JPH0590871A - 表面弾性波素子 - Google Patents
表面弾性波素子Info
- Publication number
- JPH0590871A JPH0590871A JP3249744A JP24974491A JPH0590871A JP H0590871 A JPH0590871 A JP H0590871A JP 3249744 A JP3249744 A JP 3249744A JP 24974491 A JP24974491 A JP 24974491A JP H0590871 A JPH0590871 A JP H0590871A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boron nitride
- surface acoustic
- acoustic wave
- electrode
- nitride layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49005—Acoustic transducer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 加工が容易な材料を用いることによって、高
周波数域で作動することができる表面弾性波素子を提供
する。 【構成】 基板上に窒化ホウ素層２、電極層３ａおよび
３ｂ、ならびに圧電体層４を積層してなる表面弾性波素
子。
周波数域で作動することができる表面弾性波素子を提供
する。 【構成】 基板上に窒化ホウ素層２、電極層３ａおよび
３ｂ、ならびに圧電体層４を積層してなる表面弾性波素
子。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高周波フィルタなど
に用いられる表面弾性波素子に関する。
に用いられる表面弾性波素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】表面弾性波素子は、弾性体表面を伝播す
る表面波を利用した電気−機械変換素子であり、たとえ
ば、図４に示すような一般的構造を有する。表面弾性波
素子６０において、表面波の励振には圧電体６１による
圧電現象が利用される。圧電体６１に設けられた一方の
くし型電極６２に電気信号を印加すると、圧電体６１に
歪が生じ、これが表面弾性波となって圧電体６１を伝播
し、もう一方のくし型電極６３で電気信号として取出さ
れる。この素子の周波数特性は、図に示すように、くし
型電極における電極の間隔をλ0 、表面弾性波の速度を
νとすれば、ｆ0 ＝ν／λ0 で定められる周波数ｆ0 を
中心とした帯域通過特性となる。
る表面波を利用した電気−機械変換素子であり、たとえ
ば、図４に示すような一般的構造を有する。表面弾性波
素子６０において、表面波の励振には圧電体６１による
圧電現象が利用される。圧電体６１に設けられた一方の
くし型電極６２に電気信号を印加すると、圧電体６１に
歪が生じ、これが表面弾性波となって圧電体６１を伝播
し、もう一方のくし型電極６３で電気信号として取出さ
れる。この素子の周波数特性は、図に示すように、くし
型電極における電極の間隔をλ0 、表面弾性波の速度を
νとすれば、ｆ0 ＝ν／λ0 で定められる周波数ｆ0 を
中心とした帯域通過特性となる。
【０００３】表面弾性波素子は、部品点数が少なく、小
型にすることができ、しかも表面波の伝播経路上におい
て信号の出入れが容易である。この素子は、フィルタ、
遅延線、発振器、共振器、コンボルバ、および相関器等
に応用することができる。特に、表面弾性波フィルタ
は、早くからテレビの中間周波数フィルタとして実用化
され、さらにＶＴＲおよび各種の通信機器用フィルタに
応用されてきている。
型にすることができ、しかも表面波の伝播経路上におい
て信号の出入れが容易である。この素子は、フィルタ、
遅延線、発振器、共振器、コンボルバ、および相関器等
に応用することができる。特に、表面弾性波フィルタ
は、早くからテレビの中間周波数フィルタとして実用化
され、さらにＶＴＲおよび各種の通信機器用フィルタに
応用されてきている。
【０００４】上記表面弾性波素子に関して、たとえば移
動通信等の分野に用いられる表面弾性波フィルタなど
は、より高い周波数域で使用できる素子が望まれてい
る。上式で示されるように、電極間距離λ0 がより小さ
くなるか、表面波の速度νがより大きくなれば、素子の
周波数特性はより高い中心周波数ｆ0 を有するようにな
る。これに関し、たとえば本出願人による特開昭６４−
６２９１１は、表面弾性波の速度νを大きくするため、
ダイヤモンド層上に圧電体を積層した表面弾性波素子を
開示している。ダイヤモンドの音速は現在知られている
物質中で最も大きく、しかもダイヤモンドは物理的およ
び化学的に安定である。したがって、ダイヤモンドは素
子のｆ0 を大きくするために適当な材料である。また、
このようにしてνを大きくする一方、電極間隔λ0 を相
対的に広げれば、素子の信頼性を向上させることができ
る。
動通信等の分野に用いられる表面弾性波フィルタなど
は、より高い周波数域で使用できる素子が望まれてい
る。上式で示されるように、電極間距離λ0 がより小さ
くなるか、表面波の速度νがより大きくなれば、素子の
周波数特性はより高い中心周波数ｆ0 を有するようにな
る。これに関し、たとえば本出願人による特開昭６４−
６２９１１は、表面弾性波の速度νを大きくするため、
ダイヤモンド層上に圧電体を積層した表面弾性波素子を
開示している。ダイヤモンドの音速は現在知られている
物質中で最も大きく、しかもダイヤモンドは物理的およ
び化学的に安定である。したがって、ダイヤモンドは素
子のｆ0 を大きくするために適当な材料である。また、
このようにしてνを大きくする一方、電極間隔λ0 を相
対的に広げれば、素子の信頼性を向上させることができ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ダイヤモンド層は、た
とえば超高圧合成法により製造した単結晶ダイヤモンド
を研磨することにより、または、ＣＶＤ法によって成長
させたダイヤモンド膜の表面を研磨して形成することが
できる。しかしながら、上記ダイヤモンド層の形成に必
要な研磨工程では、ダイヤモンドの加工が困難であるた
め、加工に相当な時間を要した。
とえば超高圧合成法により製造した単結晶ダイヤモンド
を研磨することにより、または、ＣＶＤ法によって成長
させたダイヤモンド膜の表面を研磨して形成することが
できる。しかしながら、上記ダイヤモンド層の形成に必
要な研磨工程では、ダイヤモンドの加工が困難であるた
め、加工に相当な時間を要した。
【０００６】この発明は、より加工が容易な材料を用い
ることによって、高周波域で作動することができる表面
弾性波素子を提供することにある。
ることによって、高周波域で作動することができる表面
弾性波素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、材料中の
音速がダイヤモンドに近く、しかも加工が容易な材料に
ついて研究を行なった結果、窒化ホウ素を見出しこの発
明を完成させるに至った。すなわち、この発明に従っ
て、窒化ホウ素層、圧電体層および電極層を積層してな
る表面弾性波素子が提供される。
音速がダイヤモンドに近く、しかも加工が容易な材料に
ついて研究を行なった結果、窒化ホウ素を見出しこの発
明を完成させるに至った。すなわち、この発明に従っ
て、窒化ホウ素層、圧電体層および電極層を積層してな
る表面弾性波素子が提供される。
【０００８】窒化ホウ素層は、表面弾性波素子を作り込
むための基板とすることができる一方、適当な他の材料
で形成される基板上に窒化ホウ素層を形成してもよい。
また、窒化ホウ素は、単結晶および多結晶のいずれであ
ってもよいが、高周波域で素子を使用するためには、表
面波の散乱が少ない単結晶がより好ましい。
むための基板とすることができる一方、適当な他の材料
で形成される基板上に窒化ホウ素層を形成してもよい。
また、窒化ホウ素は、単結晶および多結晶のいずれであ
ってもよいが、高周波域で素子を使用するためには、表
面波の散乱が少ない単結晶がより好ましい。
【０００９】基板上の窒化ホウ素層は、気相合成法によ
って形成することができる。気相合成法は、たとえば、
レーザにより原料ガスを分解励起させる方法（たとえ
ば、特開昭６３−１３４６６２参照）、プラズマにより
原料ガスを励起させる方法（たとえば、特開昭６３−１
９９８７１および特開昭６３−１２８１７９参照）、マ
イクロ波無極放電中に原料ガスを通過させて加熱した基
板上に窒化ホウ素を析出させる方法（たとえば特開昭６
３−１３４６６１参照）、熱電子放射材により基板を加
熱するとともに、基板に高周波プラズマを印加して原料
ガスを励起活性化する方法（たとえば特開平１−１１９
６７３参照）を含む。
って形成することができる。気相合成法は、たとえば、
レーザにより原料ガスを分解励起させる方法（たとえ
ば、特開昭６３−１３４６６２参照）、プラズマにより
原料ガスを励起させる方法（たとえば、特開昭６３−１
９９８７１および特開昭６３−１２８１７９参照）、マ
イクロ波無極放電中に原料ガスを通過させて加熱した基
板上に窒化ホウ素を析出させる方法（たとえば特開昭６
３−１３４６６１参照）、熱電子放射材により基板を加
熱するとともに、基板に高周波プラズマを印加して原料
ガスを励起活性化する方法（たとえば特開平１−１１９
６７３参照）を含む。
【００１０】窒化ホウ素層は、六方晶および立方晶のい
ずれでもよいが、硬度の点から立方晶の方がより好まし
い。より硬度の高い窒化ホウ素層は、より高い中心周波
数ｆ 0 をもたらす。また、窒化ホウ素層に種々の元素を
混入させて、その電気的特性を変えることもできる。
ずれでもよいが、硬度の点から立方晶の方がより好まし
い。より硬度の高い窒化ホウ素層は、より高い中心周波
数ｆ 0 をもたらす。また、窒化ホウ素層に種々の元素を
混入させて、その電気的特性を変えることもできる。
【００１１】圧電体層は、ＺｎＯ、ＡｌＮ、Ｐｂ（Ｚ
ｒ，Ｔｉ）Ｏ3 、（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 、
ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 、ＳｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、
Ｎｂ2 Ｏ5 、ＢｅＯ、Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 、ＫＮｂＯ3 、Ｚ
ｎＳ、ＺｎＳｅおよびＣｄＳからなる群から選択された
１つまたは２つ以上の化合物を主成分とすることができ
る。圧電体層は、単結晶および多結晶のいずれであって
もよいが、素子をより高周波域で使用するためには、表
面波の散乱が少ない単結晶がより好ましい。また、Ｚｎ
Ｏ、ＡｌＮおよびＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 等の圧電体層
は、ＣＶＤ法によって形成することができる。
ｒ，Ｔｉ）Ｏ3 、（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 、
ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 、ＳｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、
Ｎｂ2 Ｏ5 、ＢｅＯ、Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 、ＫＮｂＯ3 、Ｚ
ｎＳ、ＺｎＳｅおよびＣｄＳからなる群から選択された
１つまたは２つ以上の化合物を主成分とすることができ
る。圧電体層は、単結晶および多結晶のいずれであって
もよいが、素子をより高周波域で使用するためには、表
面波の散乱が少ない単結晶がより好ましい。また、Ｚｎ
Ｏ、ＡｌＮおよびＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 等の圧電体層
は、ＣＶＤ法によって形成することができる。
【００１２】この発明に従う電極として、通常、上述し
たくし型電極が用いられる。この電極は、一般にフォト
リソグラフィ技術を用いて金属を堆積することにより形
成することができる。また、誘電率の高い窒化ホウ素層
の表面に不純物を導入したり、イオン注入または電子線
照射により格子欠陥を導入することによって、窒化ホウ
素層上に電極を形成させてもよい。さらに、気相合成法
によって誘電率の高い窒化ホウ素層を基板上に堆積させ
た後、不純物を混入させた誘電率の低い窒化ホウ素層を
電極として堆積させてもよい。
たくし型電極が用いられる。この電極は、一般にフォト
リソグラフィ技術を用いて金属を堆積することにより形
成することができる。また、誘電率の高い窒化ホウ素層
の表面に不純物を導入したり、イオン注入または電子線
照射により格子欠陥を導入することによって、窒化ホウ
素層上に電極を形成させてもよい。さらに、気相合成法
によって誘電率の高い窒化ホウ素層を基板上に堆積させ
た後、不純物を混入させた誘電率の低い窒化ホウ素層を
電極として堆積させてもよい。
【００１３】なお、窒化ホウ素層、圧電体層および電極
を有する積層構造に関して、窒化ホウ素層／電極／圧電
体層、窒化ホウ素層／圧電体層／電極、および圧電体層
／電極／窒化ホウ素層（右が上層を示す）が可能であ
る。
を有する積層構造に関して、窒化ホウ素層／電極／圧電
体層、窒化ホウ素層／圧電体層／電極、および圧電体層
／電極／窒化ホウ素層（右が上層を示す）が可能であ
る。
【００１４】図１にこの発明に従う表面弾性波素子の好
ましい例について示す。図１（ａ）に示す表面弾性波素
子１０は、成膜用基板１上に窒化ホウ素層２が形成さ
れ、その上にくし型電極３ａ、３ｂが形成されている。
また、窒化ホウ素層２およびくし型電極３ａ、３ｂは圧
電体薄膜４によって被覆されている。
ましい例について示す。図１（ａ）に示す表面弾性波素
子１０は、成膜用基板１上に窒化ホウ素層２が形成さ
れ、その上にくし型電極３ａ、３ｂが形成されている。
また、窒化ホウ素層２およびくし型電極３ａ、３ｂは圧
電体薄膜４によって被覆されている。
【００１５】図１（ｂ）に示す表面弾性波素子２０は、
成膜用基板１上に窒化ホウ素層２および圧電体薄膜４が
順次堆積され、圧電体薄膜４上にくし型３ａおよび３ｂ
が形成されている。
成膜用基板１上に窒化ホウ素層２および圧電体薄膜４が
順次堆積され、圧電体薄膜４上にくし型３ａおよび３ｂ
が形成されている。
【００１６】図１（ｃ）に示す表面弾性波素子３０は、
図１（ａ）に示す素子において、圧電体薄膜４上に短絡
用電極５ａおよび５ｂが形成されたものである。
図１（ａ）に示す素子において、圧電体薄膜４上に短絡
用電極５ａおよび５ｂが形成されたものである。
【００１７】図１（ｄ）に示す表面弾性波素子４０は、
図１（ｂ）に示す素子において、窒化ホウ素層２と圧電
体薄膜４の間に短絡用電極５ａおよび５ｂが形成された
ものである。
図１（ｂ）に示す素子において、窒化ホウ素層２と圧電
体薄膜４の間に短絡用電極５ａおよび５ｂが形成された
ものである。
【００１８】図１（ｅ）に示す表面弾性波素子５０は、
窒化ホウ素基板６上にくし型電極３ａおよび３ｂを挟ん
で圧電体薄膜４を堆積させたものである。
窒化ホウ素基板６上にくし型電極３ａおよび３ｂを挟ん
で圧電体薄膜４を堆積させたものである。
【００１９】また、くし型電極は、たとえば図２に示す
ような形状を有する。電極対２１および２２は、すだれ
状の電極を交互に配置した構成となっており、その一方
は端子２１ａ、２１ｂを介して電気信号を入力し、電極
信号を表面弾性波に変換するために設けられる。また他
方は、表面弾性波から電気信号を端子２２ａ、２２ｂを
介して出力するために設けられる。
ような形状を有する。電極対２１および２２は、すだれ
状の電極を交互に配置した構成となっており、その一方
は端子２１ａ、２１ｂを介して電気信号を入力し、電極
信号を表面弾性波に変換するために設けられる。また他
方は、表面弾性波から電気信号を端子２２ａ、２２ｂを
介して出力するために設けられる。
【００２０】
【発明の作用効果】表面弾性波の伝播速度を大きくする
ことができる材料の中で、窒化ホウ素はダイヤモンドに
次ぐ硬度を有している。このため、窒化ホウ素中を伝播
する弾性波の速度はダイヤモンド中の弾性波の速度に近
い。この発明は、窒化ホウ素層と圧電体とを積層させる
ことにより、表面弾性波の速度を大きくして、より高い
周波数域で使用できる素子を実現している。
ことができる材料の中で、窒化ホウ素はダイヤモンドに
次ぐ硬度を有している。このため、窒化ホウ素中を伝播
する弾性波の速度はダイヤモンド中の弾性波の速度に近
い。この発明は、窒化ホウ素層と圧電体とを積層させる
ことにより、表面弾性波の速度を大きくして、より高い
周波数域で使用できる素子を実現している。
【００２１】さらに、窒化ホウ素は研磨等の加工がダイ
ヤモンドに比べ容易である。したがって、従来のダイヤ
モンドを用いた素子に比べ、加工（特に研磨加工）が容
易になり、加工に費す時間を短縮することができる。こ
の発明によれば、極高周波数域において使用できる小型
でより大量生産が容易な表面弾性波素子を提供すること
ができる。
ヤモンドに比べ容易である。したがって、従来のダイヤ
モンドを用いた素子に比べ、加工（特に研磨加工）が容
易になり、加工に費す時間を短縮することができる。こ
の発明によれば、極高周波数域において使用できる小型
でより大量生産が容易な表面弾性波素子を提供すること
ができる。
【００２２】
【実施例】まず、図３に示す装置を用いて、以下のとお
りモリブデン基板上にホウ素薄膜を形成させた。装置７
０の基板支持台７６上にモリブデン基板７５を設置した
後、反応炉７４内を排気しながら、ホウ素原料供給系７
１よりフッ化ホウ素を１０ｃｃ／ｍｉｎ、窒素原料供給
系７２によりアンモニアを３０ｃｃ／ｍｉｎ供給した。
このとき、反応炉７４内は排気装置８１により０．３Ｔ
ｏｒｒに調整された。タングステンフィラメントを用い
た熱電子放射材３の温度を２２００℃に設定し、モリブ
デン基板５の温度を９５０℃とした。電源７９により加
熱された熱電子放射材７３と基板支持台７６の間で直列
電源７７により直流放電を発生させるとともに、４００
Ｗの高周波電源７８よりＲＦコイル８０を介して基板７
５に１３．５６ＭＨｚの高周波プラズマを印加すること
により窒化ホウ素膜が形成された。この膜をＸ線解折法
により評価したところ、２θ＝２６．７度および４３．
２度付近にそれぞれ広いピークを検出した。この結果は
得られた膜が立方晶窒化ホウ素および六方晶窒化ホウ素
の混合物から構成されることを示していた。
りモリブデン基板上にホウ素薄膜を形成させた。装置７
０の基板支持台７６上にモリブデン基板７５を設置した
後、反応炉７４内を排気しながら、ホウ素原料供給系７
１よりフッ化ホウ素を１０ｃｃ／ｍｉｎ、窒素原料供給
系７２によりアンモニアを３０ｃｃ／ｍｉｎ供給した。
このとき、反応炉７４内は排気装置８１により０．３Ｔ
ｏｒｒに調整された。タングステンフィラメントを用い
た熱電子放射材３の温度を２２００℃に設定し、モリブ
デン基板５の温度を９５０℃とした。電源７９により加
熱された熱電子放射材７３と基板支持台７６の間で直列
電源７７により直流放電を発生させるとともに、４００
Ｗの高周波電源７８よりＲＦコイル８０を介して基板７
５に１３．５６ＭＨｚの高周波プラズマを印加すること
により窒化ホウ素膜が形成された。この膜をＸ線解折法
により評価したところ、２θ＝２６．７度および４３．
２度付近にそれぞれ広いピークを検出した。この結果は
得られた膜が立方晶窒化ホウ素および六方晶窒化ホウ素
の混合物から構成されることを示していた。
【００２３】次に、窒化ホウ素膜の表面をダイヤモンド
電着ホイールにより研磨した。研磨は容易に行なうこが
できた。続いて、窒化ホウ素膜上に抵抗加熱法を用いて
Ａｌを５００Åの厚さで蒸着した後、フォトリソグラフ
ィを用いてくし型電極を形成した。
電着ホイールにより研磨した。研磨は容易に行なうこが
できた。続いて、窒化ホウ素膜上に抵抗加熱法を用いて
Ａｌを５００Åの厚さで蒸着した後、フォトリソグラフ
ィを用いてくし型電極を形成した。
【００２４】次に、スパッタパワー１００Ｗ、基板温度
３８０℃の条件下、ＺｎＯ多結晶体をＡｒ：Ｏ2 ＝１：
１の混合ガスでスパッタするマグネトロンスパッタリン
グによりＺｎＯ圧電体膜を堆積させた。以上の方法によ
り、得られた表面弾性波素子は、電極幅２μｍで約１Ｇ
Ｈｚの高い周波数において動作させることができた。
３８０℃の条件下、ＺｎＯ多結晶体をＡｒ：Ｏ2 ＝１：
１の混合ガスでスパッタするマグネトロンスパッタリン
グによりＺｎＯ圧電体膜を堆積させた。以上の方法によ
り、得られた表面弾性波素子は、電極幅２μｍで約１Ｇ
Ｈｚの高い周波数において動作させることができた。
【００２５】また、温度差法において約５０ｋｂ、１６
００〜１７００℃の高温高圧下で約４０時間成長させた
立方晶窒化ホウ素の単結晶を研磨加工した。次に、上記
と同様にしてくし型電極を研磨加工した窒化ホウ素単結
晶上に形成した後、その上にスパッタパワー１００Ｗ、
基板温度３８０℃の条件下、ＺｎＯ多結晶体をＡｒ：Ｏ
2 ＝１：１の混合ガスでスパッタするマグネトロンスパ
ッタリングによりＺｎＯ圧電体膜を堆積させた。以上の
方法により、得られた表面弾性波素子は、電極幅２μｍ
で約１ＧＨｚの高い周波数において動作させることがで
きた。
００〜１７００℃の高温高圧下で約４０時間成長させた
立方晶窒化ホウ素の単結晶を研磨加工した。次に、上記
と同様にしてくし型電極を研磨加工した窒化ホウ素単結
晶上に形成した後、その上にスパッタパワー１００Ｗ、
基板温度３８０℃の条件下、ＺｎＯ多結晶体をＡｒ：Ｏ
2 ＝１：１の混合ガスでスパッタするマグネトロンスパ
ッタリングによりＺｎＯ圧電体膜を堆積させた。以上の
方法により、得られた表面弾性波素子は、電極幅２μｍ
で約１ＧＨｚの高い周波数において動作させることがで
きた。
【図１】この発明に従う表面弾性波素子の例を示す断面
図である。
図である。
【図２】図１に示す素子について、電極の形状の一例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図３】この発明の実施例において、窒化ホウ素膜を形
成するためのプラズマＣＶＤ装置を示す模式図である。
成するためのプラズマＣＶＤ装置を示す模式図である。
【図４】表面弾性波素子の一般的な構造を説明するため
の斜視図である。
の斜視図である。
１ 成膜用基板 ２ 窒化ホウ素層 ３ａ、３ｂ くし型電極 ４ 圧電体薄膜 ５ａ、５ｂ 短絡用電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤森 直治 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住友 電気工業株式会社伊丹製作所内
Claims (4)
- 【請求項１】 窒化ホウ素層、圧電体層および電極層を
積層してなる表面弾性波素子。 - 【請求項２】 前記窒化ホウ素層が単結晶および多結晶
のいずれかである請求項１の表面弾性波素子。 - 【請求項３】 前記窒化ホウ素層が気相合成により形成
された薄膜である請求項１の表面弾性波素子。 - 【請求項４】 前記圧電体層が単結晶および多結晶のい
ずれかである請求項１の表面弾性波素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3249744A JPH0590871A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 表面弾性波素子 |
| DE69211463T DE69211463T2 (de) | 1991-09-27 | 1992-09-11 | Akustische Oberflächenwellenanordnung |
| EP92115609A EP0534252B1 (en) | 1991-09-27 | 1992-09-11 | Surface acoustic wave device |
| US08/283,251 US5463901A (en) | 1991-09-27 | 1994-07-29 | Stacked piezoelectric surface acoustic wave device with a boron nitride layer in the stack |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3249744A JPH0590871A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 表面弾性波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590871A true JPH0590871A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17197571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3249744A Pending JPH0590871A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 表面弾性波素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5463901A (ja) |
| EP (1) | EP0534252B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0590871A (ja) |
| DE (1) | DE69211463T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5521454A (en) * | 1993-09-16 | 1996-05-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface wave filter element |
| JP2005286538A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 弾性表面波デバイスおよびその作製方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5815900A (en) * | 1995-03-06 | 1998-10-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a surface acoustic wave module |
| EP0762640B1 (en) * | 1995-09-01 | 2001-02-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| DE19758198A1 (de) | 1997-12-30 | 1999-08-19 | Siemens Ag | Oberflächenwellen-(SAW-)Bauelement auf auch pyroelektrischem Einkristall-Substrat |
| JP2000295071A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Murata Mfg Co Ltd | 端面反射型表面波装置 |
| WO2012011480A1 (ja) * | 2010-07-21 | 2012-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 層間絶縁層形成方法及び半導体装置 |
| US9088265B2 (en) | 2013-05-17 | 2015-07-21 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator comprising a boron nitride piezoelectric layer |
| KR102617108B1 (ko) | 2020-11-23 | 2023-12-21 | 포항공과대학교 산학협력단 | 표면탄성파 장치용 기판 및 이를 포함하는 표면탄성파 장치 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5941602B2 (ja) * | 1978-04-18 | 1984-10-08 | 松下電器産業株式会社 | 表面弾性波素子 |
| JPS56149811A (en) * | 1980-04-23 | 1981-11-19 | Hitachi Ltd | Elastic surface wave device and its preparation |
| US4535632A (en) * | 1982-09-29 | 1985-08-20 | Schlumberger Technology Corporation | Surface acoustic wave sensors |
| US4558184A (en) * | 1983-02-24 | 1985-12-10 | At&T Bell Laboratories | Integrated capacitive transducer |
| US4524247A (en) * | 1983-07-07 | 1985-06-18 | At&T Bell Laboratories | Integrated electroacoustic transducer with built-in bias |
| JPS63128179A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-05-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 硬質窒化硼素の合成方法および合成装置 |
| JPS63134661A (ja) * | 1986-11-22 | 1988-06-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高硬度窒化硼素の合成法 |
| JPH0819523B2 (ja) * | 1986-11-22 | 1996-02-28 | 住友電気工業株式会社 | 高硬度窒化硼素の合成法 |
| JPS63199871A (ja) * | 1987-02-12 | 1988-08-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高硬度窒化ホウ素の合成法 |
| JPH01119673A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高硬度窒化ホウ素の合成法 |
| US5127983A (en) * | 1989-05-22 | 1992-07-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of producing single crystal of high-pressure phase material |
| JPH0340510A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-21 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
| US4952832A (en) * | 1989-10-24 | 1990-08-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Surface acoustic wave device |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP3249744A patent/JPH0590871A/ja active Pending
-
1992
- 1992-09-11 EP EP92115609A patent/EP0534252B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-09-11 DE DE69211463T patent/DE69211463T2/de not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-07-29 US US08/283,251 patent/US5463901A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5521454A (en) * | 1993-09-16 | 1996-05-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface wave filter element |
| JP2005286538A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 弾性表面波デバイスおよびその作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0534252A1 (en) | 1993-03-31 |
| US5463901A (en) | 1995-11-07 |
| DE69211463D1 (de) | 1996-07-18 |
| EP0534252B1 (en) | 1996-06-12 |
| DE69211463T2 (de) | 1997-01-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0435189B1 (en) | Surface acoustic wave device | |
| US5355568A (en) | Method of making a surface acoustic wave device | |
| JP3163606B2 (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JP4289399B2 (ja) | 弾性波デバイスおよび弾性波デバイスの製造方法 | |
| US5401544A (en) | Method for manufacturing a surface acoustic wave device | |
| US5320865A (en) | Method of manufacturing a surface acoustic wave device | |
| JPH06164294A (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JP2001524295A (ja) | 分離されたくし形電極を含む表面弾性波デバイス | |
| EP0064506B1 (en) | Improvements in or relating to methods of producing devices comprising metallised regions on dielectric substrates | |
| US20200186122A1 (en) | Acoustic wave device, method of fabricating the same, filter, and multiplexer | |
| JPH0590871A (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JPH05235683A (ja) | 表面弾性波素子及びその製造方法 | |
| US10658564B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
| JPH0865088A (ja) | 表面弾性波素子 | |
| EP1158669A2 (en) | Surface acoustic wave device | |
| JP7551371B2 (ja) | ウエハの製造方法、弾性波デバイスおよびその製造方法 | |
| CN113411066A (zh) | 一种高频双声波模式的双saw谐振器结构及双saw滤波器 | |
| JP3248258B2 (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JPH1131942A (ja) | 弾性表面波モジュール素子及びその製造方法 | |
| JPH0590888A (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JPH0583068A (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JPS5839105A (ja) | 周波数一温度特性補償型弾性表面波共振器 | |
| JPH0590893A (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JPH0590862A (ja) | 半導体複合素子およびその製造方法 | |
| JPH0590860A (ja) | 表面弾性波素子の製造方法 |