JP2000295071A - 端面反射型表面波装置 - Google Patents
端面反射型表面波装置Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
- H03H9/02669—Edge reflection structures, i.e. resonating structures without metallic reflectors, e.g. Bleustein-Gulyaev-Shimizu [BGS], shear horizontal [SH], shear transverse [ST], Love waves devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B66—HOISTING; LIFTING; HAULING
- B66C—CRANES; LOAD-ENGAGING ELEMENTS OR DEVICES FOR CRANES, CAPSTANS, WINCHES, OR TACKLES
- B66C3/00—Load-engaging elements or devices attached to lifting or lowering gear of cranes or adapted for connection therewith and intended primarily for transmitting lifting forces to loose materials; Grabs
- B66C3/06—Grabs actuated by a single rope or chain
-
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- B66C1/10—Load-engaging elements or devices attached to lifting or lowering gear of cranes or adapted for connection therewith for transmitting lifting forces to articles or groups of articles by mechanical means
- B66C1/42—Gripping members engaging only the external or internal surfaces of the articles
- B66C1/44—Gripping members engaging only the external or internal surfaces of the articles and applying frictional forces
- B66C1/48—Gripping members engaging only the external or internal surfaces of the articles and applying frictional forces to vertical edge portions of sheets, tubes, or like thin or thin-walled articles
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面波の速度や電気機械結合係数の低下を招
くことなく、かつ周波数の低域側へのシフトをほとんど
生じさせることなく、周波数特性上に現れる大きなリッ
プルが抑圧されており、良好な周波数特性を有するＳＨ
タイプの表面波を利用した端面反射型表面波装置を得
る。 【解決手段】 イオン注入された圧電単結晶基板からな
る表面波基板２を有し、該表面波基板２の上面２ｃ上に
ＩＤＴ３，４が形成されており、表面波基板２の端面２
ａ，２ｂ間でＳＨタイプの表面波が反射されるように構
成されている端面反射型表面波装置。
くことなく、かつ周波数の低域側へのシフトをほとんど
生じさせることなく、周波数特性上に現れる大きなリッ
プルが抑圧されており、良好な周波数特性を有するＳＨ
タイプの表面波を利用した端面反射型表面波装置を得
る。 【解決手段】 イオン注入された圧電単結晶基板からな
る表面波基板２を有し、該表面波基板２の上面２ｃ上に
ＩＤＴ３，４が形成されており、表面波基板２の端面２
ａ，２ｂ間でＳＨタイプの表面波が反射されるように構
成されている端面反射型表面波装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、共振子や帯域フィ
ルタとして用いられる表面波装置に関し、より詳細に
は、ＳＨタイプの表面波を利用した端面反射型の表面波
装置に関する。
ルタとして用いられる表面波装置に関し、より詳細に
は、ＳＨタイプの表面波を利用した端面反射型の表面波
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＢＧＳ波、ラブ波、リーキー波な
どのＳＨタイプの表面波を利用した端面反射型表面波装
置が知られている。端面反射型表面波装置では、表面波
基板の対向し合う一対の端面間で表面波が反射されるの
で、インターデジタルトランスデューサが設けられてい
る領域の表面波伝搬方向両側に反射器を設ける必要がな
い。従って、小型の表面波装置を構成することができ
る。
どのＳＨタイプの表面波を利用した端面反射型表面波装
置が知られている。端面反射型表面波装置では、表面波
基板の対向し合う一対の端面間で表面波が反射されるの
で、インターデジタルトランスデューサが設けられてい
る領域の表面波伝搬方向両側に反射器を設ける必要がな
い。従って、小型の表面波装置を構成することができ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、圧電単
結晶からなる表面波基板を用いた端面反射型表面波装置
では、ＳＨタイプの表面波と同時に励振されたバルク波
などの不要波が端面間で反射されるため、減衰量周波数
特性において大きなリップルが発生するという問題があ
った。例えば、端面反射型表面波共振子フィルタでは、
頭部すなわち通過帯域において大きなリップルが発生し
がちであった。
結晶からなる表面波基板を用いた端面反射型表面波装置
では、ＳＨタイプの表面波と同時に励振されたバルク波
などの不要波が端面間で反射されるため、減衰量周波数
特性において大きなリップルが発生するという問題があ
った。例えば、端面反射型表面波共振子フィルタでは、
頭部すなわち通過帯域において大きなリップルが発生し
がちであった。
【０００４】他方、レイリー波などを利用した表面波装
置では、イオン注入された表面波基板を用いることによ
り、音速や電気機械結合係数を変化させ得ることが知ら
れている（特開昭６３−１６９８０６号公報、特開平６
−３０３０７３号公報）。これは、イオン注入により表
面波基板を構成している圧電単結晶の表面部分にイオン
が注入されたイオン注入層が形成されることによる。こ
の効果により、イオン注入された表面波基板を用いた場
合、表面波の音速や電気機械結合係数Ｋが小さくなる。
従って、イオン注入を利用することにより、例えばラダ
ー型フィルタを構成した場合には周波数の調整や帯域幅
の調整が可能であるとされている。
置では、イオン注入された表面波基板を用いることによ
り、音速や電気機械結合係数を変化させ得ることが知ら
れている（特開昭６３−１６９８０６号公報、特開平６
−３０３０７３号公報）。これは、イオン注入により表
面波基板を構成している圧電単結晶の表面部分にイオン
が注入されたイオン注入層が形成されることによる。こ
の効果により、イオン注入された表面波基板を用いた場
合、表面波の音速や電気機械結合係数Ｋが小さくなる。
従って、イオン注入を利用することにより、例えばラダ
ー型フィルタを構成した場合には周波数の調整や帯域幅
の調整が可能であるとされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のイオン注入された表面波基板を用いた表面波装置で
は、周波数が低くなるように周波数特性がシフトし、か
つ電気機械結合係数Ｋが小さくなるという問題があっ
た。
のイオン注入された表面波基板を用いた表面波装置で
は、周波数が低くなるように周波数特性がシフトし、か
つ電気機械結合係数Ｋが小さくなるという問題があっ
た。
【０００６】他方、ＳＨタイプの表面波を利用した端面
反射型表面波装置では、前述したように、バルク波など
の不要波が端面間で反射し、減衰量周波数特性におい
て、通過帯域に大きなリップルが現れがちであった。
反射型表面波装置では、前述したように、バルク波など
の不要波が端面間で反射し、減衰量周波数特性におい
て、通過帯域に大きなリップルが現れがちであった。
【０００７】本発明の目的は、ＳＨタイプの表面波を利
用した端面反射型表面波装置において、イオン注入を利
用しつつ、周波数特性の低域側へのシフトや電気機械結
合係数Ｋの低下をあまり招くことなく、周波数特性上に
現れるリップルを効果的に抑圧することが可能とされて
いる、端面反射型表面波装置を提供することにある。
用した端面反射型表面波装置において、イオン注入を利
用しつつ、周波数特性の低域側へのシフトや電気機械結
合係数Ｋの低下をあまり招くことなく、周波数特性上に
現れるリップルを効果的に抑圧することが可能とされて
いる、端面反射型表面波装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る端面反射型
表面波装置は、圧電単結晶からなり、対向し合う第１，
第２の端面を有する表面波基板と、前記表面波基板に形
成された少なくとも１つのインターデジタルトランスデ
ューサとを備え、前記第１，第２の端面間でＳＨタイプ
の表面波が反射されるように構成されている端面反射型
表面波装置において、前記表面波基板が、イオン注入さ
れた圧電単結晶基板により構成されていることを特徴と
する。
表面波装置は、圧電単結晶からなり、対向し合う第１，
第２の端面を有する表面波基板と、前記表面波基板に形
成された少なくとも１つのインターデジタルトランスデ
ューサとを備え、前記第１，第２の端面間でＳＨタイプ
の表面波が反射されるように構成されている端面反射型
表面波装置において、前記表面波基板が、イオン注入さ
れた圧電単結晶基板により構成されていることを特徴と
する。
【０００９】好ましくは、上記圧電単結晶基板として
は、３６°〜４１°回転Ｙ板ＬｉＴａＯ3 、４１°回転
Ｙ板ＬｉＮｂＯ3 、及び６４°回転Ｙ板ＬｉＮｂＯ3 か
らなる群から選択した少なくとも一種が用いられる。
は、３６°〜４１°回転Ｙ板ＬｉＴａＯ3 、４１°回転
Ｙ板ＬｉＮｂＯ3 、及び６４°回転Ｙ板ＬｉＮｂＯ3 か
らなる群から選択した少なくとも一種が用いられる。
【００１０】また、上記イオン注入されるイオンとして
は、Ａｒ、Ｎ、Ｂｅ、Ｂ及びＰからなる群から選択した
一種の元素のイオンが用いられ、より好ましくはＰのイ
オンが用いられる。
は、Ａｒ、Ｎ、Ｂｅ、Ｂ及びＰからなる群から選択した
一種の元素のイオンが用いられ、より好ましくはＰのイ
オンが用いられる。
【００１１】本発明に係る端面反射型表面波装置の製造
方法は、圧電単結晶からなる表面波基板を用意する工程
と、前記表面波基板の表面にイオン注入する工程と、前
記表面波基板に少なくとも１つのインターデジタルトラ
ンスデューサを形成する工程と、前記表面波基板を厚み
方向に切断し、前記第１，第２の端面を形成する工程と
を備えることを特徴とする。
方法は、圧電単結晶からなる表面波基板を用意する工程
と、前記表面波基板の表面にイオン注入する工程と、前
記表面波基板に少なくとも１つのインターデジタルトラ
ンスデューサを形成する工程と、前記表面波基板を厚み
方向に切断し、前記第１，第２の端面を形成する工程と
を備えることを特徴とする。
【００１２】本発明に係る端面反射型表面波装置の製造
方法では、好ましくは、前記圧電単結晶基板として、３
６°〜４１°回転Ｙ板ＬｉＴａＯ3 、４１°回転Ｙ板Ｌ
ｉＮｂＯ3 及び６４°回転Ｙ板ＬｉＮｂＯ3 からなる群
から選択した一種の圧電単結晶からなるものを用いる。
方法では、好ましくは、前記圧電単結晶基板として、３
６°〜４１°回転Ｙ板ＬｉＴａＯ3 、４１°回転Ｙ板Ｌ
ｉＮｂＯ3 及び６４°回転Ｙ板ＬｉＮｂＯ3 からなる群
から選択した一種の圧電単結晶からなるものを用いる。
【００１３】また、本発明に係る端面反射型表面波装置
の製造方法では、好ましくは、イオン注入に際し、イオ
ンとして、Ａｒ、Ｎ、Ｂｅ、Ｂ及びＰからなる群から選
択した一種の元素のイオンを用いる。
の製造方法では、好ましくは、イオン注入に際し、イオ
ンとして、Ａｒ、Ｎ、Ｂｅ、Ｂ及びＰからなる群から選
択した一種の元素のイオンを用いる。
【００１４】より好ましくは、上記イオン注入は、加速
電圧５０〜１５０ｋｅＶ及びイオン注入量１×１０4 〜
１×１０16／ｃｍ2 の条件で行われる。
電圧５０〜１５０ｋｅＶ及びイオン注入量１×１０4 〜
１×１０16／ｃｍ2 の条件で行われる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
具体的な実施例を説明することにより、本発明を明らか
にする。
具体的な実施例を説明することにより、本発明を明らか
にする。
【００１６】図１は、本発明の一実施例に係る表面波装
置としての端面反射型の縦結合表面波共振子フィルタを
示す斜視図である。端面反射型の縦結合表面波共振子フ
ィルタ１は、矩形の表面波基板２を用いて構成されてい
る。表面波基板２は、圧電単結晶を用いて構成されてお
り、該圧電単結晶としては、ＳＨタイプの表面波を励振
するのに適した適宜の圧電単結晶基板を用いることがで
きる。このような圧電単結晶基板の例としては、ＬｉＴ
ａＯ 3 基板、ＬｉＮｂＯ3 基板などを挙げることができ
る。好ましくは、表面波基板２は、圧電単結晶基板とし
て、３６°〜４１°回転Ｙ板ＬｉＴａＯ3 、４１°回転
Ｙ板ＬｉＮｂＯ3 及び６４°回転Ｙ板ＬｉＮｂＯ3 から
なる群から選択した少なくとも一種により構成される。
置としての端面反射型の縦結合表面波共振子フィルタを
示す斜視図である。端面反射型の縦結合表面波共振子フ
ィルタ１は、矩形の表面波基板２を用いて構成されてい
る。表面波基板２は、圧電単結晶を用いて構成されてお
り、該圧電単結晶としては、ＳＨタイプの表面波を励振
するのに適した適宜の圧電単結晶基板を用いることがで
きる。このような圧電単結晶基板の例としては、ＬｉＴ
ａＯ 3 基板、ＬｉＮｂＯ3 基板などを挙げることができ
る。好ましくは、表面波基板２は、圧電単結晶基板とし
て、３６°〜４１°回転Ｙ板ＬｉＴａＯ3 、４１°回転
Ｙ板ＬｉＮｂＯ3 及び６４°回転Ｙ板ＬｉＮｂＯ3 から
なる群から選択した少なくとも一種により構成される。
【００１７】表面波基板２は、互いに対向し合う一対の
端面２ａ，２ｂを有する。上面２ｃ上には、第１，第２
のＩＤＴ３，４が表面波伝搬方向、すなわち端面２ａ，
２ｂを結ぶ方向に並べて形成されている。
端面２ａ，２ｂを有する。上面２ｃ上には、第１，第２
のＩＤＴ３，４が表面波伝搬方向、すなわち端面２ａ，
２ｂを結ぶ方向に並べて形成されている。
【００１８】ＩＤＴ３，４は、それぞれ、一対のくし歯
電極３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂを有する。くし歯電極３ａ
〜４ｂは、それぞれ、表面波伝搬方向と直交する方向に
延びる複数本の電極指３ａ1 ，３ａ2 、３ｂ1 、４
ａ1 ，４ｂ1 ，４ｂ2 を有する。
電極３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂを有する。くし歯電極３ａ
〜４ｂは、それぞれ、表面波伝搬方向と直交する方向に
延びる複数本の電極指３ａ1 ，３ａ2 、３ｂ1 、４
ａ1 ，４ｂ1 ，４ｂ2 を有する。
【００１９】ＩＤＴ３においては、電極指３ａ1 ，３ａ
2 が複数本の電極指３ｂ1 と互いに間挿し合うように配
置されている。同様に、ＩＤＴ４においても、電極指４
ａ1と、電極指４ｂ1 ，４ｂ2 とが互いに間挿し合うよ
うに配置されている。
2 が複数本の電極指３ｂ1 と互いに間挿し合うように配
置されている。同様に、ＩＤＴ４においても、電極指４
ａ1と、電極指４ｂ1 ，４ｂ2 とが互いに間挿し合うよ
うに配置されている。
【００２０】電極指３ａ1 〜４ｂ2 のうち、表面波伝搬
方向両側に位置する電極指３ａ1 ，４ｂ2 は、その幅が
ＳＨタイプの表面波の波長をλとしたとき、λ／８とさ
れている。残りの電極指３ａ2 ，３ｂ1 ，４ａ1 ，４ｂ
1 の幅はλ／４とされている。また、隣り合う電極指間
のギャップの表面波伝搬方向に沿う幅はλ／４とされて
いる。
方向両側に位置する電極指３ａ1 ，４ｂ2 は、その幅が
ＳＨタイプの表面波の波長をλとしたとき、λ／８とさ
れている。残りの電極指３ａ2 ，３ｂ1 ，４ａ1 ，４ｂ
1 の幅はλ／４とされている。また、隣り合う電極指間
のギャップの表面波伝搬方向に沿う幅はλ／４とされて
いる。
【００２１】また、表面波伝搬方向両側の電極指３
ａ1 ，４ｂ2 は、端面２ａ，２ｂと上面２ｃとのなす端
縁に沿うように形成されている。上記ＩＤＴ３，４は、
例えばアルミニウムなどの金属膜を形成し、パターニン
グすることにより形成されている。
ａ1 ，４ｂ2 は、端面２ａ，２ｂと上面２ｃとのなす端
縁に沿うように形成されている。上記ＩＤＴ３，４は、
例えばアルミニウムなどの金属膜を形成し、パターニン
グすることにより形成されている。
【００２２】本実施例の縦結合表面波共振子フィルタ１
では、ＩＤＴ３，４に入力信号を印加すると、ＩＤＴ
３，４により表面波が励振され、励振された表面波が端
面２ａ，２ｂを結ぶ方向に伝搬し、端面２ａ，２ｂで反
射され、Ｏ次モードと１次モードの振動が発生し、両者
のモードが結合されて定在波が発生する。この定在波に
よりフィルタ特性が取り出される。従って、表面波共振
子フィルタ１は、縦結合型の共振子フィルタとして動作
する。
では、ＩＤＴ３，４に入力信号を印加すると、ＩＤＴ
３，４により表面波が励振され、励振された表面波が端
面２ａ，２ｂを結ぶ方向に伝搬し、端面２ａ，２ｂで反
射され、Ｏ次モードと１次モードの振動が発生し、両者
のモードが結合されて定在波が発生する。この定在波に
よりフィルタ特性が取り出される。従って、表面波共振
子フィルタ１は、縦結合型の共振子フィルタとして動作
する。
【００２３】本実施例の縦結合表面波共振子フィルタ１
の特徴は、表面波基板２が、イオン注入された圧電単結
晶基板により構成されていることにある。このイオン注
入された圧電単結晶基板を用いることにより、後述の実
験例から明らかなように、減衰量周波数特性における通
過帯域に現れるリップルを効果的に抑圧することができ
る。この場合、注入されるイオンとしては、Ａｌ、Ｎ、
Ｂｅ、ＢまたはＰのうち一種の元素のイオンを好適に用
いることができ、より好ましくは、Ｐのイオンを用いる
ことができる。
の特徴は、表面波基板２が、イオン注入された圧電単結
晶基板により構成されていることにある。このイオン注
入された圧電単結晶基板を用いることにより、後述の実
験例から明らかなように、減衰量周波数特性における通
過帯域に現れるリップルを効果的に抑圧することができ
る。この場合、注入されるイオンとしては、Ａｌ、Ｎ、
Ｂｅ、ＢまたはＰのうち一種の元素のイオンを好適に用
いることができ、より好ましくは、Ｐのイオンを用いる
ことができる。
【００２４】次に、具体的な実験例を説明することによ
り、イオン注入された圧電単結晶基板からなる表面波基
板２を用いた本実施例の端面反射型の縦結合表面波共振
子フィルタ１の製造方法及び効果を説明する。
り、イオン注入された圧電単結晶基板からなる表面波基
板２を用いた本実施例の端面反射型の縦結合表面波共振
子フィルタ１の製造方法及び効果を説明する。
【００２５】（実験例１）まず、表面波基板２として、
３６°回転Ｙ板ＬｉＴａＯ3 からなる圧電単結晶基板を
用意し、その上面側から加速電圧１４０ｋｅＶ及びイオ
ン注入量５×１０ 15／ｃｍ2 の条件でＰイオンを注入し
た。しかる後、上記圧電単結晶基板の上面に０．５μｍ
の厚みのＡｌ膜を形成し、パターニングすることによ
り、ＩＤＴ３，４を形成した。次に、圧電単結晶基板を
厚み方向に切断し、端面２ａ，２ｂを切り出し、１．４
×２．０×０．３５ｍｍ、すなわち端面２ａ，２ｂ間の
距離が０．７９ｍｍである表面波共振子フィルタ１を得
た。この表面波共振子フィルタ１を実施例１の表面波共
振子フィルタとする。
３６°回転Ｙ板ＬｉＴａＯ3 からなる圧電単結晶基板を
用意し、その上面側から加速電圧１４０ｋｅＶ及びイオ
ン注入量５×１０ 15／ｃｍ2 の条件でＰイオンを注入し
た。しかる後、上記圧電単結晶基板の上面に０．５μｍ
の厚みのＡｌ膜を形成し、パターニングすることによ
り、ＩＤＴ３，４を形成した。次に、圧電単結晶基板を
厚み方向に切断し、端面２ａ，２ｂを切り出し、１．４
×２．０×０．３５ｍｍ、すなわち端面２ａ，２ｂ間の
距離が０．７９ｍｍである表面波共振子フィルタ１を得
た。この表面波共振子フィルタ１を実施例１の表面波共
振子フィルタとする。
【００２６】比較のために、イオン注入されていない上
記圧電単結晶基板を用いたことを除いては、上記実施例
と同様にして端面反射型の縦結合表面波共振子フィルタ
を得た。この比較のために用意した縦結合表面波共振子
フィルタを従来例とする。
記圧電単結晶基板を用いたことを除いては、上記実施例
と同様にして端面反射型の縦結合表面波共振子フィルタ
を得た。この比較のために用意した縦結合表面波共振子
フィルタを従来例とする。
【００２７】さらに、Ｐイオンに代えて、Ａｒイオン及
びＢイオンを用いたことを除いては、上記実施例と同様
にして、端面反射型の縦結合表面波共振子フィルタを得
た。Ａｒイオンを注入した圧電単結晶基板を用いた場合
を実施例２とし、Ｂイオンを注入した圧電単結晶基板を
用いた場合を実施例３とする。
びＢイオンを用いたことを除いては、上記実施例と同様
にして、端面反射型の縦結合表面波共振子フィルタを得
た。Ａｒイオンを注入した圧電単結晶基板を用いた場合
を実施例２とし、Ｂイオンを注入した圧電単結晶基板を
用いた場合を実施例３とする。
【００２８】上記のようにして用意した従来例、及び実
施例１〜３の各端面反射型の縦結合表面波共振子フィル
タの減衰量周波数特性を図２〜図５に示す。すなわち、
図２は従来例の結果を、図３は実施例１の結果を、図４
は実施例２の結果を、図５は実施例３の結果を示す。
施例１〜３の各端面反射型の縦結合表面波共振子フィル
タの減衰量周波数特性を図２〜図５に示す。すなわち、
図２は従来例の結果を、図３は実施例１の結果を、図４
は実施例２の結果を、図５は実施例３の結果を示す。
【００２９】（実験例２）実施例１と同様にして、Ｐイ
オンが注入された表面波共振子フィルタ１を作製し、実
施例４とした。ただし、この実施例４の表面波共振子フ
ィルタ１を得るにあたり、同じロットの圧電単結晶基板
を用い、イオン注入を行わなかったことを除いては、実
施例４と同様にして端面反射型の縦結合表面波共振子フ
ィルタを作製した。これを従来例２とする。
オンが注入された表面波共振子フィルタ１を作製し、実
施例４とした。ただし、この実施例４の表面波共振子フ
ィルタ１を得るにあたり、同じロットの圧電単結晶基板
を用い、イオン注入を行わなかったことを除いては、実
施例４と同様にして端面反射型の縦結合表面波共振子フ
ィルタを作製した。これを従来例２とする。
【００３０】上記従来例２及び実施例４の表面波共振子
フィルタの減衰量周波数特性におけるｐｅａｋｌｏｓｓ
（通過帯域における損失最小値）を測定した。結果を下
記の表１に示す。
フィルタの減衰量周波数特性におけるｐｅａｋｌｏｓｓ
（通過帯域における損失最小値）を測定した。結果を下
記の表１に示す。
【００３１】また、実施例４と同様にして、ただし別の
ロットの圧電単結晶基板を用い、同じくＰイオンを注入
し、実施例５の端面反射型の縦結合表面波共振子フィル
タを作製した。さらに、実施例５と同じロットの圧電単
結晶基板を用い、イオン注入を行わずに、他は実施例５
の場合と同様にして従来例３の端面反射型の縦結合表面
波共振子フィルタを作製した。
ロットの圧電単結晶基板を用い、同じくＰイオンを注入
し、実施例５の端面反射型の縦結合表面波共振子フィル
タを作製した。さらに、実施例５と同じロットの圧電単
結晶基板を用い、イオン注入を行わずに、他は実施例５
の場合と同様にして従来例３の端面反射型の縦結合表面
波共振子フィルタを作製した。
【００３２】上記のようにして得た実施例５及び従来例
３の表面波共振子フィルタにおけるｐｅａｋｌｏｓｓを
測定した。結果を下記の表１に示す。次に、実施例２と
同様にＡｒイオンを注入した圧電単結晶基板を用い、実
施例６の端面反射型の縦結合表面波共振子フィルタを得
た。また、この実施例６の端面反射型の縦結合表面波共
振子フィルタを得たのと同じロットの圧電単結晶基板を
用い、ただしイオン注入を行わずに、従来例４の端面反
射型の縦結合表面波共振子フィルタを得た。この実施例
６及び従来例４の表面波共振子フィルタにおけるｐｅａ
ｋｌｏｓｓを測定した。結果を下記の表１に示す。
３の表面波共振子フィルタにおけるｐｅａｋｌｏｓｓを
測定した。結果を下記の表１に示す。次に、実施例２と
同様にＡｒイオンを注入した圧電単結晶基板を用い、実
施例６の端面反射型の縦結合表面波共振子フィルタを得
た。また、この実施例６の端面反射型の縦結合表面波共
振子フィルタを得たのと同じロットの圧電単結晶基板を
用い、ただしイオン注入を行わずに、従来例４の端面反
射型の縦結合表面波共振子フィルタを得た。この実施例
６及び従来例４の表面波共振子フィルタにおけるｐｅａ
ｋｌｏｓｓを測定した。結果を下記の表１に示す。
【００３３】さらに、Ｐイオンに代えて、Ｂイオンを注
入したことを除いては、実施例７，８の各端面反射型の
縦結合表面波共振子フィルタを得た。併せて、実施例
７，８の表面波共振子フィルタを得たのとそれぞれ同じ
ロットの圧電単結晶基板を用い、イオン注入を行わず
に、それぞれ、従来例５，６の表面波共振子フィルタを
作製した。実施例７，８及び従来例５，６の各表面波共
振子フィルタについての上記ｐｅａｋｌｏｓｓを求め
た。結果を下記の表１に示す。
入したことを除いては、実施例７，８の各端面反射型の
縦結合表面波共振子フィルタを得た。併せて、実施例
７，８の表面波共振子フィルタを得たのとそれぞれ同じ
ロットの圧電単結晶基板を用い、イオン注入を行わず
に、それぞれ、従来例５，６の表面波共振子フィルタを
作製した。実施例７，８及び従来例５，６の各表面波共
振子フィルタについての上記ｐｅａｋｌｏｓｓを求め
た。結果を下記の表１に示す。
【００３４】
【表１】
【００３５】表１から明らかなように、同じロットの圧
電単結晶基板を用い、本発明に従って端面反射型の縦結
合表面波共振子フィルタを作製した場合には、ｐｅａｋ
ｌｏｓｓが同じロットの圧電単結晶基板を用いた従来例
に比べて小さくなることがわかる。言い換えれば、イオ
ン注入された圧電単結晶基板を用いた場合、上述したよ
うに通過帯域に現れるリップルを抑制することができる
だけでなく、通過帯域における損失の低減を図り得るこ
とがわかる。
電単結晶基板を用い、本発明に従って端面反射型の縦結
合表面波共振子フィルタを作製した場合には、ｐｅａｋ
ｌｏｓｓが同じロットの圧電単結晶基板を用いた従来例
に比べて小さくなることがわかる。言い換えれば、イオ
ン注入された圧電単結晶基板を用いた場合、上述したよ
うに通過帯域に現れるリップルを抑制することができる
だけでなく、通過帯域における損失の低減を図り得るこ
とがわかる。
【００３６】図２と図３〜図５とを比較すれば明らかな
ように、従来例の端面反射型の縦結合表面波共振子フィ
ルタでは、矢印Ａで示すように通過帯域に大きなリップ
ルが現れている。これに対して、図３〜図５に示す実施
例１〜３の各縦結合表面波共振子フィルタの減衰量周波
数特性では、通過帯域にこのような大きなリップルが現
れていないことがわかる。特に、図３に示すように、Ｐ
イオンが注入された圧電単結晶基板を用いた実施例１で
は、通過帯域におけるリップルが著しく小さくされてい
ることがわかる。
ように、従来例の端面反射型の縦結合表面波共振子フィ
ルタでは、矢印Ａで示すように通過帯域に大きなリップ
ルが現れている。これに対して、図３〜図５に示す実施
例１〜３の各縦結合表面波共振子フィルタの減衰量周波
数特性では、通過帯域にこのような大きなリップルが現
れていないことがわかる。特に、図３に示すように、Ｐ
イオンが注入された圧電単結晶基板を用いた実施例１で
は、通過帯域におけるリップルが著しく小さくされてい
ることがわかる。
【００３７】よって、本発明に従ってイオン注入された
圧電単結晶基板を用い、端面反射型の縦結合表面波共振
子フィルタを構成した場合、該イオン注入により通過帯
域に現れる大きなリップルを効果的に抑圧することがで
き、かつ損失の低減を図ることができ、良好なフィルタ
特性の得られることがわかる。
圧電単結晶基板を用い、端面反射型の縦結合表面波共振
子フィルタを構成した場合、該イオン注入により通過帯
域に現れる大きなリップルを効果的に抑圧することがで
き、かつ損失の低減を図ることができ、良好なフィルタ
特性の得られることがわかる。
【００３８】なお、本発明は、上述した縦結合表面波共
振子フィルタだけでなく、ＳＨタイプの表面波を利用し
た端面反射型の表面波装置に広く適用することができ、
例えば端面反射型の横結合型表面波共振子フィルタ、端
面反射型表面波共振子などに適用することができる。こ
れらの各種端面反射型表面波装置に適用した場合におい
ても、イオン注入された圧電単結晶基板を用いることに
より、フィルタ特性や共振特性上に現れる大きなリップ
ルを効果的に抑圧することができ、良好なフィルタ特性
や共振特性を得ることができる。
振子フィルタだけでなく、ＳＨタイプの表面波を利用し
た端面反射型の表面波装置に広く適用することができ、
例えば端面反射型の横結合型表面波共振子フィルタ、端
面反射型表面波共振子などに適用することができる。こ
れらの各種端面反射型表面波装置に適用した場合におい
ても、イオン注入された圧電単結晶基板を用いることに
より、フィルタ特性や共振特性上に現れる大きなリップ
ルを効果的に抑圧することができ、良好なフィルタ特性
や共振特性を得ることができる。
【００３９】
【発明の効果】本発明に係る端面反射型表面波装置で
は、圧電単結晶からなり、対向し合う第１，第２の端面
を有する表面波基板として、イオン注入された圧電単結
晶基板が用いられているので、上記実施例から明らかな
ように、減衰量周波数特性上に現れる大きなリップルを
効果的に抑圧することができ、良好な共振特性やフィル
タ特性を得ることができる。これは、イオン注入により
リップルの原因となる不要バルク波の励振を抑えるため
と思われる。
は、圧電単結晶からなり、対向し合う第１，第２の端面
を有する表面波基板として、イオン注入された圧電単結
晶基板が用いられているので、上記実施例から明らかな
ように、減衰量周波数特性上に現れる大きなリップルを
効果的に抑圧することができ、良好な共振特性やフィル
タ特性を得ることができる。これは、イオン注入により
リップルの原因となる不要バルク波の励振を抑えるため
と思われる。
【００４０】また、本発明においては、上記圧電単結晶
基板として、３６°〜４１°回転Ｙ板ＬｉＴａＯ3 基
板、４１°回転Ｙ板ＬｉＮｂＯ3 基板または６４°回転
Ｙ板ＬｉＮｂＯ3 基板を好適に用いることができる。
基板として、３６°〜４１°回転Ｙ板ＬｉＴａＯ3 基
板、４１°回転Ｙ板ＬｉＮｂＯ3 基板または６４°回転
Ｙ板ＬｉＮｂＯ3 基板を好適に用いることができる。
【００４１】さらに、イオン注入されるイオンとして
は、Ａｒ、Ｎ、Ｂｅ、ＢまたはＰのイオンを好適に用い
ることができ、それによって上記リップルを効果的に抑
圧することができ、特にＰイオンを用いた場合、上記リ
ップルをより効果的に抑圧することができる。
は、Ａｒ、Ｎ、Ｂｅ、ＢまたはＰのイオンを好適に用い
ることができ、それによって上記リップルを効果的に抑
圧することができ、特にＰイオンを用いた場合、上記リ
ップルをより効果的に抑圧することができる。
【００４２】本発明に係る端面反射型表面波装置の製造
方法では、圧電単結晶からなる表面波基板を用意する工
程と、表面波基板の表面にイオン注入する工程とを備え
るため、得られた端面反射型表面波装置において、減衰
量周波数特性上に現れる大きなリップルを効果的に抑圧
することができる。従って、共振特性やフィルタ特性の
良好な端面反射型表面波装置を提供することが可能とな
る。
方法では、圧電単結晶からなる表面波基板を用意する工
程と、表面波基板の表面にイオン注入する工程とを備え
るため、得られた端面反射型表面波装置において、減衰
量周波数特性上に現れる大きなリップルを効果的に抑圧
することができる。従って、共振特性やフィルタ特性の
良好な端面反射型表面波装置を提供することが可能とな
る。
【００４３】本発明に係る製造方法においても、圧電単
結晶基板として、３６°〜４１°回転Ｙ板ＬｉＴａＯ3
基板、４１°回転Ｙ板ＬｉＮｂＯ3 基板または６４°回
転Ｙ板ＬｉＮｂＯ3 基板を好適に用いることができる。
結晶基板として、３６°〜４１°回転Ｙ板ＬｉＴａＯ3
基板、４１°回転Ｙ板ＬｉＮｂＯ3 基板または６４°回
転Ｙ板ＬｉＮｂＯ3 基板を好適に用いることができる。
【００４４】本発明に係る製造方法において、注入され
るイオンとしてＡｒ、Ｎ、Ｂｅ、ＢまたはＰのイオンを
用いることにより、上記リップルを効果的に抑圧するこ
とができ、特にＰイオンを用いた場合、上記リップルを
より効果的に抑圧することができる。
るイオンとしてＡｒ、Ｎ、Ｂｅ、ＢまたはＰのイオンを
用いることにより、上記リップルを効果的に抑圧するこ
とができ、特にＰイオンを用いた場合、上記リップルを
より効果的に抑圧することができる。
【００４５】また、本発明に係る製造方法において、上
記イオン注入の条件については、表面波基板の材質及び
イオンの種類によっても異なるが、一般に、加速電圧を
５０〜１５０ｋｅＶ及びイオン注入量１×１０4 〜１×
１０16／ｃｍ2 とすることにより、上記実験例から明ら
かなように、通過帯域に現れる大きなリップルを効果的
に抑圧することができる。
記イオン注入の条件については、表面波基板の材質及び
イオンの種類によっても異なるが、一般に、加速電圧を
５０〜１５０ｋｅＶ及びイオン注入量１×１０4 〜１×
１０16／ｃｍ2 とすることにより、上記実験例から明ら
かなように、通過帯域に現れる大きなリップルを効果的
に抑圧することができる。
【図１】本発明の一実施例としての端面反射型の縦結合
表面波共振子フィルタを示す斜視図。
表面波共振子フィルタを示す斜視図。
【図２】比較のために用意した従来の縦結合表面波共振
子フィルタの減衰量周波数特性を示す図。
子フィルタの減衰量周波数特性を示す図。
【図３】実施例１の端面反射型の縦結合表面波共振子フ
ィルタの減衰量周波数特性を示す図。
ィルタの減衰量周波数特性を示す図。
【図４】実施例２の端面反射型の縦結合表面波共振子フ
ィルタの減衰量周波数特性を示す図。
ィルタの減衰量周波数特性を示す図。
【図５】実施例３の端面反射型の縦結合表面波共振子フ
ィルタの減衰量周波数特性を示す図。
ィルタの減衰量周波数特性を示す図。
１…端面反射型表面波装置としての縦結合表面波共振子
フィルタ ２…表面波基板 ２ａ，２ｂ…端面 ３，４…ＩＤＴ ３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂ…くし歯電極 ３ａ1 ，３ａ2 ，３ｂ1 ，４ａ1 ，４ｂ1 ，４ｂ2 …電
極指
フィルタ ２…表面波基板 ２ａ，２ｂ…端面 ３，４…ＩＤＴ ３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂ…くし歯電極 ３ａ1 ，３ａ2 ，３ｂ1 ，４ａ1 ，４ｂ1 ，４ｂ2 …電
極指
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吾郷 純也 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 堀内 秀哉 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 根来 泰宏 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5J097 AA05 AA15 BB01 BB11 GG03 GG04 GG07 HA03 HA07 HA08 KK04
Claims (7)
- 【請求項１】 圧電単結晶からなり、対向し合う第１，
第２の端面を有する表面波基板と、 前記表面波基板に形成された少なくとも１つのインター
デジタルトランスデューサとを備え、前記第１，第２の
端面間でＳＨタイプの表面波が反射されるように構成さ
れている端面反射型表面波装置において、 前記表面波基板が、イオン注入された圧電単結晶基板に
より構成されていることを特徴とする、端面反射型表面
波装置。 - 【請求項２】 前記圧電単結晶基板が、３６°〜４１°
回転Ｙ板ＬｉＴａＯ 3 、４１°回転Ｙ板ＬｉＮｂＯ3 、
及び６４°回転Ｙ板ＬｉＮｂＯ3 からなる群から選択し
た少なくとも一種により構成されている、請求項１に記
載の端面反射型表面波装置。 - 【請求項３】 前記イオン注入されるイオンが、Ａｒ、
Ｎ、Ｂｅ、Ｂ及びＰからなる群から選択した一種の元素
のイオンである、請求項１または２に記載の端面反射型
表面波装置。 - 【請求項４】 前記イオン注入により注入されているイ
オンがＰのイオンである、請求項３に記載の端面反射型
表面波装置。 - 【請求項５】 請求項１に記載の端面反射型表面波装置
の製造方法であって、圧電単結晶からなる表面波基板を
用意する工程と、 前記表面波基板の表面にイオン注入する工程と、 前記表面波基板に少なくとも１つのインターデジタルト
ランスデューサを形成する工程と、 前記表面波基板を厚み方向に切断し、前記第１，第２の
端面を形成する工程とを備えることを特徴とする、端面
反射型表面波装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記圧電単結晶基板として、３６°〜４
１°回転Ｙ板ＬｉＴａＯ3 、４１°回転Ｙ板ＬｉＮｂＯ
3 及び６４°回転Ｙ板ＬｉＮｂＯ3 からなる群から選択
した一種の圧電単結晶からなるものを用いる、請求項５
に記載の端面反射型表面波装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記イオン注入に際し、イオンとして、
Ａｒ、Ｎ、Ｂｅ、Ｂ及びＰからなる群から選択した一種
の元素のイオンを用いる、請求項５または６に記載の端
面反射型表面波装置の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11100621A JP2000295071A (ja) | 1999-04-07 | 1999-04-07 | 端面反射型表面波装置 |
| US09/537,908 US6313563B1 (en) | 1999-04-07 | 2000-03-28 | Edge reflection type surface acoustic wave device |
| SG200001907A SG111002A1 (en) | 1999-04-07 | 2000-04-04 | Edge reflection type surface acoustic wave device |
| KR1020000017911A KR20000077005A (ko) | 1999-04-07 | 2000-04-06 | 단면 반사형 표면 탄성파 장치 |
| EP00400958A EP1043835A3 (en) | 1999-04-07 | 2000-04-07 | Edge reflection type surface acoustic wave device |
| CN00106481A CN1269610A (zh) | 1999-04-07 | 2000-04-07 | 边缘反射型声表面波器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11100621A JP2000295071A (ja) | 1999-04-07 | 1999-04-07 | 端面反射型表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000295071A true JP2000295071A (ja) | 2000-10-20 |
Family
ID=14278923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11100621A Pending JP2000295071A (ja) | 1999-04-07 | 1999-04-07 | 端面反射型表面波装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6313563B1 (ja) |
| EP (1) | EP1043835A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000295071A (ja) |
| KR (1) | KR20000077005A (ja) |
| CN (1) | CN1269610A (ja) |
| SG (1) | SG111002A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10483875B2 (en) | 2013-11-20 | 2019-11-19 | Industrial Technology Research Institute | Surface elastic wave generator, transceiver, and generation method thereof |
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|---|---|---|---|---|
| CN102017407B (zh) * | 2008-04-30 | 2014-03-19 | 株式会社村田制作所 | 弹性边界波装置 |
| US10720900B2 (en) | 2016-07-07 | 2020-07-21 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Acoustic resonator and method |
| CN111623917B (zh) * | 2020-06-10 | 2022-03-04 | 北京遥测技术研究所 | 一种高灵敏度的声表面波绝压压力传感器 |
| CN111934644B (zh) * | 2020-07-31 | 2021-11-02 | 见闻录(浙江)半导体有限公司 | 叉指电极结构及其制造方法和具有该结构的声表面波器件 |
| CN113489471B (zh) * | 2021-07-12 | 2023-11-17 | 无锡市好达电子股份有限公司 | 一种低损耗的声表面波装置 |
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|---|---|---|---|---|
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| US5389806A (en) * | 1990-09-04 | 1995-02-14 | Motorola, Inc. | Apparatus for reducing heterostructure acoustic charge transport device saw drive power requirements |
| JPH0590871A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面弾性波素子 |
| JPH06303073A (ja) | 1993-02-17 | 1994-10-28 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波デバイスとその製造方法 |
| FR2714200B1 (fr) * | 1993-11-25 | 1996-12-27 | Fujitsu Ltd | Dispositif à onde acoustique de surface et son procédé de fabrication. |
| JPH08204498A (ja) * | 1995-01-24 | 1996-08-09 | Murata Mfg Co Ltd | 端面反射型表面波装置 |
| JP3204290B2 (ja) * | 1995-02-09 | 2001-09-04 | 住友電気工業株式会社 | 表面弾性波素子 |
| JP3233087B2 (ja) * | 1997-01-20 | 2001-11-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ |
| JPH10229319A (ja) * | 1997-02-13 | 1998-08-25 | Mitsubishi Materials Corp | 伝搬損失の少ない薄膜表面弾性波フィルタ |
| TW404091B (en) * | 1997-05-16 | 2000-09-01 | Murata Manufacturing Co | Ladder filter having edge-reflection type resonators |
| JP3171144B2 (ja) * | 1997-07-07 | 2001-05-28 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置 |
| US5986523A (en) * | 1997-08-29 | 1999-11-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Edge reflection type longitudinally coupled surface acoustic wave filter |
-
1999
- 1999-04-07 JP JP11100621A patent/JP2000295071A/ja active Pending
-
2000
- 2000-03-28 US US09/537,908 patent/US6313563B1/en not_active Expired - Fee Related
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- 2000-04-06 KR KR1020000017911A patent/KR20000077005A/ko not_active Ceased
- 2000-04-07 EP EP00400958A patent/EP1043835A3/en not_active Withdrawn
- 2000-04-07 CN CN00106481A patent/CN1269610A/zh active Pending
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|---|---|---|---|---|
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Also Published As
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|---|---|
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| CN1269610A (zh) | 2000-10-11 |
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| SG111002A1 (en) | 2005-05-30 |
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