JP2000294547A - 基板加熱装置 - Google Patents
基板加熱装置Info
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- JP2000294547A JP2000294547A JP11100133A JP10013399A JP2000294547A JP 2000294547 A JP2000294547 A JP 2000294547A JP 11100133 A JP11100133 A JP 11100133A JP 10013399 A JP10013399 A JP 10013399A JP 2000294547 A JP2000294547 A JP 2000294547A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 極めて広い圧力範囲で大面積基板を均一に効
率よく加熱することができ、かつ、成膜方法に限定され
ない適正な加熱を行い得る基板加熱装置を提供する。 【解決手段】 基板加熱装置１０は、薄膜形成用基板を
加熱する。赤外線放射率の高いグラファイト素材でなる
ヒータ１１を含み、ヒータ１１は加熱すべき基板の直径
と同等以上の外形を有する。ヒータ１１の外周部１１ａ
が薄く形成されている。ヒータ１１は、石英容器１３内
に非接触状態で支持されるとともに、その電流導入部１
４ａ，１４ｂが石英により封止される。ヒータ１１を石
英容器１３内に支持する際、石英容器１３内を所定の圧
力以下の状態にしてヒータ１１が真空封入される。
率よく加熱することができ、かつ、成膜方法に限定され
ない適正な加熱を行い得る基板加熱装置を提供する。 【解決手段】 基板加熱装置１０は、薄膜形成用基板を
加熱する。赤外線放射率の高いグラファイト素材でなる
ヒータ１１を含み、ヒータ１１は加熱すべき基板の直径
と同等以上の外形を有する。ヒータ１１の外周部１１ａ
が薄く形成されている。ヒータ１１は、石英容器１３内
に非接触状態で支持されるとともに、その電流導入部１
４ａ，１４ｂが石英により封止される。ヒータ１１を石
英容器１３内に支持する際、石英容器１３内を所定の圧
力以下の状態にしてヒータ１１が真空封入される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、薄膜製造プロセ
スにおいて大面積基板を均一に高温加熱するための基板
加熱装置に関するものである。
スにおいて大面積基板を均一に高温加熱するための基板
加熱装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザＭＢＥあるいはＣＶＤ等をはじめ
とする成膜装置において、酸化膜や窒化膜を形成する場
合、その基板を１０-8Ｐａから大気圧領域までの範囲で
加熱する必要があるとされている。特に近年では半導体
装置をはじめとするデバイス製作において、基板表面の
清浄化や膜質の向上のため、１０００℃以上の加熱が望
まれている。
とする成膜装置において、酸化膜や窒化膜を形成する場
合、その基板を１０-8Ｐａから大気圧領域までの範囲で
加熱する必要があるとされている。特に近年では半導体
装置をはじめとするデバイス製作において、基板表面の
清浄化や膜質の向上のため、１０００℃以上の加熱が望
まれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような低圧力かつ
高温加熱方式として、タングステンフィラメントを利用
したランプを楕円あるいは放物線反射鏡の中心に配置
し、基板をその裏面から加熱するランプ加熱法がある。
しかし、このランプ加熱方式では反射鏡の汚れ等によっ
て特性が変化するため、限定された成膜方法に対しての
み適用可能であり、応用範囲が制限されていた。
高温加熱方式として、タングステンフィラメントを利用
したランプを楕円あるいは放物線反射鏡の中心に配置
し、基板をその裏面から加熱するランプ加熱法がある。
しかし、このランプ加熱方式では反射鏡の汚れ等によっ
て特性が変化するため、限定された成膜方法に対しての
み適用可能であり、応用範囲が制限されていた。
【０００４】したがって、上述したような１０００℃以
上の加熱が可能であって、極めて広範囲の圧力領域すべ
てに対応することができる加熱方式は、量産可能なもの
ではなかった。
上の加熱が可能であって、極めて広範囲の圧力領域すべ
てに対応することができる加熱方式は、量産可能なもの
ではなかった。
【０００５】この発明は以上の点に鑑み、極めて広い圧
力範囲で１２インチ以上の大面積基板を均一に効率よく
加熱することができ、かつ成膜方法に限定されない適正
な加熱を行い得る基板加熱装置を提供することを目的と
する。
力範囲で１２インチ以上の大面積基板を均一に効率よく
加熱することができ、かつ成膜方法に限定されない適正
な加熱を行い得る基板加熱装置を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、薄膜形成用
基板を加熱するための加熱装置であって、赤外線放射率
の高いグラファイト素材でなるヒータを具備しており、
このヒータは加熱すべき基板の直径と同等以上の外形を
有することを特徴とする。
基板を加熱するための加熱装置であって、赤外線放射率
の高いグラファイト素材でなるヒータを具備しており、
このヒータは加熱すべき基板の直径と同等以上の外形を
有することを特徴とする。
【０００７】この発明の基板加熱装置において、前記ヒ
ータの外周部は、好ましくは薄く形成される。好ましく
は、前記ヒータは、石英容器内に非接触状態で吊架され
るとともに、その電流導入部が石英により封止されるこ
とを特徴とする。
ータの外周部は、好ましくは薄く形成される。好ましく
は、前記ヒータは、石英容器内に非接触状態で吊架され
るとともに、その電流導入部が石英により封止されるこ
とを特徴とする。
【０００８】前記ヒータを前記石英容器内に吊架する
際、好ましくは石英容器内を所定の圧力以下の状態にし
て前記ヒータを真空封入することを特徴とする。この場
合、好ましくは圧力を、１０-3Ｐａ以下に設定し得る。
また、本発明の基板加熱装置にあっては、前記ヒータの
真空封入後、前記石英容器に数十Ｐａから大気圧程度の
範囲でハロゲンガスが導入されることを特徴とする。
際、好ましくは石英容器内を所定の圧力以下の状態にし
て前記ヒータを真空封入することを特徴とする。この場
合、好ましくは圧力を、１０-3Ｐａ以下に設定し得る。
また、本発明の基板加熱装置にあっては、前記ヒータの
真空封入後、前記石英容器に数十Ｐａから大気圧程度の
範囲でハロゲンガスが導入されることを特徴とする。
【０００９】また、本発明の基板加熱装置において、前
記石英容器の一面側に基板が配置され、前記石英容器に
おける基板加熱方向とは反対側裏面と側面とに反射板が
設置されるようにし得る。さらに、本発明の基板加熱装
置において、前記石英容器の両面側に基板を配置し、前
記石英容器の側面に反射板を設置するようにしてもよ
い。
記石英容器の一面側に基板が配置され、前記石英容器に
おける基板加熱方向とは反対側裏面と側面とに反射板が
設置されるようにし得る。さらに、本発明の基板加熱装
置において、前記石英容器の両面側に基板を配置し、前
記石英容器の側面に反射板を設置するようにしてもよ
い。
【００１０】この発明によれば、赤外線放射率の高いグ
ラファイト素材でなるヒータを使用することにより、大
面積の基板を特に１０００℃以上に加熱することができ
る。また、ヒータの外周部を薄く形成することで、ヒー
タの外周部をより高温にすることができ、これにより周
囲から熱が逃げ易い基板を均一に加熱することができ
る。
ラファイト素材でなるヒータを使用することにより、大
面積の基板を特に１０００℃以上に加熱することができ
る。また、ヒータの外周部を薄く形成することで、ヒー
タの外周部をより高温にすることができ、これにより周
囲から熱が逃げ易い基板を均一に加熱することができ
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づきこの発明によ
る基板加熱装置の好適な実施の形態を説明する。図１は
この発明の実施形態における基板加熱装置１０を示して
いる。この基板加熱装置１０は、赤外線放射率の高いグ
ラファイト素材でなるヒータ１１を含んでいる。ヒータ
１１は加熱すべき基板の直径（典型的には１２インチ以
上）と同等以上の外形を有し、大面積の基板に対応する
ことができるようにしている。
る基板加熱装置の好適な実施の形態を説明する。図１は
この発明の実施形態における基板加熱装置１０を示して
いる。この基板加熱装置１０は、赤外線放射率の高いグ
ラファイト素材でなるヒータ１１を含んでいる。ヒータ
１１は加熱すべき基板の直径（典型的には１２インチ以
上）と同等以上の外形を有し、大面積の基板に対応する
ことができるようにしている。
【００１２】ここで、図２はヒータ１１の構造例を示し
ている。ヒータ１１は、図２（Ｂ）に示すようなグラフ
ァイト円板１２から製作される。図２（Ａ）のようにヒ
ータ１１の素材であるグラファイト円板１２には、くし
形の割込み１２ａが交互に形成され、各割込み１２ａが
仕上げ加工される。このような割込み１２ａを設けるこ
とで、ヒータ１１の加熱を均一化することができる。
ている。ヒータ１１は、図２（Ｂ）に示すようなグラフ
ァイト円板１２から製作される。図２（Ａ）のようにヒ
ータ１１の素材であるグラファイト円板１２には、くし
形の割込み１２ａが交互に形成され、各割込み１２ａが
仕上げ加工される。このような割込み１２ａを設けるこ
とで、ヒータ１１の加熱を均一化することができる。
【００１３】ヒータ１１の外周部１１ａは、その内側中
心部よりも薄く形成されている。また、図１に示される
ようにヒータ１１は、石英容器１３内に非接触状態で吊
架されるとともに、その電流導入部１４ａ，１４ｂが石
英により封止される。ヒータ１１の一端には一方の電流
導入部１４ａが、また他端には他方の電流導入部１４ｂ
がそれぞれ接続される。
心部よりも薄く形成されている。また、図１に示される
ようにヒータ１１は、石英容器１３内に非接触状態で吊
架されるとともに、その電流導入部１４ａ，１４ｂが石
英により封止される。ヒータ１１の一端には一方の電流
導入部１４ａが、また他端には他方の電流導入部１４ｂ
がそれぞれ接続される。
【００１４】電流導入部１４ａ，１４ｂは、ヒータ１１
を石英容器１３内で支持するための支持部材としても機
能する。たとえば、図３（Ａ）に示すように棒状に形成
された電流導入部１４ａの先端に螺子部１４ａ1 を形成
し、この螺子部１４ａ1 をヒータ１１の一端に設けた穴
１５に挿通させてナット１６によって締結する。あるい
はまた、図３（Ｂ）のように電流導入部１４ａの先端に
クランプ１７を固着し、ボルト１８によってヒータ１１
の一端に挟持固定する。これにより、一般に割れ易く接
着することができないグラファイト素材でなるヒータ１
１を確実に支持することができる。
を石英容器１３内で支持するための支持部材としても機
能する。たとえば、図３（Ａ）に示すように棒状に形成
された電流導入部１４ａの先端に螺子部１４ａ1 を形成
し、この螺子部１４ａ1 をヒータ１１の一端に設けた穴
１５に挿通させてナット１６によって締結する。あるい
はまた、図３（Ｂ）のように電流導入部１４ａの先端に
クランプ１７を固着し、ボルト１８によってヒータ１１
の一端に挟持固定する。これにより、一般に割れ易く接
着することができないグラファイト素材でなるヒータ１
１を確実に支持することができる。
【００１５】電流導入部１４ａ，１４ｂ、ナット１６、
クランプ１７およびボルト１８等の形成材料としては、
モリブデン（Ｍｏ）が好適である。なおタンタル（Ｔ
ａ）、白金（Ｐｔ）あるいはタングステン（Ｗ）等の材
料であってもよい。
クランプ１７およびボルト１８等の形成材料としては、
モリブデン（Ｍｏ）が好適である。なおタンタル（Ｔ
ａ）、白金（Ｐｔ）あるいはタングステン（Ｗ）等の材
料であってもよい。
【００１６】ヒータ１１を石英容器１３内に支持する
際、石英容器１３内を所定の圧力、たとえば１０-3Ｐａ
以下の状態にしてヒータ１１が真空封入される。この場
合、石英容器１３の真空排気後に封着部１３ａが封止さ
れる。なお、ヒータ１１の真空封入の際、石英容器１３
に数十Ｐａから大気圧程度の範囲でハロゲンガスを導入
するようにしてもよい。
際、石英容器１３内を所定の圧力、たとえば１０-3Ｐａ
以下の状態にしてヒータ１１が真空封入される。この場
合、石英容器１３の真空排気後に封着部１３ａが封止さ
れる。なお、ヒータ１１の真空封入の際、石英容器１３
に数十Ｐａから大気圧程度の範囲でハロゲンガスを導入
するようにしてもよい。
【００１７】ここで、加熱すべき基板は、その外周部で
支持されるため基板周囲から熱が逃げ易い。また、基板
の上部に設置されるヒータ１１は、その中心部側ほど放
射熱の面密度が高く、したがって、そのままでは大面積
の基板を均一に加熱することが難しい。本発明ではま
ず、赤外線放射率の高いグラファイト素材でなるヒータ
１１を使用することで、大面積の基板を１０００℃以上
に効率よく高温加熱することができる。また、ヒータ１
１の外周部１１ａを薄く形成する（すなわち、面抵抗を
大きくする）ことで、ヒータ１１の外周部１１ａをより
高温にすることができ、これにより大面積の基板を均一
に加熱することができる。
支持されるため基板周囲から熱が逃げ易い。また、基板
の上部に設置されるヒータ１１は、その中心部側ほど放
射熱の面密度が高く、したがって、そのままでは大面積
の基板を均一に加熱することが難しい。本発明ではま
ず、赤外線放射率の高いグラファイト素材でなるヒータ
１１を使用することで、大面積の基板を１０００℃以上
に効率よく高温加熱することができる。また、ヒータ１
１の外周部１１ａを薄く形成する（すなわち、面抵抗を
大きくする）ことで、ヒータ１１の外周部１１ａをより
高温にすることができ、これにより大面積の基板を均一
に加熱することができる。
【００１８】図４は、ヒータ１１とこれによって加熱さ
れる基板の温度分布の関係を厚さの均一なヒータと比較
して示している。５ａは本発明に係るヒータの温度分
布、４ａは基板の温度分布、５ｂは厚さの均一なヒータ
の温度分布、４ｂは基板の温度分布を示す。図４（Ａ）
に示されるように、ヒータ１１の外周部１１ａは中心部
よりも高温になっている。このようなヒータ１１で加熱
される基板の温度は、図示のように均一化される。一
方、図４（Ｂ）に示されるように、厚さの均一なヒータ
では、基板周囲の温度は中心部に比べて１０〜２０℃程
度低く、均一に加熱されていない。
れる基板の温度分布の関係を厚さの均一なヒータと比較
して示している。５ａは本発明に係るヒータの温度分
布、４ａは基板の温度分布、５ｂは厚さの均一なヒータ
の温度分布、４ｂは基板の温度分布を示す。図４（Ａ）
に示されるように、ヒータ１１の外周部１１ａは中心部
よりも高温になっている。このようなヒータ１１で加熱
される基板の温度は、図示のように均一化される。一
方、図４（Ｂ）に示されるように、厚さの均一なヒータ
では、基板周囲の温度は中心部に比べて１０〜２０℃程
度低く、均一に加熱されていない。
【００１９】さらに、本発明の基板加熱装置１０におい
て、特殊な反射形状の必要ない冷却された反射板を用い
ることで、効率よく基板を加熱することができる。この
反射板は、ヒータ１１周囲の余分な部分を加熱せず、し
かも基板に対してヒータ１１の放射熱を効率よく集中さ
せるものである。
て、特殊な反射形状の必要ない冷却された反射板を用い
ることで、効率よく基板を加熱することができる。この
反射板は、ヒータ１１周囲の余分な部分を加熱せず、し
かも基板に対してヒータ１１の放射熱を効率よく集中さ
せるものである。
【００２０】図５はかかる反射板を用いた例を示してい
る。図５（Ａ）において、石英容器１３の一面側に基板
１が配置され、石英容器１３における基板加熱方向とは
反対側裏面と側面とに反射板１９が設置される。このよ
うに反射板１９を設置することにより、加熱の必要ない
部分を加熱せずに効率よく基板１を加熱する。
る。図５（Ａ）において、石英容器１３の一面側に基板
１が配置され、石英容器１３における基板加熱方向とは
反対側裏面と側面とに反射板１９が設置される。このよ
うに反射板１９を設置することにより、加熱の必要ない
部分を加熱せずに効率よく基板１を加熱する。
【００２１】あるいはまた、図５（Ｂ）において、石英
容器１３の両面側に基板１，１′が配置され、石英容器
１３の側面に反射板１９が設置される。この場合でも２
つの基板１，１′を効率よく加熱することができる。
容器１３の両面側に基板１，１′が配置され、石英容器
１３の側面に反射板１９が設置される。この場合でも２
つの基板１，１′を効率よく加熱することができる。
【００２２】ここで、図６は反射板１９等の具体的な構
成例を示している。この場合、反射板１９自体の過熱を
防ぐために、この例では水冷手段２０を備えている。水
冷手段２０は、石英容器１３の上部に設置されるタンク
２１を有する。タンク２１には注／排水口２２から冷却
水が注／排水され、また図６（Ｂ）にも示されるように
支持ボルト２３を介して支持台２４に支持される。反射
板１９は、図６（Ａ）のようにビス２５によってタンク
２１の周囲に固定される。
成例を示している。この場合、反射板１９自体の過熱を
防ぐために、この例では水冷手段２０を備えている。水
冷手段２０は、石英容器１３の上部に設置されるタンク
２１を有する。タンク２１には注／排水口２２から冷却
水が注／排水され、また図６（Ｂ）にも示されるように
支持ボルト２３を介して支持台２４に支持される。反射
板１９は、図６（Ａ）のようにビス２５によってタンク
２１の周囲に固定される。
【００２３】上記の場合、ヒータ１１および石英容器１
３は、たとえば図７に示したように電流導入部１４ａ，
１４ｂを利用して支持台２４に支持することができる。
電流導入部１４ａ，１４ｂに螺子部１４ａ2 ，１４ｂ2
を形成し、鍔付きの絶縁石２６を挟み込むようにナット
２７によって締結する。電流導入部１４ａ，１４ｂと支
持台２４はこの絶縁石２６によって完全に絶縁される。
３は、たとえば図７に示したように電流導入部１４ａ，
１４ｂを利用して支持台２４に支持することができる。
電流導入部１４ａ，１４ｂに螺子部１４ａ2 ，１４ｂ2
を形成し、鍔付きの絶縁石２６を挟み込むようにナット
２７によって締結する。電流導入部１４ａ，１４ｂと支
持台２４はこの絶縁石２６によって完全に絶縁される。
【００２４】なお、実施形態においてヒータ１１の加熱
時に発生するガスや加工時に発生する不純物の蒸発・付
着による寿命劣化を防止するために、基板加熱装置１０
の脱ガスを行うとよい。すなわち、たとえば図８のよう
にヒータ１１の形状作製後に低圧力中にて、一旦１００
０℃以上で真空脱ガスを行う。基板加熱装置１０におけ
る封入構造において、封入ラインのみからの脱ガスでは
上述のようなガスや不純物を必ずしも完全に除去するこ
とができない。図８のような状態もしくは段階で行うこ
とにより、確実に脱ガスすることができる。
時に発生するガスや加工時に発生する不純物の蒸発・付
着による寿命劣化を防止するために、基板加熱装置１０
の脱ガスを行うとよい。すなわち、たとえば図８のよう
にヒータ１１の形状作製後に低圧力中にて、一旦１００
０℃以上で真空脱ガスを行う。基板加熱装置１０におけ
る封入構造において、封入ラインのみからの脱ガスでは
上述のようなガスや不純物を必ずしも完全に除去するこ
とができない。図８のような状態もしくは段階で行うこ
とにより、確実に脱ガスすることができる。
【００２５】この場合、石英容器１３の下板石英１３′
の接続時に真空アニール炉中にて溶着する。石英容器１
３や下板石英１３′等の大型の石英同士を溶着する場
合、通常のガスバーナで行うと局所的な熱が発生し、ク
ラックが生じるおそれがある。真空アニール炉中で溶着
することにより均一加熱され、応力集中によるクラック
発生を避けることができる。
の接続時に真空アニール炉中にて溶着する。石英容器１
３や下板石英１３′等の大型の石英同士を溶着する場
合、通常のガスバーナで行うと局所的な熱が発生し、ク
ラックが生じるおそれがある。真空アニール炉中で溶着
することにより均一加熱され、応力集中によるクラック
発生を避けることができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
この種の加熱装置において、特に１２インチ以上の大面
積基板を１０００℃以上に均一にしかも効率よく加熱す
ることができる。また、極めて広範囲の圧力領域と成膜
条件において、汚れ等による特性劣化が生じることな
く、長期間、円滑に作動し得る加熱装置を実現すること
ができる等の利点を有している。
この種の加熱装置において、特に１２インチ以上の大面
積基板を１０００℃以上に均一にしかも効率よく加熱す
ることができる。また、極めて広範囲の圧力領域と成膜
条件において、汚れ等による特性劣化が生じることな
く、長期間、円滑に作動し得る加熱装置を実現すること
ができる等の利点を有している。
【図１】この発明の実施形態における基板加熱装置の構
成例を示す図である。
成例を示す図である。
【図２】この発明に係るヒータの構造例を示す図であ
る。
る。
【図３】この発明に係るヒータの支持構造例を示す図で
ある。
ある。
【図４】この発明の基板加熱装置におけるヒータと基板
の温度分布の関係を従来例と比較して示す図である。
の温度分布の関係を従来例と比較して示す図である。
【図５】この発明に係る反射板を用いた例を示す図であ
る。
る。
【図６】この発明に係る反射板等の具体的な構成例を示
す図である。
す図である。
【図７】この発明の実施形態におけるヒータおよび石英
容器の支持構造例を示す図である。
容器の支持構造例を示す図である。
【図８】この発明の実施形態における装置の真空脱ガス
時の様子を示す図である。
時の様子を示す図である。
１，１′ 基板 １０ 基板加熱装置 １１ ヒータ １２ グラファイト円板 １２ａ 割込み １３ 石英容器 １４ａ，１４ｂ 電流導入部 １９ 反射板 ２０ 水冷手段 ２１ タンク ２４ 支持台 ２６ 絶縁石
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 3/84 Ｈ０５Ｂ 3/20 ３９７Ａ Ｆターム(参考） 3K034 AA05 AA22 BA05 BA14 BB02 BB14 HA01 HA10 JA10 3K092 PP09 QA05 QB15 QB32 QB40 QB45 QC42 QC59 RF03 RF12 SS47 TT14 VV22 4K029 FA04 FA06 4K030 AA02 DA03 JA09 KA05 KA12 KA24 5F045 AA20 AD14 AD15 AD16 AD17 AD18 AE02 AE03 AE05 AE07 AE09 EK08 EM01 EM09
Claims (8)
- 【請求項１】 薄膜形成用基板を加熱するための加熱装
置であって、 赤外線放射率の高いグラファイト素材でなるヒータを含
み、該ヒータが、加熱すべき基板の直径と同等以上の外
形を有することを特徴とする基板加熱装置。 - 【請求項２】 前記ヒータの外周部が薄く形成されてい
ることを特徴とする請求項１に記載の基板加熱装置。 - 【請求項３】 前記ヒータは、石英容器内に非接触状態
で吊架されるとともに、その電流導入部が石英により封
止されることを特徴とする、請求項１または２に記載の
基板加熱装置。 - 【請求項４】 前記ヒータが前記石英容器内に吊架され
る際、石英容器内を所定の圧力以下の状態にして前記ヒ
ータが真空封入されることを特徴とする、請求項３に記
載の基板加熱装置。 - 【請求項５】 前記圧力が、１０-3Ｐａ以下であること
を特徴とする、請求項４に記載の基板加熱装置。 - 【請求項６】 前記ヒータの真空封入後、前記石英容器
に数十Ｐａから大気圧程度の範囲でハロゲンガスが導入
されることを特徴とする、請求項５に記載の基板加熱装
置。 - 【請求項７】 前記石英容器の一面側に基板が配置さ
れ、前記石英容器における基板加熱方向とは反対側裏面
と側面とに反射板が設置されることを特徴とする、請求
項３〜７のいずれか１項に記載の基板加熱装置。 - 【請求項８】 前記石英容器の両面側に基板が配置さ
れ、前記石英容器の側面に反射板が設置されることを特
徴とする、請求項３〜７のいずれか１項に記載の基板加
熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10013399A JP3268446B2 (ja) | 1999-04-07 | 1999-04-07 | 基板加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10013399A JP3268446B2 (ja) | 1999-04-07 | 1999-04-07 | 基板加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000294547A true JP2000294547A (ja) | 2000-10-20 |
| JP3268446B2 JP3268446B2 (ja) | 2002-03-25 |
Family
ID=14265827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| CN111712738A (zh) * | 2018-02-22 | 2020-09-25 | 大阪瓦斯株式会社 | 放射冷却装置 |
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-
1999
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