JP2000294532A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 加熱手段の負担を軽減することができ，しか
も処理液中のバクテリアの発生を防止できる基板処理方
法及び基板処理装置を提供する。 【解決手段】 純水貯留タンク８０内の純水を所定温度
に加熱し，この純水と薬液とを洗浄槽６０内に充填して
ウェハＷを浸漬させることによりウェハＷを薬液洗浄す
る方法であって，純水の加熱を停止している期間に，純
水を純水貯留タンク８０内に供給して貯留し，その後も
小流量の純水を供給し続けて純水貯留タンク８０内から
オーバーフロー管８２を通して純水を排出し，純水貯留
タンク８０内に貯留されている純水を常に流動させる。
洗浄槽６０に充填を開始する時刻よりも所定時間前に，
純水の供給と排出を停止させ，カートリッジヒータ９５
を作動させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，処理液を用いて基
板などを処理する基板処理方法及び基板処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】例えば，半導体デバイスの製造工程で
は，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）を所定
の薬液や純水等の洗浄液によって洗浄し，ウェハの表面
に付着したパーティクル，有機汚染物，金属不純物等の
コンタミネーションを除去する洗浄装置が使用されてい
る。その中でも，洗浄液が充填された洗浄槽内にウェハ
を浸漬させて洗浄処理を行うウェット型の洗浄装置は，
ウェハに付着したパーティクル等を効果的に除去できる
ため広く普及している。

【０００３】通常，薬液を用いて薬液洗浄を行う薬液洗
浄装置と，純水を用いてリンス洗浄を行うリンス洗浄装
置を交互に配置しながら多数の洗浄装置を並べている。
そして，これら各洗浄装置にウェハを順次搬送すること
により，ウェハに対して所定の洗浄工程を施す。この場
合には，前の薬液洗浄と次の薬液洗浄との間に，リンス
洗浄が行われることになり，前の薬液が綺麗に洗い流さ
れたウェハが，次の薬液洗浄装置に搬入されるようにな
っている。

【０００４】ここで，薬液洗浄装置は，薬液と純水を洗
浄槽に充填し，所定濃度の薬液を生成し，このような薬
液中にウェハを浸漬させることにより，ウェハを薬液洗
浄するように構成されている。常温の薬液に比べて，高
温の薬液の方が高い洗浄能力を示すため，通常の薬液洗
浄では所定の処理温度に加熱した薬液を使用している。
そこで，薬液洗浄装置は，内部にカートリッジヒータが
設置された純水貯留タンクを備えており，この純水貯留
タンク内に予め純水を貯留して所定温度にまで加熱でき
るように構成されている。従って，薬液洗浄の際には，
純水貯留タンク内で予め所定温度にまで加熱された純水
を，薬液洗浄の開始直前に洗浄槽に充填して薬液と混合
することにより，所定の処理温度の薬液を生成し，薬液
洗浄を直ぐに開始するようにしている。洗浄槽に充填す
るまでの間，純水は純水貯留タンク内で加熱され続けら
れるので，純水を汚染するようなバクテリアが純水中に
繁殖するようなことはない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来の
薬液洗浄装置では，純水貯留タンク内の純水を，薬液洗
浄の開始直前までの長い間，カートリッジヒータによっ
て加熱し続けなければならず，これをウェハの薬液洗浄
毎に繰り返しているので，カートリッジヒータに過大な
負担がかかる。このため，カートリッジヒータの製品寿
命が短く，しかもカートリッジヒータにかかる電力消費
量が高騰していた。

【０００６】一方，カートリッジヒータの負担を減らす
ために，例えば洗浄槽に充填する一定時間前からカート
リッジヒータを作動させていたのでは，加熱が開始され
るまでの間，純水中にバクテリアが発生するおそれがあ
り，純水の清浄度を維持することが難しくなる。

【０００７】従って，本発明の目的は，加熱手段の負担
を軽減することができ，しかも処理液中のバクテリアの
発生を防止できる基板処理方法及び基板処理装置を提供
することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，請求項１の発明は，処理液貯留タンク内に貯留した
処理液を所定温度に加熱し，この加熱された処理液を前
記処理液貯留タンク内から処理槽内に充填して該処理槽
内にて処理液中に基板を浸漬させることにより基板を処
理する方法であって，前記処理液貯留タンク内に処理液
を貯留した後に，前記処理液貯留タンク内に処理液を供
給すると共に，前記処理液貯留タンク内から処理液を排
出し，前記処理液の供給と排出とを，前記処理液を所定
温度に加熱するのを停止している期間に行うことを特徴
とする，基板処理方法を提供する。

【０００９】請求項１に記載の基板処理方法によれば，
処理液を所定温度に加熱することを停止している期間
に，処理液を処理液貯留タンク内に供給し，処理液貯留
タンク内に処理液が十分に貯留した後も処理液を供給し
続け，処理液貯留タンク内から処理液を排出する。その
後，処理槽に充填を開始する時刻よりも所定時間前に，
処理液の供給と排出を停止させ，加熱手段を作動させて
処理液貯留タンク内の処理液を加熱する。

【００１０】このように，処理液貯留タンク内に処理液
が貯留されてから処理槽に充填が開始されるまでの長い
間，常に加熱手段を作動させ続けるのでなく，処理槽に
充填を開始する時刻よりも所定時間前に加熱手段を作動
させるので，加熱手段の負担を軽減することができる。
しかも，加熱手段が作動していない間は，処理液貯留タ
ンク内に処理液を供給して，処理液を常に流動させる状
態にするので，処理液貯留タンク内の純水が滞留してバ
クテリアが発生した状態，いわゆる死水状態になること
を防止することができる。

【００１１】請求項１に記載の基板処理方法において，
請求項２に記載したように，前記処理液を所定温度に加
熱する際には，少なくとも所定温度に昇温するのに必要
な時間，前記処理液の供給と排出とを停止させることが
好ましい。かかる方法によれば，少なくとも所定温度に
昇温するのに必要な時間，処理液の供給と排出を停止さ
せるので，処理液貯留タンク内の処理液を所定温度に確
実に加熱することができる。

【００１２】請求項３の発明は，処理液貯留タンク内に
貯留した処理液を所定温度に加熱し，この加熱された処
理液を前記処理液貯留タンク内から処理槽内に充填して
該処理槽内にて処理液中に基板を浸漬させることにより
基板を処理する方法であって，前記処理液貯留タンク内
の処理液を，前記所定温度よりも低い温度に予備加熱し
て通常待機させ，この通常待機の後に，前記処理液貯留
タンク内の処理液を前記所定温度に加熱し，前記処理槽
に充填することを特徴とする，基板処理方法を提供す
る。

【００１３】請求項３に記載の基板処理方法において，
請求項４に記載したように，前記処理液貯留タンク内の
処理液を，バクテリアが発生しない温度に予備加熱する
ことが好ましい。かかる基板処理方法によれば，処理液
貯留タンク内の処理液を，バクテリアが発生しない温度
に予備加熱するので，処理液貯留タンク内に処理液が滞
留していても，処理液中にバクテリアが発生することを
防止することができる。しかも，処理液を予備加熱する
のに必要な熱エネルギーは，処理液を所定温度に加熱す
る時に比べて少なくて済む。これにより，加熱手段にか
かる負担を，所定温度で常に加熱し続ける場合よりも軽
減することができる。そして，その後，請求項１と同様
に処理液を所定温度に加熱して処理槽に処理液を充填す
る。このように，処理液貯留タンク内に貯留してから処
理液を処理槽内に充填するまでの長い間，常に加熱手段
を全開で作動させることがないので，加熱手段の負担を
軽減することができる。

【００１４】請求項５の発明は，処理液貯留タンク内に
貯留した処理液を所定温度に加熱し，この加熱された処
理液を前記処理液貯留タンク内から処理槽内に充填して
該処理槽内にて処理液中に基板を浸漬させることにより
基板を処理する方法であって，前記処理液貯留タンク内
を空の状態にさせ，その後に，前記処理液貯留タンク内
に処理液を貯留して前記所定温度に加熱し，前記処理槽
に充填することを特徴とする，基板処理方法を提供す
る。

【００１５】請求項５に記載の基板処理方法によれば，
処理の前段階においては，処理液貯留タンク内に処理液
そのものがないので，バクテリアが発生することもな
い。そして，その後に，処理の開始時期を見計らって，
処理液貯留タンク内に処理液を供給し，請求項１と同様
に処理液を所定温度に加熱して処理槽に処理液を充填す
る。従って，請求項１と同様に，処理液を加熱する加熱
手段の負担を軽減することができる。

【００１６】請求項６の発明は，処理液を貯留する処理
液貯留タンクと，前記処理液貯留タンク内に処理液を供
給する処理液供給回路と，前記処理液貯留タンク内の処
理液を所定温度に加熱する加熱手段と，基板を処理する
処理槽と，前記処理液貯留タンク内の処理液を前記処理
槽に充填する充填回路と，前記処理液貯留タンク内にて
所定の高さに開口して処理液を溢れ出させるオーバーフ
ロー管とを備えた基板を処理する装置であって，前記処
理液供給回路に設けられた第１の弁と，前記第１の弁を
迂回するように前記処理液供給回路と並列に設けられた
前記処理液供給回路よりも流量が小さい迂回回路と，前
記迂回回路に設けられた第２の弁とを備えていることを
特徴とする，基板処理装置を提供する。

【００１７】請求項６に記載の基板処理装置において，
請求項７に記載したように，前記第１の弁の開閉と前記
第２の弁の開閉を制御する制御手段を備えていることが
好ましい。かかる構成によれば，まず，処理液貯留タン
ク内に処理液を供給する際には，制御手段によって，第
１の弁を開かせる一方で第２の弁を閉じさせ，第１の弁
を通じて処理液を処理液貯留タンク内に供給する。次い
で，処理液貯留タンク内から処理液を溢れ出させる際に
は，制御手段によって，第１の弁と第２の弁の開閉が切
り換えられ，第１の弁を閉じさせる一方で第２の弁を開
かせる。このとき，迂回回路を利用して処理液を処理液
貯留タンク内に供給することになるので，少ない流量で
処理液を処理液貯留タンク内に供給することができる。
従って，処理液の使用量を抑えながら，オーバーフロー
管を通じて処理液貯留タンク内から処理液を経済的に溢
れ出させることができる。最後に，処理液貯留タンク内
の処理液を加熱する際には，制御手段によって，第１の
弁と第２の弁の何れも閉じさせ，処理液貯留タンク内に
処理液を流入させない状態で，加熱手段を作動させる。
こうして，請求項１に記載の発明を好適に実施すること
ができる。

【００１８】請求項８に記載したように，前記第１の弁
と前記第２の弁は，流量調整機能を有していれば，処理
液貯留タンク内に供給される処理液の供給量を微調整す
ることができる。

【００１９】請求項９に記載したように，処理液を貯留
する処理液貯留タンクと，前記処理液貯留タンク内に処
理液を供給する処理液供給回路と，前記処理液貯留タン
ク内の処理液を所定温度に加熱する加熱手段と，基板を
処理する処理槽と，前記処理液貯留タンク内の処理液を
前記処理槽に充填する充填回路と，前記処理液貯留タン
ク内にて所定の高さに開口して処理液を溢れ出させるオ
ーバーフロー管とを備えた基板を処理する装置であっ
て，前記処理液貯留タンクに複数の処理液供給回路が接
続され，これら各処理液供給回路に開閉弁を設け，さら
に各処理液供給回路を，処理液貯留タンク内に処理液を
貯留するための貯留用の処理液供給回路と，処理液貯留
タンク内から処理液を溢れ出せるためのオーバーフロー
用の処理液供給回路とに分け，前記オーバーフロー用の
処理液供給回路は，前記貯留用の処理液供給回路よりも
流量が小さいことをことを特徴とする，基板処理装置を
提供する。

【００２０】請求項９に記載の基板処理装置において，
請求項１０に記載したように，前記開閉弁を制御する制
御手段を備えていることが好ましい。かかる構成によれ
ば，貯留用の処理液供給回路を通じて処理液を供給し，
処理液貯留タンク内に処理液を貯留することができ，オ
ーバーフロー用の処理液供給回路を通じて少量の処理液
を供給し，処理液貯留タンク内から処理液を経済的に溢
れ出させることができる。従って，請求項６の基板処理
装置と同様に，請求項１に記載の発明を好適に実施する
ことができる。しかも，処理液貯留タンクに，複数の貯
留用の処理液供給回路が接続されると，より多量の処理
液を急速に処理液貯留タンクに供給することができる。
また，処理液貯留タンクに，複数のオーバーフロー用の
処理液供給回路が接続されると，複数箇所から処理液貯
留タンク内に処理液を流入させることができる。これに
より，処理液貯留タンク内の処理液の流動性を高めるこ
とができる。

【００２１】請求項１１に記載したように，前記開閉弁
は，流量調整機能を有していれば，処理液貯留タンク内
に供給される処理液の供給量を微調整することができ
る。

【００２２】請求項１２に記載したように，前記オーバ
ーフロー管の開口位置よりも高い位置において液面を検
出する液面上限センサを設けることが好ましい。従来
は，オーバーフロー管よりも低い位置に液面上限センサ
を設けていたので，処理液貯留タンク内に処理液を十分
に貯留すると，液面が液面上限センサにかかり，オーバ
フローする前に処理液供給回路からの処理液の供給が停
止するようになっていた。しかしながら，かかる構成に
よれば，オーバーフロー管の開口位置よりも高い位置に
液面上限センサを設けているので，処理液貯留タンク内
に処理液を十分に貯留した後も，処理液供給回路から処
理液を供給し続け，オーバーフロー管を通じて処理液貯
留タンク内から処理液を溢れ出させることができる。

【００２３】請求項１３に記載したように，前記オーバ
ーフロー管よりも低い位置に開口して，前記処理液貯留
タンク内から処理液を溢れ出させる他のオーバーフロー
管を有していても良い。かかる構成によれば，請求項１
３のオーバーフロー管を通じて処理液貯留タンク内から
処理液を溢れ出させる。これにより，請求項６，９のオ
ーバーフロー管によって処理液を溢れ出させた時と比べ
て，処理液を早く溢れ出させることができ，処理液貯留
タンク内で流動させる処理液を少量で済ますことができ
る。従って，請求項６，９の場合よりも処理液の流動効
率が上がり，バクテリアの発生を更に押さえることがで
きる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下，添付図面を参照しながら本
発明の好ましい実施の形態を説明する。図１は，第１の
実施の形態にかかる薬液洗浄装置１２，１４，１６，１
８を備えた洗浄システム１の斜視図である。この洗浄シ
ステム１は，キャリアＣ単位での基板としてのウェハＷ
の搬入，ウェハＷの洗浄，ウェハＷの乾燥，キャリアＣ
単位でのウェハＷの搬出までを一貫して行うように構成
されている。

【００２５】この洗浄システム１において，搬入・取出
部２は，洗浄前のウェハＷを２５枚収納したキャリアＣ
を搬入しウェハＷを洗浄に移行させるまでの動作を行
う。即ち，搬入部５に載置されたキャリアＣを移送装置
６によってローダ７へ例えば２個ずつ搬送し，このロー
ダ７でキャリアＣからウェハＷを取り出す構成になって
いる。

【００２６】洗浄乾燥処理部１０には，搬入・取出部２
側から順に，ウェハＷを搬送する搬送装置３０のウェハ
チャック３０ａを洗浄および乾燥するためのウェハチャ
ック洗浄・乾燥装置１１，各種の薬液や純水等の洗浄液
を用いてウェハＷを洗浄する各種洗浄装置１２〜１９，
搬送装置３３のウェハチャック３３ａを洗浄および乾燥
するためのウェハチャック洗浄・乾燥装置２０，各種洗
浄装置１２〜１９で洗浄されたウェハＷを，例えばイソ
プロピルアルコール（ＩＰＡ）蒸気を用いて乾燥させる
乾燥装置２１が配列されている。

【００２７】ウェハチャック洗浄・乾燥装置１１，２０
では，例えば純水などを用いてウェハチャック３０ａと
ウェハチャック３３ａの洗浄，乾燥をそれぞれ行う。ま
た，一般的な洗浄プロセスに従い，薬液洗浄とリンス洗
浄とが交互に行えるように洗浄乾燥処理部１０では，薬
液洗浄装置１２，１４，１６，１８は薬液洗浄を行うよ
うに構成され，リンス洗浄装置１３，１５，１７，１９
はリンス洗浄を行うように構成されている。その一例と
して，薬液洗浄装置１２では，例えばアンモニア成分を
主体としたＡＰＭ（ＮＨ_４ＯＨ／Ｈ_２Ｏ_２／Ｈ_２Ｏの混
合液）を用いてＳＣ１洗浄を行って，ウェハＷの表面に
付着している有機汚染物，パーティクル等の不純物質を
除去する。また，薬液洗浄装置１６では，例えば塩酸成
分を主体としたＨＰＭ（ＨＣｌ／Ｈ_２Ｏ_２／Ｈ_２Ｏの混
合液）を用いたＳＣ２洗浄を行って，金属イオンを除去
する。また，薬液洗浄装置１４，１８では，何れもフッ
酸成分を主体としたＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ_２Ｏの混合液）を
用いたＤＨＦ洗浄を行って，ウェハＷの表面に形成され
た酸化膜等を除去する。また，リンス洗浄装置１３，１
５，１７，１９では，純水を用いてウェハＷのリンス洗
浄を行う。更に，乾燥装置２０では，ＩＰＡ蒸気を利用
してウェハＷの表面を乾燥処理するように構成されてい
る。

【００２８】なお以上の配列や各種洗浄装置１２〜１９
の組合わせは，ウェハＷに対する洗浄処理の種類によっ
て任意に組み合わせることができる。例えば，ある洗浄
装置を減じたり，逆にさらに他の種類の薬液を用いる薬
液洗浄装置を付加してもよい。

【００２９】装填・搬出部５０は，洗浄乾燥処理部１０
で洗浄，乾燥された２５枚のウェハＷをキャリアＣに装
填後キャリアＣ単位で搬出する。即ち，アンローダ５１
によって，洗浄後のウェハＷが収納されたキャリアＣ
を，移送装置（図示せず）によって，搬出部５２にまで
搬送する構成になっている。

【００３０】次に，第１の実施の形態にかかる薬液洗浄
装置１２，１４，１６，１８はいずれも同様の構成を有
しているので，図２，３を参照しながら薬液洗浄装置１
２を各装置の代表として説明する。図２は，ＡＰＭを用
いてＳＣ１洗浄を行う薬液洗浄装置１２の回路系統を示
す説明図である。図２に示すように，薬液洗浄装置１２
内に備えられた洗浄槽６０はウェハＷを収納するのに充
分な大きさを有する箱形の内槽６１と外槽６２から構成
されている。外槽６２は，内槽６１の上端からオーバー
フローしたＡＰＭを受けとめるように，内槽６１の開口
部を取り囲んで装着されている。

【００３１】そして，内槽６１と外槽６２との間には，
ウェハＷの薬液洗浄中にＡＰＭを循環流通させる循環回
路６３が接続されている。この循環回路６３の入口は外
槽６２の底面に接続され，循環回路６３の途中には，電
磁（ソレノイド）方式の２方口弁である切換弁６５，ポ
ンプ６６，ダンパ６７，ヒータ６８，フィルタ６９が順
に配列され，循環回路６３の出口は，内槽６１の底部に
通じている。ＳＣ１洗浄中は，内槽６１から外槽６２に
オーバーフローしたＡＰＭを循環回路６３内で循環させ
る。そして，循環回路６３で温調及び浄化した後に再び
内槽６１内に供給するようになっている。また，洗浄槽
６０内からＡＰＭを排液するために，内槽６１の底面に
は切換弁７０を介して排液回路７１が接続され，同様に
外槽６２の底面には切換弁７２を介して排液回路７３が
接続されている。また，アンモニア水溶液を貯留するタ
ンク７４と，ポンプ７５とを備えたアンモニア供給系７
６と，過酸化水素水を貯留するタンク７７と，ポンプ７
８とを備えた過酸化水素水供給系７９とが設けられてい
る。

【００３２】この薬液洗浄装置１２には，材質が石英か
ら成る純水貯留タンク８０が設けられており，この純水
貯留タンク８０は，最初に純水を洗浄槽６０に充填した
り，足りなくなった純水を洗浄槽６０に適宜補充するた
めに予め純水を貯留するためのものである。純水貯留タ
ンク８０の底部には，純水を供給する純水供給回路８１
が接続され，純水貯留タンク８０の内部には，純水貯留
タンク８０の上部に開口し，純水貯留タンク８０内から
純水を溢れ出させるオーバーフロー管８２が設けられて
いる。

【００３３】純水供給回路８１は，純水供給源８３に接
続回路８４を介して接続され，純水供給回路８１の途中
には第１の弁８５が設けられている。この第１の弁８５
の前後を入出口として，純水供給回路８１よりも流量が
小さい迂回回路８６が純水供給回路８１に接続されてい
る。この迂回回路８６は，純水供給回路８１内を流れる
予定の純水を第１の弁８５を迂回させた後に純水供給回
路８１内に送るように構成されており，その途中には第
２の弁８７が設けられている。従って，第１の弁８５を
通じてそのまま純水供給回路８１から純水を供給するよ
りも，一旦，迂回回路８６で迂回した後に純水供給回路
８１によって純水を供給するときのほうが，純水の供給
量を少なく済ますことができる。

【００３４】第１の弁８５と第２の弁８７には，コント
ローラ８８からの操作信号が入力されるようになってお
り，第１の弁８５と第２の弁８７の開閉は，コントロー
ラ８８によって制御される構成となっている。一方，純
水貯留タンク８０の上部においては，オーバーフロー管
８２の開口部８２ａを挟むようにして，オーバーフロー
管８２の開口部８２ａよりも高い位置に液面上限センサ
８９を，オーバーフロー管８２の開口部８２ａよりも低
い位置に定量センサ９０を設け，これら液面上限センサ
８９，定量センサ９０からの検出信号をコントローラ８
８に対して出力するようになっている。

【００３５】定量センサ９０は，第１の弁８５と第２の
弁８７の開閉の切り換えの時期を，コントローラ８８に
知らさせるためのものである。即ち，純水貯留タンク８
０内に純水を十分に貯留する際には，コントローラ８８
は，第１の弁８５を開かせる一方で第２の弁８７を閉じ
させ，第１の弁８５を通じて純水を純水貯留タンク８０
内に供給する。純水貯留タンク８０内に純水が十分に貯
留され，液面が定量センサ９０の高さに達すると，定量
センサ９０は，検出信号をコントローラ８８に出力す
る。この検出信号を認識したコントローラ８８は，第１
の弁８５と第２の弁８７の開閉を切り換え，第１の弁８
５を閉じさせる一方で第２の弁８７を開かせる。これに
より，第２の弁８７を通じて少量の純水を純水貯留タン
ク８０内に供給する。液面がオーバーフロー管８２の開
口部８２ａにまで上昇すると，オーバーフロー管８２を
通じて純水貯留タンク８０内から純水が溢れ出るように
なっている。

【００３６】一方，液面上限センサ８９は，オーバーフ
ロー管８２の異常を検知するものである。例えば純水の
供給中にオーバーフロー管８２に異物などが混入して管
詰まりを起こすと，オーバーフロー管８２の開口部８２
ａを越えて液面が上昇する。このように純水がオーバー
フロー管８２から流出するのが妨害されると，逃げ場の
ない純水が純水貯留タンク８０から漏水するようにな
り，漏電などの事故を起こすおそれがある。しかしなが
ら，液面上限センサ８９は，前述したようにオーバーフ
ロー管８２の開口部８２ａよりも上方に設置されている
ので，このような事故を防止することができる。即ち，
液面上限センサ８９は，液面が同一の高さに達した際に
その検出信号をコントローラ８８に出力する。検出信号
を受け取ったコントローラ８８は第１の弁８５と共に第
２の弁８７を完全に閉じ，純水貯留タンク８０への純水
の供給を完全に停止させるようになっている。もちろ
ん，液面上限センサ８９は，オーバーフロー管８２の異
常がない限り，純水をオーバーフロー管８２から溢れ出
させるができる構成となっている。

【００３７】純水貯留タンク８０の底部には，切換弁９
１が介装された主排液回路９２が接続される一方で，オ
ーバーフロー管８２の底部にも排液回路９３が接続され
ており，この排液回路９３が主排液回路９２に合流して
いる。従って，オーバーフロー管８２に流れ込んだ純水
は，排液回路９３，主排液回路９２と流れ，例えば工場
の再生ラインへと排液されるようになっている。なお，
切換弁９１の開閉は，コントローラ８８によって制御さ
れる。

【００３８】純水貯留タンク８０の下部においては，純
水貯留タンク８０内の純水を所定温度にまで加熱するカ
ートリッジヒータ９５が設けられている。このカートリ
ッジヒータ９５の加熱時間は，コントローラ８８からの
操作信号によって制御されるようになっている。カート
リッジヒータ９５を作動させる際には，第１の弁８５，
第２の弁８７の何れもを閉じさせて，純水貯留タンク８
０内に新たな純水を供給するようなことはない状態にす
る。この場合，純水はカートリッジヒータ９５で加熱さ
れることになるので，バクテリアが発生することはな
い。なお，純水を洗浄槽６０に充填する際には，後述す
る充填回路９６内を純水が流れている間に放熱作用など
によって純水が温度低下を起こすことがあるので，これ
を見越して，所定温度は，洗浄槽６０内で目標とする所
定の処理温度よりも高めになるように設定する。例え
ば，所定の処理温度が８０℃のＡＰＭを洗浄槽６０内で
生成したければ，所定温度を８３℃〜８５℃とし，純水
貯留タンク８０内で純水を８３℃〜８５℃の間で加熱す
る。

【００３９】純水貯留タンク８０の底部には，純水を洗
浄槽６０に充填する充填回路９６が接続されている。ま
た，充填回路９６の途中から補充回路９７が分岐してお
り，この補充回路９７によって例えば洗浄槽６０から蒸
発して無くなった純水の分を適宜補充するようになって
いる。充填回路９６の途中には切換弁９８が介装され，
補充回路９７の途中にはポンプ９９が介装されている。
切換弁９８の開閉やポンプのＯＮ・ＯＦＦもコントロー
ラ８８によって制御される。

【００４０】純水貯留タンク８０の下部においては，カ
ートリッジヒータ９５を間に挟むようにして，カートリ
ッジヒータ９５よりも高い位置に第１の液面下限センサ
１００を，カートリッジヒータ９５よりも低い位置に第
２の液面下限センサ１０１を設けている。第１の液面下
限センサ１００は，カートリッジヒータ９５の作動中
に，液面が第１の液面下限センサ１００よりも下がるよ
うであれば，検出信号をコントローラ８８に出力しカー
トリッジヒータ９５の空炊きをやめさせる。また，第２
の液面下限センサ１０１は，所定の純水充填時間内に液
面が第２の液面下限センサ１０１をきることがなけれ
ば，切換弁９８が異常であることをコントローラ８８に
知らせる。

【００４１】なお，その他の薬液洗浄装置１４，１６，
１８も，薬液洗浄装置１２と同様な構成を有しており，
ウェハＷを薬液洗浄するように構成されている。また，
リンス洗浄装置１３，１５，１７，１９の構成に，薬液
洗浄装置１２の構成を適用することも可能である。

【００４２】次に，以上のように構成された薬液洗浄装
置１２で行われるＳＣ１洗浄について，図１の洗浄シス
テム１におけるウェハＷの洗浄工程に基づいて説明す
る。まず，図示しない搬送ロボットが未だ洗浄されてい
ないウェハＷを例えば２５枚ずつ収納したキャリアＣを
搬入・取出部２の搬入部５に複数載置する。そして，こ
の搬入・取出部２によって，例えばキャリアＣ２個分の
５０枚のウェハＷをキャリアＣから取り出し，搬送装置
３０が，ウェハＷを５０枚単位で一括して把持する。そ
して，それらウェハＷを搬送装置３１，３２，３３に引
き継ぎながら，各種洗浄装置１２〜１９に順次搬送す
る。こうして，ウェハＷの表面に付着しているパーティ
クル等の不純物質を除去する洗浄を行う。

【００４３】ここで，ウェハＷは，図２に示す薬液洗浄
装置１２でＳＣ１洗浄される。この時のＳＣ１洗浄の工
程の流れを図３（ａ）〜図３（ｅ）に示す。まず，図３
（ａ）に示すように，カートリッジヒータ９５を作動さ
せないで，純水供給回路８１から純水を純水貯留タンク
８０内に供給し続ける。この場合，コントローラ８８に
よって，第１の弁８５の開閉と第２の弁８７の開閉が制
御される。即ち，純水貯留タンク８０内に十分に純水が
貯留されるまでは，第２の弁８７を閉じる一方で第１の
弁８５を開いて多量の純水を純水貯留タンク８０内に供
給する。そして，純水が十分に貯留された後は，第１の
弁８５を閉じる一方で第２の弁８７を開いて，少量の純
水を純水貯留タンク８０内に供給する。これにより，純
水の使用量を抑えながら，オーバーフロー管８２を通じ
て純水貯留タンク８０から純水を経済的に溢れ出させる
ことができる。

【００４４】その後，純水を洗浄槽６０に充填を開始す
る時刻よりも所定時間前に，純水供給回路８１からの純
水の供給を停止させて，純水貯留タンク８０内から純水
を溢れ出させないようにする。この状態で，図３（ｂ）
に示すように，カートリッジヒータ９５を作動させて純
水貯留タンク８０内の純水を加熱する。ここで，少なく
とも所定温度に昇温するのに必要な時間，純水の供給を
停止させるので，処理液貯留タンク内に純水を所定温度
に確実に加熱することができる。

【００４５】そして，図３（ｃ）に示すように，所定温
度に加熱された純水は，洗浄槽６０内に充填され，一方
でアンモニア水溶液及び過酸化水素水も洗浄槽６０内に
充填され，所定濃度及び所定の処理温度のＡＰＭが生成
される。その後，図３（ｄ）に示すように，洗浄槽６０
内にウェハＷが収納され，ＳＣ１洗浄が施される。この
ＳＣ１洗浄中においては，図３（ｅ）に示すように，次
のＳＣ１洗浄の準備に向けて，純水貯留タンク８０内に
純水が供給され始める。こうして，パーティクル等が除
去されたウェハＷは，薬液洗浄装置１２から搬出されて
次のリンス洗浄装置１３に搬送される。以後，薬液洗浄
装置１２では所定の処理回数又は所定の時間毎に薬液交
換が行われ，図３（ａ）〜図３（ｅ）が繰り返されるこ
とになる。

【００４６】このように，純水貯留タンク８０内に純水
が貯留されてから洗浄槽６０に充填が開始されるまでの
長い間，常にカートリッジヒータ９５を作動させ続ける
のでなく，洗浄槽６０に充填を開始する時刻よりも所定
時間前にカートリッジヒータ９５を作動させるので，カ
ートリッジヒータ９５の負担を軽減することができる。
しかも，カートリッジヒータ９５が作動していない間
は，純水貯留タンク８０内に純水を供給して，純水を常
に流動させる状態にするので，純水貯留タンク８０内の
純水が滞留してバクテリアが発生した状態，いわゆる死
水状態になることを防止することができる。なお，第１
の弁８５と第２の弁８７に，流量調整機能を備えさせ
て，最適な流量で純水を純水貯留タンク８０内に適宜供
給できるようにしてもよい。

【００４７】かくして，第１の実施の形態の薬液洗浄装
置１２によれば，カートリッジヒータ９５の負担を軽減
することができ，しかも純水中のバクテリアの発生を防
止できる。従って，純水の清浄度を良好に維持しながら
も，カートリッジヒータ９５の製品寿命の長期化及び電
力消費量の抑制が実現可能となる。

【００４８】以上，薬液洗浄装置１２では，純水を十分
に貯留した後も純水貯留タンク８０内に純水を供給し続
けていたが，その他の処理方法として，例えば純水を十
分に貯留した後，カートリッジヒータ９５によって純水
貯留タンク８０内の純水を予備加熱するようにしてもよ
い。図４（ａ）〜図４（ｅ）は，この時のＳＣ１洗浄の
工程の流れを示している。

【００４９】図４（ａ）に示すように，純水を純水貯留
タンク８０内に供給して十分貯留した後，純水供給回路
８１からの純水の供給を停止させる。そして，カートリ
ッジヒータ９５を作動させて，純水貯留タンク８０内の
純水を，所定温度よりも低く，かつバクテリアが発生し
ない温度（例えば８０゜Ｃ）に予備加熱し，通常待機さ
せる。これにより，純水貯留タンク８０内に純水が滞留
することになっても，純水中にバクテリアが発生するこ
とを防止することができる。しかも，純水を予備加熱す
るのに必要な熱エネルギーは，純水を所定温度に加熱す
る時に比べて少なくて済むので，カートリッジヒータ９
５にかかる負担を，所定温度で常に加熱し続ける場合よ
りも軽減することができる。

【００５０】そして，その通常待機の後に，図４（ｂ）
では図３（ｂ）と同様に純水の加熱，図４（ｃ）では図
３（ｃ）と同様に純水の充填，図４（ｄ）では図３
（ｄ）と同様にＳＣ１洗浄，図４（ｅ）では図３（ｅ）
と同様に純水の供給を行う。このように，純水貯留タン
ク８０内に貯留してから純水を洗浄槽８０内に充填する
までの長い間，常にカートリッジヒータ９５を全開で作
動させることがないので，カートリッジヒータ９５の負
担を軽減することができる。なお，以後，薬液洗浄装置
１２では所定の処理回数又は所定の時間毎に薬液交換が
行われるが，純水を通常待機させる期間としては，空の
純水貯留タンク８０に純水を貯留した時点から，次の薬
液交換を行うためにカートリッジヒータ９５を全開で作
動させる前までの間となる。

【００５１】また，図５（ａ）〜図５（ｅ）に示すよう
に，純水貯留タンク８０を空の状態にしておいてもよ
い。かかる方法によれば，図５（ａ）に示すように，純
水供給回路８１から純水を供給させないで，純水貯留タ
ンク８０内を空の状態にさせておく。そして，その後
に，ＳＣ１洗浄の開始時期を見計らって，図５（ｂ）で
は純水の供給，図５（ｃ）では純水の加熱，図５（ｄ）
では純水の充填，図５（ｅ）ではＳＣ１洗浄をそれぞれ
行う。かかる方法によれば，純水貯留タンク８０内に純
水そのものがないので，バクテリアが発生することもな
く，カートリッジヒータ９５の負担を軽減することがで
きる。

【００５２】次に，図６を参照しながら第２の実施の形
態にかかる薬液洗浄装置１１０について説明する。この
薬液洗浄装置１１０は，純水貯留タンク８０の上部から
純水を溢れ出させる前記オーバーフロー管８２だけでな
く，オーバーフロー管８２よりも低い位置に開口し，純
水貯留タンク８０の中央部から純水を溢れ出させる他の
オーバーフロー管１１１を有している。なお，このオー
バーフロー管１１１を設けた以外は，先に説明した薬液
洗浄装置１２と同一の構成であるので，図２及び図６に
おいて，同一の機能及び構成を有する構成要素について
は，同一符号を付することにより，重複説明を省略す
る。

【００５３】図６に示すように，オーバフロー管１１１
の底部には，排液回路１１２が接続されており，この排
液回路１１２は主排液回路９２に合流している。排液回
路１１２の途中には切換弁１１３が介装されており，こ
の切換弁１１３の開閉は，コントローラ８８によって制
御される。

【００５４】かかる薬液洗浄装置１１０によれば，オー
バーフロー管１１１を通じて純水貯留タンク８０内から
純水を溢れ出させる。これにより，オーバーフロー管８
２によって純水を溢れ出させた時と比べて，純水を早く
溢れ出させることができ，純水貯留タンク８０内で流動
させる純水を少量で済ますことができる。従って，薬液
洗浄装置１２の場合よりも純水の流動効率が上がり，バ
クテリアの発生を更に押さえることができる。その後，
薬液交換開始時期よりも一定の時間前に，コントローラ
８８が，第１の弁８５と第２の弁８７との開閉を切り換
え，第２の弁８７を閉じる一方で第１の弁８５を開かせ
る。さらに，切換弁１１３も閉じる．これにより，第１
の弁８５を通じて多量の純水を急速に純水貯留タンク８
０に供給することができる。そして，純水が純水貯留タ
ンク８０に所定量貯留されたら第１の弁８５も閉じる。
ここで，カートリッジヒータ９５を作動させ，その後に
所定温度に達するとカートリッジヒータ９５を止める。
そして，切換弁９８を開いて洗浄槽６０に純水を充填す
る。

【００５５】次に，第３の実施の形態については，図７
を参照にして説明する。図７に示すように，この第３の
実施の形態にかかる薬液洗浄装置１２０は，材質がＰＴ
ＦＥ（四フッ化エチレン樹脂）から成る純水貯留タンク
１２１を有している。この純水貯留タンク１２１内に
は，カートリッジヒータがない代わりに，材質がＰＦＡ
（四フッ化エチレンとパーフロロアルキルビニルエーテ
ルの共重合樹脂）から成るコイルチューブ１２２が設け
られている。このコイルチューブ１２２に対しては，温
水供給管１２３から温水が供給されるようになってお
り，コイルチューブ１２２内を流通した温水は，温水排
液管１２４を介してコイルチューブ１２２から排出され
るようになっている。温水は，工場用水のうちで，特に
純水を所定温度にまで十分昇温できる程度にまで温かい
ものが利用される。なお，純水貯留タンク１２１から
は，第１の液面下限センサが取り外されている。

【００５６】かかる構成によれば，温水がコイルチュー
ブ１２２内を巡ることにより，純水貯留タンク１２１内
の純水を所定温度に加熱することができる。そして，所
定温度に加熱された純水によって，ウェハＷの表面から
効率よく薬液を洗い流すことができる。ここで，温水を
用いるので，純水を加熱する際の電力が不要となり，省
エネルギー化を図ることができる。さらに，純水貯留タ
ンク１２１と同様の構成は，薬液を貯留する薬液貯留タ
ンクにも適用することができる。従来の薬液貯留タンク
においては，タンク内の薬液をカートリッジヒータによ
って加熱すると，万が一，薬液中に電気が流れるような
事態にでもなれば，特に有機溶剤（例えばエチレングリ
コール）等を含んだ薬液では，発火するおそれがあっ
た。しかしながら，この場合には，薬液をコイルチュー
ブ１２２によって加熱することになるので，発火の危険
性がなくなり安全性を高めることができる。

【００５７】その他，純水貯留タンクに対して純水供給
回路を複数接続することが可能であり，その第１の例〜
第４の例までを図８〜図１１に示す。第１の例として，
図８に示すように，前記純水供給源８３に接続されてい
る接続回路８４から，貯留用の純水供給回路１３０と，
貯留用の純水供給回路１３０よりも流量が小さいオーバ
ーフロー用の純水供給回路１３１とが分岐し，これら貯
留用の純水供給回路１３０，オーバーフロー用の純水供
給回路１３１が純水貯留タンク８０に接続されている。
貯留用の純水供給回路１３０には第１の弁８５が，オー
バーフロー用の純水供給回路１３１には第２の弁８７が
それぞれ設けられ，前記第１〜第３の実施の形態と同様
に，第１の弁８５と第２の弁８７とがコントローラ８８
によって制御される。

【００５８】かかる構成によれば，貯留用の純水供給回
路１３０を通じて純水を供給し，純水貯留タンク８０内
に純水を貯留することができ，オーバーフロー用の純水
供給回路１３１を通じて少量の純水を供給し，純水貯留
タンク８０内から純水を経済的に溢れ出させることがで
きる。従って，純水中のバクテリアの発生を防止でき，
しかもカートリッジヒータ９５の負担を軽減することが
できる

【００５９】また，第２の例として，図９に示すよう
に，接続回路８４から，貯留用の純水供給回路１３０
と，オーバーフロー用の純水供給回路１３２と，オーバ
ーフロー用の純水供給回路１３３とが分岐するようにし
てもよい。貯留用の純水供給回路１３０には第１の弁８
５が，オーバーフロー用の純水供給回路１３２には第２
の弁８７が，オーバーフロー用の純水供給回路１３３に
は第３の弁１３４がそれぞれ設けられ，これら第１〜第
３の弁８５，８７，１３４は，コントローラ８８によっ
て制御される。

【００６０】かかる構成によれば，純水貯留タンク８０
の底部に，２つオーバーフロー用の純水供給回路１３
２，１３３が接続されるので，この２つの接続箇所から
純水貯留タンク８０内に純水を流入させることができ
る。これにより，純水貯留タンク８０内の純水の流動性
を高めることができる。従って，バクテリアの発生を更
に押さえることができる。なお，接続回路８４から分岐
する純水供給回路の数を，さらに４本，５本と増やすこ
とが可能である。

【００６１】第３及び第４の例として，図１０及び図１
１に示すように，各純水供給回路毎に純水供給源を設け
ても良い。図１０では，貯留用の純水供給回路１３０
が，接続回路８４を介して純水供給源８３に接続され，
オーバーフロー用の純水供給回路１３１が，接続回路１
３５を介して純水供給源１３６に接続されている。

【００６２】かかる構成によれば，図９の時と同様に，
貯留用の純水供給回路１３０を通じて純水を供給でき，
オーバーフロー用の純水供給回路１３１を通じて純水を
経済的に溢れ出させることができる。この場合も，純水
貯留タンク８０に接続する純水供給回路の数を，さらに
４本，５本と増やすことが可能であるが，貯留用の純水
供給回路を複数接続するようにすれば，より多量の純水
を急速に純水貯留タンク８０に供給することができるよ
うになる。

【００６３】さらに図１１では，オーバーフロー用の純
水供給回路１３１の代わりに，オーバーフロー用の純水
供給回路１３２が接続回路１３５を介して純水供給源１
３６に接続され，オーバーフロー用の純水供給回路１３
３が接続回路１３７を介して純水供給源１３８に接続さ
れている。かかる構成によれば，図１０の時と同様に，
純水の流動効率を向上させることができ，バクテリアの
発生を更に押さえることができる。

【００６４】図１２に示すように，純水供給回路１４０
に流量調整弁１４１を設けるだけで済ますようにしても
良い。かかる構成によれば，流量調整弁１４１によって
純水供給回路１４０から供給される純水の流量を調整す
るので，純水供給回路１４０を通じて純水の供給から純
水をオーバーフローまでを行うことができる。従って，
装置を簡素化することができる。

【００６５】なお，本発明は，何れも基板としてウェハ
Ｗを用いた例について説明したが，基板としてＬＣＤ基
板，ガラス基板，ＣＤ基板，フォトマスク，プリント基
板，セラミック基板等を用いることも可能である。

【００６６】

【発明の効果】請求項１〜５の発明によれば，加熱手段
の負担を軽減することができ，しかも処理液中のバクテ
リアの発生を防止できる。従って，処理液の清浄度を良
好に維持しながらも，例えば処理液を加熱する加熱手段
の製品寿命の長期化及び電力消費量の抑制が実現可能と
なる。

【００６７】請求項６〜１２の発明によれば，請求項１
に記載の発明を好適に実施することができる。特に請求
項８，１１の発明によれば，処理液の供給量を微調整す
ることができ，請求項１２の発明によれば，オーバーフ
ロー管を通じて処理液貯留タンク内から処理液を溢れ出
させることができる。また，請求項１３の発明によれ
ば，処理液がより死水状態になり難くなり，バクテリア
の発生をさらに防止することができる。もちろん，請求
項６，９に記載の基板処理装置を用いることによって，
請求項３，５に記載の発明も好適に実施することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態にかかる薬液洗浄装置を備え
た洗浄システムの斜視図である。

【図２】第１の実施の形態にかかる薬液洗浄装置の回路
系統を示す説明図である。

【図３】純水貯留タンクに純水を供給し続けた後に純水
を所定温度に加熱する場合における，ＳＣ１洗浄の工程
の流れを示す説明図である。

【図４】純水貯留タンク内の純水を予備加熱した後に純
水を所定温度に加熱する場合における，ＳＣ１洗浄の工
程の流れを示す説明図である。

【図５】純水貯留タンク内を空の状態させておいた後に
純水貯留タンク内に純水を供給して純水を所定温度に加
熱する場合における，ＳＣ１洗浄の工程の流れを示す説
明図である。

【図６】第２の実施の形態にかかる薬液洗浄装置の回路
系統を示す説明図である。

【図７】第３の実施の形態にかかる薬液洗浄装置の回路
系統を示す説明図である。

【図８】複数の純水供給回路が接続された場合の純水貯
留タンクの第１の例の説明図である。

【図９】複数の純水供給回路が接続された場合の純水貯
留タンクの第２の例の説明図である。

【図１０】複数の純水供給回路が接続された場合の純水
貯留タンクの第３の例の説明図である。

【図１１】複数の純水供給回路が接続された場合の純水
貯留タンクの第４の例の説明図である。

【図１２】純水供給回路に流量調整弁が設けられた場合
の純水貯留タンクの説明図である。

【符号の説明】

１ 洗浄システム １２，１４，１６，１８ 薬液洗浄装置 ６０ 洗浄槽 ８０ 純水貯留タンク ８１ 純水供給回路 ８２ オーバーフロー管 ８５ 第１の弁 ８６ 迂回回路 ８７ 第２の弁 ８８ コントローラ ８９ 液面上限センサ ９５ カートリッジヒータ ９６ 充填回路 Ｗ ウェハ Ｃ キャリア

フロントページの続き Ｆターム(参考） 3B201 AA02 AA03 AB44 BB02 BB03 BB04 BB82 BB92 BB93 BB96 CC01 CC11 CD42 CD43 5F043 BB27 EE10 EE12 EE22 EE28

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理液貯留タンク内に貯留した処理液を
   所定温度に加熱し，この加熱された処理液を前記処理液
   貯留タンク内から処理槽内に充填して該処理槽内にて処
   理液中に基板を浸漬させることにより基板を処理する方
   法であって，前記処理液貯留タンク内に処理液を貯留し
   た後に，前記処理液貯留タンク内に処理液を供給すると
   共に，前記処理液貯留タンク内から処理液を排出し，前
   記処理液の供給と排出とを，前記処理液を所定温度に加
   熱するのを停止している期間に行うことを特徴とする，
   基板処理方法。
2. 【請求項２】 前記処理液を所定温度に加熱する際に
   は，少なくとも所定温度に昇温するのに必要な時間，前
   記処理液の供給と排出とを停止させることを特徴とす
   る，請求項１に記載の基板処理方法。
3. 【請求項３】 処理液貯留タンク内に貯留した処理液を
   所定温度に加熱し，この加熱された処理液を前記処理液
   貯留タンク内から処理槽内に充填して該処理槽内にて処
   理液中に基板を浸漬させることにより基板を処理する方
   法であって，前記処理液貯留タンク内の処理液を，前記
   所定温度よりも低い温度に予備加熱して通常待機させ，
   この通常待機の後に，前記処理液貯留タンク内の処理液
   を前記所定温度に加熱し，前記処理槽に充填することを
   特徴とする，基板処理方法。
4. 【請求項４】 前記処理液貯留タンク内の処理液を，バ
   クテリアが発生しない温度に予備加熱することを特徴と
   する，請求項３に記載の基板処理方法。
5. 【請求項５】 処理液貯留タンク内に貯留した処理液を
   所定温度に加熱し，この加熱された処理液を前記処理液
   貯留タンク内から処理槽内に充填して該処理槽内にて処
   理液中に基板を浸漬させることにより基板を処理する方
   法であって，前記処理液貯留タンク内を空の状態にさ
   せ，その後に，前記処理液貯留タンク内に処理液を貯留
   して前記所定温度に加熱し，前記処理槽に充填すること
   を特徴とする，基板処理方法。
6. 【請求項６】 処理液を貯留する処理液貯留タンクと，
   前記処理液貯留タンク内に処理液を供給する処理液供給
   回路と，前記処理液貯留タンク内の処理液を所定温度に
   加熱する加熱手段と，基板を処理する処理槽と，前記処
   理液貯留タンク内の処理液を前記処理槽に充填する充填
   回路と，前記処理液貯留タンク内にて所定の高さに開口
   して処理液を溢れ出させるオーバーフロー管とを備えた
   基板を処理する装置であって，前記処理液供給回路に設
   けられた第１の弁と，前記第１の弁を迂回するように前
   記処理液供給回路と並列に設けられた前記処理液供給回
   路よりも流量が小さい迂回回路と，前記迂回回路に設け
   られた第２の弁とを備えていることを特徴とする，基板
   処理装置。
7. 【請求項７】 前記第１の弁の開閉と前記第２の弁の開
   閉を制御する制御手段を備えていることを特徴とする，
   請求項６に記載の基板処理装置。
8. 【請求項８】 前記第１の弁と前記第２の弁は，流量調
   整機能を有することを特徴とする，請求項６又は７に記
   載の基板処理装置。
9. 【請求項９】 処理液を貯留する処理液貯留タンクと，
   前記処理液貯留タンク内に処理液を供給する処理液供給
   回路と，前記処理液貯留タンク内の処理液を所定温度に
   加熱する加熱手段と，基板を処理する処理槽と，前記処
   理液貯留タンク内の処理液を前記処理槽に充填する充填
   回路と，前記処理液貯留タンク内にて所定の高さに開口
   して処理液を溢れ出させるオーバーフロー管とを備えた
   基板を処理する装置であって，前記処理液貯留タンクに
   複数の処理液供給回路が接続され，これら各処理液供給
   回路に開閉弁を設け，さらに各処理液供給回路を，処理
   液貯留タンク内に処理液を貯留するための貯留用の処理
   液供給回路と，処理液貯留タンク内から処理液を溢れ出
   せるためのオーバーフロー用の処理液供給回路とに分
   け，前記オーバーフロー用の処理液供給回路は，前記貯
   留用の処理液供給回路よりも流量が小さいことをことを
   特徴とする，基板処理装置。
10. 【請求項１０】 前記開閉弁を制御する制御手段を備え
    ていることを特徴とする，請求項９に記載の基板処理装
    置。
11. 【請求項１１】 前記開閉弁は，流量調整機能を有する
    ことを特徴とする，請求項９又は１０に記載の基板処理
    装置。
12. 【請求項１２】 前記オーバーフロー管の開口位置より
    も高い位置において液面を検出する液面上限センサを設
    けることを特徴とする，請求項６，７，８，９，１０又
    は１１に記載の基板処理装置。
13. 【請求項１３】 前記オーバーフロー管よりも低い位置
    に開口して，前記処理液貯留タンク内から処理液を溢れ
    出させる他のオーバーフロー管を有することを特徴とす
    る，請求項６，７，８，９，１０，１１又は１２に記載
    の基板処理装置。