JP2000294980A - 透光性電磁波フィルタおよびその製造方法 - Google Patents
透光性電磁波フィルタおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 銀層の赤外線反射特性を利用した電磁波遮蔽
膜がガラス板上に被覆されたＰＤＰ用の前面電磁波フィ
ルタで、実用的な耐久性を有し、かつ膜のピンホール等
の欠点が少ないフィルタは得られなかった。 【解決手段】 ガラス板の一方の面に、酸化アルミニウ
ムを含有する酸化亜鉛の層とパラジウムを０．４重量％
含む銀層とを交互に繰り返して積層し、７層からなるシ
ート抵抗が２Ω／□以下の積層体を被覆した。この積層
体の表面にＰＥＴフィルムを粘着剤により貼付て電磁波
フィルタとした。また、この酸化亜鉛層は、導電性の酸
化アルミニウムと酸化亜鉛の混合物の焼結体をターゲッ
トとするスパッタリングにより成膜した。
膜がガラス板上に被覆されたＰＤＰ用の前面電磁波フィ
ルタで、実用的な耐久性を有し、かつ膜のピンホール等
の欠点が少ないフィルタは得られなかった。 【解決手段】 ガラス板の一方の面に、酸化アルミニウ
ムを含有する酸化亜鉛の層とパラジウムを０．４重量％
含む銀層とを交互に繰り返して積層し、７層からなるシ
ート抵抗が２Ω／□以下の積層体を被覆した。この積層
体の表面にＰＥＴフィルムを粘着剤により貼付て電磁波
フィルタとした。また、この酸化亜鉛層は、導電性の酸
化アルミニウムと酸化亜鉛の混合物の焼結体をターゲッ
トとするスパッタリングにより成膜した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、陰極線管（ＣＲ
Ｔ）、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥ
Ｄ）、プラズマディスプレイパネル等の表示装置の前面
に設置して、表示装置から放出される電磁波をカットす
る電磁波フィルタおよびその製造方法に関する。また本
発明の透光性電磁波フィルタは、透光性かつ導電性であ
るため、透明導電膜としても用いることができ、近赤外
域およびそれ以上の長波長域の広範囲にわたって電磁波
遮断能を有するので、建築物や自動車の熱線遮断性窓ガ
ラスとして用いることができる。
Ｔ）、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥ
Ｄ）、プラズマディスプレイパネル等の表示装置の前面
に設置して、表示装置から放出される電磁波をカットす
る電磁波フィルタおよびその製造方法に関する。また本
発明の透光性電磁波フィルタは、透光性かつ導電性であ
るため、透明導電膜としても用いることができ、近赤外
域およびそれ以上の長波長域の広範囲にわたって電磁波
遮断能を有するので、建築物や自動車の熱線遮断性窓ガ
ラスとして用いることができる。
【０００２】
【従来の技術】ガラス板の如き透明基板の表面上に電磁
波遮断膜が被覆された可視域で透明な電磁波フィルタと
しては、基板側から透明金属酸化物のような誘電体層と
銀層とがこの順に交互に積層されたものが知られてい
る。
波遮断膜が被覆された可視域で透明な電磁波フィルタと
しては、基板側から透明金属酸化物のような誘電体層と
銀層とがこの順に交互に積層されたものが知られてい
る。
【０００３】特開平５−４２６２４号公報には、銀１層
を積層体構造を有する誘電体層で挟んだ電磁波遮断膜が
被覆されたガラス板が開示されている。すなわち、実施
例２には、基板／ＺｎＯ／ＳｎＯ2／ＺｎＯ／ＳｎＯ2／
ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ／ＳｎＯ2／ＺｎＯ／ＳｎＯ2／Ｚ
ｎＯの積層構造（ｎ＝１）を有する電磁波遮断膜が開示
されている。そしてＺｎＯおよびＳｎＯ2の金属酸化物
層は、それぞれＺｎＯおよびＳｎＯ2をターゲットと
し、アルゴンと酸素を含むガスで酸素との反応性スパッ
タリングにより成膜されている。
を積層体構造を有する誘電体層で挟んだ電磁波遮断膜が
被覆されたガラス板が開示されている。すなわち、実施
例２には、基板／ＺｎＯ／ＳｎＯ2／ＺｎＯ／ＳｎＯ2／
ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ／ＳｎＯ2／ＺｎＯ／ＳｎＯ2／Ｚ
ｎＯの積層構造（ｎ＝１）を有する電磁波遮断膜が開示
されている。そしてＺｎＯおよびＳｎＯ2の金属酸化物
層は、それぞれＺｎＯおよびＳｎＯ2をターゲットと
し、アルゴンと酸素を含むガスで酸素との反応性スパッ
タリングにより成膜されている。
【０００４】特開平９−８５８９３号公報には、誘電体
層と銀層を交互に繰り返し積層した構造を有する熱線遮
断膜が被覆されたガラス板が開示されている。この熱線
遮断膜は、たとえば実施例１１に見られるように、ガラ
ス／Ａｌ含有ＺｎＯ／Ｐｄ（パラジウム）含有Ａｇ／Ａ
ｌ含有ＺｎＯ／Ｐｄ含有Ａｇ／Ａｌ含有ＺｎＯの銀につ
いて２層、全体として５層の積層体（ｎ＝２）である。
また、最表面の誘電体層をＡl含有ＺｎＯとＳｉ含有Ｓ
ｎＯ2層の積層体としたものが実施例１３に記載されて
いる。そして、これらの誘電体層は、いずれも金属酸化
物層を構成するその金属をターゲットとして酸素または
酸素とアルゴンの混合ガスを雰囲気とする酸素反応性ス
パッタリングにより成膜することが表１に示されてい
る。
層と銀層を交互に繰り返し積層した構造を有する熱線遮
断膜が被覆されたガラス板が開示されている。この熱線
遮断膜は、たとえば実施例１１に見られるように、ガラ
ス／Ａｌ含有ＺｎＯ／Ｐｄ（パラジウム）含有Ａｇ／Ａ
ｌ含有ＺｎＯ／Ｐｄ含有Ａｇ／Ａｌ含有ＺｎＯの銀につ
いて２層、全体として５層の積層体（ｎ＝２）である。
また、最表面の誘電体層をＡl含有ＺｎＯとＳｉ含有Ｓ
ｎＯ2層の積層体としたものが実施例１３に記載されて
いる。そして、これらの誘電体層は、いずれも金属酸化
物層を構成するその金属をターゲットとして酸素または
酸素とアルゴンの混合ガスを雰囲気とする酸素反応性ス
パッタリングにより成膜することが表１に示されてい
る。
【０００５】特開平８−１０４５４７号公報には、熱線
遮断膜をガラス板上に成膜した断熱ガラスが開示されて
いる。この熱線遮断膜は、銀層と金属酸化物層の積層体
で構成され、その積層体の実施の態様が表１および表６
に記載されている。たとえば、実施例１３には、ガラス
／ＺｎＯ：Ａｌ2Ｏ3／Ａｇ／ＺｎＯ：Ａｌ2Ｏ3／Ａｇ／
ＺｎＯ：Ａｌ2Ｏ3で表される銀２層、全体として５層構
成の積層体（ｎ＝２）が示されている。そして、このＺ
ｎＯ：Ａｌ2Ｏ3層はＺｎＯにＡｌ2Ｏ3を２重量％添加し
た焼結体をターゲットするスパッタリングで成膜するこ
とが記載されている。
遮断膜をガラス板上に成膜した断熱ガラスが開示されて
いる。この熱線遮断膜は、銀層と金属酸化物層の積層体
で構成され、その積層体の実施の態様が表１および表６
に記載されている。たとえば、実施例１３には、ガラス
／ＺｎＯ：Ａｌ2Ｏ3／Ａｇ／ＺｎＯ：Ａｌ2Ｏ3／Ａｇ／
ＺｎＯ：Ａｌ2Ｏ3で表される銀２層、全体として５層構
成の積層体（ｎ＝２）が示されている。そして、このＺ
ｎＯ：Ａｌ2Ｏ3層はＺｎＯにＡｌ2Ｏ3を２重量％添加し
た焼結体をターゲットするスパッタリングで成膜するこ
とが記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】プラズマディスプレイ
パネルは、高輝度の表示を実現するために、放電セル内
で強力なプラズマ放電が行われる。このために、放電セ
ルからプラズマディスプレイパネルの前方に向かって、
電磁波とともに近赤外線が放出される。放出される電磁
波は、人体に悪影響があるとされ、また放出される近赤
外線は、プラズマディスプレイの近くにある家電製品の
リモコン受光部で検知され、そのスイッチを誤動作させ
るという課題があった。
パネルは、高輝度の表示を実現するために、放電セル内
で強力なプラズマ放電が行われる。このために、放電セ
ルからプラズマディスプレイパネルの前方に向かって、
電磁波とともに近赤外線が放出される。放出される電磁
波は、人体に悪影響があるとされ、また放出される近赤
外線は、プラズマディスプレイの近くにある家電製品の
リモコン受光部で検知され、そのスイッチを誤動作させ
るという課題があった。
【０００７】この課題を達成するために、プラズマディ
スプレイパネルの前面に電磁波遮断能を有する透明体を
設けることが提案されており、誘電体層と銀層を交互に
積層した積層体をガラス板の一方の面に被覆した電磁波
フィルタを、プラズマディスプレイパネルの前面に貼り
つけることが行われている。このような電磁波フィルタ
には、次の性能が要求される。 １）電磁波遮断能がある。すなわち、電磁波遮断膜のシ
ート抵抗が低い。 ２）リモコンスイッチによる遠隔操作に用いられる近赤
外線領域（８００〜９００ｎｍ域）の熱線に対して透過
率が小さい。 ３）明るい画像表示を得るために、視感度透過率が高
い。 ４）空気中に暴露された状態で使用されるので、耐湿熱
性などの耐久性がある。 ５）電磁波遮断膜には微小なピンホール、異物付着がな
い。
スプレイパネルの前面に電磁波遮断能を有する透明体を
設けることが提案されており、誘電体層と銀層を交互に
積層した積層体をガラス板の一方の面に被覆した電磁波
フィルタを、プラズマディスプレイパネルの前面に貼り
つけることが行われている。このような電磁波フィルタ
には、次の性能が要求される。 １）電磁波遮断能がある。すなわち、電磁波遮断膜のシ
ート抵抗が低い。 ２）リモコンスイッチによる遠隔操作に用いられる近赤
外線領域（８００〜９００ｎｍ域）の熱線に対して透過
率が小さい。 ３）明るい画像表示を得るために、視感度透過率が高
い。 ４）空気中に暴露された状態で使用されるので、耐湿熱
性などの耐久性がある。 ５）電磁波遮断膜には微小なピンホール、異物付着がな
い。
【０００８】本発明では、１）〜４）の性能を同時に満
足するために、可視域で高透過、近赤外域で低透過、す
なわち可視域と近赤外域の境界で急速に透過率が低くな
る、いわゆる光学ローパスフィルタとしての特性を効果
的に得るような誘電体層と銀層との積層体とすること、
また５）の課題を達成するために、積層体の誘電体層を
新規な層にすることにより、上記課題を同時に解決する
ようにした。
足するために、可視域で高透過、近赤外域で低透過、す
なわち可視域と近赤外域の境界で急速に透過率が低くな
る、いわゆる光学ローパスフィルタとしての特性を効果
的に得るような誘電体層と銀層との積層体とすること、
また５）の課題を達成するために、積層体の誘電体層を
新規な層にすることにより、上記課題を同時に解決する
ようにした。
【０００９】上記の特開平５−４２６２４号公報に記載
された電磁波遮断体は、銀１層を積層体構造を有する誘
電体層で挟んでいる。電磁波遮断性能を確保する作用を
有する銀層は、その遮断性能をよくするために、厚みを
大きくする必要がある。しかし可視域の透過率が低下し
てしまう。このため同時に１）、２）、３）について良
好な性能が得られない。また、誘電体層を構成するＺｎ
Ｏ層やＳｎＯ2層は電気絶縁性であるため、これらの層
の成膜をスパッタリングにより行うときに、安定したグ
ロー放電プラズマが得られず、得られる膜はピンホール
や異物付着が多いという課題があった。
された電磁波遮断体は、銀１層を積層体構造を有する誘
電体層で挟んでいる。電磁波遮断性能を確保する作用を
有する銀層は、その遮断性能をよくするために、厚みを
大きくする必要がある。しかし可視域の透過率が低下し
てしまう。このため同時に１）、２）、３）について良
好な性能が得られない。また、誘電体層を構成するＺｎ
Ｏ層やＳｎＯ2層は電気絶縁性であるため、これらの層
の成膜をスパッタリングにより行うときに、安定したグ
ロー放電プラズマが得られず、得られる膜はピンホール
や異物付着が多いという課題があった。
【００１０】また、特開平９−８５８９３号公報に記載
されたＡｌ含有ＺｎＯ層とＰｄ含有Ａｇ層とを含む積層
体は、銀について２層の積層であるので、上記１）およ
び３）の性能は改善されるが、２）の誤動作防止機能を
有するまでには至らず、プラズマディスプレイの前面に
設ける電磁波遮断フィルタとしては、性能が十分でな
い。さらに、この電磁波遮断膜の成膜に際しては、その
誘電体層を構成する金属酸化物層を、金属をターゲット
として、酸素または酸素とアルゴンの混合ガスを雰囲気
とする酸素反応性スパッタリングにより成膜しているの
で、電気絶縁性の金属酸化物がターゲット表面付近に付
着したり、基板上に形成される。このため、ターゲット
表面や基板表面に電荷が溜まりやすくなり、スパークや
アーキングが生じやすく、成膜時の安定なグロー放電が
得られず、金属酸化物層には成膜時のマイクロスパーク
によるピンホールや異物の付着が多く見られるという課
題があった。
されたＡｌ含有ＺｎＯ層とＰｄ含有Ａｇ層とを含む積層
体は、銀について２層の積層であるので、上記１）およ
び３）の性能は改善されるが、２）の誤動作防止機能を
有するまでには至らず、プラズマディスプレイの前面に
設ける電磁波遮断フィルタとしては、性能が十分でな
い。さらに、この電磁波遮断膜の成膜に際しては、その
誘電体層を構成する金属酸化物層を、金属をターゲット
として、酸素または酸素とアルゴンの混合ガスを雰囲気
とする酸素反応性スパッタリングにより成膜しているの
で、電気絶縁性の金属酸化物がターゲット表面付近に付
着したり、基板上に形成される。このため、ターゲット
表面や基板表面に電荷が溜まりやすくなり、スパークや
アーキングが生じやすく、成膜時の安定なグロー放電が
得られず、金属酸化物層には成膜時のマイクロスパーク
によるピンホールや異物の付着が多く見られるという課
題があった。
【００１１】さらに、特開平８−１０４５４７号公報に
開示されてい熱線遮断膜は、銀層については２層の積層
であるので、前記の従来技術と同様に、高電磁遮断性
能、低近赤外線透過、高可視光透過の要求を満足するこ
とは困難であった。この積層体は、実施例１３で示され
るように、２重量％のＺｎＯを含有するＺｎＯとＡｌ2
Ｏ3の混合物をターゲットとする酸化亜鉛主成分の誘電
体層であり、金属酸化物のターゲットをスパッタリング
ガス雰囲気中の酸素との反応性スパッタリングで成膜さ
れている。しかし、基板に成膜される誘電体層の電気抵
抗は高く、その表面には成膜中に帯電が生じ、その結果
膜にピンホールが生じるという課題があった。
開示されてい熱線遮断膜は、銀層については２層の積層
であるので、前記の従来技術と同様に、高電磁遮断性
能、低近赤外線透過、高可視光透過の要求を満足するこ
とは困難であった。この積層体は、実施例１３で示され
るように、２重量％のＺｎＯを含有するＺｎＯとＡｌ2
Ｏ3の混合物をターゲットとする酸化亜鉛主成分の誘電
体層であり、金属酸化物のターゲットをスパッタリング
ガス雰囲気中の酸素との反応性スパッタリングで成膜さ
れている。しかし、基板に成膜される誘電体層の電気抵
抗は高く、その表面には成膜中に帯電が生じ、その結果
膜にピンホールが生じるという課題があった。
【００１２】本発明は、従来技術が有する上記課題を解
決するためになされたものであって、実用的で高性能の
フィルタとして要求される性能を具備する電磁波遮断フ
ィルタを提供することを目的とする。
決するためになされたものであって、実用的で高性能の
フィルタとして要求される性能を具備する電磁波遮断フ
ィルタを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めになされた請求項１は、透明基板の一方の面に、前記
透明基板側から誘電体層と銀層とがこの順に交互に繰り
返し積層された（２ｎ＋１（ｎ≧１））層の積層体を含
む透光性電磁波遮断膜が被覆された電磁波遮断膜付き基
板において、前記誘電体層は、５５０ｎｍの波長におけ
る屈折率が１．６〜２．７の帯電防止性金属酸化物層を
含むことを特徴とする透光性電磁波フィルタである。
めになされた請求項１は、透明基板の一方の面に、前記
透明基板側から誘電体層と銀層とがこの順に交互に繰り
返し積層された（２ｎ＋１（ｎ≧１））層の積層体を含
む透光性電磁波遮断膜が被覆された電磁波遮断膜付き基
板において、前記誘電体層は、５５０ｎｍの波長におけ
る屈折率が１．６〜２．７の帯電防止性金属酸化物層を
含むことを特徴とする透光性電磁波フィルタである。
【００１４】本発明の積層体の誘電体層は、帯電防止性
を有している。したがって、銀層が導電性であり、誘電
体層が帯電防止性であるため、本発明の透明基板上に成
膜される透光性電磁波遮断膜には電荷が溜まることがな
い。このため、銀層の上に誘電体層をスパッタリングに
より積層するに際して異常放電の発生が抑制され、異常
放電に伴って生成するピンホールや異物の付着が少な
く、ピンホールなどの欠点が生じにくい積層体とするこ
とができる。
を有している。したがって、銀層が導電性であり、誘電
体層が帯電防止性であるため、本発明の透明基板上に成
膜される透光性電磁波遮断膜には電荷が溜まることがな
い。このため、銀層の上に誘電体層をスパッタリングに
より積層するに際して異常放電の発生が抑制され、異常
放電に伴って生成するピンホールや異物の付着が少な
く、ピンホールなどの欠点が生じにくい積層体とするこ
とができる。
【００１５】また、本発明の誘電体層を構成する金属酸
化物の層は、５５０ｎｍの波長における屈折率が１．６
〜２．７である。屈折率が１．６より小さいと、光干渉
作用による増透効果が小さくなり、可視光域における透
過率を高くすることが困難になる。可視域の透過率を高
くする上で、屈折率は１．９以上とするのがさらに好ま
しい。本発明においては、上記の金属酸化物層の５５０
ｎｍの波長における屈折率の上限は、最も大きな屈折率
の値を有する二酸化チタンの屈折率の２．７とする。
化物の層は、５５０ｎｍの波長における屈折率が１．６
〜２．７である。屈折率が１．６より小さいと、光干渉
作用による増透効果が小さくなり、可視光域における透
過率を高くすることが困難になる。可視域の透過率を高
くする上で、屈折率は１．９以上とするのがさらに好ま
しい。本発明においては、上記の金属酸化物層の５５０
ｎｍの波長における屈折率の上限は、最も大きな屈折率
の値を有する二酸化チタンの屈折率の２．７とする。
【００１６】本発明に用いることのできる透明基板とし
ては、ソーダライムシリカ組成のガラスや硼珪酸ガラ
ス、無アルカリガラスなどの公知のガラス基板、ＰＰ
（ポリプロピレン）、ＰＥ（ポリエステル）、ＰＥＴ
（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＭＭＡ（ポリメチ
ルメタクリレート）ＴＡＣ（トリアセチルセルロー
ス）、ポリカーボネート（ＰＣ）などのプラスチック板
やフィルムを例示することができる。これらは完全な平
面でなくてもよく、曲面形状や形状可変の基体でもよ
い。
ては、ソーダライムシリカ組成のガラスや硼珪酸ガラ
ス、無アルカリガラスなどの公知のガラス基板、ＰＰ
（ポリプロピレン）、ＰＥ（ポリエステル）、ＰＥＴ
（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＭＭＡ（ポリメチ
ルメタクリレート）ＴＡＣ（トリアセチルセルロー
ス）、ポリカーボネート（ＰＣ）などのプラスチック板
やフィルムを例示することができる。これらは完全な平
面でなくてもよく、曲面形状や形状可変の基体でもよ
い。
【００１７】請求項２の透光性電磁波フィルタは、請求
項１において、帯電防止性の金属酸化物層の比抵抗が５
Ωｃｍ以下であることを特徴とする。金属酸化物層の厚
みは、可視の波長域で透過率が増加するように設定され
る。この層の比抵抗が５Ωｃｍ以下とすることにより、
減圧された雰囲気中でのスパッタリングにより成膜する
ときに、プラズマアーキング（異常放電）が抑制され、
ピンホールなどの発生を効果的に抑制できるからであ
る。
項１において、帯電防止性の金属酸化物層の比抵抗が５
Ωｃｍ以下であることを特徴とする。金属酸化物層の厚
みは、可視の波長域で透過率が増加するように設定され
る。この層の比抵抗が５Ωｃｍ以下とすることにより、
減圧された雰囲気中でのスパッタリングにより成膜する
ときに、プラズマアーキング（異常放電）が抑制され、
ピンホールなどの発生を効果的に抑制できるからであ
る。
【００１８】請求項３の透光性電磁波フィルタは、請求
項１または２において、帯電防止性金属酸化物層が、錫
を含む主成分が酸化インジウムの層（ＩＴＯ層）で構成
したことを特徴とする。酸化インジウム中に含有させる
錫は、酸化物ベースで０．１重量％以上１０重量％以下
で含有させるのが好ましい。
項１または２において、帯電防止性金属酸化物層が、錫
を含む主成分が酸化インジウムの層（ＩＴＯ層）で構成
したことを特徴とする。酸化インジウム中に含有させる
錫は、酸化物ベースで０．１重量％以上１０重量％以下
で含有させるのが好ましい。
【００１９】請求項４の透光性電磁波フィルタは、請求
項１または２において、帯電防止性金属酸化物層を、ア
ンチモン、ビスマス、亜鉛およびインジウムからなる群
から選ばれたいずれかを含む主成分が酸化錫の層で構成
したことを特徴とする。酸化錫中に含有させるこれらの
金属酸化物は、０．１〜１０重量％とするのが好まし
い。これにより、酸化錫層は導電性を有するようにな
り、帯電防止性能を有するようになる。０．１重量％未
満では実質的に電気絶縁性になるので帯電防止性が得ら
れなくなる。さらに４重量％以上とするのが好ましい。
項１または２において、帯電防止性金属酸化物層を、ア
ンチモン、ビスマス、亜鉛およびインジウムからなる群
から選ばれたいずれかを含む主成分が酸化錫の層で構成
したことを特徴とする。酸化錫中に含有させるこれらの
金属酸化物は、０．１〜１０重量％とするのが好まし
い。これにより、酸化錫層は導電性を有するようにな
り、帯電防止性能を有するようになる。０．１重量％未
満では実質的に電気絶縁性になるので帯電防止性が得ら
れなくなる。さらに４重量％以上とするのが好ましい。
【００２０】請求項５の透光性電磁波フィルタは、請求
項１または２において、帯電防止性金属酸化物層を、ア
ルミニウム、ガリウムおよびインジウムからなる群から
選ばれた少なくともいずれかを含む主成分が酸化亜鉛の
層で構成したことを特徴とする。酸化亜鉛にアルミニウ
ム、ガリウム、インジウムを含有させることにより、酸
化亜鉛層は半導体的性質を有するようになり、これによ
り帯電防止能を保持するようになる。これらの金属の含
有させる量は、金属酸化物として０．１重量％以上、さ
らに４重量％以上がよい。０．１重量％未満では電気的
絶縁性の酸化物になり、有効な帯電防止性が得られな
い。また１０重量％を越えて含有させても帯電防止能が
効果的に向上しない。
項１または２において、帯電防止性金属酸化物層を、ア
ルミニウム、ガリウムおよびインジウムからなる群から
選ばれた少なくともいずれかを含む主成分が酸化亜鉛の
層で構成したことを特徴とする。酸化亜鉛にアルミニウ
ム、ガリウム、インジウムを含有させることにより、酸
化亜鉛層は半導体的性質を有するようになり、これによ
り帯電防止能を保持するようになる。これらの金属の含
有させる量は、金属酸化物として０．１重量％以上、さ
らに４重量％以上がよい。０．１重量％未満では電気的
絶縁性の酸化物になり、有効な帯電防止性が得られな
い。また１０重量％を越えて含有させても帯電防止能が
効果的に向上しない。
【００２１】請求項６の透光性電磁波フィルタは、請求
項１または２において、帯電防止性金属酸化物層を、バ
ナジウム、ニオブおよびタンタルからなる群から選ばれ
たいずれかを含む主成分が酸化ジルコニウムの層で構成
したことを特徴とする。酸化ジルコニウムにバナジウ
ム、ニオブあるいはタンタルを含有させることにより、
酸化ジルコニウム層は半導体的性質を有するようにな
り、帯電防止性能を有するようになる。これらの金属は
金属酸化物ベースで０．１〜１０重量％とするのが好ま
しい。０．１重量％未満では電気的絶縁性の金属酸化物
層になり、帯電防止性が得られない。
項１または２において、帯電防止性金属酸化物層を、バ
ナジウム、ニオブおよびタンタルからなる群から選ばれ
たいずれかを含む主成分が酸化ジルコニウムの層で構成
したことを特徴とする。酸化ジルコニウムにバナジウ
ム、ニオブあるいはタンタルを含有させることにより、
酸化ジルコニウム層は半導体的性質を有するようにな
り、帯電防止性能を有するようになる。これらの金属は
金属酸化物ベースで０．１〜１０重量％とするのが好ま
しい。０．１重量％未満では電気的絶縁性の金属酸化物
層になり、帯電防止性が得られない。
【００２２】請求項７の透光性電磁波フィルタは、請求
項１または２において、帯電防止性金属酸化物層を、プ
ラセオジウムを含む主成分が酸化セリウムの層で構成し
たことを特徴とする。含有させるプラセオジウムは、酸
化プラセオジウムベースで、０．１〜１０重量％とする
のが、上記と同様の理由で好ましい。
項１または２において、帯電防止性金属酸化物層を、プ
ラセオジウムを含む主成分が酸化セリウムの層で構成し
たことを特徴とする。含有させるプラセオジウムは、酸
化プラセオジウムベースで、０．１〜１０重量％とする
のが、上記と同様の理由で好ましい。
【００２３】請求項８の透光性電磁波フィルタは、請求
項１または２において、帯電防止性金属酸化物層を、モ
リブデンを含む酸化ニオブの層で構成したことを特徴と
する。モリブデンは、酸化ニオブベースで０．１〜１０
重量％とするのが上記と同様の理由で好ましい。
項１または２において、帯電防止性金属酸化物層を、モ
リブデンを含む酸化ニオブの層で構成したことを特徴と
する。モリブデンは、酸化ニオブベースで０．１〜１０
重量％とするのが上記と同様の理由で好ましい。
【００２４】請求項９の透光性電磁波フィルタは、請求
項１または２において、帯電防止性金属酸化物層を、バ
ナジウムおよびニオブからなる群から選ばれたいずれか
を含む主成分が酸化チタニウムの層で構成したことを特
徴とする。これらの含有させる金属は、金属酸化物ベー
ス（酸化チタニウムベース）で０．１〜１０重量％とす
るのが、上記と同様の理由で好ましい。
項１または２において、帯電防止性金属酸化物層を、バ
ナジウムおよびニオブからなる群から選ばれたいずれか
を含む主成分が酸化チタニウムの層で構成したことを特
徴とする。これらの含有させる金属は、金属酸化物ベー
ス（酸化チタニウムベース）で０．１〜１０重量％とす
るのが、上記と同様の理由で好ましい。
【００２５】請求項１０の透光性電磁波フィルタは、請
求項２〜９のいずれかにおいて、誘電体層のうち少なく
とも最表面の誘電体層が、帯電防止性金属酸化物層と窒
化シリコン、酸窒化シリコンおよび酸化錫からなる群か
ら選ばれたバリア層との積層体であることを特徴とす
る。
求項２〜９のいずれかにおいて、誘電体層のうち少なく
とも最表面の誘電体層が、帯電防止性金属酸化物層と窒
化シリコン、酸窒化シリコンおよび酸化錫からなる群か
ら選ばれたバリア層との積層体であることを特徴とす
る。
【００２６】誘電体層を構成する帯電防止性金属酸化物
層の厚み方向についてその一部を、窒化シリコン、酸窒
化シリコンおよび酸化錫のいずれかのバリア層で置換し
て、金属酸化物層とバリア層の積層体とすることによ
り、電磁波遮断膜の耐湿熱性を向上させることができ
る。ここで、酸窒化シリコン層は、原子比で表したＯ／
（Ｏ＋Ｎ）の比率が０．５以下で酸素を含有することが
好ましい。上記範囲内とすることにより、その層の微視
的格子構造が緩和し、その層の内部応力が低下する。こ
れにより、大気中や後述する粘着剤から浸透してくる腐
食性の不純物を効果的に阻止するとともに、積層体の層
間剥離を生じないようにすることができるからである。
層の厚み方向についてその一部を、窒化シリコン、酸窒
化シリコンおよび酸化錫のいずれかのバリア層で置換し
て、金属酸化物層とバリア層の積層体とすることによ
り、電磁波遮断膜の耐湿熱性を向上させることができ
る。ここで、酸窒化シリコン層は、原子比で表したＯ／
（Ｏ＋Ｎ）の比率が０．５以下で酸素を含有することが
好ましい。上記範囲内とすることにより、その層の微視
的格子構造が緩和し、その層の内部応力が低下する。こ
れにより、大気中や後述する粘着剤から浸透してくる腐
食性の不純物を効果的に阻止するとともに、積層体の層
間剥離を生じないようにすることができるからである。
【００２７】上記のバリア層の厚みは、各誘電体層の厚
みの２分の１以下の比較的薄い厚みでよい。バリア層は
電気絶縁性であるが、厚みを薄く設定することで、成膜
時にこの層に溜まる電荷が多くならず、ピンホールの発
生原因にならない。
みの２分の１以下の比較的薄い厚みでよい。バリア層は
電気絶縁性であるが、厚みを薄く設定することで、成膜
時にこの層に溜まる電荷が多くならず、ピンホールの発
生原因にならない。
【００２８】誘電体層を帯電防止性金属酸化物層とバリ
ア層の積層体とするとき、バリア層を銀層の上に接しな
いように金属酸化物層を介在させて積層するのが好まし
い。バリア層の成膜時の窒素プラズマあるいは酸素プラ
ズマの影響を銀層に与えることなく、大気や樹脂フィル
ムの粘着剤などからくる腐食性の不純物成分の銀層への
侵入を効果的に抑制できるからである。
ア層の積層体とするとき、バリア層を銀層の上に接しな
いように金属酸化物層を介在させて積層するのが好まし
い。バリア層の成膜時の窒素プラズマあるいは酸素プラ
ズマの影響を銀層に与えることなく、大気や樹脂フィル
ムの粘着剤などからくる腐食性の不純物成分の銀層への
侵入を効果的に抑制できるからである。
【００２９】請求項１１の透光性電磁波フィルタは、請
求項１〜１０のいずれかにおいて、銀層にパラジウムを
銀に対して０．１〜３重量％含み、かつチタンを、また
は銅を、またはその両者を（この場合はその合量で）
０．１〜３重量％含むことを特徴とする。銀に第１添加
金属としてパラジウムを、第２添加金属としてチタニウ
ム、銅またはそれらの両者を添加することにより、銀層
の耐湿熱性をパラジウムのみの添加よりも一層向上させ
ることができる。
求項１〜１０のいずれかにおいて、銀層にパラジウムを
銀に対して０．１〜３重量％含み、かつチタンを、また
は銅を、またはその両者を（この場合はその合量で）
０．１〜３重量％含むことを特徴とする。銀に第１添加
金属としてパラジウムを、第２添加金属としてチタニウ
ム、銅またはそれらの両者を添加することにより、銀層
の耐湿熱性をパラジウムのみの添加よりも一層向上させ
ることができる。
【００３０】請求項１２の透光性電磁波フィルタは、請
求項１〜１１のいずれかにおいて、視感度透過率を６０
％以上、波長８５０ｎｍにおける透過率を２０％以下と
したことを特徴とする。
求項１〜１１のいずれかにおいて、視感度透過率を６０
％以上、波長８５０ｎｍにおける透過率を２０％以下と
したことを特徴とする。
【００３１】請求項１３の透光性電磁波フィルタは、請
求項１２において、ｎの値が３、誘電体層について、透
明基板に最も近い誘電体層の厚みが２８〜５２ｎｍ、誘
電体層の厚み比率が透明基板から近い順に記して、３６
±４：７１±７：７０±７：３２±３とし、銀層につい
て、透明基板に最も近い銀層の厚みが７〜１８ｎｍ、銀
層の厚み比率が透明基板から近い順に、１０±１：１２
±１：１０±１であることを特徴とする。
求項１２において、ｎの値が３、誘電体層について、透
明基板に最も近い誘電体層の厚みが２８〜５２ｎｍ、誘
電体層の厚み比率が透明基板から近い順に記して、３６
±４：７１±７：７０±７：３２±３とし、銀層につい
て、透明基板に最も近い銀層の厚みが７〜１８ｎｍ、銀
層の厚み比率が透明基板から近い順に、１０±１：１２
±１：１０±１であることを特徴とする。
【００３２】誘電体層の厚みを上記の範囲とすることに
より、可視域での透過率を高く反射率を低くすると共
に、プラズマディスプレイ用の前面フィルタとして好ま
しい反射色調を中性色ないし薄紫色に、透過色調を中性
色にすることができる。銀層の厚みを上記範囲にするこ
とにより、電磁波遮断性および近赤外線遮断性をプラズ
マディスプレイ用の前面フィルタとして要求されるもの
となる。また、性能を確保する上からｎ≧３とするのが
よい。また、製造コストを低減する上からｎ≦５とする
のがよい。透光性電磁波遮断膜は、銀層を３層以上に誘
電体層により分割して、それぞれの銀層の厚みを選ぶこ
とにより、８５０ｎｍの波長における透過率を２０％以
下とすることができる。
より、可視域での透過率を高く反射率を低くすると共
に、プラズマディスプレイ用の前面フィルタとして好ま
しい反射色調を中性色ないし薄紫色に、透過色調を中性
色にすることができる。銀層の厚みを上記範囲にするこ
とにより、電磁波遮断性および近赤外線遮断性をプラズ
マディスプレイ用の前面フィルタとして要求されるもの
となる。また、性能を確保する上からｎ≧３とするのが
よい。また、製造コストを低減する上からｎ≦５とする
のがよい。透光性電磁波遮断膜は、銀層を３層以上に誘
電体層により分割して、それぞれの銀層の厚みを選ぶこ
とにより、８５０ｎｍの波長における透過率を２０％以
下とすることができる。
【００３３】誘電体層の厚みを選ぶことにより、視感度
透過率を６０％以上にすることができる。これによりプ
ラズマディスプレイの表示を明るく、かつ、近赤外線の
プラズマディスプレイパネルからの漏れを効果的に抑制
することができる。誘電体層の厚みを適宜調整すること
により、透明基板の表面と垂直な方向から見たときの反
射色が、Ｃｅａｌａｂ色座標におけるａ*、ｂ*で表し
て、−１≦ａ*≦１０、−１０≦ｂ*≦０、｜ａ*｜＜
１．５×｜ｂ*｜とすることができる。この色座標の数
値範囲内の色は、表示の色特性に影響を与えないので実
用的に好ましい。
透過率を６０％以上にすることができる。これによりプ
ラズマディスプレイの表示を明るく、かつ、近赤外線の
プラズマディスプレイパネルからの漏れを効果的に抑制
することができる。誘電体層の厚みを適宜調整すること
により、透明基板の表面と垂直な方向から見たときの反
射色が、Ｃｅａｌａｂ色座標におけるａ*、ｂ*で表し
て、−１≦ａ*≦１０、−１０≦ｂ*≦０、｜ａ*｜＜
１．５×｜ｂ*｜とすることができる。この色座標の数
値範囲内の色は、表示の色特性に影響を与えないので実
用的に好ましい。
【００３４】請求項１２のプラズマディスプレイ用透光
性電磁波フィルタは、請求項１２または１３において、
透光性電磁波遮断膜の表面に、樹脂フィルムを粘着剤に
より貼りつけたことを特徴とする。
性電磁波フィルタは、請求項１２または１３において、
透光性電磁波遮断膜の表面に、樹脂フィルムを粘着剤に
より貼りつけたことを特徴とする。
【００３５】本発明に用いられる樹脂フィルムは、透光
性電磁波遮断膜の大気雰囲気からの化学的な保護や透明
基板が割れたときの飛散防止等の物理的な保護のために
設けられる。この樹脂フィルムの５５０ｎｍの波長にお
ける屈折率は、視感度透過率を低下させないために１．
４０〜１．７０とするのが好ましい。樹脂フィルムの屈
折率が１．７０を越すと、この樹脂フィルムと透光性電
磁波遮断膜との屈折率差が大きくなり、この界面で生じ
る光の反射が大きくなり、電磁波フィルタの透過率を下
げてしまうので好ましくない。一方樹脂フィルムの屈折
率が１．４０より小さいと、本発明を使用者側から見た
ときの反射色が中性色から大きく外れてしまうので、外
観上好ましくない。
性電磁波遮断膜の大気雰囲気からの化学的な保護や透明
基板が割れたときの飛散防止等の物理的な保護のために
設けられる。この樹脂フィルムの５５０ｎｍの波長にお
ける屈折率は、視感度透過率を低下させないために１．
４０〜１．７０とするのが好ましい。樹脂フィルムの屈
折率が１．７０を越すと、この樹脂フィルムと透光性電
磁波遮断膜との屈折率差が大きくなり、この界面で生じ
る光の反射が大きくなり、電磁波フィルタの透過率を下
げてしまうので好ましくない。一方樹脂フィルムの屈折
率が１．４０より小さいと、本発明を使用者側から見た
ときの反射色が中性色から大きく外れてしまうので、外
観上好ましくない。
【００３６】樹脂フィルムの厚さは、１μｍ〜５ｍｍの
範囲のものが用いられる。本発明に用いることのできる
フィルムの材質としては、ＰＰ（ポリプロピレン）、Ｐ
Ｅ（ポリエステル）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレ
ート）やＰＥ（ポリエステル）、ＴＡＣ（トリアセチル
セルロース）、ＰＷ（ポリウレタン）を例示できる。ま
た薄いガラス板やその他無機材料の基板でもよい。
範囲のものが用いられる。本発明に用いることのできる
フィルムの材質としては、ＰＰ（ポリプロピレン）、Ｐ
Ｅ（ポリエステル）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレ
ート）やＰＥ（ポリエステル）、ＴＡＣ（トリアセチル
セルロース）、ＰＷ（ポリウレタン）を例示できる。ま
た薄いガラス板やその他無機材料の基板でもよい。
【００３７】本発明では、上記の樹脂フィルムを透光性
電磁波遮断膜に接着剤で接着させてもよく、粘着層を介
して接着させてもよい。粘着層としては、アクリル樹脂
系粘着層が、耐久性がよい点で好ましい。この粘着層の
厚さは、２０〜５００μｍとするのが好ましい。２０μ
ｍより薄いと、貼りつけ時に異物を噛み込んだときに生
じる段差を吸収しにくく、目視で判別できる製品欠陥が
生じやすくなるからである。また、５００μｍより厚い
と外部環境からの水分の浸入などを抑制し難くなるた
め、電磁波遮断膜の耐湿熱性を低下させる原因になりや
すいからである。樹脂フィルムには、反射防止（ＡＲ、
ＬＲ）コーティング、反射拡散（ＡＧ）処理が施されて
いてもよい。粘着層はあらかじめ、ろ過処理を施すこと
により固形物を含有させないようにするのがよい。固形
物があると貼付加工時に透光性電磁波遮断膜に傷をつけ
てしまうからである。
電磁波遮断膜に接着剤で接着させてもよく、粘着層を介
して接着させてもよい。粘着層としては、アクリル樹脂
系粘着層が、耐久性がよい点で好ましい。この粘着層の
厚さは、２０〜５００μｍとするのが好ましい。２０μ
ｍより薄いと、貼りつけ時に異物を噛み込んだときに生
じる段差を吸収しにくく、目視で判別できる製品欠陥が
生じやすくなるからである。また、５００μｍより厚い
と外部環境からの水分の浸入などを抑制し難くなるた
め、電磁波遮断膜の耐湿熱性を低下させる原因になりや
すいからである。樹脂フィルムには、反射防止（ＡＲ、
ＬＲ）コーティング、反射拡散（ＡＧ）処理が施されて
いてもよい。粘着層はあらかじめ、ろ過処理を施すこと
により固形物を含有させないようにするのがよい。固形
物があると貼付加工時に透光性電磁波遮断膜に傷をつけ
てしまうからである。
【００３８】請求項１５は、透明基板の一方の面に、前
記透明基板側から誘電体層と銀層とをこの順に交互に繰
り返し積層して（２ｎ＋１（ｎ≧１））層からなる透光
性電磁波遮断膜を被覆した透光性電磁波フィルタを製造
する方法であって、銀層を銀をターゲットとするスパッ
タリングにより成膜し、誘電体層を表面シート抵抗が５
０Ω／□以下の金属酸化物をターゲットとするスパッタ
リングにより成膜することを特徴とする透光性電磁波フ
ィルタの製造方法である。
記透明基板側から誘電体層と銀層とをこの順に交互に繰
り返し積層して（２ｎ＋１（ｎ≧１））層からなる透光
性電磁波遮断膜を被覆した透光性電磁波フィルタを製造
する方法であって、銀層を銀をターゲットとするスパッ
タリングにより成膜し、誘電体層を表面シート抵抗が５
０Ω／□以下の金属酸化物をターゲットとするスパッタ
リングにより成膜することを特徴とする透光性電磁波フ
ィルタの製造方法である。
【００３９】請求項１６の透光性電磁波フィルタの製造
方法は、請求項１５において、金属酸化物粉末の焼結体
ターゲットを、相隣り合うように配設した１対のマグネ
トロンカソードに設置し、前記カソードに、その極性が
１０Ｈｚ〜１ＭＨｚの周波数で互いに反転するように負
電圧を印加して生起させたグロー放電プラズマにより、
前記金属酸化物粉末の焼結体ターゲットをスパッタリン
グすることを特徴とする。
方法は、請求項１５において、金属酸化物粉末の焼結体
ターゲットを、相隣り合うように配設した１対のマグネ
トロンカソードに設置し、前記カソードに、その極性が
１０Ｈｚ〜１ＭＨｚの周波数で互いに反転するように負
電圧を印加して生起させたグロー放電プラズマにより、
前記金属酸化物粉末の焼結体ターゲットをスパッタリン
グすることを特徴とする。
【００４０】
【発明の実施の形態】図１（ａ）には、本発明の透光性
電磁波フィルタ６の一実施形態の断面図が示されてい
る。透明基板１の一方の表面に誘電体層１０と銀層１１
とが交互に積層された透光性電磁波遮断膜２が成膜され
ている。
電磁波フィルタ６の一実施形態の断面図が示されてい
る。透明基板１の一方の表面に誘電体層１０と銀層１１
とが交互に積層された透光性電磁波遮断膜２が成膜され
ている。
【００４１】本発明の誘電体層を形成する金属酸化物層
は、５５０ｎｍの波長における屈折率が１．６〜２．７
の帯電防止性の金属酸化物を含むことが必要である。本
発明で用いられる金属酸化物層の主成分は、酸化インジ
ウム、酸化錫、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化セリ
ウム、酸化ニオブ、酸化チタニウムが例示できる。これ
らの金属酸化物に少量の金属酸化物を添加させて半導体
的性質を付与し、帯電防止性を付与する。好ましい帯電
防止性を確保するための層の比抵抗は５Ωｃｍ以下であ
るのが好ましい。０．５Ωｃｍ以下であるのがより好ま
しく、０．０５Ωｃｍ以下であるのがさらに好ましい。
は、５５０ｎｍの波長における屈折率が１．６〜２．７
の帯電防止性の金属酸化物を含むことが必要である。本
発明で用いられる金属酸化物層の主成分は、酸化インジ
ウム、酸化錫、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化セリ
ウム、酸化ニオブ、酸化チタニウムが例示できる。これ
らの金属酸化物に少量の金属酸化物を添加させて半導体
的性質を付与し、帯電防止性を付与する。好ましい帯電
防止性を確保するための層の比抵抗は５Ωｃｍ以下であ
るのが好ましい。０．５Ωｃｍ以下であるのがより好ま
しく、０．０５Ωｃｍ以下であるのがさらに好ましい。
【００４２】本発明の誘電体層を構成する金属酸化物層
は帯電防止性能を有するので、それらの層がスパッタリ
ングで成膜されるときに帯電することが防止される。こ
のためマイクロアーキングが起こるのが抑制され、ピン
ホールや異物付着のない層とすることができる。
は帯電防止性能を有するので、それらの層がスパッタリ
ングで成膜されるときに帯電することが防止される。こ
のためマイクロアーキングが起こるのが抑制され、ピン
ホールや異物付着のない層とすることができる。
【００４３】上記の金属酸化物のうち、酸化インジウム
のみその単独成分で導電性の金属酸化物層となり、した
がって帯電防止性を有する。錫を含有させることによ
り、さらに帯電防止性が大きくなる。他の金属酸化物の
層は、単独成分では実質的に電気絶縁性である。これら
の金属酸化物に、少量の金属を含有させることにより、
Ｎ型またはＰ型の半導体的性質に基づく帯電防止性の透
明金属酸化物の層とすることができる。
のみその単独成分で導電性の金属酸化物層となり、した
がって帯電防止性を有する。錫を含有させることによ
り、さらに帯電防止性が大きくなる。他の金属酸化物の
層は、単独成分では実質的に電気絶縁性である。これら
の金属酸化物に、少量の金属を含有させることにより、
Ｎ型またはＰ型の半導体的性質に基づく帯電防止性の透
明金属酸化物の層とすることができる。
【００４４】帯電防止性の金属酸化物層は、屈折率が
１．６〜２．７である。本発明の帯電防止性の金属酸化
物層としては、酸化インジウムまたは錫を含む酸化イン
ジウム層（ＩＴＯ層）で構成することができる。アンチ
モン、ビスマス、亜鉛、インジウムからなる群から選ば
れたいずれかを含む主成分が酸化錫の層で構成すること
ができる。また、アルミニウム、ガリウム、インジウム
からなる群から選ばれたいずれかを含む主成分が酸化亜
鉛の層で構成することができる。また、バナジウム、ニ
オブおよびタンタルからなる群から選ばれたいずれかを
含む主成分が酸化ジルコニウムの層で構成することがで
きる。プラセオジウムを含む主成分が酸化セリウム層で
構成することができる。また、モリブデンを含む主成分
が酸化ニオブの層で構成することができる。また、バナ
ジウムおよびニオブからなる群から選ばれたいずれかを
含む主成分が酸化チタニウムの層で構成することができ
る。
１．６〜２．７である。本発明の帯電防止性の金属酸化
物層としては、酸化インジウムまたは錫を含む酸化イン
ジウム層（ＩＴＯ層）で構成することができる。アンチ
モン、ビスマス、亜鉛、インジウムからなる群から選ば
れたいずれかを含む主成分が酸化錫の層で構成すること
ができる。また、アルミニウム、ガリウム、インジウム
からなる群から選ばれたいずれかを含む主成分が酸化亜
鉛の層で構成することができる。また、バナジウム、ニ
オブおよびタンタルからなる群から選ばれたいずれかを
含む主成分が酸化ジルコニウムの層で構成することがで
きる。プラセオジウムを含む主成分が酸化セリウム層で
構成することができる。また、モリブデンを含む主成分
が酸化ニオブの層で構成することができる。また、バナ
ジウムおよびニオブからなる群から選ばれたいずれかを
含む主成分が酸化チタニウムの層で構成することができ
る。
【００４５】本発明の導電性金属酸化物の層は、その金
属酸化物の焼結体あるいは成形固化体をターゲットに用
いて減圧した雰囲気内で行うスパッタリングにより好適
に得られる。上記の金属酸化物ターゲットは、その表面
抵抗が５０Ω／□以下であることが必要である。５Ω／
□以下が好ましく、さらに０．５Ω／□以下が好まし
い。表面シート抵抗が５０Ω／□以下となるように、そ
の組成比や粉体粒度、焼結条件などを調整する。これに
より、直流電源や極性が反転する交互反転電源により生
起させるグロー放電を容易に安定して放電させ、ピンホ
ールのない誘電体膜とすることができる。以下に本発明
に好んで用いることができる金属酸化物層の成膜法を示
す。
属酸化物の焼結体あるいは成形固化体をターゲットに用
いて減圧した雰囲気内で行うスパッタリングにより好適
に得られる。上記の金属酸化物ターゲットは、その表面
抵抗が５０Ω／□以下であることが必要である。５Ω／
□以下が好ましく、さらに０．５Ω／□以下が好まし
い。表面シート抵抗が５０Ω／□以下となるように、そ
の組成比や粉体粒度、焼結条件などを調整する。これに
より、直流電源や極性が反転する交互反転電源により生
起させるグロー放電を容易に安定して放電させ、ピンホ
ールのない誘電体膜とすることができる。以下に本発明
に好んで用いることができる金属酸化物層の成膜法を示
す。
【００４６】・ＩＴＯ層：酸化インジウムに酸化錫換算
で１０重量％まで含有する酸化インジウムと酸化錫との
混合酸化物焼結体をターゲットとする。酸素を少量含有
するアルゴン雰囲気内でのスパッタリングで成膜する。 ・アルミニウム含有酸化亜鉛層（ＡＺＯ層）：酸化亜鉛
に二酸化アルミニウム換算で二酸化アルミニウムを４〜
１０重量％の範囲で含有する酸化亜鉛と二酸化アルミニ
ウムの混合酸化物焼結体をターゲットとする。少量の酸
素を含有するアルゴン雰囲気内でのスパッタリングで成
膜する。 ・アンチモン含有酸化錫層：酸化錫に酸化アンチモン換
算でアンチモンを０．１〜１０重量％の範囲で含有する
酸化錫と酸化アンチモンの混合酸化物焼結体をターゲッ
トとする。少量の酸素を含有するアルゴン雰囲気内での
スパッタリングで成膜する。 ・セリウム含有酸化インジウム層（ＩＣＯ層）：酸化イ
ンジウムに酸化セリウム換算で酸化セリウムを２０重量
％以下の範囲で含有する酸化インジウムと酸化セリウム
の混合酸化物の焼結体をターゲットとする。少量の酸素
を含有するアルゴン雰囲気でのスパッタリングで成膜す
る。 ・亜鉛含有酸化インジウム層（ＩＺＯ層）：酸化インジ
ウムに酸化亜鉛換算で酸化亜鉛を０．１〜１０重量％以
下の範囲で含有する混合酸化物焼結体をターゲットとす
る。酸素を含有するアルゴン雰囲気内でのスパッタリン
グで成膜する。 ・亜鉛含有酸化錫層：酸化錫に酸化亜鉛を酸化亜鉛換算
で０．１〜１０重量％の範囲で含有する混合酸化物焼結
体をターゲットとするスパッタリング。 ・バナジウムまたはニオブを含有する酸化ジルコニウム
層：酸化バナジウムまたは酸化ニオブを酸化物ベースで
酸化ジルコニウムに０．１〜１０重量％含有する混合物
焼結体をターゲットとする。少量の酸素を含有するアル
ゴン雰囲気でのスパッタリングで成膜する。 ・モリブデンを含む酸化ニオブ層：酸化モリブデンを酸
化物ベースで０．１〜１０重量％含有する酸化ニオブ焼
結体をターゲットとする。少量の酸素を含有するアルゴ
ン雰囲気でのスパッタリングで成膜する。 ・バナジウムまたはニオブを含有する酸化チタニウム
層：酸化バナジウムまたは酸化ニオブを酸化物ベースで
０．１〜１０重量％含有する酸化チタニウム焼結体をタ
ーゲットとする。少量の酸素を含有するアルゴン雰囲気
でのスパッタリングで成膜する。
で１０重量％まで含有する酸化インジウムと酸化錫との
混合酸化物焼結体をターゲットとする。酸素を少量含有
するアルゴン雰囲気内でのスパッタリングで成膜する。 ・アルミニウム含有酸化亜鉛層（ＡＺＯ層）：酸化亜鉛
に二酸化アルミニウム換算で二酸化アルミニウムを４〜
１０重量％の範囲で含有する酸化亜鉛と二酸化アルミニ
ウムの混合酸化物焼結体をターゲットとする。少量の酸
素を含有するアルゴン雰囲気内でのスパッタリングで成
膜する。 ・アンチモン含有酸化錫層：酸化錫に酸化アンチモン換
算でアンチモンを０．１〜１０重量％の範囲で含有する
酸化錫と酸化アンチモンの混合酸化物焼結体をターゲッ
トとする。少量の酸素を含有するアルゴン雰囲気内での
スパッタリングで成膜する。 ・セリウム含有酸化インジウム層（ＩＣＯ層）：酸化イ
ンジウムに酸化セリウム換算で酸化セリウムを２０重量
％以下の範囲で含有する酸化インジウムと酸化セリウム
の混合酸化物の焼結体をターゲットとする。少量の酸素
を含有するアルゴン雰囲気でのスパッタリングで成膜す
る。 ・亜鉛含有酸化インジウム層（ＩＺＯ層）：酸化インジ
ウムに酸化亜鉛換算で酸化亜鉛を０．１〜１０重量％以
下の範囲で含有する混合酸化物焼結体をターゲットとす
る。酸素を含有するアルゴン雰囲気内でのスパッタリン
グで成膜する。 ・亜鉛含有酸化錫層：酸化錫に酸化亜鉛を酸化亜鉛換算
で０．１〜１０重量％の範囲で含有する混合酸化物焼結
体をターゲットとするスパッタリング。 ・バナジウムまたはニオブを含有する酸化ジルコニウム
層：酸化バナジウムまたは酸化ニオブを酸化物ベースで
酸化ジルコニウムに０．１〜１０重量％含有する混合物
焼結体をターゲットとする。少量の酸素を含有するアル
ゴン雰囲気でのスパッタリングで成膜する。 ・モリブデンを含む酸化ニオブ層：酸化モリブデンを酸
化物ベースで０．１〜１０重量％含有する酸化ニオブ焼
結体をターゲットとする。少量の酸素を含有するアルゴ
ン雰囲気でのスパッタリングで成膜する。 ・バナジウムまたはニオブを含有する酸化チタニウム
層：酸化バナジウムまたは酸化ニオブを酸化物ベースで
０．１〜１０重量％含有する酸化チタニウム焼結体をタ
ーゲットとする。少量の酸素を含有するアルゴン雰囲気
でのスパッタリングで成膜する。
【００４７】本発明の銀層は、銀に少量の金属を銀層の
耐湿熱性を向上させるために含有させることができる。
含有させることができる金属は、パラジウム、白金、
金、銅およびチタニウム等が例示できる。なかでもパラ
ジウムは、銀層の透過率を大きく低下させることなく、
銀層の耐湿熱性を向上させるので好ましい。パラジウム
の含有量は銀に対して重量％で０．１以上とするのが好
ましく、さらに０．５以上とするのが好ましい。一方パ
ラジウムを多く含有すると、銀層の近赤外線の遮断性能
が低下する、すなわち８００〜９００ｎｍの近赤外線域
の透過率が大きくなるので、重量％で３．０以下とする
のが好ましく、さらに１．０％以下とするのが好まし
い。さらに、外部環境から進入してくる硫黄成分や塩化
物成分に対する銀の耐久性を上げるために、パラジウム
に加えて第２の添加成分としてチタニウムあるいは銅を
含有させるのがよい。この場合、０．１〜３重量％の範
囲で含有させるのが、光学特性および電気特性を大きく
低下させないので好ましい。
耐湿熱性を向上させるために含有させることができる。
含有させることができる金属は、パラジウム、白金、
金、銅およびチタニウム等が例示できる。なかでもパラ
ジウムは、銀層の透過率を大きく低下させることなく、
銀層の耐湿熱性を向上させるので好ましい。パラジウム
の含有量は銀に対して重量％で０．１以上とするのが好
ましく、さらに０．５以上とするのが好ましい。一方パ
ラジウムを多く含有すると、銀層の近赤外線の遮断性能
が低下する、すなわち８００〜９００ｎｍの近赤外線域
の透過率が大きくなるので、重量％で３．０以下とする
のが好ましく、さらに１．０％以下とするのが好まし
い。さらに、外部環境から進入してくる硫黄成分や塩化
物成分に対する銀の耐久性を上げるために、パラジウム
に加えて第２の添加成分としてチタニウムあるいは銅を
含有させるのがよい。この場合、０．１〜３重量％の範
囲で含有させるのが、光学特性および電気特性を大きく
低下させないので好ましい。
【００４８】本発明においては、透光性電磁波遮断膜の
耐久性を向上させるために、バリア層を設けることがで
きる。バリア層は最表面の誘電体層を構成する金属酸化
物層の外側あるいは金属酸化物を上下に分割するよう
に、すなわち銀層と接しないように設けるのが好まし
い。バリア層は銀層の腐食に有害な湿気、塩素分、硫黄
分どが透光性電磁波遮断膜の表面から侵入することを一
層防止する。また、このバリア層をスパッタリングによ
り成膜するときに使用する窒素プラズマや酸素プラズマ
が、銀層を劣化させないようにするために、銀に接して
成膜しないのが好ましい。
耐久性を向上させるために、バリア層を設けることがで
きる。バリア層は最表面の誘電体層を構成する金属酸化
物層の外側あるいは金属酸化物を上下に分割するよう
に、すなわち銀層と接しないように設けるのが好まし
い。バリア層は銀層の腐食に有害な湿気、塩素分、硫黄
分どが透光性電磁波遮断膜の表面から侵入することを一
層防止する。また、このバリア層をスパッタリングによ
り成膜するときに使用する窒素プラズマや酸素プラズマ
が、銀層を劣化させないようにするために、銀に接して
成膜しないのが好ましい。
【００４９】図１（ｂ）に、透明基板１の上に、誘電体
層１０と銀層１１とが積層された本発明の透光性電磁波
遮断膜２が積層された他の実施の形態を示す。透明基板
１から数えて３番目の誘電体層１０中にバリア層１２が
誘電体層を金属酸化物層１０ａ、１０ａに分割するよう
に設けられており、また、最表面の誘電体層１０を金属
酸化物層１０ｂとバリア層１２との積層体構成になって
いる。
層１０と銀層１１とが積層された本発明の透光性電磁波
遮断膜２が積層された他の実施の形態を示す。透明基板
１から数えて３番目の誘電体層１０中にバリア層１２が
誘電体層を金属酸化物層１０ａ、１０ａに分割するよう
に設けられており、また、最表面の誘電体層１０を金属
酸化物層１０ｂとバリア層１２との積層体構成になって
いる。
【００５０】銀層の厚みについては、透明基板１に最も
近い銀層の厚さを７〜１３ｎｍの比較的薄い範囲にする
ことは、可視光透過率を高透過率にするのに適し、また
１０〜１８ｎｍの比較的厚い範囲にするは、８５０ｎｍ
付近の波長での透過率を低くするのに適している。
近い銀層の厚さを７〜１３ｎｍの比較的薄い範囲にする
ことは、可視光透過率を高透過率にするのに適し、また
１０〜１８ｎｍの比較的厚い範囲にするは、８５０ｎｍ
付近の波長での透過率を低くするのに適している。
【００５１】たとえば、誘電体層については、透明基板
１に銀層の厚みを１２ｎｍとすると、最も近い誘電体層
の厚みを約４０ｎｍとしたとき、シート抵抗を約２Ω／
□、視感度透過率を６０％以上、波長８５０ｎｍにおけ
る透過率を２０％以下、透光性電磁波遮断フィルタとす
ることができる。
１に銀層の厚みを１２ｎｍとすると、最も近い誘電体層
の厚みを約４０ｎｍとしたとき、シート抵抗を約２Ω／
□、視感度透過率を６０％以上、波長８５０ｎｍにおけ
る透過率を２０％以下、透光性電磁波遮断フィルタとす
ることができる。
【００５２】図２は、本発明の透光性電磁波遮断フィル
タ６の他の実施の形態であって、透明基板１の周辺部の
一部に電磁波遮断膜２を外部と電気的に接続するために
銀ペーストを塗布して作成したブスバー５が設けられ、
ブスバー５と透明基板１の上に透光性電磁波遮断膜２が
設けられている。透光性電磁波遮断膜２は、粘着層３に
よりＰＥＴフィルム４で被覆され保護されている。この
ブスバーの厚みは２０μｍ以下とするのがよい。着色セ
ラミックパターンをブスバーの目隠しとして透明基板の
周辺部に形成してもよい。また本発明では可視光色補正
用の色素を有したフィルムをいずれかの位置に挿入する
ことにより、総合的な透過に近くすることができる。
タ６の他の実施の形態であって、透明基板１の周辺部の
一部に電磁波遮断膜２を外部と電気的に接続するために
銀ペーストを塗布して作成したブスバー５が設けられ、
ブスバー５と透明基板１の上に透光性電磁波遮断膜２が
設けられている。透光性電磁波遮断膜２は、粘着層３に
よりＰＥＴフィルム４で被覆され保護されている。この
ブスバーの厚みは２０μｍ以下とするのがよい。着色セ
ラミックパターンをブスバーの目隠しとして透明基板の
周辺部に形成してもよい。また本発明では可視光色補正
用の色素を有したフィルムをいずれかの位置に挿入する
ことにより、総合的な透過に近くすることができる。
【００５３】図３は、本発明の透光性電磁波フィルタ６
がプラズマディスプレイの前面フィルタとして用いられ
るときの使用例を示す図であって、透光性電磁波フィル
タ６は、プラズマディスプレイ７の表示面７ａに貼りつ
けられ、それらは筐体８内に収納固定されている。透光
性電磁波遮断膜の表面、ＰＥＴフィルムの外側表面ある
いは内側表面、透明基板の電磁波遮断膜を被覆しない表
面などに反射防止処理を施して視感度透過率を６５％以
上にすることができる。本発明の電磁波フィルタを、プ
ラズマディスプレイの放電空間を形成する前面ガラスと
して用いることができる。
がプラズマディスプレイの前面フィルタとして用いられ
るときの使用例を示す図であって、透光性電磁波フィル
タ６は、プラズマディスプレイ７の表示面７ａに貼りつ
けられ、それらは筐体８内に収納固定されている。透光
性電磁波遮断膜の表面、ＰＥＴフィルムの外側表面ある
いは内側表面、透明基板の電磁波遮断膜を被覆しない表
面などに反射防止処理を施して視感度透過率を６５％以
上にすることができる。本発明の電磁波フィルタを、プ
ラズマディスプレイの放電空間を形成する前面ガラスと
して用いることができる。
【００５４】図４および図５は、本発明において、誘電
体層の厚みが与える可視域での反射率曲線および透過率
曲線への影響を説明する図である。誘電体層の厚みは、
薄い順からａ、ｂ、ｃであり、誘電体層の厚みにより、
反射率が最小にまたは透過率が最大になる中心波長が、
短波長から長波長にシフトすることが分かる。
体層の厚みが与える可視域での反射率曲線および透過率
曲線への影響を説明する図である。誘電体層の厚みは、
薄い順からａ、ｂ、ｃであり、誘電体層の厚みにより、
反射率が最小にまたは透過率が最大になる中心波長が、
短波長から長波長にシフトすることが分かる。
【００５５】本発明の透光性電磁波フィルタの製造方法
によれば、誘電体層を構成する金属酸化物層は、表面シ
ート抵抗が５０Ω／□以下の金属酸化物焼結体をターゲ
ットとするスパッタリングで成膜される。表面シート抵
抗が５０Ω/□以下の金属酸化物焼結体のターゲットを
アルゴンまたはアルゴンと酸素とを含有するスパッタリ
ングガス雰囲気でスパッタリングすることにより、透明
基板上に帯電防止性を有する金属酸化物層を成膜するこ
とができる。
によれば、誘電体層を構成する金属酸化物層は、表面シ
ート抵抗が５０Ω／□以下の金属酸化物焼結体をターゲ
ットとするスパッタリングで成膜される。表面シート抵
抗が５０Ω/□以下の金属酸化物焼結体のターゲットを
アルゴンまたはアルゴンと酸素とを含有するスパッタリ
ングガス雰囲気でスパッタリングすることにより、透明
基板上に帯電防止性を有する金属酸化物層を成膜するこ
とができる。
【００５６】スパッタリングによる成膜に際しては、金
属酸化物層中の酸素欠陥を少なくし、可視域の光吸収を
少なくするために、必要に応じて雰囲気中に数％程度の
酸素を含有させる。本発明においては、透明な金属酸化
物を成膜するための雰囲気内に導入するガス中の酸素は
少量でよく通常５容量％以下でよい。また、金属酸化物
層中の酸素不足を生じないようにするために、金属酸化
物によって一律に論ずることはできないが。０．１容量
％以上、好ましくは２容量％以上の酸素を含有させるの
が好ましい。
属酸化物層中の酸素欠陥を少なくし、可視域の光吸収を
少なくするために、必要に応じて雰囲気中に数％程度の
酸素を含有させる。本発明においては、透明な金属酸化
物を成膜するための雰囲気内に導入するガス中の酸素は
少量でよく通常５容量％以下でよい。また、金属酸化物
層中の酸素不足を生じないようにするために、金属酸化
物によって一律に論ずることはできないが。０．１容量
％以上、好ましくは２容量％以上の酸素を含有させるの
が好ましい。
【００５７】本発明において設けられるバリア層の窒化
シリコン層および酸窒化シリコン層は、シリコンターゲ
ットをそれぞれ窒素とアルゴンの混合ガスおよび窒素と
酸素とアルゴンの混合ガスのスパッタリングガス雰囲気
で行う反応性スパッタリングにより成膜することができ
る。この場合、シリコンにはボロン、アルミ、リンのい
ずれかを数ＰＰＭのオーダーで含有させ、ターゲットの
表面シート抵抗を約５０Ω／□以下にするのが好まし
い。
シリコン層および酸窒化シリコン層は、シリコンターゲ
ットをそれぞれ窒素とアルゴンの混合ガスおよび窒素と
酸素とアルゴンの混合ガスのスパッタリングガス雰囲気
で行う反応性スパッタリングにより成膜することができ
る。この場合、シリコンにはボロン、アルミ、リンのい
ずれかを数ＰＰＭのオーダーで含有させ、ターゲットの
表面シート抵抗を約５０Ω／□以下にするのが好まし
い。
【００５８】上述のように、本発明の誘電体層を構成す
る金属酸化物層は、金属をターゲットに用いてアルゴン
と通常透明な金属酸化物層とするために大量に必要な酸
素との混合ガス雰囲気中でスパッタリングをするのでな
く、金属酸化物ターゲットを用いてアルゴンを含む雰囲
気で行う。本発明では、金属酸化物をスパッタリングす
る雰囲気ガスの主成分はアルゴンなどの不活性ガスであ
り、必要とする酸素は少量でよい。少ない酸素プラズマ
で帯電防止性の金属酸化物ターゲットをスパッタリング
することにより、誘電体層を帯電防止性の層とすること
ができる。
る金属酸化物層は、金属をターゲットに用いてアルゴン
と通常透明な金属酸化物層とするために大量に必要な酸
素との混合ガス雰囲気中でスパッタリングをするのでな
く、金属酸化物ターゲットを用いてアルゴンを含む雰囲
気で行う。本発明では、金属酸化物をスパッタリングす
る雰囲気ガスの主成分はアルゴンなどの不活性ガスであ
り、必要とする酸素は少量でよい。少ない酸素プラズマ
で帯電防止性の金属酸化物ターゲットをスパッタリング
することにより、誘電体層を帯電防止性の層とすること
ができる。
【００５９】誘電体層を帯電防止性の層とすることで、
誘電体層の成膜時および誘電体層の上に積層するバリア
層の成膜時のマイクロアーキングの発生を回避できる。
この結果、透光性電磁波遮断膜のピンホールの発生を効
果的に減少させることができる。
誘電体層の成膜時および誘電体層の上に積層するバリア
層の成膜時のマイクロアーキングの発生を回避できる。
この結果、透光性電磁波遮断膜のピンホールの発生を効
果的に減少させることができる。
【００６０】また誘電体層を構成する金属酸化物の成膜
を金属酸化物焼結体をスパッタリングして成膜すること
により、スパッタリング雰囲気ガスに含ませる酸素が少
量でよいので、すでに基板上に成膜されている銀層が、
銀層の上に金属酸化物層が成膜されるときの酸素プラズ
マによる劣化が抑えられる。また、銀層の結晶性を劣化
させることがない。これにより、銀層を保護するための
犠牲層（極薄い亜鉛などの金属層でこれ自体が酸化され
ることでその下の銀層を保護する）が必要でなくなり、
光学的に吸収のない優れた透光性電磁波遮断膜とするこ
とができる。
を金属酸化物焼結体をスパッタリングして成膜すること
により、スパッタリング雰囲気ガスに含ませる酸素が少
量でよいので、すでに基板上に成膜されている銀層が、
銀層の上に金属酸化物層が成膜されるときの酸素プラズ
マによる劣化が抑えられる。また、銀層の結晶性を劣化
させることがない。これにより、銀層を保護するための
犠牲層（極薄い亜鉛などの金属層でこれ自体が酸化され
ることでその下の銀層を保護する）が必要でなくなり、
光学的に吸収のない優れた透光性電磁波遮断膜とするこ
とができる。
【００６１】本発明の誘電体層の金属酸化物層をスパッ
タリングにより成膜するにあたっては、直流（ＤＣ）ス
パッタリング法を用いることができる。また、１対のマ
グネトロンスパッタリングカソードに金属酸化物の焼結
体ターゲットを設置して、交互にその極性が１０Ｈｚ〜
１ＭＨｚの周波数で反転するように各々のカソードに印
加する電圧を極性反転させるのが好ましい。
タリングにより成膜するにあたっては、直流（ＤＣ）ス
パッタリング法を用いることができる。また、１対のマ
グネトロンスパッタリングカソードに金属酸化物の焼結
体ターゲットを設置して、交互にその極性が１０Ｈｚ〜
１ＭＨｚの周波数で反転するように各々のカソードに印
加する電圧を極性反転させるのが好ましい。
【００６２】本発明の誘電体層を構成する窒化シリコン
層または酸窒化シリコン層をスパッタリングにより成膜
するにあたっては、シリコンの焼結体ターゲットをＤＣ
スパッタリングする方法を用いることができる。この場
合も金属酸化物層と同じように２つのカソードを１組と
し、それらの極性を反転させるマグネトロンスパッタリ
ングカソードを用いるのが好ましい。
層または酸窒化シリコン層をスパッタリングにより成膜
するにあたっては、シリコンの焼結体ターゲットをＤＣ
スパッタリングする方法を用いることができる。この場
合も金属酸化物層と同じように２つのカソードを１組と
し、それらの極性を反転させるマグネトロンスパッタリ
ングカソードを用いるのが好ましい。
【００６３】金属酸化物焼結体あるいはシリコンのター
ゲット表面は、カソードに印加される極性が短時間に反
転するので、ターゲット表面上に堆積する窒化シリコン
や酸窒化シリコンの帯電性の膜の除電が実施でき、また
基板およびその周辺は電極として働かないため、成膜さ
れる酸化物層や窒化物層による電位変動に影響されず安
定なグロー放電状態が維持される。１対のターゲットの
表面が互いにカソードおよびアノードとなるため、表面
をスパッタリングによりクリーニングしながらグロー放
電を維持できる。このため、たとえば窒化シリコンのバ
リア層をシリコン（微量のボロンないしアルミニウムを
ドープして若干の導電性をもたせる）ターゲットから窒
素プラズマによる反応性スパッタリングで成膜する場
合、ターゲットのエロージョン域とそうでない域の境界
近傍に堆積する窒化シリコンの膜は、除電作用により帯
電せずアーキングが発生しない。
ゲット表面は、カソードに印加される極性が短時間に反
転するので、ターゲット表面上に堆積する窒化シリコン
や酸窒化シリコンの帯電性の膜の除電が実施でき、また
基板およびその周辺は電極として働かないため、成膜さ
れる酸化物層や窒化物層による電位変動に影響されず安
定なグロー放電状態が維持される。１対のターゲットの
表面が互いにカソードおよびアノードとなるため、表面
をスパッタリングによりクリーニングしながらグロー放
電を維持できる。このため、たとえば窒化シリコンのバ
リア層をシリコン（微量のボロンないしアルミニウムを
ドープして若干の導電性をもたせる）ターゲットから窒
素プラズマによる反応性スパッタリングで成膜する場
合、ターゲットのエロージョン域とそうでない域の境界
近傍に堆積する窒化シリコンの膜は、除電作用により帯
電せずアーキングが発生しない。
【００６４】上記の安定した放電を確保するために、反
転周波数は１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚとするのが好まし
く、さらに放電プラズマの安定性を得る観点から、４０
〜５０ｋＨｚが最も好ましい。その印加電圧の波形や電
流波形には、正弦波や両極パルス波など時間軸に対して
プラス時とマイナス時のターゲット表面の蓄積電荷が長
時間でみれば全体的にほぼゼロになっていることが除電
作用の点で好ましい。したがって、フーリエ分解可能な
時間軸に対し対象な波形を有する電圧を印加するのが好
ましい。
転周波数は１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚとするのが好まし
く、さらに放電プラズマの安定性を得る観点から、４０
〜５０ｋＨｚが最も好ましい。その印加電圧の波形や電
流波形には、正弦波や両極パルス波など時間軸に対して
プラス時とマイナス時のターゲット表面の蓄積電荷が長
時間でみれば全体的にほぼゼロになっていることが除電
作用の点で好ましい。したがって、フーリエ分解可能な
時間軸に対し対象な波形を有する電圧を印加するのが好
ましい。
【００６５】本発明の銀層は、ＤＣマグネトロンスパッ
タリング法で成膜できる。この層は極めて導電性が高い
材料で構成されるため、その放電安定性には何ら問題は
ない。この際使用する雰囲気ガスは純アルゴンが好まし
い。
タリング法で成膜できる。この層は極めて導電性が高い
材料で構成されるため、その放電安定性には何ら問題は
ない。この際使用する雰囲気ガスは純アルゴンが好まし
い。
【００６６】本発明の透光性電磁波遮断膜は、通常室温
で成膜される。また銀の結晶性を飛躍的に改善するため
に、約２００℃以下の温度で基板を加熱しながら行って
もよい。また、室温で成膜した後、得られた積層体を大
気中または窒素雰囲気中で約３００℃までの温度で加熱
処理を施すのは、誘電体層中の光吸収を解消し、かつ銀
層の比抵抗を改善することができるので好ましい。特に
成膜時で１００℃以上に加熱するか、成膜後で１５０℃
以上の加熱を行うことにより、透光性電磁波遮断膜のシ
ート抵抗の大気中での加熱（たとえば２００℃、１５
分）での抵抗変化を０．９〜１．１倍に安定化すること
ができる。可視光線透過率の熱安定性（大気中２００
℃、１５分）を変化透過率の変化倍率で０．９５〜１．
０５に安定化することができる。
で成膜される。また銀の結晶性を飛躍的に改善するため
に、約２００℃以下の温度で基板を加熱しながら行って
もよい。また、室温で成膜した後、得られた積層体を大
気中または窒素雰囲気中で約３００℃までの温度で加熱
処理を施すのは、誘電体層中の光吸収を解消し、かつ銀
層の比抵抗を改善することができるので好ましい。特に
成膜時で１００℃以上に加熱するか、成膜後で１５０℃
以上の加熱を行うことにより、透光性電磁波遮断膜のシ
ート抵抗の大気中での加熱（たとえば２００℃、１５
分）での抵抗変化を０．９〜１．１倍に安定化すること
ができる。可視光線透過率の熱安定性（大気中２００
℃、１５分）を変化透過率の変化倍率で０．９５〜１．
０５に安定化することができる。
【００６７】また、膜構造が窒化シリコンや酸窒化シリ
コンのバリア層を１層以上含み、銀層に第１、第２の添
加金属を含有させることにより、その耐熱性が著しく向
上し、透明基板をガラス板としたとき、６００℃以上の
加熱曲げや強化熱処理工程を経ても、劣化しない電磁波
遮断膜付きガラス板とすることができる。本発明おいて
は、透明基板は、通常ガラス板や樹脂板が用いられる。
コンのバリア層を１層以上含み、銀層に第１、第２の添
加金属を含有させることにより、その耐熱性が著しく向
上し、透明基板をガラス板としたとき、６００℃以上の
加熱曲げや強化熱処理工程を経ても、劣化しない電磁波
遮断膜付きガラス板とすることができる。本発明おいて
は、透明基板は、通常ガラス板や樹脂板が用いられる。
【００６８】以下に本発明を実施例と比較例により詳し
く説明する。透光性電磁波遮断膜を構成する金属酸化物
層、バリア層および銀層の成膜条件は表２にまとめて示
す。 （帯電防止性金属酸化物層の成膜） ・実施例について １）帯電防止性の金属酸化物層の成膜については、表面
抵抗が制御された金属酸化物焼結体をターゲットに用い
て、光学特性と電気特性の両方に着目して誘電体層が透
明でかつ帯電防止性を有するように、微量の酸素を含む
アルゴンガス雰囲気でのＤＣマグネトロンスパッタリン
グで成膜した（以下焼結体ＤＣ法）。実施例２、３、
４、５については２つのターゲットを用いた極性反転マ
グネトロンスパッタリング法（以下ＤＭ法）で、より高
速に成膜を行った。 ２）スパッタリング雰囲気の全圧は１〜８ｍＴｏｒｒと
した。 ３）成膜中の基板は２００℃以上に上昇しないようにし
た。 ・比較例について １）金属（合金）または表面抵抗が制御されていない金
属酸化物をターゲットとして、酸素反応性ＤＣマグネト
ロンスパッタリング（以下酸素ＤＣ法）により成膜し
た。ここで雰囲気ガスの酸素量は、光学特性のみに着目
して誘電体層が完全に透明な金属酸化物層となるのに十
分な量の酸素を導入した。 ２）スパッタリング雰囲気の全圧は１〜８ｍＴｏｒｒと
した。 ３）成膜中の基板は２００℃以上に上昇しないようにし
た。
く説明する。透光性電磁波遮断膜を構成する金属酸化物
層、バリア層および銀層の成膜条件は表２にまとめて示
す。 （帯電防止性金属酸化物層の成膜） ・実施例について １）帯電防止性の金属酸化物層の成膜については、表面
抵抗が制御された金属酸化物焼結体をターゲットに用い
て、光学特性と電気特性の両方に着目して誘電体層が透
明でかつ帯電防止性を有するように、微量の酸素を含む
アルゴンガス雰囲気でのＤＣマグネトロンスパッタリン
グで成膜した（以下焼結体ＤＣ法）。実施例２、３、
４、５については２つのターゲットを用いた極性反転マ
グネトロンスパッタリング法（以下ＤＭ法）で、より高
速に成膜を行った。 ２）スパッタリング雰囲気の全圧は１〜８ｍＴｏｒｒと
した。 ３）成膜中の基板は２００℃以上に上昇しないようにし
た。 ・比較例について １）金属（合金）または表面抵抗が制御されていない金
属酸化物をターゲットとして、酸素反応性ＤＣマグネト
ロンスパッタリング（以下酸素ＤＣ法）により成膜し
た。ここで雰囲気ガスの酸素量は、光学特性のみに着目
して誘電体層が完全に透明な金属酸化物層となるのに十
分な量の酸素を導入した。 ２）スパッタリング雰囲気の全圧は１〜８ｍＴｏｒｒと
した。 ３）成膜中の基板は２００℃以上に上昇しないようにし
た。
【００６９】（バリア層の成膜） １）窒素とアルゴンの混合ガスによる窒素反応性マグネ
トロンスパッタリングにより窒化シリコン層を、酸素と
窒素とアルゴンの混合ガスによる窒素酸素反応性マグネ
トロンスパッタリングによりシリコンの酸窒化層を成膜
した。シリコンターゲットは、それ自身の導電性を確保
するために少量の不純物をドープした。電気的に絶縁性
である酸化錫層は、金属錫ターゲットを酸素を含む雰囲
気中での酸素反応性ＤＣマグネトロンスパッタリング法
により成膜した。実施例３、４、５については、２つの
ターゲットを用いた酸素あるいは酸素窒素反応性極性反
転マグネトロンスパッタリング法（以下反応性ＤＭ法）
によった。 ２）スパッタリング雰囲気の全圧は１〜８ｍＴｏｒｒと
した。 ３）成膜中の基板温度は２００℃までとした。
トロンスパッタリングにより窒化シリコン層を、酸素と
窒素とアルゴンの混合ガスによる窒素酸素反応性マグネ
トロンスパッタリングによりシリコンの酸窒化層を成膜
した。シリコンターゲットは、それ自身の導電性を確保
するために少量の不純物をドープした。電気的に絶縁性
である酸化錫層は、金属錫ターゲットを酸素を含む雰囲
気中での酸素反応性ＤＣマグネトロンスパッタリング法
により成膜した。実施例３、４、５については、２つの
ターゲットを用いた酸素あるいは酸素窒素反応性極性反
転マグネトロンスパッタリング法（以下反応性ＤＭ法）
によった。 ２）スパッタリング雰囲気の全圧は１〜８ｍＴｏｒｒと
した。 ３）成膜中の基板温度は２００℃までとした。
【００７０】（銀層の成膜） １）銀または銀にパラジウム、銅、チタンなどを含有さ
せた金属ターゲットをアルゴンガス雰囲気中でスパッタ
リングした。全圧は１〜８ｍＴｏｒｒとした。 （表１の説明） １）層の略号の説明 ・ＩＺＯ層：酸化インジウム９０重量％、酸化亜鉛１０
重量％のターゲットを使用して得た層。 ・ＡＺＯ層：酸化亜鉛９８重量％、酸化アルミニウム２
重量％のターゲットを使用して得た層。 ・ＴＢＯ層：酸化錫９８重量％、酸化ビスマス２重量％
のターゲットを使用して得た層。 ・ＩＴＯ層：酸化インジウム９５重量％、酸化錫５重量
％のターゲットを使用して得た層。 ・ＺrＮｂＯ層：酸化ジルコニウム９６重量％、酸化ニ
オブ４重量％のターゲットを使用して得た層。 ・ＴＮＯ層：酸化チタン９７重量％、酸化ニオブ３重量
％のターゲットを使用して得た層。 ・ＮＭＯ層：酸化ニオブ９８重量％、酸化モリブデン換
算２重量％のターゲットを使用（モリブデンは金属粉末
で混合した。）して得た層。 ２）ＡｇＰｄ層は、総量に対して銀を９９．６重量％パ
ラジウムを０．４重量％含有させた層。ＡｇＰｄＣｕは
総量に対して銀を９８．４重量％、パラジウムを０．８
％、銅を０．８％含有させた層。ＡｇＰｄＴｉは総量に
対して銀を９９．０重量％、パラジウムを０．５％、チ
タンを０．５％含有させた層。 ３）ＳｉＮ層、ＳｉＮＯ層：それぞれシリコンの窒化物
層、酸窒化物層。 ４）( )内の数値は厚みで、単位は透光性電磁波遮断膜
はｎｍ、粘着層および樹脂フィルムはμｍである。層
は、上から下に積層順に記載されている。
せた金属ターゲットをアルゴンガス雰囲気中でスパッタ
リングした。全圧は１〜８ｍＴｏｒｒとした。 （表１の説明） １）層の略号の説明 ・ＩＺＯ層：酸化インジウム９０重量％、酸化亜鉛１０
重量％のターゲットを使用して得た層。 ・ＡＺＯ層：酸化亜鉛９８重量％、酸化アルミニウム２
重量％のターゲットを使用して得た層。 ・ＴＢＯ層：酸化錫９８重量％、酸化ビスマス２重量％
のターゲットを使用して得た層。 ・ＩＴＯ層：酸化インジウム９５重量％、酸化錫５重量
％のターゲットを使用して得た層。 ・ＺrＮｂＯ層：酸化ジルコニウム９６重量％、酸化ニ
オブ４重量％のターゲットを使用して得た層。 ・ＴＮＯ層：酸化チタン９７重量％、酸化ニオブ３重量
％のターゲットを使用して得た層。 ・ＮＭＯ層：酸化ニオブ９８重量％、酸化モリブデン換
算２重量％のターゲットを使用（モリブデンは金属粉末
で混合した。）して得た層。 ２）ＡｇＰｄ層は、総量に対して銀を９９．６重量％パ
ラジウムを０．４重量％含有させた層。ＡｇＰｄＣｕは
総量に対して銀を９８．４重量％、パラジウムを０．８
％、銅を０．８％含有させた層。ＡｇＰｄＴｉは総量に
対して銀を９９．０重量％、パラジウムを０．５％、チ
タンを０．５％含有させた層。 ３）ＳｉＮ層、ＳｉＮＯ層：それぞれシリコンの窒化物
層、酸窒化物層。 ４）( )内の数値は厚みで、単位は透光性電磁波遮断膜
はｎｍ、粘着層および樹脂フィルムはμｍである。層
は、上から下に積層順に記載されている。
【００７１】（サンプルの評価） １）耐湿熱試験：温度６０℃、湿度９０％に維持して目
視でヒロック、曇りなどの発生の程度や発生時間を調べ
た。 ２）ピンホール欠点レベル（目視検査） ◎：１個/１００ｃｍ2以下 ○：２〜５個/１００ｃｍ2 △：６〜１０個/１００ｃｍ2 ×：１０個/１００ｃｍ2以上 ２）シート抵抗：四端子法抵抗計で測定した。 ３）透過率：分光光度計により測定した。視感度透過率
はＤ65光源による。
視でヒロック、曇りなどの発生の程度や発生時間を調べ
た。 ２）ピンホール欠点レベル（目視検査） ◎：１個/１００ｃｍ2以下 ○：２〜５個/１００ｃｍ2 △：６〜１０個/１００ｃｍ2 ×：１０個/１００ｃｍ2以上 ２）シート抵抗：四端子法抵抗計で測定した。 ３）透過率：分光光度計により測定した。視感度透過率
はＤ65光源による。
【００７２】実施例１ ２ｍｍの厚みで縦横３０ｃｍのソーダライムシリカ組成
のガラス板に、ガラス板／ＩＺＯ層／銀層／ＩＺＯ層／
銀層／ＩＺＯ層／銀層／ＩＺＯ層／ＳｎＯ2層で示され
る積層構成（表１の実施例１の欄）の透光性電磁波遮断
膜を被覆した。さらに、透光性電磁波遮断膜の表面に粘
着層を有するＰＥＴフィルムを貼りつけ、表面を傷など
から保護したサンプル１を作成した。透光性電磁波遮断
膜の各層は、スパッタリングにより表２の実施例１の欄
に示す条件で成膜した。また、得られたサンプル１の性
能特性を表３に示した。ブルー、グリーン、レッドに相
当する４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、６５０ｎｍでの透過率
はいずれも６０％以上と高く、近赤外線遮断性能は実用
的に必要とされる性能（２０％以下）よりも優れた１３
％と低いものであった。また、シート抵抗は、必要とさ
れる性能（３Ω／□以下）よりも小さい１．９Ω／□で
あった。耐湿熱性は、必要とされる１０００時間を越え
るものであった。また、誘電体層に帯電防止性の金属酸
化物を用いたので、ピンホール欠点レベルは◎評価であ
った。
のガラス板に、ガラス板／ＩＺＯ層／銀層／ＩＺＯ層／
銀層／ＩＺＯ層／銀層／ＩＺＯ層／ＳｎＯ2層で示され
る積層構成（表１の実施例１の欄）の透光性電磁波遮断
膜を被覆した。さらに、透光性電磁波遮断膜の表面に粘
着層を有するＰＥＴフィルムを貼りつけ、表面を傷など
から保護したサンプル１を作成した。透光性電磁波遮断
膜の各層は、スパッタリングにより表２の実施例１の欄
に示す条件で成膜した。また、得られたサンプル１の性
能特性を表３に示した。ブルー、グリーン、レッドに相
当する４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、６５０ｎｍでの透過率
はいずれも６０％以上と高く、近赤外線遮断性能は実用
的に必要とされる性能（２０％以下）よりも優れた１３
％と低いものであった。また、シート抵抗は、必要とさ
れる性能（３Ω／□以下）よりも小さい１．９Ω／□で
あった。耐湿熱性は、必要とされる１０００時間を越え
るものであった。また、誘電体層に帯電防止性の金属酸
化物を用いたので、ピンホール欠点レベルは◎評価であ
った。
【００７３】
【表１】 ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝ 例 実施例１ 実施例２ 実施例３ 実施例４ 実施例５ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 透明基板 カ゛ラス板 カ゛ラス板 カ゛ラス板 カ゛ラス板 カ゛ラス板 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 電磁波遮断膜 第1誘電体層 IZO(40) SiN(20) ITO(40) TBO(40) AZO(41) AZO(20) 第1銀層 AgPd(11) AgPdTi(11) AgPd(11) AgPdCu(11) AgPd(11) 第2誘電体層 IZO(79) AZO(31) ITO(78) TBO(40) AZO(78) SiN(20) AZO(30) 第2銀層 AgPd(11) AgPdTi(14) AgPd(14) AgPdCu(14) AgPd(14) 第3誘電体層 IZO(78) AZO(28) ITO(60) TBO(79) AZO(79) SiN(20) SiNO(18) AZO(30) 第3銀層 AgPd(11) AgPdTi(11) AgPd(11) AgPdCu(11) AgPd(11) 第4誘電体層 IZO(20) AZO(16) ITO(24) TBO(18) AZO(37) SnO２(16) SiN(20) SiNO(12) SiN0(18) 帯電防止性金 0.0062 0.054 0.0021 0.012 0.053 属酸化物層の 比抵抗 （Ωｃｍ） −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 粘着層 (50) (100) (50) (50) (100) 樹脂フィルム PET TAC PET PET PET (100) (75) (100) (100) (50) ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝
【００７４】
【表２】 ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝ 例 帯電防止性金属 ハ゛リア層の成膜 酸化物層の成膜 ターケ゛ット組成 カ゛ス雰囲気 ターケ゛ット組成 カ゛ス雰囲気 (重量%) Ar：O2 (重量%) Ar：O2：N2 表面シート抵抗 表面シート抵抗 （Ω/□) （容量％） (Ω／□) （容量％） −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 実施例１ In2O3 90.0 97：3 Sn 2：98：0 ZnO 10.0 ＜0.005 0.024 実施例２ ZnO 96.0 98：2 Bト゛ーフ゜Si 60：0：40 Al2O3 4.0 0.68 0.021 実施例３ In2O3 95.0 96：4 Bト゛ーフ゜Si 50：10：40 SnO2 5.0 0.68 0.0020 実施例４ SnO2 98.0 98：2 Alト゛ーフ゜Si 55： 5：40 Bi2O3 2.0 0.052 実施例５ ZnO 98.0 98：2 − − Al2O3 2.0 0.021 比較例１ Zn 100.0 3：97 Alト゛ーフ゜Si 50：10：40 ＜0.005 0.55 比較例２ Zn 100.0 3：97 − − ＜0.005 比較例３ Sn 100.0 3：96 − − ＜0.005 ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝
【００７５】
【表３】 ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝ 特性 実施例 比較例 １ ２ ３ ４ ５ １ ２ ３ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 透過率(%) 450ｎｍ 66 72 70 69 71 65 64 70 550ｎｍ 70 74 70 70 72 66 65 72 650ｎｍ 62 69 65 65 68 64 63 68 視感度（D65）69 71 68 68 71 64 64 70 近赤外(850nm)16 15 18 18 14 22 23 21 判定 ○ ◎ ○ ○ ◎ △ △ △ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− シート抵抗 1.9 1.８ 2.0 2.0 1.7 2.6 2.5 2.6 (Ω/□) −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− ピンホール ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ × × × 発生レベル 耐湿熱性（Hr)1920 2040 2040 3624 1920 720 576 624 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 総合判定 ○ ◎ ○ ◎ ◎ × × × ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝
【００７６】
【表４】 ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝ 例 実施例6 実施例7 実施例8 実施例9 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 透明基板 カ゛ラス板 カ゛ラス板 カ゛ラス板 カ゛ラス板 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 電磁波遮断膜 第1誘電体層 ZrNbO(40) SiN(20) TNO(40) NMO(38) TNO(20) 第1銀層 AgPd(11) AgPdTi(11) AgPd(11) Ag(11) 第2誘電体層 ZrNbO(79) TNO(30) TNO(78) NMO(40) SiN(20) TNO(30) 第2銀層 AgPd(11) AgPdTi(13) AgPd(12) Ag(13) 第3誘電体層 ZrNbO(77) TNO(29) TNO(78) NMO(79) SiN(20) TNO(30) 第3銀層 AgPd(11) AgPdTi(11) AgPd(11) Ag(11) 第4誘電体層 ZrNbO(20) TNO(16) TNO(36) NMO(20) SiN(16) SiN(20) SiN0(18) 帯電防止性金 0.07 0.04 0.04 0.09 属酸化物層の 比抵抗 （Ωｃｍ） −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 粘着層 (100) (100) (100) (100) 樹脂フィルム PET PET PET PET (50) (100) (75) (100) ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝
【００７７】
【表５】 ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝ 例 帯電防止性金属 ハ゛リア層の成膜 酸化物層の成膜 ターケ゛ット組成 カ゛ス雰囲気 ターケ゛ット組成 カ゛ス雰囲気 (重量%) Ar：O2 (重量%) Ar：O2：N2 表面抵抗 表面抵抗 （Ω/□) （容量％） (Ω／□) （容量％） −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 実施例６ ZrO2 98.0 98：2 Bト゛ーフ゜Si 60：0：40 Nb2O5 2.0 0.68 0.11 実施例７ TiO2 97.0 98：2 Bト゛ーフ゜Si 60：0：40 Nb2O5 3.0 0.68 0.08 実施例８ TiO2 97.0 98：2 − − Nb2O5 3.0 0.08 実施例９ Nb2O5 98.0 98：2 Alト゛ーフ゜Si 55：5：40 Mo金属(MoO2換算2.0) 0.55 0.2 ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝
【００７８】
【表６】
【００７９】実施例２〜実施例９ 実施例１とは、透光性電磁波遮断膜の積層構成と樹脂フ
ィルムのいずれかまたは両方を変えたサンプル２〜９を
作成（積層構成を表１、表４に示す）し、実施例１と同
じ方法により評価した結果を表３、表６に示す。また、
これらのサンプルの透光性電磁波遮断膜の成膜方法を表
２に示した。表３、表６に示すように、可視域で高透過
で、かつ赤外線対して低透過の特性を有する透光性電磁
波フィルタが得られたことが分かる。これらの電磁波フ
ィルタは、シート抵抗が２Ω／□以下の低抵抗であり、
優れた電磁波遮断性能を有するものであった。また、ピ
ンホールレベルが低く耐湿熱性が大きく、実用的に有用
な電磁波フィルタであることが分かった。
ィルムのいずれかまたは両方を変えたサンプル２〜９を
作成（積層構成を表１、表４に示す）し、実施例１と同
じ方法により評価した結果を表３、表６に示す。また、
これらのサンプルの透光性電磁波遮断膜の成膜方法を表
２に示した。表３、表６に示すように、可視域で高透過
で、かつ赤外線対して低透過の特性を有する透光性電磁
波フィルタが得られたことが分かる。これらの電磁波フ
ィルタは、シート抵抗が２Ω／□以下の低抵抗であり、
優れた電磁波遮断性能を有するものであった。また、ピ
ンホールレベルが低く耐湿熱性が大きく、実用的に有用
な電磁波フィルタであることが分かった。
【００８０】
【表７】
【００８１】比較例１ 表７に示す積層構成の透光性電磁波遮断膜を有するフィ
ルタを作成した。この透光性電磁波遮断膜の各層の成膜
法を表２に示す。得られた比較サンプル１の評価結果を
表３に示した。比較サンプル１の透光性電磁波遮断膜の
誘電体層は電気絶縁性であるため、マイクロアーキング
が成膜中に多発し、誘電体層にピンホールが多数発生
し、良好な外観が得られなかった。また、耐湿熱性試験
では、ピンホールの部分から劣化が急速に進行した。
ルタを作成した。この透光性電磁波遮断膜の各層の成膜
法を表２に示す。得られた比較サンプル１の評価結果を
表３に示した。比較サンプル１の透光性電磁波遮断膜の
誘電体層は電気絶縁性であるため、マイクロアーキング
が成膜中に多発し、誘電体層にピンホールが多数発生
し、良好な外観が得られなかった。また、耐湿熱性試験
では、ピンホールの部分から劣化が急速に進行した。
【００８２】比較例２ 表７に示す積層構成の透光性電磁波遮断膜を有するフィ
ルタを作成した。この透光性電磁波遮断膜の各層の成膜
法を表２に示す。得られた比較サンプル２の評価結果を
表３に示した。比較サンプル２の透光性電磁波遮断膜の
誘電体層は電気絶縁性であるため、誘電体層にピンホー
ルが多数発生し、良好な外観が得られなかった。また、
このピンホールが発生したために、耐湿熱性評価試験で
はそこを起点として劣化が早い時間に生じた。
ルタを作成した。この透光性電磁波遮断膜の各層の成膜
法を表２に示す。得られた比較サンプル２の評価結果を
表３に示した。比較サンプル２の透光性電磁波遮断膜の
誘電体層は電気絶縁性であるため、誘電体層にピンホー
ルが多数発生し、良好な外観が得られなかった。また、
このピンホールが発生したために、耐湿熱性評価試験で
はそこを起点として劣化が早い時間に生じた。
【００８３】比較例３ 表７に示す積層構成の透光性電磁波遮断膜を有するフィ
ルタを作成した。この透光性電磁波遮断膜の各層の成膜
法を表２に示す。得られた比較サンプル３の評価結果を
表３に示した。比較サンプル３の透光性電磁波遮断膜の
誘電体層は電気絶縁性であるため、マイクロアークング
が成膜中に多発し、誘電体層にピンホールが多数発生
し、良好な外観が得られなかった。比較例２と同様に耐
湿熱性試験で良好な特性を示さなかった。
ルタを作成した。この透光性電磁波遮断膜の各層の成膜
法を表２に示す。得られた比較サンプル３の評価結果を
表３に示した。比較サンプル３の透光性電磁波遮断膜の
誘電体層は電気絶縁性であるため、マイクロアークング
が成膜中に多発し、誘電体層にピンホールが多数発生
し、良好な外観が得られなかった。比較例２と同様に耐
湿熱性試験で良好な特性を示さなかった。
【００８４】実施例１０ 誘電体層を構成する帯電防止性金属酸化物層の比抵抗が
積層体のピンホール発生に与える影響を調べた。表８に
示す透光性電磁波遮断膜の誘電体層に種々の金属酸化物
を用いてサンプルを作成した。表９には、誘電体層を構
成する金属酸化物層、その層を成膜するための出発原料
（スパッタリングターゲット）、成膜中に観察されたマ
イクロアーキング発生頻度、得られた積層体のピンホー
ル密度をまとめて示した。
積層体のピンホール発生に与える影響を調べた。表８に
示す透光性電磁波遮断膜の誘電体層に種々の金属酸化物
を用いてサンプルを作成した。表９には、誘電体層を構
成する金属酸化物層、その層を成膜するための出発原料
（スパッタリングターゲット）、成膜中に観察されたマ
イクロアーキング発生頻度、得られた積層体のピンホー
ル密度をまとめて示した。
【００８５】
【表８】 ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝ 透明基板 カ゛ラス板 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 第１誘電体層 ４０ｎｍ 第１銀層（Ｐd０．５重量％含有）１１ｎｍ 第２誘電体層 ７９ｎｍ 第２銀層（Ｐd０．５重量％含有）１４ｎｍ 第３誘電体層 ７８ｎｍ 第３銀層（Ｐd０．５重量％含有）１３ｎｍ 第４誘電体層 ３６ｎｍ ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝
【００８６】金属酸化物層をその金属酸化物をターゲッ
トとして少量の酸素を含むガスでスパッタリングして比
抵抗が小さい金属酸化物層としたとき、成膜中にターゲ
ットや基板近傍でマイクロアーキングが生じるのが抑制
され、これにより発生するピンホールの数が少なくなる
ことが認められた。一方ターゲットを金属とする場合
は、その透明な金属酸化物層とするには、スパッタリン
グ雰囲気中に多量の酸素を必要とし、これにより成膜さ
れる誘電体層は大きな比抵抗、あるいは電気絶縁性の金
属酸化物層になってしまうことが分かった。
トとして少量の酸素を含むガスでスパッタリングして比
抵抗が小さい金属酸化物層としたとき、成膜中にターゲ
ットや基板近傍でマイクロアーキングが生じるのが抑制
され、これにより発生するピンホールの数が少なくなる
ことが認められた。一方ターゲットを金属とする場合
は、その透明な金属酸化物層とするには、スパッタリン
グ雰囲気中に多量の酸素を必要とし、これにより成膜さ
れる誘電体層は大きな比抵抗、あるいは電気絶縁性の金
属酸化物層になってしまうことが分かった。
【００８７】（バリア層についての実験） 実施例１１ 実施例１０で得られる透光性電磁波遮断膜の積層体で、
銀層をパラジウムを０．５重量％含有させたものとし、
この積層体に第４誘電体層であるＡＺＯの表面の半分の
厚みをバリア層に置換して、第４誘電体層を帯電防止性
のＡＺＯ層と種々のバリア層の積層構成としたサンプル
７１〜７４を作成した。これらのサンプルを樹脂フィル
ムを貼りつけない状態で、温度９０℃、相対湿度６０％
の高温環境試験を行った。目視により銀の凝集欠点等の
発生が認められた時間を観測し、その結果を表７に示し
た。
銀層をパラジウムを０．５重量％含有させたものとし、
この積層体に第４誘電体層であるＡＺＯの表面の半分の
厚みをバリア層に置換して、第４誘電体層を帯電防止性
のＡＺＯ層と種々のバリア層の積層構成としたサンプル
７１〜７４を作成した。これらのサンプルを樹脂フィル
ムを貼りつけない状態で、温度９０℃、相対湿度６０％
の高温環境試験を行った。目視により銀の凝集欠点等の
発生が認められた時間を観測し、その結果を表７に示し
た。
【００８８】
【表９】 ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝ 誘電体層 スハ゜ッタリンク゛ 誘電体層 マイクロアーキンク゛ 積層体の 評価 ターケ゛ット(重量%) モート゛ の比抵抗 発生頻度 ヒ゜ンホール密度 カ゛ス雰囲気(O2容量%) (Ωｃｍ) （回／分）(個／100cm2) −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− SnO2：Bi SnO2 98 Bi2O3 2 焼結体ＤＣ 0.5 23 2 ○ の混合物焼結体 AZO ZnO 95 Al2O3 5 焼結体ＤＣ 0.2 11 1 ○ の混合物焼結体 TNO TiO2 97 Nb2O5 3 焼結体ＤＣ 0.01 6 0.1 ◎ の混合物焼結体 ZrNbO ZrO2 98 Nb2O5 2 焼結体ＤＭ 0.01 0 0 ◎ の混合物焼結体 IZO In2O3 90 ZnO 10 焼結体ＤＭ 0.05 5 0.2 ◎ の混合物焼結体 AZO Zn95Al5の合金 反応性ＤＣ 絶縁性 96 17 × ZnO Zn 反応性ＤＣ 絶縁性 ＞200 36 × ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝
【００８９】表１０から、バリア層を設けることは、誘
電体層の９０℃という高温の耐湿熱性を顕著に向上させ
ることが分かる。バリア層を設けることにより、大気中
の硫黄酸化物や硫化水素など銀層に好ましくない不純物
成分や、用いる樹脂フィルムの粘着層の中に存在する塩
素や硫黄などの不純物を含んだ溶剤などが、銀層に浸透
するのを防止し、銀層を保護することが分かった。
電体層の９０℃という高温の耐湿熱性を顕著に向上させ
ることが分かる。バリア層を設けることにより、大気中
の硫黄酸化物や硫化水素など銀層に好ましくない不純物
成分や、用いる樹脂フィルムの粘着層の中に存在する塩
素や硫黄などの不純物を含んだ溶剤などが、銀層に浸透
するのを防止し、銀層を保護することが分かった。
【００９０】
【表１０】 ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝サンフ゜ル ハ゛リア層 ターケ゛ット スハ゜ッタリンク゛ 反応カ゛ス 銀凝集欠点発生（時間） −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 71 窒化シリコン シリコン 反応性DC 窒素 1008 72 酸窒化シリコン シリコン 反応性DC 窒素と酸素 1512 73 酸窒化シリコン シリコン 反応性DM 窒素と酸素 1680 74 酸化錫 錫 反応性DC 酸素 504 75 なし 72 ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝
【００９１】
【発明の効果】本発明の透光性電磁波遮断膜は、誘電体
層と銀層とがこの順に交互に繰り返した積層体とし、誘
電体層を５５０ｎｍの波長における屈折率が１．６〜
２．７の帯電防止性の金属酸化物で構成したので、可視
域での透過率が高い電磁波遮断性フィルタとすることが
できると同時に、誘電体層をスパッタリングで成膜する
に際して層が帯電することが抑制されるので、マイクロ
アークの発生が抑制され、これによりピンホールの発生
が少ない。
層と銀層とがこの順に交互に繰り返した積層体とし、誘
電体層を５５０ｎｍの波長における屈折率が１．６〜
２．７の帯電防止性の金属酸化物で構成したので、可視
域での透過率が高い電磁波遮断性フィルタとすることが
できると同時に、誘電体層をスパッタリングで成膜する
に際して層が帯電することが抑制されるので、マイクロ
アークの発生が抑制され、これによりピンホールの発生
が少ない。
【００９２】また、誘電体層のうち、少なくとも最表面
の誘電体層を、帯電防止性金属酸化物層と窒化シリコ
ン、酸窒化シリコンあるいは酸化錫からなるバリア層と
の積層体とすることにより成膜時に発生するピンホール
を抑止し,透光性電磁波遮断膜の耐湿熱性を向上させ、
また不純物の侵入による劣化が防止される。
の誘電体層を、帯電防止性金属酸化物層と窒化シリコ
ン、酸窒化シリコンあるいは酸化錫からなるバリア層と
の積層体とすることにより成膜時に発生するピンホール
を抑止し,透光性電磁波遮断膜の耐湿熱性を向上させ、
また不純物の侵入による劣化が防止される。
【００９３】本発明の透光性電磁波フィルタの製造方法
によれば、誘電体層を構成する金属酸化物層を、表面シ
ート抵抗が所定の抵抗値以下に調整された金属酸化物を
ターゲットとするアルゴンまたはアルゴンと少量の酸素
とを含む減圧した雰囲気内で行うスパッタリングにより
成膜するので、ターゲット表面および成膜される金属酸
化物層は電気的に絶縁性とならない。これにより、基板
表面やスパッタリングターゲットの周辺にスパッタされ
た膜が付着堆積して、グロー放電プラズマから供給され
る電荷が溜まることが抑制され、この帯電に起因する微
小なプラズマアークが発生することがない。この結果、
本発明の透光性電磁波遮断膜には、アーク放電により生
じるピンホールの発生が抑制される。
によれば、誘電体層を構成する金属酸化物層を、表面シ
ート抵抗が所定の抵抗値以下に調整された金属酸化物を
ターゲットとするアルゴンまたはアルゴンと少量の酸素
とを含む減圧した雰囲気内で行うスパッタリングにより
成膜するので、ターゲット表面および成膜される金属酸
化物層は電気的に絶縁性とならない。これにより、基板
表面やスパッタリングターゲットの周辺にスパッタされ
た膜が付着堆積して、グロー放電プラズマから供給され
る電荷が溜まることが抑制され、この帯電に起因する微
小なプラズマアークが発生することがない。この結果、
本発明の透光性電磁波遮断膜には、アーク放電により生
じるピンホールの発生が抑制される。
【００９４】また、本発明の透光性電磁波フィルタの製
造方法によれば、酸素量の少ない雰囲気中で透明な金属
酸化物層とすることができるので、その下の銀層の酸素
プラズマによる電気的および光学的劣化が効果的に抑制
できる。これにより電気的、光学的に性能が優れた電磁
波遮断膜の形成が可能となる。
造方法によれば、酸素量の少ない雰囲気中で透明な金属
酸化物層とすることができるので、その下の銀層の酸素
プラズマによる電気的および光学的劣化が効果的に抑制
できる。これにより電気的、光学的に性能が優れた電磁
波遮断膜の形成が可能となる。
【００９５】さらに、誘電体層を形成するための金属酸
化物のターゲットを、１対のマグネトロンスパッタリン
グカソードに設置して、交互にその極性が反転するよう
にスパッタリングすれば、よりピンホールの発生を抑制
することができる。
化物のターゲットを、１対のマグネトロンスパッタリン
グカソードに設置して、交互にその極性が反転するよう
にスパッタリングすれば、よりピンホールの発生を抑制
することができる。
【図１】本発明の透光性電磁波フィルタの一実施例の断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の透光性電磁波フィルタの他の実施例の
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の電磁波フィルタの使用状態を説明する
ための概略断面図である。
ための概略断面図である。
【図４】本発明の誘電体層の厚みが可視域の反射特性に
与える影響を説明する図である。
与える影響を説明する図である。
【図５】本発明の誘電体層の厚みが可視域の透過特性に
与える影響を説明する図である。
与える影響を説明する図である。
１：透明基板 ２：透光性電磁波遮断膜 ３：粘着層 ４：樹脂フィルム ５：ブスバー ６：透光性電磁波フィルタ ７：プラズマディスプレイ ８：筐体 １０：誘電体層 １０ａ：帯電防止性金属酸化物層 １０ｂ：バリア層 １１：銀層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F100 AA17B AA17D AA19B AA19D AA25B AA25D AA29B AA29D AA33B AA33D AB24C AB24E AB40C AB40E AD05B AD05D AK42 AT00A BA03 BA05 BA07 BA10A BA10C BA10E EH66 GB08 GB33 GB41 GB90 JD08 JG01B JG01D JG03B JG03D JG05B JG05D JN01 JN01A JN18B JN18D YY00B YY00C YY00D YY00E 4G059 AA01 AC20 EA03 EA18 GA01 GA02 GA04 GA12 5C032 AA02 AA07 EE02 EE03 EF05 5E321 AA46 BB23 GG05 GH01
Claims (16)
- 【請求項１】 透明基板の一方の面に、前記透明基板側
から誘電体層と銀層とがこの順に交互に繰り返し積層さ
れた（２ｎ＋１（ｎ≧１））層の積層体を含む透光性電
磁波遮断膜が被覆された電磁波遮断膜付き基板におい
て、前記誘電体層は、５５０ｎｍの波長における屈折率
が１．６〜２．７の帯電防止性金属酸化物層を含むこと
を特徴とする透光性電磁波フィルタ。 - 【請求項２】 前記帯電防止性金属酸化物層の比抵抗が
５Ωｃｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の
透光性電磁波フィルタ。 - 【請求項３】 前記帯電防止性金属酸化物層を、錫を含
む主成分が酸化インジウムの層で構成したことを特徴と
する請求項１または２に記載の透光性電磁波フィルタ。 - 【請求項４】 前記帯電防止性金属酸化物層を、アンチ
モン、ビスマス、亜鉛およびインジウムからなる群から
選ばれたいずれかを含む主成分が酸化錫の層で構成した
ことを特徴とする請求項１または２に記載の透光性電磁
波フィルタ。 - 【請求項５】 前記帯電防止性金属酸化物層を、アルミ
ニウム、ガリウムおよびインジウムからなる群から選ば
れたいずれかを含む主成分が酸化亜鉛の層で構成したこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の透光性電磁波
フィルタ。 - 【請求項６】 前記帯電防止性金属酸化物層を、バナジ
ウム、ニオブおよびタンタルからなる群から選ばれたい
ずれかを含む主成分が酸化ジルコニウムの層で構成した
ことを特徴とする請求項１または２に記載の透光性電磁
波フィルタ。 - 【請求項７】 前記帯電防止性金属酸化物層を、プラセ
オジウムを含む主成分が酸化セリウムの層で構成したこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の透光性電磁波
フィルタ。 - 【請求項８】 前記帯電防止性金属酸化物層を、モリブ
デンを含む主成分が酸化ニオブの層で構成したことを特
徴とする請求項１または２に記載の透光性電磁波フィル
タ。 - 【請求項９】 前記帯電防止性金属酸化物層を、バナジ
ウムおよびニオブからなる群から選ばれたいずれかを含
む主成分が酸化チタニウムの層で構成したことを特徴と
する請求項１または２に記載の透光性電磁波フィルタ。 - 【請求項１０】 前記誘電体層のうち、少なくとも最表
面の誘電体層が、前記帯電防止性金属酸化物層と、窒化
シリコン、酸窒化シリコンおよび酸化錫からなる群から
選ばれたいずれかのバリア層との積層体であることを特
徴とする請求項２〜９のいずれかに記載の透光性電磁波
フィルタ。 - 【請求項１１】 前記銀層は、パラジウムを０．１〜３
重量％含み、かつ、チタン、銅またはその両者を０．１
〜３重量％含むことを特徴とする請求項１〜１０のいず
れかに記載の透光性電磁波フィルタ。 - 【請求項１２】 視感度透過率を６０％以上、波長８５
０ｎｍにおける透過率を２０％以下としたことを特徴と
する請求項１〜１１のいずれかに記載の透光性電磁波フ
ィルタ。 - 【請求項１３】 前記ｎの値を３、前記透明基板に最も
近い誘電体層の厚みを２８〜５２ｎｍ、前記誘電体層の
厚み比率を透明基板から近い順に、３６±４：７１±
７：７０±７：３２±３、前記透明基板に最も近い銀層
の厚みを７〜１８ｎｍ、前記銀層の厚み比率を透明基板
から近い順に、１０±１：１２±１：１０±１としたこ
とを特徴とする請求項１２に記載の透光性電磁波フィル
タ。 - 【請求項１４】 前記透光性電磁波遮断膜の表面に、樹
脂フィルムを粘着剤により貼りつけたことを特徴とする
請求項１２または１３に記載のプラズマディスプレイ用
透光性電磁波フィルタ。 - 【請求項１５】 透明基板の一方の面に、帯電防止性金
属酸化物層を含む誘電体層と銀層とを前記透明基板側か
らこの順に交互に繰り返し積層して、（２ｎ＋１（ｎ≧
１））層からなる透光性電磁波遮断膜を成膜した透光性
電磁波フィルタの製造方法において、前記銀層を銀をタ
ーゲットとするスパッタリングにより成膜し、前記帯電
防止性金属酸化物層を表面シート抵抗が５０Ω／□以下
の金属酸化物粉末の焼結体をターゲットとするスパッタ
リングにより成膜することを特徴とする透光性電磁波フ
ィルタの製造方法。 - 【請求項１６】 前記金属酸化物粉末の焼結体ターゲッ
トを、相隣り合うように配設した１対のマグネトロンカ
ソードに設置し、前記カソードに、その極性が１０Ｈｚ
〜１ＭＨｚの周波数で互いに反転するように負電圧を印
加して生起させたグロー放電プラズマにより、前記金属
酸化物粉末の焼結体ターゲットをスパッタリングするこ
とを特徴とする請求項１５に記載の透光性電磁波フィル
タの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11098785A JP2000294980A (ja) | 1999-04-06 | 1999-04-06 | 透光性電磁波フィルタおよびその製造方法 |
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