JP2000294851A - 積層型圧電体電子デバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 圧電定数ｄ33による振動を利用すると共に耐
圧を向上させた積層型圧電体電子デバイスを提供する。 【解決手段】 互いに平行に配置された複数の直線状導
体１４ａからなる第１導体層と、互いに平行に配置され
た複数の直線状導体１５ａからなる第２導体層との間に
圧電セラミック板１３を挟むように、これらを交互に複
数積層し、全ての第１導体層の直線状導体１４ａの一端
を外部電極１２ａに接続し、全ての第２導体層の直線状
導体１５ａの一端を外部電極１２ｂに接続てなる積層型
圧電体電子デバイスにおいを構成する。この際、第２導
体層の直線状導体１５ａを、第１導体層の隣り合う２つ
の直線状導体１４ａのほぼ中間位置に対応して配置す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、圧電フィルタ、圧
電トランス、或いは圧電振動子に用いられる積層型圧電
体電子デバイスに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の急速な電子機器の小型化に伴い電
子回路を構成する電子素子（電子デバイス）も小型化さ
れてきている。この種の電子素子の一例として、圧電体
を用いた圧電フィルタ、圧電トランス、及び圧電振動子
が注目されている。

【０００３】例えば、従来の電磁トランスに代えて用い
られるようになった圧電トランスは、蓄電池駆動の電子
機器への商用電源からの充電回路又は商用電源から電力
を供給するための電源回路、或いは低電圧から高電圧へ
の変換回路等に用いられている。

【０００４】圧電トランスは、例えばチタン酸バリウム
やジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）系の圧電セラミック
ス等の圧電材料を使用した変圧素子である。

【０００５】この圧電トランスの基本構造は、圧電材料
の薄長板からなる圧電振動体、または圧電材料の薄長板
を積層した構造を有する圧電振動体の厚み方向に入力電
圧を印加して機械的振動を励起させる１次側電極を付設
した駆動部と、この機械的振動を電圧に変換して取り出
す２次側電極を付設した発電部とからなる。

【０００６】前述したように圧電トランスは、従来の電
磁トランスに比べて小型であるため、高電圧発生素子或
いは電源用変圧素子として、液晶のバックライト電源、
空気清浄器、オゾン発生器やコピー機等に多用されてい
る。

【０００７】図３２は、圧電トランスの典型である所謂
ローゼン型圧電トランスを示す斜視図である。図におい
て、ローゼン型圧電トランス１は、圧電材料からなる薄
長板状のシートを積層した構造をなす圧電振動体２と、
圧電振動体２の厚み方向に対向して１次側電極３ａ，３
ｂを付設した駆動部４と、圧電振動体２の一端面に２次
側電極５を付設した発電部６とから構成されている。

【０００８】上記構成により、１次側電極３ａ，３ｂ間
に交流入力電圧Ｖinを印加して駆動部４に機械的振動を
励起させ、２次側電極６に交流出力電圧Ｖoutが得られ
る（Ｒoは負荷抵抗）。

【０００９】尚、図中の矢印⇒は圧電振動体２における
分極方向を示す。即ち、一次側分極は圧電振動体２の厚
さ方向に発生し、二次側分極は圧電振動体２の長さ方向
に発生している。ここで、電圧の変換に使用する振動方
向は、圧電振動体２の長さ方向に発生する振動である。

【００１０】また、圧電トランス１は、その内部に等価
回路における抵抗成分、容量成分、誘導性分を有して共
振回路を形成しており、そのため圧電トランスの伝達効
率η（％）の周波数特性には、１次、２次、３次、・・
・の各共振周波数ｆ１、ｆ２、ｆ３、・・・にてピーク
が現れる。大きな共振ピークとして、１次共振振動（λ
／２モード）、２次共振振動（λモード）、３次共振振
動（３λ／２モード）が知られており、圧電トランス１
がこれらの共振周波数帯でのみ大きく電力を伝達する一
種のフィルタの作用を示す。

【００１１】従って、高い出力電力（即ち、高い伝達効
率η）を得るためには、圧電トランス１の機械的振動に
おける基本共振周波数の波長λの１／２の整数倍（１次
共振振動（λ／２モード）、２次共振振動（λモー
ド）、３次共振振動（３λ／２モード）、・・・）で駆
動することが望ましい。

【００１２】前述したように、一次側の駆動部４の役割
は入力された電気エネルギーを機械的エネルギー（振
動）に変換することであり、二次側の発電部６の役割は
圧電振動体２に発生した振動を電気エネルギーに変換す
ることである。

【００１３】このため、一次側は与えられた電気エネル
ギーをいかに大きな振動にするか、つまり周波数が同じ
であれば使用する振動方向の変位量を大きく発生させれ
ば変換効率を高めることができる。また、二次側は、こ
の与えられた変位量によっていかに大きな電力を発生す
るかがポイントとなる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来のローゼン型圧電トランス１では、一次側は振動
に対して分極は垂直方向のため、圧電定数ｄ31を利用し
ている。

【００１５】ところが、圧電定数ｄ31は、振動方向に平
行な分極で用いられる圧電定数ｄ33と比べて、絶対値は
約１／３〜１／４程度であり（例、ｄ31≒−１４０に対
してｄ33≒３３０；単位は×１０^-12[m/V]）、変位量の
大きな振動を発生させるには圧電定数ｄ33を使用するこ
とが好ましい。

【００１６】二次側については、発電量を表す電力出力
係数ｇを用いて比較すると、振動方向に垂直な分極の場
合をｇ31、振動方向に平行な分極の場合をｇ33とする
と、ｇ31とｇ33の比は約１／２〜１／３であり（例、ｇ
31≒−１０に対してｇ33≒２３；単位は×１０^-3[V・m/
N]）、分極方向の振動を用いた方が好ましい。

【００１７】そこで、特開平１１−８４２０号公報に開
示される圧電トランスは、圧電定数ｄ33を使用して振動
を発生させるために、プラス側とマイナス側の線状電極
を交互に並べて積層している。

【００１８】一方、電極の構造によって、特にプラス側
とマイナス側の電極が同じ層にある場合、耐圧が低下す
ることがあるという問題点があった。この理由として
は、第一に積層数が数十層から数百層と多い場合に、層
間のマイクロデラミネーションが生じるためである。第
二に、電極材料のマイグレーションが生じるためであ
る。

【００１９】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、圧電
定数ｄ33による振動を利用すると共に耐圧を向上させた
積層型圧電体電子デバイスを提供することにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために請求項１では、第１導体層と第２導体層と
の間に圧電体層を挟むように、該第１導体層と第２導体
層と圧電体層とを交互に複数積層してなる積層型圧電体
電子デバイスにおいて、前記第１導体層は互いに平行な
複数の直線状導体からなる第１電極を有し、前記第２導
体層は互いに平行で且つ前記前記圧電体層に平行な方向
において前記第１電極の隣り合う直線状導体の間に第１
電極の直線状導体に対応して平行に配置された複数の直
線状導体からなる第２電極を有し、前記第１電極の直線
状導体同士を接続する第１接続導体と、前記第２電極の
直線状導体同士を接続する第２接続導体とを備えている
積層型圧電体電子デバイスを提案する。

【００２１】該積層型圧電体デバイスによれば、前記第
１電極と第２電極間に交流電圧を印加すると、これら第
１電極と第２電極との間に存在する圧電体に分極が生ず
ると共に電圧印加方向の変化に同期して振動を生ずる。
また、前記第２電極の直線状導体は第１電極の隣り合う
直線状導体の間に第１電極の直線状導体に対応して平行
に配置されているので、前記圧電体の振動方向は圧電体
層とほぼ平行な方向となる。

【００２２】また、請求項２では、請求項１記載の積層
型圧電体電子デバイスにおいて、前記第１電極及び第２
電極の直線状導体の一端はそれぞれデバイスの異なる表
面に露出し、前記第１接続導体は第１電極の直線状導体
が露出した面に形成された第１外部電極からなり、前記
第２接続導体は第２電極の直線状導体が露出した面に形
成された第２外部電極からなる積層型圧電体電子デバイ
スを提案する。

【００２３】該積層型圧電体デバイスによれば、各第１
電極の複数の直線状導体はその露出面に形成された第１
外部電極によって互いに接続され、各第２電極の複数の
直線状導体はその露出面に形成された第２外部電極によ
って互いに接続される。

【００２４】また、請求項３では、請求項１記載の積層
型圧電体電子デバイスにおいて、前記第１接続導体と第
２接続導体は少なくともその一部がデバイスの表面に露
出するように前記導体層に形成されていると共に、デバ
イス表面に形成され前記第１接続導体同士を接続する第
１外部電極と、デバイス表面に形成され前記第２接続導
体同士を接続する第２外部電極とを備えている積層型圧
電体電子デバイスを提案する。

【００２５】該積層型圧電体デバイスによれば、各第１
導体層では第１電極の複数の直線状導体は第１接続導体
によって互いに接続され、各第２導体層では第２電極の
複数の直線状導体は第２接続導体によって互いに接続さ
れる。さらに、各第１接続導体はその露出面に形成され
た第１外部電極によって互いに接続され、各第２接続導
体はその露出面に形成された第２外部電極によって互い
に接続される。

【００２６】また、請求項４では、請求項１乃至３の何
れかに記載の積層型圧電体電子デバイスにおいて、積層
方向に平行で且つ前記直線状導体に平行な異なる２つの
デバイス表面に前記直線状導体に対向するように第３の
外部電極と第４の外部電極が形成されている積層型圧電
体電子デバイスを提案する。

【００２７】該積層型圧電体デバイスによれば、前記第
１電極及び第２電極の間に交流電圧が印加されると、こ
れら第１電極と第２電極との間に存在する圧電体に分極
が生ずると共に電圧印加方向の変化に同期して振動を生
ずる。また、前記第２電極の直線状導体は第１電極の隣
り合う直線状導体の間に第１電極の直線状導体に対応し
て平行に配置されているので、前記圧電体の振動方向は
圧電体層とほぼ平行な方向となる。さらに、第３の外部
電極と第４の外部電極が、積層方向に平行で且つ前記第
１電極及び第２電極の直線状導体に平行な位置に形成さ
れているので、前記圧電体の振動に伴い第３電極と第４
電極との間に分極が生じ、これら第３電極と第４電極と
の間に交流電圧が発生する。

【００２８】また、請求項５では、第１導体層と第２導
体層との間に圧電体層を挟むように、該第１導体層と第
２導体層と圧電体層とを交互に複数積層してなる単位積
層体を２つ以上積層してなる積層型圧電体電子デバイス
であって、前記単位積層体において、前記第１導体層は
互いに平行な複数の直線状導体からなる第１電極を有
し、前記第２導体層は互いに平行で且つ前記前記圧電体
層に平行な方向において前記第１電極の隣り合う直線状
導体の間に第１電極の直線状導体に対応して平行に配置
された複数の直線状導体からなる第２電極を有し、前記
第１電極の直線状導体同士を接続する第１接続導体と、
前記第２電極の直線状導体同士を接続する第２接続導体
とを備え、異なる単位積層体の直線状導体が互いに平行
になるように前記単位積層体が積層されている積層型圧
電体電子デバイスを提案する。

【００２９】該積層型圧電体デバイスによれば、例え
ば、一の単位積層体における第１電極及び第２電極の間
に交流電圧が印加されると、これら第１電極と第２電極
との間に存在する圧電体に分極が生ずると共に電圧印加
方向の変化に同期して振動を生ずる。また、前記第２電
極の直線状導体は第１電極の隣り合う直線状導体の間に
第１電極の直線状導体に対応して平行に配置されている
ので、前記圧電体の振動方向は圧電体層とほぼ平行な方
向となる。さらに、この振動は積層された他の単位積層
体にも伝達され、他の単位積層体においては圧電体の振
動に伴い第１電極と第２電極との間に分極が生じ、これ
ら第１電極と第２電極との間に交流電圧が発生する。

【００３０】また、請求項６では、では、請求項５記載
の積層型圧電体電子デバイスにおいて、前記第１電極及
び第２電極の直線状導体の一端はそれぞれデバイスの異
なる表面に露出し、前記単位積層体において、前記第１
接続導体は第１電極の直線状導体が露出した面に形成さ
れた第１外部電極からなり、前記第２接続導体は第２電
極の直線状導体が露出した面に形成された第２外部電極
からなり、各単位積層体の第１外部電極及び第２外部電
極はそれぞれ異なる位置に形成されている積層型圧電体
電子デバイスを提案する。

【００３１】該積層型圧電体デバイスによれば、各単位
積層体において、各第１電極の複数の直線状導体はその
露出面に形成された第１外部電極によって互いに接続さ
れ、各第２電極の複数の直線状導体はその露出面に形成
された第２外部電極によって互いに接続される。また、
異なる単位積層体の第１外部電極及び第２外部電極は互
いに絶縁されている。

【００３２】また、請求項７では、請求項５記載の積層
型圧電体電子デバイスにおいて、前記第１接続導体と第
２接続導体は少なくともその一部がデバイスの表面に露
出するように前記導体層に形成されていると共に、デバ
イス表面に形成され同一の単位積層体に含まれる前記第
１接続導体同士を接続する第１外部電極と、デバイス表
面に形成され同一の単位積層体に含まれる前記第２接続
導体同士を接続する第２外部電極とを備え、各単位積層
体の外部電極はそれぞれ異なる位置に形成されている積
層型圧電体電子デバイスを提案する。

【００３３】該積層型圧電体デバイスによれば、各第１
導体層では第１電極の複数の直線状導体は第１接続導体
によって互いに接続され、各第２導体層では第２電極の
複数の直線状導体は第２接続導体によって互いに接続さ
れる。さらに、各単位積層体毎に各第１接続導体はその
露出面に形成された第１外部電極によって互いに接続さ
れ、各第２接続導体はその露出面に形成された第２外部
電極によって互いに接続される。また、異なる単位積層
体の第１外部電極及び第２外部電極は互いに絶縁されて
いる。

【００３４】また、請求項８では、２つの第１単位積層
体で第２単位積層体を挟むように該第１単位積層体と第
２単位積層体を積層してなる積層型圧電体電子デバイス
であって、前記第１単位積層体は、第１導体層と第２導
体層との間に圧電体層を挟むように該第１導体層と第２
導体層と圧電体層とを交互に複数積層してなり、前記第
１導体層は互いに平行な複数の直線状導体からなる第１
電極を有し、前記第２導体層は互いに平行で且つ前記前
記圧電体層に平行な方向において前記第１電極の隣り合
う直線状導体の間に第１電極の直線状導体に対応して平
行に配置された複数の直線状導体からなる第２電極を有
し、前記第２単位積層体は、第３導体層と圧電体層とを
交互に複数積層してなり、前記第３導体層は、互いに平
行で且つ前記第１電極の直線状導体と平行な位置に形成
された直線状導体からなる第３電極及び第４電極とを有
し、前記第１電極の直線状導体同士を接続する第１接続
導体と、前記第２電極の直線状導体同士を接続する第２
接続導体と、前記第３電極の直線状導体同士を接続する
第３接続導体と、前記第４電極の直線状導体同士を接続
する第４接続導体とを備えている積層型圧電体電子デバ
イスを提案する。

【００３５】該積層型圧電体デバイスによれば、例え
ば、２つの第１単位積層体における第１電極及び第２電
極の間に交流電圧が印加されると、これら第１電極と第
２電極との間に存在する圧電体に分極が生ずると共に電
圧印加方向の変化に同期して振動を生ずる。また、前記
第２電極の直線状導体は第１電極の隣り合う直線状導体
の間に第１電極の直線状導体に対応して平行に配置され
ているので、前記圧電体の振動方向は圧電体層とほぼ平
行な方向となる。さらに、この振動は２つの第１単位積
層体の間に積層された第２単位積層体にも伝達され、第
２単位積層体においては圧電体の振動に伴い第３電極と
第４電極との間に分極が生じ、これら第３電極と第４電
極との間に交流電圧が発生する。

【００３６】また、請求項９では、請求項８記載の積層
型圧電体電子デバイスにおいて、前記第１電極及び第２
電極の直線状導体の一端がそれぞれデバイスの異なる表
面に露出すると共に前記第３電極及び第４電極は少なく
とも一部がデバイスの表面に露出し、前記第１接続導体
は第１電極の直線状導体が露出した面に形成された第１
外部電極からなり、前記第２接続導体は第２電極の直線
状導体が露出した面に形成された第２外部電極からな
り、前記第３接続導体は第３電極が露出した面に形成さ
れた第３外部電極からなり、前記第４接続導体は第４電
極が露出した面に形成された第４外部電極からなる積層
型圧電体電子デバイスを提案する。

【００３７】該積層型圧電体デバイスによれば、各第１
電極の複数の直線状導体はその露出面に形成された第１
外部電極によって互いに接続され、各第２電極の複数の
直線状導体はその露出面に形成された第２外部電極によ
って互いに接続される。さらに、各第３電極の複数の直
線状導体はその露出面に形成された第３外部電極によっ
て互いに接続され、各第４電極の複数の直線状導体はそ
の露出面に形成された第４外部電極によって互いに接続
される。

【００３８】また、請求項１０では、請求項８記載の積
層型圧電体電子デバイスにおいて、前記第１接続導体と
第２接続導体は少なくともその一部がデバイスの表面に
露出するように前記導体層に形成されていると共に前記
第３電極及び第４電極は少なくとも一部がデバイスの表
面に露出し、デバイス表面に形成され前記第１接続導体
同士を接続する第１外部電極と、デバイス表面に形成さ
れ前記第２接続導体同士を接続する第２外部電極とを備
え、前記第３接続導体は第３電極が露出した面に形成さ
れた第３外部電極からなり、前記第４接続導体は第４電
極が露出した面に形成された第４外部電極からなる積層
型圧電体電子デバイスを提案する。

【００３９】該積層型圧電体デバイスによれば、各第１
導体層では第１電極の複数の直線状導体は第１接続導体
によって互いに接続され、各第２導体層では第２電極の
複数の直線状導体は第２接続導体によって互いに接続さ
れる。さらに、各第１接続導体はその露出面に形成され
た第１外部電極によって互いに接続され、各第２接続導
体はその露出面に形成された第２外部電極によって互い
に接続される。また、各第３電極の複数の直線状導体は
その露出面に形成された第３外部電極によって互いに接
続され、各第４電極の複数の直線状導体はその露出面に
形成された第４外部電極によって互いに接続される。

【００４０】また、請求項１１では、第１導体層と第２
導体層との間に圧電体層を挟むように、第１導体層と第
２導体層と圧電体層とを交互に複数積層してなる積層型
圧電体電子デバイスであって、前記第１導体層は、互い
に平行な複数の直線状導体からなる第１電極と、互いに
平行で且つ第１電極の直線状導体に平行な複数の直線状
導体からなる第３電極とを有し、前記第２導体層は、互
いに平行で且つ前記前記圧電体層に平行な方向において
前記第１電極の隣り合う直線状導体の間に第１電極の直
線状導体に対応して平行に配置された複数の直線状導体
からなる第２電極と、第２電極の直線状導体に平行で且
つ前記前記圧電体層に平行な方向において前記第３電極
の隣り合う直線状導体の間に第３電極の直線状導体に対
応して平行に配置された複数の直線状導体からなる第４
電極とを有し、前記第１電極の直線状導体同士を接続す
る第１接続導体と、前記第２電極の直線状導体同士を接
続する第２接続導体と、前記第３電極の直線状導体同士
を接続する第３接続導体と、前記第４電極の直線状導体
同士を接続する第４接続導体とを備えている積層型圧電
体電子デバイスを提案する。

【００４１】該積層型圧電体デバイスによれば、例え
ば、第１電極及び第２電極の間に交流電圧が印加される
と、これら第１電極と第２電極との間に存在する圧電体
に分極が生ずると共に電圧印加方向の変化に同期して振
動を生ずる。また、前記第２電極の直線状導体は第１電
極の隣り合う直線状導体の間に第１電極の直線状導体に
対応して平行に配置されているので、前記圧電体の振動
方向は圧電体層とほぼ平行な方向となる。さらに、この
振動は圧電体層を介して第３電極及び第４電極に伝達さ
れ、圧電体の振動に伴い第３電極と第４電極との間に分
極が生じ、これら第３電極と第４電極との間に交流電圧
が発生する。

【００４２】また、請求項１２では、請求項１１記載の
積層型圧電体電子デバイスにおいて、前記第１電極及び
第２電極の直線状導体の一端はそれぞれデバイスの異な
る表面に露出すると共に前記第１電極及び第２電極の直
線状導体の一端はそれぞれデバイスの異なる表面に露出
し、前記第１接続導体は第１電極の直線状導体が露出し
た面に形成された第１外部電極からなり、前記第２接続
導体は第２電極の直線状導体が露出した面に形成された
第２外部電極からなり、前記第３接続導体は第３電極の
直線状導体が露出した面に形成された第３外部電極から
なり、前記第４接続導体は第４電極の直線状導体が露出
した面に形成された第４外部電極からなる積層型圧電体
電子デバイスを提案する。

【００４３】該積層型圧電体デバイスによれば、各第１
電極の複数の直線状導体はその露出面に形成された第１
外部電極によって互いに接続され、各第２電極の複数の
直線状導体はその露出面に形成された第２外部電極によ
って互いに接続される。各第３電極の複数の直線状導体
はその露出面に形成された第３外部電極によって互いに
接続され、各第４電極の複数の直線状導体はその露出面
に形成された第４外部電極によって互いに接続される。
さらに、第１外部電極乃至第４外部電極は互いに絶縁さ
れている。

【００４４】また、請求項１３では、請求項１１記載の
積層型圧電体電子デバイスにおいて、前記第１乃至第４
接続導体のそれぞれは少なくともその一部がデバイスの
表面に露出するように前記導体層に形成されていると共
に、デバイス表面に形成され前記第１接続導体同士を接
続する第１外部電極と、デバイス表面に形成され前記第
２接続導体同士を接続する第２外部電極と、デバイス表
面に形成され前記第３接続導体同士を接続する第３外部
電極と、デバイス表面に形成され前記第４接続導体同士
を接続する第４外部電極とを備えている積層型圧電体電
子デバイスを提案する。

【００４５】該積層型圧電体デバイスによれば、各第１
導体層では第１電極の複数の直線状導体が第１接続導体
によって互いに接続されると共に第３電極の複数の直線
状導体が第３接続導体によって互いに接続され、各第２
導体層では第２電極の複数の直線状導体は第２接続導体
によって互いに接続されると共に第４電極の複数の直線
状導体が第３４続導体によって互いに接続される。さら
に、各第１接続導体はその露出面に形成された第１外部
電極によって互いに接続され、各第２接続導体はその露
出面に形成された第２外部電極によって互いに接続され
る。各第３接続導体はその露出面に形成された第３外部
電極によって互いに接続され、各第４接続導体はその露
出面に形成された第４外部電極によって互いに接続され
る。さらに、異なる単位積層体の第１外部電極乃至第４
外部電極は互いに絶縁されている。

【００４６】また、請求項１４では、請求項１１記載の
積層型圧電体電子デバイスにおいて、前記第１接続導体
と第２接続導体は前記導体層に形成され、各第１導体層
では第１電極の少なくとも一の直線状導体の一端及び第
３電極の少なくとも一の直線状導体の一端が一方のデバ
イス表面に露出し、各第２導体層では第２電極の少なく
とも一の直線状導体の一端及び第４電極の少なくとも一
の直線状導体の一端が他方のデバイス表面に露出し、デ
バイス表面に形成され前記第１電極の露出した直線線上
導体同士を接続する第１外部電極と、デバイス表面に形
成され前記第２電極の露出した直線線上導体同士を接続
する第２外部電極と、デバイス表面に形成され前記第３
電極の露出した直線線上導体同士を接続する第３外部電
極と、デバイス表面に形成され前記第４電極の露出した
直線線上導体同士を接続する第４外部電極とを備えてい
る積層型圧電体電子デバイスを提案する。

【００４７】該積層型圧電体デバイスによれば、各第１
導体層では第１電極の複数の直線状導体が第１接続導体
によって互いに接続されると共に第３電極の複数の直線
状導体が第３接続導体によって互いに接続され、各第２
導体層では第２電極の複数の直線状導体は第２接続導体
によって互いに接続されると共に第４電極の複数の直線
状導体が第３４続導体によって互いに接続される。さら
に、各第１導体層における第１電極の少なくとも一の直
線状導体はその露出面に形成された第１外部電極によっ
て互いに接続され、第３電極の少なくとも一の直線状導
体はその露出面に形成された第３外部電極によって互い
に接続される。また、各第２導体層における第２電極の
少なくとも一の直線状導体はその露出面に形成された第
２外部電極によって互いに接続され、第４電極の少なく
とも一の直線状導体はその露出面に形成された第４外部
電極によって互いに接続される。

【００４８】また、請求項１５では、請求項１４記載の
積層型圧電体電子デバイスにおいて、前記直線状導体
は、前記第１電極と第２電極との間に交流電圧を印加し
たときに生じる振動のノード点近傍位置においてデバイ
ス表面に露出している積層型圧電体電子デバイスを提案
する。

【００４９】該積層型圧電体デバイスによれば、直線状
導体が振動のノード点近傍位置においてデバイス表面に
露出しているので、露出した直線状導体にかかる前記振
動によって生ずる変位が最小となる。

【００５０】また、請求項１６では、請求項１１、１
３、１４または１５記載の積層型圧電体電子デバイスに
おいて、前記第１接続導体と第２接続導体は前記導体層
に形成され且つ第１接続導体と第２接続導体が積層方向
に重ならない位置に形成されている積層型圧電体電子デ
バイスを提案する。

【００５１】該積層型圧電体デバイスによれば、第１接
続導体と第２接続導体が積層方向に重ならない位置に形
成されているので、これら第１接続導体と第２接続導体
の間において圧電体層の分極が生ずることがない。

【００５２】また、請求項１７では、請求項１１、１
３、１４、１５または１６の何れかに記載の積層型圧電
体電子デバイスにおいて、前記第３接続導体と第４接続
導体は前記導体層に形成され且つ第３接続導体と第４接
続導体が積層方向に重ならない位置に形成されている積
層型圧電体電子デバイスを提案する。

【００５３】該積層型圧電体デバイスによれば、第３接
続導体と第４接続導体が積層方向に重ならない位置に形
成されているので、これら第３接続導体と第４接続導体
の間において圧電体層の分極が生ずることがない。

【００５４】また、請求項１８では、請求項３、７、１
０または１３記載の積層型圧電体電子デバイスにおい
て、前記接続導体は、前記第１電極と第２電極との間に
交流電圧を印加したときに生じる振動のノード点近傍位
置においてデバイス表面に露出している積層型圧電体電
子デバイスを提案する。

【００５５】該積層型圧電体デバイスによれば、接続導
体が振動のノード点近傍位置においてデバイス表面に露
出しているので、露出した接続導体にかかる前記振動に
よって生ずる変位が最小となる。

【００５６】また、請求項１９では、請求項１乃至１８
の何れかに記載の積層型圧電体電子デバイスにおいて、
前記第１電極の直線状導体と前記第２電極の直線状導体
との間の前記圧電体層に平行な方向の距離が、前記第１
電極の隣接する直線状導体間の距離の約１／２に設定さ
れている積層型圧電体電子デバイスを提案する。

【００５７】該積層型圧電体デバイスによれば、第１電
極と第２電極との間の距離を、耐圧を下げずに短く設定
することができる。

【００５８】また、請求項２０では、請求項１乃至１８
の何れかに記載の積層型圧電体電子デバイスにおいて、
前記第１電極及び前記第２電極の同一層内における隣接
する直線状導体間の距離が、前記圧電体層の厚み方向に
おける前記第１電極と第２電極との間の距離よりも大き
く設定されている積層型圧電体電子デバイスを提案す
る。

【００５９】該積層型圧電体デバイスによれば、分極方
向と振動方向が大きく異ならないので、圧電体における
ｄ３３振動が生じやすくなる。

【００６０】また、請求項２１では、請求項１乃至１８
の何れかに記載の積層型圧電体電子デバイスにおいて、
前記第１電極と第２電極との間に交流電圧を印加したと
きの前記圧電体層の分極方向と振動方向とのなす角度が
０度よりも大きく４５度よりも小さい角度になるように
前記第１電極及び第２電極が配置されている積層型圧電
体電子デバイスを提案する。

【００６１】該積層型圧電体デバイスによれば、分極方
向と振動方向が大きく異ならないので、圧電体における
ｄ３３振動が生じやすくなる。

【００６２】また、請求項２２では、請求項１乃至１８
の何れかに記載の積層型圧電体電子デバイスにおいて、
前記第１電極の一の直線状導体と該直線状導体に最も近
い位置に形成されている第２電極の直線状導体の双方に
対して直角に交わる直線の方向と、前記第１電極と第２
電極との間に交流電圧を印加したときの前記圧電体層の
振動方向とのなす角度が、０度よりも大きく４５度より
も小さい角度になるように前記第１電極及び第２電極が
配置されている積層型圧電体電子デバイスを提案する。

【００６３】該積層型圧電体デバイスによれば、分極方
向と振動方向が大きく異ならないので、圧電体における
ｄ３３振動が生じやすくなる。

【００６４】

【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施形態を図面
に基づいて説明する。

【００６５】図１は、本発明の第１の実施形態における
積層型圧電体電子デバイス（以下、単に圧電体電子デバ
イスと称する）を示す外観斜視図、図２はその素体の分
解斜視図、図３は図２におけるＡ−Ａ線矢視方向略平断
面図、図４は図３におけるＢ−Ｂ線矢視方向略側断面図
である。尚、第１の実施形態は、本発明の積層型圧電体
電子デバイスの基本構造を示している。

【００６６】図において、１０は圧電体電子デバイス
で、圧電材料を主体とした直方体形状の素体１１を有
し、この素体１１の１対の対向側面にはそれぞれ外部電
極１２ａ，１２ｂが形成されている。

【００６７】素体１１は、図２乃至図４に示すように、
圧電セラミック材料からなる圧電セラミック板１３と、
第１導体層１４、及び第２導体層１５から成り、第１導
体層１４と第２導体層１５との間に圧電セラミック板１
３が介在されるように、これらを交互に積層して構成さ
れている。

【００６８】第１導体層１４は第１電極を構成する複数
の直線状導体１４ａからなり、第２導体層１５は第２電
極を構成する複数の直線状導体１５ａからなる。

【００６９】第１及び第２導体層１４，１５の直線状導
体１４ａ，１５ａは、互いにほぼ平行になるように等間
隔をあけて配置されている。また、第２導体層１５の直
線状導体１５ａは、第１導体層１４の隣り合う２つの直
線状導体１４ａのほぼ中間位置に対応して配置されてい
る。

【００７０】さらに、第１導体層１４の直線状導体１４
ａの一端は一方の外部電極１２ａが形成された素体１１
側面に露出し、この外部電極１２ａに導電接続されてい
る。また、第２導体層１５の直線状導体１５ａの一端は
一方の外部電極１２ｂが形成された素体１１側面に露出
し、この外部電極１２ｂに導電接続されている。

【００７１】また、第１導体層１４の直線状導体１４ａ
と、この直線状導体１４ａに最も近い第２導体層１５の
直線状導体１５ａとの間において、圧電セラミック板１
３の面に平行で直線状導体１４ａ，１５ａに直交する方
向の距離Ｌ１は、圧電セラミック板１３の面及び直線状
導体１４ａ，１５ａに直交する方向の距離Ｌ２の約３倍
に設定されている。

【００７２】上記構成の圧電体電子デバイスは次のよう
にして作製した。

【００７３】まず、Ｐｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ₃系のＰＺＴ
セラミックを形成するセラミックスラリーを用いてドク
ターブレード法によりセラミックグリーンシートを形成
した。

【００７４】次に、このグリーンシートの上面に第１導
体層１４及び第２導体層１５の直線状導体１４ａ，１５
ａを形成するＡｇ／Ｐｄを含む導体ペーストを印刷し
た。

【００７５】この後、導体ペーストを印刷したグリーン
シートを積層し、さらに上下層に導体ペーストを印刷し
ていないグリーンシートを積層して、これらを圧着し
た。

【００７６】次いで、この積層体を焼成して素体１１得
た後、素体１１の所定側面にＡｇを蒸着して外部電極１
２ａ，１２ｂを形成することに圧電体電子デバイス１０
を得た。

【００７７】前述の構成よりなる圧電体電子デバイス１
０は、例えば、外部電極１２ａ，１２ｂ間に交流電圧を
印加すると、圧電効果により第１導体層１４の直線状導
体１４ａと第２導体層１５の直線状導体１５ａとの間に
存在する圧電セラミックに分極が生じて、電圧極性の変
化に同期して強い機械的な振動を生ずる。

【００７８】ここで、第２導体層１５の直線状導体１５
ａは第１導体層１４の隣り合う直線状導体１４ａのほぼ
中間に配置され、且つ上記距離Ｌ１が距離Ｌ２の約３倍
に設定されていると共に第１及び第２導体層１４，１５
が複数積層されているので、圧電セラミック板１３の振
動方向は、圧電セラミック板１３の面に平行で直線状導
体１４ａ，１５ａに直交する方向となる。即ち、圧電定
数ｄ33による振動を発生している。

【００７９】また、上記構成では、対になる第１電極を
構成する直線状導体１４ａと第２電極を構成する直線状
導体１５ａを圧電セラミック板１３を介在してそれぞれ
異なる導体層１４，１５に配置しているので、層間のマ
イクロデラミネーション或いは電極材料のマイグレーシ
ョンが生じ難く、常に耐圧を比較的高く保つことができ
る。さらに、電極密度を高く設定することができるた
め、電流容量を低下させずに、小型化が可能になる。

【００８０】尚、本実施形態では、上記距離Ｌ１が距離
Ｌ２の約３倍になるように直線状導体１４ａ，１５ａを
配置したが、同一層内における隣接する直線状導体１４
ａ，１５ａ間の距離が、圧電セラミック板１３の厚み方
向における上記距離Ｌ２よりも大きく設定されていれば
ほぼ同様の効果が得られる。

【００８１】また、電気／機械の変換効率を高めるため
には、外部電極１２ａ，１２ｂ間に交流電圧を印加した
ときの圧電セラミックの分極方向と振動方向とのなす角
度が０度よりも大きく４５度よりも小さい角度になるよ
うに第１導体層１４及び第２導体層１５の直線状導体１
４ａ，１５ａを配置することが好ましい。

【００８２】また、上記圧電セラミックの分極方向は、
第１導体層１４の任意の直線状導体１４ａとこの直線状
導体１４ａに最も近い位置に形成されている第２導体層
１５の直線状導体１５ａの双方に対して直角に交わる直
線の方向とほぼ一致する。従って、電気／機械の変換効
率を高めるためには、この直線の方向と外部電極１２
ａ，１２ｂ間に交流電圧を印加したときの生じる圧電セ
ラミックの振動方向とのなす角度が、０度よりも大きく
４５度よりも小さい角度になるように第１導体層１４及
び第２導体層１５の直線状導体１４ａ，１５ａを配置す
ることが好ましい。

【００８３】次に、本発明の第２の実施形態を説明す
る。

【００８４】図５は第２の実施形態における圧電体電子
デバイス２０を示す外観斜視図、図６はその素体の分解
斜視図、図７は図６のＡ−Ａ線矢視方向略平断面図であ
る。図において、前述した第１の実施形態と同一構成部
分は同一符号をもって表しその説明を省略する。また、
第１の実施形態と第２の実施形態との相違点は、第１及
び第２の導体層１４，１５のそれぞれに接続導体２４
ｂ，２５ｂを設け、この接続導体２４ｂ，２５ｂによっ
て直線状導体２４ａ，２５ａと外部電極２２ａ，２２ｂ
を接続したことにある。

【００８５】即ち、第１導体層１４は、第１電極を構成
する複数の直線状導体２４ａと１つの接続導体２４ｂと
からなり、第２導体層１５は第２電極を構成する複数の
直線状導体２５ａと１つの接続導体２５ｂとからなる。

【００８６】第１導体層１４の直線状導体２４ａは、互
いにほぼ平行になるように等間隔をあけて配置され、そ
の一端が接続導体２４ｂに接続されている。また、接続
導体２４ｂの一部が一方の外部電極２２ａが形成された
素体１１側面に露出し、この外部電極２２ａに導電接続
されている。

【００８７】また、第２導体層１５の直線状導体２５ａ
は、互いにほぼ平行になるように等間隔をあけて配置さ
れ、その一端が接続導体２５ｂに接続されている。ま
た、接続導体２５ｂの一部が一方の外部電極２２ｂが形
成された素体１１側面に露出し、この外部電極２２ｂに
導電接続されている。

【００８８】ここで、接続導体２４ｂ，２５ｂの露出位
置を振動のノード点に設定し、外部電極２２ａ，２２ｂ
をノード点近傍にのみに形成することにより、素体１１
の機械的な振動によって生じる変位によって接続導体２
４ｂ，２５ｂと外部電極２２ａ，２２ｂとの間に生じや
すい接続不良の発生を低減することができる。

【００８９】次に、本発明の第３の実施形態を説明す
る。

【００９０】図８は第３の実施形態の圧電体電子デバイ
ス３０を示す外観斜視図、図９はその略平断面図であ
る。図において、前述した第２の実施形態と同一構成部
分は同一符号をもって表しその説明を省略する。また、
第２の実施形態と第３の実施形態との相違点は、圧電セ
ラミック板１３の積層方向及び直線状導体２４ａ，２５
ａにほぼ平行で且つ外部電極形成面とは異なる素体１１
の１対の対向側面に第３及び第４の外部電極３１ａ，３
１ｂを形成したことである。

【００９１】このように第３及び第４の外部電極３１
ａ，３１ｂを設けることにより、これらの第３及び第４
の外部電極３１ａ，３１ｂから交流電圧を取り出すこと
ができるので、例えば周知の圧電トランスを構成するこ
とができる。

【００９２】即ち、第１及び第２の外部電極２２ａ，２
２ｂ間に交流電圧を印加すると、電歪効果によって第１
導体層１４の直線状導体２４ａと第２導体層１５の直線
状導体２５ａとの間に存在する圧電セラミックに分極が
生じて、電圧極性の変化に同期して強い機械的な振動を
生ずる。この振動は素体１１全体に広がるため、圧電効
果によって第３及び第４外部電極３１ａ，３１ｂに電荷
が発生し、第３及び第４外部電極３１ａ，３１ｂから交
流電圧を取り出すことができる。

【００９３】また、本実施形態では、圧電定数ｄ33によ
る振動を利用しているため、変位量の大きな振動を発生
させることができるので、小型にして高電圧を出力する
ことができる。

【００９４】次に、本発明の第４の実施形態を説明す
る。

【００９５】図１０は第４の実施形態の積層型圧電体電
子デバイスを示す外観斜視図、図１１はその分解斜視
図、図１２は図１０におけるＡ−Ａ線矢視方向の略平断
面図であるである。図において、前述した第１の実施形
態と同一構成部分は同一符号をもって表しその説明を省
略する。また、第４の実施形態の圧電体電子デバイス４
０は、第１の実施形態の圧電体電子デバイス１０を２個
用いてこれらを積層一体化したものである。

【００９６】図において、４０は圧電体電子デバイス
で、第１の実施形態の圧電体電子デバイス１０とほぼ同
じ構成の素体からなる単位積層体４１，４２を積層した
素体４３を備え、素体４３の対向する１対の側面には各
単位積層体４１，４２毎に互いに絶縁された外部電極４
１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂが形成されている。

【００９７】また、単位積層体４１，４２はそれぞれに
形成されている直線状導体１４ａ，１５ａが平行になる
ように積層されて一体化されている。

【００９８】前述の構成よりなる圧電体電子デバイス４
０は、搭載対象となる親回路基板の面に対して圧電セラ
ミック板１３の面がほぼ垂直になるように親回路基板へ
搭載することにより、各外部電極４１ａ，４１ｂ，４２
ａ，４２ｂと親回路基板上の印刷配線とを容易に半田付
けすることができる。

【００９９】また、上記の圧電体電子デバイス４０は、
例えば周知の圧電トランスとして用いることができる。
即ち、一方の単位積層体４１に形成されている外部電極
４１ａ，４１ｂ間に交流電圧を印加すると、電歪効果に
よって第１導体層１４の直線状導体１４ａと第２導体層
１５の直線状導体１５ａとの間に存在する圧電セラミッ
クに分極が生じて、印加電圧の極性変化に同期して強い
機械的な振動を生ずる。この振動は素体４３全体に広が
り、他方の単位積層体４２も振動するため、他方の単位
積層体４２では圧電効果によって外部電極４２ａ，４２
ｂに電荷が発生し、外部電極４２ａ，４２ｂから交流電
圧を取り出すことができる。

【０１００】また、本実施形態では、双方の単位積層体
４１，４２において分極方向と振動方向がほぼ一致する
圧電定数ｄ33による振動を利用しているため、変位量の
大きな振動を発生させることができるので、小型にして
高電圧を出力することができる。

【０１０１】また、上記構成では、対になる第１電極を
構成する直線状導体１４ａと第２電極を構成する直線状
導体１５ａを圧電セラミック板１３を介在してそれぞれ
異なる導体層１４，１５に配置しているので、層間のマ
イクロデラミネーション或いは電極材料のマイグレーシ
ョンが生じ難く、常に耐圧を比較的高く保つことができ
る。さらに、電極密度を高く設定することができるた
め、電流容量を低下させずに、小型化が可能になる。

【０１０２】次に、本発明の第５の実施形態を説明す
る。

【０１０３】図１３は第５の実施形態の積層型圧電体電
子デバイスを示す外観斜視図、図１４はその素体の分解
斜視図、図１５は図１４におけるＡ−Ａ線矢視方向略平
断面図、図１６は図１４におけるＢ−Ｂ線矢視方向略平
断面図である。

【０１０４】また、第５の実施形態の主要構成は、第４
の実施形態とほぼ同じであり、これらの相違点は、第２
の実施形態の圧電体電子デバイス２０を組み合わせて一
体化することにより、態搭載対象となる親回路基板の面
に対して圧電セラミック板１３の面がほぼ平行になるよ
うに親回路基板へ搭載したときに、各外部電極と親回路
基板上の印刷配線とを容易に半田付けできるようにした
ことである。

【０１０５】図において、前述した第２の実施形態と同
一構成部分は同一符号をもって表しその説明を省略す
る。即ち、５０は圧電体電子デバイスで、第２の実施形
態の圧電体電子デバイス２０とほぼ同様に構成された素
体からなる単位積層体５１，５２を積層した素体５３を
備え、素体５３の対向する１対の側面には各単位積層体
５１，５２に形成された第１及び第２電極を、各単位積
層体５１，５２毎に接続し且つ互いに絶縁された外部電
極５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂが形成されている。

【０１０６】また、単位積層体５１，５２は、それぞれ
に形成されている直線状導体２４ａ，２５ａが平行にな
るように積層されて一体化されている。

【０１０７】さらに、各単位積層体５１，５２における
接続導体２４ｂ，２５ｂのデバイス表面への露出位置
は、積層方向に互いに重ならない位置に設定されてい
る。また、これらに接続される外部電極５１ａ，５１
ｂ，５２ａ，５２ｂは、所定間隔をあけて形成され互い
に絶縁されると共に、積層方向の上端から下端に亘って
形成されている。

【０１０８】前述の構成よりなる圧電体電子デバイス５
０は、圧電セラミック板１３の面が親回路基板の面に対
してほぼ平行になるように親回路基板へ搭載することに
より、各外部電極５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂと回
路基板上の印刷配線とを容易に半田付けすることができ
る。

【０１０９】また、上記の圧電体電子デバイス５０も第
４の実施形態と同様に、例えば周知の圧電トランスとし
て用いることができる。即ち、一方の単位積層体５１に
形成されている外部電極５１ａ，５１ｂ間に交流電圧を
印加すると、電歪効果によって第１導体層２４の直線状
導体２４ａと第２導体層２５の直線状導体２５ａとの間
に存在する圧電セラミックに分極が生じて、印加電圧の
極性変化に同期して強い機械的な振動を生ずる。この振
動は素体５３全体に広がり、他方の単位積層体５２も振
動するため、他方の単位積層体５２では圧電効果によっ
て外部電極５２ａ，５２ｂに電荷が発生し、外部電極５
２ａ，５２ｂから交流電圧を取り出すことができる。

【０１１０】また、本実施形態では、双方の単位積層体
５１，５２において分極方向と振動方向がほぼ一致する
圧電定数ｄ33による振動を利用しているため、変位量の
大きな振動を発生させることができるので、小型にして
高電圧を出力することができる。

【０１１１】また、上記構成では、対になる第１電極を
構成する直線状導体２４ａと第２電極を構成する直線状
導体２５ａを圧電セラミック板１３を介在してそれぞれ
異なる導体層１４，１５に配置しているので、層間のマ
イクロデラミネーション或いは電極材料のマイグレーシ
ョンが生じても、常に耐圧を比較的高く保つことができ
る。さらに、電極密度を高く設定することができるた
め、電流容量を低下させずに、小型化が可能になる。

【０１１２】次に、本発明の第６の実施形態を説明す
る。

【０１１３】図１７は第６の実施形態の積層型圧電体電
子デバイスを示す外観斜視図、図１８はその素体を示す
分解斜視図、図１９は図１８におけるＡ−Ａ線矢視方向
の略平断面図、図２０は図１９におけるＢ−Ｂ線矢視方
向の略側断面図である。図において、前述した第１の実
施形態と同一構成部分は同一符号をもって表しその説明
を省略する。即ち、６０は圧電体電子デバイスで、前述
した第１の実施形態の圧電体電子デバイス１０と同様の
構成をなす２つの単位積層体６１，６２の間に第３の単
位積層体６３を挟むように積層して一体化した直方体形
状の素体６４を有し、素体６４の４つの側面のそれぞれ
には互いに絶縁された外部電極６５ａ，６５ｂ，６６
ａ，６６ｂが形成されている。

【０１１４】上下層を構成する単位積層体６１，６２
は、それぞれに形成されている直線状導体１４ａ，１５
ａが平行になるように積層されて一体化されている。ま
た、中間層を構成する単位積層体６３は、上面に互いに
平行な２つの直線状導体６７ａ，６７ｂが形成された圧
電セラミック板１３を複数積層して構成されている。２
つの直線状導体６７ａ，６７ｂは、他の単位積層体６
１，６２に形成されている直線状導体１４ａ，１５ａと
平行になるように配置され且つ互いに異なる素体側面に
露出するように形成されている。

【０１１５】また、第１の外部電極６５ａは素体６４の
側面に露出した第１電極を構成する全ての直線状導体１
４ａに接続され、第２の外部電極６５ｂは素体６４の側
面に露出した第２電極を構成する全ての直線状導体１５
ａに接続されている。さらに、第３の外部電極６６ａは
素体６４の側面に露出した複数の直線状導体６７ａに接
続され、第４の外部電極６６ｂは素体６４の側面に露出
した複数の直線状導体６７ｂに接続されている。

【０１１６】前述の構成よりなる圧電体電子デバイス６
０は、例えば周知の圧電トランスとして用いることがで
きる。即ち、上下層を構成する単位積層体６１，６２の
直線状導体１４ａ，１５ａに接続されている外部電極６
５ａ，６５ｂ間に交流電圧を印加すると、電歪効果によ
って第１導体層１４の直線状導体１４ａと第２導体層１
５の直線状導体１５ａとの間に存在する圧電セラミック
に分極が生じて、印加電圧の極性変化に同期して強い機
械的な振動を生ずる。この振動は、２つの単位積層体６
１，６２に挟まれた第３の単位積層体６３に伝達し、こ
の第３の単位積層体６３も振動する。このため、第３の
単位積層体６３では圧電効果によって直線状導体６７
ａ，６７ｂに電荷が発生し、外部電極６６ａ，６６ｂか
ら交流電圧を取り出すことができる。

【０１１７】また、本実施形態では、各単位積層体６１
〜６３において分極方向と振動方向がほぼ一致する圧電
定数ｄ33による振動を利用しているため、変位量の大き
な振動を発生させることができるので、小型にして高電
圧を出力することができる。

【０１１８】また、上記構成では、対になる第１電極を
構成する直線状導体１４ａと第２電極を構成する直線状
導体１５ａを圧電セラミック板１３を介在してそれぞれ
異なる導体層１４，１５に配置しているので、層間のマ
イクロデラミネーション或いは電極材料のマイグレーシ
ョンが生じ難く、常に耐圧を比較的高く保つことができ
る。さらに、電極密度を高く設定することができるた
め、電流容量を低下させずに、小型化が可能になる。

【０１１９】次に、本発明の第７の実施形態を説明す
る。

【０１２０】図２１は第７の実施形態の積層型圧電体電
子デバイスを示す外観斜視図、図２２はその素体を示す
分解斜視図、図２３は図２２におけるＡ−Ａ線矢視方向
の略平断面図である。

【０１２１】また、第７の実施形態の主要構成は、第６
の実施形態とほぼ同じであり、これらの相違点は、第２
の実施形態の圧電体電子デバイス２０を２つ用い、これ
らの間に第６の実施形態における第３の単位積層体６３
を配置して一体化したことである。

【０１２２】図において、前述した第２及び第６の実施
形態と同一構成部分は同一符号をもって表しその説明を
省略する。即ち、７０は圧電体電子デバイスで、前述し
た第２の実施形態の圧電体電子デバイス２０と同様の構
成をなす２つの単位積層体７１，７２の間に第３の単位
積層体６３を挟むように積層して一体化した直方体形状
の素体７４を有し、素体７４の４つの側面のそれぞれに
は互いに絶縁された外部電極７５ａ，７５ｂ，７６ａ，
７６ｂが形成されている。

【０１２３】上下層を構成する単位積層体７１，７２
は、それぞれに形成されている直線状導体２４ａ，２５
ａが平行になるように積層されて一体化されている。ま
た、中間層を構成する単位積層体６３は、上面に互いに
平行な２つの直線状導体６７ａ，６７ｂが形成された圧
電セラミック板１３を複数積層して構成されている。２
つの直線状導体６７ａ，６７ｂは、他の単位積層体７
１，７２に形成されている直線状導体２４ａ，２５ａと
平行になるように配置され且つ互いに異なる素体側面に
露出するように形成されている。

【０１２４】また、第１の外部電極７５ａは素体７４の
側面に露出した第１電極を構成する全ての接続導体２４
ｂの露出部分に接続され、第２の外部電極７５ｂは素体
７４の側面に露出した第２電極を構成する全ての直線状
導体２５ａに接続されている。さらに、第３の外部電極
７６ａは素体７４の側面に露出した複数の直線状導体６
７ａに接続され、第４の外部電極７６ｂは素体７４の側
面に露出した複数の直線状導体６７ｂに接続されてい
る。

【０１２５】前述の構成よりなる圧電体電子デバイス７
０は、例えば周知の圧電トランスとして用いることがで
きる。即ち、上下層を構成する単位積層体７１，７２の
直線状導体２４ａ，２５ａに接続されている外部電極７
６ａ，７６ｂ間に交流電圧を印加すると、電歪効果によ
って第１導体層１４の直線状導体２４ａと第２導体層１
５の直線状導体２５ａとの間に存在する圧電セラミック
に分極が生じて、印加電圧の極性変化に同期して強い機
械的な振動を生ずる。この振動は、２つの単位積層体７
１，７２に挟まれた第３の単位積層体６３に伝達し、こ
の第３の単位積層体６３も振動する。このため、第３の
単位積層体６３では圧電効果によって直線状導体６７
ａ，６７ｂに電荷が発生し、外部電極７６ａ，７６ｂか
ら交流電圧を取り出すことができる。

【０１２６】また、本実施形態では、各単位積層体７
１，７２，６３において分極方向と振動方向がほぼ一致
する圧電定数ｄ33による振動を利用しているため、変位
量の大きな振動を発生させることができるので、小型に
して高電圧を出力することができる。

【０１２７】また、上記構成では、対になる第１電極を
構成する直線状導体２４ａと第２電極を構成する直線状
導体１２ａを圧電セラミック板１３を介在してそれぞれ
異なる導体層１４，１５に配置しているので、層間のマ
イクロデラミネーション或いは電極材料のマイグレーシ
ョンが生じ難く、常に耐圧を比較的高く保つことができ
る。さらに、電極密度を高く設定することができるた
め、電流容量を低下させずに、小型化が可能になる。

【０１２８】また、本実施形態のように、接続導体２４
ｂ，２５ｂの露出位置を振動のノード点に設定し、外部
電極７５ａ，７５ｂをノード点近傍にのみに形成するこ
とにより、素体７４の機械的な振動によって生じる変位
によって接続導体２４ｂ，２５ｂと外部電極７５ａ，７
５ｂとの間に生じやすい接続不良の発生を低減すること
ができる。

【０１２９】次に、本発明の第８の実施形態を説明す
る。

【０１３０】図２４は第８の実施形態の積層型圧電体電
子デバイスを示す外観斜視図、図２５はその素体を示す
分解斜視図、図２６は図２５におけるＡ−Ａ線矢視方向
の略平断面図である。本実施形態の基本構成は前述した
第１の実施形態と同様であり、第１の実施形態の圧電体
電子デバイス１０の構成を圧電セラミック板と平行な方
向に２つ並べて形成した構成をなしている。図におい
て、前述した第１の実施形態と同一構成部分は同一符号
をもって表しその説明を省略する。

【０１３１】第８の実施形態の圧電体電子デバイス８０
は、図２４乃至図２６に示すように、圧電材料を主体と
した直方体形状の素体８１を有し、この素体８１の１対
の対向側面にはそれぞれ外部電極８２ａ，８２ｂ，８３
ａ，８３ｂが形成されている。

【０１３２】素体８１は、圧電セラミック材料からなる
圧電セラミック板１３と、第１導体層８４、及び第２導
体層８５から成り、第１導体層８４と第２導体層８５と
の間に圧電セラミック板１３が介在されるように、これ
らを交互に積層して構成されている。

【０１３３】第１導体層８４は、第１電極を構成する複
数の直線状導体８４ａと、第３電極を構成する複数の直
線状導体８４ｂとから構成されている。また、第２導体
層８５は、第２電極を構成する複数の直線状導体８５ａ
と、第４電極を構成する複数の直線状導体８５ｂとから
構成されている。

【０１３４】第１及び第２導体層８４，８５の直線状導
体８４ａ，８４ｂ，８５ａ，８５ｂは、互いにほぼ平行
になるように等間隔をあけて配置されている。さらに、
第１電極を構成する直線状導体８４ａと第３電極を構成
する直線状導体８４ｂとの間は、これらに接続される外
部電極８２ａ，８３ａ間を絶縁するために所定距離あけ
て配置されている。同様に、第２電極を構成する直線状
導体８５ａと第４電極を構成する直線状導体８５ｂとの
間は、これらに接続される外部電極８２ｂ，８３ｂ間を
絶縁するために所定距離あけて配置されている。

【０１３５】また、第２導体層８５の直線状導体８５
ａ，８５ｂは、第１導体層８４の隣り合う２つの直線状
導体８４ａ，８４ｂのほぼ中間位置に対応して配置され
ている。

【０１３６】さらに、第１導体層８４の直線状導体８４
ａ，８４ｂの一端は外部電極８２ａ，８３ａが形成され
ている素体側面に露出し、この外部電極８２ａ，８３ａ
に導電接続されている。また、第２導体層８５の直線状
導体８５ａ，８５ｂの一端は外部電極８２ｂ，８３ｂが
形成されている素体側面に露出し、この外部電極８２
ｂ，８３ｂに導電接続されている。

【０１３７】また、第１導体層８４の直線状導体８４ａ
と、この直線状導体８４ａに最も近い第２導体層８５の
直線状導体８５ａとの間においては、第１の実施形態と
同様に、圧電セラミック板１３の面に平行で直線状導体
８４ａ，８５ａに直交する方向の距離Ｌ１は、圧電セラ
ミック板１３の面及び直線状導体８４ａ，８５ａに直交
する方向の距離Ｌ２の約３倍に設定されている。

【０１３８】前述の構成よりなる圧電体電子デバイス８
０は、例えば、周知の圧電トランスとして用いることが
できる。即ち、外部電極８２ａ，８２ｂ間に交流電圧を
印加すると、電歪効果により第１導体層８４の直線状導
体８４ａと第２導体層８５の直線状導体８５ａとの間に
存在する圧電セラミックに分極が生じて、電圧極性の変
化に同期して強い機械的な振動を生ずる。この振動は、
圧電セラミック板１３を伝達し、第３及び第４電極を構
成する直線状導体８４ｂ，８５ｂ近傍の圧電セラミック
板１３も振動する。このため、圧電効果によって第３及
び第４電極を構成する直線状導体８４ｂ，８５ｂに電荷
が発生し、外部電極８３ａ，８３ｂから交流電圧を取り
出すことができる。

【０１３９】ここで、第２導体層８５の直線状導体８５
ａ，８５ｂは第１導体層８４の隣り合う直線状導体８４
ａ，８４ｃのほぼ中間に配置され、且つ上記距離Ｌ１が
距離Ｌ２の約３倍に設定されていると共に第１及び第２
導体層８４，８５が複数積層されているので、圧電セラ
ミック板１３の振動方向は、圧電セラミック板１３の面
に平行で直線状導体８４ａ，８４ｂ，８５ａ，８５ｂに
直交する方向となる。即ち、圧電定数ｄ33による振動を
発生している。

【０１４０】また、上記構成では、対になる第１電極を
構成する直線状導体８４ａと第２電極を構成する直線状
導体８５ａを圧電セラミック板１３を介在してそれぞれ
異なる導体層８４，８５に配置しているので、層間のマ
イクロデラミネーション或いは電極材料のマイグレーシ
ョンが生じ難く、常に耐圧を比較的高く保つことができ
る。さらに、電極密度を高く設定することができるた
め、電流容量を低下させずに、小型化が可能になる。

【０１４１】次に、本発明の第９の実施形態を説明す
る。

【０１４２】図２７は第９の実施形態の積層型圧電体電
子デバイスを示す外観斜視図、図２８はその略平断面図
である。

【０１４３】また、第８の実施形態と第９の実施形態と
の相違点は、第８の実施形態では前述した第２の実施形
態と同様に、第１及び第２導体層の直線状導体と外部電
極との間に接続導体を介在させて接続したことである。

【０１４４】図において、９０は積層型圧電体電子デバ
イスで、圧電材料を主体とした直方体形状の素体９１を
有し、この素体９１の１対の対向側面にはそれぞれ外部
電極９２ａ，９２ｂ，９３ａ，９３ｂが形成されてい
る。

【０１４５】素体９１は、圧電セラミック材料からなる
圧電セラミック板１３と、第１導体層９４、及び第２導
体層９５から成り、第１導体層９４と第２導体層９５と
の間に圧電セラミック板１３が介在されるように、これ
らを交互に積層して構成されている。

【０１４６】第１導体層９４は、第１電極を構成する複
数の直線状導体９４ａと、第３電極を構成する複数の直
線状導体９４ｂ、及び接続導体９４ｃ，９４ｄとから構
成されている。また、第２導体層９５は、第２電極を構
成する複数の直線状導体９５ａと、第４電極を構成する
複数の直線状導体９５ｂ、及び接続導体９５ｃ，９５ｄ
とから構成されている。

【０１４７】第１及び第２導体層９４，９５の直線状導
体９４ａ，９４ｂ，９５ａ，９５ｂは、互いにほぼ平行
になるように等間隔をあけて配置されている。さらに、
第１電極を構成する直線状導体９４ａと第３電極を構成
する直線状導体９４ｂとの間は、これらに接続される外
部電極９２ａ，９３ａ間を絶縁するために所定距離あけ
て配置されている。同様に、第２電極を構成する直線状
導体９５ａと第４電極を構成する直線状導体９５ｂとの
間は、これらに接続される外部電極９２ｂ，９３ｂ間を
絶縁するために所定距離あけて配置されている。

【０１４８】また、第２導体層９５の直線状導体９５
ａ，９５ｂは、第１導体層９４の隣り合う２つの直線状
導体９４ａ，９４ｂのほぼ中間位置に対応して配置され
ている。

【０１４９】さらに、第１導体層９４の直線状導体９４
ａの一端は接続導体９４ｃに接続され、接続導体９４ｃ
の一部が素体側面に露出して外部電極９２ａに導電接続
されている。同様に、第１導体層９４の直線状導体９４
ｂの一端は接続導体９４ｄに接続され、接続導体９４ｄ
の一部が素体側面に露出して外部電極９３ａに導電接続
されている。また、第２導体層９５の直線状導体９５ａ
の一端は接続導体９５ｃに接続され、接続導体９５ｃの
一部が素体側面に露出して外部電極９２ｂに導電接続さ
れている。同様に、第２導体層９５の直線状導体９５ｂ
の一端は接続導体９５ｄに接続され、接続導体９５ｄの
一部が素体側面に露出して外部電極９３ｂに導電接続さ
れている。

【０１５０】また、第１導体層９４の直線状導体９４ａ
と、この直線状導体９４ａに最も近い第２導体層９５の
直線状導体９５ａとの間においては、第１の実施形態と
同様に、圧電セラミック板１３の面に平行で直線状導体
９４ａ，９５ａに直交する方向の距離Ｌ１は、圧電セラ
ミック板１３の面及び直線状導体９４ａ，９５ａに直交
する方向の距離Ｌ２の約３倍に設定されている。

【０１５１】ここで、接続導体９４ｃ，９４ｄ，９５
ｃ，９５ｄの露出位置は振動のノード点に設定され、外
部電極９２ａ，９２ｂ、９３ａ，９３ｂはノード点近傍
にのみに形成されている。これにより、素体９１の機械
的な振動によって生じる変位によって接続導体９４ｃ，
９４ｄ，９５ｃ，９５ｄと外部電極９２ａ，９２ｂ、９
３ａ，９３ｂとの間に生じやすい接続不良の発生を低減
することができる。

【０１５２】尚、第９の実施形態では、第１及び第２導
体層９４，９５の直線状導体９４ａ，９４ｂ，９５ａ，
９５ｂと外部電極９２ａ，９２ｂ，９３ａ，９３ｂとの
間に接続導体９４ｃ，９４ｄ，９５ｃ，９５ｄを介在さ
せて接続したが、この構成に限定されることはない。例
えば、図２９及び図３０に示すように、振動のノード点
近傍に配置されている直線状導体９４ａ，９４ｂ，９５
ａ，９５ｂを素体側面に露出させて外部電極９２ａ，９
２ｂ，９３ａ，９３ｂと接続し、直線状導体９４ａ，９
４ｂ，９５ａ，９５ｂを直線状の接続導体９６ａ〜９６
ｄによって接続するようにしても良い。この際、第１導
体層９４の接続導体９６ａ，９６ｂと第２導体層９５の
接続導体９６ｃ，９６ｄとが積層方向に重ならないよう
に形成することが好ましい。第１導体層９４の接続導体
９６ａ，９６ｂと第２導体層９５の接続導体９６ｃ，９
６ｄとが積層方向に重なると、これらの間に存在する圧
電セラミックに圧電セラミック板１３に対して垂直な方
向に分極が生じて、同方向に機械的な振動を生ずるた
め、効率の低下を招くことになる。

【０１５３】また、図３１に示すように、三角波形状の
接続導体９７ａ〜９７ｄによって接続するようにしても
良い。

【０１５４】また、前述した第３乃至第９の実施形態で
は、例として圧電トランスに適用した場合の動作を説明
したが、この他に圧電振動子、圧電フィルタ等に適用す
ることもできる。

【０１５５】また、前述した第１乃至第９の実施形態
は、本願発明の一具体例に過ぎず、本願発明がこれらの
みに限定されることはない。例えば、第１乃至第９の実
施形態の構成を任意に組み合わせた圧電体電子デバイス
を構成しても同様の効果を得ることができることは言う
までもないことである。

【０１５６】

【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１乃
至請求項２２記載の積層型圧電体電子デバイスによれ
ば、対になる第１電極と第２電極が圧電体層を介在して
それぞれ異なる導体層に配置されているので、層間のマ
イクロデラミネーション或いは電極材料のマイグレーシ
ョンが生じ難く、常に耐圧を比較的高く保つことができ
る。さらに、電極密度を高く設定することができるた
め、電流容量を低下させずに、小型化が可能になる。

【０１５７】また、請求項３，７，１０，１３，１４記
載の積層型圧電体電子デバイスによれば、接続導体の一
部をデバイス表面に露出させ該露出部分に接続した外部
電極が形成されるので、異なる外部電極間の距離を大き
く設定することができるため、耐圧を向上させることが
できる。

【０１５８】また、請求項１５記載の積層型圧電体電子
デバイスによれば、上記の効果に加えて、直線状導体が
振動のノード点近傍位置においてデバイス表面に露出し
ているため、露出した直線状導体にかかる前記振動によ
って生ずる変位が最小になるので、前記振動による直線
状導体と外部電極との間の断線を生ずることがなく、高
い信頼性が得られる。

【０１５９】また、請求項１９記載の積層型圧電体電子
デバイスによれば、上記の効果に加えて、第１電極の直
線状導体と第２電極の直線状導体との間の圧電体層に平
行な方向の距離が、前記第１電極の隣接する直線状導体
間の距離の約１／２に設定されているため、第１電極と
第２電極との間の距離を、耐圧を下げずに短く設定する
ことができるので、電気／機械の変換効率を向上させる
ことができると共に、高周波に対応させることができ
る。

【０１６０】また、請求項２０記載の積層型圧電体電子
デバイスによれば、上記の効果に加えて、第１電極及び
前記第２電極の同一層内における隣接する直線状導体間
の距離が、圧電体層の厚み方向における前記第１電極と
第２電極との間の距離よりも大きく設定されているた
め、分極方向と振動方向が大きく異ならないので、圧電
体におけるｄ３３振動が生じやすくなり、効率が劣化し
難くなる。

【０１６１】また、請求項２１記載の積層型圧電体電子
デバイスによれば、上記の効果に加えて、第１電極と第
２電極との間に交流電圧を印加したときの圧電体層の分
極方向と振動方向とのなす角度が０度よりも大きく４５
度よりも小さい角度になるように前記第１電極及び第２
電極が配置されているため、分極方向と振動方向が大き
く異ならないので、圧電体におけるｄ３３振動が生じや
すくなり、効率が劣化し難くなる。

【０１６２】また、請求項２２記載の積層型圧電体電子
デバイスによれば、上記の効果に加えて、第１電極の一
の直線状導体と該直線状導体に最も近い位置に形成され
ている第２電極の直線状導体の双方に対して直角に交わ
る直線の方向と、前記第１電極と第２電極との間に交流
電圧を印加したときの圧電体層の振動方向とのなす角度
が、０度よりも大きく４５度よりも小さい角度になるよ
うに前記第１電極及び第２電極が配置されているため、
分極方向と振動方向が大きく異ならないので、圧電体に
おけるｄ３３振動が生じやすくなり、効率が劣化し難く
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態における積層型圧電体
電子デバイスを示す外観斜視図

【図２】本発明の第１の実施形態における積層型圧電体
電子デバイスにおける素体を示す分解斜視図

【図３】図２におけるＡ−Ａ線矢視方向略平断面図

【図４】図３におけるＢ−Ｂ線矢視方向略側断面図

【図５】本発明の第２の実施形態における積層型圧電体
電子デバイスを示す外観斜視図

【図６】本発明の第２の実施形態における積層型圧電体
電子デバイスにおける素体を示す分解斜視図

【図７】図６におけるＡ−Ａ線矢視方向略平断面図

【図８】本発明の第３の実施形態における積層型圧電体
電子デバイスを示す外観斜視図

【図９】本発明の第３の実施形態における積層型圧電体
電子デバイスを示す略平断面図

【図１０】本発明の第４の実施形態における積層型圧電
体電子デバイスを示す外観斜視図

【図１１】本発明の第４の実施形態における積層型圧電
体電子デバイスを示す分解斜視図

【図１２】図１０におけるＡ−Ａ線矢視方向略平断面図

【図１３】本発明の第５の実施形態における積層型圧電
体電子デバイスを示す外観斜視図

【図１４】本発明の第５の実施形態における積層型圧電
体電子デバイスにおける素体を示す分解斜視図

【図１５】図１４におけるＡ−Ａ線矢視方向略平断面図

【図１６】図１４におけるＢ−Ｂ線矢視方向略平断面図

【図１７】本発明の第６の実施形態における積層型圧電
体電子デバイスを示す外観斜視図

【図１８】本発明の第６の実施形態における積層型圧電
体電子デバイスにおける素体を示す分解斜視図

【図１９】図１８におけるＡ−Ａ線矢視方向略平断面図

【図２０】図１９におけるＢ−Ｂ線矢視方向の略側断面
図

【図２１】本発明の第７の実施形態における積層型圧電
体電子デバイスを示す外観斜視図

【図２２】本発明の第７の実施形態における積層型圧電
体電子デバイスにおける素体を示す分解斜視図

【図２３】図２２におけるＡ−Ａ線矢視方向略平断面図

【図２４】本発明の第８の実施形態における積層型圧電
体電子デバイスを示す外観斜視図

【図２５】本発明の第８の実施形態における積層型圧電
体電子デバイスにおける素体を示す分解斜視図

【図２６】図２５におけるＡ−Ａ線矢視方向略平断面図

【図２７】本発明の第９の実施形態における積層型圧電
体電子デバイスを示す外観斜視図

【図２８】本発明の第９の実施形態における積層型圧電
体電子デバイスを示す略平断面図

【図２９】本発明の第９の実施形態に係る他の接続導体
の構成を示す略平断面図

【図３０】本発明の第９の実施形態に係る他の接続導体
の構成を示す略平断面図

【図３１】本発明の第９の実施形態に係る他の接続導体
の構成を示す略平断面図

【図３２】従来例としての圧電トランスの典型であるロ
ーゼン型圧電トランスを示す斜視図

【符号の説明】

１０，２０，３０，４０，５０，６０，７０，８０，９
０…積層型圧電体電子デバイス、１１，４３，５３，６
４，７４，８１，９１…素体、１２ａ，１２ｂ，２２
ａ，２２ｂ，３１ａ，３１ｂ，４１ａ，４１ｂ，４２
ａ，４２ｂ，５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂ，６５
ａ，６５ｂ，６６ａ，６６ｂ，７５ａ，７５ｂ，７６
ａ，７６ｂ，８２ａ，８２ｂ，８３ａ，８３ｂ，９２
ａ，９２ｂ，９３ａ，９３ｂ…外部電極、１３…圧電セ
ラミック板、１４，８４，９４…第１導体層、１５，８
５，９５…第２導体層、１４ａ，１５ａ，２４ａ，２５
ａ，６７ａ，６７ｂ，８４ａ，８４ｂ，８５ａ，８５
ｂ，９４ａ，９４ｂ，９５ａ，９５ｂ…直線状導体、２
４ｂ，２５ｂ，９４ｃ，９４ｄ，９５ｃ，９５ｄ，９６
ａ〜９６ｄ，９７ａ〜９７ｄ…接続導体、４１，４２，
４３，５１，５２、６１，６２，６３，７１，７２…単
位積層体。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０３Ｈ 9/205 Ｈ０１Ｌ 41/08 Ｓ Ｎ

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１導体層と第２導体層との間に圧電体
   層を挟むように、該第１導体層と第２導体層と圧電体層
   とを交互に複数積層してなる積層型圧電体電子デバイス
   において、 前記第１導体層は互いに平行な複数の直線状導体からな
   る第１電極を有し、 前記第２導体層は互いに平行で且つ前記前記圧電体層に
   平行な方向において前記第１電極の隣り合う直線状導体
   の間に第１電極の直線状導体に対応して平行に配置され
   た複数の直線状導体からなる第２電極を有し、 前記第１電極の直線状導体同士を接続する第１接続導体
   と、 前記第２電極の直線状導体同士を接続する第２接続導体
   とを備えていることを特徴とする積層型圧電体電子デバ
   イス。
2. 【請求項２】 前記第１電極及び第２電極の直線状導体
   の一端はそれぞれデバイスの異なる表面に露出し、 前記第１接続導体は第１電極の直線状導体が露出した面
   に形成された第１外部電極からなり、 前記第２接続導体は第２電極の直線状導体が露出した面
   に形成された第２外部電極からなることを特徴とする請
   求項１記載の積層型圧電体電子デバイス。
3. 【請求項３】 前記第１接続導体と第２接続導体は少な
   くともその一部がデバイスの表面に露出するように前記
   導体層に形成されていると共に、 デバイス表面に形成され前記第１接続導体同士を接続す
   る第１外部電極と、 デバイス表面に形成され前記第２接続導体同士を接続す
   る第２外部電極とを備えていることを特徴とする請求項
   １記載の積層型圧電体電子デバイス。
4. 【請求項４】 積層方向に平行で且つ前記直線状導体に
   平行な異なる２つのデバイス表面に前記直線状導体に対
   向するように第３の外部電極と第４の外部電極が形成さ
   れていることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記
   載の積層型圧電体電子デバイス。
5. 【請求項５】 第１導体層と第２導体層との間に圧電体
   層を挟むように、該第１導体層と第２導体層と圧電体層
   とを交互に複数積層してなる単位積層体を２つ以上積層
   してなる積層型圧電体電子デバイスであって、 前記単位積層体において、 前記第１導体層は互いに平行な複数の直線状導体からな
   る第１電極を有し、 前記第２導体層は互いに平行で且つ前記前記圧電体層に
   平行な方向において前記第１電極の隣り合う直線状導体
   の間に第１電極の直線状導体に対応して平行に配置され
   た複数の直線状導体からなる第２電極を有し、 前記第１電極の直線状導体同士を接続する第１接続導体
   と、 前記第２電極の直線状導体同士を接続する第２接続導体
   とを備え、 異なる単位積層体の直線状導体が互いに平行になるよう
   に前記単位積層体が積層されていることを特徴とする積
   層型圧電体電子デバイス。
6. 【請求項６】 前記第１電極及び第２電極の直線状導体
   の一端はそれぞれデバイスの異なる表面に露出し、 前記単位積層体において、 前記第１接続導体は第１電極の直線状導体が露出した面
   に形成された第１外部電極からなり、 前記第２接続導体は第２電極の直線状導体が露出した面
   に形成された第２外部電極からなり、 各単位積層体の第１外部電極及び第２外部電極はそれぞ
   れ異なる位置に形成されていることを特徴とする請求項
   ５記載の積層型圧電体電子デバイス。
7. 【請求項７】 前記第１接続導体と第２接続導体は少な
   くともその一部がデバイスの表面に露出するように前記
   導体層に形成されていると共に、 デバイス表面に形成され同一の単位積層体に含まれる前
   記第１接続導体同士を接続する第１外部電極と、 デバイス表面に形成され同一の単位積層体に含まれる前
   記第２接続導体同士を接続する第２外部電極とを備え、 各単位積層体の外部電極はそれぞれ異なる位置に形成さ
   れていることを特徴とする請求項５記載の積層型圧電体
   電子デバイス。
8. 【請求項８】 ２つの第１単位積層体で第２単位積層体
   を挟むように該第１単位積層体と第２単位積層体を積層
   してなる積層型圧電体電子デバイスであって、 前記第１単位積層体は、第１導体層と第２導体層との間
   に圧電体層を挟むように該第１導体層と第２導体層と圧
   電体層とを交互に複数積層してなり、 前記第１導体層は互いに平行な複数の直線状導体からな
   る第１電極を有し、 前記第２導体層は互いに平行で且つ前記前記圧電体層に
   平行な方向において前記第１電極の隣り合う直線状導体
   の間に第１電極の直線状導体に対応して平行に配置され
   た複数の直線状導体からなる第２電極を有し、 前記第２単位積層体は、第３導体層と圧電体層とを交互
   に複数積層してなり、 前記第３導体層は、互いに平行で且つ前記第１電極の直
   線状導体と平行な位置に形成された直線状導体からなる
   第３電極及び第４電極とを有し、 前記第１電極の直線状導体同士を接続する第１接続導体
   と、 前記第２電極の直線状導体同士を接続する第２接続導体
   と、 前記第３電極の直線状導体同士を接続する第３接続導体
   と、 前記第４電極の直線状導体同士を接続する第４接続導体
   とを備えていることを特徴とする積層型圧電体電子デバ
   イス。
9. 【請求項９】 前記第１電極及び第２電極の直線状導体
   の一端がそれぞれデバイスの異なる表面に露出すると共
   に前記第３電極及び第４電極は少なくとも一部がデバイ
   スの表面に露出し、 前記第１接続導体は第１電極の直線状導体が露出した面
   に形成された第１外部電極からなり、 前記第２接続導体は第２電極の直線状導体が露出した面
   に形成された第２外部電極からなり、 前記第３接続導体は第３電極が露出した面に形成された
   第３外部電極からなり、 前記第４接続導体は第４電極が露出した面に形成された
   第４外部電極からなることを特徴とする請求項８記載の
   積層型圧電体電子デバイス。
10. 【請求項１０】 前記第１接続導体と第２接続導体は少
    なくともその一部がデバイスの表面に露出するように前
    記導体層に形成されていると共に前記第３電極及び第４
    電極は少なくとも一部がデバイスの表面に露出し、 デバイス表面に形成され前記第１接続導体同士を接続す
    る第１外部電極と、 デバイス表面に形成され前記第２接続導体同士を接続す
    る第２外部電極とを備え、 前記第３接続導体は第３電極が露出した面に形成された
    第３外部電極からなり、 前記第４接続導体は第４電極が露出した面に形成された
    第４外部電極からなることを特徴とする請求項８記載の
    積層型圧電体電子デバイス。
11. 【請求項１１】 第１導体層と第２導体層との間に圧電
    体層を挟むように、第１導体層と第２導体層と圧電体層
    とを交互に複数積層してなる積層型圧電体電子デバイス
    であって、 前記第１導体層は、互いに平行な複数の直線状導体から
    なる第１電極と、互いに平行で且つ第１電極の直線状導
    体に平行な複数の直線状導体からなる第３電極とを有
    し、 前記第２導体層は、互いに平行で且つ前記前記圧電体層
    に平行な方向において前記第１電極の隣り合う直線状導
    体の間に第１電極の直線状導体に対応して平行に配置さ
    れた複数の直線状導体からなる第２電極と、第２電極の
    直線状導体に平行で且つ前記前記圧電体層に平行な方向
    において前記第３電極の隣り合う直線状導体の間に第３
    電極の直線状導体に対応して平行に配置された複数の直
    線状導体からなる第４電極とを有し、 前記第１電極の直線状導体同士を接続する第１接続導体
    と、 前記第２電極の直線状導体同士を接続する第２接続導体
    と、 前記第３電極の直線状導体同士を接続する第３接続導体
    と、 前記第４電極の直線状導体同士を接続する第４接続導体
    とを備えていることを特徴とする積層型圧電体電子デバ
    イス。
12. 【請求項１２】 前記第１電極及び第２電極の直線状導
    体の一端はそれぞれデバイスの異なる表面に露出すると
    共に前記第１電極及び第２電極の直線状導体の一端はそ
    れぞれデバイスの異なる表面に露出し、 前記第１接続導体は第１電極の直線状導体が露出した面
    に形成された第１外部電極からなり、 前記第２接続導体は第２電極の直線状導体が露出した面
    に形成された第２外部電極からなり、 前記第３接続導体は第３電極の直線状導体が露出した面
    に形成された第３外部電極からなり、 前記第４接続導体は第４電極の直線状導体が露出した面
    に形成された第４外部電極からなることを特徴とする請
    求項１１記載の積層型圧電体電子デバイス。
13. 【請求項１３】 前記第１乃至第４接続導体のそれぞれ
    は少なくともその一部がデバイスの表面に露出するよう
    に前記導体層に形成されていると共に、 デバイス表面に形成され前記第１接続導体同士を接続す
    る第１外部電極と、 デバイス表面に形成され前記第２接続導体同士を接続す
    る第２外部電極と、 デバイス表面に形成され前記第３接続導体同士を接続す
    る第３外部電極と、 デバイス表面に形成され前記第４接続導体同士を接続す
    る第４外部電極とを備えていることを特徴とする請求項
    １１記載の積層型圧電体電子デバイス。
14. 【請求項１４】 前記第１接続導体と第２接続導体は前
    記導体層に形成され、 各第１導体層では第１電極の少なくとも一の直線状導体
    の一端及び第３電極の少なくとも一の直線状導体の一端
    が一方のデバイス表面に露出し、 各第２導体層では第２電極の少なくとも一の直線状導体
    の一端及び第４電極の少なくとも一の直線状導体の一端
    が他方のデバイス表面に露出し、 デバイス表面に形成され前記第１電極の露出した直線線
    上導体同士を接続する第１外部電極と、 デバイス表面に形成され前記第２電極の露出した直線線
    上導体同士を接続する第２外部電極と、 デバイス表面に形成され前記第３電極の露出した直線線
    上導体同士を接続する第３外部電極と、 デバイス表面に形成され前記第４電極の露出した直線線
    上導体同士を接続する第４外部電極とを備えていること
    を特徴とする請求項１１記載の積層型圧電体電子デバイ
    ス。
15. 【請求項１５】 前記直線状導体は、前記第１電極と第
    ２電極との間に交流電圧を印加したときに生じる振動の
    ノード点近傍位置においてデバイス表面に露出している
    ことを特徴とする請求項１４記載の積層型圧電体電子デ
    バイス。
16. 【請求項１６】 前記第１接続導体と第２接続導体は前
    記導体層に形成され且つ第１接続導体と第２接続導体が
    積層方向に重ならない位置に形成されていることを特徴
    とする請求項１１、１３、１４または１５記載の積層型
    圧電体電子デバイス。
17. 【請求項１７】 前記第３接続導体と第４接続導体は前
    記導体層に形成され且つ第３接続導体と第４接続導体が
    積層方向に重ならない位置に形成されていることを特徴
    とする請求項１１、１３、１４、１５または１６記載の
    積層型圧電体電子デバイス。
18. 【請求項１８】 前記接続導体は、前記第１電極と第２
    電極との間に交流電圧を印加したときに生じる振動のノ
    ード点近傍位置においてデバイス表面に露出しているこ
    とを特徴とする請求項３、７、１０または１３記載の積
    層型圧電体電子デバイス。
19. 【請求項１９】 前記第１電極の直線状導体と前記第２
    電極の直線状導体との間の前記圧電体層に平行な方向の
    距離が、前記第１電極の隣接する直線状導体間の距離の
    約１／２に設定されていることを特徴とする請求項１乃
    至１８の何れかに記載の積層型圧電体電子デバイス。
20. 【請求項２０】 前記第１電極及び前記第２電極の同一
    層内における隣接する直線状導体間の距離が、前記圧電
    体層の厚み方向における前記第１電極と第２電極との間
    の距離よりも大きく設定されていることを特徴とする請
    求項１乃至１８の何れかに記載の積層型圧電体電子デバ
    イス。
21. 【請求項２１】 前記第１電極と第２電極との間に交流
    電圧を印加したときの前記圧電体層の分極方向と振動方
    向とのなす角度が０度よりも大きく４５度よりも小さい
    角度になるように前記第１電極及び第２電極が配置され
    ていることを特徴とする請求項１乃至１８の何れかに記
    載の積層型圧電体電子デバイス。
22. 【請求項２２】 前記第１電極の一の直線状導体と該直
    線状導体に最も近い位置に形成されている第２電極の直
    線状導体の双方に対して直角に交わる直線の方向と、前
    記第１電極と第２電極との間に交流電圧を印加したとき
    の前記圧電体層の振動方向とのなす角度が、０度よりも
    大きく４５度よりも小さい角度になるように前記第１電
    極及び第２電極が配置されていることを特徴とする請求
    項１乃至１８の何れかに記載の積層型圧電体電子デバイ
    ス。