JPH03203338A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH03203338A
JPH03203338A JP1342866A JP34286689A JPH03203338A JP H03203338 A JPH03203338 A JP H03203338A JP 1342866 A JP1342866 A JP 1342866A JP 34286689 A JP34286689 A JP 34286689A JP H03203338 A JPH03203338 A JP H03203338A
Authority
JP
Japan
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pad electrode
silicon oxide
oxide film
bonding
mesa
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Pending
Application number
JP1342866A
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English (en)
Inventor
Seiichi Ueno
誠一 上野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH03203338A publication Critical patent/JPH03203338A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特にボンディングパッドを
有する半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
通常、半導体チップには外部回路接続用のボンディング
パッドが設けられている。
第３図は従来の半導体装置の一例を示す断面図である。
第３図に示すように、シリコン基板１の上に設けた酸化
シリコン膜２の上に選択的にパッド電極３を設け、バッ
電極３を含む表面に酸化シリコン膜４を設けて選択的に
エツチングし、パッド電極３の中央部を開孔する。
ここで、パッド電極３の周縁部は酸化シリコン膜の端部
により保護されているが、ポンデイグ線５の位置ずれに
より、ボンディング線５が酸化シリコン膜４の上に乗り
上げることがある。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体装置は、表面保護膜がパッド電極
の周縁部上を被覆して保護しており、この構造は半導体
装置の耐湿性向上のために必要である。このような構造
において、パッド電極上にボンディングされたボンディ
ング線が位置ずれを生じて表面保護膜上にかかる場合が
生じると、ボンディング線をパッド電極に圧着する場合
にボンディング線に荷重と振動が加えられるため、その
力によって、第３図に示すように、シリコン基板１にク
ラック６等の欠陥を生じ、半導体装置の品質を劣化させ
、信頼性を低下させるという問題点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は、半導体基板上に設けたメサ形の
ボンディングパッド形成領域と、前記ボンディングパッ
ド形成領域を含む表面に設けた絶縁膜と、前記絶縁膜上
の前記メサ形の上面及び傾斜面に設けたパッド電極と、
前記パッド電極の周縁部を含む領域に設けた保護膜とを
有する。
〔実施例〕
改番こ、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
第１図に示すように、シリコン基板１の表面を選択的に
エツチングして高さ１〜２μｍのメサ形のボンディング
パッド形成領域を形戒し、ボンディングパッド形成領域
を含む表面に酸化シリコン膜２を形成する。次に酸化シ
リコン膜２の上にアルミニウム層を堆積してこれを選択
的にエツチングし、メサ形のボンディング形成領域上の
上面及び傾斜面にパッド電極３を形成する。次に、パッ
ド電極３を含む表面に酸化シリコン膜４を堆積し、選択
的にニッティングしてパッドを極３の中央部を開孔し、
パッド電極３の周縁部を保護する。
ここで、パッド電極３の周縁部を保護する酸化シリコン
膜４の端部はメサ形の下部に設けられるのでボンディン
グ線が酸化シリコン膜４の端部に圧接されることを回避
でき、クラック等の損傷の発生を防止できる。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。
第２図に示すように、シリコン基板１の表面を選択的に
エツチングして環状の溝を形成し、内側をメサ形にした
ボンディングパッド形成領域を形成した以外は第１の実
施例と同じ槽底を有しており、パッド電極３の周縁部及
びパッド電極３の周縁部を保護する酸化シリコン［４の
端部が共に渭の底部に設けられるため、ボンディング線
が酸化シリコン膜４の端部に接触するのを回避できる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、パッド電極に金等のボン
ディング線を接続する場合、ボンディング線がパッド電
極周縁部の保護膜に接することを回避することができる
。従って、ボンディング線による保護膜の圧接による、
シリコン基板中へのダメージを回避でき、半導体装置の
信頼性を向上させるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例の断
面図、第３図は従来の半導体装置の一例を示す断面図で
ある。 １・・・シリコン基板、２・・・酸化シリコン膜、３・
・・パ・ソド電極、４・・・酸化シリコン膜、５・・・
ボンディング線、６・・・クラック。 充　１　図 見　２　図 秤糊人−ｈｕｇ−＆−０１３侘「 １区 力 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板上に設けたメサ形のボンディングパッド形成
    領域と、前記ボンディングパッド形成領域を含む表面に
    設けた絶縁膜と、前記絶縁膜上の前記メサ形の上面及び
    傾斜面に設けたパッド電極と、前記パッド電極の周縁部
    を含む領域に設けた保護膜とを有することを特徴とする
    半導体装置。
JP1342866A 1989-12-29 1989-12-29 半導体装置 Pending JPH03203338A (ja)

Priority Applications (1)

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JP1342866A JPH03203338A (ja) 1989-12-29 1989-12-29 半導体装置

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JP1342866A JPH03203338A (ja) 1989-12-29 1989-12-29 半導体装置

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Publication Number Publication Date
JPH03203338A true JPH03203338A (ja) 1991-09-05

Family

ID=18357106

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JP1342866A Pending JPH03203338A (ja) 1989-12-29 1989-12-29 半導体装置

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JP (1) JPH03203338A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015159206A (ja) * 2014-02-25 2015-09-03 株式会社ニコン 半導体装置及びその製造方法、撮像装置、並びに電子カメラ
JP2024075588A (ja) * 2019-10-23 2024-06-04 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 表示基板及びその製造方法、表示装置

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JP2015159206A (ja) * 2014-02-25 2015-09-03 株式会社ニコン 半導体装置及びその製造方法、撮像装置、並びに電子カメラ
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