を，バクテリアが発生しない温度に予備加熱する
ことが好ましい。かかる基板処理方法によれば，処理液
貯留タンク内の処理液を，バクテリアが発生しない温度
に予備加熱するので，処理液貯留タンク内に処理液が滞
留していても，処理液中にバクテリアが発生することを
防止することができる。しかも，処理液を予備加熱する
のに必要な熱エネルギーは，処理液を所定温度に加熱す
る時に比べて少なくて済む。これにより，加熱手段にか
かる負担を，所定温度で常に加熱し続ける場合よりも軽
減することができる。そして，その後，請求項１と同様
に処理液を所定温度に加熱して処理槽に処理液を充填す
る。このように，処理液貯留タンク内に貯留してから処
理液を処理槽内に充填するまでの長い間，常に加熱手段
を全開で作動させることがないので，加熱手段の負担を
軽減することができる。[0013] In the substrate processing method according to the third aspect,
Preferably, the processing liquid in the processing liquid storage tank is preheated to a temperature at which bacteria do not occur. According to such a substrate processing method, the processing liquid in the processing liquid storage tank is preheated to a temperature at which bacteria do not occur, so that bacteria remain in the processing liquid even if the processing liquid remains in the processing liquid storage tank. This can be prevented from occurring. In addition, the heat energy required for preheating the processing liquid is less than when the processing liquid is heated to a predetermined temperature. Thus, the burden on the heating means can be reduced as compared with the case where heating is always continued at a predetermined temperature. Thereafter, the processing liquid is heated to a predetermined temperature and the processing tank is filled with the processing liquid in the same manner as in the first aspect. As described above, since the heating means is not always fully opened for a long time from the time when the processing liquid is stored in the processing liquid storage tank to the time when the processing liquid is filled into the processing tank, the burden on the heating means can be reduced. it can.
【００１４】請求項５の発明は，処理液貯留タンク内に
貯留した処理液を所定温度に加熱し，この加熱された処
理液を前記処理液貯留タンク内から処理槽内に充填して
該処理槽内にて処理液中に基板を浸漬させることにより
基板を処理する方法であって，前記処理液貯留タンク内
を空の状態にさせ，その後に，前記処理液貯留タンク内
に処理液を貯留して前記所定温度に加熱し，前記処理槽
に充填することを特徴とする，基板処理方法を提供す
る。According to a fifth aspect of the present invention, the processing liquid stored in the processing liquid storage tank is heated to a predetermined temperature, and the heated processing liquid is filled from the processing liquid storage tank into the processing tank to perform the processing. A method of processing a substrate by immersing the substrate in a processing liquid in a tank, wherein the processing liquid storage tank is emptied, and then the processing liquid is stored in the processing liquid storage tank. And heating the substrate to the predetermined temperature and filling the processing tank.
【００１５】請求項５に記載の基板処理方法によれば，
処理の前段階においては，処理液貯留タンク内に処理液
そのものがないので，バクテリアが発生することもな
い。そして，その後に，処理の開始時期を見計らって，
処理液貯留タンク内に処理液を供給し，請求項１と同様
に処理液を所定温度に加熱して処理槽に処理液を充填す
る。従って，請求項１と同様に，処理液を加熱する加熱
手段の負担を軽減することができる。According to the substrate processing method of the fifth aspect,
In the pre-treatment stage, no bacteria are generated because there is no treatment liquid in the treatment liquid storage tank. Then, after that, when the start time of the processing is estimated,
The processing liquid is supplied into the processing liquid storage tank, and the processing liquid is heated to a predetermined temperature to fill the processing tank with the processing liquid as in the first aspect. Therefore, similarly to the first aspect, the burden on the heating means for heating the processing liquid can be reduced.
【００１６】請求項６の発明は，処理液を貯留する処理
液貯留タンクと，前記処理液貯留タンク内に処理液を供
給する処理液供給回路と，前記処理液貯留タンク内の処
理液を所定温度に加熱する加熱手段と，基板を処理する
処理槽と，前記処理液貯留タンク内の処理液を前記処理
槽に充填する充填回路と，前記処理液貯留タンク内にて
所定の高さに開口して処理液を溢れ出させるオーバーフ
ロー管とを備えた基板を処理する装置であって，前記処
理液供給回路に設けられた第１の弁と，前記第１の弁を
迂回するように前記処理液供給回路と並列に設けられた
前記処理液供給回路よりも流量が小さい迂回回路と，前
記迂回回路に設けられた第２の弁とを備えていることを
特徴とする，基板処理装置を提供する。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a processing liquid storage tank for storing a processing liquid, a processing liquid supply circuit for supplying a processing liquid into the processing liquid storage tank, and a processing liquid stored in the processing liquid storage tank. Heating means for heating to a temperature, a processing tank for processing the substrate, a filling circuit for filling the processing tank with the processing liquid in the processing liquid storage tank, and an opening at a predetermined height in the processing liquid storage tank An apparatus for processing a substrate having an overflow pipe for overflowing a processing liquid, wherein a first valve provided in the processing liquid supply circuit and the processing valve are arranged to bypass the first valve. A substrate processing apparatus comprising: a bypass circuit provided in parallel with a liquid supply circuit and having a smaller flow rate than the processing liquid supply circuit; and a second valve provided in the bypass circuit. I do.
【００１７】請求項６に記載の基板処理装置において，
請求項７に記載したように，前記第１の弁の開閉と前記
第２の弁の開閉を制御する制御手段を備えていることが
好ましい。かかる構成によれば，まず，処理液貯留タン
ク内に処理液を供給する際には，制御手段によって，第
１の弁を開かせる一方で第２の弁を閉じさせ，第１の弁
を通じて処理液を処理液貯留タンク内に供給する。次い
で，処理液貯留タンク内から処理液を溢れ出させる際に
は，制御手段によって，第１の弁と第２の弁の開閉が切
り換えられ，第１の弁を閉じさせる一方で第２の弁を開
かせる。このとき，迂回回路を利用して処理液を処理液
貯留タンク内に供給することになるので，少ない流量で
処理液を処理液貯留タンク内に供給することができる。
従って，処理液の使用量を抑えながら，オーバーフロー
管を通じて処理液貯留タンク内から処理液を経済的に溢
れ出させることができる。最後に，処理液貯留タンク内
の処理液を加熱する際には，制御手段によって，第１の
弁と第２の弁の何れも閉じさせ，処理液貯留タンク内に
処理液を流入させない状態で，加熱手段を作動させる。
こうして，請求項１に記載の発明を好適に実施すること
ができる。[0017] In the substrate processing apparatus according to claim 6,
As described in claim 7, it is preferable that a control means for controlling opening and closing of the first valve and opening and closing of the second valve is provided. According to such a configuration, first, when supplying the processing liquid into the processing liquid storage tank, the control means causes the first valve to be opened while the second valve is closed, and the processing liquid is supplied through the first valve. The liquid is supplied into the processing liquid storage tank. Next, when the processing liquid overflows from the processing liquid storage tank, the control means switches the opening and closing of the first valve and the second valve so that the first valve is closed and the second valve is closed. Open. At this time, since the processing liquid is supplied into the processing liquid storage tank using the bypass circuit, the processing liquid can be supplied into the processing liquid storage tank at a small flow rate.
Therefore, it is possible to economically overflow the processing liquid from the processing liquid storage tank through the overflow pipe while suppressing the usage amount of the processing liquid. Finally, when heating the processing liquid in the processing liquid storage tank, the control means closes both the first valve and the second valve, and sets the processing liquid in a state where the processing liquid does not flow into the processing liquid storage tank. Activate the heating means.
Thus, the invention described in claim 1 can be suitably implemented.
【００１８】請求項８に記載したように，前記第１の弁
と前記第２の弁は，流量調整機能を有していれば，処理
液貯留タンク内に供給される処理液の供給量を微調整す
ることができる。As described in claim 8, if the first valve and the second valve have a flow rate adjusting function, the supply amount of the processing liquid supplied into the processing liquid storage tank is controlled. Can be fine-tuned.
【００１９】請求項９に記載したように，処理液を貯留
する処理液貯留タンクと，前記処理液貯留タンク内に処
理液を供給する処理液供給回路と，前記処理液貯留タン
ク内の処理液を所定温度に加熱する加熱手段と，基板を
処理する処理槽と，前記処理液貯留タンク内の処理液を
前記処理槽に充填する充填回路と，前記処理液貯留タン
ク内にて所定の高さに開口して処理液を溢れ出させるオ
ーバーフロー管とを備えた基板を処理する装置であっ
て，前記処理液貯留タンクに複数の処理液供給回路が接
続され，これら各処理液供給回路に開閉弁を設け，さら
に各処理液供給回路を，処理液貯留タンク内に処理液を
貯留するための貯留用の処理液供給回路と，処理液貯留
タンク内から処理液を溢れ出せるためのオーバーフロー
用の処理液供給回路とに分け，前記オーバーフロー用の
処理液供給回路は，前記貯留用の処理液供給回路よりも
流量が小さいことをことを特徴とする，基板処理装置を
提供する。According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a processing liquid storage tank for storing a processing liquid, a processing liquid supply circuit for supplying a processing liquid to the processing liquid storage tank, and a processing liquid in the processing liquid storage tank. Heating means for heating the substrate to a predetermined temperature, a processing tank for processing the substrate, a filling circuit for filling the processing tank with the processing liquid in the processing liquid storage tank, and a predetermined height in the processing liquid storage tank. A processing liquid supply circuit connected to the processing liquid storage tank, and an opening / closing valve connected to each of the processing liquid supply circuits. Each processing liquid supply circuit is provided with a processing liquid supply circuit for storing the processing liquid in the processing liquid storage tank and an overflow processing for overflowing the processing liquid from the processing liquid storage tank. Liquid supply circuit Divided into the treatment liquid supply circuit for the overflow, characterized in that the flow rate is less than the processing liquid supply circuit for the reservoir, to provide a substrate processing apparatus.
【００２０】請求項９に記載の基板処理装置において，
請求項１０に記載したように，前記開閉弁を制御する制
御手段を備えていることが好ましい。かかる構成によれ
ば，貯留用の処理液供給回路を通じて処理液を供給し，
処理液貯留タンク内に処理液を貯留することができ，オ
ーバーフロー用の処理液供給回路を通じて少量の処理液
を供給し，処理液貯留タンク内から処理液を経済的に溢
れ出させることができる。従って，請求項６の基板処理
装置と同様に，請求項１に記載の発明を好適に実施する
ことができる。しかも，処理液貯留タンクに，複数の貯
留用の処理液供給回路が接続されると，より多量の処理
液を急速に処理液貯留タンクに供給することができる。
また，処理液貯留タンクに，複数のオーバーフロー用の
処理液供給回路が接続されると，複数箇所から処理液貯
留タンク内に処理液を流入させることができる。これに
より，処理液貯留タンク内の処理液の流動性を高めるこ
とができる。[0020] In the substrate processing apparatus according to the ninth aspect,
It is preferable that a control means for controlling the on-off valve is provided. According to this configuration, the processing liquid is supplied through the processing liquid supply circuit for storage,
The processing liquid can be stored in the processing liquid storage tank, a small amount of processing liquid is supplied through the processing liquid supply circuit for overflow, and the processing liquid can economically overflow from the processing liquid storage tank. Therefore, similarly to the substrate processing apparatus of the sixth aspect, the invention of the first aspect can be suitably implemented. In addition, when a plurality of processing liquid supply circuits for storage are connected to the processing liquid storage tank, a larger amount of processing liquid can be rapidly supplied to the processing liquid storage tank.
Further, when a plurality of overflow processing liquid supply circuits are connected to the processing liquid storage tank, the processing liquid can flow into the processing liquid storage tank from a plurality of locations. Thereby, the fluidity of the processing liquid in the processing liquid storage tank can be increased.
【００２１】請求項１１に記載したように，前記開閉弁
は，流量調整機能を有していれば，処理液貯留タンク内
に供給される処理液の供給量を微調整することができ
る。As described in the eleventh aspect, if the on-off valve has a flow rate adjusting function, the supply amount of the processing liquid supplied to the processing liquid storage tank can be finely adjusted.
【００２２】請求項１２に記載したように，前記オーバ
ーフロー管の開口位置よりも高い位置において液面を検
出する液面上限センサを設けることが好ましい。従来
は，オーバーフロー管よりも低い位置に液面上限センサ
を設けていたので，処理液貯留タンク内に処理液を十分
に貯留すると，液面が液面上限センサにかかり，オーバ
フローする前に処理液供給回路からの処理液の供給が停
止するようになっていた。しかしながら，かかる構成に
よれば，オーバーフロー管の開口位置よりも高い位置に
液面上限センサを設けているので，処理液貯留タンク内
に処理液を十分に貯留した後も，処理液供給回路から処
理液を供給し続け，オーバーフロー管を通じて処理液貯
留タンク内から処理液を溢れ出させることができる。It is preferable that a liquid level upper limit sensor for detecting a liquid level at a position higher than an opening position of the overflow pipe is provided. Conventionally, a liquid level upper limit sensor is provided at a position lower than the overflow pipe. Therefore, when the processing liquid is sufficiently stored in the processing liquid storage tank, the liquid level is applied to the liquid level upper limit sensor, and the processing liquid is overflowed before the overflow. The supply of the processing liquid from the supply circuit has been stopped. However, according to this configuration, since the liquid level upper limit sensor is provided at a position higher than the opening position of the overflow pipe, even after the processing liquid is sufficiently stored in the processing liquid storage tank, the processing liquid is supplied from the processing liquid supply circuit. The processing liquid can be continuously supplied, and the processing liquid can overflow from the processing liquid storage tank through the overflow pipe.
【００２３】請求項１３に記載したように，前記オーバ
ーフロー管よりも低い位置に開口して，前記処理液貯留
タンク内から処理液を溢れ出させる他のオーバーフロー
管を有していても良い。かかる構成によれば，請求項１
３のオーバーフロー管を通じて処理液貯留タンク内から
処理液を溢れ出させる。これにより，請求項６，９のオ
ーバーフロー管によって処理液を溢れ出させた時と比べ
て，処理液を早く溢れ出させることができ，処理液貯留
タンク内で流動させる処理液を少量で済ますことができ
る。従って，請求項６，９の場合よりも処理液の流動効
率が上がり，バクテリアの発生を更に押さえることがで
きる。According to a thirteenth aspect of the present invention, there may be provided another overflow pipe which is opened at a position lower than the overflow pipe and overflows the processing liquid from the processing liquid storage tank. According to such a configuration, claim 1
The processing liquid overflows from the processing liquid storage tank through the overflow pipe 3. As a result, the processing liquid can overflow more quickly than the overflowing of the processing liquid by the overflow pipe according to claims 6 and 9, and a small amount of the processing liquid flows in the processing liquid storage tank. Can be. Therefore, the flow efficiency of the processing solution is higher than in the case of the sixth and ninth aspects, and the generation of bacteria can be further suppressed.
【００２４】[0024]
【発明の実施の形態】以下，添付図面を参照しながら本
発明の好ましい実施の形態を説明する。図１は，第１の
実施の形態にかかる薬液洗浄装置１２，１４，１６，１
８を備えた洗浄システム１の斜視図である。この洗浄シ
ステム１は，キャリアＣ単位での基板としてのウェハＷ
の搬入，ウェハＷの洗浄，ウェハＷの乾燥，キャリアＣ
単位でのウェハＷの搬出までを一貫して行うように構成
されている。Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows a chemical cleaning device 12, 14, 16, 1 according to the first embodiment.
FIG. 1 is a perspective view of a cleaning system 1 including a cleaning device 8. The cleaning system 1 includes a wafer W as a substrate in units of a carrier C.
Loading, cleaning of wafer W, drying of wafer W, carrier C
The system is configured to consistently carry out the unloading of the wafer W in units.
【００２５】この洗浄システム１において，搬入・取出
部２は，洗浄前のウェハＷを２５枚収納したキャリアＣ
を搬入しウェハＷを洗浄に移行させるまでの動作を行
う。即ち，搬入部５に載置されたキャリアＣを移送装置
６によってローダ７へ例えば２個ずつ搬送し，このロー
ダ７でキャリアＣからウェハＷを取り出す構成になって
いる。In the cleaning system 1, the loading / unloading section 2 is provided with a carrier C containing 25 wafers W before cleaning.
Is carried out, and the operation until the wafer W is transferred to cleaning is performed. That is, the carrier C mounted on the loading section 5 is transported, for example, two by two to the loader 7 by the transfer device 6, and the loader 7 takes out the wafer W from the carrier C.
【００２６】洗浄乾燥処理部１０には，搬入・取出部２
側から順に，ウェハＷを搬送する搬送装置３０のウェハ
チャック３０ａを洗浄および乾燥するためのウェハチャ
ック洗浄・乾燥装置１１，各種の薬液や純水等の洗浄液
を用いてウェハＷを洗浄する各種洗浄装置１２〜１９，
搬送装置３３のウェハチャック３３ａを洗浄および乾燥
するためのウェハチャック洗浄・乾燥装置２０，各種洗
浄装置１２〜１９で洗浄されたウェハＷを，例えばイソ
プロピルアルコール（ＩＰＡ）蒸気を用いて乾燥させる
乾燥装置２１が配列されている。The cleaning / drying processing section 10 includes a loading / unloading section 2
Wafer chuck cleaning / drying device 11 for cleaning and drying the wafer chuck 30a of the transport device 30 for transporting the wafer W in order from the side, and various types of cleaning for cleaning the wafer W using various types of cleaning solutions such as chemicals and pure water. Devices 12-19,
A wafer chuck cleaning / drying device 20 for cleaning and drying the wafer chuck 33a of the transfer device 33, and a drying device for drying the wafer W cleaned by the various cleaning devices 12 to 19 using, for example, isopropyl alcohol (IPA) vapor. 21 are arranged.
【００２７】ウェハチャック洗浄・乾燥装置１１，２０
では，例えば純水などを用いてウェハチャック３０ａと
ウェハチャック３３ａの洗浄，乾燥をそれぞれ行う。ま
た，一般的な洗浄プロセスに従い，薬液洗浄とリンス洗
浄とが交互に行えるように洗浄乾燥処理部１０では，薬
液洗浄装置１２，１４，１６，１８は薬液洗浄を行うよ
うに構成され，リンス洗浄装置１３，１５，１７，１９
はリンス洗浄を行うように構成されている。その一例と
して，薬液洗浄装置１２では，例えばアンモニア成分を
主体としたＡＰＭ（ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏの混
合液）を用いてＳＣ１洗浄を行って，ウェハＷの表面に
付着している有機汚染物，パーティクル等の不純物質を
除去する。また，薬液洗浄装置１６では，例えば塩酸成
分を主体としたＨＰＭ（ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏの混
合液）を用いたＳＣ２洗浄を行って，金属イオンを除去
する。また，薬液洗浄装置１４，１８では，何れもフッ
酸成分を主体としたＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ２Ｏの混合液）を
用いたＤＨＦ洗浄を行って，ウェハＷの表面に形成され
た酸化膜等を除去する。また，リンス洗浄装置１３，１
５，１７，１９では，純水を用いてウェハＷのリンス洗
浄を行う。更に，乾燥装置２０では，ＩＰＡ蒸気を利用
してウェハＷの表面を乾燥処理するように構成されてい
る。Wafer chuck cleaning / drying devices 11 and 20
Then, cleaning and drying of the wafer chuck 30a and the wafer chuck 33a are performed using, for example, pure water. Further, in the cleaning / drying processing unit 10, the chemical cleaning units 12, 14, 16, and 18 are configured to perform the chemical cleaning so that the chemical cleaning and the rinsing cleaning can be alternately performed according to a general cleaning process. Apparatus 13, 15, 17, 19
Is configured to perform rinsing cleaning. As an example, the chemical cleaning device 12 performs SC1 cleaning using, for example, APM (a mixed solution of NH 4 OH / H 2 O 2 / H 2 O) mainly composed of an ammonia component, and adheres to the surface of the wafer W. Remove impurities such as organic contaminants and particles. Further, the chemical liquid cleaning device 16 performs SC2 cleaning using, for example, HPM (a mixture of HCl / H 2 O 2 / H 2 O) mainly composed of a hydrochloric acid component to remove metal ions. Further, in the chemical cleaning devices 14 and 18, DHF cleaning using DHF (a mixture of HF / H 2 O) mainly composed of a hydrofluoric acid component is performed, and an oxide film or the like formed on the surface of the wafer W is formed. Is removed. In addition, the rinsing cleaning devices 13 and 1
In steps 5, 17, and 19, rinsing of the wafer W is performed using pure water. Further, the drying device 20 is configured to dry the surface of the wafer W using IPA vapor.
【００２８】なお以上の配列や各種洗浄装置１２〜１９
の組合わせは，ウェハＷに対する洗浄処理の種類によっ
て任意に組み合わせることができる。例えば，ある洗浄
装置を減じたり，逆にさらに他の種類の薬液を用いる薬
液洗浄装置を付加してもよい。The above arrangement and various cleaning devices 12 to 19
Can be arbitrarily combined depending on the type of the cleaning process for the wafer W. For example, a certain cleaning device may be reduced, or conversely, a chemical cleaning device using another type of chemical solution may be added.
【００２９】装填・搬出部５０は，洗浄乾燥処理部１０
で洗浄，乾燥された２５枚のウェハＷをキャリアＣに装
填後キャリアＣ単位で搬出する。即ち，アンローダ５１
によって，洗浄後のウェハＷが収納されたキャリアＣ
を，移送装置（図示せず）によって，搬出部５２にまで
搬送する構成になっている。The loading / unloading section 50 includes the washing / drying processing section 10
After the 25 wafers W cleaned and dried in the above are loaded into the carrier C, they are unloaded in units of the carrier C. That is, the unloader 51
The carrier C containing the cleaned wafer W
Is transported to the unloading section 52 by a transfer device (not shown).
【００３０】次に，第１の実施の形態にかかる薬液洗浄
装置１２，１４，１６，１８はいずれも同様の構成を有
しているので，図２，３を参照しながら薬液洗浄装置１
２を各装置の代表として説明する。図２は，ＡＰＭを用
いてＳＣ１洗浄を行う薬液洗浄装置１２の回路系統を示
す説明図である。図２に示すように，薬液洗浄装置１２
内に備えられた洗浄槽６０はウェハＷを収納するのに充
分な大きさを有する箱形の内槽６１と外槽６２から構成
されている。外槽６２は，内槽６１の上端からオーバー
フローしたＡＰＭを受けとめるように，内槽６１の開口
部を取り囲んで装着されている。Next, since the chemical cleaning devices 12, 14, 16, and 18 according to the first embodiment all have the same configuration, the chemical cleaning device 1 will be described with reference to FIGS.
2 will be described as a representative of each device. FIG. 2 is an explanatory diagram showing a circuit system of the chemical solution cleaning device 12 that performs SC1 cleaning using APM. As shown in FIG.
The cleaning tank 60 provided therein includes a box-shaped inner tank 61 and an outer tank 62 having a size sufficient to accommodate the wafer W. The outer tank 62 surrounds the opening of the inner tank 61 so as to receive the APM overflowing from the upper end of the inner tank 61.
【００３１】そして，内槽６１と外槽６２との間には，
ウェハＷの薬液洗浄中にＡＰＭを循環流通させる循環回
路６３が接続されている。この循環回路６３の入口は外
槽６２の底面に接続され，循環回路６３の途中には，電
磁（ソレノイド）方式の２方口弁である切換弁６５，ポ
ンプ６６，ダンパ６７，ヒータ６８，フィルタ６９が順
に配列され，循環回路６３の出口は，内槽６１の底部に
通じている。ＳＣ１洗浄中は，内槽６１から外槽６２に
オーバーフローしたＡＰＭを循環回路６３内で循環させ
る。そして，循環回路６３で温調及び浄化した後に再び
内槽６１内に供給するようになっている。また，洗浄槽
６０内からＡＰＭを排液するために，内槽６１の底面に
は切換弁７０を介して排液回路７１が接続され，同様に
外槽６２の底面には切換弁７２を介して排液回路７３が
接続されている。また，アンモニア水溶液を貯留するタ
ンク７４と，ポンプ７５とを備えたアンモニア供給系７
６と，過酸化水素水を貯留するタンク７７と，ポンプ７
８とを備えた過酸化水素水供給系７９とが設けられてい
る。And, between the inner tank 61 and the outer tank 62,
A circulation circuit 63 that circulates and circulates APM during the cleaning of the wafer W with the chemical solution is connected. The inlet of the circulation circuit 63 is connected to the bottom of the outer tank 62, and in the middle of the circulation circuit 63, a switching valve 65, a pump 66, a damper 67, a heater 68, a filter 68 which is an electromagnetic (solenoid) type two-way valve. 69 are arranged in order, and the outlet of the circulation circuit 63 communicates with the bottom of the inner tank 61. During the SC1 cleaning, the APM overflowing from the inner tank 61 to the outer tank 62 is circulated in the circulation circuit 63. After the temperature is controlled and purified by the circulation circuit 63, the supply is made again into the inner tank 61. A drain circuit 71 is connected to the bottom of the inner tank 61 via a switching valve 70 in order to drain the APM from the cleaning tank 60, and similarly, a switching valve 72 is connected to the bottom of the outer tank 62. The drainage circuit 73 is connected. Further, an ammonia supply system 7 including a tank 74 for storing an aqueous ammonia solution and a pump 75 is provided.
6, a tank 77 for storing a hydrogen peroxide solution, and a pump 7
8 and a hydrogen peroxide supply system 79 having the same.
【００３２】この薬液洗浄装置１２には，材質が石英か
ら成る純水貯留タンク８０が設けられており，この純水
貯留タンク８０は，最初に純水を洗浄槽６０に充填した
り，足りなくなった純水を洗浄槽６０に適宜補充するた
めに予め純水を貯留するためのものである。純水貯留タ
ンク８０の底部には，純水を供給する純水供給回路８１
が接続され，純水貯留タンク８０の内部には，純水貯留
タンク８０の上部に開口し，純水貯留タンク８０内から
純水を溢れ出させるオーバーフロー管８２が設けられて
いる。The chemical cleaning device 12 is provided with a pure water storage tank 80 made of quartz. The pure water storage tank 80 first fills the cleaning tank 60 with pure water or runs out of water. This is for storing pure water in advance to appropriately replenish the purified water to the cleaning tank 60. A pure water supply circuit 81 for supplying pure water is provided at the bottom of the pure water storage tank 80.
The inside of the pure water storage tank 80 is provided with an overflow pipe 82 which opens to the upper part of the pure water storage tank 80 and overflows the pure water from the pure water storage tank 80.
【００３３】純水供給回路８１は，純水供給源８３に接
続回路８４を介して接続され，純水供給回路８１の途中
には第１の弁８５が設けられている。この第１の弁８５
の前後を入出口として，純水供給回路８１よりも流量が
小さい迂回回路８６が純水供給回路８１に接続されてい
る。この迂回回路８６は，純水供給回路８１内を流れる
予定の純水を第１の弁８５を迂回させた後に純水供給回
路８１内に送るように構成されており，その途中には第
２の弁８７が設けられている。従って，第１の弁８５を
通じてそのまま純水供給回路８１から純水を供給するよ
りも，一旦，迂回回路８６で迂回した後に純水供給回路
８１によって純水を供給するときのほうが，純水の供給
量を少なく済ますことができる。The pure water supply circuit 81 is connected to a pure water supply source 83 via a connection circuit 84, and a first valve 85 is provided in the middle of the pure water supply circuit 81. This first valve 85
A bypass circuit 86 having a flow rate smaller than that of the pure water supply circuit 81 is connected to the pure water supply circuit 81 with the front and rear portions as entrances and exits. The bypass circuit 86 is configured to send pure water to flow in the pure water supply circuit 81 to the pure water supply circuit 81 after bypassing the first valve 85, and in the middle of the second valve 85, Is provided. Therefore, when pure water is supplied by the pure water supply circuit 81 after having been once detoured by the detour circuit 86, pure water is supplied more simply than pure water is directly supplied from the pure water supply circuit 81 through the first valve 85. The supply amount can be reduced.
【００３４】第１の弁８５と第２の弁８７には，コント
ローラ８８からの操作信号が入力されるようになってお
り，第１の弁８５と第２の弁８７の開閉は，コントロー
ラ８８によって制御される構成となっている。一方，純
水貯留タンク８０の上部においては，オーバーフロー管
８２の開口部８２ａを挟むようにして，オーバーフロー
管８２の開口部８２ａよりも高い位置に液面上限センサ
８９を，オーバーフロー管８２の開口部８２ａよりも低
い位置に定量センサ９０を設け，これら液面上限センサ
８９，定量センサ９０からの検出信号をコントローラ８
８に対して出力するようになっている。An operation signal from the controller 88 is input to the first valve 85 and the second valve 87. The opening and closing of the first valve 85 and the second valve 87 are controlled by the controller 88. It is configured to be controlled by On the other hand, in the upper part of the pure water storage tank 80, the liquid level upper limit sensor 89 is located at a position higher than the opening 82 a of the overflow pipe 82 so as to sandwich the opening 82 a of the overflow pipe 82. Is provided at a lower position, and the detection signals from the liquid level upper limit sensor 89 and the quantitative sensor 90 are sent to the controller 8.
8 is output.
【００３５】定量センサ９０は，第１の弁８５と第２の
弁８７の開閉の切り換えの時期を，コントローラ８８に
知らさせるためのものである。即ち，純水貯留タンク８
０内に純水を十分に貯留する際には，コントローラ８８
は，第１の弁８５を開かせる一方で第２の弁８７を閉じ
させ，第１の弁８５を通じて純水を純水貯留タンク８０
内に供給する。純水貯留タンク８０内に純水が十分に貯
留され，液面が定量センサ９０の高さに達すると，定量
センサ９０は，検出信号をコントローラ８８に出力す
る。この検出信号を認識したコントローラ８８は，第１
の弁８５と第２の弁８７の開閉を切り換え，第１の弁８
５を閉じさせる一方で第２の弁８７を開かせる。これに
より，第２の弁８７を通じて少量の純水を純水貯留タン
ク８０内に供給する。液面がオーバーフロー管８２の開
口部８２ａにまで上昇すると，オーバーフロー管８２を
通じて純水貯留タンク８０内から純水が溢れ出るように
なっている。The quantitative sensor 90 is for informing the controller 88 of the timing of switching between opening and closing the first valve 85 and the second valve 87. That is, the pure water storage tank 8
When the pure water is sufficiently stored in the controller 88, the controller 88
Opens the first valve 85 while closing the second valve 87, and supplies pure water through the first valve 85 to the pure water storage tank 80.
Supply within. When the pure water is sufficiently stored in the pure water storage tank 80 and the liquid level reaches the height of the quantitative sensor 90, the quantitative sensor 90 outputs a detection signal to the controller 88. The controller 88 recognizing this detection signal makes the first
The first valve 8 is switched between opening and closing of the valve 85 and the second valve 87.
5 is closed while the second valve 87 is opened. As a result, a small amount of pure water is supplied into the pure water storage tank 80 through the second valve 87. When the liquid level rises to the opening 82 a of the overflow pipe 82, the pure water overflows from the pure water storage tank 80 through the overflow pipe 82.
【００３６】一方，液面上限センサ８９は，オーバーフ
ロー管８２の異常を検知するものである。例えば純水の
供給中にオーバーフロー管８２に異物などが混入して管
詰まりを起こすと，オーバーフロー管８２の開口部８２
ａを越えて液面が上昇する。このように純水がオーバー
フロー管８２から流出するのが妨害されると，逃げ場の
ない純水が純水貯留タンク８０から漏水するようにな
り，漏電などの事故を起こすおそれがある。しかしなが
ら，液面上限センサ８９は，前述したようにオーバーフ
ロー管８２の開口部８２ａよりも上方に設置されている
ので，このような事故を防止することができる。即ち，
液面上限センサ８９は，液面が同一の高さに達した際に
その検出信号をコントローラ８８に出力する。検出信号
を受け取ったコントローラ８８は第１の弁８５と共に第
２の弁８７を完全に閉じ，純水貯留タンク８０への純水
の供給を完全に停止させるようになっている。もちろ
ん，液面上限センサ８９は，オーバーフロー管８２の異
常がない限り，純水をオーバーフロー管８２から溢れ出
させるができる構成となっている。On the other hand, the liquid level upper limit sensor 89 detects an abnormality of the overflow pipe 82. For example, if foreign matter or the like is mixed in the overflow pipe 82 during the supply of pure water and the pipe is clogged, the opening 82 of the overflow pipe 82
The liquid level rises beyond a. When the pure water is prevented from flowing out of the overflow pipe 82 in this way, pure water without escape will leak from the pure water storage tank 80, which may cause an accident such as a short circuit. However, since the liquid level upper limit sensor 89 is provided above the opening 82a of the overflow pipe 82 as described above, such an accident can be prevented. That is,
The liquid level upper limit sensor 89 outputs a detection signal to the controller 88 when the liquid level reaches the same height. Upon receiving the detection signal, the controller 88 completely closes the second valve 87 together with the first valve 85, and completely stops the supply of pure water to the pure water storage tank 80. Of course, the liquid level upper limit sensor 89 is configured so that pure water can overflow from the overflow pipe 82 as long as there is no abnormality in the overflow pipe 82.
【００３７】純水貯留タンク８０の底部には，切換弁９
１が介装された主排液回路９２が接続される一方で，オ
ーバーフロー管８２の底部にも排液回路９３が接続され
ており，この排液回路９３が主排液回路９２に合流して
いる。従って，オーバーフロー管８２に流れ込んだ純水
は，排液回路９３，主排液回路９２と流れ，例えば工場
の再生ラインへと排液されるようになっている。なお，
切換弁９１の開閉は，コントローラ８８によって制御さ
れる。A switching valve 9 is provided at the bottom of the pure water storage tank 80.
1 is connected to the main drain circuit 92, while the drain circuit 93 is also connected to the bottom of the overflow pipe 82. The drain circuit 93 joins the main drain circuit 92. I have. Accordingly, the pure water flowing into the overflow pipe 82 flows through the drain circuit 93 and the main drain circuit 92, and is discharged to, for example, a regeneration line in a factory. In addition,
The opening and closing of the switching valve 91 is controlled by the controller 88.
【００３８】純水貯留タンク８０の下部においては，純
水貯留タンク８０内の純水を所定温度にまで加熱するカ
ートリッジヒータ９５が設けられている。このカートリ
ッジヒータ９５の加熱時間は，コントローラ８８からの
操作信号によって制御されるようになっている。カート
リッジヒータ９５を作動させる際には，第１の弁８５，
第２の弁８７の何れもを閉じさせて，純水貯留タンク８
０内に新たな純水を供給するようなことはない状態にす
る。この場合，純水はカートリッジヒータ９５で加熱さ
れることになるので，バクテリアが発生することはな
い。なお，純水を洗浄槽６０に充填する際には，後述す
る充填回路９６内を純水が流れている間に放熱作用など
によって純水が温度低下を起こすことがあるので，これ
を見越して，所定温度は，洗浄槽６０内で目標とする所
定の処理温度よりも高めになるように設定する。例え
ば，所定の処理温度が８０℃のＡＰＭを洗浄槽６０内で
生成したければ，所定温度を８３℃〜８５℃とし，純水
貯留タンク８０内で純水を８３℃〜８５℃の間で加熱す
る。At the lower part of the pure water storage tank 80, a cartridge heater 95 for heating the pure water in the pure water storage tank 80 to a predetermined temperature is provided. The heating time of the cartridge heater 95 is controlled by an operation signal from the controller 88. When operating the cartridge heater 95, the first valve 85,
The second valve 87 is closed, and the pure water storage tank 8 is closed.
A state in which new pure water is not supplied in 0 is set. In this case, since the pure water is heated by the cartridge heater 95, no bacteria are generated. When the pure water is filled into the cleaning tank 60, the temperature of the pure water may decrease due to the heat radiation while the pure water flows in the filling circuit 96, which will be described later. The predetermined temperature is set to be higher than a target predetermined processing temperature in the cleaning tank 60. For example, if it is desired to generate APM at a predetermined processing temperature of 80 ° C. in the cleaning tank 60, the predetermined temperature is set to 83 ° C. to 85 ° C., and pure water is stored in the pure water storage tank 80 between 83 ° C. and 85 ° C. Heat.
【００３９】純水貯留タンク８０の底部には，純水を洗
浄槽６０に充填する充填回路９６が接続されている。ま
た，充填回路９６の途中から補充回路９７が分岐してお
り，この補充回路９７によって例えば洗浄槽６０から蒸
発して無くなった純水の分を適宜補充するようになって
いる。充填回路９６の途中には切換弁９８が介装され，
補充回路９７の途中にはポンプ９９が介装されている。
切換弁９８の開閉やポンプのＯＮ・ＯＦＦもコントロー
ラ８８によって制御される。A filling circuit 96 for filling the cleaning tank 60 with pure water is connected to the bottom of the pure water storage tank 80. Further, a replenishing circuit 97 branches off in the middle of the filling circuit 96, and the replenishing circuit 97 appropriately replenishes, for example, pure water evaporated and lost from the cleaning tank 60. A switching valve 98 is interposed in the middle of the filling circuit 96,
A pump 99 is provided in the middle of the replenishing circuit 97.
The opening and closing of the switching valve 98 and the ON / OFF of the pump are also controlled by the controller 88.
【００４０】純水貯留タンク８０の下部においては，カ
ートリッジヒータ９５を間に挟むようにして，カートリ
ッジヒータ９５よりも高い位置に第１の液面下限センサ
１００を，カートリッジヒータ９５よりも低い位置に第
２の液面下限センサ１０１を設けている。第１の液面下
限センサ１００は，カートリッジヒータ９５の作動中
に，液面が第１の液面下限センサ１００よりも下がるよ
うであれば，検出信号をコントローラ８８に出力しカー
トリッジヒータ９５の空炊きをやめさせる。また，第２
の液面下限センサ１０１は，所定の純水充填時間内に液
面が第２の液面下限センサ１０１をきることがなけれ
ば，切換弁９８が異常であることをコントローラ８８に
知らせる。In the lower part of the pure water storage tank 80, the first liquid level lower limit sensor 100 is located at a position higher than the cartridge heater 95 and the second liquid level lower sensor 100 is located at a position lower than the cartridge heater 95 with the cartridge heater 95 interposed therebetween. The liquid level lower limit sensor 101 is provided. The first liquid level lower limit sensor 100 outputs a detection signal to the controller 88 if the liquid level falls below the first liquid level lower limit sensor 100 during the operation of the cartridge heater 95, and outputs the empty signal of the cartridge heater 95. Stop cooking. The second
The liquid level lower limit sensor 101 notifies the controller 88 that the switching valve 98 is abnormal if the liquid level does not exceed the second liquid level lower limit sensor 101 within a predetermined pure water filling time.
【００４１】なお，その他の薬液洗浄装置１４，１６，
１８も，薬液洗浄装置１２と同様な構成を有しており，
ウェハＷを薬液洗浄するように構成されている。また，
リンス洗浄装置１３，１５，１７，１９の構成に，薬液
洗浄装置１２の構成を適用することも可能である。The other chemical cleaning devices 14, 16,
18 also has a configuration similar to that of the chemical cleaning device 12,
The wafer W is configured to be cleaned with a chemical solution. Also,
It is also possible to apply the configuration of the chemical cleaning device 12 to the configuration of the rinse cleaning devices 13, 15, 17, and 19.
【００４２】次に，以上のように構成された薬液洗浄装
置１２で行われるＳＣ１洗浄について，図１の洗浄シス
テム１におけるウェハＷの洗浄工程に基づいて説明す
る。まず，図示しない搬送ロボットが未だ洗浄されてい
ないウェハＷを例えば２５枚ずつ収納したキャリアＣを
搬入・取出部２の搬入部５に複数載置する。そして，こ
の搬入・取出部２によって，例えばキャリアＣ２個分の
５０枚のウェハＷをキャリアＣから取り出し，搬送装置
３０が，ウェハＷを５０枚単位で一括して把持する。そ
して，それらウェハＷを搬送装置３１，３２，３３に引
き継ぎながら，各種洗浄装置１２〜１９に順次搬送す
る。こうして，ウェハＷの表面に付着しているパーティ
クル等の不純物質を除去する洗浄を行う。Next, the SC1 cleaning performed by the chemical cleaning apparatus 12 configured as described above will be described based on the cleaning process of the wafer W in the cleaning system 1 of FIG. First, a transfer robot (not shown) mounts a plurality of carriers C each containing, for example, 25 wafers W that have not been cleaned yet, on the carry-in section 5 of the carry-in / out section 2. Then, the loading / unloading unit 2 takes out, for example, 50 wafers W for two carriers C from the carrier C, and the transfer device 30 collectively holds the wafers W in units of 50 wafers. Then, the wafers W are sequentially transferred to the various cleaning devices 12 to 19 while being transferred to the transfer devices 31, 32, and 33. Thus, cleaning for removing impurities such as particles attached to the surface of the wafer W is performed.
【００４３】ここで，ウェハＷは，図２に示す薬液洗浄
装置１２でＳＣ１洗浄される。この時のＳＣ１洗浄の工
程の流れを図３（ａ）〜図３（ｅ）に示す。まず，図３
（ａ）に示すように，カートリッジヒータ９５を作動さ
せないで，純水供給回路８１から純水を純水貯留タンク
８０内に供給し続ける。この場合，コントローラ８８に
よって，第１の弁８５の開閉と第２の弁８７の開閉が制
御される。即ち，純水貯留タンク８０内に十分に純水が
貯留されるまでは，第２の弁８７を閉じる一方で第１の
弁８５を開いて多量の純水を純水貯留タンク８０内に供
給する。そして，純水が十分に貯留された後は，第１の
弁８５を閉じる一方で第２の弁８７を開いて，少量の純
水を純水貯留タンク８０内に供給する。これにより，純
水の使用量を抑えながら，オーバーフロー管８２を通じ
て純水貯留タンク８０から純水を経済的に溢れ出させる
ことができる。Here, the wafer W is subjected to SC1 cleaning by the chemical cleaning apparatus 12 shown in FIG. The flow of the SC1 cleaning process at this time is shown in FIGS. First, FIG.
As shown in (a), the pure water is continuously supplied from the pure water supply circuit 81 into the pure water storage tank 80 without operating the cartridge heater 95. In this case, the opening and closing of the first valve 85 and the opening and closing of the second valve 87 are controlled by the controller 88. That is, until the pure water is sufficiently stored in the pure water storage tank 80, the second valve 87 is closed and the first valve 85 is opened to supply a large amount of pure water into the pure water storage tank 80. I do. Then, after the pure water is sufficiently stored, the first valve 85 is closed and the second valve 87 is opened to supply a small amount of pure water into the pure water storage tank 80. Thus, pure water can be economically overflown from the pure water storage tank 80 through the overflow pipe 82 while suppressing the amount of pure water used.
【００４４】その後，純水を洗浄槽６０に充填を開始す
る時刻よりも所定時間前に，純水供給回路８１からの純
水の供給を停止させて，純水貯留タンク８０内から純水
を溢れ出させないようにする。この状態で，図３（ｂ）
に示すように，カートリッジヒータ９５を作動させて純
水貯留タンク８０内の純水を加熱する。ここで，少なく
とも所定温度に昇温するのに必要な時間，純水の供給を
停止させるので，処理液貯留タンク内に純水を所定温度
に確実に加熱することができる。Thereafter, the supply of pure water from the pure water supply circuit 81 is stopped a predetermined time before the time when the filling of pure water into the cleaning tank 60 is started, and pure water is supplied from the pure water storage tank 80. Avoid overflowing. In this state, FIG.
As shown in (2), the cartridge heater 95 is operated to heat the pure water in the pure water storage tank 80. Here, since the supply of the pure water is stopped at least for a time necessary to raise the temperature to the predetermined temperature, the pure water can be reliably heated to the predetermined temperature in the processing liquid storage tank.
【００４５】そして，図３（ｃ）に示すように，所定温
度に加熱された純水は，洗浄槽６０内に充填され，一方
でアンモニア水溶液及び過酸化水素水も洗浄槽６０内に
充填され，所定濃度及び所定の処理温度のＡＰＭが生成
される。その後，図３（ｄ）に示すように，洗浄槽６０
内にウェハＷが収納され，ＳＣ１洗浄が施される。この
ＳＣ１洗浄中においては，図３（ｅ）に示すように，次
のＳＣ１洗浄の準備に向けて，純水貯留タンク８０内に
純水が供給され始める。こうして，パーティクル等が除
去されたウェハＷは，薬液洗浄装置１２から搬出されて
次のリンス洗浄装置１３に搬送される。以後，薬液洗浄
装置１２では所定の処理回数又は所定の時間毎に薬液交
換が行われ，図３（ａ）〜図３（ｅ）が繰り返されるこ
とになる。Then, as shown in FIG. 3C, the pure water heated to a predetermined temperature is filled in the cleaning tank 60, while an aqueous ammonia solution and a hydrogen peroxide solution are also filled in the cleaning tank 60. , A predetermined concentration and a predetermined processing temperature are generated. Thereafter, as shown in FIG.
The wafer W is accommodated therein and subjected to SC1 cleaning. During this SC1 cleaning, as shown in FIG. 3E, pure water starts to be supplied into the pure water storage tank 80 in preparation for the next SC1 cleaning. The wafer W from which particles and the like have been removed in this way is carried out of the chemical cleaning device 12 and transferred to the next rinse cleaning device 13. Thereafter, in the chemical liquid cleaning device 12, the chemical liquid is exchanged at a predetermined number of times or at predetermined time intervals, and FIGS. 3A to 3E are repeated.
【００４６】このように，純水貯留タンク８０内に純水
が貯留されてから洗浄槽６０に充填が開始されるまでの
長い間，常にカートリッジヒータ９５を作動させ続ける
のでなく，洗浄槽６０に充填を開始する時刻よりも所定
時間前にカートリッジヒータ９５を作動させるので，カ
ートリッジヒータ９５の負担を軽減することができる。
しかも，カートリッジヒータ９５が作動していない間
は，純水貯留タンク８０内に純水を供給して，純水を常
に流動させる状態にするので，純水貯留タンク８０内の
純水が滞留してバクテリアが発生した状態，いわゆる死
水状態になることを防止することができる。なお，第１
の弁８５と第２の弁８７に，流量調整機能を備えさせ
て，最適な流量で純水を純水貯留タンク８０内に適宜供
給できるようにしてもよい。As described above, the cartridge heater 95 is not always operated for a long time after pure water is stored in the pure water storage tank 80 until the filling of the cleaning tank 60 is started. Since the cartridge heater 95 is operated a predetermined time before the time when the filling is started, the burden on the cartridge heater 95 can be reduced.
In addition, when the cartridge heater 95 is not operating, pure water is supplied into the pure water storage tank 80 so that the pure water always flows, so that the pure water in the pure water storage tank 80 stays. As a result, it is possible to prevent a state in which bacteria are generated, that is, a so-called dead water state. The first
The valve 85 and the second valve 87 may be provided with a flow rate adjusting function so that pure water can be appropriately supplied into the pure water storage tank 80 at an optimum flow rate.
【００４７】かくして，第１の実施の形態の薬液洗浄装
置１２によれば，カートリッジヒータ９５の負担を軽減
することができ，しかも純水中のバクテリアの発生を防
止できる。従って，純水の清浄度を良好に維持しながら
も，カートリッジヒータ９５の製品寿命の長期化及び電
力消費量の抑制が実現可能となる。Thus, according to the chemical cleaning device 12 of the first embodiment, the burden on the cartridge heater 95 can be reduced, and the generation of bacteria in pure water can be prevented. Therefore, it is possible to realize a prolonged product life of the cartridge heater 95 and a reduction in power consumption while maintaining the cleanliness of the pure water in a good condition.
【００４８】以上，薬液洗浄装置１２では，純水を十分
に貯留した後も純水貯留タンク８０内に純水を供給し続
けていたが，その他の処理方法として，例えば純水を十
分に貯留した後，カートリッジヒータ９５によって純水
貯留タンク８０内の純水を予備加熱するようにしてもよ
い。図４（ａ）〜図４（ｅ）は，この時のＳＣ１洗浄の
工程の流れを示している。As described above, in the chemical cleaning device 12, pure water is continuously supplied to the pure water storage tank 80 even after the pure water is sufficiently stored. However, as another processing method, for example, pure water is sufficiently stored. After that, the pure water in the pure water storage tank 80 may be pre-heated by the cartridge heater 95. FIGS. 4A to 4E show the flow of the SC1 cleaning process at this time.
【００４９】図４（ａ）に示すように，純水を純水貯留
タンク８０内に供給して十分貯留した後，純水供給回路
８１からの純水の供給を停止させる。そして，カートリ
ッジヒータ９５を作動させて，純水貯留タンク８０内の
純水を，所定温度よりも低く，かつバクテリアが発生し
ない温度（例えば８０゜Ｃ）に予備加熱し，通常待機さ
せる。これにより，純水貯留タンク８０内に純水が滞留
することになっても，純水中にバクテリアが発生するこ
とを防止することができる。しかも，純水を予備加熱す
るのに必要な熱エネルギーは，純水を所定温度に加熱す
る時に比べて少なくて済むので，カートリッジヒータ９
５にかかる負担を，所定温度で常に加熱し続ける場合よ
りも軽減することができる。As shown in FIG. 4A, after the pure water is supplied into the pure water storage tank 80 and sufficiently stored, the supply of the pure water from the pure water supply circuit 81 is stopped. Then, by operating the cartridge heater 95, the pure water in the pure water storage tank 80 is preheated to a temperature lower than a predetermined temperature and at which bacteria are not generated (for example, 80 ° C.), and a normal standby is performed. Thereby, even if pure water stays in the pure water storage tank 80, bacteria can be prevented from being generated in the pure water. Moreover, since the heat energy required for preheating the pure water is smaller than when the pure water is heated to a predetermined temperature, the cartridge heater 9 can be used.
5 can be reduced as compared with the case where heating is always continued at a predetermined temperature.
【００５０】そして，その通常待機の後に，図４（ｂ）
では図３（ｂ）と同様に純水の加熱，図４（ｃ）では図
３（ｃ）と同様に純水の充填，図４（ｄ）では図３
（ｄ）と同様にＳＣ１洗浄，図４（ｅ）では図３（ｅ）
と同様に純水の供給を行う。このように，純水貯留タン
ク８０内に貯留してから純水を洗浄槽８０内に充填する
までの長い間，常にカートリッジヒータ９５を全開で作
動させることがないので，カートリッジヒータ９５の負
担を軽減することができる。なお，以後，薬液洗浄装置
１２では所定の処理回数又は所定の時間毎に薬液交換が
行われるが，純水を通常待機させる期間としては，空の
純水貯留タンク８０に純水を貯留した時点から，次の薬
液交換を行うためにカートリッジヒータ９５を全開で作
動させる前までの間となる。Then, after the normal standby, FIG.
In FIG. 4B, pure water is heated as in FIG. 3B, in FIG. 4C, pure water is charged as in FIG. 3C, and in FIG.
SC1 cleaning as in (d), FIG. 3 (e) in FIG.
Pure water is supplied in the same manner as described above. As described above, since the cartridge heater 95 is not always fully opened for a long time from the time when the pure water is stored in the pure water storage tank 80 to the time when the pure water is filled into the cleaning tank 80, the burden on the cartridge heater 95 is reduced. Can be reduced. Thereafter, in the chemical cleaning device 12, chemical exchange is performed at a predetermined number of times or at predetermined intervals. The period during which the pure water is normally on standby is the time when pure water is stored in the empty pure water storage tank 80. To the time before the cartridge heater 95 is fully opened to perform the next chemical exchange.
【００５１】また，図５（ａ）〜図５（ｅ）に示すよう
に，純水貯留タンク８０を空の状態にしておいてもよ
い。かかる方法によれば，図５（ａ）に示すように，純
水供給回路８１から純水を供給させないで，純水貯留タ
ンク８０内を空の状態にさせておく。そして，その後
に，ＳＣ１洗浄の開始時期を見計らって，図５（ｂ）で
は純水の供給，図５（ｃ）では純水の加熱，図５（ｄ）
では純水の充填，図５（ｅ）ではＳＣ１洗浄をそれぞれ
行う。かかる方法によれば，純水貯留タンク８０内に純
水そのものがないので，バクテリアが発生することもな
く，カートリッジヒータ９５の負担を軽減することがで
きる。As shown in FIGS. 5A to 5E, the pure water storage tank 80 may be left empty. According to this method, as shown in FIG. 5A, the pure water storage tank 80 is kept empty without supplying pure water from the pure water supply circuit 81. Then, after the start timing of the SC1 cleaning, the pure water is supplied in FIG. 5B, the pure water is heated in FIG. 5C, and FIG.
Then, pure water is filled, and in FIG. 5E, SC1 cleaning is performed. According to this method, since pure water does not exist in the pure water storage tank 80, bacteria are not generated, and the burden on the cartridge heater 95 can be reduced.
【００５２】次に，図６を参照しながら第２の実施の形
態にかかる薬液洗浄装置１１０について説明する。この
薬液洗浄装置１１０は，純水貯留タンク８０の上部から
純水を溢れ出させる前記オーバーフロー管８２だけでな
く，オーバーフロー管８２よりも低い位置に開口し，純
水貯留タンク８０の中央部から純水を溢れ出させる他の
オーバーフロー管１１１を有している。なお，このオー
バーフロー管１１１を設けた以外は，先に説明した薬液
洗浄装置１２と同一の構成であるので，図２及び図６に
おいて，同一の機能及び構成を有する構成要素について
は，同一符号を付することにより，重複説明を省略す
る。Next, a chemical cleaning device 110 according to a second embodiment will be described with reference to FIG. The chemical cleaning device 110 is opened not only at the overflow pipe 82 for overflowing the pure water from the upper part of the pure water storage tank 80 but also at a position lower than the overflow pipe 82, and the pure water is stored at the center of the pure water storage tank 80. It has another overflow pipe 111 for overflowing water. Except for the provision of the overflow pipe 111, the structure is the same as that of the above-described chemical cleaning device 12, and therefore, in FIGS. 2 and 6, components having the same functions and configurations are denoted by the same reference numerals. By adding them, duplicate explanations are omitted.
【００５３】図６に示すように，オーバフロー管１１１
の底部には，排液回路１１２が接続されており，この排
液回路１１２は主排液回路９２に合流している。排液回
路１１２の途中には切換弁１１３が介装されており，こ
の切換弁１１３の開閉は，コントローラ８８によって制
御される。As shown in FIG. 6, the overflow pipe 111
A drain circuit 112 is connected to the bottom of the, and this drain circuit 112 joins the main drain circuit 92. A switching valve 113 is provided in the middle of the drain circuit 112, and the opening and closing of the switching valve 113 is controlled by the controller 88.
【００５４】かかる薬液洗浄装置１１０によれば，オー
バーフロー管１１１を通じて純水貯留タンク８０内から
純水を溢れ出させる。これにより，オーバーフロー管８
２によって純水を溢れ出させた時と比べて，純水を早く
溢れ出させることができ，純水貯留タンク８０内で流動
させる純水を少量で済ますことができる。従って，薬液
洗浄装置１２の場合よりも純水の流動効率が上がり，バ
クテリアの発生を更に押さえることができる。その後，
薬液交換開始時期よりも一定の時間前に，コントローラ
８８が，第１の弁８５と第２の弁８７との開閉を切り換
え，第２の弁８７を閉じる一方で第１の弁８５を開かせ
る。さらに，切換弁１１３も閉じる．これにより，第１
の弁８５を通じて多量の純水を急速に純水貯留タンク８
０に供給することができる。そして，純水が純水貯留タ
ンク８０に所定量貯留されたら第１の弁８５も閉じる。
ここで，カートリッジヒータ９５を作動させ，その後に
所定温度に達するとカートリッジヒータ９５を止める。
そして，切換弁９８を開いて洗浄槽６０に純水を充填す
る。According to the chemical cleaning device 110, pure water overflows from the pure water storage tank 80 through the overflow pipe 111. As a result, the overflow pipe 8
As compared with the case where the pure water overflows due to 2, the pure water can overflow earlier, and the pure water flowing in the pure water storage tank 80 can be reduced in a small amount. Therefore, the flow efficiency of pure water is higher than in the case of the chemical liquid cleaning device 12, and the generation of bacteria can be further suppressed. afterwards,
A fixed time before the chemical liquid exchange start time, the controller 88 switches the opening and closing of the first valve 85 and the second valve 87, and closes the second valve 87 and opens the first valve 85. . Further, the switching valve 113 is also closed. As a result, the first
A large amount of pure water is rapidly supplied to the pure water storage tank 8 through the valve 85 of the
0 can be supplied. Then, when a predetermined amount of pure water is stored in the pure water storage tank 80, the first valve 85 is also closed.
Here, the cartridge heater 95 is operated, and when the temperature reaches a predetermined temperature, the cartridge heater 95 is stopped.
Then, the switching valve 98 is opened to fill the cleaning tank 60 with pure water.
【００５５】次に，第３の実施の形態については，図７
を参照にして説明する。図７に示すように，この第３の
実施の形態にかかる薬液洗浄装置１２０は，材質がＰＴ
ＦＥ（四フッ化エチレン樹脂）から成る純水貯留タンク
１２１を有している。この純水貯留タンク１２１内に
は，カートリッジヒータがない代わりに，材質がＰＦＡ
（四フッ化エチレンとパーフロロアルキルビニルエーテ
ルの共重合樹脂）から成るコイルチューブ１２２が設け
られている。このコイルチューブ１２２に対しては，温
水供給管１２３から温水が供給されるようになってお
り，コイルチューブ１２２内を流通した温水は，温水排
液管１２４を介してコイルチューブ１２２から排出され
るようになっている。温水は，工場用水のうちで，特に
純水を所定温度にまで十分昇温できる程度にまで温かい
ものが利用される。なお，純水貯留タンク１２１から
は，第１の液面下限センサが取り外されている。Next, a third embodiment will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 7, a chemical cleaning device 120 according to the third embodiment is made of a material made of PT.
A pure water storage tank 121 made of FE (tetrafluoroethylene resin) is provided. In the pure water storage tank 121, instead of having a cartridge heater, the material is PFA.
A coil tube 122 made of (copolymer resin of ethylene tetrafluoride and perfluoroalkyl vinyl ether) is provided. Hot water is supplied to the coil tube 122 from a hot water supply pipe 123, and the hot water flowing through the coil tube 122 is discharged from the coil tube 122 via a hot water drain pipe 124. It has become. As the hot water, among factory waters, hot water is used which is particularly hot enough to raise the temperature of pure water to a predetermined temperature. Note that the first liquid level lower limit sensor is removed from the pure water storage tank 121.
【００５６】かかる構成によれば，温水がコイルチュー
ブ１２２内を巡ることにより，純水貯留タンク１２１内
の純水を所定温度に加熱することができる。そして，所
定温度に加熱された純水によって，ウェハＷの表面から
効率よく薬液を洗い流すことができる。ここで，温水を
用いるので，純水を加熱する際の電力が不要となり，省
エネルギー化を図ることができる。さらに，純水貯留タ
ンク１２１と同様の構成は，薬液を貯留する薬液貯留タ
ンクにも適用することができる。従来の薬液貯留タンク
においては，タンク内の薬液をカートリッジヒータによ
って加熱すると，万が一，薬液中に電気が流れるような
事態にでもなれば，特に有機溶剤（例えばエチレングリ
コール）等を含んだ薬液では，発火するおそれがあっ
た。しかしながら，この場合には，薬液をコイルチュー
ブ１２２によって加熱することになるので，発火の危険
性がなくなり安全性を高めることができる。According to such a configuration, pure water in the pure water storage tank 121 can be heated to a predetermined temperature by flowing hot water through the coil tube 122. Then, the chemical liquid can be efficiently washed away from the surface of the wafer W by the pure water heated to the predetermined temperature. Here, since hot water is used, electric power for heating pure water is not required, and energy saving can be achieved. Furthermore, the same configuration as the pure water storage tank 121 can be applied to a chemical storage tank that stores a chemical. In a conventional chemical storage tank, if a chemical in the tank is heated by a cartridge heater, even in the event that electricity flows in the chemical, especially in a chemical containing an organic solvent (eg, ethylene glycol), There was a risk of fire. However, in this case, since the chemical solution is heated by the coil tube 122, there is no danger of ignition and safety can be improved.
【００５７】その他，純水貯留タンクに対して純水供給
回路を複数接続することが可能であり，その第１の例〜
第４の例までを図８〜図１１に示す。第１の例として，
図８に示すように，前記純水供給源８３に接続されてい
る接続回路８４から，貯留用の純水供給回路１３０と，
貯留用の純水供給回路１３０よりも流量が小さいオーバ
ーフロー用の純水供給回路１３１とが分岐し，これら貯
留用の純水供給回路１３０，オーバーフロー用の純水供
給回路１３１が純水貯留タンク８０に接続されている。
貯留用の純水供給回路１３０には第１の弁８５が，オー
バーフロー用の純水供給回路１３１には第２の弁８７が
それぞれ設けられ，前記第１〜第３の実施の形態と同様
に，第１の弁８５と第２の弁８７とがコントローラ８８
によって制御される。In addition, it is possible to connect a plurality of pure water supply circuits to the pure water storage tank.
8 to 11 show up to the fourth example. As a first example,
As shown in FIG. 8, a connection circuit 84 connected to the pure water supply source 83 supplies a pure water supply circuit 130 for storage,
An overflow pure water supply circuit 131 whose flow rate is smaller than that of the storage pure water supply circuit 130 branches off, and the storage pure water supply circuit 130 and the overflow pure water supply circuit 131 are connected to the pure water storage tank 80. It is connected to the.
A first valve 85 is provided in the pure water supply circuit 130 for storage, and a second valve 87 is provided in the pure water supply circuit 131 for overflow, respectively, as in the first to third embodiments. , A first valve 85 and a second valve 87 are connected to a controller 88.
Is controlled by
【００５８】かかる構成によれば，貯留用の純水供給回
路１３０を通じて純水を供給し，純水貯留タンク８０内
に純水を貯留することができ，オーバーフロー用の純水
供給回路１３１を通じて少量の純水を供給し，純水貯留
タンク８０内から純水を経済的に溢れ出させることがで
きる。従って，純水中のバクテリアの発生を防止でき，
しかもカートリッジヒータ９５の負担を軽減することが
できるAccording to this configuration, pure water can be supplied through the pure water supply circuit 130 for storage, and pure water can be stored in the pure water storage tank 80. A small amount of pure water can be supplied through the pure water supply circuit 131 for overflow. And pure water can be economically overflown from the pure water storage tank 80. Therefore, the generation of bacteria in pure water can be prevented,
In addition, the burden on the cartridge heater 95 can be reduced.
【００５９】また，第２の例として，図９に示すよう
に，接続回路８４から，貯留用の純水供給回路１３０
と，オーバーフロー用の純水供給回路１３２と，オーバ
ーフロー用の純水供給回路１３３とが分岐するようにし
てもよい。貯留用の純水供給回路１３０には第１の弁８
５が，オーバーフロー用の純水供給回路１３２には第２
の弁８７が，オーバーフロー用の純水供給回路１３３に
は第３の弁１３４がそれぞれ設けられ，これら第１〜第
３の弁８５，８７，１３４は，コントローラ８８によっ
て制御される。As a second example, as shown in FIG. 9, the connection pure water supply circuit 130
The overflow pure water supply circuit 132 and the overflow pure water supply circuit 133 may be branched. The first valve 8 is provided in the pure water supply circuit 130 for storage.
5 is the second pure water supply circuit 132 for overflow.
A third valve 134 is provided in the overflow pure water supply circuit 133, and the first to third valves 85, 87, and 134 are controlled by the controller 88.
【００６０】かかる構成によれば，純水貯留タンク８０
の底部に，２つオーバーフロー用の純水供給回路１３
２，１３３が接続されるので，この２つの接続箇所から
純水貯留タンク８０内に純水を流入させることができ
る。これにより，純水貯留タンク８０内の純水の流動性
を高めることができる。従って，バクテリアの発生を更
に押さえることができる。なお，接続回路８４から分岐
する純水供給回路の数を，さらに４本，５本と増やすこ
とが可能である。According to this configuration, the pure water storage tank 80
At the bottom of the, two pure water supply circuits 13 for overflow
2 and 133 are connected, so that pure water can flow into the pure water storage tank 80 from these two connection points. Thereby, the fluidity of the pure water in the pure water storage tank 80 can be increased. Therefore, the generation of bacteria can be further suppressed. Note that the number of pure water supply circuits branched from the connection circuit 84 can be further increased to four or five.
【００６１】第３及び第４の例として，図１０及び図１
１に示すように，各純水供給回路毎に純水供給源を設け
ても良い。図１０では，貯留用の純水供給回路１３０
が，接続回路８４を介して純水供給源８３に接続され，
オーバーフロー用の純水供給回路１３１が，接続回路１
３５を介して純水供給源１３６に接続されている。As third and fourth examples, FIG. 10 and FIG.
As shown in FIG. 1, a pure water supply source may be provided for each pure water supply circuit. In FIG. 10, a pure water supply circuit 130 for storage is used.
Is connected to a pure water supply source 83 via a connection circuit 84,
The pure water supply circuit 131 for overflow is connected to the connection circuit 1
It is connected to a pure water supply source 136 via 35.
【００６２】かかる構成によれば，図９の時と同様に，
貯留用の純水供給回路１３０を通じて純水を供給でき，
オーバーフロー用の純水供給回路１３１を通じて純水を
経済的に溢れ出させることができる。この場合も，純水
貯留タンク８０に接続する純水供給回路の数を，さらに
４本，５本と増やすことが可能であるが，貯留用の純水
供給回路を複数接続するようにすれば，より多量の純水
を急速に純水貯留タンク８０に供給することができるよ
うになる。According to such a configuration, as in the case of FIG.
Pure water can be supplied through the pure water supply circuit 130 for storage,
Pure water can be overflowed economically through the pure water supply circuit 131 for overflow. Also in this case, the number of pure water supply circuits connected to the pure water storage tank 80 can be further increased to four or five, but if a plurality of pure water supply circuits for storage are connected, Thus, a larger amount of pure water can be rapidly supplied to the pure water storage tank 80.
【００６３】さらに図１１では，オーバーフロー用の純
水供給回路１３１の代わりに，オーバーフロー用の純水
供給回路１３２が接続回路１３５を介して純水供給源１
３６に接続され，オーバーフロー用の純水供給回路１３
３が接続回路１３７を介して純水供給源１３８に接続さ
れている。かかる構成によれば，図１０の時と同様に，
純水の流動効率を向上させることができ，バクテリアの
発生を更に押さえることができる。Further, in FIG. 11, instead of the pure water supply circuit 131 for overflow, a pure water supply circuit 132 for overflow is connected via a connection circuit 135 to the pure water supply source 1.
36, a pure water supply circuit 13 for overflow
3 is connected to a pure water supply source 138 via a connection circuit 137. According to such a configuration, as in the case of FIG.
The flow efficiency of pure water can be improved, and the generation of bacteria can be further suppressed.
【００６４】図１２に示すように，純水供給回路１４０
に流量調整弁１４１を設けるだけで済ますようにしても
良い。かかる構成によれば，流量調整弁１４１によって
純水供給回路１４０から供給される純水の流量を調整す
るので，純水供給回路１４０を通じて純水の供給から純
水をオーバーフローまでを行うことができる。従って，
装置を簡素化することができる。As shown in FIG. 12, the pure water supply circuit 140
Only the flow control valve 141 may be provided. According to this configuration, since the flow rate of the pure water supplied from the pure water supply circuit 140 is adjusted by the flow rate adjustment valve 141, the flow from the pure water supply to the pure water overflow can be performed through the pure water supply circuit 140. . Therefore,
The device can be simplified.
【００６５】なお，本発明は，何れも基板としてウェハ
Ｗを用いた例について説明したが，基板としてＬＣＤ基
板，ガラス基板，ＣＤ基板，フォトマスク，プリント基
板，セラミック基板等を用いることも可能である。Although the present invention has been described with respect to an example in which a wafer W is used as a substrate, an LCD substrate, a glass substrate, a CD substrate, a photomask, a printed substrate, a ceramic substrate, or the like may be used as the substrate. is there.
【００６６】[0066]
【発明の効果】請求項１〜５の発明によれば，加熱手段
の負担を軽減することができ，しかも処理液中のバクテ
リアの発生を防止できる。従って，処理液の清浄度を良
好に維持しながらも，例えば処理液を加熱する加熱手段
の製品寿命の長期化及び電力消費量の抑制が実現可能と
なる。According to the first to fifth aspects of the present invention, the burden on the heating means can be reduced, and the generation of bacteria in the processing solution can be prevented. Therefore, for example, it is possible to realize a prolonged product life and a reduction in power consumption of the heating means for heating the processing liquid, while maintaining the cleanliness of the processing liquid satisfactorily.
【００６７】請求項６〜１２の発明によれば，請求項１
に記載の発明を好適に実施することができる。特に請求
項８，１１の発明によれば，処理液の供給量を微調整す
ることができ，請求項１２の発明によれば，オーバーフ
ロー管を通じて処理液貯留タンク内から処理液を溢れ出
させることができる。また，請求項１３の発明によれ
ば，処理液がより死水状態になり難くなり，バクテリア
の発生をさらに防止することができる。もちろん，請求
項６，９に記載の基板処理装置を用いることによって，
請求項３，５に記載の発明も好適に実施することができ
る。According to the invention of claims 6 to 12, claim 1
Can be suitably carried out. In particular, according to the eighth and eleventh aspects of the present invention, the supply amount of the processing liquid can be finely adjusted. According to the twelfth aspect, the processing liquid overflows from the processing liquid storage tank through the overflow pipe. Can be. Further, according to the invention of claim 13, the treatment liquid is less likely to be in a dead water state, and the generation of bacteria can be further prevented. Of course, by using the substrate processing apparatus according to claims 6 and 9,
The inventions described in claims 3 and 5 can also be suitably implemented.
【図１】第１の実施の形態にかかる薬液洗浄装置を備え
た洗浄システムの斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a cleaning system including a chemical liquid cleaning device according to a first embodiment.
【図２】第１の実施の形態にかかる薬液洗浄装置の回路
系統を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a circuit system of the chemical liquid cleaning device according to the first embodiment.
【図３】純水貯留タンクに純水を供給し続けた後に純水
を所定温度に加熱する場合における，ＳＣ１洗浄の工程
の流れを示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a flow of a SC1 cleaning process in a case where pure water is heated to a predetermined temperature after pure water is continuously supplied to a pure water storage tank.
【図４】純水貯留タンク内の純水を予備加熱した後に純
水を所定温度に加熱する場合における，ＳＣ１洗浄の工
程の流れを示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a flow of an SC1 cleaning process in a case where pure water in a pure water storage tank is preheated and then pure water is heated to a predetermined temperature.
【図５】純水貯留タンク内を空の状態させておいた後に
純水貯留タンク内に純水を供給して純水を所定温度に加
熱する場合における，ＳＣ１洗浄の工程の流れを示す説
明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing the flow of the SC1 cleaning process when pure water is supplied to the pure water storage tank and heated to a predetermined temperature after the pure water storage tank is emptied. FIG.
【図６】第２の実施の形態にかかる薬液洗浄装置の回路
系統を示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing a circuit system of a chemical solution cleaning device according to a second embodiment.
【図７】第３の実施の形態にかかる薬液洗浄装置の回路
系統を示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing a circuit system of a chemical solution cleaning device according to a third embodiment.
【図８】複数の純水供給回路が接続された場合の純水貯
留タンクの第１の例の説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram of a first example of a pure water storage tank when a plurality of pure water supply circuits are connected.
【図９】複数の純水供給回路が接続された場合の純水貯
留タンクの第２の例の説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram of a second example of the pure water storage tank when a plurality of pure water supply circuits are connected.
【図１０】複数の純水供給回路が接続された場合の純水
貯留タンクの第３の例の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram of a third example of a pure water storage tank when a plurality of pure water supply circuits are connected.
【図１１】複数の純水供給回路が接続された場合の純水
貯留タンクの第４の例の説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram of a fourth example of a pure water storage tank when a plurality of pure water supply circuits are connected.
【図１２】純水供給回路に流量調整弁が設けられた場合
の純水貯留タンクの説明図である。FIG. 12 is an explanatory diagram of a pure water storage tank when a flow rate adjusting valve is provided in a pure water supply circuit.
１ 洗浄システム １２，１４，１６，１８ 薬液洗浄装置 ６０ 洗浄槽 ８０ 純水貯留タンク ８１ 純水供給回路 ８２ オーバーフロー管 ８５ 第１の弁 ８６ 迂回回路 ８７ 第２の弁 ８８ コントローラ ８９ 液面上限センサ ９５ カートリッジヒータ ９６ 充填回路 Ｗ ウェハ Ｃ キャリア DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cleaning system 12, 14, 16, 18 Chemical liquid cleaning device 60 Cleaning tank 80 Pure water storage tank 81 Pure water supply circuit 82 Overflow pipe 85 First valve 86 Detour circuit 87 Second valve 88 Controller 89 Liquid level upper limit sensor 95 Cartridge heater 96 Filling circuit W Wafer C Carrier
フロントページの続き Ｆターム(参考） 3B201 AA02 AA03 AB44 BB02 BB03 BB04 BB82 BB92 BB93 BB96 CC01 CC11 CD42 CD43 5F043 BB27 EE10 EE12 EE22 EE28Continued on the front page F-term (reference) 3B201 AA02 AA03 AB44 BB02 BB03 BB04 BB82 BB92 BB93 BB96 CC01 CC11 CD42 CD43 5F043 BB27 EE10 EE12 EE22 EE28
Claims (13)
所定温度に加熱し，この加熱された処理液を前記処理液
貯留タンク内から処理槽内に充填して該処理槽内にて処
理液中に基板を浸漬させることにより基板を処理する方
法であって，前記処理液貯留タンク内に処理液を貯留し
た後に，前記処理液貯留タンク内に処理液を供給すると
共に，前記処理液貯留タンク内から処理液を排出し，前
記処理液の供給と排出とを，前記処理液を所定温度に加
熱するのを停止している期間に行うことを特徴とする，
基板処理方法。1. A processing liquid stored in a processing liquid storage tank is heated to a predetermined temperature, and the heated processing liquid is filled into the processing tank from the processing liquid storage tank and processed in the processing tank. A method of processing a substrate by immersing the substrate in a liquid, wherein the processing liquid is supplied into the processing liquid storage tank after storing the processing liquid in the processing liquid storage tank. Discharging the processing liquid from the tank, and supplying and discharging the processing liquid during a period in which heating the processing liquid to a predetermined temperature is stopped.
Substrate processing method.
は，少なくとも所定温度に昇温するのに必要な時間，前
記処理液の供給と排出とを停止させることを特徴とす
る，請求項１に記載の基板処理方法。2. The method according to claim 1, wherein when the processing liquid is heated to a predetermined temperature, the supply and discharge of the processing liquid are stopped at least for a time required to raise the temperature to the predetermined temperature. 2. The substrate processing method according to 1.
所定温度に加熱し，この加熱された処理液を前記処理液
貯留タンク内から処理槽内に充填して該処理槽内にて処
理液中に基板を浸漬させることにより基板を処理する方
法であって，前記処理液貯留タンク内の処理液を，前記
所定温度よりも低い温度に予備加熱して通常待機させ，
この通常待機の後に，前記処理液貯留タンク内の処理液
を前記所定温度に加熱し，前記処理槽に充填することを
特徴とする，基板処理方法。3. A processing liquid stored in a processing liquid storage tank is heated to a predetermined temperature, and the heated processing liquid is filled from the processing liquid storage tank into a processing tank and processed in the processing tank. A method of processing a substrate by immersing the substrate in a liquid, wherein the processing liquid in the processing liquid storage tank is preliminarily heated to a temperature lower than the predetermined temperature and is normally in standby,
After the normal standby, the processing liquid in the processing liquid storage tank is heated to the predetermined temperature and filled in the processing tank.
クテリアが発生しない温度に予備加熱することを特徴と
する，請求項３に記載の基板処理方法。4. The substrate processing method according to claim 3, wherein the processing liquid in the processing liquid storage tank is pre-heated to a temperature at which bacteria are not generated.
所定温度に加熱し，この加熱された処理液を前記処理液
貯留タンク内から処理槽内に充填して該処理槽内にて処
理液中に基板を浸漬させることにより基板を処理する方
法であって，前記処理液貯留タンク内を空の状態にさ
せ，その後に，前記処理液貯留タンク内に処理液を貯留
して前記所定温度に加熱し，前記処理槽に充填すること
を特徴とする，基板処理方法。5. A processing liquid stored in a processing liquid storage tank is heated to a predetermined temperature, and the heated processing liquid is filled into the processing tank from the processing liquid storage tank and processed in the processing tank. A method of processing a substrate by immersing the substrate in a liquid, wherein the processing liquid storage tank is emptied, and then the processing liquid is stored in the processing liquid storage tank and the predetermined temperature is stored. A substrate processing method, wherein the substrate is heated and filled in the processing tank.
前記処理液貯留タンク内に処理液を供給する処理液供給
回路と，前記処理液貯留タンク内の処理液を所定温度に
加熱する加熱手段と，基板を処理する処理槽と，前記処
理液貯留タンク内の処理液を前記処理槽に充填する充填
回路と，前記処理液貯留タンク内にて所定の高さに開口
して処理液を溢れ出させるオーバーフロー管とを備えた
基板を処理する装置であって，前記処理液供給回路に設
けられた第１の弁と，前記第１の弁を迂回するように前
記処理液供給回路と並列に設けられた前記処理液供給回
路よりも流量が小さい迂回回路と，前記迂回回路に設け
られた第２の弁とを備えていることを特徴とする，基板
処理装置。6. A processing liquid storage tank for storing a processing liquid,
A processing liquid supply circuit for supplying a processing liquid into the processing liquid storage tank, heating means for heating the processing liquid in the processing liquid storage tank to a predetermined temperature, a processing tank for processing a substrate, and the processing liquid storage tank An apparatus for processing a substrate, comprising: a filling circuit for filling the processing tank with the processing liquid therein; and an overflow pipe that opens at a predetermined height in the processing liquid storage tank and overflows the processing liquid. A first valve provided in the processing liquid supply circuit, and a bypass circuit having a smaller flow rate than the processing liquid supply circuit provided in parallel with the processing liquid supply circuit so as to bypass the first valve. And a second valve provided in the bypass circuit.
閉を制御する制御手段を備えていることを特徴とする，
請求項６に記載の基板処理装置。7. A control device for controlling opening and closing of the first valve and opening and closing of the second valve.
The substrate processing apparatus according to claim 6.
整機能を有することを特徴とする，請求項６又は７に記
載の基板処理装置。8. The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the first valve and the second valve have a flow rate adjusting function.
前記処理液貯留タンク内に処理液を供給する処理液供給
回路と，前記処理液貯留タンク内の処理液を所定温度に
加熱する加熱手段と，基板を処理する処理槽と，前記処
理液貯留タンク内の処理液を前記処理槽に充填する充填
回路と，前記処理液貯留タンク内にて所定の高さに開口
して処理液を溢れ出させるオーバーフロー管とを備えた
基板を処理する装置であって，前記処理液貯留タンクに
複数の処理液供給回路が接続され，これら各処理液供給
回路に開閉弁を設け，さらに各処理液供給回路を，処理
液貯留タンク内に処理液を貯留するための貯留用の処理
液供給回路と，処理液貯留タンク内から処理液を溢れ出
せるためのオーバーフロー用の処理液供給回路とに分
け，前記オーバーフロー用の処理液供給回路は，前記貯
留用の処理液供給回路よりも流量が小さいことをことを
特徴とする，基板処理装置。9. A processing liquid storage tank for storing a processing liquid,
A processing liquid supply circuit for supplying a processing liquid into the processing liquid storage tank, heating means for heating the processing liquid in the processing liquid storage tank to a predetermined temperature, a processing tank for processing a substrate, and the processing liquid storage tank An apparatus for processing a substrate, comprising: a filling circuit for filling the processing tank with the processing liquid therein; and an overflow pipe that opens at a predetermined height in the processing liquid storage tank and overflows the processing liquid. A plurality of processing liquid supply circuits are connected to the processing liquid storage tank, an opening / closing valve is provided for each of the processing liquid supply circuits, and each processing liquid supply circuit is used to store the processing liquid in the processing liquid storage tank. And an overflow processing liquid supply circuit for allowing the processing liquid to overflow from the processing liquid storage tank. The overflow processing liquid supply circuit is provided with the overflow processing liquid supply circuit. Supply times Characterized in that the flow rate is less than, the substrate processing apparatus.
ていることを特徴とする，請求項９に記載の基板処理装
置。10. The substrate processing apparatus according to claim 9, further comprising control means for controlling the on-off valve.
ことを特徴とする，請求項９又は１０に記載の基板処理
装置。11. The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the on-off valve has a flow rate adjusting function.
も高い位置において液面を検出する液面上限センサを設
けることを特徴とする，請求項６，７，８，９，１０又
は１１に記載の基板処理装置。12. The substrate according to claim 6, further comprising a liquid level upper limit sensor for detecting a liquid level at a position higher than an opening position of the overflow pipe. Processing equipment.
に開口して，前記処理液貯留タンク内から処理液を溢れ
出させる他のオーバーフロー管を有することを特徴とす
る，請求項６，７，８，９，１０，１１又は１２に記載
の基板処理装置。13. An overflow pipe which is opened at a position lower than the overflow pipe and overflows the processing liquid from the processing liquid storage tank. 13. The substrate processing apparatus according to 9, 10, 11, or 12.
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