JP2000295001A - 高周波切り替えスイッチ回路ｉｃ - Google Patents
高周波切り替えスイッチ回路ｉｃInfo
- Publication number
- JP2000295001A JP2000295001A JP11099567A JP9956799A JP2000295001A JP 2000295001 A JP2000295001 A JP 2000295001A JP 11099567 A JP11099567 A JP 11099567A JP 9956799 A JP9956799 A JP 9956799A JP 2000295001 A JP2000295001 A JP 2000295001A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- pin
- input
- pad
- control
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Transceivers (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 前記制御ピン７，８に与えられる信号により
入力ピン４を第１の出力ピン５又は２の出力ピン６に択
一的に高周波接続するスイッチ回路ＩＣにおいて、入出
力ピン４，５，６直流カットコンデンサＣ1をさほどコ
ストアップとせずに内蔵する。 【解決手段】 直流カットコンデンサＣ1はペレット１
とは別体のチップコンデンサとし、入力ピン４、第１の
出力ピン５及び第２の出力ピン６のそれぞれ内端近傍に
１方の電極を接続固定し、他方の電極とペレット１とを
ワイヤボンディング接続する。
入力ピン４を第１の出力ピン５又は２の出力ピン６に択
一的に高周波接続するスイッチ回路ＩＣにおいて、入出
力ピン４，５，６直流カットコンデンサＣ1をさほどコ
ストアップとせずに内蔵する。 【解決手段】 直流カットコンデンサＣ1はペレット１
とは別体のチップコンデンサとし、入力ピン４、第１の
出力ピン５及び第２の出力ピン６のそれぞれ内端近傍に
１方の電極を接続固定し、他方の電極とペレット１とを
ワイヤボンディング接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、高周波切り替え
スイッチ回路ＩＣ（以下スイッチ回路ＩＣ）に関し、詳
しくは、ＭＥＳ電界効果トランジスタ（以下ＭＥＳＦＥ
Ｔ）のような接合ゲート型電界効果トランジスタ（以下
接合ゲート型ＦＥＴ）で構成されたスイッチ回路ＩＣに
関するものである。
スイッチ回路ＩＣ（以下スイッチ回路ＩＣ）に関し、詳
しくは、ＭＥＳ電界効果トランジスタ（以下ＭＥＳＦＥ
Ｔ）のような接合ゲート型電界効果トランジスタ（以下
接合ゲート型ＦＥＴ）で構成されたスイッチ回路ＩＣに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話器のアンテナの送受信切り替え
のように高速に切り替えを行うスイッチ回路ＩＣの例を
図面を参照して説明する。図２は概念的に示す平面図で
ある。一般に、高周波切り替えスイッチ回路の性能とし
て要求されるのは、入力から出力へ伝わる高周波信号の
損失（ロス）が小さいこと、入力と出力が高周波的に分
離していること、そして単一電源で低消費電力で広帯域
に動作することなどである。さらに、例えばデプレッシ
ョンタイプのＭＥＳＦＥＴで回路を構成した場合にはＭ
ＥＳＦＥＴ自体は負電圧信号で制御されるものであるに
もかかわらず好ましくは正電圧信号で制御できることで
ある。
のように高速に切り替えを行うスイッチ回路ＩＣの例を
図面を参照して説明する。図２は概念的に示す平面図で
ある。一般に、高周波切り替えスイッチ回路の性能とし
て要求されるのは、入力から出力へ伝わる高周波信号の
損失（ロス）が小さいこと、入力と出力が高周波的に分
離していること、そして単一電源で低消費電力で広帯域
に動作することなどである。さらに、例えばデプレッシ
ョンタイプのＭＥＳＦＥＴで回路を構成した場合にはＭ
ＥＳＦＥＴ自体は負電圧信号で制御されるものであるに
もかかわらず好ましくは正電圧信号で制御できることで
ある。
【０００３】そこで、このようなスイッチ回路の主要部
は例えばＧａＡｓ基板上にペレット１として構成され
る。このペレット１は入力パッドＰＩ、第１，第２の出
力パッドＰＯ１，ＰＯ２、第１，第２の接地パッドＰＧ
１，ＰＧ２、第１，第２の制御パッドＰＣ１，ＰＣ２の
各ボンディングパッドを備える。回路は、第１のＭＥＳ
ＦＥＴＱ1が入力パッドＰＩと第１の出力パッドＰＯ１
を接続し ，第２のＭＥＳＦＥＴＱ2が入力パッドＰＩと
第２の出力パッドＰＯ２を接続し ，第３のＭＥＳＦＥ
ＴＱ3が第１の出力パッドＰＯ１と第１の接地パッドＰ
Ｇ１を第１の接地パッドＰＧ１側に直流カット容量素子
Ｃを介して高周波的に接続し ，第４のＭＥＳＦＥＴＱ4
が第２の出力パッドＰＯ２と第２の接地パッドＰＧ２を
第２の接地パッドＰＧ２側に直流カット容量素子Ｃを介
して高周波的に接続している。
は例えばＧａＡｓ基板上にペレット１として構成され
る。このペレット１は入力パッドＰＩ、第１，第２の出
力パッドＰＯ１，ＰＯ２、第１，第２の接地パッドＰＧ
１，ＰＧ２、第１，第２の制御パッドＰＣ１，ＰＣ２の
各ボンディングパッドを備える。回路は、第１のＭＥＳ
ＦＥＴＱ1が入力パッドＰＩと第１の出力パッドＰＯ１
を接続し ，第２のＭＥＳＦＥＴＱ2が入力パッドＰＩと
第２の出力パッドＰＯ２を接続し ，第３のＭＥＳＦＥ
ＴＱ3が第１の出力パッドＰＯ１と第１の接地パッドＰ
Ｇ１を第１の接地パッドＰＧ１側に直流カット容量素子
Ｃを介して高周波的に接続し ，第４のＭＥＳＦＥＴＱ4
が第２の出力パッドＰＯ２と第２の接地パッドＰＧ２を
第２の接地パッドＰＧ２側に直流カット容量素子Ｃを介
して高周波的に接続している。
【０００４】そして、第１，第４のＭＥＳＦＥＴＱ1，
Ｑ4のゲートはそれぞれ抵抗素子Ｒを介して第１の制御
パッドＰＣ１に接続され、第２，第３のＭＥＳＦＥＴＱ
2，Ｑ3のゲートはそれぞれ抵抗素子Ｒを介して第２の制
御パッドＰＣ２に接続されている。
Ｑ4のゲートはそれぞれ抵抗素子Ｒを介して第１の制御
パッドＰＣ１に接続され、第２，第３のＭＥＳＦＥＴＱ
2，Ｑ3のゲートはそれぞれ抵抗素子Ｒを介して第２の制
御パッドＰＣ２に接続されている。
【０００５】このようなペレット１はリードフレームの
アイランド２上に組み付けられる。例えばこのアイラン
ド２は接地ピン３につながっており、第１，第２の接地
パッドＰＧ１，ＰＧ２はそれぞれアイランド２にワイヤ
ボンディングで接続される。同様に、入力パッドＰＩ、
第１，第２の出力パッドＰＯ１，ＰＯ２、第１，第２の
制御パッドＰＣ１，ＰＣ２はそれぞれ入力ピン４、第
１，第２の出力ピン５，６第１，第２の制御ピン７，８
にワイヤボンディング接続される。そうして樹脂９で封
止してスイッチ回路ＩＣ１０となる。
アイランド２上に組み付けられる。例えばこのアイラン
ド２は接地ピン３につながっており、第１，第２の接地
パッドＰＧ１，ＰＧ２はそれぞれアイランド２にワイヤ
ボンディングで接続される。同様に、入力パッドＰＩ、
第１，第２の出力パッドＰＯ１，ＰＯ２、第１，第２の
制御パッドＰＣ１，ＰＣ２はそれぞれ入力ピン４、第
１，第２の出力ピン５，６第１，第２の制御ピン７，８
にワイヤボンディング接続される。そうして樹脂９で封
止してスイッチ回路ＩＣ１０となる。
【０００６】次にこのスイッチ回路ＩＣの使用方法を説
明する。このスイッチ回路ＩＣ１０の外部接続は図２に
示すように、接地ピン３を接地し、入力ピン４を直流カ
ットコンデンサＣ0を介してアンテナ回路１１に接続
し、第１の出力ピン５を直流カットコンデンサＣ0を介
して送信回路１２に接続し、第２の出力ピン６を直流カ
ットコンデンサＣ0を介して受信回路１３に接続する。
そうして第１の制御ピン７と第２の制御ピン８とに相補
的な制御電圧信号を与えて切り替え制御する。外付けコ
ンデンサＣ0を含むこのスイッチ回路によれば構成する
ＭＥＳＦＥＴはゲートに負の制御電圧を与えて駆動する
ものでありながら、３個の外付けコンデンサＣ0とペレ
ット内部の２個の直流カット容量素子Ｃとによって回路
が直流的にはフロートとなっているので、制御ピン７，
８に正のＨ，Ｌ電圧信号を与えて制御することができ
る。
明する。このスイッチ回路ＩＣ１０の外部接続は図２に
示すように、接地ピン３を接地し、入力ピン４を直流カ
ットコンデンサＣ0を介してアンテナ回路１１に接続
し、第１の出力ピン５を直流カットコンデンサＣ0を介
して送信回路１２に接続し、第２の出力ピン６を直流カ
ットコンデンサＣ0を介して受信回路１３に接続する。
そうして第１の制御ピン７と第２の制御ピン８とに相補
的な制御電圧信号を与えて切り替え制御する。外付けコ
ンデンサＣ0を含むこのスイッチ回路によれば構成する
ＭＥＳＦＥＴはゲートに負の制御電圧を与えて駆動する
ものでありながら、３個の外付けコンデンサＣ0とペレ
ット内部の２個の直流カット容量素子Ｃとによって回路
が直流的にはフロートとなっているので、制御ピン７，
８に正のＨ，Ｌ電圧信号を与えて制御することができ
る。
【０００７】このスイッチ回路によれば、例えば制御ピ
ン７を０Ｖにし、制御ピン８ の電圧を３Ｖにすれば、
ＭＥＳＦＥＴＱ1はゲートに０Ｖがあたえられソース・
ドレインはゲートの逆方向リーク電流により０Ｖに向け
引かれているが、それとつながっているＭＥＳＦＥＴＱ
2のゲートに３Ｖが与えられているので電圧が低くなる
とＭＥＳＦＥＴＱ2のゲートから電流が流れ込み電圧を
ゲート電圧（３ｖ）よりゲート接合電圧分低い電圧に維
持する。従って、その電圧より高いゲート電圧が与えら
れるＭＥＳＦＥＴＱ2はＯＮして、それより充分低い電
圧（０Ｖ）がゲートに与えられるＭＥＳＦＥＴＱ1はＯ
ＦＦする。そして、ＭＥＳＦＥＴＱ3はＭＥＳＦＥＴＱ1
がＯＦＦしているのでソース・ドレインはフロートでゲ
ートに３Ｖが与えられるのでＯＮする。そして、ＭＥＳ
ＦＥＴＱ4はＭＥＳＦＥＴＱ2がＯＮしていてそれにドレ
インが接続しているので正の電圧が与えられ、ゲートに
は０Ｖが与えられるので確実にＯＦＦする。即ち、入力
ピン４は第２の出力ピン６と高周波的に接続し、入力ピ
ン４と第１の出力ピン５とは遮断される。逆に制御ピン
８を０Ｖにし、制御ピン７ の電圧を３Ｖにすれば、入
力ピン４と第１の出力ピン５とは導通し、入力ピン４と
第２の出力ピン６とは遮断される。
ン７を０Ｖにし、制御ピン８ の電圧を３Ｖにすれば、
ＭＥＳＦＥＴＱ1はゲートに０Ｖがあたえられソース・
ドレインはゲートの逆方向リーク電流により０Ｖに向け
引かれているが、それとつながっているＭＥＳＦＥＴＱ
2のゲートに３Ｖが与えられているので電圧が低くなる
とＭＥＳＦＥＴＱ2のゲートから電流が流れ込み電圧を
ゲート電圧（３ｖ）よりゲート接合電圧分低い電圧に維
持する。従って、その電圧より高いゲート電圧が与えら
れるＭＥＳＦＥＴＱ2はＯＮして、それより充分低い電
圧（０Ｖ）がゲートに与えられるＭＥＳＦＥＴＱ1はＯ
ＦＦする。そして、ＭＥＳＦＥＴＱ3はＭＥＳＦＥＴＱ1
がＯＦＦしているのでソース・ドレインはフロートでゲ
ートに３Ｖが与えられるのでＯＮする。そして、ＭＥＳ
ＦＥＴＱ4はＭＥＳＦＥＴＱ2がＯＮしていてそれにドレ
インが接続しているので正の電圧が与えられ、ゲートに
は０Ｖが与えられるので確実にＯＦＦする。即ち、入力
ピン４は第２の出力ピン６と高周波的に接続し、入力ピ
ン４と第１の出力ピン５とは遮断される。逆に制御ピン
８を０Ｖにし、制御ピン７ の電圧を３Ｖにすれば、入
力ピン４と第１の出力ピン５とは導通し、入力ピン４と
第２の出力ピン６とは遮断される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のスイッチ回路Ｉ
Ｃによれば接地と直流カットする容量素子Ｃはペレット
１内に構成しているが、入出力部分の直流カットコンデ
ンサＣ0は外付けとしている。高周波的に接地する容量
素子Ｃは比較的小さな容量値で良いが、入出力部のもの
は小さいとロスが生ずるので容量の大きいものを必要と
する。大きい容量の容量素子をペレット１内に設けよう
とすると、高価なＧａＡｓ基板を大きく占有し、結果ペ
レット（従ってスイッチ回路ＩＣ）を高価なものとする
からである。しかしながら、使用する際には外付け部品
は少ない方が好ましい。そこでこの発明はさほど高価に
ならずに、入出力ピンに直流カットコンデンサを備えた
スイッチ回路ＩＣを提供する。
Ｃによれば接地と直流カットする容量素子Ｃはペレット
１内に構成しているが、入出力部分の直流カットコンデ
ンサＣ0は外付けとしている。高周波的に接地する容量
素子Ｃは比較的小さな容量値で良いが、入出力部のもの
は小さいとロスが生ずるので容量の大きいものを必要と
する。大きい容量の容量素子をペレット１内に設けよう
とすると、高価なＧａＡｓ基板を大きく占有し、結果ペ
レット（従ってスイッチ回路ＩＣ）を高価なものとする
からである。しかしながら、使用する際には外付け部品
は少ない方が好ましい。そこでこの発明はさほど高価に
ならずに、入出力ピンに直流カットコンデンサを備えた
スイッチ回路ＩＣを提供する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めにこの発明は、高周波入力（又は出力）ピンと、第１
の出力（又は入力）ピンと、第２の出力（又は入力）ピ
ンと、制御ピンと、集積回路構成され、前記各ピンに電
気的に接続されるペレットとを備え、制御ピンに与えら
れる信号により高周波入力（又は出力）ピンを第１の出
力（又は入力）ピン又は第２の出力（又は入力）ピンに
択一的に高周波接続するスイッチ回路ＩＣにおいて、高
周波入力（又は出力）ピン、及び（又は）第１の出力
（又は入力）ピン、及び（又は）第２の出力（又は入
力）ピンと、前記ペレットとを高周波的に接続する直流
カットコンデンサを前記ペレットとは別体のコンデンサ
部品で備えることを特徴とするスイッチ回路ＩＣを提供
する。上記の構成によれば入出力ピンの全て若しくは一
分に直流カットコンデンサを内蔵するので使用に際して
外付け部品が減り便利である。そして、この、直流カッ
トコンデンサはペレットに内蔵するものではないので単
位面積当たりのコストが高いペレットを大きくするので
なく従来外付け部品として必要であったものに類似する
チップ部品を用いるので大きなコストアップとはならな
い。
めにこの発明は、高周波入力（又は出力）ピンと、第１
の出力（又は入力）ピンと、第２の出力（又は入力）ピ
ンと、制御ピンと、集積回路構成され、前記各ピンに電
気的に接続されるペレットとを備え、制御ピンに与えら
れる信号により高周波入力（又は出力）ピンを第１の出
力（又は入力）ピン又は第２の出力（又は入力）ピンに
択一的に高周波接続するスイッチ回路ＩＣにおいて、高
周波入力（又は出力）ピン、及び（又は）第１の出力
（又は入力）ピン、及び（又は）第２の出力（又は入
力）ピンと、前記ペレットとを高周波的に接続する直流
カットコンデンサを前記ペレットとは別体のコンデンサ
部品で備えることを特徴とするスイッチ回路ＩＣを提供
する。上記の構成によれば入出力ピンの全て若しくは一
分に直流カットコンデンサを内蔵するので使用に際して
外付け部品が減り便利である。そして、この、直流カッ
トコンデンサはペレットに内蔵するものではないので単
位面積当たりのコストが高いペレットを大きくするので
なく従来外付け部品として必要であったものに類似する
チップ部品を用いるので大きなコストアップとはならな
い。
【００１０】前記直流カットコンデンサは高周波入力
（又は出力）ピン、第１の出力（又は入力）ピン及び
（又は）第２の出力（又は入力）ピンのそれぞれ樹脂封
止される部分に１方の電極が接続固定され、他方の電極
が前記ペレットとワイヤボンディング接続されるように
構成すれば良い。
（又は出力）ピン、第１の出力（又は入力）ピン及び
（又は）第２の出力（又は入力）ピンのそれぞれ樹脂封
止される部分に１方の電極が接続固定され、他方の電極
が前記ペレットとワイヤボンディング接続されるように
構成すれば良い。
【００１１】
【発明の実施の形態】この発明のスイッチ回路ＩＣは請
求項において「高周波入力（又は出力）ピン」と称する
一方側の高周波端子を１個備える。そして、請求項にお
いて「第１の出力（又は入力）ピン」、「第２の出力
（又は入力）ピン」と称する他方側の高周波端子を２個
備える。そして一方側と他方側の一つとを高周波的に択
一接続するものである。そして、通過させることの出来
る信号は双方向性であって、一方側が入力端子であって
他方側がそれぞれ出力端子であって良いし、一方側が出
力端子であって他方側がそれぞれ入力端子であっても良
い。さらに、送受信共用に用いるアンテナの切り替えの
ように、他方側の一つが入力端子でもう一つが出力端子
で一方側の端子は入力端子であったり出力端子であった
りするようなものにも使用できる。
求項において「高周波入力（又は出力）ピン」と称する
一方側の高周波端子を１個備える。そして、請求項にお
いて「第１の出力（又は入力）ピン」、「第２の出力
（又は入力）ピン」と称する他方側の高周波端子を２個
備える。そして一方側と他方側の一つとを高周波的に択
一接続するものである。そして、通過させることの出来
る信号は双方向性であって、一方側が入力端子であって
他方側がそれぞれ出力端子であって良いし、一方側が出
力端子であって他方側がそれぞれ入力端子であっても良
い。さらに、送受信共用に用いるアンテナの切り替えの
ように、他方側の一つが入力端子でもう一つが出力端子
で一方側の端子は入力端子であったり出力端子であった
りするようなものにも使用できる。
【００１２】そして、制御ピンを備える。この制御ピン
には接続の切り替えを行うための制御信号があたえられ
る。制御ピンは１個だけ備えて動作に必要な信号をイン
バータを介して相補信号を作る等内部で作るようにもで
きるし、制御ピンを複数備えて動作に必要な信号を全て
外から与えるようにもできる。
には接続の切り替えを行うための制御信号があたえられ
る。制御ピンは１個だけ備えて動作に必要な信号をイン
バータを介して相補信号を作る等内部で作るようにもで
きるし、制御ピンを複数備えて動作に必要な信号を全て
外から与えるようにもできる。
【００１３】そして、多くの場合に接地ピンやバイアス
電圧を与える電源ピン等その他のピンを備えるが、その
ようなものでもよい。
電圧を与える電源ピン等その他のピンを備えるが、その
ようなものでもよい。
【００１４】そして、集積回路構成され、ボンディング
パッドとしての入力パッド、第１，第２の出力パッド、
及び制御パッドを含むペレットを備える。そして、多く
の場合、この外に接地パッドや電源パッドを含んでいる
がそのようなものでも良い。このペレットは、制御パッ
ドに与えられる信号により入力パッドを第１の出力パッ
ド又は第２の出力パッドに択一的に高周波接続するよう
に構成されたものであれば種々の公知回路のものが使用
できる。特に高速に切り替えをすることが求められ、少
ない消費電力が求められる場合には、ＧａＡｓ等化合物
半導体ペレット上に接合ゲート型ＦＥＴにより構成した
ものが用いられる。ここで、接合ゲート型ＦＥＴは、Ｐ
Ｎ接合ゲート、ヘテロ接合ゲート、ショットキー接合ゲ
ート等のいずれでも良いが、作り易いショットキー接合
ゲート型ＦＥＴ（ＭＥＳＦＥＴ）が多用される。その場
合も種々に回路構成可能であるが例えば、入力パッドと
第１の出力パッドとを接続する第１の接合ゲート型ＦＥ
Ｔ、入力パッドと第２の出力パッドとを接続する第２の
接合ゲート型ＦＥＴ、第１の出力パッドと接地パッドと
を高周波的に接続する第３の接合ゲート型ＦＥＴ及び第
２の出力パッドと接地パッドとを高周波的に接続する第
４の接合ゲート型ＦＥＴとを含み、第１，第４の接合ゲ
ート型ＦＥＴは同時に制御パッドに与えられる制御信号
でＯＮ−ＯＦＦ制御され、第２，第３の接合ゲート型Ｆ
ＥＴは同時に制御パッドに与えられる信号で前記第１，
第４の接合ゲート型ＦＥＴに対して相補的にＯＦＦ−Ｏ
Ｎするように構成されている。
パッドとしての入力パッド、第１，第２の出力パッド、
及び制御パッドを含むペレットを備える。そして、多く
の場合、この外に接地パッドや電源パッドを含んでいる
がそのようなものでも良い。このペレットは、制御パッ
ドに与えられる信号により入力パッドを第１の出力パッ
ド又は第２の出力パッドに択一的に高周波接続するよう
に構成されたものであれば種々の公知回路のものが使用
できる。特に高速に切り替えをすることが求められ、少
ない消費電力が求められる場合には、ＧａＡｓ等化合物
半導体ペレット上に接合ゲート型ＦＥＴにより構成した
ものが用いられる。ここで、接合ゲート型ＦＥＴは、Ｐ
Ｎ接合ゲート、ヘテロ接合ゲート、ショットキー接合ゲ
ート等のいずれでも良いが、作り易いショットキー接合
ゲート型ＦＥＴ（ＭＥＳＦＥＴ）が多用される。その場
合も種々に回路構成可能であるが例えば、入力パッドと
第１の出力パッドとを接続する第１の接合ゲート型ＦＥ
Ｔ、入力パッドと第２の出力パッドとを接続する第２の
接合ゲート型ＦＥＴ、第１の出力パッドと接地パッドと
を高周波的に接続する第３の接合ゲート型ＦＥＴ及び第
２の出力パッドと接地パッドとを高周波的に接続する第
４の接合ゲート型ＦＥＴとを含み、第１，第４の接合ゲ
ート型ＦＥＴは同時に制御パッドに与えられる制御信号
でＯＮ−ＯＦＦ制御され、第２，第３の接合ゲート型Ｆ
ＥＴは同時に制御パッドに与えられる信号で前記第１，
第４の接合ゲート型ＦＥＴに対して相補的にＯＦＦ−Ｏ
Ｎするように構成されている。
【００１５】そしてこの発明の最も特徴的な点として高
周波入力（又は出力）ピン、第１の出力（又は入力）ピ
ン、及び第２の出力（又は入力）ピンの全てに（又は一
部に）対応してそれらとペレットとを高周波的に接続す
ると共に直流的に遮断する直流カットコンデンサを前記
ペレット内では無く、別体のチップコンデンのようなサ
コンデンサ部品で備える。
周波入力（又は出力）ピン、第１の出力（又は入力）ピ
ン、及び第２の出力（又は入力）ピンの全てに（又は一
部に）対応してそれらとペレットとを高周波的に接続す
ると共に直流的に遮断する直流カットコンデンサを前記
ペレット内では無く、別体のチップコンデンのようなサ
コンデンサ部品で備える。
【００１６】そして、この直流カットコンデンサは高周
波入力（又は出力）ピン、第１の出力（又は入力）ピン
又は第２の出力（又は入力）ピンの内側部分（樹脂封止
される部分）にそれぞれ１方の電極が接続固定され、他
方の電極が前記ペレットとワイヤボンディング接続され
るようにすれば良い。即ち、ペレットに設けられたボン
ディングパッドとしての入力パッド、第１の出力パッ
ド，第２の出力パッド、制御パッド、接地パッド等は対
応する高周波入力（又は出力）ピン、第１の出力（又は
入力）ピン、第２の出力（又は入力）ピン、制御ピン、
接地ピン等とワイヤボンディング接続するが、高周波入
力（又は出力）ピン、第１の出力（又は入力）ピン、第
２の出力（又は入力）ピンの内で直流カットコンデンサ
を設けた所はピンに直接接続しないで直流カットコンデ
ンサの他方の電極に接続する。そして、直流カットコン
デンサを設けないピンに対しては直接ピンに接続する。
波入力（又は出力）ピン、第１の出力（又は入力）ピン
又は第２の出力（又は入力）ピンの内側部分（樹脂封止
される部分）にそれぞれ１方の電極が接続固定され、他
方の電極が前記ペレットとワイヤボンディング接続され
るようにすれば良い。即ち、ペレットに設けられたボン
ディングパッドとしての入力パッド、第１の出力パッ
ド，第２の出力パッド、制御パッド、接地パッド等は対
応する高周波入力（又は出力）ピン、第１の出力（又は
入力）ピン、第２の出力（又は入力）ピン、制御ピン、
接地ピン等とワイヤボンディング接続するが、高周波入
力（又は出力）ピン、第１の出力（又は入力）ピン、第
２の出力（又は入力）ピンの内で直流カットコンデンサ
を設けた所はピンに直接接続しないで直流カットコンデ
ンサの他方の電極に接続する。そして、直流カットコン
デンサを設けないピンに対しては直接ピンに接続する。
【００１７】この直流カットコンデンサに使用するコン
デンサ部品は種々のものが使用できるが高周波での特性
を確認して採用しなければならない。
デンサ部品は種々のものが使用できるが高周波での特性
を確認して採用しなければならない。
【００１８】
【実施例１】この発明の一実施例を図面を用いて説明す
る。このスイッチ回路ＩＣは９００ＭＨＺ〜１．８ＧＨ
Ｚの高周波信号を切り替えるものであり、図１はこの発
明のスイッチ回路ＩＣを概念的に示す平面図である。図
２に示す従来のスイッチＩＣと同じ部分は同一符号を付
して説明を簡略にする。ペレット１は従来のものと同じ
もので良い。例として、ＧａＡｓ基板上に接合ゲート型
ＦＥＴの好適な例としてＭＥＳＦＥＴをスイッチング素
子として構成した物であるが、この発明はこのようなも
のに限定されるものではなく、ＭＯＳＦＥＴ、バイポー
ラトランジスタ、ダイオード等他のスイッチング素子で
構成されたものでも良い。
る。このスイッチ回路ＩＣは９００ＭＨＺ〜１．８ＧＨ
Ｚの高周波信号を切り替えるものであり、図１はこの発
明のスイッチ回路ＩＣを概念的に示す平面図である。図
２に示す従来のスイッチＩＣと同じ部分は同一符号を付
して説明を簡略にする。ペレット１は従来のものと同じ
もので良い。例として、ＧａＡｓ基板上に接合ゲート型
ＦＥＴの好適な例としてＭＥＳＦＥＴをスイッチング素
子として構成した物であるが、この発明はこのようなも
のに限定されるものではなく、ＭＯＳＦＥＴ、バイポー
ラトランジスタ、ダイオード等他のスイッチング素子で
構成されたものでも良い。
【００１９】このようなペレット１を組み立てるリード
フレームはアイランド２及びそれにつながる接地ピン
３、請求項においてそれぞれ高周波入力（又は出力）ピ
ン，第１の出力（又は入力）ピン，第２の出力（又は入
力）ピンと称する入力ピン４，第１の出力ピン５，第２
の出力ピン６、第１，第２の制御ピン７，８を含んで図
２に示す従来のものと同じである。勿論後述するように
直流カットコンデンサをのせるために必要あれば入力ピ
ン４、第１の出力ピン５及び第２の出力ピン６の形状を
変えても良い。
フレームはアイランド２及びそれにつながる接地ピン
３、請求項においてそれぞれ高周波入力（又は出力）ピ
ン，第１の出力（又は入力）ピン，第２の出力（又は入
力）ピンと称する入力ピン４，第１の出力ピン５，第２
の出力ピン６、第１，第２の制御ピン７，８を含んで図
２に示す従来のものと同じである。勿論後述するように
直流カットコンデンサをのせるために必要あれば入力ピ
ン４、第１の出力ピン５及び第２の出力ピン６の形状を
変えても良い。
【００２０】ペレット１は従来同様リードフレームのア
イランド２上に組み付けられる。そして、この実施例の
特徴として入力ピン４、第１の出力ピン５及び第２の出
力ピン６それぞれの内端近傍にコンデンサ部品として表
裏に電極を備えたチップコンデンサを直流カットコンデ
ンサＣ1として組み付けている。この組みつけの方法は
直流カットコンデンサＣ1の１方の電極をソルダ、導電
ペースト等適宜の導電性接着剤で固着すればよい。
イランド２上に組み付けられる。そして、この実施例の
特徴として入力ピン４、第１の出力ピン５及び第２の出
力ピン６それぞれの内端近傍にコンデンサ部品として表
裏に電極を備えたチップコンデンサを直流カットコンデ
ンサＣ1として組み付けている。この組みつけの方法は
直流カットコンデンサＣ1の１方の電極をソルダ、導電
ペースト等適宜の導電性接着剤で固着すればよい。
【００２１】そして、従来同様に、第１，第２の接地パ
ッドＰＧ１，ＰＧ２はそれぞれアイランド２にワイヤボ
ンディングで接続され、、第１，第２の制御パッドＰＣ
１，ＰＣ２はそれぞれ第１，第２の制御ピン７，８にワ
イヤボンディング接続される。る。
ッドＰＧ１，ＰＧ２はそれぞれアイランド２にワイヤボ
ンディングで接続され、、第１，第２の制御パッドＰＣ
１，ＰＣ２はそれぞれ第１，第２の制御ピン７，８にワ
イヤボンディング接続される。る。
【００２２】しかしながら、入力パッドＰＩ、第１，第
２の出力パッドＰＯ１，ＰＯ２はそれぞれ入力ピン４、
第１，第２の出力ピン５，６上にそれぞれ組み付けられ
た直流カットコンデンサＣ1の表面（他方の電極）上に
ワイヤボンディング接続される。そうして樹脂９で封止
してスイッチ回路ＩＣ２０となる。
２の出力パッドＰＯ１，ＰＯ２はそれぞれ入力ピン４、
第１，第２の出力ピン５，６上にそれぞれ組み付けられ
た直流カットコンデンサＣ1の表面（他方の電極）上に
ワイヤボンディング接続される。そうして樹脂９で封止
してスイッチ回路ＩＣ２０となる。
【００２３】次にこのスイッチ回路ＩＣの使用方法を説
明する。このスイッチ回路ＩＣ２０の外部接続は図１に
示すように、接地ピン３を接地し、入力ピン４は直流カ
ットコンデンサＣ1を内蔵しているのでアンテナ回路１
１に直接接続し、第１の出力ピン５は直流カットコンデ
ンサＣ1を内蔵しているので送信回路１２に直接接続
し、第２の出力ピン６は直流カットコンデンサＣ1を内
蔵しているので受信回路１３に直接接続すれば良い。そ
うして第１の制御ピン７と第２の制御ピン８とに相補的
な制御電圧信号を与えて切り替え制御する。スイッチ回
路によれば構成するＭＥＳＦＥＴはゲートに負の制御電
圧を与えて駆動するものでありながら、従来回路同様に
コンデンサ部品でなる３個の直流カットコンデンサＣ1
とペレット内部の２個の直流カット容量素子Ｃとによっ
て回路が直流的にはフロートとなっているので、制御ピ
ン７，８に正のＨ，Ｌ電圧信号を与えて制御することが
できる。
明する。このスイッチ回路ＩＣ２０の外部接続は図１に
示すように、接地ピン３を接地し、入力ピン４は直流カ
ットコンデンサＣ1を内蔵しているのでアンテナ回路１
１に直接接続し、第１の出力ピン５は直流カットコンデ
ンサＣ1を内蔵しているので送信回路１２に直接接続
し、第２の出力ピン６は直流カットコンデンサＣ1を内
蔵しているので受信回路１３に直接接続すれば良い。そ
うして第１の制御ピン７と第２の制御ピン８とに相補的
な制御電圧信号を与えて切り替え制御する。スイッチ回
路によれば構成するＭＥＳＦＥＴはゲートに負の制御電
圧を与えて駆動するものでありながら、従来回路同様に
コンデンサ部品でなる３個の直流カットコンデンサＣ1
とペレット内部の２個の直流カット容量素子Ｃとによっ
て回路が直流的にはフロートとなっているので、制御ピ
ン７，８に正のＨ，Ｌ電圧信号を与えて制御することが
できる。
【００２４】このスイッチ回路ＩＣによれば入出力ピン
に直流カットコンデンサを内蔵するので外付け部品が少
なくなり便利である。そして、そのコンデンサは高価な
半導体ペレット内に構成するのでなく、チップ部品を使
用するので大きなコストアップとはならない。
に直流カットコンデンサを内蔵するので外付け部品が少
なくなり便利である。そして、そのコンデンサは高価な
半導体ペレット内に構成するのでなく、チップ部品を使
用するので大きなコストアップとはならない。
【００２５】
【発明の効果】以上の説明のようにこの発明のスイッチ
回路ＩＣによれば直流カットコンデンサを内蔵するので
外付け部品が少なくなり、回路装置の小型化等便利とな
る。しかもこの直流カットコンデンサは高価な半導体ペ
レットに構成するのでなく別体のコンデンサ部品を使用
するのでスイッチ回路ＩＣはさほど高価にならない。
回路ＩＣによれば直流カットコンデンサを内蔵するので
外付け部品が少なくなり、回路装置の小型化等便利とな
る。しかもこの直流カットコンデンサは高価な半導体ペ
レットに構成するのでなく別体のコンデンサ部品を使用
するのでスイッチ回路ＩＣはさほど高価にならない。
【図１】 この発明一実施例のスイッチ回路ＩＣの概念
的な平面図。
的な平面図。
【図２】 従来のスイッチ回路ＩＣの概念的な平面図。
１ ペレット ４ 入力ピン（高周波入力（又は出力）ピン） ５ 第１の出力ピン（第１の出力（又は入力）ピン）、 ６ 第２の出力ピン（第２の出力（又は入力）ピン）、 ７ 第１の制御ピン ８ 第２の制御ピン ２０ スイッチ回路ＩＣ（高周波切り替えスイッチ回路
ＩＣ） Ｃ1 直流カットコンデンサ（チップコンデンサ） ＰＩ 入力パッド ＰＯ１ 第１の出力パッド ＰＯ２ 第２の出力パッド ＰＣ１ 第１の制御パッド ＰＣ２ 第２の制御パッド ＰＧ１ 第１の接地パッド ＰＧ２ 第２の接地パッド Ｑ1 第１のＭＥＳＦＥＴ（第１の接合ゲート型ＦＥ
Ｔ） Ｑ2 第２のＭＥＳＦＥＴ（第２の接合ゲート型ＦＥ
Ｔ） Ｑ3 第３のＭＥＳＦＥＴ（第３の接合ゲート型ＦＥ
Ｔ） Ｑ4 第４のＭＥＳＦＥＴ（第４の接合ゲート型ＦＥ
Ｔ）
ＩＣ） Ｃ1 直流カットコンデンサ（チップコンデンサ） ＰＩ 入力パッド ＰＯ１ 第１の出力パッド ＰＯ２ 第２の出力パッド ＰＣ１ 第１の制御パッド ＰＣ２ 第２の制御パッド ＰＧ１ 第１の接地パッド ＰＧ２ 第２の接地パッド Ｑ1 第１のＭＥＳＦＥＴ（第１の接合ゲート型ＦＥ
Ｔ） Ｑ2 第２のＭＥＳＦＥＴ（第２の接合ゲート型ＦＥ
Ｔ） Ｑ3 第３のＭＥＳＦＥＴ（第３の接合ゲート型ＦＥ
Ｔ） Ｑ4 第４のＭＥＳＦＥＴ（第４の接合ゲート型ＦＥ
Ｔ）
Claims (3)
- 【請求項１】高周波入力（又は出力）ピンと、 第１の出力（又は入力）ピンと、 第２の出力（又は入力）ピンと、 制御ピンと、 集積回路構成され、前記各ピンに電気的に接続されるペ
レットとを備え、前記制御ピンに与えられる信号により
前記高周波入力（又は出力）ピンを前記第１の出力（又
は入力）ピン又は前記第２の出力（又は入力）ピンに択
一的に高周波接続する高周波切り替えスイッチ回路ＩＣ
において、 前記高周波入力（又は出力）ピン、及び（又は）第１の
出力（又は入力）ピン、及び（又は）第２の出力（又は
入力）ピンと、前記ペレットとを高周波的に接続する直
流カットコンデンサを前記ペレットとは別体のコンデン
サ部品で備えることを特徴とする高周波切り替えスイッ
チ回路ＩＣ。 - 【請求項２】前記直流カットコンデンサは前記高周波入
力（又は出力）ピン及び（又は）前記第１の出力（又は
入力）ピン及び（又は）第２の出力（又は入力）ピンの
それぞれに１方の電極が接続固定され、他方の電極が前
記ペレットとワイヤボンディング接続されたことを特徴
とする請求項１に記載の高周波切り替えスイッチ回路Ｉ
Ｃ。 - 【請求項３】ボンディングパッドとしての入力パッド、
第１，第２の出力パッド、接地パッド及び制御パッドを
有するペレットと外部端子としての高周波入力（又は出
力）ピン、第１の出力（又は入力）ピン及び第２の出力
（又は入力）ピン、接地ピン及び制御ピンと、 前記高周波入力（又は出力）ピン、及び（又は）前記第
１の出力（又は入力）ピン及び（又は）前記第２の出力
（又は入力）ピン毎に備えるチップ部品でなる直流カッ
トコンデンサとを具備し、 前記ペレットは前記入力パッドと前記第１の出力パッド
とを接続する第１の接合ゲート型ＦＥＴ、前記入力パッ
ドと前記第２の出力パッドとを接続する第２の接合ゲー
ト型ＦＥＴ、前記第１の出力パッドと前記接地パッドと
を高周波的に接続する第３の接合ゲート型ＦＥＴ及び前
記第２の出力パッドと前記接地パッドとを高周波的に接
続する第４の接合ゲート型ＦＥＴとを含み、前記第１，
第４の接合ゲート型ＦＥＴは同時に前記制御パッドに与
えられる制御信号でＯＮ−ＯＦＦ制御され、前記第２，
第３の接合ゲート型ＦＥＴは同時に前記制御パッドに与
えられる信号で前記第１，第４の接合ゲート型ＦＥＴに
対して相補的にＯＦＦ−ＯＮするように構成されてお
り、 前記直流カットコンデンサは対応する前記高周波入力
（又は出力）ピン、前記第１の出力（又は入力）ピン又
は前記第２の出力（又は入力）ピンに１方の電極が組み
付けられ、 前記制御パッドと接地パッドはそれぞれ対応して制御ピ
ン接地ピンにワイヤボンディング接続され、前記入力パ
ッド、第１の出力パッド及び第２の出力パッドは対応し
て前記高周波入力（又は出力）ピン、第１の出力（又は
入力）ピン及び第２の出力（又は入力）ピンに直流カッ
トコンデンサを備えないピンに対しては直接に、備える
ピンに対し前記直流カットコンデンサの他方の電極にワ
イヤボンディング接続されたことを特徴とする高周波切
り替えスイッチ回路ＩＣ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11099567A JP2000295001A (ja) | 1999-04-07 | 1999-04-07 | 高周波切り替えスイッチ回路ｉｃ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11099567A JP2000295001A (ja) | 1999-04-07 | 1999-04-07 | 高周波切り替えスイッチ回路ｉｃ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000295001A true JP2000295001A (ja) | 2000-10-20 |
Family
ID=14250718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11099567A Pending JP2000295001A (ja) | 1999-04-07 | 1999-04-07 | 高周波切り替えスイッチ回路ｉｃ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000295001A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007027563A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Sony Corp | 高周波スイッチ回路を有する高周波装置 |
| US7391282B2 (en) | 2004-11-17 | 2008-06-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Radio-frequency switch circuit and semiconductor device |
| US7904031B2 (en) | 2003-11-11 | 2011-03-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency module for transmitting and receiving transmission-reception signals of at least three communication systems using a single antenna |
-
1999
- 1999-04-07 JP JP11099567A patent/JP2000295001A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7904031B2 (en) | 2003-11-11 | 2011-03-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency module for transmitting and receiving transmission-reception signals of at least three communication systems using a single antenna |
| US7391282B2 (en) | 2004-11-17 | 2008-06-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Radio-frequency switch circuit and semiconductor device |
| JP2007027563A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Sony Corp | 高周波スイッチ回路を有する高周波装置 |
| US8598629B2 (en) | 2005-07-20 | 2013-12-03 | Sony Corporation | High-frequency device including high-frequency switching circuit |
| US9105564B2 (en) | 2005-07-20 | 2015-08-11 | Sony Corporation | High-frequency device including high-frequency switching circuit |
| US9406696B2 (en) | 2005-07-20 | 2016-08-02 | Sony Corporation | High-frequency device including high-frequency switching circuit |
| US9824986B2 (en) | 2005-07-20 | 2017-11-21 | Sony Corporation | High-frequency device including high-frequency switching circuit |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6603291B2 (en) | Integrated FET and driver for use in a synchronous dc-dc conversion circuit | |
| JP3745901B2 (ja) | Ｍｅｓｆｅｔを用いたスイッチ回路 | |
| US6919643B2 (en) | Multi-chip module semiconductor devices | |
| US20100327948A1 (en) | Switching Circuit | |
| JPH08204528A (ja) | スイツチ回路及び複合スイツチ回路 | |
| KR20020070120A (ko) | 스위치 회로 장치 및 화합물 반도체 스위치 회로 장치 | |
| JP3801741B2 (ja) | アンテナスイッチ半導体集積回路 | |
| EP1376694A2 (en) | Semiconductor switching circuit device | |
| JP3630797B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US7423499B2 (en) | High-frequency switching apparatus | |
| KR100582621B1 (ko) | 스위치 회로 장치 | |
| JP4005846B2 (ja) | 高周波スイッチ装置 | |
| JP3913574B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP4101096B2 (ja) | Ｍｏｓトランジスタ装置 | |
| JP2000004149A (ja) | Ｓｐｄｔスイッチ半導体集積回路 | |
| JP3702190B2 (ja) | 化合物半導体スイッチ回路装置 | |
| JP2002261593A (ja) | 化合物半導体スイッチ回路装置 | |
| JP3071985B2 (ja) | スイッチ装置 | |
| JP3864477B2 (ja) | 高周波回路 | |
| JPH0755507Y2 (ja) | モニタ回路内蔵集積回路 | |
| JP3767095B2 (ja) | 入力インターフェイス装置 | |
| JPH0519961Y2 (ja) | ||
| JP2005005857A (ja) | スイッチ回路装置 | |
| JP2000252810A (ja) | 高周波切り替え回路ｉｃ | |
| JP2002217765A (ja) | テレビジョンチューナ |