JP2000302863A - 芳香族ポリヒドロキシアミド - Google Patents

芳香族ポリヒドロキシアミド

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JP2000302863A JP11315099A JP11315099A JP2000302863A JP 2000302863 A JP2000302863 A JP 2000302863A JP 11315099 A JP11315099 A JP 11315099A JP 11315099 A JP11315099 A JP 11315099A JP 2000302863 A JP2000302863 A JP 2000302863A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 広い加熱硬化温度範囲で優れた耐熱性と力学
性能を示すポジ型芳香族ポリヒドロキシアミド含有感光
性樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 下記一般式で表される構造単位からなる
芳香族ポリヒドロキシアミドとジアゾキノン化合物とを
混用してポジ型感光性樹脂組成物とする。 【化1】 (Zの少なくとも40mol%以上は、以下の構造であ
る。) 【化2】

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、耐熱性樹脂材料の
前駆体であるアルカリ可溶性の芳香族ポリヒドロキシア
ミド、およびこれを含有するポジ型感光性樹脂組成物に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体素子の表面保護膜、層間絶
縁膜には、優れた耐熱性と電気特性、機械特性などを併
せ持つポリイミド樹脂が用いられている。このポリイミ
ド樹脂は、一般に感光性ポリイミド前駆体組成物の形で
供され、これを塗布、活性光線によるパターニング、現
像、熱イミド化処理等を施すことによって容易に形成さ
せることが出来、従来の非感光型ポリイミドに比べて大
幅な工程短縮が可能となるという特徴を有している。
【0003】ところが、その現像工程においては、現像
液としてN―メチルー2―ピロリドンなどの大量の有機
溶剤を用いる必要があり、安全性および近年の環境問題
の高まりなどから、脱有機溶剤対策が求められてきてい
る。これを受け、最近になって、フォトレジストと同様
に、希薄アルカリ水溶液で現像可能な耐熱性感光性樹脂
材料の提案が各種なされている。
【0004】中でも、水性アルカリ可溶性のポリヒドロ
キシアミド、例えばポリベンズオキサゾール(PBO)
前駆体を、キノンジアジドなどの光活性成分と混合して
用いる方法が、近年注目されている。(特開昭63―9
6162号公報など) これらはポジ型パターンの形成が容易であり、現像性、
保存安定性も良好で、ポリイミドと同等の熱硬化膜特性
を有しているため、有機溶剤現像型ポリイミド前駆体の
有望な代替材料として注目されている。しかしながら、
開示されている、あるいは開示されている方法によって
得られるPBO前駆体には、未だ問題点も多い。
【0005】PBO前駆体は、ビス−(o−アミノフェ
ノール)類とジカルボン酸またはその誘導体との重縮合
により得られるが、得られる重合体の安定性や取り扱い
上の点から、ポリマー末端は通常アミノ基で止まった形
で製造される。しかし、ポリマー末端がアミノ基の場
合、感光性組成物中で共存する感光剤ジアゾキノン化合
物が経時的に変性、劣化し、組成物の保存安定性が極端
に悪化するという問題がある。この問題を改良するた
め、PBOポリマーのアミノ末端基を非塩基性に改質す
る方法が提案されている。
【0006】例えば、ネガ型感光性組成物としての場合
ではあるが、ベンゾイルクロリドなどを用いて芳香族ア
ミドの形で末端封止する方法が提案されている(特開平
7−128846号公報)。しかし、このように単にポ
リマー末端を芳香族アミドとしたポリマーを用いた場
合、ポジ型感光性組成物としての安定性は向上するもの
の、得られる熱硬化膜は極めて脆弱で、力学特性的に実
用性能を満足することができない。
【0007】また、この力学特性を改良するために、ノ
ルボルネンなどの、アルケニルまたはアルキニルといっ
た不飽和結合を有する基をポリマー末端に導入し、改質
する方法が提案されている。(特開平5−197153
号公報) 確かにこの方法によると、ポジ型感光性組成物としての
安定性が改良され、かつ塗膜の加熱硬化処理時に、不飽
和基の付加的な架橋反応が生じるため、機械的特性や接
着性に優れた皮膜を形成することができる。
【0008】このように、ポリマー末端に不飽和基を導
入し、熱によって付加、架橋させる方法は、従来から熱
硬化型ポリイミドなどにおいて広範に用いられている手
法であるが、当該方法による架橋結合は、脂肪族基を連
結した形態を取るため、一般に耐熱性が不十分である。
例えば、350℃以上の高温で加熱処理した場合、架橋
結合が耐えられずに分解してしまい、熱硬化膜の機械的
特性はもとより、基材との接着性も大幅に低下してしま
うという欠点がある。これは半導体素子の表面保護膜、
層間絶縁膜として用いられる場合、信頼性の点で大きな
問題となる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、露光および
アルカリ水溶液による現像工程によりポジ型パターンの
形成が可能で、ジアゾキノン化合物を含むポジ型感光性
組成物において、優れた保存安定性を示し、さらに、広
い加熱硬化温度範囲において、半導体素子の表面保護
膜、層間絶縁膜用途として要求される耐熱性と力学性能
を安定かつ高レベルで満足する耐熱性感光性樹脂組成
物、及びその組成物に好適に用いられる芳香族ヒドロキ
シポリアミドを提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、アルカリ
可溶性PBO前駆体として用いられるポリヒドロキシア
ミドの末端基に着眼し、これを用いたポジ型感光性樹脂
組成物中のジアゾキノン化合物の劣化を生じさせず、か
つ加熱硬化温度を選ばず、優れた耐熱性と硬化膜特性を
発現させるべく鋭意検討を行った。
【0011】その結果、ポリヒドロキシアミドのアミノ
末端基を特定の構造の末端基に変えることにより、上記
課題が達成されることを見出した。すなわち、本発明
は、下記一般式(I)で示される芳香族ヒドロキシポリ
アミド、および、これとジアゾキノン化合物を含有する
ポジ型感光性樹脂組成物に関する。
【0012】
【化3】
【0013】但し、式中R1 は4価の芳香族基、R2
2価の芳香族基である。nは2〜150の整数であり、
Zは1価の有機基であって、かつ、Zの少なくとも40
モル%以上は以下の構造式(II)であることを特徴と
する。
【0014】
【化4】
【0015】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
芳香族ポリヒドロキシアミドは、芳香族ジカルボン酸ま
たはその誘導体と、ビス−(o−アミノフェノール)類
とをアミド重縮合させることによって得られる。ここ
で、本発明で好適に用いられる、2価の芳香族基R2を
含むジカルボン酸誘導体としては、芳香族ジカルボン酸
ジクロライドが好ましい。例えば、フタル酸、イソフタ
ル酸、テレフタル酸、4,4'−ジフェニルエーテルジカ
ルボン酸、3,4'−ジフェニルエーテルジカルボン酸、
3,3'−ジフェニルエーテルジカルボン酸、4,4'−ビ
フェニルジカルボン酸、4,4'−ベンゾフェノンジカル
ボン酸、4,4'−ヘキサフルオロイソプロピリデン二安
息香酸、4,4'−ジカルボキシジフェニルアミド、1,
4−フェニレンジエタン酸、1,1−ビス(4−カルボ
キシフェニル)―1−フェニル−2,2,2−トリフルオ
ロエタン、ビス(4−カルボキシフェニル)スルフィ
ド、ビス(4−カルボキシフェニル)テトラフェニルジ
シロキサン、ビス(4−カルボキシフェニル)テトラメ
チルジシロキサン、ビス(4−カルボキシフェニル)ス
ルホン、ビス(4−カルボキシフェニル)メタン、5−
tert―ブチルイソフタル酸、5−ブロモイソフタル
酸、5−フルオロイソフタル酸、5−クロロイソフタル
酸、2,2−ビス−(p―カルボキシフェニル)プロパ
ン、4,4'−(p―フェニレンジオキシ)二安息香酸、
2,6−ナフタレンジカルボン酸、もしくはこれらの酸
クロライド体、およびヒドロキシベンゾトリアゾール等
との活性エステル体などを挙げることができるが、これ
らに限定されるものではない。また、これらのものは単
独あるいは混合して用いてもよい。
【0016】また、本発明で好適に用いられる、4価の
芳香族基R1を含むビス(o―アミノフェノール)とし
ては、例えば、3,3,−ジヒドロキシベンジジン、3,
3'−ジアミノ−4,4'−ジヒドロキシビフェニル、3,
3'−ジヒドロキシ−4,4'−ジアミノジフェニルスル
ホン、ビス−(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)
メタン、2,2−ビス−(3−アミノ−4−ヒドロキシ
フェニル)プロパン、2,2−ビス−(3−アミノ−4
−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,
2−ビス−(3−ヒドロキシ−4−アミノフェニル)ヘ
キサフルオロプロパン、ビス−(3−ヒドロキシ−4−
アミノフェニル)メタン、2,2−ビス−(3−ヒドロ
キシ−4−アミノフェニル)プロパン、3,3'−ジヒド
ロキシ−4,4'−ジアミノベンゾフェノン、3,3'−ジ
ヒドロキシ−4,4'−ジアミノジフェニルエーテル、
4,4'−ジヒドロキシ−3,3'−ジアミノジフェニエー
テル、2,5−ジヒドロキシ−1,4−ジアミノベンゼ
ン、4,6−ジアミノレゾルシノール、およびその混合
物などが挙げられるが、これに限定されるものではな
い。
【0017】本発明の芳香族ポリヒドロキシアミドは、
上記原料からなる重縮合体であるが、芳香族ジカルボン
酸ジクロライドや芳香族ジカルボン酸の活性エステル体
を用いる場合、適当な溶媒中でピリジン等の塩基性化合
物の存在下で、ビス−(o−アミノフェノール)と混合
することにより、得ることができる。しかし、芳香族ジ
カルボン酸を用いる場合は、適当な縮合剤が必要とな
る。このような縮合剤としては、従来公知の脱水縮合剤
を用いることができ、例えば、ジシクロヘキシルカルボ
ジイミド、1−エトキシカルボニル−2−エトキシ−
1,2−ジヒドロキノリン、1,1'−カルボニルジオキ
シ−ジ−1,2,3−ベンゾトリアゾール、N,N'−ジス
クシンイミジルカーボネート、亜リン酸エステル等を挙
げることができる。このうち、ジシクロヘキシルカルボ
ジイミドを用いる場合には、1−ヒドロキシ−1,2,3
−ベンゾトリアゾールと共用することが好ましい。
【0018】本発明の芳香族ポリヒドロキシアミドは、
上記原料からなる重縮合体の分子鎖両末端がアミン型と
なるように調整した後に、このアミン末端をtert−
ブトキシカルボニル基でウレタン結合の形に封止し、非
塩基性に改質することによって達成される。このとき用
いる封止剤としては、ジ(tert−ブチル)ジカーボ
ネートが、好ましい例として挙げられる。
【0019】末端アミノ基の封止率は、全アミン末端の
少なくとも40モル%以上であることが必須であり、よ
り好ましくは60モル%以上である。この末端封止率が
40モル%を下回ると、本発明の効果であるポジ型感光
性組成物とした場合の優れた保存安定性、リソグラフィ
ー特性、キュア後の硬化膜物性が十分発揮されず好まし
くない。
【0020】上記反応に用いる溶媒としては、生成する
ポリヒドロキシアミドを完全に溶解する極性溶媒が一般
に好ましく、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、
N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルム
アミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、γ
−ブチロラクトン等が挙げられる。その他、この極性溶
媒以外に一般的有機溶媒であるケトン類、エステル類、
ラクトン類、エーテル類、ハロゲン化炭化水素類、炭化
水素類、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、
酢酸エチル、酢酸ブチル、シュウ酸ジエチル、エチレン
グリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジ
メチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテ
ル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン、ジクロロメタン、1,2−ジクロロエタ
ン、1,4−ジクロロブタン、クロロベンゼン、o−ジ
クロロベンゼン、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トル
エン、キシレン等も使用することができる。
【0021】この反応生成物は、そのまま感光性樹脂組
成物に供することができるが、必要に応じて水又はメタ
ノール等のポリヒドロキシアミドの貧溶媒中に投入し、
さらに再沈を繰り返すことによって精製して使用するこ
ともできるまた、もう一つの発明であるポジ型感光性樹
脂組成物は、上記のポリヒドロキシアミドとジアゾキノ
ン化合物などの光活性成分を混合することにより得られ
る。このような感光性ジアゾキノン化合物は、1,2−
ベンゾキノンジアジドあるいは1,2−ナフトキノンジ
アジド構造を有する化合物であり、米国特許第2,77
2,972号公報、同第2,797,213号公報、同第
3,669,658号公報等により公知の物質である。
【0022】このような化合物の具体的な例としては、
例えば、下記のものが挙げられる。
【0023】
【化5】
【0024】
【化6】
【0025】この他、本発明のポジ型感光性樹脂組成物
には、本発明の効果を特に阻害するものでない限り、必
要に応じてフェノール化合物、レベリング剤、シランカ
ップリング剤などの添加剤を適宜添加することができ
る。本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、上記感光剤や
添加剤を、本発明のPBO前駆体ポリマーと共に溶剤に
溶解し、ワニス状にして使用される。
【0026】この場合の溶剤としては、N−メチル−2
−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−
ジメチルホルムアミド、γ−ブチロラクトン、ジメチル
スルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−
1,3−ブチレングリコールアセテート、1,3−ブチレ
ングリコール−3−モノメチルエーテル、ピルビン酸メ
チル、ピルビン酸エチル、メチル−3−メトキシプロピ
オネート等が挙げられ、単独でも混合して用いても良
い。
【0027】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例を挙げ、本
発明の具体的な例を説明する。
【0028】
【実施例1】容量2Lのセパラブルフラスラスコ中で、
N,N−ジメチルアセトアミド250g、ピリジン2
6.10g(0.33mol)、2,2−ビス(3−ア
ミノー4−ヒドロキシフェニル)―ヘキサフルオロプロ
パン69.59g(0.19mol)を室温(23℃)
で混合攪拌し、ジアミンを溶解させた。これに、別途ジ
エチレングリコールジメチルエーテル130g中に4,
4'−ジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロライド4
4.27g(0.15mol)を溶解させたものを、滴
下ロートより滴下した。この際、セパラブルフラスコは
15〜20℃の水浴で冷却した。滴下に要した時間は2
5分、反応液温は最大で30℃であった。滴下終了から
60分攪拌放置後、反応液にジ(tert−ブチル)ジ
カーボネート26.19g(0.12mol;全アミン
末端の1.5等量)を投入し、20〜25℃で6時間撹
拌放置し、ポリマー鎖の全アミン末端にtert−ブト
キシカルボニル基を導入、封止した。
【0029】この際のアミン末端封止反応率は、投入し
た封止剤、ジ(tert−ブチル)ジカーボネートの残
量を高速液体クロマトグラフィー(HPLC)で追跡す
ることにより容易に算出でき、95.1%であった。そ
の後、上記反応液を5Lのイオン交換水に高速撹拌下で
滴下し、得られた重合体を分散、析出させ、これを回収
し、適宜水洗、脱水ののちに真空乾燥し、目的のポリヒ
ドロキシアミドを得た。
【0030】また、更にポリマーの精製が必要な場合、
以下の方法によって実施することが可能である。すなわ
ち、上記で得られたポリマーをガンマブチロラクトン
(GBL)300gに再溶解し、イオン交換精製に供し
た。用いるイオン交換樹脂は、強酸性イオン交換樹脂2
5g、弱塩基性イオン交換樹脂50gであり、これらを
適宜水洗し、GBLに溶媒置換した後に、それぞれガラ
ス製カラムに充填し、調整した。これに重合体溶液を通
液し、イオン交換精製を行った。
【0031】イオン交換精製後の反応液を、5Lのイオ
ン交換水に高速攪拌下で滴下し、重合体を分散析出さ
せ、これを回収し、適宜水洗、脱水の後に真空乾燥を施
し、GPCで求めた重量平均分子量Mw(展開溶媒テト
ラヒドロフランでのポリスチレン換算値;以下同様。)
が10,200の芳香族ポリヒドロキシアミドを得た。
【0032】
【実施例2】用いる芳香族ジカルボン酸クロライドをイ
ソフタル酸ジクロライドとした以外は、実施例1と同様
の操作を行い、アミン末端封止率98.5%、重量平均
分子量Mw:10,000の芳香族ポリヒドロキシアミ
ドを得た。
【0033】
【実施例3】末端封止剤ジ(tert−ブチル)ジカー
ボネートの投入量を全アミン末端の3.0等量(0.2
4モル/52.38g)とした以外は、実施例1と同様
の操作を行い、アミン末端封止率100.0%、重量平
均分子量Mw:10,000の芳香族ポリヒドロキシア
ミドを得た。
【0034】
【比較例1】重縮合反応終了後の反応液に封止剤ジ(t
ert−ブチル)ジカーボネートを加えなかった以外
は、実施例1と同様の操作を行い、分子鎖末端がアミノ
基のままの芳香族ポリヒドロキシアミド(重量平均分子
量Mw:10,100)を調製し、比較とした。
【0035】
【比較例2】封止剤ジ(tert−ブチル)ジカーボネ
ート投入量を8.73g(0.04mol;全アミン末
端の0.5当量)とした以外は、実施例1と同様の操作
を行い、アミン末端封止率37.4%、重量平均分子量
Mw:10,000である芳香族ポリヒドロキシアミド
を得た。
【0036】
【比較例3】ジ(tert−ブチル)ジカーボネートの
代わりに5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水
物26.26g(0.16mol)を使用し、封止反応
時間を17時間とした以外は、実施例1と同様の操作を
行い、末端封止率96.7%、重量平均分子量Mw:1
0,300の芳香族ポリヒドロキシアミドを得た。
【0037】上記各例で得られたポリマーを用いて、そ
れぞれポジ型感光性樹脂組成物を調製し、保存安定性、
パターニング特性、フィルムの機械物性などの評価を行
った。まず、各重合体100重量部、感光剤(化7参
照)20重量部をガンマブチロラクトン160重量部に
溶解した後、0.2μmのフィルターで濾過して感光性
樹脂組成物を調製した。
【0038】
【化7】
【0039】評価1:保存安定性 この組成物を、フィルター濾過から24時間後に一部分
取し、23℃で7日間遮光保管した。この遮光保管前後
の溶液粘度を、東京計器製E型粘度計で測定し、粘度変
化率を算出して保存安定性の指標とした。結果を表1に
示す。
【0040】
【表1】
【0041】また、この組成物を、スピンコーターを用
いてシリコンウェハー上に均一塗布し、120℃ホット
プレート上で200秒間プリベークし、初期膜厚約12
μm(パターニング評価用)および15μm(機械物性
測定用)のウェハー塗布膜を必要枚数作成した。スピン
コーターの塗布回転数は、この初期膜厚を達成すべく、
サンプル毎に適宜設定した。
【0042】評価2:パターニング評価 上記パターニング評価用ウェハー塗布膜数枚に、テスト
パターン付きレチクルを通してi-線ステッパー(ニコン
製)で500mJ/cm2 の露光を行った。この露光膜
を、東京応化製NMD−3現像液(テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド2.38%水溶液)を用いて、用意
したウェハー毎に適宜時間を変化させてパドル現像を施
し、露光部を溶解除去させた。現像後、引き続いて20
秒間精製水でリンスして溶解を停止させ、窒素気流中で
風乾し、パターン評価サンプルを作成した。
【0043】このサンプルの解像度、残渣などを光学顕
微鏡下で目視観察し、最も微細かつ良好なパターン(バ
イアホール、ラインアンドスペースなど)が得られた現
像時間での解像度を評価した。また、未露光部の現像前
後での塗布膜厚を測定し、未露光部残膜率(単位%、1
00%であれば露光前後での膜厚変化なし)を算出、評
価するとともに、この値と露光部の現像時間(Dose
toclear)の値から、露光部と未露光部の溶解速
度比を算出し、解像コントラストの指標とした。結果を
表2に示す。
【0044】
【表2】
【0045】評価3:フィルム機械物性評価 機械物性評価用ウェハー塗布膜を、縦型キュア炉(光陽
リンドバーグ製)にセットし、窒素雰囲気中、320℃
で2時間、350℃で2時間、400℃で1時間の3水
準でキュアリング(加熱環化処理)を施し、ポリベンズ
オキサゾール(PBO)膜とした。
【0046】このキュア膜をシリコンウェハーから剥離
し、機械物性評価に供した。評価方法はASTM D−
882−88に準拠した。結果を表3に示す。
【0047】
【表3】
【0048】本発明の実施例のポリマーを用いた組成物
は、極めて保存安定性が高く、優れた解像コントラスト
(露光部/未露光部溶解速度比)、パターニング特性を
示し、かつ機械物性的にも、加熱硬化温度に依存せず
に、極めて柔軟性の高いものとなり、半導体素子の表面
保護膜、層間絶縁膜用途として充分実用的である。一
方、比較例1のポリマーを用いた組成物は、分子鎖末端
がアミン塩基性のままであるために、感光剤の変性、劣
化による粘度変化率が異常に大きく、実用不可である。
【0049】比較例2のポリマーは、末端封止率が本発
明の要件よりも低い場合であるが、これを用いた組成物
は、明らかに本発明よりも溶解能不足で長い現像時間を
要し、このため残膜率や解像度も低く、また残滓の発生
も激しく、実用性に乏しい。比較例3のポリマーは、公
知の末端封止法を模したものであるが、これを用いた組
成物の熱硬化膜の機械物性は、320℃程度の低温キュ
ア時には本発明の実施例と変わらない値であるものの、
キュア温度が高くなるに従って、その脂肪族性の架橋結
合の解裂によると思われる大幅な伸度低下を引き起こし
ており、半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜など、高
温処理が必須の用途に用いるには、信頼性の点で好まし
くない。
【0050】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の芳香族ポリ
ヒドロキシアミドおよびこれを用いたポジ型感光性樹脂
組成物は、優れた保存安定性、アルカリ溶解特性、パタ
ーニング特性を有し、同時に半導体素子の表面保護膜、
層間絶縁膜用途として要求される耐熱性、力学性能に関
しても、加熱硬化プロセスに依らずに高いレベルで満足
させることができ、有機溶剤現像型ポリイミド前駆体の
有望な代替材料として工業的に充分に利用可能である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H025 AA10 AA13 AB16 AC01 AD03 BE01 CB26 CC03 FA17 FA29 4J001 DB01 DD05 DD08 EB33 EB34 EB35 EB36 EB37 EB46 EB55 EB56 EB57 EB58 EB59 EC65 EC66 EC67 EC68 EC70 EE30C EE55D EE64D GA12 JA20

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式(I)で示される芳香族ポリ
    ヒドロキシアミド。 【化1】 [式中R1 は4価の芳香族基、R2 は2価の芳香族基で
    あり、nは2〜150の整数である。Zは1価の有機基
    であって、かつZの少なくとも40モル%以上が以下の
    構造式(II)であることを特徴とする。] 【化2】
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の芳香族ポリヒドロキシ
    アミド、およびジアゾキノン化合物を含有するポジ型感
    光性樹脂組成物。
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