JP2000294593A - 集積回路の端子構造 - Google Patents
集積回路の端子構造Info
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- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
- H10W72/231—Shapes
- H10W72/234—Cross-sectional shape, i.e. in side view
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッド周縁部の下方の絶縁膜表面に環状にパ
ターン形成された環状形成物により、バンプの上面周縁
部により高い環状の凸部を形成する集積回路の端子構造
の提供を目的とする。 【解決手段】 バンプ５０の周縁部に位置する半導体基
板１０上の絶縁膜１１の表面に、環状の環状形成物２０
を形成し、その上面にパッド３０及びパッシベージョン
膜４０を順次形成し、バンプ５０の中央部を半導体基板
１０／絶縁膜１１／パッド３０の積層上に形成し、バン
プ５０の周縁部を半導体基板１０／絶縁膜１１／環状形
成物２０／パッド３０／パッシベージョン膜４０の積層
上にメッキ法により形成することにより、環状凸部を形
成することにより、ウエハーテストにおけるニードルの
滑りによるコンタクト不良を低減することができる。
ターン形成された環状形成物により、バンプの上面周縁
部により高い環状の凸部を形成する集積回路の端子構造
の提供を目的とする。 【解決手段】 バンプ５０の周縁部に位置する半導体基
板１０上の絶縁膜１１の表面に、環状の環状形成物２０
を形成し、その上面にパッド３０及びパッシベージョン
膜４０を順次形成し、バンプ５０の中央部を半導体基板
１０／絶縁膜１１／パッド３０の積層上に形成し、バン
プ５０の周縁部を半導体基板１０／絶縁膜１１／環状形
成物２０／パッド３０／パッシベージョン膜４０の積層
上にメッキ法により形成することにより、環状凸部を形
成することにより、ウエハーテストにおけるニードルの
滑りによるコンタクト不良を低減することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路の端子構
造に関し、特に、集積回路の半導体基板のバンプ上面
に、高い環状の凸部を形成することにより、ウエハーテ
ストの際に、ニードルの滑りによるコンタクト不良を防
止することができる集積回路の端子構造に関する。
造に関し、特に、集積回路の半導体基板のバンプ上面
に、高い環状の凸部を形成することにより、ウエハーテ
ストの際に、ニードルの滑りによるコンタクト不良を防
止することができる集積回路の端子構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の集積回路の端子構造について、図
面を参照して説明する。図４は、従来の端子構造の概略
模式拡大図であり、（ａ）は平面図を、（ｂ）は断面図
を示している。同図において、４は端子構造であり、平
坦な半導体基板１０の表面に、酸化膜からなる厚さ約
０．８μｍの絶縁層１１を形成し、絶縁層１１の表面
に、Ａｌなどからなる厚さ約１．５μｍの上面正方形状
のパッド３０を形成し、パッド３０の周縁部上面及び絶
縁層１１の上面に、ＳｉＯ2などからなる厚さ約１．２
μｍのパッシベージョン膜４０を形成し、パッド３０の
上方にＡｕなどからなる厚さ約１０〜２０μｍのバンプ
５４を形成した構造としてある。
面を参照して説明する。図４は、従来の端子構造の概略
模式拡大図であり、（ａ）は平面図を、（ｂ）は断面図
を示している。同図において、４は端子構造であり、平
坦な半導体基板１０の表面に、酸化膜からなる厚さ約
０．８μｍの絶縁層１１を形成し、絶縁層１１の表面
に、Ａｌなどからなる厚さ約１．５μｍの上面正方形状
のパッド３０を形成し、パッド３０の周縁部上面及び絶
縁層１１の上面に、ＳｉＯ2などからなる厚さ約１．２
μｍのパッシベージョン膜４０を形成し、パッド３０の
上方にＡｕなどからなる厚さ約１０〜２０μｍのバンプ
５４を形成した構造としてある。
【０００３】パッド３０の周縁部上面に形成されたパッ
シベージョン膜４０は、パッド３０の周縁部に環状に凸
部を形成する。ここで、この凸部の高さはパッシベージ
ョン膜４０の厚さ約１．２μｍとしてあり、幅は約１〜
９μｍとしてある。また、バンプ５４は、エッチング形
状をパッド３０と同一形状・同一位置とし、パッド３０
の周縁部に形成されたパッシベージョン膜４０の上面と
パッド３０の中央部上面に、メッキ法により形成され
る。このため、バンプ５４の上面周縁部には、その上面
中央部よりパッシベージョン膜４０の厚さ約１．２μｍ
分だけ高い環状の凸部が形成される。
シベージョン膜４０は、パッド３０の周縁部に環状に凸
部を形成する。ここで、この凸部の高さはパッシベージ
ョン膜４０の厚さ約１．２μｍとしてあり、幅は約１〜
９μｍとしてある。また、バンプ５４は、エッチング形
状をパッド３０と同一形状・同一位置とし、パッド３０
の周縁部に形成されたパッシベージョン膜４０の上面と
パッド３０の中央部上面に、メッキ法により形成され
る。このため、バンプ５４の上面周縁部には、その上面
中央部よりパッシベージョン膜４０の厚さ約１．２μｍ
分だけ高い環状の凸部が形成される。
【０００４】このようにして形成されるバンプ５４は、
半導体基板１０からなる集積回路のウエハーテストにお
いて、テスト用接続ニードルと電気的に良好に接続する
必要がある。しかし、バンプ５４の上面周縁部に形成さ
れた環状の凸部の高さが低いために、ニードルの先端が
バンプ５３の上面から滑って外れ、コンタクト不良を発
生するといった問題があった。
半導体基板１０からなる集積回路のウエハーテストにお
いて、テスト用接続ニードルと電気的に良好に接続する
必要がある。しかし、バンプ５４の上面周縁部に形成さ
れた環状の凸部の高さが低いために、ニードルの先端が
バンプ５３の上面から滑って外れ、コンタクト不良を発
生するといった問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
を解決すべくなされたものであり、バンプの上面周縁部
の下に環状形成物を形成することにより、バンプの上面
周縁部にこの形成物の厚さ分高い環状の凸部を形成する
集積回路の端子構造の提供を目的とする。
を解決すべくなされたものであり、バンプの上面周縁部
の下に環状形成物を形成することにより、バンプの上面
周縁部にこの形成物の厚さ分高い環状の凸部を形成する
集積回路の端子構造の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明における請求項１記載の集積回路の端子構造
は、半導体基板上の絶縁膜の表面に形成されたパッド上
面に、バンプを有する集積回路の端子構造において、前
記パッドの上面または下面の少なくとも一方に形成さ
れ、前記バンプの上面外形より大きな外周平面形状を有
しかつこのバンプの上面外形より小さな内周平面形状を
有する環状形成物からなる層を具備し、前記バンプの上
面周縁部を、前記環状形成物の厚さ分高く形成した構成
としてある。
に、本発明における請求項１記載の集積回路の端子構造
は、半導体基板上の絶縁膜の表面に形成されたパッド上
面に、バンプを有する集積回路の端子構造において、前
記パッドの上面または下面の少なくとも一方に形成さ
れ、前記バンプの上面外形より大きな外周平面形状を有
しかつこのバンプの上面外形より小さな内周平面形状を
有する環状形成物からなる層を具備し、前記バンプの上
面周縁部を、前記環状形成物の厚さ分高く形成した構成
としてある。
【０００７】このようにすると、バンプの上面中央部
が、半導体基板／絶縁膜／パッドの積層上に形成される
のに対し、バンプの上面周縁部は、例えば、半導体基板
／絶縁膜／環状形成物／パッドの積層上に形成されるの
で、バンプの上面周縁部における環状の凸部を、この環
状形成物の厚さ分高く形成することができる。
が、半導体基板／絶縁膜／パッドの積層上に形成される
のに対し、バンプの上面周縁部は、例えば、半導体基板
／絶縁膜／環状形成物／パッドの積層上に形成されるの
で、バンプの上面周縁部における環状の凸部を、この環
状形成物の厚さ分高く形成することができる。
【０００８】請求項２記載の発明は、請求項１記載の集
積回路の端子構造において、前記環状形成物からなる層
を配線層とし、この配線層または前記パッドのいずれか
一方に前記集積回路を構成するための配線を接続した構
成としてある。このようにすると、この配線層またはパ
ッドのいずれか一方を利用してバンプと電気的接続をす
ることができるので、配線回路を容易に設計することが
できる。
積回路の端子構造において、前記環状形成物からなる層
を配線層とし、この配線層または前記パッドのいずれか
一方に前記集積回路を構成するための配線を接続した構
成としてある。このようにすると、この配線層またはパ
ッドのいずれか一方を利用してバンプと電気的接続をす
ることができるので、配線回路を容易に設計することが
できる。
【０００９】請求項３記載の発明は、請求項１または請
求項２に記載の集積回路の端子構造において、前記配線
層と前記パッドの双方に前記集積回路を構成するための
配線を接続した構成としてある。このようにすると、こ
の配線層とパッドの双方を利用して集積回路を構成する
ための配線が可能となり、スペース効率の良い配線回路
を設計することができる。
求項２に記載の集積回路の端子構造において、前記配線
層と前記パッドの双方に前記集積回路を構成するための
配線を接続した構成としてある。このようにすると、こ
の配線層とパッドの双方を利用して集積回路を構成する
ための配線が可能となり、スペース効率の良い配線回路
を設計することができる。
【００１０】請求項４記載の発明は、請求項１〜請求項
３のいずれかに記載の集積回路の端子構造において、前
記絶縁膜上に絶縁用のパッシベージョン膜を形成すると
ともに、このパッシベージョン膜の前記パッドの周縁部
上面における孔の平面形状を、前記環状形成物の内周平
面形状にほぼ一致させた構成としてある。このようにす
ると、バンプ上面周縁部の環状凸部の内周側面における
傾斜をより垂直な状態にすることができるので、ニード
ルの先端がバンプの上面から滑って外れることを効果的
に防止することができる。
３のいずれかに記載の集積回路の端子構造において、前
記絶縁膜上に絶縁用のパッシベージョン膜を形成すると
ともに、このパッシベージョン膜の前記パッドの周縁部
上面における孔の平面形状を、前記環状形成物の内周平
面形状にほぼ一致させた構成としてある。このようにす
ると、バンプ上面周縁部の環状凸部の内周側面における
傾斜をより垂直な状態にすることができるので、ニード
ルの先端がバンプの上面から滑って外れることを効果的
に防止することができる。
【００１１】請求項５記載の発明は、請求項１〜請求項
４のいずれかに記載の集積回路の端子構造において、前
記パッドを前記環状形成物の内周平面形状より小さい内
周平面形状を有する環状とした構成としてある。このよ
うに、パッドを環状形状とし、パッド中央部に凹部を形
成することにより、バンプの上面中央部に凹部が形成さ
れるので、この凹部底面からはバンプの上面周縁部の凸
部が相対的に高くなり、ニードルの先端がバンプの凹部
上面から滑って外れることをより効果的に防止すること
ができる。
４のいずれかに記載の集積回路の端子構造において、前
記パッドを前記環状形成物の内周平面形状より小さい内
周平面形状を有する環状とした構成としてある。このよ
うに、パッドを環状形状とし、パッド中央部に凹部を形
成することにより、バンプの上面中央部に凹部が形成さ
れるので、この凹部底面からはバンプの上面周縁部の凸
部が相対的に高くなり、ニードルの先端がバンプの凹部
上面から滑って外れることをより効果的に防止すること
ができる。
【００１２】上記目的を達成するために、本発明におけ
る請求項６記載の集積回路の端子構造は、半導体基板上
の絶縁膜の表面に形成されたパッド上面に、バンプを有
する集積回路の端子構造において、前記パッドを、前記
バンプの上面外形より大きな外周平面形状を有しかつこ
のバンプの上面外形より小さな内周平面形状を有する環
状とし、前記バンプの上面周縁部を、前記パッドの厚さ
分高く形成した構成としてある。
る請求項６記載の集積回路の端子構造は、半導体基板上
の絶縁膜の表面に形成されたパッド上面に、バンプを有
する集積回路の端子構造において、前記パッドを、前記
バンプの上面外形より大きな外周平面形状を有しかつこ
のバンプの上面外形より小さな内周平面形状を有する環
状とし、前記バンプの上面周縁部を、前記パッドの厚さ
分高く形成した構成としてある。
【００１３】このようにすると、バンプの上面中央部が
半導体基板／絶縁膜の積層上に形成されるのに対し、上
面周縁部は半導体基板／絶縁膜／パッドの積層上に形成
されるので、バンプの上面周縁部における環状の凸部を
高く形成することができる。また、多層配線を行う必要
のない集積回路においては、新たに層を設けて環状形成
物を形成しなくとも、環状の凸部を高く形成することが
できるので、生産プロセスを削減することができる。
半導体基板／絶縁膜の積層上に形成されるのに対し、上
面周縁部は半導体基板／絶縁膜／パッドの積層上に形成
されるので、バンプの上面周縁部における環状の凸部を
高く形成することができる。また、多層配線を行う必要
のない集積回路においては、新たに層を設けて環状形成
物を形成しなくとも、環状の凸部を高く形成することが
できるので、生産プロセスを削減することができる。
【００１４】請求項７記載の発明は、請求項１〜請求項
６のいずれかに記載の集積回路の端子構造において、前
記バンプの上面周縁部を２μｍ以上高く形成した構成と
してある。このように、バンプの上面周縁部の凸部高さ
を２μｍ以上とすることにより、ニードルの先端がバン
プの上面から滑って外れるコンタクト不良の発生を約半
分以下に低減することができる。
６のいずれかに記載の集積回路の端子構造において、前
記バンプの上面周縁部を２μｍ以上高く形成した構成と
してある。このように、バンプの上面周縁部の凸部高さ
を２μｍ以上とすることにより、ニードルの先端がバン
プの上面から滑って外れるコンタクト不良の発生を約半
分以下に低減することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第一実施形態に係
る集積回路の端子構造について、図面を参照して説明す
る。図１は、本発明における第一実施形態の端子構造の
概略模式拡大図であり、（ａ）は平面図を、（ｂ）は断
面図を示している。同図において、１は端子構造であ
り、半導体基板１０上の絶縁膜１１の表面に環状形成物
２０／パッド３０／パッシベージョン膜４０を積層し、
さらに、バンプ５０をメッキ法により形成した構造とし
てある。半導体基板１０は、集積回路を構成してあり、
多数のバンプ５０が形成してある。
る集積回路の端子構造について、図面を参照して説明す
る。図１は、本発明における第一実施形態の端子構造の
概略模式拡大図であり、（ａ）は平面図を、（ｂ）は断
面図を示している。同図において、１は端子構造であ
り、半導体基板１０上の絶縁膜１１の表面に環状形成物
２０／パッド３０／パッシベージョン膜４０を積層し、
さらに、バンプ５０をメッキ法により形成した構造とし
てある。半導体基板１０は、集積回路を構成してあり、
多数のバンプ５０が形成してある。
【００１６】環状形成物２０は、Ａｌなどからなる厚さ
が約０．８μｍの配線層として形成してあり、上面外形
が正方形であるバンプ５０に合わせて正方形環状の形状
としてある。ここで、環状形成物２０は、外周平面形状
がバンプ５０の上面外形より約１〜５μｍ外周方向に大
きく、かつ、内周平面形状がバンプ５０の上面外形より
約３〜８μｍ内周方向に小さく形成してある。このよう
に、バンプ５０の上面外形に対し、外周方向及び内周方
向に余裕をもって環状形成物２０を形成することによ
り、バンプ５０を形成するときの位置ずれを吸収するこ
とができる。
が約０．８μｍの配線層として形成してあり、上面外形
が正方形であるバンプ５０に合わせて正方形環状の形状
としてある。ここで、環状形成物２０は、外周平面形状
がバンプ５０の上面外形より約１〜５μｍ外周方向に大
きく、かつ、内周平面形状がバンプ５０の上面外形より
約３〜８μｍ内周方向に小さく形成してある。このよう
に、バンプ５０の上面外形に対し、外周方向及び内周方
向に余裕をもって環状形成物２０を形成することによ
り、バンプ５０を形成するときの位置ずれを吸収するこ
とができる。
【００１７】また、環状形成物２０は、バンプ５０に対
応して多数形成されるが、例えば、他の環状形成物２０
などに電気的に接続させて形成することができる。この
場合は、電気信号は、環状形成物２０からパッド３０を
介してバンプ５０に接続される。このようにすると、多
層配線を必要とするときは、環状形成物２０を有効に活
用することができ、パターン回路を容易に設計すること
ができる。また、環状形成物２０は、配線する必要がな
いときは、他の環状形成物２０などに電気的に接続させ
ないで、単に構造上の機能を有するものとして形成する
ことができる。
応して多数形成されるが、例えば、他の環状形成物２０
などに電気的に接続させて形成することができる。この
場合は、電気信号は、環状形成物２０からパッド３０を
介してバンプ５０に接続される。このようにすると、多
層配線を必要とするときは、環状形成物２０を有効に活
用することができ、パターン回路を容易に設計すること
ができる。また、環状形成物２０は、配線する必要がな
いときは、他の環状形成物２０などに電気的に接続させ
ないで、単に構造上の機能を有するものとして形成する
ことができる。
【００１８】パッド３０は、Ａｌなどからなる厚さが約
１．５μｍの配線層として、環状形成物２０の上面と、
この内周平面形状内側の絶縁膜１１の表面に形成してあ
り、上面外形が正方形であるバンプ５０に合わせて正方
形状としてある。したがって、環状形成物２０からなる
配線層は、パッド３０からなる配線層に対して下層配線
層となる。ここで、パッド３０は、外周平面形状がバン
プ５０の上面外形より約１〜４μｍ外方向に大きく形成
してある。また、環状形成物２０の上面に形成された外
周縁部は、中央部より環状形成物２０の厚さ分高い環状
の凸部を形成する。
１．５μｍの配線層として、環状形成物２０の上面と、
この内周平面形状内側の絶縁膜１１の表面に形成してあ
り、上面外形が正方形であるバンプ５０に合わせて正方
形状としてある。したがって、環状形成物２０からなる
配線層は、パッド３０からなる配線層に対して下層配線
層となる。ここで、パッド３０は、外周平面形状がバン
プ５０の上面外形より約１〜４μｍ外方向に大きく形成
してある。また、環状形成物２０の上面に形成された外
周縁部は、中央部より環状形成物２０の厚さ分高い環状
の凸部を形成する。
【００１９】また、パッド３０は、例えば、他のパッド
３０などに電気的に接続させて形成することができ、電
気信号は、パッド３０からバンプ５０に接続される。こ
こで、上述したように、パッド３０は、環状形成物２０
からの電気信号をバンプ５０に伝達することができると
ともに、他のパッド３０などに電気的に接続する配線を
形成することもできるので、配線スペースを省スペース
化する設計を行うことができる。
３０などに電気的に接続させて形成することができ、電
気信号は、パッド３０からバンプ５０に接続される。こ
こで、上述したように、パッド３０は、環状形成物２０
からの電気信号をバンプ５０に伝達することができると
ともに、他のパッド３０などに電気的に接続する配線を
形成することもできるので、配線スペースを省スペース
化する設計を行うことができる。
【００２０】パッシベージョン膜４０は、ＳｉＯ2、Ｓ
ｉ3Ｎ4などからなる厚さが約１．２μｍの絶縁層を、パ
ッド３０の外周縁部の凸部上面と絶縁膜１１の表面に形
成してある。ここで、パッシベージョン膜４０は、バン
プ５０に対応する位置に正方形状の孔を有する構造とし
てあり、この孔の平面形状は、バンプ５０の上面外形よ
り約３〜８μｍ内周方向に小さく形成してある。
ｉ3Ｎ4などからなる厚さが約１．２μｍの絶縁層を、パ
ッド３０の外周縁部の凸部上面と絶縁膜１１の表面に形
成してある。ここで、パッシベージョン膜４０は、バン
プ５０に対応する位置に正方形状の孔を有する構造とし
てあり、この孔の平面形状は、バンプ５０の上面外形よ
り約３〜８μｍ内周方向に小さく形成してある。
【００２１】ここで、好ましくは、この孔の平面形状
を、環状形成物２０の内周平面形状とほぼ一致するよう
に形成すると、環状形成物２０／パッド３０／パッシベ
ージョン膜４０の積層によって形成される環状凸部の内
周側面を垂直状態に近づけることができる。このように
すると、これらの上面に形成されるバンプ５０上面周縁
部の環状凸部の内周側面における傾斜をより垂直な状態
に近づけることができるので、ニードルの先端がバンプ
の上面から滑って外れることをより効果的に防止するこ
とができる。
を、環状形成物２０の内周平面形状とほぼ一致するよう
に形成すると、環状形成物２０／パッド３０／パッシベ
ージョン膜４０の積層によって形成される環状凸部の内
周側面を垂直状態に近づけることができる。このように
すると、これらの上面に形成されるバンプ５０上面周縁
部の環状凸部の内周側面における傾斜をより垂直な状態
に近づけることができるので、ニードルの先端がバンプ
の上面から滑って外れることをより効果的に防止するこ
とができる。
【００２２】バンプ５０は、Ａｕなどからなる厚さ約１
０〜２０μｍの上面外形が正方形状のバンプ５０を形成
してある。ここで、バンプ５０は、周縁部が半導体基板
１０／絶縁膜１１／環状形成物２０／パッド３０／パッ
シベージョン膜４０の積層上面に、中央部が半導体基板
１０／絶縁膜１１／パッド３０の積層上面にメッキ法に
より形成してあり、上面周縁部に、環状形成物２０とパ
ッシベージョン膜４０の厚さ分高い環状の凸部を形成し
てある。
０〜２０μｍの上面外形が正方形状のバンプ５０を形成
してある。ここで、バンプ５０は、周縁部が半導体基板
１０／絶縁膜１１／環状形成物２０／パッド３０／パッ
シベージョン膜４０の積層上面に、中央部が半導体基板
１０／絶縁膜１１／パッド３０の積層上面にメッキ法に
より形成してあり、上面周縁部に、環状形成物２０とパ
ッシベージョン膜４０の厚さ分高い環状の凸部を形成し
てある。
【００２３】ここで、好ましくは、ニードルの滑りによ
るコンタクト不良を効果的に低減するには、バンプ５０
上面周縁部の凸部の高さを２μｍ以上とすると良い。第
一実施形態の集積回路の端子構造１においては、具体的
には、環状形成物２０の厚さが約０．８μｍであり、パ
ッシベージョン膜４０の厚さが約１．２μｍとしてある
ので、バンプ５０の環状凸部の高さは約２μｍとなる。
このようにすると、ニードルの先端が滑ってもこの凸部
の側面に当接し、この側面がストッパー的役割を果たす
ので、ニードルが凸部を乗り越えてバンプ５０から外
れ、コンタクト不良となることを防止することができ
る。なお、ＬＣＤドライバ等の多出力素子を有する集積
回路のウエハーテストにおいては、コンタクト不良を防
止することは、生産歩留まりを向上させる上で非常に有
効である。
るコンタクト不良を効果的に低減するには、バンプ５０
上面周縁部の凸部の高さを２μｍ以上とすると良い。第
一実施形態の集積回路の端子構造１においては、具体的
には、環状形成物２０の厚さが約０．８μｍであり、パ
ッシベージョン膜４０の厚さが約１．２μｍとしてある
ので、バンプ５０の環状凸部の高さは約２μｍとなる。
このようにすると、ニードルの先端が滑ってもこの凸部
の側面に当接し、この側面がストッパー的役割を果たす
ので、ニードルが凸部を乗り越えてバンプ５０から外
れ、コンタクト不良となることを防止することができ
る。なお、ＬＣＤドライバ等の多出力素子を有する集積
回路のウエハーテストにおいては、コンタクト不良を防
止することは、生産歩留まりを向上させる上で非常に有
効である。
【００２４】上述したように、第一実施形態の端子構造
１はバンプ５０の上面周縁部に環状の凸部を形成するこ
とにより、集積回路のウエハーテストにおけるニードル
のコンタクト不良を防止することができる。なお、バン
プ５０の上面形状は正方形に限定するものではなく、例
えば長方形などとすることができ、また、上述した各部
の寸法については、集積回路の仕様などにより様々な寸
法とすることができる。さらにまた、各層は、その形成
において形成方法を限定するものではなく、その材質に
おいて上述の材質に限定するものではないことは勿論で
ある。
１はバンプ５０の上面周縁部に環状の凸部を形成するこ
とにより、集積回路のウエハーテストにおけるニードル
のコンタクト不良を防止することができる。なお、バン
プ５０の上面形状は正方形に限定するものではなく、例
えば長方形などとすることができ、また、上述した各部
の寸法については、集積回路の仕様などにより様々な寸
法とすることができる。さらにまた、各層は、その形成
において形成方法を限定するものではなく、その材質に
おいて上述の材質に限定するものではないことは勿論で
ある。
【００２５】以下、本発明の第二実施形態について、図
面を参照して説明する。図２は、本発明における第二実
施形態の端子構造の概略模式拡大図であり、（ａ）は平
面図を、（ｂ）は断面図を示している。同図において、
２は端子構造であり、半導体基板１０上の絶縁膜１１の
表面に環状形成物２０／パッド３２／パッシベージョン
膜４０を積層し、さらに、バンプ５２をメッキ法により
形成した構造としてある。なお、半導体基板１０は、第
一実施形態と同様に、集積回路を構成してあり、多数の
バンプ５２が形成してある。
面を参照して説明する。図２は、本発明における第二実
施形態の端子構造の概略模式拡大図であり、（ａ）は平
面図を、（ｂ）は断面図を示している。同図において、
２は端子構造であり、半導体基板１０上の絶縁膜１１の
表面に環状形成物２０／パッド３２／パッシベージョン
膜４０を積層し、さらに、バンプ５２をメッキ法により
形成した構造としてある。なお、半導体基板１０は、第
一実施形態と同様に、集積回路を構成してあり、多数の
バンプ５２が形成してある。
【００２６】パッド３２は、Ａｌなどからなる厚さが約
１．５μｍの配線層として、環状形成物２０の上面と、
この内周平面形状内側の周縁部における絶縁膜１１の表
面に形成してあり、上面外形が正方形であるバンプ５２
に合わせて正方形の環状としてある。ここで、パッド３
２は、外周平面形状がバンプ５２の上面外形より約１〜
５μｍ外周方向に大きく形成してあり、内周平面形状が
環状形成物２０の内周平面形状より約１〜１０μｍ内周
方向に小さく形成してある。また、環状形成物２０の上
面に形成されたパッド３２の外周縁部は、内周縁部より
環状形成物２０の厚さ分高い環状の凸部を形成する。
１．５μｍの配線層として、環状形成物２０の上面と、
この内周平面形状内側の周縁部における絶縁膜１１の表
面に形成してあり、上面外形が正方形であるバンプ５２
に合わせて正方形の環状としてある。ここで、パッド３
２は、外周平面形状がバンプ５２の上面外形より約１〜
５μｍ外周方向に大きく形成してあり、内周平面形状が
環状形成物２０の内周平面形状より約１〜１０μｍ内周
方向に小さく形成してある。また、環状形成物２０の上
面に形成されたパッド３２の外周縁部は、内周縁部より
環状形成物２０の厚さ分高い環状の凸部を形成する。
【００２７】パッシベージョン膜４０は、ＳｉＯ2、Ｓ
ｉ3Ｎ4などからなる厚さが約１．２μｍの絶縁層を、パ
ッド３２の外周縁部の凸部上面と絶縁膜１１の表面に形
成してある。ここで、パッシベージョン膜４０は、パッ
ド３２の外周縁部の凸部上面に正方形状の孔を有する構
造としてあり、この孔の平面形状は、バンプ５２の上面
外形より約３〜８μｍ内周方向に小さく形成してある。
ｉ3Ｎ4などからなる厚さが約１．２μｍの絶縁層を、パ
ッド３２の外周縁部の凸部上面と絶縁膜１１の表面に形
成してある。ここで、パッシベージョン膜４０は、パッ
ド３２の外周縁部の凸部上面に正方形状の孔を有する構
造としてあり、この孔の平面形状は、バンプ５２の上面
外形より約３〜８μｍ内周方向に小さく形成してある。
【００２８】ここで、好ましくは、この孔の平面形状
を、環状形成物２０の内周平面形状と一致するように形
成し、さらに、パッド３２の内周側面、パッド３２の外
周縁部における環状凸部の内周側面、及び、パッシベー
ジョン膜４０の孔側面から形成される斜面を垂直状態に
近づけると良い。このようにすると、これらの斜面に形
成されるバンプ５２の上面周縁部における環状凸部の内
周側面における傾斜をより垂直な状態に近づけることが
できるので、ニードルの先端がバンプの上面から滑って
外れることをより効果的に防止することができる。
を、環状形成物２０の内周平面形状と一致するように形
成し、さらに、パッド３２の内周側面、パッド３２の外
周縁部における環状凸部の内周側面、及び、パッシベー
ジョン膜４０の孔側面から形成される斜面を垂直状態に
近づけると良い。このようにすると、これらの斜面に形
成されるバンプ５２の上面周縁部における環状凸部の内
周側面における傾斜をより垂直な状態に近づけることが
できるので、ニードルの先端がバンプの上面から滑って
外れることをより効果的に防止することができる。
【００２９】また、第二実施形態の集積回路の端子構造
は、バンプ５２の環状凸部の高さとして、環状形成物２
０、パッド３２及びパッシベージョン膜４０の厚さを利
用してあるので、第一実施形態と比べてパッド３２の厚
さ約１．５μｍ分だけバンプ５２の環状凸部の高さを高
くすることができ、約３．５μｍとすることができた。
このため、ニードルの滑りによるコンタクト不良をより
効果的に低減することができた。その他の構造・作用に
ついては、第一実施形態と同様としてある。
は、バンプ５２の環状凸部の高さとして、環状形成物２
０、パッド３２及びパッシベージョン膜４０の厚さを利
用してあるので、第一実施形態と比べてパッド３２の厚
さ約１．５μｍ分だけバンプ５２の環状凸部の高さを高
くすることができ、約３．５μｍとすることができた。
このため、ニードルの滑りによるコンタクト不良をより
効果的に低減することができた。その他の構造・作用に
ついては、第一実施形態と同様としてある。
【００３０】上述したように、第二実施形態の集積回路
の端子構造２は、パッド３２の厚さをも利用して、バン
プ５２の上面周縁部に環状の凸部をより高く形成するの
で、集積回路のウエハーテストにおけるニードルのコン
タクト不良をより確実に防止することができる。
の端子構造２は、パッド３２の厚さをも利用して、バン
プ５２の上面周縁部に環状の凸部をより高く形成するの
で、集積回路のウエハーテストにおけるニードルのコン
タクト不良をより確実に防止することができる。
【００３１】以下、本発明の第三実施形態について、図
面を参照して説明する。図３は、本発明における第三実
施形態の端子構造の概略模式拡大図であり、（ａ）は平
面図を、（ｂ）は断面図を示している。同図において、
３は端子構造であり、半導体基板１０上の絶縁膜１１の
表面にパッド３３／パッシベージョン膜４０を積層し、
さらに、バンプ５３をメッキ法により形成した構造とし
てある。なお、半導体基板１０は、第一実施形態と同様
に、集積回路を構成してあり、バンプ５３が形成してあ
る。ここで、集積回路の端子構造３は、配線が単層構造
としてあり環状形成物を有しない構成としてある。
面を参照して説明する。図３は、本発明における第三実
施形態の端子構造の概略模式拡大図であり、（ａ）は平
面図を、（ｂ）は断面図を示している。同図において、
３は端子構造であり、半導体基板１０上の絶縁膜１１の
表面にパッド３３／パッシベージョン膜４０を積層し、
さらに、バンプ５３をメッキ法により形成した構造とし
てある。なお、半導体基板１０は、第一実施形態と同様
に、集積回路を構成してあり、バンプ５３が形成してあ
る。ここで、集積回路の端子構造３は、配線が単層構造
としてあり環状形成物を有しない構成としてある。
【００３２】パッド３３は、Ａｌなどからなる厚さが約
１．５μｍの配線層として、バンプ５３に対応する絶縁
膜１１の表面に形成してあり、上面外形が正方形である
バンプ５３に合わせて正方形の環状としてある。ここ
で、パッド３３の外周平面形状はバンプ５３の上面外形
より約１〜５μｍ外周方向に大きく形成してあり、内周
平面形状はバンプ５３の上面外形より約３〜１０μｍ内
周方向に小さく形成してある。
１．５μｍの配線層として、バンプ５３に対応する絶縁
膜１１の表面に形成してあり、上面外形が正方形である
バンプ５３に合わせて正方形の環状としてある。ここ
で、パッド３３の外周平面形状はバンプ５３の上面外形
より約１〜５μｍ外周方向に大きく形成してあり、内周
平面形状はバンプ５３の上面外形より約３〜１０μｍ内
周方向に小さく形成してある。
【００３３】パッシベージョン膜４０は、ＳｉＯ2、Ｓ
ｉ3Ｎ4などからなる厚さが約１．２μｍの絶縁層を、パ
ッド３３の外周縁部の上面と絶縁膜１１の表面に形成し
てある。ここで、パッシベージョン膜４０は、パッド３
３の外周縁部の上面に正方形状の孔を有する構造として
あり、この孔の平面形状は、バンプ５３の上面外形より
約３〜８μｍ内周方向に小さく形成してある。また、パ
ッシベージョン膜４０の内周平面形状は、パッド３３の
内周平面形状より大きくしてあり、この部分がバンプ５
３と電気的に接続する。
ｉ3Ｎ4などからなる厚さが約１．２μｍの絶縁層を、パ
ッド３３の外周縁部の上面と絶縁膜１１の表面に形成し
てある。ここで、パッシベージョン膜４０は、パッド３
３の外周縁部の上面に正方形状の孔を有する構造として
あり、この孔の平面形状は、バンプ５３の上面外形より
約３〜８μｍ内周方向に小さく形成してある。また、パ
ッシベージョン膜４０の内周平面形状は、パッド３３の
内周平面形状より大きくしてあり、この部分がバンプ５
３と電気的に接続する。
【００３４】バンプ５３は、Ａｕなどからなる厚さ約１
０〜２０μｍの上面外形が正方形状に形成してある。こ
こで、バンプ５３は、周縁部が半導体基板１０／絶縁膜
１１／パッド３３／パッシベージョン膜４０の積層上面
に、中央部が絶縁膜１１の表面にメッキ法により形成し
てあり、上面周縁部にパッド３３とパッシベージョン膜
４０の厚さ分高い環状の凸部を形成してある。具体的に
は、第三実施形態の集積回路の端子構造は、バンプ５３
の環状凸部の高さとして、パッド３３の厚さ約１．５μ
ｍとパッシベージョン膜４０の厚さ約１．２μｍを利用
してあるので、バンプ５３の環状凸部の高さを、約２．
７μｍとすることができた。
０〜２０μｍの上面外形が正方形状に形成してある。こ
こで、バンプ５３は、周縁部が半導体基板１０／絶縁膜
１１／パッド３３／パッシベージョン膜４０の積層上面
に、中央部が絶縁膜１１の表面にメッキ法により形成し
てあり、上面周縁部にパッド３３とパッシベージョン膜
４０の厚さ分高い環状の凸部を形成してある。具体的に
は、第三実施形態の集積回路の端子構造は、バンプ５３
の環状凸部の高さとして、パッド３３の厚さ約１．５μ
ｍとパッシベージョン膜４０の厚さ約１．２μｍを利用
してあるので、バンプ５３の環状凸部の高さを、約２．
７μｍとすることができた。
【００３５】このようにすると、集積回路の端子構造３
が単層の配線構造を有するときでも、パッド３３とパッ
シベージョン膜４０の厚さを利用して、バンプ５３の上
面周縁部における環状の凸部を高く形成することがで
き、ニードルの先端がバンプの上面から滑って外れるこ
とをより効果的に防止することができる。その他の構造
・作用については、第一実施形態と同様としてある。
が単層の配線構造を有するときでも、パッド３３とパッ
シベージョン膜４０の厚さを利用して、バンプ５３の上
面周縁部における環状の凸部を高く形成することがで
き、ニードルの先端がバンプの上面から滑って外れるこ
とをより効果的に防止することができる。その他の構造
・作用については、第一実施形態と同様としてある。
【００３６】上述したように、第三実施形態の集積回路
の端子構造３は、パッド３３の厚さを有効に利用して、
バンプ５３の上面周縁部に環状の凸部をより高く形成す
るので、多層配線構造を有しない集積回路の端子構造に
おいて、集積回路のウエハーテストにおけるニードルの
コンタクト不良をより確実に防止することができる。ま
た、この端子構造３は、多層配線構造を有する集積回路
の端子構造においても、有効に適用することができるこ
とは勿論である。
の端子構造３は、パッド３３の厚さを有効に利用して、
バンプ５３の上面周縁部に環状の凸部をより高く形成す
るので、多層配線構造を有しない集積回路の端子構造に
おいて、集積回路のウエハーテストにおけるニードルの
コンタクト不良をより確実に防止することができる。ま
た、この端子構造３は、多層配線構造を有する集積回路
の端子構造においても、有効に適用することができるこ
とは勿論である。
【００３７】上述した実施の形態においては、本発明を
特定の条件で構成した例について説明したが、本発明
は、種々の変更例を含むものである。つまり、第一実施
形態及び第二実施形形態のおいては、環状形成物の材質
はＡｌに限定するものではなく、例えば、環状形成物を
単に構造物とするときは、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4などの絶
縁性を有する材質とすることができる。また、環状形成
物は、パッドの上面に形成することができ、さらに、パ
ッドの上面及び下面に形成することができる。
特定の条件で構成した例について説明したが、本発明
は、種々の変更例を含むものである。つまり、第一実施
形態及び第二実施形形態のおいては、環状形成物の材質
はＡｌに限定するものではなく、例えば、環状形成物を
単に構造物とするときは、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4などの絶
縁性を有する材質とすることができる。また、環状形成
物は、パッドの上面に形成することができ、さらに、パ
ッドの上面及び下面に形成することができる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
集積回路の端子構造において、半導体基板上の絶縁膜の
表面に形成されるバンプの周縁部を、環状形成物、パッ
ドなどを利用して、環状凸部をより高く形成することに
より、半導体基板のウエハーテストにおいて、テスト用
接続ニードルがバンプ上面から滑って外れ、コンタクト
不良となることを効果的に防止することができる。この
ようにすることにより、ウエハーテストにおいて、集積
回路の生産上の歩留まりが向上する。
集積回路の端子構造において、半導体基板上の絶縁膜の
表面に形成されるバンプの周縁部を、環状形成物、パッ
ドなどを利用して、環状凸部をより高く形成することに
より、半導体基板のウエハーテストにおいて、テスト用
接続ニードルがバンプ上面から滑って外れ、コンタクト
不良となることを効果的に防止することができる。この
ようにすることにより、ウエハーテストにおいて、集積
回路の生産上の歩留まりが向上する。
【図１】図１は、本発明における第一実施形態の集積回
路の端子構造の概略模式拡大図であり、（ａ）は平面図
を、（ｂ）は断面図を示している。
路の端子構造の概略模式拡大図であり、（ａ）は平面図
を、（ｂ）は断面図を示している。
【図２】図２は、本発明における第二実施形態の集積回
路の端子構造の概略模式拡大図であり、（ａ）は平面図
を、（ｂ）は断面図を示している。
路の端子構造の概略模式拡大図であり、（ａ）は平面図
を、（ｂ）は断面図を示している。
【図３】図３は、本発明における第三実施形態の集積回
路の端子構造の概略模式拡大図であり、（ａ）は平面図
を、（ｂ）は断面図を示している。
路の端子構造の概略模式拡大図であり、（ａ）は平面図
を、（ｂ）は断面図を示している。
【図４】図４は、従来の集積回路の端子構造の概略模式
拡大図であり、（ａ）は平面図を、（ｂ）は断面図を示
している。
拡大図であり、（ａ）は平面図を、（ｂ）は断面図を示
している。
１ 端子構造 ２ 端子構造 ３ 端子構造 ４ 端子構造 １０ 半導体基板 １１ 絶縁膜 ２０ 環状形成物 ３０ パッド ３２ パッド ３３ パッド ４０ パッシベージョン膜 ５０ バンプ ５２ バンプ ５３ バンプ ５４ バンプ
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体基板上の絶縁膜の表面に形成され
たパッド上面に、バンプを有する集積回路の端子構造に
おいて、 前記パッドの上面または下面の少なくとも一方に形成さ
れ、前記バンプの上面外形より大きな外周平面形状を有
しかつこのバンプの上面外形より小さな内周平面形状を
有する環状形成物からなる層を具備し、 前記バンプの上面周縁部を、前記環状形成物の厚さ分高
く形成したことを特徴とする集積回路の端子構造。 - 【請求項２】 上記請求項１に記載の集積回路の端子構
造において、 前記環状形成物からなる層を配線層とし、この配線層ま
たは前記パッドのいずれか一方に前記集積回路を構成す
るための配線を接続したことを特徴とする集積回路の端
子構造。 - 【請求項３】 上記請求項１または請求項２に記載の集
積回路の端子構造において、 前記配線層と前記パッドの双方に前記集積回路を構成す
るための配線を接続したことを特徴とする集積回路の端
子構造。 - 【請求項４】 上記請求項１〜請求項３のいずれかに記
載の集積回路の端子構造において、 前記絶縁膜上に絶縁用のパッシベージョン膜を形成する
とともに、このパッシベージョン膜の前記パッドの周縁
部上面における孔の平面形状を、前記環状形成物の内周
平面形状にほぼ一致させたことを特徴とする集積回路の
端子構造。 - 【請求項５】 上記請求項１〜請求項４のいずれかに記
載の電子部品の実装構造において、 前記パッドを前記環状形成物の内周平面形状より小さい
内周平面形状を有する環状としたことを特徴とする集積
回路の端子構造。 - 【請求項６】 半導体基板上の絶縁膜の表面に形成され
たパッド上面に、バンプを有する集積回路の端子構造に
おいて、 前記パッドを、前記バンプの上面外形より大きな外周平
面形状を有しかつこのバンプの上面外形より小さな内周
平面形状を有する環状とし、 前記バンプの上面周縁部を、前記パッドの厚さ分高く形
成したことを特徴とする集積回路の端子構造。 - 【請求項７】 上記請求項１〜請求項６のいずれかに記
載の電子部品の実装構造において、 前記バンプの上面周縁部を２μｍ以上高く形成したこと
を特徴とする集積回路の端子構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10155799A JP3348681B2 (ja) | 1999-04-08 | 1999-04-08 | 集積回路の端子構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10155799A JP3348681B2 (ja) | 1999-04-08 | 1999-04-08 | 集積回路の端子構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000294593A true JP2000294593A (ja) | 2000-10-20 |
| JP3348681B2 JP3348681B2 (ja) | 2002-11-20 |
Family
ID=14303732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10155799A Expired - Fee Related JP3348681B2 (ja) | 1999-04-08 | 1999-04-08 | 集積回路の端子構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3348681B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005136246A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2005311293A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Seiko Epson Corp | 半導体チップ、半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子機器 |
| JP2008153696A (ja) * | 2008-03-06 | 2008-07-03 | Fujikura Ltd | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
| KR101023080B1 (ko) * | 2008-11-13 | 2011-03-24 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 금속 배선 및 그 형성 방법 |
| KR20160015841A (ko) * | 2014-07-31 | 2016-02-15 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
| KR20160038468A (ko) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
-
1999
- 1999-04-08 JP JP10155799A patent/JP3348681B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7901958B2 (en) | 2003-10-31 | 2011-03-08 | Renesas Electronics Corporation | Fabrication method of semiconductor integrated circuit device |
| JP2005136246A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
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| KR102256590B1 (ko) * | 2014-07-31 | 2021-05-26 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
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| KR20160038468A (ko) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
| KR20210096028A (ko) * | 2014-09-30 | 2021-08-04 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
| KR102288376B1 (ko) * | 2014-09-30 | 2021-08-11 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
| KR102424325B1 (ko) * | 2014-09-30 | 2022-07-25 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
| KR20220110670A (ko) * | 2014-09-30 | 2022-08-09 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
| KR102550006B1 (ko) | 2014-09-30 | 2023-07-03 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
Also Published As
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|---|---|
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