JP2000299215A - 低損失酸化物磁性材料 - Google Patents
低損失酸化物磁性材料Info
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- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
- H01F1/342—Oxides
- H01F1/344—Ferrites, e.g. having a cubic spinel structure (X2+O)(Y23+O3), e.g. magnetite Fe3O4
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 磁気損失の小さい酸化物磁性材料を提供す
る。 【解決手段】 Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトに０．００５〜
０．１ｗｔ％のＳｉＯ２、あるいは０．００５〜０．５
ｗｔ％のＭｎＯを添加することにより、平均結晶粒径を
大きくし、結晶粒内にポアを存在させて磁気損失を低減
させる。このフェライトの予焼温度は５００〜７５０℃
である。焼結体の平均結晶粒径は５μｍ以上であり、全
ポアに対する結晶粉内のホアの割合が５〜８％である。
電力損失は最小となる温度が１２０℃以上である。
る。 【解決手段】 Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトに０．００５〜
０．１ｗｔ％のＳｉＯ２、あるいは０．００５〜０．５
ｗｔ％のＭｎＯを添加することにより、平均結晶粒径を
大きくし、結晶粒内にポアを存在させて磁気損失を低減
させる。このフェライトの予焼温度は５００〜７５０℃
である。焼結体の平均結晶粒径は５μｍ以上であり、全
ポアに対する結晶粉内のホアの割合が５〜８％である。
電力損失は最小となる温度が１２０℃以上である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化物磁性材料に
関し、特に、電源用トランスに使用されるフェライトコ
アに適した低損失酸化物磁性材料に関するものである。
関し、特に、電源用トランスに使用されるフェライトコ
アに適した低損失酸化物磁性材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電源用トランス材料としては、主
に比較的、飽和磁束密度が高く、電力損失が小さいＭｎ
−Ｚｎ系フェライトが用いられている。しかし、Ｍｎ−
Ｚｎ系フェライトは、直流比抵抗が１０〜１０３Ωｃｍ
と低い。そこで、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトを用いた磁芯
に巻線を行う場合、磁芯と巻線間での短絡等の不具合を
なくすため、磁芯にボビン等の治具を介して巻線を行っ
ていた。そのため、トランスあるいはチョークコイルの
小型化、軽量化、および低コスト化を進める上での障害
となっている。
に比較的、飽和磁束密度が高く、電力損失が小さいＭｎ
−Ｚｎ系フェライトが用いられている。しかし、Ｍｎ−
Ｚｎ系フェライトは、直流比抵抗が１０〜１０３Ωｃｍ
と低い。そこで、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトを用いた磁芯
に巻線を行う場合、磁芯と巻線間での短絡等の不具合を
なくすため、磁芯にボビン等の治具を介して巻線を行っ
ていた。そのため、トランスあるいはチョークコイルの
小型化、軽量化、および低コスト化を進める上での障害
となっている。
【０００３】近年、携帯機器をはじめとして、電子機器
の小型化が急速に進歩している。そして、それらに用い
られる電源も、小型化の傾向にある。電源の中でトラン
スは、体積的にも、電力損失においても、大きな位置を
占めるため、その小型化、高効率化が求められている。
そこで、直流比抵抗が高く、巻線をする際に、ボビンを
必要としないＮｉ−Ｚｎ系フェライトを用いた磁芯が使
用されている。Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトは、比抵抗が高
く、巻線の直巻きが可能である。また、比抵抗が高いこ
とに加え、Ｃｕ添加により低温焼成が可能であることよ
り、導体と磁性体の一体焼成が可能であり、限りない小
型化を実現できる。
の小型化が急速に進歩している。そして、それらに用い
られる電源も、小型化の傾向にある。電源の中でトラン
スは、体積的にも、電力損失においても、大きな位置を
占めるため、その小型化、高効率化が求められている。
そこで、直流比抵抗が高く、巻線をする際に、ボビンを
必要としないＮｉ−Ｚｎ系フェライトを用いた磁芯が使
用されている。Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトは、比抵抗が高
く、巻線の直巻きが可能である。また、比抵抗が高いこ
とに加え、Ｃｕ添加により低温焼成が可能であることよ
り、導体と磁性体の一体焼成が可能であり、限りない小
型化を実現できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のＮｉ−
Ｚｎ系フェライトは、次のような欠点がある。即ち、一
般に、磁気損失がＭｎ−Ｚｎ系フェライトに比べ、著し
く大きいという問題がある。
Ｚｎ系フェライトは、次のような欠点がある。即ち、一
般に、磁気損失がＭｎ−Ｚｎ系フェライトに比べ、著し
く大きいという問題がある。
【０００５】フェライトの磁気損失は、ヒステリシス損
失、渦電流損失、および残留損失かからなる。特に、Ｎ
ｉ−Ｚｎ系フェライトは、一般に、直流比抵抗が、１０
６〜１０１０Ωｃｍと高く、渦電流損失は、無視できる
ほど小さい。
失、渦電流損失、および残留損失かからなる。特に、Ｎ
ｉ−Ｚｎ系フェライトは、一般に、直流比抵抗が、１０
６〜１０１０Ωｃｍと高く、渦電流損失は、無視できる
ほど小さい。
【０００６】ヒステリシス損失は、磁壁の非可逆的な移
動により発生する損失である。ヒステリシス損失を低減
するためには、磁壁移動の障害となるポアあるいは介在
物を低減することが必要である。しかしながら、介在物
を極端に減らしすぎると、磁壁は長い距離を移動するこ
とになり、逆にヒステリシス損失を増加させることにな
る。また、磁壁の枚数は、平均結晶粒径に依存する。よ
って、結晶粒径は、大きいことが望ましい。以上、ヒス
テリシス損失を低減するためには、平均結晶粒径を大き
く、結晶粒は適度に磁壁移動の障害となるポアあるいは
介在物が存在することが望ましい。
動により発生する損失である。ヒステリシス損失を低減
するためには、磁壁移動の障害となるポアあるいは介在
物を低減することが必要である。しかしながら、介在物
を極端に減らしすぎると、磁壁は長い距離を移動するこ
とになり、逆にヒステリシス損失を増加させることにな
る。また、磁壁の枚数は、平均結晶粒径に依存する。よ
って、結晶粒径は、大きいことが望ましい。以上、ヒス
テリシス損失を低減するためには、平均結晶粒径を大き
く、結晶粒は適度に磁壁移動の障害となるポアあるいは
介在物が存在することが望ましい。
【０００７】従って、本発明は、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライ
トにＳｉＯ２，ＭｎＯのうち少なくとも１種を添加し、
平均結晶粒径の大きい、結晶粒にポアを存在させること
により、磁気損失を低減させた酸化物磁性材料を提供す
ることにある。
トにＳｉＯ２，ＭｎＯのうち少なくとも１種を添加し、
平均結晶粒径の大きい、結晶粒にポアを存在させること
により、磁気損失を低減させた酸化物磁性材料を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、駆動周
波数内で磁気的損失が小さく、比抵抗が大きく、平均結
晶粒径が大きなフェライトが得られる。
波数内で磁気的損失が小さく、比抵抗が大きく、平均結
晶粒径が大きなフェライトが得られる。
【０００９】即ち、本発明は、主成分組成が４３〜５０
ｍｏｌ％Ｆｅ２Ｏ３、１０〜４０ｍｏｌ％ＮｉＯ、１〜
１５ｍｏｌ％ＣｕＯ、残部ＺｎＯからなり、添加物とし
て０.００５〜０.１ｗｔ％ＳｉＯ２、ないし、０.００
５〜０.５ｗｔ％ＭｎＯのうち少なくとも１種を含む低
損失酸化物磁性材料である。
ｍｏｌ％Ｆｅ２Ｏ３、１０〜４０ｍｏｌ％ＮｉＯ、１〜
１５ｍｏｌ％ＣｕＯ、残部ＺｎＯからなり、添加物とし
て０.００５〜０.１ｗｔ％ＳｉＯ２、ないし、０.００
５〜０.５ｗｔ％ＭｎＯのうち少なくとも１種を含む低
損失酸化物磁性材料である。
【００１０】主成分組成を４３〜５０ｍｏｌ％Ｆｅ２Ｏ
３、１０〜４０ｍｏｌ％ＮｉＯ、１〜１５ｍｏｌ％Ｃｕ
Ｏ、残部ＺｎＯとしたのは、Ｆｅ２Ｏ３を４３ｍｏｌ％
以下、もしくはＮｉＯを４０ｍｏｌ％以上、もしくはＣ
ｕＯを１５ｍｏｌ％以上とすると、常温の損失が著しく
劣化するためであり、Ｆｅ２Ｏ３を５０ｍｏｌ％以上と
すると、Ｆｅ２＋の発生により比抵抗が著しく低下する
ためであり、ＮｉＯを１０ｍｏｌ％以下とすると、キュ
リー温度、及び、最大磁束密度が低くなり、電源材とし
ての信頼性に劣るためであり、ＣｕＯを１ｍｏｌ％以下
とすると、低温での焼成ができず、高温焼成によるＦｅ
２＋の発生により、比抵抗が著しく低下するためであ
る。添加物として０.００５〜０.１ｗｔ％ＳｉＯ２、な
いし、０.００５〜０.５ｗｔ％ＭｎＯの少なくとも１種
としたのは、ＳｉＯ２を０.００５ｗｔ％以下、ない
し、ＭｎＯを０.００５ｗｔ％以下とすると、ヒステリ
シス損失の増大により損失の劣化を招くためであり、Ｓ
ｉＯ２を０.１ｗｔ％以上、ないし、ＭｎＯを０.５ｗｔ
％とすると、密度が低くなるためである。
３、１０〜４０ｍｏｌ％ＮｉＯ、１〜１５ｍｏｌ％Ｃｕ
Ｏ、残部ＺｎＯとしたのは、Ｆｅ２Ｏ３を４３ｍｏｌ％
以下、もしくはＮｉＯを４０ｍｏｌ％以上、もしくはＣ
ｕＯを１５ｍｏｌ％以上とすると、常温の損失が著しく
劣化するためであり、Ｆｅ２Ｏ３を５０ｍｏｌ％以上と
すると、Ｆｅ２＋の発生により比抵抗が著しく低下する
ためであり、ＮｉＯを１０ｍｏｌ％以下とすると、キュ
リー温度、及び、最大磁束密度が低くなり、電源材とし
ての信頼性に劣るためであり、ＣｕＯを１ｍｏｌ％以下
とすると、低温での焼成ができず、高温焼成によるＦｅ
２＋の発生により、比抵抗が著しく低下するためであ
る。添加物として０.００５〜０.１ｗｔ％ＳｉＯ２、な
いし、０.００５〜０.５ｗｔ％ＭｎＯの少なくとも１種
としたのは、ＳｉＯ２を０.００５ｗｔ％以下、ない
し、ＭｎＯを０.００５ｗｔ％以下とすると、ヒステリ
シス損失の増大により損失の劣化を招くためであり、Ｓ
ｉＯ２を０.１ｗｔ％以上、ないし、ＭｎＯを０.５ｗｔ
％とすると、密度が低くなるためである。
【００１１】また、本発明は、上記低損失酸化物磁性材
料において、焼成体の平均結晶粒径が５μｍ以上であ
り、全ポアに対する結晶粒内のポアの割合が５〜６０％
である低損失酸化物磁性材料である。
料において、焼成体の平均結晶粒径が５μｍ以上であ
り、全ポアに対する結晶粒内のポアの割合が５〜６０％
である低損失酸化物磁性材料である。
【００１２】焼成体の平均結晶粒径を５μｍ以上とした
のは、焼成体の平均結晶粒径が５μｍ以下であると、ヒ
ステリシス損失の増大により損失が劣化するためであ
る。
のは、焼成体の平均結晶粒径が５μｍ以下であると、ヒ
ステリシス損失の増大により損失が劣化するためであ
る。
【００１３】全ポアに対する結晶粒内のポアの割合を５
〜６０％としたのは、全ポアに対する結晶粒内のポアの
割合が５％以下、ないし、６０％以上であると、ヒステ
リシス損失が増大するためである。
〜６０％としたのは、全ポアに対する結晶粒内のポアの
割合が５％以下、ないし、６０％以上であると、ヒステ
リシス損失が増大するためである。
【００１４】また、本発明は、上記低損失酸化物磁性材
料において、電力損失が最小となる温度が１２０℃以上
である低損失酸化物磁性材料である。
料において、電力損失が最小となる温度が１２０℃以上
である低損失酸化物磁性材料である。
【００１５】また、本発明は、上記低損失酸化物磁性材
料において、予焼温度を５００〜７５０℃とする低損失
酸化物磁性材料である。
料において、予焼温度を５００〜７５０℃とする低損失
酸化物磁性材料である。
【００１６】予焼温度を５００〜７５０℃以下としたの
は、予焼温度が５００℃以下であると、常温の損失が著
しく劣化するためである。この詳細な原因は不明であ
る。予焼温度が７５０℃以上であると、特に８０℃以上
の高温で損失が増大するだけでなく、損失が最小となる
温度が１２０℃以下となるためである。
は、予焼温度が５００℃以下であると、常温の損失が著
しく劣化するためである。この詳細な原因は不明であ
る。予焼温度が７５０℃以上であると、特に８０℃以上
の高温で損失が増大するだけでなく、損失が最小となる
温度が１２０℃以下となるためである。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【００１８】表１は、本発明の第１の実施の形態による
添加物組成を一定として主成分組成を変化させた時の諸
特性を示す。
添加物組成を一定として主成分組成を変化させた時の諸
特性を示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｓ
ｉＯ２、ＭｎＯを、表１に示す組成となるように秤量
し、アトライターを用いて２時間混合した。混合の後、
スプレードライアーで造粒した。造粒した粉末をロータ
リーキルンで仮焼した。得られた粉末をアトライターを
用いて解砕した。解碎後、スプレードライアーにて造粒
し、トロイダル形状にプレスし、１１５０℃の焼成温度
で焼成し、発明品と比較品を作製した。
ｉＯ２、ＭｎＯを、表１に示す組成となるように秤量
し、アトライターを用いて２時間混合した。混合の後、
スプレードライアーで造粒した。造粒した粉末をロータ
リーキルンで仮焼した。得られた粉末をアトライターを
用いて解砕した。解碎後、スプレードライアーにて造粒
し、トロイダル形状にプレスし、１１５０℃の焼成温度
で焼成し、発明品と比較品を作製した。
【００２１】従来品として、主成分組成を４９ｍｏｌ％
Ｆｅ２Ｏ３、２５ｍｏｌ％ＮｉＯ、残部ＺｎＯからなる
Ｎｉ−Ｚｎフェライトを秤量し、アトライターを用いて
２時間混合した。混合の後、スプレードライアーで造粒
した。造粒した粉末をロータリーキルンで仮焼した。得
られた粉末をアトライターを用いて解砕した。解碎後、
スプレードライアーにて造粒し、トロイダル形状にプレ
スし１２５０℃の焼成温度で焼成した。
Ｆｅ２Ｏ３、２５ｍｏｌ％ＮｉＯ、残部ＺｎＯからなる
Ｎｉ−Ｚｎフェライトを秤量し、アトライターを用いて
２時間混合した。混合の後、スプレードライアーで造粒
した。造粒した粉末をロータリーキルンで仮焼した。得
られた粉末をアトライターを用いて解砕した。解碎後、
スプレードライアーにて造粒し、トロイダル形状にプレ
スし１２５０℃の焼成温度で焼成した。
【００２２】表１に、主成分組成を変化させた時の発明
品、比較品、従来品の全ポアに対する結晶粒内のポアの
割合、平均結晶粒径、比抵抗、及び、５０ｋＨｚ−１５
０ｍＴ−Ｒ.Ｔ.、５０ｋＨｚ−１５０ｍＴ−８０℃、５
０ｋＨｚ−１５０ｍＴ−１２０℃の損失を示す。主成分
組成が４３〜５０ｍｏｌ％Ｆｅ２Ｏ３、１０〜４０ｍｏ
ｌ％のＮｉＯ、１〜１５ｍｏｌ％のＣｕＯ、残部ＺｎＯ
の範囲で比抵抗が高く、損失が小さいことがわかる。
品、比較品、従来品の全ポアに対する結晶粒内のポアの
割合、平均結晶粒径、比抵抗、及び、５０ｋＨｚ−１５
０ｍＴ−Ｒ.Ｔ.、５０ｋＨｚ−１５０ｍＴ−８０℃、５
０ｋＨｚ−１５０ｍＴ−１２０℃の損失を示す。主成分
組成が４３〜５０ｍｏｌ％Ｆｅ２Ｏ３、１０〜４０ｍｏ
ｌ％のＮｉＯ、１〜１５ｍｏｌ％のＣｕＯ、残部ＺｎＯ
の範囲で比抵抗が高く、損失が小さいことがわかる。
【００２３】表２は、本発明の第２の実施の形態による
主成分組成を一定として、ＳｉＯ２、ＭｎＯ添加量を変
化させた時の諸特性を示す。
主成分組成を一定として、ＳｉＯ２、ＭｎＯ添加量を変
化させた時の諸特性を示す。
【００２４】
【表２】
【００２５】Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｓ
ｉＯ２、ＭｎＯを表２の組成になるように秤量し、第１
の実施の形態と同様の条件で発明品と比較品を作製し
た。
ｉＯ２、ＭｎＯを表２の組成になるように秤量し、第１
の実施の形態と同様の条件で発明品と比較品を作製し
た。
【００２６】表２に、ＳｉＯ２、ＭｎＯ量を変化させた
時の発明品、比較品、従来品の全ポアに対する結晶粒内
のポアの割合、平均結晶粒径、比抵抗、及び、５０ｋＨ
ｚ−１５０ｍＴ−Ｒ.Ｔ.、５０ｋＨｚ−１５０ｍＴ−８
０℃、５０ｋＨｚ−１５０ｍＴ−１２０℃の損失を示
す。０.００５〜０.１ｗｔ％のＳｉＯ２、ないし、０.
００５〜０.５ｗｔ％のＭｎＯの少なくとも１種を含む
発明品は比抵抗が高く、損失が小さいことがわかる。
時の発明品、比較品、従来品の全ポアに対する結晶粒内
のポアの割合、平均結晶粒径、比抵抗、及び、５０ｋＨ
ｚ−１５０ｍＴ−Ｒ.Ｔ.、５０ｋＨｚ−１５０ｍＴ−８
０℃、５０ｋＨｚ−１５０ｍＴ−１２０℃の損失を示
す。０.００５〜０.１ｗｔ％のＳｉＯ２、ないし、０.
００５〜０.５ｗｔ％のＭｎＯの少なくとも１種を含む
発明品は比抵抗が高く、損失が小さいことがわかる。
【００２７】表３は、本発明の第３の実施の形態による
焼成温度を変化させて全ポアに対する結晶粒内のポアの
割合を変化させた時の諸特性を示す。
焼成温度を変化させて全ポアに対する結晶粒内のポアの
割合を変化させた時の諸特性を示す。
【００２８】
【表３】
【００２９】Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｓ
ｉＯ２、ＭｎＯを表３の組成になるように秤量し、第１
の実施の形態と同様の条件で発明品と比較品を作製し
た。
ｉＯ２、ＭｎＯを表３の組成になるように秤量し、第１
の実施の形態と同様の条件で発明品と比較品を作製し
た。
【００３０】表３に、平均結晶粒径を変化させた時の発
明品、比較品、従来品の全ポアに対する結晶粒内のポア
の割合、平均結晶粒径、比抵抗、及び、５０ｋＨｚ−１
５０ｍＴ−Ｒ.Ｔ.、５０ｋＨｚ−１５０ｍＴ−８０℃、
５０ｋＨｚ−１５０ｍＴ−１２０℃の損失を示す。平均
結晶粒径が５μｍ以上の発明品は、比抵抗が高く、損失
が小さいことがわかる。
明品、比較品、従来品の全ポアに対する結晶粒内のポア
の割合、平均結晶粒径、比抵抗、及び、５０ｋＨｚ−１
５０ｍＴ−Ｒ.Ｔ.、５０ｋＨｚ−１５０ｍＴ−８０℃、
５０ｋＨｚ−１５０ｍＴ−１２０℃の損失を示す。平均
結晶粒径が５μｍ以上の発明品は、比抵抗が高く、損失
が小さいことがわかる。
【００３１】表４は、本発明の第４の実施の形態による
予焼温度を変化させた時の諸特性を示す。
予焼温度を変化させた時の諸特性を示す。
【００３２】
【表４】
【００３３】主成分組成を４９.５ｍｏｌ％Ｆｅ
２Ｏ３、１５ｍｏｌ％ＮｉＯ、５ｍｏｌ％ＣｕＯ、残部
ＺｎＯとなるよう秤量し、アトライターを用いて２時間
混合した。混合の後、スプレードライアーで造粒した。
造粒した粉末をロータリーキルンで５００〜７５０℃で
予焼した。得られた粉末をアトライターを用いて解砕し
た。解碎後、スプレードライアーにて造粒し、トロイダ
ル形状にプレスし、１１５０℃の焼成温度で焼成した。
２Ｏ３、１５ｍｏｌ％ＮｉＯ、５ｍｏｌ％ＣｕＯ、残部
ＺｎＯとなるよう秤量し、アトライターを用いて２時間
混合した。混合の後、スプレードライアーで造粒した。
造粒した粉末をロータリーキルンで５００〜７５０℃で
予焼した。得られた粉末をアトライターを用いて解砕し
た。解碎後、スプレードライアーにて造粒し、トロイダ
ル形状にプレスし、１１５０℃の焼成温度で焼成した。
【００３４】表４に、予焼温度を変化させた時の発明
品、比較品の平均結晶粒径、比抵抗、及び、５０ｋＨｚ
−１５０ｍＴ−Ｒ.Ｔ.、５０ｋＨｚ−１５０ｍＴ−８０
℃、５０ｋＨｚ−１５０ｍＴ−１４０℃の損失を示す。
予焼温度が５００〜７５０℃範囲で比抵抗が高く、損失
が小さいことがわかる。
品、比較品の平均結晶粒径、比抵抗、及び、５０ｋＨｚ
−１５０ｍＴ−Ｒ.Ｔ.、５０ｋＨｚ−１５０ｍＴ−８０
℃、５０ｋＨｚ−１５０ｍＴ−１４０℃の損失を示す。
予焼温度が５００〜７５０℃範囲で比抵抗が高く、損失
が小さいことがわかる。
【００３５】図１に、本発明の第１の実施の形態による
発明品４と従来品の５０ｋＨｚ−１５０ｍＴの損失の温
度特性を示す。発明品４は、従来品とくらべ、全温度範
囲で損失が小さく、電力損失が最小となる温度が１２０
℃以上であることがわかる。
発明品４と従来品の５０ｋＨｚ−１５０ｍＴの損失の温
度特性を示す。発明品４は、従来品とくらべ、全温度範
囲で損失が小さく、電力損失が最小となる温度が１２０
℃以上であることがわかる。
【００３６】図２に、本発明の第４の実施の形態による
発明品２５、２７、４、及び、比較品１３の５０ｋＨｚ
−１５０ｍＴの損失の温度特性を示す。予焼温度が５０
０〜７００℃の試料で、全温度範囲で損失が小さく、電
力損失が最小となる温度が１２０℃以上であることがわ
かる。
発明品２５、２７、４、及び、比較品１３の５０ｋＨｚ
−１５０ｍＴの損失の温度特性を示す。予焼温度が５０
０〜７００℃の試料で、全温度範囲で損失が小さく、電
力損失が最小となる温度が１２０℃以上であることがわ
かる。
【００３７】
【発明の効果】以上、述べたごとく、本発明によれば、
主成分組成として４３〜５０ｍｏｌ％Ｆｅ２Ｏ３、１０
〜４０ｍｏｌ％ＮｉＯ、１〜１５ｍｏｌ％ＣｕＯ、残部
ＺｎＯからなり、添加物として０.００５〜０.１ｗｔ％
のＳｉＯ２、ないし、０.００５〜０.５ｗｔ％のＭｎＯ
の少なくとも１種を含む低損失酸化物磁性材料におい
て、焼成体の平均結晶粒径が５μｍ以上であり、全ポア
に対する結晶粒内のポアの割合を５〜６０％とすること
により、低損失な酸化物磁性材料が得られる。
主成分組成として４３〜５０ｍｏｌ％Ｆｅ２Ｏ３、１０
〜４０ｍｏｌ％ＮｉＯ、１〜１５ｍｏｌ％ＣｕＯ、残部
ＺｎＯからなり、添加物として０.００５〜０.１ｗｔ％
のＳｉＯ２、ないし、０.００５〜０.５ｗｔ％のＭｎＯ
の少なくとも１種を含む低損失酸化物磁性材料におい
て、焼成体の平均結晶粒径が５μｍ以上であり、全ポア
に対する結晶粒内のポアの割合を５〜６０％とすること
により、低損失な酸化物磁性材料が得られる。
【００３８】また、本発明によれば、従来のＭｎ−Ｚｎ
フェライトと比較し、比抵抗が著しく高いため、巻線の
直巻きが可能であり、ボビン等の巻線用磁具が不要であ
り、コストの低減が期待できる。また、比抵抗が高いこ
とより、磁性体との一体焼成が可能であり、超小型化が
可能である。
フェライトと比較し、比抵抗が著しく高いため、巻線の
直巻きが可能であり、ボビン等の巻線用磁具が不要であ
り、コストの低減が期待できる。また、比抵抗が高いこ
とより、磁性体との一体焼成が可能であり、超小型化が
可能である。
【００３９】また、本発明によれば、Ｆｅ２Ｏ３、Ｎｉ
Ｏ、ＺｎＯ、ＣｕＯを主成分とするＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕフ
ェライトの製造方法において、予焼温度を５００〜７５
０℃とすることにより、低損失の低損失酸化物磁性材料
が提供できる。
Ｏ、ＺｎＯ、ＣｕＯを主成分とするＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕフ
ェライトの製造方法において、予焼温度を５００〜７５
０℃とすることにより、低損失の低損失酸化物磁性材料
が提供できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態による発明品４と従
来品の５０ｋＨｚ−１５０ｍＴの損失の温度特性を示す
図。
来品の５０ｋＨｚ−１５０ｍＴの損失の温度特性を示す
図。
【図２】本発明の第４の実施の形態による発明品２５，
２７，４、及び比較品１３の５０ｋＨｚ−１５０ｍＴの
損失の温度特性を示す図。
２７，４、及び比較品１３の５０ｋＨｚ−１５０ｍＴの
損失の温度特性を示す図。
Claims (4)
- 【請求項１】 主成分組成が４３〜５０ｍｏｌ％Ｆｅ２
Ｏ３、１０〜４０ｍｏｌ％ＮｉＯ、１〜１５ｍｏｌ％Ｃ
ｕＯ、残部ＺｎＯからなり、添加物として０.００５〜
０.１ｗｔ％ＳｉＯ２、ないし、０.００５〜０.５ｗｔ
％ＭｎＯのうち少なくとも１種を含むことを特徴とする
低損失酸化物磁性材料。 - 【請求項２】 請求項１記載の低損失酸化物磁性材料に
おいて、焼成体の平均結晶粒径が５μｍ以上であり、全
ポアに対する結晶粒内のポアの割合が５〜６０％である
ことを特徴とする低損失酸化物磁性材料。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の低損失酸化物磁
性材料において、電力損失が最小となる温度が１２０℃
以上であることを特徴とする低損失酸化物磁性材料。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載の低損
失酸化物磁性材料において、予焼温度を５００〜７５０
℃とすることを特徴とする低損失酸化物磁性材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11105560A JP2000299215A (ja) | 1999-04-13 | 1999-04-13 | 低損失酸化物磁性材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11105560A JP2000299215A (ja) | 1999-04-13 | 1999-04-13 | 低損失酸化物磁性材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000299215A true JP2000299215A (ja) | 2000-10-24 |
Family
ID=14410939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11105560A Pending JP2000299215A (ja) | 1999-04-13 | 1999-04-13 | 低損失酸化物磁性材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000299215A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN112538254A (zh) * | 2020-12-07 | 2021-03-23 | 陕西生益科技有限公司 | 一种磁介电树脂组合物、包含其的层压板及其印刷电路板 |
| JP2022055915A (ja) * | 2020-09-29 | 2022-04-08 | 株式会社村田製作所 | フェライト焼結体およびコイル部品 |
-
1999
- 1999-04-13 JP JP11105560A patent/JP2000299215A/ja active Pending
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